KR102523354B1 - 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자 - Google Patents
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Abstract
이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자가 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 도전성 스트립을 탈지하는 탈지 단계, 탈지 단계를 거친 도전성 스트립을 식각하는 에칭 단계, 에칭 단계를 거친 도전성 스트립을 화성 피막 처리하는 화성 피막 처리 단계 및 화성 피막 처리 단계를 거친 도전성 스트립을 유기 피막 처리하는 유기 피막 처리 단계를 포함하는 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자에 관한 것이다.
본 발명은 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이와 더불어 IT 기기의 핵심부품으로 이차전지 산업이 각광 받고 있다. 최근에는 대용량 전지가 사용되는 전기자전거, 하이브리드 자동차(HEV), 전기자동차(EV), 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV) 및 에너지 저장장치(ESS) 등의 용도로써 그 사용이 증가되고 있다.
일반적인 이차전지의 부품 중의 하나인 전극단자(양극단자 및 음극단자)는 집전체의 말단부(즉, 전극탭)와 접촉 또는 접속되어 집전체와 외부를 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 이러한 전극단자는 그 일측이 이차전지의 단위셀 케이스 내부에 위치하고, 타측은 단위셀 케이스 외부에 위치하며, 단위셀 내부의 전해액이 전극단자와 케이스의 접합부위를 통해 누액되는 것을 방지하기 위하여 절연필름이 전극단자 중간에 부착된다.
이러한 전극단자는 통상 집전체와 동일한 재질을 사용하며, 외부 공기 및 이물에 의한 부식을 방지하기 위해 내부식성 금속으로 도금된다. 구체적으로, 양극단자 및 양극집전체는 알루미늄 재질일 수 있고, 음극단자 및 음극집전체는 구리 재질일 수 있으며, 이러한 알루미늄 또는 구리 재질의 전극단자는 산화가 잘되고, 부식에 약하므로 그 표면에 니켈 등을 도금하여 사용하고 있다.
본 발명은 도전성 스트립의 표면에 화성 피막 및 유기 피막을 처리하여 도전성 스트립의 표면과 필름 사이 접착력을 향상시킬 수 있는 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 도전성 스트립을 탈지하는 탈지 단계, 탈지 단계를 거친 도전성 스트립을 식각하는 에칭 단계, 에칭 단계를 거친 도전성 스트립을 화성 피막 처리하는 화성 피막 처리 단계 및 화성 피막 처리 단계를 거친 도전성 스트립을 유기 피막 처리하는 유기 피막 처리 단계를 포함하는 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법이 제공된다.
화성 피막 처리 단계는 크롬을 포함하는 코팅제를 이용하여 에칭 단계를 거친 도전성 스트립을 화성 피막 처리할 수 있다.
유기 피막 처리 단계는 아민계 화합물을 포함하는 유기 피막제를 이용하여 화성 피막 처리 단계를 거친 도전성 스트립을 피막 처리할 수 있다.
유기 피막제는 물 92 내지 94 중량부 및 아민계 화합물 1 내지 3 중량부를 포함할 수 있다.
이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법은 탈지 단계, 에칭 단계, 화성 피막 처리 단계 및 유기 피막 처리 단계 사이 중 적어도 어느 하나에, 도전성 스트립의 표면을 세척하는 수세 단계를 더 포함할 수 있다.
에칭 단계는 도전성 스트립에 미세 요철을 형성하는 소프트 에칭 공정으로 수행될 수 있다.
이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법은 탈지 단계 이전에, 제1 릴 유닛에 감겨진 상태로 제공된 도전성 스트립을 제1 릴 유닛으로부터 푸는 언와인딩(unwinding) 단계를 더 포함할 수 있다.
이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법은 유기 피막 처리 단계 이후에, 유기 피막 처리 단계를 거친 도전성 스트립을 건조하는 건조 단계 및 건조 단계를 거친 도전성 스트립을 제2 릴 유닛에 감아서 보관하는 리와인딩(rewinding) 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1항 내지 제8항의 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자가 제공된다.
본 발명에 따르면 도전성 스트립의 표면에 화성 피막 및 유기 피막을 처리하여 도전성 스트립의 표면과 필름 사이 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 수행하는 이차전지용 전극 단자 표면 처리 장치를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지 및 필름의 접착을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지 및 필름의 접착강도를 나타낸 그래프.
도 6은 배터리의 케이스와 전극 단자 사이로 전해액의 누액이 발생하는 경우를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 수행하는 이차전지용 전극 단자 표면 처리 장치를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지 및 필름의 접착을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지 및 필름의 접착강도를 나타낸 그래프.
도 6은 배터리의 케이스와 전극 단자 사이로 전해액의 누액이 발생하는 경우를 나타낸 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자(100) 의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도전성 스트립(110)을 탈지하는 탈지 단계(S120), 탈지 단계(S120)를 거친 도전성 스트립(110)을 식각하는 에칭 단계(S130), 에칭 단계(S130)를 거친 도전성 스트립(110)을 화성 피막 처리하는 화성 피막 처리 단계(S140) 및 화성 피막 처리 단계(S140)를 거친 도전성 스트립(110)을 유기 피막 처리하는 유기 피막 처리 단계(S150)를 포함하는 이차전지용 전극 단자(100)의 표면 처리 방법이 개시된다.
이차전지용 전극 단자(100)는 배터리로부터 전자기기 사이에서 전기적으로 연결하며, 배터리의 케이스와 전극 단자 사이로 전해액의 누액이 발생하는 것을 방지하기 위하여 필름(140)이 부착될 수 있다.
본 실시예는 화성 피막 처리 단계(S140) 및 유기 피막 처리 단계(S150)를 거쳐 도전성 스트립(110)의 표면과 필름(140) 사이의 접착강도를 향상시킬 수 있으며, 이를 통해 전해액의 누액을 방지할 수 있다(도 6 참고).
이러한 이차전지의 충전 및 방전이 반복되는 경우, 팽창이 일어나서 배터리 파우치에 불량이 발생하거나 전해액의 누액이 발생할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른, 이차전지용 전극 단자(100)의 표면 처리 방법의 각 단계에 대해 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 도전성 스트립(110)을 탈지하는 탈지 단계(S120), 탈지 단계(S120)를 거친 도전성 스트립(110)을 식각하는 에칭 단계(S130), 에칭 단계(S130)를 거친 도전성 스트립(110)을 화성 피막 처리하는 화성 피막 처리 단계(S140) 및 화성 피막 처리 단계(S140)를 거친 도전성 스트립(110)을 유기 피막 처리하는 유기 피막 처리 단계(S150)를 수행하여, 이차전지용 전극 단자(100)의 표면을 처리할 수 있다.
이러한 본 실시예는 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 릴 유닛(210), 탈지 유닛(220), 에칭 유닛(230), 화성 피막 처리 유닛(240), 유기 피막 처리 유닛(250), 수세 유닛(260) 및 제2 릴 유닛(270)을 포함하는 전극 단자 표면 처리 장치(200)에 의해 수행될 수 있다.
또한, 본 실시예는 릴투릴(Reel to Reel) 방식으로 도전성 스트립(110)이 감겨있는 제1 릴 유닛(210)으로부터 도전성 스트립(110)이 풀려서 상술한 탈지 단계(S120), 에칭 단계(S130), 화성 피막 처리 단계(S140) 및 유기 피막 처리 단계(S150)가 수행될 수 있고(S110), 유기 피막 처리가 마쳐진 도전성 스트립(110)은 제2 릴 유닛(270)에 감겨 보관될 수 있다(S170).
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 탈지 단계(S120) 이전에, 제1 릴 유닛(210)에 감겨진 상태로 제공된 도전성 스트립(110)을 제1 릴 유닛(210)으로부터 푸는 언와인딩(unwinding) 단계(S110)가 수행될 수 있으며, 유기 피막 처리 단계(S150) 이후에, 유기 피막 처리 단계(S150)를 거친 도전성 스트립(110)을 제2 릴 유닛(270)에 감아서 보관하는 리와인딩(rewinding) 단계(S170)가 수행될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 탈지 단계는 탈지 유닛(220)에서 수행될 수 있으며, 제1 릴 유닛(210)으로부터 제공된 도전성 스트립(110)의 표면에 부착 또는 함유된 이물을 제거하는 단계를 말한다.
보다 구체적으로, 탈지 단계(S120)는 전해액에 도전성 스트립(110)을 통과시키며 전압을 인가하여 도전성 스트립(110)의 표면에 부착 또는 함유된 이물을 제거하는 전해 탈지 방법이 수행될 수 있다.
한편, 탈지 단계(S120)는 정해진 시간을 초과하여 수행되면 도전성 스트립(110)이 변색될 수 있으므로, 기설정된 시간 이내로 수행되어야 한다.
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 에칭 단계(S130)는 에칭 유닛(230)에서 수행될 수 있으며, 탈지 단계(S120)를 거친 도전성 스트립(110)을 제공받아 도전성 스트립(110)의 표면에 불필요한 부분을 제거하거나 표면을 가공하는 단계로, 습식 또는 건식으로 수행될 수 있다.
보다 구체적으로, 에칭 단계(S130)는 도전성 스트립(110)에 미세 요철을 형성하는 소프트 에칭 공정으로 수행될 수 있으며, 소프트 에칭 공정으로 수행된 도전성 스트립(110)은 표면에 미세 요철이 형성되어 필름(140)과의 사이에 접촉 면적이 증가하여 접착력이 향상될 수 있다.
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 화성 피막 처리 단계(S140)는 화성 피막 처리 유닛(240)에서 수행될 수 있으며, 에칭 단계(S130)를 거친 도전성 스트립(110)을 화성 피막 처리하는 단계이다. 보다 구체적으로, 화성 피막 처리 단계(S140)는 크롬을 포함하는 코팅제를 이용하여 에칭 단계(S130)를 거친 도전성 스트립(110)을 화성 피막 처리할 수 있다.
이러한 화성 피막층(120)은 고온의 전해액의 환경에서 전해액의 침투위험성도 발생될 수 있다.
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 유기 피막 처리 단계(S150)는 유기 피막 처리 유닛(250)을 이용하여 화성 피막 처리 단계(S140)를 거친 도전성 스트립(110)을 유기 피막 처리하는 것을 말하며, 보다 구체적으로, 유기 피막 처리 단계(S150)는 아민계 화합물을 포함하는 유기 피막제를 이용하여 화성 피막 처리 단계(S140)를 거친 도전성 스트립(110)을 피막 처리할 수 있다.
아래 표 1과 같이, 유기 피막제의 구성이 이루어질 수 있으며, 아민계 화합물은 트리에탄올아민(2.2'.2"-Nitrilotriethanol)을 포함할 수 있으며, 유기 피막제는 물 92 내지 94 중량부 및 아민계 화합물 1 내지 3 중량부를 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로, 아민계 화합물은 20,000 내지 30,000PPM이 유기 피막제에 포함될 수 있다.
| 물질명 | 이명(관용명) | CAS 번호 | 함유량(%) |
| 물 | 다이하이드로젠 옥사이드; 옥사시단 | 7732-18-5 / KE-35400 | 92~94 |
| 트리에탄올아민 | 2.2'.2"-Nitrilotriethanol | 102-71-6 | 1~3 |
| 기타 첨가물 | 4~6 |
도 3의 (a)와 같이, 화성 피막 처리 단계(S140)를 거친 도전성 스트립(110)에 필름(140)이 부착되는 경우는 도 3의 (b)와 같이, 유기 피막 처리 단계(S150)도 거친 도전성 스트립(110)에 필름(140)이 부착되는 경우보다 내식성이 약하고, 이에 따라 도전성 스트립(110)과 필름(140) 사이의 접착강도가 낮아질 수 있다.
도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 유기 피막 처리 단계(S150)가 수행되지 않은 경우에는 화성 피막층(120)의 크롬이 산화될 수 있으며, 산화막에 의해 필름(140)과 도전성 스트립(110) 사이의 접착강도가 낮아질 수 있고, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 유기 피막 처리 단계(S150)가 수행된 경우에는 화성 피막층(120)의 크롬과 유기 피막층(130)의 표면처리 화합물이 안정적으로 결합하여 필름(140)과 도체의 접착강도를 향상시킬 수 있다.
한편, 유기 피막 처리 단계(S150)는 전해 처리되어 피막을 두께를 조절 가능하도록 할 수도 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 수세 단계(S200)는 탈지 단계(S120), 에칭 단계(S130), 화성 피막 처리 단계(S140) 및 유기 피막 처리 단계(S150) 사이 중 적어도 어느 하나에서 수세 유닛(260)을 이용하여 도전성 스트립(110)의 표면을 세척할 수 있으며, 유기 피막 처리 단계(S150)가 수행된 이후에도 수행될 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 유기 피막 처리 단계(S150) 이후에, 유기 피막 처리 단계(S150)를 거친 도전성 스트립(110)을 건조하는 건조 단계(S160)가 수행될 수 있다.
이어서 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른, 이차전지용 전극 단자(100)의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자(100)에 대해 설명한다.
본 실시예의 이차전지용 전극 단자(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 도전성 스트립(110)에 언와인딩 단계(S110), 탈지 단계(S120), 에칭 단계(S130), 화성 피막 처리 단계(S140), 유기 피막 처리 단계(S150), 리와인딩 단계(S170) 및 수세 단계(S200)를 수행하여 표면 처리될 수 있다.
이러한 이차전지용 전극 단자(100)는 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 내부에 도전성 스트립(110)이 위치하고, 도전성 스트립(110)의 외부에 화성 피막층(120) 및 유기 피막층(130)이 코팅될 수 있다. 화성 피막층(120) 및 유기 피막층(130)은 도전성 스트립(110)을 보호함과 동시에 전극 단자 외부에 부착되는 필름(140)과의 접착강도를 향상시킬 수 있다.
본 실시예의 이차전지용 전극 단자(100)는 도전성 스트립(110)이 제2 릴로부터 풀려서 절단기에 의해 정해진 길이로 절단되어 사용될 수 있으며, 절단된 후 필름(140)이 접착될 수 있다.
따라서 본 실시예의 이차전지용 전극 단자(100)는 화성 피막층(120)의 크롬이 산화되는 것을 방지하고, 필름(140)과의 접착력이 향상되어 배터리의 전해액의 누액을 방지할 수 있다.
한편, 본 실시예의 이차전지용 전극 단자(100)의 필름(140)과의 접착강도를 비교한 결과 도 5와 같이 나타났다.
아래 표 2 및 표 3에 나타난 바와 같이, 도전성 스트립(110)이 니켈 또는 구리인 경우의 접착강도 및 도전성 스트립(110)이 알루미늄인 경우의 접착강도가 측정될 수 있으며, 도 5의 (a)는 도전성 스트립(110)이 니켈 또는 구리인 경우에 필름(140)과 도전성 스트립(110)의 접착강도를 나타낸 것이며, 도 5의 (b)는 도전성 스트립(110)이 알루미늄인 경우에 필름(140)과 도전성 스트립(110)의 접착강도를 나타낸 것이며, 각각 본 실시예는 시간이 지날수록 비교군들에 비해서 높은 접착강도를 유지할 수 있는 것을 볼 수 있다.
상술한 이차전지용 전극 단자(100)의 필름(140)과의 접착강도 측정은 전해액 85℃에서 수분 10,000PPM 인 환경에서 수행될 수 있으며, 도전성 스트립(110)이 니켈 또는 구리인 경우에서 7일 기준, 실시예는 비교군들 보다 약 60% 이상 더 높은 접착강도를 가진 것으로 나타났다.
한편, 본 실시예의 이차전지용 전극 단자(100)는 0.2 내지 0.4T(mm)의 도전성 스트립(110)을 이용할 수 있으며, 이 때, 유기피막층(130)의 경우 나노 단위의 두께로 형성될 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 이차전지용 전극 단자
110: 도전성 스트립
120: 화성 피막층
130: 유기 피막층
140: 필름
200: 전극 단자 표면 처리 장치
210: 제1 릴 유닛
220: 탈지 유닛
230: 에칭 유닛
240: 화성 피막 처리 유닛
250: 유기 피막 처리 유닛
260: 수세 유닛
270: 제2 릴 유닛
110: 도전성 스트립
120: 화성 피막층
130: 유기 피막층
140: 필름
200: 전극 단자 표면 처리 장치
210: 제1 릴 유닛
220: 탈지 유닛
230: 에칭 유닛
240: 화성 피막 처리 유닛
250: 유기 피막 처리 유닛
260: 수세 유닛
270: 제2 릴 유닛
Claims (9)
- 도전성 스트립을 탈지하는 탈지 단계;
상기 탈지 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 식각하는 에칭 단계;
상기 에칭 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 화성 피막 처리하는 화성 피막 처리 단계; 및
상기 화성 피막 처리 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 유기 피막 처리하는 유기 피막 처리 단계를 포함하고,
상기 화성 피막 처리 단계는 상기 도전성 스트립의 내식성을 향상시키기 위해 크롬을 포함하는 코팅제를 이용하여 상기 에칭 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 화성 피막 처리하고,
상기 유기 피막 처리 단계는 상기 도전성 스트립에 부착되는 필름과 접착 강도를 향상시키기 위해 아민계 화합물을 포함하는 유기 피막제를 이용하여 상기 화성 피막 처리 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 피막 처리하고,
상기 탈지 단계 이전에,
제1 릴 유닛에 감겨진 상태로 제공된 상기 도전성 스트립을 상기 제1 릴 유닛으로부터 푸는 언와인딩(unwinding) 단계를 더 포함하고.
상기 유기 피막 처리 단계 이후에,
상기 유기 피막 처리 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 건조하는 건조 단계; 및
상기 건조 단계를 거친 상기 도전성 스트립을 제2 릴 유닛에 감아서 보관하는 리와인딩(rewinding) 단계를 더 포함하고,
상기 도전성 스트립은 상기 제1 유닛으로부터 제2 릴 유닛으로 이동하는 과정에서 상기 탈지 단계, 상기 에칭 단계, 상기 화성 피막 처리 단계 및 상기 유기 피막 처리 단계가 수행되는, 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 유기 피막제는 물 92 내지 94 중량부 및 아민계 화합물 1 내지 3 중량부를 포함하는, 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 탈지 단계, 상기 에칭 단계, 상기 화성 피막 처리 단계 및 상기 유기 피막 처리 단계 사이 중 적어도 어느 하나에,
상기 도전성 스트립의 표면을 세척하는 수세 단계를 더 포함하는, 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 에칭 단계는 상기 도전성 스트립에 미세 요철을 형성하는 소프트 에칭 공정으로 수행되는, 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법을 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자.
Priority Applications (1)
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| KR1020230049188A KR20230123007A (ko) | 2022-02-15 | 2023-04-14 | 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20220019317 | 2022-02-15 | ||
| KR1020220019317 | 2022-02-15 |
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| KR1020230049188A KR20230123007A (ko) | 2022-02-15 | 2023-04-14 | 이차전지용 전극 단자의 표면 처리 방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 이차전지용 전극 단자 |
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| KR (3) | KR102523354B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102690504B1 (ko) | 2024-04-29 | 2024-07-31 | 주식회사 유진테크놀로지 | 이차전지용 리드 탭 표면처리 방법 |
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2022
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-
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-
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| KR20230123007A (ko) | 2023-08-22 |
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