[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102492365B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

Info

Publication number
KR102492365B1
KR102492365B1 KR1020160061091A KR20160061091A KR102492365B1 KR 102492365 B1 KR102492365 B1 KR 102492365B1 KR 1020160061091 A KR1020160061091 A KR 1020160061091A KR 20160061091 A KR20160061091 A KR 20160061091A KR 102492365 B1 KR102492365 B1 KR 102492365B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan
pixel
light emitting
organic light
nth
Prior art date
Application number
KR1020160061091A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170130680A (en
Inventor
이재식
김창엽
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160061091A priority Critical patent/KR102492365B1/en
Publication of KR20170130680A publication Critical patent/KR20170130680A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102492365B1 publication Critical patent/KR102492365B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제n 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행들을 포함하는 표시 패널, 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로, 및 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고, 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함한다. 이 때, 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하고, 제1 내지 제n 화소-행들을 위한 제1 내지 제n 스캔 시간들은 제1 내지 제n 화소-행들과 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아진다.An organic light emitting display device includes a display panel including first to nth pixel-rows connected to first to nth scan lines, a driving integrated circuit that drives the display panel, and a high power supply voltage and a low power supply voltage to the display panel. and a power supply circuit for supplying the driving power supply voltage to the driving integrated circuit. At this time, each of the pixel circuits constituting the first to nth pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation on the driving transistor, and the first to nth scan times for the first to nth pixel-rows are The distance between the 1st to nth pixel-rows and the power supply circuit becomes shorter as the distance increases.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 화소 회로를 구비하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device. More specifically, the present invention relates to an organic light emitting display device having a pixel circuit performing a threshold voltage compensation operation for a driving transistor.

일반적으로, 유기 발광 표시 장치는 스스로 빛을 내는 유기 발광 다이오드를 구비하여 이미지를 표시하기 때문에, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않아 상대적으로 두께와 무게가 작다는 장점을 가지고 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 소비 전력, 휘도 및 응답 속도 등에서 액정 표시 장치에 비해 유리하기 때문에, 전자 기기에 구비되는 표시 장치로서 유기 발광 표시 장치가 많이 이용되고 있다. 일반적으로, 유기 발광 표시 장치 내 각 화소 회로에 포함된 유기 발광 다이오드는 고전원 전압(ELVDD)과 저전원 전압(ELVSS) 사이에서 구동 트랜지스터에 의해 조절되는 전류에 기초하여 발광한다. 따라서, 모든 조건이 동일하다고 가정할 때, 고전원 전압이 큰 경우 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류는 크고(즉, 휘도가 높음), 고전원 전압이 작은 경우 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류는 작다(즉, 휘도가 낮음). 하지만, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류는 각 화소 회로에 인가되는 데이터 신호(즉, 데이터 전압)에 의해 조절되어야 하는 것이므로, 모든 화소 회로들에 인가되는 고전원 전압은 기본적으로 동일해야만 한다. 그러나, 고전원 전압은 전원 공급 회로에서 전원 라인을 경유하여 각 화소 회로로 인가되기 때문에, 고전원 전압이 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하(IR-DROP)에 의해, 전원 공급 회로와 거리가 먼 화소 회로에는 상대적으로 낮은 고전원 전압이 인가된다. 그 결과, 모든 화소 회로들에 동일한 데이터 신호가 인가되는 경우에도, 전원 공급 회로와 거리가 먼 화소 회로의 휘도는 전원 공급 회로와 거리가 가까운 화소 회로의 휘도보다 낮기 때문에, 고전원 전압이 각 화소 회로에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널의 휘도 불균일은 보상되어야 한다.In general, since an organic light emitting display device includes an organic light emitting diode that emits light by itself to display an image, unlike a liquid crystal display device, it does not require a separate light source and has a relatively small thickness and weight. In addition, since the organic light emitting display device is advantageous compared to the liquid crystal display device in terms of power consumption, luminance, and response speed, the organic light emitting display device is widely used as a display device included in electronic devices. In general, an organic light emitting diode included in each pixel circuit in an organic light emitting diode display emits light based on a current controlled by a driving transistor between a high power supply voltage ELVDD and a low power supply voltage ELVSS. Therefore, assuming all conditions are the same, when the high power supply voltage is high, the current flowing through the organic light emitting diode is large (i.e., the luminance is high), and when the high power supply voltage is low, the current flowing through the organic light emitting diode is small (i.e., low luminance). However, since the current flowing through the organic light emitting diode must be controlled by the data signal (ie, data voltage) applied to each pixel circuit, the high power supply voltage applied to all pixel circuits must be basically the same. However, since the high power supply voltage is applied from the power supply circuit to each pixel circuit via the power line, a voltage drop (IR-DROP) generated as the high power supply voltage passes through the power line reduces the distance from the power supply circuit. A relatively low high power supply voltage is applied to the farthest pixel circuit. As a result, even when the same data signal is applied to all pixel circuits, since the luminance of a pixel circuit that is far from the power supply circuit is lower than that of a pixel circuit that is close to the power supply circuit, the high power supply voltage is applied to each pixel. When applied to a circuit, non-uniformity in luminance of a display panel due to a voltage drop occurring as it passes through a power line must be compensated for.

본 발명의 일 목적은 고전원 전압이 각 화소 회로에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널의 휘도 불균일을 보상함으로써 고품질의 이미지를 표시할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. 다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.One object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of displaying high-quality images by compensating for luminance non-uniformity of a display panel due to a voltage drop occurring when a high power voltage is applied to each pixel circuit via a power line. is to provide However, the object of the present invention is not limited to the above object, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제n(단, n은 2이상의 정수) 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행(pixel-row)들을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로, 및 상기 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고 상기 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하고, 상기 제1 내지 제n 화소-행들을 위한 제1 내지 제n 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들과 상기 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다.In order to achieve one object of the present invention, an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention provides first to n-th pixel-rows connected to first to n-th scan lines (where n is an integer greater than or equal to 2). A display panel including (pixel-rows), a driving integrated circuit driving the display panel, and a power supply circuit supplying a high power supply voltage and a low power supply voltage to the display panel and supplying a driving power supply voltage to the driving integrated circuit can include In this case, each of the pixel circuits constituting the first to n th pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation on a driving transistor, and the first to n th scan times for the first to n th pixel-rows are performed. s may be shortened as distances between the first to n-th pixel-rows and the power supply circuit increase.

일 실시예에 의하면, 상기 화소 회로들 각각은 상기 저전원 전압에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드, 제1 노드에 연결된 게이트 단자, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터로서 동작하는 제1 트랜지스터, 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호가 인가되는 제1 단자 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제3 트랜지스터, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제2 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 제4 트랜지스터, 및 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, each of the pixel circuits includes an organic light emitting diode including a cathode connected to the low power supply voltage, a gate terminal connected to a first node, a first terminal connected to an anode of the organic light emitting diode, and a second node. A second transistor including a second terminal connected thereto and operating as the driving transistor, a gate terminal to which a scan signal is applied, a first terminal to which a data signal is applied, and a second terminal connected to the second node. , a third transistor including a gate terminal to which the scan signal is applied, a first terminal connected to the first node, and a second terminal connected to the anode of the organic light emitting diode, a gate terminal to which an emission control signal is applied, the third transistor A fourth transistor including a first terminal connected to two nodes and a second terminal connected to the high power supply voltage, and a storage capacitor including a first terminal connected to the first node and a second terminal connected to the high power supply voltage. can include

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 인가되는 제1 내지 제n 스캔 신호들 각각의 스캔 온 구간의 길이를 조절함으로써 결정될 수 있다.According to an embodiment, the first to n-th scan times may be determined by adjusting the length of a scan-on period of each of the first to n-th scan signals applied to the first to n-th pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 짧아질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 길어질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 길어질 수 있다.According to an embodiment, as the length of the scan-on section becomes shorter, the first through n-th scan times may become shorter, and as the length of the scan-on section becomes longer, the first through n-th scan times may become longer. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 연결되는 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 RC 딜레이를 조절함으로써 결정될 수 있다.According to an embodiment, the first to n th scan times may be determined by adjusting an RC delay of each of the first to n th scan lines connected to the first to n th pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 RC 딜레이가 커질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 RC 딜레이가 작아질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 길어질 수 있다.According to an embodiment, as the RC delay increases, the first through nth scan times may become shorter, and as the RC delay decreases, the first through nth scan times may become longer.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to nth scan lines may be adjusted by changing the type of materials included in each of the first to nth scan lines.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to nth scan lines may be adjusted by changing a mixing ratio of materials included in each of the first to nth scan lines.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 길이를 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to n th scan lines may be adjusted by changing a length of each of the first to n th scan lines.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제n(단, n은 2이상의 정수) 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행(pixel-row)들을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로, 및 상기 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고 상기 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하고, 상기 제1 내지 제n 화소-행들은 제1 내지 제k(단, k는 2이상의 정수) 화소-블록(pixel-block)들로 그룹화되며, 상기 제1 내지 제k 화소-블록들을 위한 제1 내지 제k 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제k 화소-블록들과 상기 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다.In order to achieve one object of the present invention, an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention provides first to n-th pixel-rows connected to first to n-th scan lines (where n is an integer greater than or equal to 2). A display panel including (pixel-rows), a driving integrated circuit driving the display panel, and a power supply circuit supplying a high power supply voltage and a low power supply voltage to the display panel and supplying a driving power supply voltage to the driving integrated circuit can include At this time, each of the pixel circuits constituting the first to n th pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation for a driving transistor, and the first to n th pixel-rows have first to k th (provided that, k is an integer of 2 or more) pixel-blocks are grouped, and the first to k th scan times for the first to k th pixel-blocks correspond to the first to k th pixel-blocks and the The distance between the power supply circuits may be shortened as the distance increases.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제k 화소-블록들 각각은 동일한 개수의 화소-행들을 포함할 수 있다.According to an embodiment, each of the first to k th pixel-blocks may include the same number of pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제k 화소-블록들 중에서 적어도 2이상의 화소-블록들은 서로 상이한 개수의 화소-행들을 포함할 수 있다.According to an embodiment, at least two or more pixel-blocks among the first to k-th pixel-blocks may include different numbers of pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 화소 회로들 각각은 상기 저전원 전압에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드, 제1 노드에 연결된 게이트 단자, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터로서 동작하는 제1 트랜지스터, 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호가 인가되는 제1 단자 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제3 트랜지스터, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제2 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 제4 트랜지스터, 및 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, each of the pixel circuits includes an organic light emitting diode including a cathode connected to the low power supply voltage, a gate terminal connected to a first node, a first terminal connected to an anode of the organic light emitting diode, and a second node. A second transistor including a second terminal connected thereto and operating as the driving transistor, a gate terminal to which a scan signal is applied, a first terminal to which a data signal is applied, and a second terminal connected to the second node. , a third transistor including a gate terminal to which the scan signal is applied, a first terminal connected to the first node, and a second terminal connected to the anode of the organic light emitting diode, a gate terminal to which an emission control signal is applied, the third transistor A fourth transistor including a first terminal connected to two nodes and a second terminal connected to the high power supply voltage, and a storage capacitor including a first terminal connected to the first node and a second terminal connected to the high power supply voltage. can include

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 인가되는 제1 내지 제n 스캔 신호들 각각의 스캔 온 구간의 길이를 조절함으로써 결정될 수 있다.According to an embodiment, the first to k th scan times may be determined by adjusting a length of a scan-on period of each of the first to n th scan signals applied to the first to n th pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 짧아질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 길어질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 길어질 수 있다.According to an embodiment, as the length of the scan on section becomes shorter, the first to k th scan times may be shorter, and as the length of the scan on section is longer, the first to k th scan times may be longer. there is.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 연결되는 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 RC 딜레이를 조절함으로써 결정될 수 있다.According to an embodiment, the first to k th scan times may be determined by adjusting an RC delay of each of the first to n th scan lines connected to the first to n th pixel-rows.

일 실시예에 의하면, 상기 RC 딜레이가 커질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 RC 딜레이가 작아질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 길어질 수 있다.According to an embodiment, as the RC delay increases, the first to kth scan times may become shorter, and as the RC delay decreases, the first to kth scan times may become longer.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to nth scan lines may be adjusted by changing the type of materials included in each of the first to nth scan lines.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to nth scan lines may be adjusted by changing a mixing ratio of materials included in each of the first to nth scan lines.

일 실시예에 의하면, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 길이를 변경함으로써 조절될 수 있다.According to an embodiment, the RC delay of each of the first to n th scan lines may be adjusted by changing a length of each of the first to n th scan lines.

본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널 내 화소 회로들을 위한 스캔 시간들을 고전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로와 화소 회로들 사이의 거리에 기초하여 화소-행 또는 화소-블록 별로 상이하게 함(즉, 전원 공급 회로와 화소 회로들 사이의 거리가 멀어질수록 화소 회로들을 위한 스캔 시간들을 짧아지게 하고, 전원 공급 회로와 화소 회로들 사이의 거리가 가까워질수록 화소 회로들을 위한 스캔 시간들을 길어지게 함)으로써, 고전원 전압이 각 화소 회로에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널의 휘도 불균일을 보상하여 고품질의 이미지를 표시할 수 있다. 다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.In the organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention, scan times for pixel circuits in a display panel are set for each pixel-row or pixel-block based on a distance between the pixel circuits and a power supply circuit that supplies a high power supply voltage. different (that is, as the distance between the power supply circuit and the pixel circuits increases, the scan times for the pixel circuits become shorter, and as the distance between the power supply circuit and the pixel circuits decreases, the scan times for the pixel circuits decrease) When the high power voltage is applied to each pixel circuit, a high-quality image may be displayed by compensating for luminance non-uniformity of the display panel due to a voltage drop occurring as the high power voltage is applied to each pixel circuit. However, the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and may be variously extended within a range that does not deviate from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 표시 패널 내 위치에 따라 화소 회로들의 스캔 시간들이 결정되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 표시 패널 내 위치에 따라 화소 회로들의 스캔 시간들이 결정되는 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 구비되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 4의 화소 회로를 구동시키는 신호들을 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 1의 유기 발광 표시 장치가 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치가 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하는 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 일 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 다른 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 또 다른 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to example embodiments.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example in which scan times of pixel circuits are determined according to locations within a display panel in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram illustrating another example in which scan times of pixel circuits are determined according to positions within a display panel in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .
FIG. 5 is a timing diagram illustrating signals driving the pixel circuit of FIG. 4 .
6 is a diagram illustrating an example in which the organic light emitting diode display of FIG. 1 adjusts a scan time of each pixel circuit.
7 is a diagram illustrating another example in which the organic light emitting diode display of FIG. 1 adjusts a scan time of each pixel circuit.
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a scan line for adjusting a scan time of each pixel circuit in FIG. 7 .
FIG. 9 is a diagram illustrating another configuration of a scan line for adjusting a scan time of each pixel circuit in FIG. 7 .
FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration of a scan line for adjusting a scan time of each pixel circuit in FIG. 7 .
11 is a block diagram illustrating an electronic device according to embodiments of the present invention.
12A is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 11 is implemented as a television.
12B is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 11 is implemented as a smart phone.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and redundant descriptions of the same components will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 표시 패널 내 위치에 따라 화소 회로들의 스캔 시간들이 결정되는 일 예를 나타내는 도면이며, 도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치에서 표시 패널 내 위치에 따라 화소 회로들의 스캔 시간들이 결정되는 다른 예를 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to example embodiments, and FIG. 2 is an example in which scan times of pixel circuits are determined according to locations within a display panel in the organic light emitting display device of FIG. 1 . FIG. 3 is a diagram illustrating another example in which scan times of pixel circuits are determined according to positions within a display panel in the organic light emitting diode display of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(120), 구동 집적 회로(140) 및 전원 공급 회로(160)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 패널(120)은 스캔 라인들(SL(1), ..., SL(n)), 데이터 라인들, 발광 제어 라인들을 통해 구동 집적 회로(140)에 연결될 수 있고, 전원 라인들을 통해 전원 공급 회로(160)에 연결될 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해, 도 1 내지 도 3에는 스캔 라인들(SL(1), ..., SL(n))만이 도시되어 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the organic light emitting diode display 100 may include a display panel 120 , a driving integrated circuit 140 and a power supply circuit 160 . At this time, the display panel 120 may be connected to the driving integrated circuit 140 through the scan lines SL(1), ..., SL(n), data lines, and emission control lines, and the power line It may be connected to the power supply circuit 160 through them. However, for convenience of description, only the scan lines SL(1), ..., SL(n) are shown in FIGS. 1 to 3 .

표시 패널(120)은 화소 회로(P)들을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 화소 회로(P)들은 표시 패널(120) 내에서 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 화소 회로(P)들은 제1 내지 제n(단, n은 2이상의 정수) 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))을 구성하고, 제1 내지 제n 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))은 제1 내지 제n 스캔 라인들(SL(1), ..., SL(n))에 각각 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소-행(PR(1))을 구성하는 화소 회로(P)들은 제1 스캔 라인(SL(1))을 통해 구동 집적 회로(140)로부터 제1 스캔 신호를 동시에 인가받을 수 있고, 제2 화소-행(PR(2))을 구성하는 화소 회로(P)들은 제2 스캔 라인(SL(2))을 통해 구동 집적 회로(140)로부터 제2 스캔 신호를 동시에 인가받을 수 있으며, 제n 화소-행(PR(n))을 구성하는 화소 회로(P)들은 제n 스캔 라인(SL(n))을 통해 구동 집적 회로(140)로부터 제n 스캔 신호를 동시에 인가받을 수 있다. 일 실시예에서, 화소 회로(P)들 각각은 제1 트랜지스터의 제1 단자에 연결된 애노드 및 저전원 전압(ELVSS)에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드, 제1 노드에 연결된 게이트 단자, 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제1 트랜지스터(즉, 구동 트랜지스터), 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호가 인가되는 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제2 트랜지스터, 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제3 트랜지스터, 발광 제어 신호가 인가되는 게이트 단자, 제2 노드에 연결된 제1 단자 및 고전원 전압(ELVDD)에 연결된 제2 단자를 포함하는 제4 트랜지스터, 및 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 고전원 전압(ELVDD)에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 이 때, 화소 회로(P)들 각각은 제1 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 도 4 및 도 5를 참조하여 자세하게 설명하기로 한다.The display panel 120 may include pixel circuits P. Depending on the exemplary embodiment, the pixel circuits P may be arranged in a matrix form within the display panel 120 . The pixel circuits P constitute first through nth (where n is an integer greater than or equal to 2) pixel-rows PR(1), ..., PR(n), and the first through nth pixel-rows are (PR(1), ..., PR(n)) may be respectively connected to the first to nth scan lines SL(1), ..., SL(n). For example, the pixel circuits P constituting the first pixel-row PR(1) simultaneously apply the first scan signal from the driving integrated circuit 140 through the first scan line SL(1). and the pixel circuits P constituting the second pixel-row PR(2) simultaneously apply the second scan signal from the driving integrated circuit 140 through the second scan line SL(2). and the pixel circuits P constituting the n-th pixel-row PR(n) simultaneously apply the n-th scan signal from the driving integrated circuit 140 through the n-th scan line SL(n). can receive In an exemplary embodiment, each of the pixel circuits P may include an organic light emitting diode including an anode connected to the first terminal of the first transistor and a cathode connected to the low power supply voltage ELVSS, a gate terminal connected to the first node, and an organic light emitting diode. A first transistor (ie, driving transistor) including a first terminal connected to the anode of the diode and a second terminal connected to the second node, a gate terminal to which a scan signal is applied, a first terminal to which a data signal is applied, and a second node A second transistor including a second terminal connected to, a gate terminal to which a scan signal is applied, a third transistor including a first terminal connected to a first node and a second terminal connected to an anode of an organic light emitting diode, an emission control signal A fourth transistor including a gate terminal to be applied, a first terminal connected to the second node and a second terminal connected to the high power supply voltage ELVDD, and a first terminal connected to the first node and connected to the high power supply voltage ELVDD. A storage capacitor including a second terminal may be included. At this time, each of the pixel circuits P may perform a threshold voltage compensation operation for the first transistor. However, this will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 .

구동 집적 회로(140)는 표시 패널(120)에 연결되어 표시 패널(120)을 구동시킬 수 있다. 즉, 구동 집적 회로(140)는 데이터 라인들을 통해 표시 패널(120)에 연결될 수 있고, 스캔 라인들(SL(1), ..., SL(n))을 통해 표시 패널(120)에 연결될 수 있으며, 발광 제어 라인들을 통해 표시 패널(120)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 구동 집적 회로(140)는 데이터 드라이버, 스캔 드라이버, 발광 제어 드라이버, 타이밍 컨트롤러 등을 포함할 수 있다. 데이터 드라이버는 데이터 라인들을 통해 데이터 신호(즉, 데이터 전압)를 표시 패널(120)에 제공할 수 있다. 스캔 드라이버는 스캔 라인들(SL(1), ..., SL(n))을 통해 스캔 신호를 표시 패널(120)에 제공할 수 있다. 발광 제어 드라이버는 발광 제어 라인들을 통해 발광 제어 신호를 표시 패널(120)에 제공할 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 다양한 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버, 스캔 드라이버, 발광 제어 드라이버를 제어할 수 있다. 이와 같이, 구동 집적 회로(140)는 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 제어 신호 등을 표시 패널(120) 내 화소 회로(P)에 제공함으로써 표시 패널(120)을 구동시킬 수 있다. 전원 공급 회로(160)는 표시 패널(120)에 고전원 전압(ELVDD)과 저전원 전압(ELVSS)을 공급하고, 구동 집적 회로(140)에 구동 전원 전압(VOL)을 공급할 수 있다. 이를 위해, 전원 공급 회로(160)는 외부 공급 전압에 기초하여 유기 발광 표시 장치(100)의 동작에 필요한 고전원 전압(ELVDD), 저전원 전압(ELVSS), 구동 전원 전압(VOL)을 생성하는 DC-DC 컨버터 등을 포함할 수 있다.The driving integrated circuit 140 may be connected to the display panel 120 to drive the display panel 120 . That is, the driving integrated circuit 140 may be connected to the display panel 120 through data lines and may be connected to the display panel 120 through scan lines SL(1), ..., SL(n). and can be connected to the display panel 120 through emission control lines. Specifically, the driving integrated circuit 140 may include a data driver, a scan driver, an emission control driver, a timing controller, and the like. The data driver may provide data signals (ie, data voltages) to the display panel 120 through data lines. The scan driver may provide scan signals to the display panel 120 through scan lines SL(1), ..., SL(n). The light emission control driver may provide light emission control signals to the display panel 120 through light emission control lines. The timing controller may generate various control signals to control the data driver, scan driver, and emission control driver. In this way, the driving integrated circuit 140 may drive the display panel 120 by providing scan signals, data signals, emission control signals, and the like to the pixel circuit P in the display panel 120 . The power supply circuit 160 may supply the high power supply voltage ELVDD and the low power supply voltage ELVSS to the display panel 120 and the driving power supply voltage VOL to the driving integrated circuit 140 . To this end, the power supply circuit 160 generates a high power supply voltage ELVDD, a low power supply voltage ELVSS, and a driving power supply voltage VOL required for the operation of the organic light emitting diode display 100 based on an external supply voltage. A DC-DC converter and the like may be included.

일반적으로, 전원 공급 회로(160)는 표시 패널(120)의 일 측에 위치하게 된다. 이에, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 고전원 전압(ELVDD)이 전원 공급 회로(160)에서 전원 라인을 경유하여 표시 패널(120) 내 각 화소 회로(P)로 인가되기 때문에, 고전원 전압(ELVDD)이 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하에 의해, 전원 공급 회로(160)와 거리가 먼 화소 회로(P)에는 상대적으로 낮은 고전원 전압(ELVDD)이 인가될 수밖에 없다. 그 결과, 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 동일한 조건에서 전원 공급 회로(160)와 거리가 먼 화소 회로(P)의 휘도가 전원 공급 회로(160)와 거리가 가까운 화소 회로(P)의 휘도보다 낮기 때문에 표시 패널(120)의 휘도 불균일이 야기되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(120) 내 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들을 고전원 전압(ELVDD)을 공급하는 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(P)들 사이의 거리에 기초하여 화소-행(PR(1), ..., PR(n)) 또는 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k)) 별로 상이하게 한다. 일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제n 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))을 위한 제1 내지 제n 스캔 시간들은 제1 내지 제n 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))과 전원 공급 회로(160) 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다(즉, 도 2에서 SHORT와 LONG으로 표시). 즉, 표시 패널(120) 내 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들이 화소-행(PR(1), ..., PR(n)) 별로 상이해지는 것이다. 예를 들어, 제1 화소-행(PR(1))을 위한 제1 스캔 시간은 제2 화소-행(PR(2))을 위한 제2 스캔 시간보다 짧고, 제2 화소-행(PR(2))을 위한 제2 스캔 시간은 제3 화소-행(PR(3))을 위한 제3 스캔 시간보다 짧으며, 제n-1 화소-행(PR(n-1))을 위한 제n-1 스캔 시간은 제n 화소-행(PR(n))을 위한 제n 스캔 시간보다 짧을 수 있다. 그 결과, 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 화소 회로(P)의 특성 상 스캔 시간이 짧아질수록 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 해당하는 노드의 전압이 감소하고, 해당 노드의 전압이 감소함에 따라 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 증가하게 되므로, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(P)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일이 화소-행(PR(1), ..., PR(n)) 별로 보상될 수 있다.In general, the power supply circuit 160 is located on one side of the display panel 120 . Accordingly, as shown in FIGS. 2 and 3 , since the high power voltage ELVDD is applied from the power supply circuit 160 to each pixel circuit P in the display panel 120 via the power line, A relatively low high power supply voltage ELVDD is inevitably applied to a pixel circuit P far from the power supply circuit 160 due to a voltage drop generated as the source voltage ELVDD passes through the power supply line. As a result, in the conventional organic light emitting display device, the luminance of the pixel circuit P farther from the power supply circuit 160 is lower than the luminance of the pixel circuit P closer to the power supply circuit 160 under the same conditions. Therefore, uneven luminance of the display panel 120 is caused. To solve this problem, the organic light emitting display device 100 includes a power supply circuit 160 supplying a high power supply voltage ELVDD and a pixel circuit ( different for each pixel-row (PR(1), ..., PR(n)) or pixel-block (BLK(1), ..., BLK(k)) based on the distance between P) . In one embodiment, as shown in FIG. 2 , the first to nth scan times for the first to nth pixel-rows PR(1), ..., PR(n) are the first to nth scan times. As the distance between the n pixel-rows PR(1), ..., PR(n) and the power supply circuit 160 increases, the distance may be shortened (that is, represented by SHORT and LONG in FIG. 2). That is, scan times for the pixel circuits P in the display panel 120 are different for each pixel-row PR(1), ..., PR(n). For example, the first scan time for the first pixel-row PR(1) is shorter than the second scan time for the second pixel-row PR(2), and the second pixel-row PR( The second scan time for 2)) is shorter than the third scan time for the third pixel-row PR(3), and the n-th scan time for the n−1 th pixel-row PR(n−1) The -1 scan time may be shorter than the nth scan time for the nth pixel-row PR(n). As a result, due to the characteristics of the pixel circuit P performing the threshold voltage compensation operation for the driving transistor, as the scan time becomes shorter, the voltage of the node corresponding to the gate terminal of the driving transistor decreases, and the voltage of the corresponding node decreases. Since the current flowing through the organic light emitting diode increases accordingly, when the high power supply voltage ELVDD is applied to each pixel circuit P, the luminance non-uniformity of the display panel 120 due to the voltage drop occurring as it passes through the power line Compensation may be performed for each pixel-row (PR(1), ..., PR(n)).

다른 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제n 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))은 제1 내지 제k(단, k는 2이상의 정수) 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k))들로 그룹화되고, 제1 내지 제k 화소-블록들(BLK(1), ..., BLK(k))을 위한 제1 내지 제k 스캔 시간들은 제1 내지 제k 화소-블록들(BLK(1), ..., BLK(k))과 전원 공급 회로(160) 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다(즉, 도 3에서 SHORT와 LONG으로 표시). 즉, 표시 패널(120) 내 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들이 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k)) 별로 상이해지는 것이다. 그러므로, 동일한 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k)) 내에서는 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들이 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소-블록(BLK(1))을 위한 제1 스캔 시간은 제2 화소-블록(BLK(2))을 위한 제2 스캔 시간보다 짧고, 제2 화소-블록(BLK(2))을 위한 제2 스캔 시간은 제3 화소-블록(BLK(3))을 위한 제3 스캔 시간보다 짧으며, 제k-1 화소-블록(BLK(k-1))을 위한 제k-1 스캔 시간은 제k 화소-블록(BLK(k))을 위한 제k 스캔 시간보다 짧을 수 있다. 그 결과, 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 화소 회로(P)의 특성 상 스캔 시간이 짧아질수록 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 해당하는 노드의 전압이 감소하고, 해당 노드의 전압이 감소함에 따라 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 증가하게 되므로, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(P)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일이 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k)) 별로 보상될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제k 화소-블록들(BLK(1), ..., BLK(k)) 각각은 동일한 개수의 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 내지 제k 화소-블록들(BLK(1), ..., BLK(k)) 중에서 적어도 2이상의 화소-블록들(BLK(1), ..., BLK(k))은 서로 상이한 개수의 화소-행들(PR(1), ..., PR(n))을 포함할 수 있다.In another embodiment, as shown in FIG. 3 , the first to nth pixel-rows PR(1), ..., PR(n) are the first to kth (where k is an integer greater than or equal to 2). ) grouped into pixel-blocks BLK(1), ..., BLK(k), and for the first to k th pixel-blocks BLK(1), ..., BLK(k) The first to k th scan times may become shorter as the distance between the first to k th pixel-blocks BLK(1), ..., BLK(k) and the power supply circuit 160 increases. (i.e. indicated by SHORT and LONG in FIG. 3). That is, scan times for the pixel circuits P in the display panel 120 are different for each pixel-block (BLK(1), ..., BLK(k)). Therefore, scan times for the pixel circuits P may be the same within the same pixel-block (BLK(1), ..., BLK(k)). For example, the first scan time for the first pixel-block BLK(1) is shorter than the second scan time for the second pixel-block BLK(2), and the second scan time for the second pixel-block BLK( 2)) is shorter than the third scan time for the third pixel-block BLK(3), and the kth scan time for the k−1 th pixel-block BLK(k−1) The -1 scan time may be shorter than the k th scan time for the k th pixel-block BLK(k). As a result, due to the characteristics of the pixel circuit P performing the threshold voltage compensation operation for the driving transistor, as the scan time becomes shorter, the voltage of the node corresponding to the gate terminal of the driving transistor decreases, and the voltage of the corresponding node decreases. Since the current flowing through the organic light emitting diode increases accordingly, when the high power supply voltage ELVDD is applied to each pixel circuit P, the luminance non-uniformity of the display panel 120 due to the voltage drop occurring as it passes through the power line Compensation may be performed for each pixel-block (BLK(1), ..., BLK(k)). In an embodiment, each of the first to kth pixel-blocks BLK(1), ..., BLK(k) has the same number of pixel-rows PR(1), ..., PR(n )) may be included. In another embodiment, at least two or more pixel-blocks (BLK(1), ..., BLK(k) among the first to kth pixel-blocks (BLK(1), ..., BLK(k)) )) may include different numbers of pixel-rows PR(1), ..., PR(n).

한편, 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간은 다양한 방식들로 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간은 각 화소 회로(P)에 인가되는 스캔 신호의 스캔 온 구간의 길이를 조절함으로써 결정될 수 있다. 일반적으로, 스캔 신호의 스캔 온 구간 동안에 각 회소 회로(P)가 스캔 동작을 수행하므로, 스캔 신호의 스캔 온 구간을 각 화소 회로(P)의 스캔 시간으로 볼 수 있다. 따라서, 각 화소 회로(P)에 인가되는 스캔 신호의 스캔 온 구간의 길이가 짧아질수록 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간이 짧아지게 되고, 각 화소 회로(P)에 인가되는 스캔 신호의 스캔 온 구간의 길이가 길어질수록 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간이 길어지게 된다. 다른 실시예에서, 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간은 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이를 조절함으로써 결정될 수 있다. 일반적으로, 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이가 커지면 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))을 통해 각 화소 회로(P)에 인가되는 스캔 신호의 상승 시간(rising time)과 하강 시간(falling time)이 증가하게 되고, 각 화소 회로(P)에 인가되는 스캔 신호의 상승 시간과 하강 시간이 증가하면 해당 스캔 신호의 스캔 온 구간이 짧아지는 효과가 나타나며, 그에 따라, 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간이 짧아질 수 있다. 따라서, 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이가 커질수록 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간이 짧아지게 되고, 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이가 작을수록 각 화소 회로(P)를 위한 스캔 시간이 길어지게 된다. 일 예로, 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절될 수 있다. 다른 예로, 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로 조절될 수 있다. 또 다른 예로, 각 화소 회로(P)에 연결된 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL(1), ..., SL(n))의 길이를 변경함으로써 조절될 수 있다. 다만, 이에 대해서는, 도 6 내지 도 10을 참조하여 자세하게 설명하기로 한다.Meanwhile, the scan time for each pixel circuit P may be determined in various ways. In an embodiment, the scan time for each pixel circuit P may be determined by adjusting the length of a scan on period of a scan signal applied to each pixel circuit P. In general, since each pixel circuit P performs a scan operation during the scan-on period of the scan signal, the scan-on period of the scan signal can be regarded as the scan time of each pixel circuit P. Therefore, as the length of the scan-on period of the scan signal applied to each pixel circuit P becomes shorter, the scan time for each pixel circuit P becomes shorter, and the scan signal applied to each pixel circuit P becomes shorter. As the length of the scan-on period increases, the scan time for each pixel circuit P increases. In another embodiment, the scan time for each pixel circuit P may be determined by adjusting the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to each pixel circuit P. . In general, when the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) increases, each pixel circuit P through the scan lines SL(1), ..., SL(n) The rising time and falling time of the scan signal applied to the pixel circuit P increase, and when the rising time and falling time of the scan signal applied to each pixel circuit P increase, the corresponding scan signal is scanned on. An effect of shortening the section appears, and accordingly, the scan time for each pixel circuit P may be shortened. Therefore, as the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to each pixel circuit P increases, the scan time for each pixel circuit P decreases, and the scan time for each pixel circuit P decreases. As the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to the circuit P decreases, the scan time for each pixel circuit P increases. For example, the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to each pixel circuit P is the corresponding scan line SL(1), ..., SL(n) It can be controlled by changing the types of materials included in. As another example, the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to each pixel circuit P is the corresponding scan line SL(1), ..., SL(n) It can be adjusted by changing the mixing ratio of the substances included in. As another example, the RC delay of the scan lines SL(1), ..., SL(n) connected to each pixel circuit P is the corresponding scan line SL(1), ..., SL(n) ) can be adjusted by changing the length of However, this will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 10 .

이와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(120) 내 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들을 고전원 전압(ELVDD)을 공급하는 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(P)들 사이의 거리에 기초하여 화소-행(PR(1), ..., PR(n)) 또는 화소-블록(BLK(1), ..., BLK(k)) 별로 상이하게 함(즉, 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(P)들 사이의 거리가 멀어질수록 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들을 짧아지게 하고, 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(P)들 사이의 거리가 가까워질수록 화소 회로(P)들을 위한 스캔 시간들을 길어지게 함)으로써, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(P)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일을 보상하여 고품질의 이미지를 표시할 수 있다.As such, the organic light emitting display device 100 determines the scan times for the pixel circuits P in the display panel 120 between the power supply circuit 160 supplying the high power supply voltage ELVDD and the pixel circuits P. It is different for each pixel-row (PR(1), ..., PR (n)) or pixel-block (BLK (1), ..., BLK (k)) based on the distance of As the distance between the supply circuit 160 and the pixel circuits P increases, scan times for the pixel circuits P become shorter, and the distance between the power supply circuit 160 and the pixel circuits P increases. When the high power supply voltage ELVDD is applied to each pixel circuit P, a voltage drop generated as the high power supply voltage ELVDD passes through the power line causes the display panel to become longer. A high-quality image can be displayed by compensating for the luminance non-uniformity of (120).

도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 구비되는 화소 회로의 일 예를 나타내는 회로도이고, 도 5는 도 4의 화소 회로를 구동시키는 신호들을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG. 1 , and FIG. 5 is a timing diagram illustrating signals driving the pixel circuit of FIG. 4 .

도 4 및 도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)에 포함되는 각 화소 회로(200)는 유기 발광 다이오드(OLED), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 즉, 화소 회로(200)는 4개의 트랜지스터들(T1, ..., T4) 및 1개의 커패시터(Cst)를 포함하기 때문에 4T-1C 화소 회로로 명명될 수 있다. 한편, 도 4에서는 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1, ..., T4)이 피모스(p-type metal oxide semiconductor; PMOS) 트랜지스터들로 도시되어 있지만, 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1, ..., T4)의 종류가 그에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제4 트랜지스터들(T1, ..., T4)은 엔모스(n-type metal oxide semiconductor; NMOS) 트랜지스터들 또는 피모스 트랜지스터들과 엔모스 트랜지스터들의 조합으로 구현될 수도 있다.4 and 5 , each pixel circuit 200 included in the organic light emitting display device 100 includes an organic light emitting diode (OLED), a first transistor T1, a second transistor T2, and a third transistor. (T3), a fourth transistor T4, and a storage capacitor Cst. That is, since the pixel circuit 200 includes four transistors T1, ..., T4 and one capacitor Cst, it may be referred to as a 4T-1C pixel circuit. Meanwhile, in FIG. 4, the first to fourth transistors T1, ..., T4 are shown as p-type metal oxide semiconductor (PMOS) transistors, but the first to fourth transistors T1 , ..., the types of T4) are not limited thereto. For example, the first to fourth transistors T1, ..., T4 may be implemented as n-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistors or a combination of PMOS transistors and NMOS transistors. there is.

유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 단자에 연결된 애노드 및 저전원 전압(ELVSS)에 연결된 캐소드를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)에 연결된 게이트 단자, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드(N2)에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로 명명될 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 단자에 인가된 전압(즉, 제1 노드(N1)의 전압)에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 조절할 수 있고, 그에 따라, 유기 발광 다이오드(OLED)의 휘도가 조절되어 계조가 표현될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호(DATA)가 인가되는 제1 단자 및 제2 노드(N2)에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 스캔 신호(SCAN)가 논리 로우(low) 레벨을 갖는 데이터 기입 구간(COMP)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 단자에 인가된 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온되고, 그에 따라, 제2 트랜지스터(T2)의 제1 단자에 인가된 데이터 신호(DATA)가 제2 트랜지스터(T2)의 제2 단자에 연결된 제2 노드(N2)에 전달될 수 있다. 즉, 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터로 명명될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 스캔 신호(SCAN)가 인가되는 게이트 단자, 제1 노드(N1)에 연결된 제1 단자 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 스캔 신호(SCAN)가 논리 로우 레벨을 갖는 데이터 기입 구간(COMP)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 게이트 단자에 인가된 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온되고, 그에 따라, 제1 트랜지스터(T1)에 대한 문턱 전압 보상 동작이 수행될 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 문턱 전압 보상 트랜지스터로 명명될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호(EM)가 인가되는 게이트 단자, 제2 노드(N2)에 연결된 제1 단자 및 고전원 전압(ELVDD)에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 제어 신호(EM)가 논리 로우 레벨을 갖는 발광 구간(EMI)에서, 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 단자에 인가된 발광 제어 신호(EMI)에 응답하여 턴온되고, 그에 따라, 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류가 흘러 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광할 수 있다. 즉, 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 트랜지스터로 명명될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 연결된 제1 단자 및 고전원 전압(ELVDD)에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 따라서, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 기입 구간(COMP) 동안 제1 노드(N1)의 전압을 충전할 수 있다.The organic light emitting diode OLED may include an anode connected to the first terminal of the first transistor T1 and a cathode connected to the low power supply voltage ELVSS. The first transistor T1 may include a gate terminal connected to the first node N1, a first terminal connected to the anode of the OLED, and a second terminal connected to the second node N2. That is, the first transistor T1 may be referred to as a driving transistor. That is, the first transistor T1 can control the current flowing through the organic light emitting diode OLED based on the voltage applied to the gate terminal (ie, the voltage of the first node N1), and accordingly, the organic light emitting diode The luminance of the (OLED) may be adjusted to express gray levels. The second transistor T2 may include a gate terminal to which the scan signal SCAN is applied, a first terminal to which the data signal DATA is applied, and a second terminal connected to the second node N2. As shown in FIG. 5 , in the data writing period COMP in which the scan signal SCAN has a logic low level, the second transistor T2 responds to the scan signal SCAN applied to the gate terminal. When turned on, the data signal DATA applied to the first terminal of the second transistor T2 may be transferred to the second node N2 connected to the second terminal of the second transistor T2. That is, the second transistor T2 may be referred to as a switching transistor. The third transistor T3 may include a gate terminal to which the scan signal SCAN is applied, a first terminal connected to the first node N1 , and a second terminal connected to the anode of the organic light emitting diode OLED. As shown in FIG. 5 , in the data writing period COMP in which the scan signal SCAN has a logic low level, the third transistor T3 is turned on in response to the scan signal SCAN applied to the gate terminal. Accordingly, a threshold voltage compensation operation for the first transistor T1 may be performed. That is, the third transistor T3 may be referred to as a threshold voltage compensation transistor. The fourth transistor T4 may include a gate terminal to which the emission control signal EM is applied, a first terminal connected to the second node N2 , and a second terminal connected to the high power supply voltage ELVDD. As shown in FIG. 5 , in the emission period EMI in which the emission control signal EM has a logic low level, the fourth transistor T4 is turned on in response to the emission control signal EMI applied to the gate terminal. , Accordingly, a current flows through the organic light emitting diode OLED so that the organic light emitting diode OLED can emit light. That is, the fourth transistor T4 may be referred to as an emission control transistor. The storage capacitor Cst may include a first terminal connected to the first node N1 and a second terminal connected to the high power supply voltage ELVDD. Accordingly, the storage capacitor Cst may be charged with the voltage of the first node N1 during the data writing period COMP.

상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 패널(120) 내 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간들을 고전원 전압(ELVDD)을 공급하는 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(200)들 사이의 거리에 기초하여 화소-행 또는 화소-블록 별로 상이하게 함(즉, 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(200)들 사이의 거리가 멀어질수록 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간들을 짧아지게 하고, 전원 공급 회로(160)와 화소 회로(200)들 사이의 거리가 가까워질수록 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간들을 길어지게 함)으로써, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(200)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일을 보상할 수 있다. 이것은 화소 회로(200)의 특성을 이용한 것이다. 구체적으로, 데이터 기입 구간(COMP) 동안 제3 트랜지스터(T3)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온되고, 그에 따라, 제1 노드(N1)와 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드가 서로 연결될 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(T3)는 데이터 기입 구간(COMP) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자와 제1 단자를 다이오드-연결시킬 수 있다. 한편, 아래 [수학식 1]에 나타난 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압 차에 기초하여 결정된다.As described above, the organic light emitting diode display 100 includes the power supply circuit 160 supplying the high power supply voltage ELVDD and the pixel circuit 200 for scan times for the pixel circuits 200 in the display panel 120. different for each pixel-row or pixel-block based on the distance between them (that is, as the distance between the power supply circuit 160 and the pixel circuits 200 increases, the scan time for the pixel circuits 200 increases) are shortened, and as the distance between the power supply circuit 160 and the pixel circuits 200 becomes shorter, the scan times for the pixel circuits 200 become longer), so that the high power supply voltage ELVDD is When applied to the circuit 200 , non-uniformity in luminance of the display panel 120 due to a voltage drop occurring as it passes through the power line may be compensated for. This is done using the characteristics of the pixel circuit 200 . Specifically, during the data writing period COMP, the third transistor T3 is turned on in response to the scan signal SCAN, and accordingly, the first node N1 and the anode of the organic light emitting diode OLED may be connected to each other. there is. That is, the third transistor T3 may diode-connect the gate terminal and the first terminal of the first transistor T1 during the data writing period COMP. Meanwhile, as shown in [Equation 1] below, the current flowing through the organic light emitting diode OLED is determined based on the voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the first transistor T1.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112016047836009-pat00001
Figure 112016047836009-pat00001

(단, Ioled는 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류이고, K는 제1 트랜지스터(T1)의 이동도와 기생 용량에 의해 결정되는 상수값이며, Vgs는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압차이고, Vth는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이다.)(However, Ioled is the current flowing through the organic light emitting diode (OLED), K is a constant value determined by the mobility and parasitic capacitance of the first transistor (T1), and Vgs is the gate terminal and source of the first transistor (T1) It is the voltage difference between the terminals, and Vth is the threshold voltage of the first transistor T1.)

상기 [수학식 1]에 나타난 바와 같이, 제1 트랜지스터(T1)가 피모스 트랜지스터라고 할 때, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압(즉, 제1 노드(N1)의 전압)이 작을수록 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류는 커지고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압이 클수록 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류는 작아지게 된다. 이 때, 제1 노드(N1)의 전압은 아래 [수학식 2]로 결정된다.As shown in [Equation 1], when the first transistor T1 is a PMOS transistor, the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1 (ie, the voltage at the first node N1) The smaller this value, the larger the current flowing through the organic light emitting diode OLED, and the larger the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1, the smaller the current flowing through the organic light emitting diode OLED. At this time, the voltage of the first node N1 is determined by [Equation 2] below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112016047836009-pat00002
Figure 112016047836009-pat00002

(단, VN1은 제1 노드(N1)의 전압이고, Vi는 제1 노드(N1)의 초기 전압이며, t는 스캔 시간(즉, 데이터 기입 시간)이고, R은 데이터 신호가 전달되는 전체 저항이며, C는 스토리지 커패시터(Cst)의 커패시턴스이다.)(However, VN1 is the voltage of the first node N1, Vi is the initial voltage of the first node N1, t is the scan time (ie, data write time), R is the total resistance through which the data signal is transmitted , and C is the capacitance of the storage capacitor Cst.)

상기 [수학식 2]에 나타난 바와 같이, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압 즉, 제1 노드(N1)의 전압(VN1)은 스캔 시간(t)이 길수록 커지고, 스캔 시간(t)이 짧을수록 작아지게 된다. 그 결과, 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류는 스캔 시간(t)이 길수록 작아지고, 스캔 시간(t)이 짧을수록 커지게 된다. 그러므로, 동일한 조건에서 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 먼 화소 회로(200)들의 휘도가 낮으므로, 유기 발광 표시 장치(100)는 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 먼 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 짧게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 증가시킴으로써 휘도를 높이고, 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 가까운 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 길게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 감소시킴으로써 휘도를 낮추는 방식으로, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(200)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일을 보상할 수 있다. 일 실시예에서, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소-행 또는 화소-블록 별로 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 화소 회로(200)들에 인가되는 스캔 신호(SCAN)들 각각의 스캔 온 구간의 길이를 조절함으로써 결정할 수 있다. 다른 실시예에서, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소-행 또는 화소-블록 별로 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 화소 회로(200)들에 연결되는 스캔 라인들 각각의 RC 딜레이를 조절함으로써 결정할 수 있다.As shown in [Equation 2], the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1, that is, the voltage VN1 of the first node N1 increases as the scan time t increases, and the scan time ( The shorter t) is, the smaller it becomes. As a result, the current flowing through the organic light emitting diode OLED decreases as the scan time t increases, and increases as the scan time t decreases. Therefore, since the luminance of the pixel circuits 200 farther from the power supply circuit 160 is low under the same condition, the organic light emitting diode display 100 can control the pixel circuits 200 farther from the power supply circuit 160. luminance is increased by increasing the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) by shortening the scan times (t) for By reducing the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) to lower the luminance, when the high power supply voltage ELVDD is applied to each pixel circuit 200, the display panel due to the voltage drop caused by passing through the power line ( 120) can compensate for the luminance non-uniformity. In an exemplary embodiment, the organic light emitting display device 100 sets the scan times t for the pixel circuits 200 for each pixel-row or pixel-block to each of the scan signals SCAN applied to the pixel circuits 200 . It can be determined by adjusting the length of the scan-on section of . In another embodiment, the organic light emitting display device 100 sets the scan times t for the pixel circuits 200 for each pixel-row or pixel-block to the RC delay of each of the scan lines connected to the pixel circuits 200. can be determined by adjusting

도 6은 도 1의 유기 발광 표시 장치가 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하는 일 예를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating an example in which the organic light emitting diode display of FIG. 1 adjusts a scan time of each pixel circuit.

도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소-행 또는 화소-블록 별로 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 화소 회로(200)들에 인가되는 스캔 신호(SCAN)들 각각의 스캔 온 구간의 길이를 조절함으로써 결정할 수 있다. 상술한 바와 같이, 화소 회로(200)에 있어 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압 즉, 제1 노드(N1)의 전압(VN1)은 스캔 시간(t)이 길수록 작아지고, 스캔 시간(t)이 짧을수록 커지게 된다. 따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)가 특정 화소 회로(200)에 인가되는 스캔 신호(SCAN)의 스캔 온 구간의 길이를 줄이는 경우(즉, OP에서 CP로 줄임), 해당 화소 회로(200)가 데이터 기입 동작과 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 데이터 기입 구간(ST)이 감소하고, 그에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압 즉, 제1 노드(N1)의 전압(VN1)은 감소한다(즉, DIF로 표시). 그 결과, 해당 화소 회로(200) 내에서 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 증가하고, 그에 따라, 해당 화소 회로(200)의 휘도는 증가한다. 이와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 먼 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 짧게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 증가시킴으로써 휘도를 높이고, 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 가까운 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 길게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 감소시킴으로써 휘도를 낮추는 방식으로, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(200)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일을 보상할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the organic light emitting diode display 100 determines scan times t for the pixel circuits 200 for each pixel-row or pixel-block by using scan signals SCAN applied to the pixel circuits 200 . It can be determined by adjusting the length of each scan-on section. As described above, the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1 in the pixel circuit 200, that is, the voltage VN1 of the first node N1 decreases as the scan time t increases, and the scan time t increases. The shorter the time t, the larger it becomes. Therefore, as shown in FIG. 6 , when the organic light emitting display device 100 reduces the length of the scan-on period of the scan signal SCAN applied to the specific pixel circuit 200 (that is, shortens the length from OP to CP) , the data writing period ST in which the pixel circuit 200 performs the data writing operation and the threshold voltage compensation operation decreases, and accordingly, the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1, that is, the first node The voltage (VN1) of (N1) decreases (i.e. denoted by DIF). As a result, the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) within the corresponding pixel circuit 200 increases, and accordingly, the luminance of the corresponding pixel circuit 200 increases. In this way, the organic light emitting display device 100 shortens the scan times t for the pixel circuits 200 far from the power supply circuit 160 to increase the current flowing through the organic light emitting diode OLED, thereby increasing luminance. The high power supply voltage ELVDD ) is applied to each pixel circuit 200, it is possible to compensate for luminance non-uniformity of the display panel 120 due to a voltage drop occurring as it passes through the power line.

도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치가 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하는 다른 예를 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 일 구성을 나타내는 도면이며, 도 9는 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 다른 구성을 나타내는 도면이고, 도 10은 도 7에서 각 화소 회로의 스캔 시간을 조절하기 위한 스캔 라인의 또 다른 구성을 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating another example in which the organic light emitting diode display of FIG. 1 adjusts the scan time of each pixel circuit, and FIG. 8 shows a configuration of a scan line for adjusting the scan time of each pixel circuit in FIG. 7 . FIG. 9 is a diagram showing another configuration of a scan line for adjusting the scan time of each pixel circuit in FIG. 7 , and FIG. 10 is another configuration of a scan line for adjusting the scan time of each pixel circuit in FIG. 7 . A diagram showing the configuration.

도 7 내지 도 10을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소-행 또는 화소-블록 별로 화소 회로(200)들에 연결되는 스캔 라인(SL)들 각각의 RC 딜레이를 조절함으로써 결정할 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 특정 화소 회로(200)에 연결된 스캔 라인(SL)의 RC 딜레이가 커지면 해당 화소 회로(200)에 인가되는 스캔 신호(SCAN)의 상승 시간과 하강 시간이 증가하게 되고(즉, OC에서 CC로 파형이 이동), 해당 화소 회로(200)에 인가되는 스캔 신호(SCAN)의 상승 시간과 하강 시간이 증가하면 해당 스캔 신호(SCAN)의 스캔 온 구간이 짧아지는 효과가 나타나며, 그에 따라, 해당 화소 회로(200)를 위한 스캔 시간(t)이 짧아질 수 있다. 즉, 해당 화소 회로(200)가 데이터 기입 동작과 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 데이터 기입 구간(ST)이 감소하고, 그에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 전압 즉, 제1 노드(N1)의 전압(VN1)은 감소한다. 그 결과, 해당 화소 회로(200) 내에서 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 증가하고, 그에 따라, 해당 화소 회로(200)의 휘도는 증가한다. 한편, 유기 발광 표시 장치(100)는 특정 화소 회로(200)에 연결된 스캔 라인(SL)의 RC 딜레이를 다양한 방식으로 조절할 수 있다. 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100) 내 각 화소 회로는 스캔 라인(SL) 외에 다양한 라인들(L1, ..., L6)(예를 들어, ELVDD, ELVSS, VGH, VGL, INITIAL_CLK, EM 등)에 연결될 수 있다. 이 때, 스캔 라인(SL)은 다른 라인들(L1, ..., L6)과 상이한 형태(예를 들어, 고 저항 물질, 고 저항 배합 비율, 늘어난 길이 등)로 화소 회로(200)에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 특정 화소 회로(200)에 연결된 스캔 라인(SL)의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL)에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 특정 화소 회로(200)에 연결된 스캔 라인(SL)의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL)에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로 조절될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 특정 화소 회로(200)에 연결된 스캔 라인(SL)의 RC 딜레이는 해당 스캔 라인(SL)의 길이를 변경함으로써 조절될 수 있다. 이와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 먼 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 짧게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 증가시킴으로써 휘도를 높이고, 전원 공급 회로(160)로부터 거리가 가까운 화소 회로(200)들을 위한 스캔 시간(t)들을 길게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 감소시킴으로써 휘도를 낮추는 방식으로, 고전원 전압(ELVDD)이 각 화소 회로(200)에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널(120)의 휘도 불균일을 보상할 수 있다. Referring to FIGS. 7 to 10 , the organic light emitting diode display 100 may be determined by adjusting the RC delay of each scan line SL connected to the pixel circuits 200 for each pixel-row or pixel-block. . As shown in FIG. 7 , when the RC delay of the scan line SL connected to a specific pixel circuit 200 increases, the rise time and fall time of the scan signal SCAN applied to the pixel circuit 200 increase. (That is, the waveform moves from OC to CC), and when the rise time and fall time of the scan signal SCAN applied to the corresponding pixel circuit 200 increase, the scan-on period of the corresponding scan signal SCAN is shortened. Therefore, the scan time t for the corresponding pixel circuit 200 may be shortened. That is, the data writing period ST in which the pixel circuit 200 performs the data writing operation and the threshold voltage compensating operation decreases, and accordingly, the voltage applied to the gate terminal of the first transistor T1, that is, the first The voltage VN1 of node N1 decreases. As a result, the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) within the corresponding pixel circuit 200 increases, and accordingly, the luminance of the corresponding pixel circuit 200 increases. Meanwhile, the organic light emitting diode display 100 may adjust the RC delay of the scan line SL connected to the specific pixel circuit 200 in various ways. 8 to 10 , each pixel circuit in the organic light emitting display device 100 includes various lines L1, ..., L6 (eg, ELVDD, ELVSS, VGH, VGL, INITIAL_CLK, EM, etc.). At this time, the scan line SL may be connected to the pixel circuit 200 in a different form (eg, high-resistance material, high-resistance combination ratio, increased length, etc.) from the other lines L1, ..., L6. can In one embodiment, as shown in FIG. 8 , an RC delay of a scan line SL connected to a specific pixel circuit 200 may be adjusted by changing the types of materials included in the corresponding scan line SL. In another embodiment, as shown in FIG. 9 , an RC delay of a scan line SL connected to a specific pixel circuit 200 may be adjusted by changing a mixing ratio of materials included in the corresponding scan line SL. . In another embodiment, as shown in FIG. 10 , the RC delay of a scan line SL connected to a specific pixel circuit 200 may be adjusted by changing the length of the corresponding scan line SL. In this way, the organic light emitting display device 100 shortens the scan times t for the pixel circuits 200 far from the power supply circuit 160 to increase the current flowing through the organic light emitting diode OLED, thereby increasing luminance. The high power supply voltage ELVDD ) is applied to each pixel circuit 200, it is possible to compensate for luminance non-uniformity of the display panel 120 due to a voltage drop occurring as it passes through the power line.

도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.11 is a block diagram illustrating an electronic device according to embodiments of the present invention, FIG. 12A is a diagram illustrating an example in which the electronic device of FIG. 11 is implemented as a television, and FIG. 12B is a diagram showing the electronic device of FIG. 11 as a smartphone. It is a drawing showing an example implemented as

도 11 내지 도 12b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 유기 발광 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 유기 발광 표시 장치(560)는 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)에 상응할 수 있다. 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 12a에 도시된 바와 같이, 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 12b에 도시된 바와 같이, 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.11 to 12B, the electronic device 500 includes a processor 510, a memory device 520, a storage device 530, an input/output device 540, a power supply 550, and an organic light emitting display device 560. ) may be included. In this case, the organic light emitting display device 560 may correspond to the organic light emitting display device 100 of FIG. 1 . The electronic device 500 may further include several ports capable of communicating with a video card, sound card, memory card, USB device, etc., or with other systems. In one embodiment, as shown in FIG. 12A , the electronic device 500 may be implemented as a television. In another embodiment, as shown in FIG. 12B , the electronic device 500 may be implemented as a smart phone. However, this is an example and the electronic device 500 is not limited thereto. For example, the electronic device 500 includes a mobile phone, a video phone, a smart pad, a smart watch, a tablet PC, a vehicle navigation system, a computer monitor, a laptop computer, and a head mounted display. ; HMD) and the like.

프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(520)는 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(550)는 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.Processor 510 may perform certain calculations or tasks. Depending on the embodiment, the processor 510 may be a microprocessor, a central processing unit (CPU), an application processor (AP), or the like. The processor 510 may be connected to other components through an address bus, a control bus, and a data bus. According to an embodiment, the processor 510 may also be connected to an expansion bus such as a Peripheral Component Interconnect (PCI) bus. The memory device 520 may store data necessary for the operation of the electronic device 500 . For example, the memory device 520 may include an Erasable Programmable Read-Only Memory (EPROM) device, an Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) device, a flash memory device, and a PRAM. Phase Change Random Access Memory (PRAM) device, Resistance Random Access Memory (RRAM) device, Nano Floating Gate Memory (NFGM) device, Polymer Random Access Memory (PoRAM) device, MRAM (Magnetic Random Access Memory; MRAM), non-volatile memory devices such as FRAM (Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) devices and/or DRAM (Dynamic Random Access Memory; DRAM) devices, SRAM (Static Random Access Memory; SRAM) devices, mobile A volatile memory device such as a DRAM device may be included. The storage device 530 may include a solid state drive (SSD), a hard disk drive (HDD), a CD-ROM, and the like. The input/output device 540 may include an input means such as a keyboard, a keypad, a touch pad, a touch screen, and a mouse, and an output means such as a speaker and a printer. The power supply 550 may supply power necessary for the operation of the electronic device 500 .

유기 발광 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 유기 발광 표시 장치(560)는 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(560)는 표시 패널 내 화소 회로들을 위한 스캔 시간들을 고전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로와 화소 회로들 사이의 거리에 기초하여 화소-행 또는 화소-블록 별로 상이하게 함(즉, 전원 공급 회로와 화소 회로들 사이의 거리가 멀어질수록 화소 회로들을 위한 스캔 시간들을 짧아지게 함)으로써, 고전원 전압이 각 화소 회로에 인가됨에 있어 전원 라인을 경유함에 따라 발생하는 전압 강하로 인한 표시 패널의 휘도 불균일을 보상하여 고품질의 이미지를 표시할 수 있다. 이를 위해, 유기 발광 표시 장치(560)는 제1 내지 제n 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행들을 포함하는 표시 패널, 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로, 및 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하고, 제1 내지 제n 화소-행들을 위한 제1 내지 제n 스캔 시간들은 제1 내지 제n 화소-행들과 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하고, 제1 내지 제n 화소-행들은 제1 내지 제k 화소-블록들로 그룹화되며, 제1 내지 제k 화소-블록들을 위한 제1 내지 제k 스캔 시간들은 제1 내지 제k 화소-블록들과 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아질 수 있다. 이 때, 제1 내지 제k 화소-블록들 각각은 동일한 개수의 화소-행들을 포함할 수도 있고, 제1 내지 제k 화소-블록들 중에서 적어도 2이상의 화소-블록들은 서로 상이한 개수의 화소-행들을 포함할 수도 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.The OLED display 560 may be connected to other components through the buses or other communication links. According to exemplary embodiments, the organic light emitting display device 560 may be included in the input/output device 540 . As described above, the organic light emitting diode display 560 determines the scan times for pixel circuits in the display panel for each pixel-row or pixel-block based on the distance between the pixel circuits and the power supply circuit that supplies the high power supply voltage. By making them different (i.e., making the scan times for the pixel circuits shorter as the distance between the power supply circuit and the pixel circuits increases), as the high power supply voltage is applied to each pixel circuit via the power supply line, A high-quality image may be displayed by compensating for non-uniformity in luminance of the display panel due to a voltage drop. To this end, the organic light emitting display device 560 includes a display panel including first to nth pixel-rows connected to first to nth scan lines, a driving integrated circuit driving the display panel, and a high power supply to the display panel. and a power supply circuit supplying the voltage and the low power supply voltage and supplying the driving power supply voltage to the driving integrated circuit. In one embodiment, each of the pixel circuits constituting the first to nth pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation on a driving transistor, and the first to nth scan times for the first to nth pixel-rows are performed. may be shortened as the distance between the first to n th pixel-rows and the power supply circuit increases. In another embodiment, each of the pixel circuits constituting the first to n th pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation on the driving transistor, and the first to n th pixel-rows are configured to perform first to k th pixel-blocks. , and the first to k th scan times for the first to k th pixel-blocks may become shorter as the distance between the first to k th pixel-blocks and the power supply circuit increases. In this case, each of the first to k-th pixel-blocks may include the same number of pixel-rows, and at least two or more of the first to k-th pixel-blocks have different numbers of pixel-rows. may also include However, since this has been described above, overlapping description thereof will be omitted.

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.The present invention can be applied to an organic light emitting display device and various electronic devices including the same. For example, the present invention can be applied to mobile phones, smart phones, video phones, smart pads, smart watches, tablet PCs, car navigation systems, televisions, computer monitors, laptop computers, head mounted displays, and the like.

이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to exemplary embodiments of the present invention, those skilled in the art can make various modifications to the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that it can be modified and changed accordingly.

100: 유기 발광 표시 장치 120: 표시 패널
140: 구동 집적 회로 160: 전원 공급 회로
200: 화소 회로 T1: 제1 트랜지스터
T2: 제2 트랜지스터 T3: 제3 트랜지스터
T4: 제4 트랜지스터 Cst: 스토리지 커패시터
OLED: 유기 발광 다이오드 500: 전자 기기
510: 프로세서 520: 메모리 장치
530: 스토리지 장치 540: 입출력 장치
550: 파워 서플라이 560: 유기 발광 표시 장치
100: organic light emitting display device 120: display panel
140 driving integrated circuit 160 power supply circuit
200: pixel circuit T1: first transistor
T2: second transistor T3: third transistor
T4: fourth transistor Cst: storage capacitor
OLED: organic light emitting diode 500: electronic device
510: processor 520: memory device
530: storage device 540: input/output device
550: power supply 560: organic light emitting display device

Claims (20)

제1 내지 제n(단, n은 2이상의 정수) 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행(pixel-row)들을 포함하는 표시 패널;
상기 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로; 및
상기 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고, 상기 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함하고,
상기 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하며,
상기 제1 내지 제n 화소-행들을 위한 제1 내지 제n 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들과 상기 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아지고,
제i(단, i는 1이상 n이하의 정수) 스캔 시간에 따라 제i 화소-행을 구성하는 상기 화소 회로들이 상기 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 시간이 결정되며,
상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 인가되는 제1 내지 제n 스캔 신호들 각각의 스캔 온 구간의 길이 또는 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 연결되는 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 RC 딜레이가 조절됨으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
a display panel including first to nth pixel-rows connected to first to nth (where n is an integer of 2 or greater) scan lines;
a driving integrated circuit driving the display panel; and
a power supply circuit supplying a high power supply voltage and a low power supply voltage to the display panel and a driving power voltage to the driving integrated circuit;
Each of the pixel circuits constituting the first to nth pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation for a driving transistor;
The first to nth scan times for the first to nth pixel-rows become shorter as the distance between the first to nth pixel-rows and the power supply circuit increases;
A time at which the pixel circuits constituting the ith pixel-row perform the threshold voltage compensation operation is determined according to an i-th scan time (where i is an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to n) scan time;
The first to nth scan times are the lengths of scan-on intervals of the first to nth scan signals applied to the first to nth pixel-rows or the first to nth pixel-rows connected to the first to nth pixel-rows. An organic light emitting display device characterized in that the RC delay of each of the 1st to nth scan lines is determined by adjusting.
제 1 항에 있어서, 상기 화소 회로들 각각은
상기 저전원 전압에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드;
제1 노드에 연결된 게이트 단자, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터로서 동작하는 제1 트랜지스터;
스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호가 인가되는 제1 단자 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제2 트랜지스터;
상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제3 트랜지스터;
발광 제어 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제2 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 제4 트랜지스터; 및
상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
2. The method of claim 1, wherein each of the pixel circuits
an organic light emitting diode including a cathode connected to the low power supply voltage;
a first transistor including a gate terminal connected to a first node, a first terminal connected to an anode of the organic light emitting diode, and a second terminal connected to a second node, and operating as the driving transistor;
a second transistor including a gate terminal to which a scan signal is applied, a first terminal to which a data signal is applied, and a second terminal connected to the second node;
a third transistor including a gate terminal to which the scan signal is applied, a first terminal connected to the first node, and a second terminal connected to the anode of the organic light emitting diode;
a fourth transistor including a gate terminal to which an emission control signal is applied, a first terminal connected to the second node, and a second terminal connected to the high power supply voltage; and
and a storage capacitor including a first terminal connected to the first node and a second terminal connected to the high power supply voltage.
삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 짧아질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 길어질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 길어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1 , wherein the first to n th scan times decrease as the length of the scan on period decreases, and the first to n th scan times increase as the length of the scan on period increases. An organic light emitting display device characterized in that. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 RC 딜레이가 커질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 RC 딜레이가 작아질수록 상기 제1 내지 제n 스캔 시간들은 길어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 1 , wherein the first to nth scan times decrease as the RC delay increases, and the first to nth scan times increase as the RC delay decreases. . 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 6 , wherein the RC delay of each of the first to n th scan lines is adjusted by changing a type of materials included in each of the first to n th scan lines. . 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting display of claim 6 , wherein the RC delay of each of the first to n th scan lines is adjusted by changing a mixing ratio of materials included in each of the first to n th scan lines. Device. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 길이를 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The organic light emitting diode display of claim 6 , wherein the RC delay of each of the first to n th scan lines is adjusted by changing a length of each of the first to n th scan lines. 제1 내지 제n(단, n은 2이상의 정수) 스캔 라인들에 연결된 제1 내지 제n 화소-행(pixel-row)들을 포함하는 표시 패널;
상기 표시 패널을 구동시키는 구동 집적 회로; 및
상기 표시 패널에 고전원 전압과 저전원 전압을 공급하고, 상기 구동 집적 회로에 구동 전원 전압을 공급하는 전원 공급 회로를 포함하고,
상기 제1 내지 제n 화소-행들을 구성하는 화소 회로들 각각은 구동 트랜지스터에 대한 문턱 전압 보상 동작을 수행하며,
상기 제1 내지 제n 화소-행들은 제1 내지 제k(단, k는 2이상의 정수) 화소-블록(pixel-block)들로 그룹화되고,
상기 제1 내지 제k 화소-블록들을 위한 제1 내지 제k 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제k 화소-블록들과 상기 전원 공급 회로 사이의 거리가 멀어질수록 짧아지며,
제i(단, i는 1이상 k이하의 정수) 스캔 시간에 따라 제i 화소-블록을 구성하는 상기 화소 회로들이 상기 문턱 전압 보상 동작을 수행하는 시간이 결정되며,
상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 인가되는 제1 내지 제n 스캔 신호들 각각의 스캔 온 구간의 길이 또는 상기 제1 내지 제n 화소-행들에 연결되는 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 RC 딜레이가 조절됨으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
a display panel including first to nth pixel-rows connected to first to nth (where n is an integer of 2 or greater) scan lines;
a driving integrated circuit driving the display panel; and
a power supply circuit supplying a high power supply voltage and a low power supply voltage to the display panel and a driving power voltage to the driving integrated circuit;
Each of the pixel circuits constituting the first to nth pixel-rows performs a threshold voltage compensation operation for a driving transistor;
The first to nth pixel-rows are grouped into first to kth (where k is an integer greater than or equal to 2) pixel-blocks;
The first to kth scan times for the first to kth pixel-blocks become shorter as the distance between the first to kth pixel-blocks and the power supply circuit increases,
A time at which the pixel circuits constituting the ith pixel-block perform the threshold voltage compensation operation is determined according to an i-th scan time (where i is an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to k) scan time;
The 1st to kth scan times are the lengths of scan-on intervals of the 1st to nth scan signals applied to the 1st to nth pixel-rows or the first to nth pixel-rows connected to the first to nth pixel-rows. An organic light emitting display device characterized in that the RC delay of each of the 1st to nth scan lines is determined by adjusting.
제 10 항에 있어서, 상기 제1 내지 제k 화소-블록들 각각은 동일한 개수의 화소-행들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.11 . The organic light emitting diode display of claim 10 , wherein each of the first to k th pixel-blocks includes the same number of pixel-rows. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 내지 제k 화소-블록들 중에서 적어도 2이상의 화소-블록들은 서로 상이한 개수의 화소-행들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.11 . The organic light emitting diode display of claim 10 , wherein at least two or more pixel-blocks among the first to k-th pixel-blocks include different numbers of pixel-rows. 제 10 항에 있어서, 상기 화소 회로들 각각은
상기 저전원 전압에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드;
제1 노드에 연결된 게이트 단자, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터로서 동작하는 제1 트랜지스터;
스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 데이터 신호가 인가되는 제1 단자 및 상기 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제2 트랜지스터;
상기 스캔 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 제3 트랜지스터;
발광 제어 신호가 인가되는 게이트 단자, 상기 제2 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 제4 트랜지스터; 및
상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 상기 고전원 전압에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
11. The method of claim 10, wherein each of the pixel circuits
an organic light emitting diode including a cathode connected to the low power supply voltage;
a first transistor including a gate terminal connected to a first node, a first terminal connected to an anode of the organic light emitting diode, and a second terminal connected to a second node, and operating as the driving transistor;
a second transistor including a gate terminal to which a scan signal is applied, a first terminal to which a data signal is applied, and a second terminal connected to the second node;
a third transistor including a gate terminal to which the scan signal is applied, a first terminal connected to the first node, and a second terminal connected to the anode of the organic light emitting diode;
a fourth transistor including a gate terminal to which an emission control signal is applied, a first terminal connected to the second node, and a second terminal connected to the high power supply voltage; and
and a storage capacitor including a first terminal connected to the first node and a second terminal connected to the high power supply voltage.
삭제delete 제 10 항에 있어서, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 짧아질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 스캔 온 구간의 상기 길이가 길어질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 길어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.11 . The method of claim 10 , wherein the first to k th scan times decrease as the length of the scan on interval decreases, and the first to k th scan times increase as the length of the scan on interval increases. An organic light emitting display device characterized in that. 삭제delete 제 10 항에 있어서, 상기 RC 딜레이가 커질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 짧아지고, 상기 RC 딜레이가 작아질수록 상기 제1 내지 제k 스캔 시간들은 길어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.11. The organic light emitting diode display of claim 10, wherein the first to kth scan times decrease as the RC delay increases, and the first to kth scan times increase as the RC delay decreases. . 제 17 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 종류를 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.18. The organic light emitting diode display of claim 17, wherein the RC delay of each of the first to nth scan lines is adjusted by changing a type of materials included in each of the first to nth scan lines. . 제 17 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각에 포함되는 물질들의 배합 비율을 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.18. The organic light emitting display of claim 17, wherein the RC delay of each of the first to nth scan lines is adjusted by changing a mixing ratio of materials included in each of the first to nth scan lines. Device. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 상기 RC 딜레이는 상기 제1 내지 제n 스캔 라인들 각각의 길이를 변경함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.18. The organic light emitting diode display of claim 17, wherein the RC delay of each of the first to nth scan lines is adjusted by changing a length of each of the first to nth scan lines.
KR1020160061091A 2016-05-18 2016-05-18 Organic light emitting display device KR102492365B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160061091A KR102492365B1 (en) 2016-05-18 2016-05-18 Organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160061091A KR102492365B1 (en) 2016-05-18 2016-05-18 Organic light emitting display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170130680A KR20170130680A (en) 2017-11-29
KR102492365B1 true KR102492365B1 (en) 2023-01-30

Family

ID=60811527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160061091A KR102492365B1 (en) 2016-05-18 2016-05-18 Organic light emitting display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102492365B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109935213B (en) * 2017-12-15 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 Display panel brightness adjusting method, display panel and driving method thereof
CN110322832B (en) * 2018-03-28 2020-12-01 上海和辉光电股份有限公司 AMOLED pixel driving circuit and time sequence control method
CN110322831B (en) * 2018-03-28 2020-12-01 上海和辉光电股份有限公司 AMOLED pixel driving circuit and time sequence control method
KR102614690B1 (en) * 2018-12-26 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 Display device
CN111383580B (en) * 2018-12-29 2021-06-08 上海和辉光电股份有限公司 Pixel compensation circuit layout structure and virtual reality display device
KR102651045B1 (en) * 2019-03-19 2024-03-27 삼성디스플레이 주식회사 Display device
CN112599098B (en) * 2021-01-07 2021-11-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 System for improving brightness uniformity of OLED display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080038695A (en) * 2006-10-30 2008-05-07 삼성에스디아이 주식회사 The method of driving for plasma display panel
KR102090189B1 (en) * 2013-11-04 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for driving the same
KR20150061755A (en) * 2013-11-28 2015-06-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170130680A (en) 2017-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11094258B2 (en) Pixel circuit
EP3879517B1 (en) Pixel circuit
US11030952B2 (en) Pixel and display device having the same
KR102492365B1 (en) Organic light emitting display device
KR102457757B1 (en) Pixel circuit and organic light emitting display device including the same
KR102555125B1 (en) Display device
US9626905B2 (en) Pixel circuit and electroluminescent display including the same
KR102265368B1 (en) Pixel, display device comprising the same and driving method thereof
KR102715248B1 (en) Pixel of an organic light emitting diode display device, and organic light emitting diode display device
CN108399892B (en) Pixel and display device having the same
US10497317B2 (en) Integration driver and a display device having the same
KR20160037010A (en) Display driving circuit and display driving method
US10650738B2 (en) Pixel circuit and organic light emitting display device including the pixel circuit
KR20150030416A (en) Organic light emitting display device and method of driving the same
CN111179856A (en) Display device
KR20170049780A (en) Pixel circuit and organic light emitting display device having the same
KR20190027057A (en) Display device and pixel
KR102557278B1 (en) Pixel and organic light emitting display device having the same
KR102484380B1 (en) Pixel and organic light emitting display device
KR102587818B1 (en) Organic light emitting display device and electronic device having the same
US10950180B2 (en) Pixel and organic light emitting display device having the same
US9570008B2 (en) Pixel circuit, organic light emitting display device having the same, and method of driving an organic light emitting display device
EP4310825A1 (en) Pixel circuit
US12142222B2 (en) Pixel circuit and display device including the pixel circuit for improving resolution
KR20240080264A (en) Pixel and display device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right