KR102496918B1 - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
투명 자성층들을 구비하는 표시 장치는 제1 투명 자성층, 제1 투명 자석 필름 상에 배치되는 표시 패널, 표시 패널 상에 배치되는 상부 부재 및 상부 부재 상에 배치되고, 광을 투과시키는 제2 투명 자성층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치는 제1 및 제2 투명 자성층들을 구비하여 접착 필름 없이 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에 배치되는 표시 패널 및 상부 부재를 고정시킬 수 있고, 표시 장치가 반복적으로 폴딩 또는 벤딩되더라도 박리되지 않을 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 플렉서블 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근 이러한 표시 장치의 하부 기판과 상부 기판을 플렉서블한 재료로 구성하여, 표시 장치가 벤딩 또는 폴딩될 수 있는 플렉서블 표시 장치가 개발되고 있다. 예를 들면, 표시 패널에 포함된 하부 기판은 플렉서블한 기판으로 구성될 수 있고, 표시 패널에 포함된 상부 기판은 박막 봉지 구조물을 가질 수 있다. 또한, 상기 플렉서블 표시 장치는 상기 표시 패널의 상면에 상부 부재들 및 저면에 보호 필름이 추가적으로 배치될 수 있다. 이러한 상부 부재들, 표시 패널, 보호 필름들을 고정시키기 위해 이들 사이에 각각 접착 필름이 개재될 수 있다. 다만, 플렉서블 표시 장치가 반복적으로 벤딩 또는 폴딩시 상기 접착 필름들에 인장(tensile) 및 압축(compression)이 반복됨으로써, 상기 접착 필름의 복원력 차이 때문에 박리되는 현상이 발생되어 플렉서블 표시 장치의 불량을 야기시킬 수 있다.
본 발명의 일 목적은 플렉서블 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 투명 자성층(magnetic layer), 상기 제1 투명 자석 필름 상에 배치되는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되는 상부 부재 및 상기 상부 부재 상에 배치되고, 광을 투과시키는 제2 투명 자성층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 투명 자성층과 상기 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널 및 상기 상부 부재는 상기 인력을 통해 상기 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에서 고정될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 자성층들은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 부재는 편광층, 터치 스크린 패널을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널 상에 상기 편광층이 배치되고, 상기 편광층 상에 상기 터치 스크린 패널이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널과 상기 편광층 사이에 배치되는 제3 투명 자성층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 투명 자성층과 상기 제3 투명 자성층 사이에 인력이 작용하고, 상기 제3 투명 자성층과 상기 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용하며, 제1 투명 자성층과 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널, 상기 편광층 및 상기 터치 스크린 패널은 상기 인력을 통해 상기 제1 내지 제3 투명 자성층들 사이에서 고정될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 편광층과 상기 터치 스크린 패널 사이에 배치되는 제4 투명 자성층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 상호 간에 서로 인력이 작용하고, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널, 상기 편광층 및 상기 터치 스크린 패널은 상기 인력을 통해 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 사이에서 고정될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들은 동일한 물질을 포함하고, 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널은 기판, 상기 기판 상에 배치되는 표시 구조물 및 상기 표시 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되고, 광을 방출시키는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 투명 자성층은 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조를 가지고, 상기 개구들을 통해 상기 발광층으로부터 방출된 광이 통과할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널은 기판과 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자는 상기 기판 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층, 상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층 및 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 박막 봉지 구조물은 상기 상부 전극 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층, 상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층 및 상기 제2 봉지층 상에 배치되고, 상기 무기 물질을 포함하는 제3 봉지층을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 및 제2 투명 자성층들을 구비하여 접착 필름 없이 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에 배치되는 표시 패널 및 상부 부재를 고정시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치가 반복적으로 폴딩 또는 벤딩되더라도 표시 장치는 박리되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10의 표시 장치에 포함된 제2 투명 자성층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10의 표시 장치에 포함된 제2 투명 자성층을 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 제1 투명 자성층(300), 표시 패널(200), 상부 부재 및 제2 투명 자성층(600)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 표시 구조물, 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 부재는 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450) 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
표시 장치(100)가 플렉서블한 기판(110), 박막 봉지 구조물(450)을 포함함으로써, 플렉서블 표시 장치로 기능 할 수 있다.
투명한 재료를 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층, 제2 배리어층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 상기 폴리이미드 기판은 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250), 상기 표시 구조물 등)의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층 및 제2 배리어층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 배리어층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상기 상부 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 다시 말하면, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수도 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다. 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다.
액티브층(130)이 기판(110) 상에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등으로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있고, 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)에 의해 하부 전극(290)이 노출된 부분에 발광층(330)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
상부 전극(340) 상에 박막 봉지 구조물(450)이 배치될 수 있다. 박막 봉지 구조물(450)은 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(451) 상에 제2 봉지층(452)이 배치될 수 있고, 제2 봉지층(452) 상에 제3 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 상부 전극(340) 상에 제1 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(451)은 상부 전극(340)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(451)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 봉지층(451)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(451)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(451) 상에 제2 봉지층(452)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(452)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(452) 유기 물질들을 포함할 수 있다.
제2 봉지층(452) 상에 제3 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제3 봉지층(453)은 제2 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제3 봉지층(453)은 제1 봉지층(451) 및 제2 봉지층(452)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(451) 및 제2 봉지층(452)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 봉지층(453)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 봉지층들로 적층된 7층 구조로 구성될 수도 있다.
박막 봉지 구조물(450) 상에 편광층(400)이 배치될 수 있다. 편광층(400)은 선편광 필름 및 λ/4 위상 지연 필름을 포함할 수 있다. 예를 들면, 박막 봉지 구조물(450) 상에 상기 λ/4 위상 지연 필름이 배치될 수 있다. 상기 λ/4 위상 지연 필름은 광의 위상을 변환시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 λ/4 위상 지연 필름은 상하로 진동하는 광 또는 좌우로 진동하는 광을 우원편광 또는 좌원편광으로 변환시키고, 우원편광 또는 좌원편광하는 광을 상하로 진동하는 광 또는 좌우로 진동하는 광으로 변환시킬 수 있다. 상기 λ/4 위상 지연 필름은 폴리머(polymer)를 포함하는 복굴절성 필름, 액정 폴리머의 배향 필름, 액정 폴리머의 배향층을 포함하는 필름 등으로 구성될 수 있다.
상기 λ/4 위상 지연 필름 상에 선편광 필름이 배치될 수 있다. 상기 선 편광 필름은 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 선 편광 필름은 상하로 진동하는 광 또는 좌우로 진동하는 광을 투과시킬 수 있다. 이 경우, 상기 선 편광 필름은 가로줄 패턴 또는 세로줄 패턴을 가질 수 있다. 상기 선 편광 필름이 가로줄 패턴을 포함하는 경우, 상기 선 편광 필름은 상하로 진동하는 광을 차단할 수 있고, 좌우로 진동하는 광을 투과시킬 수 있다. 상기 선 편광 필름이 세로줄 패턴을 가지는 경우, 상기 선 편광 필름은 좌우로 진동하는 광은 차단할 수 있고, 상하로 진동하는 광은 투과시킬 수 있다. 상기 선 편광 필름을 투과한 광은 상기 λ/4 위상 지연 필름을 통과할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 λ/4 위상 지연 필름은 광의 위상을 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 상하 및 좌우로 진동하는 광이 상기 선 편광 필름을 통과하는 경우, 가로줄 패턴을 갖는 상기 선 편광 필름은 좌우로 진동하는 광을 투과시킬 수 있다. 상기 좌우로 진동하는 광이 상기 λ/4 위상 지연 필름을 통과하는 경우, 상기 좌우로 진동하는 광은 좌원편광으로 변환될 수 있다. 상기 좌원편광을 가지는 광은 표시 패널(200)의 상기 캐소드 전극에 의해 반사될 수 있고, 상기 광은 우원편광으로 변환될 수 있다. 상기 우원편광을 가지는 광이 상기 λ/4 위상 지연 필름을 통과하는 경우, 상기 광은 상하로 진동하는 광으로 변환될 수 있다. 여기서, 상기 상하로 진동하는 광은 가로줄 패턴을 갖는 상기 선 편광 필름을 투과할 수 없다. 이에 따라, 상기 광은 상기 선 편광 필름 및 상기 λ/4 위상 지연 필름에 의해 소멸될 수 있다. 예를 들면, 상기 선 편광 필름은 요오드계(iodine-based) 물질, 염료(dye)를 함유하는 물질, 폴리엔계(polyene-based) 물질을 포함할 수 있다.
편광층(400) 상에 터치 스크린 패널(500)이 배치될 수 있다. 터치 스크린 패널(500)은 하부 PET 필름, 터치 스크린 패널 전극들, 상부 PET 필름 등을 포함할 수 있다. 상기 하부 PET 필름 및 상기 상부 PET 필름은 터치 스크린 패널(500)의 전극들을 보호할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널 전극은 메탈 메쉬 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 스크린 패널 전극은 탄소 나노 튜브(carbon nano tube CNT), 투명 전도 산화물(transparent conductive oxide), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide ITO), 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide IGZO), 아연 산화물(zinc oxide ZnO), 그래핀(graphene), 은 나노와이어(Ag nanowire AgNW), 구리(Cu), 크롬(Cr) 등으로 이루어질 수 있다.
표시 패널(200)의 저면에 제1 투명 자성층(300)이 배치될 수 있다. 제1 투명 자성층(300)은 기판(110)의 저면에 배치됨으로써, 표시 패널(200)의 기판(110)을 보호할 수 있다. 터치 스크린 패널(500) 상면에 제2 투명 자성층(600)이 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 투명 자성층(600) 상에 하드 코팅층(도시하지 않음)이 추가적으로 배치될 수 있다. 상기 하드 코팅층을 표시 장치(100)를 보호할 수 있다. 또한, 항균 코팅층, 반사 방지 코팅층, 초발수 코팅층 또는 내지문 방지 코팅층 등이 추가적으로 배치될 수도 있다.
제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600)은 실질적으로 투명할 수 있고, 자석의 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(600) 사이에 인력이 작용할 수 있다. 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(600) 사이에 배치되는 표시 패널(200) 및 상기 상부 부재(예를 들어, 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500))는 상기 인력을 통해 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(600) 사이에서 고정될 수 있다.
제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600)은 가시광선 영역에서 투명하고, 자성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600)은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600) 각각에 포함된 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 가질 수 있다. 탄소 및 질소로 구성된 카본나이트라이드 나노 튜브 구조는 팔걸이 의자(armchair) 모양 및 지그재그(zigzag) 모양을 가질 때 가시광선 영역에서 투명할 수 있고, 자성을 가질 수 있다. 이러한 특성에 따라 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600) 사이에 인력이 작용할 수 있고, 발광층(330)으로부터 방출된 광이 제2 투명 자성층(600)을 통과할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(600)을 구비하여 접착 필름 없이 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(600) 사이에 상기 상부 부재들을 고정시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)가 반복적으로 벤딩 또는 폴딩되더라도 표시 장치(100)는 박리되지 않고, 플렉서블 표시 장치의 기능을 유지할 수 있다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(510)이 제공될 수 있다. 기판(510)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 사용하여 형성될 수 있다. 기판(510)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층, 제2 배리어층 등으로 구성될 수 있다.
기판(510) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
기판(510) 상에 액티브층(530)이 형성될 수 있다. 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘) 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530) 상에는 게이트 절연층(550)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(550)은 기판(510) 상에서 액티브층(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(530)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(550)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(570)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 4를 참조하면, 게이트 전극(570) 상에는 층간 절연층(590)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(550) 상에서 전체적으로 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상에서 게이트 전극(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(590)은 게이트 절연층(550) 상에서 게이트 전극(570)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(570)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연층(590) 상에 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 형성될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 전극(570), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 층간 절연층(590) 상에 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630)을 덮으며 층간 절연층(590) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 소스 및 드레인 전극들(610, 630)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(670)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(670)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(670)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(670)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
평탄화층(670) 상에 하부 전극(690)이 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(690)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(590) 상에 화소 정의막(710)이 형성될 수 있고, 하부 전극(690)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(710)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
도 6을 참조하면, 적어도 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 발광층(730)이 형성될 수 있다. 발광층(730)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
화소 정의막(710) 및 발광층(730) 상에 상부 전극(740)이 형성될 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 하부 전극(690), 발광층(730) 및 상부 전극(740)을 포함하는 표시 구조물이 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상부 전극(740) 상에 박막 봉지 구조물(850)이 형성될 수 있다. 박막 봉지 구조물(800)은 제1 봉지층(851), 제2 봉지층(852) 및 제3 봉지층(853)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(851) 상에 제2 봉지층(852)이 형성될 수 있고, 제2 봉지층(852) 상에 제3 봉지층(853)이 형성될 수 있다. 상부 전극(740) 상에 제1 봉지층(851)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(851)은 상부 전극(740)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(740)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 봉지층(851)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(851)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(851)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 봉지층(851) 상에 제2 봉지층(852)이 형성될 수 있다. 제2 봉지층(852)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(852) 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 봉지층(852) 상에 제3 봉지층(853)이 형성될 수 있다. 제3 봉지층(853)은 제2 봉지층(852)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 봉지층(852)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제3 봉지층(853)은 제1 봉지층(851) 및 제2 봉지층(852)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 봉지층(853)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(851) 및 제2 봉지층(852)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 봉지층(853)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 박막 봉지 구조물(850) 상에 편광층(800)이 형성될 수 있다. 편광층(800)은 선편광 필름 및 λ/4 위상 지연 필름을 포함할 수 있다. 상기 λ/4 위상 지연 필름은 폴리머를 포함하는 복굴절성 필름, 액정 폴리머의 배향 필름, 액정 폴리머의 배향층을 포함하는 필름 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 λ/4 위상 지연 필름 상에 선편광 필름이 배치될 수 있다. 상기 선 편광 필름은 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 상기 선 편광 필름은 요오드계 물질, 염료를 함유하는 물질, 폴리엔계 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
편광층(800) 상에 터치 스크린 패널(900)이 형성될 수 있다. 터치 스크린 패널(900)은 하부 PET 필름, 터치 스크린 패널 전극들, 상부 PET 필름 등을 포함할 수 있다. 상기 하부 PET 필름 및 상기 상부 PET 필름은 터치 스크린 패널(500)의 전극들을 보호할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널 전극은 메탈 메쉬 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 스크린 패널 전극은 탄소 나노 튜브, 투명 전도 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 갈륨 아연 산화물, 아연 산화물, 그래핀, 은 나노와이어, 구리, 크롬 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(600)의 저면에 제1 투명 자성층(700)이 형성될 수 있다. 제1 투명 자성층(700)은 기판(510)의 저면에 형성됨으로써, 표시 패널(600)의 기판(510)을 보호할 수 있다. 터치 스크린 패널(900) 상면에 제2 투명 자성층(1000)이 형성될 수 있다.
제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000)은 실질적으로 투명할 수 있고, 자석의 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(700)과 제2 투명 자성층(1000) 사이에 인력이 작용할 수 있다. 제1 투명 자성층(700)과 제2 투명 자성층(1000) 사이에 형성되는 표시 패널(600) 및 상부 부재(예를 들어, 편광층(800) 및 터치 스크린 패널(900))는 상기 인력을 통해 제1 투명 자성층(700)과 제2 투명 자성층(1000) 사이에서 고정될 수 있다.
제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000)은 가시광선 영역에서 투명하고, 자성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000)은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000) 각각에 포함된 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 가질 수 있다. 탄소 및 질소로 구성된 카본나이트라이드 나노 튜브 구조는 팔걸이 의자(armchair) 모양 및 지그재그(zigzag) 모양을 가질 때 가시광선 영역에서 투명할 수 있고, 자성을 가질 수 있다. 이러한 특성에 따라 제1 투명 자성층(700) 및 제2 투명 자성층(1000) 사이에 인력이 작용할 수 있고, 발광층(730)으로부터 방출된 광이 제2 투명 자성층(1000)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 도 2에 도시된 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 11은 도 10의 표시 장치에 포함된 제2 투명 자성층을 설명하기 위한 사시도이다. 도 10에 예시한 표시 장치는 제2 투명 자성층(1600)을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 10에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 표시 장치는 제1 투명 자성층(300), 표시 패널(200), 상부 부재 및 제2 투명 자성층(1600)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 표시 구조물, 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 부재는 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450) 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
표시 패널(200)의 저면에 제1 투명 자성층(300)이 배치될 수 있다. 제1 투명 자성층(300)은 기판(110)의 저면에 배치됨으로써, 표시 패널(200)의 기판(110)을 보호할 수 있다. 터치 스크린 패널(500) 상면에 제2 투명 자성층(1600)이 배치될 수 있다.
제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600)은 실질적으로 투명할 수 있고, 자석의 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(1600) 사이에 인력이 작용할 수 있다. 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(1600) 사이에 배치되는 표시 패널(200) 및 상기 상부 부재(예를 들어, 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500))는 상기 인력을 통해 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(1600) 사이에서 고정될 수 있다.
제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600)은 가시광선 영역에서 투명하고, 자성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600)은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600) 각각에 포함된 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 가질 수 있다. 탄소 및 질소로 구성된 카본나이트라이드 나노 튜브 구조는 팔걸이 의자 모양 및 지그재그 모양을 가질 때 가시광선 영역에서 투명할 수 있고, 자성을 가질 수 있다. 이러한 특성에 따라 제1 투명 자성층(300) 및 제2 투명 자성층(1600) 사이에 인력이 작용할 수 있고, 발광층(330)으로부터 방출된 광이 제2 투명 자성층(1600)을 통과할 수 있다.
제2 투명 자성층(1600)은 복수의 개구들(1605)을 포함하는 메쉬 구조를 가질 수 있다. 개구들(1605)을 통해 발광층(330)으로부터 방출된 광이 통과함으로써, 광 투과율이 향상될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치는 상대적으로 광 투과율이 향상된 플렉서블 표시 장치로 기능 할 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 도 12 및 도 13에 예시한 표시 장치들은 제3 투명 자성층(1100) 및 제4 투명 자성층(1200)을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12 및 도 13에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 표시 장치는 제1 투명 자성층(300), 표시 패널(200), 상부 부재, 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 표시 구조물, 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 부재는 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450) 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
표시 패널(200)과 편광층(400) 사이에 제3 투명 자성층(1100)이 배치될 수 있고, 편광층(400) 상에 터치 스크린 패널(500)이 배치될 수 있다. 또한, 표시 패널(200)의 저면에 제1 투명 자성층(300)이 배치될 수 있고, 터치 스크린 패널(500) 상면에 제2 투명 자성층(600)이 배치될 수 있다.
제1 투명 자성층(300), 제2 투명 자성층(600) 및 제3 투명 자성층(1100)은 실질적으로 투명할 수 있고, 자석의 특성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(300)과 제3 투명 자성층(1100) 사이에 인력이 작용할 수 있고, 제3 투명 자성층(1100)과 제2 투명 자성층(600) 사이에 인력이 작용할 수 있으며, 제1 투명 자성층(300)과 제2 투명 자성층(600) 사이에 인력이 작용할 수 있다. 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600) 사이에 배치되는 표시 패널(200), 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)은 상기 인력을 통해 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600) 사이에서 고정될 수 있다.
제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600)은 가시광선 영역에서 투명하고, 자성을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600)은 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 표시 장치가 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600)을 포함함으로써, 상대적으로 큰 인력을 얻을 수 있고, 이에 따라, 상기 표시 장치는 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600) 사이에 배치되는 표시 패널(200), 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 상대적으로 증가된 인력을 통해 제1 투명 자성층(300), 제3 투명 자성층(1100) 및 제2 투명 자성층(600) 사이에서 고정시킬 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 표시 장치는 편광층(400)과 터치 스크린 패널(500) 사이에 제4 투명 자성층(1200)을 더 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 투명 자성층들(300, 600, 1100, 1200) 상호 간에 서로 인력이 작용할 수 있고, 제1 내지 제4 투명 자성층들(300, 600, 1100, 1200) 사이에 배치되는 표시 패널(200), 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)은 상기 인력을 통해 제1 내지 제4 투명 자성층들(300, 600, 1100, 1200) 사이에서 고정될 수 있다. 이러한 경우, 상기 표시 장치는 더 증가된 인력을 얻을 수 있다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 14에 예시한 표시 장치들은 제2 투명 자성층(1600), 제3 투명 자성층(1105) 및 제4 투명 자성층(1205)을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 14에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 14를 참조하면, 표시 장치는 제1 투명 자성층(300), 표시 패널(200), 상부 부재, 제3 투명 자성층(1105), 제2 투명 자성층(1600) 및 제4 투명 자성층(1205)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 기판(110), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 표시 구조물, 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 부재는 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450) 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
표시 패널(200)과 편광층(400) 사이에 제3 투명 자성층(1105)이 배치될 수 있다. 제3 투명 자성층(1105)은 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조를 가질 수 있다. 상기 개구들을 통해 발광층(330)으로부터 방출된 광이 통과될 수 있다.
제3 투명 자성층(1105) 상에 편광층(400)이 배치될 수 있고, 편광층(400) 상에 제4 투명 자성층(1205)이 배치될 수 있다. 제4 투명 자성층(1205)은 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조로 구성될 수 있고, 상기 개구들을 통해 발광층(330)으로부터 방출된 광이 통과될 수 있다.
제4 투명 자성층(1205) 상에 터치 스크린 패널(500)이 배치될 수 있고, 터치 스크린 패널(500) 상에 제2 투명 자성층(1600)이 배치될 수 있다. 제2 투명 자성층(1600)은 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조를 포함할 수 있고, 상기 개구들을 통해 발광층(330)으로부터 방출된 광이 통과될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치는 제1 투명 자성층(300), 제2 투명 자성층(1600), 제3 투명 자성층(1105) 및 제4 투명 자성층(1205)을 포함함으로써, 상대적으로 향상된 광 투과율 및 상대적으로 큰 인력을 갖는 플렉서블 표시 장치로 기능 할 수 있다.
도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 15에 예시한 표시 장치들은 제 투명 자성층(305)을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 15에 있어서, 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 15를 참조하면, 표시 장치는 제1 투명 자성층(305), 표시패널(200), 상부 부재 및 제2 투명 자성층(600)을 포함할 수 있다. 여기서, 표시 패널(200)은 기판(115), 반도체 소자(250), 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 표시 구조물, 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 부재는 편광층(400) 및 터치 스크린 패널(500)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 표시 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450) 제1 봉지층(451), 제2 봉지층(452) 및 제3 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
투명한 재료를 포함하는 기판(115)이 제공될 수 있다. 기판(115)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(115)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 제1 배리어층, 제2 폴리이미드층, 제2 배리어층 등으로 구성될 수 있다. 제1 투명 자성층(305)은 다층 구조를 갖는 기판(115)에 매립될 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 자성층(305)은 상기 제1 폴리이미드층과 제1 배리어층 사이, 상기 제1 배리어층과 제2 폴리이미드층 사이 또는 제2 폴리이미드층과 제2 배리어층 사이에 위치할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
100: 표시 장치 110, 115, 510: 기판
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 300, 305, 700: 제1 투명 자성층
400, 800: 편광층 500, 900: 터치 스크린 패널
600, 1000, 1600: 제2 투명 자성층 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 740: 상부 전극
450, 850: 박막 봉지 구조물 451, 851: 제1 봉지층
452, 852: 제2 봉지층 453, 853: 제3 봉지층
1100, 1105: 제3 투명 자성층 1200, 1205: 제4 투명 자성층
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 300, 305, 700: 제1 투명 자성층
400, 800: 편광층 500, 900: 터치 스크린 패널
600, 1000, 1600: 제2 투명 자성층 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 740: 상부 전극
450, 850: 박막 봉지 구조물 451, 851: 제1 봉지층
452, 852: 제2 봉지층 453, 853: 제3 봉지층
1100, 1105: 제3 투명 자성층 1200, 1205: 제4 투명 자성층
Claims (20)
- 제1 투명 자성층(magnetic layer);
상기 제1 투명 자성층 상에 배치되는 표시 패널;
상기 표시 패널 상에 배치되고, 편광층 및 터치 스크린 패널 중 적어도 하나를 포함하는 상부 부재; 및
상기 상부 부재 상에 배치되고, 광을 투과시키는 제2 투명 자성층을 포함하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 투명 자성층과 상기 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널 및 상기 상부 부재는 상기 인력을 통해 상기 제1 및 제2 투명 자성층들 사이에서 고정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 투명 자성층들은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널 상에 상기 편광층이 배치되고, 상기 편광층 상에 상기 터치 스크린 패널이 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 표시 패널과 상기 편광층 사이에 배치되는 제3 투명 자성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 제1 투명 자성층과 상기 제3 투명 자성층 사이에 인력이 작용하고, 상기 제3 투명 자성층과 상기 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용하며, 제1 투명 자성층과 제2 투명 자성층 사이에 인력이 작용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널, 상기 편광층 및 상기 터치 스크린 패널은 상기 인력을 통해 상기 제1 내지 제3 투명 자성층들 사이에서 고정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 편광층과 상기 터치 스크린 패널 사이에 배치되는 제4 투명 자성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 11 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 상호 간에 서로 인력이 작용하고, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 사이에 배치되는 상기 표시 패널, 상기 편광층 및 상기 터치 스크린 패널은 상기 인력을 통해 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들 사이에서 고정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 투명 자성층들은 동일한 물질을 포함하고, 상기 물질은 원통형 모양의 1차원 카본나이트라이드 나노 튜브 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
기판;
상기 기판 상에 배치되는 표시 구조물; 및
상기 표시 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 14 항에 있어서, 상기 표시 구조물은,
상기 기판 상에 배치되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되고, 광을 방출시키는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 15 항에 있어서, 상기 제2 투명 자성층은 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조를 가지고, 상기 개구들을 통해 상기 발광층으로부터 방출된 광이 통과하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
기판과 표시 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 반도체 소자는,
상기 기판 상에 배치되는 액티브층;
상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극; 및
상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 18 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 상기 액티브층을 덮는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상에 배치되고, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연층;
상기 층간 절연층 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮는 평탄화층; 및
상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 화소 정의막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 15 항에 있어서, 상기 박막 봉지 구조물은,
상기 상부 전극 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제1 봉지층;
상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 유기 물질을 포함하는 제2 봉지층; 및
상기 제2 봉지층 상에 배치되고, 상기 무기 물질을 포함하는 제3 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |