KR102486034B1 - 발광소자 패키지 및 조명 장치 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고 캐비티를 갖는 몸체 및 제1 리드 프레임 상에 실장되는 발광소자를 포함하고, 캐비티는 제1 내지 제4 내측면을 포함하고, 제1 내지 제4 내측면 사이에 제1 내지 제4 모서리는 일정한 곡률을 포함할 수 있다. 실시 예는 캐비티의 모서리 영역에서 발생할 수 있는 크랙(Crack) 등의 불량을 개선할 수 있다. 즉, 실시 예는 몸체와 제1 및 제2 리드 프레임의 결합을 위한 사출 성형의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고 캐비티를 갖는 몸체 및 제1 리드 프레임 상에 실장되는 발광소자를 포함하고, 캐비티는 제1 내지 제4 내측면을 포함하고, 제1 내지 제4 내측면 사이에 제1 내지 제4 모서리는 일정한 곡률을 포함할 수 있다. 실시 예는 캐비티의 모서리 영역에서 발생할 수 있는 크랙(Crack) 등의 불량을 개선할 수 있다. 즉, 실시 예는 몸체와 제1 및 제2 리드 프레임의 결합을 위한 사출 성형의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
발광 소자(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 몸체의 사출 성형 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 상기 제1 리드 프레임으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 리드 프레임과, 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고 캐비티를 갖는 몸체 및 제1 리드 프레임 상에 실장되는 발광소자를 포함하고, 캐비티는 제1 내지 제4 내측면을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 내측면 사이에 제1 내지 제4 모서리는 일정한 곡률을 포함할 수 있다. 실시 예는 캐비티의 모서리 영역에서 발생할 수 있는 크랙(Crack) 등의 불량을 개선할 수 있다. 즉, 실시 예는 몸체와 제1 및 제2 리드 프레임의 결합을 위한 사출 성형의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 조명장치는 상기 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 및 제2 리드 프레임를 노출시키는 캐비티의 내측면들 모서리에 일정한 곡률을 포함하여 캐비티의 모서리 영역에서 발생할 수 있는 크랙(Crack) 등의 불량을 개선할 수 있다. 즉, 실시 예는 몸체와 제1 및 제2 리드 프레임의 결합을 위한 사출 성형의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예는 캐비티의 내측면들과 발광소자의 간격을 전체적으로 균일하게 유지하므로 캐비티의 모서리 영역에서 광 손실을 개선할 수 있다. 즉, 실 시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 A영역을 도시한 도면이다.
도 5는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 6은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 7은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 8은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 A영역을 도시한 도면이다.
도 5는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 6은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 7은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 8은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 A영역을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 리드 프레임(130), 제2 리드 프레임(140), 몸체(120), 보호소자(160) 및 발광소자(150)를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(150)는 상기 제1 리드 프레임(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(150)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임(130)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 실시 예의 상기 발광소자(150)는 단일 구성으로 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 2개 이상의 복수개로 구성될 수 있고, 어레이 형태로 구성될 수도 있다. 상기 발광소자(150)는 와이어를 통해서 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자(150)는 상기 몸체(120)의 중심부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자(150)는 탑뷰가 삼각, 원형, 및 다각형 구조일 수 있다. 예컨대 상기 발광소자(150)는 제1 내지 제4 측면(150a 내지 150d)을 갖는 탑뷰가 사각구조일 수 있다.
상기 보호소자(160)는 상기 제2 리드 프레임(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 제너 다이오드, 사이리스터(Thyristor), TVS(Transient Voltage Suppression) 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예의 보호소자(160)는 ESD(Electro Static Discharge)로부터 상기 발광소자(150)를 보호하는 제너 다이오드를 일 예로 설명하도록 한다. 상기 보호소자(160)는 와이어를 통해서 상기 제1 리드 프레임(130)과 연결될 수 있다.
상기 몸체(120)는 투광성 재질, 반사성 재질, 절연성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 발광소자(150)로부터 방출된 광에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 수지 계열의 절연 물질일 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 또는 실리콘 재질과 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 일정한 곡률을 갖는 외측면 또는 각진 면을 갖는 외측면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 예컨대 탑뷰 형상이 원형 또는 다각형 형상일 수 있다. 실시 예의 몸체(120)는 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)을 포함하는 다각형 형상을 일 예로 설명하도록 한다.
상기 몸체(120)는 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)과 결합될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티(125)를 포함할 수 있다.
상기 캐비티(125)는 제1 내지 제4 내측면(126a 내지 126d)을 포함하고, 상기 제1 리드 프레임(130)을 노출시키는 제1 바닥면(125a), 상기 제2 리드 프레임(140)을 노출시키는 제2 및 제3 바닥면(125b, 125c)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 바닥면(125a)은 상기 제1 내지 제4 내측면(126a 내지 126d)에 의해 노출되는 제1 리드 프레임(130)과 대응될 수 있다. 상기 제2 및 제3 바닥면(125b, 125c)은 상기 제2 내측면(126b)으로부터 노출되는 제2 리드 프레임(140)과 대응될 수 있다.
상기 제1 내측면(126a)은 상기 제2 내측면(126b)과 제1 방향(X-X')으로 서로 마주볼 수 있다. 상기 제1 및 제2 내측면(126a, 126b)은 상기 제1 바닥면(125a)으로부터 경사지게 배치될 수 있고, 서로 대칭되게 배치될 수 있다. 상기 제3 내측면(126c)은 상기 제4 내측면(126d)와 제2 방향(Y-Y')으로 서로 마주볼 수 있다. 상기 제3 및 제4 내측면(126c, 126d)은 상기 제1 바닥면(125a)으로터 경사지게 배치될 수 있고, 서로 대칭되게 배치될 수 있다. 상기 캐비티(125)의 제1 내측면(126a)은 상기 발광소자(150)의 제1 측면(150a)과 대면될 수 있다. 상기 캐비티(125)의 제2 내측면(126b)은 상기 발광소자(150)의 제2 측면(150b)과 대면될 수 있다. 상기 캐비티(125)의 제3 내측면(126c)은 상기 발광소자(150)의 제3 측면(150c)과 대면될 수 있다. 상기 캐비티(125)의 제4 내측면(126d)은 상기 발광소자(150)의 제4 측면(150d)과 대면될 수 있다. 상기 캐비티(125)의 제1 내지 제4 내측면(126a 내지 126d)은 상기 발광소자(150)의 제1 내지 제4 측면(150a 내지 150d)과 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다.
상기 캐비티(125)는 상기 제1 및 제3 내측면(126a. 126c) 사이에 제1 모서리(127a)와, 상기 제1 및 제4 내측면(126a, 126d) 사이의 제2 모서리(127b)와, 상기 제2 및 제4 내측면(126b, 126d) 사이의 제3 모서리(127c)와, 제2 및 제3 내측면(126b, 126c) 사이의 제4 모서리(127d)를 포함할 수 있다.
상기 제1 모서리(127a)는 상기 발광소자(150)와 일정한 간격을 갖는 제1 곡률(R1)을 포함할 수 있다. 상기 제1 곡률(R1)은 50㎛이상 일 수 있다. 실시 예는 50㎛이상의 제1 곡률(R1)을 갖는 제1 모서리(127a)에 의해 사출 공정에서 상기 제1 모서리(127a) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 제2 모서리(127b)는 상기 발광소자(150)와 일정한 간격을 갖는 제2 곡률(R2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 곡률(R2)은 50㎛이상 일 수 있다. 상기 제1 및 제2 곡률(R1, R2)은 서로 같은 곡률일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예는 50㎛이상의 제2 곡률(R2)을 갖는 제2 모서리(127b)에 의해 사출 공정에서 상기 제2 모서리(127b) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 제3 모서리(127c)는 제3 곡률(R3)을 포함할 수 있다. 상기 제3 곡률(R3)은 50㎛이상 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제3 곡률(R3)은 상기 제1 및 제2 곡률(R1, R2)과 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예는 50㎛이상의 제3 곡률(R3)을 갖는 제3 모서리(127c)에 의해 사출 공정에서 상기 제3 모서리(127c) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 제4 모서리(127d)는 제4 곡률(R4)을 포함할 수 있다. 상기 제4 곡률(R4)은 50㎛이상 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제4 곡률(R4)은 상기 제1 및 제2 곡률(R1, R2)과 같을 수 있으나, 이이 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 및 제4 곡률(R3, R4)은 서로 같은 곡률일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예는 50㎛이상의 제4 곡률(R4)을 갖는 제4 모서리(127d)에 의해 사출 공정에서 상기 제4 모서리(127d) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 캐비티(125)는 상기 제3 모서리(127c)로부터 연장되는 제1 와이어 홈부(127e)와, 상기 제4 모서리(127d)로부터 연장되는 제2 와이어 홈부(127f)를 포함할 수 있다.
상기 제1 와이어 홈부(127e)는 상기 제3 모서리(127c)로부터 상기 캐비티(125)의 제2 내측면(126b) 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1 와이어 홈부(127e)는 상기 발광소자(150)의 제1 와이어(150W)와 연결되는 상기 제2 리드 프레임(140)을 노출시킬 수 있다. 상기 제1 와이어 홈부(127e)는 제5 곡률(R5)을 포함할 수 있다. 상기 제5 곡률(R5)은 50㎛이상 일 수 있다. 상기 제5 곡률(R5)은 상기 제1 내지 제4 곡률(R1 내지 R4)보다 작을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예는 50㎛이상의 제5 곡률(R5)을 갖는 제1 와이어 홈부(127e)에 의해 사출 공정에서 상기 제1 와이어 홈부(127e) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 제2 와이어 홈부(127f)는 상기 제4 모서리(127d)로부터 상기 캐비티(125)의 제3 내측면(126c) 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제2 와이어 홈부(127f)는 상기 보호소자(160)의 제2 와이어(160W)와 연결되는 상기 제1 리드 프레임(130)을 노출시킬 수 있다. 상기 제2 와이어 홈부(127f)는 제6 곡률(R6)을 포함할 수 있다. 상기 제6 곡률(R6)은 50㎛이상 일 수 있다. 상기 제5 및 제6 곡률(R5, R6)은 서로 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제5 곡률(R5)은 상기 제1 내지 제4 곡률(R1 내지 R4)보다 작을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예는 50㎛이상의 제6 곡률(R6)을 갖는 제2 와이어 홈부(127f)에 의해 사출 공정에서 상기 제2 와이어 홈부(127f) 주변의 사출 흐름을 향상시켜, 크랙 불량을 개선할 수 있다.
상기 몸체(120)는 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)을 포함할 수 있고, 탑뷰 형상이 사각형인 구조일 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 제1 방향(X-X')으로 나란하게 배치될 수 있다. 실시 예는 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)으로부터 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)의 일부가 노출될 수 있다. 실시 예는 상기 제1 외측면(121)으로부터 제1 리드 프레임(130)의 제1 돌출부(131)가 노출될 수 있다. 실시 예는 상기 제2 외측면(122)으로부터 제2 리드 프레임(140)의 제2 돌출부(141)가 노출될 수 있다. 상기 제1 및 제2 돌출부(131, 141)는 제1 방향(X-X')과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 일정 간격 이격되어 상기 몸체(120)와 결합될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(130)에는 상기 발광소자(150)가 실장될 수 있고, 상기 제2 리드 프레임(140)에는 상기 보호소자(160)가 실장될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 제1 방향(X-X')으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 제2 리드 프레임(140)보다 큰 상기 제1 방향(X-X')의 너비를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예컨대 실시 예의 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 구리(Cu)를 포함하는 베이스층과 상기 베이스층을 덮는 은(Ag)을 포함하는 산화 방지층으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 몸체(120)의 외측으로 돌출된 상기 제1 돌출부(131)를 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부(131)는 양끝단에 단차구조를 포함할 수 있다. 상기 단차구조는 상기 제1 돌출부(131)의 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있고, 상기 제1 돌출부(131)로부터 연장될 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 제1 돌출부(131)의 표면은 은(Ag)을 포함하는 산화 방지층일 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 제2 리드 프레임(140)과 대면되는 전극분리 영역에 제1 단차부(136)를 포함할 수 있다. 상기 제1 단차부(136)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(136)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제1 단차부(136)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제1 단차부(136)는 상기 제1 리드 프레임(130)의 하부면 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(136)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(130)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 단차부(136)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(130) 두께의 50% 이상일 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(130)은 적어도 하나 이상의 제1 관통 홀(137)을 포함할 수 있다. 상기 제1 관통 홀(137)은 제2 단차부(134)를 포함할 수 있다. 상기 제2 단차부(134)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제2 단차부(134)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제2 단차부(134)는 상기 제1 단차부(136)와 대응되는 두께를 가질 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 몸체(120)의 외측으로 돌출된 상기 제1 돌출부(131)를 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부(131)는 양끝단에 단차구조를 포함할 수 있다. 상기 단차구조는 상기 제1 돌출부(131)의 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있고, 상기 제1 돌출부(131)로부터 연장될 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 제1 돌출부(131)의 표면은 은(Ag)을 포함하는 산화 방지층일 수 있다.
상기 제2 리드 프레임(140)은 상기 몸체(120)의 외측으로 돌출된 상기 제2 돌출부(141)를 포함할 수 있다. 상기 제2 돌출부(141)는 양끝단에 단차구조를 포함할 수 있다. 상기 단차구조는 상기 제2 돌출부(141)의 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있고, 상기 제2 돌출부(141)로부터 연장될 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 제2 돌출부(141)의 표면은 은(Ag)을 포함하는 산화 방지층일 수 있다.
상기 제2 리드 프레임(140)은 상기 제1 리드 프레임(130)과 대면되는 전극분리 영역에 제3 단차부(146)를 포함할 수 있다. 상기 제3 단차부(146)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 단차부(146)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제3 단차부(146)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제3 단차부(146)는 상기 제2 리드 프레임(140)의 하부면 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 단차부(146)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(140)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제3 단차부(146)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(140) 두께의 50% 이상일 수 있다.
상기 제2 리드 프레임(140)은 적어도 하나 이상의 제2 관통 홀(147)을 포함할 수 있다. 상기 제2 관통 홀(147)은 제4 단차부(144)를 포함할 수 있다. 상기 제4 단차부(144)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제4 단차부(144)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제4 단차부(144)는 상기 제3 단차부(146)와 대응되는 두께를 가질 수 있다.
실시 예의 발광소자 패키지(100)는 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)를 노출시키는 캐비티(125)의 제1 내지 제4 곡률(R1 내지 R4)을 갖는 제1 내지 제4 모서리(127a 내지 127d)에 의해 캐비티(125)의 모서리 영역에서 발생할 수 있는 크랙(Crack) 등의 불량을 개선할 수 있다. 즉, 실시 예는 몸체(120)와 제1 및 제2 리드 프레임의(130, 140) 결합을 위한 사출 성형의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 예는 발광소자(150)의 제1 와이어(150W)가 배치되는 제1 와이어 홈부(127e) 및 보호소자(160)의 제2 와이어(160W)가 배치되는 제2 와이어 홈부(127f)가 각각 일정한 제5 및 제6 곡률(R5, R6)을 포함하여 몸체()의 사출 공정에서 크랙 등의 불량을 개선할 수 있다.
또한, 실시 예는 캐비티(120)의 내측면들과 발광소자(150)의 간격을 전체적으로 균일하게 유지하므로 캐비티(120)의 모서리 영역에서 광 손실을 개선할 수 있다. 즉, 실 시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
<발광 칩>
도 5는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 발광 칩은 기판(511), 버퍼층(512), 발광 구조물(510), 제1 전극(516) 및 제2 전극(517)을 포함한다. 상기 기판(511)은 투광성 또는 비투광성 재질일 수 있고, 전도성 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(512)은 기판(511)과 상기 발광 구조물(510)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(512)과 상기 발광 구조물(510)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선할 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 제1 도전형 반도체층(513), 활성층(514) 및 제2 도전형 반도체층(515)를 포함한다.
예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(513)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 예컨대 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(513)과 상기 활성층(514) 사이에는 제1 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(514)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 클래드층은 제1 도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시키는 기능을 포함할 수 있다.
상기 활성층(514)은 상기 제1 도전형 반도체층(513) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(514)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(514) 위에는 제2 도전형 반도체층(515)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(515)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(514)을 보호할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(513)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 p형 반도체층으로 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 반도체층(513)을 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)을 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(515) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(510)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(513) 상에는 제1 전극(516)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(515) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2 전극(517)을 포함한다.
<발광 칩>
도 6은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 다른 예의 발광 칩은 도 5를 참조하여 동일한 구성의 설명은 생략하기로 한다. 다른 예의 발광 칩은 발광 구조물(510) 아래에 접촉층(521)이 배치되고, 상기 접촉층(521) 아래에 반사층(524)이 배치되고, 상기 반사층(524) 아래에 지지부재(525)가 배치되고, 상기 반사층(524)과 상기 발광 구조물(510)의 둘레에 보호층(523)이 배치될 수 있다.
상기 발광 칩은 제2 도전형 반도체층(515) 아래에 접촉층(521) 및 보호층(523), 반사층(524) 및 지지부재(525)가 배치될 수 있다.
상기 접촉층(521)은 발광 구조물(510)의 하부면 예컨대 제2 도전형 반도체층(515)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 접촉층(521)은 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(521) 내부에는 전극(516)과 대응되도록 전류를 블로킹하는 전류 블로킹층이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(523)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(523)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(524)과 같은 금속이 발광 구조물(510)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(524)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 반사층(524)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(524)은 상기 발광 구조물(510)의 폭보다 크게 형성되어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. 상기 반사층(524)과 상기 지지부재(525) 사이에 접합을 위한 금속층, 열 확산을 위한 금속층 등이 더 배치될 수 있으나, dl이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지지부재(525)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(525)와 상기 반사층(524) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있다.
<조명 시스템>
도 7은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)를 포함하며, 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 기판(1033) 상에 일정간격 이격되어 복수개로 배치될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예컨대 PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 제1 및 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 배치된 편광판을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 상기 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광학 시트(1051)은 적어도 하나 이상의 투광성 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 적어도 하나 이상의 프리즘 시트, 및 보호 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호하는 기능을 포함할 수 있다.
<조명 장치>
도 8은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 다른 예의 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 발광소자 패키지(110)가 실장된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함할 수 있다.
상기 기판(1120)과 상기 발광소자 패키지(110)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광소자 패키지(110)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 확산판, 확산 시트, 프리즘 시트, 및 보호시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 확산판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키고, 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키고, 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호할 수 있다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
127a: 제1 모서리
127b: 제2 모서리
127c: 제3 모서리
127d: 제4 모서리
127e: 제1 와이어 홈부
127f: 제2 와이어 홈부
130: 제1 리드 프레임
140: 제2 리드 프레임
R1: 제1 곡률
R2: 제2 곡률
R3: 제3 곡률
R4: 제4 곡률
R5: 제5 곡률
R6: 제6 곡률
127b: 제2 모서리
127c: 제3 모서리
127d: 제4 모서리
127e: 제1 와이어 홈부
127f: 제2 와이어 홈부
130: 제1 리드 프레임
140: 제2 리드 프레임
R1: 제1 곡률
R2: 제2 곡률
R3: 제3 곡률
R4: 제4 곡률
R5: 제5 곡률
R6: 제6 곡률
Claims (13)
- 제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임으로부터 제1 방향으로 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고 캐비티를 갖는 몸체; 및
상기 제1 리드 프레임 상에 실장되는 발광소자를 포함하고,
상기 캐비티는 제1 내지 제4 내측면을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 내측면 사이에 제1 내지 제4 모서리는 일정한 곡률을 갖고,
상기 캐비티는 상기 제1 내지 제4 모서리 중 적어도 하나로부터 연장된 적어도 하나의 와이어 홈부를 포함하고,
상기 적어도 하나의 와이어 홈부의 곡률 중심으로부터 상기 적어도 하나의 와이어 홈부의 곡면 상의 한 점을 향하는 제1 방향은 상기 적어도 하나의 와이어 홈부가 연장된 제1 내지 제4 모서리 중 적어도 하나의 곡률 중심으로부터 상기 제1 내지 제4 모서리 중 적어도 하나의 곡면 상의 한 점을 향하는 제2 방향과 반대 방향인 발광소자 패키지.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내측면은 서로 마주보고, 상기 제3 및 제4 내측면은 서로 마주보고, 상기 제1 모서리는 상기 제1 및 제3 내측면 사이에 배치되고, 상기 제2 모서리는 제1 및 제4 내측면 사이에 배치되고, 상기 제3 모서리는 상기 제2 및 제4 내측면 사이에 배치되고, 상기 제4 모서리는 제2 및 제3 내측면 사이에 배치된 발광소자 패키지.
- 제2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 모서리는 50㎛이상의 제1 및 제2 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제3 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 곡률은 같은 발광소자 패키지.
- 제2 항에 있어서,
상기 제3 및 제4 모서리는 50㎛이상의 제3 및 제4 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제4 항에 있어서,
상기 제3 및 제4 곡률은 같은 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 와이어 홈부는 상기 제3 모서리 및 상기 제4 내측면 사이에 배치된 제1 와이어 홈부를 포함하고, 상기 제2 리드 프레임의 일부가 상기 제1 와이어 홈부에서 노출된 발광소자 패키지.
- 제7 항에 있어서,
상기 제1 와이어 홈부는 50㎛이상의 제5 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제7 항에 있어서,
상기 제1 와이어 홈부는 상기 제1 내지 제4 모서리보다 작은 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 와이어 홈부는 상기 제4 모서리 및 상기 제2 내측면 사이에 배치된 제2 와이어 홈부를 포함하고, 상기 제1 리드 프레임의 일부가 상기 제2 와이어 홈부에서 노출된 발광소자 패키지.
- 제10 항에 있어서,
상기 제2 와이어 홈부는 50㎛이상의 제6 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제10 항에 있어서,
상기 제2 와이어 홈부는 상기 제1 내지 제4 모서리보다 작은 곡률을 갖는 발광소자 패키지.
- 제1 내지 제12 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치.
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|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |