[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102476943B1 - 이너 월 및 기판 처리 장치 - Google Patents

이너 월 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102476943B1
KR102476943B1 KR1020207007745A KR20207007745A KR102476943B1 KR 102476943 B1 KR102476943 B1 KR 102476943B1 KR 1020207007745 A KR1020207007745 A KR 1020207007745A KR 20207007745 A KR20207007745 A KR 20207007745A KR 102476943 B1 KR102476943 B1 KR 102476943B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wall
processing
slits
loading table
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020207007745A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200038524A (ko
Inventor
유지 아사카와
아츠시 다나카
히로유키 오가와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority to KR1020227043027A priority Critical patent/KR102554732B1/ko
Publication of KR20200038524A publication Critical patent/KR20200038524A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102476943B1 publication Critical patent/KR102476943B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Paper (AREA)

Abstract

기판 처리 장치에 이용되며, 기판이 적재되는 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월은, 하단에 슬릿이 복수 형성되고, 당해 이너 월의 내측면에 있어서는, 그 상단으로부터 하단으로까지 연신되고 또한 당해 슬릿에 연통되는 홈이 복수 형성되어 있다.

Description

이너 월 및 기판 처리 장치
(관련 출원의 상호 참조)
본원은, 2017년 8월 25일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-162755호에 기초하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은, 기판에 소정의 처리를 행할 때에 이용되며, 당해 기판이 적재되는 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월, 및 당해 이너 월을 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
근년, 반도체 디바이스의 미세화에 수반하여, 건식 에칭이나 습식 에칭과 같은 종래의 에칭 기술 대신, 화학적 산화물 제거(Chemical Oxide Removal: COR) 처리라 칭해지는, 보다 미세화 에칭이 가능한 방법이 이용되고 있다.
COR 처리는, 진공으로 유지된 처리 용기 내에 있어서, 예를 들어 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 함)에 대하여 처리 가스를 공급하여, 이들 가스와, 예를 들어 웨이퍼 상에 형성된 막을 반응시켜 생성물을 생성하는 처리이다. COR 처리에 의하여 웨이퍼 표면에 생성된 생성물은, 다음 공정에서 가열 처리를 행함으로써 승화되며, 이것에 의하여 웨이퍼 표면의 막이 제거된다.
이와 같은 COR 처리는, 웨이퍼를 1매씩 처리하는 매엽식 처리 장치에서 행해지지만, 근년에는 스루풋의 향상을 도모하기 위하여, 복수 매의 웨이퍼를 동시에 처리하는 처리 장치가 이용되는 경우가 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1의 처리 장치에서는 복수 매, 예를 들어 2매의 웨이퍼 표면에 있어서 처리 가스의 흐름이 불균일해지는 것을 방지하기 위하여, 처리 용기 내를 처리 공간과 배기 공간으로 칸막이하는 배플판을 마련할 것이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-214513호 공보
그러나 근년, 웨이퍼 처리의 균일성의 요구가 엄격해지고 있으며, 상술한 바와 같은 2매의 웨이퍼를 동시에 처리하는 처리 장치에서는 처리 가스의 흐름을 적절히 제어하는 것이 어려워서, 각 웨이퍼 표면에서의 처리 가스의 균일성을 확보하는 것이 곤란하였다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 소정의 처리 가스를 이용한 기판 처리를 면 내에서 균일하게 행하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 일 양태는, 기판이 적재되는 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월이며, 하단에 슬릿이 복수 형성되고, 내측면에 있어서 상단으로부터 하단으로 연신되어 상기 슬릿에 연통되는 홈이 복수 형성되어 있다.
본 발명의 일 양태에 따른 이너 월은, 기판 처리에 이용된 처리 가스를 배출할 때에 이용된다. 즉, 적재대에 적재된 기판에 처리 가스가 공급되어 소정의 처리가 행해지고, 그 후, 처리에 사용된 처리 가스는 기판의 외주로부터, 적재대의 외주와 이너 월 사이의 배기 공간을 통과하여 배출된다. 그리고 기판 처리가 균일하게 행해지기 위해서는 기판 표면에 대하여 처리 가스가 균일하게 머물 필요가 있으며, 당해 처리 가스의 배출이 기판의 외주로부터 균일하게 행해질 필요가 있다. 이 점, 본 발명의 이너 월의 내측면에는, 상단으로부터 하단으로 연신되는 홈이 형성되어 있으므로, 처리 가스는 홈에 의하여 정류되어 슬릿으로부터 배출된다. 따라서 본 발명의 이너 월을 이용하면, 처리 가스를 균일하게 배출할 수 있어서 기판 표면에 처리 가스를 균일하게 머물게 할 수 있다. 그 결과, 기판 처리의 레이트를 균일하게 하여 당해 기판 처리를 면 내에서 균일하게 행할 수 있다.
다른 관점에 의한 본 발명의 일 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 적재하는 적재대와, 상기 적재대의 상방으로부터 당해 적재대를 향하여 처리 가스를 공급하는 급기부와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와, 상기 처리 용기 내에 배치되어, 상기 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 격벽과, 상기 격벽을 퇴피 위치와 기판 처리 위치 사이에서 승강시키는 승강 기구와, 상기 처리 용기의 저면에 배치되어, 상기 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월을 갖고 있다. 그리고 상기 이너 월의 하단에는 슬릿이 복수 형성되고, 상기 이너 월의 내측면에는, 상단으로부터 하단으로 연신되어 상기 슬릿에 연통되는 홈이 복수 형성되고, 상기 격벽을 상기 기판 처리 위치로 이동시킴으로써 상기 격벽과 상기 이너 월에 의하여 기판의 처리 공간이 형성되고, 상기 처리 공간 내의 배기는 상기 홈 및 상기 슬릿을 통하여 상기 배기부로부터 행해진다.
본 발명에 의하면, 이너 월에 의하여 처리 가스를 균일하게 배출할 수 있어서 기판 처리를 면 내에서 균일하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성(웨이퍼 처리 위치에 있어서의 구성)의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 격벽의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성(퇴피 위치에 있어서의 구성)의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 4는 이너 월의 구성의 개략을 도시하는 사시도이며, (a)는 이너 월을 비스듬히 상방에서 본 사시도이고, (b)는 이너 월을 비스듬히 하방에서 본 사시도이다.
도 5는 웨이퍼 처리 장치에 있어서의 처리 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 6은 이너 월에 있어서의 처리 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 7은 이너 월에 슬릿과 홈을 각각 3개소에 형성한 경우의 처리 가스의 흐름을 도시하는 설명도이다.
도 8은 이너 월에 있어서 슬릿과 홈의 수가 3개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하는 설명도이다.
도 9는 이너 월에 있어서 슬릿과 홈의 수가 6개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하는 설명도이다.
도 10은 이너 월에 있어서 슬릿과 홈의 수가 14개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하는 설명도이다.
도 11은 이너 월과 배기관의 위치 관계를 도시하는 설명도이다.
도 12는 이너 월 부근의 처리 가스의 배기 공간을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 또한 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)가, 예를 들어 웨이퍼(W)에 대하여 COR 처리를 행하는 COR 처리 장치인 경우에 대하여 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이 웨이퍼 처리 장치(1)는, 기밀하게 구성된 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에서 웨이퍼(W)를 적재하는 복수, 본 실시 형태에서는 2대의 적재대(11, 11)와, 적재대(11)의 상방으로부터 적재대(11)를 향하여 처리 가스를 공급하는 급기부(12)와, 각 적재대(11, 11)의 외방을 둘러싸는 승강 가능한 격벽(13)과, 처리 용기(10)의 저면에 고정되어 격벽(13)을 승강시키는 승강 기구(14)와, 각 적재대(11, 11)의 외방을 각각 개별로 둘러싸는 이너 월(15, 15)과, 처리 용기(10) 내를 배기하는 배기부(16)를 갖고 있다.
처리 용기(10)는, 예를 들어 알루미늄, 스테인리스 등의 금속에 의하여 형성된, 전체적으로, 예를 들어 대략 직육면체형 용기이다. 처리 용기(10)는, 평면으로 본 형상이, 예를 들어 대략 직사각형이며, 상면 및 하면이 개구된 통형의 측벽(20)과, 측벽(20)의 상면을 기밀하게 덮는 천장판(21)과, 측벽(20)의 하면을 덮는 저판(22)을 갖고 있다. 측벽(20)의 상단면과 천장판(21) 사이에는, 처리 용기(10) 내를 기밀하게 유지하는 시일 부재(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 또한 처리 용기(10)에는 히터(도시하지 않음)가 마련되고, 저판(22)에는 단열재(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
적재대(11)은 대략 원통 형상으로 형성되어 있으며, 웨이퍼(W)를 적재하는 적재면을 구비한 상부 대(30)와, 저판(22)에 고정되어 상부 대(30)를 지지하는 하부 대(31)를 갖고 있다. 상부 대(30)에는, 웨이퍼(W)의 온도를 조정하는 온도 조정 기구(32)가 각각 내장되어 있다. 온도 조정 기구(32)는, 예를 들어 물 등의 냉매를 순환시킴으로써 적재대(11)의 온도를 조정하며, 적재대(11) 상의 웨이퍼(W)의 온도를, 예를 들어 -20℃ 내지 140℃의 소정의 온도로 제어한다.
또한 저판(22)에 있어서의 적재대(11)의 하방의 위치에는 지지 핀 유닛(도시하지 않음)이 마련되어 있으며, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구(도시하지 않음)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달 가능하게 구성되어 있다.
급기부(12)는, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(40)를 갖고 있다. 샤워 헤드(40)는, 처리 용기(10)의 천장판(21)의 하면에 있어서, 각 적재대(11, 11)에 대향하여 개별로 마련되어 있다. 샤워 헤드(40)는, 예를 들어 하면이 개구되고 천장판(21)의 하면에 지지된 대략 원통형의 프레임체(41)와, 당해 프레임체(41)의 내측면에 끼워넣어진 대략 원판형의 샤워 플레이트(42)를 갖고 있다. 샤워 플레이트(42)는 프레임체(41)의 천장부와 소정의 거리를 띄우고 마련되어 있다. 이것에 의하여 프레임체(41)의 천장부와 샤워 플레이트(42)의 상면 사이에는 공간(43)이 형성되어 있다. 또한 샤워 플레이트(42)에는, 당해 샤워 플레이트(42)를 두께 방향으로 관통하는 개구(44)가 복수 마련되어 있다.
프레임체(41)의 천장부와 샤워 플레이트(42) 사이의 공간(43)에는, 가스 공급관(45)을 통하여 가스 공급원(46)이 접속되어 있다. 가스 공급원(46)은 처리 가스로서, 예를 들어 불화수소(HF) 가스나 암모니아(NH3) 가스 등을 공급 가능하게 구성되어 있다. 그 때문에, 가스 공급원(46)으로부터 공급된 처리 가스는 공간(43), 샤워 플레이트(42)를 통하여, 각 적재대(11, 11) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 향하여 공급된다. 또한 가스 공급관(45)에는, 처리 가스의 공급량을 조절하는 유량 조절 기구(47)가 마련되어 있으며, 각 웨이퍼(W)에 공급하는 처리 가스의 양을 개별로 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 샤워 헤드(40)는, 예를 들어 복수 종류의 처리 가스를 혼합하는 일 없이 개별로 공급 가능한 포스트 믹스 타입이어도 된다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 격벽(13)은, 2개의 적재대(11, 11)를 각각 개별로 둘러싸는 2개의 원통부(50, 50)와, 원통부(50, 50)의 상단에 마련된 상측 플랜지부(51)와, 원통부(50, 50)의 하단에 마련된 하측 플랜지부(52, 52)를 갖고 있다. 원통부(50)의 내경은 적재대(11)의 외경보다도 크게 설정되어 있어서, 원통부(50)와 적재대(11) 사이에 간극이 형성되도록 되어 있다.
또한 격벽(13)에는 히터(도시하지 않음)가 마련되며, 예를 들어 100℃ 내지 150℃로 가열된다. 이 가열에 의하여, 처리 가스 중에 포함되는 이물이 격벽(13)에 부착되지 않도록 되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 상측 플랜지부(51)의 상면에는, 승강 기구(14)에 의하여 격벽(13)을 상승시킴으로써 당해 상측 플랜지부(51)와 프레임체(41)가 맞닿았을 때에 프레임체(41)와의 사이를 기밀하게 막는, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(53)가 각 적재대(11)에 대응하여 마련되어 있다. 또한 후술하는 이너 월(15)의 돌출부(71)에도, 당해 돌출부(71)와 하측 플랜지부(52)가 맞닿았을 때에 하측 플랜지부(52)와의 사이를 기밀하게 막는, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(54)가 각 적재대(11)에 대응하여 마련되어 있다. 그리고 격벽(13)을 상승시켜 프레임체(41)와 시일 부재(53)를 맞닿게 하고, 또한 하측 플랜지부(52)와 시일 부재(54)을 접촉시킴으로써, 적재대(11), 격벽(13) 및 샤워 헤드(40)로 둘러싸인 처리 공간 S가 형성된다.
도 3에 도시한 바와 같이 격벽(13)의 높이는, 승강 기구(14)에 의하여 격벽(13)을 하강시켰을 때에 상측 플랜지부(51)의 상면이, 예를 들어 적재대(11)의 상면보다도 하방에 위치하도록 설정되어 있다. 이것에 의하여, 격벽(13)을 하강 시킴으로써 처리 용기(10)의 외부로부터 웨이퍼(W)에 대하여 액세스 가능하게 된다. 또한 격벽(13)의 상측 플랜지부(51)가 프레임체(41)와 맞닿는(처리 공간 S가 형성되는) 위치를 「웨이퍼 처리 위치」라고, 격벽(13)을 저판(22) 근방 또는 저판(22)에 맞닿기까지 하강시킨 위치를 「퇴피 위치」라고 하는 경우가 있다. 또한 도 1에서는, 격벽(13)이 웨이퍼 처리 위치에, 도 3에서는, 격벽(13)이 퇴피 위치에 있는 상태를 각각 도시하고 있다.
격벽(13)을 승강시키는 승강 기구(14)는, 처리 용기(10)의 외부에 배치된 액추에이터(60)와, 액추에이터(60)에 접속되어, 처리 용기(10)의 저판(22)을 관통하여 처리 용기(10) 내를 연직 상방으로 연신하는 구동축(61)과, 선단이 격벽(13)에 접속되고 다른 쪽 단부가 처리 용기(10)의 외부까지 연신되는 복수의 가이드축(62)을 갖고 있다. 가이드축(62)은, 구동축(61)에 의하여 격벽(13)을 승강시킬 때에 격벽(13)이 경사지거나 하는 것을 방지하는 것이다.
구동축(61)에는, 신축 가능한 벨로우즈(63)의 하단부가 기밀하게 접속되어 있다. 벨로우즈(63)의 상단부는 저판(22)의 하면과 기밀하게 접속되어 있다. 그 때문에, 구동축(61)이 승강했을 때에 벨로우즈(63)가 연직 방향을 따라 신축함으로써, 처리 용기(10) 내가 기밀하게 유지되도록 되어 있다. 또한 구동축(61)과 벨로우즈(63) 사이에는, 승강 동작 시의 가이드로서 기능하는, 예를 들어 저판(22)에 고정된 슬리브(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
가이드축(62)에는, 구동축(61)과 마찬가지로 신축 가능한 벨로우즈(64)가 접속되어 있다. 또한 벨로우즈(64)의 상단부는 저판(22)과 측벽(20)에 걸쳐져서 양쪽에 기밀하게 접속되어 있다. 그 때문에, 구동축(61)에 의한 격벽(13)의 승강 동작에 수반하여 가이드축(62)이 승강했을 때에 벨로우즈(64)가 연직 방향을 따라 신축함으로써, 처리 용기(10) 내가 기밀하게 유지되도록 되어 있다. 또한 가이드축(62)과 벨로우즈(64) 사이에도, 구동축(61)의 경우와 마찬가지로, 승강 동작 시의 가이드로서 기능하는 슬리브(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
또한 벨로우즈(64)의 상단부는 고정측의 단부이고, 가이드축(62)과 접속된 벨로우즈(64)의 하단부는 자유측의 단부로 되어 있기 때문에, 처리 용기(10) 내가 부압으로 되면, 벨로우즈(64)의 안팎의 압력 차에 의하여 벨로우즈(64)를 연직 방향으로 압축하는 힘이 작용한다. 그 때문에, 벨로우즈(64)의 자유측의 단부에 접속된 가이드축(62)은, 벨로우즈(64)가 수축함으로써 연직 상방으로 상승한다. 이것에 의하여, 격벽(13)을 균등하게 상승시켜 시일 부재(53)와 프레임체(41)를 적절히 접촉시킴으로써, 격벽(13)과 프레임체(41) 사이의 시일성을 확보할 수 있다. 마찬가지로 시일 부재(54)와 돌출부(71)를 적절히 접촉시킴으로써, 격벽(13)과 돌출부(71) 사이의 시일성을 확보할 수 있다. 또한 가이드축(62)에는, 탄성 부재로서의 벨로우즈(64)로부터의 반력이나, 가이드축(62) 자체의 자중 등에 의하여 당해 가이드축(62)을 하방으로 밀어내리는 힘이 작용하지만, 벨로우즈(64)의 직경을 적절히 설정함으로써 가이드축(62)에 작용하는 차압이 조정된다.
이너 월(15)은, 예를 들어 알루미늄 등의 금속에 의하여 형성되어 있다. 또한 이너 월(15)은, 대략 원통 형상의 본체부(70)와, 본체부(70)의 상단부에 마련된, 당해 이너 월(15)의 외주 방향을 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(71)를 갖고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이 이너 월(15)은, 적재대(11)의 하부 대(31)를 각각 개별로 둘러싸도록 배치되어 있다. 이너 월(15)의 본체부(70)의 내경은 하부 대(31)의 외경보다도 크게 설정되어 있어서, 이너 월(15)과 하부 대(31) 사이에 각각 배기 공간 V가 형성된다. 또한 본 실시 형태에 있어서 배기 공간 V는, 격벽(13)과 상부 대(30) 사이의 공간도 포함한다. 그리고 도 1에 도시한 바와 같이, 이너 월(15)의 높이는, 승강 기구(14)에 의하여 격벽(13)을 웨이퍼 처리 위치까지 상승시켰을 때에 시일 부재(54)와 이너 월(15)의 돌출부(71)가 맞닿도록 설정되어 있다. 이것에 의하여 이너 월(15)과 격벽(13)이 기밀하게 접촉한다.
도 4에 도시한 바와 같이 이너 월(15)의 하단에는 복수의 슬릿(72)이 형성되어 있다. 슬릿(72)은, 처리 가스가 배출되는 배기구이다. 본 실시 형태에서는, 슬릿(72)은 이너 월(15)의 둘레 방향을 따라 등간격으로, 예를 들어 14개소에 형성되어 있다. 또한 장치 구성의 제약상, 슬릿(72)의 위치가 등간격으로부터 약간 어긋나는 경우도 있지만, 이하의 설명에 있어서는, 등간격이란, 이와 같이 약간 어긋난 경우도 포함한다.
이너 월(15)의 내측면에는, 내주 방향을 향하여 돌기하는 돌기부(73)가 복수 형성되어 있다. 돌기부(73, 73) 사이에는, 본체부(70)의 상단으로부터 하단으로 연신되는 홈(74)이 형성되며, 이 홈(74)은 슬릿(72)에 연통되어 있다. 그리고 본 실시 형태에 있어서, 홈(74)도 이너 월(15)의 둘레 방향을 따라 등간격으로, 예를 들어 14개소에 형성되어 있다.
또한 이너 월(15)은, 돌기부(73)가 처리 용기(10)의 저판(22)에 나사 고정되어 당해 저판(22)에 고정되어 있다. 그리고 상술한 바와 같이 처리 용기(10)는 히터(도시하지 않음)에 의하여 가열되도록 구성되어 있으며, 이 처리 용기(10)의 히터에 의하여 이너 월(15)도 가열된다. 이너 월(15)은, 예를 들어 100℃ 내지 150℃로 가열되어, 처리 가스 중에 포함되는 이물이 이너 월(15)에 부착되지 않도록 되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 배기부(16)는, 처리 용기(10) 내를 배기하는 배기 기구(80)를 갖고 있다. 배기 기구(80)는, 처리 용기(10)의 저판(22)에 있어서 이너 월(15)의 외방에 마련된 배기관(81)에 접속되어 있다. 이들 배기 기구(80) 및 배기관(81)은 2개의 이너 월(15, 15)에 공통으로 마련되어 있다. 즉, 2개의 배기 공간 V, V로부터의 처리 가스는 공통의 배기관(81)을 통하여 배기 기구(80)에 의하여 배출된다. 배기관(81)에는, 배기 기구(80)에 의한 배기량을 조절하는 조절 밸브(82)가 마련되어 있다. 또한 천장판(21)에는, 적재대(11, 11)의 각각의 처리 공간 S의 압력을 계측하기 위한 압력 측정 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 조절 밸브(82)의 개방도는, 예를 들어 이 압력 측정 기구에 의한 측정값에 기초하여 제어된다.
웨이퍼 처리 장치(1)에는 제어 장치(100)가 마련되어 있다. 제어 장치(100)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(100)에 인스톨된 것이어도 된다.
본 실시 형태에 따른 웨이퍼 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있으며, 다음으로, 웨이퍼 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다.
웨이퍼 처리에 있어서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 먼저 격벽(13)이 퇴피 위치까지 강하한 상태에서, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 기구(도시하지 않음)에 의하여 처리 용기(10) 내에 웨이퍼(W)가 반송되어 각 적재대(11) 상에 적재된다.
그 후, 도 1에 도시한 바와 같이 격벽(13)을 웨이퍼 처리 위치까지 상승시킨다. 이것에 의하여, 격벽(13)에 의하여 처리 공간 S가 형성된다.
그리고 소정의 시간에, 배기 기구(80)에 의하여 처리 용기(10)의 내부를 소정의 압력까지 배기함과 함께, 가스 공급원(46)으로부터 처리 가스가 처리 용기(10) 내에 공급되어 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리, 본 실시 형태에서는, 예를 들어 COR 처리가 행해진다.
COR 처리에 있어서는, 가스 공급원(46)으로부터 공급된 처리 가스는 샤워 플레이트(42)를 통하여 웨이퍼(W)에 공급된다. 이때, 적재대(11)를 둘러싸도록 격벽(13)이 마련되어 있기 때문에, 샤워 플레이트(42)로부터 공급된 처리 가스는 웨이퍼면 내에 균일하게 공급된다.
도 5에 도시한 바와 같이 처리 공간 S 내의 처리 가스는, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)의 외주로부터 배기 공간 V, 이너 월(15)의 슬릿(72)을 통과하고, 배기관(81)을 통하여 배기 기구(80)에 의하여 배출된다. 이때, 배기 공간 V를 통과하는 처리 가스는, 도 6에 도시한 바와 같이 이너 월(15)의 홈(74)을 통과함으로써 상방으로부터 하방을 향하여 정류되어 슬릿(72)으로부터 배출된다. 또한 도 5 및 도 6에 있어서, 굵은 선의 화살표가 처리 가스의 흐름을 나타내고 있다.
여기서, 종래와 같이 이너 월(15)에 홈(74)이 형성되어 있지 않은 경우, 슬릿(72)으로부터 배출되는 처리 가스는, 배기관(81)에 가까운 쪽의 슬릿(72)으로부터의 유속이 빨라지고 먼 쪽의 슬릿(72)으로부터의 유속이 느려진다. 이와 같이 배기관(81)에 대한 처리 가스의 편중이 생긴다. 이 점, 본 실시 형태에서는, 처리 가스는 홈(74)에 의하여 정류되므로 이 배기관(81)에 대한 편중이 억제된다. 그 결과, 배기 공간 V를 통과한 처리 가스는 이너 월(15)의 둘레 방향으로 균일하게 배출된다.
COR 처리가 행해지면, 격벽(13)이 퇴피 위치로 강하하고, 웨이퍼 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 각 적재대(11) 상의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부로 반출된다. 그 후, 웨이퍼 처리 장치(1)의 외부에 마련된 가열 장치에 의하여 웨이퍼(W)가 가열되어, COR 처리에 의하여 생긴 반응 생성물이 기화되어 제거된다. 이것에 의하여 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 의하면, 복수의 적재대(11)를 개별로 둘러싸는 격벽(13)과 이너 월(15)을 갖고 있으므로, 각 적재대(11)에 개별로 처리 공간 S를 형성할 수 있다. 그리고 이너 월(15)에 형성된 슬릿(72)으로부터 처리 공간 S 내의 처리 가스를 배기하므로, 웨이퍼(W)별로 가스 흐름의 균일성을 확보하여 웨이퍼(W) 상의 에칭양(Etch Amount)을 균일하게 할 수 있어서, 면 내 균일한 웨이퍼 처리를 행할 수 있다.
또한 이너 월(15)의 내측면에는, 상단으로부터 하단으로 연신되는 홈(74)이 형성되어 있으므로, 배기 공간 V에 있어서 처리 가스는 정류되어 이너 월(15)의 슬릿(72)으로부터 둘레 방향으로 균일하게 배출된다. 이와 같이 처리 가스의 배출이 균일하게 행해지면, 처리 공간 S에 있어서 웨이퍼(W) 상의 처리 가스도 면 내 균일해지며, 특히 웨이퍼(W)의 외주의 처리 가스의 흐름이 균일해진다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 외주에 처리 가스를 머물게 하는 것도 가능해진다. 그 결과, 에치 레이트를 웨이퍼면 내에서 균일하게 할 수 있어서, 웨이퍼 처리의 면 내 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태의 이너 월(15)을 이용한 처리 가스의 배출 방법에 대하여 보다 상세히 설명한다.
먼저 본 발명자들은, 이너 월(15)에 있어서의 슬릿(72)과 홈(74)의 수에 대하여 검토를 행하였다. 구체적으로는, 슬릿(72)과 홈(74)의 수를 각각 3개소, 6개소, 14개소로 변경하고 처리 가스의 흐름의 시뮬레이션을 행하였다. 이 시뮬레이션에 있어서는, 3개소, 6개소, 14개소 중 어느 경우에도 이너 월(15)의 둘레 방향을 따라 등간격으로 슬릿(72)과 홈(74)을 형성하였다. 또한 도 7은, 이너 월(15)의 3개소에 슬릿(72)과 홈(74)을 각각 형성한 경우를 도시하고 있다. 또한 슬릿(72)과 홈(74)을 14개소에 형성한 이너 월(15)은 도 4에 도시한 바와 같으며, 슬릿(72)과 홈(74)을 6개소에 형성한 이너 월(15)에 대해서는 도시를 생략한다.
도 8은, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 3개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하고 있다. 구체적으로는 도 8은, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 처리 가스의 압력을 나타내고 있다. 도 8을 참조하면, 이너 월(15)의 외주에 있어서, 슬릿(72)이 형성되어 있는 부분과 슬릿(72)이 형성되어 있지 않은 부분에서 처리 가스의 압력이 상이한 것을 알 수 있다. 즉, 슬릿(72)이 형성되어 있는 부분 쪽이, 슬릿(72)이 형성되어 있지 않은 부분에 비해 처리 가스의 유속이 빠르게 되어 있다.
도 9는, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 6개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하고 있다. 도 9를 참조하면, 이너 월(15)의 외주에 있어서, 슬릿(72)이 형성되어 있는 부분과 슬릿(72)이 형성되어 있지 않은 부분에서 처리 가스의 압력이 상이하여 처리 가스의 유속이 상이하다.
도 10은, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 14개소인 경우의, 처리 가스를 흐르게 했을 때의 압력 분포의 시뮬레이션 결과를 도시하고 있다. 도 10을 참조하면, 이너 월(15)의 외주에 있어서, 슬릿(72)이 형성되어 있는 부분과 슬릿(72)이 형성되어 있지 않은 부분에서 처리 가스의 압력이 거의 동일하여 처리 가스의 유속이 균일해져 있다.
그리고 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 7개소 이상이면, 도 10에 도시한 바와 같이 이너 월(15)의 외주에 있어서의 처리 가스의 압력 분포가 균일해져 처리 가스의 유속이 균일해지는 것을 알 수 있었다. 이러한 경우, 처리 가스의 배출이 보다 균일하게 행해지므로, 처리 공간 S에 있어서 웨이퍼(W)에 머무는 처리 가스도 면 내 균일해져 웨이퍼 처리의 면 내 균일성을 보다 향상시킬 수 있다. 따라서 이너 월(15)에 있어서의 슬릿(72)과 홈(74)의 수는, 7개소 이상이 보다 바람직하다.
또한 본 발명자들이 예의 검토한 바, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 3개소와 6개소 중 어느 것인 경우에도, 이너 월(15)에 홈(74)이 형성되어 있지 않은 경우, 도 8과 도 9에 도시한 이너 월(15)의 외주에 있어서의 처리 가스의 압력 분포가 보다 불균일해지는 것을 알 수 있었다. 달리 말하면, 슬릿(72)과 홈(74)의 수가 3개소와 6개소 중 어느 것인 경우에도 처리 가스의 압력 분포는 약간 불균일해지지만, 본 실시 형태와 같이 이너 월(15)에 홈(74)을 형성한 경우, 처리 가스의 압력 분포를 균일하게 할 수 있다는 효과는 충분히 있다고 할 수 있다.
다음으로, 이너 월(15)과 배기관(81)의 배치의 관계에 대하여 설명한다. 도 11에 도시한 바와 같이 배기관(81)은, 처리 용기(10)의 저판(22)에 있어서, 2개의 이너 월(15, 15)의 외측에 배치되어 있다. 이와 같이 배기관(81)이 이너 월(15)의 외측에 배치되어 있는 경우, 종래와 같이 이너 월(15)에 홈(74)이 형성되어 있지 않으면, 배기관(81)에 가까운 측이 강하게 당겨져 처리 가스의 유속이 빨라지고, 배기관(81)에 먼 측이 약하게 당겨져 처리 가스의 유속이 느려진다. 그 결과, 이너 월(15)의 외주에 있어서의 처리 가스의 압력 분포가 불균일해진다. 이에 비해, 본 실시 형태에서는, 배기관(81)이 이너 월(15)의 외측에 배치되어 있는 경우에도, 이너 월(15)의 홈(74)에 의하여 처리 가스의 흐름이 정류되어 처리 가스의 압력 분포를 균일하게 할 수 있다.
또한 슬릿(72)은, 평면으로 보아 이너 월(15)의 중심과 배기관(81)의 중심을 잇는 직선 L(도 11 중의 점선)로부터 어긋나게 배치되어 있다. 이러한 경우, 슬릿(72)으로부터 배출된 처리 가스가 배기관(81)에 유입되기까지의 경로가 길어진다. 슬릿(72)이 상기 직선 L 상에 배치되어 있는 경우, 슬릿(72)으로부터 배출된 처리 가스는 보다 강하게 당겨지기 때문에 그 유속이 빨라진다. 이에 비해, 본 실시 형태에서는, 슬릿(72)으로부터 배출되는 처리 가스의 유속을 느리게 할 수 있으므로, 처리 공간 S에 있어서 웨이퍼(W)의 표면에 처리 가스를 충분히 머물게 할 수 있어서, 당해 처리 가스를 이용한 COR 처리를 적절히 행할 수 있다.
또한 배기관(81)에 가까운 위치에 있는 슬릿(72a)과 배기관(81)으로부터 먼 위치에 있는 슬릿(72b)에서는, 그 배기관(81)까지의 거리가 상이하다. 이 때문에, 종래와 같이 홈(74)이 형성되어 있지 않은 이너 월(15)을 이용한 경우, 슬릿(72a)으로부터 배기관(81)으로 흐르는 처리 가스는, 슬릿(72b)으로부터 배기관(81)으로 흐르는 처리 가스에 비해, 배기관(81)까지의 거리가 가까운 만큼, 당겨지기 쉬워서 그 유속이 빨라진다. 이 점, 본 실시 형태에서는, 이너 월(15)의 홈(74)에 의하여 처리 가스가 상방으로부터 하방을 향하여 정류되므로, 슬릿(72a)으로부터 배출되는 처리 가스와 슬릿(72b)으로부터 배출되는 처리 가스는 그 유속을 거의 동일하게 할 수 있다. 그리고 처리 가스는 이너 월(15)의 둘레 방향으로 균일하게 배출된다.
단, 슬릿(72b)의 둘레 방향의 길이를 슬릿(72a)의 둘레 방향의 길이보다도 크게 해도 된다. 이러한 경우, 슬릿(72b)으로부터 배출되는 처리 가스의 유속을 크게 할 수 있어서, 슬릿(72a)과 슬릿(72b)에 있어서 처리 가스의 유속을 더욱 동일하게 접근시킬 수 있다.
다음으로, 이너 월(15) 부근의 처리 가스의 배기 공간 V에 대하여 설명한다. 도 12에 도시한 바와 같이, 적재대(11)의 외주로부터 슬릿(72)까지의 배기 공간 V는, 상부 대(30)의 외주와 격벽(13)의 원통부(50) 사이의 배기 공간 Va와, 이너 월(15)의 돌출부(71)와 상부 대(30)의 하면 사이의 배기 공간 Vb와, 이너 월(15)의 본체부(70)와 상부 대(30)의 외주의 배기 공간 Vc와, 이너 월(15)의 돌기부(73)(홈(74))와 하부 대(31)의 배기 공간 Vd로 구성되어 있다.
웨이퍼(W)에 처리 가스를 충분히 머물게 하기 위해서는, 배기 공간 V에 있어서의 처리 가스의 유속을 느리게 할 필요가 있다. 이 때문에 배기 공간 Va, Vb의 간격을 작게 한다. 또한 처리 가스의 유속을 느리게 한다는 관점에서는, 배기 공간 Vc, Vd의 간격도 마찬가지로 작게 하는 것이 바람직하다. 단 실제로는, 배기 성능을 향상시킨다는 관점, 이너 월(15)을 저판(22)에 나사 고정하기 위한 스페이스를 확보하는 등의 장치 구성상의 제약, 적재대(11)의 냉각과 이너 월(15)의 가열을 구획한다는 관점 등에서 배기 공간 Vc, Vd의 간격은 설정된다.
또한 이상의 실시 형태에서는 복수의 적재대로서 2대의 적재대(11)를 마련하였지만, 적재대의 설치 수는 본 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니다. 또한 복수의 적재대란, 적재면을 복수 갖는 것을 의미하고 있으며, 예를 들어 1대의 적재대 상에 복수 매의 웨이퍼(W)를 적재할 수 있도록 구성되어 있는 경우도 복수의 적재대의 범위에 속하는 것으로 이해된다.
또한 이상의 실시 형태에서는, 복수의 적재대(11)에 대하여 하나의 격벽(13)을 마련하였지만, 격벽(13)의 구성에 대해서도 본 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니며, 각 적재대(11)에 대하여 독립된 처리 공간 S를 형성할 수 있는 것이면 그 형상은 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어 원통부(50)를 하나만 갖는 격벽을 각 적재대(11)에 대하여 각각 별개로 마련하도록 해도 된다.
이상의 실시 형태에서는, 격벽(13)과 프레임체(41)가 맞닿음으로써 처리 공간 S를 형성하였지만, 처리 공간 S를 형성하는 데에 있어서 격벽(13)을 맞닿게 하는 부재는 프레임체(41)에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 천장판(21)과 접촉시킴으로써 처리 공간 S를 형성하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술의 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자이면, 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주에 있어서 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음은 명백하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 상술한 실시 형태는, 웨이퍼에 COR 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 처리 가스를 이용하는 다른 웨이퍼 처리 장치, 예를 들어 플라스마 처리 장치 등에도 적용할 수 있다.
1: 웨이퍼 처리 장치
10: 처리 용기
11: 적재대
12: 급기부
13: 격벽
14: 승강 기구
15: 이너 월
16: 배기부
70: 본체부
71: 돌출부
72: 슬릿
73: 돌기부
74: 홈
81: 배기관
100: 제어 장치
W: 웨이퍼
S: 처리 공간
V: 배기 공간

Claims (8)

  1. 기판이 적재되는 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월이며,
    복수의 슬릿이, 상기 이너 월의 하단에, 상기 이너 월의 둘레 방향을 따라 간격을 두고 형성되고,
    복수의 홈이, 상기 복수의 슬릿이 형성된 위치 상부에서, 내측면의 상단으로부터 하단으로 연직하게 연신되어, 상기 복수의 슬릿에 연통되도록 형성되어 있고,
    상기 복수의 슬릿은 상기 이너 월에 둘러쌓인 적재대를 향하고,
    상기 적재대가 놓인 처리 용기 내를 배기하는 배기부가 형성되어 있고, 상기 배기부는 상기 처리 용기의 저면에 마련된 배기관을 갖고, 상기 배기관은 평면으로 보아 상기 이너 월의 외방에 배치되어 있으며,
    상기 슬릿은, 평면으로 보아 상기 이너 월의 중심과 상기 배기관의 중심을 잇는 직선 상으로부터 어긋나게 배치되어 있는,
    이너 월.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 슬릿 및 상기 홈은 각각 둘레 방향으로 7개소 이상에 형성되어 있는,
    이너 월.
  3. 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
    기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에서 기판을 적재하는 적재대와,
    상기 적재대의 상방으로부터 당해 적재대를 향하여 처리 가스를 공급하는 급기부와,
    상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부와,
    상기 처리 용기 내에 배치되어, 상기 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 격벽과,
    상기 격벽을 퇴피 위치와 기판 처리 위치 사이에서 승강시키는 승강 기구와,
    상기 처리 용기의 저면에 배치되어, 상기 적재대의 외주와 간격을 두고 당해 적재대를 둘러싸는 원통 형상의 이너 월을 갖고,
    복수의 슬릿이, 상기 이너 월의 하단에, 상기 이너 월의 둘레 방향을 따라 간격을 두고 형성되고,
    복수의 홈이, 상기 복수의 슬릿이 형성된 위치 상부에서, 상기 이너 월의 내측면의 상단으로부터 하단으로 연직하게 연신되어, 상기 복수의 슬릿에 연통되도록 형성되고,
    상기 복수의 슬릿은 상기 이너 월에 둘러쌓인 적재대를 향하고,
    상기 격벽을 상기 기판 처리 위치로 이동시킴으로써 상기 격벽과 상기 이너 월에 의하여 기판의 처리 공간이 형성되고,
    상기 처리 공간 내의 배기는 상기 홈 및 상기 슬릿을 통하여 상기 배기부로부터 행해지고,
    상기 배기부는, 상기 처리 용기의 저면에 마련된 배기관을 갖고,
    상기 배기관은, 평면으로 보아 이너 월의 외방에 배치되어 있고,
    상기 슬릿은, 평면으로 보아 상기 이너 월의 중심과 상기 배기관의 중심을 잇는 직선 상으로부터 어긋나게 배치되어 있는,
    기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이너 월에 있어서, 상기 슬릿 및 상기 홈은 각각 둘레 방향으로 7개소 이상에 형성되어 있는,
    기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020207007745A 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치 Active KR102476943B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020227043027A KR102554732B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017162755A JP6896565B2 (ja) 2017-08-25 2017-08-25 インナーウォール及び基板処理装置
JPJP-P-2017-162755 2017-08-25
PCT/JP2018/030184 WO2019039337A1 (ja) 2017-08-25 2018-08-13 インナーウォール及び基板処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227043027A Division KR102554732B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200038524A KR20200038524A (ko) 2020-04-13
KR102476943B1 true KR102476943B1 (ko) 2022-12-14

Family

ID=65439398

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227043027A Active KR102554732B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치
KR1020207007745A Active KR102476943B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227043027A Active KR102554732B1 (ko) 2017-08-25 2018-08-13 이너 월 및 기판 처리 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US12040198B2 (ko)
JP (1) JP6896565B2 (ko)
KR (2) KR102554732B1 (ko)
CN (2) CN118841347A (ko)
SG (1) SG11202001593QA (ko)
TW (1) TWI805603B (ko)
WO (1) WO2019039337A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102498913B1 (ko) * 2021-06-29 2023-02-13 주식회사 디엠에스 기판 건조장치
KR20230040072A (ko) * 2021-09-15 2023-03-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160189987A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200197B2 (ja) * 1992-09-24 2001-08-20 コマツ電子金属株式会社 気相成長装置及びその排気管
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08162439A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プラズマアッシング装置
US20060037702A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4854317B2 (ja) * 2006-01-31 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP4933789B2 (ja) 2006-02-13 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5350043B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
JP6305825B2 (ja) 2014-05-12 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造
JP6541374B2 (ja) * 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6574656B2 (ja) * 2014-12-26 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160189987A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019041026A (ja) 2019-03-14
CN111033695A (zh) 2020-04-17
SG11202001593QA (en) 2020-03-30
US20240321602A1 (en) 2024-09-26
TW201921479A (zh) 2019-06-01
KR20230004888A (ko) 2023-01-06
US12040198B2 (en) 2024-07-16
JP6896565B2 (ja) 2021-06-30
US20200203194A1 (en) 2020-06-25
CN111033695B (zh) 2024-07-30
TWI805603B (zh) 2023-06-21
CN118841347A (zh) 2024-10-25
WO2019039337A1 (ja) 2019-02-28
KR102554732B1 (ko) 2023-07-13
KR20200038524A (ko) 2020-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102414566B1 (ko) 기판의 에칭 장치 및 에칭 방법
JP6796692B2 (ja) 基板処理装置
US10096495B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI682490B (zh) 基板載置台
US10529605B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
TW200845186A (en) Plasma processing apparatus
US20240321602A1 (en) Inner Wall and substrate Processing Apparatus
KR102418315B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20200317

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210917

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220301

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220908

A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20221207

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20221208

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20221209

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration