[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102463998B1 - Micro led display device - Google Patents

Micro led display device Download PDF

Info

Publication number
KR102463998B1
KR102463998B1 KR1020170171350A KR20170171350A KR102463998B1 KR 102463998 B1 KR102463998 B1 KR 102463998B1 KR 1020170171350 A KR1020170171350 A KR 1020170171350A KR 20170171350 A KR20170171350 A KR 20170171350A KR 102463998 B1 KR102463998 B1 KR 102463998B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microled
microleds
display device
pixel
display panel
Prior art date
Application number
KR1020170171350A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190070633A (en
Inventor
박재우
박준영
김정기
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170171350A priority Critical patent/KR102463998B1/en
Publication of KR20190070633A publication Critical patent/KR20190070633A/en
Priority to KR1020220143437A priority patent/KR20220152975A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102463998B1 publication Critical patent/KR102463998B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 심불량을 방지할 수 있는 마이크로LED 표시장치에 관한 것으로 각각 복수의 화소영역을 포함하고 소정의 타일링 간격으로 타일링된 복수의 표시패널과, 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하는 제1R,G,B 마이크로LED와, 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하며, 제1R,G,B 마이크로LED로부터 수직방향으로 이격된 제2R,G,B 마이크로LED로 구성되며, 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED의 주발광 마이크로LED를 구동하여 화상을 구현하고 타일링된 복수의 표시패널 사이의 간격이 설정값을 초과하는 경우 경계영역의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED의 보조발광 마이크로LED를 추가로 구동하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a microLED display device capable of preventing core defects. The first R, G, and B microLEDs outputting G and B color light, and disposed in each pixel area of the display panel to output R, G, and B color light, from the first R, G, B microLED It consists of 2R, G,B microLEDs spaced apart in the vertical direction, and drives the main light emitting microLEDs of the 1R,G,B microLED and the 2R,G,B microLED to realize an image and a plurality of tiled When the distance between the display panels exceeds a set value, the auxiliary light emitting microLEDs of the first R, G, and B microLEDs and the second R, G and B microLEDs in the pixel area of the boundary area are additionally driven.

Description

마이크로LED 표시장치{MICRO LED DISPLAY DEVICE}MICRO LED DISPLAY DEVICE

본 발명은 심불량을 방지할 수 있는 마이크로LED 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a microLED display device capable of preventing heart failure.

공액고분자(conjugate polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린)(PPV)을 이용한 유기전계 발광소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기전계발광 표시장치에 대한 연구가 가장 활발하게 진행되고 있다.Since the development of an organic electroluminescent device using poly(p-phenyllinevinyline) (PPV), which is one of the conjugated polymers, research on organic materials such as conductive conjugated polymers has been actively conducted. Research for applying these organic materials to thin film transistors, sensors, lasers, and photoelectric devices is also in progress, and among them, research on organic light emitting display devices is being conducted most actively.

인광물질(phosphors) 계통의 무기물로 이루어진 전계발광소자의 경우 작동전압이 교류 200V 이상 필요하고 소자의 제작 공정이 진공증착으로 이루어지기 때문에 대형화가 어렵고 특히 청색발광이 어려울 뿐만 아니라 제조가격이 높다는 단점이 있다. 그러나, 유기물로 이루어진 전계발광소자는 뛰어난 발광효율, 대면적화의 용이화, 공정의 간편성, 특히 청색발광을 용이하게 얻을 수 있다는 장점과 함께 휠 수 있는 전계발광소자의 개발이 가능하다는 점등에 의하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.In the case of an electroluminescent device made of phosphors-based inorganic materials, an operating voltage of 200 V or higher is required, and the manufacturing process of the device is made by vacuum deposition. have. However, the electroluminescent device made of organic material has the advantages of excellent luminous efficiency, facilitation of large area, process simplicity, and in particular, the advantage of easily obtaining blue light emission. It is in the spotlight as a display device.

현재에는 액정표시장치와 마찬가지로 각 화소(pixel)에 능동형 구동소자를 구비한 액티브 매트릭스(Active Matrix) 유기전계발광 표시장치가 평판표시장치(Flat Panel Display)로서 활발히 연구되고 있다.Currently, an active matrix organic light emitting display device having an active driving element in each pixel like a liquid crystal display device is being actively studied as a flat panel display device.

그러나, 이러한 유기전계발광 표시장치는 다음과 같은 문제가 있다.However, such an organic light emitting display device has the following problems.

일반적으로 유기전계발광 표시장치는 미세한 금속 섀도우마스크를 이용하여 기판상에 유기발광층을 증착한다. 그러나, 이러한 금속 섀도우마스크를 이용한 공정에서는 대면적 유기전계발광 표시장치를 형성하는 데에 한계가 있었다. 또한, 고해상도의 표시장치의 경우 금속 섀도우마스크를 고해상도로 제작해야 하지만, 이 금속 섀도우마스크의 제작에도 한계가 있었다.In general, an organic light emitting display device deposits an organic light emitting layer on a substrate using a fine metal shadow mask. However, in the process using such a metal shadow mask, there is a limit to forming a large-area organic light emitting display device. In addition, in the case of a high-resolution display device, a metal shadow mask must be manufactured with a high resolution, but there is a limit to the production of the metal shadow mask.

이러한 문제를 해결하기 위해, 백색 발광소자와 컬러필터를 조합한 유기전계발광 표시장치가 제안되고 있다. 이러한 백색 유기전계발광 표시장치에서는 유기물질의 사용량이 적고 공정시간이 짧으며 수율이 높고 비용이 절감된다는 장점이 있다. 그러나, 백색 유기전계발광 표시장치에서는 컬러필터에 의한 광흡수로 인해 휘도가 저하되며 색순도가 저하되는 문제가 발생하게 된다. 또한, 여전히 대면적 크기의 표시장치를 제작하는데에는 한계가 있었다.In order to solve this problem, an organic light emitting display device in which a white light emitting device and a color filter are combined has been proposed. In such a white organic light emitting display device, the amount of organic material used is small, the process time is short, the yield is high, and the cost is reduced. However, in the white organic light emitting display device, luminance is lowered due to light absorption by the color filter and color purity is lowered. In addition, there is still a limit to manufacturing a large-area display device.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 마이크로LED를 구비한 마이크로LED 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a microLED display device having a microLED.

본 발명의 다른 목적은 다수의 마이크로LED 표시패널을 타일링할 때 타일링오차에 의해 화면상에 심이 표시되는 것을 방지할 수 있는 마이크로LED 표시장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a microLED display device capable of preventing a seam from being displayed on a screen due to a tiling error when tiling a plurality of microLED display panels.

본 발명의 마이크로LED 표시장치는 각각 복수의 화소영역을 포함하고 소정의 타일링 간격으로 타일링된 복수의 표시패널과, 상기 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하는 제1R,G,B 마이크로LED와, 상기 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하며, 상기 제1R,G,B 마이크로LED로부터 수직방향으로 이격된 제2R,G,B 마이크로LED로 구성되며, 상기 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED의 주발광 마이크로LED를 구동하여 화상을 구현하고 타일링된 복수의 표시패널 사이의 간격이 설정값을 초과하는 경우 경계영역의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED의 보조발광 마이크로LED를 추가로 구동하는 것을 특징으로 한다.The microLED display device of the present invention includes a plurality of display panels each including a plurality of pixel regions and tiled at a predetermined tiling interval, and is disposed in each pixel region of the display panel to output light of R, G, and B colors. first R, G, and B microLEDs, which are disposed in respective pixel areas of the display panel to output light of R, G, and B colors, and are disposed vertically spaced apart from the first R, G, and B microLEDs Consists of 2R, G, and B microLEDs, driving the main light emitting microLEDs of the first R, G, B microLED and the second R, G, B microLED to realize an image, and spacing between a plurality of tiled display panels When this set value is exceeded, the auxiliary light-emitting microLEDs of the first R, G, and B microLEDs and the second R, G, and B microLEDs in the pixel area of the boundary area are additionally driven.

주발광 마이크로LED가 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED인 경우, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 제2R,G,B 마이크로LED이며, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제2R,G,B 마이크로 LED중 2개의 화소영역에 하나의 R,G,B배열로 추가 구동하는 마이크로LED이다.When the main light-emitting microLEDs are the first R, G, and B microLEDs arranged in a line, the auxiliary light-emitting microLEDs in the pixel area adjacent between the vertically spaced microLED display panels are the second R, G, and B microLEDs, Auxiliary light emitting microLEDs in pixel areas adjacent to each other between the microLED display panels spaced apart in the horizontal direction are arranged in one R, G, B arrangement in two pixel areas among the second R, G, B micro LEDs in two adjacent pixel areas. It is a microLED that is additionally driven by

주발광 마이크로LED가 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 델타(Δ)형상으로 배열된 마이크로LED인 경우, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 2개의 화소영역에 하나의 델타(Δ)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED이며, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 해당 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED중 1개 마이크로LED 및 인접하는 화소영역의 제2R,G,B 마이크로LED중에서 1개의 마이크로LED이다. 또한, 이 경우, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 해당 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED와 인접하는 화소영역의 제2R,G,B 마이크로LED 중에서 2개의 화소영역에 하나의 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED이다.When the main light emitting microLEDs are microLEDs arranged in a delta (Δ) shape among the first R,G,B microLEDs and the secondR,G,B microLEDs arranged in a line, between the microLED display panels spaced apart in the vertical direction The auxiliary light emitting microLED in the pixel region adjacent to the boundary region of It is a microLED that is additionally driven in a shape, and the auxiliary light emitting microLED in the pixel area adjacent to the boundary area between the horizontally spaced microLED display panels is one microLED among the 1R, G, and B microLEDs in the pixel area and One microLED among the second R, G, and B microLEDs in the adjacent pixel area. Also, in this case, the auxiliary light emitting microLEDs in the pixel region adjacent to the boundary region between the horizontally spaced microLED display panels are the first R, G, and B microLEDs in the corresponding pixel region and the second R, G in the pixel region adjacent to the microLED display panel. ,B It is a microLED that is additionally driven in one delta (Δ) shape or inverse delta (▽) shape in two pixel areas among microLEDs.

주발광 마이크로LED가 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 역델타(▽)형상으로 배열된 마이크로LED인 경우, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 2개의 화소영역에 하나의 역델타(▽)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED이다.When the main light emitting microLEDs are microLEDs arranged in an inverse delta (▽) shape among the 1R, G,B microLEDs and 2R,G,B microLEDs arranged in a line, the microLED display panel spaced apart in the vertical direction The auxiliary light emitting microLED in the pixel region adjacent to the boundary region between the two pixel regions has one inverse delta ( It is a micro LED that is additionally driven in the shape of ▽).

본 발명에서는 보조발광 마이크로LED의 컬러 및 휘도를 보정하는 데이터보정부를 추가로 포함하며, 이때 상기 데이터보정부는 촬영된 화면이 영상데이터를 기초로 보상값을 생성하는 보상값생성부와, 외부 시스템으로부터 입력되는 영상테이터를 생성된 보상값에 따라 변조하는 데이터변조부와, 상기 데이터변조부로부터 변조되어 입력되는 영상데이터를 필터링하는 필터부로 구성된다.The present invention further includes a data correction unit for correcting the color and luminance of the auxiliary light emitting microLED, wherein the data correction unit includes a compensation value generating unit for generating a compensation value based on image data of a photographed screen, and from an external system. It consists of a data modulator that modulates input image data according to the generated compensation value, and a filter unit that filters input image data modulated by the data modulator.

본 발명에서는 무기물재료로 구성된 마이크로LED를 대면적 기판상에 단순히 전사하여 표시장치를 제작하므로, 휘도가 높고 수명이 길며 단가가 낮은 대면적 표시장치를 용이하게 제작할 수 있게 된다.In the present invention, since a display device is manufactured by simply transferring a microLED made of an inorganic material onto a large-area substrate, a large-area display device with high luminance, long lifespan, and low cost can be easily manufactured.

또한, 본 발명에서는 복수의 마이크로LED 표시패널을 타일링할 때 리던던시 마이크로LED를 주발광 LED로부터 수직으로 일정 거리 이격시켜 배치하여, 타일링오차가 발생하는 경우 상기 리던던시 마이크로LED를 구동함으로써 타일링오차에 따른 심불량을 방지할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, when tiling a plurality of microLED display panels, the redundancy microLEDs are vertically spaced apart from the main light emitting LEDs by a predetermined distance, and when a tiling error occurs, the redundancy microLEDs are driven by driving the redundancy microLEDs according to the tiling error. defects can be prevented.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널을 개략적으로 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 마이크로LED의 구조를 나타내는 단면도.
도 4는 복수의 마이크로LED 표시패널이 타일링된 타일링 마이크로LED 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치의 인접하는 표시패널을 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치로서, 수평 및 수직방향으로의 조립된 마이크로LED 표시패널을 개략적으로 나타내는 평면도.
도 7a 및 도 7b는 마이크로LED 표시장치에 가로방향의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터보정부를 나타내는 블럭도.
도 9a 및 도 9b는 마이크로LED 표시장치에 가로방향의 암선이 발생하는 것을 방지하는 다른방법을 나타내는 도면.
도 10a 및 도 10b는 마이크로LED 표시장치에 세로방향의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면.
도 11a-도 11c는 마이크로LED 표시장치에 세로방향(수직방향)의 암선이 발생하는 것을 방지하는 다른 방법을 나타내는 도면.1 is a perspective view schematically showing a microLED display panel according to the present invention;
2 is a cross-sectional view showing the structure of a microLED display panel according to the present invention in detail.
3 is a cross-sectional view showing the structure of the microLED shown in FIG.
4 is a diagram schematically illustrating a tiling microLED display in which a plurality of microLED display panels are tiled;
5 is a plan view showing adjacent display panels of the tiling microLED display device according to the present invention.
6 is a plan view schematically illustrating an assembled microLED display panel in horizontal and vertical directions as a tiling microLED display device according to the present invention.
7A and 7B are diagrams illustrating a method of preventing the generation of dark lines in the horizontal direction in a microLED display device;
8 is a block diagram illustrating a data correction unit of a microLED display device according to the present invention.
9A and 9B are views showing another method of preventing the generation of dark lines in the horizontal direction in a microLED display device;
10A and 10B are diagrams illustrating a method for preventing a dark line in the vertical direction from being generated in a microLED display device;
11A to 11C are diagrams illustrating another method of preventing dark lines in a vertical direction (vertical direction) from being generated in a microLED display device.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로LED 표시패널을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a microLED display panel according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 마이크로LED 표시패널(100)은 기판(110)과, 상기 기판(110)상에 실장된 복수의 마이크로LED(140)로 구성된다.As shown in FIG. 1 , a microLED display panel 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a plurality of microLEDs 140 mounted on the substrate 110 .

상기 기판(110)은 유리와 같이 투명한 물질로 구성될 수 있으며, 복수의 화소영역(P)이 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 기판(110)은 TFT어레이기판으로서, 상면의 화소영역(P)에는 상기 마이크로LED(140)를 구동하기 위한 박막트랜지스터와 각종 배선들이 형성된다. 상기 박막트랜지스터가 온(on)되면, 상기 배선을 통해 외부로부터 입력된 구동신호가 마이크로 LED(140)에 인가되어 상기 마이크로LED(140)가 발광하게 되어 화상을 구현한다.The substrate 110 may be made of a transparent material such as glass, and a plurality of pixel regions P are formed. Although not shown in the drawings, the substrate 110 is a TFT array substrate, and a thin film transistor and various wirings for driving the microLED 140 are formed in the pixel region P of the upper surface. When the thin film transistor is turned on, a driving signal input from the outside through the wiring is applied to the micro LED 140 so that the micro LED 140 emits light to realize an image.

이때, 기판(110)의 각각의 화소영역(P)에는 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 3개의 마이크로LED(140R,140G,140B)가 실장되므로, 외부로부터의 신호인가에 의해 R,G,B용 마이크로LED(140R,140G,140B)로부터 R,G,B컬러의 광이 발광되어 화상을 표시할 수 있게 된다.At this time, since three microLEDs 140R, 140G, and 140B emitting monochromatic light of R, G, and B are mounted in each pixel region P of the substrate 110, R, Lights of R, G, and B colors are emitted from the G and B microLEDs (140R, 140G, 140B) to display an image.

상기 마이크로LED(140R,140G,140B)는 기판(110)의 TFT어레이공정과는 별개의 공정에 의해 제작된다. 일반적인 유기전계발광 표시장치에서는 TFT어레이공정과 유기발광층이 모두 포토공정에 의해 형성되는 반면에, 본 발명의 마이크로LED 표시장치에서는 기판(110)상에 배치되는 박막트랜지스터와 각종 배선은 포토공정에 의해 형성되지만, 마이크로LED(140R,140G,140B)는 별도의 공정에 의해 제작되며, 별도로 제작된 마이크로LED(140R,140G,140B)를 기판(110) 상에 전사(transfer)함으로써 표시장치가 제작된다.The microLEDs 140R, 140G, and 140B are manufactured by a process separate from the TFT array process of the substrate 110 . In a general organic light emitting display device, both the TFT array process and the organic light emitting layer are formed by a photo process, whereas in the microLED display device of the present invention, the thin film transistors and various wirings disposed on the substrate 110 are formed by a photo process. Although formed, the microLEDs 140R, 140G, and 140B are manufactured by a separate process, and a display device is manufactured by transferring the separately manufactured microLEDs 140R, 140G, and 140B onto the substrate 110 . .

마이크로LED(140)는 10-100㎛ 크기의 LED로서, Al, Ga, N, P, As In 등의 무기물재료를 사파이어기판 또는 실리콘기판 위에 복수개 박막성장시킨 후, 상기 사파이어기판 또는 실리콘기판을 절단 분리함으로써 형성될 수 있다. 이와 같이, 마이크로LED(140)는 미세한 크기로 형성되므로, 플라스틱과 같이 플렉서블한 기판에 전사할 수 있게 되어 플렉서블한 표시장치의 제작이 가능하게 된다. 또한, 마이크로LED(140)는 유기발광층과는 달리 무기물질을 박막성장시켜 형성하므로, 제조공정이 단순하고 수율이 향상된다. 그리고, 낱개로 분리된 마이크로LED(140)를 대면적 기판(110)상에 단순히 전사하므로, 대면적 표시장치의 제작이 가능하게 된다. 더욱이, 무기물재료로 이루어진 마이크로LED(140)는 유기발광물질에 의해 제작된 LED에 비해 휘도가 높고 수명이 길며, 단가가 낮다는 장점이 있다.The micro LED 140 is an LED of 10-100 μm in size. After growing a plurality of thin films of inorganic materials such as Al, Ga, N, P, and As In on a sapphire substrate or a silicon substrate, the sapphire substrate or the silicon substrate is cut. It can be formed by separating. As described above, since the microLED 140 is formed in a fine size, it can be transferred to a flexible substrate such as plastic, thereby making it possible to manufacture a flexible display device. In addition, since the microLED 140 is formed by growing an inorganic material as a thin film, unlike the organic light emitting layer, the manufacturing process is simple and the yield is improved. In addition, since the individually separated microLEDs 140 are simply transferred onto the large-area substrate 110, a large-area display device can be manufactured. Moreover, the microLED 140 made of an inorganic material has advantages in that the luminance is high, the lifespan is long, and the unit price is low compared to the LED made of the organic light emitting material.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 기판(110)에는 복수의 게이트 라인과 데이터라인이 수직 및 수평방향으로 배치되어 매트릭스형상의 복수의 화소영역(P)을 정의한다. 이때, 상기 게이트라인 및 데이터라인은 마이크로LED(140)와 접속되며, 상기 게이트라인 및 데이터라인의 단부에는 각각 외부와 연결되는 게이트패드 및 데이터패드가 구비되어, 외부의 신호가 상기 게이트라인 및 데이터라인을 통해 마이크로LED(140)에 인가됨으로써 상기 마이크로LED(140)가 동작하여 발광하게 된다.Although not shown in the drawings, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are disposed in vertical and horizontal directions on the substrate 110 to define a plurality of pixel regions P having a matrix shape. In this case, the gate line and the data line are connected to the microLED 140 , and a gate pad and a data pad connected to the outside are provided at the ends of the gate line and the data line, respectively, so that an external signal is transmitted to the gate line and the data line. By being applied to the microLED 140 through the line, the microLED 140 operates and emits light.

도 2는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치(100)의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도이다. 이때, 도면에는 설명의 편의를 위해 마이크로LED 표시장치(100)의 최외곽 서브화소만을 도시하였다.2 is a cross-sectional view specifically showing the structure of the microLED display device 100 according to the present invention. At this time, only the outermost sub-pixel of the microLED display device 100 is shown in the drawings for convenience of explanation.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 표시영역에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고 패드영역에는 패드(152)가 배치된다. 상기 기판(110)은 유리와 같이 투명한 물질로 구성되지만, 이에 한정되는 것이 아니라 투명한 다양한 물질로 구성될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 플렉서블한 투명물질로 구성될 수도 있다.As shown in FIG. 2 , a thin film transistor (TFT) is disposed in the display area of the substrate 110 and a pad 152 is disposed in the pad area. The substrate 110 is made of a transparent material such as glass, but is not limited thereto and may be made of various transparent materials. In addition, the substrate 110 may be made of a flexible transparent material.

상기 박막트랜지스터(TFT)는 기판(110) 상에 형성된 게이트전극(101)과, 상기 기판(110) 전체 영역에 걸쳐 형성되어 게이트전극(101)을 덮는 게이트절연층(112)과, 상기 게이트절연층(112) 위에 형성된 반도체층(103)과, 상기 반도체층(103) 위에 형성된 소스전극(105) 및 드레인전극(107)으로 구성된다.The thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 101 formed on the substrate 110 , a gate insulating layer 112 formed over the entire area of the substrate 110 to cover the gate electrode 101 , and the gate insulating material. It includes a semiconductor layer 103 formed on the layer 112 , and a source electrode 105 and a drain electrode 107 formed on the semiconductor layer 103 .

상기 게이트전극(101)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 게이트절연층(112)은 SiOx 또는 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiOx 및 SiNx으로 이루어진 복수의 층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode 101 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al or an Al alloy or an alloy thereof, and the gate insulating layer 112 is made of an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. It may be made of a single layer made of or a plurality of layers made of SiOx and SiNx.

반도체층(103)은 비정질실리콘과 같은 비정질반도체로 구성될 수도 있고, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), TiO2, ZnO, WO3, SnO2와 같은 산화물반도체로 구성될 수 있다. 산화물반도체로 반도체층(103)을 형성하는 경우, 박막트랜지스터(TFT)의 크기를 감소시킬 수 있고 구동전력을 감소시킬 수 있고 전기이동도를 향상시킬 수 있게 된다. 물론, 본 발명에서는 박막트랜지스터의 반도체층이 특정 물질에 한정되는 것이 아니라, 현재 박막트랜지스터에 사용되는 모든 종류의 반도체물질을 사용할 수 있을 것이다.The semiconductor layer 103 may be made of an amorphous semiconductor such as amorphous silicon, or an oxide semiconductor such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), TiO 2 , ZnO, WO 3 , SnO 2 . When the semiconductor layer 103 is formed of an oxide semiconductor, the size of the thin film transistor (TFT) can be reduced, driving power can be reduced, and electric mobility can be improved. Of course, in the present invention, the semiconductor layer of the thin film transistor is not limited to a specific material, and all kinds of semiconductor materials currently used in the thin film transistor may be used.

상기 소스전극(105) 및 드레인전극(107)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금 등과 같은 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 드레인전극(107)은 마이크로LED에 신호를 인가하는 제1전극으로 작용한다.The source electrode 105 and the drain electrode 107 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy or an alloy thereof. At this time, the drain electrode 107 acts as a first electrode for applying a signal to the microLED.

한편, 도면에서는 박막트랜지스터(TFT)가 바텀게이크(bottom gate)방식 박막트랜지스터지만, 본 발명이 이러한 특정 구조의 박막트랜지스터에 한정되는 것이 아니라 탑게이트(top gate)방식 박막트랜지스터와 같이 다양한 구조의 박막트랜지터가 적용될 수 있을 것이다.Meanwhile, in the drawings, a thin film transistor (TFT) is a bottom gate type thin film transistor, but the present invention is not limited to a thin film transistor having such a specific structure, but various structures such as a top gate type thin film transistor. A thin film transistor may be applied.

상기 패드영역에 배치되는 패드(152)는 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이때 상기 패드(152)는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(101)과 다른 공정에 의해 형성될 수 있지만, 공정의 단순화를 위해서는 상기 패드(152)를 게이트전극(101)과 동일한 공정에서 형성하는 것이 바람직할 것이다.The pad 152 disposed in the pad region may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy or an alloy thereof. In this case, the pad 152 may be formed by a process different from that of the gate electrode 101 of the thin film transistor (TFT), but for the simplification of the process, the pad 152 is formed in the same process as the gate electrode 101 . it would be preferable

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 패드는 게이트절연층(112) 위에 형성될 수 있다. 이때, 상기 패드는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(105) 및 드레인전극(107)과 다른 공정에 의해 형성될 수 있지만, 공정의 단순화를 위해서는 상기 패드를 소스전극(105) 및 드레인전극(107)과 동일한 공정에서 형성하는 것이 바람직할 것이다.Although not shown in the drawing, the pad may be formed on the gate insulating layer 112 . At this time, the pad may be formed by a process different from that of the source electrode 105 and the drain electrode 107 of the thin film transistor (TFT). ) would be desirable to form in the same process as

또한, 표시영역의 게이트절연층(114) 위에는 제2전극(109)이 형성된다. 이때, 상기 제2전극(109)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 제2전극(107)(즉, 박막트랜지스터의 드레인전극)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.In addition, the second electrode 109 is formed on the gate insulating layer 114 of the display area. In this case, the second electrode 109 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al or Al alloy or an alloy thereof, and the second electrode 107 (ie, the drain of the thin film transistor). electrode) and may be formed by the same process.

상기 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 기판(110) 위에는 제1절연층(114)이 형성되며, 표시영역의 상기 제1절연층(114) 위에 마이크로LED(140)가 배치된다. 이때, 도면에서는 상기 제1절연층(114)의 일부가 제거되고 상기 제거된 영역에 마이크로LED(140)가 배치되지만, 상기 제1절연층(114)가 제거되지 않을 수도 있다. 상기 제1절연층(114)은 포토아크릴과 같은 유기층으로 구성될 수도 있고, 무기층/유기층으로 구성될 수도 있으며 무기층/유기층/무기층으로 구성될 수도 있다.A first insulating layer 114 is formed on the substrate 110 on which the thin film transistor (TFT) is formed, and the microLED 140 is disposed on the first insulating layer 114 in the display area. At this time, in the drawing, a part of the first insulating layer 114 is removed and the microLED 140 is disposed in the removed region, but the first insulating layer 114 may not be removed. The first insulating layer 114 may be composed of an organic layer such as photoacrylic, may be composed of an inorganic layer/organic layer, or may be composed of an inorganic layer/organic layer/inorganic layer.

상기 마이크로LED(140)는 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체물질을 주로 사용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The microLED 140 mainly uses a III-V nitride semiconductor material, but is not limited thereto.

도 3은 본 발명에 따른 표시장치의 마이크로LED(140)의 구조를 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로LED(140)는 도핑되지 않은 GaN층(144), 상기 GaN층(144) 위에 배치된 n-형 GaN층(145), 상기 n-형 GaN층(145) 위에 배치된 다중양자우물(Multi-Quantum-Well: MQW) 구조를 가진 활성층(146), 상기 활성층(145) 위에 배치된 p-형 GaN층(147), 투명도전성물질로 형성되어 상기 p-형 GaN층(147) 위에 배치되는 오믹접촉층(148), 상기 오믹접촉층(148)의 일부와 접촉되는 p-형 전극(141), 상기 활성층(146), p-형 GaN층(147) 및 오믹접촉층(148)의 일부를 식각하여 노출되는 n-형 GaN층(145)의 일부와 접촉되는 n-형 전극(143)으로 구성된다.3 is a diagram showing the structure of the microLED 140 of the display device according to the present invention. 3, the microLED 140 according to the present invention has an undoped GaN layer 144, an n-type GaN layer 145 disposed on the GaN layer 144, and the n-type GaN layer. An active layer 146 having a Multi-Quantum-Well (MQW) structure disposed on the layer 145, a p-type GaN layer 147 disposed on the active layer 145, and a transparent conductive material. An ohmic contact layer 148 disposed on the p-type GaN layer 147 , a p-type electrode 141 in contact with a portion of the ohmic contact layer 148 , the active layer 146 , and a p-type GaN layer 147 and an n-type electrode 143 in contact with a portion of the n-type GaN layer 145 exposed by etching a portion of the ohmic contact layer 148 .

상기 n-형 GaN층(145)은 활성층(146)에 전자를 공급하기 위한 층으로, GaN 반도체층에 Si와 같은 n-형 불순물을 도핑함으로써 형성된다.The n-type GaN layer 145 is a layer for supplying electrons to the active layer 146 and is formed by doping the GaN semiconductor layer with an n-type impurity such as Si.

상기 활성층(146)은 주입되는 전자와 정공이 결합되어 광을 발산하는 층이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 활성층(146)의 다중양자우물구조는 복수의 장벽층과 우물층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 InGaN층으로 구성되고 장벽층은 GaN으로 구성되지만 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 146 is a layer in which injected electrons and holes are combined to emit light. Although not shown in the drawing, in the multi-quantum well structure of the active layer 146, a plurality of barrier layers and well layers are alternately disposed, and the well layer is composed of an InGaN layer and the barrier layer is composed of GaN, but is limited thereto. not.

상기 p-형 GaN층(147)은 활성층(146)에 정공을 주입하기 위한 층으로, GaN 반도체층에 Mg, Zn 및 Be와 같은 p-형 불순물이 도핑되어 형성된다.The p-type GaN layer 147 is a layer for injecting holes into the active layer 146 , and is formed by doping a GaN semiconductor layer with p-type impurities such as Mg, Zn, and Be.

상기 오믹접촉층(148)은 p-형 GaN층(147)과 p-형 전극(141)을 오믹접촉(ohmic contact)시키기 위한 것으로, ITO(Indium Tin Oxide), IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물을 사용할 수 있다.The ohmic contact layer 148 is for ohmic contact between the p-type GaN layer 147 and the p-type electrode 141, ITO (Indium Tin Oxide), IGZO (Indium Galium Zinc Oxide), A transparent metal oxide such as Indium Zinc Oxide (IZO) may be used.

상기 p-형 전극(141)과 n-형 전극(143)은 Ni, Au, Pt, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다.The p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 may be formed of a single layer or a plurality of layers made of at least one of Ni, Au, Pt, Ti, Al, and Cr or an alloy thereof. .

이러한 구조의 마이크로LED(140)에서 p-형 전극(141) 및 n-형 전극(143)에 전압이 인가됨에 따라 n-형 GaN층(145) 및 p-형 GaN층(147)으로부터 활성층(145)으로 각각 전자 및 정공이 주입되면, 상기 활성층(146)내에는 여기자(exciton)가 생성되며 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 외부로 발산하게 된다.In the microLED 140 having this structure, as a voltage is applied to the p-type electrode 141 and the n-type electrode 143, the active layer ( When electrons and holes are respectively injected into the active layer 146, excitons are generated in the active layer 146, and as these excitons decay, the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and highest occupied molecular orbital (HOMO) of the emission layer ), the light corresponding to the energy difference is generated and emitted to the outside.

이때, 마이크로LED(140)에서 발광하는 광의 파장은 활성층(146)의 다중양자우물구조의 장벽층의 두께를 조절함으로써 조절할 수 있게 된다.At this time, the wavelength of light emitted from the microLED 140 can be controlled by adjusting the thickness of the barrier layer of the multi-quantum well structure of the active layer 146 .

상기 마이크로LED(140)는 약 10-100㎛ 크기로 형성된다. 도면에 도시하지 않았지만, 상기 마이크로LED(140)는 기판 위에 버퍼층을 형성하고 상기 버퍼층 위에 GaN 박막을 성장함으로써 제작된다. 이때, GaN 박막의 성장을 위한 기판으로는 사파이어(sapphire), 실리콘(si), GaN, 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 산화아연(ZnO) 등이 사용될 수 있다.The microLED 140 is formed in a size of about 10-100 μm. Although not shown in the drawings, the microLED 140 is manufactured by forming a buffer layer on a substrate and growing a GaN thin film on the buffer layer. In this case, as a substrate for growing the GaN thin film, sapphire, silicon (si), GaN, silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), zinc oxide (ZnO), or the like may be used.

또한, 버퍼층은 GaN 박막성장용 기판이 GaN기판이 아닌 다른 물질로 이루어진 경우, 기판상에 에피(Epi)층인 n-GaN층(120)을 직접 성장시킬 때 발생하는 격자부정합에 의한 품질저하를 방지하기 위한 것으로, AlN 또는 GaN 등이 사용될 수 있다.In addition, the buffer layer prevents quality degradation due to lattice mismatch that occurs when the n-GaN layer 120, which is an epi layer, is directly grown on the substrate when the GaN thin film growth substrate is made of a material other than the GaN substrate. For this purpose, AlN or GaN may be used.

상기 n-형 GaN층(145)은 불순물이 도핑되지 않은 GaN층(144)을 성장시킨 후, 상기 도핑되지 않은 박막의 상부에 Si와 같은 n형 불순물을 도핑함으로써 형성될 수 있다. 또한, p-형 GaN층(147)은 도핑되지 않은 GaN박막을 성장시킨 후 Mg, Zn, Be 등의 p-형 불순물을 도핑함으로써 형성할 수 있다.The n-type GaN layer 145 may be formed by growing a GaN layer 144 undoped with impurities and then doping an n-type impurity such as Si on the undoped thin film. In addition, the p-type GaN layer 147 may be formed by growing an undoped GaN thin film and then doping p-type impurities such as Mg, Zn, and Be.

도면에서는 특정 구조의 마이크로LED(140)가 제1절연층(114) 위에 배치되지만, 본 발명이 이러한 특정구조의 마이크로LED(140)만 한정되는 것이 아니라 수직구조 마이크로LED 및 수평구조 마이크로LED와 같이 다양한 구조의 마이크로LED를 적용할 수 있을 것이다.Although the microLED 140 of a specific structure is disposed on the first insulating layer 114 in the drawing, the present invention is not limited to the microLED 140 of this specific structure, such as a vertical microLED and a horizontal microLED. MicroLEDs of various structures can be applied.

다시, 도 2를 참조하면, 상기 마이크로LED(140)가 실장된 제1절연층(114) 위에는 제2절연층(116)이 형성된다. 이때, 상기 제2절연층(116)은 포토아크릴과 같은 유기층으로 구성될 수도 있고, 무기층/유기층으로 구성될 수도 있으며 무기층/유기층/무기층으로 구성될 수도 있으며, 마이크로LED(140)의 상부 영역을 덮는다.Referring again to FIG. 2 , a second insulating layer 116 is formed on the first insulating layer 114 on which the microLED 140 is mounted. At this time, the second insulating layer 116 may be composed of an organic layer such as photoacrylic, may be composed of an inorganic layer/organic layer, may be composed of an inorganic layer/organic layer/inorganic layer, cover the upper area.

상기 박막트랜지스터(TFT)와 제2전극(119) 상부의 제1절연층(114) 및 제2절연층(116)에는 각각 제1컨택홀(114a) 및 제2컨택홀(114b)이 형성되어 박막트랜지스터(TFT)의 드레인전극(107)과 제2전극(119)이 각각 외부로 노출된다. 또한, 상기 마이크로LED(140)의 p-형 전극(141)과 n-형 전극(143) 상부의 제2절연층(116)에는 각각 제3컨택홀(116a) 및 제4컨택홀(116b)이 형성되어 상기 p-형 전극(141)과 n-형 전극(143)이 외부로 노출된다.A first contact hole 114a and a second contact hole 114b are formed in the first insulating layer 114 and the second insulating layer 116 on the thin film transistor TFT and the second electrode 119, respectively. The drain electrode 107 and the second electrode 119 of the thin film transistor TFT are exposed to the outside, respectively. In addition, a third contact hole 116a and a fourth contact hole 116b are formed in the second insulating layer 116 on the p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 of the microLED 140, respectively. This is formed to expose the p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 to the outside.

상기 제2절연층(116)의 상부에는 ITO, IGZO나 IGO와 같은 투명한 금속산화물로 구성된 제1연결전극(117a) 및 제2연결전극(117b)이 형성되어, 상기 제1컨택홀(114a) 및 제3컨택홀(116a)을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 드레인전극(107)과 마이크로LED(140)의 p-형 전극(141)이 상기 제1연결전극(117a)에 의해 전기적으로 접속되며, 제2컨택홀(114b) 및 제4컨택홀(116b)을 통해 제2전극(109)과 마이크로LED(140)의 n-형 전극(143)이 상기 제2연결전극(117b)에 의해 전기적으로 접속된다.A first connection electrode 117a and a second connection electrode 117b made of a transparent metal oxide such as ITO, IGZO, or IGO are formed on the second insulating layer 116 to form the first contact hole 114a and the drain electrode 107 of the thin film transistor (TFT) and the p-type electrode 141 of the microLED 140 are electrically connected by the first connection electrode 117a through the third contact hole 116a. , the second electrode 109 and the n-type electrode 143 of the microLED 140 are electrically connected through the second contact hole 114b and the fourth contact hole 116b by the second connection electrode 117b. is connected to

한편, 패드영역의 기판(110) 상면과 측면 및 배면에는 링크라인(154)이 형성된다. 또한 기판(110)의 배면에는 신호모듈(170)이 배치되어, 상기 링크라인(154)을 통해 기판(110) 상면의 패드(152)와 전기적으로 접속된다.On the other hand, link lines 154 are formed on the upper surface, the side surface, and the rear surface of the substrate 110 in the pad area. In addition, the signal module 170 is disposed on the rear surface of the substrate 110 , and is electrically connected to the pad 152 on the upper surface of the substrate 110 through the link line 154 .

상기 신호모듈(170)은 타이밍 콘트롤러, EEPROM 등의 메모리, 마이크로LED(140)를 구동하기 위한 전압원 등의 회로와 상기 링크라인(154)과 전기적으로 접속되는 각종 배선이 형성된 PCB(Printed Circuit Board)일 수 있으며, 게이트라인과 데이터라인에 각각 주사신호 및 영상신호를 인가하는 게이트구동부 및 데이터구동부기 형성된 PCB일 수도 있다.The signal module 170 includes a circuit such as a timing controller, a memory such as an EEPROM, a voltage source for driving the microLED 140, and various wirings electrically connected to the link line 154 (Printed Circuit Board) It may also be a PCB in which a gate driver and a data driver for applying a scan signal and an image signal to the gate line and the data line, respectively, are formed.

이러한 구조에서는 상기 신호모듈(170)에서 출력된 신호가 링크라인(154)을 통해 패드(152)에 인가된 후, 게이트라인 및 데이터라인을 통해 신호가 공급되어 박막트랜지스터(TFT)가 턴온된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴온됨에 따라 박막트랜지스터(TFT) 및 제2전극(109)을 통해 마이크로LED(140)에 신호가 공급됨으로써 마이크로LED(140)가 발광하게 된다.In this structure, after the signal output from the signal module 170 is applied to the pad 152 through the link line 154, the signal is supplied through the gate line and the data line to turn on the thin film transistor TFT. As the thin film transistor (TFT) is turned on, a signal is supplied to the microLED 140 through the thin film transistor (TFT) and the second electrode 109 so that the microLED 140 emits light.

한편, 상기 링크라인(154)은 기판(110)의 상면, 측면 및 배면에 형성되어 패드(152) 및 신호모듈(170)을 전기적으로 접속한다. Meanwhile, the link line 154 is formed on the upper surface, the side surface, and the rear surface of the substrate 110 to electrically connect the pad 152 and the signal module 170 .

또한, 상기 기판(110) 상면과 측면 및 배면의 일부에는 무기물질 또/및 유기물질로 이루어진 버퍼층(118)이 형성되어 상기 마이크로LED(140) 및 링크라인(154)을 덮을 수 있게 된다.In addition, a buffer layer 118 made of an inorganic material and/or an organic material is formed on a portion of the upper surface, the side surface, and the rear surface of the substrate 110 to cover the microLED 140 and the link line 154 .

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 링크라인(154)이 기판(110)의 상면에서 측면을 거쳐 배면으로 형성되어 신호모듈(170)과 연결되므로, 표시장치의 베젤면적을 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, since the link line 154 is formed from the top surface of the substrate 110 through the side surface to the rear surface and is connected to the signal module 170, the bezel area of the display device can be minimized.

종래의 유기전계발광 표시소자의 경우, 패드영역에 각종 배선이 형성된 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)가 부착된 후, 상기 FPCB가 후면으로 접혀져 후면의 신호모듈과 접속되었다. 따라서, 종래 유기전계발광 표시소자의 경우 FPCB가 접착되는 영역이 필요하게 되어 패드영역의 면적이 증가하게 되고 FPCB가 후방으로 접혀지는 공간이 필요하게 되므로, 표시영역 외곽에는 설정된 면적의 베젤영역을 확보해야만 한다.In the case of a conventional organic light emitting display device, a flexible printed circuit board (FPCB) having various wirings formed thereon was attached to the pad area, and then the FPCB was folded to the rear side and connected to the signal module on the rear side. Therefore, in the case of a conventional organic light emitting display device, an area to which the FPCB is adhered is required, which increases the area of the pad area, and a space for folding the FPCB rearward is required. must do it.

그러나, 본 발명의 마이크로LED 표시장치에서는 FPCB없이 링크라인(154)이 기판(110)의 측면에 배치되어 기판(110) 상면의 패드(152)와 기판(110) 배면의 신호모듈(170)이 접속되므로, FPCB의 부착영역 및 접히는 공간이 필요없게 되어 베젤을 대폭 감소할 수 있게 된다.However, in the microLED display device of the present invention, the link line 154 is disposed on the side of the substrate 110 without the FPCB, so that the pad 152 on the upper surface of the substrate 110 and the signal module 170 on the rear of the substrate 110 are connected. Since it is connected, the attachment area and folding space of the FPCB are not required, and the bezel can be greatly reduced.

도 4는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치를 나타내는 도면이다. 이 실시예의 마이크로LED 표시장치는 도 1에 도시된 구조의 마이크로LED 표시패널(100)이 복수개 타일링(tiling)된 표시장치이다. 도면에서는 설명의 편의를 위해 4개의 마이크로LED 표시패널(100)이 타일링되어 있지만, 상기 마이크로LED 표시패널(100)이 6개, 8개 또는 그 이상이 타일링되어 마이크로LED 표시장치를 형성할 수 있다.4 is a view showing a microLED display device according to the present invention. The microLED display device of this embodiment is a display device in which a plurality of microLED display panels 100 of the structure shown in FIG. 1 are tiled. In the drawings, four microLED display panels 100 are tiled for convenience of description, but six, eight, or more microLED display panels 100 may be tiled to form a microLED display device. .

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치는 복수의 마이크로LED 표시패널(100)이 타일링되어 구성된다. 마이크로LED 표시패널(100) 각각은 복수의 화소영역(P)을 포함하며, 각각의 화소영역(P)에는 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142)가 배치된다. 상기 제1마이크로LED(140)는 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)로 구성되며, 제2마이크로LED(142)도 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)로 구성된다.As shown in FIG. 4 , the tiling microLED display device according to the present invention is configured by tiling a plurality of microLED display panels 100 . Each of the microLED display panels 100 includes a plurality of pixel regions P, and a first microLED 140 and a second microLED 142 are disposed in each pixel region P. The first microLED 140 is composed of R,G,B microLEDs 140R, 140G, and 140B, and the second microLED 142 is also composed of R,G,B microLEDs 142R, 142G, and 142B. is composed

상기 제1마이크로LED(140)는 주발광 마이크로LED로서 외부로부터 인가되는 화상신호에 따라 발광하여 영상을 구현하며, 제2마이크로LED(142)는 리던던시(redundancy) 마이크로LED로서 특정 화소의 제1마이크로LED(140)에 불량이 발생하는 경우 상기 제1마이크로LED(140) 대신에 작동할 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 각각의 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역에는 제1마이크로LED(140)를 구현하기 위한 게이트라인, 데이터라인 및 박막트랜지스터가 형성될 뿐만 아니라 제2마이크로LED(142)를 구동하기 위한 리던던시 게이트라인, 리던던시 데이터라인 및 리던던시 박막트랜지스터가 형성된다. 다시 말해서, 상기 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)는 서로 다른 박막트랜지스터에 의해 별도로 작동한다.The first microLED 140 is a main light emitting microLED that emits light according to an image signal applied from the outside to implement an image, and the second microLED 142 is a redundancy microLED and is a first microLED of a specific pixel. When a defect occurs in the LED 140 , it may operate instead of the first micro LED 140 . Although not shown in the drawings, gate lines, data lines, and thin film transistors for implementing the first microLED 140 are formed in the pixel region of each microLED display panel 100 as well as the second microLED 142 . A redundancy gate line, a redundancy data line, and a redundancy thin film transistor are formed for driving. In other words, the first microLED 140 and the second microLED 142 operate separately by different thin film transistors.

상기 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142)는 동일한 구조로 형성되고 동일한 발광특성을 가진다. 이때, 상기 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142)는 도 3에 도시된 구조로 구성되며, 도 2에 도시된 구조물상에 상기 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142)를 전사함으로써 마이크로LED 표시장치가 제작된다. The first microLED 140 and the second microLED 142 are formed in the same structure and have the same light emitting characteristics. At this time, the first microLED 140 and the second microLED 142 have the structure shown in FIG. 3 , and the first microLED 140 and the second microLED are formed on the structure shown in FIG. 2 . By transferring 142, a microLED display is fabricated.

도 5는 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치의 서로 인접하는 2개의 마이크로LED 표시패널(100)을 나타내는 평면도이다. 또한, 도면에서는 설명의 편의를 위해 각각의 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역(P)중 최외곽영역에 형성되어 다른 마이크로LED 표시패널(100)과 인접하는 영역의 화소영역만을 도시하였다.5 is a plan view showing two microLED display panels 100 adjacent to each other of the tiling microLED display according to the present invention. In addition, for convenience of explanation, only the pixel area formed in the outermost area of the pixel area P of each microLED display panel 100 and adjacent to the other microLED display panel 100 is shown in the drawings.

도 5에 도시된 바와 같이, 서로 인접하는 2개의 마이크로LED 표시패널(100)은 설정된 간격(d)을 두고 타일링된다. 또한, 마이크로LED 표시패널(100)에는 각각 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 배치된다.As shown in FIG. 5 , two microLED display panels 100 adjacent to each other are tiled with a set interval d. In addition, the first microLED 140 and the second microLED 142 are respectively disposed on the microLED display panel 100 .

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 복수의 마이크로LED 표시패널(100)의 배면에는 복수의 마이크로LED 표시패널(100)이 체결되는 플레이트가 구비된다. 이때, 상기 플레이트로의 마이크로LED 표시패널(100)의 체결은 다양한 방법에 의해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 공구에 의해 마이크로LED 표시패널(100)을 플레이트에 나사결합함으로써 마이크로LED 표시패널(100)을 플레이트에 체결할 수 있으며, 플레이트와 마이크로LED 표시패널(100) 각각에 별도의 체결기구를 형성하여 마이크로LED 표시패널(100)을 플레이트에 체결할 수도 있다.Although not shown in the drawings, a plate to which the plurality of micro LED display panels 100 are fastened is provided on the rear surface of the plurality of micro LED display panels 100 . At this time, the fastening of the microLED display panel 100 to the plate may be performed by various methods. For example, the microLED display panel 100 can be fastened to the plate by screwing the microLED display panel 100 to the plate with a tool, and a separate fastening mechanism is provided for each of the plate and the microLED display panel 100 . may be formed to fasten the microLED display panel 100 to the plate.

이때, 상기 3개의 R,G,B 제1마이크로LED(140R,140G,140B)는 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역내에 수평방향(x-방향)을 따라 일렬로 배열되며, 3개의 R,G,B 제2마이크로LED(142R,142G,142B)도 화소영역내에 수평방향(x-방향)을 따라 일렬로 배열된다. At this time, the three R, G, and B first microLEDs 140R, 140G, and 140B are arranged in a row along the horizontal direction (x-direction) in the pixel area of the microLED display panel 100 , and the three R ,G,B The second microLEDs 142R, 142G, and 142B are also arranged in a row along the horizontal direction (x-direction) in the pixel area.

복수의 마이크로LED 표시패널(100)은 일정 간격(d)을 두고 타일링된다.The plurality of microLED display panels 100 are tiled at a predetermined interval d.

한편, 상기와 같은 타일링 마이크로LED 표시장치를 제작하기 위해서는 기판에 TFT와 각종 배선을 형성하는 단계, TFT와 각종 배선이 형성된 기판상에 마이크로LED를 전사하는 단계, 마이크로LED 표시패널(100)의 측면에 링크라인을 형성하는 단계, 마이크로LED 표시패널(100)을 플레이트에 부착하는 단계, 복수의 마이크로LED 표시패널(100)을 타일링하는 단계 등을 거쳐야 한다.On the other hand, in order to manufacture the tiling microLED display device as described above, the steps of forming TFTs and various wirings on the substrate, transferring the microLEDs onto the substrate on which the TFTs and various wirings are formed, and the side of the microLED display panel 100 A step of forming a link line on the pole, attaching the microLED display panel 100 to a plate, and tiling a plurality of microLED display panels 100 should be performed.

이러한 공정에서는 타일링 마이크로LED 표시장치를 원활하게 제작하기 위해서 공차가 필요하며, 이러한 공차로 인해 인접하는 2개의 마이크로LED 표시패널(100)의 실제 간격(d)이 허용공차(t)을 초과하거나 미만이 되는 경우가 발생하게 된다.In this process, a tolerance is required to smoothly manufacture a tiling microLED display device, and due to this tolerance, the actual spacing d of two adjacent microLED display panels 100 exceeds or less than the tolerance t. This will happen to happen.

예를 들어, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d)이 발생하지만, 이 간격(d)이 허용공차(t) 이내이면, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격이 사용자에게 인식되지 않는다. 그러나, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d)이 허영공차(t)를 초과하면, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 틈이 사용자에게 인식되는 심(seam)이 타일링 마이크로LED 표시장치의 화면상에 나타나게 된다.For example, a gap d between adjacent microLED display panels 100 occurs, but if this gap d is within the allowable tolerance t, the gap between adjacent microLED display panels 100 is not recognized by the user. However, when the gap d between the adjacent microLED display panels 100 exceeds the void tolerance t, the gap between the adjacent microLED display panels 100 is tiled by a seam recognized by the user. It appears on the screen of the microLED display.

이와 같이, 타일링 마이크로LED 표시장치에서는 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d)이 허용공차(t)를 초과하면, 타일링 마이크로LED 표시장치의 화면상에 암선의 심이 표시되는 불량이 발생하게 된다.As such, in the tiling microLED display device, if the interval (d) between the adjacent microLED display panels 100 exceeds the allowable tolerance (t), a defect in which the dark wire seam is displayed on the screen of the tiling microLED display device will occur

상기와 같은 오차범위를 넘지 않기 위해서는 타일링 마이크로LED 표시장치의 제작시 각 공정의 공차범위를 타이트하게 관리해야 하므로, 타일링 마이크로LED 표시장치의 제작시 많은 문제가 발생하였다.In order not to exceed the error range as described above, it is necessary to tightly manage the tolerance range of each process when manufacturing the tiling microLED display device.

본 발명에서는 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역(P)에 제2마이크로LED(142)를 배치함으로써, 화면상에 심이 표시되는 것을 방지할 수 있게 된다. 즉, 본 발명에서는 리던던시 LED인 제2마이크로LED(142)를 제1마이크로LED(140)의 불량시에만 구동하는 것이 아니라 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d)이 허용공차(t)를 초과할 때에도 구동하여 화면상에 심이 표시되는 것을 방지한다.In the present invention, by arranging the second microLED 142 in the pixel region P of the microLED display panel 100, it is possible to prevent the core from being displayed on the screen. That is, in the present invention, not only the second microLED 142, which is a redundancy LED, is driven only when the first microLED 140 is defective, but the interval d between adjacent microLED display panels 100 has a tolerance ( t) is exceeded to prevent the shim from being displayed on the screen.

이하에서는 본 발명에 따라 제2마이크로LED(142)에 의해 화면상에 심이 표시되는 것을 방지하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for preventing the display of the seam on the screen by the second microLED 142 according to the present invention will be described.

도 6은 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치로서, 수평 및 수직방향으로의 조립된 마이크로LED 표시패널(100)을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 이때, 마이크로LED 표시패널(100)에는 복수의 화소영역을 포함하지만 도면에서는 설명의 편의를 위해 수평 및 수직방향으로 인접하는 영역의 화소영역만을 도시하였다.6 is a plan view schematically illustrating an assembled microLED display panel 100 in horizontal and vertical directions as a tiling microLED display device according to the present invention. At this time, although the microLED display panel 100 includes a plurality of pixel regions, only the pixel regions of regions adjacent in the horizontal and vertical directions are shown in the drawings for convenience of explanation.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치에서는 마이크로LED 표시패널(100)이 수평방향(x-방향) 및 수직방향(y-방향)으로 복수개 타일링되어 있다. 이때, 상기 마이크로LED 표시패널(100)은 수직방향으로는 d1의 간격으로 배치되며, 수평방향으로는 d2의 간격으로 배치된다.As shown in FIG. 6 , in the tiling microLED display device according to the present invention, a plurality of microLED display panels 100 are tiled in a horizontal direction (x-direction) and a vertical direction (y-direction). In this case, the microLED display panel 100 is arranged at intervals of d1 in the vertical direction and at intervals of d2 in the horizontal direction.

각각의 마이크로LED 표시패널(100) 내에는 신호가 인가됨에 따라 발광하는 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 배치된다. 상기 제1마이크로LED(140)는 R,G,B 컬러를 발광하는 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하며, 제2마이크로LED(142)는 R,G,B 컬러를 발광하는 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,140B)를 포함한다.A first microLED 140 and a second microLED 142 that emit light as a signal is applied are disposed in each microLED display panel 100 . The first microLED 140 includes R, G, and B microLEDs 140R, 140G, and 140B emitting R, G, and B colors, and the second micro LED 142 includes R, G, and B colors. Includes R, G, B microLEDs 142R, 142G, and 140B that emit light.

이때, 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142)는 수직방향으로 설정 거리(s) 이격되어 배치된다. 이때, 제1마이크로LED(140)와 제2마이크로LED(142) 사이의 수직방향의 이동거리는 마이크로LED 표시패널(100)의 해상도, 즉 화소영역의 크기 등에 따라 달라질 수 있다.At this time, the first microLED 140 and the second microLED 142 are arranged to be spaced apart from each other by a set distance (s) in the vertical direction. In this case, the vertical movement distance between the first microLED 140 and the second microLED 142 may vary depending on the resolution of the microLED display panel 100 , that is, the size of the pixel area.

서로 인접하는 마이크로LED 표시패널(100)의 간격(d1,d2)은 0인 것이 가장 이상적이다. 즉, 타일링되는 마이크로LED 표시패널(100) 사이에 틈이 전혀 없는 경우 실제 마이크로LED 표시장치의 화면상에는 마이크로LED 표시패널(100)의 화상과 마이크로LED 표시패널(100)의 경계영역의 화상이 동일하게 되어 화면상에는 심(seam)이 전혀 표시되지 않는다.It is most ideal that the intervals d1 and d2 of the microLED display panels 100 adjacent to each other are 0. That is, when there is no gap between the microLED display panels 100 to be tiled, the image of the microLED display panel 100 and the image of the boundary region of the microLED display panel 100 are the same on the screen of the actual microLED display device. As a result, no seam is displayed on the screen.

마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d1,d2)이 증가하면 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 영역의 휘도가 감소하여 화면상에는 암선으로 표시된다.When the distance (d1, d2) between the microLED display panels 100 is increased, the luminance of the area between the microLED display panels 100 is decreased and displayed as dark lines on the screen.

이러한 암선은 화면상에 표시되어도 설정 휘도 이상이면 사람이 이를 인식할 수 없게 된다. 다시 말해서, 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격 설정된 범위(즉, 허용공차)를 초과하지 않으면, 사람이 이를 인식할 수 없으므로 화면상에 심이 표시되지 않는 것으로 판단한다.Even if these dark lines are displayed on the screen, if the luminance is higher than the set luminance, the human cannot recognize them. In other words, if the interval between the microLED display panels 100 does not exceed the set range (ie, allowable tolerance), it is determined that the shim is not displayed on the screen because the human cannot recognize it.

마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격이 증가하여 간격이 허용공차를 초과하게 되면, 화면상에는 암선이 표시되고 이를 사용자가 인식할 수 있게 된다. 이러한 암선은 데이터보상에 의해 마이크로LED(140,142)에 인가되는 전압 또는 전류의 세기를 조절함으로써 제거할 수 있다. 즉, 암선이 표시되는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 경계영역에 인접한 마이크로LED(140,142)의 휘도를 조절함으로써 암선을 제거할 수 있게 된다.When the interval between the microLED display panels 100 increases and the interval exceeds the allowable tolerance, a dark line is displayed on the screen and the user can recognize it. Such dark lines can be removed by adjusting the intensity of voltage or current applied to the microLEDs 140 and 142 by data compensation. That is, by adjusting the luminance of the microLEDs 140 and 142 adjacent to the boundary region between the microLED display panel 100 on which the dark lines are displayed, the dark lines can be removed.

그러나, 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 경계영역에서의 휘도보상에는 한계가 있으므로, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d1,d2)이 더 증가하여 설정값(α:데이터보상으로 암선의 제거가 가능한 값)을 초과하게 경우 데이터보상에도 불구하고 화면상에 암선이 발생하게 된다.However, since there is a limit to the luminance compensation in the boundary region between the microLED display panels 100, the interval (d1, d2) between the adjacent microLED display panels 100 is further increased to increase the set value (α: data compensation). If it exceeds the value at which dark lines can be removed), dark lines are generated on the screen despite data compensation.

본 발명에서는 인접하는 마이크로LED 표시패널(100) 사이의 간격(d1,d2)이 설정값을 초과하는 경우, 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)의 구동을 조절함으로써 화면상에 암선이 발생하는 것을 방지한다.In the present invention, when the interval (d1, d2) between the adjacent microLED display panels 100 exceeds a set value, by controlling the driving of the first microLED 140 and the second microLED 142, the Prevents cancerous glands from forming in

도 7a 및 도 7b는 마이크로LED 표시장치에 가로방향(수평방향)의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면이다. 도면에서는 설명이 편의를 위해 서로 인접하는 마이크로LED 표시패널의 경계영역을 따라 각각 2개씩의 화소영역(P)만을 도시하였다.7A and 7B are diagrams illustrating a method of preventing dark lines from being generated in a horizontal direction (horizontal direction) in a microLED display device. In the drawings, only two pixel areas P are shown along the boundary area of the microLED display panel adjacent to each other for convenience of explanation.

도 7a에 도시된 바와 같이, 각각 복수의 화소영역(P11,P12,P21,P22)을 포함하는 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)이 수직방향(y-방향)으로 인접하며, 제1마이크로LED(140)는 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하고 제2마이크로LED(142)도 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)를 포함한다.As shown in FIG. 7A , the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b each including a plurality of pixel areas P11, P12, P21, and P22 are aligned in the vertical direction (y- direction), the first microLED 140 includes R, G, and B microLEDs 140R, 140G, and 140B arranged in a horizontal direction, and the second microLED 142 is also arranged in a horizontal direction. ,G,B Includes microLEDs 142R, 142G, and 142B.

제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 허용공차(t) 보다 작은 경우(d1<t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 각각 제1마이크로LED(140)가 발광하여 화상이 표시되며, 화면상에 심이 표시되지 않거나 사람이 심을 인식하지 못한다.When the distance d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the allowable tolerance t (d1<t), the first microLED display panel 100a and In each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22 of the second microLED display panel 100b, the first microLED 140 emits light to display an image. do not recognize

도 7b에 도시된 바와 같이, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 증가하는 경우, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이의 경계영역에서 휘도가 저하되어 암선이 발생하게 된다.As shown in FIG. 7B , when the gap d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b increases, the first microLED display panel 100a and the second In the boundary region between the microLED display panels 100b, the luminance is lowered and dark lines are generated.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d)이 허용공차(t) 다 큰 경우(d>t), 표시되는 화면을 촬영하여 데이터를 보상함으로써, 현재 발광되는 제1마이크로LED(140)에 인가되는 전압 또는 전류를 조절하여 제1마이크로LED(140)의 휘도를 조절함으로써, 암선을 제거한다.When the distance (d) between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is larger than the allowable tolerance (t) (d>t), the data is compensated by photographing the displayed screen By adjusting the voltage or current applied to the currently emitting first microLED 140 to adjust the luminance of the first microLED 140, dark lines are removed.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 설정값(α) 보다 큰 경우(d1>α), 제1마이크로LED(140)의 데이터보정에 의해서는 암선이 제거되지 않으므로, 마이크로LED 표시패널(100a,100b)의 경계에서 인접하는 화소영역의 마이크로LED중에서 발광되지 않는 제2마이크로LED(142)를 추가로 구동한다. 특히, 경계에 최인접하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 화소영역(P11,P12)에 배치된 제2마이크로LED(142)를 추가로 구동함으로써 경계영역에서의 암선을 제거한다.When the interval d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is greater than the set value α (d1>α), the data of the first microLED 140 Since the dark line is not removed by the correction, the second microLED 142 that does not emit light among the microLEDs in the pixel area adjacent to the boundary between the microLED display panels 100a and 100b is additionally driven. In particular, dark lines in the boundary area are removed by additionally driving the second microLEDs 142 disposed in the pixel areas P11 and P12 of the first microLED display panel 100a closest to the boundary.

다시 말해서, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b)의 경계를 중심으로 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 화소영역(P11,P12)에서는 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)를 모두 구동하고 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 화소영역(P21,P22)에서는 제1마이크로LED(140)만을 구동한다.In other words, the first microLED 140 and the second microLED ( 142), and only the first microLED 140 is driven in the pixel regions P21 and P22 of the second microLED display panel 100b.

이와 같이, 본 발명에서는 암선이 발생하는 영역과 가장 인접하는 리던던시 마이크로LED인 제2마이크로LED(142)를 추가로 구동하여, 상기 제2마이크로LED(142)에서 발광하는 광을 암선 영역으로 출력되도록 함으로써, 상기 암선을 제거할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the second microLED 142, which is the redundancy microLED closest to the region where the dark line is generated, is additionally driven so that the light emitted from the second microLED 142 is output to the dark line region. By doing so, the dark wire can be removed.

한편, 추가로 구동되는 제2마이크로LED(142)의 휘도가 너무 낮으면 암선이 완전히 제거되지 않고 남아 있게 되며, 추가로 구동되는 제2마이크로LED(142)의 휘도가 너무 높으면 암선은 제거되지만 휘선이 심으로 다시 표시될 수 있다. 또한, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)에 따라 암선의 폭 및 휘도도 달라지므로, 추가로 구동하는 제2마이크로LED(142)에서 항상 동일한 휘도의 광을 발광하면 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1) 및 휘도에 따라 암선이 제거될 수도 있지만, 암선이 그대로 남거나 오히려 휘선이 발생할 수도 있다.On the other hand, if the luminance of the additionally driven second microLED 142 is too low, the dark lines remain without being completely removed. If the luminance of the additionally driven second microLED 142 is too high, the dark lines are removed but the bright lines are removed. It can be marked again with this shim. In addition, since the width and luminance of the dark line vary according to the distance d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b, in the additionally driven second microLED 142 When light of the same luminance is always emitted, dark lines may be removed depending on the distance d1 and luminance between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b, but the dark lines remain or rather bright lines. This may happen.

따라서, 제2마이크로LED(142)를 추가로 구동하여 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이에 심이 표시되지 않도록 하기 위해서는 데이터보상에 따라 상기 제2마이크로LED(142)에 인가되는 신호를 조절하여 상기 제2마이크로LED(142)의 휘도 및 컬러를 조절해야만 한다.Accordingly, in order to further drive the second microLED 142 so that a seam is not displayed between the adjacent microLED display panels 100a and 100b, the signal applied to the second microLED 142 according to data compensation is applied. It is necessary to adjust the luminance and color of the second microLED 142 by adjusting.

이러한 데이터의 보상은 마이크로LED 표시패널의 배면에 배치된 회로모듈에 구비된 데이터보정부에 의해 이루어진다.Compensation of such data is made by a data correction unit provided in a circuit module disposed on the rear surface of the microLED display panel.

도 8은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터보정부(200)를 나타내는 도면이다. 8 is a view showing the data correction unit 200 of the microLED display device according to the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 데이터보정부(200)는 보상값생성부(210)와, 데이터변조부(220)와, 필터부(230)로 구성된다.As shown in FIG. 8 , the data correction unit 200 includes a compensation value generator 210 , a data modulator 220 , and a filter unit 230 .

상기 보상값생성부(210)는 복수의 마이크로LED 표시패널(100a,100b)이 타일링된 표시장치의 화면을 촬영한 CCD카메라와 같은 촬영장비로부터 입력된 영상데이터를 기초로 각 화소영역별 보상값을 생성한다.The compensation value generator 210 is configured to generate a compensation value for each pixel area based on image data input from an imaging device such as a CCD camera that captures a screen of a display device in which a plurality of microLED display panels 100a and 100b are tiled. create

촬영장비는 마이크로LED 표시장치 전체의 화면을 촬영할 수도 있지만, 본 발명은 타일링된 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이의 영역의 심을 제거하기 위해 데이터를 보정하므로 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이의 경계영역만을 촬영할 수 있다.Although the photographing equipment may photograph the entire screen of the microLED display device, the present invention corrects the data to remove the seam in the area between the tiled microLED display panels 100a and 100b, so the microLED display panels 100a and 100b) Only the boundary area between them can be photographed.

상기 보상값생성부(210)는 입력되는 영상데이터를 저장된 영상데이터와 비교하여 그 차이값을 산출한 후, 차이값에 기초하여 보상값을 생성할 수 있다. 이때, 상기 보상값생성부(210)는 생성된 보상값을 룩업테이블로 작성하여 저장한다. 이때, 보상값은 휘도 및 컬러에 대한 보상값을 포함한다.The compensation value generator 210 may compare the input image data with the stored image data to calculate a difference value, and then generate a compensation value based on the difference value. At this time, the compensation value generator 210 creates and stores the generated compensation value as a lookup table. In this case, the compensation value includes compensation values for luminance and color.

상기 보상값생성부(210)는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이의 경계영역을 중심으로 인접하는 2열의 화소열(즉, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 각각의 최인접 화소열)을 블록으로 하여 생성될 수도 있고 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이의 경계를 중심으로 인접하는 4열의 화소열(즉, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 각각의 최인접 2개의 화소열)을 블록으로 하여 생성될 수도 있다. 이러한 보상값 생성을 위한 블럭의 설정은 암선이나 휘선의 폭이나 휘도의 세기 등, 표시장치의 해상도, 화소영역의 크기등과 같은 다양한 변수에 따라 결정될 수 있을 것이다.The compensation value generating unit 210 includes two adjacent pixel columns centered on a boundary region between the microLED display panels 100a and 100b (ie, the closest pixels of each of the adjacent microLED display panels 100a and 100b). column) as a block, and the pixel columns of 4 adjacent columns with the boundary between the microLED display panels 100a and 100b as the center (that is, the adjacent two adjacent microLED display panels 100a and 100b, respectively) pixel columns) as a block. The setting of the block for generating the compensation value may be determined according to various variables such as the width or intensity of the dark or bright line, the resolution of the display device, the size of the pixel area, and the like.

상기 데이터변조부(220)는 외부 시스템으로부터 입력되는 영상테이터를 상기 룩업테이블에 저장된 보정값에 의해 변조한다.The data modulator 220 modulates image data input from an external system according to a correction value stored in the lookup table.

또한, 상기 필터부(230)는 상기 데이터변조부(220)로부터 변조되어 입력되는 영상데이터를 필터링하여 보상되는 영역의 영상을 스무싱(smoothing)시켜 이 영역에서의 휘도 및 컬러가 급격하게 변하는 것을 방지한다. 상기 필터부(230)로는 로우패스필터(Low Pass Filter)가 사용될 수 있다.In addition, the filter unit 230 filters the image data modulated and input from the data modulator 220 to smooth the image in the compensated area to prevent abrupt change in luminance and color in this area. prevent. A low pass filter may be used as the filter unit 230 .

상기 데이터보정부(200)에서 보정된 영상데이터는 회로모듈(170)에 구비된 타이밍콘트롤러로 공급된다. 상기 타이밍콘트롤러는 외부 시스템으로부터 입력되는 수평동기신호, 수직동기신호 및 클럭신호를 이용하여 데이터제어신호와 게이트제어신호를 생성하며, 상기 데이터제어신호와 보정된 영상데이터를 데이터드라이버에 공급하고 게이트제어신호를 게이트드라이버에 공급한다. The image data corrected by the data correction unit 200 is supplied to a timing controller provided in the circuit module 170 . The timing controller generates a data control signal and a gate control signal using a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, and a clock signal input from an external system, and supplies the data control signal and the corrected image data to a data driver and performs gate control A signal is supplied to the gate driver.

상기 데이터드라이버는 타이밍콘트롤러로부터 입력되는 데이터제어신호에 따라 보정된 영상데이터들을 샘플링한 후에, 매수평기간 마다 한 수평라인분에 해당하는 샘플링된 영상데이터들을 래치하고 래치된 영상데이터들을 데이터라인에 공급하여 제2마이크로LED(142)를 구동함으로써, 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이의 암선을 제거할 수 있게 된다.The data driver samples the corrected image data according to the data control signal input from the timing controller, and then latches the sampled image data corresponding to one horizontal line every number of purchases and supplies the latched image data to the data line. Thus, by driving the second microLED 142, the dark line between the adjacent microLED display panels 100a and 100b can be removed.

이와 같이, 본 발명에서는 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이에 암선이 발생하는 경우 리던던시용으로 배치되는(정상적인 경우에는 구동하지 않는) 경계영역의 제2마이크로LED(142)를 구동함으로써, 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이에 암선이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. 더욱이, 본 발명에서는 데이터보정에 의해 경계영역에 인접하여 구동하는 제2마이크로LED(142)의 휘도와 컬러를 보정하므로 사용자가 마이크로LED 표시패널(100a,100b) 사이에 경계영역을 전혀 인식할 수 없게 된다.As such, in the present invention, when a dark line occurs between adjacent microLED display panels 100a and 100b, by driving the second microLED 142 in the boundary region (not driven in a normal case) arranged for redundancy. , it is possible to prevent the generation of dark lines between the micro LED display panels 100a and 100b. Furthermore, in the present invention, since the luminance and color of the second microLED 142 driven adjacent to the boundary region is corrected by data correction, the user cannot recognize the boundary region between the microLED display panels 100a and 100b at all. there will be no

도 9a 및 도 9b는 마이크로LED 표시장치에 가로방향(수평방향)의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면으로, 특히 제1R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B) 및 제2R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)가 화소영역내에 2열로 배열되고 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 마이크로LED가 작동하는 경우에 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면이다.9A and 9B are views illustrating a method for preventing the generation of dark lines in the horizontal direction (horizontal direction) in a microLED display device. In particular, 1R, G,B microLEDs 140R, 140G, 140B and 2R How to prevent dark lines from occurring when ,G,B microLEDs (142R, 142G, 142B) are arranged in two rows in the pixel area and the microLEDs operate in a delta (Δ) shape or inverse delta (▽) shape It is a drawing showing

도 9a에 도시된 바와 같이, 각각 복수의 화소영역(P11,P12,P21,P22)을 포함하는 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)이 수직방향(y-방향)으로 인접하며, 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 서로 수직방향으로 일정 거리 이격된 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 배치되며, 제1마이크로LED(140)는 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하고 제2마이크로LED(142)는 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)를 포함한다.As shown in FIG. 9A , the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b each including a plurality of pixel regions P11, P12, P21 and P22 are aligned in the vertical direction (y- direction), and in each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22, the first microLED 140 and the second microLED 142 spaced apart from each other by a predetermined distance in the vertical direction are disposed, The LED 140 includes R, G, B microLEDs 140R, 140G, and 140B arranged in a horizontal direction, and the second microLED 142 is a R, G, B microLED 142R, arranged in a horizontal direction. 142G, 142B).

제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d)이 허용공차(t) 보다 작은 경우(d<t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 발광하여 화상이 표시되며, 화면상에는 심이 표시되지 않거나 사용자가 인식할 수 없다.When the distance d between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the allowable tolerance t (d<t), the first microLED display panel 100a and The first microLED 140 and the second microLED 142 emit light in each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22 of the second microLED display panel 100b to display an image. It is not displayed or cannot be recognized by the user.

이때, 하나의 화소영역(P12,P22)에서는 G컬러의 제1마이크로LED(140G)가 구동하고 R,B컬러의 제2마이크로LED(142R,142B)를 구동하여, 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 배열되어 화상을 구현한다. 또한, 이 화소영역(P)이 수직방향으로 인접하는 화소영역(P11,P21)에서는 R,B컬러의 제1마이크로LED(140R,140B)가 구동하고 G컬러의 제2마이크로LED(142G)를 구동하여, 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 배열되어 화상을 구현한다.At this time, in one pixel area (P12, P22), the first microLED 140G of G color is driven and the second microLEDs 142R, 142B of color R and B are driven to emit light R, G, B Colored microLEDs are arranged in a delta (Δ) shape to realize an image. In addition, in the pixel areas P11 and P21 adjacent to the pixel area P in the vertical direction, the first microLEDs 140R and 140B of R and B colors are driven and the second microLEDs 142G of the G color are driven. MicroLEDs of R, G, and B colors that emit light by driving are arranged in an inverse delta (▽) shape to realize an image.

발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상과 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 수평방향, 즉 게이트라인방향을 따라 교대로 배치되어 마이크로LED 표시장치 전체에 화상을 표시한다. 또한, 수직방향 또는 데이터라인 방향으로는 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 배치된다. 그러나, 수직방향을 따라서도 발광하는 마이크로LED가 델타(Δ)형상과 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 교대로 배치될 수 있다.The pixel areas in which the emitting R, G, and B color microLEDs are arranged in a delta (Δ) shape and an inverse delta (▽) shape are alternately arranged in the horizontal direction, that is, along the gate line direction, so that the image is displayed on the entire microLED display device. to display In addition, in the vertical direction or the data line direction, a pixel region in which R, G, and B color microLEDs emitting light are arranged in a delta (Δ) shape or an inverse delta (?) shape is arranged. However, pixel regions in which microLEDs emitting light in the vertical direction are arranged in a delta (Δ) shape and in an inverse delta (?) shape may be alternately arranged.

도 9b에 도시된 바와 같이, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 증가하여 허용공차(t)보다 커지면(d1>t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이의 경계영역에서 휘도가 저하되어 암선이 발생하게 된다.As shown in FIG. 9B , when the interval d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b increases and becomes larger than the allowable tolerance t (d1>t), the second In the boundary region between the 1 micro LED display panel 100a and the second micro LED display panel 100b, the luminance is lowered and dark lines are generated.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 설정값(α) 보다 작은 경우(d1<α), 표시되는 화면을 촬영하여 데이터를 보상함으로써, 현재 발광되는 마이크로LED(140,142)에 인가되는 전압 또는 전류를 조절하여 마이크로LED(140,142)의 휘도를 조절함으로써, 암선을 제거한다.When the interval d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the set value α (d1<α), the data is compensated by photographing the displayed screen. By adjusting the luminance of the microLEDs 140 and 142 by adjusting the voltage or current applied to the currently emitting microLEDs 140 and 142, dark lines are removed.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d1)이 설정값(α) 보다 큰 경우(d1>α), 현재 발광되는 마이크로LED의 휘도조절에 의해서는 암선이 제거되지 않으므로, 경계영역에 인접하는 화소영역(P11,P12,P21,P22)의 발광되지 않는 마이크로LED(140,142)의 일부를 추가로 구동하여 암선을 제거한다.When the interval d1 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is greater than the set value α (d1>α), it is necessary to adjust the brightness of the currently emitted microLED. Since the dark line is not removed by using the method, a part of the microLEDs 140 and 142 that do not emit light in the pixel areas P11, P12, P21, and P22 adjacent to the boundary area are additionally driven to remove the dark line.

즉, G컬러의 제1마이크로LED(140G)와 R,B컬러의 제2마이크로LED(142R,142B)가 구동하여 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)에서는 G컬러의 제2마이크로LED(142G)를 추가로 구동하고, 경계를 두고 수직방향으로 인접하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)에서는 R,B컬러의 제1마이크로LED(140R,140G)를 추가로 구동한다. 따라서, 서로 인접하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)에는 G컬러의 마이크로 LED(140G)가 발광하고 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)에는 R,B컬러의 마이크로LED(142R,142B)가 발광하여, 수직으로 인접하는 2개의 화소영역(P12,P22)에 걸쳐 하나의 델타(Δ)형상의 R,G,B 마이크로LED가 추가 구동하게 된다.That is, the first microLED (140G) of G color and the second microLED (142R, 142B) of R, B color are driven and the R, G, and B color microLEDs emit light in a delta (Δ) shape. In the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a, a second microLED 142G of G color is additionally driven, and a second microLED display panel 100b that is vertically adjacent to each other with a boundary therebetween. ), the first microLEDs 140R and 140G of R and B colors are additionally driven in the second pixel region P22. Accordingly, the G-color micro LED 140G emits light in the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a adjacent to each other and the second pixel region P22 of the second microLED display panel 100b. ), the R, B color microLEDs 142R, 142B emit light, and one delta (Δ)-shaped R, G, B microLED is added over two vertically adjacent pixel areas P12 and P22. will drive

또한, 수직으로 인접하는 4개 이상의 화소영역에 걸쳐 델타(Δ)형상의 R,G,B 마이크로LED를 추가 구동할 수도 있다. 이때, 수직으로 인접하는 4개 이상의 화소영역에는 2개 이상의 델타(Δ)형상의 R,G,B 마이크로LED를 추가 구동할 수 있다.In addition, it is also possible to additionally drive delta (Δ)-shaped R, G, and B microLEDs across four or more vertically adjacent pixel areas. In this case, two or more delta (Δ)-shaped R, G, and B microLEDs may be additionally driven in four or more vertically adjacent pixel areas.

따라서, 경계를 중심으로 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)과 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 화소영역(P12,P22)에는 델타(Δ)형상의 마이크로LED가 추가로 구동되어 경계영역의 암선을 제거한다.Accordingly, the pixel regions P12 and P22 of the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b in which the microLEDs of R, G, and B colors emit light in a delta (Δ) shape around the boundary. ), a delta (Δ)-shaped microLED is additionally driven to remove dark lines in the boundary area.

또한, 경계영역을 중심으로 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1화소영역(P11)과 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1화소영역(P21)에 대해서는, 상기 2개의 화소영역(P11,P21)에 걸쳐 하나의 역델타(▽)형상의 마이크로LED가 추가로 구동하거나 4개 이상의 화소영역에 걸쳐 하나 이상의 역델타(▽)형상의 마이크로LED가 추가로 구동되어 경계영역의 암선을 제거한다.In addition, the first pixel region P11 and the second microLED display panel of the first microLED display panel 100a in which the microLEDs of R, G, and B colors emit light in an inverse delta (▽) shape around the boundary region. For the first pixel region P21 of (100b), one inverse delta (▽) microLED is additionally driven over the two pixel regions P11 and P21, or one over the four or more pixel regions The above inverse delta (▽) shape microLED is additionally driven to remove dark lines in the boundary area.

이와 같이, 본 발명에서는 암선이 발생하는 영역에서 작동하지 않는 마이크로LED를 추가로 구동하여, 상기 추가로 구동되는 마이크로LED에서 발광하는 광에 의해 암선을 제거할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the dark line can be removed by the light emitted from the additionally driven microLED by additionally driving the non-operating microLED in the region where the dark line is generated.

이때, 추가로 구동되는 마이크로LED는 도 8에 도시된 바와 같은 데이터보정부에 의해 보상된 신호가 인가되어 발광하게 된다.At this time, the additionally driven microLED emits light by applying a signal compensated by the data correction unit as shown in FIG. 8 .

도 10a 및 도 10b는 마이크로LED 표시장치에 세로방향(수직방향)의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면이다.10A and 10B are diagrams illustrating a method of preventing dark lines from being generated in a vertical direction (vertical direction) in a microLED display device.

도 10a에 도시된 바와 같이, 각각 복수의 화소영역(P)를 포함하는 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)이 수평방향(x-방향)으로 인접하며, 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 서로 수직방향으로 일정 거리 이격된 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 배치되며, 제1마이크로LED(140)는 수평방향으로 일렬로 배열된 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하고 제2마이크로LED(142)는 수평방향으로 일렬로 배열된 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)를 포함한다.As shown in FIG. 10A , the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b each including a plurality of pixel regions P are adjacent in the horizontal direction (x-direction), In each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22, the first microLED 140 and the second microLED 142 spaced apart from each other by a predetermined distance in the vertical direction are disposed, and the first microLED 140 is horizontally spaced apart from each other. R, G, B microLEDs (140R, 140G, 140B) arranged in a line in the direction, and the second microLED 142 is arranged in a row in the horizontal direction R, G, B microLEDs (142R, 142G, 142B).

제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d)이 허용공차(t) 보다 작은 경우(d<t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 제1마이크로LED(140)가 발광하여 화상이 표시된다.When the distance d between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the allowable tolerance t (d<t), the first microLED display panel 100a and In each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22 of the second microLED display panel 100b, the first microLED 140 emits light to display an image.

도 10b에 도시된 바와 같이, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 허용공차(t) 보다 커지면(d2>t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이의 경계영역에서 휘도가 저하하여 암선이 발생하게 된다.As shown in FIG. 10B , when the gap d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b becomes larger than the allowable tolerance t (d2>t), the first microLED display panel 100b In the boundary region between the LED display panel 100a and the second microLED display panel 100b, the luminance is lowered and dark lines are generated.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 설정값(α) 보다 작은 경우(d2<α), 표시되는 화면을 촬영하여 데이터를 보상함으로써, 현재 발광되는 마이크로LED(140,142)에 인가되는 전압 또는 전류를 조절하여 마이크로LED(140,142)의 휘도를 조절함으로써, 암선을 제거한다.When the interval d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the set value α (d2<α), the data is compensated by photographing the displayed screen. By adjusting the luminance of the microLEDs 140 and 142 by adjusting the voltage or current applied to the currently emitting microLEDs 140 and 142, dark lines are removed.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 설정값(α) 보다 큰 경우(d2>α), 제1마이크로LED(140)의 휘도조절에 의해서는 암선이 제거되지 않으므로, 경계에 인접하는 화소영역(P11,P12,P21,P22)의 발광되지 않는 마이크로LED(140,142)의 일부를 추가로 구동하여 암선을 제거한다.When the distance d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is greater than the set value α (d2>α), the luminance of the first microLED 140 is Since the dark line is not removed by the adjustment, a part of the microLEDs 140 and 142 that do not emit light in the pixel areas P11, P12, P21, and P22 adjacent to the boundary are additionally driven to remove the dark line.

즉, 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1화소영역(P11)의 B컬러의 제2마이크로LED(142B)를 추가로 구동하고 인접하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1화소영역(P21)의 R,G컬러의 제2마이크로LED(142R,142G)를 추가로 구동하여, 제1마이크로LED 표시패널(100a)과 제2마이크로LED(142R)의 경계를 중심으로 인접하는 2개의 화소영역(P11,P21)에 걸쳐 하나의 R,G,B 마이크로LED가 발광하도록 하여 경계영역의 암선을 제거한다.That is, the second microLED 142B of the B color in the first pixel region P11 of the first microLED display panel 100a is further driven and the first pixel of the adjacent second microLED display panel 100b is driven. By additionally driving the second microLEDs 142R and 142G of the R and G colors in the region P21, 2 adjacent to the boundary between the first microLED display panel 100a and the second microLED 142R as the center One R, G, and B microLED emits light across the pixel areas P11 and P21 to remove dark lines in the boundary area.

또한, 제1화소영역(P11,P21)과 수직방향으로 인접하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)의 G,B컬러의 제2마이크로LED(142G,142B)를 추가로 구동하고 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)의 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동하여, 제1마이크로LED 표시패널(100a)과 제2마이크로LED(142R)의 경계를 중심으로 인접하는 2개의 화소영역(P12,P22)에 걸쳐 하나의 R,G,B 마이크로LED가 발광하도록 하여 경계영역의 암선을 제거한다.In addition, the second microLEDs 142G and 142B of G and B colors in the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a vertically adjacent to the first pixel regions P11 and P21 are formed. Further driving and driving the second microLED 142R of the R color in the second pixel region P22 of the second microLED display panel 100b further drives the first microLED display panel 100a and the second One R, G, and B microLED emits light over the two adjacent pixel areas P12 and P22 around the boundary of the microLED 142R, thereby removing dark lines in the boundary area.

이때, 2개의 화소영역(P11,P21)에서 추가로 발광하는 R,G,B 마이크로LED는 R,G,B로 배열되고 인접하는 2개의 화소영역(P12,P22)에 추가로 발광하는 R,G,B 마이크로LED는 G,B,R로 배열되므로, 암선을 제거함과 동시에 이 영역에서의 화상의 시인성을 향상시킬 수 있게 된다.At this time, the R, G, and B microLEDs that additionally emit light in the two pixel regions P11 and P21 are arranged in R, G, and B, and R, which additionally emits light in the two adjacent pixel regions P12 and P22; Since the G,B microLEDs are arranged in G,B,R, it is possible to remove dark lines and improve the visibility of images in this area at the same time.

그러나, 2개의 화소영역에서 추가로 발광하는 R,G,B 마이크로LED가 모두 R,G,B로 배열되거나 G,B,R로 배열될 수 있다. 즉, 본 발명에서는 추가로 발광하는 R,G,B 마이크로LED가 특정 순서로 배열되는 것이 아니라 다양한 순서로 배열될 수 있을 것이다.However, the R, G, and B microLEDs that additionally emit light in the two pixel regions may all be arranged in R, G, B or G, B, R. That is, in the present invention, the additionally emitting R, G, and B microLEDs may be arranged in various orders, not in a specific order.

한편, 추가로 구동되는 마이크로LED는 도 8에 도시된 바와 같은 데이터보정부에 의해 보상된 신호가 인가되어 발광하게 된다.Meanwhile, the additionally driven microLED emits light by applying a signal compensated by the data correction unit as shown in FIG. 8 .

도 11a-도 11c는 마이크로LED 표시장치에 세로방향(수직방향)의 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면으로, 특히 R,G,B 마이크로LED가 화소영역내에 2열로 배열되고 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 마이크로LED가 작동하는 경우에 암선이 발생하는 것을 방지하는 방법을 나타내는 도면이다.11A to 11C are views illustrating a method for preventing dark lines in the vertical direction (vertical direction) from being generated in a microLED display device. In particular, R, G, and B microLEDs are arranged in two rows in the pixel area and the delta (Δ) ) shape or inverse delta (▽) shape is a diagram showing a method of preventing dark lines from occurring when the microLED is operated.

도 11a에 도시된 바와 같이, 각각 복수의 화소영역(P11,P12,P21,P22)을 포함하는 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)이 수평방향(x-방향)으로 인접하며, 각각의 화소영역(P)에는 서로 수직방향으로 일정 거리 이격된 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 배치되며, 제1마이크로LED(140)는 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하고 제2마이크로LED(142)는 수평방향으로 배열된 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)를 포함한다.As shown in FIG. 11A , the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b each including a plurality of pixel regions P11, P12, P21, and P22 move in the horizontal direction (x- direction), and in each pixel area P, the first microLED 140 and the second microLED 142 spaced apart from each other by a predetermined distance in the vertical direction are disposed, and the first microLED 140 is horizontally spaced apart from each other. R, G, B microLEDs (140R, 140G, 140B) arranged in the direction and the second microLED 142 includes R, G, B microLEDs (142R, 142G, 142B) arranged in the horizontal direction do.

제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d)이 허용공차(t) 보다 작은 경우(d<t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 각각의 화소영역(P11,P12,P21,P22)에는 제1마이크로LED(140) 및 제2마이크로LED(142)가 발광하여 화상이 표시된다.When the distance d between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the allowable tolerance t (d<t), the first microLED display panel 100a and In each of the pixel areas P11, P12, P21, and P22 of the second microLED display panel 100b, the first microLED 140 and the second microLED 142 emit light to display an image.

이때, 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1 및 제2화소영역(P11,P12)에는 각각 G컬러의 제1마이크로LED(140G)가 구동하고 R컬러 및 B컬러의 제2마크로LED(142R,142B)를 구동하여, 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 배열되어 화상을 구현한다. 또한, 이 제1마이크로LED 표시패널(100a)과 일정 간격(d2)을 수평방향으로 인접하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1 및 제2화소영역(P21,P22)에서는 R컬러 및 B컬러의 제1마이크로LED(140R,140B)가 구동하고 G컬러의 제2마이크로LED(142G)를 구동하여, 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 배열되어 화상을 구현한다.At this time, in the first and second pixel regions P11 and P12 of the first microLED display panel 100a, the first microLED 140G of G color is driven, respectively, and the second macroLED of R and B color ( 142R, 142B), emitting R, G, and B color microLEDs are arranged in a delta (Δ) shape to realize an image. In addition, in the first and second pixel regions P21 and P22 of the second microLED display panel 100b that are horizontally adjacent to the first microLED display panel 100a and a predetermined distance d2 in the horizontal direction, R color and The first microLEDs of B color (140R, 140B) are driven and the second microLEDs of G color (142G) are driven, and the R, G, and B color microLEDs that emit light are arranged in an inverse delta (▽) shape. implement the image.

발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상과 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 수평방향, 즉 게이트라인방향을 따라 교대로 배치되어 마이크로LED 표시장치 전체에 화상을 표시한다. 또한, 수직방향 또는 데이터라인방향을 따라서는 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 배치된다. 그러나, 수직방향을 따라서도 마이크로LED가 델타(Δ)형상과 역델타(▽)형상으로 배열된 화소영역이 교대로 배치될 수 있다.The pixel areas in which the emitting R, G, and B color microLEDs are arranged in a delta (Δ) shape and an inverse delta (▽) shape are alternately arranged in the horizontal direction, that is, along the gate line direction, so that the image is displayed on the entire microLED display device. to display In addition, a pixel area in which R, G, and B color microLEDs emitting light are arranged in a delta (Δ) shape or an inverse delta (?) shape is disposed in the vertical direction or along the data line direction. However, pixel regions in which the microLEDs are arranged in a delta (Δ) shape and in an inverse delta (▽) shape may be alternately arranged along the vertical direction.

도 11b에 도시된 바와 같이, 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 허용공차(t) 보다 커지면(d2>t), 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이의 경계영역에서 휘도가 저하여 암선이 발생하게 된다.As shown in FIG. 11B , when the distance d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b becomes larger than the allowable tolerance t (d2>t), the first microLED display panel 100b In the boundary region between the LED display panel 100a and the second microLED display panel 100b, the luminance is lowered and dark lines are generated.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 설정값(α) 보다 작은 경우(d2<α), 표시되는 화면을 촬영하여 데이터를 보상함으로써, 현재 발광되는 마이크로LED(140,142)에 인가되는 전압 또는 전류를 조절하여 마이크로LED(140,142)의 휘도를 조절함으로써, 암선을 제거한다.When the interval d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is smaller than the set value α (d2<α), the data is compensated by photographing the displayed screen. By adjusting the luminance of the microLEDs 140 and 142 by adjusting the voltage or current applied to the currently emitting microLEDs 140 and 142, dark lines are removed.

상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 설정값(α) 보다 큰 경우(d2>α), 제1마이크로LED(140)의 휘도조절에 의해서는 암선이 제거되지 않으므로, 경계에 인접하는 화소영역(P11,P12,P21,P22)의 발광되지 않는 마이크로LED(140,142)의 일부를 추가로 구동하여 암선을 제거한다.When the distance d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is greater than the set value α (d2>α), the luminance of the first microLED 140 is Since the dark line is not removed by the adjustment, a part of the microLEDs 140 and 142 that do not emit light in the pixel areas P11, P12, P21, and P22 adjacent to the boundary are additionally driven to remove the dark line.

즉, 발광하는 R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1화소영역(P11)에서는 B컬러의 제1마이크로LED(140B)를 추가로 구동하고, 상기 제1마이크로LED 표시패널(100a)과 인접하고 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 발광하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1화소영역(P21)에는 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동한다.That is, in the first pixel region P11 of the first microLED display panel 100a in which the emitting R, G, and B color microLEDs emit light in a delta (Δ) shape, the first microLED 140B of the B color of the second microLED display panel 100b adjacent to the first microLED display panel 100a and in which the microLEDs of R, G, and B colors emit light in an inverse delta (▽) shape. A second microLED 142R of R color is additionally driven in the pixel region P21.

또한, 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)에서도 B컬러의 제1마이크로LED(140B)를 추가로 구동하고 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)에서도 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동한다.In addition, in the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a, the B-color first microLED 140B is additionally driven and the second pixel region (P12) of the second microLED display panel 100b P22) also drives the second microLED (142R) of R color additionally.

이와 같이, 본 발명에서는 경계영역에 인접하는 2개의 화소영역(P11,P12)의 B컬러의 제1마이크로LED(140B)와 2개의 화소영역(P21,P22)의 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동하여, 상기 추가로 구동되는 마이크로LED에서 발광하는 광에 의해 암선을 제거할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the first microLED 140B of B color in the two pixel regions P11 and P12 adjacent to the boundary region and the second microLED 140B of the R color in the two pixel regions P21 and P22 adjacent to the boundary region ( 142R) is additionally driven, so that dark lines can be removed by the light emitted from the additionally driven microLED.

이때, 추가로 구동되는 마이크로LED는 도 8에 도시된 바와 같은 데이터보정부에 의해 보상된 신호가 인가되어 발광하게 된다.At this time, the additionally driven microLED emits light by applying a signal compensated by the data correction unit as shown in FIG. 8 .

도 11c은 R,G,B 마이크로LED가 화소영역내에 2열로 배열되고 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 마이크로LED가 작동하는 경우에 세로방향의 암선이 발생하는 것을 방지하는 다른 방법을 나타내는 도면이다.11c is another method of preventing the occurrence of dark lines in the vertical direction when the R, G, and B microLEDs are arranged in two rows in the pixel area and the microLEDs are operated in a delta (Δ) shape or in an inverse delta (▽) shape. It is a drawing showing

도 11c에 도시된 바와 같이, 상기 제1마이크로LED 표시패널(100a) 및 제2마이크로LED 표시패널(100b) 사이에 간격(d2)이 설정값(α) 보다 큰 경우(d2>α), 제1마이크로LED(140)의 휘도조절에 의해서는 암선이 제거되지 않으므로, 경계에 인접하는 화소영역의 발광되지 않는 마이크로LED(140,142)의 일부를 추가로 구동하여 암선을 제거한다.As shown in FIG. 11C , when the interval d2 between the first microLED display panel 100a and the second microLED display panel 100b is greater than the set value α (d2>α), the second Since dark lines are not removed by adjusting the luminance of the 1 microLED 140, some of the microLEDs 140 and 142 that do not emit light in the pixel area adjacent to the boundary are additionally driven to remove the dark lines.

즉, R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1화소영역(P11)에서는 B컬러의 제1마이크로LED(140B)와 G컬러의 제2마이크로LED(142G)를 추가로 구동하고, 경계를 두고 수평방향으로 인접하고 구동하여 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 발광하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1화소영역(P21)에서는 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동한다.That is, in the first pixel region P11 of the first microLED display panel 100a in which R, G, and B color microLEDs emit light in a delta (Δ) shape, the B color first microLED 140B and G A second microLED display panel in which a color second microLED (142G) is additionally driven, and the microLEDs of R, G, and B colors emit light in an inverse delta (▽) shape by driving adjacent to each other in the horizontal direction with a boundary In the first pixel region P21 of (100b), the R color second microLED 142R is additionally driven.

따라서, 경계를 두고 인접하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제1화소영역(P11)과 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제1화소영역(P21)은 추가로 구동하는 마이크로LED가 2개의 화소영역(P11,P21)에 걸쳐 하나의 델타(Δ)형상으로 발광하게 되어 경계영역에서의 암선을 제거할 수 있게 된다.Therefore, the first pixel region P11 of the first microLED display panel 100a and the first pixel region P21 of the second microLED display panel 100b that are adjacent to each other with a boundary are the additionally driven microLEDs. Light is emitted in one delta (Δ) shape across the two pixel areas P11 and P21, so that dark lines in the boundary area can be removed.

또한, 4개 이상의 화소영역에 걸쳐 델타(Δ)형상의 R,G,B 마이크로LED를 추가 구동할 수도 있다. 이때, 인접하는 4개 이상의 화소영역에는 2개 이상의 델타(Δ)형상의 R,G,B 마이크로LED를 추가 구동할 수 있다.In addition, it is also possible to additionally drive delta (Δ)-shaped R, G, and B microLEDs across four or more pixel areas. In this case, two or more delta (Δ)-shaped R, G, and B microLEDs may be additionally driven in four or more adjacent pixel regions.

또한, R,G,B컬러의 마이크로LED가 델타(Δ)형상으로 발광하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)에서는 B컬러의 제1마이크로LED(140B)를 추가로 구동하고, 경계를 두고 수평방향으로 인접하고 R,G,B컬러의 마이크로LED가 역델타(▽)형상으로 발광하는 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)에서는 G컬러의 제1마이크로LED(140G)와 R컬러의 제2마이크로LED(142R)를 추가로 구동한다.In addition, in the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a in which R, G, and B color microLEDs emit light in a delta (Δ) shape, a B color first microLED 140B is added. In the second pixel region P22 of the second microLED display panel 100b driven by A first microLED (140G) of color and a second microLED (142R) of color R are additionally driven.

따라서, 경계를 두고 인접하는 제1마이크로LED 표시패널(100a)의 제2화소영역(P12)과 제2마이크로LED 표시패널(100b)의 제2화소영역(P22)은 추가로 구동하는 마이크로LED가 2개의 화소영역(P12,P22)에 걸쳐 하나의 역델타(▽)형상으로 발광하거나 4개 이상의 화소영역에 걸쳐 하나 이상의 역델타(▽)형상의 마이크로LED가 추가로 발광되어 경계영역에서의 암선을 제거할 수 있게 된다.Accordingly, the second pixel region P12 of the first microLED display panel 100a and the second pixel region P22 of the second microLED display panel 100b that are adjacent to each other with a boundary are the additionally driven microLEDs. One inverse delta (▽) shape is emitted over two pixel areas (P12, P22), or one or more inverse delta (▽) microLEDs are additionally emitted over four or more pixel areas, so that dark lines in the boundary area are emitted. can be removed.

이때, 추가로 구동되는 마이크로LED는 도 8에 도시된 바와 같은 데이터보정부에 의해 보상된 신호가 인가되어 발광하게 된다.At this time, the additionally driven microLED emits light by applying a signal compensated by the data correction unit as shown in FIG. 8 .

이 방법에서는 인접하는 마이크로LED 표시패널(100a,100b)의 경계영역에 인접하는 화소영역의 마이크로LED가 델타(Δ)형상 및 역델타(▽)형상으로 추가구동하므로 암선을 제거할 수 있게 될 뿐만 아니라 경계영역의 시인성도 좋아지게 된다.In this method, since the microLEDs in the pixel area adjacent to the boundary area of the adjacent microLED display panels 100a and 100b are additionally driven in the delta (Δ) shape and in the inverse delta (▽) shape, dark lines can be removed as well as In addition, the visibility of the boundary area is also improved.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 주발광 마이크로LED로부터 수직으로 일정 거리 이격된 리던던시 마이크로LED를 구비하여, 인접하는 마이크로LED 표시패널의 타일링오차 등에 따라 암선이 발생하는 경우 주발광 마이크로LED 및/또는 리던던시 마이크로LED의 구동을 조절함으로써 화면상에 심이 표시되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, a redundancy microLED vertically spaced apart from the main light-emitting microLED by a predetermined distance is provided, and when a dark line occurs due to a tiling error of an adjacent microLED display panel, the main light-emitting microLED and/or redundancy By controlling the driving of the microLED, it is possible to prevent the shim from being displayed on the screen.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present application described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which this application pertains that various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical matters of the present application. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present application is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present application.

100: 마이크로LED 표시패널 110: 기판
118: 버퍼층 140,142: 마이크로LED
154: 링크라인 170: 회로모듈100: micro LED display panel 110: substrate
118: buffer layer 140, 142: micro LED
154: link line 170: circuit module

Claims (17)

각각 복수의 화소영역을 포함하고 소정의 타일링 간격으로 타일링된 복수의 표시패널;
상기 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하는 제1R,G,B 마이크로LED; 및
상기 표시패널의 각각의 화소영역에 배치되어 R,G,B 컬러의 광을 출력하며, 상기 제1R,G,B 마이크로LED로부터 수직방향으로 이격된 제2R,G,B 마이크로LED로 구성되며,
상기 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED 중 주발광 마이크로LED를 구동하여 화상을 구현하며, 타일링된 복수의 표시패널 사이의 간격이 설정값을 초과하는 경우 경계영역의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED 중 보조발광 마이크로LED를 추가로 구동하는 마이크로LED 표시장치.a plurality of display panels each including a plurality of pixel areas and tiled at a predetermined tiling interval;
first R, G, and B microLEDs disposed in each pixel area of the display panel to output light of R, G, and B colors; and
It is disposed in each pixel area of the display panel to output light of R, G, and B colors, and consists of second R, G, and B microLEDs vertically spaced apart from the first R, G, and B microLEDs;
An image is realized by driving a main light emitting microLED among the first R, G, and B microLEDs and the second R, G, and B microLEDs, and when the distance between a plurality of tiled display panels exceeds a set value, A microLED display device that additionally drives auxiliary light emitting microLEDs among the first R,G,B microLEDs and the secondR,G,B microLEDs in the pixel area. 제1항에 있어서, 상기 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED는 10-100㎛의 크기인 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 1, wherein the first R,G,B microLED and the secondR,G,B microLED have a size of 10-100 μm. 제1항에 있어서, 상기 주발광 마이크로LED는 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 1, wherein the main light emitting microLEDs are first R,G,B microLEDs arranged in a line. 제3항에 있어서, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 제2R,G,B 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 3, wherein the sub-emission microLEDs in the pixel area adjacent to the boundary area between the vertically spaced microLED display panels are the second R,G,B microLEDs. 제3항에 있어서, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제2R,G,B 마이크로 LED중 2개의 화소영역에 하나의 R,G,B배열로 추가 구동하는 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The sub-emission microLED in the pixel region adjacent to the boundary region between the horizontally spaced microLED display panels is two pixel regions among the second R, G, and B micro LEDs in the two pixel regions adjacent to each other. A micro LED display device that is additionally driven in a single R, G, B array. 제1항에 있어서, 상기 주발광 마이크로LED는 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 델타(Δ)형상으로 배열된 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 1, wherein the main light emitting microLEDs are microLEDs arranged in a delta (Δ) shape among the first R,G,B microLEDs and the secondR,G,B microLEDs arranged in a line. 제6항에 있어서, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 2개의 화소영역에 하나의 델타(Δ)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The sub-emission microLEDs in the pixel region adjacent to the boundary region between the vertically spaced microLED display panels are the first R, G, B microLEDs and the second R, G in two adjacent pixel regions. ,B A microLED display device that is a microLED that is additionally driven in a delta (Δ) shape in two pixel areas among microLEDs. 제6항에 있어서, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 해당 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED중 1개 마이크로LED 및 인접하는 화소영역의 제2R,G,B 마이크로LED중에서 1개의 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The sub-emission microLED in the pixel region adjacent to the boundary region between the horizontally spaced microLED display panels is one of the first R, G, and B microLEDs in the pixel region and the adjacent pixel. A micro LED display device that is one micro LED among the second R, G, and B micro LEDs in the area. 제6항에 있어서, 수평방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 해당 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED와 인접하는 화소영역의 제2R,G,B 마이크로LED 중에서 2개의 화소영역에 하나의 델타(Δ)형상 또는 역델타(▽)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.According to claim 6, wherein the sub-emission microLEDs in the pixel region adjacent to the boundary region between the horizontally spaced apart microLED display panel includes the first R, G, and B microLEDs in the corresponding pixel region and the second R in the pixel region adjacent to each other; A micro LED display device that is additionally driven in one delta (Δ) shape or inverse delta (▽) shape in two pixel areas among G and B micro LEDs. 제1항에 있어서, 상기 주발광 마이크로LED는 일렬로 배열된 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 역델타(▽)형상으로 배열된 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 1, wherein the main light emitting microLEDs are microLEDs arranged in an inverse delta (▽) shape among the first R,G,B microLEDs and the secondR,G,B microLEDs arranged in a line. . 제10항에 있어서, 수직방향으로 이격된 마이크로LED 표시패널 사이의 경계영역에 인접한 화소영역의 보조발광 마이크로LED는 서로 인접하는 2개의 화소영역의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED중에서 2개의 화소영역에 하나의 역델타(▽)형상으로 추가 구동하는 마이크로LED인 마이크로LED 표시장치.11. The method of claim 10, wherein the sub-emission microLEDs in the pixel area adjacent to the boundary area between the vertically spaced microLED display panels are the first R, G, B microLEDs and the second R, G in two adjacent pixel areas. ,B Micro LED display device, which is a micro LED that is additionally driven in an inverse delta (▽) shape in two pixel areas among micro LEDs. 제1항에 있어서, 상기 표시패널은,
기판;
상기 기판의 상면에 배치된 게이트라인 및 데이터라인;
상기 기판의 상면에 배치된 박막트랜지스터; 및
기판의 배면에 배치된 회로모듈을 포함하는 마이크로LED 표시장치.The method of claim 1, wherein the display panel comprises:
Board;
a gate line and a data line disposed on the upper surface of the substrate;
a thin film transistor disposed on the upper surface of the substrate; and
A microLED display device including a circuit module disposed on a rear surface of a substrate. 제1항에 있어서, 상기 보조발광 마이크로LED의 컬러 및 휘도를 보정하는 데이터보정부를 추가로 포함하는 마이크로LED 표시장치.The microLED display device according to claim 1, further comprising a data correction unit for correcting the color and luminance of the auxiliary light emitting microLED. 제13항에 있어서, 상기 데이터보정부는
촬영된 화면이 영상데이터를 기초로 보상값을 생성하는 보상값생성부; 및
외부 시스템으로부터 입력되는 영상테이터를 생성된 보상값에 따라 변조하는 데이터변조부를 포함하는 마이크로LED 표시장치.14. The method of claim 13, wherein the data correction unit
a compensation value generator for generating a compensation value based on the image data of the captured screen; and
A microLED display device comprising a data modulator for modulating image data input from an external system according to the generated compensation value. 제14항에 있어서, 상기 보상값생성부는 생성된 보상값을 룩업테이블로 작성하여 저장하는 마이크로LED 표시장치.15. The microLED display device of claim 14, wherein the compensation value generator creates and stores the generated compensation value as a lookup table. 제14항에 있어서, 상기 데이터보정부는 상기 데이터변조부로부터 변조되어 입력되는 영상데이터를 필터링하는 필터부를 추가로 포함하는 마이크로LED 표시장치.15. The microLED display device of claim 14, wherein the data correction unit further comprises a filter unit for filtering the input image data modulated by the data modulator. 제12항에 있어서, 한 화소영역내의 제1R,G,B 마이크로LED 및 제2R,G,B 마이크로LED는 각각 서로 다른 박막트랜지스터에 의해 구동하는 마이크로LED 표시장치.13. The microLED display device according to claim 12, wherein the first R, G, and B microLEDs and the second R, G, and B microLEDs in one pixel area are each driven by different thin film transistors.
KR1020170171350A 2017-12-13 2017-12-13 Micro led display device KR102463998B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170171350A KR102463998B1 (en) 2017-12-13 2017-12-13 Micro led display device
KR1020220143437A KR20220152975A (en) 2017-12-13 2022-11-01 Micro led display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170171350A KR102463998B1 (en) 2017-12-13 2017-12-13 Micro led display device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220143437A Division KR20220152975A (en) 2017-12-13 2022-11-01 Micro led display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190070633A KR20190070633A (en) 2019-06-21
KR102463998B1 true KR102463998B1 (en) 2022-11-04

Family

ID=67056578

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170171350A KR102463998B1 (en) 2017-12-13 2017-12-13 Micro led display device
KR1020220143437A KR20220152975A (en) 2017-12-13 2022-11-01 Micro led display device

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220143437A KR20220152975A (en) 2017-12-13 2022-11-01 Micro led display device

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102463998B1 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210093518A (en) 2020-01-20 2021-07-28 주식회사 루미디아 LED display modules with improved color reproducibility
EP4167280A4 (en) * 2020-06-12 2024-02-21 LG Electronics, Inc. Display device comprising semiconductor light-emitting element
KR20210157093A (en) 2020-06-19 2021-12-28 삼성전자주식회사 Backlight unit having micro emitting device and liquid crystal display
CN111681537A (en) * 2020-06-24 2020-09-18 武汉华星光电技术有限公司 Lamp panel, backlight module and display panel
WO2022004926A1 (en) * 2020-07-03 2022-01-06 엘지전자 주식회사 Display device using micro led
KR20230022418A (en) * 2020-07-03 2023-02-15 엘지전자 주식회사 Display device using micro LED
US20230327047A1 (en) * 2020-08-27 2023-10-12 Lg Electronics Inc. Transfer device for semiconductor light emitting device and display device of semiconductor light emitting device using same
KR20220109115A (en) * 2021-01-28 2022-08-04 삼성전자주식회사 Method and electronic device for improving picture quality of display device
KR20220149884A (en) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US20240258293A1 (en) * 2021-05-31 2024-08-01 Kyocera Corporation Display device
CN113451382B (en) * 2021-06-30 2022-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel
WO2023043231A1 (en) * 2021-09-15 2023-03-23 서울바이오시스주식회사 Light-emitting diode display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581432B1 (en) 1998-02-17 2006-05-17 트랜스퍼시픽 아이피 리미티드 Tiled electronic display structure
US20070257866A1 (en) 2006-05-08 2007-11-08 Eastman Kodak Company Method and apparatus for defect correction in a display
JP4934920B2 (en) 2001-07-10 2012-05-23 ソニー株式会社 Display panel and display device using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9261723B1 (en) * 2008-02-01 2016-02-16 Prysm, Inc. Reducing visibility of inter-screen gap in tiled display systems

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581432B1 (en) 1998-02-17 2006-05-17 트랜스퍼시픽 아이피 리미티드 Tiled electronic display structure
JP4934920B2 (en) 2001-07-10 2012-05-23 ソニー株式会社 Display panel and display device using the same
US20070257866A1 (en) 2006-05-08 2007-11-08 Eastman Kodak Company Method and apparatus for defect correction in a display

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190070633A (en) 2019-06-21
KR20220152975A (en) 2022-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102463998B1 (en) Micro led display device
KR102603411B1 (en) Micro led display device
KR102427082B1 (en) Micro led display device and method of driving thereof
KR102675598B1 (en) Light emitting device and display device using the same
KR102569728B1 (en) Micro led display device whitout bezzel
EP3422827B1 (en) Display device and method for fabricating the same
EP3790361B1 (en) Display apparatus
KR101476207B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR102680219B1 (en) Micro led display device and method of driving thereof
KR101953797B1 (en) Method of fabricating micro led display device
KR20230141695A (en) Micro led display device and method of driving thereof
KR102558699B1 (en) Micro led display device whitout bezel
KR102616407B1 (en) Light emitting device and display device using the same
KR20200082629A (en) Light emitting diode display apparatus and multi screen display apparatus using the same
KR20190048988A (en) Light emitting diode display
KR102655204B1 (en) Micro led display device
US20230023304A1 (en) Light emitting diode display device
KR102720070B1 (en) Micro led display device and method of driving thereof
US20240212609A1 (en) Display device and method for driving the same
JP7333226B2 (en) Display device manufacturing method and display device
KR20240157592A (en) Micro led display device and method of driving thereof
WO2020203729A1 (en) Method for manufacturing inorganic light-emitting body

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant