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KR102467421B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR102467421B1
KR102467421B1 KR1020150185101A KR20150185101A KR102467421B1 KR 102467421 B1 KR102467421 B1 KR 102467421B1 KR 1020150185101 A KR1020150185101 A KR 1020150185101A KR 20150185101 A KR20150185101 A KR 20150185101A KR 102467421 B1 KR102467421 B1 KR 102467421B1
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박응석
윤원민
정윤아
조윤형
주용찬
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치 및 이의 제조 방법이 개시된다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{Display apparatus and method for manufacturing the same}
표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자 장치를 다양한 형태로 제공하려는 노력과 함께, 전자 장치에 장착되는 표시 장치를 다양한 형태로 제공하기 위한 연구/개발이 진행되고 있다. 또한, 표시 장치에 터치 패널 기능을 적용하는 기술에 대하여 연구가 진행 중이다. 터치 패널 기능을 적용하게 되면 표시 기능만 하던 표시 장치의 표면에 사용자의 손가락이나 펜 등을 접촉하여 입력 장치의 기능도 할 수 있게 된다.
한편, 자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극, 그리고 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하고, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하고 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
신규한 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면,
기판;
상기 기판 상의 표시부;
상기 표시부를 덮는 봉지층;
상기 봉지층 상의 터치 스크린층; 및
상기 봉지층과 상기 터치 스크린층 사이에 개재된 버퍼층;을 포함하고,
상기 봉지층은 유기막 및 무기막이 상기 표시부로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수이고,
상기 봉지 단위의 유기막은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
상기 버퍼층은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
상기 제1광경화성 모노머 및 상기 제2광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함하고,
상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 화합물 중에서 선택된, 표시 장치가 제공된다:
<화학식 1A>
Figure 112015126445327-pat00001
<화학식 1B>
Figure 112015126445327-pat00002
<화학식 1C>
Figure 112015126445327-pat00003
<화학식 2>
Figure 112015126445327-pat00004
<화학식 3>
Figure 112015126445327-pat00005
상기 화학식 1A 내지 1C, 2 및 3 중,
R1 내지 R10, R22 내지 R24, 및 R31 내지 R33은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹(substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group), 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(substituted or unsubstituted moonovalent non-aromatic hetero-condensed polycyclic group) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고;
L21은 *-R21O-*', 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고,
R21은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기이고,
a21은 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수에서 선택되고,
* 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
다른 측면에 따르면,
기판을 준비하는 단계;
기판 상에 표시부를 형성하는 단계;
상기 표시부를 덮고, 유기막 및 무기막이 상기 표시부로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함(여기서, 상기 n은 1 이상의 정수임)한 봉지층을 형성하는 단계;
상기 봉지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 봉지 단위의 유기막은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
상기 버퍼층은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
상기 제1광경화성 모노머 및 상기 제2광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함하고,
상기 제3광경화성 모노머는 상기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 화합물 중에서 선택된, 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 표시 장치는 봉지층에 대한 접착력이 향상된 버퍼층을 포함하므로, 터치 스크린층 형성 전 봉지층과 버퍼층의 분리가 일어나지 않아 제조 공정의 단순화 및 제조 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 표시 장치 중 표시부 및 봉지층의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 표시 장치 중 터치 스크린층의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 A 부분을 확대하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
각 구성요소의 설명에 있어서, 상(on)에 또는 하(under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(on)과 하(under)는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, 상(on) 및 하(under)에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 구현예를 따르는 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 표시 장치 중 표시부 및 봉지층의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 일 구현예를 따르는 표시 장치(10)는 기판(100), 상기 기판 상의 표시부(200), 상기 표시부를 덮는 봉지층(300); 상기 봉지층 상의 터치 스크린층(500); 및 상기 봉지층과 상기 터치 스크린층 사이에 개재된 버퍼층(400);을 포함한다. 상기 버퍼층(400)은 상기 터치 스크린층(500)과 직접 접촉할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 표시 장치(10)는 상기 터치 스크린층 상에 커버층(600)을 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 가요성을 갖는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 표시 장치(10)가 화상이 기판(100) 방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성되어야 한다. 그러나, 표시 장치(10)가 화상이 박막 봉지층(300) 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에는, 기판(100)이 투명한 재질로 형성될 필요가 없으며, 이때 기판(100)은 가요성을 갖는 불투명한 금속으로 형성될 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)은 금속 포일로 형성될 수도 있다.
표시부(200)는 기판(100) 상에 형성되며, 화상을 구현하는 역할을 한다. 일 구현예에 따르면, 표시부(200)는 박막 트랜지스터(200a) 및 유기 발광 소자(200b)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 이하, 도 2를 참조하여 상기 표시부(200)의 일 구현예의 구조를 설명한다.
기판(100) 상에는 보호층(212)이 형성될 수 있다. 보호층(212)은 기판(100)을 통한 불순물의 침투를 방지하며 기판(100) 상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로, 보호층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물 또는, 폴리이미드, 폴리에스테르 또는 아크릴 등의 유기물을 포함할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수도 있다.
보호층(212) 상에는 박막 트랜지스터(200a)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(200a)는 활성층(221), 게이트 전극(222), 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 포함할 수 있다.
활성층(221)은 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 또한, 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다.
활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(200a)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 전극(223) 및 게이트 전극(222)과 드레인 전극(224) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다.
소스 전극(223)과 드레인 전극(224)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(200a)를 예시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(200a)는 유기 발광 소자(200b)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(200b)를 구동하기 위한 신호를 유기 발광 소자(200b)에 인가한다. 박막 트랜지스터(200a)는 평탄화막(215)으로 덮여 보호될 수 있다.
평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막은 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함할 수 있고, 유기 절연막은 폴리(메틸메타크릴레이트)(PMMA), 폴리스트렌(PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
평탄화막(215) 상에는 유기 발광 소자(200b)가 형성될 수 있다. 유기 발광 소자(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 드레인 전극(224)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 혼합물 등으로 형성된 반사막과, 상기 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 산화인듐주석(ITO; indium tin oxide), 산화인듐아연(IZO; indium zinc oxide), 산화아연(ZnO; zinc oxide), 산화인듐(In2O3; indium oxide), 산화인듐갈륨(IGO; indium gallium oxide) 또는 산화알루미늄아연(AZO; aluminum zinc oxide)을 포함할 수 있다.
화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 상기 표시부(200)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 표시부(200)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조시클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
대향 전극(233) 상에는 봉지층(300)이 형성된다. 봉지층(300)은 표시부(200)를 전체적으로 덮도록 형성되어, 외부의 습기 및 산소가 표시부(200)로 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(300)은 표시부(200)의 면적 보다 넓은 면적으로 형성되어 그 가장자리가 모두 기판(100)과 접하도록 형성될 수 있고, 이에 의해 외기의 침투를 더욱 견고히 차단할 수 있다.
봉지층(300)은 유기막 및 무기막이 상기 표시부(200)로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수이다. 도 2에서 봉지 단위를 2개 포함하는 경우로서 2개의 무기막(320, 340)과 2개의 유기막(310, 330)을 포함하는 봉지층을 나타내고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 봉지층(300)은 상기 표시부(200)로부터 차례로 적층되어 있는 복수 개의 유기막 및 복수 개의 무기막을 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 표시 장치(10)는 상기 봉지층과 상기 표시부 사이에 개재된 하부 무기막(미도시)을 더 포함할 수 있다.
무기막(320, 340)은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기막(320, 340)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산화질화물(SiON) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
한편, 무기막(320, 340)은 유기막(310, 330) 보다 더 크게 형성될 수 있다. 따라서, 유기막(310, 330)의 가장자리 외측에서 무기막(320, 340)은 서로 접할 수 있고, 이에 의해 외부의 산소 또는 수분의 침투를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 무기막(320, 340)의 두께는 100Å 내지 5000Å, 예를 들면, 500Å 내지 3000Å일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 무기막(320, 340)의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 봉지층(300)은 우수한 밀봉 특성을 제공할 수 있다.
유기막(310, 330)은 화소 정의막(216)에 의한 단차를 평탄화하며, 무기 봉지막(320)에 발생한 스트레스를 완화시킬 수 있다. 또한, 무기막(320) 상에 입자 등이 존재하더라도 이를 평탄하게 덮을 수 있다.
상기 유기막(310, 330)의 두께는, 100Å 내지 50000Å, 예를 들면, 1000Å 내지 10000Å일 수 있다. 상기 유기막의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 유기막(310, 330) 하부는 효과적으로 평탄화될 수 있다. 유기막이 2 이상 존재하는 경우, 2 이상의 유기막의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 도 2에 나타낸 바와 같이 유기막(310, 330)의 두께는 무기막(320, 340)의 두께보다 클 수 있다.
유기막(310, 330)은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기막(310, 330)은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물을 노광시켜 형성된 고분자를 포함할 수 있다.
상기 제1광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 광경화성 모노머는 1개 이상의 광경화성 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 작용기는 비닐기, 아크릴레이트기, 에폭시기 및 메타크릴레이트기 중에 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 제1광경화성 모노머는 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 헵탄디올 디(메트)아크릴레이트, 옥탄디올 디(메트)아크릴레이트, 노난디올 디(메트)아크릴레이트, 데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 및 이들의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 유기막 형성용 조성물은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제는 상술한 바와 같은 유기막 형성용 조성물의 경화 반응을 개시하는 역할을 하는 공지의 물질 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 광개시제는 벤조페논계 화합물, 옥심계 화합물 및 포스핀 옥사이드계 화합물 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 벤조페논계 화합물로는 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1-propanone), 알파-디메톡시-알파-페닐아세토페논(alpha-dimethoxy- alpha-phenylacetophenone), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-몰폴리닐)페닐]-1-부타논(2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4- (4-morpholinyl) phenyl]-1-butanone), 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-(4-몰폴리닐)-1-프로파논(2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl] -2-(4-morpholinyl)-1-propanone) 등을 들 수 있다.
상기 옥심계 화합물로는 (하이드록시이미노)사이클로헥산((hydroxyimino)cyclohexane), 1-[4-(페닐티오)페닐]-옥탄-1,2-디온-2-(O-벤조일록심(1-[4-(phenylthio)phenyl]-octane-1,2-dione-2-(O-benzoyloxime)), 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카바졸-3-일]-에탄온-1-(O-아세틸록심)(1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-ethanone-1-(O-acetyloxime)), 트리클로로메틸-트리아진 유도체(trichloromethyl-triazine derivatives), 4-(4-메톡시스티릴)-2,6-트리클로로메틸-1,3,5-트리아진(4-(4-methoxystyryl)-2,6-trichloromethyl-1,3,5-triazine), 4-(4-메톡시페닐)-2,6-트리클로로메틸-1,3,5-트리아진(4-(4-methoxyphenyl)-2,6-trichloromethyl-1,3,5-triazine), α-아미노케톤(1-(4-모폴리노페닐)-2-디메틸아미노-2-벤질-부탄-1-원(α-aminoketone (1-(4-morpholinophenyl)-2-dimethylamino-2-benzyl-butan-1-one) 등을 들 수 있다.
상기 포스핀옥사이드계 화합물로는 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드(diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide, TPO), 페닐 비스(2,4,6-트리메틸 벤조일) 포스핀 옥사이드(phenyl bis(2,4,6-trimethyl benzoyl) phosphine oxide, BAPO) 등을 들 수 있다.
상기 광개시제의 함량은, 상기 제1광경화성 모노머의 경화 반응을 개시할 수 있는 통상의 범위 내에서 선택될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 봉지층(300) 상에는 버퍼층(400)이 형성된다. 상기 버퍼층(400)은 봉지층(300)과 마찬가지로 외부의 습기 및 산소가 표시부(200)로 침투하는 것을 방지하는 역할을 함과 동시에, 대향 전극(233)과 터치 스크린층(500) 사이에 일정한 거리를 부여하여 터치의 감도를 향상시키는 역할을 한다.
버퍼층(400)은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 제2광경화성 모노머 및 상기 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물을 노광시켜 형성된 고분자를 포함할 수 있다.
상기 제2광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함한다. 일 구현예에 따르면, 상기 제2광경화성 모노머는 4개 이상의 광경화성 작용기를 포함할 수 있다. 4개 이상의 광경화성 작용기를 포함하는 제2광경화성 모노머를 포함하는 버퍼층 형성용 조성물을 사용하여 버퍼층(400)을 형성하는 경우, 대기압 하의 주위 조건에서 상기 버퍼층 형성용 조성물을 노광에 의하여 경화시키는 것이 가능하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 광경화성 작용기는 비닐기, 아크릴레이트기, 에폭시기 및 메타크릴레이트기 중에 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 제2광경화성 모노머는 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 및 이들의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1광경화성 모노머와 상기 제2광경화성 모노머는 서로 상이할 수 있다.
상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 화합물 중에서 선택될 수 있다:
<화학식 1A>
Figure 112015126445327-pat00006
<화학식 1B>
Figure 112015126445327-pat00007
<화학식 1C>
Figure 112015126445327-pat00008
<화학식 2>
Figure 112015126445327-pat00009
<화학식 3>
Figure 112015126445327-pat00010
상기 화학식 1A 내지 1C, 2 및 3 중,
R1 내지 R10, R22 내지 R24, 및 R31 내지 R33은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹(substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group), 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(substituted or unsubstituted moonovalent non-aromatic hetero-condensed polycyclic group) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, R1 내지 R10은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기; 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1A 중, R1 내지 R3 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 그룹 및 상기 화학식 3로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 화학식 1B 중, R4 내지 R7 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 그룹 및 상기 화학식 3로 표시되는 그룹 중에서 선택되고,
상기 화학식 1C 중, R8 내지 R10 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 그룹 및 상기 화학식 3로 표시되는 그룹 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, R22 내지 R24 및 R31 내지 R33는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2 중 L21은 *-R21O-*', 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고,
R21은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기일 수 있다.
일 구현예에 따르면, L21은 서로 독립적으로, *-R21O-*' 및 C1-C10알킬렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬렌기 중에서 선택되고,
R21은 C1-C10알킬렌기일 수 있다.
상기 화학식 2 중 a21은 0 내지 3의 정수에서 선택될 수 있다. a21은 상기 화학식 2 중 L21의 개수를 나타낸 것으로서, a가 0일 경우, *-(L21)a21-*'은 단일 결합이 된다. 일 구현예에 따르면, a21은 0 또는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식들 중 * 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
일 구현예에 따르면, 상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A-1, 1A-2, 1B-1, 1B-2 및 1C-1 중 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 1A-1>
Figure 112015126445327-pat00011
<화학식 1A-2>
Figure 112015126445327-pat00012
<화학식 1B-1>
Figure 112015126445327-pat00013
<화학식 1B-2>
Figure 112015126445327-pat00014
<화학식 1C-1>
Figure 112015126445327-pat00015
상기 화학식들 중,
L21, a21, R1, R2, R4, R5, R7, R8, R10, R22 내지 R24 및 R31 내지 R33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
L21a 및 L21b에 대한 설명은 본 명세서 중 L21에 대한 설명과 동일하고, a21a 및 a21b에 대한 설명은 본 명세서 중 a21에 대한 설명과 동일하고,
R22a 및 R22b에 대한 설명은 본 명세서 중 R22에 대한 설명과 동일하고,
R23a 및 R23b에 대한 설명은 본 명세서 중 R23에 대한 설명과 동일하고,
R24a 및 R24b에 대한 설명은 본 명세서 중 R24에 대한 설명과 동일하다.
상기 제3광경화성 모노머는 하기 화합물 1 내지 6 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112015126445327-pat00016
상기 제3광경화성 모노머는 공지의 유기 합성 방법을 이용하여 통상의 기술자가 용이하게 합성할 수 있다.
상기 제3광경화성 모노머는 상기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 모어이티 중 하나를 반드시 포함한다. 상기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 모이어티는 포스페이트계, 실란계 또는 카르복실계 모이어티로서 경화물의 접착력을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 상기 제3광경화성 모노머는 상기 화학식 2 또는 3로 표시되는 모이어티 중 하나를 반드시 포함한다. 상기 화학식 2 또는 3로 표시되는 모이어티는 광경화성 작용기로서 노광에 의하여 가교 결합을 형성하는 역할을 한다.
따라서, 상기 제3광경화성 모노머를 포함하는 버퍼층 형성용 조성물은 노광에 의해 가교 결합을 형성하여 버퍼층을 형성할 수 있음과 동시에, 봉지층에 대한 접착력을 향상시킬 수 있다.
상기 봉지 단위의 유기막(310, 330)이 제3광경화성 모노머를 포함하는 조성물의 경화물을 포함하는 경우, 유기막 형성시 가스가 발생하여 제작이 용이하지 않으며, 발생된 가스가 표시부에 영향을 미쳐 표시 장치의 수명을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(400)이 제2광경화성 모노머만을 포함하는 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하는 경우, 봉지층에 대한 접착력이 크게 감소하여 버퍼층(400)과 봉지층(300)의 분리가 일어날 수 있다.
상기 버퍼층 형성용 조성물은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제의 함량은, 상기 제2광경화성 모노머 및 상기 제3광경화성 모노머의 경화 반응을 개시할 수 있는 통상의 범위 내에서 선택될 수 있다. 상기 광개시제의 종류는 본 명세세에 기재된 바를 참조한다.
버퍼층(400) 상에는 터치 스크린층(500)이 형성된다. 일 구현예에 따르면, 상기 터치 스크린층(500) 상에는 상기 터치 스크린층(500)을 보호하는 커버층(600)이 형성될 수 있다.
터치 스크린층(500)은 일 예로 정전 용량 방식으로, 커버층(600)의 터치시 터치 스크린층(500)의 감지 패턴들(510, 520: 도 3 참조)과 대향 전극(233) 사이에 정전 용량의 변화가 발생하고, 이를 감지함으로써 해당 부분의 접촉 여부를 판단할 수 있다. 이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 터치 스크린층(500)의 일 구현예의 구조를 설명한다.
도 3은 도 1의 표시 장치 중 터치 스크린층의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 A 부분을 확대하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 터치 스크린층(500)은, 제1 방향으로 배열된 복수의 제1 감지패턴(510)들, 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 배열된 복수의 제2 감지패턴(520)들, 및 상기 복수의 제1감지 패턴(510)들 및 상기 복수의 제2감지 패턴(520)들과 전기적으로 연결된 패드부(550)를 포함할 수 있다. 복수의 제1감지 패턴(510)들과 패드부(550)는 제1 연결부(530)들에 의해 연결되고, 복수의 제2감지 패턴(520)들과 패드부(550)는 제2 연결부(540)들에 의해 연결될 수 있다.
복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 서로 전기적으로 절연 상태이며, 복수의 제2감지 패턴(520)들과 복수의 제1감지 패턴(510)들은 서로 교차하도록 배열될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 복수의 제2감지 패턴(520)들이 배열된 제2 방향은 복수의 제1감지 패턴(510)들이 배열된 제1 방향과 수직한 방향일 수 있다.
복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 대향 전극(233; 도 2 참조)과 함께 하나의 커패시터(capacitor)를 형성하게 된다. 이때 사용자가 커버층(600; 도 1 참조)을 터치하면 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 외부의 터치 입력 수단과 또 하나의 커패시터(capacitor)를 형성하게 된다. 즉, 터치에 의해 두 개의 커패시터들이 직렬로 연결된 상태가 됨으로써, 정전용량의 변화가 발생하고, 정전 용량의 변화가 발생한 위치 및 변화의 크기를 감지하여 터치 패널 기능을 구현할 수 있다.
복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들 각각은, 그물망 패턴을 형성하는 금속 배선(512)들을 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 격자 패턴으로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 상기 그물망 패턴은 배선(512)들에 의해 형성되는 삼각형, 다각형 등의 다양한 형상이 반복되어 형성될 수 있다.
금속 배선(512)들은 전도성이 우수한 구리, 알루미늄, 몰리브덴 및 은 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 베이스 필름(501)은 무기물로 형성되며, 일 구현예에 따르면, 박막 봉지층(400; 도 1 참조) 상에 증착 등에 의해 형성될 수 있다.
이와 같이 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들이 격자 패턴으로 형성되면, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들의 가요성이 증가하며, 이에 따라 터치 스크린층(500)이 작은 곡률을 가지도록 휘어지더라도 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들에 크랙 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 격자 패턴에 의해 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 우수한 광 투과도를 가질 수 있으므로, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 ITO 등과 같은 투광성 전극 대신 전도성이 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 따라서, 터치 위치에 따른 정전용량의 변화가 신속하게 구동회로 측으로 전달되어, 터치 스크린층(500)의 응답 속도가 향상될 수 있다.
베이스 필름(501)은 봉지층(300; 도 1 참조) 상에 증착 등에 의해 직접 형성되고, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들도 베이스 필름(501) 상에 직접 형성되므로, 봉지층(300; 도 1 참조)에 터치 스크린층(400)을 부착하기 위한 접착층을 필요로 하지 않는다. 따라서, 표시 장치(10; 도 1 참조)의 두께가 감소하여, 표시 장치(10)의 가요성이 향상될 수 있다.
한편, 금속 배선(512)들은 각각 동일한 패턴을 가지고, 서로 전기적으로 연결된 제1층(513)과 제2층(514)을 포함할 수 있다. 제1층(513)과 제2층(514)은 중간층(515)에 의해 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들의 저항이 감소하여, 터치 스크린층(500)의 응답 속도가 향상될 수 있다.
복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들은 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이때, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들의 교차 영역에서, 복수의 제1감지 패턴(510)들은 제1 층(513)(또는 제2층(514))에 의해 서로 연결되고, 복수의 제2감지 패턴(520)들은 제2층(514)(또는 제1층(513))에 의해 서로 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 방향을 따라 배치된 이웃하는 한 쌍의 제1감지 패턴(510)들이 제1층(512)에 의해 연결될 때, 상기 한 쌍의 제1감지 패턴(410)들 사이의 제2층(514)은 제거된 상태일 수 있다. 동시에, 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치된 이웃하는 한 쌍의 제2감지 패턴(520)들은 제2층(514)에 의해 연결되며, 상기 한 쌍의 제2감지 패턴(520)들 사이의 제1층(513)은 제거된 상태일 수 있다.
따라서, 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들의 교차 영역에서, 이웃하는 복수의 제1감지 패턴(510)들 또는 이웃하는 복수의 제2감지 패턴(520)들을 우회하여 연결하기 위한 브리지 전극을 따로 형성하지 않아도 되므로, 터치 스크린층(400)의 제조 공정이 단순화될 수 있다.
터치 스크린층(500)은 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들을 덮는 절연층(517)을 포함한다. 절연층(517)은 복수의 제1감지 패턴(510)들과 복수의 제2감지 패턴(520)들을 서로 절연시키고, 이들이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 절연층(517)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있다.
절연층(517)은 제1층(513)을 덮는 제1절연층(518)과 제2층(514)을 덮는 제2절연층(519)을 포함할 수 있다. 제1절연층(518)에는 비아홀이 형성될 수 있으며, 비아홀에는 제1층(513)과 제2층(514)을 전기적으로 연결하는 중간층(515)이 형성될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 제1절연층(518)과 제2절연층(519)은 무기물로 형성될 수 있다. 이에 의해, 절연층(517)은 무기물로 형성되는 베이스 필름(501)과 함께 금속 배선(512)들을 밀봉함으로써, 외부의 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 무기물은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 제1절연층(518)과 제2절연층(519)은 유기물로 형성될 수 있고, 이에 의해 절연층(517)의 가요성이 더욱 향상될 수 있다. 유기물은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 예로, 제1절연층(518)은 무기물로 형성되고, 상부의 제2절연층(519)은 유기물로 형성될 수 있다. 따라서, 무기물로 형성되는 베이스 필름(501)과 절연층(517) 간의 접합력이 우수할 수 있으며, 절연층(517)의 가요성을 향상시킬 수 있다.
상기 터치 스크린층(500) 상에 형성된 커버층(600)은 가요성을 갖는 것으로서, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 아크릴레이트(Acrylate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylen terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylen naphthalate) 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 커버층(500)은 금속재 등 다양한 재료로 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는, SUS(Steel Use Stainless)와 같은 얇은 금속 포일을 이용할 수도 있다.
이하, 상기 표시 장치(10)의 제조 방법을 설명한다.
상기 표시 장치의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 기판 상에 표시부를 형성하는 단계; 상기 표시부를 덮고, 유기막 및 무기막이 상기 표시부로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함(여기서, 상기 n은 1 이상의 정수임)한 봉지층을 형성하는 단계; 상기 봉지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 봉지 단위의 유기막은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 버퍼층은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 제1광경화성 모노머, 상기 제2광경화성 모노머 및 상기 제3광경화성 모노머에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 기판 상에 표시부를 형성하는 단계는 공지의 방법을 이용하여 수행될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 봉지층을 형성하는 단계는 상기 유기막 형성용 조성물을 상기 표시부 상의 유기막을 형성하고자 하는 영역에 제공하는 단계; 및 상기 유기막 형성용 조성물을 노광시켜 유기막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 유기막 형성용 조성물을 상기 표시부 상의 유기막을 형성하고자 하는 영역에 제공하는 단계는 스크린 프린팅(screen printing)법, 플래쉬 증착법(Flash evaporation), 스핀 코팅법, 딥 코팅법 또는 잉크젯 프린팅법 등과 같은 공지의 방법에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기막 형성용 조성물을 노광시켜 유기막을 형성하는 단계는 자외선 경화, 적외선 경화, 레이저 경화 등의 공지의 방법을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기막 형성용 조성물 및 상기 유기막의 두께에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
일 구현예에 따르면, 상기 봉지층을 형성하는 단계는 상기 유기막 상에 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 무기막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 무기막의 재료 및 두께는 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 터치 스크린층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층 상에 복수의 제1 감지 패턴 및 복수의 제2 감지 패턴을 형성하는 단계 및 상기 복수의 제1 감지 패턴과 복수의 제2 감지 패턴 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 터치 스크린층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층 상에 금속 배선을 패터닝하는 단계 및 상기 금속 배선 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 금속 배선들은 상기 버퍼층 상에 프린팅 또는 임프린팅 하여 형성할 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 금속 배선들은 상기 버퍼층 상에 금속 물질을 증착한 후, 이를 에칭하여 패터닝함으로써 형성할 수도 있다.
상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하기 전, 상기 버퍼층 상에 보호 필름을 제공하는 단계; 및 상기 보호 필름을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 봉지층 상에 상기 버퍼층을 형성한 후, 상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하기 전에 외부의 습기 및 산소가 버퍼층 및 봉지층에 침투하는 것을 방지하기 위해 상기 버퍼층 상에 보호 필름을 제공할 수 있다.
이후, 상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하기 위하여 상기 보호 필름은 제거될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하여 봉지층에 대한 접착력이 우수하므로, 상기 보호 필름이 제거될 때 버퍼층과 봉지층이 분리되지 않는다. 따라서, 별도의 추가 공정 없이, 터치 스크린 형성 공정 및 이후 공정을 진행할 수 있으므로 공정의 단순화 및 제조 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제조 방법은 상기 터치 스크린층 상에 커버층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-히드로퓨라닐기, 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 2 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
이상에서는 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
100: 기판
200: 표시부
300: 봉지층
400: 버퍼층
500: 터치 스크린층
600: 커버층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 표시부;
    상기 표시부를 덮는 봉지층;
    상기 봉지층 상의 터치 스크린층; 및
    상기 봉지층과 상기 터치 스크린층 사이에 개재된 버퍼층;을 포함하고,
    상기 봉지층은 유기막 및 무기막이 상기 표시부로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함하되, 상기 n은 1 이상의 정수이고,
    상기 봉지 단위의 유기막은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 버퍼층은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 제1광경화성 모노머 및 상기 제2광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함하고,
    상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 화합물 중에서 선택된, 표시 장치:
    <화학식 1A>
    Figure 112022059378516-pat00017

    <화학식 1B>
    Figure 112022059378516-pat00018

    <화학식 1C>
    Figure 112022059378516-pat00019

    <화학식 2>
    Figure 112022059378516-pat00020

    <화학식 3>
    Figure 112022059378516-pat00021

    상기 화학식 1A 내지 1C, 2 및 3 중,
    R1 내지 R10, R22 내지 R24, 및 R31 내지 R33은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹(substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group), 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(substituted or unsubstituted moonovalent non-aromatic hetero-condensed polycyclic group) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고;
    L21은 *-R21O-*', 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고,
    R21은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기이고,
    a21은 0 내지 3의 정수에서 선택되되,
    R1 내지 R3 중 하나 이상이 상기 화학식 2로 표시되는 그룹을 포함하는 경우, 상기 a21은 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
    * 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
    상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1광경화성 모노머는 1개 이상의 광경화성 작용기를 포함하고,
    상기 제2광경화성 모노머는 4개 이상의 광경화성 작용기를 포함한, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1광경화성 모노머는 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 헵탄디올 디(메트)아크릴레이트, 옥탄디올 디(메트)아크릴레이트, 노난디올 디(메트)아크릴레이트, 데칸디올 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 및 이들의 조합 중에서 선택된, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2광경화성 모노머는 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 및 이들의 조합 중에서 선택된, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    R1 내지 R10은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기 및 C1-C60알콕시기; 중에서 선택된, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    R22 내지 R24 및 R31 내지 R33는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기; 중에서 선택된, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    L21은 서로 독립적으로, *-R21O-*' 및 C1-C10알킬렌기; 및
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염 및 C1-C60알킬기 중 적어도 하나로 치환된, C1-C10알킬렌기 중에서 선택되고,
    R21은 C1-C10알킬렌기인, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A-1, 1A-2, 1B-1, 1B-2 및 1C-1 중 하나로 표시되는, 표시 장치:
    <화학식 1A-1>
    Figure 112015126445327-pat00022

    <화학식 1A-2>
    Figure 112015126445327-pat00023

    <화학식 1B-1>
    Figure 112015126445327-pat00024

    <화학식 1B-2>
    Figure 112015126445327-pat00025

    <화학식 1C-1>
    Figure 112015126445327-pat00026

    상기 화학식들 중,
    L21, a21, R1, R2, R4, R5, R7, R8, R10, R22 내지 R24 및 R31 내지 R33에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 동일하고,
    L21a 및 L21b에 대한 설명은 제1항 중 L21에 대한 설명과 동일하고, a21a 및 a21b에 대한 설명은 제1항 중 a21에 대한 설명과 동일하고,
    R22a 및 R22b에 대한 설명은 제1항 중 R22에 대한 설명과 동일하고,
    R23a 및 R23b에 대한 설명은 제1항 중 R23에 대한 설명과 동일하고,
    R24a 및 R24b에 대한 설명은 제1항 중 R24에 대한 설명과 동일하다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제3광경화성 모노머는 하기 화합물 1 내지 6 중에서 선택된, 표시 장치:
    Figure 112015126445327-pat00027
  10. 제1항에 있어서,
    상기 무기막은 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 산화질화물, 금속 탄화물 또는 이들의 조합을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 터치 스크린층은 복수의 제1 감지 패턴, 복수의 제2 감지 패턴 및 상기 복수의 제1 감지 패턴과 복수의 제2 감지 패턴을 덮는 절연층을 포함한, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 제1 감지 패턴 및 복수의 제2 감지 패턴은 서로 독립적으로, 금속 배선을 포함한, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 터치 스크린층 상에 커버층을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 표시부는 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는, 표시 장치.
  15. 기판을 준비하는 단계;
    기판 상에 표시부를 형성하는 단계;
    상기 표시부를 덮고, 유기막 및 무기막이 상기 표시부로부터 차례로 적층되어 있는 봉지 단위(sealing unit)를 n개 포함(여기서, 상기 n은 1 이상의 정수임)한 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 봉지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 봉지 단위의 유기막은 제1광경화성 모노머를 포함한 유기막 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 버퍼층은 제2광경화성 모노머 및 제3광경화성 모노머를 포함한 버퍼층 형성용 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 제1광경화성 모노머 및 상기 제2광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 포함하고,
    상기 제3광경화성 모노머는 하기 화학식 1A 내지 1C로 표시되는 화합물 중에서 선택된, 표시 장치의 제조 방법:
    <화학식 1A>
    Figure 112022059378516-pat00028

    <화학식 1B>
    Figure 112022059378516-pat00029

    <화학식 1C>
    Figure 112022059378516-pat00030

    <화학식 2>
    Figure 112022059378516-pat00031

    <화학식 3>
    Figure 112022059378516-pat00032

    상기 화학식 1A 내지 1C, 2 및 3 중,
    R1 내지 R10, R22 내지 R24, 및 R31 내지 R33은 서로 독립적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 그룹, 상기 화학식 3로 표시되는 그룹, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹(substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group), 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(substituted or unsubstituted moonovalent non-aromatic hetero-condensed polycyclic group) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3) 중에서 선택되고;
    L21은 *-R21O-*', 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기 및 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고,
    R21은 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기이고,
    a21은 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수에서 선택되되,
    R1 내지 R3 중 하나 이상이 상기 화학식 2로 표시되는 그룹을 포함하는 경우, 상기 a21은 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
    * 및 *'는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고,
    상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    상기 Q1 내지 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 봉지층을 형성하는 단계는 상기 유기막 형성용 조성물을 상기 표시부 상의 유기막을 형성하고자 하는 영역에 제공하는 단계; 및 상기 유기막 형성용 조성물을 노광시켜 유기막을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 봉지층을 형성하는 단계는 상기 유기막 상에 산소 가스 또는 산소 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링법(reactive sputtering) 또는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 무기막을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 봉지층 상에 상기 버퍼층 형성용 조성물을 제공하는 단계; 및 상기 버퍼층 형성용 조성물을 노광시켜 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 터치 스크린층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층 상에 복수의 제1 감지 패턴 및 복수의 제2 감지 패턴을 형성하는 단계 및 상기 복수의 제1 감지 패턴과 복수의 제2 감지 패턴 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 버퍼층 상에 터치 스크린층을 형성하기 전, 상기 버퍼층 상에 보호 필름을 제공하는 단계; 및 상기 보호 필름을 제거하는 단계를 더 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017152256A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102600474B1 (ko) * 2016-03-10 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6827332B2 (ja) * 2017-02-01 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
EP3537493B1 (en) * 2018-03-09 2024-07-31 Samsung Display Co., Ltd Electronic apparatus
KR102544243B1 (ko) * 2018-04-06 2023-06-19 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102547399B1 (ko) 2018-03-09 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102587732B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102165742B1 (ko) * 2019-04-04 2020-10-14 주식회사 엔씨디 유기발광 표시장치 및 제조방법
CN113675356A (zh) * 2020-05-14 2021-11-19 Ncd有限公司 在薄膜封装体上形成触摸屏板的方法
KR102183409B1 (ko) * 2020-05-18 2020-11-26 주식회사 엔씨디 박막 인캡 상에 터치스크린 패널을 형성하는 방법
KR20220112346A (ko) 2021-02-03 2022-08-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107537A1 (ja) 2008-02-29 2009-09-03 株式会社カネカ 硬化性組成物
WO2012077806A1 (ja) 2010-12-10 2012-06-14 日立化成工業株式会社 光学用粘着材樹脂組成物、光学用粘着材シート、画像表示装置、光学用粘着材シートの製造方法及び画像表示装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104066576A (zh) * 2011-11-04 2014-09-24 琳得科株式会社 阻气膜及其制造方法、阻气膜层叠体、电子装置用构件、以及电子装置
KR101963810B1 (ko) 2012-08-22 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140074090A (ko) 2012-12-07 2014-06-17 제일모직주식회사 광경화 조성물 및 상기 조성물로 형성된 장벽층을 포함하는 봉지화된 장치
KR101580351B1 (ko) 2012-12-12 2015-12-23 제일모직주식회사 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
KR102245511B1 (ko) * 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101591142B1 (ko) 2013-03-22 2016-02-02 제일모직주식회사 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
KR102046426B1 (ko) 2013-07-12 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101758420B1 (ko) * 2013-11-28 2017-07-14 제일모직주식회사 점착제 조성물, 이로부터 형성된 점착 필름 및 이를 포함하는 광학표시장치
KR102132697B1 (ko) * 2013-12-05 2020-07-10 엘지디스플레이 주식회사 휘어진 디스플레이 장치
KR20150092509A (ko) * 2014-02-05 2015-08-13 도레이첨단소재 주식회사 정전용량 방식의 터치패널용 유전 점착필름
KR102278334B1 (ko) * 2014-10-01 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009107537A1 (ja) 2008-02-29 2009-09-03 株式会社カネカ 硬化性組成物
WO2012077806A1 (ja) 2010-12-10 2012-06-14 日立化成工業株式会社 光学用粘着材樹脂組成物、光学用粘着材シート、画像表示装置、光学用粘着材シートの製造方法及び画像表示装置の製造方法

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