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KR102467214B1 - 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR102467214B1
KR102467214B1 KR1020150129480A KR20150129480A KR102467214B1 KR 102467214 B1 KR102467214 B1 KR 102467214B1 KR 1020150129480 A KR1020150129480 A KR 1020150129480A KR 20150129480 A KR20150129480 A KR 20150129480A KR 102467214 B1 KR102467214 B1 KR 102467214B1
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light emitting
organic light
bank
electrode
metal oxide
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박홍기
배효대
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엘지디스플레이 주식회사
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    • H01L27/3225
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    • H01L51/5012
    • H01L2227/32

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기발광층의 두께 균일성(uniformity)을 높여 표시품질을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법을 제공하기 위하여, 화소영역을 포함하는 기판과, 기판 상의 화소영역에 배치되는 제1전극과, 제1전극 가장자리를 덮으며 기판 상의 화소영역 경계부에 배치되는 뱅크와, 제1전극 상부 및 뱅크 측면에 배치되는 전이금속산화물패턴을 포함하고, 뱅크 상부면은 소수성을 갖는 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법{Organic light emitting diode display device and manufacturing method for the same}
본 발명은 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 표시품질을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
현재, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기발광다이오드표시장치(Organic light emitting diode display device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드표시장치는 자발광소자로서, 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 유기발광다이오드표시장치를 도시한 단면도로서 뱅크의 소수성화 과정을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 뱅크의 소수성화 과정 이후 유기발광다이오드표시장치를 도시한 도면이고, 도 3은 도2의 유기발광다이오드표시장치의 화소영역에 유기발광층이 형성된 모습을 도시한 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 종래의 유기발광다이오드표시장치는 화소영역(P)을 포함하는 기판(11)과, 기판(11) 상의 화소영역(P)에 배치되는 제1전극(5)과, 제1전극(5) 가장자리를 덮으며 제1기판(11) 상의 화소영역(P) 경계부에 배치되는 제1뱅크(7)와, 제1뱅크(7) 가장자리를 노출하며 제1뱅크(7) 상부에 배치되는 제2뱅크(9)를 포함한다.
이하 도면을 참조하여 종래의 유기발광다이오드표시장치의 제조방법을 설명하겠다.
종래의 유기발광다이오드표시장치의 제조방법은 먼저, 기판(11) 상의 화소영역(P)에 제1전극(5)을 형성한다.
이 때, 제1전극(5)은 투명도전성물질 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등으로 이루어질 수 있다.
다음, 기판(11) 및 제1전극(5) 상부에 제1뱅크층(미도시)을 형성한 후, 제1뱅크층(미도시)을 패터닝하여 화소영역(P) 경계부에 제1뱅크(7)를 형성한다.
이 때, 제1뱅크층(미도시) 및 제1뱅크(7)는 무기물질 예를 들면 SiO2, SiNx 등으로 이루어질 수 있다.
다음, 제1전극(5) 및 제1뱅크(7) 상부에 제2뱅크층(미도시)을 형성한다.
이 때, 제2뱅크층(미도시)은 유기물질로 이루어질 수 있다.
다음, 제2뱅크층(미도시)을 패터닝하여 제1뱅크(7)의 가장자리를 노출시키며 제1뱅크(7) 상부에 제2뱅크(9)를 형성한다.
다음, 제1기판(11) 전면에 불소(F) 가스로 플로즈마 처리 하여, 제2뱅크(9) 전 표면(9a)이 소수성을 갖게 만든다.
다음, 화소영역(P)의 제1전극(5) 상부에 용액 공정(soluble process)으로 유기발광층(10a~10c)을 적층한다.
구체적으로, 각 화소영역(P)의 제1전극(5) 상부에 유기발광물질용액(미도시)을 각각 드롭핑(dropping)한다.
이 때, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 클수록 유기발광물질용액(미도시)은 화소영역(P) 전체에 골고루 퍼져 유기발광층(10a~10c)의 두께 균일성(uniformity)이 향상될 수 있다.
이러한 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성은 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력과, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 화소영역(P)에 배치된 제1전극(5)과 화소영역(P) 경계부에 배치된 제1 및 제2뱅크(7, 9)의 표면에너지에 의해 결정된다.
즉, 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력이 작을수록 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 좋아지고, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지가 클수록 퍼짐성이 좋아진다.
한편, 표면장력이 작은 유기발광물질용액(미도시)은 건조 과정에서 불균일하게 건조되어 유기발광층(10a~10c)의 두께 균일성(uniformity)을 저하시키기 때문에, 일반적으로 표면장력이 비교적 큰 유기발광물질용액(미도시)을 사용한다.
또한, 제1전극(5)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명도전성물질로 이루어지고, 제1뱅크(7)는 무기물질로 이루어지고, 제2뱅크(9)는 유기물질로 이루어지는데 불소(F) 가스를 이용한 플라즈마 처리를 통해 전 표면이 소수성을 띄게 된다.
이 때, 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지의 크기를 비교해 보면, 제2뱅크(9)의 전 표면(9a) < 제1전극(5) < 제1뱅크(7) 순이다.
이에 따라, 제2뱅크(9)의 전 표면(9a)은 가장 작은 표면에너지를 가짐으로써 각 화소영역(P)의 유기발광물질용액(9)이 서로 혼합되는 것을 방지하는 격벽 역할을 한다.
그러나, 제2뱅크(9) 상부면 뿐만 아니라 측면까지 가장 작은 표면에너지를 갖게 되어 제1뱅크(7)는 제2뱅크(9) 측면보다 더 높은 표면에너지를 갖게 되고, 제1뱅크(7)는 제1전극(5) 보다 더 높은 표면에너지를 갖기 때문에, 화소영역(P)의 제1전극(5) 상부에 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)은 제2뱅크(9) 측면과 제1전극(5) 사이에 위치한 제1뱅크(7)로 치우치게 된다.
이에 따라, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 건조 과정 후 각 화소영역(P)의 제1뱅크(7)에 볼록한 형상의 유기발광층(10a~10c)이 형성되어 유기발광다이오드표시장치의 표시품질이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명은 유기발광층의 두께 균일성(uniformity)을 높여 표시품질을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 화소영역을 포함하는 기판과, 기판 상의 화소영역에 배치되는 제1전극과, 제1전극 가장자리를 덮으며 기판 상의 화소영역 경계부에 배치되는 뱅크와, 제1전극 상부 및 뱅크 측면에 배치되는 전이금속산화물패턴을 포함하고, 뱅크 상부면은 소수성을 갖는 유기발광다이오드표시장치를 제공한다.
여기서, 전이금속산화물패턴은 WO3, MoO3 또는 VO3 중 어느 하나로 이루어지며, 뱅크는 유기물질로 이루어진다.
또한, 기판 상의 화소영역에 제1전극을 형성하는 단계와, 제1전극 가장자리를 덮으며 기판 상의 화소영역 경계부에 뱅크를 형성하는 단계와, 제1전극 상부 및 뱅크 전면에 전이금속산화물막을 형성하는 단계와, 전이금속산화물막을 패터닝하여 뱅크 상부면을 노출시키는 전이금속산화물패턴을 형성하는 단계와, 뱅크 상부면을 소수성화 하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 뱅크를 형성하는 단계 및 전이금속산화물막을 형성하는 단계 사이에 제1전극 상부면을 전처리하는 단계를 더 포함한다.
여기서, 뱅크 상부면을 소수성화 하는 단계는 불소(F)를 포함하는 가스를 이용하여 플라즈마 처리하는 단계이다.
본 발명은 화소영역(P)에 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액의 건조 과정 후, 뱅크 측면에 볼록한 형상의 유기발광층이 형성되는 것을 방지하여, 두께 균일성이 향상된 유기발광층을 형성함으로써 유기발광다이오드표시장치의 표시품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 유기발광다이오드표시장치를 도시한 단면도로서 뱅크의 소수성화 과정을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 뱅크의 소수성화 과정 이후 유기발광다이오드표시장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도2의 유기발광다이오드표시장치의 화소영역에 유기발광층이 형성된 모습을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치를 도시한 평면도이다.
도 5는 도4의 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도로서 화소영역에 유기발광층이 적층된 모습을 도시한 도면이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 단계별 제조 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치를 도시한 평면도이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 다수의 화소영역(P)과, 화소영역(P)에 배치된 제1전극(도 5의 105)과, 제1전극(도 5의 105) 상부에 배치되는 전이금속산화물패턴(108)과, 각 화소영역(P)을 둘러싸며 격자형태를 이루며, 그 상부 표면(107a)이 소수성을 갖는 뱅크(도 5의 107)를 포함한다.
도 5는 도4의 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도로서 화소영역에 유기발광층이 적층된 모습을 도시한 도면이다.
도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 화소영역(P)을 포함하는 기판(101)과, 기판(101) 상의 화소영역(P)에 배치되는 제1전극(105)과, 제1전극(105) 가장자리를 덮으며 기판(101) 상의 화소영역(P) 경계부에 배치되는 뱅크(107)를 포함한다.
구체적으로, 제1전극(105)은 투명도전성물질 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 뱅크(107)는 유기물질로 이루어질 수 있다.
특히, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치는 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 배치되는 전이금속산화물패턴(108)을 포함한다.
또한, 뱅크(107) 상부면은 불소(F)를 포함하는 가스 예를 들면, SF6 또는 CF4 가스를 이용한 플라즈마 처리를 통해 소수성을 갖게 된다.
이 때, 전이금속산화물패턴(108)은 전이금속산화물(Transition Metal Oxide: TMO) 예를 들면, WO3, MoO3 또는 VO3 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 및 전이금속산화물패턴(108) 상부에 유기발광층(110a~110c)이 배치된다.
여기서, 유기발광층(110a~110c)은 정공주입층(hole injection layer : HIL) 또는 정공수송층(hole transport layer : HTL)일 수 있다.
한편, 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 상부에 배치되는 전이금속산화물패턴(108)이 전이금속산화물(Transition Metal Oxide: TMO)로 이루어짐에 따라 유기발광층(110a~110c)의 정공주입층(hole injection layer : HIL) 역할을 수행할 수도 있다.
또한, 유기발광층(110a~110c)은 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 상부에 용액 공정(soluble process)으로 배치된다.
구체적으로, 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 상부에 유기발광물질용액(미도시)을 각각 드롭핑(dropping)한다.
이 때, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 클수록 유기발광물질용액(미도시)은 화소영역(P) 전체에 골고루 퍼져 유기발광층(110a~110c)의 두께 균일성(uniformity)이 향상될 수 있다.
이러한 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성은 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력과, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 화소영역(P)에 배치된 제1전극(105)과 화소영역(P) 경계부에 배치된 뱅크(107)의 표면에너지에 의해 결정된다.
즉, 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력이 작을수록 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 좋아지고, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지가 클수록 퍼짐성이 좋아진다.
한편, 표면장력이 작은 유기발광물질용액(미도시)은 건조 과정에서 불균일하게 건조되어 유기발광층(110a~110c)의 두께 균일성(uniformity)을 저하시키기 때문에, 일반적으로 표면장력이 비교적 큰 유기발광물질용액(미도시)을 사용한다.
따라서, 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력으로는 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성을 제어할 수 없고, 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 제1전극(105)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명도전성물질로 이루어지는데 제1전극(105) 상부에 전이금속산화물패턴(108)이 배치된다.
뱅크(107)는 유기물질로 이루어지는데 그 측면에 전이금속산화물패턴(108)이 배치되어 전이금속산화물패턴(108)에 의해 노출된 상부 표면(107a)만 소수성을 띄게 된다.
이 때, 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지는 뱅크(107)의 상부 표면(107a)이 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 배치된 전이금속산화물패턴(108)보다 작다.
이에 따라, 전이금속산화물패턴(108)보다 작은 표면에너지를 갖는 뱅크(107)의 상부 표면(107a)에 의해, 뱅크(107)는 각 화소영역(P)의 유기발광물질용액(9)이 서로 혼합되는 것을 방지하는 격벽 역할을 한다.
또한, 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 전이금속산화물패턴(108)이 배치됨으로써 동일한 표면에너지를 갖게 되어, 화소영역(P)의 제1전극(5) 상부에 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)이 뱅크(107) 측면으로 치우치는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 건조 과정 후 각 화소영역(P)의 뱅크(107) 측면에 볼록한 형상의 유기발광층(110a~110c)이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 각 화소영역(P)에 두께 균일성이 향상된 유기발광층(110a~110c)이 형성되어 유기발광다이오드표시장치의 표시품질을 향상시킬 수 있다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 단계별 제조 공정 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 제조방법은 제1전극(105)을 형성하는 단계와, 뱅크(107)를 형성하는 단계와, 전이금속산화물막(108a)을 형성하는 단계와, 전이금속산화물패턴(108)을 형성한는 단계와, 뱅크(107) 상부면을 소수성화 하는 단계를 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드표시장치의 제조방법을 구체적으로 설명하겠다.
먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 투명도전성물질층(미도시)을 형성하고, 투명도전성물질층(미도시)을 패터닝하여 각 화소영역(P)에 제1전극(105)을 형성한다.
이 때, 투명도전성물질층(미도시)은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등으로 이루어질 수 있다.
다음, 도 6b에 도시한 바와 같이, 제1전극(105) 상부를 포함한 기판(101) 전면에 유기물질로 이루어지는 뱅크층(미도시)을 형성하고, 뱅크층(미도시)을 패터닝하여 화소영역(P) 경계부에 제1전극(105) 가장자리를 덮으며 기판(101) 상의 화소영역(P) 경계부에 뱅크(107)를 형성한다.
한편, 뱅크층(미도시)을 패터닝하는 과정에서 뱅크층(미도시)을 이루는 유기물질이 일부 제1전극(105) 상부면에 남겨 질 수 있다.
이와 같이, 제1전극(105) 상부면에 남겨진 유기물질은 유기발광다이오드의 발광효율을 저하시킨다.
따라서, 뱅크층(미도시)을 패터닝한 이후 제1전극(105) 상부면에 남겨진 유기물질을 제거하는 전처리 과정을 진행하게 된다.
구체적으로, 기판(101) 전면에 플라즈마(Plasma) 또는 UVO(Ultra Violet Ozone) 등을 조사하여 제1전극(105) 상부에 남겨진 유기물질을 제거한다.
다음, 도 6c에 도시한 바와 같이, 전이금속산화물(Transition Metal Oxide: TMO) 예를 들면, WO3, MoO3 또는 VO3 중 어느 하나로 이루어진 전이금속산화물막(108a)을 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 전면에 형성한다.
이 때, 전이금속산화물막(108a)은 Thermal Evaporation, Sputter, CVD 또는 Solution Coating 등으로 형성할 수 있다.
다음, 도 6d에 도시한 바와 같이, 전이금속산화물막(108a)을 패터닝하여 뱅크(107) 상부면을 노출시키는 전이금속산화물패턴(108)을 형성한다. 즉, 전이금속산화물패턴(108)은 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 형성된다.
이 때, 제1전극(105) 상부에 배치되는 전이금속산화물패턴(108)은 전처리 과정 이후 제1전극(105) 남겨진 유기물질을 덮음으로써, 이후 전이금속산화물패턴(108) 상부에 드롭핑(dropping)되는 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성을 좋게 만들 수 있다.
다음, 도 6e 및 도 6f에 도시한 바와 같이, 불소(F)를 포함하는 가스 예를 들면, SF6 또는 CF4 가스를 이용한 플라즈마 처리를 통해 뱅크(107) 상부 면(107a)을 소수성화 시킨다.
이 때, 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면은 전이금속산화물패턴(108)이 배치되고, 전이금속산화물패턴(108)은 불소(F)를 포함하는 가스와의 반응성이 비교적 작기 때문에, 제1전극(105) 및 뱅크(107) 전면에 플라즈마 처리를 하더라도 뱅크(107) 상부 면(107a)에만 소수성을 띄게 할 수 있다.
다음, 도 6g에 도시한 바와 같이, 제1전극(105) 상부에 배치되는 전이금속산화물패턴(108) 상부에 유기발광층(110a~110c)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
이 때, 유기발광층(110a~110c)은 정공주입층(hole injection layer : HIL) 또는 정공수송층(hole transport layer : HTL)일 수 있으며, 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식, 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방식 또는 노즐 프린팅(nozzle printing) 방식을 포함한 용액 공정(soluble process)으로 형성된다.
한편, 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 상부에 배치되는 전이금속산화물패턴(108)이 전이금속산화물(Transition Metal Oxide: TMO)로 이루어짐에 따라 유기발광층(110a~110c)의 정공주입층(hole injection layer : HIL) 역할을 수행할 수도 있다.
구체적으로, 각 화소영역(P)의 제1전극(105) 상부에 유기발광물질용액(미도시)을 각각 드롭핑(dropping)한다.
이 때, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 클수록 유기발광물질용액(미도시)은 화소영역(P) 전체에 골고루 퍼져 유기발광층(110a~110c)의 두께 균일성(uniformity)이 향상될 수 있다.
이러한 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성은 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력과, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 화소영역(P)에 배치된 제1전극(105)과 화소영역(P) 경계부에 배치된 뱅크(107)의 표면에너지에 의해 결정된다.
즉, 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력이 작을수록 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성이 좋아지고, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지가 클수록 퍼짐성이 좋아진다.
한편, 표면장력이 작은 유기발광물질용액(미도시)은 건조 과정에서 불균일하게 건조되어 유기발광층(110a~110c)의 두께 균일성(uniformity)을 저하시키기 때문에, 일반적으로 표면장력이 비교적 큰 유기발광물질용액(미도시)을 사용한다.
따라서, 유기발광물질용액(미도시)의 표면장력으로는 유기발광물질용액(미도시)의 퍼짐성을 제어할 수 없고, 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 제1전극(105)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명도전성물질로 이루어지는데 제1전극(105) 상부에 전이금속산화물패턴(108)이 배치된다.
앞서 설명한 바와 같이, 뱅크(107)는 유기물질로 이루어지는데 그 측면에 전이금속산화물패턴(108)이 배치되어 전이금속산화물패턴(108)에 의해 노출된 상부 표면(107a)만 소수성을 띄게 된다.
이 때, 유기발광물질용액(미도시)과 접촉하는 면의 표면에너지는 뱅크(107)의 상부 표면(107a)이 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 배치된 전이금속산화물패턴(108)보다 작다.
이에 따라, 전이금속산화물패턴(108)보다 작은 표면에너지를 갖는 뱅크(107)의 상부 표면(107a)에 의해, 뱅크(107)는 각 화소영역(P)의 유기발광물질용액(9)이 서로 혼합되는 것을 방지하는 격벽 역할을 한다.
또한, 제1전극(105) 상부 및 뱅크(107) 측면에 전이금속산화물패턴(108)이 배치됨으로써 동일한 표면에너지를 갖게 되어, 화소영역(P)의 제1전극(5) 상부에 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)이 뱅크(107) 측면으로 치우치는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 드롭핑(dropping)된 유기발광물질용액(미도시)의 건조 과정 후 각 화소영역(P)의 뱅크(107) 측면에 볼록한 형상의 유기발광층(110a~110c)이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 각 화소영역(P)에 두께 균일성이 향상된 유기발광층(110a~110c)이 형성되어 유기발광다이오드표시장치의 표시품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
101 : 기판
105 : 제1전극
107 : 뱅크
108 : 전이금속산화물패턴

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판 상의 화소영역에 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극 가장자리를 덮으며 상기 기판 상의 상기 화소영역 경계부에 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 제1전극 상부 및 상기 뱅크 전면에 전이금속산화물막을 형성하는 단계;
    상기 전이금속산화물막을 패터닝하여 상기 뱅크 상부면을 노출시키는 전이금속산화물패턴을 형성하는 단계; 및
    이웃한 상기 전이금속산화물패턴 사이로 노출된 상기 뱅크 상부면에 대해 불소(F)를 포함하는 가스를 이용하여 플라즈마 처리하여 소수성화 하는 단계와;
    상기 제1전극 및 전이금속산화물패턴 상부에 유기발광층을 형성하는 단계
    를 포함하며,
    상기 전이금속산화물패턴은 상기 뱅크 측벽 상단까지 연장하여, 상기 전이금속산화물패턴은 상기 뱅크 상부면과 접촉되도록 형성하며,
    상기 뱅크 상부면은 상기 뱅크 측면 보다 작은 표면에너지를 갖고,
    상기 유기발광층은 정공주입층 또는 정공수송층인
    유기발광다이오드표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 뱅크를 형성하는 단계 및 상기 전이금속산화물막을 형성하는 단계 사이에 상기 제1전극 상부면을 전처리하는 단계를 더 포함하는 유기발광다이오드표시장치의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 전이금속산화물막은 WO3, MoO3 또는 VO3 중 어느 하나로 이루어지는 유기발광다이오드표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 뱅크는 유기물질로 이루어지는 유기발광다이오드표시장치의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 용액 공정(soluble process)으로 형성되는 유기발광다이오드표시장치의 제조방법.
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