KR102465483B1 - 내식성 향상을 위한 기능성 초발수 스테인리스 스틸 표면 개발 기술 - Google Patents
내식성 향상을 위한 기능성 초발수 스테인리스 스틸 표면 개발 기술 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 내식성 향상을 위한 기능성 초발수 스테인리스 스틸 표면 개발 기술에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스테인리스 스틸 표면에 내식성(Corrosion resistance) 산화막을 형성하는 방법은, 종래의 균일한 다공성 산화막을 형성하기 위한 프리패터닝(pre-patterning) 공정 없이도 균일한 다공성 산화막을 형성할 수 있고, 또한 종래의 양극산화처리 후에 기공확장 단계 없이도 초소수성 및 내식성이 현저히 우수한 효과가 있어, 제조단가를 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 내식성 향상을 위한 기능성 초발수 스테인리스 스틸 표면 개발 기술에 관한 것이다.
스테인리스 스틸은 크롬을 첨가하여 녹이 슬지 않는 금속 합금으로 가공성, 경제성 및 우수한 내식성 등의 특성을 가지므로 해양, 기계, 전자 부품, 배관, 발전, 원자력 등 여러 산업분야에서 활용되고 있다. 그러나 스테인리스 스틸은 이와 같은 장점에도 불구하고 가스 배관 및 해양산업 등 혹독한 환경과 같은 환경에서 내식성이 취약하다는 단점을 가지고 있다.
이런 단점을 해결하기 위해 내식성을 향상하기 위한 부식 방지 표면처리 기술 연구가 활발히 이루어지고 있다. 최근 젖음성 거동을 이용한 연구를 통해 초발수성 표면을 구현하는 연구가 주목받고 있다.
초발수성 표면은 발수성(Water Repellency), 자기세정(Self-Cleaning), 발유성(Oil Repellency), 결빙방지(Anti-Icing), 착상방지(Anti-Frost)등 여러가지 특성을 활용할 수 있으며, 첨단 디스플레이, 광학필름, 반도체, 박막 코팅 등 다양한 산업에서 이용할 수 있다.
젖음성 거동은 소재의 표면에너지에 의해 결정되며, 표면 에너지를 감소시켜 표면 접촉각이 150° 이상이 되어 초발수성이 구현된다. 이와 같은 초발수성 표면은 연 꽃잎, 매미날개, 벼 잎 등 여러가지 자연 소재를 보고 개발되었으며, 마이크로 및 나노크기의 구조를 제작하여 표면에너지를 감소시켜 제작하는 등 다양한 방법들이 연구되고 있다.
하지만 금속에 마이크로 및 나노 크기의 구조물을 균일하게 구현할 수 있는 방법이 제한적이다. 다양한 표면처리법 중 양극산화 방법은 금속에 인위적으로 균일하고 두꺼운 산화 피막을 형성시킬 수 있다.
양극산화 법으로 만들어진 산화피막은 장벽형 피막과 기공형 피막으로 나누어지며, 장벽형 피막은 기공과 같은 빈 공간 없이 산화막 내부가 치밀하게 형성된 피막을 말하며, 기공형 피막은 기공구조가 규칙적으로 배열되는 나노 구조를 가지는 다공성 피막과 기공과 기공사이에 빈공간이 존재하는 나노 튜브형 피막으로 나누어진다.
여기서, 상기 양극산화는 금속의 표면 처리방법 중 가장 널리 알려진 처리방법의 하나로서, 전해액에 침적된 금속 모재를 양극으로 하여 통전하는 경우, 양극에서 발생하는 산소에 의하여 모재의 표면이 산화되면서 산화피막을 형성하여 모재의 물성을 향상하는 처리방법이다.
즉, 상기 전해액 중의 산소이온이나 수산이온이 모재의 표면에 형성되어 있던 산화피막으로 침투하여 금속이온과 결합하여 산화층을 형성함으로써, 상기 모재와 상기 산화층의 계면 부근에 기공성의 산화피막과 수산화피막이 성장하여 상기 모재의 물성을 더욱 향상시키게 되는 것이다.
양극산화에 의해 금속 모재의 물성을 증대함에 있어서, 상기 양극산화의 가장 핵심적인 변수로는 양극산화처리 전압, 시간, 그리고 모재 금속의 순도와 같은 다양한 함수를 적절히 세팅하는 것이 무엇보다도 중요하다.
스테인리스 스틸에도 성분 함량에 따라 다양한 합금 종류가 있고, 성분 함량에 따라서 목적하는 양극산화처리의 조건은 달라질 수 있어, 처리대상 모재의 성분 함량은 매우 중요하다 할 수 있다.
본 발명자는 SUS 304계열 스테인리스 스틸을 모재로 하여 양극산화처리 시간 및 전압을 최적화하여 초소수성 및 부식 억제율이 향상된 양극산화막을 형성하는 조건을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 스테인리스 스틸 표면에 내식성(Corrosion resistance) 산화막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 방법으로 제조된 초소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 방법으로 제조된 내식성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 의료기기, 해상용 운송수단, 지상용 운송수단, 항공 운송수단을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 스테인리스 스틸 표면을 세척하고 건조하는 단계(단계 1);
65-75 V 인가 전압에서 2.5-3.5 시간 동안 양극산화처리하여, 스테인리스 스틸 표면에 양극산화막을 형성하는 단계(단계 2);
플라즈마 처리하여 유기 잔여물을 제거하고 양극산화막 표면을 친수성으로 만드는 단계(단계 3); 및
SAM(Self-Assembled Monolayer) 코팅 가능한 소수성 코팅제로 코팅하는 단계(단계 4);를 포함하는,
스테인리스 스틸 표면에 내식성(Corrosion resistance) 산화막을 형성하는 방법을 제공한다.
상기 스테인리스 스틸은 다양한 스테인리스 스틸에 모두 적용가능하나, 바람직하게는 SUS 304 또는 SUS 304L일 수 있다.
상기 단계 2의 양극산화처리에서 전해질(electrolyte)은 0.05-0.15M의 NH4F, 0.05-0.15M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.08-0.12M의 NH4F, 0.08-0.12M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.09-0.11M의 NH4F, 0.09-0.11M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 사용할 수 있고, 본 발명에서는 일례로서 0.1M의 NH4F, 0.1M의 물이 포함된 에틸렌글리콜을 전해질로서 사용하였으나 이에 제한하지 않는다.
상기 단계 2는 세척된 스테인리스 스틸을 65-75 V에서 2.5-3.5시간 동안 양극산화처리할 수 있고, 바람직하게는 68-72 V에서 2.8-3.2시간, 더욱 바람직하게는 69-71 V에서 2.9-3.1시간 실시할 수 있다.
접촉각 160° 이상의 초소수성 및 부식 억제율 90% 이상을 구현하기 위해서는, 69-71 V에서 2.9-3.1시간 양극산화처리하는 것이 바람직하고, 이 조건을 벗어날 경우 초소수성 구현이 안되거나 부식 억제율이 낮은 문제점이 있을 수 있다.
상기 단계 4의 SAM 코팅 가능한 소수성 코팅제로는 표면에너지가 6mJ/m2 내지 20mJ/m2인 플루오르카본 체인 수가 1 내지 20개인 퍼플로로알킬실란, 탄소수가 1 내지 20개인 알킬실란 등을 사용할 수 있고, 일례로 1H,1H,2H,2H-퍼플로로데실트리클로로실란(FDTS), 트리클로로옥틸실란(OTS), 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 등을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 초소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸을 제공한다.
나아가, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 내식성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 의료기기, 해상용 운송수단, 지상용 운송수단, 항공 운송수단을 제공한다.
본 발명에 따른 스테인리스 스틸 표면에 내식성(Corrosion resistance) 산화막을 형성하는 방법은, 종래의 균일한 다공성 산화막을 형성하기 위한 프리패터닝(pre-patterning) 공정 없이도 균일한 다공성 산화막을 형성할 수 있고, 또한 종래의 양극산화처리 후에 기공확장 단계 없이도 초소수성 및 내식성이 현저히 우수한 효과가 있어, 제조단가를 절감할 수 있다.
도 1은 실시예의 단계 1 내지 단계 3까지 실시한 후 얻은 3개의 샘플에 대한 EDS 측정 결과이다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 3까지 실시한 후 얻은 3개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 3까지 실시한 후 얻은 3개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예에 의하여 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1-1 내지 1-3> 스테인리스 스틸(SUS 304)의 양극산화처리
단계 1: 스테인리스 스틸(SUS 304) 기판의 준비
20 mm × 30 mm × 0.5 mm 크기의 스테인리스 스틸(SUS 304)을 사용하였다. 표면 이물질 제거 및 표면 클리닝을 위해 에탄올과 아세톤에 침지시켜 초음파 세척을 실시하였으며, 증류수를 이용하여 한번 더 세척한 후 건조하였다.
SUS 304 등의 스테인리스 스틸의 성분을 하기에 나타내었다. 참조로, 금속의 종류, 그리고 합금의 종류에 따라서 초친수성 산화막을 형성하기 위한 최적의 양극산화 처리조건에는 상당한 차이가 있고, 본 발명에서는 SUS 304에 초점을 맞추어 초친수성 산화막을 형성하기 위한 최적의 양극산화 처리조건을 찾아내었다.
단계 2: 양극산화 처리
양극산화 공정은 양극에 스테인리스 스틸, 음극에 백금을 사용하였으며, 전극간 거리는 5cm 로 유지했다. 에틸렌글리콜 용액을 기반으로 0.1 M NH4F, 0.1 M H2O을 첨가한 전해질 용액에서 이중 자켓 비커와 수냉식 냉각기를 이용하여 0℃의 온도로 유지하였다. 인가전압을 30V(실시예 1-1), 50V(실시예 1-2), 70V(실시예 1-3)로 하여 3시간 동안 진행하였으며, 양극산화 후 시편을 증류수로 세척, 건조하였다.
단계 3: 플라즈마 처리
플라즈마 장치를 이용하여 표면에 15분 동안 산소 플라즈마로 유기 잔여물 제거하고 친수성으로 만든 후 공기 중에서 가열 교반기를 사용하여 150℃에서 10분 동안 건조하였다. 플라즈마 처리 조건은 200W, 50KHz, O2 50sccm, RIE 모드로 15분 동안 플라즈마 처리하였다.
단계 4: 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 코팅
플라즈마 처리가 완료된 양극산화 샘플에 초발수 특성을 부여하기 위해, 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 코팅을 낮은 표면에너지를 가지는 물질인 FDTS(1H, 1H, 2H, 2H-Perfluorodecyltrichlorosilane) 용액을 사용하여 수행하였다.
<실험예 1> EDS(Energy dispersive spectroscopy)를 이용한 산화막 형성 평가
실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지(SAM 코팅 미실시) 실시한 후 얻은 3개의 스테인리스 스틸(SUS 304) 샘플에 대해서 EDS(모델명: X-MAX, 제조사: OXFORD) 측정을 하여, 산화막 형성 여부를 평가하였고, 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1은 실시예의 단계 1 내지 단계 3까지 실시한 후 얻은 3개의 샘플에 대한 EDS 측정 결과이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 양극산화 후에 산소와 철이 주성분으로 나타나 있으며, 그 외에 크롬, 망간, 니켈 등이 검출되었으며 탄소는 샘플을 스테이지에 고정하기 위한 카본테이프에 영향으로 노이즈에 해당한다. 이 결과를 통해 스테인리스 스틸 표면에 산화막이 형성된 것을 확인할 수 있다.
<실험예 2> FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)을 이용한 표면 형상 관찰
실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지(SAM 코팅 미실시) 실시한 스테인리스 스틸(SUS 304) 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM(모델명: MIRA 3 LMH In-Beam Detector, 제조사: TESCAN)을 이용하여 관찰하였고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
구체적으로, 샘플의 표면 형상을 관찰하기 위하여 샘플을 절단하여 카본 테이프로 스테이지에 고정하고, 양극산화로 만들어진 구조물은 비전도성인 산화물이므로 백금 코팅을 40초간 수행한 후 관찰하였다.
도 2는 실시예에서 단계 1 내지 3까지 실시한 후 얻은 3개의 샘플 표면에 형성된 산화막의 표면 형상을 FE-SEM으로 관찰한 이미지이다.
도 2에 나타난 바와 같이, (a)와 (b)는 30V, 50V의 인가전압에서의 이미지이며, (a)와 (b)에서는 장벽형 산화피막이 형성되어 표면에 기공은 관찰하지 못하였다. 그러나 (c)에서는 앞의 (a)와 (b)의 조건과 다르게 다공성 구조가 형성되어지는 것을 관찰할 수 있었다.
표 1에 도 2의 FE-SEM 이미지를 이용하여 양극산화 후 표면에 생성되어진 기공 직경(Pore Diameter, Dp), 기공사이의 간격(Interpore Distance, Dint), 고체분율(Solid Fraction)을 측정한 결과를 나타내었다. 고체분율은 고체-액체 비율을 하기 수학식 (1)에 의해 산출되었다.
[수학식 1]
f SL : 고체 분율(Solid Fraction)
a: 기공간의 거리
r: 기공의 반지름
| Dp(nm) | Dint(nm) | 고체분율 | |
| 30V | None | None | None |
| 50V | None | None | None |
| 70V | 115.79±17.46 | 137.06±15.31 | 0.355 |
표 1에 나타난 바와 같이, 도 2에서 70V 전압 조건의 샘플(c) 다공성 표면에서 기공 직경은 115.59nm, 기공간의 거리는 137.06nm, 고체분율은 0.355이다. 이를 통해 30V, 50V 전압조건에서는 양극산화 피막에서 내부의 기공과 같은 빈 공간이 존재하지 않고 치밀하게 형성된 피막이 형성되었으며, 70V의 전압 조건에서 다소 규칙적인 기공을 가지는 다공성 피막이 형성됨을 관찰하였다. 고체분율(Solid Fraction)은 거칠기율을 의미한다.
<실험예 3> 접촉각 평가
실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지만 실시한 샘플과 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 표면 젖음성을 알아보기 위해 접촉각을 측정하였고, 그 결과를 도 3, 도 4 및 표 2에 나타내었다.
구체적으로, 측정 시에 기준 액체로 3.5㎕의 증류수를 사용하였다. 표면 위에 액적을 떨어뜨린 후 5초의 시간후에 접촉각을 측정하였고, 시편 당 10번 측정을 하였다.
도 3은 실시예에서 단계 1 내지 단계 3까지만 실시한 샘플(SAM 코팅 미실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 4는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플(SAM 코팅 실시)의 접촉각을 측정한 결과이다.
도 3 및 도 4의 결과를 하기 표 2에 정리하여 나타내었다.
| SAM 코팅전 (°) | SAM 코팅후 (°) | |
| 30V | 59.26±4.45 | 115.02±2.99 |
| 50V | 44.87±4.46 | 119.69±1.78 |
| 70V | 17.04±3.14 | 161.80±1.00 |
표 2에 나타난 바와 같이, SAM 코팅 미실시 샘플의 경우 인가전압 30 V에서 59.26°, 50 V에서 44.87°인 반면에 70 V에서 17.04°로 초친수성이 나타남을 확인하였다. 이는 낮은 표면에너지를 가진 FDTS용액으로 SAM 코팅 실시 전의 샘플로서 형성된 양극산화 피막으로 인하여 친수성을 나타낸다. 낮은 표면에너지를 가진 FDTS용액으로 SAM 코팅 실시 샘플의 경우 인가전압 30 V에서 115.02°, 50 V 에서는 119.69°인 반면에 70 V에서는 161.8°로 초발수이 나타남을 확인하였다.
다공성 산화막을 가진 표면에서는 코팅으로 인하여 기공 또는 고체 표면사이에서 공기가 물방울을 떠받드는 형상이 될 수 있음으로 인해 초발수성 표면이 형성된다.
<실험예 4> 내식성(Corrosion resistance) 평가
실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 내식성을 평가하였고, 그 결과를 도 5 및 표 3에 나타내었다.
구체적으로, 내식성은 전기화학적 방법인 동전위분극시험(Potentio-Dynamic Polarization Test, PDP)으로 상온의 3.5 wt% NaCl 용액에서 진행하였다. 분석 시험 진행 전 1시간 동안 상온에서 3.5 wt.% NaCl 용액에 샘플을 침지 시킨 후 측정하였다. 분극 시험은 3전극 시스템으로 작업전극으로는 샘플을 사용하였고 상대전극으로는 백금(Pt)을 사용하였으며 기준전극으로는 은/염화은(Ag/AgCl) 전극을 이용하였다. 측정 조건은 -500 mV 내지 +14000 mV(vs. Ag/AgCl) 범위를 1 mV/sec의 주사 속도로 전기화학적 특성 분석을 통해 내식성을 평가하였다.
도 5는 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 동전위분극 곡선을 나타낸 도면이다.
도 5의 결과를 정리하여 하기 표 3에 나타내었다.
| Ecorr (mV) | Icorr (A/cm2) | IE (%) | |
| 무처리 SUS304 | -37.8 | 1.12×10-8 | 0 |
| 30V | 112 | 5.04×10-8 | 77.58 |
| 50V | 199 | 9.97×10-8 | 88.67 |
| 70V | 254 | 1.19×10-9 | 90.50 |
Ecorr: 부식전위
Icorr: 질량의 손실을 나타내는 부식전류밀도
IE: 무처리 SUS 304 대비 실시예 처리 샘플의 부식 억제율(Inhibition Efficiency)
표 3에 나타난 바와 같이, 부식전위(Ecorr)는 아무 처리하지 않은 스테인리스 스틸(Bare SUS304, -37.8 mV)과 비교하여 30V의 인가전압(112 mV), 50V의 인가전압(199 mV), 70V의 인가전압(254 mV)의 표면 개질을 한 구조에서 양의 방향을 이동하였음을 확인하였다. 또한 부식전류밀도(Icorr)은 아무 처리하지 않은 스테인리스 스틸(1.12Х10-8 A/cm2)과 비교하여 30V 인가전압에서(5.04Х10-8 A/cm2), 50V 인가전압(9.97Х10-8 A/cm2), 70V 인가전압(1.19Х10-9 A/cm2)의 표면 개질을 한 구조에서 인가 전압의 증가 따라 부식전류밀도가 감소한 것을 확인할 수 있었다. 부식전류는 질량 손실 반응이 부식에 직접적인 관련 있으므로, Icorr값을 이용하여 부식억제율을 평가하는 데 사용하였다. 부식전류밀도를 이용하여 계산되어진 부식억제율은 하기 수학식 2로 계산하였다. 가장 중요한 지표인 부식 억제율은 30V에서 77.58%, 50V에서 88.67%, 70V에서 90.50%로 나타났다. 이는 양극산화 처리를 통한 표면 형상을 구현한 후 SAM 코팅을 실시할 경우 내식성이 현저히 향상될 수 있음을 나타내는 결과이다.
즉, 다공성 산화피막은 친수성을 가지므로 발수성 구현을 위해 FDTS으로 SAM 코팅하여 기공 내에 공기를 가두어 부식방지 효율 특성을 향상시켰다. 다공성 구조물 및 산화피막이 두꺼워 기공내 많은 공기를 가둘 수 있으므로 내식성의 향상이 가능한 것으로 사료된다.
[수학식 2]
i: 실시예에서 단계 1 내지 단계 4까지 모두 실시한 샘플의 부식전류밀도
i0: 무처리 SUS 304의 부식전류밀도
IE: 무처리 SUS 304 대비 실시예 처리 샘플의 부식 억제율
<실험예 5> 초발수성 구현을 위한 양극산화 최적 조건(시간 및 전압) 평가
상기 실험예 1 내지 4를 통해 양극산화 처리 조건으로 3시간 및 70V 처리할 경우 내식성이 가장 우수함을 확인하였다. 이에, 본 실험예 5에서는 양극산화 처리 조건 3시간 및 70V를 기준으로 하여 최적 조건을 알아보았고, 그 결과를 표 4 및 표 5에 나타내었다. 양극산화 처리 시간 및 전압을 달리한 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 샘플(SAM 코팅 실시)을 제조하였다.
| 시간(h) | 전압(V) | 접촉각(°) | IE(%) | |
| 실시예 2-1 | 2.8 | 70 | 119.28±2.16 | 72.97 |
| 실시예 2-2 | 2.9 | 161.26±2.14 | 90.37 | |
| 실시예 2-3 (= 실시예 1-3) |
3.0 | 161.80±1.00 | 90.50 | |
| 실시예 2-4 | 3.1 | 160.87±1.58 | 90.41 | |
| 실시예 2-5 | 3.2 | 120.69±0.89 | 75.81 |
| 시간(h) | 전압(V) | 접촉각(°) | IE(%) | |
| 실시예 3-1 | 3.0 | 68 | 120.12±2.47 | 77.28 |
| 실시예 3-2 | 69 | 160.29±1.25 | 90.41 | |
| 실시예 3-3 (= 실시예 1-3) |
70 | 161.80±1.00 | 90.50 | |
| 실시예 3-4 | 71 | 160.11±1.36 | 90.48 | |
| 실시예 3-5 | 72 | 119.47±1.89 | 74.29 |
표 4 및 표 5에 나타난 바와 같이, 초발수성 및 내식성 측면에서 양극산화 처리 시간 2.9-3.1 h 및 인가 전압 69-71 V에서 가장 우수한 결과를 확인할 수 있었다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허 청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (14)
- 스테인리스 스틸 표면을 세척하고 건조하는 단계(단계 1);
65-75 V 인가 전압에서 2.5-3.5 시간 동안 양극산화처리하여, 스테인리스 스틸 표면에 양극산화막을 형성하는 단계(단계 2);
플라즈마 처리하여 유기 잔여물을 제거하고 양극산화막 표면을 친수성으로 만드는 단계(단계 3); 및
SAM(Self-Assembled Monolayer) 코팅 가능한 소수성 코팅제로 코팅하는 단계(단계 4);를 포함하고,
상기 단계 2의 양극산화처리에 사용하는 전해질은 0.09-0.11M의 NH4F 및 0.09-0.11M의 물이 포함된 에틸렌글리콜이고, 상기 전해질의 온도는 -1 내지 1℃인 것을 특징으로 하는,
스테인리스 스틸 표면에 내식성(Corrosion resistance) 산화막을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 스테인리스 스틸은 SUS 304 또는 SUS 304L인 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 단계 2의 양극산화처리는 68-72 V 인가 전압에서 2.8-3.2 시간 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서,
상기 단계 2의 양극산화처리는 69-71 V 인가 전압에서 2.9-3.1 시간 동안 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 SAM 코팅 가능한 소수성 코팅제는 1H,1H,2H,2H-퍼플로로데실트리클로로실란(FDTS), 트리클로로옥틸실란(OTS) 및 옥타데실트리클로로실란(ODTS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
스테인리스 스틸 표면에 접촉각 160° 이상의 양극산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,
스테인리스 스틸 표면에 부식 억제율 90% 이상의 양극산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항의 방법으로 제조된 초소수성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸.
- 제1항의 방법으로 제조된 내식성 양극산화막이 형성된 스테인리스 스틸.
- 제1항의 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 의료기기.
- 제1항의 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 해상용 운송수단.
- 제1항의 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 지상용 운송수단.
- 제1항의 방법으로 제조된 스테인리스 스틸을 포함하는 항공 운송수단.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20210226 |
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220511 Patent event code: PE09021S01D |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20221025 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20221107 Patent event code: PR07011E01D |
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| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20221107 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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| PG1601 | Publication of registration |