KR102432725B1 - 안정적인 유속 출력 대 온도를 갖는 백색 인광체 변환 led - Google Patents

Abstract

본 발명은 고체 상태 광원(10) 및 세라믹 바디(100)를 포함하는 조명 디바이스(1)를 제공하며, 여기서 고체 상태 광원(10)은 세라믹 바디(100)에게 청색 광원 광(11)을 제공하도록 구성되고, 세라믹 바디(100)는 청색 광원 광(11)의 일부를 황색 변환기 광(101)으로 파장 변환하여, 상기 청색 광원 광(11) 및 상기 황색 변환기 광(101)을 포함하는 백색 조명 디바이스 광(2)을 제공하도록 구성된 세라믹 재료(120)를 포함하고, 상기 백색 조명 디바이스 광(2)은 0.18≤u'≤0.25 및 0.42≤v'≤0.54의 범위로부터 선택된 컬러 포인트를 갖고, 세라믹 재료(120)는 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5, 0≤q<1, 및 0.001≤z≤0.06을 갖는 (Y_{(1-y-q- z)},Gd_y,Lu_q,Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂ 세라믹 재료를 포함한다.

Description

안정적인 유속 출력 대 온도를 갖는 백색 인광체 변환 LED

본 발명은 예를 들어, 자동차 응용들에 사용하기 위한 조명 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 이러한 조명 디바이스에 사용하기 위한 가넷을 포함하는 세륨의 제조 프로세스뿐만 아니라, 이러한 프로세스로 획득가능한 가넷을 포함하는 세륨에 관한 것이다.

발광 세라믹 재료들은 본 기술분야에 알려져 있다. US2004145308은 예를 들어, 1차 방사선을 방출하기 위한 적어도 하나의 LED 및 1차 방사선을 2차 방사선으로 변환하기 위한 적어도 하나의 발광 재료를 갖는 적어도 하나의 발광 변환 바디를 갖는 광원을 설명한다. 발광 변환 바디는 다결정 세라믹 바디이다. LED는 GaInN에 기초하고 청색 1차 방사선을 방출한다. 세라믹 바디는 예를 들어 세륨-도핑된 이트륨 알루미늄 가넷에 기초한 발광 재료를 포함한다. 이러한 발광 재료는 황색 2차 방사선을 방출한다. 청색 1차 방사선 및 황색 2차 방사선은 발광 변환 바디를 관통하고 관찰자에 의해 백색 광으로서 인지된다. 발광 변환 바디를 제조하기 위해, 도펀트의 용액과 통합되는 다결정 세라믹 바디가 제공된다. 열 처리에 의하여, 도펀트(활성화제)가 세라믹 바디 내로 확산하며, 발광 재료가 형성된다.

적어도 자동차 조명 응용들과 같은 일부 조명 응용의 경우, 조명 디바이스들의 품질 및 신뢰성은 필수적이다. 또한 자동차에서 LED들은 심지어 헤드라이트들에서도 점점 더 보편화되고 있다. 그러나 일부 광원은 온도 특성에 결함이 있기 때문에, 예를 들어, 자동차에서의 응용에 적합하지 않은 것으로 나타났다.

그러므로, 바람직하게는 위에서 설명된 단점들 중 하나 이상을 적어도 부분적으로 추가로 제거하는 대안적인 조명 디바이스를 제공하는 것이 본 발명의 일 양태이다. 또한, 바람직하게는 위에서 설명된 단점들 중 하나 이상을 적어도 부분적으로 추가로 제거하는 이러한 조명 디바이스를 위한 파장 변환기의 제조를 위한 대안적인 프로세스를 제공하는 것이 본 발명의 일 양태이다.

제1 양태에서, 본 발명은 고체 상태 광원 및 세라믹 바디를 포함하는 조명 디바이스("디바이스")를 제공하며, 여기서 고체 상태 광원은 세라믹 바디에게 청색 광원 광을 제공하도록 구성되고, 세라믹 바디는 청색 광원 광의 일부를 황색 변환기 광으로 파장 변환하여(즉, 변환하여), 상기 청색 광원 광 및 상기 황색 변환기 광을 포함하는 백색 조명 디바이스 광을 제공하도록 구성된 세라믹 재료를 포함하며, 여기서 상기 백색 조명 디바이스 광은 특히 0.18≤u'≤0.25 및 0.42≤v'≤0.54(CIE1976 색 좌표들 u' 및 v'(CIELUV)를 이용해), 더욱 더 특히 0.2≤u'≤0.21 및 0.45≤v'≤0.51의 범위로부터 선택된 컬러 포인트(color point)를 갖고, 세라믹 재료는 특히 A₃B₅O₁₂:Ce^{3 +} 유형 세라믹 재료("세라믹 가넷")를 포함하고, 여기서 A는 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd) 및 루테튬(Lu) 중 하나 이상을 포함할 수 있고, B는 알루미늄(Al) 및/또는 갈륨(Ga)을 포함할 수 있고, 특히 세라믹 재료는 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5(특히 0≤y≤0.4), 0≤q<1, (특히 0≤q≤0.8), 및 0.001≤z≤0.06, 더욱 더 특히 일 실시예에서 x>0, 이를테면 0<x≤0.5, 및 또한 추가의 실시예 내의 0.05≤y≤0.2, 및 0.0015≤z≤0.03을 갖는, (Y_(1-y-q-z),Gd_y,Lu_q,Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂ 세라믹 재료를 포함한다. 또한, 일 실시예에서, q=0이다. 또 다른 실시예에서, q는 0.4-0.6의 범위 내에 있다.

놀랍게도 더 높은 온도들에서 고체 상태 광원의 세기는 감소되지만, 전체 광속은 약 100℃의 온도까지 실질적으로 동일하게 유지되는 것으로 나타났다. 이것은 자동차 또는 프로젝터 응용들과 같은 요구가 많은 응용들에 탁월하다. 특히, 자동차의 경우에 광속이 저온 응용들에서(조명 디바이스를 스위치 온한 직후와 같이)와 고온 응용들에서(적어도 15분처럼, 일부 동작 시간 후와 같이) 동일한 것이 요구될 수 있다. 또한, 광속이 실질적으로 주변 온도에 독립적인 것이 또한 중요할 수 있다. 그러므로, 이로써 본 발명은 따라서 일정한 광원 전력에서, 백색 조명 디바이스 광의 온도 독립적인 광속을 갖는 백색 조명 디바이스 광을 제공하기 위해, 이러한 조명 디바이스의 사용을 또한 제공하며, 여기서 광원의 적어도 100℃의 온도까지, 광속은 20℃에서의 광속의 90-110%의 범위 내에 있다. 특히, 조명 디바이스는 10-100℃의 범위로부터 선택된 상이한 온도에서 안정적인 유속을 갖는 동력이 달린 차량의 헤드라이트에서 사용될 수 있다.

Ce^{3 +}(3가 세륨)로 도핑된 발광 세라믹 가넷들은 청색 광을, 예를 들어 약 500-750nm의 범위 내와 같은 녹색 내지 적색 파장 영역 내의, 때로는 심지어 청색 영역 내의 더 긴 파장을 갖는 광으로 변환하는 데 사용될 수 있다. 아래에 추가로 언급된 바와 같이, A는 또한 다른 희토류 원소들을 지칭할 수 있고 B는 Al만을 포함할 수 있지만, 선택적으로는 또한 갈륨을 포함할 수 있다. 식 A₃B₅O₁₂:Ce^{3 +}는 특히 화학식, 즉, 상이한 유형의 원소들 A, B, 및 O(3:5:12)의 화학양론을 표시한다. 그러나, 본 기술분야에 알려진 바와 같이, 이러한 식으로 나타낸 화합물들은 선택적으로는 또한 화학양론으로부터 약간 벗어난 것을 포함할 수 있다. 세라믹 재료는 가넷 재료를 포함한다. 그러므로, 바디는 특히 발광 세라믹을 포함한다.

가넷 재료, 특히 세라믹 가넷 재료는 본 명세서에서 또한 "발광 재료"로서 표시된다. 발광 재료는 A₃B₅O₁₂:Ce^{3 +}(가넷 재료)를 포함하며, 여기서 A는 특히 Sc, Y, Tb, Gd, 및 Lu로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, B는 특히 Al 및 Ga로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 보다 특히, A는 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd) 및 루테튬(Lu) 중 하나 이상을 포함하고, B는 알루미늄(Al)을 포함한다. 이러한 가넷은 세륨(Ce)으로, 선택적으로는, 프라세오디뮴(Pr)과 같은 다른 발광 종들로 도핑될 수 있다.

특정 실시예에서, B는 약 40% 이상의 Al 및 60% 이하의 Ga로 이루어진다. 특히, B는 알루미늄(Al)을 포함하지만, B는 또한 부분적으로 갈륨(Ga) 및/또는 스칸듐(Sc) 및/또는 인듐(In)을 포함할 수 있고, 특히 약 20%까지의 Al, 보다 특히 약 10%까지의 Al이 대체될 수 있고(즉, B 이온들은 본질적으로 90몰% 이상의 Al 및 10몰% 이하의 Ga, Sc 및 In 중 하나 이상으로 이루어진다); B는 특히 약 10%까지의 갈륨을 포함할 수 있다. 또 다른 변형예에서, B 및 O은 적어도 부분적으로 Si 및 N으로 대체될 수 있다.

위에서 언급된 바와 같이, 원소 A는 특히 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb) 및 루테튬(Lu)으로 이루어진 그룹으로부터, 더욱 더 특히 실질적으로는 단지 Y 및 Gd으로 이루어진 그룹으로부터, 또한 더욱 더 특히 Y 및 Gd의 몰비가 1보다 크지만, Y 및 Gd 둘 다로부터 선택될 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, A₃B₅O₁₂:Ce³⁺는 특히 Y 및 Gd 둘 다를 갖는 (Y,Gd)₃Al₅O₁₂:Ce^{3 +}를 포함한다.

아래에 언급되는 바와 같이, 특히 세라믹 재료는 소결 프로세스 및/또는 핫 프레싱(hot pressing) 프로세스에 이어서, 환원성 분위기에서의 어닐링(annealing)에 의해 획득가능하다. 그러므로, 특정 실시예에서, 세라믹 바디는 세라믹 바디를 제공하기 위한, (상승된 온도들에서 사전-소결될 수 있는) 출발 재료의 상승된 온도들에서의 소결 프로세스 및 아이소스태틱 프레싱 프로세스(isostatic pressing process)(하기 또한 참조)를 포함하는 방법에 이어서, 적어도 1000℃의 온도에서의 환원성 분위기에서의 어닐링 프로세스를 포함하는 방법에 의해 획득가능하다. 또한, 더욱 더 특히, 세라믹 바디는 세라믹 바디를 제공하기 위한, 중성 또는 산화성 분위기에서의 출발 재료의 상승된 온도들에서의 소결 프로세스 및 아이소스태틱 프레싱 프로세스를 포함하는 방법에 이어서, (적어도 1000℃의 온도에서의 환원성 분위기에서의) 상기 어닐링 프로세스를 포함하는 상기 방법에 의해 획득가능하다. 그러므로, 특히 본 명세서에서 설명된 세라믹 바디의 제조 방법은 상승된 온도들에서 출발 재료를 처리하는 단계를 포함하는 방법을 포함하며, 이는 특히 중성 또는 산화성 분위기에서 수행된다. 출발 재료는 (상승된 온도들에서 특히 사전-소결될 수 있는) 출발 분말들의 혼합물을 포함할 수 있다. 그러나, 출발 재료는 또한 분말 컴팩트(compact) 또는 녹색 바디(예를 들어 건식 프레싱에 의해 획득가능한 성형된 출발 분말)를 포함할 수 있다. 산화성 분위기는 특히 N₂, CO₂, Ar, He, Kr, 등 중 하나 이상뿐만 아니라, (일부) O₂를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 세라믹 바디는 가늘고 긴 세라믹 바디이고, 하기를 또한 참조하라.

이러한 방식으로 처리된 세라믹 바디들은 처리되지 않은 세라믹 바디들보다 실질적으로 더 우수하다((높은 광원 전력들에서) 집광이 더 효율적이다). 광학 특성들 및/또는 효율은 단결정들의 것들에 가깝다(상기 또한 참조). 그러나, 위에서 언급된 바와 같이, 세라믹 바디들은 더 빠르고 더 쉽게 제조될 수 있고 이런 이유로 단결정들보다 상당히 더 낮은 비용들로 제조될 수 있다.

"세라믹"이라는 용어는 특히 - 다른 것들 중에서 - 적어도 500℃, 특히 적어도 800℃, 이를테면 적어도 1000℃, 적어도 1400℃ 같은, 온도에서, 감소된 압력, 대기압 또는 고압, 이를테면 10^-8 내지 500MPa의 범위, 이를테면 특히 적어도 0.5MPa, 특히 적어도 1MPa같은, 1 내지 약 500MPa 같은, 이를테면 적어도 5MPa, 또는 적어도 10MPa의 압력 하에서, 특히 단일축 또는 아이소스태틱 압력 하에서, 특히 아이소스태틱 압력하에서 (다결정) 분말을 가열하여 획득가능한 것인 무기 재료에 관한 것이다. 세라믹을 획득하기 위한 구체적인 방법은 핫 아이소스태틱 프레싱(hot isostatic pressing, HIP)이며, 여기서 HIP 프로세스는 위에서 언급한 바와 같은 온도 및 압력 조건들 하에서와 같이, 사후-소결 HIP, 캡슐 HIP 또는 조합된 소결-HIP 프로세스일 수 있다. 이러한 방법에 의해 획득가능한 세라믹은 그대로 사용되거나, (연마와 같이) 추가로 처리될 수 있다. 세라믹은 특히 이론적 밀도(즉, 단결정의 밀도)의 적어도 90%(또는 그 이상, 하기 참조)인, 이를테면 적어도 95%, 97-100%의 범위 내와 같은, 밀도를 갖는다. 세라믹은 여전히 다결정일 수 있지만, 그레인들(grains)(프레싱된 입자들(particles) 또는 프레싱된 응집체 입자들) 사이의 부피가 감소하거나, 크게 감소한다. HIP와 같은 상승된 압력 하에서의 가열은 예를 들어, N₂ 및 아르곤(Ar) 중 하나 이상을 포함하는, 불활성 기체에서 수행될 수 있다. 특히, 상승된 압력 하에서의 가열에 앞서 1500-1800℃의 범위와 같은 1400-1900℃의 범위로부터 선택된 온도에서의 소결 프로세스가 선행된다. 이러한 소결은 10^-2Pa 이하의 압력에서와 같은 감소된 압력 하에서 수행될 수 있다. 이러한 소결은 이미 이론적 밀도의 적어도 95% 정도의, 더욱 더 특히 적어도 99%의 밀도를 초래할 수 있다. 사전-소결 및 가열 모두 후에, 특히 HIP와 같은 상승된 압력 하에서, 세라믹 바디의 밀도는 단결정의 밀도에 근접할 수 있다. 그러나, 차이점은 세라믹 바디는 다결정이므로, 결정립계들(grain boundaries)이 세라믹 바디에서 이용가능하다는 것이다. 이러한 결정립계들은 예를 들어, 광학 현미경 또는 SEM에 의해 검출될 수 있다. 그러므로, 본 명세서에서 세라믹 바디는 특히 (동일한 재료의) 단결정과 실질적으로 동일한 밀도를 갖는 소결된 다결정을 지칭한다. 따라서 이러한 바디는 (특히 Ce^{3 +}와 같은 광 흡수 종들에 의한 흡수를 제외하고) 가시 광에 대해 매우 투명할 수 있다.

위에서 설명된 프로세스는 특히 HIP(상기 참조)와 같은, 특히 상승된 온도들에서의 고압 프로세스를 거친 소결된 가넷 바디를 제공한다. 그러므로, 특히 상승된 온도들에서 출발 재료를 처리하는 단계를 포함하는 방법은 소결 프로세스 및 아이소스태틱 프레싱 프로세스, 더욱 더 특히 상승된 압력에서 사전 소결하는 것에 이어서 상승된 온도들에서의 상기 고압 프로세스를 포함하는 방법을 포함한다.

세라믹 바디를 획득한 후, 이 바디는 연마될 수 있다. 연마 전 또는 후에, 특히 연마 전에, (산화성 분위기에서의) 어닐링 프로세스가 실행될 수 있다. 추가의 특정 실시예에서, 상기 어닐링 프로세스는 적어도 2시간 동안, 이를테면 적어도 1200℃에서 적어도 2시간 동안 지속된다. 또한, 특히 환원성 분위기는 예를 들어 H₂를 포함한다.

세라믹 바디는 도광(light guiding) 또는 도파(wave guiding) 특성들을 가질 수 있다. 그러므로, 세라믹 바디는 또한 본 명세서에서 도파관 또는 광 가이드로 표시된다. 세라믹 바디가 광 집광기로서 사용될 수 있기 때문에, 세라믹 바디는 또한 본 명세서에서 광 집광기로 표시된다. 세라믹 바디는 일반적으로 세라믹 바디의 길이에 수직인 방향으로 가시 광을 (일부) 투과한다. 3가 세륨과 같은 활성화제가 없으면, 가시 광의 투과율은 100%에 가까울 수 있다.

그러므로, 특정 실시예에서, 세라믹 바디는 제1 분위기에서 1500-2000℃의 범위 내의 온도에서, 선택적으로는 SiO₂를 포함하는, 출발 재료들("녹색 바디"의 형태에서의)의 혼합물을 소결하여 소결된 바디를 제공하는 것을 포함하는 소결 스테이지와, 그에 후속하여 제2 분위기에서 1000-1600℃의 범위 내의 온도에서 어닐링하여 상기 세라믹 바디를 제공하는 것을 포함하는 어닐링 스테이지를 포함하는 프로세스에 의해 획득가능하며, 여기서 제1 분위기는 제2 분위기와 상이하고, 제2 분위기는 제1 분위기가 보다 산화성이 된 경우에서의 환원성 분위기를 포함한다. 일반적으로, 소결 및 어닐링은 상이한 산화성/환원성 강도를 갖는 분위기들에서 행해진다.

특히 이러한 온도들, 및 스테이지들의 이러한 시퀀스는 적절한 세라믹 바디들을 제공할 수 있다. 이론에 의해 구속되려는 요구가 없다면, 산화성 소결과 환원성 어닐링의 교번은 결정 격자 결함들을 도입할 것으로 보이고, 이는 놀라운 광학 거동에 책임이 있을 수 있다. 어닐링 프로세스 전과 후에 열 발광 특성들을 변경한다는 것은 분명히 세라믹 바디들에서의 결정 결함 구조들을 변경한다는 것을 지시한다.

그러므로, 추가 실시예에서, 본 발명은 또한 본 명세서에서 설명된 세라믹 바디를 제공하기 위해 다른 것들 중에서 이러한 프로세스, 이를테면 제1 분위기에서 1500-2000℃의 범위 내의 온도에서, 선택적으로는 SiO₂를 포함하는, 출발 재료들의 혼합물을 소결하여 소결된 바디를 제공하는 것을 포함하는 소결 스테이지와, 그에 후속하여 제2 분위기에서 1000-1600℃에서 어닐링하여 상기 세라믹 바디를 제공하는 것을 포함하는 어닐링 스테이지를 포함하는, 세라믹 바디의 제조를 위한 프로세스를 제공하며, 여기서 제1 분위기는 제2 분위기와 상이하고, 제2 분위기는 환원성 분위기를 포함한다. 그러므로, 소결 스테이지의 적어도 일부 동안의 분위기인 제1 분위기는 환원성(H₂를 포함하는 것 같은) 또는 중성(N₂, 또는 He, 등 같이 불활성 기체에서와 같은)일 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, 소결 스테이지는 중성 또는 산화성 제1 분위기에서 적용된다. 위에서 언급된 바와 같이, 특히 출발 재료들은 SiO₂를 포함한다. SiO₂가 유속 재료로서 추가될 때, 이것은 유속의 안정성에 대해 유리한 효과들을 가질 수 있는 것으로 보인다. 또한, 본 기술분야에 알려진 바와 같이, 출발 재료들은 Y, Gd 및 Al과 같은 관련 양이온들의 탄산염, 산화물들, 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 위에서 언급된 바와 같이, 특히 소결 스테이지는 핫 프레싱을 포함한다. 이러한 방식으로, 고품질 세라믹 바디들이 획득될 수 있다.

또한, 최고의 재료들은 Gd의 양이 제한될 때, 및/또는 또한 세륨의 양이 상대적으로 낮을 때 획득되는 것으로 보인다.

특정 실시예에서, 0.05≤x≤0.5이다.

추가의 실시예에서, 0.05≤y≤0.2 및 0.0015≤z≤0.003이다. 만들어진 모든 세라믹 바디로부터, 이러한 조건들을 따르는 세라믹 바디들이 특히 바람직한 광학적 거동을 보여줬다. 또한, 일 실시예에서, 0≤q<1, 특히 0≤q≤0.8, 또는 q=0이다. 또한, 일 실시예에서, x=0이다. q 및 x가 둘 다 실질적으로 0일 때, 자동차 응용을 위한 좋은 발광 재료들이 적용될 수 있다.

세라믹 바디, 또는 특히 가넷 발광 재료는 광원 광의 적어도 일부를 변환하도록 구성된다. 다시 말해서, 광원이 광 변환기, 특히 발광 재료에 방사선적으로 결합된다고 말할 수 있다. "방사선적으로 결합된(radiationally coupled)"이라는 용어는 특히 광원 및 발광 재료 - 여기서 세라믹 바디 - 가 서로 연관되어 광원에 의해 방출된 방사선의 적어도 일부가 발광 재료에 의해 수신되게(그리고 적어도 부분적으로 발광으로 변환되게) 한다는 것을 의미한다. 세라믹 바디는 광원으로부터 0이 아닌 거리에 구성될 수 있거나, 또는 물리적으로 접촉할 수 있다. 전자의 실시예는 때로는 또한 부근 또는 원격으로 표시되고, 광원으로부터 전자는 가까이 그리고 후자는 멀리 떨어져 있다. 본 명세서의, 일 실시예에서, 광원은 세라믹 바디로부터 1mm 이하의 거리(d)에서 구성된 광 방출 표면을 포함한다. 그러므로, 특히 거리는 상대적으로 작거나, 심지어 0이다. 그러므로, 추가의 실시예에서, 광원은 세라믹 바디와 물리적으로 접촉하는 광 방출 표면을 포함한다. 이러한 실시예들에서, 또한 세라믹 바디는 광원이 더 뜨거워질때 가열될 것이고, 또한 하향 변환 프로세스(광원으로부터 단파장 광의 흡수, 및 장파장 광의 방출)에 의해 세라믹 바디에서 발생된 열은 광원을 통해 전도된다. 물리적으로 접속된 디바이스 내의 모든 온도는 수반된 물리적 부분들의 열 전도도 파라미터들에 의해 결정된다. LED들의 경우에, 예를 들어 소켓 온도를 또한 사용할 수 있는데, 이러한 온도는 주어진 동작 전류에서 광 방출 표면의 온도에 비례하기 때문이다. 본 발명은 특히 세라믹 바디가 광 방출 표면으로서의 온도에 결합될 때 그것의 이점들을 제공한다.

특정 실시예에서, 조명 디바이스는 상기 고체 상태 광원을 복수 개 포함하며, 여기서 세라믹 바디는 가늘고 긴 세라믹 바디의 길이(L)를 정의하는 제1 면 및 제2 면을 갖는 가늘고 긴 세라믹 바디이고, 가늘고 긴 세라믹 바디는 하나 이상의 방사선 입력 면 및 방사선 출사 창을 포함하고, 제2 면은 상기 방사선 출사 창을 포함하고, 복수의 고체 상태 광원은 하나 이상의 방사선 입력 면에게 청색 광원 광을 제공하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 고휘도원이 생성될 수 있다. 추가의 실시예에서, 조명 디바이스는 제1면의 다운스트림에 구성되고 광을 가늘고 긴 세라믹 바디로 다시 반사하도록 구성된 광학 반사기를 추가로 포함할 수 있으며, 여기서 방사선 출사 창은 하나 이상의 방사선 입력 면에 수직으로 구성된다. 이것은 광의 아웃커플링(outcoupling)을 추가로 향상시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 가늘고 긴 세라믹 바디는 방사선 입력 면들의 면적의 비율 및 방사선 출사 창의 면적으로서 정의된, 적어도 2인 기하학적 집광 계수(geometrical concentration factor)를 포함할 수 있다. 1보다 큰, 특히 2 이상, 또는 그 이상의 계수는 다른 것들 중에서 프로젝터를 위해 또는 다른 목적으로 또한 적용될 수 있는 고휘도 소스들을 제공할 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서, 조명 디바이스는 방사선 출사 창의 다운스트림에 구성되고 변환기 광을 시준하도록 구성된 시준기(collimator)를 추가로 포함할 수 있다.

위에서 언급된 바와 같이, 응용들 중 하나는 자동차들, 이를테면 승용차들, 트럭들, 버스들, 모터들, 기차들, 지하철들, 등등의 헤드 라이트들에 있을 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, 본 발명은 또한 본 명세서에서 정의된 바와 같은 조명 디바이스를 포함하는 자동차 램프를 제공한다.

본 명세서에서, "가시 광"이라는 용어는 특히 380-780nm의 범위로부터 선택된 파장을 갖는 광에 관한 것이다. 투과율은 수직 방사선 하에 세라믹 바디에게 제1 세기를 갖는 특정 파장에서 광을 제공하고 재료를 투과한 후에 측정된 해당 파장에서의 광의 세기를, 재료에 대한 해당 특정 파장에서 제공되는 광의 제1 세기와 관련시킴으로써 결정될 수 있다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 69th edition, 1088-1989의 E-208 및 E-406 또한 참조).

세라믹 바디는 빔형 또는 로드(rod)형과 같은 임의의 형상을 가질 수 있다. 그러나, 세라믹 바디는 또한 디스크형, 등일 수 있다. 본 발명은 형상들에 대한 특정 실시예들로 제한되지 않으며, 본 발명은 단일 출사 창 또는 아웃커플링 면을 갖는 실시예들로 제한되지 않는다. 아래에, 일부 특정 실시예가 보다 상세하게 설명된다. 세라믹 바디가 원형 단면을 가지면, 폭 및 높이가 같을 수 있다(그리고 직경으로서 정의될 수 있다).

특정 실시예에서, 세라믹 바디는 특히 1보다 큰 종횡비를 가질 수 있는데, 즉 길이가 폭보다 크다. 일반적으로, 세라믹 바디는 로드 또는 바(빔)이지만, 세라믹 바디가 반드시 정사각형, 직사각형 또는 둥근 단면을 가질 필요는 없다. 일반적으로, 광원은 본 명세서에서 방사선 입력 면으로서 표시된 더 긴 면들 중 하나(측부 엣지)를 조사하도록 구성되고, 본 명세서에서 방사선 출사 창으로서 표시된 전방(전방 에지)에서 면으로부터 방사선이 빠져나간다. 특히, 실시예들에서, 고체 상태 광원, 또는 다른 광원은 세라믹 바디와 물리적으로 접촉하지 않는다. 물리적 접촉은 바람직하지 않은 아웃커플링을 초래하여 집광기 효율을 감소시킬 수 있다. 또한, 일반적으로 세라믹 바디는 2개의 실질적으로 평행한 면, 방사선 입력 면 및 그에 대향하는 대향 면을 포함한다. 이러한 2개의 면은 본 명세서에서 세라믹 바디의 폭을 정의한다. 일반적으로, 이러한 면들의 길이는 세라믹 바디의 길이를 정의한다. 그러나, 위에서 그리고 또한 아래에서 언급되는 바와 같이, 세라믹 바디는 임의의 형상을 가질 수 있고, 또한 형상들의 조합들을 포함할 수 있다. 특히, 방사선 입력 면은 방사선 입력 면 면적(A)을 가지며, 여기서 방사선 출사 창은 방사선 출사 창 면적(E)을 갖고, 방사선 입력 면 면적(A)은 방사선 출사 창 면적(E)보다 적어도 1.5배, 더욱 더 특히 적어도 2배, 특히 적어도 5배, 이를테면 2-50,000의 범위 내, 특히 5-5,000배 더 크다. 그러므로, 특히 가늘고 긴 세라믹 바디는 방사선 입력 면들의 면적과 방사선 출사 창의 면적의 비율로서 정의된, 적어도 1.5, 이를테면 적어도 2, 적어도 5 같은, 또는 보다 더 큰(상기 참조) 기하학적 집광 계수를 포함한다. 이것은 예를 들어, 복수의 고체 상태 광원의 사용을 허용한다(하기 또한 참조). 자동차 또는 디지털 프로젝터들에서와 같은 전형적인 응용들을 위해, 작지만 높은 세기의 방출 표면이 요구된다. 이것은 단일 LED로는 획득될 수 없지만, 본원의 조명 디바이스로 획득될 수 있다. 특히, 방사선 출사 창은 1-100mm²의 범위로부터 선택된 방사선 출사 창 면적(E)을 갖는다. 이러한 치수들로, 방출 표면은 작을 수 있지만, 그럼에도 불구하고 높은 세기가 달성될 수 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 세라믹 바디는 일반적으로 (길이/폭의) 종횡비를 갖는다. 이것은 작은 방사선 출사 표면이지만, 예를 들어, 복수의 고체 상태 광원으로 조사되는 큰 방사선 입력 표면을 허용한다. 특정 실시예에서, 세라믹 바디는 0.5-100mm의 범위로부터 선택된 폭(W)을 갖는다. 따라서, 세라믹 바디는 특히 본 명세서에서 언급된 면들을 갖는 일체형 바디이다.

일반적으로 로드 형상 또는 바 형상의 세라믹 바디는 임의의 단면 형상을 가질 수 있지만, 실시예들에서는 단면이 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 삼각형, 오각형, 또는 육각형의 형상을 갖는다. 일반적으로 세라믹 바디들은 입방체이지만, 입방체와 상이한 형상으로 제공될 수 있고, 광 입력 표면은 다소 사다리꼴의 형상을 갖는다. 이렇게 함으로써, 광속이 더욱 강화될 수 있으며, 이는 일부 응용에 유리할 수 있다. 그러므로, 일부 예에서(상기 또한 참조), "폭"이라는 용어는 원형 단면을 갖는 세라믹 바디의 경우에서와 같이, 직경을 지칭할 수도 있다. 그러므로, 실시예들에서, 가늘고 긴 세라믹 바디는 특히 L>W 및 L>H인, 폭(W) 및 높이(H)를 추가로 갖는다. 특히, 제1 면과 제2 면은 길이를 정의하는데, 즉 이러한 면들 사이의 거리는 가늘고 긴 세라믹 바디의 길이이다. 이러한 면들은 특히 평행하게 배열될 수 있다.

세라믹 바디는 또한 원통형 로드일 수 있다. 실시예들에서, 원통형 로드는 로드의 종 방향을 따라 하나의 평탄한 표면(flattened surface)을 가지며, 거기에는 광원들에 의해 방출된 광의 세라믹 바디 내로의 효율적인 인커플링(incoupling)을 위해 광원들이 위치될 수 있다. 평탄한 표면은 또한 방열판들(heat sinks)을 배치하는 데 사용될 수 있다. 원통형 세라믹 바디는 또한, 예를 들어 서로 대향하게 배치되거나 서로 수직으로 위치된 두 개의 평탄한 표면을 가질 수 있다. 실시예들에서, 평탄한 표면은 원통형 로드의 종 방향의 부분을 따라 연장한다.

본 발명에 따른 실시예들에서 아래에 제시되는 바와 같은 세라믹 바디는 또한 길이 방향으로 접히고(folded), 구부러지고(bended) 및/또는 성형되어 세라믹 바디가 직선형의 선형 바 또는 로드가 아니지만, 예를 들어, 90도 또는 180도 굴곡(bend), U자형, 원형 또는 타원형, 루프 또는 다중 루프를 갖는 3차원 나선형의 형태의 둥근 모서리를 포함할 수 있다. 이것은 일반적으로 광이 안내되는 전체 길이가 상대적으로 커서, 상대적으로 높은 루멘 출력을 초래하지만, 동시에 상대적으로 작은 공간 내로 배열될 수 있는 소형 세라믹 바디를 제공한다. 예를 들어, 세라믹 바디의 발광 부분들은 단단할 수 있지만, 세라믹 바디의 투명한 부분들은 그것의 길이 방향을 따라 세라믹 바디의 형상을 제공하도록 유연할 수 있다. 광원들은 접힌, 구부러진 및/또는 성형된 세라믹 바디의 길이를 따라 어디에나 배치될 수 있다.

광 인커플링 면적 또는 광 출사 창으로서 사용되지 않는 세라믹 바디의 부분들에는 반사기가 제공될 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, 조명 디바이스는 발광 재료 광을 세라믹 바디 내로 다시 반사시키도록 구성된 반사기를 추가로 포함한다. 그러므로, 조명 디바이스는 방사선 출사 창 이외의 하나 이상의 면으로부터 빠져나가는 방사선을 다시 세라믹 바디 내로 반사시키도록 특히 구성된, 하나 이상의 반사기를 추가로 포함할 수 있다. 특히, 일 실시예에서 그들과 물리적으로 접촉하지 않지만, 방사선 출사 창의 대향 면은 이러한 반사기를 포함할 수 있다. 그러므로, 반사기들은 특히 세라믹 바디와 물리적으로 접촉하지 않을 수 있다. 그러므로, 일 실시예에서, 조명 디바이스는 제1 면의 다운스트림에 (적어도) 구성되고 광을 가늘고 긴 세라믹 바디 내로 다시 반사시키도록 구성된 광학 반사기를 추가로 포함한다. 대안적으로 또는 추가적으로, 광학 반사기들은 또한 광원 광을 커플링 인(couple in)하거나 발광 광을 커플링 아웃(couple out)하는 데 사용되지 않는 다른 면들 및/또는 면들의 부분들에 배열될 수 있다. 특히, 이러한 광학 반사기들은 세라믹 바디와 물리적으로 접촉하지 않을 수 있다. 또한, 이러한 광학 반사기(들)는 발광 및 광원 광 중 하나 이상을 세라믹 바디 내로 다시 반사시키도록 구성될 수 있다. 그러므로, 실질적으로 모든 광원 광은 발광 재료(즉, 특히 Ce^{3 +}와 같은 활성화제 요소(들))에 의한 변환을 위해 예약될 수 있고, 발광의 상당한 부분은 방사선 출사 창으로부터의 아웃커플링을 위해 예약될 수 있다. "반사기"라는 용어는 복수의 반사기를 지칭할 수도 있다.

특히 자동차 응용들을 위해, 광원은 광 방출 표면 면적(AL)을 포함하는 광 방출 표면을 포함할 수 있으며, 여기서 세라믹 바디는 세라믹 바디 표면 면적(A)을 포함하는 방사선 입력 표면 및 방사선 출사 창 면적(E)을 포함하는 방사선 출사 창을 포함하고, 여기서 0.8≤A/AL≤1.2 및 0.8≤E/AL≤1.5, 특히 1≤E/AL≤1.5이다.

"커플링 인(coupling in)"이라는 용어들과 유사한 용어들 및 "커플링 아웃(coupling out)"이라는 용어들과 유사한 용어들은 광이 매체(각각, 세라믹 바디 외부로부터 세라믹 바디 내로, 또는 그 반대로)에서 변경되는 것을 표시한다. 일반적으로, 광 출사 창은 도파관의 하나 이상의 다른 면에 (실질적으로) 수직으로 구성된 면(또는 면의 부분)이 될 것이다. 일반적으로, 세라믹 바디는 (길이 축, 폭 축 또는 높이 축과 같은) 하나 이상의 바디 축을 포함할 것이고, 출사 창은 이러한 축에 (실질적으로) 수직으로 구성된다. 그러므로, 일반적으로, 광 입력 면(들)은 광 출사 창에 대해 (실질적으로) 수직으로 구성될 것이다. 따라서, 방사선 출사 창은 특히 하나 이상의 방사선 입력 면에 수직으로 구성된다. 그러므로, 특히 광 출사 창을 포함하는 면은 광 입력 면을 포함하지 않는다.

방사선 출사 창의 다운스트림에, 선택적으로는 광학 필터가 구성될 수 있다.

또 다른 실시예에서, 조명 디바이스는 방사선 출사 창의 다운스트림에 구성되고 변환기 광을 시준하도록 구성된 시준기를 추가로 포함한다. 예를 들어, CPC(compound parabolic concentrator)와 같은, 이러한 시준기는 방사선 출사 창으로부터 빠져나가는 광을 시준하고 시준된 광의 빔을 제공하는 데 사용될 수 있다.

또한, 조명 디바이스는 고체 상태 광원 및/또는 발광 집광기의 냉각을 용이하게 하도록 구성된 방열판을 포함할 수 있다. 방열판은 구리, 알루미늄, 은, 금, 탄화 규소, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 알루미늄 탄화 규소, 산화 베릴륨, 규소-탄화 규소, 알루미늄 탄화 규소, 구리 텅스텐 합금들, 구리 몰리브덴 탄화물들, 탄소, 다이아몬드, 흑연, 및 이들 중 둘 이상의 조합들을 포함하거나 그들로 이루어질 수 있다. 조명 디바이스는 세라믹 바디를 냉각하도록 구성된 하나 이상의 냉각 요소를 추가로 포함할 수 있다.

특히, 광원들은 동작 동안 200-490nm의 범위로부터 선택된 파장의 광(광원 광)을 적어도 방출하는 광원들, 특히 동작 동안 400-490nm의 범위, 더욱 더 특히 440-490nm의 범위로부터 선택된 파장의 광을 적어도 방출하는 광원들이다. 이러한 광은 발광 재료에 의해 부분적으로 사용될 수 있다. 그러므로, 특정 실시예에서, 광원은 청색 광을 발생하도록 구성된다. 특정 실시예에서, 청색 광원 광은 430-450nm의 범위로부터 선택된 주 파장(dominant wavelength)을 갖는다.

특정 실시예에서, 광원은 (LED 또는 레이저 다이오드와 같은) 고체 상태 LED 광원을 포함한다. "광원"이라는 용어는 또한 예를 들어, 2-20개의 (고체 상태) LED 광원들과 같은 복수의 광원에 관한 것일 수 있지만, 보다 많은 광원들이 적용될 수 있다. 그러므로, LED라는 용어는 또한 복수의 LED를 지칭할 수 있다. 그러므로, 본 명세서에서 언급된 바와 같이, "고체 상태 광원"이라는 용어는 또한 복수의 고체 상태 광원을 지칭할 수 있다. 일 실시예(하기 또한 참조)에서, 이들은 실질적으로 동일한 고체 상태 광원들인데, 즉 고체 상태 광원 방사선의 실질적으로 동일한 스펙트럼 분포들을 제공한다. 실시예들에서, 고체 상태 광원들은 세라믹 바디의 상이한 면을 조사하도록 구성될 수 있다.

조명 디바이스는 복수의 광원을 포함한다. 특히, 복수(m)의 광원의 광원 광은 스펙트럼 중첩을 가지며, 더욱 더 특히, 이들은 동일한 유형이고 실질적으로 동일한 광(따라서 실질적으로 동일한 스펙트럼 분포를 가짐)을 제공한다. 그러므로, 광원들은 10nm의 대역폭 내에서와 같이, 실질적으로 동일한 방출 최대를 가질 수 있다.

광원들은 특히 세라믹 바디에, 즉 방사선 입력 면(들)에 적어도 0.2와트/mm²의 청색 광학 전력(W_opt)을 제공하도록 구성된다. 청색 광학 전력은 스펙트럼의 청색 부분으로서 정의되는 에너지 범위 내에 있는 에너지로서 정의된다(하기 또한 참조). 특히, 광자 유속은 평균적으로 적어도 4.5*10¹⁷광자/(s.mm²), 이를테면, 적어도 6.0*10¹⁷광자/(s.mm²)이다. 또한, 특정 실시예에서 길이(L)는 적어도 20mm이다. 추가의 특정 실시예에서, 세륨 농도는 A의 0.1-3.0%의 범위 내에 있다.

조명 디바이스는 예를 들어, 사무실 조명 시스템들, 가정용 응용 시스템들, 상점 조명 시스템들, 가정용 조명 시스템들, 액센트 조명 시스템들, 스폿 조명 시스템들, 극장 조명 시스템들, 광-섬유 응용 시스템들, 프로젝션 시스템들, 자체-조명 디스플레이 시스템들, 픽셀화 디스플레이 시스템들, 세그먼트 디스플레이 시스템들, 경보 표시등 시스템들, 의료용 조명 응용 시스템들, 표시등 시스템들, 장식 조명 시스템들, 휴대용 시스템들, 자동차 응용들, 그린 하우스 조명 시스템들, 원예 조명, 또는 LCD 백라이팅, 등의 일부일 수 있거나 이들에 적용될 수 있다.

"업스트림(upstream)" 및 "다운스트림(downstream)"이라는 용어들은 광 발생 수단(여기서 특히 제1 광원)으로부터의 광의 전파에 상대적인 항목들 또는 특성들의 배열에 관한 것이며, 여기서 광 발생 수단으로부터의 광의 빔 내의 제1 위치에 상대적인, 광 발생 수단에 가까운 광의 빔 내의 제2 위치는 "업스트림"이고, 광 발생 수단으로부터 더 떨어져 있는 광의 빔 내의 제3 위치는 "다운스트림"이다.

본 명세서에서 백색 광이라는 용어는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 알려져 있다. 특히, 그것은 특히 약 2700K 내지 6500K의 범위 내의 일반적인 조명을 위해서는, 약 2000과 20000K 사이, 특히 2700-20000K의 상관 색 온도(CCT)를 갖는 광에 관한 것이고, 특히 약 7000K 내지 20000K 범위 내의, 특히 BBL(흑체 궤적)로부터 약 15SDCM(배색 표준 편차) 내의, 특히 BBL로부터 약 10SDCM 내의, 더욱 더 특히 BBL로부터 약 5SDCM 내의 백라이팅 목적들을 위한 광에 관련된다.

일 실시예에서, 광원은 또한 약 5000과 20000K 사이의 상관 색 온도(CCT)를 갖는 광원 광, 예를 들어, 직접적인 인광체 변환 LED들(예를 들어, 10000K의 획득을 위한 인광체의 박층을 갖는 청색 발광 다이오드)을 제공할 수 있다. 그러므로, 특정 실시예에서, 광원은 5000-20000K의 범위 내의, 더욱 더 특히 6000-20000K, 이를테면 8000-20000K의 범위 내의 상관 색 온도를 갖는 광원 광을 제공하도록 구성된다. 상대적으로 높은 색 온도의 이점은 광원 광 내에 상대적으로 높은 청색 성분이 있을 수 있다는 것일 수 있다.

"자색 광" 또는 "자색 방출" 이라는 용어들은 특히 약 380-440nm의 범위 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "청색 광" 또는 "청색 방출"이라는 용어들은 특히 약 440-490nm의 범위(일부 자색 및 남색 색조들을 포함하는) 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "녹색 광" 또는 "녹색 방출"이라는 용어들은 특히 약 490-560nm의 범위 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "황색 광" 또는 "황색 방출"이라는 용어들은 특히 약 560-570nm의 범위 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "주황색 광" 또는 "주황색 방출"이라는 용어들은 특히 약 570-600의 범위 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "적색 광" 또는 "적색 방출"이라는 용어들은 특히 약 600-780nm의 범위 내의 파장을 갖는 광에 관한 것이다. "분홍색 광" 또는 "분홍색 방출"이라는 용어는 청색 및 적색 성분을 갖는 광을 지칭한다. "가시", "가시 광" 또는 "가시 방출"이라는 용어들은 약 380-780nm의 범위 내의 파장을 갖는 광을 지칭한다.

본 발명의 실시예들이 이제, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 표시하는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 인광체 변환 청색 LED의 방출 스펙트럼을 도시하고 - 컬러 포인트는, u'=0.204, v'=0.478(CIE 1976)이고, 청색 피크 파장은 439nm임 - ;
도 2는 황색 방출 YAG 인광체와 청색 LED를 조합하여 구축되며, 1A에서 소켓 온도의 함수로서 동작되는 전형적인 백색 LED의 정규화된 방출 유속(상대적인 세기(RI))을 도시하고 - 실선은 최첨단 백색 LED의 유속의 온도 의존성을 디스플레이하고; 파선은 본 발명에 따른 조명 디바이스의 유속의 온도 의존성을 디스플레이함 - ;
도 3a-3c는 인광체 변환 백색 LED 디바이스들(pcLED들) 및 자동차 램프의 실시예들을 각각 개략적으로 도시하고;
도 4a-4c는 본 발명의 일부 추가의 양태를 개략적으로 나타내고;
도 5는 세라믹 바디 및 선택적인 추가의 스테이지의 처리에 대한 실시예의 일부 양태를 개략적으로 나타내고;
도 6a-6b는 일부 열 발광 데이터를 도시한다.
개략적인 도면들은 반드시 축척에 맞을 필요는 없다.

일부 백색 LED 응용들, 예를 들어 자동차 전방 조명의 경우에, 상이한 온도에서의 안정적인 유속 출력이 요구된다. 청색 InGaN LED들은 온도가 증가함에 따라 출력 전력을 감소시킨다. 본 발명은 (높은 청색 전력 입력에서) 온도의 함수로서 QE를 증가시키는 루미라믹(Lumiramic) 변환기를 사용함으로써, LED 및 인광체 온도가 변화하는 안정적인 백색 유속 출력을 갖는, 청색 LED와 황색 방출 인광체의 조합을 설명한다.

자동차 전방 조명에서, 백색 LED들이 사용되는데, 이는 Ce로 활성화된 황색 방출 가넷 인광체 (Y,Gd)₃Al₅O₁₂와 조합된 청색 방출 InGaN LED(430-460nm 피크 방출)로 만들어진다. 도 1은 전형적인 백색 방출 스펙트럼을 도시한다. 여기서 가넷 인광체는 0.24%의 Ce 농도 및 13%의 Gd 농도(즉 (Y_{0. 8676}Gd_{0 . 13}Ce_{0 . 0024})₃Al₅O₁₂)를 갖는 루미라믹 변환기로 이루어진다. 도 1은 인광체 변환 청색 LED의 방출 스펙트럼을 도시한다. 컬러 포인트는, u'=0.204, v'=0.478(CIE 1976)이다. 청색 피크 파장은 439nm이다.

청색 방출 AlInGaN LED들이 온도의 함수로서 탁월한 외부 효율을 갖지만, 현재 LED 디바이스들에 대한 온도의 증가에 따라 일정한 전류에서의 청색 전력은 감소한다. 백색 LED들의 경우에, 출력 전력에 있어서의 감소는 방출된 백색 유속의 감소로 이어진다. YAG 인광체들의 응용의 경우에, 인광체 조성에 의존하여, 인광체의 소위 열 소염(thermal quenching)에 의해 영향이 증폭되는데, 이는 온도의 증가에 따라 양자 효율이 감소한다는 것을 설명한다.

다른 것들 중에서, 본 발명은 백색 인광체 변환 LED에게 특히 0.2<u'<0.21 및 0.45<v'<0.5의 컬러 포인트(CIE1976 색 좌표들 u' 및 v'로)를 제공한다. 이것은 청색 InGaN LED들을 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5, 0≤q<1, 및 0.001≤z≤0.06, 더욱 더 특히 일 실시예에서 x>0, 이를테면 0<x≤0.5, 및 추가의 실시예 내의 0.05≤y≤0.2, 및 0.0015≤z≤0.03을 갖는 (Y_{(1-y-q- z)},Gd_y,Lu_q, Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂의 조성의 가넷 인광체와 조합함으로써 달성될 수 있다. 바람직한 기능성을 달성하기 위해, 재료는 1750℃에서 8시간 동안 산소에서 소결되고, 실온에서 냉각된 후에 재료는 온도에 의존하여, 예를 들어, 더 긴 시간 기간 동안 1100℃<1450℃에서 기체(N₂/H₂)를 형성하는 환원성 분위기에서 어닐링된다. 상기 조성의 재료를 이용한 이러한 준비 프로세스의 결과로서, 다수의 산소 공핍을 포함하는 재료가 형성된다. 주변 온도에서 uv-광(λ<370nm)으로 재료를 비춘다면, 인광체 온도가 실온 위로 상승될 때 놀랍게도 밝은 열 발광(bright thermo luminescence)이 관찰될 것이다.

세라믹들은 산화이트륨(Y₂O₃), 산화가돌리늄(Gd₂O₃), 산화세륨(CeO₂) 및 산화알루미늄(Al₂O₃) 및 플럭싱제(fluxing agent)를 포함하는 SiO₂의 혼합물의 반응성 소결에 의해 준비되었다. 녹색 바디 준비는 단일축 프레싱, 슬립 주조(slip casting), 사출 성형(injection molding), 압출, 테이프-캐스팅 또는 다른 세라믹 녹색 바디 형성 기술들에 의한 것일 수 있다. 녹색 바디들은 기본 조성(Gd 농도, Al 초과 또는 "부족") 및 SiO₂-함유 소결 보조제의 농도에 의존하는 1400℃와 1700℃ 사이의 온도들에서의 공기 또는 산소에서 소결되었다. 샘플들은 환원성 분위기(H₂, 다양한 H₂ 농도의 N₂/H₂)에서 어닐링되어 격자 결함들을 만들었다.

도 2는 세라믹 바디의 형태의 황색 방출 YAG 인광체와 청색 LED를 조합하여 구축되며, 1A에서 소켓 온도의 함수로서 동작되는 전형적인 백색 LED의 정규화된 방출 유속을 도시한다. 실선은 최첨단 백색 LED의 유속의 온도 의존성을 디스플레이하며; 파선은 본 발명에 따른 조명 디바이스의 유속의 온도 의존성을 디스플레이한다. 측정들은 각각의 온도에 대한 짧은 동작 펄스(20ms)로 행해졌다. 본 발명에 따른 디바이스가 뛰어난 열 안정성을 갖는다는 것은 분명하다.

도 3a-3c는 인광체 변환 백색 LED 디바이스들 pcLED들 및 자동차 램프의 실시예들을 각각 개략적으로 도시한다.

도 3a는 고체 상태 광원(10) 및 세라믹 바디(100)를 포함하는 조명 디바이스(1)의 실시예를 개략적으로 나타내며, 여기서 고체 상태 광원(10)은 세라믹 바디(100)에게 청색 광원 광(11)을 제공하도록 구성된다. 세라믹 바디(100)는 청색 광원 광(11)의 일부를 황색 변환기 광(101)으로 파장 변환하여, 상기 청색 광원 광(11) 및 상기 황색 변환기 광(101)을 포함하는 백색 조명 디바이스 광(2)을 제공하도록 구성된 세라믹 재료(120)를 포함한다. 특히, 상기 백색 조명 디바이스 광(2)은 0.18≤u'≤0.25 및 0.42≤v'≤0.54 범위로부터 선택된 컬러 포인트를 갖는다. 또한, 세라믹 재료(120)는 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5, 0≤q<1, 및 0.001≤z≤0.06을 갖는 (Y_(1-y-q-z),Gd_y,Lu_q,Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂ 세라믹 재료를 포함한다. 특히, 일 실시예에서 x>0, 이를테면 x는 적어도 0.05같이 0<x≤0.5이다. 추가의 실시예에서, 0.05≤y≤0.2, 및 0.0015≤z≤0.03이다. 광원은 광 방출 표면(12)을 포함하고, 여기서 LED 다이는 세라믹 바디(100)로부터 1mm 이하의 거리 d에서 구성된 표면 면적 AL을 갖는다. 본 명세서에서 개략적으로 나타낸 실시예들에서, 광원(10)은 세라믹 바디(100)와 물리적으로 접촉하는, 즉 d=0mm인 상기 광 방출 표면(12)을 포함한다. 참조 번호 111은 방사선 입력 면을 표시한다. 또한, 세라믹 바디(100)는 전자의 다운스트림에 방사선 출사 창(112)을 포함한다. 방사선 입력 표면(111)은 표면 면적 A를 갖고 방사선 출사 창(112)은 표면 면적 E를 갖는다. 특히 자동차 응용들의 경우에, 0.8≤A/AL≤1.2이고 1≤E/AL≤1.5이다.

그러므로, 본 명세서에서 설명된 세라믹 바디(100)는 특히 투과성 구성에 적용된다.

도 3b는 이미징 시스템들을 위한 응용들, 또는 다른 응용들을 위해 사용되는 것으로서 인광체 변환 LED의 전형적인 구성의 실시예를 개략적으로 나타낸다. 청색 방출 다이는 황색 방출 인광체로 커버된다. 발광 면적을 작게 유지하기 위해, 인광체 층은 청색 LED 면적에 꼭 맞는 크기를 가지며, 이 경우에 루미라믹 변환기인 LED 및 인광체의 측면들은 백색 측면 코트(white side coat)(반사기 (201))로 커버되는데, 이는 보통 청색 및 황색 광을 효과적으로 반사하는, 실리콘에 현탁된 백색 분말로 이루어진다. 참조 번호 202는 패키지 또는 PCB를 표시한다.

도 3c는 그의 다운스트림에 시준기(24)를 갖는, 본 명세서에서 설명된 바와 같은 조명 디바이스(1)를 포함하는 헤드라이트와 같은 자동차 램프(300)를 개략적으로 나타낸다.

본 발명에 따른 광 방출 디바이스는 램프, 광 모듈, 등기구(luminaire), 스폿 라이트, 플래시 라이트, 프로젝터, (디지털) 프로젝션 디바이스, 예를 들어, 모터 차량의 헤드라이트 또는 미등과 같은 자동차 조명, 경기장 조명, 극장 조명 및 건축 조명을 포함하지만, 이들로 제한되지 않는 응용들에서 사용될 수 있다.

아래에 제시되는 본 발명에 따른 실시예들의 일부인 광원들은 동작 시 제1 스펙트럼 분포를 갖는 광을 방출하도록 적응될 수 있다. 이러한 광은 후속하여 - 여기서는 세라믹 바디인 - 광 가이드 또는 도파관 내로 결합된다. 광 가이드 또는 도파관은 제1 스펙트럼 분포의 광을 또 다른 스펙트럼 분포로 변환하고 이 광을 출사 표면으로 안내할 수 있다.

본 명세서에서 정의된 바와 같은 조명 디바이스의 일 실시예가 도 4a에 개략적으로 나타난다. 도 4a는 복수의 고체 상태 광원(10) 및 가늘고 긴 세라믹 바디(100)의 길이 L을 정의하는 제1 면(141)과 제2 면(142)을 갖는 가늘고 긴 세라믹 바디(100)를 포함하는 조명 디바이스(1)를 개략적으로 나타낸다. 가늘고 긴 세라믹 바디(100)는 (예를 들어, 폭 W를 정의하는) 참조 번호들 143 및 144로 표시된 - 여기서 예로서 2개의 대향하여 배열된 면인 - 하나 이상의 방사선 입력 면(111)을 포함한다. 또한, 세라믹 바디(100)는 방사선 출사 창(112)을 포함하며, 여기서 제2 면(142)은 상기 방사선 출사 창(112)을 포함한다. 전체적인 제2 면(142)은 방사선 출사 창으로서 사용되거나 구성될 수 있다. 복수의 고체 상태 광원(10)은 하나 이상의 방사선 입력 면(111)에 (청색) 광원 광(11)을 제공하도록 구성된다. 위에서 언급된 바와 같이, 이들은 특히 방사선 입력 면들(111) 중 적어도 하나에 평균적으로 특히 - 배타적으로는 아니지만 - 적어도 0.067와트/mm²의 청색 전력 W_opt를 제공하도록 구성된다.

가늘고 긴 세라믹 바디(100)는 (청색) 광원 광(11)의 적어도 일부를 녹색 및 적색 변환기 광(101) 중 적어도 하나 이상과 같은 변환기 광(101)으로 파장 변환하도록 구성된 세라믹 재료(120)를 포함한다. 위에서 언급된 바와 같이, 세라믹 재료(120)는 A₃B₅O₁₂:Ce^{3 +} 세라믹 재료를 포함하며, (그러나) 특히 위에서 정의된 바와 같이, 여기서 A는 예를 들어, 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd) 및 루테튬(Lu) 중 하나 이상을 포함하고, B는 예를 들어, 알루미늄(Al)을 포함한다. 참조 번호들 20 및 21은 각각 광학 필터 및 반사기를 표시한다. 전자는 예를 들어, 녹색 광이 요구될 때 비-녹색 광을 감소시킬 수 있거나 적색 광이 요구될 때 비-적색 광을 감소시킬 수 있다. 후자는 광을 세라믹 바디 또는 도파관 내로 다시 반사시켜서, 효율을 개선시키는 데 사용될 수 있다. 개략적으로 나타낸 반사기보다 더 많은 반사기들이 사용될 수 있다는 점에 유의하라.

광원들은 원칙적으로 임의의 유형의 점 광원일 수 있지만, 일 실시예에서는 고체 상태 광원 이를테면, LED(Light Emitting Diode), 레이저 다이오드 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 복수의 LED 또는 레이저 다이오드 또는 OLED, 또는 LED들 또는 레이저 다이오드들 또는 OLED들의 어레이, 또는 이들의 임의의 조합이다. LED는 원칙적으로 임의의 색상의 LED, 또는 이들의 조합일 수 있지만, 일 실시예에서 380nm와 490nm 사이의 파장 범위로서 정의된 UV 및/또는 청색 컬러-범위 내의 광원 광을 생성하는 청색 광원이다. 또 다른 실시예에서, 광원은 UV 또는 자색 광원, 즉 420nm 미만의 파장 범위에서 방출하는 광원이다. 복수의 LED 또는 레이저 다이오드 또는 OLED, 또는, 이들의 어레이의 경우에, LED들 또는 레이저 다이오드들 또는 OLED들은 원칙적으로 UV, 청색, 녹색, 황색 또는 적색과 같지만, 이들로 제한되지 않는 2개 이상의 상이한 색상의 LED들 또는 레이저 다이오드들 또는 OLED들일 수 있다.

도 4a-4b는 조명 디바이스의 유사한 실시예들을 개략적으로 나타낸다. 또한, 조명 디바이스는, 예를 들어, 광 집광 요소, 이를테면, 복합 파라볼릭 광 집광 요소(CPC) 같이, 도파관과 분리된 및/또는 도파관 내에 통합된 추가의 광학 요소들을 포함할 수 있다. 도 4b에서의 조명 디바이스들(1)은 CPC와 같은 시준기(24)를 추가로 포함한다.

도 4c는 도파관들 또는 발광 집광기들로서 가능한 세라믹 바디들의 일부 실시예를 개략적으로 나타낸다. 면들은 참조 번호들 141-146으로 표시된다. 제1 변형예인, 판-형 또는 빔-형 세라믹 바디는 면들(141-146)을 갖는다. 도시되지 않은 광원들은 면들(143-146) 중 하나 이상에 배열될 수 있다. 제2 변형예는 제1 및 제2 면들(141 및 142) 및 원주 면(143)을 갖는 관형 로드(tubular rod)이다. 도시되지 않은 광원들은 세라믹 바디 주위의 하나 이상의 위치에 배열될 수 있다. 이러한 세라믹 바디는 (실질적으로) 원형 또는 둥근 단면을 가질 것이다. 제3 변형예는 실질적으로 2개의 만곡된 측면 및 2개의 평탄한 측면을 갖는 2개의 전자 변형예의 조합이다. 도 4c에 도시된 변형예들은 제한적이지 않다. 즉 예를 들어, WO2006/054203에 언급된 더 많은 형상들이 가능하고, 이는 본 명세서에 참조로 포함된다. 광 가이드들로서 사용되는 세라믹 바디들은 일반적으로 상호 수직인 방향들로 연장하는 높이 H, 폭 W, 및 길이 L을 포함하는 로드 형상 또는 바 형상의 광 가이드들일 수 있고 실시예들에서 투명하거나, 투명하고 발광한다. 광은 일반적으로 길이 L 방향으로 안내된다. 높이 H는 실시예들에서 <10mm, 다른 실시예들에서 <5mm, 또 다른 실시예들에서 <2mm이다. 폭 W는 실시예들에서 <10mm이고, 다른 실시예들에서 <5mm, 또 다른 실시예들에서 <2mm이다. 길이 L은 실시예들에서 폭 W 및 높이 H보다 크고, 다른 실시예들에서 적어도 폭 W의 2배 또는 높이 H의 2배, 또 다른 실시예들에서 적어도 폭 W의 3배 또는 높이 H의 3배이다. 그러므로, (길이/폭의) 종횡비는 특히 1보다 크고, 이를테면 2 이상이다. 달리 표시되지 않는 한, 용어 "종횡비(aspect ratio)"는 길이/폭의 비율을 지칭한다.

높이 H: 폭 W의 종횡비는 전형적으로 1:1(예를 들어, 일반 광원 응용들을 위해) 또는 1:2, 1:3 또는 1:4(예를 들어, 헤드램프들과 같은 특수 광원 응용들을 위해) 또는 4:3, 16:10, 16:9 또는 256:135(예를 들어, 디스플레이 응용들을 위해)이다. 광 가이드들은 일반적으로 평행한 평면들에 배열되지 않은 광 입력 표면 및 광 출사 표면을 포함하고, 실시예들에서 광 입력 표면은 광 출사 표면에 수직이다. 고휘도의 집광된 광 출력을 달성하기 위해서, 광 출사 표면의 면적은 광 입력 표면의 면적보다 작을 수 있다. 광 출사 표면은 임의의 형상을 가질 수 있지만, 일 실시예에서 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 삼각형, 오각형 또는 육각형과 같은 형상이다.

도 5는 세라믹 바디 및 선택적인 추가의 스테이지의 처리에 대한 실시예의 일부 양태를 개략적으로 나타낸다. 스테이지 Ⅰ은 출발 재료들 및 녹색 바디 형성물의 조합을 제공하는 것을 표시한다. 스테이지 Ⅱ는 소결 스테이지를 표시한다. 스테이지 Ⅲ은 어닐링 스테이지를 표시하고, 스테이지 Ⅳ는 디바이스를 연마, 연삭, 다이싱 및 빌딩하는 것과 같이 후속하는 처리 스테이지를 표시한다. 표시된 스테이지들 사이에 선택적으로는 소결 스테이지와 어닐링 스테이지 사이에 냉각 스테이지, 등등과 같은 다른 액션들 또는 스테이지들이 포함될 수 있다는 점에 유의하라.

도 6a는 기체 형성에서 어닐링 전(하위 곡선)과 어닐링 후(상위 곡선)의_표준 소결(as-sintered) Y,GdAG 재료(하기 또한 참조)의 글로우(glow) 곡선들을 도시한다. 글로우 곡선들은 여기 광(exciting light)(여기서 360nm 파장)으로 재료를 비춤으로써 생성된다. 조명 단계(illumination phase) 후에, 램프는 스위치 오프되고, 방출된 광은 샘플 온도가 선형 온도 경사로 연속해서 증가하는 동안 검출된다. 여기서 온도 증가 속도는 ~84K/min이었다. "소결(as-sintered)" 글로우 곡선은 거의 어떠한 열 발광도 도시하지 않지만, 어닐링된 샘플은 상이한 온도에 두 개의 피크가 배치된 높은 세기의 TL을 보이는데, 이는 재료에서 적어도 두 개의 상이한 트랩 상태가 존재함을 표시한다. 도 6b는 어닐링 후에 상이한 가넷 재료의 글로우 곡선들의 비교를 도시한다. 샘플들의 화학양론(stoichiometry)은 아래에 주어진다:

재료에서의 결함 밀도에 정비례할 수 있는, 통합된 열 발광 광은 어닐링 전과 후에 동일한 세팅들을 이용하여, 주어진 가열 속도 및 주어진 UV 노출에서 25-240℃ 사이에 측정되었다. 어닐링 전의 열 발광에 대한 어닐링 후의 열 발광 비율이 적어도 12와 같은 10보다 큰(>10) 범위 내에 있다는 것이 밝혀졌다.

"실질적으로 모든 광(substantially all light)"에서 또는 "실질적으로 이루어진(substantially consists)"에서와 같이, 본 명세서에서 "실질적으로(substantially)"라는 용어는 본 기술 분야의 통상의 기술자에 의해 이해될 것이다. "실질적으로"라는 용어는 또한 "전체적으로(entirely)", "완전히(completely)", "모두(all)", 등을 갖는 실시예들을 포함할 수 있다. 그러므로, 실시예들에서 형용사 실질적으로는 또한 제거될 수 있다. 적용가능한 경우에, "실질적으로"라는 용어는 또한 90% 이상, 이를테면 95% 이상, 특히 99% 이상, 더욱 더 특히 100%를 포함하는 99.5% 이상에 관한 것일 수 있다. "포함한다(comprise)"라는 용어는 또한 "포함한다"라는 용어가 "로 이루어진다(consists of)"을 의미하는 실시예들을 포함한다. "및/또는"이라는 용어는 특히 "및/또는" 전과 후에 언급된 항목들 중 하나 이상에 관한 것이다. 예를 들어, 문구 "항목 1 및/또는 항목 2" 및 유사한 문구들은 항목 1 및 항목 2 중 하나 이상에 관한 것일수 있다. 일 실시예에서 "포함하는"이라는 용어는 "로 이루어진"을 지칭하지만 또 다른 실시예에서 또한 "적어도 정의된 종들 및 선택적으로는 하나 이상의 다른 종을 포함하는"을 지칭할 수 있다.

게다가, 설명 및 청구범위에서의 제1, 제2, 제3 등의 용어들은 유사한 요소들 사이를 구별하기 위해 사용되며, 반드시 순차적 또는 시간적 순서를 설명하는 것은 아니다. 이렇게 사용된 용어들은 적절한 상황들 하에서 교환가능하고, 본 명세서에서 설명된 본 발명의 실시예들은 본 명세서에서 설명되거나 예시된 것 이외의 다른 순서들로 동작할 수 있다는 것을 이해해야 한다.

본 명세서의 디바이스들은 다른 것들 중에서 동작 동안 설명된다. 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확할 것인 바와 같이, 본 발명은 동작의 방법들 또는 동작 중인 디바이스들로 제한되지 않는다.

위에서 언급된 실시예들은 본 발명을 제한하기보다는 예시하는 것이고, 본 기술 분야의 통상의 기술자는 첨부된 청구범위의 범위로부터 벗어나지 않고 많은 대안적인 실시예를 설계할 수 있을 것이라는 점에 유의해야 한다. 청구 범위에서, 괄호들 사이에 배치된 임의의 참조 부호는 청구 범위를 제한하는 것으로서 해석되어서는 안 된다. "포함하기 위한(to comprise)"라는 동사 및 그것의 활용들의 사용은 청구항에 명시된 것들 이외의 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 요소에 선행하는 단수 표현은 복수의 이러한 요소의 존재를 배제하지 않는다. 본 발명은 몇몇 별개의 요소를 포함하는 하드웨어에 의하여, 그리고 적절하게 프로그래밍된 컴퓨터에 의하여 구현될 수 있다. 몇몇 수단을 열거하는 디바이스 청구항에서, 이러한 수단들 중 몇몇은 하드웨어의 하나의 동일한 항목에 의해 구체화될 수 있다. 특정 조치들이 상호 상이한 종속항에 나열되어 있다는 단순 사실이 이러한 조치들의 조합은 유리하게 사용될 수 없다는 것을 표시하지는 않는다.

본 발명은 설명에 설명되고/거나 첨부 도면들에 도시된 특성화하는 특징들 중 하나 이상을 포함하는 디바이스에 추가로 적용된다. 본 발명은 설명에 설명되고/거나 첨부 도면들에 도시된 특성화하는 특징들 중 하나 이상을 포함하는 방법 또는 프로세스에 추가로 관련된다.

본 특허에서 논의된 다양한 양태는 추가적인 이점을 제공하기 위해 조합될 수 있다. 게다가, 특징들 중 일부는 하나 이상의 분할 출원을 위한 기반을 형성할 수 있다.

Claims (11)

1. 조명 디바이스(1)로서,
   고체 상태 광원(10), 및
   세라믹 바디(100)
   를 포함하며,
   상기 고체 상태 광원(10)은 상기 세라믹 바디(100)에게 청색 광원 광(11)을 제공하도록 구성되고,
   상기 세라믹 바디(100)는 상기 청색 광원 광(11)의 일부를 황색 변환기 광(101)으로 파장 변환하여, 상기 청색 광원 광(11) 및 상기 황색 변환기 광(101)을 포함하는 백색 조명 디바이스 광(2)을 제공하도록 구성된 세라믹 재료(120)를 포함하며, 상기 백색 조명 디바이스 광(2)은 0.18≤u'≤0.25 및 0.42≤v'≤0.54의 범위로부터 선택된 컬러 포인트를 갖고, 상기 세라믹 재료(120)는 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5, 0≤q<1, 및 0.001≤z≤0.06을 갖는 (Y_{(1-y-q- z)},Gd_y,Lu_q,Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂ 세라믹 재료를 포함하고,
   상기 세라믹 바디(100)는, 제1 분위기에서 1500-2000℃의 범위 내의 온도에서, 선택적으로는 SiO₂를 포함하는, 출발 재료들의 혼합물을 소결하여 소결된 바디(100a)를 제공하는 것을 포함하는 소결 스테이지와, 그에 후속하여 제2 분위기에서 1000-1600℃의 범위 내의 온도에서 어닐링하여 상기 세라믹 바디(100)를 제공하는 것을 포함하는 어닐링 스테이지를 포함하는 프로세스에 의해 획득가능하며, 상기 제1 분위기는 상기 제2 분위기와 상이하고, 상기 제1 분위기는 중성 또는 산화성 분위기를 포함하고, 상기 제2 분위기는 환원성 분위기를 포함하는 조명 디바이스(1).
2. 제1항에 있어서, 0.0≤x≤0.5, 0.05≤y≤0.2, 및 0.0015≤z≤0.03이고, 상기 청색 광원 광(11)은 430-450nm의 범위로부터 선택된 주 파장(dominant wavelength)을 갖는 조명 디바이스(1).
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광원은 상기 세라믹 바디(100)로부터 1mm이하의 거리(d)에 구성된 광 방출 표면(12)을 포함하는 조명 디바이스(1).
4. 제3항에 있어서, 상기 광원은 상기 세라믹 바디(100)와 물리적으로 접촉하는 광 방출 표면(12)을 포함하는 조명 디바이스(1).
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고체 상태 광원(10)을 복수 개 포함하며, 상기 세라믹 바디(100)는 가늘고 긴 세라믹 바디(100)로서, 가늘고 긴 세라믹 바디(100)의 길이(L)를 정의하는 제1 면(141) 및 제2 면(142)을 갖고, 상기 가늘고 긴 세라믹 바디(100)는 하나 이상의 방사선 입력 면(111) 및 방사선 출사 창(112)을 포함하고, 상기 제2 면(142)은 상기 방사선 출사 창(112)을 포함하고, 상기 복수의 고체 상태 광원(10)은 상기 하나 이상의 방사선 입력 면(111)에게 청색 광원 광(11)을 제공하도록 구성되는 조명 디바이스(1).
6. 제5항에 있어서, 상기 제1면(141)의 다운스트림에 구성되고 광을 상기 가늘고 긴 세라믹 바디(100)로 다시 반사하도록 구성된 광학 반사기(21)를 추가로 포함하며, 상기 방사선 출사 창(112)은 상기 하나 이상의 방사선 입력 면(111)에 수직으로 구성되는 조명 디바이스(1).
7. 제5항에 있어서, 상기 가늘고 긴 세라믹 바디(100)는 상기 방사선 입력 면들(111)의 면적과 상기 방사선 출사 창(112)의 면적의 비율로서 정의된, 적어도 2인 기하학적 집광 계수(geometrical concentration factor)를 포함하고, 상기 조명 디바이스(1)는 상기 방사선 출사 창(112)의 다운스트림에 구성되고 상기 변환기 광(101)을 시준하도록 구성된 시준기(collimator; 24)를 추가로 포함하는 조명 디바이스(1).
8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광원은 광 방출 표면 면적(AL)을 포함하는 광 방출 표면(12)을 포함하고, 상기 세라믹 바디(100)는 세라믹 바디 표면 면적(A)을 포함하는 방사선 입력 표면(111) 및 방사선 출사 창 면적(E)을 포함하는 방사선 출사 창(112)을 포함하며, 0.8≤A/AL≤1.2 및 1≤E/AL≤1.5인 조명 디바이스(1).
9. 자동차 램프(300)로서,
   제1항 또는 제2항에 따른 조명 디바이스(1)
   를 포함하는 자동차 램프(300).
10. 세라믹 바디(100)의 제조를 위한 프로세스 - 상기 세라믹 바디(100)는 0≤x≤0.6, 0≤y≤0.5, 0≤q<1, 및 0.001≤z≤0.06을 갖는 (Y_(1-y-q-z),Gd_y,Lu_q,Ce_z)₃(Al_(1-x),Ga_x)₅O₁₂ 세라믹 재료(120)를 포함함 - 로서,
    제1 분위기에서 1500-2000℃의 범위 내의 온도에서, 선택적으로는 SiO₂를 포함하는, 출발 재료들의 혼합물을 소결하여 소결된 바디(100a)를 제공하는 것을 포함하는 소결 스테이지, 및
    후속하여 제2 분위기에서 1000-1600℃에서 어닐링하여 상기 세라믹 바디(100)를 제공하는 것을 포함하는 어닐링 스테이지
    를 포함하며,
    상기 제1 분위기는 상기 제2 분위기와 상이하고, 상기 제1 분위기는 중성 또는 산화성 분위기를 포함하고, 상기 제2 분위기는 환원성 분위기를 포함하는 프로세스.
11. 제10항에 있어서, 상기 출발 재료들은 또한 SiO₂를 포함하고, 상기 소결 스테이지는 핫 프레싱을 포함하는 프로세스.

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