KR102439909B1 - 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치는, 홀 센서로 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 바이어스 전류에 따른 홀 센서와 바이어스 제공기 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제1 전압 조정기; 및 바이어스 전류에 따른 홀 센서와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제2 전압 조정기; 를 포함하고, 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 제1 전압 차이와 제2 전압 차이 간의 차이가 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압과 기준 전압 간의 차이에 대응되도록 가변적일 수 있다.
Description
본 발명은 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치에 관한 것이다.
일반적으로 외부로부터 받는 힘에 따라 렌즈 모듈이 움직일 때, 상기 렌즈 모듈의 외부에 대한 상대적인 위치를 고정시키기 위한 기술이 널리 활용되고 있다.
예를 들어, 카메라 모듈은 외부로부터 힘을 받더라도 내부의 렌즈 모듈의 위치를 고정시키는 광학식 손떨림 보정(Optical Image Stabilizer) 장치를 포함할 수 있다.
홀 센서는 렌즈 모듈의 위치 정보를 측정하기 위해 사용될 수 있으며, 홀 센서는 렌즈 모듈의 위치에 따라 달라지는 전압을 출력할 수 있다. 광학식 손떨림 보정 정확도는 홀 센서의 출력전압과 렌즈 모듈의 위치 정보 간의 대응관계 정확도가 높을수록 높아질 수 있다.
본 발명은 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치는, 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 바이어스 제공기 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제1 전압 조정기; 및 상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제2 전압 조정기; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압과 기준 전압 간의 차이에 대응되도록 가변적일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치는, 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기; 상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 바이어스 제공기 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제1 전압 조정기; 및 상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제2 전압 조정기; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 상기 바이어스 전류와 기준 전류 간의 차이에 대응되도록 가변적일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치는, 상기 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치; 상기 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 기반하여 구동 전류를 출력하는 구동기; 상기 구동 전류를 전달받는 구동 코일; 상기 구동 코일에 흐르는 구동 전류에 기반하여 움직이도록 배치된 렌즈 모듈; 및 상기 렌즈 모듈의 위치에 기반하여 상기 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이가 결정되도록 배치된 상기 홀 센서; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치는, 홀 센서를 통과하는 자속을 형성하는 자성 구조(예: 렌즈 모듈에 배치된 자석)의 위치 검출 정확도를 향상시킬 수 있으며, 홀 센서의 공통 모드 전압에 적응적일 수 있는 구성요소(예: 증폭기, AD변환기, 바이어스 제공기)의 성능을 향상시키거나 상기 구성요소의 설계 자유도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어를 예시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 전압 조정기를 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어 과정을 예시한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 증폭기를 예시한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 증폭기와 공통 모드 전압 간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어를 예시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 전압 조정기를 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어 과정을 예시한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 증폭기를 예시한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 증폭기와 공통 모드 전압 간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치를 나타낸 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는, 바이어스 제공기(160a) 및 전압 조정기(120a)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는 IC(Integrated Circuit)로 구현될 수 있으며, 인쇄회로기판과 같은 기판 상에 실장될 수 있으며, 기판을 통해 홀 센서(400)에 전기적으로 연결될 수 있다. 설계에 따라, 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)와 홀 센서(400)는 단일 IC로 통합될 수도 있다.
홀 센서(400)의 등가회로는 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)을 포함할 수 있다. 바이어스 전류(IB)는 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)을 흐를 수 있다. 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 구체적 구조는 등가회로로 제한되지 않고, 다양한 방식으로 구현될 수 있다.
홀 센서(400)는 홀 효과(hall effect)를 이용하여 홀 센서(400)를 통과하는 자속(magnetic flux)을 감지할 수 있다. 홀 센서(400)에 자속이 통과할 경우, 홀 센서(400)는 바이어스 전류(IB)와 상기 자속에 수직인 방향으로 홀 전압을 생성할 수 있으며, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 상기 홀 전압에 대응될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 홀 센서(400)를 통과하는 자속에 대한 측정값으로 사용될 수 있다.
예를 들어, 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 형성하는 자성 구조(예: 렌즈 모듈에 배치된 자석)의 위치가 홀 센서(400)에 가까울수록 홀 센서(400)를 통과하는 자속은 커질 수 있다. 따라서, 홀 센서(400)를 통과하는 자속의 변화값은 상기 자성 구조의 움직인 거리에 비례할 수 있다. 즉, 홀 센서(400)를 통과하는 자속이 단위 자속만큼 변할 경우, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 단위 전압 차이만큼 변할 수 있다.
기준 자속이 정의되고 기준 자속에 대응되는 상기 자성 구조의 위치가 정의될 경우, 홀 센서(400)를 통과하는 자속과 기준 자속 간의 차이값은 상기 자성 구조의 절대적 위치에 대응될 수 있다.
예를 들어, 기준 자속에 대응되는 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이의 기준은 0으로 정해질 수 있으며, 상기 자성 구조의 위치는 중심 위치로 정의될 수 있다.
그러나, 홀 센서(400) 주변의 온도나, 홀 센서(400)의 설계 저항값과 실제 저항값 간의 차이나, 홀 센서(400)에 제공되는 바이어스 전류(IB)의 기초가 되는 전원의 상태 등으로 인해, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압 및/또는 바이어스 전류(IB)는 달라질 수 있다.
제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압은 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 평균 전압에 대응될 수 있으며, 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 평균 저항값 및/또는 바이어스 전류(IB)에 따라 달라질 수 있다.
홀 센서(400)를 통과하는 자속이 단위 자속만큼 변할 경우, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이는 단위 전압 차이와 공통 모드 전압의 곱에 비례할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압이 달라질 경우, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 기반하여 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 검출할 때의 검출 정확도는 저하될 수 있다.
바이어스 제공기(160a)는 홀 센서(400)의 입력단자(HB)로 바이어스 전류(IB)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 바이어스 제공기(160a)는 밴드갭 레퍼런스(bandgap reference) 회로와 같이 외부 환경이나 공정편차에 대해 강건하게 바이어스 전류(IB)를 생성하는 회로로 구성될 수 있으며, 트랜지스터의 게이트 단자에 인가하는 전압에 따라 트랜지스터의 드레인/소스 단자 사이로 바이어스 전류(IB)가 형성되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 바이어스 제공기(160a)는 디지털 제어 신호를 입력 받고 상기 디지털 제어 신호에 대응되는 아날로그 전압을 생성하도록 구성될 수 있으며, 상기 아날로그 전압을 상기 트랜지스터의 게이트 단자나 밴드갭 레퍼런스 회로의 일부 트랜지스터에 인가할 수 있다.
전압 조정기(120a)는 제1 전압 조정기(121a) 및 제2 전압 조정기(122a)를 포함할 수 있다. 제1 전압 조정기(121a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)와 바이어스 제공기(160a) 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성될 수 있다. 제2 전압 조정기(122a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)의 접지단자(HG)와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성될 수 있다.
제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압과 기준 전압 간의 차이에 대응되도록 가변적일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이에서 상기 제2 전압 차이를 감산한 값이 상기 공통 모드 전압이 높을수록 높아지도록 가변적일 수 있다.
만약 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압이 높아질 경우, 제1 전압 조정기(121a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)와 바이어스 제공기(160a) 사이의 제1 전압 차이가 커지도록 조정될 수 있으며, 제2 전압 조정기(122a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)의 접지단자(HG)와 접지 사이의 제2 전압 차이가 작아지도록 조정될 수 있다. 만약 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압이 낮아질 경우, 제1 전압 조정기(121a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)와 바이어스 제공기(160a) 사이의 제1 전압 차이가 작아지도록 조정될 수 있으며, 제2 전압 조정기(122a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)의 접지단자(HG)와 접지 사이의 제2 전압 차이가 커지도록 조정될 수 있다. 설계에 따라, 제1 전압 차이와 제2 전압 차이 중 하나만 조정되거나 함께 조정될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압을 기준 전압과 동일하거나 기준 전압에 매우 가까워지도록 조정할 수 있으므로, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 기반하여 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 검출할 때의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압은 바이어스 전류(IB)에 따른 제1, 제2, 제3 및 제4 홀 센서 저항(HR1, HR2, HR3, HR4)의 전압 강하에 기반하여 결정될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압과 바이어스 전류(IB)은 서로 높은 상관관계가 있을 수 있다.
따라서, 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 바이어스 전류(IB)와 기준 전류 간의 차이에 대응되도록 가변적일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이에서 상기 제2 전압 차이를 감산한 값이 바이어스 전류(IB)가 클수록 높아지도록 가변적일 수 있다.
만약 바이어스 전류(IB)가 커질 경우, 제1 전압 조정기(121a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)와 바이어스 제공기(160a) 사이의 제1 전압 차이가 커지도록 조정될 수 있으며, 제2 전압 조정기(122a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)의 접지단자(HG)와 접지 사이의 제2 전압 차이가 작아지도록 조정될 수 있다. 만약 바이어스 전류(IB)가 작아질 경우, 제1 전압 조정기(121a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)와 바이어스 제공기(160a) 사이의 제1 전압 차이가 작아지도록 조정될 수 있으며, 제2 전압 조정기(122a)는 바이어스 전류(IB)에 따른 홀 센서(400)의 접지단자(HG)와 접지 사이의 제2 전압 차이가 커지도록 조정될 수 있다. 설계에 따라, 제1 전압 차이와 제2 전압 차이 중 하나만 조정되거나 함께 조정될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압을 기준 전압과 동일하거나 기준 전압에 매우 가까워지도록 조정할 수 있으므로, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 기반하여 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 검출할 때의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는, 증폭기(110a) 및 AD변환기(130a) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
증폭기(110a)는 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이를 증폭할 수 있다.
예를 들어, 증폭기(110a)는 연산 증폭기와 복수의 저항이 조합된 (비)반전 증폭기 회로로 구현될 수 있으며, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 비례하는 증폭된 전압을 출력할 수 있다. 증폭기(110a)에 의해 증폭된 전압은 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이에 비례할 수 있다.
증폭기(110a)의 이득(gain)은 상기 복수의 저항의 저항값 관계에 따라 결정될 수 있다. 낮은 이득을 가지는 증폭기(110a)는 홀 센서(400)의 자속 감지 범위가 넓게 요구될 경우에 유리할 수 있으며, 높은 이득을 가지는 증폭기(110a)는 홀 센서(400)의 자속 감지 해상도(resolution)가 높게 요구될 경우에 유리할 수 있다.
증폭기(110a)의 출력전압범위나 이득이나 효율은 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압의 영향을 받을 수 있다. 따라서, 증폭기(110a)는 상기 공통 모드 전압이 기준 전압을 경우에 최적화하도록 구성될 수 있으며, 공통 모드 전압이 기준 전압에 가까울수록 더욱 넓은 출력전압범위나 정확한 이득이나 높은 효율을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100a)는 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압이 기준 전압에 가까워지도록 공통 모드 전압을 조정할 수 있으며, 증폭기(110a)의 출력전압범위를 넓히거나 증폭기(110a)의 이득 오차를 줄이거나 증폭기(110a)의 효율을 높일 수 있다.
AD변환기(130a)는 증폭기(110a)의 출력단자에 전기적으로 연결되고 아날로그 값을 디지털 값으로 변환하도록 구성될 수 있다. AD변환기(130a)에서 출력된 디지털 값은 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 형성하는 자성 구조(예: 렌즈 모듈에 배치된 자석)의 위치를 제어하는데 사용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어를 예시한 도면이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100b)는 공통 모드 제어기(170a)를 더 포함할 수 있다.
공통 모드 제어기(170a)는 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압에 기반하여 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이를 제어할 수 있다.
예를 들어, 공통 모드 제어기(170a)는 제1 홀 센서 출력단자(HP)와 증폭기(110a) 사이의 제1 노드와 제2 홀 센서 출력단자(HN)와 증폭기(110a) 사이의 제2 노드 중 적어도 하나의 전압(VO)에 기반하여 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 제1 및 제2 전압 차이를 제어할 수 있다. 예를 들어, 공통 모드 제어기(170a)는 전압(VO)을 소정의 주기마다 샘플링하도록 샘플-홀드 회로와 스위치를 포함할 수 있고, 전압(VO)을 정확하게 얻도록 버퍼(buffer)를 포함할 수 있으며, 전압(VO)과 기준 전압(VREF)을 비교하는 비교기를 포함할 수 있다.
공통 모드 제어기(170a)는 전압(VO)과 기준 전압(VREF)의 차이에 기반한 제1 제어 전압(VC1) 및/또는 제2 제어 전압(VC2)을 생성할 수 있으며, 제1 제어 전압(VC1)에 기반하여 제1 전압 조정기(121a)를 제어할 수 있고, 제2 제어 전압(VC2)에 기반하여 제2 전압 조정기(122a)를 제어할 수 있다.
설계에 따라, 공통 모드 제어기(170a)는 전압(VO) 대신에 홀 센서(400)의 입력단자(HB)의 전압이나 바이어스 전류(IB)를 검출하도록 구성될 수 있으며, 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압 변환 회로를 더 포함할 수 있으며, 프로세서와 같은 디지털 회로를 포함할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)는, 외부의 프로세서(예: 도 7에 도시된 프로세서)로부터 제어 신호를 전달받을 수 있으며, 제어 신호는 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)로 전달되는 제1 및 제2 제어 신호(C1, C2), 바이어스 제공기(160a)로 전달되는 제3 제어 신호(C3) 및 증폭기(110a)로 전달되는 제4 제어 신호(C4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 제어 신호(C1, C2)는 도 2a에 도시된 제1 및 제2 제어 전압에 대응될 수 있다.
바이어스 제공기(160a)는 제3 제어 신호(C3)에 기반하여 바이어스 전류(IB)가 가변적이도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제3 제어 신호(C3)는 디지털 값이고, 바이어스 제공기(160a)는 제3 제어 신호(C3)에 대응되는 아날로그 전압을 생성하고 상기 아날로그 전압을 바이어스 제공기(160a)에 포함될 수 있는 트랜지스터의 게이트 단자나 밴드갭 레퍼런스 회로의 일부 트랜지스터에 인가함으로써, 가변적인 바이어스 전류(IB)를 제공할 수 있다. 설계에 따라, 바이어스 제공기(160a)는 AD변환기(130a)가 출력하는 디지털 값에 기반하여 바이어스 전류(IB)가 가변적이도록 구성될 수도 있다.
이에 따라, 홀 센서(400)를 통과하는 자속의 변화에 따른 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 전압 차이의 변화율(감도)는 가변적일 수 있다. 바이어스 전류(IB)가 변할 경우, 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압도 변할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)는, 제1 전압 조정기(121a)의 제1 전압 차이와 제2 전압 조정기(122a)의 제2 전압 차이 간의 차이에 기반하여 공통 모드 전압을 조정하므로, 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 총 저항값의 큰 변경 없이도 공통 모드 전압을 조정할 수 있다. 즉, 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)는 제1 및 제2 전압 조정기(121a, 122a)의 총 저항값에 영향을 받을 수 있는 바이어스 전류(IB)가 제어되는 상황에서도 제1 및 제2 홀 센서 출력단자(HP, HN)의 공통 모드 전압을 효율적으로 조정할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 전압 조정기를 예시한 도면이다.
도 3a를 참조하면, 전압 조정기(120b)는 제1 및 제2 전압 조정기(121b, 122b)를 포함할 수 있으며, 공통 모드 제어기(170b)는 제1 제어 전압 생성기(171), 제2 제어 전압 생성기(172) 및 비교기(173)을 포함할 수 있다.
제1 전압 조정기(121b)는 홀 센서와 바이어스 제공기 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4)는 복수의 저항기가 서로 직렬로 연결된 구조를 가질 수 있다.
제2 전압 조정기(122b)는 홀 센서와 접지 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)는 복수의 저항기가 서로 직렬로 연결된 구조를 가질 수 있다.
이에 따라, 제1 및 제2 전압 조정기(121b, 122b)는 능동소자에 비해 전력소모가 작고 간소화된 구조를 가질 수 있으므로, 홀 센서의 공통 모드 전압을 효율적으로 조정할 수 있다.
제1 전압 조정기(121b)는 복수의 제1 스위치(121-5, 121-6, 121-7)를 더 포함할 수 있으며, 제2 전압 조정기(122b)는 복수의 제2 스위치(122-5, 122-6, 122-7)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 스위치(121-5, 121-6, 121-7)와 복수의 제2 스위치(122-5, 122-6, 122-7)는 각각 트랜지스터로 구현될 수 있다.
예를 들어, 복수의 제1 스위치(121-5, 121-6, 121-7) 각각은 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4) 각각에 병렬적으로 연결될 수 있으며, 복수의 제2 스위치(122-5, 122-6, 122-7) 각각은 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4) 각각에 병렬적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 스위치(121-5, 121-6, 121-7) 중 온 상태인 제1 스위치의 개수가 많을수록, 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4)의 총 저항값은 작아질 수 있다. 복수의 제2 스위치(122-5, 122-6, 122-7) 중 온 상태인 제2 스위치의 개수가 많을수록, 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)의 총 저항값은 작아질 수 있다.
제1 제어 전압 생성기(171)는 복수의 제1 스위치(121-5, 121-6, 121-7)의 온/오프 상태를 제어함으로써 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4)의 총 저항값을 제어할 수 있으며, 바이어스 제공기와 홀 센서 사이의 전압 차이를 제어할 수 있다. 제2 제어 전압 생성기(172)는 복수의 제2 스위치(122-5, 122-6, 122-7)의 온/오프 상태를 제어함으로써 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)의 총 저항값을 제어할 수 있으며, 홀 센서와 접지 사이의 전압 차이를 제어할 수 있다.
비교기(173)는 제1 및/또는 제2 홀 센서 출력단자의 전압(VO)과 기준 전압(VREF)의 차이에 대응되는 전압을 출력할 수 있다. 제1 제어 전압 생성기(171)는 전압(VO)이 기준 전압(VREF)보다 클 경우에 적어도 하나의 제1 저항기(121-1, 121-2, 121-3, 121-4)의 총 저항값이 커지도록 제1 전압 조정기(121b)를 제어할 수 있으며, 제2 제어 전압 생성기(172)는 전압(VO)이 기준 전압(VREF)보다 작을 경우에 적어도 하나의 제2 저항기(122-1, 122-2, 122-3, 122-4)의 총 저항값이 커지도록 제2 전압 조정기(122b)를 제어할 수 있다.
즉, 공통 모드 제어기(170b)는 전압(VO)과 기준 전압(VREF) 간의 고저관계에 따라 제1 및 제2 전압 조정기(121b, 122b) 중 하나를 선택하고 선택된 전압 조정기의 저항값을 가변시킬 수 있다. 설계에 따라, 전압(VO)은 바이어스 전류로 대체될 수 있으며, 기준 전압(VREF)은 기준 전류로 대체될 수 있다.
또한, 공통 모드 제어기(170b)는 제1 및 제2 전압 조정기(121b, 122b) 중 선택된 전압 조정기의 저항값을 단계적으로 변경시키거나 단계적으로 활성화시킬 수 있다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100d)의 전압 조정기(120c)의 제1 및 제2 전압 조정기(121c, 122c)는 설계에 따라 트랜지스터로 대체될 수 있다.
바이어스 제공기(160a)가 제공하는 바이어스 전류(IB)에 의해 제1 및 제2 전압 조정기(121c, 122c)를 흐르는 전류가 결정될 수 있으며, 트랜지스터의 드레인 단자의 전압과 소스 단자의 전압 간의 전압 차이는 트랜지스터의 게이트 단자의 전압과 소스 단자의 전압 간의 전압 차이와 바이어스 전류(IB)에 의해 결정될 수 있다. 따라서, 공통 모드 제어기(170a)는 제1 및 제2 제어 전압(VC1, VC2)을 제1 및 제2 전압 조정기(121c, 122c)의 게이트 단자로 인가함으로써, 바이어스 제공기(160a)와 홀 센서(400) 간의 전압 차이를 조정할 수 있으며, 홀 센서(400)와 접지 간의 전압 차이를 조정할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 제1 및 제2 전압 조정기에 대한 제어 과정을 예시한 순서도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치는, 바이어스 전류를 홀 센서로 제공(S110)할 수 있고, 공통 모드 제어(S120)를 수행(예: 공통 모드 제어기 동작)할 수 있으며, 홀 센서의 제1 및/또는 제2 홀 센서 출력단자의 전압(VO)과 기준 전압(VREF)을 비교(S125)할 수 있다.
상기 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 또는 공통 모드 제어기는, 전압(VO)이 기준 전압(VREF)보다 클 경우에 제1 전압 조정기의 제1 저항기의 저항값을 증가(S130)시킬 수 있으며, 전압(VO)과 기준 전압(VREF)을 비교(S141)할 수 있으며, 전압(VO)이 기준 전압(VREF) 이하가 될 때까지 S130단계와 S141 단계를 반복적으로 수행함으로써 제1 전압 조정기의 제1 저항기의 저항값을 단계적으로 증가 또는 활성화시킬 수 있다.
상기 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 또는 공통 모드 제어기는, 전압(VO)이 기준 전압(VREF)보다 작을 경우에 제2 전압 조정기의 제2 저항기의 저항값을 증가(S132)시킬 수 있으며, 전압(VO)과 기준 전압(VREF)을 비교(S142)할 수 있으며, 전압(VO)이 기준 전압(VREF) 이상이 될 때까지 S132단계와 S142 단계를 반복적으로 수행함으로써 제2 전압 조정기의 제2 저항기의 저항값을 단계적으로 증가 또는 활성화시킬 수 있다.
설계에 따라, 상기 전압(VO)은 바이어스 전류로 대체될 수 있으며, 상기 기준 전압(VREF)은 기준 전류로 대체될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치의 증폭기를 예시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100e)는 증폭기(110b) 및 바이어스 제공기(160b)를 포함할 수 있으며, 증폭기(110b)는 제1 증폭기(111), 제2 증폭기(112) 및 제3 증폭기(113)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 증폭기(111, 112, 113)은 연산 증폭기(OP-AMP)로 구현될 수 있다.
제1 증폭기(111)는 제1 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나(VINP)가 상기 제1 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제1 증폭기 입력단자를 포함할 수 있다.
제2 증폭기(112)는 제2 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나(VINN)가 상기 제2 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제2 증폭기 입력단자를 포함할 수 있다.
제3 증폭기(113)는 제3 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자와 상기 제3 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제3 증폭기 입력단자를 포함할 수 있다.
이에 따라, 증폭기(110b)의 입력 임피던스는 출력 임피던스보다 클 수 있으며, 이상적으로 무한대일 수 있다. 증폭기(110b)의 입력 임피던스가 클수록, 증폭기(110b)의 홀 센서(400)에 대한 전기적 연결에 따른 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압의 변화는 감소할 수 있으며, 상기 전압은 홀 센서(400)를 통과하는 자속에 대해 더 높은 상관관계를 가질 수 있으므로, 홀 센서(400)를 통과하는 자속을 검출할 때의 검출 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 증폭기(110b)의 입력 임피던스가 크므로, 증폭기(110b)의 PSRR(Power Supply Rejection Ratio) 특성 및 CMRR(Common Mode Rejection Ratio) 특성은 더욱 개선될 수 있으며, 증폭기(110b)는 잡음에 대한 보다 강한 강건성을 가질 수 있다.
증폭기(110b)는 제1, 제2 및 제3 증폭기(111, 112, 113)에 전기적으로 연결된 복수의 저항기(R11, R21, R22, R31, R32, R41, R42)를 더 포함할 수 있다. 증폭기(110b)의 출력전압범위나 이득이나 효율은 복수의 저항기(R11, R21, R22, R31, R32, R41, R42) 중 적어도 일부의 저항값이나 저항값 비율이나 평균 저항값에 따라 결정될 수 있다.
증폭기(110b)는 증폭기 바이어스 전압(AMP REF)을 인가받을 수 있으며, 증폭기 바이어스 전압(AMP REF)에 기반한 출력전압범위나 이득이나 효율을 가질 수 있다.
도 6은 도 5에 도시된 증폭기와 공통 모드 전압 간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 증폭기는 공통 모드 전압(Common-mode voltage)이 1.4V일 경우에 가장 넓은 출력전압(Vout)범위를 가지도록 최적화될 수 있다.
공통 모드 전압(Common-mode voltage)과 기준 전압(예: 1.4V) 간의 차이가 클수록, 출력전압(Vout)범위는 좁아질 수 있다. 예를 들어, 공통 모드 전압(Common-mode voltage)과 기준 전압(예: 1.4V) 간의 차이가 0.2V 이하일 경우, 출력전압(Vout)범위는 약 -2.6V 내지 +2.6V일 수 있다. 예를 들어, 공통 모드 전압(Common-mode voltage)과 기준 전압(예: 1.4V) 간의 차이가 0.5V일 경우, 출력전압(Vout)범위는 -2.0V 내지 +2.0V일 수 있다. 예를 들어, 공통 모드 전압(Common-mode voltage)과 기준 전압(예: 1.4V) 간의 차이가 1.4V일 경우, 출력전압(Vout)범위는 약 -0.4V 내지 +0.4V일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치는, 공통 모드 전압(Common-mode voltage)이 기준 전압(예: 1.4V)과 동일하거나 매우 가까워(예: 0.2V 차이 이하)지도록 공통 모드 전압(Common-mode voltage)을 조정할 수 있으므로, 도 5의 증폭기의 출력전압(Vout)범위를 안정적으로 넓힐 수 있으며, 도 5의 증폭기의 높은 검출 정확도, 좋은 PSRR 특성 및 CMRR 특성을 안정적으로 사용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치는, 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c), 구동기(220), 구동 코일(230), 렌즈 모듈(210) 및 홀 센서(400)를 포함할 수 있다.
구동기(220)는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)의 AD변환기의 출력값을 전달받을 수 있으며, 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이(상기 출력값에 대응됨)에 기반하여 구동 전류를 출력할 수 있다.
예를 들어, 구동기(220)는 OIS(Optical Image Stabilization) 제어 구조나 AF(Auto Focus) 제어 구조를 가질 수 있으며, 제어 구조의 출력값에 기반하여 구동 전류를 생성하는 구동 회로를 포함할 수 있다. 설계에 따라, 상기 제어 구조는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)에 포함될 수 있으며, 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)와 구동기(220)는 단일 IC로 구현될 수 있다.
구동 코일(230)은 구동 전류를 전달받을 수 있다. 예를 들어, 구동 코일(230)은 렌즈 모듈(210)의 자성 구조(211)의 근처에 배치될 수 있다. 즉, 렌즈 모듈(210)은 구동 코일(230)에 흐르는 구동 전류에 기반하여 움직이도록 배치될 수 있다.
렌즈 모듈(210)은 구동 코일(230)의 자속에 반응하여 자성 구조(211)가 받는 힘에 따라 움직일 수 있다. 이때, 렌즈 모듈(210)은 홀 센서(400)를 통과하는 자속의 변화와 반대방향으로 상기 자속이 변하도록 움직일 수 있다. 이에 따라, 렌즈 모듈(210)의 절대적 위치는 실질적으로 고정될 수 있으며, 렌즈 모듈(210)에 의해 획득되는 이미지는 안정적일 수 있다.
홀 센서(400)는 렌즈 모듈(210)의 위치에 기반하여 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이가 결정되도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 홀 센서(400), 구동기(220), 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c) 및 구동 코일(230) 중 적어도 하나는 제1 기판(240)에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 렌즈 모듈 제어 장치는, 홀 센서(400)의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압에 기반하여 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)의 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 프로세서(270)를 포함할 수 있다.
프로세서(270)는 홀 센서(400)를 흐르는 바이어스 전류가 가변적이도록 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)의 바이어스 제공기를 제어하고, 상기 바이어스 전류에 기반하여 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치(100c)의 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어할 수 있다.
예를 들어, 프로세서(270)는 ISP(Image Signal Processor)로 구현될 수 있으며, 제1 지지 부재(261) 상의 이미지 센서(262)로부터 이미지 정보를 전달받을 수 있으며, 처리한 정보를 구동기(220)로 제공할 수 있다. 설계에 따라, 프로세서(270)는 상기 ISP로부터 분리되거나 통합될 수 있다.
렌즈 모듈(210)은 제2 지지 부재(213) 상의 복수의 가이드 볼(212)의 회전에 따라 1차원 또는 2차원적으로 움직일 수 있으며, 하우징(250)에 의해 둘러싸일 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100a, 100c: 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치
110a: 증폭기
121a: 제1 전압 조정기
122a: 제2 전압 조정기
130a: AD(Analog-Digital)변환기
160: 바이어스(bias) 제공기
170a: 공통 모드 제어기
210: 렌즈 모듈(lens module)
220: 구동기
270: 프로세서
400: 홀 센서(hall sensor)
110a: 증폭기
121a: 제1 전압 조정기
122a: 제2 전압 조정기
130a: AD(Analog-Digital)변환기
160: 바이어스(bias) 제공기
170a: 공통 모드 제어기
210: 렌즈 모듈(lens module)
220: 구동기
270: 프로세서
400: 홀 센서(hall sensor)
Claims (16)
- 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기;
상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제1 전압 조정기; 및
상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제2 전압 조정기; 를 포함하고,
상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압과 기준 전압 간의 차이에 대응되도록 가변적인 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이에서 상기 제2 전압 차이를 감산한 값이 상기 공통 모드 전압이 높을수록 높아지도록 가변적인 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이를 증폭하는 증폭기를 더 포함하고,
상기 증폭기는,
제1 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제1 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제1 증폭기 입력단자를 포함하는 제1 증폭기;
제2 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제2 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제2 증폭기 입력단자를 포함하는 제2 증폭기; 및
제3 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자와 상기 제3 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제3 증폭기 입력단자를 포함하는 제3 증폭기; 를 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이를 증폭하는 증폭기; 및
상기 제1 홀 센서 출력단자와 상기 증폭기 사이의 노드와 상기 제2 홀 센서 출력단자와 상기 증폭기 사이의 노드 중 적어도 하나의 전압에 기반하여 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 공통 모드 제어기; 를 더 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압에 기반하여 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 공통 모드 제어기를 더 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제5항에 있어서,
상기 공통 모드 제어기는 상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압과 상기 기준 전압 간의 고저관계에 따라 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 중 변경할 전압 차이를 정하고, 상기 제1 및 제2 전압 조정기 중 정해진 전압 차이에 대응되는 전압 조정기의 전압 차이를 단계적으로 조정하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 전압 조정기는 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제1 저항기를 포함하고,
상기 제2 전압 조정기는 상기 홀 센서와 접지 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제2 저항기를 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 홀 센서(hall sensor)로 바이어스(bias) 전류를 제공하는 바이어스 제공기;
상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이의 제1 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제1 전압 조정기; 및
상기 바이어스 전류에 따른 상기 홀 센서와 접지 사이의 제2 전압 차이가 가변적이도록 구성된 제2 전압 조정기; 를 포함하고,
상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 간의 차이가 상기 바이어스 전류와 기준 전류 간의 차이에 대응되도록 가변적인 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이는 상기 제1 전압 차이에서 상기 제2 전압 차이를 감산한 값이 상기 바이어스 전류가 클수록 높아지도록 가변적인 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제9항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이를 증폭하는 증폭기; 및
상기 증폭기의 출력단자에 전기적으로 연결되고 아날로그 값을 디지털 값으로 변환하도록 구성된 AD변환기; 를 더 포함하고,
상기 바이어스 제공기는 상기 AD변환기가 출력하는 디지털 값에 기반하여 상기 바이어스 전류가 가변적이도록 구성된 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이를 증폭하는 증폭기를 더 포함하고,
상기 증폭기는,
제1 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제1 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제1 증폭기 입력단자를 포함하는 제1 증폭기;
제2 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제2 홀 센서 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제2 증폭기 입력단자를 포함하는 제2 증폭기; 및
제3 증폭기 출력단자와, 하나가 상기 제2 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되고 다른 하나가 상기 제1 증폭기 출력단자와 상기 제3 증폭기 출력단자에 전기적으로 연결되는 복수의 제3 증폭기 입력단자를 포함하는 제3 증폭기; 를 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 전압 조정기는 상기 홀 센서와 상기 바이어스 제공기 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제1 저항기를 포함하고,
상기 제2 전압 조정기는 상기 홀 센서와 접지 사이의 저항값이 가변적이도록 연결된 적어도 하나의 제2 저항기를 포함하는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제12항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 공통 모드 제어기를 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제1 저항기는 복수의 제1 저항기를 포함하고,
상기 적어도 하나의 제2 저항기는 복수의 제2 저항기를 포함하고,
상기 공통 모드 제어기는 상기 바이어스 전류와 상기 기준 전류 간의 대소관계에 따라 상기 제1 전압 차이와 상기 제2 전압 차이 중 변경할 전압 차이를 정하고, 상기 복수의 제1 저항기 및 상기 복수의 제2 저항기 중 정해진 전압 차이에 대응되는 복수의 저항기를 단계적으로 활성화시키는 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치.
- 제1항 또는 제8항의 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치;
상기 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이에 기반하여 구동 전류를 출력하는 구동기;
상기 구동 전류를 전달받는 구동 코일;
상기 구동 코일에 흐르는 구동 전류에 기반하여 움직이도록 배치된 렌즈 모듈; 및
상기 렌즈 모듈의 위치에 기반하여 상기 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 전압 차이가 결정되도록 배치된 상기 홀 센서; 를 포함하는 렌즈 모듈 제어 장치.
- 제14항에 있어서,
상기 홀 센서의 제1 및 제2 홀 센서 출력단자의 공통 모드 전압에 기반하여 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 프로세서를 더 포함하는 렌즈 모듈 제어 장치.
- 제14항에 있어서,
상기 바이어스 전류가 가변적이도록 상기 바이어스 제공기를 제어하고, 상기 바이어스 전류에 기반하여 상기 제1 및 제2 전압 조정기의 제1 및 제2 전압 차이를 제어하는 프로세서를 더 포함하는 렌즈 모듈 제어 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200137985A KR102439909B1 (ko) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치 |
US17/182,305 US20220128833A1 (en) | 2020-10-23 | 2021-02-23 | Apparatus with hall sensor common mode voltage adjustment and apparatus with lens module control |
CN202110772149.1A CN114489205A (zh) | 2020-10-23 | 2021-07-08 | 霍尔传感器共模电压调节装置及透镜模块控制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200137985A KR102439909B1 (ko) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220053811A KR20220053811A (ko) | 2022-05-02 |
KR102439909B1 true KR102439909B1 (ko) | 2022-09-05 |
Family
ID=81258272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200137985A KR102439909B1 (ko) | 2020-10-23 | 2020-10-23 | 홀 센서 공통 모드 전압 조정 장치 및 렌즈 모듈 제어 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220128833A1 (ko) |
KR (1) | KR102439909B1 (ko) |
CN (1) | CN114489205A (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11831287B2 (en) * | 2021-11-22 | 2023-11-28 | Faraday Technology Corp. | Common mode correction using ADC in analog probe based receiver |
CN115437441B (zh) * | 2022-08-09 | 2023-07-25 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 电压电流转换电路,以及电流反馈型仪表放大器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009544004A (ja) | 2006-07-14 | 2009-12-10 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | オフセットを受けるセンサ信号を処理するための方法及びその方法を実行するために設計されるセンサ装置 |
JP5055367B2 (ja) | 2007-07-27 | 2012-10-24 | アルプス電気株式会社 | ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路 |
JP2013210420A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nidec Sankyo Corp | レンズ駆動装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW595083B (en) * | 2003-05-14 | 2004-06-21 | Prolific Technology Inc | Noiseless driving IC for DC motor |
US9013167B2 (en) * | 2010-11-09 | 2015-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Hall effect device having voltage based biasing for temperature compensation |
DE102012216388A1 (de) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Infineon Technologies Ag | Hall-sensoren mit erfassungsknoten mit signaleinprägung |
GB2507055A (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-23 | Melexis Technologies Nv | Integrated circuit and method for biasing a hall plate |
JP2015015390A (ja) | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 木村 光照 | ホール素子のオフセット電圧補正方法とこれを用いたホールセンサ |
US9791521B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for operating a hall-effect sensor without an applied magnetic field |
KR101588951B1 (ko) * | 2014-04-16 | 2016-01-26 | 삼성전기주식회사 | 보이스 코일 모터 액추에이터 구동 장치 |
US10873296B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-12-22 | Richwave Technology Corp. | Amplifier device |
EP3358309B1 (en) * | 2017-02-06 | 2019-04-24 | Melexis Technologies SA | Method and circuit for biasing and readout of resistive sensor structure |
KR102071249B1 (ko) * | 2017-04-14 | 2020-04-01 | 주식회사 지니틱스 | 홀센서의 출력전압을 교정하여 렌즈위치를 검출하는 렌즈위치 검출장치 |
JP6994843B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-01-14 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ回路 |
EP3686619B1 (en) * | 2019-01-28 | 2022-12-07 | Melexis Technologies SA | Bridge magnetic sensor with dummy resistor structure |
-
2020
- 2020-10-23 KR KR1020200137985A patent/KR102439909B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-02-23 US US17/182,305 patent/US20220128833A1/en active Pending
- 2021-07-08 CN CN202110772149.1A patent/CN114489205A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009544004A (ja) | 2006-07-14 | 2009-12-10 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | オフセットを受けるセンサ信号を処理するための方法及びその方法を実行するために設計されるセンサ装置 |
JP5055367B2 (ja) | 2007-07-27 | 2012-10-24 | アルプス電気株式会社 | ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路 |
JP2013210420A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nidec Sankyo Corp | レンズ駆動装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220053811A (ko) | 2022-05-02 |
CN114489205A (zh) | 2022-05-13 |
US20220128833A1 (en) | 2022-04-28 |
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