[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102422021B1 - 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법 - Google Patents

광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102422021B1
KR102422021B1 KR1020170095558A KR20170095558A KR102422021B1 KR 102422021 B1 KR102422021 B1 KR 102422021B1 KR 1020170095558 A KR1020170095558 A KR 1020170095558A KR 20170095558 A KR20170095558 A KR 20170095558A KR 102422021 B1 KR102422021 B1 KR 102422021B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photodetector
scattering coefficient
representative function
measurement
slope
Prior art date
Application number
KR1020170095558A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190012497A (ko
Inventor
이준형
김법민
남정용
장기영
필립스 브이 스바냐
백승호
Original Assignee
삼성전자주식회사
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170095558A priority Critical patent/KR102422021B1/ko
Priority to US16/028,028 priority patent/US10502683B2/en
Publication of KR20190012497A publication Critical patent/KR20190012497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102422021B1 publication Critical patent/KR102422021B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/49Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/145Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
    • A61B5/14546Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue for measuring analytes not otherwise provided for, e.g. ions, cytochromes
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/145Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
    • A61B5/1455Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D1/00Measuring arrangements giving results other than momentary value of variable, of general application
    • G01D1/16Measuring arrangements giving results other than momentary value of variable, of general application giving a value which is a function of two or more values, e.g. product or ratio
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/10Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4738Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F17/00Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
    • G06F17/10Complex mathematical operations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B5/00Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/70Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
    • H04B5/72Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for local intradevice communication
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J2001/444Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Algebra (AREA)
  • Mathematical Analysis (AREA)
  • Mathematical Optimization (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pure & Applied Mathematics (AREA)
  • Computational Mathematics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법이 개시된다. 일 양상에 따른 산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치는, 피검체에 광을 조사하는 광원과, 상기 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도(intensity)를 측정하는 광 검출기 어레이와, 상기 피검체의 산란계수 변화에 따른 광 검출기별 측정 강도 변화에 기초하여, 상기 광 검출기 어레이에서 산란계수 측정을 위한 복수의 광 검출기를 선택하는 프로세서를 포함할 수 있다.

Description

광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법{Photo detector selection apparatus and method, scattering coefficient measurement apparatus and method}
산란계수 측정 기술과 관련된다.
산란계수는 광이 물질에 부딪쳐서 산란되는 비율을 나타내는 양으로서, 이를 통해 피검체의 구성 물질의 분석이 가능하므로 다양한 분야에서 널리 이용된다.
한편, 혼탁도가 큰 미디엄(medium)(예, 인체)의 경우 산란계수 변화에 대한 감도(sensitivity)를 높이기 위해서는 최적 위치의 광 검출기를 선정하는 것이 중요하다. 그러나, 현재까지는 최적 위치의 광 검출기를 선정하는 명확한 기준이 없어 정확한 산란계수를 측정하기에 어려움이 있었다.
산란계수 측정에 이용될 광 검출기를 선택하는 장치 및 방법과, 산란계수를 측정하는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 양상에 따른 산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치는, 피검체에 광을 조사하는 광원과, 상기 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도(intensity)를 측정하는 광 검출기 어레이와, 상기 피검체의 산란계수 변화에 따른 광 검출기별 측정 강도 변화에 기초하여, 상기 광 검출기 어레이에서 산란계수 측정을 위한 복수의 광 검출기를 선택하는 프로세서를 포함할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 광 검출기 어레이에서, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 광 검출기별 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하고, 상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하고, 상기 광 검출기별 대표 함수를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 및 상기 제2 광 검출기를 선택할 수 있다.
상기 프로세서는, 회귀 분석을 통해 상기 광 검출기별 대표 함수를 산출할 수 있다.
상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차는, 광 검출기별 측정 강도가 해당 광 검출기별 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도일 수 있다.
상기 프로세서는, 산란계수별로 광 검출기별 측정 강도를 해당 광 검출기별 대표 함수의 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하고, 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여, 상기 광 검출기별 측정 오차를 산출할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 기반으로 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 감산하거나 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 나누어, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기를 제1 광 검출기로 선택하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기를 제2 광 검출기로 선택할 수 있다.
상기 광원과 상기 제1 광 검출기의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기의 거리보다 작을 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 광 검출기별 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하고, 상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하고, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하고, 상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 광 검출기 집합별 평균 기울기를 산출하고, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 제1 광 검출기 집합 및 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
상기 프로세서는, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가, 양으로 가장 큰 제1 광 검출기 집합 및 음으로 가장 큰 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
상기 광원과 상기 제1 광 검출기 집합의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작을 수 있다.
다른 양상에 따른 산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법은, 각 광 검출기가, 피검체의 산란계수 변화에 따라, 광원에서 조사되어 피검체로부터 반사 또는 산란된 광의 강도를 측정하는 단계와, 상기 피검체의 산란계수 변화에 따른 광 검출기별 측정 강도 변화에 기초하여, 광 검출기 어레이에서 산란계수 측정을 위한 복수의 광 검출기를 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는, 상기 광 검출기 어레이에서, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택할 수 있다.
상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는, 상기 광 검출기별 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계와, 상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계와, 상기 광 검출기별 대표 함수를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하는 단계와, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 및 상기 제2 광 검출기를 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계는, 회귀 분석을 통해 상기 광 검출기별 대표 함수를 산출할 수 있다.
상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기 측정 오차는, 산란계수 변화에 따른 광 검출기별 측정 강도가 해당 광 검출기별 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도일 수 있다.
상기 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계는, 산란계수별로 광 검출기별 측정 강도를 해당 광 검출기별 대표 함수의 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하는 단계와, 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여, 상기 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 광 검출기별 대표 함수를 보정하는 단계는, 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 기반으로 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정할 수 있다.
상기 광 검출기별 대표 함수를 보정하는 단계는, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 감산하거나 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 나누어, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정할 수 있다.
상기 제1 광 검출기 및 제2 광 검출기를 선택하는 단계는, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기를 제1 광 검출기로 선택하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기를 제2 광 검출기로 선택할 수 있다.
상기 광원과 상기 제1 광 검출기의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기의 거리보다 작을 수 있다.
상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는, 상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 상기 복수의 광 검출기 집합 중에서 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는, 상기 광 검출기별 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계와, 상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계와, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하는 단계와, 상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 광 검출기 집합별 평균 기울기를 산출하는 단계와, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 집합 및 상기 제2 광 검출기 집합을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 광 검출기 집합 및 제2 광 검출기 집합을 선택하는 단계는, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기 집합을 제1 광 검출기 집합으로 선택하고, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기 집합을 제2 광 검출기 집합으로 선택할 수 있다.
상기 광원과 상기 제1 광 검출기 집합의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작을 수 있다.
피검체의 산란계수 변화에 따른 측정 강도 변화에 기초하여 산란계수 측정에 이용될 광 검출기를 선택하여 이용함으로써, 혼탁도가 큰 미디엄에서 산란계수 측정의 정확도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 광 검출기 선택 장치의 일 실시예를 도시한 블록도이다.
도 2는 프로세서의 일 실시예를 도시한 블록도이다.
도 3은 광 검출기별 대표 함수의 보정 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 4는 프로세서의 다른 실시예를 도시한 블록도이다.
도 5는 산란계수 측정 장치의 일 실시예를 도시한 블록도이다.
도 6은 산란계수 측정 장치의 다른 실시예를 도시한 블록도이다.
도 7은 광 검출기 선택 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 8은 광 검출기 선택 과정(720)의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 9는 광 검출기별 측정 오차 산출 과정(820)의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 10은 광 검출기 선택 과정(720)의 다른 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 11은 산란계수 측정 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
한편, 각 단계들에 있어, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 수행될 수 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 광 검출기 선택 장치의 일 실시예를 도시한 블록도이다.
광 검출기 선택 장치(100)는 다수의 광 검출기 중에서 산란 계수 측정에 이용될 광 검출기를 선택하기 위한 장치로서, 전자 장치에 탑재될 수 있다. 이때 전자 장치는 휴대폰, 스파트폰, 타블렛, 노트북, PDA(Personal Digital Assistants), PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, MP3 플레이어, 디지털 카메라, 웨어러블 디바이스 등을 포함할 수 있고, 웨어러블 디바이스는 손목시계형, 손목 밴드형, 반지형, 벨트형, 목걸이형, 발목 밴드형, 허벅지 밴드형, 팔뚝 밴드형 등을 포함할 수 있다. 그러나 전자 장치는 상술한 예에 제한되지 않으며, 웨어러블 디바이스 역시 상술한 예에 제한되지 않는다.
도 1을 참조하면, 광 검출기 선택 장치(100)는 광원(110), 광 검출기 어레이(120) 및 프로세서(130)를 포함할 수 있다.
광원(110)은 피검체에 광을 조사할 수 있다. 예를 들어, 광원(110)은 소정 파장의 광, 예컨대 근적외선(Near Infrared, NIR)을 피검체에 조사할 수 있다. 그러나, 측정 목적이나 측정하고자 하는 구성 성분의 종류에 따라서 광원(110)으로부터 조사되는 광의 파장은 달라질 수 있다. 그리고 광원(110)은 반드시 단일의 발광체로 구성될 필요는 없으며, 다수의 발광체의 집합으로 구성될 수도 있다. 광원(110)이 다수의 발광체의 집합으로 구성되는 경우, 다수의 발광체는 측정 목적에 적합하도록 서로 다른 파장의 광을 방출할 수도 있고 모두 동일한 파장의 광을 방출할 수도 있다. 일 실시예에 따르면 광원(110)은 발광 다이오드(light emitting diode, LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode) 등을 포함할 수 있으나 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
광 검출기 어레이(120)는 복수의 광 검출기를 포함할 수 있다. 각 광 검출기는 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도(intensity)를 측정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 광 검출기는 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor, PTr) 또는 전자 결합 소자(charge-coupled device, CCD)등을 포함할 수 있다.
프로세서(130)는 산란계수 변화에 따라 각 광 검출기에서 측정되는 강도의 변화에 기초하여, 광 검출기 어레이(120)에서 산란계수 측정에 이용될 복수의 광 검출기를 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(130)는 광 검출기 어레이(120)에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 광 검출기와, 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 광 검출기를 선택할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 2를 참조하여 후술하기로 한다.
다른 실시예에 따르면, 프로세서(130)는 광 검출기 어레이(120)를 광원(110)과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 복수의 광 검출기 집합에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 광 검출기 집합 및 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 광 검출기 집합을 선택할 수 있다. 이때, 광원(110)과의 거리가 동일한 하나 이상의 광 검출기는 동일 집합에 포함될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.
도 2는 프로세서의 일 실시예를 도시한 블록도이다. 도 2의 프로세서(200)는 도 1의 프로세서(130)의 일 실시예일 수 있다.
도 2를 참조하면, 프로세서(200)는 대표 함수 산출부(210), 오차 산출부(220), 오차 보정부(230) 및 광 검출기 선택부(240)를 포함할 수 있다.
대표 함수 산출부(210)는 피검체의 산란계수 변화와 그에 따른 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 기반으로, 산란계수 변화에 따라 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 표현하는 대표 함수(이하, 광 검출기별 대표 함수)를 산출할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 대표 함수 산출부(210)는 회귀 분석(regression analysis)을 통해 각 광 검출기의 측정 강도 변화에 대한 회귀식(regression equation)을 산출하고, 산출된 각 광 검출기의 회기식을 해당 광 검출기의 대표 함수로 이용할 수 있다.
오차 산출부(220)는 광 검출기별로 대표 함수에 대한 측정 오차(이하, 광 검출기별 측정 오차)를 산출할 수 있다. 이때, 대표 함수에 대한 측정 오차는 측정 강도가 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오차 산출부(220)는 산란계수별로, 각 광 검출기의 측정 강도를 해당 광 검출기의 대표 함수로부터 도출되는 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하고, 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여 광 검출기별 측정 오차를 산출할 수 있다.
예컨대, 피검체의 산란계수가 μs1, μs2, μs3일 때, 광 검출기 PD1에서 측정된 강도가 각각 R1, R2, R3이고 PD1의 대표 함수를 통해 도출되는 PD1의 예측 강도가 각각 R1', R2', R3'이라고 가정하면, 오차 산출부(220)는 광 검출기 PD1에 대하여 산란계수가 μs1일때의 오차 E1(
Figure 112017072683851-pat00001
), 산란계수가 μs2일때의 오차 E2(
Figure 112017072683851-pat00002
), 산란계수가 μs3일때의 오차 E3(
Figure 112017072683851-pat00003
)을 각각 산출하고, 광 검출기 PD1의 오차 Ea(Ea=E1+E2+E3)를 산출할 수 있다. 이러한 오차 산출 과정은 광 검출기 어레이 내의 모든 광 검출기에 대하여 각각 수행될 수 있다.
오차 보정부(230)는 광 검출기별로, 오차 산출부(220)에서 산출된 오차를 이용하여 대표 함수 산출부(210)에서 산출된 대표 함수를 보정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오차 보정부(230)는 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 광 검출기별 측정 오차를 감산하여 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다. 예컨대, 광 검출기 PD1의 대표 함수가 y=9x+5이고 오차가 3인 경우, 오차 보정부(230)는 기울기 9에서 오차 3을 감산하여 PD1의 대표 함수를 y=6x+5으로 보정할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 오차 보정부(230)는 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기별 측정 오차로 나누어 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다. 예컨대, 광 검출기 PD1의 대표 함수가 y=9x+5이고 오차가 3인 경우, 오차 보정부(230)는 기울기 9를 오차 3으로 나누어 PD1의 대표 함수를 y=3x+5으로 보정할 수 있다.
한편, 전술한 광 검출기별 대표 함수를 보정하는 예는 일 실시예에 불과할 뿐, 이에 한정되는 것은 아니다.
광 검출기 선택부(240)는 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 광 검출기 어레이에서 산란계수 측정을 위해 이용될 2개의 광 검출기를 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광 검출기 선택부(240)는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기(이하, 제1 광 검출기)와 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기(이하, 제2 광 검출기)를 선택할 수 있다. 예컨대, 광 검출기 어레이가 4개의 광 검출기(PD1 내지 PD4)를 포함하고, PD1의 보정된 대표 함수의 기울기가 +9이고, PD2의 보정된 대표 함수의 기울기가 +5이고, PD3의 보정된 대표 함수의 기울기가 -1이고, PD4의 보정된 대표 함수의 기울기가 -4인 경우, 광 검출기 선택부(240)는 보정된 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 값(+9)을 가지는 PD1 및 보정된 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 값(-4)을 가지는 PD4를 산란계수 측정을 위해 이용될 광 검출기로 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광원과 제1 광 검출기의 거리는 광원과 제2 광 검출기의 거리보다 작을 수 있다. 즉, 광 검출기 선택부(240)는 광원과 가까운 거리에서는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기를 선택하고, 광원과 먼 거리에서는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기를 선택할 수 있다. 그러나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 시스템의 성능 및 용도에 따라, 광원과 제1 광 검출기의 거리가 광원과 제2 광 검출기의 거리보다 크도록 구현될 수도 있다.
도 3은 광 검출기별 대표 함수의 보정 과정을 설명하기 위한 예시도이다. 이하, 대표 함수 보정 과정을 하나의 광 검출기(PD1)에 대하여 설명하나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 대표 함수 보정 과정은 광 검출기 어레이를 구성하는 모든 광 검출기에 대하여 각각 수행될 수 있다. 여기서, 참조번호 310은 피검체의 산란계수 변화에 따라 PD1에서 측정된 강도를 표시한 그래프를 나타내고, 참조번호 320은 PD1의 측정 강도를 기반으로 산출된 대표 함수와 오차를 표시한 그래프를 나타내고, 참조번호 330은 보정된 대표 함수를 표시한 그래프를 나타낸다.
도 2 및 도 3을 참조하면, PD1은 피검체의 산란계수가 μs1일 때 강도 R1를 측정하고, 피검체의 산란계수가 μs2일 때 강도 R2를 측정하고, 산란계수가 μs3일 때 강도 R3을 측정한다.
대표 함수 산출부(210)은 산란계수 μs1, μs2, μs3를 종속 변수로 하고, 측정 강도 R1, R2, R3를 독립 변수로 하여 회귀 분석을 통해 PD1의 대표 함수 y=ax+b (321)를 산출한다.
오차 산출부(220)는 대표 함수 y=ax+b (321)를 이용하여 산란계수가 μs1일때의 예측 강도 R1'(R1'=R1=(μs1-b)/a), 산란계수가 μs2일때의 예측 강도 R2'(R2'=(μs2-b)/a), 산란계수가 μs3일때의 예측 강도 R3'(R3'=(μs3-b)/a)를 각각 산출한다. 또한, 오차 산출부(220)는 산란계수별로 측정 강도와 예측 강도를 비교하여, 산란계수가 μs1일 때 오차 0(
Figure 112017072683851-pat00004
), 산란계수가 μs2일 때 오차
Figure 112017072683851-pat00005
, 산란계수가 μs3일 때 오차
Figure 112017072683851-pat00006
)를 각각 산출한다. 또한, 오차 산출부(220)는 산란계수별 오차를 모두 합산하여 PD1의 오차
Figure 112017072683851-pat00007
를 산출한다.
오차 보정부(230)는 대표 함수의 기울기 a에서 오차
Figure 112017072683851-pat00008
를 감산하거나, 대표 함수의 기울기 a를 오차
Figure 112017072683851-pat00009
로 나누어 대표 함수의 기울기를 보정한다. 도 3에서 참조번호 331은 PD1의 보정된 대표 함수를 나타낸다.
도 4는 프로세서의 다른 실시예를 도시한 블록도이다. 도 4의 프로세서(400)는 도 1의 프로세서(130)의 다른 실시예일 수 있다.
도 4를 참조하면, 프로세서(400)는 대표 함수 산출부(410), 오차 산출부(420), 오차 보정부(430), 평균 기울기 산출부(440) 및 광 검출기 집합 선택부(450)를 포함할 수 있다.
대표 함수 산출부(410)는 피검체의 산란계수 변화와 그에 따른 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 기반으로, 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 대표 함수 산출부(410)는 회귀 분석(regression analysis)을 통해 각 광 검출기의 측정 강도 변화에 대한 회귀식(regression equation)을 산출하고, 산출된 각 광 검출기의 회기식을 해당 광 검출기의 대표 함수로 이용할 수 있다.
오차 산출부(420)는 광 검출기별 측정 오차를 산출할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 오차 산출부(420)는 산란계수별로, 각 광 검출기의 측정 강도를 해당 광 검출기의 대표 함수로부터 도출되는 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하고, 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여 광 검출기별 측정 오차를 산출할 수 있다.
오차 보정부(430)는 광 검출기별 측정 오차를 이용하여 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다.
예컨대, 오차 보정부(430)는 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 광 검출기별 측정 오차를 감산하여 광 검출기별 대표 함수를 보정하거나, 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기별 측정 오차로 나누어 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다.
평균 기울기 산출부(440)는 광 검출기 어레이를 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 각 광 검출기 집합의 평균 기울기(이하, 광 검출기 집합별 평균 기울기)를 산출할 수 있다.
예컨대, 광 검출기 어레이가, 광원과의 거리가 ρ1인 2개의 광 검출기(PD1 및 PD2), 광원과의 거리가 ρ2인 3개의 광 검출기(PD3 내지 PD5), 광원과의 거리가 ρ3인 4개의 광 검출기(PD6 내지 PD9)를 포함하는 경우, 평균 기울기 산출부(440)는 PD1 및 PD2를 광 검출기 집합 A로, PD3 내지 PD5를 광 검출기 집합 B로, PD6 내지 PD9를 광 검출기 집합 C로 각각 구분할 수 있다. 또한 평균 기울기 신찰부(440)는 PD1 및 PD2의 보정된 대표 함수의 기울기를 평균하여 광 검출기 집합 A의 평균 기울기를 산출하고, PD3 내지 PD5의 보정된 대표 함수의 기울기를 평균하여 광 검출기 집합 B의 평균 기울기를 산출하고, PD6 내지 PD9의 보정된 대표 함수의 기울기를 평균하여 광 검출기 집합 C의 평균 기울기를 산출할 수 있다.
광 검출기 집합 선택부(450)는 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 광 검출기 어레이에서 산란계수 측정을 위해 이용될 2개의 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광 검출기 집합 선택부(450)는 광 검출기 집합별 평균 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기 집합(이하, 제1 광 검출기 집합)과 광 검출기 집합별 평균 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기 집합(이하, 제2 광 검출기 집합)을 선택할 수 있다. 예컨대, 광 검출기 어레이가 3개의 광 검출기 집합(A, B, C)을 포함하고, 광 검출기 집합 A의 평균 기울기가 +6이고, 광 검출기 집합 B의 평균 기울기가 +2이고, 광 검출기 집합 C의 평균 기울기가 -1인 경우, 광 검출기 집합 선택부(450)는 평균 기울기가 양으로 가장 큰 값(+6)을 가지는 광 검출기 집합 A 및 평균 기울기가 음으로 가장 큰 값(-1)을 가지는 광 검출기 집합 C를 산란계수 측정을 위해 이용될 광 검출기 집합으로 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광원과 제1 광 검출기 집합의 거리는 광원과 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작을 수 있다. 즉, 광 검출기 집합 선택부(450)는 광원과 가까운 거리에서는 평균 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기 집합을 선택하고, 광원과 먼 거리에서는 평균 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다. 그러나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 시스템의 성능 및 용도에 따라, 광원과 제1 광 검출기 집합의 거리가 광원과 제2 광 검출기 집합의 거리보다 크도록 구현될 수도 있다.
도 5는 산란계수 측정 장치의 일 실시예를 도시한 블록도이다. 산란계수 측정 장치(500)는 다수의 광 검출기 중에서 산란 계수 측정에 이용될 광 검출기를 선택하고 선택된 광 검출기를 이용하여 피검체의 산란계수를 측정하는 장치로서, 전자 장치에 탑재될 수 있다. 이때 전자 장치는 휴대폰, 스파트폰, 타블렛, 노트북, PDA(Personal Digital Assistants), PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, MP3 플레이어, 디지털 카메라, 웨어러블 디바이스 등을 포함할 수 있고, 웨어러블 디바이스는 손목시계형, 손목 밴드형, 반지형, 벨트형, 목걸이형, 발목 밴드형, 허벅지 밴드형, 팔뚝 밴드형 등을 포함할 수 있다. 그러나 전자 장치는 상술한 예에 제한되지 않으며, 웨어러블 디바이스 역시 상술한 예에 제한되지 않는다.
도 5를 참조하면, 산란계수 측정 장치(500)는 광원(510), 광 검출기 어레이(520) 및 프로세서(530)를 포함할 수 있다.
광원(510)은 피검체에 광을 조사할 수 있다. 예를 들어, 광원(510)은 소정 파장의 광, 예컨대 근적외선(Near Infrared, NIR)을 피검체에 조사할 수 있다. 그러나, 측정 목적이나 측정하고자 하는 구성 성분의 종류에 따라서 광원(510)으로부터 조사되는 광의 파장은 달라질 수 있다. 그리고 광원(510)은 반드시 단일의 발광체로 구성될 필요는 없으며, 다수의 발광체의 집합으로 구성될 수도 있다. 광원(510)이 다수의 발광체의 집합으로 구성되는 경우, 다수의 발광체는 측정 목적에 적합하도록 서로 다른 파장의 광을 방출할 수도 있고 모두 동일한 파장의 광을 방출할 수도 있다. 일 실시예에 따르면 광원(510)은 발광 다이오드(light emitting diode, LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode) 등을 포함할 수 있으나 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
광 검출기 어레이(520)는 복수의 광 검출기를 포함할 수 있다. 각 광 검출기는 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도(intensity)를 측정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 광 검출기는 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor, PTr) 또는 전자 결합 소자(charge-coupled device, CCD)등을 포함할 수 있다.
프로세서(530)는 산란계수 변화에 따라 각 광 검출기에서 측정되는 강도의 변화에 기초하여, 광 검출기 어레이(520)에서 산란계수 측정에 이용될 복수의 광 검출기를 선택할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 프로세서(530)는 광 검출기 어레이(520)에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기와, 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 2를 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다른 실시예에 따르면, 프로세서(530)는 광 검출기 어레이(520)를 광원(510)과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 복수의 광 검출기 집합에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 도 4를 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
프로세서(530)는 산란계수 측정에 이용될 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)가 선택되면, 선택된 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)를 이용하여 피검체의 산란계수를 측정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(530)는 광원 및 선택된 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)을 제어하여, 피검체로 광을 조사하고 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하여 검출된 광의 강도를 측정할 수 있다. 프로세서(530)는 선택된 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)에서 측정된 강도를 이용하여 피검체의 산란계수를 측정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(530)는 수학식 1을 이용할 수 있다.
Figure 112017072683851-pat00010
여기서,
Figure 112017072683851-pat00011
는 피검체의 산란계수,
Figure 112017072683851-pat00012
는 피검체의 흡수계수,
Figure 112017072683851-pat00013
는 광원과 제1 광 검출기(또는 제1 광 검출기 집합)와의 거리,
Figure 112017072683851-pat00014
는 광원과 제2 광 검출기(또는 제2 광 검출기 집합)와의 거리,
Figure 112017072683851-pat00015
는 제1 광 검출기의 측정 강도(또는 제1 광 검출기 집합의 평균 측정 강도),
Figure 112017072683851-pat00016
는 제2 광 검출기의 측정 강도(또는 제2 광 검출기 집합의 평균 측정 강도)를 나타낸다.
한편, 측정된 피검체의 산란계수는 피검체가 신체인 경우는 혈당, 콜레스테롤, 중성 지방 등과 같은 신체 내부의 구성성분 등을 분석하는데 활용될 수 있고, 피검체가 공기 또는 액체인 경우는 공기 또는 액체의 오염도 등을 분석하는데 활용될 수 있다.
도 6은 산란계수 측정 장치의 다른 실시예를 도시한 블록도이다.
도 6을 참조하면, 산란계수 측정 장치(600)는 광원(510), 광 검출기 어레이(520), 프로세서(530), 입력부(610), 저장부(620), 통신부(630) 및 출력부(640)를 포함할 수 있다. 여기서, 광원(510), 광 검출기 어레이(520) 및 프로세서(530)는 도 5를 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
입력부(610)는 사용자로부터 다양한 조작신호를 입력 받을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 입력부(610)는 키 패드(key pad), 돔 스위치(dome switch), 터치 패드(touch pad)(정압/정전), 조그 휠(Jog wheel), 조그 스위치(Jog switch), H/W 버튼 등을 포함할 수 있다. 특히, 터치 패드가 디스플레이와 상호 레이어 구조를 이룰 경우, 이를 터치 스크린이라 부를 수 있다.
저장부(620)는 산란계수 측정 장치(600)의 동작을 위한 프로그램 또는 명령들을 저장할 수 있고, 산란계수 측정 장치(600)에 입/출력되는 데이터들을 저장할 수 있다. 또한, 저장부(620)는 광 검출기 어레이(520)에서 측정된 강도 데이터, 프로세서(530)에서 산출된 피검체의 산란계수 데이터 등을 저장할 수 있다.
저장부(620)는 플래시 메모리 타입(flash memory type), 하드 디스크 타입(hard disk type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예컨대, SD 또는 XD 메모리 등), 램(Random Access Memory, RAM), SRAM(Static Random Access Memory), 롬(Read Only Memory, ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), PROM(Programmable Read Only Memory), 자기 메모리, 자기 디스크, 광디스크 등 적어도 하나의 타입의 저장매체를 포함할 수 있다. 또한, 산란계수 측정 장치(600)는 인터넷 상에서 저장부(620)의 저장 기능을 수행하는 웹 스토리지(web storage) 등 외부 저장 매체를 운영할 수도 있다.
통신부(630)는 외부 장치와 통신을 수행할 수 있다. 예컨대, 통신부(630)는 입력부(610)를 통해 사용자로부터 입력된 데이터, 광 검출기 어레이(520)를 통해 측정한 강도 데이터, 프로세서(530)에서 산출된 피검체의 산란계수 데이터 등을 외부 장치로 전송하거나, 외부 장치로부터 피검체의 산란계수 산출에 도움이 되는 다양한 데이터를 수신할 수 있다.
이때, 외부 장치는 측정된 강도 데이터 및/또는 산출된 산란계수 데이터를 사용하는 의료 장비, 결과물을 출력하기 위한 프린트, 또는 측정된 강도 데이터 및/또는 산출된 산란계수 데이터를 디스플레이하는 디스플레이 장치일 수 있다. 이외에도 외부 장치는 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터, 휴대폰, 스마트 폰, 태블릿, 노트북, PDA(Personal Digital Assistants), PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, MP3 플레이어, 디지털 카메라, 웨어러블 디바이스 등 일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
통신부(630)는 블루투스(bluetooth) 통신, BLE(Bluetooth Low Energy) 통신, 근거리 무선 통신(Near Field Communication, NFC), WLAN 통신, 지그비(Zigbee) 통신, 적외선(Infrared Data Association, IrDA) 통신, WFD(Wi-Fi Direct) 통신, UWB(ultra-wideband) 통신, Ant+ 통신, WIFI 통신, RFID(Radio Frequency Identification) 통신, 3G 통신, 4G 통신 및 5G 통신 등을 이용하여 외부 장치와 통신할 수 있다. 그러나, 이는 일 예에 불과할 뿐이며, 이에 한정되는 것은 아니다.
출력부(640)는 강도 데이터 및/또는 산란계수 데이터 등을 출력할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 출력부(640)는 강도 데이터 및/또는 산란계수 데이터 등을 청각적 방법, 시각적 방법 및 촉각적 방법 중 적어도 하나의 방법으로 출력할 수 있다. 이를 위해 출력부(640)는 디스플레이, 스피커, 진동기 등을 포함할 수 있다.
도 7은 광 검출기 선택 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도이다. 도 7의 광 검출기 선택 방법은 도 1의 광 검출기 선택 장치(100)에 의해 수행될 수 있다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 광 검출기 선택 장치(100)의 각 광 검출기가 피검체의 산란계수 변화에 따라, 광원에서 조사되어 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도를 측정한다(710).
광 검출기 선택 장치(100)는 산란계수 변화에 따라 각 광 검출기에서 측정되는 강도의 변화(광 검출기별 측정 강도 변화)에 기초하여, 광 검출기 어레이(120)에서 산란계수 측정에 이용될 복수의 광 검출기를 선택한다(720).
일 실시예에 따르면, 광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기 어레이(120)에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기와, 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 광 검출기 어레이(120)를 광원(110)과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 복수의 광 검출기 집합에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
도 8은 광 검출기 선택 과정(720)의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 광 검출기 선택 장치(100)는 피검체의 산란계수 변화와 그에 따른 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 기반으로, 산란계수 변화에 따른 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출한다(810). 일 실시예에 따르면, 광 검출기 선택 장치(100)는 회귀 분석(regression analysis)을 통해 각 광 검출기의 측정 강도 변화에 대한 회귀식(regression equation)을 산출하고, 산출된 각 광 검출기의 회기식을 해당 광 검출기의 대표 함수로 이용할 수 있다.
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출한다(820). 이때, 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차는 측정 강도가 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도로 정의될 수 있다.
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 측정 오차를 이용하여 광 검출기별 대표 함수를 보정한다(830). 예컨대, 광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 광 검출기별 측정 오차를 감산하여 광 검출기별 대표 함수를 보정하거나, 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기별 측정 오차로 나누어 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다.
광 검출기 선택 장치(100)는 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 광 검출기 어레이(120)에서 산란계수 측정을 위해 이용될 2개의 광 검출기를 선택한다(840). 예컨대, 광 검출기 선택 장치(100)는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기와 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기를 선택할 수 있다.
한편, 광원과 제1 광 검출기의 거리는 광원과 제2 광 검출기의 거리보다 작을 수 있다. 즉, 광 검출기 선택 장치(100)는 광원(110)과 가까운 거리에서는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기를 선택하고, 광원과 먼 거리에서는 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기를 선택할 수 있다. 그러나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 시스템의 성능 및 용도에 따라, 광원과 제1 광 검출기의 거리가 광원과 제2 광 검출기의 거리보다 크도록 구현될 수도 있다.
도 9는 광 검출기별 측정 오차 산출 과정(820)의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 1 및 도 9를 참조하면, 광 검출기 선택 장치(100)는 산란계수별로, 각 광 검출기의 측정 강도를 해당 광 검출기의 대표 함수로부터 도출되는 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하고(910), 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여 광 검출기별 측정 오차를 산출한다(920). 예컨대, 피검체의 산란계수가 μs1, μs2, μs3일 때, 광 검출기 PD1에서 측정된 강도가 각각 R1, R2, R3이고 PD1의 대표 함수를 통해 도출되는 PD1의 예측 강도가 각각 R1', R2', R3'이라고 가정하면, 광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기 PD1에 대하여 산란계수가 μs1일때의 오차 E1(
Figure 112017072683851-pat00017
), 산란계수가 μs2일때의 오차 E2(
Figure 112017072683851-pat00018
), 산란계수가 μs3일때의 오차 E3(
Figure 112017072683851-pat00019
)을 각각 산출하고, 광 검출기 PD1의 오차 Ea(Ea=E1+E2+E3)를 산출할 수 있다. 이러한 오차 산출 과정은 광 검출기 어레이 내의 모든 광 검출기에 대하여 각각 수행될 수 있다.
도 10은 광 검출기 선택 과정(720)의 다른 실시예를 도시한 흐름도이다.
도 1 및 도 10을 참조하면, 광 검출기 선택 장치(100)는 피검체의 산란계수 변화와 그에 따른 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 기반으로, 각 광 검출기의 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출한다(1010). 예컨대, 광 검출기 선택 장치(100)는 회귀 분석(regression analysis)을 통해 각 광 검출기의 측정 강도 변화에 대한 회귀식(regression equation)을 산출하고, 산출된 각 광 검출기의 회기식을 해당 광 검출기의 대표 함수로 이용할 수 있다.
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 측정 오차를 산출한다(1020).
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 측정 오차를 이용하여 광 검출기별 대표 함수를 보정한다(1030). 예컨대, 광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 광 검출기별 측정 오차를 감산하여 광 검출기별 대표 함수를 보정하거나, 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기별 측정 오차로 나누어 광 검출기별 대표 함수를 보정할 수 있다.
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기 어레이(120)를 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 광 검출기 집합별 평균 기울기를 산출한다(1040).
광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 광 검출기 어레이(120)에서 산란계수 측정을 위해 이용될 2개의 광 검출기 집합을 선택한다(1050).
일 실시예에 따르면, 광 검출기 선택 장치(100)는 광 검출기 집합별 평균 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기 집합과 광 검출기 집합별 평균 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
한편, 광원과 제1 광 검출기 집합의 거리는 광원과 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작을 수 있다. 즉, 광 검출기 선택 장치(100)는 광원과 가까운 거리에서는 평균 기울기가 양으로 가장 큰 제1 광 검출기 집합을 선택하고, 광원과 먼 거리에서는 평균 기울기가 음으로 가장 큰 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다. 그러나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 시스템의 성능 및 용도에 따라, 광원과 제1 광 검출기 집합의 거리가 광원과 제2 광 검출기 집합의 거리보다 크도록 구현될 수도 있다.
도 11은 산란계수 측정 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도이다. 도 11의 산란계수 측정 방법은 도 5의 산란계수 측정 장치(500)에 의해 수행될 수 있다.
도 5 및 도 11을 참조하면, 산란계수 측정 장치(500)의 각 광 검출기가 피검체의 산란계수 변화에 따라 광원에서 조사되어 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도를 측정한다(1110).
산란계수 측정 장치(500)는 산란계수 변화에 따라 각 광 검출기에서 측정되는 강도의 변화(광 검출기별 측정 강도 변화)에 기초하여, 광 검출기 어레이(120)에서 산란계수 측정에 이용될 복수의 광 검출기를 선택한다(1120). 일 실시예에 따르면, 산란계수 측정 장치(500)는 광 검출기 어레이(520)에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기와, 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 산란계수 측정 장치(500)는 광 검출기 어레이(520)를 광원(510)과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 복수의 광 검출기 집합에서 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 피검체의 산란계수 변화시에 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택할 수 있다.
산란계수 측정 장치(500)는 선택된 복수의 광 검출기를 이용하여 피검체의 산란계수를 측정한다(1140). 예컨대, 산란계수 측정 장치(500)는 광원 및 선택된 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)을 제어하여, 피검체로 광을 조사하고, 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하여 검출된 광의 강도를 측정하고, 선택된 2개의 광 검출기(또는 2개의 광 검출기 집합)에서 측정된 강도를 이용하여 피검체의 산란계수를 측정할 수 있다. 이때 산란계수 측정 장치(500)는 전술한 수학식 1을 이용할 수 있다.
한편, 측정된 피검체의 산란계수는 피검체가 신체인 경우는 혈당, 콜레스테롤, 중성 지방 등과 같은 신체 내부의 구성성분 등을 분석하는데 활용될 수 있고, 피검체가 공기 또는 액체인 경우는 공기 또는 액체의 오염도 등을 분석하는데 활용될 수 있다.
본 발명의 일 양상은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현될 수 있다. 상기의 프로그램을 구현하는 코드들 및 코드 세그먼트들은 당해 분야의 컴퓨터 프로그래머에 의하여 용이하게 추론될 수 있다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록 장치를 포함할 수 있다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 디스크 등을 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산 방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로 작성되고 실행될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 전술한 실시 예에 한정되지 않고 특허 청구범위에 기재된 내용과 동등한 범위 내에 있는 다양한 실시 형태가 포함되도록 해석되어야 할 것이다.
100: 광 검출기 선택 장치
110: 광원
120: 광 검출기 어레이
130: 프로세서

Claims (28)

  1. 피검체에 광을 조사하는 광원;
    상기 피검체로부터 반사 또는 산란된 광을 검출하고 검출된 광의 강도(intensity)를 측정하는 광 검출기 어레이;
    상기 광 검출기 어레이에서, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택하는 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세서는
    상기 광 검출기별 산란계수 변화에 따라 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하고,
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하고,
    상기 광 검출기별 대표 함수를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하고,
    상기 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 및 상기 제2 광 검출기를 선택하는
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 산란계수를 종속 변수로 하고 상기 측정 강도를 독립 변수로 하여 회귀 분석을 통해 상기 광 검출기별 대표 함수를 산출하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차는,
    광 검출기별 측정 강도가 해당 광 검출기별 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도인,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    산란계수별로 광 검출기별 측정 강도를 해당 광 검출기별 대표 함수의 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하고,
    각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여, 상기 광 검출기별 측정 오차를 산출하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 기반으로 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 감산하거나 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 나누어, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기를 제1 광 검출기로 선택하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기를 제2 광 검출기로 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광원과 상기 제1 광 검출기의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기의 거리보다 작은,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 광 검출기별 산란계수의 변화에 따라 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하고,
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하고,
    상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하고,
    상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 광 검출기 집합별 평균 기울기를 산출하고,
    상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 제1 광 검출기 집합 및 제2 광 검출기 집합을 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가, 양으로 가장 큰 제1 광 검출기 집합 및 음으로 가장 큰 제2 광 검출기 집합을 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 광원과 상기 제1 광 검출기 집합의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작은,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 장치.
  15. 각 광 검출기가, 피검체의 산란계수 변화에 따라, 광원에서 조사되어 피검체로부터 반사 또는 산란된 광의 강도를 측정하는 단계;
    상기 광 검출기 어레이에서, 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기를 선택하는 단계를 포함하고,
    상기 광 검출기를 선택하는 단계는,
    상기 광 검출기별 산란계수 변화에 따라 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계;
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계;
    상기 광 검출기별 대표 함수를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하는 단계; 및
    상기 보정된 광 검출기별 대표 함수를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 및 상기 제2 광 검출기를 선택하는 단계를 포함하는
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제15항에 있어서,
    상기 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계는,
    상기 산란계수를 종속 변수로 하고 상기 측정 강도를 독립 변수로 하여 회귀 분석을 통해 상기 광 검출기별 대표 함수를 산출하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기 측정 오차는,
    산란계수 변화에 따른 광 검출기별 측정 강도가 해당 광 검출기별 대표 함수의 선형성에서 벗어난 정도인,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계는,
    산란계수별로 광 검출기별 측정 강도를 해당 광 검출기별 대표 함수의 강도와 비교하여 각 광 검출기의 산란계수별 오차를 산출하는 단계; 및
    각 광 검출기의 산란계수별 오차를 광 검출기별로 합산하여, 상기 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계; 를 포함하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 광 검출기별 대표 함수를 보정하는 단계는,
    상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 기반으로 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 광 검출기별 대표 함수를 보정하는 단계는,
    상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기에서 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차를 감산하거나 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 나누어, 상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 보정하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 제1 광 검출기 및 제2 광 검출기를 선택하는 단계는,
    상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기를 제1 광 검출기로 선택하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기를 제2 광 검출기로 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 광원과 상기 제1 광 검출기의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기의 거리보다 작은,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  25. 제15항에 있어서,
    상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는,
    상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 상기 복수의 광 검출기 집합 중에서 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 증가하는 제1 광 검출기 집합 및 산란계수 변화시 측정 강도가 가장 크게 감소하는 제2 광 검출기 집합을 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 복수의 광 검출기를 선택하는 단계는,
    상기 광 검출기별 산란계수 변화에 따라 측정 강도 변화를 표현하는 광 검출기별 대표 함수를 산출하는 단계;
    상기 광 검출기별 대표 함수에 대한 광 검출기별 측정 오차를 산출하는 단계;
    상기 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 상기 산출된 광 검출기별 측정 오차로 보정하는 단계;
    상기 광 검출기 어레이를 상기 광원과의 거리에 따라 복수의 광 검출기 집합으로 구분하고, 상기 보정된 광 검출기별 대표 함수의 기울기를 광 검출기 집합별로 평균하여 광 검출기 집합별 평균 기울기를 산출하는 단계; 및
    상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기를 기반으로, 상기 광 검출기 어레이에서 상기 제1 광 검출기 집합 및 상기 제2 광 검출기 집합을 선택하는 단계; 를 포함하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1 광 검출기 집합 및 제2 광 검출기 집합을 선택하는 단계는,
    상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가 양으로 가장 큰 광 검출기 집합을 제1 광 검출기 집합으로 선택하고, 상기 산출된 광 검출기 집합별 평균 기울기가 음으로 가장 큰 광 검출기 집합을 제2 광 검출기 집합으로 선택하는,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 광원과 상기 제1 광 검출기 집합의 거리는 상기 광원과 상기 제2 광 검출기 집합의 거리보다 작은,
    산란계수 측정을 위한 광 검출기 선택 방법.
KR1020170095558A 2017-07-27 2017-07-27 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법 KR102422021B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095558A KR102422021B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법
US16/028,028 US10502683B2 (en) 2017-07-27 2018-07-05 Photodetector selection apparatus and method and scattering coefficient measurement apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095558A KR102422021B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190012497A KR20190012497A (ko) 2019-02-11
KR102422021B1 true KR102422021B1 (ko) 2022-07-15

Family

ID=65037822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170095558A KR102422021B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10502683B2 (ko)
KR (1) KR102422021B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6782433B2 (ja) * 2017-03-22 2020-11-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 画像認識装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000136997A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Fuji Photo Film Co Ltd 光計測装置
JP2010073863A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Gigaphoton Inc 分光器の感度調整方法及び分光器
JP2011226985A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Topcon Corp 信号処理方法、信号処理デバイス及び光画像計測装置
JP2012169036A (ja) * 2007-11-29 2012-09-06 Mitsubishi Electric Corp 光ヘッド装置、光ディスク装置および光ディスク
WO2015151586A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 測定装置、測定方法、プログラム及び記録媒体

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5783779A (en) 1980-11-11 1982-05-25 Kubota Ltd Joining method of inner face installing type pipe joint
JP3107927B2 (ja) 1992-10-06 2000-11-13 浜松ホトニクス株式会社 散乱吸収体の光学情報計測装置及び方法
JP3359743B2 (ja) 1994-05-31 2002-12-24 技術研究組合医療福祉機器研究所 生体測定装置
JP2780935B2 (ja) 1994-09-22 1998-07-30 浜松ホトニクス株式会社 散乱吸収体の吸収成分の濃度計測方法及び装置
JP3433534B2 (ja) 1994-11-07 2003-08-04 浜松ホトニクス株式会社 散乱吸収体内の散乱特性・吸収特性の測定方法及び装置
JP3401376B2 (ja) * 1995-10-26 2003-04-28 独立行政法人産業技術総合研究所 散乱物体の光学定数決定法
US6078833A (en) 1998-03-25 2000-06-20 I.S.S. (Usa) Inc. Self referencing photosensor
SE9903423D0 (sv) * 1999-09-22 1999-09-22 Astra Ab New measuring technique
US6606509B2 (en) 2001-03-16 2003-08-12 Nellcor Puritan Bennett Incorporated Method and apparatus for improving the accuracy of noninvasive hematocrit measurements
JP4633302B2 (ja) 2001-06-01 2011-02-16 日機装株式会社 光学的成分測定方法および装置
JP4868772B2 (ja) * 2004-08-24 2012-02-01 日機装株式会社 血液浄化装置
KR101047968B1 (ko) 2006-02-20 2011-07-12 (주)하모닉스 에너지 흡수도 보정을 이용한 혈액 성분 분석 장치 및 방법
CN101489482B (zh) 2006-05-30 2012-01-18 马萨诸塞大学 测量组织氧合度的方法
JP5070387B2 (ja) 2007-09-28 2012-11-14 長崎県 光散乱体の非破壊測定装置
US20100076319A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Nellcor Puritan Bennett Llc Pathlength-Corrected Medical Spectroscopy
JP5783779B2 (ja) 2011-04-18 2015-09-24 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置及び被検体情報取得方法
JP2014016235A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Seiko Epson Corp 光吸収係数分布推定装置、濃度測定装置及び光吸収係数分布推定装置の制御方法
WO2014087825A1 (ja) * 2012-12-06 2014-06-12 国立大学法人北海道大学 非侵襲型生体脂質濃度計測器、非侵襲型生体脂質代謝機能計測器、非侵襲による生体脂質濃度計測方法および非侵襲による生体脂質代謝機能検査方法
JP2015080604A (ja) 2013-10-23 2015-04-27 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置および光学特性測定装置
KR101669325B1 (ko) 2014-02-06 2016-10-25 한국과학기술원 공동 희소성을 이용한 산란광 단층 촬영 방법 및 장치
US9964485B2 (en) 2015-09-03 2018-05-08 National Cheng Kung University Optical device and method for determining an optical property of specimen
KR102681121B1 (ko) * 2016-11-15 2024-07-02 삼성전자주식회사 생체 성분 측정 장치 및 방법
KR102658240B1 (ko) * 2016-11-17 2024-04-16 삼성전자주식회사 생체 정보 추정 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000136997A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Fuji Photo Film Co Ltd 光計測装置
JP2012169036A (ja) * 2007-11-29 2012-09-06 Mitsubishi Electric Corp 光ヘッド装置、光ディスク装置および光ディスク
JP2010073863A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Gigaphoton Inc 分光器の感度調整方法及び分光器
JP2011226985A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Topcon Corp 信号処理方法、信号処理デバイス及び光画像計測装置
WO2015151586A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 ソニー株式会社 測定装置、測定方法、プログラム及び記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US10502683B2 (en) 2019-12-10
KR20190012497A (ko) 2019-02-11
US20190033212A1 (en) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210235990A1 (en) Biological component measuring apparatus and biological component measuring method
US10595757B2 (en) Apparatus and method for measuring biological component
KR102437776B1 (ko) 생체 성분 추정 장치 및 그의 동작 방법
JP7338969B2 (ja) 光センサー、それを用いた吸光度測定装置及び方法
US10905382B2 (en) Bio-signal quality assessment apparatus and method and bio-signal measurement parameter optimization apparatus and method
KR102649915B1 (ko) 분광 센서 제어 방법 및 이를 지원하는 전자 장치
KR102375036B1 (ko) 스펙트럼 측정 장치 및 방법과, 스펙트럼 측정 장치의 캘리브레이션 방법
KR102422021B1 (ko) 광 검출기 선택 장치 및 방법과, 산란계수 측정 장치 및 방법
CN111134688B (zh) 光学传感器、测量光信号的方法及估计血液浓度的装置
US11255729B2 (en) Apparatus and method for monitoring stability of spectrum
US10444153B2 (en) Spectrum measurement apparatus and spectrum measurement method
US20170112393A1 (en) Measurement apparatus and measurement method
KR20200032319A (ko) 혈압 측정 장치 및 방법
KR102564544B1 (ko) 생체 신호 측정 장치와, 혈압 측정 장치 및 방법
KR102640317B1 (ko) 체액 측정 장치 및 방법
KR102658237B1 (ko) 분석 물질의 혈중 농도 추정 장치 및 방법과, 모델 생성 장치 및 방법
US10883876B2 (en) Compact spectrometer unit and bio-signal measuring apparatus
US10921190B2 (en) Spectrum measuring apparatus and spectrum measuring method
US11607177B2 (en) Electronic apparatus, control method, and program
JP2019144160A (ja) 解析装置および解析方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant