KR102345172B1 - 기판 탈가스용 챔버 - Google Patents
기판 탈가스용 챔버 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102345172B1 KR102345172B1 KR1020187029133A KR20187029133A KR102345172B1 KR 102345172 B1 KR102345172 B1 KR 102345172B1 KR 1020187029133 A KR1020187029133 A KR 1020187029133A KR 20187029133 A KR20187029133 A KR 20187029133A KR 102345172 B1 KR102345172 B1 KR 102345172B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slit
- workpiece
- pockets
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000007872 degassing Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 24
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 28
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 25
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims 13
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 95
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D9/00—Cooling of furnaces or of charges therein
- F27D2009/007—Cooling of charges therein
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Vacuum Packaging (AREA)
Abstract
Description
도 1은 "슬릿-포켓 평면" 이라는 용어의 정의를 설명하기 위해 슬릿-포켓을 구비한, 가장 일반적으로 도시된, 본 발명에 의한 챔버 블록을 개략적으로 및 사시도로 도시한다.
도 2는 슬릿-포켓들을 따라 본 발명에 의한 챔버 블록을 통과하는 개략적이고 단순화된 단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 챔버에 사용되는 도어 장치를 구현하는 제1 실시예로, 도 2와 유사하게 표현된다.
도 4a는 도어 장치를 구현하는 또 다른 실시예로, 도 3과 유사하게 표현된다.
도 4b는 또한 도어 장치를 구현하는 또 다른 실시예로, 도 3 및 도 4a와 유사하게 표현된다.
도 5는 또한, 본 발명에 의한 챔버에 제공되는 현재 실시되는 도어 장치의 추가 실시예로, 도 3 및 4a, 4b와 유사하게 표현된다.
도 6a는 도 2의 일점 쇄선 A-A를 따르고 슬릿 포켓의 일부를 통과하는 단순화된 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한, 챔버 내의 가능하게 구성된 슬릿-포켓의 하부 섹션의 실시예로, 도 6a와 유사하게 표현된다.
도 7은 또한 본 발명에 의한 챔버의 실시예를 개략적으로 간략하게 도시한 사시도이다.
도 8은 챔버의 블록을 둘러싸는 격리 하우징을 구비한 본 발명에 의한 챔버의 일 실시예의 단면을 개략적으로 및 간략하게 도시한 도면이다.
도 9a는 핸들링 로봇의 이송 암을 구비한 본 발명에 의한 챔버의 일 실시예의 슬릿 포켓상의 상면도이다.
도 9b는 도 9a의 슬릿-포켓을 통한 단면도이다.
도 10은 본 발명에 의한 챔버의 실시예에 의한 단면을 개략적으로 및 간략하게 도시한 도면으로, 도어 장치는 닫힌 위치 또는 덮는 위치에 도어-작업편-취급 개구(DWHO)를 구비한 도어 플레이트를 포함한다.
도 11은 도 10과 유사하게 표현되며, 본 발명에 의한, 그리고 도 10의 실시예에 의한 챔버의 일 실시예를 통과하는 단면도로서, 도어 플레이트는 가장 낮은 슬릿 포켓(좌측 도시) 및 가장 상부의 슬릿 포켓(우측 도시)을 해제한다.
도 12는 도 10 및 11과 유사하게 표현되며, 본 발명에 의한 챔버의 일 실시예를 통과하는 단면도로서, DWHO가 2 개의 이웃하는 슬릿-포켓 사이의 중간 위치에있는 위치에서 슬릿-포켓의 모든 작업편 취급 개구들을 덮는 도어 장치의 도어 플레이트를 도시한다.
도 13은 도 10 내지 12와 유사하게 표현되며, 본 발명에 의한 챔버의 일 실시예의 일부를 도시한 도면으로, 도어 장치는 2 개의 독립적으로 구동되는 도어 플레이트에 의해 구현된다.
도 14는 도 10 내지 13과 유사하게 표현되며, 본 발명에 의한 챔버의 일 실시예를 통과하는 단면도로서, 도어 장치는 구동 블록에 의해 작동되고 블록은 두 개의 상이한 위치들로 도시된다.
도 15는 본 발명에 의한 챔버의 슬릿-포켓의 바닥 부분의 실시예의 사시도이다.
도 16은 본 발명에 의한 챔버를 사용하는 본 발명에 의한 시스템의 블록도를 도시한다.
도 17은 도 16에 따른 시스템의 일 실시예를 개략적으로 및 간략하게 도시한다.
도 18은 슬릿-포켓 스테이플(slit-pocket staple)에서 작업편들에 의한 슬릿-포켓들의 점유 시간을 도시한다.
Claims (61)
- 각각 한 쌍의 2 차원으로 연장된 표면들 및 하기 두께 D를 갖는 하나 이상의 작업편의 배치(batch)에 대한 열처리 챔버로서,
0.01 mm < D < 5mm,
- 하나의 단일 금속 피스 또는 하나 이상의 열적으로 결합된 금속 부분으로 제조된 열 저장 블록(heat storage block)으로서, 열적으로 공통으로 행동하는 것이 동일한 단일 피스의 금속 블록과 단지 무시할 정도로만 다른 열 저장 블록;
- 상기 열 저장 블록에 포함된 슬릿 포켓들로서, 각각의 슬릿-포켓은 그 내부에 상기 작업편의 하나를 수용하도록 치수가 정해지고, 슬릿-포켓 평면들을 따라 연장되며, 각각의 슬릿-포켓은 적어도 하나의 작업편 취급 개구를 구비하며, 각각의 슬릿 포켓은 슬릿 포켓과 작업편 사이에 비접촉 방식으로, 상기 작업편들 중 하나를 둘러싸도록 맞춰지며,
상기 슬릿-포켓 평면들에 수직이고 상기 슬릿-포켓들의 범위 표면적의 30% 이상을 따라, 상기 슬릿-포켓 평면들에 평행하게 고려되는, 상기 슬릿-포켓들 각각의 높이(h)는 2.5 mm < h < 50 mm 이며,
하나 이상의 슬릿-포켓들이 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 방향으로 적층되고, 일반적으로 슬릿 포켓들의 스택(stack)을 형성하는, 슬릿 포켓들;
- 상기 각각의 슬릿 포켓에서 작업편을 지지하기 위한 작업편 지지체;
- 상기 열 저장 블록 외부 대기에 대하여 각각의 작업편 취급 개구들을 해제(freeing)하거나 덮도록(covering) 제어하는 도어 장치(door arrangement); 및
- 상기 하나 이상의 슬릿-포켓들의 스택을 따라, 측 방향으로 연장되는 상기 열 저장 블록의 외부 표면을 따르는, 상기 열 저장 블록에 대한 히터 및 쿨러 인터페이스 중 적어도 하나를 포함하는, 열처리 챔버. - 제1항에 있어서, 히터 및 쿨러 인터페이스 중 적어도 하나를 따라 제공되는 히터 장치, 쿨러 장치 또는 히터 장치와 쿨러 장치를 포함하는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 상기 슬릿-포켓들 모두에 송출하고(dispatching), 상기 열 저장 블록을 통해 연장되는 가스 공급 라인 장치(gas feed line arrangement)를 포함하는 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 전부는, 각각의 작업편 취급 개구가 상기 도어 장치에 의해 덮일 때 기밀 상태인, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 전부는, 각각의 작업편 취급 개구가 상기 도어 장치에 의해 덮일 때 기밀 상태가 아닌, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들의 상기 적어도 하나의 작업편 취급 개구의 적어도 일부 또는 전부는 상기 열 저장 블록을 따라 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 방향으로 정렬되는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 인접한 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 전부는 열적으로 분리되는, 열처리 챔버.
- 제7항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들은 평행하고, 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 일 방향으로 정렬되며, 인접한 슬릿-포켓은 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 방향으로 하기 두께 d를 갖는 상기 열 저장 블록의 섹션에 의해 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직으로 분리되며,
0.5 mm < d < 10 mm
상기 슬릿-포켓 평면들에 평행하게, 상기 슬릿-포켓들의 범위 표면적의 30% 이상을 따르는, 열처리 챔버. - 제1항에 있어서, 작업편 지지체 상의 작업편 아래에 있는 작업편 핸들러 로봇의 적어도 하나의 핸들링 암을 도입 및 제거하기 위하여, 상기 슬릿 포켓들은 각각 그 바닥면에 하나 이상의 핸들러-컷 아웃을 포함하되, 상기 하나 이상의 핸들러-컷 아웃은 적어도 하나의 핸들러 개구를 통해 접근가능한, 열처리 챔버.
- 제9항에 있어서, 상기 하나 이상의 핸들러-컷 아웃은 관통-컷 아웃(trough-cutouts)인, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들 중 적어도 일부 또는 전부는 하나의 단일 작업편-취급 개구를 포함하는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 도어 장치는 상기 작업편 취급 개구들 중 하나 이상을 동시에 덮거나 해제하도록 제어가능한, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 도어 장치는 시간 범위(time span) 동안 동시에 덮힌 상태의 모든 작업편 취급 개구를 유지하도록 제어가능한, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 작업편 취급 개구의 적어도 일부 또는 전부는 일 방향으로 상호 정렬되고, 상기 도어 장치는 적어도 하나의 도어-작업편 취급 개구를 갖는 도어 플레이트를 포함하고, 상기 도어 플레이트는 상기 블록을 따라 상기 방향으로 상기 블록에 대해 제어가능하게 슬라이딩 가능하여 상기 적어도 하나의 도어-작업편 취급 개구를 상기 슬릿-포켓들의 상기 작업편 취급 개구 중 적어도 하나와 선택적으로 정렬 상태 안으로 또는 정렬 상태 밖으로 도입하는, 열처리 챔버.
- 제14항에 있어서, 상기 도어 플레이트는 도어 플레이트와 열 저장 블록 사이의 상대적인 슬라이딩을 위해 플레이트 구동부에 작동가능하게 연결되는, 열처리 챔버.
- 제14항에 있어서, 상기 블록은 도어 플레이트와 열 저장 블록 사이의 상대적인 슬라이딩을 위해 블록 구동부에 작동가능하게 연결되는, 열처리 챔버.
- 제16항에 있어서, 상기 도어 플레이트는 상기 열 저장 블록 둘레의 하우징의 벽인, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 열 저장 블록은 2 개의 측면 표면 및 전면 표면을 포함하고, 상기 측면 표면들 각각의 하나를 따라 연장하는 상기 인터페이스들 중 하나 및 상기 적어도 하나의 작업편 취급 개구는 상기 전면 표면을 따라 제공되는, 열처리 챔버.
- 제18항에 있어서, 상기 챔버는 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 상기 슬릿-포켓들 모두에 송출하고, 상기 열 저장 블록을 통해 연장되는 가스 공급 라인 장치를 포함하며, 상기 가스 공급 라인 장치는 상기 블록의 후면 표면을 따라 상기 전면 표면과 대향하는 가스 히터 장치, 냉각 장치, 또는 가스 히터 장치와 냉각 장치에 작동가능하게 열적으로 연결되는, 열처리 챔버.
- 제18항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들은 상기 측면 표면들에 수직으로 연장되는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 열 저장 블록은 열 격리 하우징(thermally isolating housing) 내에 장착되는, 열처리 챔버.
- 제21항에 있어서, 상기 열 격리 하우징은 상기 열 저장 블록으로부터 이격되는, 열처리 챔버.
- 제21항에 있어서, 상기 도어 장치는 상기 작업편 취급 개구와 대면하는 상기 격리 하우징의 벽에 하나 이상의 제어가능한 도어-작업편 취급 개구를 포함하고, 상기 열 저장 블록은 상기 작업편 취급 개구 중 하나 이상이 상기 제어가능한 도어-작업편 취급 개구들 중 하나 또는 각각 하나 이상과 정렬되도록 구성되는 제어가능한 블록 드라이브에 작동가능하게 결합되는, 열처리 챔버.
- 제23항에 있어서, 상기 제어가능한 도어-작업편 취급 개구에는 플랩(flap)이 장착되는, 열처리 챔버.
- 제21항에 있어서, 상기 작업편 취급 개구들은 상기 열 저장 블록과 상기 열 격리 하우징 사이의 간극(interspace)과 연속적으로 유체 연통(fluid communication)하는, 열처리 챔버.
- 제25항에 있어서, 상기 하우징은 상기 간극에 접하는 펌프 포트를 포함하는, 열처리 챔버.
- 제26항에 있어서, 상기 챔버는, 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 모두에서 각각 송출되는, 상기 블록을 가로지르는 복수의 가스 공급 라인의 가스 공급 라인 장치를 포함하고, 상기 슬릿-포켓들에서 송출되는 상기 가스 공급 라인은 상기 적어도 하나의 작업편 취급 개구부 내의 각각의 하나들에 대향하는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들 중 적어도 일부 또는 전부에 송출되는 가스 공급 라인 장치 및 상기 가스 공급 라인 장치 내에 가스를 위한 가스-히터 장치, 가스-쿨러 장치, 또는 가스-히터 장치와 가스-쿨러 장치를 포함하는, 열처리 챔버.
- 제1항에 있어서, 상기 챔버는 탈기 챔버인, 열처리 챔버.
- 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 따른 챔버를 포함하는 장치로서, 상기 슬릿-포켓들의 적어도 일부 또는 전부에 송출되는 가스 공급 라인 장치를 포함하고, 상기 가스 공급 라인은 건조 공기, N2, Ar, He 중 적어도 하나에 대한 가압 가스 소스 장치에 작동가능하게 연결되는, 장치.
- 다음을 포함하는 작업편 처리 시스템으로서,
· 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 따른 챔버로서;
a) 각각의 슬릿 포켓은 단일의 작업편 취급 개구를 가지며;
b) 슬릿-포켓들의 작업편 취급 개구는 상기 블록을 따라 상기 방향으로 정렬되고;
c) 도어 장치는 작업편 취급 개구부를 주변 대기로 해제하는;
챔버를 포함하고,
및 추가로:
· 작업편용 진공 처리 장치로서, 상기 작업편용 진공 처리 장치 내의 진공 분위기와 대기 분위기 사이에 로드 락 장치(load-lock arrangement)를 포함하는, 작업편용 진공 처리 장치;
· 주변 대기에서 적어도 하나의 매거진을 포함하고 다수의 작업편 홀더를 구비한 매거진 장치(magazine arrangement)로서;
상기 슬릿-포켓들 및 상기 매거진 장치의 상기 작업편 홀더는 평행한 평면을 따라 이들의 연장된 표면들을 갖는 작업편을 유지하도록 조정된(tailored) 매거진 장치; 및
· 대기 중의 핸들링 로봇(handling robot)으로서;
상기 핸들링 로봇은 상기 매거진 장치로 및 상기 매거진 장치로부터, 상기 로드 락 장치로 및 로드 락 장치로부터, 상기 챔버로 및 상기 챔버로부터 작업편을 핸들링하도록 조정된, 핸들링 로봇을 더 포함하는, 작업편 처리 시스템. - 제31항에 있어서, 상기 로드 락 장치의 작업편 홀더는 평행면을 따라 연장 된 표면을 갖는 작업편을 고정하도록 조정된, 작업편 처리 시스템.
- 제31항에 있어서, 상기 핸들링 로봇은 수직 축을 중심으로 구동식으로 회전가능한, 작업편 처리 시스템.
- 제31항에 있어서, 상기 핸들링 로봇은 상기 매거진 장치로 및 매거진 장치로부터, 로드 락 장치로 및 로드 락 장치로부터, 챔버로 및 챔버로부터 한 번에 하나의 단일 작업편을 취급하도록 조정된, 작업편 처리 시스템.
- 제31항에 있어서, 상기 매거진 장치는 하나 이상의 매거진을 포함하는, 작업편 처리 시스템.
- 제31항에 있어서, 작업편 정렬 스테이션을 더 포함하고, 상기 핸들링 로봇은 상기 작업편 정렬 스테이션으로 또는 이로부터 작업편들을 취급하도록 조정된, 작업편 처리 시스템.
- 제31항에 있어서, 상기 챔버는 히터 챔버이고, 상기 진공 처리 장치는 상기 작업편에 대한 쿨러 스테이션을 포함하는, 작업편 처리 시스템.
- 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 따른 챔버를 사용하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법으로서,
열 저장 블록의 소정 온도를 설정하는 단계
a) 도어 장치에 의해 각각의 슬릿-포켓의 각각의 작업편 취급 개구를 해제한 이후에 상기 슬릿-포켓들 중 적어도 하나 내에, 그리고 각각의 작업편 지지체 상에 작업편을 로딩하는 단계;
b) 도어 장치에 의해 상기 열 저장 블록 외부의 대기에 대해 상기 작업편이 로드된 슬릿-포켓들의 각각의 작업편 취급 개구를 덮는 단계;
c) 슬릿-포켓들 내에서 상기 작업편을 열처리하는 단계;
d) 도어 장치에 의해 슬릿-포켓들의 상기 각각의 작업편 취급 개구를 해제하는 단계; 및
e) 상기 슬릿-포켓들로부터 상기 해제된 작업편 취급 개구를 통해 상기 열처리된 작업편을 제거하는 단계;를 포함하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법. - 제38항에 있어서, 시간 범위(time span) 동안 상기 작업편을 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 단계 a) 내지 e)의 주기는 서로 다른 슬릿-포켓들에서 다수 회 수행되고, 두 주기 사이의 시간 지연(time lag)은 시간적으로 서로 연속적으로 수행되며, 상기 시간 지연은 상기 시간 범위보다 짧은, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 로딩은 주변 대기로부터 수행되고 상기 제거는 주변 대기로 수행되는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 작업편은 상기 챔버와 매거진 장치 사이, 상기 챔버와 상기 작업편에 대한 진공 처리 장치 사이, 상기 진공 처리 장치와 상기 매거진 장치 사이에서 이송되는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제41항에 있어서, 상기 작업편은 상기 작업편에 대한 정렬기 스테이션(aligner station)으로 및 정렬기 스테이션으로부터 이송되는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제41항에 있어서, 단일 작업편 이송에 의해 상기 이송을 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 챔버는 상기 슬릿-포켓들의 수 n 개를 포함하고, n보다 작은 수 m 만이 사용되는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제44항에 있어서, 시간 지연 dT를 사용하여 작업편을 슬릿-포켓들 내에 직접 적시에 로딩하고, 각각의 작업편은 동일한 시간 범위(Δ)동안 상기 슬릿-포켓들에 놓이며, Δ/dT의 몫은 정수(Δ/dT)I로 반올림되고 유효한 m = (Δ/dT)I 인, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 챔버의 비-직접적으로 이웃하는 슬릿-포켓들에서 상기 단계 a) 내지 e)를 직접 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 단계 a)를 상기 챔버를 따라 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 상기 방향으로 모든 제2 슬릿-포켓(second slit-pocket)에서 먼저 수행하고, 상기 방향을 반전시키고 및 상기 단계 a)를 역 방향으로 모든 나머지 슬릿-포켓에서 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제46항에 있어서, 상기 단계 a)를 상기 챔버를 따라 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 상기 방향으로 모든 제2 슬릿-포켓에서 먼저 수행하고, 상기 방향을 반전시키고 및 상기 단계 a)를 역 방향으로 모든 나머지 슬릿-포켓에서 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 단계 e)를 상기 챔버를 따라 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 상기 방향으로 모든 제2 슬릿-포켓에서 먼저 수행하고, 상기 방향을 반전시키고 및 상기 단계 e)를 역 방향으로 모든 나머지 슬릿-포켓에서 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제46항에 있어서, 상기 단계 e)를 상기 챔버를 따라 상기 슬릿-포켓 평면들에 수직인 상기 방향으로 모든 제2 슬릿-포켓에서 먼저 수행하고, 상기 방향을 반전시키고 및 상기 단계 e)를 역 방향으로 모든 나머지 슬릿-포켓에서 순차적으로 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제47항에 있어서, 작업편을 각각의 슬릿-포켓으로 그리고 슬릿-포켓으로부터 언로딩하고 즉시 재로딩하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 로딩 및 상기 제거를 각각의 슬릿-포켓의 동일한 작업편 취급 개구를 통해 수행하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 슬릿-포켓들로 또는 상기 슬릿-포켓들로부터 한 번에 하나의 단일 작업편을 로딩하는 단계, 제거하는 단계 또는 로딩 및 제거하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 열처리 중에 적어도 상기 작업편을 따라 그리고 상기 슬릿-포켓들로부터 가스의 흐름을 설정(establishing)하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제54항에 있어서, 상기 작업편을 따라 상기 가스 유동을 설정하기 위해 가스를 예열 또는 예냉하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제54항에 있어서, 상기 챔버는 탈가스 장치 챔버이고, 상기 가스의 흐름은 플러싱 가스의 흐름인, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 열 저장 블록을 열 격리 하우징 내에 제공하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제38항에 있어서, 열 격리 하우징 내에 상기 열 저장 블록을 제공하는 단계, 적어도 상기 열처리 동안, 상기 작업편을 따라 그리고 상기 슬릿 포켓들로부터의 가스 흐름을 상기 격리 하우징 사이과 상기 열 저장 블록의 간극 내로 설정하는 단계, 및 상기 간극으로부터 상기 가스를 제거하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제58항에 있어서, 도어 장치의 적어도 하나의 제어가능하게 폐쇄가능하고 개방가능한 도어-작업편 취급 개구부에 의해 상기 간극을 상기 하우징을 둘러싸는 주위 분위기로부터 분리하는 단계, 및 상기 하우징의 벽 내에서, 상기 하우징 내의 구동기에 의해 상기 열 저장 블록을 제어가능하게 이동시켜 상기 슬릿-포켓들의 작업편 취급 개구 및 상기 적어도 하나의 도어-작업편 취급 개구부를 정렬하는 단계를 포함하는, 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
- 제30항에 따른 장치를 사용하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법으로서,
블록의 소정 온도를 설정하는 단계
a) 도어 장치에 의해 각각의 슬릿-포켓의 각각의 작업편 취급 개구를 해제한 이후에 상기 슬릿-포켓들 중 적어도 하나 내에, 그리고 각각의 작업편 지지체 상에 작업편을 로딩하는 단계;
b) 도어 장치에 의해 상기 열 저장 블록 외부의 대기에 대해 상기 작업편이 로드된 슬릿-포켓들의 각각의 작업편 취급 개구를 덮는 단계;
c) 슬릿-포켓들 내에서 상기 작업편을 열처리하는 단계;
d) 도어 장치에 의해 슬릿-포켓들의 상기 각각의 작업편 취급 개구를 해제하는 단계; 및
e) 상기 슬릿-포켓들로부터 상기 해제된 작업편 취급 개구를 통해 상기 열처리된 작업편을 제거하는 단계;를 포함하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법. - 제31항에 따른 시스템을 사용하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법으로서,
블록의 소정 온도를 설정하는 단계
a) 도어 장치에 의해 각각의 슬릿-포켓의 각각의 작업편 취급 개구를 해제한 이후에 상기 슬릿-포켓들 중 적어도 하나 내에, 그리고 각각의 작업편 지지체 상에 작업편을 로딩하는 단계;
b) 도어 장치에 의해 상기 열 저장 블록 외부의 대기에 대해 상기 작업편이 로드된 슬릿-포켓들의 각각의 작업편 취급 개구를 덮는 단계;
c) 슬릿-포켓들 내에서 상기 작업편을 열처리하는 단계;
d) 도어 장치에 의해 슬릿-포켓들의 상기 각각의 작업편 취급 개구를 해제하는 단계; 및
e) 상기 슬릿-포켓들로부터 상기 해제된 작업편 취급 개구를 통해 상기 열처리된 작업편을 제거하는 단계;를 포함하는 열처리된 작업편을 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2016/054909 WO2017152958A1 (en) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | Chamber for degassing substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180123522A KR20180123522A (ko) | 2018-11-16 |
KR102345172B1 true KR102345172B1 (ko) | 2021-12-31 |
Family
ID=55527913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187029133A KR102345172B1 (ko) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | 기판 탈가스용 챔버 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11776825B2 (ko) |
EP (1) | EP3427291B1 (ko) |
JP (1) | JP6800237B2 (ko) |
KR (1) | KR102345172B1 (ko) |
CN (1) | CN108780766B (ko) |
WO (1) | WO2017152958A1 (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
US11901198B2 (en) * | 2019-07-12 | 2024-02-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Toxic outgas control post process |
KR102707382B1 (ko) * | 2020-06-10 | 2024-09-13 | 삼성전자주식회사 | 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비 |
US12080571B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-09-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module and method of moving a workpiece |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
US11747660B2 (en) * | 2020-07-28 | 2023-09-05 | HKC Corporation Limited | Degassing machine and degassing system |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
US12195314B2 (en) | 2021-02-02 | 2025-01-14 | Applied Materials, Inc. | Cathode exchange mechanism to improve preventative maintenance time for cluster system |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000504876A (ja) | 1996-02-16 | 2000-04-18 | イートン コーポレーション | 加工物にイオン注入するためのイオン注入装置 |
US7381052B2 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for heating substrates |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3656454A (en) | 1970-11-23 | 1972-04-18 | Air Reduction | Vacuum coating apparatus |
US5607009A (en) | 1993-01-28 | 1997-03-04 | Applied Materials, Inc. | Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor |
FR2747112B1 (fr) * | 1996-04-03 | 1998-05-07 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de transport d'objets plats et procede de transfert de ces objets entre ledit dispositif et une machine de traitement |
US6602348B1 (en) | 1996-09-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate cooldown chamber |
US6460369B2 (en) | 1999-11-03 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Consecutive deposition system |
TW511169B (en) | 2000-02-01 | 2002-11-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US6698718B2 (en) * | 2001-08-29 | 2004-03-02 | Wafermasters, Inc. | Rotary valve |
JP4821074B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
US6497734B1 (en) * | 2002-01-02 | 2002-12-24 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput |
JP4319434B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2009-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブ及び真空容器 |
US7282097B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-10-16 | Applied Materials, Inc. | Slit valve door seal |
KR20060033234A (ko) | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 삼성전자주식회사 | 급속 열처리 장치 |
JP2008521261A (ja) | 2004-11-22 | 2008-06-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置 |
US20060127067A1 (en) | 2004-12-13 | 2006-06-15 | General Electric Company | Fast heating and cooling wafer handling assembly and method of manufacturing thereof |
US7665951B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
WO2008144670A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Brooks Automation, Inc. | Load lock fast pump vent |
CN101620988A (zh) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | 佳能安内华股份有限公司 | 堆叠装载锁定室及包含其的衬底处理设备 |
US8420981B2 (en) | 2009-11-13 | 2013-04-16 | Tel Nexx, Inc. | Apparatus for thermal processing with micro-environment |
US20120220116A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Applied Materials, Inc. | Dry Chemical Cleaning For Semiconductor Processing |
US20120285621A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing |
KR101898677B1 (ko) * | 2012-04-30 | 2018-09-13 | 삼성전자주식회사 | 멀티 스택 큐어 시스템 및 그 운전 방법 |
KR101224520B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2013-01-22 | (주)이노시티 | 프로세스 챔버 |
US20140273525A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Intermolecular, Inc. | Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films |
WO2014143846A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc | Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same |
US9245767B2 (en) * | 2013-09-12 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Anneal module for semiconductor wafers |
US9349620B2 (en) * | 2014-07-09 | 2016-05-24 | Asm Ip Holdings B.V. | Apparatus and method for pre-baking substrate upstream of process chamber |
EP3105781B1 (en) * | 2014-12-11 | 2021-11-24 | Evatec AG | Chamber for degassing substrates |
US10403552B1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-09-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Replacement gate formation with angled etch and deposition |
-
2016
- 2016-03-08 CN CN201680083323.9A patent/CN108780766B/zh active Active
- 2016-03-08 US US16/083,123 patent/US11776825B2/en active Active
- 2016-03-08 EP EP16709913.4A patent/EP3427291B1/en active Active
- 2016-03-08 JP JP2018547428A patent/JP6800237B2/ja active Active
- 2016-03-08 KR KR1020187029133A patent/KR102345172B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-08 WO PCT/EP2016/054909 patent/WO2017152958A1/en active Application Filing
-
2023
- 2023-08-23 US US18/454,374 patent/US20230395402A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000504876A (ja) | 1996-02-16 | 2000-04-18 | イートン コーポレーション | 加工物にイオン注入するためのイオン注入装置 |
US7381052B2 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for heating substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3427291A1 (en) | 2019-01-16 |
US11776825B2 (en) | 2023-10-03 |
KR20180123522A (ko) | 2018-11-16 |
CN108780766A (zh) | 2018-11-09 |
JP2019515484A (ja) | 2019-06-06 |
WO2017152958A1 (en) | 2017-09-14 |
EP3427291B1 (en) | 2022-04-13 |
JP6800237B2 (ja) | 2020-12-16 |
US20230395402A1 (en) | 2023-12-07 |
CN108780766B (zh) | 2022-03-04 |
US20190096715A1 (en) | 2019-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102345172B1 (ko) | 기판 탈가스용 챔버 | |
US8524004B2 (en) | Loadlock batch ozone cure | |
US8246284B2 (en) | Stacked load-lock apparatus and method for high throughput solar cell manufacturing | |
JP2012501549A (ja) | 大面積基板処理システム用ロードロックチャンバ | |
KR20140058370A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20100055358A (ko) | 진공 처리 시스템 | |
KR102267964B1 (ko) | 12각형 이송 챔버 및 이를 갖는 프로세싱 시스템 | |
US10580671B2 (en) | Chamber for degassing substrates | |
TW201347067A (zh) | 加載互鎖裝置 | |
TWI703637B (zh) | 熱處理腔室、包括該腔室之設備、工件處理系統及製造熱處理工件的方法 | |
WO2018171908A1 (en) | Apparatus for loading a substrate in a vacuum processing system, system for processing a substrate, and method for loading a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20181008 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20201217 Comment text: Request for Examination of Application |
|
A302 | Request for accelerated examination | ||
PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20201223 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210401 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20211018 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20211227 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20211228 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241120 Start annual number: 4 End annual number: 4 |