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KR102320110B1 - Battery proction circuit using a currnt sensing resistor - Google Patents

Battery proction circuit using a currnt sensing resistor Download PDF

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KR102320110B1
KR102320110B1 KR1020160145082A KR20160145082A KR102320110B1 KR 102320110 B1 KR102320110 B1 KR 102320110B1 KR 1020160145082 A KR1020160145082 A KR 1020160145082A KR 20160145082 A KR20160145082 A KR 20160145082A KR 102320110 B1 KR102320110 B1 KR 102320110B1
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KR
South Korea
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fet
protection
overcharge
overdischarge
battery
Prior art date
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KR1020160145082A
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Korean (ko)
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KR20180049456A (en
Inventor
장지욱
신학용
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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Publication date
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Abstract

본 발명의 배터리 보호회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC를 포함하여 구성되고, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 하나의 전류 센싱 저항(CSR) 및 하나의 접지를 공용으로 사용할 수 있다.The battery protection circuit of the present invention is configured to include a first protection IC for preventing overcharging and overdischarging of a battery, and a second protection IC for preventing overcharging and overdischarging of the battery, and the first protection IC and the second protection The IC may use one current sensing resistor (CSR) and one ground in common.

Description

하나의 전류 센싱 저항을 갖는 배터리 보호 회로{BATTERY PROCTION CIRCUIT USING A CURRNT SENSING RESISTOR}BATTERY PROCTION CIRCUIT USING A CURRNT SENSING RESISTOR

본 발명은, 배터리 보호 회로에 관한 것으로써, 보다 구체적으로는 배터리 보호 회로에 탑재되는 2개의 IC 칩의 전류 센싱 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a battery protection circuit, and more particularly, to a current sensing circuit of two IC chips mounted on the battery protection circuit.

모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서의 이차전지의 수요가 급격히 증가하고 있고, 그에 따라 다양한 요구에 부응할 수 있는 이차전지에 대한 많은 연구가 행해지고 있다.As technology development and demand for mobile devices increase, the demand for secondary batteries as an energy source is rapidly increasing, and accordingly, a lot of research on secondary batteries capable of meeting various needs is being conducted.

대표적으로 전지의 재료면에서 높은 에너지 밀도, 방전 전압, 출력 안정성의 리튬 이차전지에 대한 수요가 높고, 형상 면에서는 얇은 두께로 휴대폰 등과 같은 제품들에 적용될 수 있고 높은 집적도로 적층되어 제조되는 전지모듈의 전지로도 사용될 수 있는 각형 전지와 파우치형 전지에 대한 수요가 높다.Typically, in terms of battery materials, there is a high demand for lithium secondary batteries with high energy density, discharge voltage, and output stability. There is a high demand for prismatic batteries and pouch-type batteries that can also be used as batteries.

그러나, 리튬 이차전지는 상기와 같은 장점을 가지는 반면에, 안전성이 낮다는 근본적인 문제점을 가지고 있다. 예를 들어, 전지가 과충전되는 경우에는 전극에서의 전해액 분해반응이 촉진되어 가연성 가스가 발생하고, 내부 단락 등과 같은 다양한 의해 야기된 과전류는 전지의 온도를 상승시켜 전지 구성요소의 분해반응을 유발한다. 이러한 과충전, 과전류 등으로 인해 전지는 발화하기 쉽고 경우에 따라서는 폭발할 가능성도 있다.However, while the lithium secondary battery has the above advantages, it has a fundamental problem of low safety. For example, when the battery is overcharged, the decomposition reaction of the electrolyte at the electrode is accelerated to generate flammable gas, and the overcurrent caused by various causes such as an internal short circuit raises the temperature of the battery and causes a decomposition reaction of the battery components. . Due to such overcharging and overcurrent, the battery is easily ignited and in some cases, there is a possibility of explosion.

또한, 과전류가 아니더라도 기타의 원인에 의한 온도 상승은 상기와 같은 문제점을 유발한다. 따라서, 리튬 이차전지에는 이러한 문제점을 해결하기 위한 보호회로가 내장되어 있다.In addition, even if it is not an overcurrent, the temperature rise due to other causes causes the above problems. Therefore, the lithium secondary battery has a built-in protection circuit to solve this problem.

보다 구체적으로, 상기 보호회로는, 제1 보호 IC 칩, 제1 충전 제어용 FET, 제1 방전 제어용 FET, 제1 전류 센싱 저항, 제2 보호 IC 칩, 제2 충전 제어용 FET, 제2 방전 제어용 FET, 제2 전류 센싱 저항을 포함하여 구성될 수 있다.More specifically, the protection circuit includes a first protection IC chip, a first charge control FET, a first discharge control FET, a first current sensing resistor, a second protection IC chip, a second charge control FET, and a second discharge control FET , a second current sensing resistor may be included.

이와 같이 각각의 보호 IC에 대응되는 전류 센싱 저항 각각은 서로 독립적으로 동작하는 것이 이상 적이지만, 각기 다른 그라운드 전위로 인해 종속적인 동작이 발생하는 문제점이 존재하였다.As described above, although it is ideal that each of the current sensing resistors corresponding to each protection IC operate independently of each other, there is a problem in that a dependent operation occurs due to different ground potentials.

본 발명은, 2개의 보호 IC가 탑재된 보호 회로에서, 공통 전류 센싱 저항 및 공통 접지를 사용하여, 2개의 보호 IC가 서로 독립적으로 동작하는 보호 회로를 제공한다.The present invention provides a protection circuit in which two protection ICs operate independently of each other by using a common current sensing resistor and a common ground in a protection circuit on which two protection ICs are mounted.

본 발명의 배터리 보호 회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC를 포함하여 될 수 있으며, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 하나의 전류 센싱 저항(CSR) 및 하나의 공통 접지를 공용으로 사용할 수 있다.The battery protection circuit of the present invention may include a first protection IC for preventing overcharging and overdischarging of the battery, and a second protection IC for preventing overcharging and overdischarging of the battery, the first protection IC and the second The protection IC may use one current sensing resistor (CSR) and one common ground in common.

한편, 상기 제1 보호 IC 및 상기 제2 보호 IC 각각은, 과전류가 유입되는 것을 정밀하게 감지하기 위한 감지 단자(Rsens), 공통 접지에 연결되는 접지 단자 및 배터리 충전 또는 방전시 전류의 유입상태를 감지하는 감시단자를 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, each of the first protection IC and the second protection IC has a detection terminal (Rsens) for precisely detecting an inflow of overcurrent, a ground terminal connected to a common ground, and a state of current flowing during battery charging or discharging. It may be configured to include a monitoring terminal for sensing.

한편, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 과전류 감지 단자(Rsens)는 공용으로 사용되는 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 일단과 연결되고, 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)의 타단은, 상기 하나의 공통 접지와 연결되며, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 접지 단자는 공용으로 사용되는 상기 하나의 공통 접지에 연결되고, 상기 감지단자는, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC 각각의 과충전 FET에 연결될 수 있다.On the other hand, the overcurrent sensing terminal Rsens of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to one end of the one current sensing resistor CSR used in common, and the The other end is connected to the one common ground, a ground terminal of each of the first protection IC and the second protection IC is connected to the one common ground used in common, and the sensing terminal is the first protection IC and an overcharge FET of each of the second protection ICs.

한편, 상기 제1 보호 IC는, 제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고, 상기 제2 보호 IC는, 제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제1 과충전 제어 단자(Cout)는, 제1 과충전 FET에 연결되며, 상기 제2 과충전 제어 단자(Cout)는, 제2 과충전 FET에 연결되고, 상기 제1 과방전 제어 단자(Dout)는, 제1 과방전 FET에 연결되며, 상기 제2 과방전 제어 단자(Dout)는, 제2 과방전 FET에 연결되고, 상기 4개의 과충전 FET 및 과방전 FET는, 서로 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항의 일단에 연결될 수 있다.Meanwhile, the first protection IC further includes a first overcharge control terminal Cout and a first overdischarge control terminal Dout, and the second protection IC includes a second overcharge control terminal Cout and It may be configured to further include a second overdischarge control terminal (Dout). The first overcharge control terminal Cout is connected to a first overcharge FET, the second overcharge control terminal Cout is connected to a second overcharge FET, and the first overdischarge control terminal Dout includes: It is connected to a first overdischarge FET, the second overdischarge control terminal Dout is connected to a second overdischarge FET, and the four overcharge FETs and the overdischarge FET are connected in series to each other, and the current sensing It can be connected to one end of a resistor.

또한, 상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과충전 제어단자(Cout)에서 출력할 수 있다.In addition, the first protection IC and the second protection IC may output a control signal for turning off the overcharge FET from the overcharge control terminal Cout when overcharge is detected at the overcurrent sensing terminal Rsens. .

상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 과방전 FET 소자를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과방전 제어 단자(Dout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC may output a control signal for turning off the over-discharge FET device from the over-discharge control terminal Dout when over-discharge is detected at the over-current sensing terminal Rsens. have.

상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC may output a control signal for turning off the overcharge FET from the overcharge control terminal Cout when overcharge is detected at the monitoring terminal.

상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는, 상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 과방전 제어단자(Dout)에서 출력할 수 있다.The first protection IC and the second protection IC may output a control signal for turning off the overdischarge FET from the overdischarge control terminal Dout when overdischarge is detected at the monitoring terminal.

본 발명은, 2개의 보호 IC 가 탑재된 보호 회로에서 공통 전류 센싱 저항 및 공통 접지를 사용함으로써, 2개의 보호 IC가 각각 서로 독립적으로 동작 할 수 있다.In the present invention, the two protection ICs can operate independently of each other by using a common current sensing resistor and a common ground in the protection circuit on which the two protection ICs are mounted.

도 1은 종래의 보호 회로의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 보호 회로의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional protection circuit.
2 is a block diagram of a protection circuit of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement them. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예컨대, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms including an ordinal number, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component. The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 “~(하는) 단계” 또는 “~의 단계”는 “~를 위한 단계”를 의미하지 않는다.Throughout the specification, when a part is said to be “connected” to another part, it includes not only the case where it is “directly connected” but also the case where it is “electrically connected” with another element interposed therebetween. . In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. As used throughout this specification, the term “step for” or “step for” does not mean “step for”.

본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다. The terms used in the present invention have been selected as currently widely used general terms as possible while considering the functions in the present invention, but these may vary depending on the intention or precedent of a person skilled in the art, the emergence of new technology, and the like. In addition, in a specific case, there is a term arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the description of the corresponding invention. Therefore, the term used in the present invention should be defined based on the meaning of the term and the overall content of the present invention, rather than the name of a simple term.

명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.When a part "includes" a certain element throughout the specification, this means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated.

1. 종래의 보호 회로1. Conventional protection circuit

도 1은 종래의 보호 회로의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional protection circuit.

종래의 보호 회로는 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200) 각각에 전류 센싱 저항 및 그라운드 접지가 일대 일로 구성되어 있었다.In the conventional protection circuit, a current sensing resistor and a ground ground are configured in a one-to-one manner in each of the first protection IC 100 and the second protection IC 200 .

이와 같은 구성은, 제1 보호 IC(100)의 그라운드 접지와 제2 보호IC(200)의 접지의 전압이 서로 다르게 측정되어, 각각의 보호 IC가 독립적으로 동작 해야 됨에도 불구하고, 서로 종속적으로 동작하는 문제점이 존재하였다.In such a configuration, the voltages of the ground ground of the first protection IC 100 and the ground voltage of the second protection IC 200 are measured differently from each other, so that, although each protection IC must operate independently, they operate independently of each other. There was a problem.

2. 본 발명의 보호 회로2. The protection circuit of the present invention

따라서, 본 발명에서는 상기 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200)가 종속적으로 동작하는 문제점을 해결하기 위한 보호 회로를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a protection circuit for solving the problem that the first protection IC 100 and the second protection IC 200 are dependently operated.

도 2는 본 발명의 보호 회로의 구성도이다.2 is a block diagram of a protection circuit of the present invention.

본 발명의 보호 회로는, 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제1 보호 IC(100), 배터리 과충전 및 과방전을 방지하기 위한 제2 보호 IC(200) 및 하나의 전류 센싱 저항(11)을 포함하여 구성될 수 있다.The protection circuit of the present invention includes a first protection IC 100 for preventing overcharging and overdischarging of the battery, a second protection IC 200 for preventing overcharging and overdischarging of the battery, and one current sensing resistor 11. may be included.

보다 구체적으로, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 하나의 전류 센싱 저항(11)(CSR) 및 하나의 접지를 공용으로 사용할 수 있다.More specifically, the first protection IC 100 and the second protection IC 200 may use one current sensing resistor 11 (CSR) and one ground in common.

즉, 상기 제1 보호 IC(100) 및 상기 제2 보호 IC(200) 각각은, 과전류가 유입되는 것을 정밀하게 감지하기 위한 과전류 감지 단자(Rsens)(101,201) 및 접지 단자(Vss), 배터리 충전 또는 방전시 전류의 유입상태를 감지하는 감시단자(V-)를 포함하여 구성되며, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200) 각각의 과전류 감지 단자(Rsens)(101,202)는 공용으로 사용되는 상기 하나의 전류 센싱 저항(CSR)(11)의 일단과 연결되고, 상기 전류 센싱 저항(11)의 타단은 상기 하나의 공통 접지에 연결되며, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200) 각각의 접지 단자는 공용으로 사용되는 상기 하나의 공통 접지에 연결되고, 상기 제1 보호 IC의 감지단자는 제1 과충전 FET(102)에 연결되고, 상기 제2 보호 IC의 감지단자는, 상기 제2 과충전 FET(202)에 연결될 수 있다.That is, each of the first protection IC 100 and the second protection IC 200 includes an overcurrent sensing terminal (Rsens) 101 and 201 and a ground terminal (Vss) for precisely detecting an inflow of an overcurrent, and a battery charging or a monitoring terminal (V-) for detecting an inflow state of current during discharging, the overcurrent sensing terminals (Rsens) 101 and 202 of the first protection IC 100 and the second protection IC 200, respectively One end of the one common current sensing resistor (CSR) 11 is connected, and the other end of the current sensing resistor 11 is connected to the one common ground, the first protection IC 100 and A ground terminal of each of the second protection ICs 200 is connected to the one common ground used in common, a sensing terminal of the first protection IC is connected to a first overcharge FET 102, and the second protection IC The sensing terminal of may be connected to the second overcharge FET 202 .

이와 같이 하나의 전류 센싱 저항(11) 및 하나의 접지를 공용으로 사용하게 되면, 제1 보호 IC(100)와 제2 보호IC(200)의 그라운드 전위 차이가 발생하지 않아, 서로 독립적으로 동작 할 수 있다.In this way, when one current sensing resistor 11 and one ground are used in common, the ground potential difference between the first protection IC 100 and the second protection IC 200 does not occur, so that they can operate independently of each other. can

한편 이와 같이 하나의 전류 센싱 저항(11) 및 하나의 접지를 공용으로 사용하는 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 추가적으로, 회로의 부품 수가 감소되어 단가가 하락하고, 실장 공간이 넓어지며, 발열 소자인 전류 센싱 저항의 수를 감소 시킴으로써, 발열 또한 감소 될 수 있다.On the other hand, the first protection IC 100 and the second protection IC 200 that use one current sensing resistor 11 and one ground in common in this way are additionally reduced in the number of circuit components, thereby lowering the unit price, By increasing the mounting space and reducing the number of current sensing resistors that are heat generating elements, heat generation can also be reduced.

한편, 상기 제1 보호 IC(100)는 제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)을 추가로 포함하여 구성될 수 있으며, 제2 보호 IC(200)는, 제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)을 추가로 더 포함하여 구성될 수 있다. 한편, 상기 제1 과충전 제어 단자는 과충전을 방지하는 제1 과충전 FET(103)에 연결되고, 상기 제2 과충전 제어 단자는 상기 제2 과충전 FET(203)에 연결될 수 있다. Meanwhile, the first protection IC 100 may be configured to further include a first overcharge control terminal Cout and a first overdischarge control terminal Dout, and the second protection IC 200 may include a second It may be configured to further include an overcharge control terminal Cout and a second overdischarge control terminal Dout. Meanwhile, the first overcharge control terminal may be connected to a first overcharge FET 103 for preventing overcharge, and the second overcharge control terminal may be connected to the second overcharge FET 203 .

한편, 상기 제1 과방전 제어 단자는 제1 과방전 FET(101)에 연결되고, 상기 제2 과정전 제어 단자는 제2 과방전 FET(102)에 연결될 수 있다. Meanwhile, the first overdischarge control terminal may be connected to the first overdischarge FET 101 , and the second preprocess control terminal may be connected to the second overdischarge FET 102 .

그리고, 상기 보호 IC에서 과충전 또는 과방전이 감지되는 경우에, 해당 FET를 제어하여, 과충전 및 과방전을 방지 할 수 있다.In addition, when overcharge or overdischarge is detected in the protection IC, overcharge and overdischarge can be prevented by controlling the corresponding FET.

보다 구체적으로, 상기 제1 보호 IC(100)의 제1 과충전 FET(103)는 상기 제1 보호 IC(100)의 과충전 제어 단자(Cout)에 연결되고, 제1 보호 IC(100)의 과방전 FET(102)는 상기 제1 보호 IC(100)의 과방전 제어 단자(Dout)에 연결될 수 있다.More specifically, the first overcharge FET 103 of the first protection IC 100 is connected to the overcharge control terminal Cout of the first protection IC 100 , and overdischarges the first protection IC 100 . The FET 102 may be connected to the overdischarge control terminal Dout of the first protection IC 100 .

한편, 상기 제2 보호 IC(200)의 과충전 FET(203)는 상기 제2 보호 IC(200)의 과충전 제어 단자(Cout)에 연결되고, 상기 제2 보호 IC(200)의 과방전 FET(202)는 상기 제2 보호 IC(200)의 과방전 제어 단자(Dout)에 연결될 수 있다.Meanwhile, the overcharge FET 203 of the second protection IC 200 is connected to the overcharge control terminal Cout of the second protection IC 200 , and the overdischarge FET 202 of the second protection IC 200 . ) may be connected to the overdischarge control terminal Dout of the second protection IC 200 .

이와 같이 연결된 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 상기 제1 과충전 FET 및 상기 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어단자 및 제2 과충전 제어단자(Cout)에서 출력하고, 상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)로 출력함으로써, 상기 제1 과충전 FET(103) 및 제2 과충전 FET(203)를 제어하여 과충전을 방지할 수 있다.The first protection IC 100 and the second protection IC 200 connected in this way turn off the first overcharge FET and the second overcharge FET when overcharge is detected at the overcurrent sensing terminal Rsens. output a control signal to the first overcharge control terminal and the second overcharge control terminal Cout, and when overdischarge is detected at the overcurrent sensing terminal Rsens, the first overdischarge FET and the second overdischarge FET are turned off (OFF) by outputting a control signal to the first overdischarge control terminal and the second overdischarge control terminal (Dout) to control the first overcharge FET 103 and the second overcharge FET 203 to prevent overcharge can do.

또한, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)는 상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 상기 제1 충전 FET 및 상기 제2 충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어 단자 및 제2 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력하고, 상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어단자 및 제2 과방전 제어단자(Dout)로 출력함으로써, 상기 제1 과충전 FET(103) 및 제2 과충전 FET를 제어하여 배터리의 과방전을 방지 할 수 있다.In addition, when overcharge is detected at the monitoring terminal, the first protection IC 100 and the second protection IC 200 transmit a control signal for turning off the first charging FET and the second charging FET. Outputs from the first overcharge control terminal and the second overcharge control terminal Cout, and when overdischarge is detected at the monitoring terminal, a control signal for turning off the first overdischarge FET and the second overdischarge FET is provided to the first By outputting the output to the overdischarge control terminal and the second overdischarge control terminal Dout, the first overcharge FET 103 and the second overcharge FET can be controlled to prevent overdischarge of the battery.

한편, 상기 제1 보호 IC(100) 및 제2 보호 IC(200)에 연결되어 있는 4개의 제1 과충전 FET, 제2 과충전 FET(103,203) 및 제1 과방전 FET, 제2 과방전 FET(102,202)는 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항(11)의 일단에 연결될 수 있다.Meanwhile, four first overcharge FETs, second overcharge FETs 103 and 203 , and first overdischarge FETs and second overdischarge FETs 102 and 202 connected to the first protection IC 100 and the second protection IC 200 . ) may be connected in series and connected to one end of the current sensing resistor 11 .

한편, 본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.On the other hand, although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for description and not for limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention.

100 : 제1 보호IC
101 : 과전류 감지 단자
102 : 과방전 FET
103 : 과충전 FET
200 : 제2 보호 IC
201 : 과전류 감지 단자
202 : 과방전 FET
203 : 과충전 FET
11 : 전류 센싱 저항100: first protection IC
101: overcurrent detection terminal
102: over-discharge FET
103: Overcharge FET
200: second protection IC
201: overcurrent detection terminal
202: over-discharge FET
203: Overcharge FET
11: current sensing resistor

Claims (8)

배터리;
상기 배터리와 외부 전원 연결단자 사이에 구성되어, 배터리로부터 유입되는 과전류 및 배터리 충/방전 전류의 유입상태를 기반으로 배터리의 충방전 경로를 연결/차단하는 제1 보호회로;
상기 제1 보호회로와 외부 전원 연결단자 사이에 상기 제1 보호회로와 병렬로 연결되는 제2 보호회로;
일단이 상기 배터리의 음극에 연결되어 상기 배터리의 충방전 경로상에 형성되는 입력 전류센싱 저항;
을 포함하여 구성되며,
상기 제1 보호회로는,
제1과충전 제어단자 및 제1 과방전 제어단자, 제1과전류 감지단자, 배터리 충/방전 전류의 유입상태를 감시하는 제1감시단자를 포함하여 구성되는 제1 보호 IC;
상기 제1 보호IC의 제어를 받아 배터리의 충/방전경로를 연결/차단하는 제1 충전 FET 및 제1 방전 FET;
를 포함하고,
상기 제2 보호회로는,
제2과충전 제어단자 및 제2 과방전 제어단자, 제2과전류 감지단자, 배터리 충/방전 전류의 유입상태를 감시하는 제2감시단자를 포함하여 구성되는 제2 보호 IC;
상기 제2 보호IC의 제어를 받아 배터리의 충/방전경로를 연결/차단하는 제2 충전 FET 및 제2 방전 FET;
를 포함하며,
상기 제1충전 FET 및 제1 방전 FET, 상기 제2 충전 FET 및 제2 방전 FET는,
상기 전류센싱저항의 타단과 상기 외부 전원 연결단자의 사이에 순차적으로 연결되어 충/방전 전류경로를 형성하며,
상기 제1 과전류 감지단자 및 제2 과전류 감지단자는,
상기 입력 전류센싱저항의 타단과 상기 제1충전 FET 및 제1 방전 FET의 연결부위 사이에 연결되어 배터리 충/방전 경로상에 형성되는 입력전류를 감지하고,
상기 제1 감시단자는,
상기 상기 제1충전 FET 및 제1 방전 FET 와 상기 제2 충전 FET 및 제2 방전 FET의 사이에 연결되어 배터리의 충/방전 전류를 감시하며,
상기 제2 감시단자는,
상기 제2 충전 FET 및 제2 방전 FET와 상기 외부 전원 연결단자 사이에 연결되어, 배터리의 충/방전 전류를 감시하는 것;
을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
battery;
a first protection circuit configured between the battery and the external power connection terminal to connect/disconnect the charging/discharging path of the battery based on the inflow state of the overcurrent flowing from the battery and the battery charging/discharging current;
a second protection circuit connected in parallel with the first protection circuit between the first protection circuit and an external power connection terminal;
an input current sensing resistor having one end connected to the negative electrode of the battery and formed on a charging/discharging path of the battery;
It consists of
The first protection circuit,
a first protection IC comprising a first overcharge control terminal, a first overdischarge control terminal, a first overcurrent detection terminal, and a first monitoring terminal for monitoring an inflow state of a battery charge/discharge current;
a first charge FET and a first discharge FET for connecting/blocking a charge/discharge path of a battery under the control of the first protection IC;
including,
The second protection circuit,
a second protection IC configured to include a second overcharge control terminal, a second overdischarge control terminal, a second overcurrent detection terminal, and a second monitoring terminal for monitoring an inflow state of a battery charge/discharge current;
a second charging FET and a second discharging FET for connecting/blocking a charging/discharging path of a battery under the control of the second protection IC;
includes,
The first charging FET and the first discharging FET, the second charging FET and the second discharging FET,
It is sequentially connected between the other end of the current sensing resistor and the external power connection terminal to form a charge/discharge current path,
The first overcurrent detection terminal and the second overcurrent detection terminal are
It is connected between the other end of the input current sensing resistor and the connection portion of the first charging FET and the first discharging FET to sense the input current formed on the battery charge/discharge path,
The first monitoring terminal,
It is connected between the first charging FET and the first discharging FET and the second charging FET and the second discharging FET to monitor the charge/discharge current of the battery,
The second monitoring terminal,
being connected between the second charging FET and the second discharging FET and the external power connection terminal to monitor the charging/discharging current of the battery;
Battery protection circuit, characterized in that.
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 보호 IC는
제1 과충전 제어 단자(Cout) 및 제1 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고,
상기 제2 보호 IC는
제2 과충전 제어 단자(Cout) 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)를 더 포함하여 구성되고,
상기 제1 과충전 제어 단자(Cout)는, 제1 과충전 FET에 연결되며,
상기 제2 과충전 제어 단자(Cout)는, 제2 과충전 FET에 연결되고,
상기 제1 과방전 제어 단자(Dout)는, 제1 과방전 FET에 연결되며,
상기 제2 과방전 제어 단자(Dout)는, 제2 과방전 FET에 연결되고,
상기 4개의 과충전 FET 및 과방전 FET는, 서로 직렬로 연결되어, 상기 전류 센싱 저항의 타단에 연결되는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
The method according to claim 1,
The first protection IC is
It is configured to further include a first overcharge control terminal (Cout) and a first overdischarge control terminal (Dout),
The second protection IC is
It is configured to further include a second overcharge control terminal (Cout) and a second overdischarge control terminal (Dout),
The first overcharge control terminal Cout is connected to a first overcharge FET,
The second overcharge control terminal Cout is connected to a second overcharge FET,
The first overdischarge control terminal Dout is connected to the first overdischarge FET,
The second overdischarge control terminal Dout is connected to a second overdischarge FET,
The four overcharge FETs and the overdischarge FETs are connected in series with each other and are connected to the other end of the current sensing resistor.
 삭제delete 청구항 3에 있어서,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과충전이 검출되면, 상기 제1 과충전 FET 및 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어단자(Cout) 및 제2 과충전 제어단자에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호 회로.
4. The method according to claim 3,
The first protection IC and the second protection IC,
When overcharge is detected at the overcurrent detection terminal Rsens, a control signal for turning off the first overcharge FET and the second overcharge FET is output from the first overcharge control terminal Cout and the second overcharge control terminal Battery protection circuit, characterized in that.
 청구항 3에 있어서,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 과전류 감지 단자(Rsens)에서 과방전이 검출되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어단자(Dout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.
4. The method according to claim 3,
The first protection IC and the second protection IC,
When overdischarge is detected at the overcurrent sensing terminal Rsens, a control signal for turning off the first overdischarge FET and the second overdischarge FET is applied to the first overdischarge control terminal and the second overdischarge control terminal Dout ) battery protection circuit, characterized in that output from.
 청구항 3에 있어서,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 감시단자에서 과충전이 감지되면, 상기 제1 과충전 FET 및 제2 과충전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과충전 제어 단자 및 제2 과충전 제어 단자(Cout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.
4. The method according to claim 3,
The first protection IC and the second protection IC,
When overcharge is detected at the monitoring terminal, a control signal for turning off the first overcharge FET and the second overcharge FET is output from the first overcharge control terminal and the second overcharge control terminal (Cout) battery protection circuit.
 청구항 3에 있어서,
상기 제1 보호 IC 및 제2 보호 IC는,
상기 감시단자에서 과방전이 감지되면, 상기 제1 과방전 FET 및 제2 과방전 FET를 오프(OFF) 시키는 제어신호를 상기 제1 과방전 제어 단자 및 제2 과방전 제어 단자(Dout)에서 출력하는 것을 특징으로 하는 배터리 보호회로.

4. The method according to claim 3,
The first protection IC and the second protection IC,
When overdischarge is detected at the monitoring terminal, a control signal for turning off the first overdischarge FET and the second overdischarge FET is output from the first overdischarge control terminal and the second overdischarge control terminal Dout Battery protection circuit, characterized in that.
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