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KR102294505B1 - A substrate processing apparatus - Google Patents

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KR102294505B1
KR102294505B1 KR1020200000106A KR20200000106A KR102294505B1 KR 102294505 B1 KR102294505 B1 KR 102294505B1 KR 1020200000106 A KR1020200000106 A KR 1020200000106A KR 20200000106 A KR20200000106 A KR 20200000106A KR 102294505 B1 KR102294505 B1 KR 102294505B1
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KR
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substrate
base
disposed
hole
unit
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KR1020200000106A
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정현영
이진석
김태훈
Original Assignee
(주) 예스티
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Publication date
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Abstract

일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고 상기 기판을 진공으로 흡입하여 고정시킬 수 있는 베이스, 상기 베이스의 하면부터 상면까지 관통되는 형상으로 형성된 적어도 하나의 홀, 상기 베이스 상에 배치된 상기 기판의 정렬 상태를 상기 홀을 통하여 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서부, 상기 홀을 향해 조명할 수 있는 적어도 하나의 조명부 및 상기 센서부에 의하여 감지된 상기 기판의 정렬 상태를 기반으로 상기 기판 상에 형성된 패턴의 부분이 상기 홀이 형성된 부분에 대응되게 배치되도록 상기 기판을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a base capable of supporting a substrate and sucking and fixing the substrate in a vacuum, at least one hole formed in a shape penetrating from a lower surface to an upper surface of the base, and disposed on the base At least one sensor unit capable of detecting the alignment state of the substrate through the hole, at least one illumination unit capable of illuminating the hole, and the substrate based on the alignment state of the substrate sensed by the sensor unit It may include a control unit for controlling the substrate so that the portion of the pattern formed thereon is disposed to correspond to the portion in which the hole is formed.

Description

기판 처리 장치 {A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS} Substrate processing equipment {A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

아래의 실시예들은 기판 처리 장치에 관한 것이다. The following embodiments relate to a substrate processing apparatus.

다이싱(Dicing) 및 그루빙(grooving)은 반도체 산업에서 잘 알려진 공정들이고, 예를 들어, 실리콘을 포함할 수 있지만 이에 국한되지 않는 반도체 웨이퍼와 같은 공작물(workpiece) 또는 기판을 가공하기 위해 절단 기계가 사용된다. 본 명세서 전반에 걸쳐, "기판(substrate)"이라는 용어는 모든 이러한 제품들을 포함하는 데 사용된다. Dicing and grooving are well known processes in the semiconductor industry, for example, a cutting machine to machine a workpiece or substrate, such as a semiconductor wafer, which may include, but is not limited to, silicon. is used Throughout this specification, the term “substrate” is used to encompass all such articles.

예를 들어, 원형 톱을 사용하는 기계식 절단 기계들이 통상적으로 이를 위해 사용되었지만, 더욱 최근에 레이저 절단 기계들이 광범위하게 되어, 기계들이 하나 이상의 레이저 빔들(예를 들어, 레이저 빔들의 어레이)을 생성하고 기판 위쪽을 향하게 한다.For example, mechanical cutting machines using a circular saw have typically been used for this, but more recently laser cutting machines have become widespread, where the machines produce one or more laser beams (eg, an array of laser beams) and The board faces upwards.

레이저 다이싱(예를 들어, 레이저 싱귤레이션(laser singulation), 절단(severing), 절삭(cleaving)이라고도 함)에서, 하나 이상의 레이저 빔들이 기판을 개별적인 다이들로 단일화하기 위해 기판을 완전히 절단하는 데 사용된다. 레이저 그루빙(예를 들어, 레이저 스크라이빙(laser scribing), 스코링(scoring), 가우징(gouging) 또는 항적(furrowing))에서, 하나 이상의 레이저 빔들은 채널을 절단하거나 기판으로 그루빙(groove)하는 데 사용된다. 예를 들어, 레이저-절단 채널들을 따라 물리적인 톱을 사용함으로써 완전한 싱귤레이션과 같은 다른 공정들이 이어서 적용될 수 있다. 본 명세서 전반에 걸쳐, "레이저 절단"이라는 용어는 레이저 다이싱 및 레이저 그루빙 양자 모두를 포함하도록 사용될 것이다.In laser dicing (also referred to as laser singulation, severing, cleaving), one or more laser beams are used to completely cut a substrate to unify the substrate into individual dies. used In laser grooving (eg, laser scribing, scoring, gouging, or furrowing), one or more laser beams cut a channel or grooving into a substrate ( used to groove). Other processes may then be applied, such as, for example, complete singulation by using a physical saw along the laser-cut channels. Throughout this specification, the term “laser cutting” will be used to encompass both laser dicing and laser grooving.

한국등록특허 제10-0789542호 (공개일 2007년 12월 20일)에는 기판 인쇄용 테이블 유지장치에 관하여 개시되어 있다.Korean Patent Registration No. 10-0789542 (published on December 20, 2007) discloses a table holding device for substrate printing.

일 실시예에 따른 목적은 기판의 후면에 대하여 패턴을 가공하기 위해 기판을 정밀하게 정렬시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object according to an embodiment is to provide a substrate processing apparatus capable of precisely aligning a substrate in order to process a pattern with respect to the rear surface of the substrate.

일 실시예에 따른 목적은 기판에 대한 다이싱 종료 시점을 정확하게 판단할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY According to an exemplary embodiment, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of accurately determining an end point of dicing for a substrate.

일 실시예에 따른 목적은 공정 중에 파티클 발생을 최소화하고, 절단 영역에서의 불량 또는 오염 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY According to an exemplary embodiment, it is an object to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing generation of particles during a process and preventing occurrence of defects or contamination in a cutting area.

일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하고 상기 기판을 진공으로 흡입하여 고정시킬 수 있는 베이스, 상기 베이스의 하면부터 상면까지 관통되는 형상으로 형성된 적어도 하나의 홀, 상기 베이스 상에 배치된 상기 기판의 정렬 상태를 상기 홀을 통하여 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서부, 상기 홀을 향해 조명할 수 있는 적어도 하나의 조명부 및 상기 센서부에 의하여 감지된 상기 기판의 정렬 상태를 기반으로 상기 기판 상에 형성된 패턴의 부분이 상기 홀이 형성된 부분에 대응되게 배치되도록 상기 기판을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a base capable of supporting a substrate and sucking and fixing the substrate in a vacuum, at least one hole formed in a shape penetrating from a lower surface to an upper surface of the base, and disposed on the base At least one sensor unit capable of detecting the alignment state of the substrate through the hole, at least one illumination unit capable of illuminating the hole, and the substrate based on the alignment state of the substrate sensed by the sensor unit It may include a control unit for controlling the substrate so that the portion of the pattern formed thereon is disposed to correspond to the portion in which the hole is formed.

복수 개의 홀은 기 설정된 배치에 따라 상기 베이스 상에 형성되고, 상기 제어부는 2개 이상의 홀에 대응되는 부분에 상기 기판 상에 형성된 패턴의 부분이 배치되도록 상기 기판의 정렬을 제어할 수 있다. The plurality of holes may be formed on the base according to a preset arrangement, and the controller may control the alignment of the substrate so that portions of the pattern formed on the substrate are arranged in portions corresponding to the two or more holes.

또한, 상기 제어부는 상기 기판의 일 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제1 홀의 위치와 상기 기판의 타 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제2 홀의 위치가 형성하는 기울기가 기 설정된 기울기 값이 되도록 상기 기판의 정렬을 제어할 수 있다. In addition, the control unit has a preset slope value formed by the position of the first hole at which the point of the pattern formed on one side of the substrate is sensed and the position of the second hole at which the point of the pattern formed on the other side of the substrate is detected. It is possible to control the alignment of the substrate as much as possible.

아울러, 상기 제어부는, 상기 베이스에 대하여 상기 기판을 이동시키거나 회전시킬 수 있다. In addition, the control unit may move or rotate the substrate with respect to the base.

이 때, 상기 센서부 및 상기 조명부는 상기 홀이 형성된 상기 베이스의 하측에 배치되고, 상기 조명부는 LED 광원으로 형성되어 상기 홀을 향해 광을 조사할 수 있으며, 상기 센서부는 비젼 센서로 형성되어 상기 홀이 형성된 부분에 배치된 기판의 부분이 패턴이 형성된 부분인지 또는 칩이 형성된 부분인지 감지할 수 있다.At this time, the sensor unit and the illumination unit are disposed below the base in which the hole is formed, the illumination unit may be formed as an LED light source to irradiate light toward the hole, and the sensor unit may be formed as a vision sensor and the Whether the portion of the substrate disposed in the hole-formed portion is a pattern-formed portion or a chip-formed portion may be detected.

상기 기판 처리 장치는, 칩 및 패턴이 형성된 기판의 상면이 상기 베이스의 상측을 향하도록 상기 기판을 뒤집어 상기 베이스 상에 배치시킬 수 있는 구동부 및 상기 베이스 상에 배치된 상기 기판의 하면을 향해 레이저 또는 플라즈마를 조사할 수 있는 조사부를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may include a driving unit capable of inverting the substrate so that the upper surface of the substrate on which the chip and the pattern are formed faces the upper side of the base and placing the substrate on the base, and a laser or It may further include an irradiator capable of irradiating plasma.

이 때, 상기 조사부는 상기 제어부에 의하여 상기 기판의 정렬이 기 설정된 위치로 정렬된 경우 상기 기판의 하면을 향해 레이저 또는 플라즈마를 조사하여 상기 기판을 다이싱할 수 있다.In this case, when the alignment of the substrate is aligned to a preset position by the controller, the irradiator may dicing the substrate by irradiating a laser or plasma toward the lower surface of the substrate.

아울러, 상기 조사부는, 상기 기판에 형성된 패턴의 형상과 대응되게 기 입력된 패턴의 형상에 따라 상기 기판의 하면을 향해 레이저를 조사하여 상기 기판을 분할하고, 상기 분할 후 플라즈마를 상기 기판의 하면을 향해 조사함으로써 상기 레이저에 의한 가공에 의하여 형성된 크랙 또는 파티클을 제거할 수 있다.In addition, the irradiator divides the substrate by irradiating a laser toward the lower surface of the substrate according to the shape of the previously input pattern corresponding to the shape of the pattern formed on the substrate, and applies plasma to the lower surface of the substrate after the division By irradiating toward the surface, it is possible to remove cracks or particles formed by the laser processing.

뿐만 아니라, 상기 기판 처리 장치는, 어느 하나의 홀의 하측에 배치되어 상기 기판에 대한 다이싱 공정이 완료되었음을 판단하는 판단부 및 상기 어느 하나의 홀의 내측에 배치되어 상기 판단부를 상기 레이저 또는 상기 플라즈마로부터 보호하는 보호부를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus includes a determination unit disposed below any one of the holes to determine that the dicing process for the substrate is complete, and a determination unit disposed inside the any one of the holes to determine the determination unit from the laser or the plasma. It may further include a protection unit to protect.

또한, 상기 기판 처리 장치는, 상기 베이스의 테두리 측에 배치되어 상기 베이스 상에 배치된 상기 기판 또는 상기 기판에 부착된 프레임이 상기 베이스의 외측으로 이탈하는 것을 방지하는 가이드부를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may further include a guide part disposed on the edge of the base to prevent the substrate disposed on the base or the frame attached to the substrate from departing to the outside of the base.

일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 후면에 대하여 패턴을 가공하기 위해 기판을 정밀하게 정렬시킬 수 있다.The substrate processing apparatus according to an embodiment may precisely align the substrate in order to process the pattern with respect to the back surface of the substrate.

일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 대한 다이싱 종료 시점을 정확하게 판단할 수 있다.The substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment may accurately determine a dicing end time for the substrate.

일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 중에 파티클 발생을 최소화하고, 절단 영역에서의 불량 또는 오염 발생을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment may minimize generation of particles during a process and may prevent defects or contamination in a cutting area.

도1 및 도2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 워킹 테이블을 나타낸다.
도3은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 측면도를 나타낸다.
도4는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 얼라인 공정을 나타낸다.
도5는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해서 기판이 처리되기 전의 상태를 나타낸다.
도6 및 도7은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해서 기판이 처리된 후의 상태를 나타낸다.1 and 2 illustrate a working table of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
3 is a side view of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
4 illustrates an alignment process of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
5 illustrates a state before a substrate is processed by the substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.
6 and 7 illustrate a state after a substrate is processed by the substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.

이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명은 실시예들의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 실시예에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following description is one of several aspects of the embodiments, and the following description forms part of the detailed description of the embodiments.

다만, 일 실시예를 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.However, in describing an embodiment, a detailed description of a well-known function or configuration will be omitted in order to clarify the gist of the present invention.

또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.In addition, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional or dictionary meaning, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that there is, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Accordingly, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the substrate processing apparatus according to the embodiment, and do not represent all the technical ideas of the substrate processing apparatus according to the embodiment. Therefore, it should be understood that there may be various equivalents and modifications that can be substituted for them at the time of filing the present application.

도1 및 도2는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 워킹 테이블을 나타내며, 도3은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 측면도를 나타낸다. 도4는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 얼라인 공정을 나타내고, 도5는 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해서 기판이 처리되기 전의 상태를 나타내며, 도6 및 도7은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 의해서 기판이 처리된 후의 상태를 나타낸다.1 and 2 illustrate a working table of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment, and FIG. 3 is a side view of the substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment. 4 shows an alignment process of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 5 shows a state before a substrate is processed by the substrate processing apparatus according to an embodiment, and FIGS. 6 and 7 are diagrams according to an embodiment It shows the state after the board|substrate is processed by the substrate processing apparatus which follows.

도1 내지 도3을 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)을 지지하고 기판을 진공으로 흡입하여 고정시킬 수 있는 베이스(100), 베이스의 하면부터 상면까지 관통되는 형상으로 형성된 적어도 하나의 홀(200), 베이스 상에 배치된 기판의 정렬 상태를 홀을 통하여 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서부(300), 홀을 향해 조명할 수 있는 적어도 하나의 조명부(400) 및 센서부에 의하여 감지된 기판의 정렬 상태를 기반으로 기판 상에 형성된 패턴의 부분(P)이 홀(200)이 형성된 부분에 대응되게 배치되도록 기판을 제어하는 제어부(미도시)를 포함할 수 있다. 1 to 3 , the substrate processing apparatus according to an embodiment includes a base 100 capable of supporting a substrate W and sucking and fixing the substrate in a vacuum, and a shape penetrating from the lower surface to the upper surface of the base. at least one hole 200 formed of and a control unit (not shown) for controlling the substrate so that the portion P of the pattern formed on the substrate is disposed to correspond to the portion in which the hole 200 is formed based on the alignment state of the substrate sensed by the sensor unit. have.

이 때, 상기 베이스(100)는 기판(W)을 고정하기 위한 진공 척(vacuum chuck)으로 형성될 수 있으며 다공성 세라믹 재질로 형성되거나 매쉬형 금속 플레이트로 형성될 수 있다. 다만, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 당업계에서 통상의 지식을 가진 자의 입장에서 선택할 수 있는 다른 물질로 형성될 수 있음은 자명하다. In this case, the base 100 may be formed as a vacuum chuck for fixing the substrate W, and may be formed of a porous ceramic material or a mesh-type metal plate. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and it is obvious that it may be formed of other materials that can be selected from the standpoint of a person skilled in the art.

아울러, 상기 기판 처리 장치는 베이스의 테두리 측에 배치되어 베이스 상에 배치된 기판 또는 상기 기판에 부착된 프레임이 베이스의 외측으로 이탈하는 것을 방지하는 가이드부(800)를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may further include a guide part 800 disposed on the edge of the base to prevent a substrate disposed on the base or a frame attached to the substrate from being separated to the outside of the base.

이와 같은 가이드부(800)는 기판의 두께가 얇은 경우 기판이 쉽게 베이스의 외측으로 이탈될 수 있음을 고려한 것이다. 또한, 기판이 씬 웨이퍼인 경우 상기 기판이 링 프레임에 부착된 상태에서 베이스 상에 배치되는 점을 고려하여 상기 가이드부는 기판에 부착된 프레임이 베이스의 외측으로 이탈되는 것을 방지할 수도 있다.Such a guide part 800 is taken into consideration that when the thickness of the substrate is thin, the substrate can be easily separated to the outside of the base. In addition, when the substrate is a thin wafer, the guide unit may prevent the frame attached to the substrate from being separated to the outside of the base in consideration of the fact that the substrate is disposed on the base in a state in which the substrate is attached to the ring frame.

이 때, 복수 개의 홀은 기 설정된 배치에 따라 베이스 상에 형성되고, 제어부는 2개 이상의 홀(200)에 대응되는 부분에 기판 상에 형성된 패턴의 부분(P)이 배치되도록 기판의 정렬을 제어할 수 있다. At this time, the plurality of holes are formed on the base according to a preset arrangement, and the control unit controls the alignment of the substrate so that the portion P of the pattern formed on the substrate is disposed in the portion corresponding to the two or more holes 200 . can do.

또한, 제어부는 기판의 일 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제1 홀의 위치와 기판의 타 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제2 홀의 위치 사이의 기울기가 기 설정된 기울기 값이 되도록 기판의 정렬을 제어할 수 있다. In addition, the control unit aligns the substrate so that the slope between the position of the first hole at which the point of the pattern formed on one side of the substrate is sensed and the position of the second hole at which the point of the pattern formed on the other side of the substrate is sensed becomes a preset slope value. can be controlled.

즉, 홀(200)이 형성된 부분 상에 기판의 칩의 부분(C)이 아닌 패턴의 부분(P)이 배치되도록 기판의 정렬 상태를 제어함으로써, 기판을 기 설정된 위치로 정렬시킬 수 있으며, 그에 따라, 기판의 하면에 대한 가공의 정밀도를 향상시킬 수 있다. That is, by controlling the alignment state of the substrate so that the part P of the pattern, not the part C of the chip, is disposed on the part where the hole 200 is formed, the substrate can be aligned to a preset position, Accordingly, it is possible to improve the precision of processing on the lower surface of the substrate.

이와 같은, 기판의 정렬 과정에서, 제어부는, 상기 베이스에 대하여 기판을 이동시키거나 회전시킬 수 있다. In such a process of aligning the substrate, the controller may move or rotate the substrate with respect to the base.

기판의 정렬은 상기 제어부에 의하여 자동적으로 수행될 수 있다. 즉, 제어부는 기 입력된 기판의 패턴의 위치에 대한 정보 및 베이스 상에 형성된 홀의 배치에 대한 정보에 기초하여, 홀이 형성된 부분 상에 기판의 패턴의 부분(P)이 배치되도록 기판을 기 설정된 위치로 자동적으로 정렬시킬 수 있다.The alignment of the substrate may be performed automatically by the control unit. That is, the control unit presets the substrate so that the portion P of the pattern of the substrate is disposed on the portion in which the hole is formed, based on the previously input information on the position of the pattern of the substrate and the information on the arrangement of the hole formed on the base. It can be automatically sorted by position.

구체적으로, 도4의 (a)와 같이 홀 상에 형성된 X축에 대한 가상의 가이드 라인(점선)을 따라 기판의 패턴의 부분(P)이 배치되도록 정렬될 수 있으며, 도4의 (b)와 같이 홀 상에 형성된 Y축에 대한 가상의 가이드 라인(점선)을 따라 기판의 패턴의 부분(P)이 배치되도록 정렬될 수 있다. 뿐만 아니라, 도4의 (c)와 같이 홀 상에 형성된 X축 및 Y축에 대한 가상의 가이드 라인(점선)을 따라 기판의 패턴의 부분(P)이 완전히 일치하여 배치도도록 정렬될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 4(a), the portion P of the pattern of the substrate may be arranged along an imaginary guide line (dotted line) with respect to the X-axis formed on the hole, as shown in FIG. 4(b) The portion P of the pattern of the substrate may be arranged along a virtual guide line (dotted line) with respect to the Y axis formed on the hole as shown in FIG. In addition, as shown in (c) of FIG. 4 , along virtual guide lines (dotted lines) for the X-axis and Y-axis formed on the hole, the portion P of the pattern of the substrate may be completely aligned and aligned.

이 때, 센서부(300) 및 조명부(400)는 복수 개로 구성될 수 있으며, 홀이 형성된 베이스의 하측에 배치될 수 있다. 조명부는 LED 광원으로 형성되어 홀을 향해 광을 조사할 수 있으며, 센서부는 비젼 센서(vision sensor)로 형성되어 홀이 형성된 부분에 배치된 기판의 부분이 패턴이 형성된 부분(P)인지 또는 칩이 형성된 부분(C)인지 감지할 수 있다. In this case, the sensor unit 300 and the lighting unit 400 may be configured in plurality, and may be disposed below the base in which the hole is formed. The lighting unit is formed as an LED light source to irradiate light toward the hole, and the sensor unit is formed as a vision sensor and the part of the substrate disposed in the hole-formed part is the pattern-formed part (P) or the chip is not. It can be detected whether the formed part (C).

또한, 상기 기판 처리 장치는 상측에 배치되어 기판에 형성된 노치를 감지할 수 있는 추가적인 센서부를 포함할 수 있다. 이 때, 일 예로서 기판의 가장자리부에 노치가 형성될 수 있다. 상기 센서부는 초기에 베이스 상에 놓여진 기판의 노치를 감지함으로써 기판의 초기 위치를 파악할 수 있으며, 제어부는 상기 기판에 형성된 노치가 기 설정된 위치에 배치될 수 있도록 기판을 회전시킬 수 있다. 그에 따라, 기판에 형성된 노치가 기 설정된 위치에 배치된 경우, 기판 자체가 베이스 상의 정 중앙에 위치하도록 제어될 수 있다.Also, the substrate processing apparatus may include an additional sensor unit disposed on the upper side to detect a notch formed in the substrate. In this case, as an example, a notch may be formed in an edge portion of the substrate. The sensor unit may detect an initial position of the substrate by detecting the notch of the substrate initially placed on the base, and the controller may rotate the substrate so that the notch formed on the substrate is disposed at a preset position. Accordingly, when the notch formed in the substrate is disposed at a preset position, the substrate itself may be controlled to be positioned at the exact center of the base.

뿐만 아니라, 기판 처리 장치는, 어느 하나의 홀의 하측에 배치되어 기판에 대한 다이싱 공정이 완료되었음을 판단하는 판단부(600) 및 상기 어느 하나의 홀의 내측에 배치되어 판단부를 후술할 레이저 또는 상기 플라즈마로부터 보호하는 보호부(700)를 더 포함할 수 있다In addition, the substrate processing apparatus includes a determination unit 600 disposed below any one of the holes to determine that the dicing process for the substrate is completed, and a laser or plasma which is disposed inside any one of the holes to determine the determination unit later. It may further include a protection unit 700 to protect from

상기 판단부(600)는 EPD(End point detector)로 구성될 수 있으며, 이와 같은 판단부는 레이저에 의하여 기판의 패턴이 형성된 부분에 대한 절단이 완료되어 상기 레이저가 상기 보호부(700)까지 도달하는 경우 이를 통하여 상기 레이저를 감지하여 다이싱 공정이 완료되었음을 판단할 수 있다.The determination unit 600 may be configured as an end point detector (EPD), and the determination unit is a laser that cuts the pattern-formed portion of the substrate so that the laser reaches the protection unit 700 . In this case, it can be determined that the dicing process is completed by detecting the laser.

이 때, 상기 보호부(700)는 클래스(glass)로 형성될 수 있으며, 일 예로서 석영(Quartz) 또는 사파이어(Sapphire)의 재질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 당업계에서 통상의 지식을 가진 자의 입장에서 선택할 수 있는 다른 물질로 형성될 수 있음은 자명하다.In this case, the protection part 700 may be formed of a class (glass), for example, may be formed of a material of quartz or sapphire. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and it is obvious that it may be formed of other materials that can be selected from the standpoint of a person skilled in the art.

또한, 기판 처리 장치는, 칩 및 패턴이 형성된 기판의 상면이 베이스의 상측을 향하도록 기판을 뒤집어 베이스 상에 배치시킬 수 있는 구동부(미도시) 및 베이스 상에 배치된 상기 기판의 하면을 향해 레이저(L) 또는 플라즈마(P)를 조사할 수 있는 조사부(500)를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus includes a driving unit (not shown) capable of inverting the substrate so that the upper surface of the substrate on which the chip and the pattern are formed faces the upper side of the base, and a laser toward the lower surface of the substrate disposed on the base. (L) or may further include an irradiator 500 capable of irradiating the plasma (P).

이 때, 조사부는 제어부에 의하여 기판의 정렬이 기 설정된 위치로 정렬된 경우 기판의 하면을 향해 레이저 또는 플라즈마를 조사하여 기판을 다이싱할 수 있다.In this case, the irradiation unit may dic the substrate by irradiating a laser or plasma toward the lower surface of the substrate when the alignment of the substrate is aligned to a preset position by the controller.

즉, 조사부는, 기판에 형성된 패턴의 형상과 대응되게 기 입력된 패턴의 형상에 따라 기판의 하면을 향해 레이저를 조사하여 기판을 분할하고, 분할 후 플라즈마를 기판의 하면을 향해 조사함으로써 레이저에 의한 가공에 의하여 형성된 크랙 또는 파티클을 제거할 수 있다.That is, the irradiation unit divides the substrate by irradiating a laser toward the lower surface of the substrate according to the shape of the previously input pattern corresponding to the shape of the pattern formed on the substrate, and then irradiating the plasma toward the lower surface of the substrate by laser Cracks or particles formed by processing can be removed.

구체적으로, 휠 그라인딩을 사용하여 얇게 형성된 기판(<100um)의 하면에 대하여 팸토초 레이저를 사용하여 분할의 가공을 수행할 수 있으며, 오버 에칭된 부분에 대하여 불활성가스를 사용하여 플라즈마 에칭 처리할 수 있다. Specifically, it is possible to perform segmentation processing using a femtosecond laser on the lower surface of a substrate (<100um) formed thinly using wheel grinding, and plasma etching treatment using an inert gas for the overetched portion. have.

이와 같은 플라즈마 에칭을 통하여 표면 및 레이저 가공면에 형성된 마이크로 크랙을 제거할 수 있으며, 게터링 레이어를 형성할 수 있으며, 부수적인 기판 컷팅 효과를 도출할 수 있다.Through such plasma etching, microcracks formed on the surface and laser processing surface can be removed, a gettering layer can be formed, and an incidental substrate cutting effect can be derived.

뿐만 아니라, 이와 같은 플라즈마 에칭을 통하여 레이저 공정에서 발생한 파티클을 제거할 수 있으며, 기판의 하면 가공에 의하여 생성된 Saw line을 최소화 시킬 수 있다. In addition, it is possible to remove particles generated in the laser process through the plasma etching, and it is possible to minimize the saw line generated by processing the lower surface of the substrate.

도5를 참조하면, 단순히 레이저를 조사하여 기판을 절단한 경우 절단된 절단 영역에 발생한 버(Burr)를 확인할 수 있다. Referring to FIG. 5 , when a substrate is cut by simply irradiating a laser, it can be confirmed that a burr is generated in the cut area.

반면, 도6를 참조하면 레이저 공정 후 플라즈마 에칭 처리를 진행함으로써 버가 일부 제거된 모습을 확인할 수 있다. 또한, 도7을 참조하면, 플라즈마 스터퍼링 조사 시간을 적절히 조정함으로써 버가 완전히 제거된 모습을 확인할 수 있다. On the other hand, referring to FIG. 6 , it can be seen that the burrs are partially removed by performing plasma etching after the laser process. In addition, referring to FIG. 7 , it can be seen that the burrs are completely removed by appropriately adjusting the plasma stuffing irradiation time.

이와 같이 플라즈마 에칭을 통하여 레이저 가공면에 형성된 버를 효과적을 제거할 수 있는 효과가 도출될 수 있음을 확인할 수 있다. As described above, it can be confirmed that the effect of effectively removing the burrs formed on the laser processing surface through the plasma etching can be derived.

상기에서 설명한 구성들을 포함하는 기판 처리 장치는 기판의 후면에 대하여 패턴을 가공하기 위해 기판을 정밀하게 정렬시킬 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 기판에 대한 다이싱 종료 시점을 정확하게 판단할 수 있으며, 공정 중에 파티클 발생을 최소화하고, 절단 영역에서의 불량 또는 오염 발생을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus including the components described above may precisely align the substrate to process the pattern with respect to the back surface of the substrate. In addition, the substrate processing apparatus can accurately determine the end point of dicing for the substrate, minimize the generation of particles during the process, and prevent the occurrence of defects or contamination in the cutting area.

이상과 같이 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 실시예가 설명되었으나 이는 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, the embodiment has been described with reference to specific matters such as specific components and limited embodiments and drawings, but these are provided to help the overall understanding. In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations are possible from these descriptions by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and not only the claims to be described later, but also all those with equivalent or equivalent modifications to the claims shall fall within the scope of the spirit of the present invention.

100 : 베이스
200 : 홀
300 : 센서부
400 : 조명부
500 : 조사부
600 : 판단부
700 : 보호부100: base
200: Hall
300: sensor unit
400: lighting unit
500: investigation department
600: judgment unit
700: protection

Claims (9)

기판을 지지할 수 있는 베이스;
상기 베이스의 하면부터 상면까지 관통되는 형상으로 형성된 적어도 하나의 홀;
상기 베이스 상에 배치된 상기 기판의 정렬 상태를 상기 홀을 통하여 감지할 수 있는 적어도 하나의 센서부;
상기 홀을 향해 조명할 수 있는 적어도 하나의 조명부;
상기 센서부에 의하여 감지된 상기 기판의 정렬 상태를 기반으로 상기 기판 상에 형성된 패턴의 부분이 상기 홀이 형성된 부분에 대응되게 배치되도록 상기 기판을 제어하는 제어부; 및
칩 및 패턴이 형성된 기판의 상면이 상기 베이스의 상측을 향하도록 상기 기판을 뒤집어 상기 베이스 상에 배치시킬 수 있는 구동부;
를 포함하고,
복수 개의 홀은 기 설정된 배치에 따라 상기 베이스 상에 형성되고,
상기 제어부는 2개 이상의 홀에 대응되는 부분에 상기 기판 상에 형성된 패턴의 부분이 배치되도록 상기 기판의 정렬을 제어하는,
기판 처리 장치.
a base capable of supporting the substrate;
at least one hole formed in a shape penetrating from the lower surface to the upper surface of the base;
at least one sensor unit capable of detecting an alignment state of the substrate disposed on the base through the hole;
at least one lighting unit capable of illuminating the hall;
a control unit controlling the substrate so that a portion of the pattern formed on the substrate is disposed to correspond to the portion in which the hole is formed based on the alignment state of the substrate sensed by the sensor unit; and
a driving unit capable of inverting the substrate so that the upper surface of the substrate on which the chip and the pattern are formed faces the upper side of the base to be disposed on the base;
including,
A plurality of holes are formed on the base according to a preset arrangement,
The control unit controls the alignment of the substrate so that a portion of the pattern formed on the substrate is disposed in a portion corresponding to two or more holes,
substrate processing equipment.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판의 일 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제1 홀의 위치와 상기 기판의 타 측에 형성된 패턴의 지점이 감지되는 제2 홀의 위치가 형성하는 기울기가 기 설정된 기울기 값이 되도록 상기 기판의 정렬을 제어하는,
기판 처리 장치.
According to claim 1,
The controller is configured such that the slope formed by the position of the first hole at which the point of the pattern formed on one side of the substrate is sensed and the position of the second hole at which the point of the pattern formed on the other side of the substrate is sensed becomes a preset slope value. to control the alignment of the substrate;
substrate processing equipment.
 제3항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 베이스에 대하여 상기 기판을 이동시키거나 회전시킬 수 있는,
기판 처리 장치.
4. The method of claim 3,
The control unit is
capable of moving or rotating the substrate relative to the base;
substrate processing equipment.
 제4항에 있어서,
상기 센서부 및 상기 조명부는 상기 홀이 형성된 상기 베이스의 하측에 배치되고,
상기 조명부는 LED 광원으로 형성되어 상기 홀을 향해 광을 조사할 수 있으며,
상기 센서부는 비젼 센서로 형성되어 상기 홀이 형성된 부분에 배치된 기판의 부분이 패턴이 형성된 부분인지 또는 칩이 형성된 부분인지 감지할 수 있는,
기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The sensor unit and the lighting unit are disposed below the base in which the hole is formed,
The lighting unit may be formed of an LED light source and irradiate light toward the hole,
The sensor unit is formed of a vision sensor to detect whether the portion of the substrate disposed in the hole-formed portion is a pattern-formed portion or a chip-formed portion,
substrate processing equipment.
 제5항에 있어서,
상기 베이스 상에 배치된 상기 기판의 하면을 향해 레이저 또는 플라즈마를 조사할 수 있는 조사부;
를 더 포함하고,
상기 조사부는 상기 제어부에 의하여 상기 기판의 정렬이 기 설정된 위치로 정렬된 경우 상기 기판의 하면을 향해 레이저 또는 플라즈마를 조사하여 상기 기판을 다이싱하는,
기판 처리 장치.
6. The method of claim 5,
an irradiation unit capable of irradiating a laser or plasma toward a lower surface of the substrate disposed on the base;
further comprising,
The irradiation unit dicing the substrate by irradiating a laser or plasma toward the lower surface of the substrate when the alignment of the substrate is aligned to a preset position by the control unit,
substrate processing equipment.
 제6항에 있어서,
상기 조사부는,
상기 기판에 형성된 패턴의 형상과 대응되게 기 입력된 패턴의 형상에 따라 상기 기판의 하면을 향해 레이저를 조사하여 상기 기판을 분할하고,
상기 분할 후 플라즈마를 상기 기판의 하면을 향해 조사함으로써 상기 레이저에 의한 가공에 의하여 형성된 크랙 또는 파티클을 제거하는,
기판 처리 장치.
7. The method of claim 6,
The investigation unit,
Splitting the substrate by irradiating a laser toward the lower surface of the substrate according to the shape of the previously input pattern corresponding to the shape of the pattern formed on the substrate,
To remove cracks or particles formed by processing by the laser by irradiating plasma toward the lower surface of the substrate after the division,
substrate processing equipment.
 제7항에 있어서,
어느 하나의 홀의 하측에 배치되어 상기 기판에 대한 다이싱 공정이 완료되었음을 판단하는 판단부; 및
상기 어느 하나의 홀의 내측에 배치되어 상기 판단부를 상기 레이저 또는 상기 플라즈마로부터 보호하는 보호부;
를 더 포함하는,
기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
a determination unit disposed below one of the holes to determine that the dicing process for the substrate is completed; and
a protection unit disposed inside the one of the holes to protect the determination unit from the laser or the plasma;
further comprising,
substrate processing equipment.
 제8항에 있어서,
상기 베이스의 테두리 측에 배치되어 상기 베이스 상에 배치된 상기 기판 또는 상기 기판에 부착된 프레임이 상기 베이스의 외측으로 이탈하는 것을 방지하는 가이드부;
를 더 포함하는,
기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
a guide part disposed on the edge of the base to prevent the substrate disposed on the base or a frame attached to the substrate from being separated to the outside of the base;
further comprising,
substrate processing equipment.
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