KR102272048B1 - Exothermic sheet and Shape memory composite including the same - Google Patents
Exothermic sheet and Shape memory composite including the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102272048B1 KR102272048B1 KR1020140192313A KR20140192313A KR102272048B1 KR 102272048 B1 KR102272048 B1 KR 102272048B1 KR 1020140192313 A KR1020140192313 A KR 1020140192313A KR 20140192313 A KR20140192313 A KR 20140192313A KR 102272048 B1 KR102272048 B1 KR 102272048B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shape memory
- sheet
- graphite
- heating
- black particles
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 133
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 229920000431 shape-memory polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 13
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 13
- 239000012781 shape memory material Substances 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N nickel titanium Chemical compound [Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni] HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910017937 Ag-Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017984 Ag—Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017535 Cu-Al-Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910007567 Zn-Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007614 Zn—Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2214/00—Aspects relating to resistive heating, induction heating and heating using microwaves, covered by groups H05B3/00, H05B6/00
- H05B2214/04—Heating means manufactured by using nanotechnology
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은, 고분자 바인더와, 판 형상의 그라파이트와, 탄소 나노 튜브와, 카본 블랙 입자를 포함하고, 상기 그라파이트는 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자는 상기 그라파이트 사이 공간에 배열되는 발열 시트를 포함하며, 그라파이트에 의해 탄소 나노 튜브와 카본 블랙 입자가 팩킹됨으로써 발열 시트의 저항이 감소한다.
따라서, 형상 기억 복합체의 응답 속도와 복원 속도를 증가시킬 수 있다.The present invention includes a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and carbon black particles, wherein the graphite is arranged in a first direction, and the carbon nanotubes and the carbon black particles are disposed between the graphite It includes a heating sheet arranged in space, and the resistance of the heating sheet is reduced by packing carbon nanotubes and carbon black particles by graphite.
Therefore, it is possible to increase the response speed and recovery speed of the shape memory composite.
Description
본 발명은 형상 기억 복합체에 관한 것으로, 특히 승온 속도가 향상된 발열 시트와 이를 포함하여 빠른 응답 시간(response time)과 복원 시간(recovery time)을 갖는 형상 기억 복합체에 관한 것이다.
The present invention relates to a shape memory composite, and more particularly, to a heating sheet having an improved temperature increase rate and a shape memory composite having a fast response time and recovery time including the same.
사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 유기발광다이오드표시장치(organic light emitting diode display device : OELD) 등과 같은 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다. As society enters the information age in earnest, the field of display that processes and displays a large amount of information has developed rapidly, and in response to this, liquid crystal display device (LCD), plasma display device (Plasma Display) has developed rapidly. Various flat panel display devices such as a panel device: PDP), a field emission display device (FED), and an organic light emitting diode display device (OELD) have been developed and are in the spotlight.
이러한 평판표시장치는 영상이 표시되는 디스플레이부를 필요로 하는데, 디스플레이부는 휴대성 등의 제약에 따라 그 크기에 제한이 생긴다. Such a flat panel display device requires a display unit on which an image is displayed, and the size of the display unit is limited due to restrictions such as portability.
최근, 이러한 크기적 제한을 극복하기 위해, 접고 펼칠 수 있는 가변형 표시장치가 제안되고 있다.Recently, in order to overcome this size limitation, a flexible display device that can be folded and unfolded has been proposed.
예를 들어, 가변형 표시장치에서는, 플렉서블(Flexible)한 표시패널이 적정 곡률을 가지게 하기 위해 모터(motor)와 같은 구동수단이 사용된다. 그러나, 모터에 의해 표시장치의 부피와 두께가 증가하고 모터의 소음에 의한 문제가 발생하고 있다.
For example, in a variable display device, a driving means such as a motor is used to make a flexible display panel have an appropriate curvature. However, the volume and thickness of the display device are increased by the motor, and there is a problem due to the noise of the motor.
전술한 문제를 해결하기 위해, 모터 방식이 아니라 형상 기억 합금을 이용하여 표시장치를 가변화하고자 하는 기술이 개발되고 있다. 형상 기억 합금을 변형시키기 위해서는 자체 발열이 필요하며, 이를 위해 형상 기억 합금으로 니티놀(Ni-Ti)을 주로 이용하였다.In order to solve the above-described problem, a technology for changing a display device using a shape memory alloy instead of a motor method is being developed. In order to deform the shape memory alloy, self-heating is required, and for this purpose, nitinol (Ni-Ti) was mainly used as the shape memory alloy.
니티놀의 경우 저항 값이 낮기 때문에(1.0 이하), 충분한 발열을 위해서는 와이어 타입(wire type)으로 형성되어야 한다. 그러나, 와이어 타입의 형상 기억 합금으로는 표시장치를 가변시키기 위한 구동력을 얻을 수 없다.In the case of nitinol, since the resistance value is low (1.0 or less), it must be formed in a wire type for sufficient heat generation. However, a driving force for changing a display device cannot be obtained with a wire-type shape memory alloy.
즉, 니티놀로 이루어지는 종래 형상 기억 복합체(shape memory composite)의 경우, 형상 기억 합금의 형상 변형을 위한 충분한 열을 발생시키지 못하거나 표시장치를 가변화하기 위한 구동력을 얻지 못하는 문제점이 있다. 다시 말해, 종래 형상 기억 합금에서는 발열량과 구동력이 trade-off 관계에 있다.
That is, in the case of a conventional shape memory composite made of nitinol, there is a problem in that it does not generate sufficient heat to deform the shape of the shape memory alloy or obtain a driving force for changing the display device. In other words, in the conventional shape memory alloy, there is a trade-off relationship between the amount of heat generated and the driving force.
본 발명은, 형상 기억 물질의 형태 변형을 위한 충분한 발열이 가능하면서 표시장치의 가변을 위한 구동력을 발생시킬 수 있는 형상 기억 복합체를 제공하고자 한다.
An object of the present invention is to provide a shape memory composite capable of generating a driving force for changing a display device while allowing sufficient heat to be generated for a shape change of a shape memory material.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 고분자 바인더와, 판 형상의 그라파이트와, 탄소 나노 튜브와, 카본 블랙 입자를 포함하고, 상기 그라파이트는 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자는 상기 그라파이트 사이 공간에 배열되는 발열 시트를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention includes a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and carbon black particles, wherein the graphite is arranged in a first direction, and the carbon nanotubes and The carbon black particles provide a heating sheet arranged in the space between the graphite.
본 발명의 발열시트에서, 상기 그라파이트는 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 서로 이격되어 배열된다.In the heating sheet of the present invention, the graphite is arranged spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction.
본 발명의 발열시트는 상기 제 1 방향의 양단에 위치하는 제 1 및 제 2 전극을 더 포함한다.The heating sheet of the present invention further includes first and second electrodes positioned at both ends in the first direction.
본 발명의 발열시트에서, 상기 그라파이트에 의해 형성되는 공간의 연장 방향은 상기 제 1 및 제 2 전극을 연결하는 방향에 평행하다.
In the heating sheet of the present invention, the extending direction of the space formed by the graphite is parallel to the direction connecting the first and second electrodes.
다른 관점에서, 본 발명은, 고분자 바인더와, 판 형상의 그라파이트와, 탄소 나노 튜브와, 카본 블랙 입자를 포함하는 제 1 발열 시트와, 상기 제 1 발열 시트의 일측에 위치하는 형상 기억 시트와, 상기 제 1 발열 시트와 상기 형상 기억 시트의 제 1 면 사이에 위치하는 제 1 절연 시트를 포함하고, 상기 그라파이트는 제 1 방향을 따라 배열되고, 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자는 상기 그라파이트 사이 공간에 배열되는 형상 기억 복합체를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a first heating sheet comprising a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and carbon black particles, and a shape memory sheet positioned on one side of the first heating sheet; a first insulating sheet positioned between the first heating sheet and a first surface of the shape memory sheet, wherein the graphite is arranged in a first direction, and the carbon nanotubes and the carbon black particles are disposed between the graphite A shape memory complex arranged in space is provided.
본 발명의 형상 기억 복합체에서, 상기 그라파이트는 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 서로 이격되어 배열된다.In the shape memory composite of the present invention, the graphite is arranged to be spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction.
본 발명의 형상 기억 복합체는 상기 제 1 방향의 양단에 위치하는 제 1 및 제 2 전극을 더 포함한다.The shape memory composite of the present invention further includes first and second electrodes positioned at both ends in the first direction.
본 발명의 형상 기억 복합체에서, 상기 그라파이트에 의해 형성되는 공간의 연장 방향은 상기 제 1 및 제 2 전극을 연결하는 방향에 평행하다.In the shape memory composite of the present invention, the extending direction of the space formed by the graphite is parallel to the direction connecting the first and second electrodes.
본 발명의 형상 기억 복합체에서, 상기 형상 기억 시트는 형상 기억 합금 또는 형상 기억 고분자 중 적어도 하나를 포함한다.In the shape memory composite of the present invention, the shape memory sheet includes at least one of a shape memory alloy or a shape memory polymer.
본 발명의 형상 기억 복합체는 상기 제 1 발열 시트의 외측에 위치하는 보호 시트와, 상기 형상 기억 시트의 제 2 면 측에 위치하는 열 확산 시트를 더 포함한다.The shape memory composite of the present invention further includes a protective sheet positioned outside the first heat generating sheet and a heat diffusion sheet positioned on a second surface side of the shape memory sheet.
본 발명의 형상 기억 복합체는, 상기 형상 기억 시트의 제 2 면 측에 위치하고, 고분자 바인더와, 판 형상의 그라파이트와, 탄소 나노 튜브와, 카본 블랙 입자를 포함하는 제 2 발열 시트와, 상기 형상 기억 시트와 상기 제 2 발열 시트 사이에 위치하는 제 2 절연 시트를 더 포함한다.The shape memory composite of the present invention includes a second heating sheet positioned on the second surface side of the shape memory sheet and comprising a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and carbon black particles, and the shape memory It further includes a second insulating sheet positioned between the sheet and the second heating sheet.
본 발명의 형상 기억 복합체는 상기 제 1 발열 시트와 상기 제 2 발열 시트 각각의 외측에 위치하는 제 1 및 제 2 보호 시트를 더 포함한다.
The shape memory composite of the present invention further includes first and second protective sheets positioned outside each of the first and second heating sheets.
본 발명의 발열 시트는 탄소 나노 튜브(carbon nano tube)와, 탄소 블랙 입자(carbon black particle)와, 그라파이트(graphite)를 포함함으로써, 전압 인가에 의한 승온 속도가 증가한다.Since the heating sheet of the present invention includes carbon nanotubes, carbon black particles, and graphite, the rate of temperature increase by voltage application increases.
즉, 탄소 나노 튜브와 탄소 블랙 입자의 혼합물이 그라파이트에 의해 샌드위치되는 구조를 가지며, 그라파이트가 전류 패스 역할을 하여 발열 시트의 저항이 감소한다. 따라서, 낮은 전압에 의해서도 충분한 발열이 가능하다.That is, the mixture of carbon nanotubes and carbon black particles has a structure in which the mixture is sandwiched by graphite, and the graphite serves as a current path, thereby reducing the resistance of the heating sheet. Accordingly, sufficient heat can be generated even by a low voltage.
또한, 본 발명의 형상 기억 복합체는, 상기 발열 시트와 형상 기억 물질층을 포함함으로써, 낮은 전압으로 형상 기억 복합체를 구동시키기 위한 충분한 열을 얻을 수 있다. 따라서, 형상 기억 복합체를 시트(sheet) 형태로 제작할 수 있으며 표시장치를 가변시키기 위한 충분한 구동력을 얻을 수 있고, 형상 기억 복합체의 응답 속도와 복원 속도를 향상시킬 수 있다.In addition, since the shape memory composite of the present invention includes the heating sheet and the shape memory material layer, sufficient heat for driving the shape memory composite at a low voltage can be obtained. Accordingly, the shape memory composite can be manufactured in the form of a sheet, and sufficient driving force for changing the display device can be obtained, and the response speed and restoration speed of the shape memory composite can be improved.
즉, 본 발명의 형상 기억 복합체를 이용하면, 낮은 전압으로 빠른 가변이 가능한 가변형 표시장치가 제공된다.
That is, when the shape memory composite of the present invention is used, a variable display device capable of rapidly changing with a low voltage is provided.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발열 시트의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트를 보여주는 사진이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트 내에서의 전자 흐름을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체를 보여주는 개략적인 도면이다.
도 6은 형상 기억 합금의 구동 원리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 형상 기억 복합체를 보여주는 개략적인 도면이다.1 is a schematic plan view of a heating sheet according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic plan view of a heating sheet according to a second embodiment of the present invention.
3 is a photograph showing a heating sheet according to a second embodiment of the present invention.
4 is a schematic view for explaining the flow of electrons in the heating sheet according to the second embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram showing a shape memory composite according to a third embodiment of the present invention.
6 is a schematic view for explaining a driving principle of a shape memory alloy.
7 is a schematic diagram showing a shape memory composite according to a fourth embodiment of the present invention.
이하, 위와 같은 문제를 해결할 수 있는 본 발명에 대하여, 도면을 참조하여 자세히 설명한다.Hereinafter, the present invention capable of solving the above problems will be described in detail with reference to the drawings.
-제 1 실시예--First embodiment-
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발열 시트의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a heating sheet according to a first embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발열 시트(100)는, 고분자 바인더(110) 내에 분산되어 있는 탄소 나노 튜브(120)를 포함한다.As shown in FIG. 1 , the
상기 고분자 바인더(미도시)는 비전도(non-conductive) 특성을 가지며 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 셀룰로오즈계 바인더 중에서 선택될 수 있다.The polymer binder (not shown) has non-conductive properties, and among polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), and cellulose-based binders. can be selected.
상기 탄소 나노 튜브(120)는 상기 고분자 바인더(110) 내에 분산되어 전기적 흐름의 경로가 된다. 즉, 제 1 및 제 2 전극(130, 132)에 전압이 인가되면, 음극(-)인 제 1 전극(130)으로부터의 전자가 탄소 나노 튜브(120)를 통해 양극(+)인 제 2 전극(132)으로 전달되면서 발열 시트(100)로부터 발열이 일어난다.The
따라서, 상기 발열 시트(100)에 적층되는 형상 기억 물질층(미도시)으로 열이 전달되고 형상 기억 물질층(미도시)의 형상이 변하게 된다. 즉, 온도 증가에 따라 형상 기억 물질층이 원상태로 복원된다.Accordingly, heat is transferred to the shape-memory material layer (not shown) stacked on the
이러한 발열 시트와 형상 기억 물질층을 포함하는 형상 기억 복합체를 표시장치에 이용하면, 형상 기억 물질층의 형상 변화에 의해 표시장치의 가변화가 가능하다.When the shape memory composite including the heating sheet and the shape memory material layer is used in a display device, the display device can be varied by changing the shape of the shape memory material layer.
이와 같은 발열 시트를 이용하면 형상 기억 복합체를 시트 형태로 제작할 수 있기 때문에, 표시장치의 가변화를 위한 충분한 구동력을 얻을 수 있다.
Since the shape memory composite can be manufactured in the form of a sheet by using such a heating sheet, sufficient driving force can be obtained for variably changing the display device.
그러나, 제 1 실시예에서와 같이, 고분자 바인더(110)와 탄소 나노 튜브(120)를 포함하는 발열 시트(100)의 저항이 너무 높기 때문에, 충분한 발열을 위한 속도, 즉 승온 속도가 비교적 낮다. 또한, 높은 저항에 의해 전압이 제거되어도 잔류 발열이 있기 때문에, 온도 하강 속도 역시 비교적 낮다.However, as in the first embodiment, since the resistance of the
따라서, 형상 기억 복합체의 응답 속도와 복원 속도가 낮기 때문에, 표시장치의 가변이 너무 느리게 일어난다.
Therefore, since the response speed and recovery speed of the shape memory composite are low, the display device changes too slowly.
-제 2 실시예--Second embodiment-
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트의 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view of a heating sheet according to a second embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발열 시트(200)는, 고분자 바인더(미도시)와, 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와, 그라파이트(240)를 포함한다. 상기 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와, 그라파이트(240)는 상기 고분자 바인더(미도시)에 분산된다.As shown in FIG. 2 , the
상기 고분자 바인더(미도시)는 비전도(non-conductive) 특성을 가지며 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 셀룰로오즈계 바인더 중에서 선택될 수 있다. 상기 고분자 바인더는 발열 시트(200)의 발열에 견딜 수 있도록 80도씨 이상의 유리전이온도를 가질 수 있다.The polymer binder (not shown) has non-conductive properties, and among polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), and cellulose-based binders. can be selected. The polymer binder may have a glass transition temperature of 80° C. or higher to withstand the heat of the
상기 그라파이트(240)는 판 형상을 가지며 발열 시트(200)의 가장자리에 위치하고, 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)는 상기 그라파이트(240)에 의해 제공되는 내부 공간에 위치한다. The
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트(200)에서, 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)는 상기 고분자 바인더(미도시) 내에 분산되고 상기 그라파이트(240)가 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)를 둘러싸는 형태를 갖는다.That is, in the
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트를 보여주는 사진인 도 3을 참조하면, 판 형태의 그라파이트가 벽(wall)과 같이 위치하고 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)가 그라파이트 벽에 의한 공간 내에 혼합되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 3, which is a photograph showing a heating sheet according to the second embodiment of the present invention, plate-shaped graphite is positioned with a wall, and carbon nanotubes (CNT) and carbon black particles (CB) are attached to the graphite wall. It can be seen that they are mixed in the space by
상기 그라파이트(240)가 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)를 일정한 공간 내에 가두고 전자 이동 공간 역할을 하기 때문에, 전자 이동 패스(path)가 짧아지고 전자 이동이 원활하게 일어난다. Since the
따라서, 발열 시트(200)의 저항이 낮아지고 발열량이 증가한다.Accordingly, the resistance of the
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트 내에서의 전자 흐름을 설명하기 위한 개략적인 도면인 도 4를 참조하면, 고분자 바인더(210) 내에 탄소 나노 튜브(220), 카본 블랙 입자(230) 및 그라파이트(240)가 분산되어 있다. 상기 그라파이트(240)가 벽과 같은 형태를 이루며 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)를 둘러싸고 있다.Referring to FIG. 4, which is a schematic diagram for explaining the flow of electrons in the heating sheet according to the second embodiment of the present invention,
또한, 발열 시트(200)의 마주하는 양 단에는 제 1 및 제 2 전극(252, 254)이 형성되어 있다. In addition, first and
상기 제 1 및 제 2 전극(252, 254)에 전압이 인가되면, 음극(-)인 상기 제 1 전극(252)으로부터의 전자(e-)가 양극(+)인 상기 제 2 전극(254)으로 이동하면서 열이 발생하게 되는데, 상기 그라파이트(240)에 의해 팩킹(packing)된 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)를 통해 전자(e-)의 이동이 원활하게 된다.When a voltage is applied to the first and
즉, 탄소 나노 튜브(220)만으로 이루어지는 경우 탄소 나노 튜브(220) 사이에 공간이 있기 때문에 전자(e-)의 이동이 방해되어 발열 시트의 저항이 증가하는 문제가 발생한다. 그러나, 본 발명의 제 2 실시예에서와 같이 탄소 나노 튜브(220)와 카본 블랙 입자(230)가 혼합되면, 카본 블랙 입자(230)가 탄소 나노 튜브(220) 사이 공간을 채우기 때문에 전자(e-)의 이동이 원활하게 되어 발열 시트(200)의 저항이 감소한다.That is, when only the
이때, 상기 그라파이트(240)는 상기 제 1 및 제 2 전극(252, 254)을 연결하는 방향에 평행하게 배열된다. 즉, 상기 그라파이트(240)에 의해 제공되는 공간의 연장 방향은 상기 제 1 및 제 2 전극(252, 254)을 연결하는 방향과 평행하여, 전자(e-)의 이동 패스 역할을 하게 된다.In this case, the
다시 말해, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발열 시트(200)에서는, 그라파이트(240)가 전자(e-)의 이동 공간을 제공하고 그라파이트(240)에 의해 정의되는 공간에 탄소 나노 튜브(220)와 카본 블랙 입자(230)가 혼합되어 있기 때문에, 발열 시트(200)의 저항이 감소한다.In other words, in the
따라서, 발열 시트(200)의 온도 상승과 온도 하강 시간이 감소한다.
Accordingly, the temperature increase and temperature decrease time of the
[발열시트의 제작][Production of heating sheet]
발열시트를 형성하기 위한 조성물과, 조성물을 코팅하고 건조하여 제조된 발열시트의 저항을 표1에 기재하였다. 이때, 바인더는 PET를 사용하였고, 용매는 에탄올을 사용하였고, 제조된 발열시트의 두께는 약 40㎛이다.Table 1 shows the composition for forming the heating sheet, and the resistance of the heating sheet prepared by coating and drying the composition. In this case, PET was used as the binder, ethanol was used as the solvent, and the thickness of the prepared heating sheet was about 40 μm.
표1의 조성물을 이용하여 제조된 발열시트에서의 승온 테스트 결과를 표2에 기재하였다. 인가되는 전압을 변경하면서 10초 후의 온도를 측정하였다.Table 2 shows the results of the temperature increase test in the heating sheet prepared using the composition of Table 1. While changing the applied voltage, the temperature after 10 seconds was measured.
표 1 및 표2에서 보여지는 바와 같이, 탄소 나노 튜브(CNT), 카본 블랙 입자(CB) 및 그라파이트(GP)를 포함하여 이루어지는 본 발명의 발열 시트는 낮은 저항을 갖고 승온 속도가 빨라졌다. 따라서, 본 발명의 발열 시트를 형상 기억 복합체에 이용하는 경우, 형상 기억 복합체의 응답 속도와 복원 속도를 증가시킬 수 있다. 표1, 표2에서 알 수 있는 바와 같이, 그라파이트(GP)와 카본 블랙 입자(CB)의 중량비가 탄소 나노 튜브(CNT)의 중량비보다 큰 경우(Ex3, Ex4), 발열시트의 저항이 크게 감소하고 승온 속도가 크게 증가한다.As shown in Tables 1 and 2, the heating sheet of the present invention comprising carbon nanotubes (CNT), carbon black particles (CB) and graphite (GP) has low resistance and has a high temperature increase rate. Therefore, when the heating sheet of the present invention is used for a shape memory composite, the response speed and restoration speed of the shape memory composite can be increased. As can be seen from Tables 1 and 2, when the weight ratio of graphite (GP) and carbon black particles (CB) is greater than the weight ratio of carbon nanotubes (CNT) (Ex3, Ex4), the resistance of the heating sheet is greatly reduced and the temperature increase rate is greatly increased.
-제 3 실시예--Third embodiment-
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체를 보여주는 개략적인 도면이다.5 is a schematic diagram showing a shape memory composite according to a third embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체(300)는, 발열물질층(310)과 제 1 및 제 2 전극(322, 324)을 포함하는 발열 시트(330)와, 상기 발열 시트(310)의 일면에 대응하여 위치하는 형상 기억 시트(340)와, 상기 발열 시트(330)와 상기 형상 기억 시트(340) 사이에 위치하는 절연 시트(350)를 포함한다.As shown in FIG. 5 , the
상기 발열 시트(330)는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 발열시트(100, 200)일 수 있다.The
예를 들어, 상기 발열물질층(310)은, 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 고분자 바인더(210)와, 상기 고분자 바인더(210) 내에 분산되어 있는 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와 그라파이트(240)를 포함한다. For example, as shown in FIGS. 2 to 4 , the
이때, 상기 그라파이트(240)는 판 형상을 가지며 벽(wall)을 이루도록 배열됨으로써, 공간을 제공한다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)는 상기 그라파이트(240)에 의해 제공되는 공간 내에서 서로 혼합되어 있다.At this time, the
이와 같은 배열에 의하면, 상기 그라파이트(240)가 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)를 일정한 공간 내에 가두고 전자 이동 패스(path) 역할을 하기 때문에, 전자 이동 패스가 짧아지고 전자 이동이 원활하게 일어난다. 따라서, 발열물질층(310)의 저항이 낮아진다.According to this arrangement, since the
다시 도 5를 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324)은 상기 발열물질층(310)의 양단에 위치한다. 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324) 중 어느 하나는 양극이고 다른 하나는 음극이다. 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324) 각각은 저저항 금속 물질, 예를 들어 구리(Cu), 금(Au) 또는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.Referring back to FIG. 5 , the first and
도 5에서, 제 1 및 제 2 전극(322, 324)이 발열물질층(310)의 상부면에 형성된 것이 보여지고 있다. 이와 달리, 제 1 및 제 2 전극(322, 324)은 발열물질층(310)의 하부면에 형성되거나 발열물질층(310)의 측면에 형성될 수도 있다.In FIG. 5 , it is shown that the first and
이때, 상기 그라파이트(도 4의 240)는 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324)을 연결하는 방향에 평행하게 배열된다. 즉, 상기 그라파이트(도 4의 240)에 의해 제공되는 공간의 연장 방향이 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324)을 연결하는 방향에 평행하게 된다. 다시 말해, 그라파이트(도 4의 240)가 제 1 방향을 따라 배열되고 발열 시트(330) 내에서 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 이격되어 상기 제 1 방향을 따라 연장되는 공간을 제공하며, 제 1 및 제 2 전극(322, 324)은 상기 제 1 방향의 양단에 위치한다.At this time, the graphite (240 in FIG. 4 ) is arranged parallel to the direction in which the first and
전술한 바와 같이, 상기 제 1 및 제 2 전극(322, 324)에 전압이 인가되면, 음극(-)인 상기 제 1 전극(322)으로부터의 전자(e-)가 양극(+)인 상기 제 2 전극(324)으로 이동하면서 열이 발생하게 되는데, 상기 그라파이트(도 4의 240)가 전자(e-)의 이동 공간을 제공하고 상기 그라파이트(도 4의 240)에 의해 팩킹(packing)된 상기 탄소 나노 튜브(도 4의 220)와 상기 카본 블랙 입자(도 4의 230)를 통해 전자(e-)의 이동이 원활해지기 때문에, 상기 발열 시트(330)의 발열량이 증가하며 승온(temperature-rising) 및 강온(temperature-falling) 속도가 증가한다.As described above, when a voltage is applied to the first and
상기 형상 기억 시트(340)는 상기 발열 시트(330)의 일측에 위치하며 형상 기억 물질을 포함한다. 즉, 상기 형상 기억 시트(340)는 기억 형상(memory shape 또는 original shape)을 가진 상태로 제작되고, 전이온도보다 낮은 온도에서 변형된 형상(deformed shape)을 갖는다. 한편, 상기 발열 시트(330)로부터 열이 제공되어 전이온도 이상이 되면 기억 형상으로 복원된다. 또한, 열이 제거되어 전이 온도보다 낮은 온도가 되면, 다시 변형된 형상이 된다.The
형상 기억 물질은 형상 기억 합금(shape memory alloy, SMA) 또는 형상 기억 고분자(shape memory polymer, SMP) 중 적어도 어느 하나이다. The shape memory material is at least one of a shape memory alloy (SMA) or a shape memory polymer (SMP).
형상 기억 합금은 전이 온도 이하에서 변형이 일어나고 전이 온도(transition temperature) 이상이 되면 변형 이전의 모양으로 되돌아가는 성질을 갖는 금속 합금이다. A shape memory alloy is a metal alloy having a property of being deformed below a transition temperature and returning to a shape before deformation when above a transition temperature.
예를 들면, 형상 기억 합금은 휘어진 기억 형상(memory shape)을 갖도록 형성되고, 플랫한 형상을 유지하고 있다가 열이 가해져 일정 온도 이상이 되면 휘어진 기억 형상으로 복원된다.For example, the shape memory alloy is formed to have a curved memory shape, maintains a flat shape, and is restored to a curved memory shape when heat is applied and the temperature is higher than a certain temperature.
도 6은 형상 기억 합금의 구동 원리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.6 is a schematic view for explaining a driving principle of a shape memory alloy.
도 6을 참조하면, 형상 기억 합금은 편평하거나 휘어진 형상을 기억하는 기억 상태(memory state)에서 오스테나이트(austenite) 구조를 갖는다. 형상 기억 합금을 냉각시키면 무작위 상태(ramdom state)의 마르텐사이트(Martensite) 구조로 변형되고 다시 가열하면 원래의 오스테나이트 구조로 돌아간다. 즉, 열에 의해 기억 상태의 형상으로 복원된다.Referring to FIG. 6 , the shape memory alloy has an austenite structure in a memory state that stores a flat or curved shape. When the shape memory alloy is cooled, it transforms into a martensite structure in a random state, and returns to the original austenite structure when heated again. That is, the shape of the memory state is restored by heat.
즉, 변형이 발생한 후 열을 가할 경우 원래의 형상으로 돌아가는 열탄성 마르텐사이트 변태에 의한 형상 기억 효과를 가진다.That is, when heat is applied after deformation occurs, it has a shape memory effect due to thermoelastic martensitic transformation that returns to an original shape.
한편, 형상 기억 고분자는 고정(단단한)상과 가역(부드러운)상과 같은 다양한 상들이 함께 존재하는 형태로 이루어진다. On the other hand, the shape memory polymer is formed in a form in which various phases such as a fixed (hard) phase and a reversible (soft) phase exist together.
고정상은 열적으로 안정된 가교점과 같은 작용을 한다. 일반적으로 '가교점'이란 재료의 최소한 어느 한 부분의 자유로운 이동을 방해하는 크리스탈 상, 유리질 상 또는 엉켜있는 고분자 사슬이 될수 있다. 반면 가역상은 형상 기억 고분자의 주된 부분이며 변형이나 회복에 있어서 탄성적인 역할을 담당한다. 일정 온도 이상에서 가역상은 '유체'의 형태가 되어 자유롭게 움직일 수 있는 성질을 가진다. 이는 반대로 말해, 일정 온도 이하에서는 가역상이 유리질 또는 크리스탈 구조를 이룰 수 있다는 것이다. The stationary phase acts like a thermally stable crosslinking point. In general, the 'crosslinking point' may be a crystalline phase, a glassy phase, or an entangled polymer chain that prevents the free movement of at least one part of the material. On the other hand, the reversible phase is a major part of shape memory polymers and plays an elastic role in deformation or recovery. Above a certain temperature, the reversible phase becomes a 'fluid' and has the property of being able to move freely. Conversely, below a certain temperature, the reversible phase may form a glassy or crystalline structure.
이러한 일정 온도는 일반적으로 유발 온도(triggered temperature)라고 부르며 유리 전이온도(Tg) 또는 용융점(Tm)이 이에 해당한다. 유발 온도 이상에서 잡아당기는 것과 같이 형상 기억 고분자에 변형이 가해지게 되면 고분자 사슬은 정렬을 하게 되고 이는 결과적으로 구조적인 엔트로피의 감소를 가져오게 된다. 이러한 상태를 엔트로피적으로 불안정한 또는 선호되지 않는 상태라고 할 수 있다. 이러한 정렬은 미세한 회복 성능을 제외하고 변형이 가해진 상태에서 유발 온도로 급격히 냉각함으로써 유지될 수 있게 된다.This constant temperature is generally called a triggered temperature and corresponds to the glass transition temperature (Tg) or the melting point (Tm). When deformation is applied to the shape memory polymer, such as pulling at a temperature higher than the induced temperature, the polymer chains are aligned, which in turn leads to a decrease in structural entropy. This state can be referred to as an entropy unstable or unfavorable state. This alignment can be maintained by rapidly cooling to the induced temperature in the strained state, except for the fine recovery performance.
형상 기억 고분자의 형상 복원 과정을 살펴보면, 먼저, 전이온도보다 높은 상태의 온도에 있어 탄성을 가진 고무 성질을 나타내는 형상 기억 고분자 재료에 특정 변형을 가하여 변화를 준다. 이때 고분자 사슬들은 변형에 맞추어 정렬을 이루게 된다. 변형을 유지할 수 있는 힘을 지속적으로 가하며 재료가 딱딱해질 수 있는 전이 온도 이하()로 냉각을 하게 되면, 고분자를 구성하는 사슬은 움직일 수 없게 되고 잠재적 변형 에너지의 형태로 변화되어 고정된 상태로 있게 된다. 전이온도에서 주어지던 힘을 제거하게 되면 약간의 일시적인 회복이 일어나게 된다. 형상 회복은 일반적으로 온도를 전이온도 이상으로 가열함으로써 어떠한 외부의 힘 없이도 일어나게 되는데 저장되어 있던 변형 에너지가 고분자 사슬이 다시 움직일 수 있게 됨으로써 방출 되게 된다.Looking at the shape restoration process of the shape memory polymer, first, the shape memory polymer material exhibiting elastic rubber properties at a temperature higher than the transition temperature is changed by applying a specific strain. At this time, the polymer chains are aligned according to the deformation. When a force capable of sustaining deformation is continuously applied and the material is cooled below the transition temperature ( ) at which the material can be hardened, the chains constituting the polymer become immobile and change in the form of potential deformation energy to remain fixed. do. When the force given at the transition temperature is removed, a slight temporary recovery occurs. Shape recovery generally occurs without any external force by heating the temperature above the transition temperature, and the stored strain energy is released by allowing the polymer chain to move again.
다시 도 5를 참조하면, 형상 기억 시트(340)는 발열 시트(330)으로부터 전달된 열에 의해 형상이 휘어지거나 평평해진다. 형상 기억 시트(340)는 형상 기억 합금이나 형상 기억 고분자와 같은 형상 기억 물질로 이루어진다.Referring back to FIG. 5 , the
형상 기억 합금은 니켈(Ni) 합금, 구리(Cu) 합금 또는 철(Fe) 합금 중 하나 이상일 수 있다. 예를 들어, 형상 기억 시트(340)는 Cu-Zn-Ni, Cu-Al-Ni, Ag-Ni, Au-Cd, Ni-Ti 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. The shape memory alloy may be at least one of a nickel (Ni) alloy, a copper (Cu) alloy, or an iron (Fe) alloy. For example, the
형상 기억 시트(340)가 형상 기억 고분자를 포함하는 경우, 형상 기억 고분자는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌 프로필렌 고무, 클로로프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 니트릴 부타디엔 고무 및 테플론 중 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.When the
상기 절연 시트(350)는 상기 발열 시트(330)와 상기 형상 기억 시트(340) 사이에 위치하며, 이들을 절연시키고 상기 발열 시트(330)로부터의 열을 상기 형상 기억 시트(340)로 전달한다. 상기 절연 시트(350)를 이루는 물질은 높은 열 전달 특성을 갖는 것이 바람직하다.The insulating
상기 절연 시트(350)는 유기물, 무기물 또는 유무기 하이브리드 물질로 이루어질 수 있다. The insulating
예를 들어, 절연 시트(350)는 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(poly imide, PI), 폴리에틸스틸렌(poly ether sulfone, PES)과 같은 유기물과, 산화 실리콘, 질화 실리콘과 같은 무기물과, 실리카(silica) 또는 저유전율 금속계의 재료가 유기물에 혼합된 유무기 하이브리드 물질로 이루어질 수 있다.For example, the insulating
본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체(300)는 상기 발열 시트(330) 상에 위치하는 보호 시트(protection sheet, 360)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 발열 시트(330)가 상기 보호 시트(360)와 상기 절연 시트(350) 사이에 위치한다. The
상기 보호 시트(360)는 상기 발열 시트(330)를 보호하기 위한 것으로, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸스틸렌과 같은 유기물질로 이루어질 수 있다.The
또한, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체(300)는 상기 형상 기억 시트(340)의 하부에 위치하는 열 확산 시트(370)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 형상 기억 시트(340)가 상기 절연 시트(350)와 상기 열 확산 시트(370) 사이에 위치한다.In addition, the
상기 열 확산 시트(370)는 상기 형상 기억 시트(340)의 열이 용이하게 배출되도록 방열의 역할을 한다. 따라서 열 확산 시트(150)는 상기 형상 기억 시트(340)의 하면 전체와 접촉하며, 열 전도도가 우수한 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 열 확산 시트(150)는 탄소 나노 튜브, 그라파이트, 알루미늄(Al), 구리, 텅스텐(W) 등 이루어질 수 있다.The
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 형상 기억 복합체(300)는 절연 시트(350)를 개재하여 적층되는 발열 시트(330)와 형상 기억 시트(340)를 포함하고, 상기 발열 시트(330)와 상기 형상 기억 시트(340) 각각의 외측면에 부착되는 보호 시트(360)와 열 확산 시트(370)를 더 포함할 수 있다.As described above, the
이때, 상기 발열 시트(330)는, 고분자 바인더(210)와, 상기 고분자 바인더(210) 내에 분산되어 있는 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와 그라파이트(240)를 포함하는 발열물질층(310)과 제 1 및 제 2 전극(322, 324)을 포함하며, 그라파이트(240)가 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)를 일정한 공간 내에 가두고 전자 이동 패스(path) 또는 전자 이동 공간의 역할을 하기 때문에, 전자 이동 패스가 짧아지고 전자 이동이 원활하게 되어 발열 물질층(310)의 저항이 낮아진다.At this time, the
즉, 상기 발열 시트(330)의 승온 또는 강온 속도가 빨라지기 때문에, 형상 기억 복합체(300)의 응답 속도와 복원 속도가 증가하는 장점을 갖는다. 따라서, 이와 같은 형상 기억 복합체(300)가 표시장치에 이용되는 경우, 표시장치의 형상 변화를 쉽게 얻을 수 있다.
That is, since the temperature increase or decrease speed of the
-제 4 실시예--Fourth embodiment-
도 7은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 형상 기억 복합체를 보여주는 개략적인 도면이다.7 is a schematic diagram showing a shape memory composite according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 형상 기억 복합체(400)는, 제 1 발열물질층(412)과 제 1 및 제 2 전극(414, 416)을 포함하는 제 1 발열 시트(410)와, 제 2 발열물질층(422)과 제 3 및 제 4 전극(424, 426)을 포함하는 제 2 발열 시트(420)와, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420) 사이에 위치하는 형상 기억 시트(430)와, 상기 제 1 발열 시트(410)와 상기 형상 기억 시트(430) 사이에 위치하는 제 1 절연 시트(432)와, 상기 제 2 발열 시트(420)와 상기 형상 기억 시트(430) 사이에 위치하는 제 2 절연 시트(434)를 포함한다.As shown in FIG. 7 , the
상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420) 각각은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 발열시트(100, 200)일 수 있다.Each of the first and
예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 발열물질층(412, 422) 각각은, 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 고분자 바인더(210)와, 상기 고분자 바인더(210) 내에 분산되어 있는 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와 그라파이트(240)를 포함한다. For example, as shown in FIGS. 2 to 4 , each of the first and second heating material layers 412 and 422 includes a
이때, 상기 그라파이트(240)는 판 형상을 가지며 벽(wall)을 이루도록 배열됨으로써, 공간을 제공한다. 또한, 상기 탄소 나노 튜브(220)와 상기 카본 블랙 입자(230)는 상기 그라파이트(240)에 의해 제공되는 공간 내에서 서로 혼합되어 있다.At this time, the
이와 같은 배열에 의하면, 상기 그라파이트(240)가 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)를 일정한 공간 내에 가두고 전자 이동 패스 또는 전자 이동 공간의 역할을 하기 때문에, 전자 이동 패스가 짧아지고 전자 이동이 원활하게 일어난다. 따라서, 제 1 및 제 2 발열물질층(412, 422)의 저항이 낮아진다.According to this arrangement, since the
다시 도 7을 참조하면, 상기 제 1 및 제 2 전극(414, 416)은 상기 제 1 발열물질층(412)의 양단에 위치하고, 상기 제 3 및 제 4 전극(424, 426)은 상기 제 1 발열물질층(422)의 양단에 위치한다. 상기 제 1 및 제 2 전극(414, 416) 중 어느 하나는 양극이고 다른 하나는 음극이다. 또한, 상기 제 3 및 제 4 전극(424, 426) 중 어느 하나는 양극이고 다른 하나는 음극이다. 상기 제 1 내지 제 4 전극(414, 416, 424, 426) 각각은 저저항 금속 물질, 예를 들어 구리(Cu), 금(Au) 또는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다.Referring back to FIG. 7 , the first and
도 5에서, 제 1 및 제 2 전극(414, 416)이 제 1 발열물질층(412)의 상부면에 형성되고, 제 3 및 제 4 전극(424, 426)이 제 2 발열물질층(422)의 상부면에 형성된 것이 보여지고 있다. 이와 달리, 제 1 및 제 2 전극(414, 416)은 제 1 발열물질층(412)의 하부면에 형성되거나 제 1 발열물질층(412)의 측면에 형성될 수도 있다. 또한, 제 3 및 제 4 전극(424, 426)은 제 2 발열물질층(422)의 하부면에 형성되거나 제 2 발열물질층(422)의 측면에 형성될 수도 있다.In FIG. 5 , first and
이때, 상기 제 1 발열물질층(412)의 상기 그라파이트(도 4의 240)는 상기 제 1 및 제 2 전극(414, 416)을 연결하는 방향에 평행하게 배열된다. 즉, 상기 그라파이트(도 4의 240)에 의해 제공되는 공간의 연장 방향이 상기 제 1 및 제 2 전극(414, 416)을 연결하는 방향에 평행하게 된다. 또한, 상기 제 2 발열물질층(422)의 상기 그라파이트(도 4의 240)는 상기 제 3 및 제 4 전극(424, 426)을 연결하는 방향에 평행하게 배열된다. 즉, 상기 그라파이트(도 4의 240)에 의해 제공되는 공간의 연장 방향이 상기 제 3 및 제 4 전극(424, 426)을 연결하는 방향에 평행하게 된다.At this time, the graphite (240 in FIG. 4 ) of the first
다시 말해, 그라파이트(도 4의 240)가 제 1 방향을 따라 배열되고 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420) 내에서 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 이격되어 상기 제 1 방향을 따라 연장되는 공간을 제공하며, 제 1 내지 4 전극(414, 416, 424, 426)은 상기 제 1 방향의 양단에 위치한다.In other words, graphite (240 in FIG. 4 ) is arranged along the first direction and spaced apart in a second direction perpendicular to the first direction in the first and
전술한 바와 같이, 상기 제 1 내지 제 4 전극(414, 416, 424, 426)에 전압이 인가되면, 음극(-)인 상기 제 1 및 제 3 전극(414, 424)으로부터의 전자(e-)가 양극(+)인 상기 제 2 및 제 4 전극(416, 426)으로 이동하면서 열이 발생하게 되는데, 상기 그라파이트(도 4의 240)가 전자(e-)의 이동 공간을 제공하고 상기 그라파이트(도 4의 240)에 의해 팩킹(packing)된 상기 탄소 나노 튜브(도 4의 220)와 상기 카본 블랙 입자(도 4의 230)를 통해 전자(e-)의 이동이 원활해지기 때문에, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)의 발열량이 증가하며 승온 및 강온 속도가 증가한다.As described above, when a voltage is applied to the first to
상기 형상 기억 시트(430)는 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420) 사이에 위치하며 형상 기억 물질을 포함한다. 즉, 상기 형상 기억 시트(430)는 기억 형상(memory shape 또는 original shape)을 가진 상태로 제작되고, 전이온도보다 낮은 온도에서 변형된 형상(deformed shape)을 갖는다. 한편, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)로부터 열이 제공되어 전이온도 이상이 되면 기억 형상으로 복원된다. 또한, 열이 제거되어 전이 온도보다 낮은 온도가 되면, 다시 변형된 형상이 된다.The
형상 기억 물질은 형상 기억 합금(shape memory alloy, SMA) 또는 형상 기억 고분자(shape memory polymer, SMP) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.The shape memory material includes at least one of a shape memory alloy (SMA) and a shape memory polymer (SMP).
예를 들어, 형상 기억 시트(430)는 Cu-Zn-Ni, Cu-Al-Ni, Ag-Ni, Au-Cd, Ni-Ti와 같은 형상 기억 합금 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어지거나, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌 프로필렌 고무, 클로로프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 니트릴 부타디엔 고무 및 테플론과 같은 형상 기억 고분자 중 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. For example, the
상기 제 1 및 제 2 절연 시트(432, 434) 각각은 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)와 상기 형상 기억 시트(430) 사이에 위치하며, 이들을 절연시키고 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)로부터의 열을 상기 형상 기억 시트(430)로 전달한다. 상기 제 1 및 제 2 절연 시트(432, 434)를 이루는 물질은 높은 열 전달 특성을 갖는 것이 바람직하다.The first and second insulating
상기 제 1 및 제 2 절연 시트(432, 434) 각각은 유기물, 무기물 또는 유무기 하이브리드 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 절연 시트(432, 434) 각각은 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(poly imide, PI), 폴리에틸스틸렌(poly ether sulfone, PES)과 같은 유기물과, 산화 실리콘, 질화 실리콘과 같은 무기물과, 실리카(silica) 또는 저유전율 금속계의 재료가 유기물에 혼합된 유무기 하이브리드 물질로 이루어질 수 있다.Each of the first and second insulating
본 발명의 제 4 실시예에 따른 형상 기억 복합체(400)는 상기 제 1 발열 시트(410) 상부에 위치하는 제 1 보호 시트(442)와 상기 제 2 발열 시트(420) 하부에 위치하는 제 2 보호 시트(444)를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 1 발열 시트(410)가 상기 제 1 보호 시트(442)와 상기 제 1 절연 시트(432) 사이에 위치하고, 상기 제 2 발열 시트(420)가 상기 제 2 보호 시트(444)와 상기 제 2 절연 시트(434) 사이에 위치한다.The
상기 제 1 및 제 2 보호 시트(442, 444) 각각은 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)를 보호하기 위한 것으로, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸스틸렌과 같은 유기물질로 이루어질 수 있다.Each of the first and second
전술한 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 형상 기억 복합체(400)는 순차 적층되는 제 1 발열 시트(410), 제 1 절연 시트(432), 형상 기억 시트(430), 제 2 절연 시트(434), 제 2 발열 시트(420)를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420) 각각의 외측면에 부착되는 제 1 및 제 2 보호 시트(442, 444)를 더 포함할 수 있다.As described above, in the
이때, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)는, 고분자 바인더(210)와, 상기 고분자 바인더(210) 내에 분산되어 있는 탄소 나노 튜브(220)와, 카본 블랙 입자(230)와 그라파이트(240)를 포함하는 제 1 및 제 2 발열물질층(412, 422)과 전극(414, 416, 424, 426)을 각각 포함하며, 그라파이트(240)가 탄소 나노 튜브(CNT)와 카본 블랙 입자(CB)를 일정한 공간 내에 가두고 전자 이동 패스(path) 역할을 하기 때문에, 전자 이동 패스가 짧아지고 전자 이동이 원활하게 되어 제 1 및 제 2 발열 물질층(412, 422)의 저항이 낮아진다.In this case, the first and
즉, 상기 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)의 승온 또는 강온 속도가 빨라지기 때문에, 형상 기억 복합체(400)의 응답 속도와 복원 속도가 증가하는 장점을 갖는다. 또한, 형상 기억 시트(430)의 양 측에 제 1 및 제 2 발열 시트(410, 420)가 각각 위치하는 샌드 위치 구조를 갖기 때문에, 응답 속도와 복원 속도는 더욱 증가한다. 따라서, 이와 같은 형상 기억 복합체(400)가 표시장치에 이용되는 경우, 표시장치의 형상 변화를 쉽게 얻을 수 있다.That is, since the temperature increase or decrease rate of the first and
예를 들어, 가변형 표시장치는, 액정 패널 또는 유기발광소자와 같은 표시 패널과, 표시 패널의 배면을 덮는 프레임과, 프레임의 배면에 부착되는 형상 기억 복합체(300, 400)를 포함할 수 있다.For example, the variable display device may include a display panel such as a liquid crystal panel or an organic light emitting diode, a frame covering the rear surface of the display panel, and the
형상 기억 복합체(300, 400)의 발열 시트(330, 410, 420)로부터의 열이 형상 기억 시트(340, 430)에 전달되면 형상 기억 시트(340, 430)의 형상이 변하여 가변형 표시장치로 이용될 수 있다.
When heat from the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be done.
100, 200, 330, 410, 420: 발열 시트
110, 210: 고분자 바인더 120, 220: 탄소 나노 튜브
130, 230: 카본 블랙 입자 140, 240: 그라파이트
340, 430: 형상 기억 시트 350, 432, 434: 절연 시트
360, 442, 444: 보호 시트 370: 열 확산 시트100, 200, 330, 410, 420: heating sheet
110, 210:
130, 230: carbon black particles 140, 240: graphite
340, 430:
360, 442, 444: protective sheet 370: heat diffusion sheet
Claims (15)
상기 그라파이트는 제 1 방향을 따라 배열되고 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에서 상기 발열필름의 양단에 위치하여 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자를 팩킹하는 구조를 갖고, 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자는 상기 그라파이트 사이 공간에 배열되며,
상기 발열필름에서 상기 그라파이트는 전류패스 역할을 함으로써 발열시트의 저항이 감소되고,
상기 탄소 나노 튜브, 상기 카본 블랙 입자, 상기 그라파이트는 4 중량%, 10 중량%, 10 중량%를 갖거나 4 중량%, 13 중량%, 13 중량%를 갖는 것을 특징으로 하는 발열 시트.
a polymer binder; plate-shaped graphite; carbon nanotubes; It includes a heating film containing carbon black particles,
The graphite is arranged in a first direction and positioned at both ends of the heating film in a second direction perpendicular to the first direction to have a structure for packing the carbon nanotubes and the carbon black particles, the carbon nanotubes and The carbon black particles are arranged in the space between the graphite,
In the heating film, the graphite serves as a current path to reduce the resistance of the heating sheet,
The carbon nanotubes, the carbon black particles, and the graphite have 4% by weight, 10% by weight, 10% by weight, or 4% by weight, 13% by weight, 13% by weight of the heating sheet.
상기 제 1 방향에서, 상기 발열필름의 양단에 위치하는 제 1 및 제 2 전극을 더 포함하는 발열 시트.
The method of claim 1,
A heating sheet further comprising first and second electrodes positioned at both ends of the heating film in the first direction.
상기 그라파이트에 의해 형성되는 공간의 연장 방향은 상기 제 1 및 제 2 전극을 연결하는 방향에 평행한 발열 시트.
4. The method of claim 3,
An extension direction of the space formed by the graphite is parallel to a direction connecting the first and second electrodes.
상기 제 1 발열 시트의 일측에 위치하는 형상 기억 시트와;
상기 제 1 발열 시트와 상기 형상 기억 시트의 제 1 면 사이에 위치하는 제 1 절연 시트를 포함하고,
상기 그라파이트는 제 1 방향을 따라 배열되고 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향에서 상기 발열필름의 양단에 위치하여 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자를 팩킹하는 구조를 갖고, 상기 탄소 나노 튜브와 상기 카본 블랙 입자는 상기 그라파이트 사이 공간에 배열되며,
상기 발열필름에서 상기 그라파이트는 전류패스 역할을 함으로써 상기 제 1 발열 시트의 저항이 감소되고,
상기 탄소 나노 튜브, 상기 카본 블랙 입자, 상기 그라파이트는 4 중량%, 10 중량%, 10 중량%를 갖거나 4 중량%, 13 중량%, 13 중량%를 갖는 것을 특징으로 하는 형상 기억 복합체.
a first heating sheet comprising a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and a heating film including carbon black particles;
a shape memory sheet positioned on one side of the first heating sheet;
a first insulating sheet positioned between the first heating sheet and the first surface of the shape memory sheet;
The graphite is arranged in a first direction and positioned at both ends of the heating film in a second direction perpendicular to the first direction to have a structure for packing the carbon nanotubes and the carbon black particles, the carbon nanotubes and The carbon black particles are arranged in the space between the graphite,
In the heating film, the graphite serves as a current path to reduce the resistance of the first heating sheet,
The shape memory composite, characterized in that the carbon nanotubes, the carbon black particles, and the graphite have 4 wt%, 10 wt%, 10 wt%, or 4 wt%, 13 wt%, 13 wt%.
상기 제 1 방향에서, 상기 발열필름의 양단에 위치하는 제 1 및 제 2 전극을 더 포함하는 형상 기억 복합체.
6. The method of claim 5,
The shape memory composite further comprising first and second electrodes positioned at both ends of the heating film in the first direction.
상기 그라파이트에 의해 형성되는 공간의 연장 방향은 상기 제 1 및 제 2 전극을 연결하는 방향에 평행한 형상 기억 복합체.
8. The method of claim 7,
An extension direction of the space formed by the graphite is parallel to a direction connecting the first and second electrodes.
상기 형상 기억 시트는 형상 기억 합금 또는 형상 기억 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 형상 기억 복합체.
6. The method of claim 5,
The shape memory sheet is a shape memory composite including at least one of a shape memory alloy or a shape memory polymer.
상기 제 1 발열 시트의 외측에 위치하는 보호 시트와, 상기 형상 기억 시트의 제 2 면 측에 위치하는 열 확산 시트를 더 포함하는 형상 기억 복합체.
6. The method of claim 5,
The shape memory composite further comprising: a protective sheet positioned outside the first heat generating sheet; and a heat diffusion sheet positioned on a second surface side of the shape memory sheet.
상기 형상 기억 시트의 제 2 면 측에 위치하고, 고분자 바인더와, 판 형상의 그라파이트와, 탄소 나노 튜브와, 카본 블랙 입자를 포함하는 제 2 발열 시트와;
상기 형상 기억 시트와 상기 제 2 발열 시트 사이에 위치하는 제 2 절연 시트를 더 포함하는 형상 기억 복합체.
6. The method of claim 5,
a second heating sheet positioned on the second surface side of the shape memory sheet and including a polymer binder, plate-shaped graphite, carbon nanotubes, and carbon black particles;
The shape memory composite further comprising a second insulating sheet positioned between the shape memory sheet and the second heating sheet.
상기 제 1 발열 시트와 상기 제 2 발열 시트 각각의 외측에 위치하는 제 1 및 제 2 보호 시트를 더 포함하는 형상 기억 복합체.
12. The method of claim 11,
The shape memory composite further comprising: first and second protective sheets positioned outside each of the first heating sheet and the second heating sheet.
상기 표시패널의 배면을 덮는 프레임과;
상기 프레임의 배면에 부착되는 제 5 항, 제 7 항 내지 제 12항 중 어느 하나의 형상 기억 복합체를 포함하는 가변형 표시장치.
a display panel;
a frame covering a rear surface of the display panel;
A variable display device comprising the shape memory complex of any one of claims 5 and 7 to 12 attached to a rear surface of the frame.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140192313A KR102272048B1 (en) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | Exothermic sheet and Shape memory composite including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140192313A KR102272048B1 (en) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | Exothermic sheet and Shape memory composite including the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160082821A KR20160082821A (en) | 2016-07-11 |
KR102272048B1 true KR102272048B1 (en) | 2021-07-02 |
Family
ID=56499460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140192313A KR102272048B1 (en) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | Exothermic sheet and Shape memory composite including the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102272048B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3174705B1 (en) | 2014-07-30 | 2019-11-27 | General Nano LLC | Carbon nanotube sheet structure and method for its making |
US11021369B2 (en) | 2016-02-04 | 2021-06-01 | General Nano Llc | Carbon nanotube sheet structure and method for its making |
CN114686923B (en) * | 2022-03-15 | 2023-11-10 | 大连交通大学 | Preparation method of intelligent molecular switch |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010081980A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toto Ltd | Heated toilet seat apparatus |
JP2010517206A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | パナソニック株式会社 | Polymer resistor |
JP2012227034A (en) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | Planar heating element |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06173844A (en) * | 1992-07-01 | 1994-06-21 | Meitec Corp | Shape memory actuator |
-
2014
- 2014-12-29 KR KR1020140192313A patent/KR102272048B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517206A (en) * | 2007-01-22 | 2010-05-20 | パナソニック株式会社 | Polymer resistor |
JP2010081980A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Toto Ltd | Heated toilet seat apparatus |
JP2012227034A (en) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | Planar heating element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160082821A (en) | 2016-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zadan et al. | Soft and stretchable thermoelectric generators enabled by liquid metal elastomer composites | |
Yun et al. | Compliant silver nanowire‐polymer composite electrodes for bistable large strain actuation | |
Wei et al. | Direct 3D printing of hybrid nanofiber-based nanocomposites for highly conductive and shape memory applications | |
Dong et al. | MXene-coated wrinkled fabrics for stretchable and multifunctional electromagnetic interference shielding and electro/photo-thermal conversion applications | |
Wu et al. | Caterpillar-inspired soft crawling robot with distributed programmable thermal actuation | |
Zhao et al. | Binary synergistic sensitivity strengthening of bioinspired hierarchical architectures based on fragmentized reduced graphene oxide sponge and silver nanoparticles for strain sensors and beyond | |
Liu et al. | Capillary-force-induced cold welding in silver-nanowire-based flexible transparent electrodes | |
Kang et al. | High-performance graphene-based transparent flexible heaters | |
Lee et al. | Very long Ag nanowire synthesis and its application in a highly transparent, conductive and flexible metal electrode touch panel | |
Lee et al. | Highly stretchable and highly conductive metal electrode by very long metal nanowire percolation network | |
Zhang et al. | Stretchable transparent electrodes with solution-processed regular metal mesh for an electroluminescent light-emitting film | |
US9341166B2 (en) | Electrostrictive composite and electrostrictive element using the same | |
US8802964B2 (en) | Method of using thermoelectric device | |
Son et al. | Flexible organic bistable devices based on graphene embedded in an insulating poly (methyl methacrylate) polymer layer | |
Yu et al. | Large-strain, rigid-to-rigid deformation of bistable electroactive polymers | |
Woo et al. | Highly conductive and stretchable Ag nanowire/carbon nanotube hybrid conductors | |
Huang et al. | Self-limited nanosoldering of silver nanowires for high-performance flexible transparent heaters | |
JP5960226B2 (en) | Electrothermal actuator | |
Yu et al. | Hard carbon nanotube sponges for highly efficient cooling via moisture absorption–desorption process | |
Khan et al. | Self-powered transparent flexible graphene microheaters | |
KR102272048B1 (en) | Exothermic sheet and Shape memory composite including the same | |
TW201241843A (en) | Method for manufacturing a carbon nanotube composite and application | |
Lee et al. | Three-dimensionally printed stretchable conductors from surfactant-mediated composite pastes | |
Martinez et al. | Silver nanowires on carbon nanotube aerogel sheets for flexible, transparent electrodes | |
Meng et al. | Bistable dielectric elastomer actuator with directional motion |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |