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KR102264352B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

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KR102264352B1
KR102264352B1 KR1020197018515A KR20197018515A KR102264352B1 KR 102264352 B1 KR102264352 B1 KR 102264352B1 KR 1020197018515 A KR1020197018515 A KR 1020197018515A KR 20197018515 A KR20197018515 A KR 20197018515A KR 102264352 B1 KR102264352 B1 KR 102264352B1
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KR
South Korea
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liquid
substrate
processing liquid
processing
liquid column
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Application number
KR1020197018515A
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Korean (ko)
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KR20190085129A (en
Inventor
유타 니시무라
겐지 고바야시
세이 네고로
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Filing date
Publication date
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Abstract

기판 처리 장치는, 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과, 상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛을 포함한다. A substrate processing apparatus includes a substrate holding unit for holding a substrate in a horizontal posture, a lower opening facing an upper surface of a substrate held by the substrate holding unit, and a vertical cylindrical space, and continuous upward from the lower opening. a processing liquid nozzle having an inner wall that partitions a cylindrical space comprising: a processing liquid nozzle for discharging the processing liquid from the lower opening; a first liquid column part that liquid-tightly fills a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with the processing liquid; a liquid column forming unit configured to form, on the upper surface of the substrate, a liquid column of the processing liquid, the liquid column continuing upward from the first liquid column portion and including a second liquid column portion formed of the processing liquid collected in the cylindrical space; Includes a physical force imparting unit that imparts physical force to the liquid column portion of

Figure R1020197018515
Figure R1020197018515

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

이 발명은, 처리액을 이용하여 기판의 상면을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing an upper surface of a substrate using a processing liquid. Substrates include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates, substrates for solar cells, and the like are included.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판에 대해 처리액을 이용한 처리가 행해진다. In manufacturing processes, such as a semiconductor device and a liquid crystal display device, the process using a process liquid is performed with respect to board|substrates, such as a semiconductor wafer and the glass substrate for liquid crystal display devices.

기판을 1장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치는, 예를 들어, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액의 액적을 충돌시키는 2유체 노즐과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면을 향해 보호액을 토출하는 보호액 노즐을 구비하고 있다(하기 특허 문헌 1 참조). A single-wafer substrate processing apparatus for processing substrates one by one includes, for example, a spin chuck that rotates the substrate while holding it horizontally, a two-fluid nozzle that collides with droplets of a processing liquid on the upper surface of the substrate held by the spin chuck; , a protection liquid nozzle that discharges the protection liquid toward the upper surface of the substrate held by the spin chuck (see Patent Document 1 below).

이와 같은 기판 처리 장치에 있어서의 세정 처리에서는, 2유체 노즐은, 기판의 상면 내의 영역(이하에서는, 「분사 영역」이라고 한다.)을 향해 처리액을 분사한다. 또, 2유체 노즐로부터의 처리액의 액적의 분사와 병행하여, 보호액 노즐로부터 기판의 상면을 향해 보호액이 토출된다. 보호액 노즐로부터 토출된 보호액은 분사 영역에 진입하고, 보호액의 액막이 분사 영역에 형성된다. 따라서, 처리액의 액적은, 보호액의 액막에 의해 분사 영역이 덮여 있는 상태로 분사 영역에 충돌한다. In the cleaning process in such a substrate processing apparatus, the two-fluid nozzle sprays the processing liquid toward a region within the upper surface of the substrate (hereinafter, referred to as an “injection region”). In parallel with the jetting of the processing liquid droplets from the two-fluid nozzle, the protective liquid is discharged from the protective liquid nozzle toward the upper surface of the substrate. The protective liquid discharged from the protective liquid nozzle enters the spraying area, and a liquid film of the protective liquid is formed in the spraying area. Accordingly, the droplets of the processing liquid collide with the spraying area in a state where the spraying area is covered by the protective liquid film.

미국 특허 출원공개 제2012/247506호 공보US Patent Application Publication No. 2012/247506

높은 세정 성능을 실현하기 위해서, 2유체 노즐의 분사압을 높이는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 2유체 노즐의 분사압이 높으면, 2유체 노즐의 분사되는 처리액의 액적이, 보호액의 액막을 분사 영역의 주위로 밀어내어 버릴 우려가 있다. 이 경우, 후속의 처리액의 액적이 보호액의 액막으로 보호되어 있지 않은 분사 영역에 직접 충돌할 우려가 있다. 즉, 충분한 두께를 가지는 보호액의 액막으로 분사 영역을 확실히 계속 덮는 것은 어렵다. 그 결과, 2유체 노즐로부터의 처리액의 액적의 분사에 의해, 기판의 상면에 데미지를 줄 우려가 있다. In order to realize high cleaning performance, it is conceivable to increase the injection pressure of the two-fluid nozzle. However, when the injection pressure of the two-fluid nozzle is high, there is a risk that the droplets of the processing liquid injected by the two-fluid nozzle push the liquid film of the protective liquid to the periphery of the injection region. In this case, there is a possibility that the droplets of the subsequent processing liquid directly collide with the injection region not protected by the protective liquid film. That is, it is difficult to reliably and continuously cover the spraying area with a liquid film of the protective liquid having a sufficient thickness. As a result, there is a possibility that the upper surface of the substrate may be damaged by the jetting of droplets of the processing liquid from the two-fluid nozzle.

한편, 기판으로의 데미지를 회피하기 위해서, 2유체 노즐의 분사압을 낮추는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 이 경우, 처리액의 액적의 분사에 수반하는 세정 능력이 저하하는 결과, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 없다. On the other hand, in order to avoid damage to a board|substrate, it is also conceivable to lower the injection pressure of a two-fluid nozzle. However, in this case, as a result of a decrease in the cleaning ability accompanying the jetting of the processing liquid droplets, the upper surface of the substrate cannot be cleaned satisfactorily.

즉, 특허 문헌 1의 수법에서는, 기판에 주는 데미지를 저감하면서, 세정 성능을 높이는 것에 한계가 있다. That is, the method of Patent Document 1 has a limit in improving cleaning performance while reducing damage to the substrate.

따라서, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 액적 노즐로부터의 처리액의 액적을 이용하여 기판의 상면을 양호하게 처리하는 것이 요구되고 있다. Accordingly, there is a demand for satisfactory treatment of the upper surface of the substrate using droplets of the processing liquid from the droplet nozzle while suppressing damage to the substrate.

이와 같은 과제는, 처리액의 액적을 기판에 분사하는 액적 세정에 한정되지 않고, 초음파 진동이 부여된 처리액을 기판에 공급함으로써, 기판으로부터 이물을 제거하는 초음파 세정에도 공통되어 있다. Such a problem is not limited to droplet cleaning in which droplets of a processing liquid are sprayed onto the substrate, but is also common to ultrasonic cleaning in which foreign substances are removed from the substrate by supplying the processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate.

그래서, 본 발명의 목적은, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 물리력을 이용하여 기판을 양호하게 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다. Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of cleaning a substrate favorably using a physical force while suppressing damage to the substrate.

이 발명은, 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주(液柱) 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과, 상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다. According to the present invention, a substrate holding unit for holding a substrate in a horizontal posture, a lower opening facing an upper surface of a substrate held by the substrate holding unit, and a vertical cylindrical space are continuous upward from the lower opening. a processing liquid nozzle having an inner wall dividing the cylindrical space and discharging the processing liquid from the lower opening, and a first liquid column portion liquid-tightly filling a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with the processing liquid and a liquid column forming unit for forming on the upper surface of the substrate a liquid column of the processing liquid including a second liquid column portion which is continuous upward from the first liquid column portion and consists of the treatment liquid collected in the cylindrical space; and a physical force imparting unit that applies a physical force to the second liquid column portion.

이 구성에 의하면, 처리액 노즐에 의해 기판의 상면에 처리액의 액주가 형성된다. 처리액의 액주는, 처리액 노즐의 하부 개구와 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함한다. 물리력 부여 유닛에 의해 제2의 액주 부분에 물리력이 부여된다. 이것에 의해, 처리액의 액주에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주를 전파하여 기판의 상면에 주어진다. 그 결과, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. According to this configuration, a liquid column of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate by the processing liquid nozzle. The liquid column of the processing liquid includes a first liquid column portion that liquid-tightly fills a space between the lower opening of the processing liquid nozzle and the upper surface of the substrate with the processing liquid, and the processing liquid that is continuous upward from the first liquid column portion and is collected in the cylindrical space It includes a second liquid column portion consisting of. A physical force is imparted to the second liquid column portion by the physical force imparting unit. As a result, a shock wave is generated on the liquid column of the processing liquid, and the shock wave propagates through the liquid column of the processing liquid and is applied to the upper surface of the substrate. As a result, the upper surface of the substrate can be cleaned satisfactorily.

이 경우, 물리력 부여 유닛으로부터의 물리력을, 처리액의 액주를 통하여 기판에 부여하므로, 물리력 부여 유닛으로부터의 물리력을 기판에 직접 부여하는 경우와 비교해, 기판에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since the physical force from the physical force imparting unit is applied to the substrate through the liquid column of the processing liquid, damage to the substrate can be reduced compared to the case where the physical force from the physical force imparting unit is directly applied to the substrate.

그러므로, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 물리력을 이용하여 기판을 양호하게 세정할 수 있다. Therefore, the board|substrate can be cleaned favorably using a physical force, suppressing damage to a board|substrate.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 액주 형성 유닛은, 상기 물리력 부여 유닛에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 더 포함하고 있어도 된다. In one embodiment of the present invention, the liquid column forming unit may further include a processing liquid supply unit configured to supply the processing liquid to the cylindrical space irrespective of the physical force imparting unit.

이 구성에 의하면, 처리액 공급 유닛으로부터의 처리액이 통형상 공간에 공급된다. 그 때문에, 통형상 공간에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. 이것에 의해, 기판의 상면에 액주를 양호하게 형성할 수 있다. According to this configuration, the processing liquid from the processing liquid supply unit is supplied to the cylindrical space. Therefore, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space. Thereby, a liquid column can be formed favorably on the upper surface of a board|substrate.

또, 상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급구가 형성되어 있고, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 처리액 공급구로부터 처리액을 수평으로 상기 통형상 공간에 도입하고 있어도 된다. A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the cylindrical space is formed in the inner wall, and the processing liquid supply unit horizontally introduces the processing liquid from the processing liquid supply port into the cylindrical space, there may be

이 구성에 의하면, 통형상 공간에 수평으로 도입된 처리액은, 하부 개구로부터 바로 유출되지 않고 통형상 공간에 일단 멈춘다. 즉, 통형상 공간에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. According to this configuration, the processing liquid horizontally introduced into the cylindrical space does not immediately flow out from the lower opening, but temporarily stops in the cylindrical space. That is, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space.

또, 상기 처리액 노즐은, 상기 내벽으로부터 횡방향으로 튀어나오는 플랜지를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 통형상 공간과 상기 플랜지에 형성된 처리액 도입구를 연통하는 제1의 공급 유로를 포함하고 있어도 된다. Further, the processing liquid nozzle may include a flange protruding laterally from the inner wall. In this case, the processing liquid supply unit may include a first supply flow path communicating the cylindrical space and the processing liquid introduction port formed in the flange.

이 구성에 의하면, 플랜지의 내부에 제1의 공급 유로가 형성되어 있으므로, 플랜지의 내부를 유효 활용할 수 있다. 그 때문에, 처리액 노즐 밖에 제1의 공급 유로를 별도 설치할 필요가 없기 때문에, 부품 점수의 저감 및/또는 처리액 공급 유닛의 소형화를 도모할 수 있다. According to this structure, since the 1st supply flow path is formed in the inside of a flange, the inside of a flange can be utilized effectively. Therefore, since it is not necessary to separately provide the first supply passage outside the processing liquid nozzle, a reduction in the number of parts and/or downsizing of the processing liquid supply unit can be achieved.

또, 상기 처리액 노즐은, 상기 내벽을 가지는 내통과, 상기 내통의 측방을 둘러싸는 외통을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 처리액 공급 유닛은, 상기 내통과 상기 외통의 사이에 구획된 통형상의 제2의 공급 유로를 포함하고 있어도 된다. In addition, the processing liquid nozzle may include an inner cylinder having the inner wall and an outer cylinder surrounding a side of the inner cylinder. In this case, the processing liquid supply unit may include a second cylindrical supply passage partitioned between the inner cylinder and the outer cylinder.

이 구성에 의하면, 상기 내통과 상기 외통의 사이에 구획된 통형상의 제2의 공급 유로를 구획하기 때문에, 별로 공급 경로를 설치할 필요가 없기 때문에, 부품 점수의 저감 및/또는 처리액 공급 유닛의 소형화를 도모할 수 있다. According to this configuration, since the second supply passage in the cylindrical shape partitioned between the inner cylinder and the outer cylinder is partitioned, it is not necessary to provide a separate supply path, thereby reducing the number of parts and/or of the treatment liquid supply unit. miniaturization can be achieved.

또, 상기 액주 형성 유닛은, 상기 하부 개구와 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면 사이의 간격을 변경하는 제1의 간격 변경 유닛을 포함하고 있어도 된다. Further, the liquid column forming unit may include a first interval changing unit for changing the interval between the lower opening and the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit.

이 구성에 의하면, 하부 개구와 기판의 상면 사이의 간격을 변경함으로써, 제1의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경할 수 있다. 그 때문에, 처리액의 액주의 상하 방향의 두께를, 처리액의 액주를 전파하는 충격파가, 기판의 상면에 데미지를 주지 않고, 또한 기판의 상면에 충분한 세정력을 부여할 수 있는 최적의 두께로 조정하는 것이 가능하다. According to this configuration, the thickness in the vertical direction of the first liquid column portion can be changed by changing the interval between the lower opening and the upper surface of the substrate. Therefore, the thickness in the vertical direction of the liquid column of the processing liquid is adjusted to an optimal thickness so that the shock wave propagating the liquid column of the processing liquid does not damage the upper surface of the substrate and can provide sufficient cleaning power to the upper surface of the substrate. it is possible to do

또, 상기 기판 처리 장치가, 상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 유닛을 더 포함하는, 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치이다. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate processing apparatus further includes a second interval changing unit configured to change an interval between the liquid level of the second liquid column portion and the lower opening. it is a device

이 구성에 의하면, 제2의 액주 부분의 액면과 하부 개구 사이의 간격을 변경함으로써, 제2의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경하는 것이 가능하다. 그 때문에, 처리액의 액주의 상하 방향의 두께를, 처리액의 액주를 전파하는 충격파가, 기판의 상면에 데미지를 주지 않고, 또한 기판의 상면에 충분한 세정력을 부여할 수 있는 최적의 두께로 조정하는 것이 가능하다. According to this configuration, it is possible to change the thickness in the vertical direction of the second liquid column portion by changing the interval between the liquid level and the lower opening of the second liquid column portion. Therefore, the thickness in the vertical direction of the liquid column of the processing liquid is adjusted to an optimal thickness so that the shock wave propagating the liquid column of the processing liquid does not damage the upper surface of the substrate and can provide sufficient cleaning power to the upper surface of the substrate. it is possible to do

또, 제2의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경시킴으로써, 하부 개구와 기판의 상면 사이의 간격에 관계없이, 처리액의 액주의 두께를 조정할 수 있다. 이것에 의해, 제1의 액주 부분의 기둥형상의 형체를 유지하면서, 처리액의 액주의 두께를 최적의 두께로 조정할 수 있다. In addition, by changing the thickness of the second liquid column portion in the vertical direction, the thickness of the liquid column of the processing liquid can be adjusted regardless of the distance between the lower opening and the upper surface of the substrate. Thereby, the thickness of the liquid column of the processing liquid can be adjusted to an optimum thickness while maintaining the columnar shape of the first liquid column portion.

또, 상기 처리액 노즐은, 상기 내벽의 하측 부분으로부터 횡방향으로 튀어나오는 플랜지를 포함하고 있어도 된다. Further, the processing liquid nozzle may include a flange protruding laterally from a lower portion of the inner wall.

이 구성에 의하면, 하부 개구로부터 토출되어 기판의 상면에서 튀어 되돌아온 처리액이 주위에 비산하는 것을 억제할 수 있다. According to this configuration, it is possible to suppress scattering of the processing liquid discharged from the lower opening and bounced back from the upper surface of the substrate from scattering to the surroundings.

또, 상기 물리력 부여 유닛이, 상기 제2의 액주 부분의 액면을 향해 처리액의 액적을 분사하는 액적 분사 유닛을 포함하고 있어도 된다. Further, the physical force imparting unit may include a droplet ejection unit that ejects droplets of the processing liquid toward the liquid level of the second liquid column portion.

이 구성에 의하면, 제2의 액주 부분의 액면으로의 처리액의 액적의 분사에 의해 제2의 액주 부분의 액면에 진동이 부여되고, 이것에 의해, 처리액의 액주에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주를 전파하여 기판의 상면에 주어진다. 이것에 의해, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. According to this configuration, vibration is imparted to the liquid level of the second liquid column portion by the injection of droplets of the processing liquid onto the liquid surface of the second liquid column portion, thereby generating a shock wave in the liquid column of the treatment liquid, The shock wave propagates the liquid column of the treatment liquid and is applied to the upper surface of the substrate. Thereby, the upper surface of a board|substrate can be wash|cleaned favorably.

이 경우, 액적 분사 유닛으로부터의 처리액의 액적을, 처리액의 액주를 통하여 기판에 부여하므로, 액적 분사 유닛으로부터의 처리액의 액적을, 기판에 직접 부여하는 경우와 비교해, 기판에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since droplets of the processing liquid from the droplet ejection unit are applied to the substrate through the liquid column of the processing liquid, damage to the substrate is reduced compared to the case where droplets of the processing liquid from the droplet ejection unit are directly applied to the substrate can be reduced.

그러므로, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 처리액의 액적에 의한 진동을 이용한 세정 처리를 기판에 양호하게 실시할 수 있다. Therefore, the substrate can be favorably subjected to a cleaning treatment using vibrations caused by droplets of the processing liquid while suppressing damage to the substrate.

또, 상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 존재하고 있는 기체를 상기 통형상 공간 밖으로 도출하는 도출구가 형성되어 있어도 된다. Moreover, the outlet which leads|leads-out the gas which exists in the said cylindrical space to the outside of the said cylindrical space may be formed in the said inner wall.

이 구성에 의하면, 내벽에 도출구가 설치되어 있다. 제2의 액주 부분의 액면으로의 처리액의 액적의 분사압 때문에, 통형상 공간의 내부 압력이 고압이 될 우려가 있다. 통형상 공간에 존재하는 기체를, 도출구를 통과시켜 통형상 공간 밖으로 배제함으로써, 통형상 공간의 내부 압력을 저감시킬 수 있다. 그러므로, 처리액의 액주를 양호하게 형성할 수 있다. According to this structure, the outlet is provided in the inner wall. Due to the injection pressure of the droplet of the processing liquid to the liquid level of the second liquid column portion, there is a possibility that the internal pressure of the cylindrical space becomes high. The internal pressure of the cylindrical space can be reduced by excluding the gas existing in the cylindrical space to the outside of the cylindrical space through the outlet. Therefore, the liquid column of the processing liquid can be formed favorably.

상기 처리액 공급 유닛에 의해 공급되는 처리액의 종류가, 상기 액적 분사 유닛으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류와 동일해도 된다. 또, 상기 처리액 공급 유닛에 의해 공급되는 처리액의 종류가, 상기 액적 분사 유닛으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류와 상이해도 된다. The type of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit may be the same as the type of the processing liquid droplets injected from the droplet ejection unit. In addition, the type of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit may be different from the type of the processing liquid droplets injected from the droplet ejection unit.

상기 물리력 부여 유닛이, 상기 제2의 액주 부분에 접액(接液)하여, 상기 제2의 액주 부분에 초음파 진동을 부여하는 초음파 진동자를 포함하고 있어도 된다. The physical force imparting unit may include an ultrasonic vibrator that comes into contact with the second liquid column portion and imparts ultrasonic vibration to the second liquid column portion.

이 구성에 의하면, 제2의 액주 부분에 초음파 진동자로부터 초음파 진동이 부여됨으로써, 처리액의 액주에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주를 전파하여 기판의 상면에 주어진다. 이것에 의해, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. According to this configuration, when ultrasonic vibration is applied to the second liquid column portion from the ultrasonic vibrator, a shock wave is generated in the liquid column of the processing liquid, and the shock wave propagates the liquid column of the processing liquid and is applied to the upper surface of the substrate. Thereby, the upper surface of a board|substrate can be wash|cleaned favorably.

이 경우, 액주의 높이를 충분히 확보할 수 있으므로, 얇은 액막을 통하여 초음파 진동을 기판에 부여하는 경우와 비교해, 기판에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since the height of the liquid column can be sufficiently secured, damage to the substrate can be reduced compared to the case where ultrasonic vibration is applied to the substrate through a thin liquid film.

이것에 의해, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 초음파 진동이 부여된 처리액을 이용한 세정 처리를 기판에 양호하게 실시할 수 있다. Thereby, the cleaning process using the processing liquid to which the ultrasonic vibration was provided can be performed favorably to a board|substrate, suppressing damage to a board|substrate.

상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 연직축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛과, 상기 기판 회전 유닛에 의해 회전되어 있는 기판의 상면에 있어서, 상기 처리액의 액주가 형성되는 액주 형성 영역을, 상기 기판의 상면의 중앙부와 상기 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시키는 액주 형성 영역 이동 유닛을 더 포함하고 있어도 된다. In the substrate processing apparatus, a substrate rotation unit for rotating the substrate held by the substrate holding unit around a vertical axis passing through the central portion of the substrate, and an upper surface of the substrate rotated by the substrate rotation unit, The liquid column forming region moving unit may further include a liquid column forming region moving unit that moves the liquid column forming region in which the liquid column of the processing liquid is formed between the central portion of the upper surface of the substrate and the peripheral portion of the upper surface of the substrate.

이 구성에 의하면, 연직축선 둘레로 기판을 회전시키면서, 액주 형성 영역을, 기판의 상면의 중앙부와 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시킴으로써, 액주 형성 영역을, 기판의 상면의 전역을 주사시킬 수 있다. 이것에 의해, 물리력이 부여된 처리액의 액주를 이용하여, 기판의 상면의 전역을 양호하게 세정할 수 있다. According to this configuration, the liquid column formation region can be scanned over the entire upper surface of the substrate by moving the liquid column formation region between the central portion of the upper surface of the substrate and the peripheral portion of the upper surface of the substrate while rotating the substrate about the vertical axis. have. Thereby, the entire upper surface of the substrate can be satisfactorily cleaned using the liquid column of the processing liquid to which the physical force is applied.

이 발명은, 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지는 처리액 노즐을, 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 하부 개구가 대향하도록 배치하는 노즐 배치 공정과, 상기 처리액 노즐에 처리액을 공급함으로써, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 공정과, 상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다. According to the present invention, a treatment liquid nozzle having a lower opening and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuing upward from the lower opening, the lower opening is disposed on an upper surface of a substrate held in a horizontal position. a first liquid column portion for liquid-tightly filling a space between the lower opening and an upper surface of the substrate with a treatment liquid by supplying a treatment liquid to the treatment liquid nozzle, and the first liquid column portion; a liquid column forming step of forming on the upper surface of the substrate a liquid column of a treatment liquid which is continuous upward from and includes a second liquid column portion made of the treatment liquid collected in the cylindrical space, and a physical force applied to the second liquid column portion It provides a method for treating a substrate, including a step of applying a physical force to

이 방법에 의하면, 처리액 노즐에 의해 기판의 상면에 처리액의 액주가 형성된다. 처리액의 액주는, 처리액 노즐의 하부 개구와 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함한다. 물리력 부여 유닛에 의해 제2의 액주 부분에 물리력이 부여된다. 이것에 의해, 처리액의 액주에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주를 전파하여 기판의 상면에 주어진다. 그 결과, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. According to this method, a liquid column of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate by the processing liquid nozzle. The liquid column of the processing liquid includes a first liquid column portion that liquid-tightly fills a space between the lower opening of the processing liquid nozzle and the upper surface of the substrate with the processing liquid, and the processing liquid that is continuous upward from the first liquid column portion and is collected in the cylindrical space It includes a second liquid column portion consisting of. A physical force is imparted to the second liquid column portion by the physical force imparting unit. As a result, a shock wave is generated on the liquid column of the processing liquid, and the shock wave propagates through the liquid column of the processing liquid and is applied to the upper surface of the substrate. As a result, the upper surface of the substrate can be cleaned satisfactorily.

이 경우, 물리력 부여 유닛으로부터의 물리력을, 처리액의 액주를 통하여 기판에 부여하므로, 물리력 부여 유닛으로부터의 물리력을 기판에 직접 부여하는 경우와 비교해, 기판에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since the physical force from the physical force imparting unit is applied to the substrate through the liquid column of the processing liquid, damage to the substrate can be reduced compared to the case where the physical force from the physical force imparting unit is directly applied to the substrate.

그러므로, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 물리력을 이용하여 기판을 양호하게 세정할 수 있다. Therefore, the board|substrate can be cleaned favorably using a physical force, suppressing damage to a board|substrate.

상기 액주 형성 공정은, 상기 물리력 부여 공정에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 포함하고 있어도 된다. The liquid column forming step may include a treatment liquid supplying step of supplying the treatment liquid to the cylindrical space irrespective of the physical force application step.

이 방법에 의하면, 처리액 공급 유닛으로부터의 처리액이 통형상 공간에 공급된다. 그 때문에, 통형상 공간에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. 이것에 의해, 기판의 상면에 액주를 양호하게 형성할 수 있다. According to this method, the processing liquid from the processing liquid supply unit is supplied to the cylindrical space. Therefore, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space. Thereby, a liquid column can be formed favorably on the upper surface of a board|substrate.

상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급구가 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 처리액 공급 공정은, 상기 처리액 공급구로부터 처리액을 수평으로 상기 통형상 공간에 도입하는 공정을 포함하고 있어도 된다. A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the cylindrical space may be formed in the inner wall. In this case, the processing liquid supply step may include a step of horizontally introducing the processing liquid from the processing liquid supply port into the cylindrical space.

이 방법에 의하면, 통형상 공간에 수평으로 도입된 처리액은, 하부 개구로부터 바로 유출되지 않고 통형상 공간에 일단 멈춘다. 즉, 통형상 공간에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. According to this method, the processing liquid horizontally introduced into the cylindrical space does not immediately flow out from the lower opening, but temporarily stops in the cylindrical space. That is, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space.

상기 액주 형성 공정은, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면 사이의 간격을 변경하는 제1의 간격 변경 공정을 포함하고 있어도 된다. The liquid column forming step may include a first interval changing step of changing the interval between the lower opening and the upper surface of the substrate.

이 방법에 의하면, 하부 개구와 기판의 상면 사이의 간격을 변경함으로써, 제1의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경할 수 있다. 그 때문에, 처리액의 액주의 상하 방향의 두께를, 처리액의 액주를 전파하는 충격파가, 기판의 상면에 데미지를 주지 않고, 또한 기판의 상면에 충분한 세정력을 부여할 수 있는 최적의 두께로 조정하는 것이 가능하다. According to this method, the thickness in the vertical direction of the first liquid column portion can be changed by changing the distance between the lower opening and the upper surface of the substrate. Therefore, the thickness in the vertical direction of the liquid column of the processing liquid is adjusted to an optimal thickness so that the shock wave propagating the liquid column of the processing liquid does not damage the upper surface of the substrate and can provide sufficient cleaning power to the upper surface of the substrate. it is possible to do

상기 기판 처리 방법이, 상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 공정을 더 포함하고 있어도 된다. The substrate processing method may further include a second interval changing step of changing the interval between the liquid level of the second liquid column portion and the lower opening.

이 방법에 의하면, 제2의 액주 부분의 액면과 하부 개구 사이의 간격을 변경함으로써, 제2의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경하는 것이 가능하다. 그 때문에, 처리액의 액주의 상하 방향의 두께를, 처리액의 액주를 전파하는 충격파가, 기판의 상면에 데미지를 주지 않고, 또한 기판의 상면에 충분한 세정력을 부여할 수 있는 최적의 두께로 조정하는 것이 가능하다. According to this method, it is possible to change the thickness in the vertical direction of the second liquid column portion by changing the interval between the liquid level and the lower opening of the second liquid column portion. Therefore, the thickness in the vertical direction of the liquid column of the processing liquid is adjusted to an optimal thickness so that the shock wave propagating the liquid column of the processing liquid does not damage the upper surface of the substrate and can provide sufficient cleaning power to the upper surface of the substrate. it is possible to do

또, 제2의 액주 부분의 상하 방향의 두께를 변경시킴으로써, 하부 개구와 기판의 상면 사이의 간격에 관계없이, 처리액의 액주의 두께를 조정할 수 있다. 이것에 의해, 제1의 액주 부분의 기둥형상의 형체를 유지하면서, 처리액의 액주의 두께를 최적의 두께로 조정할 수 있다. In addition, by changing the thickness of the second liquid column portion in the vertical direction, the thickness of the liquid column of the processing liquid can be adjusted regardless of the distance between the lower opening and the upper surface of the substrate. Thereby, the thickness of the liquid column of the processing liquid can be adjusted to an optimum thickness while maintaining the columnar shape of the first liquid column portion.

상기 물리력 부여 공정이, 상기 제2의 액주 부분의 액면을 향해 처리액의 액적을 분사하는 액적 분사 공정을 포함하고 있어도 된다. The physical force application step may include a droplet jetting step of jetting droplets of the processing liquid toward the liquid level of the second liquid column portion.

이 방법에 의하면, 제2의 액주 부분의 액면으로의 처리액의 액적의 분사에 의해 제2의 액주 부분의 액면에 진동이 부여되고, 이것에 의해, 처리액의 액주에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주를 전파하여 기판의 상면에 주어진다. 이것에 의해, 기판의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. According to this method, vibration is imparted to the liquid level of the second liquid column portion by the injection of droplets of the treatment liquid onto the liquid surface of the second liquid column portion, thereby generating a shock wave in the liquid column of the treatment liquid, The shock wave propagates the liquid column of the treatment liquid and is applied to the upper surface of the substrate. Thereby, the upper surface of a board|substrate can be wash|cleaned favorably.

이 경우, 액적 분사 유닛으로부터의 처리액의 액적을, 처리액의 액주를 통하여 기판에 부여하므로, 액적 분사 유닛으로부터의 처리액의 액적을, 기판에 직접 부여하는 경우와 비교해, 기판에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since droplets of the processing liquid from the droplet ejection unit are applied to the substrate through the liquid column of the processing liquid, damage to the substrate is reduced compared to the case where droplets of the processing liquid from the droplet ejection unit are directly applied to the substrate can be reduced.

그러므로, 기판으로의 데미지를 억제하면서, 처리액의 액적에 의한 진동을 이용한 세정 처리를 기판에 양호하게 실시할 수 있다. Therefore, the substrate can be favorably subjected to a cleaning treatment using vibrations caused by droplets of the processing liquid while suppressing damage to the substrate.

상기 기판 처리 방법이, 상기 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 연직축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과, 상기 기판 회전 공정에 있어서, 상기 처리액의 액주가 형성되는 액류 형성 영역을, 상기 기판의 상면의 중앙부와, 상기 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시키는 액주 형성 영역 이동 공정을 더 포함하고 있어도 된다. In the substrate processing method, a substrate rotation step of rotating the substrate around a vertical axis passing through a central portion of the substrate, and a liquid flow formation region in which a liquid column of the processing liquid is formed in the substrate rotation step, the substrate The liquid column forming region moving step of moving between the central portion of the upper surface of the substrate and the peripheral portion of the upper surface of the substrate may be further included.

이 방법에 의하면, 연직축선 둘레로 기판을 회전시키면서, 액주 형성 영역을, 기판의 상면의 중앙부와 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시킴으로써, 액주 형성 영역을, 기판의 상면의 전역을 주사시킬 수 있다. 이것에 의해, 물리력이 부여된 처리액의 액주를 이용하여, 기판의 상면의 전역을 양호하게 세정할 수 있다. According to this method, the liquid column formation region can be scanned over the entire upper surface of the substrate by moving the liquid column formation region between the central portion of the upper surface of the substrate and the periphery of the upper surface of the substrate while rotating the substrate about the vertical axis. have. Thereby, the entire upper surface of the substrate can be satisfactorily cleaned using the liquid column of the processing liquid to which the physical force is applied.

본 발명에 있어서의 상술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시 형태의 설명에 의해 분명해진다. The above-mentioned or still another objective in this invention, a characteristic, and an effect become clear by description of embodiment described next with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 포함되는 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 상기 처리 유닛에 포함되는 처리액 노즐의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
도 4는, 도 3을, 절단면선 IV-IV에서 본 횡단면도이다.
도 5는, 상기 처리액 노즐의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
도 6은, 상기 처리액 노즐에 포함되는 제1의 물리력 부여 유닛의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
도 7은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다.
도 8은, 상기 기판 처리 장치에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는, 상기 기판 처리예에 있어서의 물리 세정 처리 공정을 설명하기 위한 모식적인 도이다.
도 10은, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 처리액 노즐의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다.
도 11은, 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 처리액 노즐의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다. 1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit included in the substrate processing apparatus.
3 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of a processing liquid nozzle included in the processing unit.
Fig. 4 is a cross-sectional view of Fig. 3 taken along the line IV-IV.
5 is a schematic longitudinal cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing liquid nozzle.
6 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of a first physical force imparting unit included in the processing liquid nozzle.
7 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus.
8 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the substrate processing apparatus.
9 is a schematic diagram for explaining a physical cleaning processing step in the above-described substrate processing example.
10 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of a processing liquid nozzle according to a second embodiment of the present invention.
11 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of a processing liquid nozzle according to a third embodiment of the present invention.

도 1은, 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판(W)을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 이 실시 형태에서는, 기판(W)은, 원판형상의 기판이다. 기판 처리 장치(1)는, 처리액으로 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)으로 처리되는 복수장의 기판(W)을 수용하는 캐리어(C1)가 재치(載置)되는 로드 포트(LP)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2)의 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(IR 및 CR)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 반송 로봇(IR)은, 캐리어(C1)와 반송 로봇(CR)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(CR)은, 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 예를 들어, 동일한 구성을 가지고 있다. 1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus which processes the board|substrates W, such as a silicon wafer, one by one. In this embodiment, the board|substrate W is a disk-shaped board|substrate. In the substrate processing apparatus 1 , a plurality of processing units 2 that process a substrate W with a processing liquid and a carrier C1 accommodating a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 are mounted. Controls the load port LP to be moved, the transfer robots IR and CR for transferring the substrate W between the load port LP and the processing unit 2 , and the substrate processing apparatus 1 . It includes a control device (3) that The transfer robot IR transfers the substrate W between the carrier C1 and the transfer robot CR. The transfer robot CR transfers the substrate W between the transfer robot IR and the processing unit 2 . The plurality of processing units 2 have, for example, the same configuration.

도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2 .

처리 유닛(2)은, 상자형의 챔버(4)와, 챔버(4) 내에서 한 장의 기판(W)을 수평의 자세로 유지하고, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직의 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(기판 유지 유닛)(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐(6)과, 처리액 노즐(6)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛(7)을 포함한다. The processing unit 2 includes a box-shaped chamber 4 and a vertical axis of rotation passing through the center of the substrate W while maintaining a single substrate W in the chamber 4 in a horizontal position. A1) A spin chuck (substrate holding unit) 5 for rotating the substrate W around, and a processing liquid nozzle 6 for discharging processing liquid to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 ) and a processing liquid supply unit 7 configured to supply the processing liquid to the processing liquid nozzle 6 .

챔버(4)는, 스핀 척(5)이나 노즐을 수용하는 상자형상의 격벽(10)과, 격벽(10)의 상부로부터 격벽(10) 내에 청정 공기(필터에 의해 여과된 공기)를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(팬·필터·유닛)(11)과, 격벽(10)의 하부로부터 챔버(4) 내의 기체를 배출하는 배기 덕트(12)를 포함한다. FFU(11)는, 격벽(10)의 상방에 배치되어 있고, 격벽(10)의 천정에 부착되어 있다. FFU(11)는, 격벽(10)의 천정으로부터 챔버(4) 내로 하향으로 청정 공기를 보낸다. 배기 덕트(12)는, 처리 컵(9)의 저부에 접속되어 있고, 기판 처리 장치(1)가 설치되는 공장에 설치된 배기 처리 설비를 향해 챔버(4) 내의 기체를 도출한다. 따라서, 챔버(4) 내를 하방으로 흐르는 다운 플로우(하강류)가, FFU(11) 및 배기 덕트(12)에 의해 형성된다. 기판(W)의 처리는, 챔버(4) 내에 다운 플로우가 형성되어 있는 상태로 행해진다. The chamber 4 includes a box-shaped partition 10 for accommodating the spin chuck 5 and the nozzle, and blower that sends clean air (air filtered by a filter) into the partition 10 from the upper portion of the partition 10 . An FFU (fan filter unit) 11 as a unit and an exhaust duct 12 for discharging gas in the chamber 4 from the lower portion of the partition wall 10 are included. The FFU 11 is disposed above the partition wall 10 and is attached to the ceiling of the partition wall 10 . The FFU 11 sends clean air downward into the chamber 4 from the ceiling of the partition wall 10 . The exhaust duct 12 is connected to the bottom of the processing cup 9 , and exhausts the gas in the chamber 4 toward an exhaust treatment facility installed in a factory where the substrate processing apparatus 1 is installed. Accordingly, a downflow (downflow) flowing downward through the chamber 4 is formed by the FFU 11 and the exhaust duct 12 . The processing of the substrate W is performed in a state in which a down flow is formed in the chamber 4 .

스핀 척(5)으로서, 기판(W)을 수평 방향으로 끼우고 기판(W)을 수평으로 유지하는 협지식의 척이 채용되어 있다. 구체적으로는, 스핀 척(5)은, 스핀 모터(기판 회전 유닛)(13)와, 이 스핀 모터(13)의 구동축과 일체화된 스핀축(14)과, 스핀축(14)의 상단에 대략 수평으로 부착된 원판형상의 스핀 베이스(15)를 포함한다. As the spin chuck 5 , a clamping chuck that sandwiches the substrate W in the horizontal direction and holds the substrate W horizontally is employed. Specifically, the spin chuck 5 includes a spin motor (substrate rotation unit) 13 , a spin shaft 14 integrated with a drive shaft of the spin motor 13 , and an upper end of the spin shaft 14 . It includes a disk-shaped spin base 15 attached horizontally.

스핀 베이스(15)의 상면에는, 그 주연부에 복수개(3개 이상. 예를 들어 6개)의 협지 부재(16)가 배치되어 있다. 복수개의 협지 부재(16)는, 스핀 베이스(15)의 상면 주연부에 있어서, 기판(W)의 외주 형상에 대응하는 원주 상에서 적당한 간격을 두고 배치되어 있다. On the upper surface of the spin base 15, a plurality of (three or more, for example, six) clamping members 16 are arranged on the periphery thereof. The plurality of clamping members 16 are arranged at appropriate intervals on a circumference corresponding to the outer circumference shape of the substrate W in the upper periphery of the spin base 15 .

또, 스핀 척(5)으로서는, 협지식인 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 기판(W)의 이면을 진공 흡착함으로써, 기판(W)을 수평의 자세로 유지하고, 또한 그 상태로 연직의 회전축선 둘레로 회전함으로써, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을 회전시키는 진공 흡착식인 것(배큠 척)이 채용되어도 된다. In addition, the spin chuck 5 is not limited to a clamping type, for example, by vacuum-sucking the back surface of the substrate W, the substrate W is held in a horizontal posture, and a vertical rotation axis is maintained in that state. A vacuum suction type thing (a vacuum chuck) which rotates the board|substrate W hold|maintained by the spin chuck 5 by rotating around a line may be employ|adopted.

처리액 노즐(6)은, 기판(W)의 상면에 있어서의 처리액의 공급 위치를 변경할 수 있는 스캔 노즐로서의 기본 형태를 가지고 있다. 처리액 노즐(6)은, 스핀 척(5)의 상방에서 거의 수평으로 연장된 노즐 아암(17)의 선단부에 부착되어 있다. 노즐 아암(17)은, 스핀 척(5)의 측방으로 거의 연직으로 연장된 아암 지지축(도시하지 않음)에 지지되어 있다. 노즐 아암(17)에는, 모터 등으로 구성되는 아암 요동 유닛(액주 형성 영역 이동 유닛)(19)이 결합되어 있다. 아암 요동 유닛(19)의 구동에 의해, 노즐 아암(17)을, 아암 지지축을 중심으로 하여 수평면 내에서 요동시킬 수 있다. 이 요동에 의해, 이 요동축선 둘레로, 처리액 노즐(6)을 회동시킬 수 있게 되어 있다. The processing liquid nozzle 6 has a basic form as a scan nozzle capable of changing the supply position of the processing liquid on the upper surface of the substrate W. The processing liquid nozzle 6 is attached to the tip of the nozzle arm 17 extending substantially horizontally above the spin chuck 5 . The nozzle arm 17 is supported by an arm support shaft (not shown) extending substantially vertically to the side of the spin chuck 5 . An arm swinging unit (liquid column formation region moving unit) 19 constituted by a motor or the like is coupled to the nozzle arm 17 . By driving the arm swinging unit 19 , the nozzle arm 17 can be rocked in a horizontal plane centering on the arm support shaft. By this oscillation, the processing liquid nozzle 6 can be rotated around the oscillation axis.

또, 노즐 아암(17)에는, 서보모터나 볼나사 기구 등으로 구성되는 아암 승강 유닛(제1의 간격 변경 유닛)(20)이 결합되어 있다. 아암 승강 유닛(20)의 구동에 의해 노즐 아암(17)을 승강시키고, 이 승강에 의해, 처리액 노즐(6)을 승강시킬 수 있다. 아암 승강 유닛(20)의 승강에 의해, 처리액 노즐(6)을, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면과 처리액 노즐(6)의 하단이 소정의 간격(즉, 다음에 서술하는 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격)(W1)(예를 들어 약 5mm, 혹은 그것 이하. 도 3 참조)를 두고 대향하는 하측 위치와, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상방으로 크게 퇴피하는 상측 위치의 사이에서 승강시킬 수 있다. 이와 같이, 아암 승강 유닛(20)은, 처리액 노즐(6)을, 기판(W)에 접근/이격시키기 위한 접리 구동 기구를 구성하고 있다. Moreover, the arm raising/lowering unit (1st space|interval changing unit) 20 comprised with a servomotor, a ball screw mechanism, etc. is couple|bonded with the nozzle arm 17. As shown in FIG. The nozzle arm 17 can be raised and lowered by driving the arm raising/lowering unit 20 , and the processing liquid nozzle 6 can be raised and lowered by the raising and lowering. The upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 and the lower end of the processing liquid nozzle 6 move the processing liquid nozzle 6 by a predetermined distance (that is, the lower end of the processing liquid nozzle 6 ) by raising and lowering the arm raising/lowering unit 20 . A lower position facing each other with a gap between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W) W1 (for example, about 5 mm or less; see FIG. 3 ), which will be described later, and the spin chuck 5 ) can be raised and lowered between the upper positions that are largely retracted upwards of the substrate W held by the . In this way, the arm raising/lowering unit 20 constitutes a folding drive mechanism for bringing the processing liquid nozzle 6 closer to/separating from the substrate W .

도 3은, 처리액 노즐(6)의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다. 도 4는, 도 3을, 절단면선 IV-IV에서 본 횡단면도이다. 도 5는, 처리액 노즐(6)의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이며, 도 3에 나타내는 상태로부터, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액의 액면(제2의 액주 부분(42)의 액면(43))을 상승시킨 상태를 나타낸다. 3 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of the processing liquid nozzle 6 . Fig. 4 is a cross-sectional view of Fig. 3 taken along the line IV-IV. 5 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of the processing liquid nozzle 6 , and from the state shown in FIG. 3 , the liquid level of the processing liquid collected in the cylindrical space 21 (the second liquid column part ( 42) shows a state in which the liquid level 43) is raised.

이하의 설명에서는, 보디(22)(통체(24) 및 플랜지(30)를 포함한다)의 둘레방향을 둘레방향(C)로 한다. 보디(22)의 직경방향을 직경방향(R)로 한다. In the following description, the circumferential direction of the body 22 (including the cylindrical body 24 and the flange 30) is referred to as the circumferential direction C. As shown in FIG. Let the radial direction of the body 22 be the radial direction R.

도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리액 노즐(6)은, 처리액을 모을 수 있는 통형상 공간(21)이 내부에 형성된 보디(22)와, 보디(22)에 부착되고, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액의 액면(제2의 액주 부분(42)의 액면(43))에 물리력을 부여하는 제1의 물리력 부여 유닛(23)을 포함한다. 제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액의 액면(제2의 액주 부분(42)의 액면(43))에 처리액의 액적을 분사하는 액적 분사 유닛이다. 보디(22)는, 노즐 아암(17)에 동반 승강 가능하게 부착되어 있다. 그 때문에, 아암 승강 유닛(20)의 구동에 의해, 노즐 아암(17)과 함께 보디(22)가 승강한다. 3 and 4 , the treatment liquid nozzle 6 has a body 22 having a cylindrical space 21 for collecting the treatment liquid therein, and is attached to the body 22 and has a cylindrical shape. and a first physical force imparting unit 23 that applies a physical force to the liquid level of the processing liquid (the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 ) collected in the space 21 . The first physical force imparting unit 23 is a droplet ejecting unit that ejects droplets of the processing liquid to the liquid level of the processing liquid (the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 ) collected in the cylindrical space 21 . to be. The body 22 is attached to the nozzle arm 17 so as to be able to move up and down together. Therefore, the body 22 is raised and lowered together with the nozzle arm 17 by the drive of the arm raising/lowering unit 20 .

보디(22)는, 예를 들어 원통으로 이루어지는 통체(24)와, 통체(24)의 하측 부분(이 실시 형태에서는, 약 하반분)의 외주로부터, 직경방향(R)의 바깥쪽을 향해 돌출하는 원반형상의 플랜지(30)를 포함한다. 플랜지(30)는, 다음에 서술하는 하부 개구(21b)로부터 토출되어, 기판(W)의 상면에서 튀어 되돌아온 처리액이 주위에 비산하는 것을 억제할 수 있도록 설치되어 있다. The body 22 protrudes outward in the radial direction R from, for example, a cylindrical body 24 made of a cylinder, and the outer periphery of a lower portion of the cylindrical body 24 (in this embodiment, about the lower half). It includes a disk-shaped flange 30 that is. The flange 30 is provided so as to suppress the scattering of the processing liquid discharged from the lower opening 21b described later and bounced back from the upper surface of the substrate W from scattering.

통체(24)의 내주면은, 소정의 연직축 둘레로 원통형상을 이루는 통형상 내벽(26)에 의해 구성되어 있다. 통형상 내벽(26) 및 통체(24)의 상면(24a) 및 하면(24b)에 의해, 상하 방향으로 연장되는 원통형상의 통형상 공간(21)이 구획되어 있다. 통형상 공간(21)은, 통체(24)의 하면(24b)에 개구하여 원형의 하부 개구(21b)를 형성하고, 통체(24)의 상면(24a)에 개구하여 원형의 상부 개구(21a)를 형성하고 있다. 하부 개구(21b)와 상부 개구(21a)의 직경은 서로 동일하다. The inner peripheral surface of the cylindrical body 24 is comprised by the cylindrical inner wall 26 which makes|forms a cylindrical shape around a predetermined|prescribed vertical axis|shaft. A cylindrical space 21 extending in the vertical direction is partitioned by the cylindrical inner wall 26 and the upper and lower surfaces 24a and 24b of the cylindrical body 24 . The cylindrical space 21 opens on the lower surface 24b of the cylindrical body 24 to form a circular lower opening 21b, and opens on the upper surface 24a of the cylindrical body 24 to form a circular upper opening 21a. is forming The diameters of the lower opening 21b and the upper opening 21a are equal to each other.

통체(24)의 하측 부분에는, 2개의 처리액 공급구(25)가 개구하고 있다. 2개의 처리액 공급구(25)는, 둘레방향(C)으로 180° 간격을 두고 설치되어 있다. Two processing liquid supply ports 25 are opened in the lower part of the cylinder 24 . The two processing liquid supply ports 25 are provided at intervals of 180° in the circumferential direction C.

통체(24)의 상측 부분에는, 통형상 공간(21)에 존재하는 기체를 통형상 공간(21) 밖으로 도출하기 위한 도출구(27)가 개구하고 있다. 도출구(27)는, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액의 액면(제2의 액주 부분(42)의 액면(43))보다 항상 높아지는 위치에 설치되어 있다. 이 실시 형태에서는, 2개의 도출구(27)가 둘레방향(C)으로 180° 간격을 두고 설치되어 있고, 둘레방향(C)에 관해서 처리액 공급구(25)와 맞춰져 있다. 그러나, 둘레방향(C)에 관해서 도출구(27)가 처리액 공급구(25)와 어긋나 있어도 된다. 도출구(27)에는, 배기 배관(39)을 통하여 배기 장치(40)(도 7 참조)가 접속되어 있다. 배기 장치(40)는, 예를 들어 이젝터 등의 흡인 장치에 의해 구성되어 있고, 도출구(27)의 내부를 배기하여, 통형상 공간(21)에 존재하는 기체를, 도출구(27)를 통과하여 통형상 공간(21) 밖으로 배출시킨다. In the upper part of the cylindrical body 24 , the outlet 27 for leading out the gas existing in the cylindrical space 21 to the outside of the cylindrical space 21 is opened. The outlet 27 is provided at a position that is always higher than the liquid level of the processing liquid collected in the cylindrical space 21 (the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 ). In this embodiment, the two outlets 27 are provided at intervals of 180° in the circumferential direction C, and are aligned with the processing liquid supply port 25 in the circumferential direction C. As shown in FIG. However, the outlet 27 may deviate from the processing liquid supply port 25 in the circumferential direction C . An exhaust device 40 (refer to FIG. 7 ) is connected to the outlet 27 via an exhaust pipe 39 . The exhaust device 40 is configured by, for example, a suction device such as an ejector, exhausts the inside of the outlet 27 , and removes the gas existing in the cylindrical space 21 from the outlet 27 . It passes through and is discharged out of the cylindrical space (21).

처리액 공급 유닛(7)은, 처리액 노즐(6)의 내부를 관통하여 형성된, 처리액 공급구(25)와 동수(예를 들어 2개)의 제1의 공급 유로(29)를 포함한다. 각 제1의 공급 유로(29)는, 직경방향(R)을 따라 수평으로 연장되는 수평부(29a)와, 수평부(29a)의 외주단으로부터 상방으로 상승하는 수직부(29b)를 포함한다. 수직부(29b)는, 플랜지(30)의 상면의 외주부에 개구하여 처리액 도입구(32)를 형성하고 있다. 처리액 도입구(32)는, 플랜지(30)의 상면의 주연부에 2개 설치되어 있다. 2개의 처리액 도입구(32)는, 둘레방향(C)으로 180° 간격을 두고 설치되어 있다. The processing liquid supply unit 7 includes the same number (eg, two) first supply flow passages 29 as the processing liquid supply port 25 and formed through the interior of the processing liquid nozzle 6 . . Each of the first supply passages 29 includes a horizontal portion 29a extending horizontally along the radial direction R, and a vertical portion 29b rising upward from the outer peripheral end of the horizontal portion 29a. . The vertical portion 29b is opened in the outer peripheral portion of the upper surface of the flange 30 to form the treatment liquid inlet 32 . Two treatment liquid introduction ports 32 are provided on the periphery of the upper surface of the flange 30 . The two processing liquid introduction ports 32 are provided with an interval of 180° in the circumferential direction C.

플랜지(30)의 내부에 제1의 공급 유로(29)가 형성되어 있으므로, 플랜지(30)의 내부를 유효 활용할 수 있다. 그 때문에, 통체(24) 밖에 제1의 공급 유로를 별도 설치할 필요가 없기 때문에, 부품 점수의 저감 및/또는 처리액 공급 유닛(7)의 소형화를 도모할 수 있다. Since the first supply passage 29 is formed inside the flange 30 , the inside of the flange 30 can be effectively utilized. Therefore, since it is not necessary to separately provide the first supply flow path outside the cylinder 24 , a reduction in the number of parts and/or downsizing of the processing liquid supply unit 7 can be achieved.

처리액 공급 유닛(7)은, 제1의 처리액 공급 배관(33)을 더 포함한다. 제1의 처리액 공급 배관(33)의 일단은 처리액 도입구(32)에 접속되어 있고, 제1의 처리액 공급 배관(33)의 타단은 처리액 공급원에 접속되어 있다. 제1의 처리액 공급 배관(33)의 도중부에는, 제1의 처리액 공급 배관(33)을 개폐하는 제1의 처리액 밸브(34)와, 제1의 처리액 공급 배관(33)의 개도를 조정하여, 제1의 처리액 공급 배관(33)(즉, 통형상 공간(21))에 공급되는 처리액의 유량을 조정하기 위한 유량 조정 밸브(35)를 포함한다. The processing liquid supply unit 7 further includes a first processing liquid supply pipe 33 . One end of the first processing liquid supply pipe 33 is connected to the processing liquid inlet 32 , and the other end of the first processing liquid supply pipe 33 is connected to a processing liquid supply source. In the middle of the first processing liquid supply pipe 33 , a first processing liquid valve 34 for opening and closing the first processing liquid supply pipe 33 , and the first processing liquid supply pipe 33 , and a flow rate regulating valve 35 for adjusting the flow rate of the processing liquid supplied to the first processing liquid supply pipe 33 (ie, the cylindrical space 21 ) by adjusting the opening degree.

처리액은, 약액 또는 물을 포함한다. 약액으로서, SC1(암모니아 과산화 수소수 혼합액： ammonia-hydrogen peroxide mixture), SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture： 염산 과산화 수소수), 불산, 버퍼드 불산, 암모니아수, FPM(불산 과산화 수소수 혼합액), SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture), 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol： IPA) 등을 예시할 수 있다. 물은, 예를 들어 탈이온수(DIW)이지만, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도(예를 들어, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수 중 어느 하나여도 된다. The treatment liquid includes a chemical liquid or water. As a chemical solution, SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture: hydrochloric acid, hydrogen peroxide), hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid, ammonia water, FPM (hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture), SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture), isopropyl alcohol (IPA), and the like may be exemplified. The water is, for example, deionized water (DIW), but is not limited to DIW, and any one of carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm) may be used.

제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 외곽 원통형상을 이루는 하우징(36)을 가지고 있다. 하우징(36)의 직경은, 통형상 내벽(26)의 내경보다 작게 설정되어 있다. 그 때문에, 통형상 내벽(26)과 하우징(36)의 사이에는, 환상의 간극이 형성되어 있다. 하우징(36)은, 상하 방향의 일부(도 3에서는 상단부)에, 직경방향(R)의 바깥쪽으로 튀어나오는 원반형상의 튀어나옴부(37)가 설치되어 있다. 튀어나옴부(37)의 외경은, 통형상 내벽(26)의 내경보다 크다. 하우징(36)은, 볼나사 등을 포함하는 지지 구조(도시하지 않음)를 통하여, 처리액 노즐(6)의 보디(22)에 지지되어 있다. 또, 제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 보디(22)에 대해, 예를 들어 스플라인 구조(도시하지 않음) 등에 의해 상대 회전 불가능하게 또한 상대 승강 가능하게 설치되어 있다. 튀어나옴부(37)의 하면의 주연부와, 보디(22)의 상단부 사이의 주위는, 벨로스(44)에 의해 덮여 있다. 이것에 의해, 벨로스(44)의 내측의 공간에 먼지 등이 진입하는 것을 방지하면서, 제1의 물리력 부여 유닛(23)과 보디(22)를 상대적으로 승강시킬 수 있다. The first physical force imparting unit 23 has a housing 36 having an outer cylindrical shape. The diameter of the housing 36 is set smaller than the inner diameter of the cylindrical inner wall 26 . Therefore, an annular gap is formed between the cylindrical inner wall 26 and the housing 36 . The housing 36 is provided with a disk-shaped protruding portion 37 protruding outward in the radial direction R in a part of the housing 36 in the vertical direction (the upper end portion in FIG. 3 ). The outer diameter of the protruding portion 37 is larger than the inner diameter of the cylindrical inner wall 26 . The housing 36 is supported by the body 22 of the processing liquid nozzle 6 through a support structure (not shown) including a ball screw or the like. Further, the first physical force imparting unit 23 is provided with respect to the body 22 so as to be relatively non-rotatable and relatively elevating, for example, by a spline structure (not shown) or the like. The circumference between the periphery of the lower surface of the protruding portion 37 and the upper end of the body 22 is covered by the bellows 44 . Thereby, the first physical force imparting unit 23 and the body 22 can be relatively raised and lowered while preventing dust or the like from entering the space inside the bellows 44 .

하우징(36)에는, 서보모터나 볼나사 기구 등으로 구성되는 물리 승강 유닛(38)이 결합되어 있다. 물리 승강 유닛(38)의 구동에 의해, 제1의 물리력 부여 유닛(23)을 보디(22)에 대해 승강시킬 수 있다. A physical lifting unit 38 constituted by a servo motor, a ball screw mechanism, or the like is coupled to the housing 36 . By driving the physical lifting unit 38 , the first physical force imparting unit 23 can be raised and lowered with respect to the body 22 .

처리 유닛(2)에 의해 기판(W)에 대해 처리를 행할 때에는, 노즐 아암(17)의 요동 및 승강에 의해, 처리액 노즐(6)이, 기판(W)의 상면에 근접해서 대향하는 하측 위치(도 3에 나타내는 위치)에 배치된다. 이 상태로, 제1의 처리액 밸브(34)가 열림으로써, 처리액 공급원으로부터의 처리액이, 제1의 처리액 공급 배관(33)을 통하여 제1의 공급 유로(29)에 공급된다. 제1의 공급 유로(29)에 공급된 처리액은, 수평부(29a)의 하류단에 접속된 각 처리액 공급구(25)로부터, 통형상 공간(21)에 수평으로 도입된다. 통형상 공간(21)에 수평으로 도입된 처리액은, 하부 개구(21b)로부터 바로 유출되지 않고 통형상 공간(21)에 일단 멈춘다. 이것에 의해, 통형상 공간(21)에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. When the processing unit 2 performs processing on the substrate W, the processing liquid nozzle 6 approaches the upper surface of the substrate W and faces the lower side due to swinging and raising/lowering of the nozzle arm 17 . It is arrange|positioned at the position (position shown in FIG. 3). In this state, when the first processing liquid valve 34 is opened, the processing liquid from the processing liquid supply source is supplied to the first supply passage 29 through the first processing liquid supply pipe 33 . The processing liquid supplied to the first supply flow passage 29 is horizontally introduced into the cylindrical space 21 from each processing liquid supply port 25 connected to the downstream end of the horizontal portion 29a. The processing liquid horizontally introduced into the cylindrical space 21 does not immediately flow out from the lower opening 21b but temporarily stops in the cylindrical space 21 . Thereby, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space 21 .

통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급에 의해, 통형상 공간(21)에 처리액이 모이고, 또한 그 처리액이, 하부 개구(21b)와, 기판(W)의 상면의 영역(이하에서는, 「액주 형성 영역(45)」이라고 한다.)의 사이에서 기둥형상(원기둥형상)을 이룬다. 액주 형성 영역(45)은, 기판(W)의 상면에 있어서 하부 개구(21b)와 대향하고 있다. 이 때, 하부 개구(21b)와 액주 형성 영역(45)의 사이에서 기둥형상(예를 들어 원기둥형상)을 이루는 처리액을, 제1의 액주 부분(41)이라고 한다. 제1의 액주 부분(41)은, 하부 개구(21b)와 액주 형성 영역(45)의 사이를 액밀 상태로 한다. When the processing liquid is supplied to the cylindrical space 21 , the processing liquid is collected in the cylindrical space 21 , and the processing liquid is transferred to the lower opening 21b and the region of the upper surface of the substrate W (hereinafter, referred to as hereinafter). In , it is referred to as a "liquid column formation region 45".) and forms a columnar shape (cylindrical shape). The liquid column formation region 45 faces the lower opening 21b on the upper surface of the substrate W. As shown in FIG. At this time, the processing liquid forming a columnar shape (for example, a columnar shape) between the lower opening 21b and the liquid column forming region 45 is referred to as the first liquid column portion 41 . The first liquid column portion 41 makes a liquid-tight state between the lower opening 21b and the liquid column forming region 45 .

또, 이 때, 통형상 공간(21)에 모여 있는 기둥형상(예를 들어 원기둥형상)의 처리액을, 제2의 액주 부분(42)이라고 한다. 제2의 액주 부분(42)은, 제1의 액주 부분(41)으로부터 상방으로 연속되어 있다. 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량은, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)(즉, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액의 액면)이, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하우징(36)의 하단으로부터 하방으로 미소한 간격(W0)을 두고 배치되도록 설정된다. 즉, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하단과 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 사이에 미소한 상하 간극이 확보되어 있다. In addition, at this time, the columnar (for example, columnar) processing liquid collected in the cylindrical space 21 is called the 2nd liquid column part 42. As shown in FIG. The second liquid column portion 42 continues upward from the first liquid column portion 41 . As for the supply flow rate of the processing liquid to the cylindrical space 21 , the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 (that is, the liquid level of the processing liquid collected in the cylindrical space 21 ) is the first It is set so as to be disposed with a minute distance W0 downward from the lower end of the housing 36 of the physical force imparting unit 23 . That is, a minute vertical gap is secured between the lower end of the first physical force imparting unit 23 and the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 .

제1의 액주 부분(41)과 제2의 액주 부분(42)을 합하여, 처리액의 액주(46)라고 한다. 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)는, 예를 들어 5~20mm의 범위에 있어서 최적의 두께로 설정된다. 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)는, 변경(조정) 가능하다.The first liquid column portion 41 and the second liquid column portion 42 are collectively referred to as a liquid column 46 of the processing liquid. The thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid is set to an optimal thickness, for example, in the range of 5 to 20 mm. The thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid can be changed (adjusted).

처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)의 조정은, 다음에 서술하는 2개의 수법으로 행할 수 있다. Adjustment of the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid can be performed by two methods described below.

우선, 1번째의 수법은, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격을 변경하여 제1의 액주 부분(41)의 상하 방향의 두께를 조정하고, 이것에 의해 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께를 조정하는 수법이다. 이것은, 아암 승강 유닛(20)에 의해 보디(22)의 높이 위치를 변화시킴으로써 실현된다. First, in the first method, the thickness of the first liquid column portion 41 in the vertical direction is adjusted by changing the interval between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W, and thereby the liquid column of the processing liquid is adjusted. (46) is a method of adjusting the thickness in the vertical direction. This is realized by changing the height position of the body 22 by the arm lifting unit 20 .

다음에, 2번째의 수법은, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)과 하부 개구(21b) 사이의 간격(W2)을 변경하여 제2의 액주 부분(42)의 상하 방향의 두께를 조정하고, 이것에 의해 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께를 조정하는 수법이다. 이것은, 물리 승강 유닛(38)에 의해 제1의 물리력 부여 유닛(23)을 보디(22)에 대해 승강시키고, 또한, 유량 조정 밸브(35)의 개도를 조정하여 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량을 증감시킴으로써 실현된다. 도 5에는, 도 3에 나타내는 상태로부터, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)을 상승시킨 상태(즉, 제2의 액주 부분(42)의 상하 방향의 두께를 확대시킨 상태. 그것에 맞추어, 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량도 증대하고 있다)를 나타낸다. 단, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하단과 제2의 액주 부분(42)의 액면(43) 사이의 간격(W0)은, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 높이 위치에 관계없이 일정하게 유지된다. 즉, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 높이 위치에 관계없이, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하단과 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 사이에 간극이 확보되어 있다. Next, in the second method, the thickness of the second liquid column portion 42 in the vertical direction is changed by changing the interval W2 between the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 and the lower opening 21b. is a method of adjusting the thickness in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid by adjusting the . In this case, the first physical force imparting unit 23 is raised and lowered with respect to the body 22 by the physical lifting unit 38 , and the opening degree of the flow control valve 35 is adjusted to move into the cylindrical space 21 . This is realized by increasing or decreasing the supply flow rate of the processing liquid. Fig. 5 shows a state in which the liquid level 43 of the second liquid column part 42 is raised from the state shown in Fig. 3 (that is, a state in which the thickness in the vertical direction of the second liquid column part 42 is enlarged. In addition, the supply flow rate of the processing liquid to the cylindrical space 21 is also increasing) is shown. However, the distance W0 between the lower end of the first physical force imparting unit 23 and the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 is the height of the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 . It remains constant regardless of location. That is, regardless of the height position of the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 , between the lower end of the first physical force imparting unit 23 and the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 . A gap is secured.

처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)가 작으면, 액주 형성 영역(45)에 주어지는 충격력이 커져, 기판(W)의 상면에 데미지가 주어질 우려가 있다. 그 한편, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)가 크면, 액주 형성 영역(45)에 충분한 충격력이 주어지지 않는다는 문제도 있다. 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)를 최적의 두께로 조정함으로써, 데미지를 억제하면서 기판(W)의 상면에 충분한 충격력을 부여할 수 있다. When the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid is small, the impact force applied to the liquid column formation region 45 increases, and there is a possibility that the upper surface of the substrate W may be damaged. On the other hand, if the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid is large, there is also a problem that a sufficient impact force is not applied to the liquid column forming region 45 . By adjusting the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid to an optimum thickness, a sufficient impact force can be applied to the upper surface of the substrate W while suppressing damage.

또, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)을 너무 크게 하면, 제1의 액주 부분(41)이 기둥형상의 형체를 유지할 수 없게 될 우려도 있다. 이 실시 형태에서는, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)과, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)과 하부 개구(21b) 사이의 간격(W2)을 개별적으로 변경 가능하다. In addition, if the distance W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W is too large, there is a risk that the first liquid column portion 41 cannot hold the columnar shape. In this embodiment, the gap W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W, and the gap W2 between the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 and the lower opening 21b can be changed individually.

제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 처리액의 미소 액적을 분출하는 스프레이 노즐의 형태를 가지고 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1의 물리력 부여 유닛(23)에는, 처리액 공급원으로부터의 처리액을 제1의 물리력 부여 유닛(23)에 공급하는 제1의 처리액 배관(51)과, 처리액 공급원으로부터의 처리액을 제1의 물리력 부여 유닛(23)에 공급하는 제2의 처리액 배관(52)과, 기체 공급원으로부터의 기체의 일례로서의 불활성 가스(질소 가스, 건조 공기, 청정 공기 등)를 제1의 물리력 부여 유닛(23)에 공급하는 제1의 기체 배관(53)과, 기체 공급원으로부터의 기체의 일례로서의 불활성 가스(예를 들어 질소 가스)를 제1의 물리력 부여 유닛(23)에 공급하는 제2의 기체 배관(54)이 접속되어 있다. The first physical force imparting unit 23 has a form of a spray nozzle that ejects minute droplets of the processing liquid. 3 , the first physical force imparting unit 23 includes a first processing liquid pipe 51 for supplying the processing liquid from the processing liquid supply source to the first physical force imparting unit 23 , and processing; The second processing liquid pipe 52 for supplying the processing liquid from the liquid supply source to the first physical force imparting unit 23, and an inert gas (nitrogen gas, dry air, clean air, etc.) as an example of the gas from the gas supply source. ) to the first physical force imparting unit 23, a first gas pipe 53, and an inert gas (eg nitrogen gas) as an example of a gas from a gas supply source to the first physical force imparting unit 23 ) is connected to a second gas pipe 54 supplied to the .

이 실시 형태에서는, 제1의 처리액 배관(51) 및 제2의 처리액 배관(52)에 공급되는 처리액은, 예를 들어 종류가 공통되어 있다. 제1의 처리액 배관(51) 및 제2의 처리액 배관(52)은, 각각, 일단이 처리액 공급원에 접속된 처리액 공통 배관(55)의 타단에 접속되어 있다. 처리액 공통 배관(55)에는, 처리액 공통 배관(55)으로부터 제1 및 제2의 처리액 배관(51, 52)의 처리액의 공급 및 공급 정지를 전환하는 제2의 처리액 밸브(56)가 개재되어 있다. In this embodiment, the processing liquids supplied to the first processing liquid piping 51 and the second processing liquid piping 52 have, for example, a common type. The first processing liquid pipe 51 and the second processing liquid pipe 52 are respectively connected to the other end of the processing liquid common pipe 55 having one end connected to the processing liquid supply source. In the processing liquid common pipe 55 , a second processing liquid valve 56 is provided for switching between supplying and stopping the supply of the processing liquid from the processing liquid common piping 55 to the first and second processing liquid pipes 51 and 52 . ) is included.

또, 이 실시 형태에서는, 제1의 기체 배관(53) 및 제2의 기체 배관(54)에 공급되는 기체는, 예를 들어 기체종이 공통되는 기체이다. 제1의 기체 배관(53) 및 제2의 기체 배관(54)은, 각각, 일단이 기체 공급원에 접속된 기체 공통 배관(57)의 타단에 접속되어 있다. 기체 공통 배관(57)에는, 기체 공통 배관(57)으로부터 제1 및 제2의 기체 배관(53, 54)으로의 기체의 공급 및 공급 정지를 전환하는 기체 밸브(58)가 개재되어 있다. Moreover, in this embodiment, the gas supplied to the 1st gas pipe 53 and the 2nd gas pipe 54 is a gas with which gas types are common, for example. The first gas pipe 53 and the second gas pipe 54 are respectively connected to the other end of the common gas pipe 57 having one end connected to the gas supply source. A gas valve 58 is interposed in the common gas pipe 57 for switching between supply and stop of supply of gas from the common gas pipe 57 to the first and second gas pipes 53 and 54 .

도 6은, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다. 6 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of the first physical force imparting unit 23 .

제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 하우징(36)을 구성하는 대략 직육면체형상의 커버(61)와, 커버(61)의 내부에 수용된 대략 가로로 긴 판형상의 액적 생성 유닛(62)을 포함한다. 액적 생성 유닛(62)의 하단부(선첨(先尖)부(72)) 만이 커버(61)의 외부에 노출되어 있지만, 액적 생성 유닛(62)의 그 이외의 부분의 주위는, 커버(61)에 의해 포위되어 있다. The first physical force imparting unit 23 includes a cover 61 having a substantially rectangular parallelepiped shape constituting the housing 36 , and a droplet generating unit 62 having a substantially horizontally long plate shape accommodated inside the cover 61 . do. Although only the lower end (leading portion 72) of the droplet generating unit 62 is exposed to the outside of the cover 61, the periphery of the other parts of the droplet generating unit 62 is covered by the cover 61 surrounded by

커버(61)는, 소정의 연직축선을 중심으로 하는 사각통형상을 이루는 4개의 측벽(63)(도 6에서는 2개만 도시)과, 4개의 측벽(63)의 상단을 폐색하는 상벽(64)을 포함한다. 상벽(64)의 외주부에 의해, 하우징(36)의 튀어나옴부(37)가 구성되어 있다. 4개의 측벽(63) 및 상벽(64)은, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)이나 석영을 이용하여, 일체로 형성되어 있다. 서로 대향하는 한 쌍의 측벽(63)에는, 각각, 커버(61) 내에 처리액을 도입하기 위한 처리액 도입구(65)가 형성되어 있다. 또, 상벽(64)에는, 커버(61) 내에 기체를 도입하기 위한 기체 도입구(66)가 형성되어 있다. The cover 61 has four side walls 63 (only two are shown in FIG. 6) forming a rectangular cylindrical shape centered on a predetermined vertical axis, and an upper wall 64 that blocks the upper ends of the four side walls 63. includes The protruding part 37 of the housing 36 is comprised by the outer peripheral part of the upper wall 64. As shown in FIG. The four side walls 63 and the upper wall 64 are integrally formed using, for example, polytetrafluoroethylene (PTFE) or quartz. A processing liquid introduction port 65 for introducing a processing liquid into the cover 61 is formed in the pair of sidewalls 63 opposite to each other, respectively. In addition, a gas introduction port 66 for introducing a gas into the cover 61 is formed in the upper wall 64 .

액적 생성 유닛(62)은, 연직 자세를 이루는 판형상의 본체부(67)를 구비하고 있다. 커버(61)는, 소정의 연직축선을 중심으로 하는 사각통형상을 이루는 4개의 측벽(63)과, 4개의 측벽(63)의 상단을 폐색하는 상벽(64)을 포함한다. 4개의 측벽(63) 및 상벽(64)은, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)이나 석영을 이용하여, 일체로 형성되어 있다. The droplet generating unit 62 is provided with a plate-shaped main body 67 forming a vertical posture. The cover 61 includes four side walls 63 that form a quadrangular tubular shape centered on a predetermined vertical axis, and an upper wall 64 that closes the upper ends of the four side walls 63 . The four side walls 63 and the upper wall 64 are integrally formed using, for example, polytetrafluoroethylene (PTFE) or quartz.

본체부(67)는, 본체부(67)의 길이 방향(도 6의 좌우 방향)의 중심부에 대해서 좌우 대칭으로 설치되어 있다. 본체부(67)의 내부는, 처리액이 유통하는 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍)의 처리액실(68)과, 기체가 유통하는 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍)의 기체실(69)이 구획되어 있다. 각 처리액실(68)에는, 당해 처리액실(68)에 대한 처리액의 유입구인 처리액 유입구(70)가 형성되어 있다. 각 기체실(69)에는, 당해 기체실(69)에 대한 기체의 유입구인 기체 유입구(71)가 형성되어 있다. The body part 67 is provided symmetrically with respect to the central part of the longitudinal direction (left-right direction in FIG. 6) of the body part 67. As shown in FIG. The inside of the main body 67 includes a pair of processing liquid chambers 68 (a pair of left and right in FIG. 6) through which the processing liquid flows, and a pair of (a pair of left and right in FIG. 6) gas chambers ( 69) is partitioned. Each processing liquid chamber 68 is provided with a processing liquid inlet 70 that is an inlet for the processing liquid to the processing liquid chamber 68 . Each gas chamber 69 is provided with a gas inlet 71 serving as an inlet for gas to the gas chamber 69 .

본체부(67)의 하면 중심부에는, 본체부(67)의 하면으로부터 하방으로 돌출하는 선첨부(72)가 형성되어 있다. 선첨부(72)는, 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍)의 안내면(73)에 의해 구성되어 있다. 한 쌍의 안내면(73)은, 서로 반대 방향의 평탄면으로 이루어지는 경사면을 포함한다. 선첨부(72)의 두께 및 한 쌍의 안내면(73)이 이루는 각도는 예각이며, 선첨부(72)가 연장되는 수평 방향에 관해서 일정하다. In the central portion of the lower surface of the main body portion 67, a tip portion 72 protruding downward from the lower surface of the main body portion 67 is formed. The lead part 72 is constituted by a pair of guide surfaces 73 (a pair of left and right in FIG. 6 ). The pair of guide surfaces 73 include inclined surfaces formed of flat surfaces in opposite directions. The thickness of the leading edge 72 and the angle formed by the pair of guide surfaces 73 are acute angles, and are constant with respect to the horizontal direction in which the leading edge 72 extends.

본체부(67)의 하면에 있어서, 선첨부(72)의 측방(도 6의 좌우 측방)에는, 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍)의 처리액 토출구(74)가 형성되어 있다. 각 처리액 토출구(74)는 예를 들어 구멍이다. 한 쌍의 처리액 토출구(74)는, 한 쌍의 처리액실(68)에 1대 1 대응으로 설치되어 있다. 각 처리액 토출구(74)는 대응하는 처리액실(68)에 연통하고 있다. 각 처리액 토출구(74)는 상하로 연장되며, 당해 상하 방향에 관해서 유로 면적은 일정하다. 각 처리액 토출구(74)가, 구멍이 아닌 슬릿에 의해 형성되어 있어도 된다. On the lower surface of the main body 67 , a pair of processing liquid discharge ports 74 (a pair of left and right in FIG. 6 ) are formed on the side (left and right sides in FIG. 6 ) of the wire attachment part 72 . Each processing liquid discharge port 74 is, for example, a hole. The pair of processing liquid discharge ports 74 are provided in a one-to-one correspondence with the pair of processing liquid chambers 68 . Each processing liquid discharge port 74 communicates with a corresponding processing liquid chamber 68 . Each treatment liquid discharge port 74 extends vertically, and the flow path area is constant in the vertical direction. Each processing liquid discharge port 74 may be formed of a slit instead of a hole.

본체부(67)의 하면에 있어서, 한 쌍의 처리액 토출구(74)에 대해 측방(도 6의 좌우 측방)으로 간격을 둔 위치에는, 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍)의 기체 토출구(75)가 형성되어 있다. 각 기체 토출구(75)는 예를 들어 구멍이다. 한 쌍의 기체 토출구(75)는, 한 쌍의 기체실(69)에 1대 1 대응으로 설치되어 있다. 각 기체 토출구(75)는 대응하는 기체실(69)에 연통하고 있다. 각 기체 토출구(75)는, 하방으로 향함에 따라서 내측(도 3의 내측)으로 경사지고, 당해 경사 방향에 관해서 유로 면적은 일정하다. 각 기체 토출구(75)가, 구멍이 아닌 슬릿에 의해 형성되어 있어도 된다. On the lower surface of the main body 67, a pair (a pair of left and right in FIG. 6) gas outlets ( 75) is formed. Each gas discharge port 75 is, for example, a hole. The pair of gas discharge ports 75 are provided in a one-to-one correspondence with the pair of gas chambers 69 . Each gas discharge port 75 communicates with a corresponding gas chamber 69 . Each gas discharge port 75 inclines inward as it goes downward (inside of FIG. 3 ), and the flow path area is constant in the inclination direction. Each gas discharge port 75 may be formed by a slit instead of a hole.

제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 이른바 4유체 노즐의 형상을 채용하고 있다. 제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 각 처리액 유입구(70)와, 이 처리액 유입구(70)에 대응하는 처리액 도입구(65)를 연결하는 처리액 도입 유로(76)를 포함한다. 처리액 도입 유로(76)는, 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍) 설치되어 있다. 제1의 처리액 밸브(34)(도 3 참조)가 열리면, 처리액 도입 유로(76)를 통하여, 처리액 유입구(70)로부터 처리액실(68)에 처리액이 공급된다. 처리액실(68)에 공급된 처리액은, 처리액실(68)을 충전하고, 처리액 토출구(74)를 향해 밀려나와, 처리액 토출구(74)로부터 하방을 향해 강한 토출압으로 토출된다. The first physical force imparting unit 23 adopts a shape of a so-called four-fluid nozzle. The first physical force imparting unit 23 includes a treatment liquid introduction passage 76 connecting each treatment liquid inlet 70 and a treatment liquid inlet 65 corresponding to the treatment liquid inlet 70 . . A pair of processing liquid introduction passages 76 (a pair of left and right in FIG. 6 ) are provided. When the first processing liquid valve 34 (refer to FIG. 3 ) is opened, the processing liquid is supplied from the processing liquid inlet 70 to the processing liquid chamber 68 through the processing liquid introduction passage 76 . The processing liquid supplied to the processing liquid chamber 68 fills the processing liquid chamber 68 , and is pushed out toward the processing liquid discharge port 74 , and is discharged from the processing liquid discharge port 74 downward with a strong discharge pressure.

제1의 물리력 부여 유닛(23)은, 또한, 각 기체 유입구(71)와, 이 기체 유입구(71)에 대응하는 기체 도입구(66)를 연결하는 기체 도입 유로(77)를 포함한다. 기체 도입 유로(77)는, 한 쌍(도 6의 좌우 한 쌍) 설치되어 있다. 기체 밸브(58)(도 3 참조)가 열리면, 기체 도입 유로(77)를 통하여, 기체 유입구(71)로부터 기체실(69)에 기체가 공급된다. 기체실(69)에 공급된 기체는, 기체실(69)을 충전하고, 기체 토출구(75)를 향해 밀려나와, 기체 토출구(75)로부터 내측 하방을 향해 강한 토출압으로 토출된다. The first physical force imparting unit 23 further includes a gas introduction passage 77 connecting each gas inlet 71 and a gas inlet 66 corresponding to the gas inlet 71 . A pair of gas introduction passages 77 (a pair of left and right in FIG. 6 ) are provided. When the gas valve 58 (refer to FIG. 3 ) is opened, gas is supplied to the gas chamber 69 from the gas inlet 71 through the gas introduction passage 77 . The gas supplied to the gas chamber 69 fills the gas chamber 69 , and is pushed out toward the gas discharge port 75 , and is discharged from the gas discharge port 75 inwardly downward at a strong discharge pressure.

기체 밸브(58)를 열고 기체 토출구(75)로부터 기체를 토출시키면서, 제1의 처리액 밸브(34)를 열고 처리액 토출구(74)로부터 처리액을 토출시킴으로써, 각 안내면(73)에 있어서, 처리액에 기체를 충돌(혼합)시킴으로써 처리액의 미소 액적을 생성할 수 있다. 이것에 의해, 2쌍의 처리액 토출구(74) 및 기체 토출구(75)로부터, 처리액을 분무형상으로 토출할 수 있다. By opening the gas valve 58 and discharging gas from the gas outlet 75 while opening the first treatment liquid valve 34 and discharging the treatment liquid from the treatment liquid outlet 74, in each guide surface 73, By colliding (mixing) the gas with the treatment liquid, minute droplets of the treatment liquid can be generated. Thereby, the processing liquid can be discharged in a spray form from the two pairs of processing liquid discharge ports 74 and gas discharge ports 75 .

한쪽의 처리액 토출구(74)로부터 토출되는 처리액의 종류와, 다른쪽의 처리액 토출구(74)로부터 토출되는 처리액의 종류는 서로 상이해도 된다. 즉, 제1의 처리액 배관(51) 및 제2의 처리액 배관(52)에 공급되는 처리액은, 서로 상이해도 된다. The type of the processing liquid discharged from one processing liquid discharge port 74 and the type of the processing liquid discharged from the other processing liquid discharge port 74 may be different from each other. That is, the processing liquid supplied to the first processing liquid pipe 51 and the second processing liquid pipe 52 may be different from each other.

예를 들어, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터 분사되는 처리액의 액적이, 혼합 약액의 액적인 경우에는, 그들 혼합 전의 개개의 액을 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. 처리액으로서 SC1을 이용하는 경우에는, 암모니아수와 과산화 수소수를 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. 처리액으로서 SC2를 이용하는 경우에는, 염산과 과산화 수소수를 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. 처리액으로서 SPM을 이용하는 경우에는, 황산과 과산화 수소수를 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. 처리액으로서 버퍼드 불산을 이용하는 경우에는, 암모니아수와 불산을 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. 처리액으로서 FPM을 이용하는 경우에는, 불산과 과산화 수소수를 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수 있다. For example, when the droplets of the treatment liquid injected from the first physical force imparting unit 23 are droplets of the mixed chemical liquid, the individual liquids before mixing can be discharged from the treatment liquid discharge ports 74 different from each other. . When SC1 is used as the treatment liquid, ammonia water and hydrogen peroxide water can be discharged from different treatment liquid discharge ports 74 . When SC2 is used as the treatment liquid, hydrochloric acid and hydrogen peroxide water can be discharged from different treatment liquid discharge ports 74 . When SPM is used as the treatment liquid, sulfuric acid and hydrogen peroxide water can be discharged from different treatment liquid discharge ports 74 . When buffered hydrofluoric acid is used as the treatment liquid, aqueous ammonia and hydrofluoric acid can be discharged from different treatment liquid discharge ports 74 . When FPM is used as the treatment liquid, hydrofluoric acid and hydrogen peroxide water can be discharged from different treatment liquid discharge ports 74 .

또, 처리액으로서 희석 약액을 이용하는 경우에는, 희석 전의 약액과 물을 서로 상이한 처리액 토출구(74)로부터 토출시킬 수도 있다. In addition, when a diluted chemical liquid is used as the processing liquid, the chemical liquid before dilution and water may be discharged from different processing liquid discharge ports 74 .

또, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류는, 처리액 공급 유닛(7)에 의해 통형상 공간(21)에 공급되는 처리액과 동일하다. In addition, the type of the droplet of the processing liquid injected from the first physical force imparting unit 23 is the same as that of the processing liquid supplied to the cylindrical space 21 by the processing liquid supply unit 7 .

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(2)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면에 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급 유닛(8)과, 스핀 척(5)을 둘러싸는 통형상의 처리 컵(9)을 더 포함한다. As shown in FIG. 2 , the processing unit 2 includes a rinse liquid supply unit 8 for supplying a rinse liquid to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 , and the spin chuck 5 . It further includes a cylindrical treatment cup (9) surrounding the.

도 2에 나타내는 바와 같이, 린스액 공급 유닛(8)은 린스액 노즐(81)을 포함한다. 린스액 노즐(81)은, 예를 들어, 연속류의 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 스핀 척(5)의 상방에서, 그 토출구를 기판(W)의 상면 중앙부를 향해 고정적으로 배치되어 있다. 린스액 노즐(81)에는, 린스액 공급원으로부터의 린스액이 공급되는 린스액 배관(82)이 접속되어 있다. 린스액 배관(82)의 도중부에는, 린스액 배관(82)을 개폐하기 위한 린스액 밸브(83)가 개재되어 있다. 린스액 밸브(83)가 열리면, 린스액 배관(82)으로부터 린스액 노즐(81)에 공급된 연속류의 린스액이, 린스액 노즐(81)의 하단에 설정된 토출구로부터 토출되어, 기판(W)의 상면에 공급된다. 또, 린스액 밸브(83)가 닫혀지면, 린스액 배관(82)으로부터 린스액 노즐(81)의 세정액의 공급이 정지되어, 린스액 노즐(81)로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 린스액 배관(82)으로부터 린스액 노즐(81)에 공급되는 린스액은, 예를 들어 물이다. 물은, 예를 들어 탈이온수(DIW)이지만, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도(예를 들어, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수 중 어느 하나여도 된다. As shown in FIG. 2 , the rinse liquid supply unit 8 includes a rinse liquid nozzle 81 . The rinse liquid nozzle 81 is, for example, a straight nozzle that discharges liquid in a continuous flow state, and is fixedly disposed above the spin chuck 5 with its discharge port toward the center of the upper surface of the substrate W. have. A rinse liquid pipe 82 through which a rinse liquid from a rinse liquid supply source is supplied is connected to the rinse liquid nozzle 81 . A rinse solution valve 83 for opening and closing the rinse solution pipe 82 is interposed in the middle of the rinse solution pipe 82 . When the rinse liquid valve 83 is opened, the continuous flow of rinse liquid supplied from the rinse liquid pipe 82 to the rinse liquid nozzle 81 is discharged from a discharge port set at the lower end of the rinse liquid nozzle 81 , and the substrate W ) is supplied to the upper surface of the Also, when the rinse liquid valve 83 is closed, the supply of the cleaning liquid from the rinse liquid pipe 82 to the rinse liquid nozzle 81 is stopped, and the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 81 is stopped. The rinse liquid supplied from the rinse liquid pipe 82 to the rinse liquid nozzle 81 is, for example, water. The water is, for example, deionized water (DIW), but is not limited to DIW, and may be carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm).

또, 린스액 공급 유닛(8)은, 린스액 노즐(81)을 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면에 대한 린스액의 착액 위치를 기판(W)의 면 내에서 주사시키는 린스액 노즐 이동 장치를 구비하고 있어도 된다. In addition, the rinse liquid supply unit 8 is a rinse liquid nozzle moving device for scanning the liquid landing position of the rinse liquid with respect to the upper surface of the substrate W within the surface of the substrate W by moving the rinse liquid nozzle 81 . may be provided.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 컵(9)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)보다 바깥쪽(회전축선(A1)으로부터 떨어지는 방향)에 배치되어 있다. 처리 컵(9)은, 스핀 베이스(15)를 둘러싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태로, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 기판(W)에 공급된 처리액이 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상방향으로 열린 처리 컵(9)의 상단부(9a)는, 스핀 베이스(15)보다 상방에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 약액이나 물 등의 처리액은, 처리 컵(9)에 의해 받아진다. 그리고, 처리 컵(9)에 받아진 처리액은, 도시하지 않은 회수 장치 또는 폐액 장치에 보내진다. As shown in FIG. 2 , the processing cup 9 is disposed outside the substrate W held by the spin chuck 5 (in the direction away from the rotation axis A1 ). The processing cup 9 surrounds the spin base 15 . When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 5 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the upper end 9a of the processing cup 9 opened upward is disposed above the spin base 15 . Accordingly, the processing liquid such as the chemical liquid or water discharged around the substrate W is received by the processing cup 9 . Then, the processing liquid received by the processing cup 9 is sent to a collection device or waste liquid device (not shown).

도 7은, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다. 7 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1 .

제어 장치(3)는, 예를 들어 마이크로 컴퓨터를 이용하여 구성되어 있다. 제어 장치(3)는 CPU 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 가지고 있다. 기억 유닛에는, 연산 유닛이 실행하는 프로그램이 기억되어 있다. The control device 3 is configured using, for example, a microcomputer. The control device 3 has an arithmetic unit such as a CPU, a storage unit such as a fixed memory device, a hard disk drive, and an input/output unit. The storage unit stores a program to be executed by the arithmetic unit.

또, 제어 장치(3)에는, 제어 대상으로서, 스핀 모터(13), 아암 요동 유닛(19), 아암 승강 유닛(20), 물리 승강 유닛(38), 배기 장치(40) 등이 접속되어 있다. 제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 스핀 모터(13), 아암 요동 유닛(19), 아암 승강 유닛(20), 물리 승강 유닛(38), 배기 장치(40) 등의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 제1의 처리액 밸브(34), 제2의 처리액 밸브(56), 기체 밸브(58), 린스액 밸브(83) 등을 개폐한다. 또, 제어 장치(3)는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 유량 조정 밸브(35)의 개도를 조정한다. Also, the control device 3 is connected to a spin motor 13 , an arm swing unit 19 , an arm elevation unit 20 , a physical elevation unit 38 , an exhaust device 40 , etc. as control targets. . The control device 3 controls the operations of the spin motor 13 , the arm swinging unit 19 , the arm lifting/lowering unit 20 , the physical lifting/lowering unit 38 , the exhaust device 40 and the like according to a predetermined program. do. In addition, the control device 3 opens and closes the first processing liquid valve 34 , the second processing liquid valve 56 , the gas valve 58 , the rinse liquid valve 83 , and the like according to a predetermined program. do. Moreover, the control device 3 adjusts the opening degree of the flow control valve 35 according to a predetermined program.

도 8은, 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 9는, 상기 기판 처리예에 있어서의 물리 세정 처리 공정(S3)을 설명하기 위한 모식적인 도이다. 이하, 도 1~도 4, 도 7, 도 8 등을 참조하면서, 기판 처리예에 대해서 설명한다. 도 9는 적절히 참조한다. 8 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the substrate processing apparatus 1 . 9 is a schematic diagram for explaining a physical cleaning processing step (S3) in the above-described substrate processing example. Hereinafter, a substrate processing example is demonstrated, referring FIGS. 1-4, FIG. 7, FIG. 8, etc. FIG. 9 is referenced as appropriate.

처리 유닛(2)에 의해 세정 처리가 실행될 때는, 미세정 기판(W)이, 챔버(4)의 내부에 반입된다(도 8의 단계 S1). When the cleaning process is performed by the processing unit 2 , the uncleaned substrate W is loaded into the chamber 4 (step S1 in FIG. 8 ).

구체적으로는, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 챔버(4)의 내부에 진입시킴으로써, 기판(W)이 그 표면(세정 대상면)을 상방을 향한 상태로 스핀 척(5)에 수도(受渡)된다. 그 후, 스핀 척(5)에 기판(W)이 유지된다. Specifically, by moving the hand H of the transfer robot CR holding the substrate W into the chamber 4, the substrate W faces the surface (the surface to be cleaned) upward. It is fed to the spin chuck 5 with a furnace. Thereafter, the substrate W is held by the spin chuck 5 .

스핀 척(5)에 기판(W)이 유지된 후, 제어 장치(3)는 스핀 모터(13)를 제어하여, 기판(W)을 회전 개시하게 한다(도 8의 단계 S2). 기판(W)의 회전 속도는, 액처리 속도(약 300rpm~약 1000rpm의 소정의 속도)까지 상승하게 된다(기판 회전 공정). After the substrate W is held by the spin chuck 5, the control device 3 controls the spin motor 13 to start rotation of the substrate W (step S2 in Fig. 8). The rotation speed of the substrate W is increased to a liquid processing speed (a predetermined speed of about 300 rpm to about 1000 rpm) (substrate rotation process).

기판(W)의 회전이 액처리 속도에 이르면, 제어 장치(3)는, 액적에 의한 진동(물리력)이 부여된 처리액의 액주(46)를 이용하여 기판(W)의 상면을 세정하는 물리 세정 처리 공정(도 8의 단계 S3)을 실행한다. When the rotation of the substrate W reaches the liquid processing speed, the control device 3 uses the liquid column 46 of the processing liquid to which vibration (physical force) by droplets is applied to physically clean the upper surface of the substrate W. A washing treatment process (step S3 in FIG. 8) is performed.

구체적으로는, 제어 장치(3)는, 아암 요동 유닛(19)을 제어하여, 처리액 노즐(6)을 퇴피 위치로부터 기판(W)의 상방으로 인출한다. 다음에, 제어 장치(3)는, 아암 승강 유닛(20)을 제어하여, 처리액 노즐(6)을 하측 위치까지 하강시킨다. 이것에 의해, 처리액 노즐(6)을 하측 위치에 배치할 수 있다(노즐 배치 공정). Specifically, the control device 3 controls the arm swing unit 19 to withdraw the processing liquid nozzle 6 above the substrate W from the retracted position. Next, the control device 3 controls the arm raising/lowering unit 20 to lower the processing liquid nozzle 6 to the lower position. Thereby, the processing liquid nozzle 6 can be arranged at the lower position (nozzle arrangement step).

처리액 노즐(6)이 하측 위치에 배치되면, 제어 장치(3)는, 제1의 처리액 밸브(34)를 열고, 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급을 개시한다(처리액 공급 공정). 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급에 의해, 기판(W)의 상면에 있어서의 액주 형성 영역(45) 상에, 제1의 액주 부분(41)과 제2의 액주 부분(42)을 포함하는 처리액의 액주(46)가 형성된다(액주 형성 공정). 통형상 공간(21)에 있어서의 처리액의 액면(43)의 높이(즉, 제2의 액주 부분(42)의 상하 방향의 두께)는, 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량에 의존하고 있다. 제어 장치(3)는, 통형상 공간(21)에 있어서의 처리액의 액면(43)의 높이가, 소기 위치(즉, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하우징(36)의 하단으로부터 하방으로 간격(W0)을 둔 위치)가 되도록, 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량을 제어한다. When the processing liquid nozzle 6 is disposed at the lower position, the control device 3 opens the first processing liquid valve 34 and starts supplying the processing liquid to the cylindrical space 21 (processing liquid). feeding process). The first liquid column portion 41 and the second liquid column portion 42 are on the liquid column forming region 45 on the upper surface of the substrate W by supplying the processing liquid to the cylindrical space 21 . A liquid column 46 of the processing liquid containing is formed (liquid column forming step). The height of the liquid level 43 of the processing liquid in the cylindrical space 21 (that is, the thickness of the second liquid column portion 42 in the vertical direction) is the supply flow rate of the processing liquid into the cylindrical space 21 . is dependent on In the control device 3 , the height of the liquid level 43 of the processing liquid in the cylindrical space 21 is at a scavenging position (ie, downward from the lower end of the housing 36 of the first physical force imparting unit 23 ). The supply flow rate of the processing liquid to the cylindrical space 21 is controlled so that the space (W0) is spaced from each other.

또, 제어 장치(3)는, 아암 승강 유닛(20)을 제어하여, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격을 변경하여 제1의 액주 부분(41)의 상하 방향의 두께(즉, 간격(W1))를 조정할 수 있다(제1의 간격 변경 공정). 아울러/이것에 대신하여, 제어 장치(3)는, 물리 승강 유닛(38)에 의해 제1의 물리력 부여 유닛(23)을 보디(22)에 대해 승강시키고, 또한, 유량 조정 밸브(35)의 개도를 조정하여 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량을 증감시킴으로써, 제2의 액주 부분(42)의 상하 방향의 두께를 조정할 수 있다(제2의 간격 변경 공정). Moreover, the control apparatus 3 controls the arm raising/lowering unit 20 to change the space|interval between the lower opening 21b and the upper surface of the board|substrate W, and the thickness of the 1st liquid column part 41 in the vertical direction. (that is, the space|interval W1) can be adjusted (1st space|interval changing process). In addition/instead of this, the control device 3 raises and lowers the first physical force imparting unit 23 with respect to the body 22 by the physical elevation unit 38 , and further increases the flow rate adjustment valve 35 . By adjusting the opening degree to increase or decrease the supply flow rate of the processing liquid to the cylindrical space 21 , the thickness of the second liquid column portion 42 in the vertical direction can be adjusted (second interval change step).

제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 높이가 소정 높이가 되면(제2의 액주 부분(42)이 형성되면), 제어 장치(3)는, 제2의 처리액 밸브(56) 및 기체 밸브(58)를 연다. 이것에 의해, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)에 대해, 처리액의 액적이 분사된다(액적 분사 공정). When the height of the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 reaches a predetermined height (when the second liquid column portion 42 is formed), the control device 3 controls the second processing liquid valve 56 . and the gas valve 58 is opened. As a result, droplets of the processing liquid are ejected from the first physical force imparting unit 23 to the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 (droplet ejection step).

제2의 액주 부분(42)의 액면(43)(처리액의 액주(46)의 액면)으로의 처리액의 액적의 분사에 의해, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)에 진동(물리력)이 부여되고, 이것에 의해, 처리액의 액주(46)에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주(46)를 전파하여 액주 형성 영역(45)(기판(W)의 상면)에 주어진다(물리력 부여 공정). The liquid level 43 of the second liquid column portion 42 vibrates by the injection of droplets of the processing liquid onto the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 (the liquid level of the liquid column 46 of the processing liquid). (Physical force) is applied, whereby a shock wave is generated in the liquid column 46 of the processing liquid, and the shock wave propagates the liquid column 46 of the processing liquid to form the liquid column forming region 45 (the upper surface of the substrate W) ) is given (physical force imparting process).

또, 기체 밸브(58)의 열림에 동기하여, 제어 장치(3)는, 배기 장치에 의한 배기(흡인)를 유효화한다. 이것에 의해, 도출구(27)의 내부가 흡인된다. In synchronization with the opening of the gas valve 58 , the control device 3 validates the exhaust (suction) by the exhaust device. Thereby, the inside of the outlet 27 is sucked.

제2의 액주 부분(42)의 액면(43)에 대해 처리액의 액적이 고압으로 분사되기 때문에, 통형상 공간(21)의 내부 압력이 고압이 될 우려가 있다. 도출구(27)의 내부를 배기하여, 통형상 공간(21)에 존재하는 기체(특히, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하단과 제2의 액주 부분(42)의 액면(43) 사이의 상하 간극에 존재하는 기체나, 통형상 내벽(26)과 하우징(36) 사이의 환상의 간극에 존재하는 기체)를, 도출구(27)를 통과하여 통형상 공간(21) 밖으로 배출시킴으로써, 통형상 공간(21)의 내부 압력을 저감시킬 수 있고, 이것에 의해, 처리액의 액주(46)를 양호하게 형성할 수 있다. Since the droplet of the processing liquid is injected at high pressure with respect to the liquid level 43 of the second liquid column part 42 , there is a possibility that the internal pressure of the cylindrical space 21 becomes high pressure. The inside of the outlet 27 is exhausted, and gas existing in the cylindrical space 21 (in particular, between the lower end of the first physical force imparting unit 23 and the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 ) By discharging the gas present in the upper and lower gap of the tubular inner wall 26 and the gas present in the annular gap between the housing 36) out of the cylindrical space 21 through the outlet 27, The internal pressure of the cylindrical space 21 can be reduced, whereby the liquid column 46 of the processing liquid can be satisfactorily formed.

또, 물리 세정 처리 공정 S2에서는, 제어 장치(3)는 아암 요동 유닛(19)을 제어하여, 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리액 노즐(6)을, 중앙 위치(하부 개구(21b)가 기판의 상면의 중앙부에 대향하는 위치. 도 9에 실선으로 나타낸다)와 주연 위치(하부 개구(21b)가 기판의 상면의 주연부에 대향하는 위치. 도 9에 파선으로 나타낸다)의 사이에서, 원호형상의 궤적을 따라 수평으로 왕복 이동시킨다. 기판(W)을 회전축선(A1) 둘레로 회전시키면서, 액주 형성 영역(45)을, 기판(W)의 상면의 중앙부와 기판(W)의 상면의 주연부의 사이에서 이동시킴으로써, 액주 형성 영역(45)을, 기판(W)의 상면의 전역을 주사시킬 수 있다(액주 형성 영역 이동 공정). 이것에 의해, 액적에 의한 진동이 부여된 처리액의 액주(46)를 이용하여, 기판(W)의 상면의 전역을 세정할 수 있다. In addition, in the physical cleaning processing step S2 , the control device 3 controls the arm swinging unit 19 , and as shown in FIG. 9 , the processing liquid nozzle 6 is positioned at a central position (lower opening 21b) on the substrate. Between a position opposite to the central portion of the upper surface of the substrate (indicated by a solid line in Fig. 9) and a peripheral position (a position where the lower opening 21b opposes the periphery of the upper surface of the substrate; indicated by a broken line in Fig. 9), the arc-shaped It reciprocates horizontally along the trajectory. By moving the liquid column forming region 45 between the central portion of the upper surface of the substrate W and the peripheral portion of the upper surface of the substrate W while rotating the substrate W around the rotation axis A1, the liquid column forming region ( 45), the entire upper surface of the substrate W can be scanned (liquid column formation region moving step). Thereby, the entire upper surface of the substrate W can be cleaned using the liquid column 46 of the processing liquid to which the vibration by the droplets is applied.

제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터의 처리액의 액적의 토출 개시부터, 미리 정한 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 제2의 처리액 밸브(56) 및 기체 밸브(58)를 닫고, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터의 처리액의 액적의 분사를 정지시킨다. 또, 제어 장치(3)는, 제1의 처리액 밸브(34)를 닫고, 하부 개구(21b)로부터의 처리액의 토출을 정지시킨다. 또, 제어 장치(3)는, 아암 승강 유닛(20)을 제어하여, 노즐 아암(17)을 상승시킨다. 노즐 아암(17)의 상승에 의해, 처리액 노즐(6)이, 기판(W)의 상면으로부터 크고 상방으로 상승하게 된다. 다음에, 제어 장치(3)는, 노즐 아암(17)을 요동시켜, 처리액 노즐(6)을 스핀 척(5)의 측방의 퇴피 위치로 되돌린다. 이것에 의해, 물리 세정 처리 공정이 종료된다. When a predetermined period elapses from the start of discharging the processing liquid droplets from the first physical force imparting unit 23 , the control device 3 controls the second processing liquid valve 56 and the gas valve 58 . close, and the jetting of droplets of the processing liquid from the first physical force imparting unit 23 is stopped. Also, the control device 3 closes the first processing liquid valve 34 to stop discharge of the processing liquid from the lower opening 21b. Moreover, the control device 3 controls the arm raising/lowering unit 20 to raise the nozzle arm 17 . As the nozzle arm 17 is raised, the processing liquid nozzle 6 rises to a large extent from the upper surface of the substrate W. Next, the control device 3 swings the nozzle arm 17 to return the processing liquid nozzle 6 to the retracted position on the side of the spin chuck 5 . Thereby, the physical washing process process is complete|finished.

다음에, 제어 장치(3)는, 기판의 상면의 처리액을 린스액으로 씻어내는 린스 공정(도 8의 단계 S4)을 행한다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는 린스액 밸브(83)를 연다. 린스액 노즐(81)로부터 토출된 린스액은, 기판(W)의 상면 중앙부에 착액하고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력을 받아 기판(W)의 상면 상을 기판(W)의 주연부를 향해 흐른다. 이것에 의해, 기판(W) 상의, 이물을 포함하는 처리액의 액막이 린스액의 액막으로 치환된다. Next, the control device 3 performs a rinsing step (step S4 in FIG. 8 ) of rinsing the processing liquid on the upper surface of the substrate with the rinsing liquid. Specifically, the control device 3 opens the rinse liquid valve 83 . The rinse liquid discharged from the rinse liquid nozzle 81 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and transfers the upper surface of the substrate W to the periphery of the substrate W. flows towards Thereby, the liquid film of the processing liquid containing the foreign material on the substrate W is replaced with the liquid film of the rinsing liquid.

린스액의 토출 개시부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(83)를 닫고 린스액 노즐(81)로부터의 린스액의 토출을 정지시킨다. 이것에 의해, 린스 공정 S4가 종료된다. When a predetermined period has elapsed from the start of discharging of the rinse liquid, the controller 3 closes the rinse liquid valve 83 to stop the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 81 . Thereby, rinsing process S4 is complete|finished.

다음에, 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이 공정(도 8의 단계 S5)이 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는 스핀 모터(13)를 제어함으로써, 린스 공정 S4에 있어서의 회전 속도보다 큰 건조 회전 속도(예를 들어 수천 rpm)까지 기판(W)을 가속시켜, 그 건조 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이것에 의해, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액체에 가해져, 기판(W)에 부착되어 있는 액체가 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 액체가 제거되어, 기판(W)이 건조된다. Next, a spin drying step of drying the substrate W (step S5 in FIG. 8 ) is performed. Specifically, the control device 3 controls the spin motor 13 to accelerate the substrate W to a drying rotation speed (eg, several thousand rpm) greater than the rotation speed in the rinsing step S4 to dry the substrate W. The substrate W is rotated at a rotation speed. Thereby, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried.

기판(W)의 고속 회전의 개시부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(13)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다(도 8의 단계 S6). When a predetermined period has elapsed from the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 13 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (Fig. Step S6 of 8).

그 후, 챔버(4) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 8의 단계 S7). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(4)의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드에 스핀 척(5) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 이것에 의해, 세정 처리 후의 기판(W)이 챔버(4)로부터 반출된다. Thereafter, the substrate W is taken out from the inside of the chamber 4 (step S7 in Fig. 8). Specifically, the control device 3 causes the hand of the transfer robot CR to enter the chamber 4 . Then, the control device 3 holds the substrate W on the spin chuck 5 in the hand of the transfer robot CR. Thereafter, the control device 3 retracts the hand of the transfer robot CR from the inside of the chamber 4 . Thereby, the board|substrate W after a cleaning process is carried out from the chamber 4 .

이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 처리액 노즐(6)에 의해 기판(W)의 상면에 처리액의 액주(46)가 형성된다. 처리액의 액주(46)는, 처리액 노즐(6)의 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분(41)과, 제1의 액주 부분(41)으로부터 상방으로 연속되고, 통형상 공간(21)에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분(42)을 포함한다. 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)으로의 처리액의 액적의 분사에 의해, 처리액의 액주(46)에 진동(물리력)이 부여되고, 이것에 의해, 처리액의 액주(46)에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주(46)를 전파하여 액주 형성 영역(45)(기판(W)의 상면)에 주어진다. 이것에 의해, 액주 형성 영역(45)(기판(W)의 상면)를 양호하게 세정할 수 있다. As described above, according to this embodiment, the liquid column 46 of the processing liquid is formed on the upper surface of the substrate W by the processing liquid nozzle 6 . The liquid column 46 of the processing liquid includes a first liquid column portion 41 that liquid-tightly fills a space between the lower opening 21b of the processing liquid nozzle 6 and the upper surface of the substrate W with the processing liquid, and the first It continues upward from the liquid column portion 41 and includes a second liquid column portion 42 made of the processing liquid collected in the cylindrical space 21 . Vibration (physical force) is imparted to the liquid column 46 of the processing liquid by the injection of droplets of the processing liquid onto the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 , and thereby, the liquid column 46 of the processing liquid ), the shock wave propagates through the liquid column 46 of the processing liquid and is applied to the liquid column forming region 45 (the upper surface of the substrate W). Thereby, the liquid column formation region 45 (the upper surface of the substrate W) can be cleaned satisfactorily.

이 경우, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터의 처리액의 액적을, 처리액의 액주(46)를 통하여 기판(W)에 부여하므로, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터의 처리액의 액적을, 기판(W)에 직접 부여하는 경우와 비교해, 기판(W)에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since droplets of the processing liquid from the first physical force imparting unit 23 are applied to the substrate W via the liquid column 46 of the processing liquid, the processing liquid from the first physical force imparting unit 23 is applied. Compared with the case where the droplets are directly applied to the substrate W, the damage applied to the substrate W can be reduced.

이것에 의해, 기판(W)으로의 데미지를 억제하면서, 처리액의 액적에 의한 진동(물리력)을 이용한 세정 처리를 기판(W)에 양호하게 실시할 수 있다. Thereby, the cleaning process using the vibration (physical force) by the droplet of a processing liquid can be performed favorably to the board|substrate W, suppressing damage to the board|substrate W.

또, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)가, 변경(조정) 가능하게 설치되어 있다. 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)가 작으면, 후술하는 액주 형성 영역(45)에 주어지는 충격력이 커져, 기판(W)의 상면에 데미지가 주어질 우려가 있다. 그 한편, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)가 크면, 액주 형성 영역(45)에 충분한 충격력이 주어지지 않는다는 문제도 있다. 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)를 최적의 두께로 조정함으로써, 데미지를 억제하면서 기판(W)의 상면에 충분한 충격력을 부여할 수 있다. In addition, the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid is provided so that it can be changed (adjusted). If the vertical thickness W3 of the liquid column 46 of the processing liquid is small, the impact force applied to the liquid column forming region 45 to be described later increases, and there is a risk that the upper surface of the substrate W may be damaged. On the other hand, if the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid is large, there is also a problem that a sufficient impact force is not applied to the liquid column forming region 45 . By adjusting the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid to an optimum thickness, a sufficient impact force can be applied to the upper surface of the substrate W while suppressing damage.

또한, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)을 너무 크게 하면, 제1의 액주 부분(41)이 기둥형상의 형체를 유지할 수 없게 될 우려도 있다. 이 실시 형태에서는, 제1의 액주 부분(41)의 상하 방향의 두께와, 제2의 액주 부분(42)의 상하 방향의 두께(제2의 액주 부분(42)의 액면(43)과 하부 개구(21b) 사이의 간격(W2))를 개별적으로 변경시킴으로써, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)를 조정할 수 있다. 즉, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)에 관계없이, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)를 조정할 수 있다. 이것에 의해, 제1의 액주 부분(41)의 기둥형상의 형체를 유지하면서, 처리액의 액주(46)의 상하 방향의 두께(W3)를 최적의 두께로 조정할 수 있다. In addition, if the distance W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W is made too large, there is a risk that the first liquid column portion 41 cannot hold the columnar shape. In this embodiment, the thickness of the first liquid column portion 41 in the vertical direction and the thickness of the second liquid column portion 42 in the vertical direction (the liquid level 43 and the lower opening of the second liquid column portion 42 ) By individually changing the distance W2 between the elements 21b, the thickness W3 of the liquid column 46 of the processing liquid in the vertical direction can be adjusted. That is, regardless of the distance W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W, the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid can be adjusted. Accordingly, the thickness W3 in the vertical direction of the liquid column 46 of the processing liquid can be adjusted to an optimum thickness while maintaining the columnar shape of the first liquid column portion 41 .

도 10은, 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 처리액 노즐(201)의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다. 처리액 노즐(201)은, 처리액 노즐(6)(도 2 참조)에 대신해서 이용된다. 10 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of the processing liquid nozzle 201 according to the second embodiment of the present invention. The processing liquid nozzle 201 is used instead of the processing liquid nozzle 6 (refer to FIG. 2 ).

제2의 실시 형태에 있어서, 제1의 실시 형태와 공통되는 부분에는, 도 1~도 9의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 처리액 노즐(201)이, 제1의 실시 형태에 따른 처리액 노즐(6)(도 2 참조)과 상이한 주된 점은, 보디(22)에 대신해서, 보디(202)를 구비하고 있는 점이다. 보디(202)는, 거의 원기둥형상의 외형을 가지고 있다. 도시하지 않지만, 보디(202)는, 노즐 아암(17)(도 2 참조)에 동반 승강 가능하게 부착되어 있다. In 2nd Embodiment, the same reference code|symbol as the case of FIGS. 1-9 is attached|subjected to the part common to 1st Embodiment, and description is abbreviate|omitted. The main difference between the processing liquid nozzle 201 and the processing liquid nozzle 6 (refer to FIG. 2 ) according to the first embodiment is that the body 202 is provided instead of the body 22 . . The body 202 has a substantially cylindrical external shape. Although not shown, the body 202 is attached to the nozzle arm 17 (refer FIG. 2) so that raising/lowering is possible.

이하의 설명에서는, 보디(202)(내통(203), 외통(204) 및 플랜지(205)를 포함한다)의 둘레방향을 둘레방향(C)로 한다. 보디(202)의 직경방향을 직경방향(R)로 한다. In the following description, the circumferential direction of the body 202 (including the inner cylinder 203 , the outer cylinder 204 and the flange 205 ) is referred to as the circumferential direction C . Let the radial direction of the body 202 be the radial direction R.

보디(202)는, 상하 방향으로 연장되는 내통(203)과, 내통(203)의 측방을 둘러싸는 외통(204)와, 내통(203)의 하단 부분의 외주로부터, 내통(203)의 직경방향(R)의 바깥쪽을 향해 돌출하는 원반형상의 플랜지(205)를 포함한다. 내통(203)의 하단보다 약간 위쪽으로부터 직경방향(R)의 바깥쪽으로 튀어나오는 원환형상의 저판(206)에 의해, 외통(204)의 하단 부분이 폐색되어 있다. The body 202 includes an inner cylinder 203 extending in the vertical direction, an outer cylinder 204 surrounding the side of the inner cylinder 203 , and an outer periphery of a lower end portion of the inner cylinder 203 in the radial direction of the inner cylinder 203 . A disk-shaped flange 205 protruding outward of (R) is included. The lower end portion of the outer cylinder 204 is blocked by the annular bottom plate 206 protruding outward in the radial direction R from slightly above the lower end of the inner cylinder 203 .

내통(203)의 내주면은, 소정의 연직축 둘레로 원통형상을 이루는 통형상 내벽(207)에 의해 구성되어 있다. 통형상 내벽(207) 및 내통(203)의 상면 및 하면(203b)에 의해, 상하 방향으로 연장되는 원통형상의 통형상 공간(21)이 구획되어 있다. 통형상 공간(21)은, 내통(203)의 하면(203b)에 개구하여, 원형의 하부 개구(21b)를 형성하고, 내통(203)의 상면에 개구하여, 원형의 상부 개구를 형성하고 있다. 하부 개구(21b)와 상부 개구의 직경은 서로 동일하다. The inner peripheral surface of the inner cylinder 203 is constituted by a cylindrical inner wall 207 having a cylindrical shape around a predetermined vertical axis. A cylindrical space 21 extending in the vertical direction is partitioned by the cylindrical inner wall 207 and the upper and lower surfaces 203b of the inner cylinder 203 . The cylindrical space 21 opens on the lower surface 203b of the inner cylinder 203 to form a circular lower opening 21b, and opens on the upper surface of the inner cylinder 203 to form a circular upper opening. . The diameters of the lower opening 21b and the upper opening are equal to each other.

외통(204) 및 내통(203)의 사이에는, 통형상 공간(21)에 처리액을 공급하기 위한 원통형상의 제2의 공급 유로(208)가 형성되어 있다. 제2의 공급 유로(208)에는, 제1의 처리액 공급 배관(33)(도 2 등 참조)이 접속되어 있다. 내통(203)에 있어서의 저판(206)과의 결합 부분의 바로 윗쪽에는, 제2의 공급 유로(208)와 통형상 공간(21)을 연통하는 처리액 공급구(209)가 개구하고 있다. 이 실시 형태에서는, 2개의 처리액 공급구(209)가 둘레방향(C)으로 180° 간격을 두고 설치되어 있다. 처리액 공급구(209)는, 제1의 실시 형태에 따른 처리액 공급구(25)(도 3 참조)로 동등한 기능을 나타낸다.Between the outer cylinder 204 and the inner cylinder 203 , a cylindrical second supply flow path 208 for supplying the processing liquid to the cylindrical space 21 is formed. A first processing liquid supply pipe 33 (refer to FIG. 2 and the like) is connected to the second supply passage 208 . A processing liquid supply port 209 communicating with the second supply passage 208 and the cylindrical space 21 is opened in the inner cylinder 203 just above the engagement portion with the bottom plate 206 . In this embodiment, two processing liquid supply ports 209 are provided at intervals of 180° in the circumferential direction C. As shown in FIG. The processing liquid supply port 209 has the same function as the processing liquid supply port 25 (refer to FIG. 3 ) according to the first embodiment.

내통(203)의 상측 부분에는, 도출구(210)가 개구하고 있다. 도출구(210)는, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)보다 항상 높아지는 위치에 설치되어 있다. 이 실시 형태에서는, 2개의 도출구(210)가 둘레방향(C)으로 180° 간격을 두고 설치되어 있고, 둘레방향(C)에 관해서 처리액 공급구(209)와 맞춰져 있다. 그러나, 둘레방향(C)에 관해서 도출구(210)가 처리액 공급구(209)와 어긋나 있어도 된다. In the upper part of the inner cylinder 203, the outlet 210 is opened. The outlet 210 is provided at a position that is always higher than the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 . In this embodiment, the two outlets 210 are provided at intervals of 180° in the circumferential direction C, and are aligned with the processing liquid supply port 209 in the circumferential direction C. As shown in FIG. However, in the circumferential direction C, the outlet 210 may deviate from the processing liquid supply port 209 .

도출구(210)에는, 배기 장치(40)(도 7 참조)의 일단이 접속된 배기 배관(211)의 타단이, 외통(204)을 관통하여 접속되어 있다. 배기 장치(40)는, 도출구(210)의 내부를 배기하여, 통형상 공간(21)에 존재하는 기체(특히, 제1의 물리력 부여 유닛(23)의 하단과 제2의 액주 부분(42)의 액면(43) 사이의 상하 간극에 존재하는 기체나, 통형상 내벽(207)과 하우징(36) 사이의 환상의 간극에 존재하는 기체)를, 도출구(210)를 통과하여 통형상 공간(21) 밖으로 배출시킴으로써, 통형상 공간(21)의 내부 압력을 저감시킬 수 있고, 이것에 의해, 처리액의 액주(46)를 양호하게 형성할 수 있다. The other end of the exhaust pipe 211 to which the one end of the exhaust device 40 (refer FIG. 7) is connected to the outlet 210 passes through the outer cylinder 204 and is connected. The exhaust device 40 exhausts the inside of the outlet 210 , and the gas existing in the cylindrical space 21 (in particular, the lower end of the first physical force imparting unit 23 and the second liquid column portion 42 ) ) through the outlet 210 and the gas existing in the upper and lower gap between the liquid levels 43 and the gas present in the annular gap between the cylindrical inner wall 207 and the housing 36 ) through the outlet 210 to the cylindrical space. (21) By discharging to the outside, the internal pressure of the cylindrical space 21 can be reduced, whereby the liquid column 46 of the processing liquid can be satisfactorily formed.

처리 유닛에 의해 기판(W)에 대해 처리를 행할 때에는, 처리액 노즐(201)이, 기판(W)의 상면에 근접해서 대향하는 하측 위치(도 10에 나타내는 위치)에 배치된다. 이 상태로, 처리액 공급원으로부터의 처리액이, 제1의 처리액 공급 배관(33)을 통하여 제2의 공급 유로(208)에 공급된다. 제2의 공급 유로(208)에 공급된 처리액은, 처리액 공급구(209)로부터, 통형상 공간(21)에 수평으로 도입된다. 통형상 공간(21)에 수평으로 도입된 처리액은, 하부 개구(21b)로부터 바로 유출되지 않고 통형상 공간(21)에 일단 멈춘다. 이것에 의해, 통형상 공간(21)에 처리액을 양호하게 모을 수 있다. When the processing unit performs processing on the substrate W, the processing liquid nozzle 201 is disposed at a lower position (position shown in FIG. 10 ) opposite to and close to the upper surface of the substrate W . In this state, the processing liquid from the processing liquid supply source is supplied to the second supply passage 208 through the first processing liquid supply pipe 33 . The processing liquid supplied to the second supply passage 208 is horizontally introduced into the cylindrical space 21 from the processing liquid supply port 209 . The processing liquid horizontally introduced into the cylindrical space 21 does not immediately flow out from the lower opening 21b but temporarily stops in the cylindrical space 21 . Thereby, the processing liquid can be satisfactorily collected in the cylindrical space 21 .

통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급에 의해, 기판(W)의 상면에, 제1 및 제2의 액주 부분(41, 42)을 포함하는 처리액의 액주(46)가 형성된다. By supplying the processing liquid to the cylindrical space 21 , a liquid column 46 of the processing liquid including the first and second liquid column portions 41 and 42 is formed on the upper surface of the substrate W .

이상에 의해, 제2의 실시 형태에 의하면, 제1의 실시 형태에 있어서 설명한 작용 효과와 동일한 작용 효과를 나타낸다. As described above, according to the second embodiment, the same effects as those described in the first embodiment are exhibited.

도 11은, 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 처리액 노즐(301)의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 종단면도이다. 처리액 노즐(301)은, 처리액 노즐(6)(도 2 참조)에 대신해서 이용된다. 11 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a configuration example of the processing liquid nozzle 301 according to the third embodiment of the present invention. The processing liquid nozzle 301 is used instead of the processing liquid nozzle 6 (refer to FIG. 2 ).

제3의 실시 형태에 있어서, 제1의 실시 형태와 공통되는 부분에는, 도 1~도 9의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다. 처리액 노즐(301)이, 제1의 실시 형태에 따른 처리액 노즐(6)과 상이한 주된 점은, 액적 분사 유닛으로 이루어지는 제1의 물리력 부여 유닛(23)(도 3 참조)에 대신해서, 초음파 부여 유닛으로 이루어지는 제2의 물리력 부여 유닛(302)을 설치한 점에 있다. 제2의 물리력 부여 유닛(302)은, 통형상 공간(21)에 모여 있는 처리액(제2의 액주 부분(42))에 초음파 진동을 부여하는 유닛이다. In 3rd embodiment, the same reference numerals as in the case of FIGS. 1 to 9 are attached to parts common to the first embodiment, and description thereof is omitted. The main difference between the treatment liquid nozzle 301 and the treatment liquid nozzle 6 according to the first embodiment is that instead of the first physical force imparting unit 23 (refer to FIG. 3 ) comprising a droplet ejection unit, The point is that the second physical force imparting unit 302 composed of an ultrasonic wave imparting unit is provided. The second physical force imparting unit 302 is a unit that applies ultrasonic vibrations to the processing liquid (the second liquid column portion 42 ) collected in the cylindrical space 21 .

제2의 물리력 부여 유닛(302)은, 하우징을 구성하는 상자형상의 커버(303)와, 커버(303) 내에 수용된 초음파 진동자(304)와, 초음파 진동자(304)에 의해 진동하게 되는 진동체(305)를 포함한다. 초음파 진동자(304)는, 제어 장치(3)(도 7 참조)에 의해 제어되는 초음파 발진기(306)로부터의 전기 신호를 받아 초음파 진동하도록 구성되어 있다. 진동체(305)는, 예를 들어 판형상이다. The second physical force imparting unit 302 includes a box-shaped cover 303 constituting the housing, an ultrasonic vibrator 304 accommodated in the cover 303, and a vibrating body vibrating by the ultrasonic vibrator 304 ( 305). The ultrasonic vibrator 304 is configured to receive an electric signal from the ultrasonic oscillator 306 controlled by the control device 3 (refer to FIG. 7 ) to perform ultrasonic vibration. The vibrating body 305 is plate-shaped, for example.

제2의 물리력 부여 유닛(302)의 하면은 진동면(307)이며, 진동면(307)은, 진동체(305)의 하면에 의해 구성되어 있다. 진동면(307)은, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)의 상면과 평행이 되도록 수평면을 따르는 평탄면을 이루고 있다. 진동체(305)는, 예를 들어 석영이나 사파이어를 이용하여 형성되어 있어도 된다. 진동면(307)은, 그 전역이 제2의 액주 부분(42)에 접액하고 있다. A lower surface of the second physical force imparting unit 302 is a vibrating surface 307 , and the vibrating surface 307 is constituted by a lower surface of the vibrating body 305 . The vibrating surface 307 has a flat surface along a horizontal plane so as to be parallel to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 . The vibrating body 305 may be formed using, for example, quartz or sapphire. The entire vibrating surface 307 is in contact with the second liquid column portion 42 .

또, 커버(303)에는, 서보모터나 볼나사 기구 등으로 구성되는 물리 승강 유닛(308)(제2의 간격 변경 유닛)이 결합되어 있다. 물리 승강 유닛(308)의 구동에 의해, 제2의 물리력 부여 유닛(302)을 보디(309)에 대해 승강시킬 수 있다. 제어 장치(3)는, 물리 승강 유닛(308)에 의해 제2의 물리력 부여 유닛(302)을 보디(309)에 대해 승강시키고, 또한, 유량 조정 밸브(35)의 개도를 조정하여 통형상 공간(21)으로의 처리액의 공급 유량을 증감시킴으로써, 진동체(305)의 진동면(307)과 하부 개구(21b) 사이의 간격(W4)을 조정할 수 있다. In addition, a physical lifting unit 308 (a second interval changing unit) constituted by a servo motor, a ball screw mechanism, or the like is coupled to the cover 303 . By driving the physical lifting unit 308 , the second physical force imparting unit 302 can be raised and lowered with respect to the body 309 . The control device 3 raises and lowers the second physical force imparting unit 302 with respect to the body 309 by the physical elevation unit 308 , and further adjusts the opening degree of the flow control valve 35 to form a cylindrical space. By increasing or decreasing the supply flow rate of the processing liquid to (21), the space W4 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the lower opening 21b can be adjusted.

보디(309)는, 통체(24)에 도출구(27)(도 3 참조)가 설치되어 있지 않은 점을 제외하고, 제1의 실시 형태에 따른 보디(22)와 거의 동일한 구성이다. 초음파 부여 유닛으로 이루어지는 제2의 물리력 부여 유닛(302)에 의한 물리력의 부여에 따라서는 통형상 공간(21)의 내부 압력은 상승하지 않기 때문에, 기체의 도출에 관한 구성(도출구(27), 배기 배관(39), 배기 장치(40) 등)에 상당하는 구성은 생략된다. The body 309 has substantially the same configuration as the body 22 according to the first embodiment, except that the outlet 27 (refer to FIG. 3 ) is not provided in the cylindrical body 24 . Since the internal pressure of the cylindrical space 21 does not rise depending on the application of the physical force by the second physical force imparting unit 302 composed of the ultrasonic wave imparting unit, the configuration related to the derivation of the gas (the outlet 27, Configurations corresponding to the exhaust pipe 39 , the exhaust device 40 , etc.) are omitted.

제3의 실시 형태에 따른 처리 유닛에 있어서도, 처리 유닛(2)과 동일한 기판 처리예가 실행된다. 이하, 물리 세정 공정(도 8의 S3)에 있어서의, 상술한 기판 처리예와 상이한 점만 설명한다. 물리 세정 공정(도 8의 S3)에서는, 기판(W)의 상면에 있어서의 액주 형성 영역(45) 상에, 제1의 액주 부분(41)과 제2의 액주 부분(42)을 포함하는 처리액의 액주(46)가 형성되어 있는 상태에서, 제2의 액주 부분(42)의 액면(43)의 높이가 소정 높이가 되면(제2의 액주 부분(42)이 형성되면), 제어 장치(3)는, 초음파 발진기(306)를 제어하여, 제2의 물리력 부여 유닛(302)의 초음파 진동자(304)의 발진을 개시하게 한다. 초음파 진동자(304)의 진동에 의해, 진동체(305) 및 진동면(307)이 진동한다. 그 때문에, 초음파 진동자(304)의 진동이 진동면(307)을 통하여, 제2의 액주 부분(42)에 부여된다. Also in the processing unit according to the third embodiment, the same substrate processing example as the processing unit 2 is executed. Hereinafter, only points different from the above-described substrate processing example in the physical cleaning step (S3 in FIG. 8 ) will be described. In the physical cleaning step (S3 in FIG. 8 ), a process including the first liquid column portion 41 and the second liquid column portion 42 on the liquid column formation region 45 on the upper surface of the substrate W When the liquid column 46 of the liquid is formed and the height of the liquid level 43 of the second liquid column portion 42 reaches a predetermined height (when the second liquid column portion 42 is formed), the control device ( 3) controls the ultrasonic oscillator 306 to start oscillation of the ultrasonic oscillator 304 of the second physical force imparting unit 302 . Vibration of the ultrasonic vibrator 304 causes the vibrating body 305 and the vibrating surface 307 to vibrate. Therefore, the vibration of the ultrasonic vibrator 304 is applied to the second liquid column portion 42 through the vibration surface 307 .

제2의 액주 부분(42)에 초음파 진동자(304)로부터 초음파 진동이 부여됨으로써, 처리액의 액주(46)에 충격파가 발생하고, 이 충격파가 처리액의 액주(46)를 전파하여 기판(W)의 상면에 주어진다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면을 양호하게 세정할 수 있다. Ultrasonic vibration is applied to the second liquid column part 42 from the ultrasonic vibrator 304 to generate a shock wave in the liquid column 46 of the processing liquid, and this shock wave propagates the liquid column 46 of the processing liquid to propagate the substrate W ) is given on the upper surface of Thereby, the upper surface of the board|substrate W can be wash|cleaned favorably.

이 경우, 처리액의 액주(46)의 높이를 충분히 확보할 수 있으므로, 얇은 액막을 통하여 초음파 진동을 기판(W)에 부여하는 경우와 비교해, 기판(W)에 주어지는 데미지를 저감시킬 수 있다. In this case, since the height of the liquid column 46 of the processing liquid can be sufficiently secured, damage to the substrate W can be reduced compared to the case where ultrasonic vibration is applied to the substrate W through a thin liquid film.

이것에 의해, 기판(W)으로의 데미지를 억제하면서, 초음파 진동이 부여된 처리액을 이용한 세정 처리를 기판에 양호하게 실시할 수 있다. Thereby, while suppressing the damage to the board|substrate W, the washing|cleaning process using the processing liquid to which the ultrasonic vibration was provided can be performed favorably to a board|substrate.

또, 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)이, 변경(조정) 가능하게 설치되어 있다. 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)이 작으면, 액주 형성 영역(45)에 주어지는 충격력이 커져, 기판(W)의 상면에 데미지가 주어질 우려가 있다. 그 한편, 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(즉, 「제2의 액주 부분(42)의 액면(43)과 기판(W)의 상면 사이의 간격」과 동일한 것으로 봄)(W5)이 크면, 기판(W)의 상면에 충분한 충격력이 주어지지 않는다는 문제도 있다. 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)을 최적의 두께로 조정함으로써, 데미지를 억제하면서 기판(W)의 상면에 충분한 충격력을 부여할 수 있다. Moreover, the space|interval W5 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the board|substrate W is provided so that change (adjustment) is possible. If the distance W5 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W is small, the impact force applied to the liquid column formation region 45 increases, and damage to the upper surface of the substrate W is feared. there is On the other hand, the interval between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W (that is, the “interval between the liquid level 43 of the second liquid column part 42 and the upper surface of the substrate W) If W5 is large, there is also a problem that a sufficient impact force is not given to the upper surface of the substrate W. By adjusting the interval W5 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W to an optimal thickness, a sufficient impact force can be applied to the upper surface of the substrate W while suppressing damage.

또한, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)을 너무 크게 하면, 제1의 액주 부분(41)이 기둥형상의 형체를 유지할 수 없게 될 우려도 있다. 이 실시 형태에서는, 제1의 액주 부분(41)의 상하 방향의 두께와, 진동체(305)의 진동면(307)과 하부 개구(21b) 사이의 간격(즉, 「제2의 액주 부분(42)의 액면(43)과 하부 개구(21b) 사이의 간격」과 동일한 것으로 봄)(W4)을 개별적으로 변경시킴으로써, 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)을 조정할 수 있다. 즉, 하부 개구(21b)와 기판(W)의 상면 사이의 간격(W1)에 관계없이, 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)을 조정할 수 있다. 이것에 의해, 제1의 액주 부분(41)의 기둥형상의 형체를 유지하면서, 진동체(305)의 진동면(307)과 기판(W)의 상면 사이의 간격(W5)을 최적의 두께로 조정할 수 있다. In addition, if the distance W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W is made too large, there is a risk that the first liquid column portion 41 cannot hold the columnar shape. In this embodiment, the thickness in the vertical direction of the first liquid column part 41 and the distance between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the lower opening 21b (that is, the "second liquid column part 42 ) and the distance between the liquid level 43 and the lower opening 21b”)) by individually changing W4, the interval between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W (W5) can be adjusted. That is, regardless of the distance W1 between the lower opening 21b and the upper surface of the substrate W, the distance W5 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W can be adjusted. have. Thereby, while maintaining the columnar shape of the first liquid column portion 41, the interval W5 between the vibrating surface 307 of the vibrating body 305 and the upper surface of the substrate W is adjusted to an optimum thickness. can

이상, 이 발명의 3개의 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수도 있다. 이 발명의 범위에 포함되는 몇개의 형태를 이하에 예시적으로 열거한다. As mentioned above, although three embodiments of this invention have been described, this invention can also be implemented in another form. Some forms included in the scope of this invention are exemplarily enumerated below.

예를 들어 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 제1의 공급 유로(29)는 수평으로 연장되는 것에 한정되지 않고, 수평면에 대해 경사지는 것이어도 된다. 이 경우, 제1의 공급 유로(29)는, 처리액 공급구(25)로부터 처리액을, 수평면에 대해 경사지는 방향으로 통형상 공간(21)에 도입한다. For example, in 1st and 3rd embodiment, the 1st supply flow path 29 is not limited to extending horizontally, It may incline with respect to a horizontal plane. In this case, the first supply passage 29 introduces the processing liquid from the processing liquid supply port 25 into the cylindrical space 21 in a direction inclined with respect to the horizontal plane.

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 제1의 공급 유로(29)의 갯수는, 1개여도 되고, 3개 이상이어도 된다. 또, 제1의 공급 유로(29)는 직선형상이 아니고, 예를 들어 통형상의 공간을 가지고 있어도 된다. Moreover, in 1st and 3rd embodiment, the number of the 1st supply flow path 29 may be one, and three or more may be sufficient as it. Moreover, the 1st supply flow path 29 is not linear, but may have a cylindrical space, for example.

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 도출구(27)는, 1개여도 되고, 3개 이상이어도 된다. 또, 도출구(27)는 구멍이 아니고, 슬릿을 이용하여 형성되어 있어도 된다. Moreover, in 1st and 3rd embodiment, the number of the outlet 27 may be one, and three or more may be sufficient as it. In addition, the outlet 27 may not be a hole but may be formed using a slit.

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 액적 분사 유닛으로 이루어지는 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로서, 처리액 토출구 및 기체 토출구를 2세트 가지는 이른바 4유체 노즐의 형상을 채용했지만, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로서, 공지의 이른바 2유체 노즐(예를 들어 일본 특허공개 2012-216777호 공보 참조)의 양태를 채용해도 된다. 이와 같은 2유체 노즐은, 처리액 토출구 및 기체 토출구를 1세트만 가지고 있다. 2유체 노즐은, 노즐 보디 밖에서 기체와 액체를 충돌시켜 그들을 혼합하여 액적을 생성하는 외부 혼합형의 2유체 노즐이어도 되고, 노즐 보디 내에서 기체와 액체를 혼합하여 액적을 생성하는 내부 혼합형의 2유체 노즐이어도 된다. Further, in the first and third embodiments, as the first physical force imparting unit 23 composed of the droplet ejection unit, the shape of a so-called four-fluid nozzle having two sets of the processing liquid discharge port and the gas discharge port is adopted. As the physical force imparting unit 23 of No. 1, an aspect of a known so-called two-fluid nozzle (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2012-216777) may be employed. Such a two-fluid nozzle has only one set of the processing liquid discharge port and the gas discharge port. The two-fluid nozzle may be an external mixing type two-fluid nozzle that generates droplets by colliding gas and liquid outside the nozzle body to mix them, or an internal mixing type two-fluid nozzle that generates droplets by mixing gas and liquid within the nozzle body may be

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 액적 분사 유닛으로 이루어지는 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로서, 기액 혼합 방식의 액적 분사 유닛이 아니고, 잉크젯 방식에 의해 처리액의 액적을 분사하는 공지의 잉크젯 분사 유닛(일본 특허공개 2014-179567호 공보 참조)이 채용되어 있어도 된다. 이 경우, 잉크젯 분사 유닛에 의한 처리액의 액적의 분사에 따라서는 통형상 공간(21)의 내부 압력은 상승하지 않기 때문에, 도출구(27)에 상당하는 구성은 생략된다. Further, in the first and third embodiments, as the first physical force imparting unit 23 made of a droplet ejecting unit, it is not a gas-liquid mixing type droplet ejecting unit, but injects droplets of a processing liquid by an inkjet method. A well-known inkjet ejection unit (refer to Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-179567) may be employ|adopted. In this case, since the internal pressure of the cylindrical space 21 does not rise depending on the ejection of droplets of the processing liquid by the inkjet ejection unit, the configuration corresponding to the outlet 27 is omitted.

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 처리액 공급 유닛(7)에 의해 통형상 공간(21)에 공급되는 처리액의 종류가, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류와 상이해도 된다. 이 경우, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류가, 예를 들어 약액이며, 통형상 공간(21)에 공급되는 처리액의 종류가, 예를 들어 물이어도 된다. In addition, in the first and third embodiments, the type of the processing liquid supplied to the cylindrical space 21 by the processing liquid supply unit 7 is injected from the first physical force imparting unit 23 . It may be different from the kind of droplet of a liquid. In this case, the type of the droplet of the processing liquid injected from the first physical force imparting unit 23 may be, for example, a chemical liquid, and the type of the processing liquid supplied to the cylindrical space 21 may be, for example, water. .

또, 제1 및 제3의 실시 형태에 있어서, 제1의 물리력 부여 유닛(23)으로부터 공급되는 처리액으로 통형상 공간(21)에 처리액을 모을 수 있다면, 처리액 공급 유닛(7)을 생략해도 된다. Further, in the first and third embodiments, if the processing liquid supplied from the first physical force imparting unit 23 can collect the processing liquid in the cylindrical space 21 , the processing liquid supply unit 7 is provided. You may omit it.

또, 제2의 실시 형태와 제3의 실시 형태를 조합해도 된다. 즉, 처리액 노즐에 있어서, 초음파 부여 유닛으로 이루어지는 제2의 물리력 부여 유닛(302)(도 11 참조)을 채용하면서, 보디로서 보디(202)(도 10 참조)를 채용해도 된다. Moreover, you may combine 2nd Embodiment and 3rd Embodiment. That is, in the processing liquid nozzle, the body 202 (refer to FIG. 10 ) may be employed as the body while employing the second physical force imparting unit 302 (refer to FIG. 11 ) composed of an ultrasonic wave imparting unit.

또, 처리액 노즐(6, 201, 301)에 있어서, 보디(22, 202)가 노즐 아암(17)에 동반 승강 가능하게 부착되고, 또한 물리력 부여 유닛(23, 302)이 보디(22, 202)에 의해 승강 가능하게 지지되어 있는 것으로서 설명했지만, 물리력 부여 유닛(23, 302)이 노즐 아암(17)에 동반 승강 가능하게 부착되고, 또한 물리력 부여 유닛(23, 302)에 의해 보디(22, 202)가 승강 가능하게 지지되어 있어도 된다. 이 경우, 제2의 간격 변경 유닛은, 물리력 부여 유닛(23, 302)이 아니고, 보디(22, 202)에 결합된다. Further, in the treatment liquid nozzles 6 , 201 , and 301 , the bodies 22 and 202 are attached to the nozzle arm 17 so as to be raised and lowered together, and the physical force imparting units 23 and 302 are the bodies 22 and 202 . ), but the physical force imparting units 23 and 302 are attached to the nozzle arm 17 so as to be able to ascend and descend together, and the body 22, 202) may be supported so as to be able to ascend and descend. In this case, the second interval changing unit is coupled to the body 22 , 202 , not the physical force imparting unit 23 , 302 .

또, 상술한 각 실시 형태에서는, 기판 처리 장치가 원판형상의 기판(W)을 처리하는 장치인 경우에 대해서 설명했지만, 기판 처리 장치가, 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 다각형의 기판을 처리하는 장치여도 된다. Moreover, in each embodiment mentioned above, although the case where the substrate processing apparatus is an apparatus which processes the disk-shaped board|substrate W was demonstrated, the substrate processing apparatus processes polygonal board|substrates, such as a glass substrate for liquid crystal display devices. It may be a device.

본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예로 한정해서 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다. Although embodiments of the present invention have been described in detail, these are merely specific examples used to clarify the technical content of the present invention, and the present invention is not limited to these specific examples and should not be interpreted, and the scope of the present invention is not limited only by the appended claims.

이 출원은, 2017년 1월 16일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2017-005292호에 대응하고 있고, 이 출원의 전 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다. This application corresponds to Japanese Patent Application No. 2017-005292 filed with the Japan Patent Office on January 16, 2017, and the entire disclosure of this application is incorporated herein by reference.

1: 기판 처리 장치 3: 제어장치
5: 스핀 척(기판 유지 유닛) 6: 처리액 노즐
7: 처리액 공급 유닛 13: 스핀 모터(기판 회전 유닛)
19: 아암 요동 유닛(액주 형성 영역 이동 유닛)
20: 아암 승강 유닛(제1의 간격 변경 유닛) 21: 통형상 공간
21b: 하부 개구 23: 제1의 물리력 부여 유닛
25: 처리액 공급구 26: 통형상 내벽
27: 도출구 29: 제1의 공급 유로
30: 플랜지 32: 처리액 도입구
38: 물리 승강 유닛(제2의 간격 변경 유닛) 41: 제1의 액주 부분
42: 제2의 액주 부분 43: 액면
45: 액주 형성 영역 46: 처리액의 액주
201: 처리액 노즐 202: 보디
203: 내통 205: 플랜지
207: 통형상 내벽 208: 제2의 공급 유로
209: 처리액 공급구 210: 도출구
301: 처리액 노즐 302: 제2의 물리력 부여 유닛
304: 초음파 진동자
308: 물리 승강 유닛(제2의 간격 변경 유닛) 309: 보디
A1: 회전축선(연직축선) W: 기판
W1: 간격 W4: 간격
W5: 간격1: substrate processing apparatus 3: control apparatus
5: Spin chuck (substrate holding unit) 6: Treatment liquid nozzle
7: processing liquid supply unit 13: spin motor (substrate rotation unit)
19: arm swinging unit (liquid column formation area moving unit)
20: arm raising/lowering unit (first interval changing unit) 21: cylindrical space
21b: lower opening 23: first physical force imparting unit
25: treatment liquid supply port 26: cylindrical inner wall
27: outlet 29: first supply flow path
30: flange 32: treatment liquid inlet
38: physical lifting unit (second interval changing unit) 41: first liquid column part
42: second liquid column part 43: face value
45: liquid column forming region 46: liquid column of the treatment liquid
201: treatment liquid nozzle 202: body
203: inner cylinder 205: flange
207: cylindrical inner wall 208: second supply passage
209: treatment liquid supply port 210: outlet
301: treatment liquid nozzle 302: second physical force imparting unit
304: ultrasonic vibrator
308: physical lifting unit (second interval changing unit) 309: body
A1: rotation axis (vertical axis) W: substrate
W1: Gap W4: Gap
W5: thickness

Claims (24)

기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과,
상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주(液柱) 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛을 포함하며,
상기 물리력 부여 유닛이, 상기 제2의 액주 부분의 액면을 향해 처리액의 액적을 분사하는 액적 분사 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.a substrate holding unit for holding the substrate in a horizontal position;
a lower opening facing the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuous upward from the lower opening, wherein the processing liquid is discharged from the lower opening a processing liquid nozzle for discharging;
a first liquid column portion that liquid-tightly fills a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with a treatment liquid, and a treatment liquid that is continuous upward from the first liquid column portion and is collected in the cylindrical space a liquid column forming unit for forming a liquid column of a processing liquid including a second liquid column portion on an upper surface of the substrate;
a physical force imparting unit for imparting a physical force to the second liquid column portion;
and the physical force imparting unit includes a droplet ejecting unit that ejects droplets of the processing liquid toward the liquid level of the second liquid column portion. 청구항 1에 있어서,
상기 액주 형성 유닛은, 상기 물리력 부여 유닛에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
and the liquid column forming unit includes a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the cylindrical space irrespective of the physical force imparting unit. 청구항 1에 있어서,
상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급구가 형성되어 있고,
상기 처리액 공급 유닛은, 상기 처리액 공급구로부터 처리액을 수평으로 상기 통형상 공간에 도입하는, 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the cylindrical space is formed in the inner wall,
The processing liquid supply unit horizontally introduces the processing liquid into the cylindrical space from the processing liquid supply port. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 처리액 노즐은, 상기 내벽으로부터 횡방향으로 튀어나오는 플랜지를 포함하고,
상기 처리액 공급 유닛은, 상기 통형상 공간과 상기 플랜지에 형성된 처리액 도입구를 연통하는 제1의 공급 유로를 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to claim 2 or 3,
The treatment liquid nozzle includes a flange protruding laterally from the inner wall,
The processing liquid supply unit includes a first supply passage communicating the cylindrical space and the processing liquid introduction port formed in the flange. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 처리액 노즐은,
상기 내벽을 가지는 내통과,
상기 내통의 측방을 둘러싸는 외통을 포함하고,
상기 처리액 공급 유닛은, 상기 내통과 상기 외통의 사이에 구획된 통형상의 제2의 공급 유로를 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to claim 2 or 3,
The treatment liquid nozzle,
an inner passage having the inner wall;
Including an outer tube surrounding the side of the inner tube,
The processing liquid supply unit includes a cylindrical second supply passage partitioned between the inner cylinder and the outer cylinder. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액주 형성 유닛은,
상기 하부 개구와 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면 사이의 간격을 변경하는 제1의 간격 변경 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The liquid column forming unit,
and a first spacing changing unit for changing the spacing between the lower opening and the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
and a second spacing changing unit for changing a spacing between the liquid level of the second liquid column portion and the lower opening. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은, 상기 내벽의 하측 부분으로부터 횡방향으로 튀어나오는 플랜지를 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The processing liquid nozzle includes a flange protruding laterally from a lower portion of the inner wall. 청구항 1에 있어서,
상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 존재하고 있는 기체를 상기 통형상 공간 밖으로 도출하는 도출구가 형성되어 있는, 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an outlet for guiding gas existing in the tubular space out of the tubular space is formed in the inner wall. 청구항 2에 있어서,
상기 처리액 공급 유닛에 의해 공급되는 처리액의 종류가, 상기 액적 분사 유닛으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류와 동일한, 기판 처리 장치. 3. The method according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the type of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit is the same as the type of the processing liquid droplet injected from the droplet ejection unit. 청구항 2에 있어서,
상기 처리액 공급 유닛에 의해 공급되는 처리액의 종류가, 상기 액적 분사 유닛으로부터 분사되는 처리액의 액적의 종류와 상이한, 기판 처리 장치. 3. The method according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein a type of the processing liquid supplied by the processing liquid supply unit is different from a type of a droplet of the processing liquid injected from the droplet ejection unit. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 연직축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛과,
상기 기판 회전 유닛에 의해 회전되고 있는 기판의 상면에 있어서, 상기 처리액의 액주가 형성되는 액주 형성 영역을, 상기 기판의 상면의 중앙부와, 상기 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시키는 액주 형성 영역 이동 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
a substrate rotation unit for rotating the substrate held by the substrate holding unit around a vertical axis passing through the central portion of the substrate;
On the upper surface of the substrate being rotated by the substrate rotation unit, the liquid column forming region in which the liquid column of the processing liquid is formed is moved between the central portion of the upper surface of the substrate and the peripheral portion of the upper surface of the substrate. A substrate processing apparatus, further comprising a moving unit. 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지는 처리액 노즐을, 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 하부 개구가 대향하도록 배치하는 노즐 배치 공정과,
상기 처리액 노즐에 처리액을 공급함으로써, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 공정과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 공정을 포함하며,
상기 물리력 부여 공정이, 상기 제2의 액주 부분의 액면을 향해 처리액의 액적을 분사하는 액적 분사 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A treatment liquid nozzle having a lower opening and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuing upward from the lower opening, the lower opening is disposed to face an upper surface of a substrate held in a horizontal position nozzle placement process;
A first liquid column portion that liquid-tightly fills a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with the treatment liquid by supplying the treatment liquid to the treatment liquid nozzle, and continues upward from the first liquid column portion, the cylindrical shape a liquid column forming step of forming a liquid column of the treatment liquid including a second liquid column portion made of the treatment liquid collected in the space on the upper surface of the substrate;
and a physical force imparting step of applying a physical force to the second liquid column portion,
The substrate processing method, wherein the physical force application step includes a droplet jetting step of jetting droplets of the processing liquid toward the liquid level of the second liquid column portion. 청구항 13에 있어서,
상기 액주 형성 공정은, 상기 물리력 부여 공정에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법. 14. The method of claim 13,
The liquid column forming step further includes a treatment liquid supply step of supplying the treatment liquid to the cylindrical space regardless of the physical force application step. 청구항 14에 있어서,
상기 내벽에는, 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급구가 형성되어 있고,
상기 처리액 공급 공정은, 상기 처리액 공급구로부터 처리액을 수평으로 상기 통형상 공간에 도입하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. 15. The method of claim 14,
A processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the cylindrical space is formed in the inner wall,
The processing liquid supply step includes a step of horizontally introducing the processing liquid into the cylindrical space from the processing liquid supply port. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액주 형성 공정은,
상기 하부 개구와 상기 기판의 상면 사이의 간격을 변경하는 제1의 간격 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. 16. The method according to any one of claims 13 to 15,
The liquid column forming process is
and a first gap changing process of changing a gap between the lower opening and the upper surface of the substrate. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.16. The method according to any one of claims 13 to 15,
and a second gap changing step of changing a gap between the liquid level of the second liquid column portion and the lower opening. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판을, 당해 기판의 중앙부를 통과하는 연직축선 둘레로 회전시키는 기판 회전 공정과,
상기 기판 회전 공정에 있어서, 상기 처리액의 액주가 형성되는 액주 형성 영역을, 상기 기판의 상면의 중앙부와, 상기 기판의 상면의 주연부의 사이에서 이동시키는 액주 형성 영역 이동 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.16. The method according to any one of claims 13 to 15,
a substrate rotation step of rotating the substrate around a vertical axis passing through the central portion of the substrate;
The substrate rotating step further includes a liquid column forming region moving step of moving a liquid column forming region in which a liquid column of the processing liquid is formed between a central portion of the upper surface of the substrate and a peripheral portion of the upper surface of the substrate. processing method. 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과,
상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛을 포함하며,
상기 액주 형성 유닛은, 상기 물리력 부여 유닛에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고,
상기 처리액 노즐은, 상기 내벽으로부터 횡방향으로 튀어나오는 플랜지를 포함하며,
상기 처리액 공급 유닛은, 상기 통형상 공간과 상기 플랜지에 형성된 처리액 도입구를 연통하는 제1의 공급 유로를 포함하는, 기판 처리 장치. a substrate holding unit for holding the substrate in a horizontal position;
a lower opening facing the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuous upward from the lower opening, wherein the processing liquid is discharged from the lower opening a processing liquid nozzle for discharging;
A first liquid column portion liquid-tightly filling a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with a processing liquid, and a second liquid column extending upward from the first liquid column portion and comprising the processing liquid collected in the cylindrical space a liquid column forming unit for forming a liquid column of a processing liquid including a portion on an upper surface of the substrate;
a physical force imparting unit for imparting a physical force to the second liquid column portion;
the liquid column forming unit includes a processing liquid supply unit configured to supply the processing liquid to the cylindrical space regardless of the physical force imparting unit;
The treatment liquid nozzle includes a flange protruding laterally from the inner wall,
The processing liquid supply unit includes a first supply passage communicating the cylindrical space and the processing liquid introduction port formed in the flange. 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과,
상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛을 포함하며,
상기 액주 형성 유닛은, 상기 물리력 부여 유닛에 관계없이 상기 통형상 공간에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고,
상기 처리액 노즐은,
상기 내벽을 가지는 내통과,
상기 내통의 측방을 둘러싸는 외통을 포함하고,
상기 처리액 공급 유닛은, 상기 내통과 상기 외통의 사이에 구획된 통형상의 제2의 공급 유로를 포함하는, 기판 처리 장치. a substrate holding unit for holding the substrate in a horizontal position;
a lower opening facing the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuous upward from the lower opening, wherein the processing liquid is discharged from the lower opening a processing liquid nozzle for discharging;
A first liquid column portion liquid-tightly filling a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with a processing liquid, and a second liquid column extending upward from the first liquid column portion and comprising the processing liquid collected in the cylindrical space a liquid column forming unit for forming a liquid column of a processing liquid including a portion on an upper surface of the substrate;
a physical force imparting unit for imparting a physical force to the second liquid column portion;
the liquid column forming unit includes a processing liquid supply unit configured to supply the processing liquid to the cylindrical space regardless of the physical force imparting unit;
The treatment liquid nozzle,
an inner passage having the inner wall;
Including an outer tube surrounding the side of the inner tube,
The processing liquid supply unit includes a cylindrical second supply passage partitioned between the inner cylinder and the outer cylinder. 삭제delete 삭제delete 기판을 수평 자세로 유지하기 위한 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 상기 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지고, 상기 하부 개구로부터 처리액을 토출하는 처리액 노즐과,
상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 유닛과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 유닛과,
상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치. a substrate holding unit for holding the substrate in a horizontal position;
a lower opening facing the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuous upward from the lower opening, wherein the processing liquid is discharged from the lower opening a processing liquid nozzle for discharging;
A first liquid column portion liquid-tightly filling a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with a processing liquid, and a second liquid column extending upward from the first liquid column portion and comprising the processing liquid collected in the cylindrical space a liquid column forming unit for forming a liquid column of a processing liquid including a portion on an upper surface of the substrate;
a physical force imparting unit for imparting a physical force to the second liquid column portion;
and a second interval changing unit for changing the interval between the liquid level of the second liquid column portion and the lower opening. 하부 개구, 및 상하 방향의 통형상 공간이며 하부 개구로부터 상방으로 연속되는 통형상 공간을 구획하는 내벽을 가지는 처리액 노즐을, 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에 상기 하부 개구가 대향하도록 배치하는 노즐 배치 공정과,
상기 처리액 노즐에 처리액을 공급함으로써, 상기 하부 개구와 상기 기판의 상면의 사이를 처리액으로 액밀하게 채우는 제1의 액주 부분과, 상기 제1의 액주 부분으로부터 상방으로 연속되고, 상기 통형상 공간에 모인 처리액으로 이루어지는 제2의 액주 부분을 포함하는 처리액의 액주를, 상기 기판의 상면에 형성하는 액주 형성 공정과,
상기 제2의 액주 부분에 물리력을 부여하는 물리력 부여 공정과,
상기 제2의 액주 부분의 액면과 상기 하부 개구 사이의 간격을 변경하는 제2의 간격 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. A treatment liquid nozzle having a lower opening and an inner wall defining a cylindrical space in the vertical direction and continuing upward from the lower opening, the lower opening is disposed to face an upper surface of a substrate held in a horizontal position nozzle placement process;
A first liquid column portion that liquid-tightly fills a space between the lower opening and the upper surface of the substrate with the treatment liquid by supplying the treatment liquid to the treatment liquid nozzle, and continues upward from the first liquid column portion, the cylindrical shape a liquid column forming step of forming a liquid column of the treatment liquid including a second liquid column portion made of the treatment liquid collected in the space on the upper surface of the substrate;
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