KR102252114B1 - Light emitting device package - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 81
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003233 aromatic nylon Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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Abstract
실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고, 상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고, 상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이다.The embodiment relates to a light emitting device package.
A light-emitting device package according to an embodiment includes: a light-emitting device; A lead frame in which the light emitting element is disposed; A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer, wherein the reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting light emitted from the light emitting device, and an angle between the inclined surface and a lower surface of the reflector layer is, It is 25 degrees or more and 35 degrees or less.
Description
실시 형태는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 고효율 및 친환경적인 광원으로서, 다양한 분야에서 각광을 받고 있다. 발광 다이오드(LED)는 예를 들어 디스플레이(표시 장치), 광 통신, 자동차 및 일반 조명에 이르기까지 여러 분야에서 사용되고 있다. 특히, 백색광을 구현하는 백색 발광 다이오드는 그 수요가 점점 증가하고 있다. Light Emitting Diodes (LEDs) are highly efficient and eco-friendly light sources, and are in the spotlight in various fields. Light-emitting diodes (LEDs) are used in various fields, for example, to displays (display devices), optical communications, automobiles, and general lighting. In particular, white light emitting diodes that implement white light are increasingly in demand.
일반적으로, 이와 같은 발광 소자는 개개의 소자가 제조된 후에 패키징되어 사용된다. 발광 소자 패키지는 방열체를 포함하는 수지 패키지 바디에 발광칩이 실장된다. 발광칩은 와이어를 통하여 리드와 전기적으로 연결되고, 발광칩 상측에는 수지와 실리콘과 같은 봉지재가 채워지고, 그 상측에 렌즈가 구비된다. 이러한 구조의 발광 소자 패키지는 발광 소자 구동 시 발생하게 되는 열의 전달이 느려 방열 효과가 낮다. 따라서, 발광 소자의 광특성이 저하될 수 있으며, 수지 패키지 바디 사이에 방열체를 삽입하는 패키지 공정은 빠른 공정 속도를 기대하기 어렵다.In general, such light-emitting devices are packaged and used after individual devices are manufactured. In the light emitting device package, a light emitting chip is mounted on a resin package body including a radiator. The light emitting chip is electrically connected to the lead through a wire, and the upper side of the light emitting chip is filled with an encapsulant such as resin and silicone, and a lens is provided on the upper side thereof. The light emitting device package having such a structure has low heat dissipation effect due to slow transfer of heat generated when the light emitting device is driven. Accordingly, the optical characteristics of the light emitting device may be deteriorated, and it is difficult to expect a fast process speed in a package process of inserting a heat sink between the resin package bodies.
방열체 없이 발광 소자를 리드 프레임에 실장하는 경우, 리드 프레임을 통해 열이 방출되기 때문에 방열성능이 낮아 고출력용 발광 소자에는 적용하기 어려운 문제가 있었다. 또한, 발광 소자용 리드 프레임에 사용되는 수지 패키지는 장시간 광에 노출되면 변색되거나 변질되어 광특성을 저하시키는 문제가 있었다.When a light emitting device is mounted on a lead frame without a radiator, since heat is radiated through the lead frame, the heat dissipation performance is low, and thus it is difficult to apply to a high output light emitting device. In addition, when exposed to light for a long period of time, the resin package used in the lead frame for a light emitting device is discolored or deteriorated, thereby deteriorating optical characteristics.
실시 형태는 리드 프레임과 수지 패키지 사이의 밀착성을 높일 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving adhesion between a lead frame and a resin package.
실시 형태는 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of moisture or foreign matter from the bottom.
실시 형태는 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of preventing penetration of foreign substances generated during mounting of the light emitting device.
실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of stably fixing a reflector on a lead frame.
실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of selectively mounting a lens or a plate on a reflector.
실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably combined with a lead frame prototype and is easily separated.
실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합되는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package that is stably coupled without an adhesive material by increasing friction with the original lead frame.
실시 형태는 광출력을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light output.
실시 형태는 광 취출 속도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light extraction speed.
실시 형태는 리플렉터층에 배광 얼룩이 발생되지 않는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package in which light distribution irregularities do not occur in a reflector layer.
실시 형태는 광 지향성을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light directivity.
실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 발광 소자; 상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및 상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고, 상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고, 상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이고, 상기 리드 프레임은 상기 발광 소자가 배치된 제1 프레임; 및 상기 제1 프레임과 전기적으로 절연된 제2 프레임;을 포함하고, 상기 수지 패키지는 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제1 수지 패키지; 및 상기 발광 소자 및 상기 리플렉터층을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지;를 포함하고, 상기 제2 수지 패키지는 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측에 수직으로 형성되는 벽부; 및 상기 벽부로부터 내측을 향하여 수평으로 돌출 형성되는 돌출부;를 포함하고, 상기 리플렉터층의 상면의 일부와 상기 돌출부의 측면으로 형성되어 렌즈가 배치되는 렌즈 가이드부; 및 상기 돌출부의 상면과 상기 벽부의 내측면으로 형성되어 플레이트가 배치되는 플레이트 가이드부;를 더 포함할 수 있다.A light-emitting device package according to an embodiment includes: a light-emitting device; A lead frame in which the light emitting element is disposed; A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer, wherein the reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting light emitted from the light emitting device, and an angle between the inclined surface and a lower surface of the reflector layer is, It is 25 degrees or more and 35 degrees or less, and the lead frame includes a first frame in which the light emitting element is disposed; And a second frame electrically insulated from the first frame, wherein the resin package includes: a first resin package disposed between the first frame and the second frame; And a second resin package surrounding the light emitting device and the reflector layer and having a concave portion at a central portion, wherein the second resin package is perpendicular to an outer side of the first lead frame, the second lead frame, and the reflector layer. A wall portion formed of; And a protrusion formed horizontally protruding from the wall portion toward the inside thereof, and including a lens guide part formed on a part of an upper surface of the reflector layer and a side surface of the protruding part to arrange a lens; And a plate guide portion formed on an upper surface of the protrusion and an inner surface of the wall portion and on which a plate is disposed.
실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 프레임과 수지 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 프레임과 수지 패키지 사이의 밀착성을 높일 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may increase adhesion between the frame and the resin package by increasing an adhesive surface between the frame and the resin package.
실시 형태는 프레임과 패키지 사이의 접착면을 증가시켜 하부로부터 수분이나 이물질의 침투를 방지할 수 있다In the embodiment, the adhesion surface between the frame and the package may be increased to prevent penetration of moisture or foreign matter from the lower portion
실시 형태는 수지부가 리드 프레임의 일부를 매몰시켜 발광 소자의 실장시에 발생하는 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment, the resin part may bury a part of the lead frame to prevent the penetration of foreign substances generated during mounting of the light emitting device.
실시 형태는 리플렉터를 리드 프레임 상에 안정적으로 고정시킬 수 있다.The embodiment can stably fix the reflector on the lead frame.
실시 형태는 리플렉터 상에 렌즈 또는 플레이트를 선택적으로 장착할 수 있다.Embodiments may selectively mount a lens or plate on the reflector.
실시 형태는 리드 프레임 원형과 안정적으로 결합되고, 분리가 용이하다.The embodiment is stably coupled to the original lead frame and is easy to separate.
실시 형태는 리드 프레임 원형과의 마찰력을 증대시켜 접착재 없이 안정적으로 결합된다.The embodiment is stably coupled without an adhesive material by increasing the frictional force with the original lead frame.
실시 형태는 광출력을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve light output.
실시 형태는 광 취출 속도를 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve the light extraction speed.
실시 형태는 리플렉터층에 배광 얼룩이 발생되지 않을 수 있다.In the embodiment, light distribution irregularities may not occur in the reflector layer.
실시 형태는 광 지향성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve light directivity.
도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 5는 리드 프레임의 사시도이다.
도 6는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 저면 사시도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다.
도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지의 수치가 포함된 설계 도면이다.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 치수가 포함된 설계 도면이다.
도 13은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 14 내지 도 17은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.
도 18은 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.
도 23은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이고, 도 24는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
4 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
5 is a perspective view of a lead frame.
6 is a bottom perspective view of the light
7 is a perspective view of an original lead frame from which the lead frame according to the embodiment has been removed.
8 is a perspective view illustrating a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.
9 is a perspective view showing a structure of a light emitting device package capable of mass production.
10 is a design diagram including numerical values of the light emitting device package shown in FIG. 3.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
12 is a design diagram including actual dimensions of the light emitting device package shown in FIG. 11.
13 are actual photographs of the light emitting device package illustrated in FIGS. 1 to 5, and FIGS. 14 to 17 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13.
18 is an actual photograph of the light emitting device package illustrated in FIG. 11, and FIGS. 19 to 22 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.
FIG. 23 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13, and FIG. 24 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.
본 발명에 따른 실시 형태의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where one element is described as being formed "on or under" of another element, the upper (upper) or lower (Bottom) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as “on or under”, it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.
먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지에 대하여 설명하도록 한다.First, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described.
도 1은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
도 1을 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는, 발광칩(110)과 발광칩(110)이 탑재되는 서브 마운트(sub mount, 120)를 포함하는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)가 실장되는 리드 프레임(lead frame, 200), 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130), 발광 소자(100) 주위를 둘러싸고 발광소자(100)로부터 방출된 빛을 반사하는 리플렉터(reflector)층 (140), 및 발광 소자 패키지(1)의 본체를 형성하는 수지 패키지(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a light
발광 소자(100)는 발광 다이오드(LED)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 다이오드는 심자외선(Deep Ultra Violet, DUV)을 방출하는 DUV LED 일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 각각 발광하는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 발광 다이오드일 수 있다. 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그 곳에서 재결합되어 빛이 발생되며, 활성층에서 발생된 빛은 모든 방향 또는 특정 방향으로 방출되어 노출 표면을 통해 발광 다이오드 밖으로 방출되게 된다.The
발광칩(110)은 플립칩(Flip Chip)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 수직형(vertical) 칩이나, 수평형(lateral) 칩일 수 있다. 도면에서는 편의상 수평형 칩으로 설명한다. 발광칩(110)의 크기는 가로 600um, 세로 700um으로 형성될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)은 190~400 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있다. 보다 구체적으로, 발광칩(110)은 250~280 nm의 파장의 심자외선을 발광할 수 있으며, 이 때, 발광칩(110)에서 방출되는 심자외선이 살균력이 가장 우수하다. 도 1에 도시되어 있지는 않지만, 발광칩(110)은 기판과, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 배치된 발광 구조물을 포함할 수 있다. 발광칩(110)의 기판은 빛이 투과할 수 있는 광 투과 특성을 가질 수 있다. 기판은 사파이어(Al2O3), 스핀넬(MgAl2O4)과 같은 절연성 기판, SiC, Si, GaAs, GaN, InP, Ge 등의 반도체 기판들 중 적어도 어느 하나일 수 있다. The
서브 마운트(120)에는 발광칩(110)이 배치된다. 서브 마운트(120)는 발광칩(110)에서 발생하는 열을 방출하여 하부의 리드 프레임(200)으로 전달한다. 또한, 발광 소자(100)와 리드 프레임(200)을 전기적으로 연결하는 와이어(130)의 일단은 서브 마운트(120)에 연결된다. 서브 마운트(120)는 열전도율이 높은 질화 알루미늄(AlN)이나 실리콘카바이드(SiC) 등으로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 발광칩(110)과 서브 마운트(120)는 솔더범퍼(solder bumper)에 의해 결합될 수 있다.The
도 2는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면사시도이고, 도 3은 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional perspective view of a light emitting device package according to the embodiment, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device package according to the embodiment.
도 2 및 도 3을 참고하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 리플렉터층(140)은 순 알루미늄으로 이루어 질 수 있다. 따라서, 광의 반사율이 높고, 열확산성이 좋으며, 산소 및 황화수소 가스에 대한 내부식성을 가질 수 있다. 리플렉터층(140)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.2 and 3, the
리플렉터층(140)의 상부에는 광학 렌즈(미도시)가 배치될 수 있는 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층(140)의 상부에는 플레이트(미도시)가 배치될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 배치될 수 있다. 렌즈 가이드부(150)는 리플렉터층(140)의 상면과, 후술할 제2 수지 패키지(320)의 일단에 의하여 형성된 벽부(321)에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 플레이트 가이드부(160)는 제2 수지 패키지(320)의 상면에 형성된 평면부와, 제2 수지 패키지(320)의 상면에서 상측으로 돌출된 벽부의 일측면에 의하여 형성될 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다. 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)와 리플렉터층(140) 사이에는 밀봉 수지재가 충전될 수 있다. 밀봉 수지재로는 실리콘 수지가 이용될 수 있다. 한편, 실시 형태에 따른 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)는 형광체를 함유하는 유리 렌즈 또는 유리 플레이트일 수 있다. 따라서, 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시) 내에 형광체가 분산되거나 형광체를 포함하는 봉지재를 이용하지 않고, 렌즈(미도시) 또는 플레이트(미도시)가 형광체를 함유하므로 광속유지율이 향상될 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지(1)의 신뢰성이 향상될 수 있다.A
리드 프레임(200)은 발광 소자(100)의 하부에 위치하고, 리드 프레임(200)에는 발광 소자(100)가 실장된다. 리드 프레임(200)은 발광 소자(100)가 직접 실장되는 제1 프레임(210)과, 발광 소자(100)와 와이어(130)를 통해 전기적으로 연결되는 제2 프레임(220)을 포함할 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에는 후술할 수지 패키지(300)의 제1 수지 패키지(310)가 삽입되기 위한 개구부가 형성될 수 있다. 한편, 리드 프레임(200)은 구리(Cu)성분을 포함하는 구리 합금으로 이루어질 수 있다. 따라서, 서브 마운트(120)의 질화 알루미늄(AlN)보다 2~3배의 열전도율을 가질 수 있어 방열체 역할을 할 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 별도의 방열체가 필요없고 구리를 이용하므로 비용면에서 유리하다. The
리드 프레임(200)의 두께를 두껍게 하면, 리드 프레임(200)이 대용량의 방열체의 역할을 할 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 증가하면, 리드 프레임(200)의 비용은 증가할 수 있으나, 별도의 방열체를 추가하는 것보다 비용을 줄일 수 있다. 또한, 구리로 이루어진 리드 프레임(200)이 두꺼울수록 열확산이 좋고 열팽창의 영향을 적게 받는다. 리드 프레임(200)의 두께가 두꺼워지면, 수지 패키지(300)와의 마찰력도 커지고, 하부로부터 발광 소자 패키지(1) 내부로 이물질이나 수분의 침투도 어려워진다. 또한, 두께가 두꺼워지면, 외부 응력에 대한 변형에 대한 저항성도 커진다.When the thickness of the
구체적으로, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께는 0.5 mm 내지 1.5 mm 일 수 있다. 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면 열확산 및 열방출 성능이 좋지 않으며, 1.5 mm보다 크면 열확산 및 열방출 성능의 증가에 비하여 리드 프레임(200)의 두께 증가에 따른 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다. 또한, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 0.5 mm 보다 작으면, 외부 응력에 대한 발광 소자 패키지(1)의 변형에 대한 저항성이 허용치보다 낮게 되며, 1.5 mm 보다 크면 제조비용의 증가가 문제가 될 수 있다.Specifically, the thickness of the copper-based
정리하면, 구리성분의 리드 프레임(200)의 두께를 0.5 mm 보다 작게 하면, 열확산, 열방출, 변형에 대한 저항성, 수분 침투 방지의 성능 중 어느 하나가 허용치보다 낮게 되며, 두께가 두꺼워질수록 이러한 특성들은 개선이 된다. 그러나, 구리 성분의 리드 프레임(200)의 두께가 1.5 mm 이상이 되면, 발광 소자 패키지(1)의 제조에 있어서, 전술한 특징들의 개선에 비하여 제조비용의 증가가 더 큰 문제가 될 수 있다.In summary, if the thickness of the copper-based
제1 프레임(210)에는 발광 소자(100)가 직접 실장될 수 있다. 도면에는 도시되어 있지 않으나, 제1 프레임(210)의 상면에는 발광 소자(100)가 본딩될 수 있는 다이 본딩 페이스트(미도시)가 형성될 수 있다. 발광 소자(100)는 다이 본딩 페이스트를 이용하여 제1 프레임(210) 상에 실장될 수 있다. 다이 본딩 페이스트는 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함할 수 있다. The
제2 프레임(220)은 와이어(130)를 통해 발광 소자(100)와 전기적으로 연결될 수 있다.The
실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)의 수지 패키지(300)는 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)에 삽입되는 제1 수지 패키지(310), 발광 소자(100) 및 리플렉터층(140)을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지(320)를 포함할 수 있다.The
제1 수지 패키지(310)는 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 채워질 수 있다. 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200)의 외측과, 리플렉터층(140)의 외측 및 상측 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200) 상에 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성될 수 있다. 제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)의 형상은, 금형의 설계에 의해 다양하게 형성될 수 있다. The
제1 수지 패키지(310) 및 제2 수지 패키지(320)에 사용되는 열가소성 수지 또는 열경화성 수지는, 내후성이 강한 검은색의 수지가 이용될 수 있다. 예를 들면, 검은색의 방향족 나이론이 이용될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 수지 패키지(300)는 발광 소자(100)로부터 장시간 동안 열과 빛에 노출되므로, 변색이나 열화가 발생할 수 있다. 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 내후성이 좋은 검은 색의 수지를 이용하므로, 단파장 자외선의 열화를 방지할 수 있고, 발광 소자 패키지의 변색을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 소자(100)가 백색 발광 다이오드인 경우에는, 검은색의 수지를 이용할 필요가 없으며, 흰색의 수지를 이용할 수도 있다. 흰색의 수지는 검은색 수지보다 광투과율이 높으므로 광효율면에서 유리하다.The thermoplastic resin or thermosetting resin used in the
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 수지 패키지(320)는 리플렉터층(140)의 일부가 끼워져 고정될 수 있는 홈부(320a)와 도 7 내지 도 8에서 후술할 리드 프레임 원형(原型) (400)의 외곽 프레임(410)과 결합될 수 있는 오목부(320b)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the
구체적으로, 제2 수지 패키지(320)는 리드 프레임(200) 및 리플렉터층(140)의 외측에 수직으로 형성되는 벽부(321)를 포함할 수 있다. 벽부(321)로부터 발광 소자(100)를 향하여 수평으로 돌출되는 돌출부(322)가 형성될 수 있으며, 이 돌출부(322)는 리플렉터층(140)의 상면의 적어도 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 홈부(320a)는 제2 수지 패키지(320)의 벽부(321), 돌출부(322) 및 리드 프레임(200)의 상면에 의해 둘러싸이도록 형성될 수 있다. 한편, 리플렉터층(140)과 리드 프레임(200) 사이에는 제2 수지 패키지(320)의 일부가 삽입될 수 있다. 구체적으로 리플렉터층(140)의 하면과 리드 프레임(200)의 상면 사이에는 제2 수지 패키지(320)의 삽입부(323)가 배치될 수 있으며, 이 삽입부(323)의 두께는 리플렉터층(140)과 리드 프레임(320)의 두께에 비하여 상대적으로 얇게 형성될 수 있다.Specifically, the
리플렉터층(140)은 리드 프레임(200) 상부에 배치되는데, 종래에는 접착제를 이용하여 리드 프레임(200) 상부에 리플렉터층(140)을 접착시켰다. 접착제를 이용하면, 접착제 찌꺼기 등이 전극이나 와이어 등을 오염시킬 수 있다. 그러나, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 제2 수지 패키지(320)에 홈부(320a)가 형성되고, 리플렉터층(140)의 일부, 예를 들면 최외곽부가 제2 수지 패키지(320)의 홈부(320a)에 끼워져 고정된다. 따라서, 접착제없이 리플렉터층(140)가 리드 프레임(200)의 상부에 고정되므로 접착제의 사용으로 인한 오염을 방지하고, 비용을 절감할 수 있다.The
또한, 리플렉터층(140)은 렌즈 가이드부(150)와 플레이트 가이드부(160)를 포함할 수 있다.In addition, the
리플렉터층(140)의 상면에는, 벽부(321)로부터 돌출된 돌출부(322)에 의해 덮히지 않고 상부를 향해 개방된 부분이 있다. 이 개방된 부분과 돌출부(322)의 끝단에 의하여 렌즈가 장착가능한 렌즈 가이드부(150)가 형성될 수 있다. 또한, 리플렉터층(140)의 상부에는 벽부(321)의 상면과 돌출부(322)의 상면이 단차를 가지게 형성될 수 있으며, 이 단차에 의하여 플레이트(미도시)가 장착될 수 있는 플레이트 가이드부(160)가 형성될 수 있다.On the upper surface of the
한편, 리플렉터층(140)의 고강도의 금속으로 이루어질 수 있다. 따라서, 변형이 어려우므로. 리플렉터층(140)이 리드 프레임(200) 상에 안정적으로 고정되면 정밀도가 높은 반사가 가능하다. 오목부(320b)에 대한 설명은 후술하도록 한다.Meanwhile, the
도 4는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 평면도이고, 도 5는 리드 프레임의 사시도이다. 4 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of a lead frame.
도 1 내지 5를 참조하면, 리플렉터층(140)은 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)에 상에 형성되고, 내측에 개구부가 형성될 수 있다. 리플렉터층(140)의 개구부에는 발광 소자(100)가 배치되고, 수지로 채워질 수 있다.1 to 5, the
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)의 일부는 굴곡이 형성되어 있다. 구체적으로, 제1 프레임(210)은, 제2 프레임(220)을 향하여 오목진 오목부(210a)를 가지고, 제2 프레임(220)는 제1 프레임(210)의 오목부(210a)에 대응되게 제1 프레임(210)을 향하여 볼록한 볼록부(220a)를 가질 수 있다. 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220)이 굴곡된 형상을 가지면, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 사이에 배치되는 제1 수지 패키지(310)와 리드 프레임(200) 사이의 접촉면이 증가된다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)의 접촉면이 증가하므로, 리드 프레임(200)과 수지 패키지(300)와의 밀착성이 증가하는 효과가 있다.4 and 5, the
또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(1)의 리드 프레임(200)은 두꺼운 구리 프레임이므로 형상의 자유도가 높다. 따라서, 리드 프레임(200)에 단차를 형성할 수 있으며, 개구부도 단차를 갖게 된다. 따라서, 제1 수지 패키지(310)는 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이의 개구부의 형상에 따라 채워지므로, 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220)와 제1 수지 패키지(310)와의 접촉면적이 증가한다. 따라서, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)와의 밀착성을 증가시킬 수 있다. 또한, 리드 프레임(200)과 제1 수지 패키지(310)가 단차를 가진 형태로 결합하므로, 리드 프레임(200)의 하부로부터 수분이나 이물질 등의 침투를 방지하는 성능이 증가한다.In addition, as shown in FIGS. 2 and 3, since the
도 6는 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 저면 사시도이다.6 is a bottom perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.
도 1 내지 도 6을 참고하면, 리드 프레임(200)의 제1 프레임(210) 및 제2 프레임(220) 사이에는 제1 수지 패키지(310)가 배치된다. 제1 수지 패키지(310)의 길이방향 양단부(310a)는 제1 프레임(210)을 향하여 폭방향으로 연장되게 형성되어, 제1 프레임(210)의 길이 방향 양단부의 일부가 제1 수지 패키지(310)에 의해 매몰될 수 있다. 따라서, 제1 프레임(210)의 외부로 돌출된 단자와 제1 수지 패키지(310) 사이의 틈이 제거되어, 제1 프레임(210)에 발광 소자(100)를 실장할 때 발생할 수 있는 이물질 등이 발광 소자 패키지(1) 내부로 침투하여 와이어 또는 전극 등을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.1 to 6, a
한편, 제1 프레임(210)과 제2 프레임(220) 중 발광 소자 패키지(1)의 외부로 노출된 부분은 발광 소자 패키지(1)의 단자로 기능할 수 있다. 또한, 이 부분은 TC(Thermal Calculator)로 기능할 수도 있다. Meanwhile, a portion of the
도 7은 실시 형태에 따른 리드 프레임이 제거된 리드 프레임 원형의 사시도이다. 7 is a perspective view of a lead frame prototype from which the lead frame according to the embodiment has been removed.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 리드 프레임 원형(400)은 제1 프레임(210), 제2 프레임(220)을 포함하고, 외곽 프레임(410)를 포함할 수 있다. 제1 프레임(210), 제2 프레임(220) 및 외곽 프레임(410) 사이에는 각각 개구부가 형성될 수 있고, 각각의 개구부에는 수지가 채워질 수 있다.5 to 7, the
도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 수지 패키지(320)의 외측의 상부에는 오목부(320b)가 형성될 수 있다. 리드 프레임 원형(400)은 외곽 프레임(410)에 오목부(320b)에 대응되게 형성된 볼록부(410a)를 포함할 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)가 리드 프레임 원형(400)에 결합되어 있을 때, 볼록부(410a)는 오목부(320b)에 끼워지고, 오목부(320b)의 상부의 걸림턱에 걸림된다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)으로부터 아래쪽으로는 움직임 구속된다. 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 윗쪽으로만 분리가 가능하다. 따라서, 발과 소자 패키지(1) 보관 및 운반이 용이하다. As shown in FIGS. 1 to 7, a
또한, 리드 프레임 원형(400)은 두껍기 때문에 발광 소자 패키지(1) 외측의 제2 수지 패키지(320)와의 마찰력이 크다. 따라서, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)과 접착제를 사용하지 않고 고정될 수 있다. 따라서, 실시 형태에 따른 발광 소자 패캐지(1)는 접착제를 사용하지 않고 리드 프레임 원형(400)에 고정되므로, 이물질이 발생되지 않는다.In addition, since the
도 8은 리드 프레임 원형에 발광 소자가 실장되지 않은 발광 소자 패키지가 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a state in which a light emitting device package in which a light emitting device is not mounted is coupled to a circular lead frame.
도 1 및 도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(1)는 리드 프레임 원형(400)의 리드 프레임(200) 상에 배치된다. 수지가 리드 프레임(200) 상에 몰딩되어 수지 패키지(300)가 형성되면, 리드 프레임(200)상에 발광 소자(1)를 실장한다.1 and 8, the light emitting
이 때, 리드 프레임 원형(400)은 두 개의 발광 소자 패키지(1)가 장착되도록 2개의 리드 프레임(200)를 포함할 수 있다.In this case, the
도 9는 양산이 가능한 발광 소자 패키지의 구조를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view showing the structure of a light emitting device package capable of mass production.
도 9를 참조하면, 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지(1)는 2열로 연장되는 형태로 금형에 의하여 양산될 수 있다. 따라서, 발광 소자 소자 패키지(1)를 금형을 통해 양산가능하므로, 비용을 절감시킬 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting
본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 발광칩이 가시광선을 방출하는 LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는, 실내외의 각종 액정표시장치, 전광판, 가로등, 등의 조명 장치에 이용될 수 있다. 한편, 발광 소자 패키지의 발광칩이 심자외선을 방출하는 DUV LED인 경우에는, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지는 살균이나 정화를 위한 가습기나 정수기에 이용될 수 있다.In the case where the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is an LED emitting visible light, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes various indoor and outdoor liquid crystal displays, electric signs, street lights, etc. Can be used in devices. Meanwhile, when the light emitting chip of the light emitting device package is a DUV LED emitting deep ultraviolet rays, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention may be used in a humidifier or water purifier for sterilization or purification.
도 10은 도 3에 도시된 발광 소자 패키지의 수치가 포함된 설계 도면이다.10 is a design diagram including numerical values of the light emitting device package shown in FIG. 3.
한편, 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지는, 리플렉터층(140)을 포함하는데, 이 리플렉터층(140)은 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진다. 리플렉터층(140)이 알루미늄과 같은 금속으로 이루어지면 발광 소자(100)로부터 방출되는 심자외선을 용이하게 반사할 수 있다. 하지만, 이러한 리플렉터층(140)에 의해 소정의 문제가 발생할 수 있다. 이하에서 구체적으로 설명한다.Meanwhile, the light emitting device package shown in FIGS. 1 to 5 includes a
리플렉터층(140)은 발광 소자(100)로부터의 광을 반사할 때, 광을 확산시키면서 다중 반사(소위, ‘확산 반사’ 또는 ‘난반사’)한다. 이러한 리플렉터층(140)은, 입사되는 광을 다중 반사하므로, 다중 반사에 의한 광 손실이 생길 수 있다. 특히, 발광 소자(100)가 상측 방향보다는 측 방향으로 더 많은 광을 방출하는 경우, 상기 손실에 의해서 발광 소자 패키지 전체의 광출력(Po)이 저하되는 문제를 발생할 수 있다.When the
또한, 다중 반사를 하는 리플렉터(140)는 입사되는 광을 즉각적으로 반사하는 것이 아니라 집광한 후에 반사하기 때문에 광 취출 속도가 저하되는 문제가 있다.In addition, since the
또한, 발광 소자(100)가 상측 방향보다는 측 방향으로 더 많은 광을 방출하는 경우, 리플렉터층(140)에 배광 얼룩이 생길 수 있다.In addition, when the
또한, 다중 반사를 하는 리플렉터층(140)을 사용하면, 리플렉터층(140) 위에 사용되는 렌즈와 같은 2차 광학 부재로 입사되는 광의 배광을 조절이 어려운 문제가 있다. In addition, when the
이하에서는, 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지를 도 11을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device package according to another embodiment capable of solving these problems will be described with reference to FIG. 11.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이고, 도 12는 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 치수가 포함된 설계 도면이다. 도 12에 도시된 수치들 중 도 10에 도시된 수치와 다른 수치는 도 10에 도시된 수치와 같은 수치보다 더 짙게 표현하였다.11 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment, and FIG. 12 is a design diagram including actual dimensions of the light emitting device package shown in FIG. 11. Among the values shown in FIG. 12, values different from those shown in FIG. 10 are expressed in a darker form than the same values as those shown in FIG. 10.
도 11에 도시된 발광 소자 패키지에서 리플렉터층(140’)을 제외한 나머지 구성 요소들은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하고, 리플렉터(140’)에 관하여 구체적으로 설명하도록 한다.In the light-emitting device package illustrated in FIG. 11, other components except for the
리플렉터층(140’)은 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 반사한다. 리플렉터층(140’)은 발광 소자(100)의 주위를 둘러싸고, 리드 프레임(200)의 상부에 배치된다. 리플렉터층(140)은 금속으로 이루어질 수 있다.The
리플렉터층(140’)은 내측이 오목한 원형으로 형성될 수 있으나, 리플렉터층(140’)의 형상이 반드시 원형으로 한정되는 것은 아니다.The
리플렉터층(140’)은 제2 수지 패키지(320)의 삽입부(323) 상에 배치될 수 있다. 리플렉터층(140’) 상에는 제2 수지 패키지(320)의 돌출부(322)가 배치될 수 있다. 따라서, 리플렉터층(140’)은 제2 수지 패키지(320)의 돌출부(322)와 삽입부(323) 사이에 배치될 수 있다.The
리플렉터층(140’)의 재질은 금속도 가능하고, 비금속도 가능하다. 리플렉터층(140’)의 재질은 그 어떤 재질이던 가능하다.The material of the
리플렉터층(140’)은 경사면(141’)을 포함한다.The
리플렉터층(140’)의 경사면(141’)은 입사되는 광을 정반사하는 거울면이다. 정반사는 난반사(또는 확산 반사)와 구별되는데, 정반사는 입사되는 광을 그대로 반사하지만, 난반사는 입사되는 광을 여러 방향으로 다중 반사한다. 리플렉터층(140’)의 경사면(141’)이 거울면이면, 발광 소자 패키지의 광 출력(Po)을 향상시킬 수 있고, 광 취출 속도를 향상시킬 수 있으며, 발광 소자(100)의 측 방향 배광강도가 상측 방향 배광강도보다 더 강할 때 경사면(141’)에서 나타날 수 있는 배광 얼룩을 줄일 수 있다. 따라서, 리플렉터층(140’) 위에 사용가능한 렌즈와 같은 2차 광학 부재로 입사되는 광의 배광을 쉽게 조절할 수 있다.The
리플렉터층(140’)의 경사면(141’)은 리플렉터층(140’)의 하면과 소정 각도(a)로 기울어진 면일 수 있다. 여기서, 소정 각도(a)는 25 도(°) 이상 35 도(°) 이하일 수 있다. 소정 각도(a)가 25도 이상 35도 이하이면, 광출력(Po)을 향상시킬 수 있고, 경사면(141’)에 특정 형상의 배광 얼룩이 발생되는 것을 막거나 완화시킬 수 있다. 이하, 도 13 내지 도 24를 참조하여 소정 각도(a)가 갖는 기술적 효과를 구체적으로 설명하도록 한다.The
도 13은 도 1 내지 도 5에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 14 내지 도 17은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다.13 are actual photographs of the light emitting device package illustrated in FIGS. 1 to 5, and FIGS. 14 to 17 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13.
도 18은 도 11에 도시된 발광 소자 패키지의 실제 사진이고, 도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 시뮬레이션 효과를 보여주는 자료들이다. 18 is an actual photograph of the light emitting device package illustrated in FIG. 11, and FIGS. 19 to 22 are data showing a simulation effect when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.
도 14 및 도 19에서 광선의 개수는 100,000개로 설정하였다. 도 14와 도 19를 비교하면, 도 19에 도시된 발광 소자 패키지의 중앙 부분에서의 광선의 밀도가 도 14에 도시된 발광 소자 패키지의 중앙 부분에서의 광선의 밀도보다 작은 것을 확인할 수 있다. 이는 도 19에 도시된 발광 소자 패키지는 중앙 부분에서 배광이 밀집되지 않는 것을 의미하며, 전체적으로 균일한 배광이 되는 것을 확인할 수 있다.14 and 19, the number of rays was set to 100,000. 14 and 19, it can be seen that the density of light rays in the central portion of the light emitting device package illustrated in FIG. 19 is smaller than the density of light rays in the central portion of the light emitting device package illustrated in FIG. 14. This means that in the light emitting device package illustrated in FIG. 19, light distribution is not concentrated in the central portion, and it can be seen that the overall light distribution is uniform.
아래 표 1은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po), 동작 전압(Vf) 및 피크 파장(Wp)이다.Table 1 below shows the light output (Po), the operating voltage (Vf), and the peak wavelength (Wp) of the light emitting device package shown in FIG. 13.
아래 표 2는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po), 동작 전압(Vf) 및 피크 파장(Wp)이다.Table 2 below shows light output (Po), operating voltage (Vf), and peak wavelength (Wp) of the light emitting device package shown in FIG. 18.
(+0.48%)11.220
(+0.48%)
표 1 및 표 2를 참조하면, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po)이 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 광출력(Po)보다 평균(Avg) 0.48 더 향상됨을 확인할 수 있다.Referring to Tables 1 and 2, it can be seen that the light output (Po) of the light emitting device package shown in FIG. 18 is improved by an average (Avg) of 0.48 more than the light output (Po) of the light emitting device package shown in FIG. 13. .
도 15 내지 도 17과 도 20 내지 도 22를 비교하면, 도 13에 도시된 발광 소자 패키지의 경우 중앙 부분에 링 형상의 배광 얼룩이 발생되는 것을 확인할 수 있고, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지의 경우 배광 얼룩이 완전히 없진 않지만 특정 형상의 배광 얼룩이 생기지 않는 것을 확인할 수 있다. When comparing FIGS. 15 to 17 with FIGS. 20 to 22, it can be seen that in the case of the light emitting device package shown in FIG. 13, a ring-shaped light distribution irregularity occurs in the center portion, and in the case of the light emitting device package shown in FIG. 18 It can be seen that the light distribution irregularity is not completely absent, but there is no specific shape of the light distribution irregularity.
도 23은 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이고, 도 24는 도 18에 도시된 발광 소자 패키지에서 광이 방출될 때의 광 지향성을 보여주는 도면이다.FIG. 23 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 13, and FIG. 24 is a view showing light directivity when light is emitted from the light emitting device package illustrated in FIG. 18.
도 23과 도 24를 비교해보면, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지가 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에 비하여 광 지향성이 개선됨을 확인할 수 있다. 구체적으로, 도 18에 도시된 발광 소자 패키지가 도 13에 도시된 발광 소자 패키지에 비하여 균일한 배광을 함을 확인할 수 있다.Comparing FIGS. 23 and 24, it can be seen that the light-emitting device package illustrated in FIG. 18 has improved light directivity compared to the light-emitting device package illustrated in FIG. 13. Specifically, it can be seen that the light emitting device package shown in FIG. 18 has a uniform light distribution compared to the light emitting device package shown in FIG. 13.
또한, 도면에 도시되지 않았지만, 소정 각도(a)가 25도보다 작으면 반사기능을 수행하기 어렵고, 발광 소자 패키지의 크기에 부정적 영향이 있을 수 있다. 만약 소정 각도(a)가 25도보다 작으면, 리플렉터층(140’)의 크기가 수평방향으로 크기가 커지게 되고, 크기가 커지게 되면 수지 패키지(320)의 크기가 특정 크기로 고정된 경우에 발광 소자(100)을 장작할 수 있는 공간이 좁아지는 문제가 있다. 한편, 특정 개수의 발광 소자(100)를 수지 패키지(320)에 장착해야 하는 경우에는 패키지 바디의 크기가 커져야 하는 문제가 있다. Further, although not shown in the drawings, if the predetermined angle a is less than 25 degrees, it is difficult to perform the reflective function, and the size of the light emitting device package may be negatively affected. If the predetermined angle (a) is less than 25 degrees, the size of the
상술한 여러 점들을 고려하여, 리플렉터층(140’)의 경사면(141’)의 소정 각도(a)는 25도 이상이고 35도 이하인 것이 좋다.In consideration of the above-described various points, it is preferable that the predetermined angle (a) of the inclined surface 141' of the
이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention pertains will not be exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each constituent element specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
1: 발광 소자 패키지
100: 발광 소자
110: 발광칩
120: 서브 마운트
130: 와이어
140: 리플렉터
150: 렌즈 가이드부
160: 플레이트 가이드부
200: 리드 프레임
210: 제1 프레임
210a: 오목부
220: 제2 프레임
220a: 볼록부
300: 수지 패키지
310: 제1 수지 패키지
310a: 양단부
320: 제2 수지 패키지
320a: 홈부
320b: 오목부
321: 벽부
322: 돌출부
323: 삽입부
400: 리드 프레임 원형
410: 외곽 프레임
410a: 볼록부
420: 개구부
140’: 리플렉터층1: light emitting device package
100: light-emitting element
110: light-emitting chip
120: sub mount
130: wire
140: reflector
150: lens guide part
160: plate guide part
200: lead frame
210: first frame
210a: recess
220: second frame
220a: convex portion
300: resin package
310: first resin package
310a: both ends
320: second resin package
320a: groove
320b: recess
321: wall part
322: protrusion
323: insert
400: lead frame prototype
410: outer frame
410a: convex portion
420: opening
140': reflector layer
Claims (6)
상기 발광 소자가 배치된 리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 배치되고, 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 반사하는 리플렉터층; 및
상기 리드 프레임 및 상기 리플렉터층을 둘러싸는 수지 패키지;를 포함하고,
상기 리플렉터층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광을 정반사하는 경사면을 포함하고,
상기 경사면과 상기 리플렉터층의 하면 사이의 각도는, 25도 이상 35도 이하이고,
상기 리드 프레임은, 상기 발광 소자가 배치된 제1 프레임; 및 상기 제1 프레임과 전기적으로 절연된 제2 프레임;을 포함하고,
상기 수지 패키지는, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 제1 수지 패키지; 및 상기 발광 소자 및 상기 리플렉터층을 둘러싸고, 중앙부에 오목부를 갖는 제2 수지 패키지;를 포함하고,
상기 제2 수지 패키지는, 상기 제1 리드 프레임, 상기 제2 리드 프레임 및 상기 리플렉터층의 외측에 수직으로 형성되는 벽부; 및 상기 벽부로부터 내측을 향하여 수평으로 돌출 형성되는 돌출부;를 포함하고,
상기 리플렉터층의 상면의 일부와 상기 돌출부의 측면으로 형성되어 렌즈가 배치되는 렌즈 가이드부; 및 상기 돌출부의 상면과 상기 벽부의 내측면으로 형성되어 플레이트가 배치되는 플레이트 가이드부;를 더 포함하는, 발광 소자 패키지.Light-emitting elements;
A lead frame in which the light emitting element is disposed;
A reflector layer disposed on the lead frame and reflecting light emitted from the light emitting device; And
Including; a resin package surrounding the lead frame and the reflector layer,
The reflector layer includes an inclined surface for specularly reflecting the light emitted from the light emitting device,
The angle between the inclined surface and the lower surface of the reflector layer is 25 degrees or more and 35 degrees or less,
The lead frame includes: a first frame in which the light emitting device is disposed; And a second frame electrically insulated from the first frame;
The resin package may include: a first resin package disposed between the first frame and the second frame; And a second resin package surrounding the light emitting device and the reflector layer and having a concave portion at a central portion,
The second resin package may include: a wall portion vertically formed outside the first lead frame, the second lead frame, and the reflector layer; And a protrusion formed horizontally protruding from the wall portion toward the inside,
A lens guide part formed on a part of an upper surface of the reflector layer and a side surface of the protruding part to arrange a lens; And a plate guide part formed as an upper surface of the protrusion and an inner surface of the wall part to arrange a plate.
상기 경사면은 거울면인, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The inclined surface is a mirror surface, the light emitting device package.
상기 발광 소자는, 서브 마운트 및 상기 서브 마운트 상에 배치된 발광칩을 포함하고,
상기 발광칩은 자외선을 방출하는, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The light-emitting device includes a sub-mount and a light-emitting chip disposed on the sub-mount,
The light emitting chip is a light emitting device package that emits ultraviolet rays.
상기 리플렉터층은 알루미늄인, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The reflector layer is aluminum, the light emitting device package.
상기 제2 수지 패키지는, 상기 리플렉터층의 일부가 끼워져 고정되는 홈부를 갖는, 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The second resin package, a light emitting device package having a groove portion to which a portion of the reflector layer is inserted and fixed.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140167952A KR102252114B1 (en) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | Light emitting device package |
JP2015222947A JP6765804B2 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-13 | Light emitting element package |
EP15195625.7A EP3026717B1 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-20 | Light emitting device package |
EP19150288.9A EP3499590B1 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-20 | Light emitting device package |
US14/953,254 US9673357B2 (en) | 2014-11-28 | 2015-11-27 | Light emitting device package |
CN201510857142.4A CN105655464B (en) | 2014-11-28 | 2015-11-30 | Light emitting device package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140167952A KR102252114B1 (en) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | Light emitting device package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160064396A KR20160064396A (en) | 2016-06-08 |
KR102252114B1 true KR102252114B1 (en) | 2021-05-17 |
Family
ID=56193407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140167952A KR102252114B1 (en) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | Light emitting device package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102252114B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102632274B1 (en) * | 2016-10-31 | 2024-02-05 | 주식회사 아모센스 | Light emitting diode module for sensor |
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US20120286319A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Lee Gun Kyo | Light emitting device package and ultraviolet lamp having the same |
JP2013251384A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Seika Sangyo Kk | Light emitting device |
-
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- 2014-11-28 KR KR1020140167952A patent/KR102252114B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160064396A (en) | 2016-06-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |