KR102251474B1 - 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102251474B1 KR102251474B1 KR1020130121120A KR20130121120A KR102251474B1 KR 102251474 B1 KR102251474 B1 KR 102251474B1 KR 1020130121120 A KR1020130121120 A KR 1020130121120A KR 20130121120 A KR20130121120 A KR 20130121120A KR 102251474 B1 KR102251474 B1 KR 102251474B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substituted
- unsubstituted
- membered
- alkyl
- aryl
- Prior art date
Links
- 0 CC(CC1[N+]C(c2cccc(-[n]3c4ccccc4c(C4C=CC=CC4(C)C45)c3C4(C)N(C3C=CC=C4C=CC=CC34C)c3c5cccc3)c2)=N*11)C(C)C1c1ccccc1 Chemical compound CC(CC1[N+]C(c2cccc(-[n]3c4ccccc4c(C4C=CC=CC4(C)C45)c3C4(C)N(C3C=CC=C4C=CC=CC34C)c3c5cccc3)c2)=N*11)C(C)C1c1ccccc1 0.000 description 6
- ZYZHNLVQLIAGMZ-UHFFFAOYSA-N Bc1ccc(B)c2c1cccc2 Chemical compound Bc1ccc(B)c2c1cccc2 ZYZHNLVQLIAGMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGZNYCLBDPEFG-UHFFFAOYSA-N C(C1)C=CC(C2)C1=CCC2C1Nc2ccccc2N=C1[n]1c(cccc2)c2c(-c2ccccc2C2C3C=CC=CC33)c1C2N3C1=CC=CCC1 Chemical compound C(C1)C=CC(C2)C1=CCC2C1Nc2ccccc2N=C1[n]1c(cccc2)c2c(-c2ccccc2C2C3C=CC=CC33)c1C2N3C1=CC=CCC1 MBGZNYCLBDPEFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQXQYQQGVJGUSE-UHFFFAOYSA-N C(CC=C(C1)C2=C3C=CCCC3NC(C(C=C3)=CCC3[n]3c(C=CCC4)c4c(C4=C(C5C6C=CC=CC66)C=CCC4)c3C5N6C3=CC=CCC3)N2)C1C1C=CC=CC1 Chemical compound C(CC=C(C1)C2=C3C=CCCC3NC(C(C=C3)=CCC3[n]3c(C=CCC4)c4c(C4=C(C5C6C=CC=CC66)C=CCC4)c3C5N6C3=CC=CCC3)N2)C1C1C=CC=CC1 ZQXQYQQGVJGUSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWZCDLWGPAKQIO-KZQLGHSBSA-N C/C(/C(C=C1)=CC(C(C23)c(cccc4)c4-c(c4ccccc44)c2[n]4-c(cc2)ccc2C2=NC(C=CC=C4)C4=N2)C1N3c1ccccc1)=C\C=C/N Chemical compound C/C(/C(C=C1)=CC(C(C23)c(cccc4)c4-c(c4ccccc44)c2[n]4-c(cc2)ccc2C2=NC(C=CC=C4)C4=N2)C1N3c1ccccc1)=C\C=C/N CWZCDLWGPAKQIO-KZQLGHSBSA-N 0.000 description 1
- HFKGEQUUVQLQLH-MXMYSYQESA-N C/C=C\C=C(\c(cc1)ccc1C1=CC2c3c(cccc4)c4c(C4=CCCC=C4N4C5C=CC(C6=C(c7ccccc7)N=C7C=CC=CC7N6)=CC5)c4c3SC2C=C1)/N Chemical compound C/C=C\C=C(\c(cc1)ccc1C1=CC2c3c(cccc4)c4c(C4=CCCC=C4N4C5C=CC(C6=C(c7ccccc7)N=C7C=CC=CC7N6)=CC5)c4c3SC2C=C1)/N HFKGEQUUVQLQLH-MXMYSYQESA-N 0.000 description 1
- XKGLEKHYIZMEGT-UHFFFAOYSA-N C1CC2NC(C(CC3)CC=C3N(C3=CC=CCC3c3c(CCC=C4)c4c4C(C5)C6C=CC5C5=[N-][NH2+]5)c3c4N6C3=CC=CCC3)=NC2CC1 Chemical compound C1CC2NC(C(CC3)CC=C3N(C3=CC=CCC3c3c(CCC=C4)c4c4C(C5)C6C=CC5C5=[N-][NH2+]5)c3c4N6C3=CC=CCC3)=NC2CC1 XKGLEKHYIZMEGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKVHYLUSTNSLEP-UHFFFAOYSA-N CC(C(C=C1)[n](c2ccccc22)c3c2c(cccc2)c2c2c3[o]c3ccccc23)C=C1c(cc1)ccc1[N+]1=C(C=CCC2)C2=C1C1(CC2)C=CC2C1 Chemical compound CC(C(C=C1)[n](c2ccccc22)c3c2c(cccc2)c2c2c3[o]c3ccccc23)C=C1c(cc1)ccc1[N+]1=C(C=CCC2)C2=C1C1(CC2)C=CC2C1 LKVHYLUSTNSLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYWFOZGHTYSVQQ-UHFFFAOYSA-O CC(C1)C=Cc2c1[s]c1c2c(cccc2)c2c(c2c3C(C)CC=C2)c1[n]3-c(cc1)ccc1C([NH2+]C1C=C2)=CC=C1N=C2c1cc(cccc2)c2cc1 Chemical compound CC(C1)C=Cc2c1[s]c1c2c(cccc2)c2c(c2c3C(C)CC=C2)c1[n]3-c(cc1)ccc1C([NH2+]C1C=C2)=CC=C1N=C2c1cc(cccc2)c2cc1 CYWFOZGHTYSVQQ-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QOQDGMAJRBRERH-UHFFFAOYSA-N CC(CC1c(c2ccccc22)c-3[n]2-c2cc(C4NC(C5=CC(C)CC=C5)=C5C=CC=CC5N4)ccc2)C=CC1(C)c1c-3[n](C2C=Cc3ccccc3C2C)c2ccccc12 Chemical compound CC(CC1c(c2ccccc22)c-3[n]2-c2cc(C4NC(C5=CC(C)CC=C5)=C5C=CC=CC5N4)ccc2)C=CC1(C)c1c-3[n](C2C=Cc3ccccc3C2C)c2ccccc12 QOQDGMAJRBRERH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZCLPLMDCGLTFQ-UHFFFAOYSA-N CC(CC=C1)C(C)C1c1ccc(CCCC(C2C=CC([n](c3c4cccc3)c3c4c4ccccc4c(c4ccccc44)c3[n]4C3=CC(C)CC=C3)=CC2C)C=C2)c2n1 Chemical compound CC(CC=C1)C(C)C1c1ccc(CCCC(C2C=CC([n](c3c4cccc3)c3c4c4ccccc4c(c4ccccc44)c3[n]4C3=CC(C)CC=C3)=CC2C)C=C2)c2n1 DZCLPLMDCGLTFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSXOLKQMUTZRMK-UHFFFAOYSA-O CC1(C2=CC=CC1)c(c1ccccc1c(c1c3cccc1)c1[n]3-c3cc4ccccc4cc3)c1N2c1cc(C2=C(c3ccccc3)N=C3C=CC=CC3[NH2+]2)ccc1 Chemical compound CC1(C2=CC=CC1)c(c1ccccc1c(c1c3cccc1)c1[n]3-c3cc4ccccc4cc3)c1N2c1cc(C2=C(c3ccccc3)N=C3C=CC=CC3[NH2+]2)ccc1 XSXOLKQMUTZRMK-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WDEZGAVBWHVWBS-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CC(C2=Nc3ccccc3CC2[n](c2c3cccc2)c2c3c(cccc3)c3c(c3ccccc33)c2[n]3-c2ccc(C)cc2)=CC1)c1ccccc1 Chemical compound CC1(C=CC(C2=Nc3ccccc3CC2[n](c2c3cccc2)c2c3c(cccc3)c3c(c3ccccc33)c2[n]3-c2ccc(C)cc2)=CC1)c1ccccc1 WDEZGAVBWHVWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUULFRPBOMSQSW-UHFFFAOYSA-O CC1C(C2=CC=CC3=[NH+]C([n](c4ccccc44)c5c4c4ccccc4c(c4c6CC(C)C(C7=CCN(C)C7)=C4)c5[n]6-c4ccccc4)=[N]=C23)=C=CC1 Chemical compound CC1C(C2=CC=CC3=[NH+]C([n](c4ccccc44)c5c4c4ccccc4c(c4c6CC(C)C(C7=CCN(C)C7)=C4)c5[n]6-c4ccccc4)=[N]=C23)=C=CC1 PUULFRPBOMSQSW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- GFVYBWHOVHHEDM-UHFFFAOYSA-O CC1C=CC(C(N2)=C(C=CC=C3)C3=[NH+]C2[n]2c3ccccc3c(-c3c(C4c5c6cccc5)cccc3)c2C4(C)N6c2cccc3c2C=CC(C)C3)=CC1 Chemical compound CC1C=CC(C(N2)=C(C=CC=C3)C3=[NH+]C2[n]2c3ccccc3c(-c3c(C4c5c6cccc5)cccc3)c2C4(C)N6c2cccc3c2C=CC(C)C3)=CC1 GFVYBWHOVHHEDM-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Cc1ccccc1 Chemical compound Cc1ccccc1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVKEDJULXLSOG-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](c(cccc1)c1-c1c(cccc2)c2c(c(cccc2)c2[n]2-c3ccccc3)c2c1)=O Chemical compound [O-][N+](c(cccc1)c1-c1c(cccc2)c2c(c(cccc2)c2[n]2-c3ccccc3)c2c1)=O COVKEDJULXLSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPVVAKYSXQCJI-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](c1ccccc1Br)=O Chemical compound [O-][N+](c1ccccc1Br)=O ORPVVAKYSXQCJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D487/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D495/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명의 유기 전계 발광 화합물은 발광층에 사용될 수 있고, 발광 효율이 우수하여, 구동 수명이 길고 전류 효율 및 전력 효율이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자(electroluminescence device: EL 소자)는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 1987년 이스트만 코닥(Eastman Kodak)사는 발광층 형성용 재료로서 저분자인 방향족 다이아민과 알루미늄 착물을 이용하고 있는 유기 EL 소자를 처음으로 개발하였다[참조: Appl. Phys. Lett. 51, 913, 987].
유기 EL 소자는 통상 애노드 및 캐소드와 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가지며, 애노드와 캐소드에서 주입된 정공과 전자의 재결합에 의해 발광이 일어난다. 유기 EL 소자의 유기물층은 정공주입층, 정공전달층, 발광층, 전자전달층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있으며, 유기물층에 사용되는 재료는 정공주입 재료, 정공전달 재료, 발광 재료, 전자전달 재료, 전자주입 재료 등으로 나뉜다.
유기 EL 소자의 발광 재료는 소자의 발광 효율을 결정하는 가장 중요한 요인으로서, 발광 재료는 양자 효율이 높고 전자와 정공의 이동도가 커야 하고, 형성된 발광 재료층은 균일하고 안정해야 한다. 이러한 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색 또는 적색 발광 재료로 나뉘고, 추가로 노란색 또는 주황색 발광 재료도 있다. 또한, 발광 재료는 여기 상태에 따라 형광 발광 재료(일중항 여기상태) 및 인광 발광 재료(삼중항 여기상태)로 분류된다. 초기의 유기 EL 소자는 형광 발광 재료를 주로 사용하였으나, 인을 주성분으로 하는 인광 발광 재료가 형광 재료에 비해 전기를 빛으로 바꾸는 효율(발광 효율)이 4배 이상 높고 소비전력 절감이 가능해 상대적으로 수명이 길어지는 효과가 있다는 점에서 인광 발광 재료의 개발 연구가 널리 수행되고 있다.
현재까지 이리듐(III) 착물 계열이 인광 발광 재료로 널리 알려져 있으며, 각각의 적색, 녹색 및 청색 발광별로 (acac)Ir(btp)2(비스(2-(2'-벤조티에닐)-피리디네이토-N,C-3')이리듐(아세틸아세토네이트)), Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘)이리듐) 및 Firpic(비스(4,6-다이플루오로페닐피리디네이토-N,C2)피콜 리네이토이리듐) 등의 재료가 알려져 있다.
발광 재료는 색순도, 발광효율 및 안정성을 향상시키기 위해 호스트와 도판트를 혼합하여 사용할 수 있다. 이와 같은 도판트/호스트 재료 체계를 사용할 때, 호스트 재료는 발광 소자의 효율과 성능에 큰 영향을 미치므로, 그 선택이 중요하다. 종래 기술에서, 인광용 호스트 재료로는 4,4'-N,N'-다이카바졸-바이페닐(CBP)이 가장 널리 알려져 있었다. 최근에는, 일본의 파이오니어 등이 정공차단층의 재료로 사용되던 바토큐프로인(Bathocuproine, BCP) 및 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)(4-페닐페놀레이트)(Balq) 등을 호스트 재료로 이용해 고성능의 유기 EL 소자를 개발한 바 있다.
그러나, 기존의 이러한 인광용 호스트 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 다음과 같은 단점이 있다: (1) 유리 전이 온도가 낮고 열적 안정성이 낮아서, 진공 하에서 고온 증착 공정을 거칠 때, 물질이 변한다. (2) 유기 EL 소자에서 전력 효율 = [(π/전압) × 전류 효율]의 관계에 있으므로 전력 효율은 전압에 반비례한다. 인광용 호스트 재료를 사용한 유기 EL 소자는 형광 호스트 재료를 사용한 유기 EL 소자에 비해 전류 효율(cd/A)은 높으나, 구동 전압 역시 상당히 높기 때문에 전력 효율(lm/w) 면에서 큰 이점이 없다. (3) 유기 EL 소자에 사용할 경우, 작동 수명 측면에서도 만족스럽지 못하며, 발광 효율도 여전히 개선이 요구된다.
한편, 유기 EL 소자에서 정공 주입 및 전달 재료로서 구리 프탈로시아닌(CuPc), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(NPB), N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TPD), 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(MTDATA) 등이 사용되어 왔으나, 이러한 물질을 사용한 경우 유기 EL 소자는 양자 효율 및 수명이 저하되는 문제가 있었다. 그 이유는 유기 EL 소자를 높은 전류에서 구동하게 되면, 양극과 정공 주입층 사이에서 열 스트레스(thermal stress)가 발생하고, 이러한 열 스트레스에 의해 소자의 수명이 급격히 저하되기 때문이다. 또한, 정공 주입층에 사용되는 유기 물질은 정공의 운동성이 매우 크기 때문에, 정공과 전자의 전하 밸런스(hole-electron charge balance)가 깨지고 이로 인해 양자 효율(cd/A)이 낮아지게 된다.
따라서, 유기 EL 소자의 우수한 특성을 구현하기 위해서는 소자내 유기물층을 구성하는 재료들, 특히 발광 재료를 구성하는 호스트 또는 도판트를 적절히 선택해야 한다. 한편, 대한민국 특허공보 제1219492호는 특정 구조의 융합된 헤테로사이클을 포함하는 유기 전계 발광 화합물을 개시하고 있는데, 본원 발명자들은 실제 실험을 통해 상기 등록 특허공보에 개시된 화합물을 합성하여 발광 소자의 특성을 검정함으로써, 화합물 소자 성능이 뛰어나다는 것을 확인하였다. 이에, 발광 소자에 상기 등록 특허공보에 기재된 화합물보다 우수한 성능을 제공할 수 있는 유기 전계 발광 화합물을 찾고자 연구한 결과, 본원 발명의 화합물이 발광 효율이 높고 우수한 소자 성능을 제공할 뿐 아니라, 분자량이 감소됨으로써 증착 온도를 낮추어 열적 안정성을 증가시키고, 합성 방법 또한 개선시킬 수 있음을 밝혀냈다.
따라서, 본 발명의 목적은, 첫째로 발광 효율이 높은 유기 전계 발광 화합물을 제공하는 것이며, 둘째로 상기 유기 전계 발광 화합물을 포함하는, 구동 수명이 길고, 전력 효율 및 전류 효율이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 본 발명자들은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상술한 목적을 달성함을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 (C1-C30) 알킬렌이고;
X1는 NR5, -CR6R7 , O 또는 S 이며, 단 Y1이 -N-인 경우에는, X1 은 S가 아니고;
X2 내지 X5는 각각 독립적으로 -CR8- 또는 -N-이고;
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 -CR9- 또는 -N-이고, Y1이 -N-일 때, Y2는 -CR9-이고, Y1이 -CR9-일 때, Y2는 -N-이고;
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴아민, -NR10R11 또는 -SiR12 R13R14이고;
R1, R2 및 R3은 인접한 치환체와 함께 (C3-C30) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고;
R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아르(C1-C30)알킬, -NR10R11, SiR12R13R14, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이고;
R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
R12 내지 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬이거나, 인접한 치환체와 함께 치환 또는 비치환된 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며;
상기 지환족 또는 방향족 고리의 탄소원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고;
상기 헤테로아릴(렌) 및 헤테로시클로알킬은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고;
a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며, 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1, R2, R3 및 R4는 동일하거나 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물은 발광 효율이 좋고 재료의 수명 특성이 뛰어나, 이러한 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 구동 수명이 길고 전류 효율 및 전력 효율이 매우 양호하다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명을 위한 것으로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 유기 전계 발광 화합물, 상기 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 재료 및 상기 재료를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명에 기재되어 있는 "(C1-C30)알킬(렌)"은 탄소수가 1 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알킬(렌)을 의미하고, 여기에서 탄소수가 1 내지 20개인 것이 바람직하고, 1 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알킬의 구체적인 예로서, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 및 3급-부틸 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알케닐"은 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알케닐을 의미하고, 여기에서 탄소수가 2 내지 20개인 것이 바람직하고, 2 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알케닐의 구체적인 예로서, 비닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 2-메틸부트-2-에닐 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알키닐"은 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알키닐을 의미하고, 여기에서 탄소수가 2 내지 20개인 것이 바람직하고, 2 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알키닐의 예로서, 에티닐, 1-프로피닐, 2-프로피닐, 1-부티닐, 2-부티닐, 3-부티닐, 1-메틸펜트-2-이닐 등이 있다. 본원에서 "(C3-C30)시클로알킬"은 탄소수가 3 내지 30개인 단일환 또는 다환 탄화수소를 의미하고, 여기에서 탄소수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 7개인 것이 더 바람직하다. 상기 시클로알킬의 예로서, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등이 있다. 본원에서 "(3-7원)헤테로시클로알킬"은 환 골격 원자수가 3 내지 7개, 바람직하게는 5 내지 7개이고, B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 O, S 및 N에서 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 시클로알킬을 의미하고, 예를 들어, 테트라히드로푸란, 피롤리딘, 티올란, 테트라히드로피란 등이 있다. 본원에서 "(C6-C30)아릴(렌)"은 탄소수가 6 내지 30개인 방향족 탄화수소에서 유래된 단일환 또는 융합환계 라디칼을 의미하고, 여기에서 환 골격 탄소수가 6 내지 20개인 것이 바람직하고, 6 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴의 예로서, 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 페난트레닐, 안트라세닐, 인데닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 테트라세닐, 페릴레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란테닐 등이 있다. 본원에서 "(3-30원)헤테로아릴(렌)"은 환 골격 원자수가 3 내지 30개이고, B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 아릴기를 의미한다. 여기에서 환 골격 원자수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 헤테로원자수는 바람직하게는 1 내지 4개이고, 단일 환계이거나 하나 이상의 벤젠환과 축합된 융합환계일 수 있으며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본원에서 상기 헤테로아릴(렌)은 하나 이상의 헤테로아릴기 또는 아릴기가 단일 결합에 의해 헤테로아릴기와 연결된 형태도 포함한다. 상기 헤테로아릴의 예로서, 푸릴, 티오펜일, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소티아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 트리아진일, 테트라진일, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 푸라잔일, 피리딜, 피라진일, 피리미딘일, 피리다진일 등의 단일 환계 헤테로아릴, 벤조푸란일, 벤조티오펜일, 이소벤조푸란일, 디벤조푸란일, 디벤조티오펜일, 벤조이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소인돌릴, 인돌릴, 인다졸릴, 벤조티아디아졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 카바졸릴, 페녹사진일, 페난트리딘일, 벤조디옥솔릴 등의 융합 환계 헤테로아릴 등이 있다. 본원에서 "할로겐"은 F, Cl, Br 및 I 원자를 포함한다.
또한, 본 발명에 기재되어 있는 "치환 또는 비치환"이라는 기재에서 "치환"은 어떤 작용기에서 수소 원자가 다른 원자 또는 다른 작용기(즉, 치환체)로 대체되는 것을 뜻한다. 본 발명의 화학식들의 L1 및 R1 내지 R14에서 치환 (C1-C30)알킬(렌), 치환 (C3-C30)시클로알킬, 치환 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 (C6-C30)아릴(렌), 치환(3-30원)헤테로아릴(렌) 및 치환 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리의 치환체는 각각 독립적으로, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, (C1-C30)알킬, 할로(C1-C30)알킬, (C2-C30)알케닐, (C2-C30)알키닐, (C1-C30)알콕시, (C1-C30)알킬티오, (C3-C30)시클로알킬, (C3-C30)시클로알케닐, (3-7원)헤테로시클로알킬, (C6-C30)아릴옥시, (C6-C30)아릴티오, (C6-C30)아릴로 치환되거나 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, (3-30원)헤테로아릴로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴, 트리(C1-C30)알킬실릴, 트리(C6-C30)아릴실릴, 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 아미노, 모노 또는 디(C1-C30)알킬아미노, 모노 또는 디(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬카보닐, (C1-C30)알콕시카보닐, (C6-C30)아릴카보닐, 디(C6-C30)아릴보로닐, 디(C1-C30)알킬보로닐, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐, (C6-C30)아르(C1-C30)알킬 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
Y2는 -CR9-이고, L1, X1 내지 X5, R1 내지 R14, a, b, c 및 d 의 정의는 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Y1 은 -CR9-이고, L1, X1 내지 X5, R1 내지 R14, a, b, c 및 d 의 정의는 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
Y1 및 Y2는 -CR9- 이고, X2, X3 및 X4 는 -CR8-이고, L1, X1, R1 내지 R14, a, b, c, 및 d 의 정의는 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 1 내지 4에서, 바람직하게는, L1은 단일결합이거나 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌이고, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴 또는 -NR10R11이고; R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소이거나 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고, R10 및 R11은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로부터 선택된다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물은 당업자에게 공지된 합성 방법으로 제조할 수 있으며, 예를 들면 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다.
본 발명은 추가의 양태로 상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 재료 및 상기 재료를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 상기 재료는 본 발명의 유기 전계 발광 화합물 단독으로 이루어질 수 있고, 유기 전계 발광 재료에 포함되는 물질들을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 갖고, 상기 유기물층은 상기 화학식 1의 화합물을 하나 이상 포함한다.
상기 제1 전극과 제2 전극 중 하나는 애노드이고 다른 하나는 캐소드일 수 있다. 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공주입층, 정공전달층, 전자전달층, 전자주입층, 계면층(interlayer) 및 정공차단층에서 선택되는 1층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물은 상기 발광층에 호스트 재료로서 포함될 수 있다. 바람직하게는 상기 발광층은 하나 이상의 도판트를 포함할 수 있으며, 필요한 경우, 본 발명의 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물 이외의 다른 화합물을 제2 호스트 재료로 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 추가의 양태로 유기 전계 발광 소자 제조용 재료를 제공한다. 상기 재료는 제1 호스트 재료 및 제2 호스트 재료를 포함하며, 상기 제1 호스트 재료는 본 발명의 유기 전계 발광 화합물을 포함한다. 이때 제1 호스트 재료와 제2 호스트 재료의 중량비는 1:99 내지 99:1 범위이다.
상기 제2 호스트 재료는 공지된 인광 호스트라면 어느 것이든 사용가능하며, 바람직하게는 하기 화학식 5 내지 9로 표시되는 인광 호스트로부터 선택하여 사용할 수 있다.
[화학식 5]
H-(Cz-L4)h-M
[화학식 6]
H-(Cz)i-L4-M
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 5 내지 9에서,
Cz는 하기 구조이며,
X는 -O- 또는 -S-이고;
R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴 또는 R25R26R27Si-이거나; 인접한 치환체와 연결되어 (5-30원)단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, 이 때 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고;
R25 내지 R27은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고;
L4는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30 원)헤테로아릴렌이며;
M은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30 원)헤테로아릴이고;
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -N(R31)-, 또는 -C(R32)(R33)-이며, Y1과 Y2가 동시에 존재하지는 않고;
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30 원)헤테로아릴이거나; 인접한 치환체와 연결되어 (5-30 원)단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있고, 이 때 상기 형성된 지환족 또는 방향족 고리의 탄소 원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고; R32 및 R33은 동일하거나 상이할 수 있고;
h 및 i는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고;
j, k, l 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며;
h, i, j, k, l 또는 m이 2 이상의 정수인 경우 각각의 (Cz-L4), 각각의 (Cz), 각각의 R21, 각각의 R22, 각각의 R23 또는 각각의 R24는 동일하거나 상이할 수 있다.
구체적으로 상기 제2호스트 재료의 바람직한 예는 다음과 같다.
[여기서, TPS는 트리페닐실릴(triphenylsilyl)이다]
상기 도판트로는 하나 이상의 인광 도판트가 바람직하다. 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 적용되는 인광 도판트 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 착체 화합물이 바람직하고, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로부터 선택되는 금속 원자의 오르토 메탈화 착체 화합물이 더욱 바람직하며, 오르토 메탈화 이리듐 착체 화합물이 더더욱 바람직하다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 포함되는 도판트로 하기 화학식 10 내지 12로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 10] [화학식 11] [화학식 12]
상기 화학식 10 내지 12에서,
L은 하기 구조에서 선택되고;
R100은 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬이며;
R101 내지 R109 및 R111 내지 R123은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 시아노, 또는 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알콕시이고; R120 내지 R123은 인접 치환기가 서로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있는데, 예를 들어 퀴놀린 형성이 가능하며;
R124 내지 R127은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고; R124 내지 R127이 아릴기인 경우 인접기가 서로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있는데, 예를 들어 플루오렌 형성이 가능하며;
R201 내지 R211은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 또는 할로겐으로 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 또는 (C6-C30)아릴이고;
f 및 g는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며; f 또는 g가 각각 2 이상의 정수인 경우 각각의 R100은 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
n은 1 내지 3의 정수이다.
상기 인광 도판트 재료의 구체적인 예로는 다음과 같다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기물층에 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물을 포함하고, 이와 동시에 아릴아민계 화합물 및 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기물층에 상기 화학식 1의 유기 전계 발광 화합물 이외에 1족, 2족, 4주기 전이금속, 5주기 전이금속, 란탄 계열 금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속, 또는 이러한 금속을 포함하는 하나 이상의 착체 화합물을 더 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 본 발명의 유기 전계 발광 화합물 이외에 당업계에 알려진 청색, 적색 또는 녹색 발광 화합물을 포함하는 발광층을 하나 이상 더 포함함으로써 백색 발광을 할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 노란색 또는 주황색 발광층을 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 내측 표면에, 칼코제나이드(chalcogenide)층, 할로겐화 금속층 및 금속 산화물층으로부터 선택되는 하나 이상의 층(이하, 이들을 "표면층" 이라고 지칭함)을 배치하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 매체층 측의 양극 표면에 규소 및 알루미늄의 칼코제나이드(산화물을 포함한다)층을, 또한 발광 매체층 측의 음극 표면에 할로겐화 금속층 또는 금속 산화물층을 배치하는 것이 바람직하다. 상기 표면층에 의해 유기 전계 발광 소자의 구동 안정화를 얻을 수 있다. 상기 칼코제나이드의 바람직한 예로는 SiOX(1≤X≤2), AlOX(1≤X≤1.5), SiON 또는 SiAlON 등이 있고, 할로겐화 금속의 바람직한 예로는 LiF, MgF2, CaF2, 불화 희토류 금속 등이 있으며, 금속 산화물의 바람직한 예로는 Cs2O, Li2O, MgO, SrO, BaO, CaO 등이 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 표면에 전자 전달 화합물과 환원성 도판트의 혼합 영역, 또는 정공 전달 화합물과 산화성 도판트의 혼합 영역을 배치하는 것도 바람직하다. 이러한 방식에 의해 전자 전달 화합물이 음이온으로 환원되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 전자를 주입 및 전달하기 용이해진다. 또한, 정공 전달 화합물은 산화되어 양이온으로 되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 정공을 주입 및 전달하기 용이해진다. 바람직한 산화성 도판트로서는 각종 루이스산 및 억셉터(acceptor) 화합물을 들 수 있고, 바람직한 환원성 도판트로는 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또한 환원성 도판트층을 전하생성층으로 사용하여 두 개 이상의 발광층을 가진, 백색 발광을 하는 유기 전계 발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자의 각 층의 형성은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온플레이팅 등의 건식 성막법이나, 스핀코팅, 침지 코팅(dip coating), 플로우 코팅 등의 습식 성막법 중 어느 하나의 방법을 적용할 수 있다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하는데, 그 용매는 각 층을 형성하는 재료가 용해 또는 분산될 수 있고, 성막성에 문제가 없는 것이라면 어느 것이어도 된다.
이하에서, 본 발명의 상세한 이해를 위하여 본 발명의 대표 화합물을 들어 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물, 이의 제조방법 및 소자의 발광 특성을 설명한다.
[실시예 1] 화합물 H-1의 제조
화합물 2-1의 제조
플라스크에 1,4-디브로모나프탈렌 50g(174.8mmol), 피나콜 디보란 98g(391.6mmol), 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드[PdCl2(PPh3)2] 12g(17.8mmol), 칼륨 아세테이트(KOAc) 76g(769.1mmol) 및 테트라하이드로푸란(THF) 1L를 넣고 5시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트(EA)로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼으로 분리하여 화합물 2-1 60g(수율: 94%)을 얻었다.
화합물 2-2의 제조
플라스크에 화합물 2-1 60g(157.8mmol), 1-브로모-2-니트로벤젠 96g(473.4mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(O)[Pd(PPh3)4] 18.3g(15.7mmol), 2M Na2CO3 240mL, 에탄올(EtOH) 240mL 및 톨루엔 500mL를 녹인 후 120℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼으로 분리하여 화합물 2-2 50g(수율: 85%)을 얻었다.
화합물 2-3의 제조
플라스크에 화합물 2-2(43g, 116.1mmol), 트리페닐포스핀(PPh3) 61g(232.2mmol) 및 다이클로로벤질(DCB) 600mL를 녹인 후 150℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 증류시킨 후 MeOH로 분쇄하여 화합물 2-3 22g(수율: 56%)을 얻었다.
화합물 2-4의 제조
플라스크에 화합물 2-3(22g, 65.0mmol), 요오도벤젠 11mL(97.5 mmol), CuI 6.2g(32.5mmol), K3PO4 42g(195mmol), 에틸렌디아민(EDA) 9mL(130mmol) 및 톨루엔 300mL를 녹인 후 120℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트로 유기층을 추출하고 마그네슘 설페이트를 이용하여 잔여 수분을 제거한 뒤 건조시키고 컬럼으로 분리하여 화합물 2-4 18g(수율: 67%)을 얻었다.
화합물 2-5의 제조
플라스크에 화합물 2-4(18g, 43.4mmol), PPh3 25g(108.5mmol) 및 DCB 220mL를 녹인 후 150℃에서 5시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 증류시킨 후 MeOH로 분쇄하여 화합물 2-5 11g(수율: 70%)을 얻었다.
화합물 H-1의 제조
화합물 2-5 4g(10.47 mmol) 및 화합물 1-9 4.2g(15.7mmol)을 디메틸포름아미드(DMF) 50mL에 녹이고 NaH 0.6g(15.71mmol, 미네랄 오일 중 60%)을 넣었다. 12시간 동안 상온에서 교반하고 메탄올과 증류수를 넣었다. 생성된 고체를 감압 여과하고 컬럼 분리하여 화합물 H-1 4.2g(수율: 65%)을 얻었다.
[실시예 2] 화합물 H-62의 제조
화합물 3-1의 제조
화합물 2-2(55g, 0.148mol)를 플라스크에 넣고 PPh3(78g, 0.297mol) 및 DCB 1100mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 190℃로 가열시키고, 5시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 증류 장치를 이용해 DCB를 제거한 후, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 3-1(35g, 78%)을 얻었다.
화합물 3-2의 제조
화합물 3-1(9.4g, 0.031mol)을 플라스크에 넣고 화합물 요오도벤젠(6.3g, 0.031mol), CuI(2.95g, 0.015mol), K2CO3(4.3g, 0.031mol), EDA(2mL, 0.031mol) 및 톨루엔 94mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 120℃로 가열시키고, 5시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 3-2(11g, 93%)를 얻었다.
화합물 3-3의 제조
화합물 3-2(11g, 0.030mol)를 플라스크에 넣고 화합물 1-브로모-4-요오도벤젠(17g, 0.060mol), Cu(5.7g, 0.090mol), K2CO3(21g, 0.150mol), 18-Crown-6(1.6g, 0.006mol) 및 DCB 115mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 190℃로 가열시키고, 12시간 동안 교반하였다. 증류 장치를 이용해 DCB를 제거한 후, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 3-3(14g, 87%)을 얻었다.
화합물 3-4의 제조
화합물 3-3(14g, 0.026mol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기로 만들고 THF 200mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 -78℃에서 20분간 교반하였다. n-부틸 리튬(n-BuLi)(2.5M)(12.5mL, 0.031mol)을 천천히 반응 플라스크에 첨가하였다. 반응 혼합물을 -78℃에서 40분간 교반하였다. 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(8mL, 0.039mol)을 반응 플라스크에 첨가하고 12시간 동안 실온에서 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 3-4(11g, 73%)를 얻었다.
화합물 H-62의 제조
화합물 3-4(2g, 0.003mol)를 플라스크에 넣고 화합물 1-9(784mg, 0.003mol), Pd(PPh3)4(230mg, 0.23mmol), K2CO3(2M, 5mL), EtOH 5mL 및 톨루엔 10mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 120℃로 가열시키고, 7시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 H-62(1.5g, 71%)를 얻었다.
[실시예 3] 화합물 H-13의 제조
화합물 4-1(14g, 0.043mol), 화합물 4-2(18.4g, 0.065mol), CuI(4.1g, 0.021mol), 에틸렌디아민(2.9mL, 0.043mol), Cs2CO3(27.5g 0.129mol) 및 톨루엔 400mL를 플라스크에 넣고 120℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 에틸 아세테이트(EA)로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 H-13(8.5g, 43%)을 얻었다.
[실시예 4] 화합물 H-90의 제조
화합물 5-2의 제조
화합물 4-1(14g, 0.043mol), 화합물 5-1(18.4g, 0.065mol), CuI(4.1g, 0.021mol), 에틸렌디아민(2.9mL, 0.043mol), Cs2CO3(27.5g 0.129mol) 및 톨루엔 400mL를 플라스크에 넣고 120℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 에틸 아세테이트(EA)로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 5-2(8.5g, 43%)를 얻었다.
화합물 5-3의 제조
화합물 5-2(7.3g, 0.015mol)를 플라스크에 넣고 4,4,4',4',5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-바이(1,3,2-디옥사보롤란)(5.9g, 0.023mol), 칼륨 아세테이트(3.8g, 0.038mol), PdCl2(PPh3)2 (561 mg, 0.008 mol) 및 1,4-디옥산 70mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 150℃로 가열시키고, 5시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 5-3(5.0g, 68%)을 얻었다.
화합물 H-90의 제조
화합물 5-3(2.5g, 0.0048mol)을 플라스크에 넣고 화합물 4-2(1.0g, 0.0044 mol), Pd(PPh3)4(230mg, 0.0005mmol), K2CO3(2M, 6.3mL), EtOH 6.3mL 및 톨루엔 13mL를 첨가한 후, 반응 혼합물을 120℃로 가열시키고, 7시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나고, 혼합물을 증류수로 씻고 EA로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼으로 정제하여 화합물 H-90(2.1g, 84%)을 얻었다.
[실시예 5] 화합물 H-9의 제조
화합물 6-2의 제조
화합물 6-1(15g, 94.23mmol), 2-클로로요오도벤젠(12.6mL, 103.65mmol), 팔라듐(II) 아세테이트[Pd(OAc)2](0.84g, 3.76mmol), 50% t-뷰틸포스핀(3.6mL, 7.53mmol) 및 소디움 t-부톡사이드(22.6g, 235.57mmol)를 톨루엔 480mL에 녹인 후 120℃에서 4시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 다이클로로메탄/정제수로 추출하고 컬럼으로 분리하여 화합물 6-2(10.4g, 41%)를 얻었다.
화합물 6-3의 제조
화합물 6-2(9.4g, 34.93mmol), 2-클로로요오도벤젠(4.25mL, 34.93mmol), Cu2O(1.5g, 10.48mmol), 피콜린산(2.6g, 20.96mmol) 및 세슘 카보네이트(23g, 69.87mmol)를 아세토나이트릴 170mL에 녹인 후 100℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 다이클로로메탄으로 추출하고 컬럼으로 분리하여 화합물 6-3(4g, 30%)을 얻었다.
화합물 6-4의 제조
화합물 6-3(4g, 10.55mmol), Pd(OAc)2(0.23g, 1.055mmol), 리간드(0.77g, 2.11mmol) 및 세슘 카보네이트(13.7g, 42.2mmol)를 N-메틸피롤리돈 50mL에 녹인 후 220℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 반응이 끝나면 다이클로로메탄/정제수로 추출하고 컬럼으로 분리하여 화합물 6-4(2.5g, 78%)를 얻었다.
화합물 H-9의 제조
화합물 6-4(4g, 13.01mmol) 및 화합물 4-2(3.1g, 13.01mmol)를 디메틸포름아미드(DMF) 50mL에 녹이고, NaH(1.56g, 39.03mmol, 미네랄 오일 내에서 60%)를 넣었다. 12시간 동안 상온에서 교반하고 메탄올과 증류수를 넣었다. 생성된 고체를 감압 여과하고 컬럼 분리하여 화합물 H-9(1.7g, 25.5%)를 얻었다.
[소자 실시예 1] 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물을 이용한 OLED 소자 제작
본 발명의 유기 전계 발광 화합물을 이용한 구조의 OLED 소자를 제작하였다. 우선, OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명 전극 ITO 박막(15Ω/□)을, 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올 및 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO기판을 장착한 후, 진공 증착 장비 내의 셀에 N1,N1'-([1,1'-바이페닐]-4,4'-디일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민)을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 60nm 두께의 정공주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 N,N'-디(4-바이페닐)-N,N'-디(4-바이페닐)-4,4'-디아미노바이페닐을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공주입층 위에 20nm 두께의 정공전달층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 호스트로서 화합물 H-90을 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D-88을 넣은 후, 두 물질을 다른 속도로 증발시켜 각각 4중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 정공전달층 위에 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 한쪽 셀에 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸을 넣고, 또 다른 셀에는 리튬 퀴놀레이트를 넣은 후, 두 물질을 같은 속도로 증발시켜 각각 50중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 발광층 위에 30nm의 전자전달층을 증착하였다. 이어서 전자주입층으로 리튬 퀴놀레이트를 2nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착 장비를 이용하여 Al 음극을 150nm의 두께로 증착하여 OLED 소자를 제작하였다. 재료 별로 각 화합물은 10-6 torr 하에서 진공 승화 정제하여 사용하였다.
그 결과, 3.5V의 전압에서 14.6mA/cm2의 전류가 흘렀으며, 980cd/m2 의 적색 발광이 확인되었고, 5000nit의 휘도에서 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 100시간 이상이었다.
[비교예 1] 종래의 발광 재료를 이용한 OLED 소자 제작
발광 재료로서 호스트에는 화합물 C-1 
을, 도판트에는 화합물 D-88을 사용한 것 외에는 소자 실시예1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제작하였다.
그 결과, 3.6V의 전압에서 15.8 mA/cm2의 전류가 흘렀으며, 1000cd/m2의 적색 발광이 확인되었고, 5000nit의 휘도에서 발광이 90%로 떨어지는데 걸린 시간이 80시간 이상이었다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물은 발광 효율이 우수하며 구동 수명이 길고, 전류효율 및 전력효율이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
Claims (8)
- 삭제
- 하기 화학식 2로 표시되는 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 (C1-C30)알킬렌이고;
X1는 NR5이고;
X2 내지 X5는 각각 독립적으로 -CR8-이고;
Y2는 -CR9-이고;
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴아민, -NR10R11 또는 -SiR12R13R14이고;
R5, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아르(C1-C30)알킬, -NR10R11, -SiR12R13R14, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이고;
R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
R12 내지 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬이거나, 인접한 치환체와 함께 치환 또는 비치환된 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며;
상기 지환족 또는 방향족 고리의 탄소원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고;
상기 헤테로아릴(렌) 및 헤테로시클로알킬은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고;
a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며, 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1, R2, R3 및 R4는 동일하거나 상이할 수 있다. - 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 전계 발광 화합물.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴렌, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌, 또는 (C1-C30)알킬렌이고;
X1는 NR5, -CR6R7, O 또는 S이며;
X2 내지 X5는 각각 독립적으로 -CR8-이고;
Y1은 -CR9-이고;
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴아민, -NR10R11 또는 -SiR12R13R14이고;
R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아르(C1-C30)알킬, -NR10R11, -SiR12R13R14, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이고;
R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴이고;
R12 내지 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 (5-7원)헤테로시클로알킬, 또는 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬이거나, 인접한 치환체와 함께 치환 또는 비치환된 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리를 형성할 수 있으며;
상기 지환족 또는 방향족 고리의 탄소원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고;
상기 헤테로아릴(렌) 및 헤테로시클로알킬은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고;
a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이며, 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1, R2, R3 및 R4는 동일하거나 상이할 수 있다. - 삭제
- 제2항 또는 제3항에 있어서, L1이 단일결합, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴렌이고, R1 내지 R4가 각각 독립적으로 수소, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (3-30원)헤테로아릴 또는 -NR10R11이고, R5 내지 R9가 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴이고, R10 및 R11이 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴인 유기 전계 발광 화합물.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 L1 및 R1 내지 R14에서 치환 (C1-C30)알킬, 치환 (C3-C30)시클로알킬, 치환 (C3-C30)시클로알케닐, 치환 (3-7원)헤테로시클로알킬, 치환 (5-7원)헤테로시클로알킬, 치환 (C6-C30)아릴(렌), 치환 (3-30원)헤테로아릴(렌), 치환 (C6-C30)아릴아민, 치환 (C6-C30)아르(C1-C30)알킬 및 치환 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지환족 또는 방향족 고리의 치환체가 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, (C1-C30)알킬, 할로(C1-C30)알킬, (C2-C30)알케닐, (C2-C30)알키닐, (C1-C30)알콕시, (C1-C30)알킬티오, (C3-C30)시클로알킬, (C3-C30)시클로알케닐, (3-7원)헤테로시클로알킬, (C6-C30)아릴옥시, (C6-C30)아릴티오, (C6-C30)아릴로 치환되거나 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, (3-30원)헤테로아릴로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴, 트리(C1-C30)알킬실릴, 트리(C6-C30)아릴실릴, 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 아미노, 모노 또는 디(C1-C30)알킬아미노, 모노 또는 디(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬카보닐, (C1-C30)알콕시카보닐, (C6-C30)아릴카보닐, 디(C6-C30)아릴보로닐, 디(C1-C30)알킬보로닐, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐, (C6-C30)아르(C1-C30)알킬 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것인 유기 전계 발광 화합물.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 화합물이 하기 화합물로부터 선택되는 유기 전계 발광 화합물.
- 제2항 또는 제3항에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103131858A TW201520308A (zh) | 2013-09-16 | 2014-09-16 | 新穎有機電場發光化合物及包含該化合物之有機電場發光裝置 |
| CN201480046126.0A CN105473593A (zh) | 2013-09-16 | 2014-09-16 | 新颖有机电致发光化合物和包含所述化合物的有机电致发光装置 |
| PCT/KR2014/008610 WO2015037965A1 (en) | 2013-09-16 | 2014-09-16 | Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device comprising the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130111078 | 2013-09-16 | ||
| KR20130111078 | 2013-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150032447A KR20150032447A (ko) | 2015-03-26 |
| KR102251474B1 true KR102251474B1 (ko) | 2021-05-17 |
Family
ID=53025585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130121120A KR102251474B1 (ko) | 2013-09-16 | 2013-10-11 | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102251474B1 (ko) |
| CN (1) | CN105473593A (ko) |
| TW (1) | TW201520308A (ko) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150071624A (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-26 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| US10797247B2 (en) | 2014-07-24 | 2020-10-06 | Duk San Neolux Co., Ltd. | Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same and electronic device thereof |
| KR101796974B1 (ko) * | 2016-04-26 | 2017-12-12 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR101595697B1 (ko) * | 2014-10-14 | 2016-02-26 | 주식회사 엘지화학 | 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자 |
| KR101604647B1 (ko) | 2015-08-28 | 2016-03-21 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR20170076600A (ko) * | 2015-12-23 | 2017-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102419178B1 (ko) | 2015-12-29 | 2022-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| WO2017188676A1 (ko) * | 2016-04-26 | 2017-11-02 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR102599412B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2023-11-08 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN107602540A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-01-19 | 吉林大学 | 基于二氰基吡嗪和二氰基苯并吡嗪衍生物的给‑受体化合物及用于制备的电致发光器件 |
| CN106977527B (zh) * | 2017-04-25 | 2019-11-08 | 江西冠能光电材料有限公司 | 一种有机半导体化合物和使用该化合物的有机电致发光器件 |
| KR102423259B1 (ko) * | 2017-08-10 | 2022-07-21 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| TWI811290B (zh) * | 2018-01-25 | 2023-08-11 | 德商麥克專利有限公司 | 用於有機電致發光裝置的材料 |
| KR20190090695A (ko) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR102240988B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2021-04-16 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN109020935A (zh) * | 2018-10-11 | 2018-12-18 | 西安近代化学研究所 | 一种二苯并呋喃衍生物及其制备方法 |
| CN114835663A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-02 | 阜阳欣奕华材料科技有限公司 | 一种萘并杂芳基类化合物、有机电致发光器件和显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108997A1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 덕산하이메탈(주) | 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101219492B1 (ko) | 2009-12-11 | 2013-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 오원자 헤테로 고리를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말 |
| KR102054229B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2019-12-11 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
-
2013
- 2013-10-11 KR KR1020130121120A patent/KR102251474B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-09-16 CN CN201480046126.0A patent/CN105473593A/zh active Pending
- 2014-09-16 TW TW103131858A patent/TW201520308A/zh unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108997A1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 덕산하이메탈(주) | 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150032447A (ko) | 2015-03-26 |
| TW201520308A (zh) | 2015-06-01 |
| CN105473593A (zh) | 2016-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102251474B1 (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102214622B1 (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102411746B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102184893B1 (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102157998B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102158000B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102148643B1 (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102191108B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102182270B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| JP5903448B2 (ja) | 新規な有機エレクトロルミネッセンス化合物およびそれを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR102160902B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR101483933B1 (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102430648B1 (ko) | 정공 전달 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR20140035737A (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR101431645B1 (ko) | 발광층 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102397506B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102419711B1 (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| JP2015520945A (ja) | 新規有機エレクトロルミネセンス化合物およびそれを含む有機エレクトロルミネセンスデバイス | |
| KR20150135109A (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR20130134202A (ko) | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하고 있는 유기 전계 발광 소자 | |
| CN105392789B (zh) | 新颖有机电致发光化合物和包含所述化合物的有机电致发光装置 | |
| KR20130102673A (ko) | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 사용하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR102638345B1 (ko) | 인광 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR20140082486A (ko) | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR20220136967A (ko) | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |