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KR102259542B1 - Method for manufacturing customizable aluminum polymer capacitor - Google Patents

Method for manufacturing customizable aluminum polymer capacitor Download PDF

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KR102259542B1
KR102259542B1 KR1020190140466A KR20190140466A KR102259542B1 KR 102259542 B1 KR102259542 B1 KR 102259542B1 KR 1020190140466 A KR1020190140466 A KR 1020190140466A KR 20190140466 A KR20190140466 A KR 20190140466A KR 102259542 B1 KR102259542 B1 KR 102259542B1
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capacitor
aluminum
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Abstract

본 발명은 고체 전해질용으로 전도성 고분자를 중합하여 사용하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에 관한 것으로서, 전도성 고분자를 조성하기 위한 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS, Fe-BS, Fe-EBS 중 어느 하나를 선택하고, 단량체로서 EDOT, ESOMT, ESOPT 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 커패시터의 특성을 선택적으로 조절하여 알루미늄 고분자 커패시터를 제조할 수 있다.The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor using a polymerized conductive polymer for a solid electrolyte, wherein any one of Fe-MBS, Fe-BS, and Fe-EBS is selected as an oxidizing agent and dopant for the composition of the conductive polymer. and select any one of EDOT, ESOMT, and ESOPT as a monomer, and polymerize the selected oxidizing agent/dopant and monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, thereby selectively controlling the characteristics of the capacitor to manufacture an aluminum polymer capacitor. can

Figure R1020190140466
Figure R1020190140466

Description

맞춤형 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING CUSTOMIZABLE ALUMINUM POLYMER CAPACITOR}METHOD FOR MANUFACTURING CUSTOMIZABLE ALUMINUM POLYMER CAPACITOR

본 발명은 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 사용하고자 하는 목적에 맞추어 커패시터의 특성이나 성능을 설계 및 조절할 수 있는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor, and more particularly, to a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor capable of designing and controlling characteristics or performance of a capacitor according to the intended use.

이하에 기술되는 내용은 단순히 본 발명과 관련되는 배경 정보만을 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것이 아니다.The contents described below merely provide background information related to the present invention and do not constitute the prior art.

알루미늄 고분자 커패시터는 우수한 특성과 높은 신뢰성으로 인해 전해 커패시터로서 많이 사용되어 왔으며, 최근에는 디지털 융복합 전자기기의 발달로 다양한 특성의 알루미늄 고분자 커패시터가 요구되고 있다.Aluminum polymer capacitors have been widely used as electrolytic capacitors due to their excellent characteristics and high reliability. Recently, with the development of digital convergence electronic devices, aluminum polymer capacitors with various characteristics are required.

예를 들어, 리플 특성을 개선하고자 하는 전자기기에서는 정전용량이 크고 유전손실이 낮으며 등가 직렬저항도 상대적으로 낮은 커패시터가 요구되고, 대기 전력을 낮추고자 하는 전자기기에서는 우선적으로 누설전류가 낮은 커패시터가 요구된다. 또한, 기기의 전원단에 적용되는 경우에는, 내전압 성능이 높으면서 누설전류가 낮은 특성이 요구될 것이고, 발열이 많은 기기에서는 내열성이 우선적으로 요구될 것이며, 옥외 설비 등에 적용될 경우는 내한성 및 장수명이 요구될 것이다.For example, a capacitor with high capacitance, low dielectric loss, and relatively low equivalent series resistance is required in electronic devices that want to improve ripple characteristics. In electronic devices that want to reduce standby power, a capacitor with low leakage current is preferentially required. is required In addition, when applied to the power stage of a device, high withstand voltage performance and low leakage current will be required, heat resistance will be preferentially required in a device that generates a lot of heat, and cold resistance and long life are required when applied to outdoor facilities. will be

한편, 상기와 같은 커패시터의 특성에 대한 다양한 요구뿐만 아니라, 제조비용 인하에 대한 요구도 높아지고 있다.On the other hand, as well as various demands for the characteristics of the capacitor as described above, the demand for reduction in manufacturing cost is also increasing.

따라서 커패시터의 다양한 특성을 선택적으로 만족시킬 수 있고, 제조비용도 조절할 수 있는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 개발할 필요가 있다. 즉, 커패시터의 주요 특성인 정전용량, 유전손실, 등가직렬저항(ESR), 누설전류, 내전압, 신뢰성 등과 더불어 제조비용까지도 선택적으로 조절해서, 맞춤형으로 알루미늄 고분자 커패시터를 제조할 수 있는 제조 플랫폼을 개발할 필요가 있다. Therefore, there is a need to develop a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor capable of selectively satisfying various characteristics of the capacitor and controlling the manufacturing cost. In other words, by selectively controlling manufacturing cost as well as capacitance, dielectric loss, equivalent series resistance (ESR), leakage current, withstand voltage, reliability, etc., which are the main characteristics of capacitors, it is possible to develop a manufacturing platform that can custom manufacture aluminum polymer capacitors. There is a need.

한국등록특허 제10-0753615호Korean Patent Registration No. 10-0753615 한국등록특허 제10-0417456호Korean Patent Registration No. 10-0417456

본 발명은 상기한 종래의 알루미늄 고분자 커패시터의 제조에 있어서의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 재료 물질의 분자량, 전도도, 입체적 특이성을 변형하여, 저항 성능, 내전압 성능, 누설전류 성능, 용량 달성률 등을 조절할 수 있게 함으로써, 전자기기의 다양한 요구 성능에 맞추어서 알루미늄 고분자 커패시터를 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 하는 것이다.The present invention is to improve the problems in the manufacturing of the conventional aluminum polymer capacitor described above, and an object of the present invention is to modify the molecular weight, conductivity, and three-dimensional specificity of a material to improve resistance performance, withstand voltage performance, leakage current performance, An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor in accordance with various performance requirements of electronic devices by allowing the capacity achievement rate to be adjusted.

구체적으로는, 산화제겸 도펀트(dopant)와 단량체의 적합한 중합 조성을 개발하여, 전자기기의 제품 용도별 요구 성능과 이에 따른 가격을 커패시터 공급자 입장에서 설계하고 조절할 수 있게 하는, 알루미늄 고분자 커패시터의 고체 전해질용 전도성 고분자 플랫폼을 제공하고자 하는 것이다.Specifically, by developing a suitable polymerization composition of an oxidizing agent, dopant, and monomer, the performance required for each product use of an electronic device and the corresponding price can be designed and controlled from the capacitor supplier's perspective. Conductivity for solid electrolytes of aluminum polymer capacitors This is to provide a polymer platform.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제조 방법은, 전도성 고분자 중합에 의해 고체 전해질층을 형성하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법으로서, 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS(Fe-Methylbenzenesulfonate)와, Fe-MBS의 메틸기를 수소 원소 또는 알킬기로 치환한 다수의 화합물 중 어느 하나를 선택하고, 또한, 단량체로서 EDOT(Ethylenedioxythiophene)와, EDOT의 산소 원소를 황 원소로 치환하거나 EDOT의 수소 원소를 알킬기로 치환한 다수의 화합물 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 특성을 선택적으로 조절할 수 있다.The manufacturing method of the present invention for solving the above technical problem is a manufacturing method of an aluminum polymer capacitor in which a solid electrolyte layer is formed by polymerization of a conductive polymer, and as an oxidizing agent and dopant, Fe-MBS (Fe-Methylbenzenesulfonate) and Fe- Select any one of a number of compounds in which the methyl group of MBS is substituted with a hydrogen element or an alkyl group, and also EDOT (Ethylenedioxythiophene) as a monomer, and the oxygen element of EDOT is substituted with a sulfur element, or the hydrogen element of EDOT is substituted with an alkyl group. By selecting any one of a plurality of compounds and polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, the characteristics of the aluminum polymer capacitor can be selectively controlled.

상기 제조 방법은, 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS와, Fe-MBS의 메틸기를 수소 원소로 치환한 Fe-BS(Fe-Benzenesulfonate)와, Fe-MBS의 메틸기를 알킬기로 치환한 Fe-EBS(Fe-Ethylbenzenesulfonate) 중 어느 하나를 선택하고, 또한, 단량체로서 EDOT와, EDOT의 산소 원소를 황 원소로 치환한 ESOMT와, EDOT의 수소 원소를 알킬기로 치환한 ESOPT 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 특성을 선택적으로 조절할 수 있다.In the above production method, Fe-MBS as an oxidizing agent and dopant, Fe-Benzenesulfonate (Fe-BS) in which the methyl group of Fe-MBS is substituted with a hydrogen element, and Fe-EBS (Fe) in which the methyl group of Fe-MBS is substituted with an alkyl group -Ethylbenzenesulfonate), and further, as a monomer, EDOT, ESOMT in which the oxygen element of EDOT is substituted with a sulfur element, and ESOPT in which the hydrogen element of EDOT is substituted with an alkyl group is selected, and the selected oxidizing agent By polymerizing a dopant and a monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, the characteristics of the aluminum polymer capacitor can be selectively controlled.

상기 알루미늄 고분자 커패시터의 특성은, 내전압, 누설전류, 정전용량, 등가직렬저항을 포함할 수 있다.The characteristics of the aluminum polymer capacitor may include withstand voltage, leakage current, capacitance, and equivalent series resistance.

상기 제조 방법은, 산화제겸 도펀트로서 Fe-BS를 선택하고, 또한, 단량체로서 EDOT, ESOMT, ESOPT 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 정전용량 특성을 조절할 수 있다.In the manufacturing method, Fe-BS is selected as an oxidizing agent and dopant, and any one of EDOT, ESOMT, and ESOPT is selected as a monomer, and a solid electrolyte layer of a conductive polymer is formed by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer. By doing so, it is possible to control the capacitance characteristics of the aluminum polymer capacitor.

상기 제조 방법은, 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS를 선택하고, 또한 단량체로서 ESOMT, ESOPT 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 정전용량 특성을 조절할 수 있다.In the manufacturing method, Fe-MBS is selected as an oxidizing agent and dopant, and any one of ESOMT and ESOPT is selected as a monomer, and a solid electrolyte layer of a conductive polymer is formed by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer. Capacitance characteristics of aluminum polymer capacitors can be adjusted.

상기 제조 방법은, 단량체로서 ESOPT를 선택하고, 산화제겸 도펀트로서 Fe-BS, Fe-MBS, Fe-EBS 중 어느 하나를 선택하며, 상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 등가직렬저항 특성을 선택적으로 조절할 수 있다.In the manufacturing method, ESOPT is selected as a monomer, any one of Fe-BS, Fe-MBS, and Fe-EBS is selected as an oxidizing agent and dopant, and the selected oxidizing agent and dopant and a monomer are polymerized to form a conductive polymer solid electrolyte layer. By forming , it is possible to selectively control the equivalent series resistance characteristic of the aluminum polymer capacitor.

본 발명의 맞춤형 알루미늄 고분자 커패시터 제조 방법에 의하면, 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.According to the method for manufacturing a customized aluminum polymer capacitor of the present invention, the following effects can be expected.

첫째, 알루미늄 고분자 커패시터의 제조에서 전도성 고분자 재료를 선택적으로 적용할 수 있으므로, 커패시터의 전체 성능을 향상시킬 수 있으면서, 커패시터의 주요 특성을 선택적으로 조절할 수 있다.First, since the conductive polymer material can be selectively applied in the manufacture of the aluminum polymer capacitor, the overall performance of the capacitor can be improved, and the main characteristics of the capacitor can be selectively adjusted.

둘째, 전자기기의 다양한 요구 성능에 맞추어서, 특정 성능이 강화된 알루미늄 고분자 커패시터를 맞춤형으로 제조할 수 있다.Second, in accordance with the various performance requirements of electronic devices, it is possible to custom manufacture an aluminum polymer capacitor with enhanced specific performance.

셋째, 알루미늄 고분자 커패시터의 전도성 고분자 재료의 선택적 적용이 가능하므로, 가격 대 성능비가 우수한 알루미늄 고분자 커패시터를 제조할 수 있다.Third, since the conductive polymer material of the aluminum polymer capacitor can be selectively applied, an aluminum polymer capacitor having an excellent price-performance ratio can be manufactured.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조에 사용되는 산화제겸 도펀트로서, (a) Fe-MBS, (b) Fe-BS, (c) Fe-EBS의 화학 구조를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터 제조에 사용되는 단량체로서, (a) EDOT, (b) ESOMT, (c) ESOPT의 화학 구조를 나타낸다.
도 3은 알루미늄 고분자 커패시터에 제조에 사용되는 전도성 고분자의 화학 구조를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에서, 산화제겸 도펀트와 단량체를 선택적으로 조합한 전도성 고분자의 화학 구조를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법에서, 전도성 고분자의 단량체로서 ESOPT를 사용하고, 산화제겸 도펀트로서 Fe-BS, Fe-MBS 및 Fe-EBS를 사용한 경우의 화학적 특성을 그래프로 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법을 흐름도로 나타낸다.
1 shows chemical structures of (a) Fe-MBS, (b) Fe-BS, and (c) Fe-EBS as an oxidizing agent and dopant used in the manufacture of an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows chemical structures of (a) EDOT, (b) ESOMT, and (c) ESOPT as monomers used for manufacturing an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention.
3 shows the chemical structure of a conductive polymer used for manufacturing an aluminum polymer capacitor.
4 shows the chemical structure of a conductive polymer in which an oxidizing agent, a dopant, and a monomer are selectively combined in the method for manufacturing an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention.
5 is a method for manufacturing an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention, using ESOPT as a monomer of a conductive polymer and using Fe-BS, Fe-MBS, and Fe-EBS as an oxidizing agent and dopant. represented by a graph.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

알루미늄 고분자 커패시터의 주요 재료는 양극 및 음극용 전극박, 절연지 및 내외장 재료와, 고체 전해질을 형성하는 전도성 고분자이다. 전도성 고분자 재료 이외의 재료들은 일반적으로 사양이 고정적이므로, 커패시터의 특성과 제조비용을 좌우하는 주요 변수는 전도성 고분자 재료이다.The main materials of aluminum polymer capacitors are electrode foils for positive and negative electrodes, insulating paper and interior and exterior materials, and conductive polymers that form a solid electrolyte. Since the specifications of materials other than conductive polymer materials are generally fixed, the main variable influencing the characteristics and manufacturing cost of capacitors is the conductive polymer material.

알루미늄 고분자 커패시터의 고체 전해질용 전도성 고분자로는, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리씨오펜 등이 사용되어 왔으나, 최근에는 폴리씨오펜 계열인 PEDOT(Polyethylenedioxythiophene)가 주로 사용되고 있다. PEDOT는 산화제겸 도펀트로서 Fe-ToS(Fe-p-Toluenesulfonate)를 사용하고 단량체로서 EDOT(Ethylenedioxythiophene)를 사용하여, 화학적인 중합 방법으로 고분자 커패시터의 고체 전해질층을 형성한다.Polypyrrole, polyaniline, polythiophene, etc. have been used as conductive polymers for solid electrolytes in aluminum polymer capacitors, but recently, polythiophene-based polyethylenedioxythiophene (PEDOT) is mainly used. PEDOT uses Fe-p-Toluenesulfonate (Fe-ToS) as an oxidizing agent and dopant and ethylenedioxythiophene (EDOT) as a monomer to form a solid electrolyte layer of a polymer capacitor by a chemical polymerization method.

현재, 산화제겸 도펀트로서 Fe-ToS 외에는 안정성이나 도핑 성능에 있어서 커패시터에 적합한 것이 거의 없는 것으로 알려져 있으며, 또한 단량체로서 EDOT 외에 사용할만한 상용 제품이 거의 없다고 할 수 있다.Currently, it is known that there are few suitable capacitors in terms of stability or doping performance other than Fe-ToS as an oxidizing agent and dopant, and there are hardly any commercially available products other than EDOT as a monomer.

이와 같이 사용 가능한 산화제겸 도펀트와 단량체 재료가 제한적이므로, PEDOT를 사용해서 커패시터를 제조하는 경우, 커패시터의 특성이나 성능(예를 들어, 정전용량, 유전손실, ESR, 누설전류, 내전압 등)을 필요에 따라 적절히 조절하는 것은 현실적으로 어렵다. 즉, 커패시터의 크기를 실제 사용할 수 없을 정도로 크게 하거나, 비현실적인 제조비용을 투입하지 않는 한, PEDOT를 사용해서 필요로 하는 특정 요구 성능을 갖는 커패시터를 맞춤형으로 제조하는 것은 거의 불가능하다.Since the available oxidizing agent, dopant, and monomer materials are limited, when manufacturing a capacitor using PEDOT, the characteristics and performance of the capacitor (e.g., capacitance, dielectric loss, ESR, leakage current, withstand voltage, etc.) are required. It is practically difficult to properly adjust accordingly. That is, unless the size of the capacitor is made too large to be practically used or an unrealistic manufacturing cost is invested, it is almost impossible to custom manufacture a capacitor having a specific required performance required using PEDOT.

이를 해결하기 위해, 산화제겸 도펀트와 단량체의 일부 원소를 다른 원소로 치환하여 사용하는 제조 방법을 발명하였으며, 이에 대한 본 발명의 실시예를 아래에서 상세히 설명한다.In order to solve this problem, an oxidizing agent/dopant and a manufacturing method in which some elements of a monomer are substituted with other elements have been invented, and embodiments of the present invention will be described in detail below.

먼저, 산화제겸 도펀트인 Fe-ToS(Fe-Methylbenzenesulfonate: Fe-MBS)에서 메틸기(CH3-)를 수소 원소 또는 알킬기로 치환한 산화제겸 도펀트를 합성한다. 즉, 메틸기를 수소 원소로 치환하여 Fe-BS(Fe-Benzenesulfonate)를 합성할 수 있고, 알킬기로 치환하여 Fe-EBS(Fe-Ethylbenzenesulfonate)를 합성할 수 있으며, 이들의 화학 구조를 도 1에 나타내었다.First, in Fe-ToS (Fe-Methylbenzenesulfonate: Fe-MBS), which is an oxidizing agent and dopant, an oxidizing agent and dopant in which a methyl group (CH 3 -) is replaced with a hydrogen element or an alkyl group is synthesized. That is, Fe-BS (Fe-Benzenesulfonate) can be synthesized by substituting a methyl group with a hydrogen element, and Fe-EBS (Fe-Ethylbenzenesulfonate) can be synthesized by substituting an alkyl group, and their chemical structures are shown in FIG. It was.

이와 같이 합성된 Fe-BS 및 Fe-EBS는, 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS를 사용했을 때와는 다른 구조의 전도성 고분자를 형성하게 되고, 이에 따라 고분자 커패시터의 분자량, 전도도, 내전압, 정전용량, ESR 등과 같은 특성의 차이를 유발한다.Fe-BS and Fe-EBS synthesized in this way form a conductive polymer having a different structure than when Fe-MBS is used as an oxidizing agent and dopant, and accordingly, the molecular weight, conductivity, withstand voltage, capacitance, It causes differences in characteristics such as ESR.

다음으로, 단량체인 EDOT의 산소 원소를 황 원소로 치환하여 ESOMT를 합성하고, 수소 원소를 알킬기로 치환하여 ESOPT를 합성할 수 있다. 이들의 화학 구조를 도 2에 나타내었다. 이와 같이 합성된 ESOMT 및 ESOPT는, 단량체로서 EDOT를 사용했을 때와는 다른 구조의 전도성 고분자를 형성하게 되고, 이에 따라 고분자 커패시터의 분자량, 전도도, 내전압, 정전용량, ESR 등과 같은 특성의 차이를 유발한다.Next, ESOMT may be synthesized by substituting a sulfur element for the oxygen element of EDOT as a monomer, and ESOPT may be synthesized by substituting a hydrogen element with an alkyl group. Their chemical structures are shown in FIG. 2 . ESOMT and ESOPT synthesized in this way form a conductive polymer having a different structure than when EDOT is used as a monomer, thereby causing differences in characteristics such as molecular weight, conductivity, withstand voltage, capacitance, and ESR of polymer capacitors. do.

즉, 상기와 같이 산화제겸 도펀트와 단량체를 치환하여 합성함으로써, 전도성 고분자의 입체적 방해성을 활용하여 여러 특성을 조절할 수 있다. 이하에서는, 단량체로서 EDOT를 사용한 경우 전도성 고분자는 PEDOT로, ESOMT 사용한 경우 전도성 고분자는 PESOMT로, ESOPT 사용한 경우 전도성 고분자는 PESOPT라고 표기한다.That is, by substituting the oxidizing agent-dopant and monomer for synthesis as described above, various properties can be controlled by utilizing the steric hindrance of the conductive polymer. Hereinafter, when EDOT is used as a monomer, the conductive polymer is denoted as PEDOT, when ESOMT is used, the conductive polymer is denoted as PESOMT, and when ESOPT is used, the conductive polymer is denoted as PESOPT.

이와 같이 본 발명에 따르면, 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS, Fe-BS 및 Fe-EBS의 3종과, 단량체로서 EDOT, ESOMT 및 ESOPT의 3종을 선택적으로 조합하여, 상이한 구조의 전도성 고분자를 형성할 수 있다.As described above, according to the present invention, by selectively combining three kinds of Fe-MBS, Fe-BS, and Fe-EBS as an oxidizing agent and dopant and three kinds of EDOT, ESOMT and ESOPT as monomers, a conductive polymer having a different structure is formed can do.

도 3에 종래의 전도성 고분자의 구조를 나타내었고, 도 4에 본 발명의 실시예에 따라 산화제겸 도펀트와 단량체를 선택적으로 조합한 전도성 고분자의 구조를 나타내었다.3 shows the structure of a conventional conductive polymer, and FIG. 4 shows the structure of a conductive polymer in which an oxidizing agent and a dopant and a monomer are selectively combined according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 5에 전도성 고분자의 단량체로서 ESOPT를 사용하고, 산화제겸 도펀트로서 Fe-BS, Fe-MBS 및 Fe-EBS를 사용한 경우의 화학적 특성(Intensity, Transmittance, Weight Fraction)을 서로 비교하여 나타내었다. 도 5의 (a)는 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)로, (b)는 FT-IR(Fourier-transform infrared spectroscopy)로, (c)는 TG/DSC(Glass transition temperature/Differential Scanning Calorimetry)로 나타내었다.In addition, in FIG. 5, chemical properties (Intensity, Transmittance, Weight Fraction) in the case of using ESOPT as a monomer of the conductive polymer and Fe-BS, Fe-MBS and Fe-EBS as an oxidizing agent and dopant were compared with each other. . 5 (a) is X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), (b) is FT-IR (Fourier-transform infrared spectroscopy), (c) is TG/DSC (Glass transition temperature/Differential Scanning Calorimetry) indicated.

도 4에 나타낸 바와 같이, 산화제겸 도펀트로서 Fe-EBS를 사용하고 단량체로서 EDOT, ESOMT 및 ESOPT의 3종을 사용하여 전도성 고분자를 각각 중합할 수 있고, 단량체로서 ESOPT를 사용하고 산화제겸 도펀트로서 Fe-BS, Fe-MBS 및 Fe-EBS의 3종을 사용하여 전도성 고분자를 각각 중합할 수 있다.As shown in FIG. 4, the conductive polymer can be polymerized using Fe-EBS as an oxidizing agent and dopant and three types of EDOT, ESOMT, and ESOPT as monomers, respectively, using ESOPT as a monomer and Fe as an oxidizing agent and dopant. -BS, Fe-MBS and Fe-EBS can be used to polymerize the conductive polymer, respectively.

이하에서는 전도성 고분자의 재료를 선택적으로 조합하고, 이를 이용하여 알루미늄 고분자 커패시터를 제조하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method for selectively combining conductive polymer materials and manufacturing an aluminum polymer capacitor using the materials will be described.

본 발명의 실시예에 따른 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법은, 에칭(etching), 화성(forming), 재단(slitting), 권취(winding), 용접(welding), 탄화(carbonization), 재화성(re-forming), 중합(polymerization), 조립(assembling), 에이징(aging) 등의 일반적인 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 공정을 포함하여 실행된다. 필요에 따라 이러한 공정 중 일부가 생략될 수도 있고, 특별한 다른 공정이 추가될 수도 있다.A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor according to an embodiment of the present invention includes etching, forming, slitting, winding, welding, carbonization, and re- It is carried out including the manufacturing process of general aluminum polymer capacitors such as forming, polymerization, assembling, and aging. Some of these processes may be omitted, and other special processes may be added as necessary.

일례로서 설명하면, 도 6에 나타낸 바와 같이, 양극 알루미늄박 표면에 유전체 산화피막을 형성시킨 후, 상기 양극 알루미늄박과 음극 알루미늄박 사이에 절연지를 삽입하고 권취하여, 권취 소자를 형성한다 (단계 100). 즉, 단계 100은 일반적인 에칭, 화성, 재단 및 권취 공정 등을 통하여 권취 소자를 형성하는 단계이다.As an example, as shown in FIG. 6 , after forming a dielectric oxide film on the surface of the anode aluminum foil, insulating paper is inserted and wound between the anode aluminum foil and the cathode aluminum foil to form a winding element (step 100). ). That is, step 100 is a step of forming a winding device through general etching, chemical conversion, cutting and winding processes.

다음으로, 용접 공정(단계 200), 탄화 공정(단계 300) 및 재화성 공정(단계 400)이 실행된다. 용접 공정은 대량 생산을 위해 철 재질의 막대에 다수의 단위 소자를 저항 용접하여 고정시키는 공정이고, 탄화 공정은 절연지(30)의 섬유 조직을 태워 고분자 용액이 절연지(30)에 집중되는 현상을 방지하는 공정이고, 재화성 공정은 손상된 유전체 산화피막을 수복하기 위해 양극 산화를 다시 실행하는 것이다.Next, a welding process (step 200), a carbonization process (step 300), and a recharging process (step 400) are performed. The welding process is a process of resistance welding and fixing a number of unit elements to an iron rod for mass production, and the carbonization process prevents the concentration of the polymer solution on the insulating paper 30 by burning the fibrous tissue of the insulating paper 30 . The re-oxidation process is to perform anodization again to repair the damaged dielectric oxide film.

다음으로, 고체 전해질층을 형성하기 위해, 권취 소자에 전도성 고분자 용액을 주입하여 중합시킨다 (단계 500).Next, in order to form a solid electrolyte layer, a conductive polymer solution is injected into the winding element and polymerized (step 500).

중합 공정은 일체형 중합이나 분리형 중합을 사용할 수 있다. 일체형 중합은 산화제겸 도펀트와 단량체를 적정 비율로 알콜 용매에서 혼합하고, 이 혼합 용액을 신속하게 권취 소자에 주입한 후, 고온 건조를 통해 전도성 고분자를 중합하여 고체 전해질층을 형성한다. 분리형 중합은 산화제겸 도펀트 용액을 권취 소자에 주입한 후 건조를 통해 용매를 제거하고, 이어서 단량체 용액을 권취 소자에 주입한 후 건조를 통해 전도성 고분자를 중합하여 고체 전해질층을 형성한다.The polymerization process may use integral polymerization or separate polymerization. In the integral polymerization, an oxidizing agent/dopant and a monomer are mixed in an alcohol solvent in an appropriate ratio, the mixed solution is quickly injected into the winding element, and then the conductive polymer is polymerized through high temperature drying to form a solid electrolyte layer. In the separation-type polymerization, an oxidizing agent and dopant solution is injected into the winding element, the solvent is removed through drying, and then the monomer solution is injected into the winding element, and then the conductive polymer is polymerized through drying to form a solid electrolyte layer.

이때 전도성 고분자는 앞서 설명한 다수의 산화제겸 도펀트와 다수의 단량체를 선택적으로 조합하여 중합한다. 즉, 커패시터가 맞춤형 특성을 가질 수 있도록 산화제겸 도펀트와 단량체를 적절히 조합하여 전도성 고분자를 중합한다.In this case, the conductive polymer is polymerized by selectively combining a plurality of oxidizing agents and dopants and a plurality of monomers described above. That is, the conductive polymer is polymerized by appropriately combining an oxidizing agent, a dopant, and a monomer so that the capacitor can have customized characteristics.

상기한 중합 공정(단계 500) 이후에, 소자를 케이스에 밀봉하는 조립 공정(단계 600)과, 조립 완성된 소자를 전기적으로 에이징(aging)시키는 에이징 공정(단계 700) 등을 실행할 수 있다.After the polymerization process (step 500), an assembling process of sealing the device to the case (step 600), an aging process of electrically aging the assembled device (step 700), and the like may be performed.

이하에서는 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS, Fe-BS 및 Fe-EBS의 3종과, 단량체로서 EDOT, ESOMT 및 ESOPT의 3종을 선택적으로 조합하여, 상이한 구조의 전도성 고분자를 중합한 실험예에 대해 설명한다. 이러한 실험을 통하여, 커패시터의 특정한 특성을 향상시키기 위해, 산화제겸 도펀트와 단량체를 조합하는 방법을 도출할 수 있다.Hereinafter, three types of Fe-MBS, Fe-BS, and Fe-EBS as oxidizing agents and dopants and three types of EDOT, ESOMT and ESOPT as monomers are selectively combined to polymerize conductive polymers having different structures. Explain. Through these experiments, it is possible to derive a method of combining the oxidizing agent and dopant and the monomer in order to improve specific characteristics of the capacitor.

<실험예 1: 제품 16V/100㎌, 시료 각각 100개 평균><Experimental Example 1: Product 16V/100㎌, average of 100 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 EDOT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 EDOT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer EDOT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
종래예prior art 98.698.6 1.51.5 10.610.6 73%73% 실시예 1Example 1 108.3108.3 1.11.1 9.79.7 69%69% 실시예 2Example 2 93.193.1 1.61.6 11.711.7 88%88%

<실험예 2: 제품 16V/100㎌, 시료 각각 100개 평균><Experimental Example 2: Product 16V/100㎌, average of 100 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 ESOMT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer ESOMT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 ESOPT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer ESOPT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
종래예prior art 98.698.6 1.51.5 10.610.6 73%73% 실시예 1Example 1 91.591.5 1.81.8 10.010.0 84%84% 실시예 2Example 2 84.484.4 2.12.1 8.98.9 90%90%

<실험예 3: 제품 16V/100㎌, 시료 각각 100개 평균><Experimental Example 3: Product 16V/100㎌, average of 100 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 ESOMT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer ESOMT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 ESOPT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer ESOPT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
종래예prior art 108.3108.3 1.11.1 9.79.7 69%69% 실시예 1Example 1 93.993.9 1.61.6 9.69.6 79%79% 실시예 2Example 2 86.886.8 1.91.9 9.19.1 85%85%

<실험예 4: 제품 16V/100㎌, 시료 각각 100개 평균><Experimental Example 4: Product 16V/100㎌, average of 100 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 ESOMT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer ESOMT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 ESOPT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer ESOPT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
종래예prior art 95.195.1 1.61.6 11.711.7 88%88% 실시예 1Example 1 88.788.7 1.91.9 7.27.2 93%93% 실시예 2Example 2 82.682.6 2.32.3 6.96.9 99%99%

<실험예 5: 제품 16V/100㎌, 시료 각각 50개 평균><Experimental Example 5: Product 16V/100㎌, average of 50 samples each>

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 ESOPT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer ESOPT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 ESOPT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer ESOPT

- 본 발명 실시예 3: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 ESOPT- Invention Example 3: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer ESOPT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
실시예 1Example 1 86.886.8 1.91.9 9.19.1 85%85% 실시예 2Example 2 84.484.4 2.12.1 8.98.9 90%90% 실시예 3Example 3 82.682.6 2.32.3 6.96.9 99%99%

<실험예 6: 제품 7.5V/500㎌, 시료 각각 50개 평균><Experimental Example 6: Product 7.5V/500㎌, average of 50 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-MBS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-MBS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-BS, 단량체 EDOT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-BS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 EDOT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer EDOT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV (320㎂)
종래예prior art 493.5493.5 1.51.5 8.38.3 95%95% 실시예 1Example 1 503.4503.4 1.11.1 7.77.7 94%94% 실시예 2Example 2 482.9482.9 1.91.9 8.88.8 97%97%

<실험예 7: 제품 25V/47㎌, 시료 각각 50개 평균><Experimental Example 7: Product 25V/47㎌, average of 50 samples each>

- 종래예: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 EDOT- Conventional example: oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer EDOT

- 본 발명 실시예 1: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 ESOMT- Invention Example 1: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer ESOMT

- 본 발명 실시예 2: 산화제겸 도펀트 Fe-EBS, 단량체 ESOPT- Invention Example 2: Oxidizing agent and dopant Fe-EBS, monomer ESOPT

구분division 용량 (㎌)Capacity (㎌) 손실 (%)Loss (%) ESR (mΩ)ESR (mΩ) LC 수율
≤0.2CV(320㎂)
LC yield
≤0.2CV(320㎂)
종래예prior art 46.246.2 2.12.1 14.414.4 51%51% 실시예 1Example 1 43.643.6 1.11.1 11.211.2 93%93% 실시예 2Example 2 41.841.8 1.91.9 10.110.1 98%98%

상기한 실험 결과로부터, 전도성 고분자를 조성하기 위한 산화제겸 도펀트와 단량체의 선택에 따라, 커패시터의 특정한 특성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.From the above experimental results, it can be seen that the specific characteristics of the capacitor can be improved according to the selection of the oxidizing agent, dopant, and monomer to compose the conductive polymer.

16V 이상의 정격전압을 갖는 커패시터의 특성과 산화제겸 도펀트 및 단량체와의 관계는 다음과 같다. The relationship between the characteristics of a capacitor having a rated voltage of 16V or higher and the oxidizer, dopant, and monomer is as follows.

1) 정전용량 개선 효과 (Fe-BS 적용기준) : EDOT < ESOMT < ESOPT1) Capacitance improvement effect (Fe-BS application standard): EDOT < ESOMT < ESOPT

2) ESR 개선 효과 (ESOPT 적용기준) : Fe-BS < Fe-MBS < Fe-EBS2) ESR improvement effect (ESOPT application standard): Fe-BS < Fe-MBS < Fe-EBS

3) 내전압, 누설전류 개선 효과 : EDOT < ESOMT < ESOPT3) Withstanding voltage and leakage current improvement effect: EDOT < ESOMT < ESOPT

4) 재료 가격: EDOT < ESOMT < ESOPT, Fe-BS < Fe-MBS < Fe-EBS4) Material price: EDOT < ESOMT < ESOPT, Fe-BS < Fe-MBS < Fe-EBS

상기로부터, 정전용량 개선을 위해서는 산화제겸 도펀트로서 Fe-MBS보다 Fe-BS를 사용하는 것이 바람직하고, ESR 개선을 위해서는 단량체로서 EDOT보다 ESOMT, ESOPT를 사용하는 것이 바람직하고, 내전압 및 누설전류 개선을 위해서는 단량체로서 EDOT보다 ESOMT, ESOPT를 사용하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있다.From the above, it is preferable to use Fe-BS rather than Fe-MBS as an oxidizing agent and dopant to improve capacitance, and to improve ESR, it is preferable to use ESOMT and ESOPT rather than EDOT as a monomer, and to improve withstand voltage and leakage current. For this purpose, it can be seen that it is preferable to use ESOMT and ESOPT rather than EDOT as a monomer.

이상 설명한 본 발명의 커패시터 제조 방법은, 알루미늄 고분자 커패시터 분야에 최적으로 적용될 수 있으며, 또한 다른 커패시터나 전자 부품의 제조에 적절히 응용될 수 있을 것이다.The capacitor manufacturing method of the present invention described above may be optimally applied to the field of aluminum polymer capacitors, and may also be suitably applied to the manufacture of other capacitors or electronic components.

본 발명은 상기한 바람직한 실시예와 첨부한 도면을 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 사상 및 범위 내에서 상이한 실시예를 구성할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 정해지며, 본 명세서에 기재된 특정 실시예에 의해 한정되지 않는 것으로 해석되어야 한다.Although the present invention has been described with reference to the above-described preferred embodiments and the accompanying drawings, different embodiments may be configured within the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and should not be construed as limited by the specific embodiments described herein.

Claims (6)

전도성 고분자 중합에 의해 고체 전해질층을 형성하는 알루미늄 고분자 커패
시터의 제조 방법에 있어서,
산화제겸 도펀트로서, Fe-BS 또는 Fe-EBS 중 어느 하나를 선택하고, 또한
단량체로서, ESOMT, ESOPT 중 어느 하나를 선택하며,
상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 특성을 선택적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
An aluminum polymer capacitor that forms a solid electrolyte layer by polymerization of a conductive polymer
In the manufacturing method of the sheeter,
As an oxidizing agent and dopant, any one of Fe-BS or Fe-EBS is selected, and
As a monomer, any one of ESOMT and ESOPT is selected,
A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor, characterized in that selectively controlling the characteristics of the aluminum polymer capacitor by forming a solid electrolyte layer of a conductive polymer by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer.
제1항에 있어서,
산화제겸 도펀트로서, Fe-EBS를 선택하며,
상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 정전용량 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
The method of claim 1,
As an oxidizing agent and dopant, Fe-EBS is selected,
A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor, characterized in that by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, the capacitance characteristics of the aluminum polymer capacitor are adjusted.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 고분자 커패시터의 특성은, 내전압, 누설전류, 정전용량, 등가직렬저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
The method of claim 1,
Characteristics of the aluminum polymer capacitor include withstand voltage, leakage current, capacitance, and equivalent series resistance.
제1항에 있어서,
단량체로서 ESOMT를 선택하며,
상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 정전용량 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
The method of claim 1,
ESOMT is selected as the monomer,
A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor, characterized in that by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, the capacitance characteristics of the aluminum polymer capacitor are adjusted.
제1항에 있어서,
단량체로서 ESOPT를 선택하며,
상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 정전용량 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
The method of claim 1,
ESOPT is selected as the monomer,
A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor, characterized in that by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer to form a solid electrolyte layer of a conductive polymer, the capacitance characteristics of the aluminum polymer capacitor are adjusted.
제1항에 있어서,
단량체로서 ESOPT를 선택하고, 또한
산화제겸 도펀트로서 Fe-EBS를 선택하며,
상기 선택된 산화제겸 도펀트와 단량체를 중합하여 전도성 고분자의 고체 전해질층을 형성함으로써, 상기 알루미늄 고분자 커패시터의 등가직렬저항 특성을 선택적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 고분자 커패시터의 제조 방법.
The method of claim 1,
Select ESOPT as the monomer, and also
Fe-EBS is selected as an oxidizing agent and dopant,
A method of manufacturing an aluminum polymer capacitor, characterized in that selectively controlling the equivalent series resistance characteristic of the aluminum polymer capacitor by forming a solid electrolyte layer of a conductive polymer by polymerizing the selected oxidizing agent and dopant and a monomer.
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