KR102232654B1 - Led spin chuck - Google Patents
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Abstract
본 발명은 엘이디를 통해 웨이퍼를 가열하는 엘이디 스핀척에 관한 것으로서, 특히, 엘이디 스핀척의 가열부의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작은 경우에도, 웨이퍼의 비외곽영역과 외곽영역, 즉, 웨이퍼의 전영역의 가열을 효과적으로 달성할 수 있는 엘이디 스핀척에 관한 것이다.The present invention relates to an LED spin chuck that heats a wafer through an LED. In particular, even when the area of the heating portion of the LED spin chuck is smaller than the area of the wafer, the non-outer area and the outer area of the wafer, that is, the entire area of the wafer. It relates to an LED spin chuck that can effectively achieve heating.
Description
본 발명은 엘이디를 통해 웨이퍼를 가열하는 엘이디 스핀척에 관한 것이다.The present invention relates to an LED spin chuck for heating a wafer through an LED.
반도체 웨이퍼는 고정밀도의 물품으로서, 에칭, 세정, 폴리싱, 및 재료 디포지션과 같은 다양한 표면 처리 공정이 수행된다. 이러한 웨이퍼의 표면 처리 공정은 엘이디 스핀척이 웨이퍼를 파지하여 웨이퍼를 회전시키고, 엘이디 스핀척의 상부에 세정 노즐을 통해 세정액이 분사될 때, 엘이디 스핀척의 엘이디(LED)를 통해 웨이퍼를 가열함으로써, 이루어지게 된다.A semiconductor wafer is a high-precision article, and various surface treatment processes such as etching, cleaning, polishing, and material deposition are performed. The surface treatment process of such a wafer is accomplished by heating the wafer through the LED of the LED spin chuck when the LED spin chuck grips the wafer and rotates the wafer, and when the cleaning liquid is sprayed through the cleaning nozzle on the top of the LED spin chuck. You lose.
최근에는, 웨이퍼의 직경이 점차 증가하는 추세이고, 이에 따라, 웨이퍼들이 건조되는 동안 세정액의 표면 장력으로 인한 웨이퍼 패턴 붕괴 현상(collapse or leaning)이 점차 많아지고 있다. In recent years, the diameter of the wafer is gradually increasing, and accordingly, the collapse or leaning phenomenon of the wafer pattern due to the surface tension of the cleaning liquid during drying of the wafers is gradually increasing.
웨이퍼 패턴 붕괴 현상의 원인 중 하나로 웨이퍼 표면에 세정액이 남는 것이며, 이를 해결하기 위해, 웨이퍼 표면에 세정액이 남지 않도록, 웨이퍼 전체를 균일하게 건조시킴과 동시에 세정액을 신속하게 가열시키는 건조 기술 개발이 필요하다. One of the causes of the collapse of the wafer pattern is that the cleaning liquid remains on the wafer surface, and to solve this problem, it is necessary to develop a drying technology that quickly heats the cleaning liquid while uniformly drying the entire wafer so that the cleaning liquid does not remain on the wafer surface. .
위와 같이, 웨이퍼를 가열하여 웨이퍼의 패턴 붕괴 현상을 방지하는 엘이디 스핀척으로는 한국등록특허 제10-1981983호(이하, '특허문헌 1'이라 한다) 및 미국등록특허 제10,312,117호(이하, '특허문헌 2'라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.As above, as an LED spin chuck that heats a wafer to prevent the pattern collapse of the wafer, Korean Patent No. 10-1981983 (hereinafter referred to as'Patent Document 1') and U.S. Patent No. 10,312,117 (hereinafter referred to as'Patent Document 1') What is described in patent document 2') is known.
특허문헌 1은 웨이퍼 세정 공정시, LED 히터가 다수개의 LED를 통해 웨이퍼를 가열하게 된다. 그러나, 특허문헌 1의 LED 히터는 LED히터의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작게 형성됨으로써, 웨이퍼의 외곽부분의 가열이 제대로 이루어지지 못하는 문제점이 발생한다.In
특허문헌 2의 경우, 프레넬 렌즈를 엘이디 위에 구비하여 스핀척의 중앙인 포스트 영역에서 웨이퍼의 가열이 이루어지지 않는 것을 해결하거나, 회로 기판에 스핀척의 중앙인 포스트 영역 방향으로 경사진 실장면을 구비하고, 상기 실장면에 엘이디를 실장하여 포스트 영역에서 웨이퍼의 가열이 이루어지지 않는 것을 해결하는 것에 대한 기재만이 있을 뿐, 웨이퍼의 외곽 영역에 대한 가열이 제대로 이루어지지 않는 문제점을 해결하지 못하고 있다.In the case of Patent Document 2, a Fresnel lens is provided on the LED to solve the problem that the wafer is not heated in the post region at the center of the spin chuck, or a mounting surface inclined toward the post region at the center of the spin chuck is provided on the circuit board. However, there is only a description of solving the problem that the wafer is not heated in the post region by mounting the LED on the mounting surface, but it does not solve the problem of not properly heating the outer region of the wafer.
따라서, 위와 같이, 웨이퍼의 면적이 엘이디 스핀척의 가열영역의 면적보다 큰 경우에 웨이퍼의 외곽 영역을 효과적으로 가열할 수 있는 기술 개발이 필요하다.Therefore, as described above, when the area of the wafer is larger than the area of the heating area of the LED spin chuck, it is necessary to develop a technology capable of effectively heating the outer area of the wafer.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 엘이디 스핀척의 가열부의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작은 경우에도, 웨이퍼의 비외곽영역과 외곽영역, 즉, 웨이퍼의 전영역의 가열을 효과적으로 달성할 수 있는 엘이디 스핀척을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the above-described problem, and even when the area of the heating part of the LED spin chuck is smaller than the area of the wafer, it is possible to effectively achieve heating of the non-outer area and the outer area of the wafer, that is, the entire area of the wafer. It aims to provide a possible LED spin chuck.
본 발명의 일 특징에 따른 엘이디 스핀척은, 웨이퍼를 파지하여 회전 가능하게 구비되고, 상기 웨이퍼를 가열하는 엘이디 스핀척에 있어서, 상기 웨이퍼의 하면을 수직으로 조사하는 복수개의 제1엘이디와, 상기 웨이퍼의 외곽의 하면을 외곽 방향으로 경사지게 조사하는 복수개의 제2엘이디를 구비한 가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An LED spin chuck according to one aspect of the present invention includes a plurality of first LEDs vertically irradiating a lower surface of the wafer in the LED spin chuck that is rotatably provided to hold a wafer and heats the wafer, and the And a heating unit having a plurality of second LEDs for obliquely irradiating the lower surface of the outer surface of the wafer in an outer direction.
또한, 상기 가열부는, 상기 제1엘이디그룹이 구비되는 영역과 상기 제2엘이디그룹이 구비되는 영역이 서로 개별적으로 독립되어 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heating unit is characterized in that the area in which the first LED group is provided and the area in which the second LED group is provided are provided independently of each other.
본 발명의 다른 특징에 따른 엘이디 스핀척은, 웨이퍼를 파지하며, 회전 가능하게 구비되는 바디; 및 상기 웨이퍼를 가열하도록 상기 웨이퍼와 상기 바디 사이에 구비되는 가열부;를 포함하고, 상기 가열부는, 그 외곽 중 적어도 일부에 그 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성되는 경사부가 구비된 플레이트; 상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면을 제외한 상면 중 적어도 일부에 구비되는 제1엘이디그룹; 및 상기 경사부의 경사면에 구비되는 제2엘이디그룹;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An LED spin chuck according to another feature of the present invention includes: a body that holds a wafer and is rotatably provided; And a heating unit provided between the wafer and the body to heat the wafer, wherein the heating unit includes a plate having an inclined portion formed to be inclined downward toward the outer periphery of at least a portion of the outer periphery; A first LED group provided on at least a portion of an upper surface of the plate excluding an inclined surface of the inclined portion; And a second LED group provided on the inclined surface of the inclined portion.
또한, 상기 바디는, 포스트가 삽입되도록 상기 바디의 중앙에 형성되는 제1중공; 상기 바디의 외곽에 구비되며, 상기 웨이퍼를 파지하는 복수개의 척핀이 배열되는 외곽부; 및 상기 제1중공과 상기 외곽부 사이에 위치하며, 그 상부에 상기 가열부가 위치하는 홈부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the body, a first hollow formed in the center of the body so that the post is inserted; An outer portion provided on the outer side of the body and in which a plurality of chuck pins for gripping the wafer are arranged; And a groove portion positioned between the first hollow and the outer portion and in which the heating portion is positioned above the first hollow portion.
또한, 상기 복수개의 척핀은 상기 가열부보다 상기 바디의 외곽에 위치하는 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of chuck pins are located outside the body than the heating unit.
또한, 상기 제1엘이디그룹은 제1엘이디기판에 실장되고, 상기 제1엘이디기판은 상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면을 제외한 상면 중 적어도 일부에 설치되고, 상기 제2엘이디그룹은 제2엘이디기판에 실장되고, 상기 제2엘이디기판은 상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면에 설치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the first LED group is mounted on a first LED substrate, the first LED substrate is installed on at least a portion of the top surface of the plate excluding the inclined surface of the inclined portion, and the second LED group is a second LED It is mounted on a substrate, and the second LED substrate is installed on an inclined surface of the inclined portion of the upper surface of the plate.
또한, 상기 플레이트는, 포스트가 삽입되도록 상기 플레이트의 중앙에 형성되는 제2중공; 상기 제2중공에 위치하는 유입부 및 유출부; 및 상기 유입부 및 상기 유출부를 연결하며, 상기 플레이트의 내부에 형성되는 유로;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the plate, a second hollow formed in the center of the plate so that the post is inserted; An inlet and an outlet positioned in the second hollow; And a flow path connected to the inlet and the outlet and formed in the inside of the plate.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 엘이디 스핀척에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.The LED spin chuck of the present invention as described above has the following effects.
가열부의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작은 경우에도 웨이퍼의 외곽영역의 가열을 달성할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼의 세정 공정시, 웨이퍼의 외곽영역 표면에 세정액이 남게되어 웨이퍼의 패턴이 붕괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Even when the area of the heating unit is smaller than the area of the wafer, heating of the outer area of the wafer can be achieved. Through this, it is effective to prevent the wafer pattern from collapsing due to the remaining cleaning liquid on the surface of the outer area of the wafer during the wafer cleaning process. Can be prevented.
유체가 유로를 통해 플레이트의 전 영역에 유동됨에 따라, 플레이트에 구비되는 복수개의 제1, 2엘이디의 냉각이 더욱 효과적으로 이루어질 수 있다. 따라서, 복수개의 제1, 2엘이디를 통한 웨이퍼의 온도 제어를 더욱 쉽게 달성할 수 있으며, 엘이디 스핀척의 수명 또한 연장된다.As the fluid flows over the entire region of the plate through the flow path, cooling of the plurality of first and second LEDs provided in the plate may be performed more effectively. Accordingly, temperature control of the wafer through the plurality of first and second LEDs can be more easily achieved, and the life of the LED spin chuck is also extended.
3D 프린팅으로 플레이트를 제작함에 따라, 작은 두께의 플레이트에도 위와 같이, 복잡한 유로 구조를 형성시킬 수 있다. 따라서, 엘이디 스핀척의 홈부의 높이가 낮은 경우에도 가열부를 용이하게 설치할 수 있으며, 나아가, 엘이디 스핀척의 컴팩트화를 달성할 수 있다.As the plate is manufactured by 3D printing, it is possible to form a complex flow path structure as above even on a plate having a small thickness. Accordingly, even when the height of the groove portion of the LED spin chuck is low, the heating portion can be easily installed, and further, it is possible to achieve a compact size of the LED spin chuck.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 사시도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 분해 사시도.
도 3은 도 2의 바디의 사시도.
도 4는 도 2의 가열부의 사시도.
도 5는 도 2의 가열부의 분해 사시도.
도 6은 도 5의 플레이트의 사시도.
도 7은 도 6의 플레이트의 내부 유로를 도시한 저면도.
도 8은 도 1의 엘이디 스핀척에서 커버를 제거한 상태를 도시한 도.
도 9는 도 1의 엘이디 스핀척에 척핀으로 웨이퍼를 파지한 것을 도시한 도.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 가열부를 통해 웨이퍼를 가열하는 것을 도시한 도.
도 11(a)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제1엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도.
도 11(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제2엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도.
도 11(c)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제1엘이디 및 제2엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도.1 is a perspective view of an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 3 is a perspective view of the body of Figure 2;
Figure 4 is a perspective view of the heating unit of Figure 2;
Figure 5 is an exploded perspective view of the heating unit of Figure 2;
Figure 6 is a perspective view of the plate of Figure 5;
Figure 7 is a bottom view showing the inner flow path of the plate of Figure 6;
8 is a view showing a state in which the cover is removed from the LED spin chuck of FIG. 1.
FIG. 9 is a view showing a wafer held by a chuck pin on the LED spin chuck of FIG. 1.
10 is a diagram illustrating heating a wafer through a heating unit of an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 11(a) is a diagram illustrating a state of a wafer when a first LED is operated in an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, taken with a thermal imaging camera.
FIG. 11(b) is a diagram illustrating a state of a wafer when a second LED is operated in an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, taken with a thermal imaging camera.
FIG. 11(c) is a diagram illustrating a state of a wafer when a first LED and a second LED are operated in the LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, taken with a thermal imaging camera.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following content merely exemplifies the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can implement the principles of the invention and invent various devices included in the concept and scope of the invention, although not clearly described or illustrated herein. In addition, it should be understood that all conditional terms and examples listed in the present specification are, in principle, clearly intended only for the purpose of understanding the concept of the invention, and are not limited to the embodiments and states specifically listed as described above. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, and accordingly, one of ordinary skill in the technical field to which the invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the invention. .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described in the present specification will be described with reference to sectional views and/or perspective views that are ideal examples of the present invention. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include a change in form generated according to a manufacturing process.
이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척(10)에 대해 설명한다. Hereinafter, an
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 분해 사시도이고, 도 3은 도 2의 바디의 사시도이고, 도 4는 도 2의 가열부의 사시도이고, 도 5는 도 2의 가열부의 분해 사시도이고, 도 6은 도 5의 플레이트의 사시도이고, 도 7은 도 6의 플레이트의 내부 유로를 도시한 저면도이고, 도 8은 도 1의 엘이디 스핀척에서 커버를 제거한 상태를 도시한 도이고, 도 9는 도 1의 엘이디 스핀척에 척핀으로 웨이퍼를 파지한 것을 도시한 도이고, 도 10은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척의 가열부를 통해 웨이퍼를 가열하는 것을 도시한 도이고, 도 11(a)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제1엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도이고, 도 11(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제2엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도이고, 도 11(c)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척에서 제1엘이디 및 제2엘이디를 작동하였을 때의 웨이퍼의 상태를 열화상 카메라로 촬영한 것을 도시한 도이다.1 is a perspective view of an LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is an exploded perspective view of the LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view of the body of Figure 2, Figure 4 is 2 is a perspective view of the heating unit, Fig. 5 is an exploded perspective view of the heating unit of Fig. 2, Fig. 6 is a perspective view of the plate of Fig. 5, Fig. 7 is a bottom view showing the inner flow path of the plate of Fig. 6, and Fig. 8 is 1 is a view showing a state in which the cover is removed from the LED spin chuck of FIG. 1, FIG. 9 is a view showing a wafer held by a chuck pin on the LED spin chuck of FIG. 1, and FIG. 10 is a diagram showing a state in which the cover is removed from the LED spin chuck of FIG. It is a diagram showing heating a wafer through the heating part of the LED spin chuck, and FIG. 11(a) is a diagram showing the state of the wafer when the first LED is operated in the LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention. Fig. 11(b) is a diagram showing the state of the wafer when the second LED is operated in the LED spin chuck according to a preferred embodiment of the present invention, taken with a thermal imaging camera, FIG. 11(c) is a diagram illustrating a state of a wafer when the first and second LEDs are operated in the LED spin chuck according to an exemplary embodiment of the present invention, taken with a thermal imaging camera.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척(10)은, 웨이퍼(W)를 파지하며, 포스트(300)를 중심으로 회전 가능하게 구비되는 바디(100)와, 바디(100)의 제1중공(110)에 삽입되며, 가열부(500)를 고정시키는 포스트(300)와, 웨이퍼(W)를 가열하도록 웨이퍼(W)와 바디 사이에 구비되는 가열부(500)와, 가열부(500)를 덮도록 바디의 상부에 설치되는 커버(700)와, 가열부(500)를 제어하는 제어부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척(10)은 웨이퍼(W)를 파지하여 회전 가능하게 구비되고, 웨이퍼(W)를 가열하는 엘이디 스핀척(10)으로서, 웨이퍼(W)의 비외곽영역의 하면을 수직으로 조사하는 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹과, 웨이퍼(W)의 외곽영역의 하면을 외곽 방향으로 경사지게 조사하는 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹을 구비한 가열부(500)를 포함하여 구성될 수 있다.The
제1엘이디그룹은 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 그룹을 의미하며, 제2엘이디그룹은 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 그룹을 의미한다.The first LED group means a group consisting of a plurality of
제1엘이디그룹에서 수직으로 조사되는 빛은 복수개의 제1엘이디(531)가 작동할 때, 주로 조사되는 빛의 경로를 의미한다.The light irradiated vertically in the first LED group refers to a path of light mainly irradiated when the plurality of
제2엘이디그룹에서 외곽 방향으로 경사지게 조사되는 빛은 복수개의 제2엘이디(551)가 작동할 때, 주로 조사되는 빛의 경로를 의미한다. The light irradiated obliquely in the outer direction in the second LED group refers to a path of light mainly irradiated when the plurality of
또한, 외곽 방향이라 함은, 원형 형상을 갖는 웨이퍼(W)를 기준으로 중심점에서 원의 바깥 방향으로 향하는 방향을 의미한다.In addition, the outer direction refers to a direction from the center point to the outer direction of the circle with respect to the wafer W having a circular shape.
웨이퍼(W)의 외곽영역은 웨이퍼(W)의 지름에서, 가열부(500)에서 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹이 형성된 영역의 길이만큼을 제외한 영역을 의미한다.The outer region of the wafer W refers to a region excluding the diameter of the wafer W by the length of the region in which the first LED group consisting of a plurality of
예컨데, 웨이퍼(W)의 반지름이 150㎜m 이고, 제1엘이디그룹이 형성된 영역이웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지일 경우를 가정하자.For example, it is assumed that the radius of the wafer W is 150 mmm, and the area in which the first LED group is formed is from the center point of the wafer W to a section whose length is 140 mm.
이 경우, 웨이퍼(W)의 외곽영역은 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜인 구간부터 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 150㎜ 인 구간까지의 영역이다.In this case, the outer region of the wafer W is a region from the center point of the wafer W to a section whose length is 140 mm from the center point of the wafer W to a section whose length is 150 mm.
웨이퍼(W)의 비외곽영역은 웨이퍼(W)의 전체 영역 중 외곽영역을 제외한 영역을 의미한다. The non-outer area of the wafer W refers to an area of the entire area of the wafer W excluding the outer area.
따라서, 위와 같은 예에서, 웨이퍼(W)의 비외곽영역은 웨이퍼(W)의 중심점에서부터 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지의 영역이다.Accordingly, in the above example, the non-outer area of the wafer W is a region from the center point of the wafer W to a section whose length is 140 mm from the center point of the wafer W.
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹과, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 서로 구분된 영역에 구비된다.A first LED group consisting of a plurality of
다시 말해, 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹이 구비되는 영역과 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 서로 개별적으로 독립되어 구비된다.In other words, an area in which a first LED group consisting of a plurality of
바디(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 파지하며 포스트(300)를 중심으로 회전 가능하게 구비된다. 이러한 바디(100)는 전체적으로 원형 형상을 갖도록 형성된다.The
또한, 바디(100)는 포스트(300)가 삽입되도록 상기 바디의 중앙에 형성되는 제1중공(110)과, 바디(100)의 외곽에 구비되며, 웨이퍼(W)를 파지하는 복수개의 척핀(170)과 복수개의 서포트핀(180)이 배열되는 외곽부(130)와, 제1중공(110)과 외곽부(130) 사이에 위치하며, 그 상부에 가열부(500)가 위치하는 홈부(150)를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the
제1중공(110)은 바디(100)의 중앙에 형성된다. 제1중공(110)에는 연결부재(111)가 삽입되며, 이러한 연결부재(111)의 구멍(112)에는 포스트(300)가 삽입된다. 따라서, 제1중공(110)에는 포스트(300)가 용이하게 삽입된다.The first hollow 110 is formed in the center of the
이렇게 삽입된 포스트(300)는 제2중공(511) 및 제3중공(710)에 삽입된다. 따라서, 포스트(300)는 제1 내지 제3중공(110, 511, 710)에 삽입된다.The
이 경우, 포스트(300)는 제1중공(100) 및 제3중공(710)에 삽입될 뿐, 제1중공(100) 및 제3중공(710)에 연결되지는 않는다. 따라서, 포스트(300)는 고정된 채, 바디(100) 및 커버(700)는 상대적으로 회전할 수 있다.In this case, the
포스트(300)는 연결부재(111)의 구멍(112)에 삽입되고, 포스트(300)의 단부는 포스트커버(310)가 구비된다.The
이러한 연결부재(111) 및 포스트커버(310) 사이에 가열부(500)가 게재되며, 이를 통해 포스트(300)와 가열부(500)는 연결된다. 이러한 구조에 의해 포스트(300)는 가열부(500)를 고정시키는 기능을 한다. 따라서, 포스트(300) 및 가열부(500)는 고정된 채, 바디(100) 및 커버(700)는 상대적으로 회전할 수 있다.A
위와 같이, 바디(100)가 구동부(미도시)에 의해 회전을 하더라도, 포스트(300) 및 가열부(500)는 회전하지 않는다. 다시 말해, 바디(100)는 포스트(300)를 중심으로 회전을 하되, 가열부(500)는 포스트(300)에 고정되어 있는 것이다.As above, even if the
즉, 엘이디 스핀척(10)은 바디(100)가 포스트(300)를 중심으로 회전하되, 가열부(500)에 대해 상대적으로 회전하는 것이다.That is, in the
포스트(300)의 내부에는 빈 공간이 형성되며, 이러한 빈 공간에는 복수개의 제1엘이디(531) 및 복수개의 제2엘이디(551)에 전원을 공급하는 전선 등 기타 전선등이 위치하게 된다.An empty space is formed inside the
외곽부(130)는 바디(100)의 외곽에 구비되는 영역이다.The
외곽부(130)에는 복수개의 척핀(170)과 복수개의 서포트핀(180)이 배열된다.A plurality of chuck pins 170 and a plurality of support pins 180 are arranged in the
복수개의 척핀(170)은 제1중공(110)의 중심점에서부터 복수개의 척핀(170) 각각의 중심점까지의 거리가 모두 동일하도록 외곽부(130)에 배열된다. 다시 말해, 복수개의 척핀(170)의 중심점들을 연결하면, 제1중공(110)의 중심점을 중심점으로 하는 하나의 원이 만들어지도록 복수개의 척핀(170)이 배열되는 것이다.The plurality of chuck pins 170 are arranged on the
복수개의 척핀(170)은 외곽부(130)에서 자체적으로 회전 가능하게 구비된다.The plurality of chuck pins 170 are provided to be rotatable by themselves in the
복수개의 척핀(170) 각각에는 파지부(171)가 구비된다. 파지부(171)는 복수개의 척핀(170)의 중심점으로부터 편심되게 배치된다.Each of the plurality of chuck pins 170 is provided with a
복수개의 척핀(170)은 구동부(미도시)에 의해 자체적으로 회전 가능하게 구비된다.The plurality of chuck pins 170 are provided to be rotatable on their own by a driving unit (not shown).
복수개의 척핀(170)이 자체적으로 회전함에 따라, 파지부(171)의 위치는 바디(100)의 외측 방향을 향하도록 위치하거나, 바디(100)의 내측 방향을 향하도록 위치할 수 있다.As the plurality of chuck pins 170 rotates by themselves, the gripping
위와 같은 구성에 따라, 복수개의 척핀(170)의 회전 여부에 따라, 웨이퍼(W)를 용이하게 파지할 수 있다.According to the above configuration, depending on whether the plurality of chuck pins 170 are rotated, the wafer W can be easily gripped.
상세하게 설명하면, 복수개의 척핀(170)이 웨이퍼(W)를 파지하지 않을 때에는, 파지부(171)의 위치는 바디(100)의 외측 방향을 향하도록 위치하게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외곽은 복수개의 척핀(170)에서 파지부(171)가 형성되지 않은 영역의 상면에 안착되기만 할 뿐, 파지되지는 않는다.In detail, when the plurality of chuck pins 170 do not grip the wafer W, the gripping
복수개의 척핀(170)이 웨이퍼(W)를 파지할 경우, 파지부(171)의 위치는 바디(100)의 내측 방향을 향하도록 위치하게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 외곽은 복수개의 척핀(170)에서 파지부(171)가 형성되지 않은 영역의 상면에 안착됨과 동시에, 파지부(171)가 웨이퍼(W)의 외곽에 접촉하게 되며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 파지가 이루어진다.When the plurality of chuck pins 170 grip the wafer W, the gripping
복수개의 서포트핀(180)은 제1중공(110)의 중심점에서부터 복수개의 서포트핀(180) 각각의 중심점까지의 거리가 모두 동일하도록 외곽부(130)에 배열된다. 다시 말해, 복수개의 서포트핀(180)의 중심점들을 연결하면, 제1중공(110)의 중심점을 중심점으로 하는 하나의 원이 만들어지도록 복수개의 서포트핀(180)이 배열되는 것이다.The plurality of support pins 180 are arranged in the
복수개의 서포트핀(180)은 복수개의 서포트핀(180)의 상면이 웨이퍼(W)의 하면을 지지하는 기능을 한다.The plurality of support pins 180 functions in which the upper surface of the plurality of support pins 180 supports the lower surface of the wafer W.
다시 말해, 전술한 복수개의 척핀(170)은 웨이퍼(W)를 파지함과 동시에 웨이퍼(W)의 하면을 지지하는 반면, 복수개의 서포트핀(180)은 웨이퍼(W)를 파지하지 않고, 웨이퍼(W)의 하면을 지지하는 기능만을 발휘한다.In other words, the plurality of chuck pins 170 described above hold the wafer W and simultaneously support the lower surface of the wafer W, whereas the plurality of support pins 180 do not hold the wafer W, It exhibits only the function of supporting the lower surface of (W).
이러한 복수개의 서포트핀(180)은 도 1, 도 2, 도 3, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 복수개의 척핀(170) 각각의 옆에 배열될 수 있으나, 이와 달리, 복수개의 척핀(170)가 멀리 떨어진 곳에도 배열될 수 있다.The plurality of support pins 180 may be arranged next to each of the plurality of chuck pins 170, as shown in FIGS. 1, 2, 3, 8, and 9, but unlike this, a plurality of chuck pins 170 can also be arranged at a distance.
홈부(150)는 제1중공(110)과 외곽부(130) 사이에 위치하며, 홈부(150)의 상부에 가열부(500)가 위치한다.The
따라서, 홈부(150)는 바디(100)에서 가열부(500)가 설치되는 공간을 제공하는 기능을 한다.Accordingly, the
단, 가열부(500)는 연결부재(111)의 상부에 위치하게 되므로, 가열부(500)는 홈부(150)에 고정되지 않고, 홈부(150)의 상부에 이격된 채, 위치하게 된다. 따라서, 바디(100)가 회전하여도, 가열부(500)는 회전하지 않게 된다.However, since the
홈부(150)는 바디(100)에서 하부 방향으로 오목하게 형성된다. 따라서, 홈부(150)의 상면은 외곽부(130)의 상면보다 그 높이가 낮게 형성된다. 다시 말해, 바디(100)의 하면을 기준으로 보면, 바디(100)의 하면에서 홈부(150)의 상면까지의 높이가 바디(100)의 하면에서 외곽부(130)의 상면까지의 높이보다 더 낮다.The
바디(100)의 면적은 엘이디 스핀척(10)에 파지되는 웨이퍼(W)의 면적보다 더 큰 면적을 갖게 형성된다. 그러나, 홈부(150)의 면적은 엘이디 스핀척(10)에 파지되는 웨이퍼(W)의 면적보다 더 작은 면적을 갖게 형성된다.The area of the
다시 말해, 바디(100)의 면적, 웨이퍼(W)의 면적 및 홈부(150)의 면적의 상관관계는 '바디(100)의 면적 > 웨이퍼(W)의 면적 > 홈부(150)의 면적'의 관계를 만족한다.In other words, the correlation between the area of the
복수개의 척핀(170)은 홈부(150)보다 바디(100)의 외곽에 위치하도록 배열된다.The plurality of chuck pins 170 are arranged to be located outside the
가열부(500)는, 도 2 및 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 전체적으로 원형 형상을 갖도록 형성되며, 웨이퍼(W)를 가열하는 기능을 한다.As shown in FIGS. 2 and 4 to 7, the
가열부(500)는 바디(100)에 파지되는 웨이퍼(W)와 바디(100)의 사이에 위치하여 웨이퍼(W)의 하면을 가열시킨다.The
가열부(500)는 홈부(150)의 상부에 위치하게 됨으로써, 바디(100)에 구비된다.The
또한, 가열부(500)는, 그 외곽 중 적어도 일부에 그 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성되는 경사부(520)가 구비된 플레이트(510)와, 경사부(520)의 경사면(521)을 제외한 상면 중 적어도 일부에 설치되어 구비되는 제1엘이디기판(530)과, 경사부(520)의 경사면(521)에 설치되어 구비되는 제2엘이디기판(550)을 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the
제1엘이디기판(530)이 설치되어 구비되는 영역과 제2엘이디기판(550)이 설치되어 구비되는 영역은 서로 중첩되지 않는다.The area in which the
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 플레이트(510)에는 경사부(520)가 구비된다.5 and 6, the
경사부(520)는 플레이트(510)의 외곽 중 적어도 일부에 형성된다. 경사부(520)는 플레이트(510)의 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성된다.The
이러한 경사부(520)는 복수개로 구비될 수 있다.A plurality of such
하나의 예로써, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 경사부(520)는 플레이트(510)의 전방 외곽에 1개의 경사부(520)가 형성되고, 경사부(520)는 플레이트(510)의 후방 외곽에 1개의 경사부(520)가 형성됨으로써, 총 2개의 경사부(520)가 형성될 수 있다.As an example, as shown in FIGS. 5 and 6, the
이러한 경사부(520)는 바디(100)의 중심점을 기준으로 서로 대칭되게 또는 서로 대향되게 구비되는 것이 바람직하다.It is preferable that the
전술한 바와 달리, 경사부(520)는 플레이트(510)의 전방 영역에 2개가 형성되고, 플레이트(510)의 후방 영역에 2개가 형성됨으로써, 총 4개의 경사부(520)로 구비될 수도 있다.Unlike the foregoing, two
또한, 경사부(520)는 플레이트(510)의 좌측영역에 1개가 형성되고, 플레이트(510)의 우측영역에 1개가 형성되고, 플레이트(510)의 전방영역에 1개가 형성되고, 플레이트(510)의 후방영역에 1개가 형성됨으로써, 총 4개의 경사부(520)로 구비될 수도 있다.In addition, one
경사부(520)는 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각이 3도 내지 30도의 각도를 갖도록 형성될 수 있으며, 특히, 상기 사잇각은 19도의 각도로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 사잇각은 웨이퍼(W)의 반지름과 가열부(500)의 반지름의 길이에 따라 그 각도가 다르게 형성될 수 있다.The
전술한 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각에 따라, 플레이트(510)에 형성되는 유로(600)의 전체 면적이 결정될 수 있다.The total area of the
다시 말해, 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각이 클 경우, 경사면(521)의 면적이 커지는 반면에, 경사면(521)에서 투영되는 길이가 짧아지므로, 플레이트(510)에 형성되는 유로(600)의 전체 면적이 커지게 된다. 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각이 작을 경우, 경사면(521)의 면적이 작아지는 반면에, 경사면(521)에서 투영되는 길이가 길어지므로, 플레이트(510)에 형성되는 유로(600)의 전체 면적이 작아지게 된다.In other words, when the angle between the
제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)에서 경사부(520)의 경사면(521)을 제외한 상면 중 적어도 일부에 설치된다. 다시 말해, 제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)에서 경사면(521)을 제외한 평평면에 설치되어 구비된다.The
제1엘이디기판(530)에는 복수개의 제1엘이디(531)가 실장된다. 따라서, 복수개의 제1엘이디(531)는 제1엘이디기판(530)에 실장되고, 제1엘이디기판(530)은 경사부(520)의 경사면(521)을 제외한 상면에 설치된다.A plurality of
이러한 복수개의 제1엘이디(531)는 제1엘이디그룹을 이룬다.The plurality of
제1엘이디기판(530)은 제1엘이디기판(530)의 하면이 엘이디 스핀척(10)에 안착되어 파지되는 웨이퍼(W)의 하면과 평행하도록 경사부(520)의 경사면(521)을 제외한 상면에 설치된다.In the
복수개의 제1엘이디(531) 또한, 복수개의 제1엘이디(531) 각각의 하면이 엘이디 스핀척(10)에 안착되어 파지되는 웨이퍼(W)의 하면과 평행하도록 제1엘이디기판(530)에 실장되어 설치된다.The plurality of
제1엘이디기판(530)은 복수개가 구비될 수 있다.A plurality of
하나의 예로써, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)의 좌측영역에 1개가 설치되고, 플레이트(510)의 우측영역에 1개가 설치됨으로써, 총 2개의 제1엘이디기판(530)으로 구비될 수 있다.As an example, as shown in FIGS. 2, 4 and 5, one
이러한 복수개의 제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)의 중심점을 기준으로 복수개의 제1엘이디(531)의 면적이 서로 대칭되도록 또는 서로 대향되도록 구비되는 것이 바람직하다. 이는, 제1엘이디(531)를 통해 웨이퍼(W)를 가열시 웨이퍼(W)에 고른 열 전달을 하기 위함이다.It is preferable that the plurality of
전술한 바와 달리, 제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)의 좌측영역에 2개가 설치되고, 플레이트(510)의 우측영역에 2개가 설치됨으로써, 총 4개의 제1엘이디기판(530)으로 구비될 수도 있다.Unlike the above, two
또한, 제1엘이디기판(530)은 플레이트(510)의 좌측영역에 1개가 설치되고, 플레이트(510)의 우측영역에 1개가 설치되고, 플레이트(510)의 전방영역에 1개가 설치되고, 플레이트(510)의 후방영역에 1개가 설치됨으로써, 총 4개의 제1엘이디기판(530)으로 구비될 수도 있다.In addition, one
제1엘이디기판(530)은 전체적으로 부채꼴 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이는, 플레이트(510)의 상면으로의 설치를 용이하게 하기 위함이다.It is preferable that the
전술한 바와 달리, 복수개의 제1엘이디(531)는 제1엘이디기판(530)에 실장되지 않고, 플레이트(510)의 상면에 곧바로 실장되어 구비될 수도 있다.Unlike the above, the plurality of
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹은 경사부(520)의 경사면(521)을 제외한 상면에 직접 실장되어 구비될 수 있다. 이 경우, 플레이트(510)의 상면에는 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹에 전원을 공급하는 전극이 형성될 수 있다.The first LED group including a plurality of
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹은 플레이트(510)의 원주 방향을 기준으로 형성된 복수개의 열을 갖도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수개의 열은 제어부에 의해 각각 개별적으로 제어될 수 있다.The first LED group consisting of a plurality of
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹은 플레이트(510)의 반지름 방향을 기준으로 형성된 복수개의 행을 갖도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수개의 행은 제어부에 의해 각각 개별적으로 제어될 수 있다.The first LED group consisting of a plurality of
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹은 웨이퍼(W)의 하면을 수직으로 조사함으로써, 웨이퍼(W)를 가열한다.The first LED group consisting of a plurality of
이 경우, 제1엘이디그룹은 웨이퍼(W)의 비외곽영역의 하면을 가열하게 된다.In this case, the first LED group heats the lower surface of the non-outer region of the wafer W.
제2엘이디기판(550)은 플레이트(510)에서 경사부(520)의 경사면(521)에 설치된다.The
제2엘이디기판(550)에는 복수개의 제2엘이디(551)가 실장된다. 따라서, 복수개의 제2엘이디(551)는 제2엘이디기판(550)에 실장되고, 제2엘이디기판(550)은 플레이트(510)의 경사부(520)의 경사면(521)에 설치된다.A plurality of
이러한 복수개의 제2엘이디(551)는 제2엘이디그룹을 이룬다.The plurality of
전술한 바와 같이, 경사부(520)가 플레이트(510)의 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성됨에 따라, 제2엘이디기판(550)은 제2엘이디기판(550)의 하면이 엘이디 스핀척(10)에 안착되어 파지되는 웨이퍼(W)의 하면과 평행하지 않는다.As described above, as the
제2엘이디기판(550)의 하면과 웨이퍼(W)의 하면의 사잇각은 전술한 경사부(520)의 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각과 동일한 각도를 갖는다. 예컨데, 전술한 바와 같이, 경사부(520)의 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각이 3도 내지 30도의 각도를 갖을 경우, 제2엘이디기판(550)의 하면과 웨이퍼(W)의 하면의 사잇각 또한, 3도 내지 30도의 각도를 갖는다.The angle between the lower surface of the
복수개의 제2엘이디(551) 또한, 복수개의 제2엘이디(551) 각각의 하면이 엘이디 스핀척(10)에 안착되어 파지되는 웨이퍼(W)의 하면과 평행하지 않는다.In addition, the lower surfaces of the plurality of
제2엘이디(551)의 하면과 웨이퍼(W)의 하면의 사잇각은 전술한 경사부(520)의 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각과 동일한 각도를 갖는다. 예컨데, 전술한 바와 같이, 경사부(520)의 경사면(521)과 플레이트(510)의 하면의 사잇각이 3도 내지 30도의 각도를 갖을 경우, 제2엘이디(551)의 하면과 웨이퍼(W)의 하면의 사잇각 또한, 3도 내지 30도의 각도를 갖는다.The angle between the lower surface of the
제2엘이디기판(550)은 복수개가 구비될 수 있다. 이 경우, 제2엘이디기판(550)은 경사부(520)의 갯수와 동일한 갯수를 갖을 수 있다.A plurality of
하나의 예로써, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2엘이디기판(550)은 플레이트(510)의 전방영역에 형성된 경사부(520)에 1개가 설치되고, 플레이트(510)의 후방영역에 형성된 경사부(520)에 1개가 설치됨으로써, 총 2개의 제1엘이디기판(530)으로 구비될 수 있다.As an example, as shown in FIGS. 2, 4, and 5, one
이러한 복수개의 제2엘이디기판(550)은 플레이트(510)의 중심점을 기준으로 복수개의 제2엘이디(551)의 면적이 서로 대칭되도록 또는 서로 대향되도록 구비되는 것이 바람직하다. 이는, 제2엘이디(551)를 통해 웨이퍼(W)를 가열시 웨이퍼(W)에 고른 열 전달을 하기 위함이다.It is preferable that the plurality of
전술한 바와 달리, 1개의 경사부(520)에 복수개의 제2엘이디기판(550)이 구비될 수도 있다.Unlike the above, a plurality of
또한, 제2엘이디기판(550)은 경사부(520)의 갯수가 달라짐에 따라, 그 갯수가 달라질 수 있다.In addition, as the number of the
제2엘이디기판(550)은 경사부(520)의 경사면(521)의 형상과 동일한 형상을 갖거나, 전체적으로 직사각형 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이는, 경사부(520)의 경사면(521)으로의 설치를 용이하게 하기 위함이다.It is preferable that the
전술한 바와 달리, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 제2엘이디기판(550)에 실장되지 않고, 경사부(520)의 경사면(521)에 곧바로 실장되어 구비될 수도 있다.Unlike the above, the second LED group consisting of a plurality of
복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 경사부(520)의 경사면(521)에 직접 실장되어 구비될 수 있다. 이 경우, 경사부(520)의 경사면(521)에는 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹에 전원을 공급하는 전극이 형성될 수 있다.The second LED group consisting of a plurality of
복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 플레이트(510)의 원주 방향을 기준으로 형성된 복수개의 열을 갖도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수개의 열은 제어부에 의해 각각 개별적으로 제어될 수 있다.The second LED group consisting of a plurality of
복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 플레이트(510)의 반지름 방향을 기준으로 형성된 복수개의 행을 갖도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 복수개의 행은 제어부에 의해 각각 개별적으로 제어될 수 있다.The second LED group consisting of a plurality of
복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 웨이퍼(W)의 하면을 외곽 방향으로 경사지게 조사함으로써, 웨이퍼(W)의 외곽영역을 가열한다.The second LED group consisting of a plurality of
제1엘이디기판(530)과 제2엘이디기판(550)은 서로 구분된 영역에 구비된다.The
다시 말해, 제1엘이디기판(530)과 제2엘이디기판(550)은 서로 개별적으로 독립되어 구비된다.In other words, the
전술한 제1엘이디그룹은 가열부(500)의 중심점을 기준으로 제2중공(511)을 제외한 영역 전부에 걸쳐 구비된다.The above-described first LED group is provided over all areas except for the second hollow 511 based on the center point of the
예컨데, 제1엘이디기판(530)은 부채꼴 형상으로 형성되고, 제1엘이디기판(530)에 실장되는 복수개의 제1엘이디(531) 즉, 제1엘이디그룹은 부채꼴 형상의 제1엘이디기판(530)의 반지름을 따라 복수개의 열로 구비될 수 있는 것이다.For example, the
복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹의 적어도 일부는, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹과 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 동일한 구간에 위치하도록 구비될 수 있다.At least a part of the first LED group consisting of a plurality of
다시 말해, 제1엘이디기판(530)에 실장되는 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹의 적어도 일부는, 제2엘이디기판(550)에 실장되는 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹과 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 동일한 구간에 위치하도록 구비될 수 있다.In other words, at least a part of the first LED group consisting of a plurality of
예컨데, 제2엘이디그룹이 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 인 구간부터 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지 구비되어 있을 경우, 제1엘이디그룹의 적어도 일부는 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 인 구간부터 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지 구비될 수 있는 것이다.For example, if the second LED group is provided from a section whose length is 120 mm from the center point of the
위와 같이, 가열부(500)의 중심점으로부터 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹이 구비되는 구간인 가열부(500)의 외곽영역에는 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹과, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹이 동시에 구비될 수 있다.As above, in the outer area of the
제1엘이디그룹은 가열부(500)의 플레이트(510)에서 방사 방향으로 전 영역에 구비되고, 제2엘이디그룹은 가열부(500)의 플레이트(510)에서 외곽영역에만 구비된다. 따라서, 제1엘이디그룹을 통해 웨이퍼(W) 외곽영역을 제외한 비외곽영역을 가열하고, 온도 편차가 발생하는 외곽영역은 제2엘이디그룹을 통해 가열하게 된다.The first LED group is provided in the entire area from the
플레이트(510)의 외곽영역에 경사부(520)가 구비된 구간에는 원주방향으로 제1엘이디기판(530)과 제2엘이디기판(550)이 동시에 구비될 수 있다. 따라서, 플레이트(510)의 외곽영역에 경사부(520)가 구비된 구간에는 원주방향으로 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹과 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹이 동시에 구비될 수 있다. In a section in which the
다시 말해, 경사부(520)가 구비된 가열부(500)의 플레이트(510)의 외곽영역에는 제1엘이디기판(530)에 실장되는 복수개의 제1엘이디(531), 즉, 제1엘이디그룹이 구비됨과 동시에, 제2엘이디기판(550)에 실장되는 복수개의 제2엘이디(551), 즉, 제2엘이디그룹이 구비될 수 있다.In other words, a plurality of
위와 같은 구성에 의해, 웨이퍼(W)의 온도편차가 발생되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.With the above configuration, it is possible to effectively prevent the temperature deviation of the wafer W from occurring.
이하, 전술한 설명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the above description will be described in more detail.
전술한 설명과 달리, 제1엘이디그룹이 가열부(500)의 비외곽영역에만 구비되고, 제2엘이디그룹이 가열부(500)의 외곽영역에 구비된 구조를 가정하자.Unlike the above description, assume a structure in which the first LED group is provided only in the non-outer area of the
하나의 예로써, 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹이 가열부(500)의 중심점에서 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 인 구간까지만 구비되어 있고, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹이 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 구간부터 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지 구비된 경우를 가정하자. 이 경우, 웨이퍼(W)의 반지름이 150㎜이고, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 웨이퍼(W)의 외곽영역인 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간부터 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 150㎜ 인 구간에 빛을 조사하여 가열할 수 있도록 경사부(520)의 경사각도가 설정되어 있다.As an example, a first LED group consisting of a plurality of
위와 같은 구조에서 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹은 빛을 수직방향으로 조사하게 되므로, 웨이퍼(W)를 가열할 수 있는 영역은 웨이퍼(W)의 중심점에서 웨이퍼(500)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 인 구간까지 이다.In the above structure, since the first LED group consisting of a plurality of
또한, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹은 빛을 외곽 방향으로 경사지게 조사하게 되므로, 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간부터 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 150㎜ 인 구간까지 이다.Also, since the second LED group consisting of a plurality of
따라서, 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 120㎜ 인 구간부터 웨이퍼(W)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지는 제1엘이디그룹 및 제2엘이디그룹으로 빛을 조사하지 못하는 사영역이 되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 온도편차가 발생하게 된다.Therefore, the dead area in which light cannot be irradiated by the first LED group and the second LED group from the center point of the wafer W to the section whose length is 120 mm and the length of 140 mm from the center point of the wafer W is As a result, a temperature deviation of the wafer W occurs.
그러나, 전술한 바와 같이, 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹이 가열부(500)의 중심점에서 가열부(500)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지 구비된 경우, 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹을 통해 웨이퍼(W)를 가열할 수 있는 영역이 웨이퍼(W)의 중심점에서 웨이퍼(500)의 중심점으로부터 그 길이가 140㎜ 인 구간까지가 되므로, 전술한 사영역이 발생하지 않게 된다.However, as described above, when the first LED group consisting of a plurality of
이처럼, 본 발명의 엘이디 스핀척(10)은, 가열부(500)에서 제1엘이디그룹이 가열부(500)의 외곽영역까지, 즉, 가열부(500)의 반지름에 걸쳐 전 영역에 구비되고, 제2엘이디그룹이 가열부(500)의 외곽영역에만 구비됨으로써, 웨이퍼(W)를 가열하지 못하는 사영역의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, in the
제2엘이디그룹의 복수개의 제2엘이디(551) 사이의 간격은 제1엘이디그룹의 제1엘이디(531) 사이의 간격보다 더욱 조밀하게 배치되는 것이 바람직하다.The spacing between the plurality of
특히, 제2엘이디그룹의 복수개의 제2엘이디(551) 사이의 간격은, 제2엘이디그룹에 대응되는 제1엘이디그룹의 일부 영역, 즉, 제1엘이디그룹의 외곽 영역에서의 복수개의 제1엘이디(531) 사이의 간격보다 더욱 조밀하게 배치되는 것이 바람직하다.In particular, the distance between the plurality of
이는, 상대적으로 적은 영역을 갖는 제2엘이디그룹에서 웨이퍼(W)의 외곽영역의 가열을 더욱 효과적으로 하기 위함이다.This is to more effectively heat the outer area of the wafer W in the second LED group having a relatively small area.
제1엘이디그룹의 복수개의 제1엘이디(531)는 원형 띠 형상을 갖는 복수개의 열과 행을 갖도록 배치, 즉, 복수개의 제1엘이디(531)는 방사형상으로 배치되고, 제2엘이디그룹의 복수개의 제2엘이디(551)는 매트릭스 형상의 복수개의 행과 열을 갖도록 배치되는 것이 바람직하다.The plurality of
이는, 상대적으로 적은 영역을 갖는 제2엘이디그룹에서 웨이퍼(W)의 외곽영역의 가열을 더욱 효과적으로 하기 위해, 복수개의 제2엘이디(551)를 더욱 조밀하게 배치하기 위함이다.This is to more densely arrange the plurality of
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 플레이트(510)에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the
플레이트(510)는, 플레이트(510)의 외곽 중 적어도 일부에 플레이트(510)의 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성되는 경사부(520)와, 포스트(300)가 삽입되도록 플레이트(510)의 중앙에 형성되는 제2중공(511)과, 제2중공(511)에 위치하는 유입부(513) 및 유출부(515)와, 유입부(513) 및 유출부(515)를 연결하며, 플레이트(510)의 내부에 형성되는 유로(600)를 포함하여 구성될 수 있다.The
제2중공(511)은 전술한 바디(100)의 제1중공(110) 및 커버(700)의 제3중공(710)과 대응되는 위치에 형성되며, 이를 통해, 포스트(300)가 제1 내지 제3중공(110, 511, 710)에 용이하게 삽입될 수 있다.The second hollow 511 is formed at a position corresponding to the first hollow 110 of the
유입부(513)는 제2중공(511)의 내부에 배치되도록 위치하며, 외부 유체를 유입시키는 통로 기능을 한다.The
유출부(515)는 제2중공(511)의 내부에 배치되도록 위치하며, 유로(600)를 유동한 유체를 외부로 유출시키는 통로 기능을 한다.The
유로(600)는 유입부(513) 및 유출부(515)를 연결하며, 플레이트(510)의 내부에 형성된다. 이러한 유로(600)에는 유입부(513)에 공급된 유체가 유동된 후, 유출부(515)를 통해 배출된다. 이러한 유체는 냉각유체이며, 이러한 유로(600) 구조를 통해 플레이트(510)는 플레이트(510)에 구비된 제1엘이디(531) 및 제2엘이디(551)를 냉각하는 기능을 수행할 수 있다.The
유로(600)는 유입부(513)에서 유입된 유체가 일 영역에서 플레이트(510)의 내측에서 외측 방향으로 유동된 후, 타 영역에서 플레이트(510)의 외측에서 내측 방향으로 유동되어 유출부(515)를 통해 유출될 수 있다.In the
하나의 예로써, 유로(600)는 유입부(513)와 연결된 제1유로(610)와, 유출부(515)와 연결된 제2유로(620)와, 제1유로(610) 및 제2유로(620)를 연결하는 제3유로(630)를 포함하여 구성될 수 있다.As an example, the
제1유로(610)는 플레이트(510)의 내부 좌측영역에 구비된다.The
제1유로(610)의 일단에는 유입부(513)가 연결되고, 제1유로(610)의 타단에는 제3유로(630)가 연결된다. An
제1유로(610)는 유입부(513)에서 유입된 유체가 플레이트(510)의 내측에서 외측으로 유동되도록 복수개의 제1굴곡(611)이 연속되는 형상을 갖는다. 이 경우, 복수개의 제1굴곡(611)은 외측에 위치한 제1굴곡(611)이 내측에 위치한 제1굴곡(611)보다 더 길게 형성된다.The
제2유로(620)는 플레이트(510)의 내부 우측영역에 구비된다.The
제2유로(620)의 일단에는 제3유로(630)가 연결되고, 제2유로(620)의 타단에는 유출부(515)가 연결된다.A
제2유로(620)는 제1유로(610) 및 제3유로(630)를 통해 유입된 유체가 플레이트(510)의 외측에서 내측으로 유동되어 유출부(515)로 배출되도록 복수개의 제2굴곡(621)이 연속되는 형상을 갖는다. 이 경우, 복수개의 제2굴곡(621)은 외측에 위치한 제2굴곡(621)이 내측에 위치한 제2굴곡(621)보다 더 길게 형성된다.The
이러한 제1유로(610) 및 제2유로(620)는 플레이트(510)의 중심선을 기준으로 서로 대칭되는 형상을 갖는다.The
제3유로(630)는 제1유로(610)의 타단과 제2유로(620)의 일단을 서로 연결한다. 제3유로(630)는 유로(600)의 최외곽에 위치하게 된다. 다시 말해, 제1유로(610)의 타단이 위치하는 구간과, 제2유로(620)의 일단이 위치하는 구간과, 제3유로(630)는 유로(600)의 최외곽의 대략적은 원을 이루게 되는 것이다.The
전술한, 제1 내지 제3유로(610, 620, 630)의 구조로 인해, 유입부(513)에서 유입된 유체는 플레이트(510)의 좌측영역에서는 플레이트(510)의 내측에서 외측 방향으로 유동되고, 플레이트(510)의 우측영역에서는 플레이트(510)의 외측에서 내측 방향으로 유동된 후, 유출부(515)를 통해 배출된다.Due to the structure of the first to
위와 같이, 유체가 유로(600)를 통해 플레이트(510)의 전 영역에 유동됨에 따라, 플레이트(510)에 구비되는 복수개의 제1, 2엘이디(531, 551)의 냉각이 더욱 효과적으로 이루어질 수 있다.As above, as the fluid flows through the
따라서, 복수개의 제1, 2엘이디(531, 551)를 통한 웨이퍼(W)의 온도 제어를 더욱 쉽게 달성할 수 있으며, 엘이디 스핀척(10)의 수명 또한 연장된다.Accordingly, temperature control of the wafer W through the plurality of first and
유로는 전술한 바와 달리, 유입부에서 유입된 유체가 일 영역에서 플레이트의 외측에서 내측 방향으로 유동된 후, 타 영역에서 플레이트의 내측에서 외측 방향으로 유동되어 유출부(515)를 통해 유출되는 구성을 갖을 수도 있다.Unlike the above, the flow path is a configuration in which the fluid introduced from the inlet flows from the outside to the inside of the plate in one region, and then flows outward from the inside of the plate in the other region and flows out through the
전술한 플레이트(510)의 냉각 효율을 더욱 높이기 위해, 플레이트(510)는 열전도가 높은 재질인 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.In order to further increase the cooling efficiency of the above-described
또한, 이러한 금속 재질의 플레이트(510)는 3D 프린팅으로 제작될 수 있다. 이 경우, 3D 프린팅으로 제작된 플레이트(510)는 그 두께가 2㎜ 내지 5㎜의 두께를 갖을 수 있다.In addition, the
플레이트(510)를 제작하는 3D 프린팅은 AM(Additive Manufacturing) 3D 프린팅 기술이 이용되는 것이 바람직하다.For 3D printing to manufacture the
위와 같이, 3D 프린팅으로 플레이트(510)를 제작함에 따라, 작은 두께의 플레이트(510)에도 위와 같이, 복잡한 유로(600) 구조를 형성시킬 수 있다.As described above, as the
따라서, 엘이디 스핀척(10)의 홈부(150)의 높이가 낮은 경우에도 가열부(500)를 용이하게 설치할 수 있다. 또한, 엘이디 스핀척(10)의 컴팩트화를 달성할 수 있다.Accordingly, even when the height of the
또한, 3D 프린팅으로 플레이트(510)를 제작함에 따라, 종래의 가공방식에 의해 제작된 플레이트에 유로(600)의 높은 내압 특성을 갖을 수 있다.In addition, as the
상세하게 설명하면, 종래의 가공방식에 의해 플레이트에 유로를 형성할 경우, 플레이트를 상부 플레이트와 하부 플레이트로 구분하고, 상부 플레이트의 하면 및 하부 플레이트의 상면 중 적어도 어느 하나에 유로를 형성한 후, 상부 플레이트와 하부 플레이트를 결합하게 된다. 이 경우, 상부 플레이트와 하부 플레이트의 결합에 의해 플레이트가 제작되므로, 유로의 내압 특성이 떨어지게 된다.In detail, when forming a flow path on a plate by a conventional processing method, the plate is divided into an upper plate and a lower plate, and after forming a flow path on at least one of the lower surface of the upper plate and the upper surface of the lower plate, The upper plate and the lower plate are combined. In this case, since the plate is manufactured by the combination of the upper plate and the lower plate, the internal pressure characteristics of the flow path are degraded.
반면, 3D 프린팅으로 플레이트(510)를 제작할 경우, 하나의 플레이트(510)로 내부에 유로(600)를 형성할 수 있으므로, 유로(600)의 내압특성이 높아져, 플레이트(510)의 수명이 늘어나고, 냉각유체를 더욱 효과적으로 유동시킬 수 있다.On the other hand, in the case of manufacturing the
전술한 플레이트(510)의 제1유로(610) 및 제2유로(620)는 제1엘이디기판(530) 또는 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹의 하부에 위치하는 것이 바람직하다.The
이는, 상대적으로 제2엘이디그룹보다 그 갯수가 많은 제1엘이디그룹에서의 발열이 더욱 많이 발생하므로, 이를 효과적으로 냉각시켜 온도 제어를 하기 위함이다.This is because the first LED group, which has a relatively larger number of LEDs, generates more heat than the second LED group, so that the temperature control is performed by cooling it effectively.
플레이트(510)의 면적은, 제1엘이디기판(530)의 면적 및 제2엘이디기판(550)의 면적의 합보다 크거나 같은 것이 바람직하다. 또한, 플레이트(510)의 면적은, 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹의 면적 및 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹의 면적의 합보다 크거나 같은 것이 바람직하다.The area of the
이는 냉각 기능을 하는 플레이트(510)의 면적이 커짐에 따라, 제1엘이디기판(530)에 실장되는 복수개의 제1엘이디(531) 및 제2엘이디기판(550)에 실장되는 복수개의 제2엘이디(551)의 온도 제어를 더욱 용이하게 할 수 있기 때문이다.As the area of the
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 커버(700)는 가열부(500)를 덮도록 바디의 상부에 설치된다. 1 and 2, the
커버(700)는 커버(700)의 하부에 구비된 가열부(500)의 제1, 2엘이디(531, 551)를 통한 조사가 용이하게 이루어지게 하기 위해 투명 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예컨데, 커버(700)는 투명 재질인 쿼츠로 이루어질 수 있다.The
커버(700)의 중앙에는 제3중공(710)이 형성되며, 제3중공(710)에는 포스트(300)가 삽입된다.A third hollow 710 is formed in the center of the
제어부는 가열부(500)의 제1엘이디기판(530)의 복수개의 제1엘이디(531) 및 제2엘이디기판(550)의 복수개의 제2엘이디(551)와 연결되어 가열부(500)를 제어하는 기능을 한다.The control unit is connected to the plurality of
이 경우, 제1엘이디(531)와 제2엘이디(551)는 개별적으로 제어된다.In this case, the
다시 말해, 제어부는 제1엘이디기판(530)과 제2엘이디기판(550)을 개별적으로 제어함으로써, 복수개의 제1엘이디(531)와 복수개의 제2엘이디(551)는 개별적으로 제어할 수 있다.In other words, by individually controlling the
또한, 전술한 바와 같이, 제어부는 복수개의 제1엘이디(531)의 복수개의 열 또는 복수개의 행을 개별적으로 제어할 수 있으며, 복수개의 제2엘이디(551)의 복수개의 열 또는 복수개의 행을 개별적으로 제어할 수 있다.In addition, as described above, the controller may individually control a plurality of columns or a plurality of rows of a plurality of
전술한 바와 같이, 제어부를 통해, 복수개의 제1엘이디(531)와 복수개의 제2엘이디(551)를 개별적으로 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 외곽의 가열이 정밀하게 제어될 필요가 있는 경우, 복수개의 제2엘이디(551)를 개별적으로 작동시킬 수 있다.As described above, by individually controlling the plurality of
이하, 도 8 내지 도 11을 참조하여, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척(10)의 가열부(500)를 통해 웨이퍼(W)를 가열하는 것에 대해 설명한다.Hereinafter, heating the wafer W through the
전술한 바와 같이, 본 발명의 경우, 복수개의 제1엘이디(531) 및 복수개의 제2엘이디(551)는 가열부의 일부 영역에만 구비되어 있으나, 웨이퍼 세정공정에서 웨이퍼(W)는 바디(100)와 함께 회전하기 때문에, 제1엘이디(531) 및 제2엘이디(551)를 통한 조사는 웨이퍼(W)의 전 영역에 고르게 이루어지게 되며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 전 영역에 가열이 이루어질 수 있다.As described above, in the case of the present invention, the plurality of
도 8에 도시된 바와 같이, 가열부(500)는 엘이디 스핀척(10)의 외곽을 제외한 영역에 위치하게 된다.As shown in FIG. 8, the
도 9에 도시된 바와 같이, 척핀(170)을 통해, 웨이퍼(W)를 엘이디 스핀척(10)에 안착하고 파지하면, 웨이퍼(W)는 가열부(500)의 전 영역과, 바디(100)의 외곽부(130)의 일부영역을 덮게 된다.As shown in FIG. 9, when the wafer W is seated and gripped on the
위와 같이, 엘이디 스핀척(10)의 면적은 엘이디 스핀척(10)에 파지되는 웨이퍼(W)의 면적보다 더 큰 면적을 갖게 형성된다. 그러나, 가열부(500)의 면적은 엘이디 스핀척(10)에 파지되는 웨이퍼(W)의 면적보다 더 작은 면적을 갖게 형성된다.As above, the area of the
다시 말해, 엘이디 스핀척(10)의 면적, 웨이퍼(W)의 면적 및 가열부(500)의 면적의 상관관계는 '엘이디 스핀척(10)의 면적 > 웨이퍼(W)의 면적 > 가열부(500)의 면적'의 관계를 만족한다.In other words, the correlation between the area of the
도 11에 도시된 바와 같이, 가열부(500)의 제1엘이디기판(530)에 실장된 복수개의 제1엘이디(531)는 웨이퍼(W)의 하면을 수직으로 조사하게 된다. 또한, 가열부(500)의 제2엘이디기판(550)에 실장된 복수개의 제2엘이디(551)는 웨이퍼(W)의 하면을 외측으로 경사지게 조사하게 된다. As shown in FIG. 11, the plurality of
위와 같이, 복수개의 제2엘이디(551)는 조사 방향이 외측으로 경사지게 됨으로써, 웨이퍼(W)의 외곽을 가열할 수 있는 것이다.As above, the plurality of
이처럼, 본 발명의 엘이디 스핀척(10)은 복수개의 제1엘이디(531)로 이루어진 제1엘이디그룹을 통해, 웨이퍼(W)의 비외곽영역의 하면을 가열하고, 복수개의 제2엘이디(551)로 이루어진 제2엘이디그룹을 통해, 웨이퍼(W)의 외곽영역의 하면을 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 전 영역을 고르게 가열할 수 있다.As described above, the
이러한 본 발명의 웨이퍼(W) 가열은 도 11(a) 내지 도 11(c)를 통해 육안으로 확인할 수 있다.The heating of the wafer W of the present invention can be visually confirmed through FIGS. 11(a) to 11(c).
도 11(a) 내지 도 11(c)는 열화상 카메라를 통해, 웨이퍼(W)의 가열 상태를 나타낸 도면이며, 열이 가장 높은 상태는 백색에 가깝게 표시된다.11(a) to 11(c) are views showing a heating state of the wafer W through a thermal imaging camera, and the state in which the heat is highest is displayed close to white.
도 11(a)에 도시된 바와 같이, 제어부가 제1엘이디기판(530)을 제어하여, 복수개의 제1엘이디(531), 즉, 제1엘이디그룹만을 작동시키게 되면, 웨이퍼(W)의 외곽영역은 비외곽영역에 비해 가열이 제대로 이루어지지 않게 된다.As shown in Fig. 11(a), when the control unit controls the
도 11(b)에 도시된 바와 같이, 제어부가 제2엘이디기판(550)을 제어하여, 복수개의 제2엘이디(551), 즉 제2엘이디그룹만을 작동시키게 되면, 웨이퍼(W)의 외곽영역에만 가열이 이루어지게 된다.As shown in Fig. 11(b), when the control unit controls the
도 11(c)에 도시된 바와 같이, 제어부가 제1, 2엘이디기판(530, 550)을 제어하여, 복수개의 제1, 2엘이디(531, 551), 즉, 제1, 2엘이디그룹을 모두 작동시키게 되면, 웨이퍼(W)의 외곽영역 및 비외곽역의 가열이 고르게 이루어지게 된다.As shown in Fig. 11(c), the control unit controls the first and
특히, 도 11(c)의 경우, 웨이퍼(W)의 전 영역의 가열이 고르게 이루어져, 웨이퍼(W)가 전체적으로 높은 온도로 가열됨을 확인할 수 있다.In particular, in the case of FIG. 11(c), it can be seen that the entire area of the wafer W is heated evenly, and the wafer W is heated to a high temperature as a whole.
위와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엘이디 스핀척(10)은, 가열부의 면적이 웨이퍼의 면적보다 작은 경우에 웨이퍼(W)의 외곽을 제대로 가열하지 못한 종래의 엘이디 스핀척과 달리, 웨이퍼(W)의 외곽영역의 가열을 달성할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 세정 공정시, 웨이퍼(W)의 외곽영역 표면에 세정액이 남게되어 웨이퍼(W)의 패턴이 붕괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, the
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will variously modify the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the following claims. Or it can be implemented by modification.
10: 엘이디 스핀척
100: 바디 110: 제1중공
111: 연결부재 112: 구멍
130: 외곽부 150: 홈부
170: 척핀 171: 파지부
180: 서포트핀
300: 포스트 310: 포스트커버
500: 가열부 510: 플레이트
511: 제2중공 513: 유입부
515: 유출부 520: 경사부
521: 경사면 530: 제1엘이디기판
531: 제1엘이디 550: 제2엘이디기판
551: 제2엘이디 600: 유로
610: 제1유로 611: 제1굴곡
620: 제2유로 621: 제2굴곡
630: 제3유로 700: 커버
710: 제3중공10: LED spin chuck
100: body 110: first hollow
111: connecting member 112: hole
130: outer portion 150: groove
170: chuck pin 171: grip portion
180: support pin
300: post 310: post cover
500: heating unit 510: plate
511: second hollow 513: inlet
515: outlet portion 520: inclined portion
521: slope 530: first LED substrate
531: first LED 550: second LED substrate
551: 2nd LED 600: Euro
610: first euro 611: first bend
620: 2nd euro 621: 2nd bend
630: 3rd euro 700: cover
710: third hollow
Claims (7)
상기 웨이퍼를 가열하도록 상기 웨이퍼와 상기 바디 사이에 구비되는 가열부;를 포함하고,
상기 가열부는,
그 외곽 중 적어도 일부에 그 외곽으로 갈수록 하향으로 경사지게 형성되는 경사부가 구비된 플레이트;
상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면을 제외한 상면 중 적어도 일부에 구비되는 제1엘이디그룹; 및
상기 경사부의 경사면에 구비되는 제2엘이디그룹;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 스핀척.A body that holds the wafer and is rotatably provided; And
Includes; a heating unit provided between the wafer and the body to heat the wafer,
The heating unit,
A plate having an inclined portion formed to be inclined downward toward at least a portion of the outer periphery;
A first LED group provided on at least a portion of an upper surface of the plate excluding an inclined surface of the inclined portion; And
And a second LED group provided on an inclined surface of the inclined portion.
상기 바디는,
포스트가 삽입되도록 상기 바디의 중앙에 형성되는 제1중공;
상기 바디의 외곽에 구비되며, 상기 웨이퍼를 파지하는 복수개의 척핀이 배열되는 외곽부; 및
상기 제1중공과 상기 외곽부 사이에 위치하며, 그 상부에 상기 가열부가 위치하는 홈부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 스핀척.The method of claim 3,
The body,
A first hollow formed in the center of the body so that the post is inserted;
An outer portion provided on the outer side of the body and in which a plurality of chuck pins holding the wafer are arranged; And
And a groove portion positioned between the first hollow and the outer portion and in which the heating portion is positioned.
상기 복수개의 척핀은 상기 가열부보다 상기 바디의 외곽에 위치하는 것을 특징으로 하는 엘이디 스핀척.The method of claim 4,
The plurality of chuck pins are LED spin chuck, characterized in that located on the outer periphery of the body than the heating unit.
상기 제1엘이디그룹은 제1엘이디기판에 실장되고, 상기 제1엘이디기판은 상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면을 제외한 상면 중 적어도 일부에 설치되고,
상기 제2엘이디그룹은 제2엘이디기판에 실장되고, 상기 제2엘이디기판은 상기 플레이트의 상면 중 상기 경사부의 경사면에 설치되는 것을 특징으로 하는 엘이디 스핀척.The method of claim 3,
The first LED group is mounted on a first LED substrate, and the first LED substrate is installed on at least a portion of an upper surface of the plate excluding an inclined surface of the inclined portion,
The second LED group is mounted on a second LED substrate, and the second LED substrate is installed on an inclined surface of the inclined portion of the upper surface of the plate.
상기 플레이트는,
포스트가 삽입되도록 상기 플레이트의 중앙에 형성되는 제2중공;
상기 제2중공에 위치하는 유입부 및 유출부; 및
상기 유입부 및 상기 유출부를 연결하며, 상기 플레이트의 내부에 형성되는 유로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 스핀척.The method of claim 3,
The plate,
A second hollow formed in the center of the plate so that the post is inserted;
An inlet and an outlet positioned in the second hollow; And
And a flow path that connects the inlet and the outlet and is formed in the inside of the plate.
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2020
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