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KR102225657B1 - 배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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KR102225657B1
KR102225657B1 KR1020190145721A KR20190145721A KR102225657B1 KR 102225657 B1 KR102225657 B1 KR 102225657B1 KR 1020190145721 A KR1020190145721 A KR 1020190145721A KR 20190145721 A KR20190145721 A KR 20190145721A KR 102225657 B1 KR102225657 B1 KR 102225657B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
baffle
plasma
holes
hole
substrate
Prior art date
Application number
KR1020190145721A
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English (en)
Inventor
강정현
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to US16/701,235 priority patent/US20210151299A1/en
Priority to JP2019220680A priority patent/JP6981460B2/ja
Priority to SG10201911815YA priority patent/SG10201911815YA/en
Priority to CN201911346015.2A priority patent/CN112802730B/zh
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와; 상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 상기 공정 가스 및/또는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성된 배플을 포함하고, 상기 배플의 가장자리 영역에는, 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성될 수 있다.

Description

배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치{Baffle unit, substrate processing apparatus including the same}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 일부를 보여주는 도면이다. 일반적인 기판 처리 장치(2000)는 챔버(2100), 그리고 배플(2200)을 포함한다. 챔버(2100) 내로는 공정 가스가 공급된다. 챔버(2100) 내로 공급된 공정 가스는 챔버(2100) 내 생성된 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 챔버(2100) 내에서 생성된 플라즈마는 복수의 홀(2202)이 형성된 배플(2200)을 거쳐 기판으로 전달된다. 배플(2200)은 챔버(2100)에서 생성된 플라즈마가 기판으로 균일하게 전달될 수 있도록 구성된다.
챔버(2100)에서 생성된 플라즈마 중 일부는 배플(2200)에 형성된 복수의 홀(2202)을 통과한다. 또한, 챔버(2100)에서 생성된 플라즈마 중 다른 일부는 배플(2200)과 충돌한다. 배플(2200)을 장시간 사용하는 경우 배플(2200)에는 열 변형이 발생한다. 배플(2200)에 대한 열 변형은, 플라즈마와 배플(2200)이 충돌하면서 발생한다. 배플(2200)이 열 변형되면 배플(2200)이 팽창하면서 휨 현상(Warpage)이 발생한다. 휨 현상이 발생하면 배플(2200)은 수직 방향으로 솟아오르거나, 내려 앉는 형상으로 변형된다. 이러한 배플(2200)의 변형으로 챔버(2100)를 결합시키는 결합 수단(2204)이 제공되는 영역에 간극이 발생한다. 간극에 플라즈마가 유입되면 아킹(Arcing) 현상을 발생시킬 수 있다. 아킹 현상은 파티클 등의 불순물을 발생시킨다. 발생된 불순물은 기판으로 전달될 수 있다. 기판으로 전달된 불순물은 기판에 대한 처리가 적절히 수행되지 못하게 한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 배플 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 배플에 대한 열 변형이 발생하더라도, 배플과 챔버 사이에 간극이 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 배플 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 아킹 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 배플 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 파티클 등의 불순물이 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 배플 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는데 있어서, 추가적인 제어 인자를 제공하는 배플 유닛, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와; 상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 상기 공정 가스 및/또는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성된 배플을 포함하고, 상기 배플의 가장자리 영역에는, 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 배플의 중심으로부터 상기 반경 방향을 따라 그어진 가상의 직선은 상기 제2홀들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들은, 상기 배플의 원주 방향을 따라 상기 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들은, 상기 배플의 가장자리 영역 전체에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들의 경사진 방향은 서로 동일할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들의 경사진 방향과 상기 배플의 반경 방향이 이루는 경사각은 상기 제2홀들 간에 서로 동일할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들은 장 홀 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 배플의 상부 또는 하부에 배치되는 가림판을 더 포함하고, 상기 가림판은, 상기 제2홀을 가리는 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 링 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 외측 영역을 가리도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 가리도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판에는, 호 형상을 가지는 개구가 적어도 하나 이상 형성되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 개구는 상기 제2홀의 내측 영역과 외측 영역 중 상기 외측 영역과 중첩될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 하우징, 상기 지지 유닛을 포함하는 공정 처리부와; 상기 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 플라즈마를 발생시켜 상기 처리 공간으로 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부는, 상기 공정 처리부의 상부에 배치되고, 플라즈마 발생 공간을 가지는 플라즈마 챔버를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 플라즈마 챔버 하부에 배치되고, 확산 공간을 가지는 확산 챔버를 더 포함하고, 상기 배플 유닛은, 상기 확산 챔버에 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플에는, 결합 수단이 삽입되는 제3홀이 형성되고, 상기 가림판에는, 상기 제3홀과 대응하는 위치에 형성되고, 상기 결합 수단이 삽입되는 결합 홀이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 상기 배플의 하부에 배치될 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 배플 유닛을 제공한다. 배플 유닛은, 상부에서 바라볼 때, 중심 영역에는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성되고, 가장자리 영역에는 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성되는 배플을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플의 반경 방향에서 바라볼 때, 상기 제2홀들 중 인접하는 제2홀들의 일부 영역은 서로 중첩될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2홀들은, 상기 배플의 원주 방향을 따라 상기 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 유닛은, 상기 배플의 상부 또는 하부에 배치되는 가림판을 더 포함하고, 상기 가림판은, 상기 제2홀을 가리도록 링 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 외측 영역을 가리도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가림판은, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 가리도록 제공되고, 상기 가림판에는, 호 형상을 가지는 개구가 적어도 하나 이상 형성되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 개구는 상기 외측 영역과 중첩될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플에는, 결합 수단이 삽입되는 제3홀이 형성되고, 상기 가림판에는, 상기 제3홀과 대응하는 위치에 형성되고, 상기 결합 수단이 삽입되는 결합 홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플에 대한 열 변형이 발생하더라도, 배플과 챔버 사이에 간극이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치 내에서 아킹 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 파티클 등의 불순물이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 처리하는데 있어서, 추가적인 제어 인자를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1을 일반적인 기판 처리 장치의 일부를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 배플 유닛이 가열되어 열 팽창하는 방향을 표시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하 도 2 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다.
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 3을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 3과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. 이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상세히 설명한다.
도 3은 도 2의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.
기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 배플 유닛(300), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기부(600)를 포함할 수 있다.
공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고, 기판에 대한 처리가 수행되는 처리 공간(212)을 제공한다. 플라즈마 발생부(400) 공정 가스를 방전시켜 플라즈마(Plasma)를 생성시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 발생시킨 플라즈마를 공정 처리부(200)로 공급할 수 있다. 배플 유닛(300)은 플라즈마 발생부(400)에서 생성된 플라즈마가 처리 공간(212)에 균일하게 전달되도록 구성될 수 있다. 배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 공정 가스 및/또는 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출할 수 있다. 배기부(600)는 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지할 수 있다.
공정 처리부(200)는 하우징(210), 그리고 지지 유닛(230)을 포함할 수 있다.
하우징(210)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성된다. 배기홀(214)을 통해 처리 공간(212) 내 공정 가스 및/또는 부산물을 처리 공간(212)의 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 배기부(600)가 포함하는 구성들과 연결될 수 있다.
지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지할 수 있다 지지 유닛(230)은 지지 플레이트(232), 그리고 지지 축(234)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 지지 축(234)에 의해 지지될 수 있다. 지지 플레이트(232)는 외부 전원과 연결되며, 인가된 전력에 의해 정전기를 발생시킬 수 있다. 발생된 정전기가 가지는 정전기력은 기판(W)을 지지 유닛(230)에 고정시킬 수 있다.
지지 축(234)은 대상물을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지 축(234)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로, 지지 축(234)은 지지 플레이트(232)와 결합되고, 지지 플레이트(232)를 승하강 하여 기판(W)을 이동시킬 수 있다.
배플 유닛(300)은 지지 유닛(230)의 상부에 배치될 수 있다. 배플 유닛(300)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400) 사이에 배치될 수 있다. 배플 유닛(300)은 후술하는 확산 챔버(440)에 결합될 수 있다. 배플 유닛(300)은 결합 수단(318)에 의해 확산 챔버(400)에 결합될 수 있다. 배플 유닛(300)은 플라즈마 발생부(400)에서 생성된 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 전달되도록 구성될 수 있다. 배플 유닛(300)은 배플(310)을 포함할 수 있다. 배플(310)에 대한 자세한 설명은 후술 한다.
플라즈마 발생부(400)는 공정 처리부(200)의 상부에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급할 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(410)에는 상면, 그리고 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 플라즈마 발생 공간(412)을 가질 수 있다. 또한, 플라즈마 챔버(410)는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 상면은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐될 수 있다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결될 수 있다. 공정 가스는 가스 공급 포트(414)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급될 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.
가스 공급 유닛(420)은 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(420)은 가스 공급 포트(414)와 연결될 수 있다. 가스 공급 유닛(420)이 공급하는 공정 가스는 플루오린(Fluorine) 및/또는 하이드러전(Hydrogen)을 포함할 수 있다.
전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에서 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함할 수 있다.
안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나일 수 있다. 안테나(432)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410)의 외부에서 나선 형으로 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감길 수 있다. 안테나(432)의 일단은 플라즈마 챔버(410)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(410)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. 안테나(432)의 타단은 플라즈마 챔버(410)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(410)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다.
전원(434)은 안테나(432)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(432)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(412)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다. 또한, 전원(434)은 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 전원(434)은 플라즈마 챔버(410)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 또한, 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 안테나(432)의 타단에 전원(434)이 연결되고 안테나(432)의 일단이 접지될 수도 있다.
확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킬 수 있다. 확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)의 하부에 배치될 수 있다. 확산 챔버(440)는 상부와 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 상단은 플라즈마 챔버(410)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 하단은 확산 챔버(440)의 상단보다 큰 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커질 수 있다. 또한, 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)에서 발생된 플라즈마는 확산 공간(442)을 거치면서 확산될 수 있다. 확산 공간(442)으로 유입된 플라즈마는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(412)으로 유입될 수 있다. 확산 챔버(440)에는 배플 유닛(300)이 결합될 수 있다. 확산 챔버(400)에는 배플 유닛(300)이 포함하는 배플(310)이 결합될 수 있다. 확산 챔버(400)에는 배플(310)이 결합 수단(318)에 의해 결합될 수 있다.
배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부의 공정 가스 및 불순물을 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 기판(W) 처리 과정에서 발생하는 불순물을 기판 처리 장치(1000)의 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 처리 공간(212) 내로 공급된 공정 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기부(600)는 배기 라인(602), 그리고 감압 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 라인(602)은 하우징(210)의 바닥면에 형성된 배기홀(214)과 연결될 수 있다. 또한, 배기 라인(602)은 감압을 제공하는 감압 부재(604)와 연결될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(604)는 펌프 일 수 있다. 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 잔류하는 플라즈마 및 불순물을 하우징(210)의 외부로 배출할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 4에 도시되어 있는 일점 쇄선 또는 점선은 배플(310)의 구성을 용이하게 설명하기 위해 표시된 가상의 선이며, 배플(310)의 실제 형상을 표현하는 것은 아니다. 도 4를 참조하면, 배플(310)은 판 형상을 가질 수 있다. 배플(310)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 배플(310)에는 제1홀(312), 제2홀(314), 그리고 제3홀(316)이 형성될 수 있다.
제1홀(312)에는 공정 가스 및/또는 플라즈마가 흐를 수 있다. 예컨대, 후술하는 플라즈마 발생부(400)에서 생성된 플라즈마 등은 제1홀(312)을 거쳐 공정 처리부(200)로 전달될 수 있다. 제1홀(312)은 배플(310)의 중앙 영역에 형성될 수 있다. 배플(310)의 중앙 영역은 제2홀(314)이 형성되는 영역보다 안 쪽인 영역을 의미할 수 있다. 제1홀(312)은 복수로 제공될 수 있다. 제1홀(312)은 배플(310)의 상면으로부터 하면까지 연장될 수 있다. 즉, 제1홀(312)은 배플(310)의 상면 및 하면을 관통하도록 제공될 수 있다. 제1홀(312)은 상부에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 제1홀(312)의 크기와 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 예컨대, 제1홀(312)들 중 어느 일부는 제1직경을 가질 수 있다. 또한, 제2홀(312)들 중 다른 일부는 제2직경을 가질 수 있다. 또한, 제2홀(312)들 중 또 다른 일부는 제3직경을 가질 수 있다. 제1직경은 제2직경보다 작은 직경일 수 있다. 제2직경은 제3직경보다 작은 직경일 수 있다. 예컨대, 제1직경을 가지는 제1홀(312)들은 배플(310)의 중심 영역에 제공될 수 있다. 또한, 제2직경을 가지는 제1홀(312)들은 제1직경을 가지는 제1홀(312)들의 외측에 제공될 수 있다. 제2직경을 가지는 제1홀(312)들은 상부에서 바라볼 때 제1직경을 가지는 제1홀(312)들을 감싸도록 제공될 수 있다. 또한, 제3직경을 가지는 제1홀(312)들은 제2직경을 가지는 제1홀(312)들의 외측에 제공될 수 있다. 제3직경을 가지는 제1홀(312)들은 상부에서 바라볼 때 제2직경을 가지는 제1홀(312)들을 감싸도록 제공될 수 있다. 제1홀(312)들의 크기 및 위치, 그리고 형상들은 기판(W)의 종류, 기판(W) 처리에 요구되는 처리 조건, 또는 기판 처리 장치의 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
제2홀(314)들은 배플(310)의 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 배플(310)의 가장자리 영역은 제1홀(312)들이 형성되는 중앙 영역보다 외측인 영역을 의미할 수 있다. 제2홀(314)들은 배플(310)의 원주 방향을 따라 배플(310)의 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 제2홀(314)들은 가장자리 영역 전체에 제공될 수 있다. 배플(310)의 중심으로부터 배플(310)의 반경 방향을 따라 그어진 가상의 직선(L)은 제2홀(314)들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 즉, 배플(310)의 정단면, 그리고 배플(310)의 반경 방향에서 배플(310)을 바라볼 때, 제2홀(314)들 중 인접하는 제2홀(314)들의 일부 영역은 서로 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 제2홀(314)들은 장홀 형상을 가질 수 있다. 제2홀(314)들은 슬릿 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2홀(314)들은 배플(310)의 상면으로부터 배플(310)의 하면까지 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 제2홀(314)들은 배플(310)의 상면 및 하면을 관통하도록 형성될 수 있다.
제2홀(314)들은 배플(310)의 반경 방향에 대하여 경사지도록 배플(310)에 형성될 수 있다. 제2홀(314)들이 배플(310)의 반경 방향에 대하여 경사진 방향은 서로 동일할 수 있다. 제2홀(314)들이 경사진 방향과 배플(310)의 반경 방향이 이루는 경사각은 제2홀(314)들 간에 서로 동일할 수 있다. 제2홀(314)들은 배플(310)에 대하여 배플(310)이 열 팽창하는 경우 수직 방향으로 솟아오르거나, 아래로 처지는 것을 방지하는 완충 영역을 형성할 수 있다.
제3홀(316)들은 배플(310)의 가장자리 영역에 형성될 수 있다. 제3홀(316)들은 제2홀(314)들 보다 외측에 형성될 수 있다. 제3홀(316)들에는 상술한 결합 수단(318)이 삽입될 수 있다. 제3홀(316)들은 서로 이격되어 배플(310)에 형성될 수 있다. 제3홀(316)들은 서로 일정한 간격으로 이격되어 배플(310)에 형성될 수 있다. 제3홀(3160들은 배플(310)의 원주 방향을 따라 배플(310)에 형성될 수 잇다.
배플(310)에 형성되는 제1홀(312), 제2홀(314), 그리고 제3홀(316)이 형상 및 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 배플(310)에 형성되는 제1홀(312), 제2홀(314), 그리고 제3홀(316)의 형상 및 위치는 기판(W)의 종류, 기판(W) 처리에 요구되는 처리 조건, 그리고 기판 처리 장치(1000)의 종류에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
플라즈마 발생부(400)에서 생성된 플라즈마는 배플 유닛(300)의 배플(310)을 거쳐 처리 공간(212)으로 전달된다. 구체적으로, 플라즈마 챔버(410) 내로 공정 가스가 공급된다. 플라즈마 챔버(410)의 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 공정 가스는 플라즈마 소스가 발생시키는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 생성된 플라즈마는 플라즈마 발생 공간(412)으로부터 확산 챔버(440)의 확산 공간(442)으로 유입될 수 있다. 확산 공간(442)으로 유입된 플라즈마는 확산될 수 있다. 확산된 플라즈마는 배플(310)을 거쳐 처리 공간(212)으로 전달될 수 있다. 플라즈마가 확산 챔버(440)로부터 처리 공간(212)으로 전달되는 과정에서, 플라즈마와 배플(310)은 서로 물리적으로 충돌할 수 있다. 이에, 배플(310)의 온도는 상승할 수 있다. 배플(310)의 온도가 상승하면 배플(310)은 열 팽창할 수 있다. 배플(310)은 도 5에 도시된 바와 같이 수평 방향을 따라 팽창할 수 있다. 일반적인 배플이 열 팽창하게 되면 수평 방향으로 팽창하는 것이 어려웠다. 이에, 배플의 온도가 상승하게 되면 배플은 수직 방향으로 솟아 오르거나 내려 앉는 형상으로 변형되었다. 이러한 배플의 변형은 배플과 챔버 사이에 간극을 발생시킨다. 간극에 플라즈마가 유입되면 아킹(Arcing) 현상이 발생한다. 아킹 현상은 파티클 등의 불순물을 발생시킨다. 발생된 불순물은 기판(W)으로 전달되어 기판(W)에 대한 처리가 적절히 수행되지 못하게 한다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 배플(310)의 가장자리 영역에는 복수의 제2홀(314)들이 형성된다. 제2홀(314)들은 서로 조합되어 배플(310)에 완충 영역을 형성한다. 제2홀(314)들이 완충 영역을 형성함으로써, 배플(310)의 온도가 상승하면 배플(310)은 상대적으로 수평 방향으로 팽창되는 것이 보다 수월해진다. 즉, 배플(310)이 플라즈마와 충돌하더라도, 배플(310)이 수평 방향으로 팽창하는 것이 가능해져 배플(310)과 확산 챔버(440) 사이에 간극이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플(310)의 중심으로부터 배플(310)의 반경 방향을 따라 그어진 가상의 직선(L)은 복수의 제2홀(314)들 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 즉, 배플(310) 정단면, 그리고 배플(310)의 반경 방향에서 제2홀(314)들을 바라볼 때, 제2홀(314)들 중 인접하는 제2홀(314)들의 일부 영역은 서로 중첩될 수 있다. 따라서, 배플(310)의 영역 중 어떤 영역이 팽창되더라도 제2홀(314)들 중 적어도 하나 이상의 제2홀(314)에 의해 팽창이 완충될 수 있어, 배플(310)의 열 팽창에 의한 문제를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 제2홀(314)들은 배플(310)의 반경 방향에 대하여 경사지도록 제공된다. 이러한 제2홀(314)들의 형상 및 위치는 배플(310)의 수평 방향으로의 팽창을 더욱 용이하게 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배플 유닛을 보여주는 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 배플 유닛(300)은 가림판(330)을 더 포함할 수 있다. 가림판(330)은 배플(310)의 상부 또는 하부에 배치될 수 있다. 예컨대, 가림판(330)은 배플(310)의 하부에 배치될 수 있다. 가림판(330)은 제2홀(314)의 하부에 배치될 수 있다. 가림판(330)은 배플(310)의 제2홀(314)을 가리는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 가림판(330)은 상부에서 바라볼 때 링 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 상부에서 바라볼 때, 제2홀(314)의 모든 영역은 가림판(330)에 의해 가려질 수 있다. 또한, 가림판(330)에는 결합 홀(332)이 형성될 수 있다. 결합 홀(332)은 가림판(330)에 복수로 형성될 수 있다. 결합 홀(332)은 제3홀(316)과 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 결합 홀(332)은 제3홀(316)과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 결합 홀(332)에는 결합 수단(318)이 삽입될 수 있다. 즉, 결합 수단(318)은 결합 홀(332)과 제3홀(316) 모두에 삽입될 수 있다. 가림판(330)은 결합 수단(318)에 의해 배플(310)과 함께 확산 챔버(440)에 결합될 수 있다.
배플(310)에 완충 영역을 형성하기 위해 제2홀(314)들이 배플(310)에 형성되는 경우, 플라즈마 발생부(400)에서 생성된 플라즈마는 제2홀(314)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 제2홀(314)은 배플(310)의 가장자리 영역에 형성되므로, 제2홀(314)의 하부에 제공되는 기판(W)의 가장자리 영역은 플라즈마에 의해 처리될 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 가장자리 영역이 플라즈마에 의해 과 처리 될 수 있다. 본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 제2홀(314)을 완전하게 가릴 수 있도록 제공되는 가림판(330)을 통해 기판(W)의 가장자리 영역이 과 처리되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 예에서는, 상부에서 바라볼 때, 제2홀(314)의 모든 영역은 가림판(330)에 의해 가려지는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 처리되는 기판(W)의 종류나, 기판(W) 처리에 요구되는 처리 조건에 따라 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리가 더 요구되는 경우도 있다. 구체적으로, 기판(W)의 가장자리 영역 중 안쪽 영역에 대한 플라즈마 처리가 요구되는 경우가 있다. 이 경우, 도 8에 도시된 바와 같이 제2홀(314)의 하부에 배치되는 가림판(330)은 제2홀(314)의 일부 영역만을 가릴 수 있도록 구성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제2홀(314)에 의해 배플(310)이 개방되는 영역은, 제2홀(314)의 외측 영역과 내측 영역으로 나누어 볼 수 있다. 가림판(330)은 제2홀(314)의 외측 영역과 내측 영역 중 외측 영역을 가리도록 제공될 수 있다. 즉, 제2홀(314)의 외측 영역은, 상부에서 바라볼 때 가림판(330)와 중첩될 수 있다. 제2홀(314)의 내측 영역은, 상부에서 바라볼 때 가림판(330)과 중첩되지 않을 수 있다. 가림판(330)이 제2홀(314)의 외측 영역만을 가리게 되면, 기판(W)의 가장자리 영역의 바깥 영역과 안쪽 영역 중 안쪽 영역에 대한 플라즈마 처리가 더 이루어질 수 있다.
상술한 예에서는, 상부에서 바라볼 때, 제2홀(314)의 모든 영역은 가림판(330)에 의해 가려지는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 처리되는 기판(W)의 종류나, 기판(W) 처리에 요구되는 처리 조건에 따라 기판(W)의 가장자리 영역에 대한 플라즈마 처리가 더 요구되는 경우도 있다. 구체적으로, 기판(W)의 가장자리 영역 중 바깥 영역에 대한 플라즈마 처리가 요구되는 경우가 있다. 이 경우, 도 9에 도시된 바와 같이 제2홀(314)의 하부에 배치되는 가림판(330)은 제2홀(314)의 일부 영역만을 가릴 수 있도록 구성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제2홀(314)에 의해 배플(310)이 개방되는 영역은, 제2홀(314)의 외측 영역과 내측 영역으로 나누어 볼 수 있다. 가림판(330)은 제2홀(314)의 외측 영역과 내측 영역 중 내측 영역을 가리도록 제공될 수 있다. 즉, 가림판(330)에는 개구(334)가 형성될 수 있다. 개구(334)는 가림판(330)에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 개구(334)는 호 형상을 가질 수 있다. 가림판(330)에 형성된 개구(334)는 제2홀(314)의 외측 영역과 내측 영역 중 외측 영역과 중첩되도록 제공될 수 있다. 즉, 상부에서 바라볼 때, 제2홀(314)의 외측 영역은 개구(334)와 중첩될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 제2홀(314)의 내측 영역은 가림판(330)의 홀이 형성되지 않는 블로킹 영역과 중첩될 수 있다. 가림판(330)이 제2홀(314)의 내측 영역만을 가리게 되면, 기판(W)의 가장자리 영역의 바깥 영역과 안쪽 영역 중 바깥 영역에 대한 플라즈마 처리가 더 이루어질 수 있다.
또한, 도 7 내지 도 9에 도시된 가림판(330)들을 이용하여 기판(W) 처리에 대한 추가적인 인자를 제공할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 종류에 따라 배플(310)과 결합되는 가림판(330)들을 달리 할 수 있다. 도 7에 도시된 가림판(330)을 제1가림판, 도 8에 도시된 가림판(330)을 제2가림판, 그리고 도 9에 도시된 가림판(330)을 제3가림판으로 정의하면, 제1기판 처리시에는 제1가림판을 배플(310)에 결합할 수 있다. 제2기판 처리시에는 제2가림판을 배플(310)에 결합할 수 있다. 제3기판 처리시에는 제3가림판을 배플(310)에 결합할 수 있다. 제1기판 내지 제3기판은 기판의 종류가 서로 상이하거나, 기판 처리에 요구되는 처리 조건이 서로 상이한 기판들일 수 있다. 즉, 배플(310)에 결합되는 가림판(330)의 종류를 달리하여, 기판(W) 처리에 대한 처리 조건 제어 인자를 변경할 수 있다.
상술한 실시 예들은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 다양하게 적용될 수 있다. 예컨대, 상술한 실시 예들은 플라즈마를 이용하여 애싱 공정, 증착 공정, 식각 공정, 또는 클린 공정을 수행하는 다양한 장치에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
공정 처리부 : 200
플라즈마 발생부 : 400
플라즈마 챔버 : 410
확산 챔버 : 440
배플 유닛 : 300
배플 : 310
제1홀 :312
제2홀 : 314
제3홀 : 316
가림판 : 330

Claims (23)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와;
    상기 지지 유닛의 상부에 배치되는 배플 유닛을 포함하고,
    상기 배플 유닛은,
    상기 공정 가스 및/또는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성되고, 그 하면이 상기 처리 공간에 노출되는 배플을 포함하고,
    상기 배플의 가장자리 영역에는,
    상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성되고,
    상부에서 바라볼 때, 상기 배플의 중심으로부터 상기 반경 방향을 따라 그어진 가상의 직선은 상기 제2홀들 중 적어도 하나와 중첩되고,
    상기 제2홀들은,
    상기 배플의 원주 방향을 따라 상기 가장자리 영역에 형성되고,
    상기 제2홀들의 경사진 방향은 서로 동일한 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2홀들은,
    상기 배플의 가장자리 영역 전체에 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2홀들의 경사진 방향과 상기 배플의 반경 방향이 이루는 경사각은 상기 제2홀들 간에 서로 동일한 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2홀들은 장 홀 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제1항, 제4항 및 제6항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 배플의 상부 또는 하부에 배치되는 가림판을 더 포함하고,
    상기 가림판은,
    상기 제2홀을 가리는 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가림판은,
    링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가림판은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 외측 영역을 가리도록 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 가림판은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 가리도록 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 가림판에는,
    호 형상을 가지는 개구가 적어도 하나 이상 형성되고,
    상부에서 바라볼 때, 상기 개구는 상기 제2홀의 내측 영역과 외측 영역 중 상기 외측 영역과 중첩되는 기판 처리 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 하우징, 상기 지지 유닛을 포함하는 공정 처리부와;
    상기 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 플라즈마를 발생시켜 상기 처리 공간으로 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생부는,
    상기 공정 처리부의 상부에 배치되고,
    플라즈마 발생 공간을 가지는 플라즈마 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 플라즈마 챔버 하부에 배치되고, 확산 공간을 가지는 확산 챔버를 더 포함하고,
    상기 배플 유닛은,
    상기 확산 챔버에 결합되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 배플에는,
    결합 수단이 삽입되는 제3홀이 형성되고,
    상기 가림판에는,
    상기 제3홀과 대응하는 위치에 형성되고, 상기 결합 수단이 삽입되는 결합 홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 가림판은,
    상기 배플의 하부에 배치되는 기판 처리 장치.
  17. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 배플 유닛에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 중심 영역에는 상기 플라즈마가 흐르는 제1홀들이 형성되고, 가장자리 영역에는 그 길이 방향이 상기 배플의 반경 방향에 대하여 경사진 제2홀들이 형성되고, 그 하면이 기판이 처리되는 처리 공간에 노출되는 배플을 포함하고,
    상기 배플의 반경 방향에서 바라볼 때, 상기 제2홀들 중 인접하는 제2홀들의 일부 영역은 서로 중첩되고,
    상기 제2홀들은,
    상기 배플의 원주 방향을 따라 상기 가장자리 영역에 형성되고,
    상기 제2홀들의 경사진 방향은 서로 동일한 배플 유닛.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제17항에 있어서,
    상기 유닛은,
    상기 배플의 상부 또는 하부에 배치되는 가림판을 더 포함하고,
    상기 가림판은,
    상기 제2홀을 가리도록 링 형상을 가지는 배플 유닛.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 가림판은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 외측 영역을 가리도록 제공되는 배플 유닛.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 가림판은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 제2홀의 외측 영역과 내측 영역 중 상기 내측 영역을 가리도록 제공되고,
    상기 가림판에는,
    호 형상을 가지는 개구가 적어도 하나 이상 형성되고,
    상부에서 바라볼 때, 상기 개구는 상기 외측 영역과 중첩되는 배플 유닛.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 배플에는,
    결합 수단이 삽입되는 제3홀이 형성되고,
    상기 가림판에는,
    상기 제3홀과 대응하는 위치에 형성되고, 상기 결합 수단이 삽입되는 결합 홀이 형성되는 배플 유닛.
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