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KR102217790B1 - 기체 화합물들을 퍼징하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

기체 화합물들을 퍼징하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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KR102217790B1
KR102217790B1 KR1020157009876A KR20157009876A KR102217790B1 KR 102217790 B1 KR102217790 B1 KR 102217790B1 KR 1020157009876 A KR1020157009876 A KR 1020157009876A KR 20157009876 A KR20157009876 A KR 20157009876A KR 102217790 B1 KR102217790 B1 KR 102217790B1
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람프라카쉬 산카라크리쉬난
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

챔버의 중심으로부터 에지로의 가스 배기 유동 경로를 갖는 프로세싱 챔버가 설명된다. 히터 플레이트를 지지하는 지지 샤프트 주위의 개구에서 퍼지 가스가 도입된다. 개구 주위의 샤프트 벽이 지지 샤프트를 따라 배기 플리넘에 퍼지 가스를 지향시킨다. 가스는, 배기 플리넘으로부터 샤프트 벽 근처의 제 2 플레이트 내의 개구를 통해 그리고 챔버 바닥을 따라, 진공 소스에 커플링된 개구로 유동한다. 퍼지 가스는 또한 슬릿 밸브로 지향된다.

Description

기체 화합물들을 퍼징하기 위한 장치 및 방법{AN APPARATUS AND METHOD FOR PURGING GASEOUS COMPOUNDS}
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 프로세싱 챔버로부터 기체 화합물들(gaseous compounds)을 퍼징하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 일반적으로, 챔버로부터 기체 화합물들을 퍼징하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 프로세싱 가스는 진공 펌프에 의해 히터 플레이트 아래로 끌어내려 진다. 퍼징 가스(purging gas)는 히터 플레이트를 지지하는(hold up) 스템을 따라서 뿐만 아니라, 슬릿 밸브를 통하여 도입된다. 퍼지 가스는 집합적으로(collectively), 프로세싱 가스를 진공 펌프를 향하여 유동하도록 지향시킨다. 퍼지 가스의 부재시, 프로세싱 가스는, 프로세싱 챔버로부터 배기되지 않고 재순환될 것이다.
본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 일 실시예에 따른 장치의 개략적 횡단면도이다.
도 2는 퍼징 가스를 도입하는 경우의, 도 1의 장치 내에서의 가스 유동에 대한 개략도이다.
도 3은 퍼지 가스 유동이 없는, 도 1의 장치 내에서의 가스 유동에 대한 개략도이다.
본 발명은 일반적으로, 챔버로부터 기체 화합물들을 퍼징하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 도 1은 프로세싱 챔버(102)를 포함하는 장치(100)를 도시한다. 프로세싱 챔버(102) 내에는, 복수의 개구들(105)을 갖는 가스 분배 샤워헤드(104)가 존재하며, 이 개구들을 통하여 프로세싱 가스가 샤워헤드(104)를 통과하도록 허용된다. 챔버 본체를 통하여 형성된 슬릿 밸브 개구(106)를 통하여, 기판들이 프로세싱 챔버(102) 내로 삽입되고 프로세싱 챔버(102)로부터 제거된다. 샤워헤드(104)로부터 프로세싱 공간(116)의 건너쪽으로(across) 히터 플레이트(108)가 배치된다. 히터 플레이트(108)는 지지 스템(126) 상에 배치된다. 히터 플레이트(108) 아래에는, 배기 플리넘(evacuation plenum; 120)에 의해 히터 플레이트(108)로부터 이격되어 있는 제 2 플레이트(110)가 있다. 챔버(102) 내의 기판을 프로세싱하기 위해 전구체 가스 소스(112)로부터 프로세싱 가스가 전달된다. 가스는 소스(112)로부터 플리넘(114)으로 이동하며, 플리넘(114)에서, 가스는 샤워헤드(104)에 형성된 개구들(105)을 통과하기 전에 고르게 분배된다. 전구체 가스는 "A"로 라벨이 붙은(labeled) 화살표들에 의해 도시된 경로를 따라 이동한다.
일단 프로세싱 공간(116)에 있게 되면, 프로세싱 가스는 기판을 프로세싱하기 위해 기판(미도시)에 노출된다. 프로세싱 가스는, 요구되는 경우, 플라즈마로 점화될(ignited) 수 있다. 챔버(102)를 떠나기 위해, 프로세싱 가스는 진공 펌프(124)에 의해 챔버(102)의 바닥을 통하여 배기된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세싱 가스는 히터 플레이트(108)와 챔버 벽 사이에 형성된 갭(118)을 통해 히터 플레이트(108) 주위로 끌어당겨진다(drawn). 가스는 히터 플레이트(108)와 제 2 플레이트(110) 사이의 배기 플리넘(120) 내로 끌어당겨진다.
프로세싱 가스가 플리넘(120) 내에서 주위를 단순히 순환하지 않고 챔버의 외부로 유동하도록 보장하기 위해, 퍼징 가스가 퍼지 가스 소스(122)로부터 도입된다. 퍼징 가스는 2개의 위치들로부터 도입된다. 제 1 위치는 스템(126)과 샤프트 벽(128) 사이의 챔버(102)의 바닥으로부터의 위치이다. 퍼징 가스는 화살표들 "B"에 의해 식별되는 경로를 따라 유동한다. 퍼징 가스는 스템(126)과 샤프트 벽(128) 사이에서 위로 유동하며, 개구(130)로부터 플리넘(120) 내로 나온다. 부가적으로, 퍼징 가스는 슬릿 밸브 개구(106) 내의 제 2 위치로부터 도입된다. 슬릿 밸브 개구(106)로부터의 퍼지 가스는 화살표들 "C"에 의해 식별되는 경로를 따라 플리넘(120) 내로 유동한다. 도시된 바와 같이, 퍼지 가스들 및 프로세싱 가스는 집합적으로, 플리넘 내에서 제 2 플레이트(110) 내에 형성된 개구(132)를 향해 그리고 바닥 플리넘(134) 내로 그리고 진공 펌프(124)를 통해 챔버(102)의 외부로 유동한다.
도 2는 퍼징 가스를 도입하는 경우의, 도 1의 장치 내에서의 가스 유동에 대한 개략적 도면이다. 도 2로부터 볼 수 있는 바와 같이, 프로세싱 가스는 퍼징 가스와 잘 혼합되며, 전반적으로, 플레이트(110) 내의 개구(132)를 향해 유동한다. 도 2와 대비하여, 도 3은 퍼지 가스 유동이 없는, 도 1의 장치 내에서의 가스 유동에 대한 개략도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 퍼징 가스가 도입되지 않는 경우, 프로세싱 가스는 플리넘(120) 내에서 재순환된다.
따라서, 슬릿 밸브 개구로부터의 퍼지 가스와 함께, 챔버의 바닥을 통해 퍼지 가스를 도입함으로써, 프로세싱 가스는 프로세싱 챔버로부터 챔버의 바닥을 통해 효과적으로 배기될 수 있다.
전술한 바는 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 본 발명의 다른 및 추가의 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 기판 프로세싱 장치로서,
    측벽 및 챔버 바닥을 갖는 챔버;
    지지 스템 상에 배치되는 히터 플레이트로서, 상기 지지 스템은 챔버의 중앙에 위치되고 상기 챔버 바닥에 형성된 개구를 통해 연장하는 것인, 히터 플레이트;
    상기 지지 스템 주위에 방사상으로 배치되는 샤프트 벽으로서, 상기 샤프트 벽은 상기 챔버 바닥으로부터 연장하는 것인, 샤프트 벽;
    상기 측벽 및 상기 샤프트 벽에 커플링되고 상기 측벽 및 상기 샤프트 벽 사이에서 연장하는 제 2 플레이트로서, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트와 상기 제 2 플레이트 사이에 배기 플리넘(evacuation plenum)을 형성하며 상기 제 2 플레이트와 상기 챔버 바닥 사이에 바닥 플리넘(bottom plenum)을 형성하고, 상기 제 2 플레이트는 상기 지지 스템에 근접한 개구를 가지며 상기 배기 플리넘을 상기 바닥 플리넘과 유체적으로 커플링시키고, 상기 배기 플리넘 및 상기 바닥 플리넘은 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 배기 플리넘은 상기 측벽으로부터 방사상 내측으로 가스를 지향시키도록 구성되고, 상기 바닥 플리넘은 상기 지지 스템으로부터 방사상 외측으로 가스를 지향시키도록 구성되는 것인, 제 2 플레이트;
    상기 히터 플레이트의 맞은편의 가스 분배 샤워헤드로서, 상기 가스 분배 샤워헤드는 상기 히터 플레이트와 상기 가스 분배 샤워헤드 사이에 프로세싱 영역을 형성하는 것인, 가스 분배 샤워헤드; 및
    진공 펌프에 커플링되는, 상기 챔버 바닥 내의 주변 개구(peripheral opening)를 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 바닥 내의 상기 주변 개구는 상기 챔버의 상기 측벽 근처에 위치되는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 바닥을 통한 중심 개구가 상기 샤프트 벽과 상기 지지 스템 사이의 갭을 통해 상기 제 2 플레이트의 상기 개구와 유체 연통하는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지 스템을 둘러싸는 상기 샤프트 벽은 상기 챔버 바닥의 상기 중심 개구로부터 상기 배기 플리넘으로의 가스 유동 경로를 형성하는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 프로세싱 영역으로부터 상기 배기 플리넘으로의 가스 유동 경로의 적어도 일부를 형성하는, 상기 히터 플레이트와 상기 측벽 사이의 갭을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    퍼지 가스 소스에 커플링되도록 구성되는 도입 위치를 갖는 슬릿 밸브 개구를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 슬릿 밸브 개구는, 상기 히터 플레이트가 프로세싱 위치 내에 배치될 때, 상기 히터 플레이트 아래에서 상기 챔버의 상기 측벽 내에 위치되는,
    기판 프로세싱 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 플레이트는 상기 측벽에 붙어있는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  9. 기판 프로세싱 장치로서,
    측벽 및 챔버 바닥을 갖는 챔버;
    지지 스템 상의 상기 챔버 내부에 배치되는 히터 플레이트로서, 상기 지지 스템은 챔버의 중앙에 위치되고 상기 챔버 바닥에 형성된 개구를 통해 연장하는 것인, 히터 플레이트;
    상기 지지 스템 주위에 방사상으로 배치되는 샤프트 벽으로서, 상기 샤프트 벽은 상기 챔버 바닥으로부터 연장하는 것인, 샤프트 벽;
    상기 측벽 및 상기 샤프트 벽에 커플링되고 상기 측벽 및 상기 샤프트 벽 사이에서 연장하는 제 2 플레이트로서, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트와 상기 제 2 플레이트 사이에 배기 플리넘(evacuation plenum)을 형성하며 상기 제 2 플레이트와 상기 챔버 바닥 사이에 바닥 플리넘(bottom plenum)을 형성하고, 상기 제 2 플레이트는 상기 지지 스템에 근접한 개구를 가지며 상기 배기 플리넘을 상기 바닥 플리넘과 유체적으로 커플링시키고, 상기 배기 플리넘 및 상기 바닥 플리넘은 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 배기 플리넘은 상기 측벽으로부터 방사상 내측으로 가스를 지향시키도록 구성되고, 상기 바닥 플리넘은 상기 지지 스템으로부터 방사상 외측으로 가스를 지향시키도록 구성되는 것인, 제 2 플레이트;
    퍼지 가스 소스에 커플링되는 퍼지 가스 위치를 가지는 슬릿 밸브 개구로서, 상기 슬릿 밸브 개구는 상기 챔버의 상기 측벽 내에 위치되는 것인, 슬릿 밸브 개구; 및
    상기 챔버의 주변 위치(peripheral location)에서 상기 챔버 바닥 내의 제 3 개구를 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    가스 유동 경로가 상기 지지 스템과 샤프트 벽 사이의 공간을 포함하는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 가스 유동 경로는 상기 히터 플레이트 아래의 상기 제 2 플레이트를 더 포함하고, 상기 제 2 플레이트는 상기 샤프트 벽 근처의 개구를 갖는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 히터 플레이트와 상기 챔버의 상기 측벽 사이의 갭을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 지지 스템과 상기 샤프트 벽 사이의 상기 공간은 퍼지 가스 소스에 커플링되도록 구성되는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 샤프트 벽은 상기 지지 스템을 둘러싸는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 플레이트는 상기 측벽에 붙어있는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  16. 기판 프로세싱 장치로서,
    측벽 및 챔버 바닥을 갖는 챔버;
    지지 스템 상의 상기 챔버 내부에 배치되는 히터 플레이트로서, 상기 지지 스템은 챔버의 중앙에 위치되고 상기 챔버 바닥을 통해 연장하는 것인, 히터 플레이트;
    상기 히터 플레이트의 맞은편의 가스 분배 샤워헤드로서, 상기 가스 분배 샤워헤드는 상기 히터 플레이트와 상기 가스 분배 샤워헤드 사이에 프로세싱 영역을 규정하고, 상기 가스 분배 샤워헤드 내의 복수의 개구들이 가스를 상기 프로세싱 영역으로 지향하도록 구성되는 것인, 가스 분배 샤워헤드;
    제 1 개구를 둘러싸는 샤프트 벽으로서, 상기 제 1 개구는 상기 지지 스템 주위에서 상기 챔버 바닥 내에 형성되고, 상기 제 1 개구는 퍼지 가스 소스에 유체적으로 커플링되도록 구성되는 것인, 샤프트 벽; 및
    상기 측벽 및 상기 샤프트 벽에 커플링되고 상기 측벽 및 상기 샤프트 벽 사이에서 연장하는 제 2 플레이트로서, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 히터 플레이트와 상기 제 2 플레이트 사이에 배기 플리넘(evacuation plenum)을 형성하며 상기 제 2 플레이트와 상기 챔버 바닥 사이에 바닥 플리넘(bottom plenum)을 형성하고, 상기 제 2 플레이트는 상기 지지 스템에 근접한 제 2 개구를 가지며 상기 배기 플리넘을 상기 바닥 플리넘과 유체적으로 커플링시키고, 상기 배기 플리넘 및 상기 바닥 플리넘은 상기 히터 플레이트 아래에 배치되고, 상기 배기 플리넘은 상기 측벽으로부터 방사상 내측으로 가스를 지향시키도록 구성되고, 상기 바닥 플리넘은 상기 지지 스템으로부터 방사상 외측으로 가스를 지향시키도록 구성되는 것인, 제 2 플레이트를 포함하고,
    상기 챔버 바닥은 상기 챔버의 주변에서 챔버 바닥을 관통하여 형성되는 제 3 개구를 가지고, 상기 제 3 개구는 진공 소스에 커플링되도록 구성되는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 플레이트는 상기 측벽에 붙어있는 것인,
    기판 프로세싱 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9388494B2 (en) * 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
US20170178758A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Applied Materials, Inc. Uniform wafer temperature achievement in unsymmetric chamber environment
US11270898B2 (en) * 2018-09-16 2022-03-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
FR3092879B1 (fr) * 2019-02-14 2021-02-19 Pfeiffer Vacuum Pompe à vide primaire de type sèche
CN113994023A (zh) * 2019-05-15 2022-01-28 应用材料公司 减少腔室残留物的方法
US12211673B2 (en) 2020-10-22 2025-01-28 Applied Materials, Inc. Processing chamber deposition confinement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288982A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0704551B1 (en) * 1994-09-27 2000-09-06 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate in a vacuum processing chamber
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US6602346B1 (en) * 2000-08-22 2003-08-05 Novellus Systems, Inc. Gas-purged vacuum valve
US7390366B2 (en) * 2001-11-05 2008-06-24 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition
JP2004217956A (ja) * 2003-01-09 2004-08-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4251887B2 (ja) * 2003-02-26 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP4437394B2 (ja) 2003-10-01 2010-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
US20050252563A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Primary Flow Signal, Inc. Gate valve
KR20080095099A (ko) 2007-04-23 2008-10-28 주식회사 아토 챔버 리드에 형성된 배기라인 및 이를 포함하는 배기 장치
KR101275261B1 (ko) 2007-04-23 2013-06-14 주식회사 원익아이피에스 세정 및 배기 장치
KR100927375B1 (ko) * 2007-09-04 2009-11-19 주식회사 유진테크 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR20100059238A (ko) * 2008-11-26 2010-06-04 세메스 주식회사 기판 상의 포토레지스트막을 건조하기 위한 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288982A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置

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