KR102215622B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102215622B1 KR102215622B1 KR1020130139926A KR20130139926A KR102215622B1 KR 102215622 B1 KR102215622 B1 KR 102215622B1 KR 1020130139926 A KR1020130139926 A KR 1020130139926A KR 20130139926 A KR20130139926 A KR 20130139926A KR 102215622 B1 KR102215622 B1 KR 102215622B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- domain
- electrode
- domains
- organic
- layer
- Prior art date
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 81
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
유기 발광 표시 장치는 일방향으로 연장된 스캔 라인, 상기 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인, 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인들과 교차하는 전원 공급 라인, 및 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인 및 상기 전원 공급 라인과 전기적으로 연결되는 화소를 포함한다. 상기 화소는 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 구비하는 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 화소는 서로 다른 방향으로 광을 출사하는 적어도 두 개의 도메인으로 구분될 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질이 향상된 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막에 의하여 일부가 노출된 애노드 전극 상에 유기막이 배치되며, 상기 유기막 상에 캐소드 전극이 배치된 구조를 가진다. 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극으로부터 각각 정공(hole) 및 전자(electron)를 상기 유기막으로 주입시키며, 상기 유기막에서는 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exciton)를 생성한다. 상기 여기자는 여기 상태(excited state)로부터 기저(ground) 상태로 떨어질 때 방출되는 에너지를 광의 형태로 방출한다.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 유기막에서의 발광 효율이 높지 않아, 내부 공진 구조를 이용하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 그러나, 상기 내부 공진 구조는 정면에서의 파장별 광 경로가 달라질 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 표시 장치는 시청자의 시청각에 따른 색차(WAD, white angle depedency) 특성이 저하되고, 측면 시인성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 표시 품질이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위한 유기 발광 표시 장치는 일방향으로 연장된 스캔 라인, 상기 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인, 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인들과 교차하는 전원 공급 라인, 및 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인 및 상기 전원 공급 라인과 전기적으로 연결되는 화소를 포함한다. 상기 화소는 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 구비하는 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 화소는 서로 다른 방향으로 광을 출사하는 적어도 두 개의 도메인으로 구분될 수 있다.
상기 화소는 일 방향으로 광을 출사하는 제1 도메인, 및 상기 제1 도메인과 다른 방향으로 광을 출사하는 제2 도메인으로 구분될 수 있다.
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인의 경계를 기준으로 하여, 상기 화소의 상기 제1 도메인에 대응하는 영역 및 상기 제2 도메인에 대응하는 영역에서 광을 출사하는 방향은 대칭일 수 있다.
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고 하부로 경사진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 도메인에 배치되는 상기 유기막은 상기 기판의 평탄면에 대하여 0° 내지 90°의 경사각을 가질 수 있다. 바람직하게는 상기 제1 및 제2 도메인에 배치되는 유기막은 상기 기판 표면에 대하여 0° 내지 45°의 경사각을 가질 수 있다.
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고 상부로 경사진 형상을 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 광을 투과시키며 적어도 두 개의 도메인들로 구분되는 투과 영역, 및 광을 투과시키지 않는 비투과 영역으로 구분되는 베이스 기판, 상기 비투과 영역의 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터, 및 상기 투과 영역의 상기 베이스 기판 상에 배치되는 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 각 도메인에서, 상기 유기막은 서로 다른 방향으로 광을 출사할 수 있다.
상기 투과 영역은 제1 도메인 및 제2 도메인으로 구분되고, 상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 45°일 수 있다.
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인의 경계에서, 상기 제2 전극의 상부에 배치된 광 차단 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막은 서로 이격될 수 있으며, 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막들의 사이에 배치된 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 투과 영역은 제1 도메인 및 제2 도메인으로 구분되고, 상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고, 상부로 경사진 형상을 가질 수 있다.
상기 투과 영역은 교번 배치되는 제1 도메인들 및 제2 도메인들로 구분되고, 인접하는 제1 도메인 및 제2 도메인에서, 상기 유기막은 서로 마주하고, 하부로 경사진 형상을 가질 수 있다.
상기 투과 영역은 배치되는 제1 도메인들과 제2 도메인들, 및 상기 제1 도메인들과 상기 제2 도메인들 사이의 제3 도메인들로 구분될 수 있다. 상기 제1 도메인들 및 상기 제2 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있ㅇ으며, 상기 제3 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0°일 수 있다.
상기와 같은 유기 발광 표시 장치는 화소들이 복수의 도메인을 구비하고, 각 도메인이 광을 출사하는 방향이 상이하도록 구성하여, 시청자의 시청각에 따른 색차 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 유기 발광 표시 장치는 측면 시인성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개념 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 일 화소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 내지 도 6은 시청각에 따른 경로차를 설명하기 위한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 화소를 설명하기 위한 평면도이며, 도 8은 도 7의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 9는 도 8의 A 영역의 확대도이다.
도 10 내지 도 12는 도 7 내지 도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 일 화소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 내지 도 6은 시청각에 따른 경로차를 설명하기 위한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 화소를 설명하기 위한 평면도이며, 도 8은 도 7의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 9는 도 8의 A 영역의 확대도이다.
도 10 내지 도 12는 도 7 내지 도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개념 회로도이며, 도 2는 도 1에 도시된 일 화소를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 영상을 표시하기 위한 표시부(10)을 구비하는 기판(DS), 스캔 드라이브(scan drive, 20) 및 데이터 드라이브(data drive, 30)를 포함할 수 있다.
상기 스캔 드라이브(20) 및 상기 데이터 드라이브(30)는 각각 신호 배선들과 접속되어 상기 표시부(10)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 상기 신호 배선은 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn), 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm) 및 전원 공급 라인들(VL)을 포함하며, 적어도 하나의 신호 배선은 타 신호 배선들과 교차할 수 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 상기 스캔 드라이브(20)는 다수의 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)에 의해 상기 표시부(10)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 스캔 드라이브(20)는 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)을 통해 상기 표시부(10)로 스캔 신호를 보낼 수 있다. 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)은 상기 기판(DS) 상에서 일 방향으로 연장될 수 있다.
상기 데이터 드라이브(30)는 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 데이터 드라이브(30)는 다수의 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm)에 의해 상기 표시부(10)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 데이터 드라이브(30)는 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm)을 통해 상기 표시부(10)로 데이터 신호를 보낼 수 있다.
상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm)은 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)과 다른 방향으로 연장되어 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)과 교차할 수 있다. 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm) 및 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)은 서로 교차할 수 있다.
상기 전원 공급 라인들(VL)은 상기 표시부(10)로 전원을 인가할 수 있다. 상기 전원 공급 라인들(VL)은 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm) 및 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn)과 서로 교차할 수 있다.
상기 표시부(10)는 다수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 상기 화소(PX)들은 상기 데이터 라인들(DL1, DL2, DLm) 중 대응되는 데이터 라인, 상기 스캔 라인들(SL1, SL2, SLn) 중 대응되는 스캔 라인, 및 상기 전원 공급 라인들(VL) 중 대응되는 전원 공급 라인(VL)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소(PX)들은 상기 기판(DS) 상에 배치되는 적어도 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 기판(DS) 상에 배치되는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(E1) 및 상기 제2 전극(E2) 중 적어도 하나는 광을 투과시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광 표시 장치가 배면 발광형 표시 장치인 경우, 상기 제1 전극(E1)은 투과형 전극이며, 상기 제2 전극(E2) 반사형 전극일 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치가 전면 발광형 표시 장치인 경우, 상기 제1 전극(E1)은 반사형 전극이며, 상기 제2 전극(E2)은 투과형 전극일 수도 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치가 양면 발광형 표시 장치인 경우, 상기 제1 전극(E1) 및 상기 제2 전극(E2)은 모두 투과형 전극일 수도 있다. 또한, 상기 제1 전극(E1) 및 상기 제2 전극(E2) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 광추출 효율을 향상시키기 위하여, 상기 투광형 전극으로 반투과반사형 전극을 사용할 수 있다. 따라서, 상기 유기막(OL)에서 발생한 광은 상기 제1 전극(E1) 및 상기 제2 전극(E2) 사이에서 공진할 수 있으며, 보강 조건을 만족하는 파장들의 광이 상기 유기 발광 소자(OLED)의 외부로 추출될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1 전극(E1)이 반사형 애노드 전극이며, 상기 제2 전극(E2)이 투과형 캐소드 전극인 경우, 즉 전면 발광형 유기 발광 소자(OLED)를 예로써 설명한다.
또한, 상기 화소(PX)들은 서로 다른 방향으로 광을 출사하는 적어도 두 개의 도메인(D1, D2)들을 포함할 수 있다. 이하에서는 상기 화소(PX)들이 일 방향으로 광을 출사하하는 제1 도메인(D1), 및 상기 제1 도메인(D1)과 다른 방향으로 광을 출사하는 제2 도메인(D2)을 포함하는 것을 예로서 설명한다.
상기 제1 및 제2 도메인(D1, D2)은 경계선을 기준으로 하여 서로 타측에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도메인(D1, D2)에서, 상기 유기 발광 소자(OLED)의 상기 유기막(OL)은 상기 기판(DS)의 평탄면에 대하여 서로 다른 방향으로 경사질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 'V' 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 경계를 기준으로 하여, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 실질적으로 대칭 형상일 수 있다. 또한, 상기 유기막(OL)의 경사각(γ)은 상기 기판(DS)의 평탄면에 대하여 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 유기막(OL)의 경사각은 상기 기판(DS)의 평탄면에 대하여 0° 내지 45°일 수 있다.
따라서, 상기 화소(PX)는 상기 제1 및 제2 도메인(D1, D2)에서 서로 다른 방향으로 광을 출사시킬 수 있다. 또한, 상기 화소(PX)는 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 경계를 기준으로 하여, 상기 화소(PX)의 상기 제1 도메인(D1)에 대응하는 영역 및 상기 제2 도메인(D2)에 대응하는 영역에서 광을 출사하는 방향은 대칭일 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 유기막(OL)이 'V' 형상인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 서로 마주하고, 상부로 경사진 '∧' 형상을 가질 수도 있다.
도 3은 내지 도 6은 시청각에 따른 경로차를 설명하기 위한 그래프이다. R1은 화소가 단일 도메인이며, 평탄면에서 광을 출사하는 유기 발광 표시 장치의 경로차이며, R2 내지 R5는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 구조의 화소를 가지고, 유기막의 경사각이 15°, 30°, 40°, 45°인 유기 발광 표시 장치의 경로차이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 화소가 단일 도메인이며, 평탄면에서 광을 출사하는 유기 발광 표시 장치의 경로차(R1)는 시청각이 증가할수록 감소하며, 그 차이가 큼을 알 수 있다. 따라서, 시청각이 높은 경우, 시청자는 변색된 화상을 시청할 수 있다.
이는 유기막에서 발생한 광이 상기 유기 발광 표시 장치의 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 공진하게 되고, 상기 공진에 의한 광의 경로차(Δ)는 하기의 수학식 1과 같이, 시청각(θ)이 커질수록 작기 때문이다.
여기서, 상기 d는 상기 유기막의 두께이며, 상기 n은 상기 유기막의 굴절율이며, 상기 Φ는 상기 유기막에서 출사되는 광의 발진 각도이다.
즉, 시청각(θ)이 커지면, 공진에 의하여 광의 경로차는 감소한다. 여기서, 광의 파장은 상기 경로차에 비례하므로, 시청자는 최초 생성된 광에 비하여 파장이 짧은 광을 시청하게 된다.
그러나, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 구조의 화소를 가지고, 상기 유기막의 경사각이 15°, 30°, 40°, 45°인 유기 발광 표시 장치의 경로차(R2, R3, R4, R5)는 시청자의 위치가 좌측 및 우측에서 상이하나, 평균 경로차가 시청각의 변화에 따른 경로차의 변화가 적음을 알 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 구조의 화소를 가지는 유기 발광 표시 장치를 시청하는 시청자는 시청각의 변화에 따른 화질 변화가 적은 영상을 시청할 수 있다. 이는 시청자의 시청각이 증가하더라도, 상기 유기막의 상기 경사각이 실질적 시청각의 증가를 상쇄하기 때문이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 화소를 설명하기 위한 평면도이며, 도 8은 도 7의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 9는 도 8의 A 영역의 확대도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 데이터 라인(DL1), 스캔 라인(SL1), 및 전원 공급 라인(VL)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)에 전기적으로 접속하는 캐패시터(Cst), 및 상기 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소(PX)는 광을 투과시킬 수 있는 투과 영역(TA), 및 광을 투과시키지 않는 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상기 스캔 라인(SL1) 및 상기 데이터 라인(DL1)에 접속한다. 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 반도체 활성층(SA), 상기 반도체 활성층(SA)에 절연된 게이트 전극(GE), 및 상기 반도체 활성층(SA)에 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 구비한다.
이를 보다 상세히 설명하면, 우선, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치될 수 있다. 상기 베이스 기판(100)은 리지드 타입(Rigid type)의 베이스 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)의 베이스 기판일 수도 있다. 상기 리지드 타입의 베이스 기판은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 플렉서블 타입의 베이스 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 베이스 기판(100)에 적용되는 물질은 제조 공정시 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 각각 상기 베이스 기판(100) 상에 배치된 반도체 활성층(SA), 상기 반도체 활성층(SA)에 절연된 게이트 전극(GE), 및 상기 반도체 활성층(SA)에 접속하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 구비한다.
상기 반도체 활성층(SA)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 활성층(SA)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역은 불순물이 도핑 또는 주입된 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있으며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 여기서, 상기 산화물 반도체는 Zn, In, Ga, Sn 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체 활성층(SA)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 산화물 반도체 활성층(SA)의 상부 및 하부에 상기 산화물 반도체 활성층(SA)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막을 배치할 수도 있다.
상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 베이스 기판(100) 사이에는 버퍼층(110)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 질화막을 포함하는 다중막 구조일 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 유기 발광 소자(OLED)로 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 수분 및 산소의 침투를 방지한다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면을 평탄화할 수 있다.
상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 베이스 기판(100) 상에는 상기 반도체 활성층(SA)을 커버하여, 상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 게이트 전극(GE)을 절연시키는 게이트 절연막(120)이 배치된다. 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 게이트 절연막(120)의 상에는 일방향으로 연장된 상기 스캔 라인(SL1) 및 제1 캐패시터 전극(C1)이 배치된다. 상기 스캔 라인(SL1)의 일부는 상기 화소(PX)로 연장되어 상기 반도체 활성층(SA)의 상기 채널 영역과 중첩하는 상기 게이트 전극(GE)일 수 있다.
상기 게이트 절연막(120) 및 상기 게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(130)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(130)은 상기 게이트 절연막(120)과 같이 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 층간 절연막(130)은 상기 반도체 활성층(SA)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 층간 절연막(130) 상에는 상기 스캔 라인(SL1)과 절연되어 교차하는 상기 데이터 라인(DL1), 상기 전원 공급 라인(VL), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 제2 캐패시터 전극(C2), 상기 데이터 라인(DL1) 및 상기 전원 공급 라인(VL)은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 제2 캐패시터 전극(C2), 상기 데이터 라인(DL1) 및 상기 전원 공급 라인(VL)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al-alloy)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연막에 의해 상기 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접속한다.
한편, 본 실시예에서는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 모두가 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 중 적어도 하나는 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터일 수 있다.
상기 캐패시터(Cst)는 제1 캐패시터 전극(C1) 및 제2 캐패시터 전극(C2)을 구비한다. 상기 제 1 캐패시터 전극(C1)은 상기 스캔 라인(Sl1) 및 상기 게이트 전극(GE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 캐패시터 전극(C1)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 캐패시터 전극(C2)은 상기 데이터 라인(DL1), 상기 전원 공급 라인(VL), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 캐패시터(Cst)가 배치된 상기 베이스 기판(100) 상에는 보호막(140)이 배치된다. 즉, 상기 보호막(140)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd) 및 상기 캐패시터(Cst)를 커버할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(CH)을 구비할 수 있다.
상기 보호막(140)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(140)은 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치되는 유기 보호막을 포함할 수 있다. 상기 무기 보호막은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 보호막은 아크릴(Acryl), PI(Polyimide), PA(Polyamide) 및 BCB(Benzocyclobutene) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 즉, 상기 유기 보호막은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 평탄화막일 수 있다.
또한, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 상기 비투과 영역(NTA)에서 평탄면을 가질 수 있으며, 상기 투과 영역(TA)에서는 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다. 즉, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 'V' 형상을 가질 수 있다.
상기 투과 영역(TA)의 상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 보호막(140)의 형상에 의하여 상기 유기 발광 소자(OLED)는 전체적으로 'V' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 두 개의 영역, 예를 들면, 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)으로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제1 전극(E1)이 반사형 애노드 전극이며, 상기 제2 전극(E2)이 투과형 캐소드 전극인 경우를 예로써 설명한다.
상기 제1 전극(E1)은 상기 보호막(140) 상에 배치되는 제1 도전막(E11), 및 상기 제1 도전막(E11) 상에 배치되는 제2 도전막(E12)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전막(E11)은 전기 전도도 및 광 반사율이 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 도전막(E11)은 Ag, Al, Pt, Ni, 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전막(E12)은 상기 제2 전극(E2)에 비하여 일함수가 높은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 도전막(E12)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(E1)은 상기 보호막(140)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(E1)의 상부 표면은 상기 비투과 영역(NTA)에서 평탄면을 가지며, 상기 투과 영역(TA)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다.
상기 제1 전극(E1)은 화소 정의막(PDL)에 의하여 상기 투과 영역(TA)이 노출될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(polyamide), 폴리이마이드(polyimide), 폴리아릴에테르(polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 실록세인계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(OL)은 상기 화소 정의막(PDL)에 의하여 노출된 상기 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(EML)을 포함하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층(emitting layer, EML)에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층(EML), 상기 발광층(EML)에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층(EML)으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다. 한편, 상기 유기막(OL)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 어느 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막(OL)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 전극(E1)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 'V' 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 경계를 기준으로 하여, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 실질적으로 대칭 형상일 수 있다.
상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 상기 유기막(OL)의 경사각(γ)은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다.
상기 제2 전극(E2)은 상기 유기막(OL) 상에 배치되고, 상기 제2 도전층(E12)에 비하여 일함수가 작은 물질을 포함하는 제3 도전층(E21), 및 상기 제3 도전층(E21) 상에 배치되는 제4 도전층(E22)을 포함할 수 있다. 상기 제3 도전층(E21)은 Mo, W, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제3 도전층(E21)은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가질 수 있다.
상기 제4 도전층(E22)은 상기 제3 도전층(E21)의 전압 강하(IR-drop)를 방지하기 위하여 도전성을 가지며, 광을 투과시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제4 도전층(E22)은 상기 제2 도전층(E12)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 전극(E2)은 상기 유기막(OL)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 전극(E2)의 상부 표면은 상기 비투과 영역(NTA)에서 평탄면을 가지며, 상기 투과 영역(TA)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다.
따라서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)에서 광을 출사하는 방향이 서로 다를 수 있다. 그러므로, 상기 유기 발광 표시 장치를 시청하는 시청자는 시청각의 변화에 따른 화질 변화가 적은 영상을 시청할 수 있다. 이는 시청자의 시청각이 증가하더라도, 상기 유기막(OL)의 상기 경사각(γ)이 실질적 시청각의 증가를 상쇄하기 때문이다.
이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여, 상기 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 10 내지 도 12는 도 7 내지 도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
우선, 도 10을 참조하면, 우선, 베이스 기판(100)을 준비한다. 상기 베이스 기판(100)은 광을 투과시킬 수 있는 투과 영역(TA), 및 광을 투과시키지 않는 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 리지드 타입(Rigid type)의 베이스 기판일 수 있으며, 플렉서블 타입(Flexible type)의 베이스 기판일 수도 있다. 상기 리지드 타입의 베이스 기판은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 플렉서블 타입의 베이스 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 상기 베이스 기판(100)에 적용되는 물질은 이후의 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
그런 다음, 상기 베이스 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(110)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중 어느 하나일 수 있으며, 상기 실리콘 산화막 및 상기 실리콘 질화막을 포함하는 다중막 구조일 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)에 포함되어 있는 불순물이 확산되는 것을 방지한다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 수분 및 산소가 외부로부터 침투하는 것을 방지한다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)의 표면을 평탄화할 수 있다.
상기 버퍼층(110)을 형성한 후, 상기 비투과 영역(NTA)의 상기 버퍼층(110) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(TRd)를 형성한다.
이하, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐패시터(C) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)의 형성을 보다 상세히 설명한다.
우선, 상기 버퍼층(110) 상에 반도체 활성층(SA)을 형성한다. 상기 반도체 활성층(SA)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 반도체 활성층(SA)이 상기 다결정 실리콘을 포함하는 경우에는, 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘(a-Si)을 증착한 후, 상기 비정질 실리콘을 결정화하고 패터닝하여 상기 반도체 활성층(SA)을 형성할 수 있다.
상기 반도체 활성층(SA)을 형성한 후, 상기 반도체 활성층(SA) 및 상기 버퍼층(110) 상에 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(120)을 형성한 후, 상기 게이트 절연막(120) 상에 게이트 전극(GE), 스캔 라인(SL) 및 제1 캐패시터 전극(C1)을 형성한다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 반도체 활성층(SA)과 중첩될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 상기 반도체 활성층(SA)의 영역은 채널 영역일 수 있으며, 상기 채널 영역 양측의 영역은 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 스캔 라인(SL) 및 상기 제1 캐패시터 전극(C1)을 형성한 후, 층간 절연막(130)을 형성한다. 상기 층간 절연막(130)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(130)을 형성한 후, 상기 층간 절연막(130)을 패터닝하여 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 노출시킨다. 이와 동시에, 상기 제1 캐패시터 전극(C1)의 일부를 노출시킨다.
그런 다음, 상기 소스 영역에 접속하는 소스 전극(SE), 상기 드레인 영역에 접속하는 드레인 전극(DE), 상기 제1 캐패시터 전극(C1)과 절연되는 제2 캐패시터 전극(C2), 데이터 라인(DL) 및 전원 공급 라인(VL)을 형성하여, 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐패시터(C), 및 구동 박막 트랜지스터(TRd)를 형성한다.
즉, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs) 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 각각 상기 반도체 활성층(SA), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 포함한다. 또한, 상기 캐패시터(C)는 상기 제1 캐패시터 전극(C1) 및 상기 제2 캐패시터 전극(C2)을 포함한다. 여기서, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs)의 드레인 전극(DE)은 상기 제1 캐패시터 전극(C1)에 접속할 수 있다.
한편, 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 제2 캐패시터 전극(C2), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 전원 공급 라인(VL)은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 상기 제2 캐패시터 전극(C2), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 전원 공급 라인(VL)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al-alloy)를 포함할 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐패시터(C), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)가 형성된 상기 베이스 기판(100) 상에 보호막(140)을 형성한다. 상기 보호막(140)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(140)은 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치되는 유기 보호막을 포함할 수 있다. 상기 무기 보호막은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 보호막은 아크릴(Acryl), PI(Polyimide), PA(Polyamide) 및 BCB(Benzocyclobutene) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 즉, 상기 유기 보호막은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 평탄화막일 수 있다.
상기 보호막(140)을 형성한 후, 상기 보호막(140)을 패터닝한다. 상기 패터닝에 의하여 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)의 상기 드레인 전극(DE)의 일부가 노출된다. 또한, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 'V' 형상으로 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 보호막(140)을 패터닝한 후, 상기 투과 영역(TA)의 상기 보호막(140) 상에 배치되는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 유기 발광 소자(OLED)를 형성한다. 여기서, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 'V' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 두 개의 영역, 예를 들면, 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)으로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다.
이를 보다 상세히 설명하면, 상기 보호막(140) 상에 상기 제1 전극(E1)을 형성한다. 상기 제1 전극(E1)은 상기 보호막(140) 상에 배치되는 제1 도전막(E11), 및 상기 제1 도전막(E11) 상에 배치되는 제2 도전막(E12)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전막(E11)은 전기 전도도 및 광 반사율이 우수한 물질, 예를 들면, Ag, Al, Pt, Ni, 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전막(E12)은 상기 제2 전극(E2)에 비하여 일함수가 높은 투명 도전성 산화물, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(E1)은 상기 보호막(140)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(E1)의 상부 표면은 상기 비투과 영역(NTA)에서 평탄면을 가지며, 상기 투과 영역(TA)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다.
상기 제1 전극(E1)을 형성한 후, 상기 제1 전극(E1)의 일부, 예를 들면, 상기 투과 영역(TA)에 배치된 제1 전극(E1)을 노출시키는 화소 정의막(PDL)을 형성한다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(polyamide), 폴리이마이드(polyimide), 폴리아릴에테르(polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 실록세인계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)을 형성한 후, 상기 제1 전극(E1) 상에 상기 유기막(OL)을 형성한다. 상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(EML)을 포함하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층(emitting layer, EML)에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층(EML), 상기 발광층(EML)에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층(EML)으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다.
또한, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 전극(E1)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 'V' 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 경계를 기준으로 하여, 상기 유기막(OL)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 실질적으로 대칭 형상일 수 있다.
상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각은 0° 내지 45°일 수 있다.
상기 유기막(OL)을 형성한 후, 상기 유기막 상에 상기 제2 전극(E2)을 형성한다. 상기 제2 전극(E2)은 상기 제2 도전층에 비하여 일함수가 작은 물질을 포함하는 제3 도전층, 및 상기 제3 도전층 상에 배치되는 제4 도전층을 포함한다. 상기 제3 도전층은 Mo, W, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함한다. 또한, 상기 제3 도전층은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가질 수 있다. 상기 제4 도전층(E22)은 상기 제3 도전층(E21)의 전압 강하(IR-drop)를 방지하기 위하여 도전성을 가지며, 광을 투과시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 전극(E2)은 상기 유기막(OL)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제2 전극(E2)의 상부 표면은 상기 비투과 영역(NTA)에서 평탄면을 가지며, 상기 투과 영역(TA)에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다.
이하, 도 13 내지 도 17을 통하여 본 발명의 다른 실시예들을 설명한다. 도 13 내지 도 17에 있어서, 도 1 내지 도 12에 도시된 구성 요소와 동일한 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 또한, 도 13 내지 도 17에서는 중복된 설명을 피하기 위하여 도 1 내지 도 12와 다른 점을 위주로 설명한다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐시시터(Cst), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상부의 보호막(140)에 의하여 커버된다.
상기 비투과 영역(NTA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 평탄면을 가질 수 있다. 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 서로 마주하고, 상부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 '∧' 형상일 수 있다.
상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)와 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여 상기 유기 발광 소자(OLED)는 전체적으로 '∧' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 두 개의 영역, 예를 들면, 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)으로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다. 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐시시터(Cst), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상부의 보호막(140)에 의하여 커버된다.
상기 비투과 영역(NTA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 평탄면을 가질 수 있다. 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 'V' 형상일 수 있다.
상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)와 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여 상기 유기 발광 소자(OLED)는 전체적으로 'V' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)으로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다. 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다.
또한, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 경계에서, 상기 제2 전극(E2) 상부에는 광차단 패턴(BM)이 배치될 수 있다. 상기 광차단 패턴(BM)은 금속, 실리콘, 및 카본 블랙 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 광차단 패턴(BM)은 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 간섭을 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐시시터(Cst), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상부의 보호막(140)에 의하여 커버된다.
상기 비투과 영역(NTA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 평탄면을 가질 수 있다. 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 'V' 형상일 수 있다.
상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)와 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여 상기 유기 발광 소자(OLED)는 전체적으로 'V' 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 제1 도메인(D1) 및 제2 도메인(D2)으로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다. 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다.
한편, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에 배치된 상기 유기막(OL)은 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에 배치된 유기막들의 사이에는 절연 패턴(DP)이 배치될 수 있다. 여기서 상기 절연 패턴(DP)은 화소 정의막(PDL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
따라서, 상기 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)의 상기 유기막(OL)에서 생성된 광의 간섭을 방지할 수 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 16을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐시시터(Cst), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상부의 보호막(140)에 의하여 커버된다.
상기 비투과 영역(NTA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 평탄면을 가질 수 있다. 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 서로 마주하고, 하부로 경사진 두 개의 경사면을 구비하는 복수의 요철 패턴들을 구비한다. 즉, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 'V' 형상의 복수의 요철 패턴들을 구비할 수 있다.
상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)와 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여, 상기 투과 영역(TA)은 상기 보호막(140)에 의하여 제1 도메인(D1)들 및 제2 도메인(D2)들로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2)들에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 도메인(D1)들 및 상기 제2 도메인(D2)들은 교번 배치될 수 있다.
따라서, 인접하는 제1 도메인(D1) 및 상기 제2 도메인(D2)에서, 상기 유기막(OL)은 서로 마주하고, 하부로 경사진 'V' 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도메인(D1)들 및 상기 제2 도메인(D2)들에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 투과 영역(TA) 및 비투과 영역(NTA)으로 구분될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치는 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 캐시시터(Cst), 구동 박막 트랜지스터(TRd), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 베이스 기판(100)의 상기 비투과 영역(NTA)에 배치된다. 또한, 상기 스위칭 박막 트랜지스터(TRs), 상기 캐시시터(Cst), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)는 상부의 보호막(140)에 의하여 커버된다.
상기 비투과 영역(NTA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 평탄면을 가질 수 있다. 또한, 상기 투과 영역(TA)에서, 상기 보호막(140)의 상부 표면은 복수의 요철 패턴들을 구비한다. 상기 요철 패턴들은 하부로 경사진 두 개의 경사면들, 및 상기 경사면들을 연결하는 평탄면을 구비할 수 있다.
상기 보호막(140) 상에는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 구동 박막 트랜지스터(TRd)와 접속하는 제1 전극(E1), 상기 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 보호막(140)의 형상에 의하여, 상기 투과 영역(TA)은 서로 교번 배치되는 제1 도메인(D1)들과 제2 도메인(D2)들, 및 상기 제1 도메인(D1)들과 상기 제2 도메인(D2)들 사이의 제3 도메인(D3)들로 구분되고, 상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 도메인(D1, D2, D3)들에 배치될 수 있다.
상기 제1 도메인(D1)들 및 상기 제2 도메인(D2)들에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0° 내지 90°일 수 있으며, 바람직하게는 상기 경사각(γ)은 0° 내지 45°일 수 있다. 또한, 상기 제3 도메인(D3)들에서, 상기 유기막(OL)의 경사각은 0°일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10; 표시부 20; 스캔 드라이브
30; 데이터 드라이브 100; 베이스 기판
110; 버퍼층 120; 게이트 절연막
130; 층간 절연막 140; 보호막
DS; 표시 기판 SL1, SL2, SLn; 스캔 라인
DL1, DL2, DLm; 데이터 라인 VL; 전원 공급 라인
TRs; 스위칭 박막 트랜지스터 TRd; 구동 박막 트랜지스터
SA; 반도체 활성층 GE; 게이트 전극
SE; 소스 전극 DE; 드레인 전극
PX; 화소 OLED; 유기 전계 발광 소자
E1; 제1 전극 E11; 제1 도전막
E12; 제2 도전막 E2; 제2 전극
E21; 제3 도전막 E22; 제4 도전막
OL; 유기막 Cst; 캐패시터
C1; 제 1 캐패시터 전극 C2; 제2 캐패시터 전극
BM; 광 차단 패턴 DP; 절연 패턴
30; 데이터 드라이브 100; 베이스 기판
110; 버퍼층 120; 게이트 절연막
130; 층간 절연막 140; 보호막
DS; 표시 기판 SL1, SL2, SLn; 스캔 라인
DL1, DL2, DLm; 데이터 라인 VL; 전원 공급 라인
TRs; 스위칭 박막 트랜지스터 TRd; 구동 박막 트랜지스터
SA; 반도체 활성층 GE; 게이트 전극
SE; 소스 전극 DE; 드레인 전극
PX; 화소 OLED; 유기 전계 발광 소자
E1; 제1 전극 E11; 제1 도전막
E12; 제2 도전막 E2; 제2 전극
E21; 제3 도전막 E22; 제4 도전막
OL; 유기막 Cst; 캐패시터
C1; 제 1 캐패시터 전극 C2; 제2 캐패시터 전극
BM; 광 차단 패턴 DP; 절연 패턴
Claims (22)
- 일방향으로 연장된 스캔 라인;
상기 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인;
상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인들과 교차하는 전원 공급 라인; 및
상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인 및 상기 전원 공급 라인과 전기적으로 연결되는 화소를 포함하고,
상기 화소는 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 구비하는 유기 발광 소자를 포함하며,
상기 화소는 서로 다른 방향으로 광을 출사하는 적어도 두 개의 도메인으로 구분되되,
상기 화소는
제1 방향으로 광을 출사하는 제1 도메인; 및
상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 광을 출사하는 제2 도메인을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인과 중첩되도록 연장되고,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막은 서로 이격되고,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막들의 사이에서, 상기 제1 전극 상에 배치되는 절연 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인의 경계를 기준으로 하여, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 대칭인 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고 하부로 경사진 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도메인에 배치되는 상기 유기막은 상기 기판의 평탄면에 대하여 0° 내지 90°의 경사각을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도메인에 배치되는 유기막은 상기 기판 표면에 대하여 0° 내지 45°의 경사각을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고 상부로 경사진 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 광을 투과시키며 적어도 두 개의 도메인들로 구분되는 투과 영역, 및 광을 투과시키지 않는 비투과 영역으로 구분되는 베이스 기판;
상기 비투과 영역의 상기 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터; 및
상기 투과 영역의 상기 베이스 기판 상에 배치되는 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 유기 발광 소자를 포함하고,
상기 유기 발광 소자는
상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막; 및
상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
각 도메인에서, 상기 유기막은 서로 다른 방향으로 광을 출사하되,
상기 투과 영역은 제1 방향으로 광을 출사하는 제1 도메인 및 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 광을 출사하는 제2 도메인으로 구분되고,
상기 제1 전극은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인과 중첩되도록 연장되고,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막은 서로 이격되고,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에 배치된 상기 유기막들의 사이에서, 상기 제1 전극 상에 배치되는 절연 패턴을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고, 하부로 경사진 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 90°인 유기 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 45°인 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인의 경계를 기준으로 하여, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 대칭인 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인의 경계에서, 상기 제2 전극의 상부에 배치된 광 차단 패턴을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 삭제
- 제8 항에 있어서,
상기 투과 영역은 제1 도메인 및 제2 도메인으로 구분되고,
상기 유기막은 상기 제1 도메인 및 상기 제2 도메인에서 서로 마주하고, 상부로 경사진 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 투과 영역은 교번 배치되는 제1 도메인들 및 제2 도메인들로 구분되고,
인접하는 제1 도메인 및 제2 도메인에서, 상기 유기막은 서로 마주하고, 하부로 경사진 형상을 가지는 유기 발광 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 도메인들 및 상기 제2 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 90°인 유기 발광 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 도메인들 및 상기 제2 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 45°인 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 투과 영역은 배치되는 제1 도메인들과 제2 도메인들, 및 상기 제1 도메인들과 상기 제2 도메인들 사이의 제3 도메인들로 구분되고,
상기 제1 도메인들 및 상기 제2 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 90°인 유기 발광 표시 장치. - 제20 항에 있어서,
상기 제1 도메인들 및 상기 제2 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0° 내지 45°인 유기 발광 표시 장치. - 제20 항에 있어서,
상기 제3 도메인들에서, 상기 유기막의 경사각은 0°인 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130139926A KR102215622B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 유기 발광 표시 장치 |
| US14/543,758 US10204970B2 (en) | 2013-11-18 | 2014-11-17 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130139926A KR102215622B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150057075A KR20150057075A (ko) | 2015-05-28 |
| KR102215622B1 true KR102215622B1 (ko) | 2021-02-17 |
Family
ID=53172371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130139926A KR102215622B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10204970B2 (ko) |
| KR (1) | KR102215622B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319351A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| KR102449685B1 (ko) * | 2015-08-11 | 2022-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체 영상표시장치 |
| KR102471111B1 (ko) * | 2015-11-23 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102717809B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 구조물을 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102515814B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN107403811A (zh) * | 2017-09-07 | 2017-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
| KR102655476B1 (ko) | 2018-05-03 | 2024-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102426708B1 (ko) | 2018-09-07 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20210085129A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060097631A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Double-sided light emitting organic electroluminescence display device and fabrication method thereof |
| US20080024402A1 (en) | 2004-04-30 | 2008-01-31 | Ryuji Nishikawa | Light-Emitting Display |
| JP2008235605A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US20130021567A1 (en) | 2009-02-13 | 2013-01-24 | Apple Inc. | Undulating electrodes for improved viewing angle and color shift |
| US20130099258A1 (en) | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Diode Display |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477104B1 (ko) | 2002-05-08 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광효율이 개선된 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4485184B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
| JP2010062067A (ja) | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| KR20100048608A (ko) * | 2008-10-31 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20110132816A (ko) * | 2010-06-03 | 2011-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN103680396B (zh) * | 2012-09-18 | 2016-01-13 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示设备及其驱动方法 |
| KR102092705B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-11-18 KR KR1020130139926A patent/KR102215622B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-17 US US14/543,758 patent/US10204970B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080024402A1 (en) | 2004-04-30 | 2008-01-31 | Ryuji Nishikawa | Light-Emitting Display |
| US20060097631A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Double-sided light emitting organic electroluminescence display device and fabrication method thereof |
| JP2008235605A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US20130021567A1 (en) | 2009-02-13 | 2013-01-24 | Apple Inc. | Undulating electrodes for improved viewing angle and color shift |
| US20130099258A1 (en) | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Diode Display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150057075A (ko) | 2015-05-28 |
| US20150137101A1 (en) | 2015-05-21 |
| US10204970B2 (en) | 2019-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102215622B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102291619B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US9263502B2 (en) | Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device | |
| KR102561709B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR100989135B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101378439B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101493021B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100989134B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101954973B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101107178B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP4912437B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| KR101427857B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101002662B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102086557B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102331597B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102261610B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101654232B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102377906B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20150089435A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101513882B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20170037792A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20150084238A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102335112B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102383444B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR102573853B1 (ko) | 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |