[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102209564B1 - 패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품 - Google Patents

패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품 Download PDF

Info

Publication number
KR102209564B1
KR102209564B1 KR1020167004296A KR20167004296A KR102209564B1 KR 102209564 B1 KR102209564 B1 KR 102209564B1 KR 1020167004296 A KR1020167004296 A KR 1020167004296A KR 20167004296 A KR20167004296 A KR 20167004296A KR 102209564 B1 KR102209564 B1 KR 102209564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
stamp
curved surface
patterned
pattern
Prior art date
Application number
KR1020167004296A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160034363A (ko
Inventor
브라켈 렘코 반
마르크스 안토니우스 베르슈렌
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20160034363A publication Critical patent/KR20160034363A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102209564B1 publication Critical patent/KR102209564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/12—Printing plates or foils; Materials therefor non-metallic other than stone, e.g. printing plates or foils comprising inorganic materials in an organic matrix
    • B41N1/14—Lithographic printing foils
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C3/00—Reproduction or duplicating of printing formes
    • B41C3/04—Reproduction or duplicating of printing formes to produce rubber printing blocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F7/00—Rotary lithographic machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
    • B41K1/00—Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor
    • B41K1/26—Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor with stamping surfaces adapted for application to non-flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
    • B41K1/00—Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor
    • B41K1/26—Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor with stamping surfaces adapted for application to non-flat surfaces
    • B41K1/28—Portable hand-operated devices without means for supporting or locating the articles to be stamped, i.e. hand stamps; Inking devices or other accessories therefor with stamping surfaces adapted for application to non-flat surfaces flexible
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

굴곡 표면(10)을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프(100)를 제작하는 방법이 개시된다. 방법은 피처들(122)의 패턴을 갖는 가요성 스탬프 층(120)을 제공하는 단계; 피처들의 상기 패턴이 굴곡 표면을 마주하도록 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하는 단계; 굴곡 표면상의 가요성 스탬프 층 위에 유체 지지층(130)을 도포하는 단계; 패터닝된 스탬프를 형성하기 위해 지지층(140)을 응고시키는 단계; 및 굴곡 표면으로부터 패터닝된 스탬프를 제거하는 단계를 포함한다. 대응하는 패터닝된 스탬프, 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품이 또한 개시된다.

Description

패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품{PATTERNED STAMP MANUFACTURING METHOD, PATTERNED STAMP IMPRINTING METHOD AND IMPRINTED ARTICLE}
본 발명은 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이러한 패터닝된 스탬프에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이러한 스탬프를 사용하여 굴곡 표면을 패터닝하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이러한 패터닝 방법으로부터 획득된 물품에 관한 것이다.
임프린트 리소그래피(IL)는 마스킹 층과 같은 패터닝된 층이 경화성 임프린트가능한 매체의 증착에 의해 광학 층 또는 반도체 기판과 같은 기판상에 형성되는 기술이다. 경화성 임프린트 가능한 매체는 이후 패터닝된 스탬프로 매체를 임프린팅함으로써 패터닝되고, 그 후 경화성 임프린트 가능한 매체는, 예를 들면, 매체에서 경화 반응을 개시하기 위해 광, 예를 들면, UV 광에 노출될 때, 응고된다. 경화 반응이 완료된 후, 스탬프는 매체로부터 제거되어, 예를 들면, 반도체 기판상 또는 이러한 광학 층의 캐리어상에 패터닝된 층을 남긴다.
이러한 기술이 종래의 리소그래피 프로세스 단계들에 비해 상당한 비용 감소를 제공할 수 있기 때문에, 이는 최근에 상당한 관심을 끌어왔다. 임프린트 리소그래피의 유망한 가능성은 그것이 하나 이상의 돌출부들, 예를 들면, 주로 평탄한 표면으로부터 나오는 구부러진 돌출부들을 포함할 수 있는, 소위 2.5D 표면들, 즉, 예를 들면, 굴곡 표면들상에 나노 단위 패턴들을 형성하기 위해 사용될 수 있는 것이다. 이러한 기술들은, 광기전 태양 전지들, 나노선들, VECSEL 레이저들, 의료용 임플란트들 등을 패터닝하기 위해, 예를 들면, 뼈 또는 조직 재생을 활성화시키기 위해, 광 소자들, 예를 들면, 렌즈들 또는 의료용 임플란트들상에 나노 단위 패턴들을 생성함으로써, 사용될 수 있다. 이를 위해, 평탄한 가요성 패터닝된 스탬프, 예컨대 폴리실록산계 고무형 스탬프는, 일반적으로 굴곡 표면상으로 변형되어, 스탬프 패턴이 패터닝될 굴곡 표면과 접촉된다. 이러한 스탬프의 일 예는 US 2008/0011934 A1에 보여진다.
그러나, 실제 문제는 가요성 스탬프로부터 이러한 굴곡 표면 모두로 패턴을 전사하는 것이 쉬운 것이 아니라는 것에 있다. 특히, 스탬프를 평탄부와 (구부러진) 돌출부 사이의 경계 영역과 접촉시키는 것이 어려워서 이러한 영역들은 불완전하거나 또는 심지어 결여된 패턴 피처들을 가질 수 있다. 이는 가요성 스탬프를 굴곡 표면과 정확하게 일치하는 정도로 가요성 스탬프를 변형하는 것이 쉬운 일이 아니기 때문이다. 또한, 스탬프를 이들 경계 영역들로 압박하기 위해 요구되는 높은 압력들은 스탬프의 수명을 감소시키고 더 복잡한 IL 디바이스를 요구한다.
본 발명은 더 정밀한 방식으로 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법을 제공하는 것을 추구한다.
본 발명은 또한 더 정밀한 방식으로 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제공하는 것을 추구한다.
본 발명은 또한 이러한 스탬프를 사용하여 더 정밀한 방식으로 굴곡 표면을 패터닝하는 방법을 제공하는 것을 추구한다.
본 발명은 또한 더 정밀하게 패터닝된 굴곡 표면을 포함하는 물품을 제공하는 것을 추구한다.
본 발명은 독립 청구항들에 의해 규정된다. 종속 청구항들은 이로운 실시예들을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따라, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법이 제공된다.
스탬프에 그의 구조적인 무결성을 제공하는 스탬프의 벌크 지지대가 여전히 존재하지 않는다는 사실 때문에, 얇은 가요성 패터닝된 스탬프 층을 패터닝될 굴곡 표면 위에 제공함으로써, 스탬프 층이 굴곡 표면의 모든 측면과 접촉될 수 있다. 사실, 이러한 구조적인 무결성은 평탄한 표면으로부터 연장하는 피처들의 패턴을 갖는 스탬프의 가요성을 제한한다. 결과적으로, 지지층에 의해 제공된 구조적인 무결성의 부재는 피처들의 패턴과 굴곡 표면 사이의 양호한 접촉이 달성될 수 있는 것을 보장한다. 스탬프 층상에 지지층의 이후 형성은 임프린트될 굴곡 표면을 보완하는 피처들의 패턴을 갖는 굴곡 있는 스탬프 표면으로 스탬프의 패터닝된 표면을 고정시켜서, 이러한 굴곡 표면들의 임프린트 리소그래피의 사용에 적합한 패터닝된 스탬프를 제공한다.
하나의 바람직한 실시예에서, 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하는 단계는 진공 챔버에서 굴곡 표면에 가요성 스탬프 층을 배치하는 단계; 및 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하기 위해 상기 진공 챔버에서 압력을 감소시키는 단계를 포함한다. 이는 스탬프 층과 굴곡 표면 사이에 더욱 더 밀접한 맞춤을 보장해서, 굴곡 표면에 대한 스탬프의 매칭을 더욱 개선한다. 대안적으로, 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하는 단계는 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하기 위해 가요성 스탬프 층에 초과 압력을 적용하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 응고 단계는 가요성 스탬프 층상에 지지층을 접합시키는 단계를 포함한다. 이는 또한 스탬프 층의 지지층으로의 통합을 개선하고, 그에 의해 우수한 구조적인 무결성을 갖는 스탬프를 제공한다. 이는 예를 들면, 스탬프 층 및 지지층이 고무 경화성 물질, 예컨대 폴리실록산계 물질을 포함하는 경우, 달성될 수 있다. 특히 적절한 폴리실록산계 물질은 폴리다이메틸실록산(PDMS)이다. 접합 단계는 예를 들면 고무 물질의 경화 동안 일어날 수 있다.
스탬프 층의 피처들은 스탬프의 제작 동안 변경될 수 있어서, 스탬프의 실제 패턴은 그의 의도된 패턴으로부터 벗어날 수 있다는 것이 인식된다. 본 방법의 여러 실시예들은 이러한 불일치를 고려하는 것을 지향한다.
일 실시예에서, 스탬프 층의 피처들은 의도된 치수들보다 큰 치수를 갖고, 상기 피처들은 상기 응고 단계 동안 의도된 치수들로 수축한다.
다른 실시예에서, 방법은 굴곡 표면 상에 소프트 층을 도포하는 단계를 추가로 포함하고, 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하는 단계는 상기 피처들을 소프트 층으로 압박하는 단계를 포함한다. 결과적으로, 소프트 층은 피처들에 대한 구조적인 지지를 제공하고, 즉, 스탬프 제작 프로세스 동안 스탬프 층에 적용된 압력들 하의 변형으로부터 피처들을 보호한다. 소프트 층은, 예를 들면, 현상되지 않을(경화되지 않을) 레지스트 층일 수 있다. 소프트 층은 바람직하게는 액체 층이다.
또 다른 실시예에서, 가요성 스탬프 층은 피처들의 왜곡된 패턴을 포함하고, 패턴화된 가요성 스탬프 층을 굴곡 표면상에 압박하는 단계는 왜곡된 패턴을 의도된 패턴으로 변형하는 단계를 포함한다. 스탬프 제작 프로세스 동안 스탬프 층에 적용된 압력들에 의해 야기된 피처들의 왜곡을 예측하는 것이 가능하다. 의도된 패턴에 역 왜곡 기능을 적용함으로써, 상기 압력들 하에서 의도된 패턴으로 왜곡하는 왜곡된 패턴이 계산될 수 있다. 이러한 실시예에서, 의도된 패턴이 굴곡 표면상에 의도된 위치에 생성되는 것을 보장하기 위해 변형된 패턴이 굴곡 표면과 정밀하게 정렬되도록 주의가 취해져야 한다.
방법은 스탬프에 추가의 구조적인 무결성을 제공하고 X-Y 평면(즉, 캐리어를 수용하는 주요 스탬프 표면의 평면)에서 스탬프 변형의 위험을 감소시키기 위해 강체 캐리어, 예컨대 유리 캐리어상에 최종 패터닝된 스탬프를 고정시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따라, 형성될 패터닝된 굴곡 표면을 보완하는 양각 피처들의 패턴을 갖는 굴곡 표면을 포함하는 고무체를 포함하는 패터닝된 스탬프가 제공된다. 이러한 스탬프는 본 발명의 스탬프 제작 방법에 의해 획득될 수 있고 패터닝될 굴곡 표면과의 우수한 맞춤을 제공한다.
일 실시예에서, 피처들의 패턴을 갖는 굴곡 있는 스탬프 표면은 제 1 층에 의해 한정되고, 고무체는 제 1 층상에 지지층을 추가로 포함하고, 지지층은 제 1 층과 상이한 재료로 이루어진다. 제 1 층은 제 1 영률을 갖는 고무층일 수 있고, 지지층은 제 2 영률을 갖는 고무층이고, 제 1 영률은 제 2 영률보다 크다. 이는 스탬프의 굴곡 표면상에 피처들의 변형에 대항하여 증가된 견고함을 갖고 조합된 우수한 전체 가요성을 갖는 스탬프가 제공되는 이점을 갖는다. 또한, 최종 스탬프의 가요성은 지지층의 모듈러스를 사용하여 조정될 수 있고, 제 1 층의 모듈러스는 양호한 굴곡 적용 범위가 스탬프 제작 프로세스에서 획득되도록 유지될 수 있다.
제 1 층 및 제 2 층은 각각 PDMS 층들일 수 있고 각각 바람직하게는 PDMS 층들이다.
본 발명의 또 다른 양태에 따라, 패터닝된 굴곡 표면을 형성하는 방법이 제공된다. 이러한 방법은 우수한 패턴 적용 범위를 갖는 굴곡 표면을 생성한다. 수용면은 스탬프 표면의 굴곡들에 매칭하는 굴곡 표면일 수 있거나 또는 굴곡 있는 스탬프로 인해, 최종 패터닝된 표면이 또한 굴곡 패터닝된 표면을 포함할, 평탄한 표면일 수 있다.
임프린팅 단계는, 패터닝된 스탬프와 굴곡 표면 사이의 접촉을 더 개선하기 위해, 감소된 압력, 예를 들면, 진공 하에서 수행될 수 있다. 본 발명의 또 다른 양태에 따라, 패터닝된 굴곡 표면을 형성하는 전술된 방법에 의해 획득된 패터닝된 굴곡 표면을 포함하는 물품이 제공된다. 이러한 물품은 그의 굴곡 표면상에 더 복잡한 패턴 형성에 의해 종래 기술의 물품들로부터 구별된다.
모든 그의 양태들에서 본 발명은 이롭게는 패턴 피처들이 가시광의 파장 정도로 이루어진 임프린트 리소그래피에서 및 그를 위하여 사용될 수 있다. 스탬프의 가요성 때문에, 본 발명은 기판들이 보통으로 또는 강하게 굴곡지거나 또는 굴곡 패터닝된 표면들(예를 들면, 패턴을 필요로 하는 구부러진 유리)을 필요로 할 때 기판 등각 임프린트 리소그래피 프로세스들과 같이 가요성 스탬프를 사용하는 임프린트 리소그래피에 대해 특히 유용하다.
도 1은 종래 기술의 임프린팅 프로세스를 개략적으로 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 스탬프 제작 방법을 개략적으로 도시하는 도면.
도 3은 도 2의 스탬프 제작 방법에서 사용을 위한 진공 챔버를 개략적으로 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 임프린팅 방법을 개략적으로 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따라 임프린팅 방법을 개략적으로 도시하는 도면.
도 6은 도 4의 임프린팅 방법에 따라 임프린팅된 물품의 SEM 포토들을 도시하는 도면.
본 발명의 실시예들은 첨부하는 도면들을 참조하여 예들을 제한하지 않는 방식으로 더 상세히 기술된다.
도면들은 단순히 개략적이고 비례하도록 도시되지 않았다는 것이 이해되어야 한다. 동일한 참조 번호들은 동일하거나 유사한 부분들을 나타내기 위해 도면들 전체에서 사용된다는 것이 또한 이해되어야 한다.
도 1은 하나 이상의 굴곡들(12)을 포함하는 표면(10)에 프린팅하기 위한 종래 기술의 리소그래피 프린팅 프로세스를 개략적으로 도시한다. 고무 스탬프(20), 예컨대 스탬프(20)의 평탄한 표면으로부터 연장하는 피처들(22)의 패턴을 포함하는 PDMS 스탬프는 하나 이상의 굴곡들(12)을 포함하는 표면(10)과 접촉되고 임프린트 가능한 층, 예를 들면, 현상되지 않는 레지스트 층으로 코팅된다. 이러한 층은 도 1에 도시되지 않는다. 스탬프(20)는 표면(10)상에 배치되고, 스탬프(20)가 표면(10)의 전체 형상을 입히도록 그 위에 압력을 가함으로써 변형된다. 레지스트 층이 이후에 현상되고, 그 후 스탬프(20)가 표면(10)으로부터 제거되어 현상된 층 뒤에 피처들(22)로 임프린팅된다.
그러나, 이러한 방식에 의한 문제는 평탄한 스탬프(20)가 단지 제한된 양만큼 변형될 수 있어서, 도 1의 우측 구획에서 화살표들로 나타낸 바와 같이, 굴곡(12)과 표면(10)의 나머지 사이의 경계가 스탬프(20)에 의해 접촉될 수 없다는 것이다(피처들(22)은 명확성을 위해 우측 구획에서 생략된다). 결과적으로, 부분적으로 임프린팅된 물품이 획득되고, 피처들(22)의 패턴은 이들 경계 영역들에서 결여된다. 덮이지 않은 영역의 크기는 임프린팅 프로세스 동안 스탬프(20)상에 압력을 증가시킴으로써 감소될 수 있지만, 이는 스탬프(20)의 수명을 감소시키고 임프린팅 프로세스 동안 피처들(22)의 패턴의 변형의 위험을 증가시키고, 이는 표면(10)상에 전사된 패턴의 품질을 감소시킨다.
이러한 문제는 패터닝될 물품의 표면(10)을 보완하는 전체 형상을 갖는 패터닝된 표면을 갖는 스탬프가 제공되는 본 발명의 적어도 일부 실시예들에 의해 처리된다. 이는 스탬프 표면이 굴곡(12)의 경계 영역을 포함하는 표면(10)과 접촉되도록 변형될 필요가 없다는 이점을 갖는다. 결과적으로, 스탬프는 표면(10)상에 하나 이상의 굴곡들(12)의 경계 영역들을 포함하는 표면(10)의 전체에 피처들의 그의 패턴을 전사할 수 있다.
도 2는 소프트 리소그래피 프로세스, 예를 들면, 굴곡 표면들의 나노 단위 패터닝 프로세스에서 사용을 위한 스탬프를 제작하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 방법의 다수의 단계들을 개략적으로 도시하고, 이는 이후에 더 상세히 설명된다.
방법은 피처들(122)의 패턴을 갖는 가요성 스탬프 층(120)의 제공과 함께 단계(a)에서 개시된다. 스탬프 층(120)은 선택된 스탬프 물질 및 그의 두께로부터 그의 가요성을 도출한다. 일 실시예에서, 스탬프 층(120)은 탄성 중합체 또는 고무형 물질, 예컨대, 적절한 블록-공중합체, 예를 들면, SEBS, 또는 폴리실록산계 고무형 물질로 구성된다. 일 실시예에서, 스탬프 층(120)은 폴리실록산계 고무형 물질, 예를 들면 WO2009/147602 A2에 개시되는 예컨대 PDMS, T-브랜칭 및/또는 Q-브랜칭 폴리실록산계 고무형 물질로 구성된다. T-브랜칭 폴리실록산은 3-방향 브랜칭 연쇄들, 즉, 예를 들면, 선형 폴리실록산들에 의해 교차 결합될 때, 네트워크들을 포함한다. 유사하게, Q-브랜칭 폴리실록산은 4-방향 브랜칭 연쇄들, 예를 들면, 선형 폴리실록산들에 의해 교차 결합될 때, 네트워크들을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 스탬프 층(120)은 PDMS로 구성된다. 그러나, 스탬프 층(120)이 임의의 적절한 가요성 물질로 구성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
가요성 스탬프 층(120)은, 즉, 표면(10)상에 굴곡들의 경계 영역들과 밀접한 접촉을 형성하기 위해, 스탬프 층(120)이 유연하게 되도록 허용하는 두께를 가져야 한다. 가요성 스탬프 층(120)의 적절한 두께는 가요성 스탬프 층(120)을 위해 선택된 물질에 의존할 것이라는 것이 이해될 것이다. 가요성 스탬프 층(120)은 일반적으로, 스탬프 층(120)이 바람직한 가요성 특징들을 갖는 것을 보장하기 위해 수 ㎜ 이내, 즉 1 ㎜ 이하의 두께를 가질 것이다. 일 실시예에서, 가요성 스탬프 층(120)은 고무 물질 예컨대 PDMS로 구성될 수 있고 및/또는 이러한 범위의 하한이, 예를 들면, 가요성 스탬프 층(120)의 증가된 취성을 희생하여 50 미크론, 10 미크론 또는 심지어 1 미크론으로 더 감소될 수 있다는 것이 이해될지라도 100 내지 1,000 미크론의 범위에서 최대 두께를 가질 수 있다. 의심의 여지를 없애기 위해, 가요성 스탬프 층(120)의 두께가 그의 벌크 물질의 두께 및 피처들(122)의 높이의 조합으로서 규정되는 것이 명확하게 된다.
피처들(122)은 적어도 하나의 굴곡(12)을 포함하는 표면(10)으로 전사될 패턴을 규정한다. 피처들(122)은 수 미크론 내지 수 나노미터의 범위의 피처 크기를 가질 수 있고, 즉, 피처들(122)은, 그것이 또한 더 큰 피처 크기들을 사용하는 것이 가능할지라도, 나노패턴을 규정할 수 있다. 가요성 스탬프 층(192)은 제작될 스탬프의 피처들(122)의 의도된 크기들로 맞춰지는 영률을 가질 수 있다. 예를 들면, 상대적으로 큰 피처 크기들, 예를 들면, 수 미크론들, 예를 들면, 500 ㎚ 내지 2 미크론 또는 5 미크론까지의 피처 크기들에 대하여, 상대적으로 소프트 고무 물질이 사용될 수 있고, 예를 들면, 고무 물질은 소프트 PDMS와 같이 2.5 내지 5 MPa의 범위 내의 영률을 갖는다. 이는, 상대적으로 큰 크기의 피처들(122)이 스탬프 제작 프로세스 또는 임프린팅 프로세스 동안 표면 장력 때문에 붕괴하는 것에 상대적으로 둔감하기 때문이다. 이러한 붕괴는 일반적으로 내부 피처 거리에 관한 것이고, 작은 내부 피처 거리들은 과도하게 유연한 피처들(122)이 함께 붙게 한다. 내부 피처 거리는 일반적으로 피처 크기에 상관되지만 반드시는 아니라는 것이 주의된다.
이와 같이, 더 적은 크기들의 피처들(122)(및/또는 더 적은 내부 피처 거리들)이 요구될 때, 더 견고한 고무 물질들은 전술한 표면 장력에 의해 더 적은 크기의 피처들(122)의 붕괴를 방지하기 위해 고려될 수 있다. 스탬프 피처들(122)의 치수들이 200 ㎚ 내지 2 미크론의 범위 내에 있는 일 실시예에서, 7 내지 11 MPa의 범위 내의 영률을 갖는 고무 물질, 예컨대 단단한 PDMS가 고려될 수 있고, 반면에 1 ㎚ 내지 2 미크론의 범위 내의 스탬프 피처들(122)의 치수들을 갖는 스탬프에 대해, 40 내지 80 MPa의 범위 내의 영률을 갖는 고무 물질, 예컨대 최경질 PDMS(때때로 X-PDMS라고 불림)이 고려될 수 있다. 의심의 여지를 없애기 위해, 보고된 영률들이 표준에 의해 부여된 조건들 하에서 강체 볼로 고무 물질을 관통함으로써 ASTM D1415-06(2012) 표준에 따라 표준화된 경도 테스트에 의해 결정되었다는 것이 주의된다.
피처들(122)의 패턴은 임의의 적절한 방식으로 가요성 스탬프 층(120)에 형성될 수 있다. 알려진 기술들, 예컨대 전자 빔 에칭 또는 간섭 리소그래피는 피처들(122)의 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 적어도 하나의 굴곡(12)을 포함하는 표면(10)은 또한 굴곡 표면(10)이라고 불릴 것이다. 일 실시예에서, 굴곡 표면(10)은 수 미크론 내지 수 ㎝의 범위의 길이를 가질 수 있다. 스탬프 층(120)은 굴곡 표면(120)의 길이에 매칭하는 길이를 가질 수 있다. 굴곡 표면(10)은 임의의 적절한 물질, 예를 들면, 유리, 적절한 폴리머, 금속, 반도체 물질, 예컨대 Si, SiGe, AlGaN, 등으로 구성될 수 있다. 굴곡 표면(10)은 대량 생성될 물품의 일부를 형성할 수 있고, 굴곡 표면의 경우들 또는 다수의 복제물들이 임프린팅될 것이다. 도 2에 도시된 굴곡 표면(10)은 굴곡 표면(10)의 경우들 또는 이들 다수의 복제물들에 대해 템플릿의 역할을 한다.
단계(b)에서, 가요성 스탬프 층(120)은 굴곡 표면(10) 위에 적용되어 피처들(122)의 패턴은 굴곡 표면(10)과 접촉된다. 그의 제한된 두께 때문에, 가요성 스탬프 층(120)은 굴곡들(12)의 경계 영역, 즉, 굴곡 표면(10)이 불연속성을 포함할 수 있는 영역을 포함하는 굴곡 표면(10)의 전체 표면과 접촉될 수 있다. 일 실시예에서, 가요성 스탬프 층(120)이 피처들(122)과 굴곡 표면(10) 사이의 밀접한 관계를 더 개선하기 때문에, 가요성 스탬프 층(120)이 감소된 압력 하에서 굴곡 표면(10) 위에 적용된다. 하나의 대안적인 실시예에서, 가요성 스탬프 층(120)은 굴곡 표면(10) 위에 적용되고, 동시에 과도한 압력을 적용한다. 가요성 스탬프 층(120)과 굴곡 표면(10) 사이로부터 공기 또는 다른 기체의 제거는 가요성 스탬프 층(120)이 굴곡 표면(10), 특히 굴곡 표면(10)의 전술한 불연속 표면 영역들에 부착되는 것을 보장한다. 이러한 감소된 압력은, 예를 들면, 굴곡 표면(10) 및 적용된 가요성 스탬프 층(120)의 배치 및 진공을 굴곡 표면(10) 및 적용된 가요성 스탬프 층(120)에 적용함으로써 달성될 수 있다. 이는 이후 더 상세히 설명될 것이다. 과도한 압력이 대신 적용될 수 있고; 과도한 압력이 표면상의 스탬프 층에 적용될 수 있는 방법 그 자체가 알려졌고, 이는 간략함을 위해 더 상세히 설명되지 않을 것이다.
이전에 언급된 바와 같이, 피처들(122)의 패턴은, 예를 들면, 굴곡 표면(10) 위에 가요성 스탬프 층(120)을 몰딩하거나 스트레칭할 때 및/또는 비교적 큰 압력, 예를 들면, 진공압이 가요성 스탬프 층(120)에 적용될 때, 굴곡 표면(10) 상에 가요성 스탬프 층(120)의 적용 동안 변형될 수 있다. 피처들(122)의 변형을 초래할 수 있는, (감소된) 압력이 이들 보이드들로부터 매체, 예를 들면, 공기를 제거할 것이기 때문에, 이러한 변형들은 일반적으로 보이드들이 피처들(122) 사이에 존재할 때 발생할 수 있다.
일 실시예에서, 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)이 굴곡 표면(10)상에 압박되는 적용 단계(b) 동안, 피처들(122)의 왜곡된 패턴은 피처들(122)의 의도된 또는 원하는 패턴으로 변형되도록 가요성 스탬프 층(120)이 피처들(122)의 왜곡된 패턴을 포함하는 이러한 문제가 처리된다. 피처들(122)의 왜곡된 패턴은 경험적으로 결정될 수 있거나, 또는 예를 들면, 적용된 압력들 하에서 이러한 피처들(122)의 변형을 추정할 수 있는 모델링 소프트웨어를 사용하여, 계산될 수 있다.
하나의 대안적인 실시예에서, 현상되지 않은 레지스트 전구체 층 또는 다른 적절한 액체 층, 예를 들면, 미경화된 물질 합성물과 같은 소프트 층을 굴곡 표면(10)상에 적용함으로써, 피처들(122)이 적용 단계(b) 동안 이러한 소프트 층으로 압력이 가해지는 이러한 문제가 처리된다. 특히, 피처들(122) 사이의 보이드들 내 매체는 소프트 층 물질, 예를 들면, 레지스트 물질로 교체되어서, 이들 보이드들 내 소프트 층 물질은 피처들(122)에 구조적인 지지대를 제공하고, 그에 의해 피처들(122)의 상당한 변형을 방지한다. 따라서, 이는 패턴이 적용 단계(b) 동안 상당히 변형되지 않기 때문에, 패터닝된 가요성 스탬프 층(122)에 피처들(122)의 왜곡된 패턴을 제공할 필요가 없어질 수 있다. 이와 같이, 이러한 실시예는 변형 문제에 대한 더 비용 효율적 해결책을 제공할 수 있다.
방법은 이후 가요성 스탬프 층(120)상에 지지층을 형성하기 위한 전구체 물질(130)이 가요성 스탬프 층(120)상에 증착되는 단계(c)로 진행한다. 단계(b)가 감소된 압력 하에서 수행되는 경우, 단계(c), 즉, 가요성 스탬프 층(120)상의 전구체 물질(130)의 증착은 또한, 가요성 스탬프 층(120)상에 주입될 유체 또는 액체 전구체 물질(130)을 위해 가요성 스탬프 층(120)의 상부에 액세스를 제공하는 진공 챔버 내 작은 개구를 제공하고, 동시에 가요성 스탬프 층(120)과 굴국 있는 표면(10) 사이에 매칭을 보존하기 위해 진공 챔버 내 감소된 압력을 유지함으로써, 감소된 압력 하에서 수행될 수 있다. 전구체 물질(130)은 일반적으로 유체 물질, 예를 들면, 점성 액체 또는 겔과 같은 액체여서, 전구체 물질(130)은 가요성 스탬프 층(120)의 표면 프로파일에 쉽게 매칭한다. 단계(c)에 구체적으로 도시되지 않았지만, 굴곡 표면(10) 및 적용된 가요성 스탬프 층(120)은 유체 전구체 물질(130)이 굴곡 표면(10)의 경계들을 넘어 유출되는 것을 방지하기 위해 적절한 컨테이너에 배치될 수 있다.
전구체 물질(130)은 바람직하게는 가요성 스탬프 층(120)상에 고무형 지지층을 형성하기 위한 합성물이다. 고무형 지지층은 바람직하게는 가요성 스탬프 층(120)과 유사하거나 동일한 열팽창 계수들을 갖는다. 이는, 예를 들면, 동일한 물질 합성물을 갖는 고무형 지지층 및 가요성 스탬프 층(102)에 의해 달성될 수 있다.
일 실시예에서, 전구체 물질(130)은 2.5-5 MPa의 영률을 갖는 PDMS, 즉, 소프트 PDMS를 형성하기 위한 합성물이다. 소프트 PDMS 고무형 지지층은 전술한 PDMS 가요성 스탬프 층들(120) 중 어느 하나와, 즉 동일하거나 더 높은 영률을 갖는 PDMS 가요성 스탬프 층(120)과 조합될 수 있다.
전구체 물질(130)의 두께는 가요성 스탬프 층(120)상에 고무형 지지층을 형성하기 위해 전구체 물질 층(130)의 응고시, 결과의 스탬프가 양호한 구조적인 무결성을 갖고, 피처들(122)의 패턴을 갖는 가요성 스탬프 층(120)의 표면이 쉽게 변형되지 않는다. 다시 말해서, 고무형 지지층은 피처들(122)의 패턴을 갖는 가요성 스탬프 층(120)의 표면에 굴곡 표면(19)의 형상을 고정시킨다.
다음으로, 전구체 물질 층(130)은 고무형 지지층(140)을 형성하기 위해 단계(d)에서 응고된다. 응고 프로세스는, 예를 들면, UV 복사, 열, 라디컬들, 및 그의 조합들에 의해 촉진된 경화 프로세스에 의해 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 응고 단계는 또한, 감소된 압력, 즉, 진공 챔버 내에서 수행된다. 응고 프로세스 동안, 예를 들면, 경화 동안, 전구체 물질 층(130)에서 화학 반응들은 가요성 스탬프 층(120)상에 고무형 지지층(140)의 접합을 야기할 수 있어서, 고무형 지지층(140)과 가요성 스탬프 층(120) 사이의 강한 접합을 보장한다. 접합의 다른 적절한 형태들, 예를 들면, 가요성 스탬프 층(120)상의 접착제의 사용에 의한 접착, 등이 또한 고려될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 이러한 접착제는, 예를 들면, 고무형 지지층(140)의 형성 후에 적용될 수 있고, 그 후 고무형 지지층은 접착제를 가요성 스탬프 층(120) 또는 가요성 스탬프 층(120)과 접촉될 고무형 지지층(140)의 표면에 적용하기 위해 가요성 스탬프 층(120)으로부터 일시적으로 들어 올려질 수 있고 그 후 고무형 지지층(140)은 가요성 스탬프 층(120)상에 다시 배치될 수 있다.
이러한 점에서, 전구체 물질 층(130)의 응고는, 특히 응고 프로세스가 상승된 온도들에서 수행될 때, 특히, 높이 방향, 즉, 굴곡 표면(10)에 수직인 방향으로 가요성 스탬프 층(120)의 피처들(122)의 약간의 수축을 야기할 수 있다는 것이 주의된다. 이는 처음에 가요성 스탬프 층(120)에 의도된 치수들보다 큰 치수를 갖는 피처들(122)을 제공함으로써 보상될 수 있어서, 피처들(122)은 전구체 물질 층(130)의 응고 동안 그들의 의도된 치수들로 수축한다.
지지층(140)을 형성하기 위해 전구체 물질 층(130)의 응고의 응고시, 강체 캐리어(160)는 단계(e)에 도시된 바와 같이 지지층(140)상에 형성될 수 있다. 이러한 강체 캐리어(160)는 임의의 적절한 강체 물질, 예를 들면, 유리로 구성될 수 있다. 강체 캐리어(160)는 바람직하게, 즉, 그와 유사하거나 동일한 열팽창 계수들을 갖는 스탬프에 의해 패터닝될 기판의 물질과 열적으로 매칭되는 물질로 구성되어서, 임프린팅 프로세스 동안 온도에서 변화들이 그의 패턴을 수용하는 표면을 갖는 스탬프의 정합에 영향을 미치지 않는다. 지지층(140)은, 접합 동안 또는 접착제를 사용한 접착 동안, 임의의 적절한 방식으로 강체 캐리어(160)에 부착될 수 있다. 일 실시예에서, 전구체 물질 층(130)은 강체 캐리어(160)의 존재시 지지층(140)으로 변환되어, 강체 캐리어(160)는 패터닝된 스탬프상에 직접 접합된다. 이는, 예를 들면, X-Y 평면, 즉 굴곡 표면(10)의 주 평면에서 스탬프의 변형, 예를 들면, 수축을 방지하는 것을 돕는다. 이는 또한 패터닝된 스탬프가 사용되는 후속하는 임프린팅 프로세스의 정밀도 및 견고성을 개선한다.
결과의 구조는 이후 피처들(122)의 패턴을 갖는 스탬프 표면을 포함하는 스탬프 층(120)을 갖는 패터닝된 스탬프(100)를 생성하기 위해 굴곡 표면(10)으로부터 해제되고, 스탬프 표면은 굴곡 표면(10)의 표면 프로파일에 매칭하고, 스탬프(100)의 구조적인 무결성은 지지층(140)에 의해 및 선택적으로 강체 캐리어(160)에 의해 제공된다. 다시 말해서, 굴곡 있는 스탬프 층(120)은 형성될 패터닝된 굴곡 표면의 반대인 스탬프 표면을 포함한다.
일 실시예에서, 패터닝된 스탬프(100)는 지지층(140)과 동일한 물질로 구성된 스탬프 층(120)을 포함하는 탄성 중합체 또는 고무체, 예를 들면, 소프트 PDMS를 갖는다. 하나의 대안적인 실시예에서, 패터닝된 스탬프(100)는 지지층(140)과 상이한 물질로 구성된 스탬프 층(120), 예를 들면, 이전에 설명된 소프트 PDMS 지지층(140) 및 하드 PDMS 또는 X-PDMS 스탬프 층(120)을 갖는다. 더 일반적으로, 패터닝된 스탬프(100)는, 이전에 설명된, 지지층(140)의 탄성 중합체 또는 고무 물질과 동일하거나 더 높은 영률을 갖는 탄성 중합체 또는 고무 물질의 스탬프 층(120)을 포함하는 탄성 중합체 또는 고무체를 가질 수 있다. 패터닝된 스탬프(100)의 수명을 최대화하기 위해 패터닝된 스탬프(100)에 의해 임프린팅된 층으로부터 패터닝된 스탬프(100)의 쉬운 해제를 보장하기 위해 가능한 한 낮은 영률을 갖는 가요성 스탬프 층(120)을 위한 물질을 사용하는 것이 바람직하다는 것이 이해되어야 한다.
의심의 여지 없이, 본 발명의 실시예들이 피처들(122)의 패턴을 갖는 굴곡 있는 프린팅 표면을 갖고, 본 발명의 스탬프 제작 방법의 실시예들에 의해 획득되는 임의의 패터닝된 스탬프(100)에 관한 것임이 주의되어야 한다.
도 3은 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)이 이전에 설명된 감소된 압력하에서 굴곡 표면(10)상에 압박될 수 있는 진공 챔버(300)의 일 예시적인 실시예의 단면도를 개략적으로 도시한다. 진공 챔버(300)는 하우징(310) 및 예를 들면, 클램프들을 사용하여, 임의의 적절한 방식으로 하우징(310)에 부착될 수 있는 뚜껑(312)을 포함한다. 뚜껑(312)은 가요성 스탬프 층(120)의 상부면을 노출시키기 위한 개구를 포함할 수 있어서, 유체 전구체 물질(130)이 이전에 설명한 가요성 스탬프 층(120)상에 증착, 예를 들면 유출될 수 있다. 도 3에서, 이러한 개구는 제거 가능한 밀봉 부재(313), 예를 들면, 그 자체가 잘 알려진 고무 마개에 의해 밀봉된다. 진공 커넥터(314)는 진공 챔버(300)의 내부 체적(320)을 진공 펌프(도시되지 않음)로 연결하기 위해 하우징(310)을 관통하여 연장된다. 의심의 여지를 피하기 위해, 적어도 몇몇 실시예들에서, 진공 펌프는 진공 챔버(300)의 일부를 형성하지 않는다는 것이 주의된다. 진공 챔버(300)는 샘플 홀더(324)를 갖기 위해 하나 이상의 스페이서들(322)을 추가로 포함할 수 있다. 샘플 홀더(324)는 진공 챔버(300)의 측벽들과 협력하는 액체 컨테이너를 규정할 수 있거나 그 자신의 오른쪽에 통합 액체 컨테이너일 수 있다. 이전에 설명한 바와 같이, 샘플 홀더(324)는 유체 전구체 물질(130)을 위한 컨테이너의 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)은 컨테이너의 측벽들을 통해 및 진공 챔버(300)의 측벽들에서 홈부들을 통해 클램프(326)로 연장할 수 있고, 클램프(326)는 또한 화살표(314')에 의해 나타낸 바와 같이 진공 펌프로 연결될 수 있다. 복수의 클램프들(326), 예를 들면, 한 쌍의 클램프들(326)은 진공 챔버(300) 내, 또는 더 정확하게 샘플 홀더(324) 상에 패터닝된 가요성 스탬프 층(130)을 보호하기 위해 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 굴곡 표면(10)에 접촉하도록 의도되지 않는 패터닝된 가요성 스탬프 층의 부분들, 예를 들면, 액체 컨테이너의 측벽들 위에 및 클램프(326)로 연장하는 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)의 부분들은 이들 부분들의 전체 길이에 걸쳐 피처들(122)의 패턴을 가지지 않을 수 있거나, 또는 이들 부분들상에 피처들(122)의 패턴을 전혀 가지지 않을 수 있다.
그러나, 대안적인 실시예들, 예를 들면, 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)이 액체 컨테이너의 측벽들 위에 연장하지 않지만 굴곡 표면(10)에만 접촉하도록 의도되는 일 실시예가 또한 고려될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
동작시, 진공은 진공 커넥터(314)를 통해 진공 챔버(310)에 적용될 수 있어서 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)은 샘플 폴더(324)를 포함하는 액체 컨테이너의 측벽들상에 및 굴곡 표면(10)상에 들러붙는다. 진공은 일반적으로 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)과 굴곡 표면(10) 사이에 밀접한 맞춤을 보장하기 위해 충분히 긴 기간 동안 적용되고, 그 후 가요성 스탬프 층(120)상의 전구체 물질 층(130)의 증착이 뚜껑(312)의 개구를 통해 일어날 수 있고, 이전에 설명되는 유체 전구체 물질(130)의 응고가 후속된다.
패터닝된 스탬프(100)가 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)이 도 3에 도시되는 액체 컨테이너의 측벽들 위로 연장하는 프로세스에서 형성되는 경우, 패터닝된 스탬프(100)는 지지층(140)과 상이한 물질로 된 측벽들을 추가로 포함할 수 있다는 것이 주의된다. 측벽들은 일반적으로 패터닝된 가요성 스탬프 층(120)과 동일한 물질로 이루어진다. 패터닝된 스탬프(100)는, 예를 들면, 이전에 설명된 소프트 PDMS 지지층(140) 및 하드 PDMS 또는 X-PDMS 스탬프 층(120) 및 측벽들을 포함할 수 있다. 더 일반적으로, 패터닝된 스탬프(100)는 이전에 설명되는 지지층(140)의 탄성 중합체 또는 고무 물질과 동일하거나 더 큰 영률을 갖는 탄성 중합체 또는 고무 물질의 측벽들 및 스탬프 층(120)을 가질 수 있다.
스탬프(100)는 패터닝될 표면상에 잉크, 예를 들면, 레지스트 층이 스탬프 패턴을 잉크 또는 레지스트 층으로 전사하기 위해 패터닝된 스탬프로 임프린팅되는 소프트 리소그래피 임프린팅 프로세스들과 같은 임프린팅 프로세스들에서 사용될 수 있다. 이는, 그 자체가 잘 알려진, 이러한 표면들상에 나노 단위 피처 크기들을 갖는 패턴들의 형성에 대해 허용한다.
본 발명에 따라 임프린팅 방법의 일 예시적인 실시예가 도 4에 도시된다. 단계(a)에서, 하나 이상의 굴곡들(12)을 포함하는 수용면(10)은 본 발명의 패터닝된 스탬프(100)의 일 실시예와 함께 제공된다. 패터닝된 스탬프(100)에 의해 임프린팅될 잉크 또는 레지스트 전구체 층(14)은 굴곡 표면(10)상에 제공된다. 잉크 또는 레지스트 전구체 층(14)은 임의의 적절한 물질, 예를 들면, 유기 또는 무기 레지스트 전구체 물질일 수 있다. 이러한 물질들이 그 자체가 잘 알려지고 널리 실증되었기 때문에, 이러한 물질들의 화합물들의 다른 기술은 단지 간략함을 위해 생략된다. 유사하게, 굴곡 표면에 대해 사용된 물질은 특히 제한되지 않는다. 임의의 적절한 물질은 이전에 설명되는 굴곡 표면에 대해 사용될 수 있다. 도 4에 도시된 임프린팅될 굴곡 표면(10)이 패터닝된 스탬프(100)를 형성하기 위해 도 2에 도시된 굴곡 표면(10)과 동일해서, 그에 의해 패터닝된 스탬프(100)의 굴곡 표면이 이전에 더 상세히 설명된 굴곡들(12)의 경계 영역들을 포함하여 정확한 정합시 굴곡 표면(10)의 형상에 정확하게 매칭하는 것을 보장한다는 것이 주의된다.
단계(b)에서, 잉크 또는 레지스트 층(14)은, 굴곡 표면(10)상에 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(16)을 형성하기 위해, 패터닝된 스탬프(100)로 임프린팅되고, 후속하여 현상되고, 예를 들면 경화 반응에 걸쳐 응고되고, 그 후 패터닝된 스탬프(100)는 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(16)을 갖는 굴곡 표면(10)을 포함하는 물품을 생성하기 위해 단계(c)에서 제거된다. 이전에 설명된 바와 같이, 이러한 물품은 굴곡 표면(190)상의 패턴이 연속적이고, 즉, 굴곡들(12)의 경계 영역들에 또한 존재해서, 고품질의 굴곡 표면 패턴을 제공한다는 사실로부터 이점이 있다.
이러한 점에서, 본 발명의 임프린팅 방법은 단지 굴곡 표면들을 임프린팅하는 것으로 제한되지 않는다는 것이 주의된다. 하나의 대안적인 실시예가 도 5에 도시되고, 여기서 패터닝된 스탬프(100)는 평탄한 수용면(10)상에 굴곡들을 형성하기 위해 사용된다. 이를 위해, 비교적 두꺼운 (점성이 있는) 잉크 또는 레지스트 전구체 층(14)이 단계(a)에서 표면(10)상에 도포되고, 그 후 잉크 또는 레지스트 전구체 층(14)는 패터닝된 스탬프(100)로 임프린팅되고 이후 단계(b)에서 현상되어 단계(c)에서 패터닝된 스탬프(100)의 제거 후 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(18)을 생성한다. 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(18)은 도 2 및 도 4에 도시된 굴곡들(12)을 포함하고, 즉, 굴곡들(12)은 평탄한 표면(10)을 포함하는 기판의 통합부를 형성하지 않고 대신에 현상된 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(18)의 부분으로서 형성된다.
현상된 패터닝된 잉크 또는 레지스트 층(18)의 부분을 형성하는 굴곡들(12)은 굴곡들(12)이 굴곡 표면(10)의 통합부를 형성할 때보다 수축에 더 민감하다는 것이 주의된다. 또한, 더 많은 잉크 또는 레지스트 물질(14)이 도 5의 방법에서 요구된다는 것이 명백해질 것이다. 그러나, 도 4의 임프린팅 방법에서, 패터닝된 스탬프(100)는 굴곡 표면(10)으로의 피처들(122)의 패턴의 고품질 전사를 달성하기 위해 굴곡 표면(10)과 주의 깊게 정합되어야 하고, 반면에 도 5의 방법에서 이러한 정합 요건들은 패터닝된 스탬프(100)의 굴곡 표면이 평탄한 표면(10)의 형성에 매칭하지 않기 때문에 더욱 더 완화된다.
이러한 점에서, 도 4 및 도 5에서 임프린팅 단계들(b)이, 패터닝된 스탬프(100)와 (구부러진) 표면(10) 사이의 접촉을 더 개선하기 위해, 감소된 압력 하에서, 예를 들면, 진공 챔버(300)와 같은 진공 챔버에서 수행될 수 있다는 것이 주의된다.
도 4에 도시된 방법, 즉 이미 굴곡 표면상에 피처 패턴의 형성은, 굴곡들이 비교적 큰 치수들, 예를 들면 100 미크론 내지 수 센티미터를 넘는 치수들을 갖는 경우, 유용할 수 있다. 도 5에 도시된 방법은 레지스트 물질(18)로 형성된 굴곡들(12)의 수축의 양이 원하는 굴곡 표면(10)의 정확한 생성을 방지할 수 있기 때문에 이러한 치수들을 갖는 패터닝된 굴곡 표면들을 형성하기에 덜 적합할 수 있다. 그러나, 더 적은 굴곡 크기들, 예를 들면 1 내지 100 미크론의 범위 내 굴곡 크기들에 대하여, 도 5에 도시된 방법은 레지스트 물질(18)로 형성된 굴곡들(12)의 보통의 수축량 때문에 원하는 굴곡 표면들을 정확하게 생성하기 위해 사용될 수 있다.
이러한 점에서, 패터닝된 스탬프(100)의 프린팅 표면에서 굴곡들의 크기가 특별히 제한되지 않는 것이 주의된다. 굴곡들은 약 1 미크론 내지 센티미터 범위, 예를 들면, 1 ㎝ 넘는, 치수들의 범위의 치수들을 가질 수 있다. 더욱이, 패터닝된 스탬프(100)의 프린팅 표면에서 굴곡들의 치수들을 피처들(122)의 치수들로 나눈 것으로 규정된 비율은 특별히 제한되지 않고, 최소한 2 내지 최대한 1,000,000,000, 예를 들면, 5 내지 100,000,000 또는 50 내지 50,000,000의 범위에 있을 수 있다. 다시 말해서, 나노미터 크기의 피처들은 수 센티미터 내지 미터까지의 굴곡 치수들을 갖는 굴곡 표면들상에 임프린팅될 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 방법에 따라 형성된 패터닝된 스탬프(100)를 사용하여 도 4의 임프린팅 방법에 따라 임프린팅된 4 ㎜ 직경을 갖는 유리 구체의 한 쌍의 SEM 이미지들을 도시하고, 여기서 동일한 유리 구체는 굴곡 표면(10)으로서 사용된다. 상부 이미지는 89x 배율에서 결과의 구조를 도시하고 하부 이미지는 10,000x 배율에서 결과의 구조를 도시한다. 규칙적인 패턴이 무시해도 될 정도의 결함들을 갖는 유리 구체상에 생성되는 것이 도 6에서 쉽게 인식될 수 있다. 하부 이미지에서 유리 구체상에 인식될 수 있는 파편은 임프린팅 방법과 관련없는 유리 구체의 패터닝된 표면의 오염물이다.
상기 언급된 실시예들은 본 발명을 제한하기보다 예시하는 것이고, 당업자들은 첨부된 청구항들의 범위로부터 벗어나지 않고 많은 대안적인 실시예들을 설계할 수 있을 것임이 주의되어야 한다. 청구항들에서, 괄호들 사이에 배치된 임의의 참조 기호들은 청구항을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 단어 "포함하는"은 청구항에 나열된 것과 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다. 단수 단어는 복수의 그러한 요소들의 존재를 배제하지 않는다. 본 발명은 여러 개의 별개의 요소들을 포함하는 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 여러 수단을 열거하는 디바이스 청구항에서, 여러 개의 이들 수단은 하드웨어의 하나 및 동일한 항목에 의해 구현될 수 있다. 특정 측정치들이 상호 상이한 종속 청구항들에서 인용된다는 단순한 사실은 이들 측정치들의 조합이 이익을 얻기 위해 사용될 수 없다는 것을 나타내지 않는다.
10 : 표면 100 : 패터닝된 스탬프
120 : 가요성 스탬프 층 122 : 피처들
130 : 전구체 물질 층 140 :고무형 지지층
300 : 진공 챔버 310 : 하우징
312 : 뚜껑 314 : 진공 커넥터
322 : 스페이서들 324 : 샘플 홀더
326 : 클램프

Claims (14)

  1. 굴곡 표면(10)을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프(100)를 제작하는 방법에 있어서,
    양각 피처들(122)의 패턴을 갖는 가요성 스탬프 층(120)을 제공하는 단계;
    상기 양각 피처들의 상기 패턴이 상기 굴곡 표면을 마주하도록 상기 가요성 스탬프 층을 상기 굴곡 표면상에 압박하는 단계;
    상기 굴곡 표면상의 상기 가요성 스탬프 층 위에 유체 지지층(130)을 도포하는 단계;
    상기 패터닝된 스탬프를 형성하기 위해 지지층(140)을 응고시키는 단계; 및
    상기 굴곡 표면으로부터 상기 패터닝된 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 스탬프 층(120)을 상기 굴곡 표면(10)상에 압박하는 단계는:
    진공 챔버(300)에서 상기 굴곡 표면에 상기 가요성 스탬프 층을 배치하는 단계; 및
    상기 진공 챔버에서 압력을 감소시켜서 상기 가요성 스탬프 층을 상기 굴곡 표면상에 압박하는 단계를 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 응고 단계는 상기 가요성 스탬프 층(120)상에 상기 지지층(140)을 접합시키는 단계를 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가요성 스탬프 층(120) 및 상기 지지층(140)은 고무 물질을 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 고무 물질은 폴리다이메틸실록산과 같은 실록산계 물질인, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 피처들(122)은 의도된 치수들보다 큰 치수를 갖고, 상기 피처들은 상기 응고 단계 동안 상기 의도된 치수들로 수축되는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 굴곡 표면(10)상에 액체층과 같은 소프트 층을 도포하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 굴곡 표면상에 상기 가요성 스탬프 층(120)을 압박하는 단계는 상기 피처들(122)을 상기 소프트 층으로 압박하는 단계를 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가요성 스탬프 층(120)은 피처들(122)의 왜곡된 패턴을 포함하고, 상기 굴곡 표면(10)상에 상기 패터닝된 가요성 스탬프 층을 압박하는 단계는 상기 왜곡된 패턴을 의도된 패턴으로 변형시키는 단계를 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    강체 캐리어(160)상에 상기 패터닝된 스탬프(100)를 고정시키는 단계를 추가로 포함하는, 굴곡 표면을 패터닝하기 위한 패터닝된 스탬프를 제작하는 방법.
  10. 임프린트 리소그래피 프로세스에서 사용을 위한 패터닝된 스탬프(100)에 있어서,
    상기 패터닝된 스탬프는 양각 피처들(122)의 패턴을 갖는 굴곡 있는 스탬프 표면(120)을 포함하는 고무체를 포함하고, 상기 고무체는 지지층(140) 및 상기 지지층에 의해 지지된 제 1 층을 포함하고, 상기 제 1 층은 상기 양각 피처들의 패턴을 갖는 상기 굴곡 스탬프 표면을 포함하고, 상기 제 1 층(120)은 제 1 영률을 갖는 고무층이고, 상기 지지층(140)은 제 2 영률을 갖는 고무층이고, 상기 제 1 영률은 상기 제 2 영률보다 큰, 패터닝된 스탬프.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 상기 지지층은 각각 PDMS 층들인, 패터닝된 스탬프.
  12. 수용 표면상에 패터닝된 굴곡 표면(10)을 형성하는 임프린트 리소그래피 방법에 있어서:
    상기 수용 표면 위에 패턴 전구체 층(14)을 제공하는 단계;
    제 10 항 또는 제 11 항에 따른 패터닝된 스탬프(100)로 상기 패턴 전구체 층을 임프린트하는 단계;
    상기 패턴 전구체 층을 패턴 층(16, 18)으로 현상하는 단계; 및
    상기 현상된 패턴 층으로부터 상기 패터닝된 스탬프를 제거하는 단계를 포함하는, 임프린트 리소그래피 방법.
  13. 삭제
  14. 임프린트 리소그래피를 위해 제 10 항 또는 제 11 항의 패터닝된 스탬프의 사용.
KR1020167004296A 2013-07-22 2014-07-22 패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품 KR102209564B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13177413.5 2013-07-22
EP13177413 2013-07-22
PCT/EP2014/065656 WO2015011110A1 (en) 2013-07-22 2014-07-22 Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp imprinting method and imprinted article

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160034363A KR20160034363A (ko) 2016-03-29
KR102209564B1 true KR102209564B1 (ko) 2021-02-02

Family

ID=48906098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167004296A KR102209564B1 (ko) 2013-07-22 2014-07-22 패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품

Country Status (9)

Country Link
US (2) US9908358B2 (ko)
EP (1) EP3025195B1 (ko)
JP (1) JP6356798B2 (ko)
KR (1) KR102209564B1 (ko)
CN (1) CN105378563B (ko)
RU (1) RU2671324C2 (ko)
TR (1) TR201909168T4 (ko)
TW (1) TWI665078B (ko)
WO (1) WO2015011110A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107111226B (zh) 2014-12-22 2021-04-13 皇家飞利浦有限公司 图案化印模制造方法、图案化印模和压印方法
JP6565321B2 (ja) * 2015-05-18 2019-08-28 凸版印刷株式会社 積層構造体、これを用いた有機ｅｌ素子、およびこれらの製造方法
WO2018019971A1 (en) * 2016-07-27 2018-02-01 Koninklijke Philips N.V. Polyorganosiloxane-based stamp manufacturing method, polyorganosiloxane-based stamp, use of the same for a printing process, and an imprinting method using the same
US10035296B2 (en) * 2016-10-13 2018-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Methods for controlling spread of imprint material
CN106626831B (zh) * 2016-12-28 2022-12-27 临沂市名涛新型材料有限公司 一种在球形面或弧形凹陷面使用的印刷装置及其应用
EP4010168A4 (en) * 2019-08-07 2023-12-06 Entrust Corporation TAPE INPRESSOR/EMPRESSOR FOR PLASTIC CARDS

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080202673A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Stephen Forrest System and method for depositing thin layers on non-planar substrates by stamping
US20090004320A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. Imprinting stamper and method of manufacturing the same
US20090025595A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Nano Terra Inc. Contact Printing Method Using an Elastomeric Stamp Having a Variable Surface Area and Variable Shape
US20100109203A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Nanjing University Flexible nanoimprint mold, method for fabricating the same, and mold usage on planar and curved substrate
US20110094403A1 (en) 2008-06-02 2011-04-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Silicone rubber material for soft lithography

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2994266A (en) 1959-03-09 1961-08-01 American Optical Corp Hand stamps
SU889468A1 (ru) * 1980-04-07 1981-12-15 Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Резинотехничнского Машиностроения Пресс-форма дл вулканизации резинокордных оболочек
JPH05200757A (ja) * 1992-01-30 1993-08-10 Canon Inc フレキシブルスタンパー、ロール状スタンパー、および光情報記録媒体用基板の製造方法
JP3482115B2 (ja) * 1997-10-13 2003-12-22 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
DE19819463B4 (de) * 1998-04-30 2004-03-25 Siemens Ag Antriebsstrangsteuerung eines Kraftfahrzeuges
GB9811634D0 (en) * 1998-05-29 1998-07-29 Unilever Plc Stamping dies
JP3941604B2 (ja) 2002-06-26 2007-07-04 富士ゼロックス株式会社 マイクロレンズアレーの製造方法、それに用いる電解液およびマイクロレンズアレー樹脂材料、ならびに原盤製造装置
US7195733B2 (en) 2004-04-27 2007-03-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
BRPI0515058A (pt) * 2004-09-08 2008-07-01 Nil Technology Aps selo por nanoimpressão e método para imprimir um padrão litográfico em um substrato receptor
EP1789848B1 (en) 2004-09-08 2010-06-30 NIL Technology APS A flexible nano-imprint stamp
US20060144262A1 (en) * 2005-01-03 2006-07-06 Ji-Sung Koong Marking apparatus for golf ball and stamp for thereof
CN2822970Y (zh) * 2005-09-28 2006-10-04 蔡碧云 美甲印章
US8318253B2 (en) 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
CN101221358A (zh) * 2008-02-04 2008-07-16 哈尔滨工业大学 基于柔性紫外压模的曲面基底多相位微光学元件加工方法
JP2011062978A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp インプリント方法に用いる剥離板、モールド構造体及びインプリント方法
JP2013004669A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Toshiba Corp パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080202673A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Stephen Forrest System and method for depositing thin layers on non-planar substrates by stamping
US20090004320A1 (en) 2007-06-29 2009-01-01 Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. Imprinting stamper and method of manufacturing the same
US20090025595A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Nano Terra Inc. Contact Printing Method Using an Elastomeric Stamp Having a Variable Surface Area and Variable Shape
US20110094403A1 (en) 2008-06-02 2011-04-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Silicone rubber material for soft lithography
US20100109203A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Nanjing University Flexible nanoimprint mold, method for fabricating the same, and mold usage on planar and curved substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20160152064A1 (en) 2016-06-02
WO2015011110A1 (en) 2015-01-29
JP2016527720A (ja) 2016-09-08
EP3025195A1 (en) 2016-06-01
RU2671324C2 (ru) 2018-10-30
CN105378563A (zh) 2016-03-02
TWI665078B (zh) 2019-07-11
JP6356798B2 (ja) 2018-07-11
TW201518067A (zh) 2015-05-16
CN105378563B (zh) 2020-07-14
US20180141366A1 (en) 2018-05-24
US11453232B2 (en) 2022-09-27
KR20160034363A (ko) 2016-03-29
US9908358B2 (en) 2018-03-06
TR201909168T4 (tr) 2019-07-22
RU2016105665A (ru) 2017-08-29
RU2016105665A3 (ko) 2018-05-08
EP3025195B1 (en) 2019-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102209564B1 (ko) 패터닝된 스탬프 제작 방법, 패터닝된 스탬프 임프린팅 방법 및 임프린트된 물품
RU2695290C2 (ru) Способ изготовления штампа с рисунком, штамп с рисунком и способ отпечатывания
KR101185613B1 (ko) 소프트 리소그래피용 복합 패터닝 장치
CN101036086B (zh) 挠性纳米压印模板
KR20090077836A (ko) 잉크 리소그래피에 의한 패턴 형성을 위한 장치 및 방법
Chidambaram et al. High fidelity 3D thermal nanoimprint with UV curable polydimethyl siloxane stamps
US20100052216A1 (en) Nano imprint lithography using an elastic roller
CN106030756A (zh) 用于局部区域压印的非对称模板形状调节
KR20130073890A (ko) 나노임프린트 리소그래피를 위한 기판/주형의 분리 제어
JP2009190300A (ja) インプリント法
CN110546454B (zh) 制造用于材料监测的智能光子结构的方法
US20240157607A1 (en) Nanocomposite mold for thermal nanoimprinting and method for producing the same
JP2017084900A (ja) フィルムモールド及びインプリント方法
CN112526660B (zh) 在弯曲表面上制造纳米光栅的方法、光学器件及电子设备
KR20200038863A (ko) 광학 부품의 만곡 표면 상에 (서브)마이크로 구조를 생성하기 위한 방법 및 광학 부품
CN112074784B (zh) 用于制造无接缝的大面积压印的方法和设备
CN112074784A (zh) 用于制造无接缝的大面积压印的方法和设备

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant