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KR102197936B1 - Curable resin composition, cured film, light emitting element, wavelength conversion film, and method for forming light emitting layer - Google Patents

Curable resin composition, cured film, light emitting element, wavelength conversion film, and method for forming light emitting layer Download PDF

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KR102197936B1
KR102197936B1 KR1020140076424A KR20140076424A KR102197936B1 KR 102197936 B1 KR102197936 B1 KR 102197936B1 KR 1020140076424 A KR1020140076424 A KR 1020140076424A KR 20140076424 A KR20140076424 A KR 20140076424A KR 102197936 B1 KR102197936 B1 KR 102197936B1
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curable resin
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 반도체 양자 도트를 포함하고, 형광 특성이 우수한 고신뢰성의 경화막을 간편하게 형성할 수 있는 경화성 수지 조성물을 제공하고, 경화막을 제공하며, 발광 소자, 파장 변환 필름 및 발광층의 형성 방법을 제공한다.
(해결 수단) [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물, [B] 반도체 양자 도트 및, [C] 탄화수소계 용제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 형성한다. 이 경화성 수지 조성물을 이용하여, 기판(12) 상에 경화막을 형성한다. 이 경화막은 파장 변환 필름이 되고, 이것을 발광층(13)으로서 이용하여, 파장 변환 기판(11)을 형성한다. 광원(17)을 구비한 광원 기판(18)과 조합하여, 발광 표시 소자(100)를 구성한다. (Task) To provide a curable resin composition that can easily form a highly reliable cured film including semiconductor quantum dots and excellent in fluorescence properties, provides a cured film, and provides a light emitting device, a wavelength conversion film, and a method of forming a light emitting layer. .
(Solution means) [A] A curable resin composition containing a compound having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule, [B] semiconductor quantum dots, and [C] a hydrocarbon-based solvent is formed. Using this curable resin composition, a cured film is formed on the substrate 12. This cured film becomes a wavelength conversion film, and uses this as the light emitting layer 13 to form the wavelength conversion substrate 11. In combination with the light source substrate 18 provided with the light source 17, the light emitting display device 100 is formed.

Description

경화성 수지 조성물, 경화막, 발광 소자, 파장 변환 필름 및 발광층의 형성 방법 {CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, LIGHT EMITTING ELEMENT, WAVELENGTH CONVERSION FILM, AND METHOD FOR FORMING LIGHT EMITTING LAYER}Curable resin composition, cured film, light emitting element, wavelength conversion film, and method of forming light emitting layer {CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, LIGHT EMITTING ELEMENT, WAVELENGTH CONVERSION FILM, AND METHOD FOR FORMING LIGHT EMITTING LAYER}

본 발명은, 경화성 수지 조성물, 경화막, 발광 소자, 파장 변환 필름 및 발광층의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a curable resin composition, a cured film, a light-emitting element, a wavelength conversion film, and a method for forming a light-emitting layer.

전자를 가두기 위해 형성된 극소한 알갱이(도트)가, 양자 도트라고 칭해지며, 최근 주목을 끌고 있다. 1알갱이의 양자 도트의 크기는, 직경 수 나노미터로부터 수 10나노미터이며, 약 1만개의 원자로 구성되어 있다.Tiny grains (dots) formed to trap electrons are called quantum dots, and have recently attracted attention. The size of a single quantum dot ranges from several nanometers to tens of nanometers in diameter, and consists of about 10,000 atoms.

양자 도트는, 태양 전지 패널의 반도체의 박막 중에 분산시키면, 에너지 변환 효율을 대폭으로 향상시킬 수 있는 점에서 태양 전지로의 적용이 검토되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 또한, 양자 도트의 사이즈를 바꿈(밴드 갭을 바꿈)으로써, 발광하는 형광의 색(발광 파장)을 바꾸는 것(파장 변환)을 할 수 있기 때문에, 바이오 연구에 있어서의 형광 프로브(비특허문헌 1을 참조)나, 파장 변환 재료로서의 표시 소자로의 적용(특허문헌 2 및 특허문헌 3을 참조)이 검토되고 있다.When quantum dots are dispersed in a thin film of a semiconductor of a solar panel, energy conversion efficiency can be significantly improved, and application to a solar cell is being studied (for example, refer to Patent Document 1). In addition, by changing the size of the quantum dot (changing the band gap), it is possible to change the color (light emission wavelength) of the emitted fluorescence (wavelength conversion), and therefore, a fluorescence probe in bio research (Non-Patent Document 1) ) And application to a display element as a wavelength conversion material (refer to Patent Document 2 and Patent Document 3) are being studied.

일본공개특허공보 2006-216560호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-216560 일본공개특허공보 2008-112154호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-112154 일본공개특허공보 2009-251129호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-251129

가미타카, 「반도체 양자 도트, 그의 합성법과 생명 과학으로의 응용」, 생산과 기술, 제63권, 제2호, 2011년, p58∼p65 Kamitaka, 「Semiconductor Quantum Dot, Synthesis Method and Application to Life Science」, Production and Technology, Vol. 63, No. 2, 2011, p58-p65

비특허문헌 1이나 특허문헌 1의 실시예에 나타나는 바와 같이, 대표적인 양자 도트는, Ⅱ-Ⅴ족의 반도체의 CdSe(셀렌화 카드뮴), CdTe(텔루르화 카드뮴) 및 PbS 등으로 이루어지는 반도체 양자 도트이다.As shown in the examples of Non-Patent Literature 1 and Patent Literature 1, typical quantum dots are semiconductor quantum dots made of CdSe (cadmium selenide), CdTe (cadmium telluride), PbS, etc. of group II-V semiconductor .

그러나, 예를 들면, 주성분인 납(Pb)은, 독성으로의 우려가 잘 알려진 재료이다. 또한, 카드뮴(Cd)과 그의 화합물은, 저농도에서도 매우 강한 독성을 나타내고, 신장 기능 장해나 발암성이 우려되는 재료이다. 따라서, 보다 안전한 재료로 이루어지는 반도체 양자 도트의 형성이 요구되고 있다.However, for example, lead (Pb), which is a main component, is a material well known for its toxicity. In addition, cadmium (Cd) and its compounds exhibit very strong toxicity even at low concentrations, and are materials that are concerned about kidney function impairment and carcinogenicity. Therefore, formation of semiconductor quantum dots made of a safer material is required.

또한, 반도체 양자 도트를 태양 전지 패널이나 표시 소자의 디스플레이 등에 적용하고자 하는 경우, 그 형광 발광을 이용하기 때문에, 입자 형태의 반도체 양자 도트로 이루어지는 막이나 층의 형성이 요구되는 경우가 있다. 즉, 형광 발광을 나타내는, 파장 변환막(파장 변환 필름) 또는 발광층의 형성이 요구되는 경우가 있다.In addition, when a semiconductor quantum dot is to be applied to a solar panel or a display of a display device, since the fluorescence emission is used, it is sometimes required to form a film or layer made of semiconductor quantum dots in the form of particles. That is, there are cases where formation of a wavelength conversion film (wavelength conversion film) or a light emitting layer that exhibits fluorescence emission is required.

입자 형태의 반도체 양자 도트를 이용한 발광층의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 특허문헌 1의 실시예나 특허문헌 2에 나타나는 바와 같이, 적당한 기판 상에, 직접, 반도체 양자 도트로 이루어지는 층을 형성하는 방법이 알려져 있다. 그러나, 이러한 형성 방법으로는, 얻어지는 발광층의 안정성이 부족하다. 특히, 반도체 양자 도트로 이루어지는 층과 기판과의 결착성에 우려가 있다.As a method of forming a light emitting layer using a particle-shaped semiconductor quantum dot, for example, as shown in the example of Patent Document 1 or Patent Document 2, a method of directly forming a layer of semiconductor quantum dots on a suitable substrate is used. Is known. However, with such a formation method, the stability of the resulting light emitting layer is insufficient. In particular, there is a concern about binding properties between a layer made of semiconductor quantum dots and a substrate.

그래서, 입자 형태의 반도체 양자 도트를 수지 재료 중에 혼합 또는 매입하여, 층 또는 막을 구성하는 방법이 제안되고 있다. 그러나, 반도체 양자 도트를 이용하고, 높은 분산성을 실현하여 반도체 양자 도트로서의 형광 특성을 유지하면서, 수지와 함께 층이나 막의 형성을 행하는 방법은 충분한 검토가 이루어져 있지 않다.Therefore, a method of forming a layer or film by mixing or embedding particle-shaped semiconductor quantum dots in a resin material has been proposed. However, a method of forming a layer or film together with a resin while using a semiconductor quantum dot to achieve high dispersibility and maintaining the fluorescence characteristic as a semiconductor quantum dot has not been sufficiently studied.

그 때문에, 반도체 양자 도트를 수지 재료와 함께 이용하고, 높은 분산성을 실현하여 반도체 양자 도트의 형광 발광 특성을 저하시키는 일 없이, 반도체 양자 도트의 층 또는 막을 형성하고, 고신뢰성의 발광층 또는 파장 변환 필름을 형성하는 기술이 요구되고 있다. 특히, 반도체 양자 도트와 함께 이용되고, 반도체 양자 도트나 수지로 이루어지는 발광층이나 파장 변환 필름의 형성에 적합한 수지 재료가 요구되고 있다.Therefore, a semiconductor quantum dot is used together with a resin material to achieve high dispersibility, thereby forming a layer or film of a semiconductor quantum dot without deteriorating the fluorescence emission characteristics of the semiconductor quantum dot, and a highly reliable light emitting layer or wavelength conversion There is a demand for a technology to form a film. In particular, a resin material suitable for forming a light emitting layer or a wavelength conversion film made of semiconductor quantum dots or resins and used together with semiconductor quantum dots is required.

그 경우, 수지 재료는, 특히, 안전한 재료로 이루어지는 반도체 양자 도트와 함께 이용되고, 발광층이나 파장 변환 필름의 형성에 적합한 것이 바람직하다.In that case, the resin material is particularly preferably used together with semiconductor quantum dots made of a safe material, and suitable for formation of a light emitting layer or a wavelength conversion film.

또한, 반도체 양자 도트와 수지 재료로 이루어지는 발광층이나 파장 변환 필름은, 간편한 형성이 가능하고, 높은 생산성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 그 반도체 양자 도트와 수지 재료로 이루어지는 발광층이나 파장 변환 필름의 형성에는, 예를 들면, 도포 등의 간편한 형성 방법을 이용할 수 있는 것이 바람직하다. 그리고, 그 발광층이나 파장 변환 필름은, 예를 들면, 반도체 양자 도트와 수지 성분을 포함하는 액상의 수지 조성물로부터, 도포 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the light emitting layer or the wavelength conversion film made of a semiconductor quantum dot and a resin material can be formed simply and have high productivity. Therefore, it is preferable that a simple forming method such as coating can be used to form a light emitting layer or a wavelength conversion film made of the semiconductor quantum dot and a resin material. And, it is preferable that the light emitting layer and the wavelength conversion film can be formed from, for example, a liquid resin composition containing a semiconductor quantum dot and a resin component by a method such as coating.

그 때문에, 반도체 양자 도트와 수지 성분을 포함하여 조제되고, 도포 등의 방법의 이용에 의해, 발광층이나 파장 변환 필름을 형성할 수 있는 수지 조성물이 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for a resin composition prepared including a semiconductor quantum dot and a resin component and capable of forming a light emitting layer or a wavelength conversion film by use of a method such as coating.

그리고 또한, 그 수지 조성물은, 우수한 패터닝성을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 발광층이나 파장 변환 필름을 형성하는 수지 조성물은, 예를 들면, 발광 표시 소자 등의 발광 소자의 구성에 적합하게 이용할 수 있도록, 패터닝이 가능한 것이 바람직하다. 그 경우, 패터닝된 발광층이나 파장 변환 필름의 형성은, 예를 들면, 포토리소그래피법 등의 이용이 가능하고, 간편하게 실현할 수 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the resin composition has excellent patterning property. That is, it is preferable that the resin composition for forming the light-emitting layer or the wavelength conversion film can be patterned so that it can be suitably used for the configuration of a light-emitting element such as a light-emitting display element. In that case, it is preferable that the patterned light emitting layer or the wavelength conversion film can be formed by using, for example, a photolithography method, and that it can be realized simply.

그 때문에, 포토리소그래피법 등의 공지의 패터닝 방법을 이용하여, 패터닝된 발광층이나 파장 변환 필름을 간편하게 형성할 수 있는 감방사선성의 경화성 수지 조성물이 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for a radiation-sensitive curable resin composition capable of simply forming a patterned light-emitting layer or a wavelength conversion film using a known patterning method such as a photolithography method.

본 발명은, 이상과 같은 문제를 감안하여 이루어진 것이다. 즉, 본 발명의 목적은, 반도체 양자 도트를 포함하고, 형광 특성이 우수한 고신뢰성의 경화막을 간편하게 형성할 수 있는 경화성 수지 조성물을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above problems. That is, it is an object of the present invention to provide a curable resin composition comprising semiconductor quantum dots and capable of easily forming a highly reliable cured film having excellent fluorescence properties.

또한, 본 발명의 목적은, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되고, 형광 특성이 우수하고, 높은 신뢰성을 갖는 경화막을 제공하는 것에 있다.Further, an object of the present invention is to provide a cured film formed using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots, excellent in fluorescence properties, and having high reliability.

또한, 본 발명의 목적은, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 발광층을 갖는 발광 소자를 제공하는 것에 있다.It is also an object of the present invention to provide a light emitting device having a light emitting layer formed using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots.

또한, 본 발명의 목적은, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되고, 형광 특성이 우수하고, 높은 신뢰성을 갖는 파장 변환 필름을 제공하는 것에 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a wavelength conversion film formed by using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots, excellent in fluorescence properties, and having high reliability.

또한, 본 발명의 목적은, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용한 발광층의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of forming a light emitting layer using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots.

본 발명의 기타 목적 및 이점은, 이하의 기재로부터 명백해질 것이다. Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명의 제1 태양(態樣)은,The first aspect of the present invention,

[A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물,[A] a compound having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule,

[B] 반도체 양자 도트 및,[B] semiconductor quantum dots and,

[C] 탄화수소계 용제[C] Hydrocarbon solvent

를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물에 관한 것이다.It relates to a curable resin composition characterized in that it contains.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 추가로 산소 원자 함유 유기 용제를 함유하는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable to further contain an oxygen atom-containing organic solvent.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 추가로 [D] 중합성 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable to further contain a [D] polymerizable initiator.

본 발명의 제1 태양에 있어서, [D] 중합성 개시제가, 탄소수 1∼20의 탄화수소기를 함유하는 중합성 개시제인 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable that the [D] polymerizable initiator is a polymerizable initiator containing a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 추가로 [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체를 함유하는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable to further contain a polymer having a [E] carboxyl group having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less.

본 발명 제1 태양에 있어서, [B] 반도체 양자 도트가, 2족 원소, 11족 원소, 12족 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소 및 16족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2종의 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, [B] the semiconductor quantum dot is at least selected from the group consisting of a group 2 element, a group 11 element, a group 12 element, a group 13 element, a group 14 element, a group 15 element, and a group 16 element. It is preferably composed of a compound containing two kinds of elements.

본 발명의 제1 태양에 있어서, [B] 반도체 양자 도트가, In을 구성 성분으로서 포함하는 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable that the semiconductor quantum dot [B] is made of a compound containing In as a constituent component.

본 발명의 제1 태양에 있어서, [B] 반도체 양자 도트가, InP/ZnS 화합물, CuInS2/ZnS 화합물, AgInS2 화합물, (ZnS/AgInS2) 고용체(solid solution)/ZnS 화합물, Zn 도핑된 AgInS2 화합물 및 Si 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, [B] semiconductor quantum dots are InP/ZnS compound, CuInS 2 /ZnS compound, AgInS 2 compound, (ZnS/AgInS 2 ) solid solution/ZnS compound, Zn-doped It is preferable that it is at least 1 type selected from the group consisting of AgInS 2 compound and Si compound.

본 발명의 제1 태양에 있어서, 상기 [A] 화합물이, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물 및 하기식 (3)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물인 것이 바람직하다:In the first aspect of the present invention, the compound [A] is at least one selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3). It is preferred that it is a compound of:

Figure 112014058405719-pat00001
Figure 112014058405719-pat00001

(식 (1) 중, X는 식 (5)로 나타나는 2가의 기, 또는 탄소수 5∼20의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 식 (5) 중, n은 2∼20의 정수를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고;(In formula (1), X represents a divalent group represented by formula (5) or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, and in formula (5), n represents an integer of 2 to 20; Y Represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group;

식 (2) 중, R2는 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타내고;In formula (2), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, m represents an integer of 0 to 4;

식 (3) 중, R3은 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타냄).In formula (3), R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, and m represents an integer of 0-4).

본 발명의 제2 태양은, 본 발명의 제1 태양의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 경화막에 관한 것이다.A second aspect of the present invention relates to a cured film formed using the curable resin composition of the first aspect of the present invention.

본 발명의 제3 태양은, 본 발명의 제1 태양의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 발광층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자에 관한 것이다.A third aspect of the present invention relates to a light-emitting element having a light-emitting layer formed using the curable resin composition of the first aspect of the present invention.

본 발명의 제4 태양은, 본 발명의 제1 태양의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 파장 변환 필름에 관한 것이다.The fourth aspect of the present invention relates to a wavelength conversion film formed using the curable resin composition of the first aspect of the present invention.

본 발명의 제5 태양은, 발광 소자의 발광층의 형성 방법으로서,A fifth aspect of the present invention is a method of forming a light emitting layer of a light emitting element,

(1) 본 발명의 제1 태양의 경화성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the curable resin composition of the first aspect of the present invention on a substrate,

(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1) with radiation,

(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) the step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and

(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광층의 형성 방법에 관한 것이다.(4) It relates to a method for forming a light-emitting layer, comprising a step of exposing the coating film developed in step (3).

본 발명의 제1 태양에 의하면, 반도체 양자 도트를 포함하고, 형광 특성이 우수한 고신뢰성의 경화막을 간편하게 형성할 수 있는 경화성 수지 조성물이 제공된다.According to the first aspect of the present invention, there is provided a curable resin composition comprising semiconductor quantum dots and capable of easily forming a highly reliable cured film having excellent fluorescence properties.

또한, 본 발명의 제2 태양에 의하면, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되고, 형광 특성이 우수하고, 높은 신뢰성을 갖는 경화막이 제공된다.Further, according to the second aspect of the present invention, a cured film formed using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots, excellent in fluorescence characteristics, and having high reliability is provided.

또한, 본 발명의 제3 태양에 의하면, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 발광층을 갖는 발광 소자가 제공된다.Further, according to the third aspect of the present invention, there is provided a light emitting element having a light emitting layer formed using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots.

또한, 본 발명의 제4 태양에 의하면, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성되고, 형광 특성이 우수하고, 높은 신뢰성을 갖는 파장 변환 필름을 제공하는 것이다.Further, according to the fourth aspect of the present invention, it is to provide a wavelength conversion film formed using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots, excellent in fluorescence properties, and having high reliability.

또한, 본 발명의 제5 태양에 의하면, 반도체 양자 도트를 포함하는 경화성 수지 조성물을 이용한, 발광 소자의 발광층의 형성 방법이 제공된다.Further, according to the fifth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a light emitting layer of a light emitting element using a curable resin composition containing semiconductor quantum dots.

도 1은 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 도막 형성 공정을 설명하는 기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 방사선 조사 공정을 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 현상 공정을 설명하는 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 경화 공정을 설명하는 경화막 및 기판의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 형태의 발광 표시 소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate for explaining a coating film forming step in forming a cured film according to a second embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a radiation irradiation step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a substrate for explaining a developing step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a cured film and a substrate explaining a curing step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for carrying out the invention)

본 발명의 경화성 수지 조성물은, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 중량 평균 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물, 즉, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 중량 평균 분자량이 150∼10000인 화합물(이하, 단순히 [A] 성분이라고도 함), [B] 반도체 양자 도트(이하, 단순히 [B] 성분이라고도 함) 및, [C] 탄화수소계 용제(이하, 단순히 [C] 성분이라고도 함)를 함유하여 이루어지는 경화성의 수지 조성물이다.The curable resin composition of the present invention, [A] a compound having a weight average molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups per molecule, that is, [A] a weight average molecular weight having two or more polymerizable groups per molecule 150 to 10,000 compounds (hereinafter, simply referred to as component [A]), [B] semiconductor quantum dots (hereinafter, simply referred to as component [B]), and [C] hydrocarbon-based solvent (hereinafter, simply referred to as component [C] It is a curable resin composition containing).

본 발명의 경화성 수지 조성물은, [C] 탄화수소계 용제를 함유하고, 도포 등의 간편한 막이나 층의 형성 방법에 적합한 액상의 수지 조성물이 된다.The curable resin composition of the present invention contains a [C] hydrocarbon-based solvent, and becomes a liquid resin composition suitable for a simple film or layer formation method such as coating.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, [A] 성분과 함께 [B] 반도체 양자 도트를 함유하지만, [C] 탄화수소계 용제를 함유함으로써, [B] 반도체 양자 도트의 양호한 분산 상태를 실현할 수 있다.The curable resin composition of the present invention contains the [B] semiconductor quantum dots together with the [A] component, but by containing the [C] hydrocarbon-based solvent, a satisfactory dispersion state of the [B] semiconductor quantum dots can be realized.

[B] 반도체 양자 도트는, 높은 극성의 용제 중에서는 응집하는 경향이 있어, 양호한 분산 상태를 실현하는 것이 어렵다. [B] 반도체 양자 도트에 있어서, 응집은, 양자 도트로서의 특성을 손상시키게 된다. 그 한편으로, [B] 반도체 양자 도트는, 낮은 극성의 용제 중에서는 양호한 분산 상태를 실현하기 쉬운 경향을 갖는다. 그 때문에, 본 발명의 경화성 수지 조성물에서는, [C] 성분으로서 낮은 극성을 실현하는 것이 가능한 탄화수소계 용제를 함유한다. 그리고, 수지 성분으로서는, [C] 탄화수소계 용제에 용해, 또는, 분산을 시키는 데에 적합한 것이 선택된다. 보다 구체적으로는, [C] 탄화수소계 용제에 용해, 또는, 분산을 시키는 데에 적합한, [A] 성분이 선택되어 함유된다.[B] The semiconductor quantum dots tend to aggregate in a solvent of high polarity, and it is difficult to realize a good dispersion state. [B] In semiconductor quantum dots, aggregation impairs properties as quantum dots. On the other hand, the semiconductor quantum dot [B] tends to easily realize a good dispersion state in a low polarity solvent. Therefore, the curable resin composition of the present invention contains a hydrocarbon-based solvent capable of realizing low polarity as the component [C]. And, as the resin component, one suitable for dissolving or dispersing in a [C] hydrocarbon-based solvent is selected. More specifically, [C] component [A] suitable for dissolving or dispersing in a hydrocarbon-based solvent is selected and contained.

그 결과, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, [B] 반도체 양자 도트의 양호한 분산 상태가 실현된 액상의 수지 조성물을 형성할 수 있다. 그리고, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 도포 등의 간편한 형성 방법을 이용하여, [B] 반도체 양자 도트의 분산된 층이나 막을 형성할 수 있다.As a result, the curable resin composition of the present invention can form a liquid resin composition in which a good dispersion state of the semiconductor quantum dots [B] is realized. In addition, the curable resin composition of the present invention can form a dispersed layer or film of [B] semiconductor quantum dots by using a simple forming method such as coating.

또한, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 감방사선성을 가질 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, [D] 중합성 개시제(이하, 단순히 [D] 성분이라고도 함), [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체(이하, 단순히 [E] 성분이라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다. 그리고, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 그 감방사선성에 기초하여, 예를 들면, 포토리소그래피법 등을 이용한 패터닝이 가능하다.In addition, the curable resin composition of the present invention may have radiation-sensitive properties. Therefore, the curable resin composition of the present invention is a polymer having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less having a [D] polymerizable initiator (hereinafter, simply referred to as a component [D]) and [E] carboxyl groups (hereinafter, simply [E ] It is preferable to contain a component). In addition, the curable resin composition of the present invention can be patterned using, for example, a photolithography method, based on its radiation-sensitive properties.

또한, 본 발명에 있어서, 노광시에 있어서 조사되는 「방사선」에는, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선 및 하전 입자선 등이 포함된다.In addition, in the present invention, the "radiation" irradiated at the time of exposure includes visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X rays, and charged particle rays.

또한, 포토리소그래피법에는, 가공이나 처리를 받는 기판의 표면에, 소위 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트막을 형성하는 공정, 빛이나 전자선을 조사하여 소정의 레지스트 패턴을 노광함으로써 레지스트 패턴 잠상을 형성하는 노광 공정, 필요에 따라서 가열 처리하는 공정, 이어서 이것을 현상하여 소망하는 미세 패턴을 형성하는 현상 공정 및, 이 미세 패턴을 마스크로 하여 기판에 대하여 에칭 등의 가공을 행하는 공정 등이 포함된다.In addition, in the photolithography method, a process of forming a resist film by applying a so-called resist composition to the surface of a substrate subjected to processing or treatment, and an exposure process of forming a resist pattern latent image by exposing a predetermined resist pattern by irradiation with light or electron beams. , A process of heat treatment as necessary, a development process of subsequently developing this to form a desired fine pattern, and a process of performing processing such as etching on the substrate using this micropattern as a mask.

그리고, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 필요한 경우에 패터닝이 시행되어, 본 발명의 경화막을 형성한다. 본 발명의 경화막은, 수지 중에 [B] 반도체 양자 도트가 포함되어 구성된다.Then, the curable resin composition of the present invention is patterned when necessary to form the cured film of the present invention. The cured film of the present invention is constituted by containing semiconductor quantum dots [B] in resin.

그리고, 본 발명의 경화막은, [B] 반도체 양자 도트에 기초하는 형광 발광(파장 변환) 기능을 갖는다. 그 때문에, 여기광과 상이한 파장의 형광을 발광하는 파장 변환 필름이나 발광층으로서의 이용이 가능하다.And the cured film of this invention has the function of fluorescence emission (wavelength conversion) based on the [B] semiconductor quantum dot. Therefore, it can be used as a wavelength conversion film or a light emitting layer that emits fluorescence of a wavelength different from that of the excitation light.

특히, 본 발명의 경화막은, 발광 소자의 발광층으로서의 이용에 적합하며, 후술하는 본 발명의 발광 소자의 구성에 이용할 수 있다.In particular, the cured film of the present invention is suitable for use as a light-emitting layer of a light-emitting element, and can be used for the configuration of the light-emitting element of the present invention described later.

이하, 본 발명의 경화성 수지 조성물, 경화막, 발광 소자, 파장 변환 필름 및, 발광층의 형성 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method of forming the curable resin composition, cured film, light-emitting element, wavelength conversion film, and light-emitting layer of the present invention will be described.

실시 형태 1.Embodiment 1.

＜경화성 수지 조성물＞<curable resin composition>

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 전술한 바와 같이, [A] 성분, [B] 반도체 양자 도트 및, [C] 탄화수소계 용제를 필수의 성분으로서 함유한다.As described above, the curable resin composition of the first embodiment of the present invention contains a component [A], a semiconductor quantum dot [B], and a hydrocarbon-based solvent [C] as essential components.

[C] 탄화수소계 용제를 함유함으로써, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, [B] 반도체 양자 도트의 양호한 분산 상태가 실현된 액상의 수지 조성물을 형성할 수 있다. 그리고, 수지 성분인 [A] 성분으로서는, [C] 탄화수소계 용제와 함께 이용되고, 용해 또는 분산이 가능한 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 중량 평균 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물 중에서 선택된다.By containing the [C] hydrocarbon-based solvent, the curable resin composition of the present invention can form a liquid resin composition in which a good dispersion state of the semiconductor quantum dots [B] is realized. And, as the component [A] which is a resin component, it is selected from compounds having a weight average molecular weight of 150 or more and 10000 or less, which is used together with a hydrocarbon-based solvent [C] and has two or more polymerizable groups in one molecule capable of being dissolved or dispersed.

본 발명의 경화성 수지 조성물은, 도포 등의 방법을 이용하여, [B] 반도체 양자 도트를 함유하여 우수한 형광 발광(파장 변환) 기능(이하, 단순히, 형광성 또는 형광 특성 등이라고도 함)을 구비한 본 발명의 실시 형태의 경화막을 형성할 수 있다.The curable resin composition of the present invention comprises a semiconductor quantum dot [B] and has excellent fluorescence emission (wavelength conversion) function (hereinafter, simply referred to as fluorescence or fluorescence properties) using a method such as coating. The cured film of the embodiment of the invention can be formed.

또한, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 감방사선성을 가질 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 또한, [D] 중합성 개시제를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 추가로, [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체를 함유하는 것이 바람직하다.In addition, the curable resin composition of the present invention may have radiation-sensitive properties. Therefore, it is preferable that the curable resin composition of the present invention further contains the [D] polymerizable initiator, and furthermore, [E] preferably contains a polymer having a carboxyl group having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less. Do.

그리고, 본 발명의 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 후술하는 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다.In addition, the curable resin composition of the present invention may contain other optional components described later as long as the effect of the present invention is not impaired.

이하에서, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물의 함유 성분에 대해서 설명한다.Hereinafter, the components contained in the curable resin composition of the first embodiment of the present invention will be described.

[[A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물][[A] A compound having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물을 함유한다.The curable resin composition of the first embodiment of the present invention contains a compound having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule of [A].

[A] 성분의 중합성기로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 옥시라닐기, 옥세타닐기를 들 수 있다. 이들 중, 특히 (메타)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the polymerizable group of the component [A] include a (meth)acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group, and an oxetanyl group. Among these, a (meth)acryloyl group is particularly preferred.

[A] 성분의 중량 평균 분자량은 150 이상인데, 그것이 150 미만인 경우, 경화막으로서의 경화막 물성이 얻어지지 않는 경향이 있다. 또한, 분자량이 10000보다 큰 경우, 탄화수소계 용제에 용해되기 어려워지는 경향이 있다.Although the weight average molecular weight of the component [A] is 150 or more, when it is less than 150, there is a tendency that the physical properties of the cured film as a cured film are not obtained. Further, when the molecular weight is greater than 10000, there is a tendency that it is difficult to dissolve in a hydrocarbon-based solvent.

그리고, [A] 성분은, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖고, 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the component [A] is a compound having two or more (meth)acryloyl groups and having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less.

또한, 본 발명에 있어서, [A] 성분의 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 중량 평균 분자량을 나타낸다.In addition, in this invention, the molecular weight of [A] component represents the weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography.

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 있어서, [A] 성분으로서는, 다관능 아크릴레이트를 이용할 수 있다. 그 중에서도 [C] 탄화수소계 용제와 함께 이용되고, 용해 또는 분산이 가능한 다관능 아크릴레이트가 바람직하다.In the curable resin composition of the first embodiment of the present invention, a polyfunctional acrylate can be used as the component [A]. Among them, a polyfunctional acrylate that is used together with a [C] hydrocarbon-based solvent and capable of dissolving or dispersing is preferable.

[A] 성분에 사용되는 다관능 아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 1,12-도데칸디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥사이드 변성 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고, 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 갖고, 또한 3개∼5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물 등의 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the polyfunctional acrylate used in the component [A] include ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and 1,9-nonanediol di (meth) acrylic. Rate, 1,10-decanedioldi(meth)acrylate, 1,12-dodecanedioldi(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, tricyclodecanedimethanoldi(meth)acrylate, Polyethylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, bisphenoxyethanolfluorenedi(meth)acrylate, tricyclodecanedimethanoldi(meth)acrylate, 2-hydroxy- 3-(meth)acryloyloxypropylmethacrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol Tetra(meth)acrylate, ditrimethylolpropanetetra(meth)acrylate, dipentaerythritolpenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, tri(2-(meth)acryloyl Oxyethyl) phosphate, ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate, a compound having a linear alkylene group and an alicyclic structure, and having two or more isocyanate groups, and at least one compound in the molecule And polyfunctional (meth)acrylate compounds such as urethane (meth)acrylate compounds obtained by reacting a compound having a hydroxyl group and further having 3 to 5 (meth)acryloyloxy groups.

다관능 아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면,As a commercial product of polyfunctional acrylate, for example,

아로닉스(Aronix)(등록상표) M-210, 동(同) M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315, 동 M-321, 동 M-400, 동 M-402, 동 M-405, 동 M-408, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 동 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 토아고세 주식회사 제조);Aronix (registered trademark) M-210, East M-220, East M-240, East M-270, East M-305, East M-309, East M-310, East M-315 , East M-321, East M-400, East M-402, East M-405, East M-408, East M-450, East M-1310, East M-1600, East M-1960, East M-7100 , M-8030, M-8060, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, TO-1450, TO-1382 (above, manufactured by Toagose Corporation);

KAYARAD(등록상표) DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛폰카야쿠 주식회사 제조);KAYARAD (registered trademark) DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120, MAX-3510 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

비스코트(Viscoat)(등록상표) 260, 동 295, 동 300, 동 310HP, 동 335HP, 동 360(이상, 오사카 유기화학공업 주식회사 제조);Viscoat (registered trademark) 260, copper 295, copper 300, copper 310HP, copper 335HP, copper 360 (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industries, Ltd.);

우레탄아크릴레이트계 화합물로서,As a urethane acrylate compound,

뉴 프론티어(NEW FRONTIER)(등록상표) R-1150(다이이치 공업제약 주식회사 제조);NEW FRONTIER (registered trademark) R-1150 (manufactured by Daiichi Kogyo Pharmaceutical Co., Ltd.);

KAYARAD(등록상표) DPHA-40H, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, 동 UX-2201, 동 UX-2301, 동 UX-3204, 동 UX-3301, 동 UX-4101, 동 UX-5000, 동 UX-6101, 동 UX-7101, 동 UX-8101, 동 UX-0937, 동 MU-2100, 동 MU-4001(이상, 닛폰카야쿠 주식회사 제조);KAYARAD (registered trademark) DPHA-40H, East R-526, East R-167, East R-604, East R-684, East R-551, East R-712, East UX-2201, East UX-2301, East UX-3204, East UX-3301, East UX-4101, East UX-5000, East UX-6101, East UX-7101, East UX-8101, East UX-0937, East MU-2100, East MU-4001 , Manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

아트레진(Art-Resin)(등록상표) UN-333, 동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-7600, 동 UN-7700, 동 UN-9000PEP, 동 UN-9200A(이상, 네가미 공업 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.Art-Resin (registered trademark) UN-333, East UN-1255, East UN-6060PTM, East UN-7600, East UN-7700, East UN-9000PEP, East UN-9200A (above, Negami Industries Co., Ltd.) etc. are mentioned.

또한, [A] 성분으로서는, 특히, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물 및 하기식 (3)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물인 것이 바람직하다:In addition, as the component [A], it is particularly preferably at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3). :

Figure 112014058405719-pat00002
Figure 112014058405719-pat00002

(식 (1) 중, X는 식 (5)로 나타나는 2가의 기, 또는 탄소수 5∼20의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 식 (5) 중, n은 2∼20의 정수를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고;(In formula (1), X represents a divalent group represented by formula (5) or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, and in formula (5), n represents an integer of 2 to 20; Y Represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group;

식 (2) 중, R2는 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타내고;In formula (2), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, m represents an integer of 0 to 4;

식 (3) 중, R3은 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타냄).In formula (3), R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, and m represents an integer of 0-4).

이들 [A] 성분으로서 이용되는 식 (1), 식 (2), 식 (3)으로 나타나는 화합물 중, 특히 바람직하게 이용되는 것은 탄화수소계 용제로의 용해성이 우수한 관능기수 2∼4의 다관능 아크릴레이트이며, 예를 들면 1,9-노난디올디아크릴레이트, 1,10-데칸디올디아크릴레이트, 1,12-도데칸디올디아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다.Among the compounds represented by formulas (1), (2) and (3) used as components [A], particularly preferably used is a polyfunctional acrylic having 2 to 4 functional groups having excellent solubility in a hydrocarbon-based solvent. Rate, for example, 1,9-nonanediol diacrylate, 1,10-decanediol diacrylate, 1,12-dodecanediol diacrylate, tricyclodecanedimethanol diacrylate, propylene oxide-modified trimethylol Propane triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, propylene oxide-modified ditrimethylolpropane tetraacrylate, etc. are mentioned.

상기 다관능 아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면,As a commercial item of the said polyfunctional acrylate, for example,

아로닉스(등록상표) M-310, 동 M-321, 동 M-408(이상, 토아고세 주식회사 제조);Aaronix (registered trademark) M-310, M-321, M-408 (above, manufactured by Toagose Corporation);

NK에스테르(등록상표)　A-NOD-N, 동 A-DOD-N, 동 A-DCP, 동 A-TMPT-3PO, 동 A-TMPT-6PO, 동 AD-TMP-L, 동 AD-TMP-4P(이상, 신나카무라 화학공업 주식회사 제조);NK ester (registered trademark) 　A-NOD-N, copper A-DOD-N, copper A-DCP, copper A-TMPT-3PO, copper A-TMPT-6PO, copper AD-TMP-L, copper AD-TMP- 4P (above, manufactured by Shinnakamura Chemical Industries, Ltd.);

뉴 프론티어(등록상표) L-C9A, 동 TMP-3P(이상, 다이이치 공업제약 주식회사 제조);New Frontier (registered trademark) L-C9A, TMP-3P (above, manufactured by Daiichi Kogyo Pharmaceutical Co., Ltd.);

비스코트(등록상표) 260, (이상, 오사카 유기화학공업 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.Viscoat (registered trademark) 260, (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industries, Ltd.), etc. are mentioned.

이상의 [A] 성분은, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되어, 용해, 또는, 분산되고, 도포 등의 간편한 형성 방법을 이용하여 층이나 막을 형성하는 액상의 수지 조성물을 형성할 수 있다.The above component [A] is contained in the curable resin composition of the first embodiment of the present invention, dissolved, or dispersed, to form a liquid resin composition that forms a layer or film using a simple forming method such as application. I can.

[[B] 반도체 양자 도트][[B] Semiconductor quantum dot]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물의 필수의 성분인 [B] 반도체 양자 도트는, Cd나 Pb를 구성 성분으로 하지 않고, 예를 들면, In(인듐)이나 Si(규소) 등을 구성 성분으로 하여 구성된, 안전한 재료로 이루어지는 반도체 양자 도트이다.The [B] semiconductor quantum dot, which is an essential component of the curable resin composition of the first embodiment of the present invention, does not contain Cd or Pb as a constituent component, but is composed of, for example, In (indium) or Si (silicon). It is a semiconductor quantum dot made of a safe material composed of components.

[B] 반도체 양자 도트는, 2족 원소, 11족 원소, 12족 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소 및 16족 원소로 나타나는 원소의 군으로부터 선택되는 적어도 2종 이상의 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는, 반도체 양자 도트인 것이 바람직하다.[B] The semiconductor quantum dot contains at least two or more elements selected from the group of elements represented by a group 2 element, a group 11 element, a group 12 element, a group 13 element, a group 14 element, a group 15 element, and a group 16 element. It is preferable that it is a semiconductor quantum dot which consists of the said compound.

그리고, 보다 구체적으로는, 사람에 대한 안전성에 대해서 우려가 큰, 예를 들면, Pb 및 Cd 등의 원소가 제외되고, Be(베릴륨), Mg(마그네슘), Ca(칼슘), Sr(스트론튬), Ba(바륨), Cu(구리), Ag(은), 금(Au), 아연(Zn), B(붕소), Al(알루미늄), Ga(갈륨), In(인듐), Tl(탈륨), C(탄소), Si(규소), Ge(게르마늄), Sn(주석), N(질소), P(인), As(비소), Sb(안티몬), Bi(비스무트), O(산소), S(황), Se(셀레늄), Te(텔루륨) 및 Po(폴로늄)군으로부터 선택되는 적어도 2종 이상의 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는, 반도체 양자 도트인 것이 바람직하다.And, more specifically, elements that are highly concerned about human safety, such as Pb and Cd, are excluded, and Be (beryllium), Mg (magnesium), Ca (calcium), Sr (strontium) , Ba (barium), Cu (copper), Ag (silver), gold (Au), zinc (Zn), B (boron), Al (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Tl (thallium) , C (carbon), Si (silicon), Ge (germanium), Sn (tin), N (nitrogen), P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), Bi (bismuth), O (oxygen) , S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and Po (polonium) is preferably a semiconductor quantum dot composed of a compound containing at least two or more elements selected from the group.

이때, [B] 반도체 양자 도트가 500㎚∼600㎚의 파장 영역에 형광 극대를 갖는 화합물 (a) 및/또는 600㎚∼700㎚의 파장 영역에 형광 극대를 갖는 화합물 (b)로 이루어지는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the [B] semiconductor quantum dot is made of a compound (a) having a fluorescence maximum in a wavelength region of 500 nm to 600 nm and/or a compound (b) having a fluorescence maximum in a wavelength region of 600 nm to 700 nm. Do.

[B] 반도체 양자 도트는, 이러한 형광 발광 특성을 갖는 화합물 (a) 및/또는 화합물 (b)로 이루짐으로써, 500㎚∼600㎚의 파장 영역 및/또는, 600㎚∼700㎚의 파장 영역에 형광 극대를 가질 수 있다. 그 결과, [B] 반도체 양자 도트를 함유하는 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 가시역(域)의 빛을 이용하여 화상의 표시를 행하는 발광 소자의 발광층의 구성에 적합한 경화막을 형성할 수 있다.[B] A semiconductor quantum dot is composed of a compound (a) and/or a compound (b) having such fluorescence emission characteristics, and thus a wavelength range of 500 nm to 600 nm and/or a wavelength range of 600 nm to 700 nm Can have a fluorescence maximum at As a result, the curable resin composition of the present embodiment containing [B] semiconductor quantum dots can form a cured film suitable for the configuration of the light-emitting layer of a light-emitting element that displays an image using light in the visible range. .

그리고 또한, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트가, In을 구성 성분으로서 포함하는 화합물로 이루어지는 반도체 양자 도트인 것이 보다 바람직하다. 또한 그 외에, [B] 반도체 양자 도트로서는, Si 또는 Si 화합물을 들 수 있다.Moreover, it is more preferable that the semiconductor quantum dot [B] contained in the curable resin composition of the present embodiment is a semiconductor quantum dot made of a compound containing In as a constituent component. In addition, as a semiconductor quantum dot [B], Si or a Si compound may be mentioned.

[B] 반도체 양자 도트로서, Si 또는 Si 화합물 중, Si가 특히 바람직하다.[B] As the semiconductor quantum dot, Si is particularly preferred among Si or Si compounds.

[B] 반도체 양자 도트의 성분 구성을 전술한 바와 같이 함으로써, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 안전하고, 우수한 형광 특성을 갖는 경화막을 형성할 수 있고, 나아가서는, 안전하고, 우수한 형광 특성을 갖는 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 형성할 수 있다.[B] By making the component constitution of the semiconductor quantum dot as described above, the curable resin composition of the present embodiment is safe and can form a cured film having excellent fluorescence properties, and furthermore, it is safe and has excellent fluorescence properties. A wavelength conversion film or a light emitting layer of a light emitting device can be formed.

또한, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트는, 1종의 화합물로 이루어지는 균질 구조형 및, 2종 이상의 화합물로 이루어지는 코어 쉘 구조형으로부터 선택되는 적어도 한쪽의 구조형의 반도체 양자 도트인 것이 바람직하다.In addition, the [B] semiconductor quantum dot contained in the curable resin composition of the present embodiment is a semiconductor quantum dot of at least one structural type selected from a homogeneous structure type composed of one compound and a core shell structure type composed of two or more compounds. It is preferable to be.

코어 쉘 구조형의 [B] 반도체 양자 도트는, 1개의 종류의 화합물로 코어 구조를 형성하고, 다른 화합물로 코어 구조의 주위를 피복하여 구성된다. 예를 들면, 밴드 갭이 보다 큰 반도체로 코어의 반도체를 피복함으로써, 광여기(光勵起)에 의해 생성된 여기자(勵起子)(전자-정공대(正孔對))는 코어 내에 갇힌다. 그 결과, 양자 도트 표면에서의 무복사 전이의 확률이 감소하여, 발광의 양자 수율 및 [B] 반도체 양자 도트의 형광 특성의 안정성이 향상된다.The [B] semiconductor quantum dot of the core-shell structure type is constituted by forming a core structure with one kind of compound and covering the periphery of the core structure with another compound. For example, by covering the semiconductor of the core with a semiconductor having a larger band gap, excitons (electron-precision zones) generated by photoexcitation are trapped in the core. As a result, the probability of non-radiation transition on the surface of the quantum dot decreases, and the quantum yield of light emission and the stability of the fluorescence characteristics of the semiconductor quantum dot [B] are improved.

본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트는, 성분 구성과 구조를 고려한 경우, 코어 쉘 구조형 반도체 양자 도트인 InP/ZnS, CuInS2/ZnS 및 (ZnS/AgInS2) 고용체/ZnS, 그리고, 균질 구조형 반도체 양자 도트인 AgInS2 및 Zn 도핑된 AgInS2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.[B] semiconductor quantum dots contained in the curable resin composition of the present embodiment are core-shell structure type semiconductor quantum dots InP/ZnS, CuInS 2 /ZnS and (ZnS/AgInS 2 ) solid solution/ ZnS, and is preferably at least one member selected from the homogeneous-structure semiconductor quantum dot of AgInS 2 and the group consisting of Zn-doped AgInS 2.

이상으로부터, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트는, InP/ZnS 화합물, CuInS2/ZnS 화합물, AgInS2 화합물, (ZnS/AgInS2) 고용체/ZnS 화합물, Zn 도핑된 AgInS2 화합물 및 Si 화합물의 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.From the above, [B] semiconductor quantum dots contained in the curable resin composition of the present embodiment are InP/ZnS compound, CuInS 2 /ZnS compound, AgInS 2 compound, (ZnS/AgInS 2 ) solid solution/ZnS compound, Zn-doped It is preferably at least one selected from the group of AgInS 2 compound and Si compound.

이상에서 예시한 [B] 반도체 양자 도트에 의해, 그것을 함유하는 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 안전하고, 보다 우수한 형광 특성을 갖는 경화막을 형성하고, 나아가서는, 보다 우수한 형광 특성의 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 형성할 수 있다.The curable resin composition of the present embodiment containing the semiconductor quantum dots [B] exemplified above is safe and forms a cured film having superior fluorescence properties, and further, a wavelength conversion film having superior fluorescence properties Alternatively, a light emitting layer of a light emitting device may be formed.

또한, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트는, 평균 입경이 0.5㎚∼20㎚인 것이 바람직하고, 1.0㎚∼10㎚인 것이 보다 바람직하다. 평균 입경이 0.5㎚ 미만인 경우에는, [B] 반도체 양자 도트를 조제하는 것이 어렵고, 조제를 할 수 있었다고 해도, [B] 반도체 양자 도트의 형광 특성이 불안정해지는 경우가 있다. [B] 반도체 양자 도트의 평균 입경이 20㎚를 초과하는 경우에는, 반도체 양자 도트의 크기에 의한 양자 가두기 효과가 얻어지지 않는 경우가 있어, 소망으로 하는 형광 특성이 얻어지지 않아, 바람직하지 않다.In addition, the [B] semiconductor quantum dot contained in the curable resin composition of the present embodiment preferably has an average particle diameter of 0.5 nm to 20 nm, and more preferably 1.0 nm to 10 nm. When the average particle diameter is less than 0.5 nm, it is difficult to prepare the semiconductor quantum dot [B], and even if it was able to prepare, the fluorescence characteristics of the semiconductor quantum dot [B] may become unstable. [B] When the average particle diameter of the semiconductor quantum dots exceeds 20 nm, the quantum confinement effect due to the size of the semiconductor quantum dots may not be obtained, and the desired fluorescence properties are not obtained, which is not preferable.

또한, [B] 반도체 양자 도트의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 구 형상, 막대 형상, 원반 형상, 그 외의 형상이라도 좋다. 양자 도트의 입경, 형상, 분산 상태 등의 정보에 대해서는, 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 얻을 수 있다.In addition, the shape of the semiconductor quantum dot [B] is not particularly limited, and may be, for example, a spherical shape, a rod shape, a disk shape, or other shapes. Information such as particle diameter, shape, and dispersion state of quantum dots can be obtained by a transmission electron microscope (TEM).

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 함유되는 [B] 반도체 양자 도트를 얻는 방법으로서는, 배위성 유기 용제 중에서 유기 금속 화합물을 열분해하는 공지의 방법을 이용할 수 있다. 또한, 코어 쉘 구조형의 반도체 양자 도트는, 반응에 의해 균질인 코어 구조를 형성한 후, 반응계 내에, 코어 표면에 쉘을 형성하기 위한 전구체를 첨가하고, 쉘 형성 후, 반응을 정지하여, 용제로부터 분리함으로써 얻을 수 있다. 또한, 시판되고 있는 것을 이용하는 것도 가능하다.As a method of obtaining the semiconductor quantum dot [B] contained in the curable resin composition of the first embodiment of the present invention, a known method of thermally decomposing an organometallic compound in a coordinating organic solvent can be used. In addition, in the core-shell structure type semiconductor quantum dot, after forming a homogeneous core structure by reaction, a precursor for forming a shell is added to the surface of the core in the reaction system, and after forming the shell, the reaction is stopped, and It can be obtained by separating. Moreover, it is also possible to use what is marketed.

본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 있어서의 [B] 반도체 양자 도트의 함유량으로서는, 전술한 [A] 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는, 0.1질량부∼100질량부, 보다 바람직하게는 0.2질량부∼50질량부이다. [B] 반도체 양자 도트의 함유량을 전술한 범위로 함으로써, 우수한 형광 특성을 갖는 경화막을 형성하고, 그 결과, 우수한 형광 특성의 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 형성할 수 있다. [B] 반도체 양자 도트의 함유량이, [A] 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부보다 적으면, 형성되는 경화막에 있어서 소망으로 하는 형광 특성을 얻을 수 없어, 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 형성할 수 없다. 또한, [A] 성분 100질량부에 대하여, 100질량부보다 많으면, 형성되는 경화막의 안정성이 손상되어, 안정된 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 형성할 수 없다.The content of the semiconductor quantum dot [B] in the curable resin composition of the present embodiment is preferably 0.1 to 100 parts by mass, more preferably 0.2 mass per 100 parts by mass of the component [A] described above. It is from parts to 50 parts by mass. [B] By setting the content of the semiconductor quantum dots in the above-described range, a cured film having excellent fluorescence properties can be formed, and as a result, a wavelength conversion film having excellent fluorescence properties or a light emitting layer of a light emitting element can be formed. [B] If the content of the semiconductor quantum dots is less than 0.1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A], desired fluorescence properties cannot be obtained in the formed cured film, and the wavelength conversion film or light emitting element The light-emitting layer cannot be formed. Further, if the content is more than 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A], the stability of the formed cured film is impaired, and a stable wavelength conversion film or a light emitting layer of a light-emitting element cannot be formed.

[[C] 탄화수소계 용제][[C] Hydrocarbon solvent]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [C] 탄화수소계 용제를 함유한다. 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [C] 탄화수소계 용제를 함유함으로써, 액상의 수지 조성물을 형성할 수 있고, 그 한편으로, [B] 반도체 양자 도트의 응집을 억제하여, [B] 반도체 양자 도트의 분산된 경화성의 수지 조성물을 형성할 수 있다.The curable resin composition of the first embodiment of the present invention contains a [C] hydrocarbon-based solvent. The curable resin composition of the present embodiment can form a liquid resin composition by containing the [C] hydrocarbon-based solvent, while suppressing the aggregation of the [B] semiconductor quantum dots, and [B] both the semiconductor It is possible to form a scattered curable resin composition of dots.

탄화수소계 용제란 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 용제를 나타낸다. 탄화수소계 용제로서는 방향족 탄화수소 용제와 지방족 탄화수소 용제를 들 수 있다. 방향족 탄화수소 용제로서는, 톨루엔, 에틸벤젠, 아밀벤젠, 이소프로필벤젠, 자일렌, 사이클로헥실벤젠, 나프탈렌, 디메틸나프탈렌, 시멘, 테트랄린, 비페닐, 메시틸렌 등을 들 수 있다. 지방족 탄화수소계 용제로서는, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산, p-멘탄, 데칼린, 이소옥탄, 이소도데칸, 사이클로헥센, 사이클로펜탄, 디펜텐, 이소파(Isopar) E, 이소파 G, 이소파 H, 이소파 L, 이소파 M((주)고쿠라코산 제조), 테레빈유(turpentine oil), 데카하이드로나프탈린, 피난, α-피넨, β-피넨, 리모넨, 벤진, 쿄와졸 C-800, 쉘졸, 이소졸, 리그로인(고드 공업(주)사 제조) 등을 들 수 있다.The hydrocarbon-based solvent refers to a solvent composed of only carbon atoms and hydrogen atoms. Examples of the hydrocarbon-based solvent include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic hydrocarbon solvents. Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, ethylbenzene, amylbenzene, isopropylbenzene, xylene, cyclohexylbenzene, naphthalene, dimethylnaphthalene, cymene, tetraline, biphenyl, mesitylene, and the like. As aliphatic hydrocarbon solvents, hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, p-mentane, decalin, isooctane, isododecane, cyclohexene, cyclopentane , Dipentene, Isopar E, Isopa G, Isopa H, Isopa L, Isopa M (manufactured by Kokurakosan Co., Ltd.), turpentine oil, decahydronaphthalin, evacuation, α -Pinene, β-pinene, limonene, benzine, Kyowasol C-800, Shelsol, Isosol, Ligroin (manufactured by God Industrial Co., Ltd.), etc.

또한, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 있어서는, 전술한 [C] 탄화수소계 용제와 함께, 산소 원자 함유 유기 용제를 함유할 수 있다. 산소 함유 유기 용제란, 분자 중에 산소 원자를 포함하는 용제이다. 이 산소 원자 함유 유기 용제를 함유함으로써, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [A] 성분의 용해성 또는 분산성을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, in the curable resin composition of the first embodiment of the present invention, an oxygen atom-containing organic solvent can be contained together with the hydrocarbon-based solvent [C] described above. An oxygen-containing organic solvent is a solvent containing an oxygen atom in a molecule. By containing this oxygen atom-containing organic solvent, the curable resin composition of the present embodiment can further improve the solubility or dispersibility of the component [A].

이러한 산소 원자 함유 유기 용제로서는, 아세트산 에틸 등의 에스테르계 용제, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용제, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 디알킬에테르 등의 에테르계 용제, 디메틸술폭사이드 등의 용제, 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용제를 들 수 있다.Examples of such oxygen atom-containing organic solvents include ester solvents such as ethyl acetate, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, ether solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, and dialkyl ether, and dimethyl sulfoxide. Solvents such as dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, and amide solvents such as N,N-dimethylacetamide.

[C] 탄화수소계 용제와 혼합하여 산소 원자 함유 유기 용제를 이용하는 경우, [C] 탄화수소계 용제의 사용 비율을 100으로 했을 때에, 산소 원자 함유 유기 용제를 1질량％∼50질량％의 범위에서 이용하는 것이 바람직하다. 산소 원자 함유 유기 용제의 상기 사용량이 1질량％ 미만인 경우, 산소 원자 함유 유기 용제의 첨가 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 산소 원자 함유 유기 용제의 전술한 사용량이 50질량％보다 많은 경우, [B] 반도체 양자 도트의 응집의 우려가 발생하는 경우가 있다.[C] When an oxygen atom-containing organic solvent is used by mixing with a hydrocarbon-based solvent [C] When the use ratio of the hydrocarbon-based solvent is 100, the oxygen atom-containing organic solvent is used in the range of 1% by mass to 50% by mass. It is desirable. When the amount of the oxygen atom-containing organic solvent is less than 1% by mass, the effect of adding the oxygen atom-containing organic solvent may not be sufficiently obtained. In addition, when the amount of the oxygen atom-containing organic solvent to be used is more than 50% by mass, there is a possibility that the [B] semiconductor quantum dots may be agglomerated.

[[D] 중합성 개시제][[D] Polymerizable initiator]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 추가로 [D] 중합성 개시제를 함유할 수 있다. [D] 중합성 개시제는, 방사선에 감응하여 [A] 성분과 같은 중합성기를 갖는 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [D] 중합성 개시제를 함유함으로써, 감방사선성을 높여, 패터닝성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 포토리소그래피법 등의 공지의 패터닝 방법을 이용하여, 패터닝된 발광층이나 파장 변환 필름을 간편하게 형성할 수 있다.The curable resin composition of the first embodiment of the present invention may further contain a [D] polymerizable initiator. [D] The polymerizable initiator is a component that generates active species capable of initiating polymerization of a compound having a polymerizable group such as the component [A] in response to radiation. When the curable resin composition of the present embodiment contains the [D] polymerizable initiator, radiation-sensitive properties can be increased and patterning properties can be improved. In addition, the curable resin composition of the present embodiment can easily form a patterned light emitting layer or a wavelength conversion film by using a known patterning method such as a photolithography method.

본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 있어서, [D] 중합성 개시제로서는, 예를 들면, 옥심에스테르 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 또한, [D] 중합성 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.In the curable resin composition of the present embodiment, examples of the [D] polymerizable initiator include oxime ester compounds, acetophenone compounds, and biimidazole compounds. In addition, the [D] polymerizable initiator may be used alone or in combination of two or more.

상기 옥심에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-[9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일]-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 O-아실옥심 화합물 등을 들 수 있다.As the oxime ester compound, for example, ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), 1, 2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], 1-[9-ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl]-octane-1- Onoxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-ethan-1-oneoxime-O-benzoate, 1-[9- n-Butyl-6-(2-ethylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-ethanone-1-oneoxime-O-benzoate, ethanone-1-[9-ethyl-6-(2- Methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-4-tetra) Hydropyranylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-{2-methyl-4-(2,2-dimethyl-1,3- O-acyloxime compounds, such as dioxolanyl)methoxybenzoyl}-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), etc. are mentioned.

전술한 중에서, 옥심에스테르 화합물로서는, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Among the above, examples of the oxime ester compound include ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), 1,2 -Octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-{2-methyl-4-(2,2-dimethyl-1,3- Dioxolanyl)methoxybenzoyl}-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime) is preferred.

상기 아세토페논 화합물로서는, 예를 들면, α-아미노케톤, α-하이드록시케톤 화합물을 들 수 있다.Examples of the acetophenone compound include α-aminoketone and α-hydroxyketone compounds.

상기 α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl )-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one, 2-methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one, etc. I can.

상기 α-하이드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면, 1-페닐-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐-(2-하이드록시-2-프로필)케톤, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1-(4-i-propylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl Propan-1-one, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, etc. are mentioned.

상기 아세토페논 화합물로서는, α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.As the acetophenone compound, an α-aminoketone compound is preferable, and 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one, 2-Methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one is more preferable.

상기 비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 바람직하고, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 보다 바람직하다.As the biimidazole compound, for example, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetrakis(4-ethoxycarbonylphenyl)-1,2' -Biimidazole, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4) -Dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4,6-trichlorophenyl)-4,4', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, etc. are mentioned. Among these, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4-dichloro Phenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2,4,6-trichlorophenyl)-4,4',5, 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferred, and 2,2'-bis(2,4-dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2' -Biimidazole is more preferable.

[D] 중합성 개시제의 함유량으로서는, [A] 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼40질량부가 바람직하고, 0.5질량부∼20질량부가 보다 바람직하다. [D] 중합 개시제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 저노광량의 경우라도 양호한 패터닝성을 나타내고, 또한, 충분한 표면 경도 및 밀착성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The content of the [D] polymerizable initiator is preferably 0.1 parts by mass to 40 parts by mass, and more preferably 0.5 parts by mass to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the component [A]. [D] By setting the content of the polymerization initiator within the above range, the curable resin composition of the present embodiment can form a cured film having good patterning properties even in the case of a low exposure amount, and having sufficient surface hardness and adhesion.

또한, [D] 중합 개시제는, 탄소수 1∼20의 탄화수소기를 함유하는 중합성 개시제인 것이 바람직하다. 이러한 구조를 구비한 [D] 중합 개시제로 함으로써, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 있어서, [C] 탄화수소계 용제로의 [D] 중합 개시제의 용해성을 향상시킬 수 있다.Moreover, it is preferable that the [D] polymerization initiator is a polymerization initiator containing a C1-C20 hydrocarbon group. By setting it as the polymerization initiator [D] having such a structure, in the curable resin composition of the present embodiment, the solubility of the polymerization initiator [D] in the hydrocarbon-based solvent [C] can be improved.

이러한 탄소수 1∼20의 탄화수소기를 함유하는 중합성 개시제로서는, 예를 들면, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어(IRUGACURE)(등록상표) 379), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어(등록상표) OXE01), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어(등록상표) OXE02)(이상, BASF사 제조) 등을 들 수 있다.As a polymerization initiator containing such a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, for example, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butane- 1-one (IRUGACURE (registered trademark) 379), 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) ) OXE01), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime) (Irgacure (registered trademark) OXE02) ) (Above, manufactured by BASF), etc. are mentioned.

[[E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체][[E] Polymer having a carboxyl group and a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less]

본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의 [E] 성분인 [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체는, 후술하는 화합물 (e1) 및 화합물 (e2)를 용제 중에서, 중합 개시제의 존재하에 라디칼 중합함으로써 제조할 수 있는 공중합체(이하, [E1] 성분이라고도 함)나, 카복실기 함유 엘라스토머(이하, [E2] 성분이라고도 함)를 들 수 있다.In the polymer having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less, which is the component [E] in the curable resin composition of the present invention, the presence of a polymerization initiator in a solvent containing compounds (e1) and (e2) described later And a copolymer (hereinafter, also referred to as the component [E1]) and a carboxyl group-containing elastomer (hereinafter, referred to as the component [E2]) that can be produced by radical polymerization.

[E1] 성분 중, (e1) 에틸렌성 불포화 카본산 및/또는 에틸렌성 불포화 카본산무수물(이하, 이들을 종합하여, 불포화 카본산계 단량체 (e1)이라고 함)로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 모노카본산류; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산 등의 디카본산류; 상기 디카본산의 무수물류 등을 들 수 있다.Among the components [E1], (e1) ethylenically unsaturated carboxylic acid and/or ethylenically unsaturated carboxylic acid anhydride (hereinafter, collectively referred to as unsaturated carboxylic acid monomer (e1)) include, for example, acrylic acid and methacrylic. Monocarboxylic acids such as acid, crotonic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, metaconic acid, and itaconic acid; And anhydrides of the dicarboxylic acid.

이들 불포화 카본산계 단량체 (e1) 중, 공중합 반응성, 얻어지는 중합체의 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수가 용이한 점에서, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등이 바람직하다.Among these unsaturated carboxylic acid monomers (e1), acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride, 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, from the viewpoint of copolymerization reactivity, solubility of the resulting polymer in an aqueous alkali solution, and easy availability And the like are preferred.

[E1] 성분에 있어서, 불포화 카본산계 단량체 (e1)은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.In the component [E1], the unsaturated carboxylic acid monomer (e1) may be used alone or in combination of two or more.

[E1] 성분에 있어서, 불포화 카본산계 단량체 (e1)에 유래하는 반복 단위의 함유율은, 바람직하게는 5질량％∼50질량％, 더욱 바람직하게는 10질량％∼40질량％, 특히 바람직하게는 15질량％∼30질량％이다. 이 경우, 불포화 카본산계 단량체 (e1)에 유래하는 반복 단위의 함유율이 5질량％ 미만이면, 알칼리 수용액에 대한 용해성이 저하되는 경향이 있고, 한편 40질량％를 초과하면, 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커질 우려가 있다.In the component [E1], the content rate of the repeating unit derived from the unsaturated carboxylic acid monomer (e1) is preferably 5% by mass to 50% by mass, more preferably 10% by mass to 40% by mass, particularly preferably It is 15 mass%-30 mass %. In this case, when the content rate of the repeating unit derived from the unsaturated carboxylic acid monomer (e1) is less than 5% by mass, the solubility in the aqueous alkali solution tends to decrease, whereas when it exceeds 40% by mass, the solubility in the aqueous alkali solution is There is a risk of becoming too large.

또한, (e2) 기타 에틸렌성 불포화 화합물(이하, 단순히, (e2) 기타 단량체라고 함)로서는, (메타)아크릴산 알킬에스테르류, (메타)아크릴산 지환식 에스테르류, (메타)아크릴산의 아릴에스테르, 디카본산 디알킬에스테르류, (메타)아크릴산 에폭시알킬에스테르류; 디카보닐이미드 유도체류; 공액 디엔계 화합물, 비닐 방향족 화합물 등을 들 수 있다.In addition, (e2) other ethylenically unsaturated compounds (hereinafter, simply referred to as (e2) other monomers) include (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid alicyclic esters, (meth)acrylic acid aryl esters, Dicarboxylic acid dialkyl esters, (meth)acrylic acid epoxy alkyl esters; Dicarbonylimide derivatives; Conjugated diene compounds, vinyl aromatic compounds, etc. are mentioned.

이들의 (e2) 기타 단량체 중, 공중합 반응성 및 얻어지는 중합체의 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서, 아크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 하이드록시에틸, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 스티렌, 메타크릴산 글리시딜, 3-(메타크릴옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 1,3-부타디엔, 페닐말레이미드, 사이클로헥실말레이미드 등이 바람직하다. (e2) 기타 단량체는, 단독 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Among these (e2) other monomers, in terms of copolymerization reactivity and solubility of the resulting polymer in an aqueous alkali solution, 2-methylcyclohexyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, tricyclo methacrylic acid [5.2.1.0 2,6] ]Decane-8-yl, styrene, glycidyl methacrylate, 3-(methacryloxymethyl)-3-ethyloxetane, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1,3-butadiene, phenylmaleimide, cyclo Hexylmaleimide and the like are preferred. (e2) Other monomers can be used alone or in combination of two or more.

[E1] 성분은, (e2) 기타 단량체로부터 유도되는 반복 단위를, 바람직하게는 50질량％∼95질량％, 더욱 바람직하게는 60질량％∼90질량％, 특히 바람직하게는 70질량％∼85질량％ 함유하고 있다. 이 경우, 반복 단위가 10질량％ 미만인 경우는, [E1] 성분의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있고, 한편 70질량％를 초과하는 경우는 [E1] 성분이 알칼리 수용액에 용해되기 어려워진다.The component [E1] contains a repeating unit derived from (e2) other monomers, preferably 50% by mass to 95% by mass, more preferably 60% by mass to 90% by mass, particularly preferably 70% by mass to 85% by mass. It contains mass%. In this case, when the repeating unit is less than 10% by mass, the storage stability of the component [E1] tends to decrease, while when it exceeds 70% by mass, the component [E1] becomes difficult to dissolve in an aqueous alkali solution.

상기와 같이, 본 발명에서 이용되는 [E1] 성분은, 카복실기 및/또는 카본산 무수물기 그리고 기타 에틸렌성 불포화 화합물을 갖고 있고, 알칼리 수용액에 대하여 적절한 용해성을 가짐과 동시에, 특별한 경화제를 병용하지 않아도 가열에 의해 용이하게 경화시킬 수 있다.As described above, the [E1] component used in the present invention has a carboxyl group and/or a carboxylic anhydride group and other ethylenically unsaturated compounds, has appropriate solubility in an aqueous alkali solution, and does not use a special curing agent in combination. Even if it does not, it can be hardened easily by heating.

[E1] 성분의 제조에 이용되는 용제로서는, 예를 들면, 알코올, 에테르, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화수소, 케톤, 에스테르 등을 들 수 있다.[E1] As a solvent used in the preparation of the component, for example, alcohol, ether, glycol ether, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol, dipropylene glycol, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol alkyl ether acetate, propylene And glycol alkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and esters.

이들 중, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트가 바람직하고, 그 중에서도, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 아세트산 3-메톡시부틸이 특히 바람직하다.Among these, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol, dipropylene glycol, propylene glycol monoalkyl ether, and propylene glycol alkyl ether acetate are preferred, and among them, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, dipropylene Glycol dimethyl ether, dipropylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol methyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, and 3-methoxybutyl acetate are particularly preferred.

상기 용제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used alone or in combination of two or more.

또한, 상기 중합에 이용되는 라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산 등의 유기 과산화물; 과산화 수소 등을 들 수 있다. 또한, 라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 이용하는 경우에는, 그것과 환원제를 병용하여, 리닥스형 개시제로 해도 좋다.In addition, the radical polymerization initiator used in the polymerization is not particularly limited, and, for example, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-(2,4-dimethylvalero Nitrile), 2,2'-azobis-(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 4,4'-azobis(4-cyanovaleric acid), dimethyl2,2'-azo Azo compounds such as bis(2-methylpropionate) and 2,2'-azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, and 1,1-bis(t-butylperoxy)cyclohexane; Hydrogen peroxide, etc. are mentioned. In addition, when a peroxide is used as the radical polymerization initiator, it may be used in combination with a reducing agent to form a redox initiator.

이들 라디칼 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These radical polymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.

또한, [E1] 성분 중의 카복실기에 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 반응시켜, 중합체 중에 (메타)아크릴로일옥시기를 도입할 수 있다.Further, a (meth)acrylic acid ester having an epoxy group can be reacted with the carboxyl group in the component [E1], and a (meth)acryloyloxy group can be introduced into the polymer.

중합체 중의 카복실기와 에폭시기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등의 불포화 화합물과의 반응에 있어서는, 필요에 따라서 적당한 촉매의 존재하에 있어서, 바람직하게는 중합 금지제를 포함하는 중합체의 용액에, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물을 투입하고, 가온하에서 소정 시간 교반한다. 상기 촉매로서는, 예를 들면, 테트라부틸암모늄브로마이드 등을 들 수 있다. 상기 중합 금지제로서는, 예를 들면, p-메톡시페놀 등을 들 수 있다. 반응 온도는, 70℃∼100℃가 바람직하다. 반응 시간은, 8시간∼12시간이 바람직하다.In the reaction of a carboxyl group in the polymer with an unsaturated compound such as an epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester, if necessary, in the presence of an appropriate catalyst, preferably in the polymer solution containing a polymerization inhibitor, unsaturated having an epoxy group The compound is added and stirred under heating for a predetermined time. Examples of the catalyst include tetrabutylammonium bromide. As said polymerization inhibitor, p-methoxyphenol etc. are mentioned, for example. The reaction temperature is preferably 70°C to 100°C. The reaction time is preferably 8 hours to 12 hours.

(메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구성 단위의 함유량은, [E1] 성분 전체 성분 중 10㏖％∼70㏖％인 것이 바람직하고, 20㏖％∼50㏖％인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 10 mol%-70 mol%, and, as for content of the structural unit which has a (meth)acryloyloxy group, it is more preferable that it is 20 mol%-50 mol%.

(메타)아크릴로일옥시기를 갖는 구성 단위의 함유량이 10㏖％보다 적은 경우, 경화성 수지 조성물의 방사선으로의 감도가 저하되는 경향이 있고, 얻어지는 경화막의 내열성도 충분하지 않다. 또한, 70㏖％보다 많이 함유하는 경우에서는, 현상시의 현상 불량의 원인이 되어, 현상 잔사가 발생하기 쉬워진다.When the content of the structural unit having a (meth)acryloyloxy group is less than 10 mol%, the sensitivity of the curable resin composition to radiation tends to decrease, and the heat resistance of the resulting cured film is not sufficient. In addition, when it contains more than 70 mol%, it becomes a cause of development defect at the time of development, and a developing residue is liable to occur.

본 발명의 경화성 수지 조성물에 있어서의 [E2] 성분으로서는, 카복실기 함유 엘라스토머를 들 수 있다.As the component [E2] in the curable resin composition of the present invention, a carboxyl group-containing elastomer can be mentioned.

[E2] 성분으로서 이용되는 카복실기 함유 엘라스토머로서는, 예를 들면, 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「LIR-410」 「UC-102」 「UC-203」), 무수 말레산 변성 EEA 수지(일본 제지 주식회사 제조, 상품명 「아우로렌(AUROREN) 350S」), 무수 말레산 변성 SEBS 수지(아사히카세이 케미컬즈 주식회사 제조, 상품명 「터프텍(TUFTEC) M-1943」), 에틸렌-메타크릴산 공중합 수지(미쓰이·듀퐁 폴리케미컬 주식회사 제조, 상품명 「뉴크렐(Nucrel)」) 등을 들 수 있다.[E2] As a carboxyl group-containing elastomer used as a component, for example, a carboxyl group-containing polyisoprene (manufactured by Kuraray, brand name "LIR-410" "UC-102" "UC-203"), maleic anhydride modified EEA resin (manufactured by Japan Paper Co., Ltd., brand name ``AUROREN 350S''), maleic anhydride modified SEBS resin (manufactured by Asahi Kasei Chemicals, brand name ``TUFTEC M-1943''), ethylene-methacrylic An acid copolymer resin (manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., brand name "Nucrel"), etc. are mentioned.

상기 [E2] 성분으로서 이용되는 카복실기 함유 엘라스토머 중, 특히 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「LIR-410」 「UC-102」 「UC-203」)이 양자 도트의 분산 안정성의 관점에서 바람직하고, 그 중에서도 「UC-102」는 패터닝의 관점에서 특히 바람직하다.Among the carboxyl group-containing elastomers used as the [E2] component, in particular, carboxyl group-containing polyisoprene (Kuraray Co., Ltd., trade name "LIR-410" "UC-102" "UC-203") is the dispersion stability of quantum dots. From a viewpoint, it is preferable, and "UC-102" is especially preferable from a patterning viewpoint.

이상의 [E] 성분에 있어서, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고 함)은, 통상, 5000∼40000, 바람직하게는 5000∼20000이다. 이 경우, Mw가 5000 미만이면, 얻어지는 피막의 현상성, 잔막률 등이 저하되거나, 또한 패턴 형상, 내열성 등이 손상될 우려가 있다. 한편, Mw가 20000을 초과하면, 해상도가 저하되거나, 패턴 형상이 손상될 우려가 있다.In the above component [E], the weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as "Mw") by gel permeation chromatography (GPC) is usually 5000 to 400,000, preferably 5000 to 20000. In this case, when Mw is less than 5000, there is a concern that the developability, residual film rate, etc. of the obtained film may decrease, or the pattern shape, heat resistance, and the like may be impaired. On the other hand, when Mw exceeds 20000, there is a fear that the resolution is lowered or the pattern shape is damaged.

[E] 성분의 함유량으로서는, [A] 성분 100질량부에 대하여, 20질량부∼200질량부가 바람직하고, 40질량부∼150질량부가 보다 바람직하다. 중합체의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 밀착성이 우수하고, 또한 저노광량에 있어서도 충분한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The content of the component [E] is preferably 20 parts by mass to 200 parts by mass, more preferably 40 parts by mass to 150 parts by mass per 100 parts by mass of the component [A]. By setting the content of the polymer into the above range, the curable resin composition of the present embodiment is excellent in adhesion and can form a cured film having sufficient surface hardness even at a low exposure amount.

[그 외의 임의 성분][Other optional ingredients]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150∼10000인 화합물, [B] 반도체 양자 도트 및, [C] 탄화수소계 용제를 필수의 성분으로서 함유함과 동시에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다. 그 외의 임의 성분으로서는, 예를 들면, 경화촉진제나 열산 발생제 등을 들 수 있다.The curable resin composition of the first embodiment of the present invention requires [A] a compound having a molecular weight of 150 to 10000 having two or more polymerizable groups in one molecule, [B] semiconductor quantum dots, and [C] a hydrocarbon-based solvent. In addition to being contained as a component of, other optional components may be contained as long as the effect of the present invention is not impaired. As other optional components, a hardening accelerator, a thermal acid generator, etc. are mentioned, for example.

경화촉진제는, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물에 의해 형성되는 막의 경화를 촉진하는 기능을 하는 화합물이다.The curing accelerator is a compound that functions to accelerate curing of the film formed by the curable resin composition of the present embodiment.

열산 발생제는, 열을 가함으로써 수지를 경화시킬 때의 촉매로서 작용하는 산성 활성 물질을 방출할 수 있는 화합물이다.The thermal acid generator is a compound capable of releasing an acidic active substance that acts as a catalyst when curing a resin by applying heat.

또한, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 계면활성제, 보존 안정제, 접착조제, 내열성 향상제 등의 그 외의 임의 성분을 함유할 수 있다. 이들의 각 임의 성분은, 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다.In addition, the curable resin composition of the present embodiment may contain other optional components, such as a surfactant, a storage stabilizer, an adhesion aid, and a heat resistance improving agent, if necessary, within a range that does not impair the effects of the present invention. Each of these optional components may be used alone or in combination of two or more.

[경화성 수지 조성물의 조제 방법][Method of preparing a curable resin composition]

본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량(중량 평균 분자량)이 150∼10000인 화합물, [B] 반도체 양자 도트 및, [C] 탄화수소계 용제를 균일하게 혼합함으로써 조제된다. 또한, [D] 성분이나 [E] 성분을 함유하는 경우, [A] 성분, [B] 성분 및 [C] 성분과 함께, [D] 성분이나 [E] 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제된다.The curable resin composition of the first embodiment of the present invention includes [A] a compound having a molecular weight (weight average molecular weight) of 150 to 10,000 having two or more polymerizable groups per molecule, [B] semiconductor quantum dots, and [C] It is prepared by uniformly mixing a hydrocarbon-based solvent. In addition, when it contains the component [D] or the component [E], it is prepared by uniformly mixing the component [D] or the component [E] together with the component [A], the component [B] and the component [C].

또한, 그 외의 임의 성분을 필요에 따라서 선택하고, 그들을 함유시키는 경우, [A] 성분, [B] 성분 및 [C] 성분 그리고 그 외의 임의의 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제된다. 그리고, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, [C] 탄화수소계 용제를 함유하고, 필요한 경우에, 산소 원자 함유 유기 용제도 함유하여, 기타 성분이 용해되고, 바람직하게는 용액 상태로 이용된다.In addition, when other optional components are selected as necessary and contained, they are prepared by uniformly mixing the [A] component, the [B] component and the [C] component, and other arbitrary components. In addition, the curable resin composition of the present embodiment contains a [C] hydrocarbon-based solvent, and if necessary, an organic solvent containing an oxygen atom is also contained, and other components are dissolved, and is preferably used in a solution state.

[C] 탄화수소계 용제 및 필요한 경우에 이용되는 산소 원자 함유 유기 용제(이하, 단순히, 용제 성분이라고도 함)의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 얻어지는 경화성 수지 조성물의 기타 성분의 용해성이나, 경화성 수지 조성물의 도포성 및 안정성 등의 관점에서, 경화성 수지 조성물의 용제 성분을 제외한 각 성분의 합계 농도가, 2질량％∼50질량％가 되는 양이 바람직하고, 5질량％∼40질량％가 되는 양이 보다 바람직하다. 경화성 수지 조성물의 용액을 조제하는 경우, 실제로는, 전술한 농도 범위에 있어서, 소망하는 막두께의 값 등에 따른 고형분 농도(경화성 수지 조성물 용액 중에 차지하는 용제 성분 이외의 성분)가 설정된다.[C] The content of the hydrocarbon-based solvent and the oxygen atom-containing organic solvent (hereinafter, also simply referred to as a solvent component) used when necessary is not particularly limited. However, from the viewpoints of the solubility of the other components of the resulting curable resin composition, coating properties and stability of the curable resin composition, etc., the total concentration of each component excluding the solvent component of the curable resin composition becomes 2% by mass to 50% by mass. The amount is preferable, and the amount which becomes 5 mass%-40 mass% is more preferable. When preparing the solution of the curable resin composition, in reality, in the above-described concentration range, the solid content concentration (components other than the solvent component occupied in the curable resin composition solution) according to the value of the desired film thickness and the like is set.

이와 같이 하여 조제된 용액 상태의 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물은, 공경(孔徑) 0.5㎛ 정도의 밀리포어 필터 등을 이용하여 여과한 후에, 본 실시 형태의 경화막의 형성에 사용하는 것이 바람직하다.The curable resin composition of the present embodiment in a solution state thus prepared is preferably used for formation of the cured film of the present embodiment after filtering with a Millipore filter or the like having a pore diameter of about 0.5 µm.

실시 형태 2.Embodiment 2.

＜경화막＞<cured film>

본 발명의 제2 실시 형태의 경화막은, 기판 상에, 전술한 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 도포하고, 필요한 경우에 패터닝을 한 후, 가열 경화하여 형성된다. 이하에서, 본 실시 형태의 경화막 및 그의 형성 방법에 대해서 설명한다.The cured film of the second embodiment of the present invention is formed by applying the above-described curable resin composition of the first embodiment of the present invention onto a substrate, performing patterning if necessary, and then heat-curing. Below, the cured film of this embodiment and its formation method are demonstrated.

본 실시 형태의 경화막의 형성 방법에서는, 기판 상에 경화막이 형성되도록, 적어도 하기의 공정 (1)∼공정 (4)를 하기의 순서로 포함하는 것이 바람직하다.In the method for forming a cured film of the present embodiment, it is preferable to include at least the following steps (1) to (4) in the following order so that a cured film is formed on the substrate.

(1) 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 도막 형성 공정.(1) A coating film forming step of forming a coating film of the curable resin composition of the first embodiment of the present invention on a substrate.

(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 방사선 조사 공정.(2) A radiation irradiation step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1) with radiation.

(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정.(3) A developing step of developing a coating film irradiated with radiation in step (2).

(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 노광하는 경화 공정.(4) A curing step of exposing the coating film developed in step (3).

그리고, 도 1∼도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성 방법을 설명하는 도면이다.In addition, FIGS. 1 to 4 are diagrams for explaining a method of forming a cured film according to a second embodiment of the present invention.

도 1은, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 도막 형성 공정을 설명하는 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate illustrating a coating film forming step in forming a cured film according to a second embodiment of the present invention.

도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 방사선 조사 공정을 개략적으로 설명하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a radiation irradiation step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.

도 3은, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 현상 공정을 설명하는 기판의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a substrate for explaining a developing step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.

도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서의 경화 공정을 설명하는 경화막 및 기판의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a cured film and a substrate for explaining a curing step in formation of a cured film according to a second embodiment of the present invention.

이하, 전술의 공정 (1)(도막 형성 공정)∼공정 (4)(경화 공정)에 대해서 각각 설명한다.Hereinafter, the above-described step (1) (coating film forming step) to step (4) (curing step) will be described, respectively.

[공정 (1)][Step (1)]

본 실시 형태의 경화막의 형성 방법의 공정 (1)인 도막 형성 공정에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물의 도막(1)을 기판(2) 상에 형성한다.In the coating film forming process, which is the step (1) of the cured film forming method of the present embodiment, as shown in Fig. 1, the coating film 1 of the curable resin composition of the first embodiment of the present invention is formed on the substrate 2 do.

도막(1)을 형성하는 기판(2)에는, 유리, 석영, 실리콘, 또는, 수지(예를 들면, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등) 등으로 이루어지는 기판을 이용할 수 있다. 또한, 이들 기판에는, 소망에 따라, 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 전(前)처리를 시행해 둘 수도 있다.In the substrate 2 forming the coating film 1, glass, quartz, silicone, or resin (e.g., polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate , Polyester, a ring-opening polymer of a cyclic olefin and a hydrogenated product thereof) or the like). Further, these substrates may be subjected to pre-treatments such as chemical treatment with a silane coupling agent or the like, plasma treatment, ion plating, sputtering, gas phase reaction method, and vacuum deposition as desired.

기판(2)에 있어서, 한쪽의 면에, 본 실시 형태의 경화성 수지 조성물이 도포된 후, 프리베이킹을 행하고, 경화성 수지 조성물에 함유되는 용제 등의 성분이 증발하여, 도막(1)의 형성이 행해진다.In the substrate 2, after the curable resin composition of the present embodiment is applied to one surface, pre-baking is performed, and components such as a solvent contained in the curable resin composition evaporate to form the coating film 1 Done.

본 공정에 있어서의 경화성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법 또는 스피너법이라고 칭해는 경우도 있음), 슬릿 도포법(슬릿 다이 도포법), 바 도포법, 잉크젯 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중, 균일한 두께의 막을 형성할 수 있는 점에서, 스핀 코팅법 또는 슬릿 도포법이 바람직하다.As a method of applying the curable resin composition in this step, for example, a spray method, a roll coating method, a rotation coating method (sometimes referred to as a spin coating method or a spinner method), a slit coating method (slit die coating method) ), a bar coating method, an inkjet coating method, or the like can be adopted. Among these, a spin coating method or a slit coating method is preferable because a film having a uniform thickness can be formed.

전술의 프리베이킹의 조건은, 경화성 수지 조성물을 구성하는 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라 상이하지만, 70℃∼120℃의 온도에서 행하는 것이 바람직하고, 시간은, 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치에 따라 상이하지만, 대략 1분간∼15분간 정도이다.The above-described prebaking conditions are different depending on the kind and blending ratio of each component constituting the curable resin composition, but it is preferably performed at a temperature of 70°C to 120°C, and the time is a heating device such as a hot plate or an oven. Depending on the difference, but about 1 to 15 minutes.

[공정 (2)][Step (2)]

이어서, 본 실시 형태의 경화막의 형성 방법의 공정 (2)인 방사선 조사 공정에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 공정 (1)에서 기판(2) 상에 형성된 도막(1)의 적어도 일부에 방사선(4)을 조사한다. 이때, 도막(1)의 일부에만, 방사선(4a)을 조사하려면, 예를 들면, 소망하는 형상의 형성에 대응하는 패턴의 포토마스크(3)를 개재하여 행한다. 이 포토마스크(3)를 이용함으로써, 조사된 방사선(4)의 일부가 포토마스크를 투과하여, 그 일부의 방사선(4a)이, 도막(1)에 조사된다.Next, in the radiation irradiation step, which is the step (2) of the method for forming a cured film of the present embodiment, as shown in FIG. 2, at least a part of the coating film 1 formed on the substrate 2 in the step (1) has radiation ( Investigate 4). At this time, in order to irradiate the radiation 4a to only a part of the coating film 1, for example, it is performed through a photomask 3 having a pattern corresponding to formation of a desired shape. By using this photomask 3, a part of the irradiated radiation 4 passes through the photomask, and a part of the radiation 4a is irradiated to the coating film 1.

조사에 사용되는 방사선(4)으로서는, 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 들 수 있다. 이 중 파장이 200㎚∼550㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다.Examples of the radiation 4 used for irradiation include visible rays, ultraviolet rays, and far ultraviolet rays. Among these, radiation having a wavelength in the range of 200 nm to 550 nm is preferable, and radiation containing an ultraviolet ray of 365 nm is more preferable.

방사선(4)의 조사량(노광량)은, 방사선(4)의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI model 356, Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 10J/㎡∼10000J/㎡로 할 수 있고, 100J/㎡∼5000J/㎡가 바람직하고, 200J/㎡∼3000J/㎡가 보다 바람직하다.The radiation dose (exposure dose) of the radiation 4 is a value obtained by measuring the intensity of the radiation 4 at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (OAI model 356, manufactured by Optical Associates Inc.), and is 10 J/m 2 to 10000 J/m 2 It can be set as, 100 J/m 2 -5000 J/m 2 is preferable, and 200 J/m 2 -3000 J/m 2 is more preferable.

[공정 (3)][Step (3)]

다음으로, 본 실시 형태의 경화막의 형성 방법의 공정 (3)인 현상 공정에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 방사선 조사 후의 도 2의 도막(1)을 현상하여 불필요한 부분을 제거하고, 소정의 형상으로 패터닝된 도막(1a)을 얻는다.Next, in the developing step, which is the step (3) of the method for forming a cured film of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the coating film 1 of FIG. 2 after irradiation with radiation is developed to remove unnecessary portions, and a predetermined shape To obtain a patterned coating film 1a.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리나, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염이나, 콜린, 1,8-디아자바이사이클로-[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자바이사이클로-[4.3.0]-5-노넨 등의 알칼리성 화합물의 수용액을 사용할 수 있다. 전술의 알칼리성 화합물의 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 또한, 계면활성제를 그것만으로, 또는, 전술의 수용성 유기 용제의 첨가와 함께, 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다.Examples of the developer used for development include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, etc. Aqueous ammonium salts or aqueous solutions of alkaline compounds such as choline, 1,8-diazabicyclo-[5.4.0]-7-undecene, and 1,5-diazabicyclo-[4.3.0]-5-nonene can be used. I can. An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol and ethanol may be added to the aqueous solution of the above-described alkaline compound and used. In addition, a surfactant may be used alone or in an appropriate amount with the addition of the water-soluble organic solvent described above.

현상 방법은, 퍼들법, 디핑법, 샤워법, 스프레이법 등 중 어느 것이라도 좋고, 현상 시간은, 상온에서 5초간∼300초간으로 할 수 있고, 바람직하게는 상온에서 10초간∼180초간 정도이다. 현상 처리에 이어서, 예를 들면, 유수 세정을 30초간∼90초간 행한 후, 압축 공기나 압축 질소로 풍건함으로써, 소망하는 패턴이 얻어진다.The developing method may be any of a puddle method, a dipping method, a shower method, a spray method, and the like, and the developing time may be 5 seconds to 300 seconds at room temperature, preferably about 10 seconds to 180 seconds at room temperature. . Following the development treatment, for example, washing with flowing water is performed for 30 to 90 seconds, and then air-dried with compressed air or compressed nitrogen to obtain a desired pattern.

[공정 (4)][Step (4)]

다음으로, 본 실시 형태의 경화막의 형성 방법의 공정 (4)인 경화 공정에서는, 도 3에 나타낸 패터닝된 도막(1a)을, 노광 장치를 이용한 노광에 의해 경화(포스트 노광이라고도 함)한다. 이에 따라, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(2) 상에 형성된, 본 실시 형태의 경화막(5)이 얻어진다. 경화막(5)은, 전술한 바와 같이, 소망하는 형상이 되도록 패터닝되어 있다.Next, in the curing process which is the process (4) of the cured film forming method of the present embodiment, the patterned coating film 1a shown in FIG. 3 is cured by exposure using an exposure apparatus (also referred to as post exposure). Thereby, as shown in FIG. 4, the cured film 5 of this embodiment formed on the board|substrate 2 is obtained. The cured film 5 is patterned so as to have a desired shape as described above.

본 실시 형태의 경화막(5)의 형성에는, 전술한 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 이용하고 있고, 본 공정에서는, 그 도막의 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (1)에서 형성되고, 공정 (2) 및 공정 (3)에서 패터닝된 도막에 대하여, 소정의 방사선을 조사한다. 이때에 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다.In formation of the cured film 5 of the present embodiment, the curable resin composition of the first embodiment described above is used, and in this step, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in step (1) and patterned in step (2) and step (3) is irradiated with predetermined radiation. As the radiation used at this time, for example, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X rays, and charged particle rays.

전술의 자외선으로서는, 예를 들면, g선(파장 436㎚), i선(파장 365㎚) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면, KrF 엑시머 레이저광 등을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면, 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중, 자외선의 사용이 바람직하고, 자외선 중에서도 g선, h선 및 i선 중 적어도 한쪽을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1J/㎡∼30000J/㎡가 바람직하다.Examples of the aforementioned ultraviolet rays include g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), and the like. Examples of the far ultraviolet rays include KrF excimer laser light. Examples of X-rays include synchrotron radiation. As a charged particle beam, an electron beam etc. are mentioned, for example. Among these radiations, the use of ultraviolet rays is preferable, and among ultraviolet rays, radiation containing at least one of g-rays, h-rays and i-rays is more preferable. The exposure amount of radiation is preferably 0.1 J/m 2 to 30000 J/m 2.

이상의 공정 (1)∼공정 (4)를 포함하는 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 본 실시 형태의 경화막은, 수지 중에 [B] 반도체 양자 도트를 포함하여 구성되고, [B] 반도체 양자 도트에 기초하는 형광 발광(파장 변환) 기능을 갖는다. 그 때문에, 여기광과 상이한 파장의 형광을 발광하는 파장 변환 필름으로서 이용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 형태의 파장 변환 필름은, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 제2 실시 형태의 경화막의 형성 방법에 따라 형성할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 파장 변환 필름은, [B] 반도체 양자 도트에 기초하는 형광 발광(파장 변환) 기능을 갖는다.The cured film of the present embodiment formed by the method for forming a cured film including the above steps (1) to (4) is constituted by including [B] semiconductor quantum dots in a resin, and is based on [B] semiconductor quantum dots. It has a fluorescence emission (wavelength conversion) function. Therefore, it can be used as a wavelength conversion film that emits fluorescence with a wavelength different from that of the excitation light. Therefore, the wavelength conversion film of the embodiment of the present invention can be formed by using the curable resin composition of the first embodiment of the present invention according to the method for forming a cured film of the second embodiment described above. And the wavelength conversion film of this embodiment has a fluorescence emission (wavelength conversion) function based on the semiconductor quantum dot [B].

또한, 본 실시 형태의 경화막을 발광층으로서 이용하여, 발광 소자를 제공하는 것도 가능하다. 그 경우, 본 발명의 실시 형태의 발광 소자의 발광층은, 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 본 실시 형태의 경화막의 형성 방법에 따라, 동일하게 형성할 수 있다. 그리고, 본 실시 형태의 발광 소자의 발광층은, [B] 반도체 양자 도트에 기초하는 형광 발광(파장 변환) 기능을 갖는다.It is also possible to provide a light-emitting element by using the cured film of the present embodiment as a light-emitting layer. In that case, the light-emitting layer of the light-emitting element according to the embodiment of the present invention can be similarly formed by using the curable resin composition of the first embodiment of the present invention and according to the method for forming the cured film of the present embodiment described above. In addition, the light emitting layer of the light emitting device of the present embodiment has a function of emitting fluorescence (wavelength conversion) based on the semiconductor quantum dot [B].

특히, 본 실시 형태의 경화막은, 후술하는 바와 같이, 발광 소자의 예인 발광 표시 소자의 발광층으로서의 이용에 적합하고, 발광 표시 소자의 구성에 이용할 수 있다.In particular, the cured film of the present embodiment is suitable for use as a light-emitting layer of a light-emitting display element, which is an example of a light-emitting element, as described later, and can be used in the configuration of a light-emitting display element.

그 때문에, 경화막은 빛의 이용 효율을 높일 수 있도록, 그것을 구성하는 수지에 있어서, 두께 0.1㎜에서의 전체 광선 투과율(JIS K7105)이, 바람직하게는 75％∼95％이며, 보다 바람직하게는 78％∼95％이며, 더욱 바람직하게는 80％∼95％이다. 전체 광선 투과율이 이러한 범위이면, 얻어지는 경화막은 우수한 광 이용 효율의 파장 변환 필름이나 발광 소자의 발광층을 구성할 수 있다.Therefore, the cured film has a total light transmittance (JIS K7105) of 0.1 mm in thickness in the resin constituting it so as to increase the light utilization efficiency, preferably 75% to 95%, more preferably 78 It is %-95%, More preferably, it is 80%-95%. If the total light transmittance is in such a range, the resulting cured film can constitute a wavelength conversion film having excellent light utilization efficiency or a light emitting layer of a light emitting element.

실시 형태 3.Embodiment 3.

＜발광 표시 소자 및 그 발광층＞<Light-emitting display element and its light-emitting layer>

본 발명에 있어서는, 전술한 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막을 이용하여, 파장 변환 필름이나 발광층으로서 사용함으로써, 조명 장치나 발광 표시 소자 등의 발광 소자를 제공할 수 있다.In the present invention, light-emitting elements such as lighting devices and light-emitting display elements can be provided by using the cured film of the second embodiment of the present invention described above and as a wavelength conversion film or a light-emitting layer.

본 발명의 제3 실시 형태인 발광 표시 소자는, 본 발명의 발광 소자의 일례이다. 본 발명의 제3 실시 형태인 발광 표시 소자는, 전술한 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막을 발광층으로 하는 파장 변환 기판을 이용하여 구성된다.The light emitting display device according to the third embodiment of the present invention is an example of the light emitting device of the present invention. The light-emitting display device according to the third embodiment of the present invention is constructed using a wavelength conversion substrate using the cured film of the second embodiment of the present invention described above as a light-emitting layer.

도 5는, 본 발명의 실시 형태의 발광 표시 소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시 형태의 발광 표시 소자(100)는, 기판(12) 상에 발광층(13)(13a, 13b, 13c)과 블랙 매트릭스(14)를 형성하여 구성된 파장 변환 기판(11)과, 파장 변환 기판(11) 상에 접착제층(15)을 개재하여 접합된 광원 기판(18)을 갖는다.The light emitting display device 100 of the first embodiment of the present invention includes a wavelength conversion substrate 11 formed by forming light emitting layers 13 (13a, 13b, 13c) and a black matrix 14 on a substrate 12, and , And a light source substrate 18 bonded to the wavelength conversion substrate 11 via an adhesive layer 15 therebetween.

기판(12)은, 유리, 석영, 또는, 투명 수지(예를 들면, 투명 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르 필름, 환상 올레핀계 수지 필름 등) 등으로 이루어진다.The substrate 12 is made of glass, quartz, or a transparent resin (eg, transparent polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyester film, cyclic olefin resin film, etc.).

파장 변환 기판(11)의 발광층(13)은, 전술한 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막을 이용하여 이루어지는 것이다. 즉, 발광층(13)은, 전술한 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 이용하고, 패터닝하여 형성된다.The light emitting layer 13 of the wavelength conversion substrate 11 is formed using the cured film of the second embodiment of the present invention described above. That is, the light emitting layer 13 is formed by patterning using the curable resin composition of the first embodiment of the present invention described above.

발광층의 형성 방법에 대해서는, 그들이 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막을 이용하여 이루어지는 것인 점에서, 전술한 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성 방법과 동일해진다.The method for forming the light emitting layer is the same as the method for forming the cured film according to the second embodiment of the present invention, in that they are formed by using the cured film according to the second embodiment of the present invention.

즉, 기판(12) 상에 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막이 형성되고, 그들이 발광층(13)이 되어 발광 표시 소자(100)의 파장 변환 기판(11)을 구성한다. 따라서, 발광층(13)의 형성 방법은, 전술한 것과 동일한 하기 공정 (1)∼공정 (4)를 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다.That is, the cured film of the second embodiment of the present invention is formed on the substrate 12, and they become the light emitting layer 13 to constitute the wavelength conversion substrate 11 of the light emitting display device 100. Therefore, it is preferable that the formation method of the light emitting layer 13 includes the following steps (1) to (4), which are the same as those described above, in this order.

(1) 본 발명의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 도막 형성 공정.(1) A coating film forming step of forming a coating film of the curable resin composition of the first embodiment of the present invention on a substrate.

(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 방사선 조사 공정.(2) A radiation irradiation step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1) with radiation.

(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 현상 공정.(3) A developing step of developing a coating film irradiated with radiation in step (2).

(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 노광하는 경화 공정.(4) A curing step of exposing the coating film developed in step (3).

그리고, 발광층(13)을 형성하기 위한 (1) 공정∼(4) 공정의 각각은, 본 발명의 제2 실시 형태의 경화막의 형성에 있어서, 도 1∼도 4를 이용하여 설명했던 바와 같다. 따라서, 그의 상세는 생략하지만, 도 4에 대해서 나타나는 소망하는 형상이 되도록 패터닝된 경화막(5)이, 도 5의 파장 변환 기판(11)의 발광층(13)이 된다.In addition, each of the steps (1) to (4) for forming the light emitting layer 13 is as described with reference to FIGS. 1 to 4 in the formation of the cured film according to the second embodiment of the present invention. Therefore, although the details thereof are omitted, the cured film 5 patterned to have a desired shape shown in FIG. 4 becomes the light emitting layer 13 of the wavelength conversion substrate 11 in FIG. 5.

파장 변환 기판(11)은, 발광층(13)의 각각이, 함유하는 반도체 양자 도트를 이용하고, 광원 기판(18)의 여기 광원(17)으로부터의 여기광을 파장 변환하여, 소망으로 하는 파장의 형광을 발광한다.The wavelength conversion substrate 11 uses semiconductor quantum dots contained in each of the light emitting layers 13, and converts the excitation light from the excitation light source 17 of the light source substrate 18 to a wavelength of a desired wavelength. Emits fluorescence.

그리고, 파장 변환 기판(11)에서는, 발광층(13)의 발광층(13a)과 발광층(13b)과 발광층(13c)이, 각각, 상이한 반도체 양자 도트를 포함하여 구성되어, 상이한 형광을 발광할 수 있다.In addition, in the wavelength conversion substrate 11, the light-emitting layer 13a, the light-emitting layer 13b, and the light-emitting layer 13c of the light-emitting layer 13 are each composed of different semiconductor quantum dots, so that different fluorescence can be emitted. .

예를 들면, 파장 변환 기판(11)은, 발광층(13a)이 여기광을 적색의 빛으로 변환하고, 발광층(13b)이 여기광을 녹색의 빛으로 변환하고, 발광층(13c)이 여기광을 청색의 빛으로 변환하도록 구성할 수 있다.For example, in the wavelength conversion substrate 11, the light emitting layer 13a converts excitation light into red light, the light emitting layer 13b converts excitation light into green light, and the light emitting layer 13c converts the excitation light. It can be configured to convert to blue light.

그 경우, 발광층(13a, 13b, 13c)은, 각각이 소망으로 하는 형광 특성을 갖도록, 함유하는 반도체 양자 도트의 선택이 이루어진다. 그 때문에, 파장 변환 기판(11)의 발광층(13a, 13b, 13c)의 형성에 있어서는, 상이한 발광 특성의 반도체 양자 도트를 포함하는, 예를 들면, 3종의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물이 준비된다.In that case, the semiconductor quantum dots to be contained are selected so that the light emitting layers 13a, 13b, and 13c each have a desired fluorescence characteristic. Therefore, in the formation of the light emitting layers 13a, 13b, 13c of the wavelength conversion substrate 11, for example, the curable resin composition of the first embodiment of three types containing semiconductor quantum dots of different light emission characteristics Ready.

그리고, 그 3종의 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물을 각각 이용하여, 전술한 공정 (1)∼공정 (4)를 포함하는 발광층(13)의 형성 방법을 반복하여, 발광층(13a), 발광층(13b) 및 발광층(13c)을 순차 형성한다. 그리고, 기판(12) 상에 발광층(13)을 형성하여, 파장 변환 기판(11)을 얻는다.Then, the method of forming the light-emitting layer 13 including the above-described steps (1) to (4) is repeated using the curable resin compositions of the three types of first embodiment, respectively, and the light-emitting layer 13a and the light-emitting layer (13b) and the light emitting layer 13c are sequentially formed. Then, a light emitting layer 13 is formed on the substrate 12 to obtain a wavelength conversion substrate 11.

파장 변환 기판(11)의 발광층(13)의 두께는, 100㎚∼100㎛ 정도가 바람직하고, 1㎛∼100㎛가 보다 바람직하다. 그 두께가 100㎚ 미만이면, 여기광을 충분히 흡수할 수 없고, 광 변환 효율이 저하되기 때문에 발광 표시 소자의 휘도를 충분히 확보할 수 없다는 문제가 발생한다. 또한, 여기광의 흡수를 높여, 발광 표시 소자의 휘도를 충분히 확보하기 위해서는, 막두께로서, 1㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.The thickness of the light emitting layer 13 of the wavelength conversion substrate 11 is preferably about 100 nm to 100 μm, more preferably 1 μm to 100 μm. If the thickness is less than 100 nm, the excitation light cannot be sufficiently absorbed, and since the light conversion efficiency is lowered, there arises a problem that the luminance of the light-emitting display element cannot be sufficiently secured. Further, in order to increase the absorption of excitation light and sufficiently secure the luminance of the light-emitting display element, the film thickness is preferably set to 1 µm or more.

기판(12) 상의 각 발광층(13)의 사이에는, 블랙 매트릭스(14)가 배치되어 있다. 블랙 매트릭스(14)는, 공지의 차광성의 재료를 이용하고, 공지의 방법에 따라 패터닝하여 형성할 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(14)는, 파장 변환 기판(11)에 있어서, 필수의 구성 요소가 아니라, 파장 변환 기판(11)은, 블랙 매트릭스(14)를 형성하지 않는 구성으로 하는 것도 가능하다.A black matrix 14 is disposed between each light emitting layer 13 on the substrate 12. The black matrix 14 can be formed by using a known light-shielding material and patterning according to a known method. In addition, the black matrix 14 is not an essential component in the wavelength conversion substrate 11, and the wavelength conversion substrate 11 can also be configured in which the black matrix 14 is not formed.

접착제층(15)은, 후술하는 파장의 자외광 또는 청색광을 투과하는 공지의 접착제를 이용하여 형성된다. 또한, 접착제층(15)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판(12) 상에 발광층(13a, 13b, 13c)의 전체면을 피복하도록 형성할 필요는 없고, 파장 변환 기판(11)의 주위에만 형성하는 것도 가능하다.The adhesive layer 15 is formed by using a known adhesive that transmits ultraviolet light or blue light of a wavelength to be described later. In addition, the adhesive layer 15 need not be formed so as to cover the entire surface of the light emitting layers 13a, 13b, 13c on the substrate 12, as shown in FIG. 5, and the periphery of the wavelength conversion substrate 11 It is also possible to form only.

광원 기판(18)은, 기판(16)과, 기판(16)의 파장 변환 기판(11)측에 배치된 광원(17)을 구비하고 있다. 광원(17)으로부터는 각각, 여기광으로서 자외광 또는 청색광이 출사된다.The light source substrate 18 includes a substrate 16 and a light source 17 disposed on the side of the wavelength conversion substrate 11 of the substrate 16. From the light source 17, ultraviolet light or blue light is emitted as excitation light, respectively.

광원(17)으로서는, 공지의 구조의 자외 발광 유기 EL 소자 및 청색 발광 유기 EL 소자 등의 사용이 가능하며, 특별히 한정되는 것이 아니고, 공지의 재료, 공지의 제조 방법으로 제작하는 것이 가능하다. 여기에서, 자외광으로서는, 주(主)발광 피크가 360㎚∼435㎚인 발광이 바람직하고, 청색광으로서는, 주발광 피크가 435㎚∼480㎚인 발광이 바람직하다. 광원(17)은, 각각의 출사광이 대향하는 발광층(13)을 조사하도록, 지향성을 갖고 있는 것이 바람직하다.As the light source 17, an ultraviolet light-emitting organic EL element and a blue light-emitting organic EL element of a known structure can be used, and it is not particularly limited, and can be produced by a known material or a known manufacturing method. Here, as ultraviolet light, light emission with a main emission peak of 360 nm to 435 nm is preferable, and as blue light, light emission with a main emission peak of 435 nm to 480 nm is preferable. It is preferable that the light source 17 has directivity so that each emitted light irradiates the light emitting layer 13 opposite.

본 실시 형태의 발광 표시 소자(100)는, 광원(17)의 하나인 광원(17a)으로부터의 여기광을, 대향하는 파장 변환 기판(11)의 발광층(13a)의 반도체 양자 도트에 의해 파장 변환한다. 마찬가지로, 광원(17b)으로부터의 여기광을, 대향하는 파장 변환 기판(11)의 발광층(13b)의 반도체 양자 도트에 의해 파장 변환하고, 또한, 광원(17c)으로부터의 여기광을, 대향하는 파장 변환 기판(11)의 발광층(13c)의 반도체 양자 도트에 의해 파장 변환한다. 이와 같이 하여, 광원(17)으로부터의 여기광이, 각각 소망으로 하는 파장의 가시광선에 변환되어 표시에 이용되고 있다.The light emitting display device 100 of the present embodiment converts the excitation light from the light source 17a, which is one of the light sources 17, to wavelength by semiconductor quantum dots of the light emitting layer 13a of the wavelength conversion substrate 11 opposite. do. Similarly, the excitation light from the light source 17b is wavelength-converted by the semiconductor quantum dots of the light emitting layer 13b of the wavelength conversion substrate 11 to be opposed, and the excitation light from the light source 17c is converted to the opposite wavelength. Wavelength conversion is performed by semiconductor quantum dots of the light emitting layer 13c of the conversion substrate 11. In this way, the excitation light from the light source 17 is converted into visible light having a desired wavelength, respectively, and is used for display.

또한, 파장 변환 기판(11)에 있어서는, 후술하는 바와 같이, 발광층(13c)에 있어서 여기광을 청색광으로 변환한다. 이때, 파장 변환 기판(11)은, 발광층(13c)을 대신하여, 수지 중에 광산 산란 입자를 분산하여 구성된 광산란층을 이용하는 것도 가능하다. 이렇게 함으로써, 여기광이 청색광인 경우, 그 여기광을 파장 변환하는 일 없이, 그대로의 파장 특성으로 사용할 수 있다.In addition, in the wavelength conversion substrate 11, excitation light is converted into blue light in the light emitting layer 13c, as described later. At this time, as the wavelength conversion substrate 11, it is also possible to use a light-scattering layer formed by dispersing light-scattering particles in a resin instead of the light-emitting layer 13c. By doing so, when the excitation light is blue light, the excitation light can be used as it is without wavelength conversion.

발광 표시 소자(100)의 파장 변환 기판(11)은, 전술한 바와 같이, 각각 반도체 양자 도트와 수지로 이루어지는 발광층(13a)과 발광층(13b)과 발광층(13c)이, 기판(12) 위에 패터닝되어 형성된 것이다. 발광층(13a, 13b, 13c)은, 반도체 양자 도트를 포함하는, 제1 실시 형태의 경화성 수지 조성물로 각각 형성된다.As described above, the wavelength conversion substrate 11 of the light-emitting display device 100 includes a light-emitting layer 13a, a light-emitting layer 13b, and a light-emitting layer 13c made of semiconductor quantum dots and resin, respectively, patterned on the substrate 12. Was formed. The light-emitting layers 13a, 13b, 13c are each formed of the curable resin composition of the first embodiment including semiconductor quantum dots.

발광 표시 소자(100)에 있어서는, 발광층(13a)이 형성된 부분이, 적색 표시를 행하는 서브 화소를 구성한다. 즉, 파장 변환 기판(11)의 발광층(13a)은, 광원 기판(18)의 대향하는 광원(17a)으로부터의 여기광을 적색으로 변환한다. 또한, 발광층(13b)이 형성된 부분이, 녹색 표시를 행하는 서브 화소를 구성한다. 즉, 발광층(13b)은, 광원 기판(18)의 대향하는 광원(17b)으로부터의 여기광을 녹색으로 변환한다. 또한, 발광층(13c)이 형성된 부분이, 청색 표시를 행하는 서브 화소를 구성한다. 즉, 발광층(13c)은, 광원 기판(18)의 대향하는 광원(17c)으로부터의 여기광을 청색으로 변환한다.In the light-emitting display device 100, a portion in which the light-emitting layer 13a is formed constitutes a sub-pixel that displays red. That is, the light emitting layer 13a of the wavelength conversion substrate 11 converts the excitation light from the light source 17a facing the light source substrate 18 into red. Further, the portion in which the light-emitting layer 13b is formed constitutes a sub-pixel that displays green. That is, the light emitting layer 13b converts the excitation light from the light source 17b opposite the light source substrate 18 to green. Further, the portion in which the light emitting layer 13c is formed constitutes a sub-pixel that displays blue. That is, the light emitting layer 13c converts the excitation light from the light source 17c facing the light source substrate 18 into blue.

그리고, 발광 표시 소자(100)는, 발광층(13a)을 구비한 서브 화소, 발광층(13b)을 구비한 서브 화소 및 발광층(13c)을 구비한 서브 화소의 3종에 의해, 화상을 구성하는 최소 단위가 되는 1개의 화소를 구성한다.In addition, the light-emitting display device 100 comprises three types of sub-pixels with the light-emitting layer 13a, the sub-pixels with the light-emitting layer 13b, and the sub-pixels with the light-emitting layer 13c, which constitutes an image One pixel as a unit is configured.

이상의 구성을 갖는 본 실시 형태의 발광 표시 소자(100)는, 발광층(13a)을 구비한 서브 화소, 발광층(13b)을 구비한 서브 화소 및 발광층(13c)을 구비한 서브 화소마다, 적색, 녹색 또는 청색의 빛의 발광이 제어된다. 그리고, 3종의 서브 화소로 이루어지는 1개의 화소마다, 적색, 녹색 및 청색의 빛의 발광이 제어되어, 풀 컬러의 표시가 행해진다.In the light emitting display device 100 of the present embodiment having the above configuration, each of the sub-pixels provided with the light-emitting layer 13a, the sub-pixels provided with the light-emitting layer 13b, and the sub-pixels provided with the light-emitting layer 13c is red and green. Alternatively, the emission of blue light is controlled. Then, for each pixel composed of three types of sub-pixels, emission of red, green, and blue light is controlled, and full color display is performed.

또한, 본 발명의 실시 형태의 발광 표시 소자(100)에 있어서는, 발광층(13)과 기판(12)과의 사이에, 컬러 필터를 형성하는 것이 가능하다. 즉, 발광층(13a)과 기판(12)과의 사이에 적색의 컬러 필터를 형성하고, 발광층(13b)과 기판(12)과의 사이에 녹색의 컬러 필터를 형성하고, 발광층(13c)과 기판(12)과의 사이에 적색의 컬러 필터를 형성할 수 있다.In addition, in the light emitting display device 100 of the embodiment of the present invention, it is possible to form a color filter between the light emitting layer 13 and the substrate 12. That is, a red color filter is formed between the light emitting layer 13a and the substrate 12, a green color filter is formed between the light emitting layer 13b and the substrate 12, and the light emitting layer 13c and the substrate A red color filter can be formed between (12).

본 발명의 제3 실시 형태의 발광 표시 소자(100)는, 컬러 필터를 형성함으로써, 표시의 색 순도를 높일 수 있다. 여기에서, 컬러 필터로서는, 액정 표시 소자용 등으로서 공지의 것을 공지의 방법으로 형성하여 이용할 수 있다.In the light-emitting display device 100 of the third embodiment of the present invention, the color purity of display can be increased by forming a color filter. Here, as the color filter, a known one for a liquid crystal display device or the like can be formed and used by a known method.

(실시예)(Example)

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples at all.

＜[B] 반도체 양자 도트 ([B] 성분)＞<[B] Semiconductor quantum dot ([B] component)>

본 실시예에서 이용한 반도체 양자 도트를 다음에 나타낸다.The semiconductor quantum dots used in this embodiment are shown below.

반도체 양자 도트 A: InP/ZnS 코어 쉘형 양자 도트Semiconductor quantum dot A: InP/ZnS core-shell quantum dot

반도체 양자 도트 B: InCuS2/ZnS 코어 쉘형 양자 도트Semiconductor quantum dot B: InCuS 2 /ZnS core-shell quantum dot

반도체 양자 도트 C: Si 양자 도트Semiconductor quantum dot C: Si quantum dot

그리고, 하기 실시예에서 이용한 반도체 양자 도트 A: InP/ZnS 코어 쉘형 양자 도트, 반도체 양자 도트 B: InCuS2/ZnS 코어 쉘형 양자 도트, 반도체 양자 도트 C: Si 양자 도트는, 일반적으로 알려져 있는 방법으로 합성할 수 있다.In addition, semiconductor quantum dots A: InP/ZnS core-shell quantum dots, semiconductor quantum dots B: InCuS 2 /ZnS core-shell quantum dots, semiconductor quantum dots C: Si quantum dots used in the following examples are generally known methods. It can be synthesized.

예를 들면, 반도체 양자 도트 A: InP/ZnS 코어 쉘형 양자 도트에 관해서는 기술문헌 「Journal of American Chemical Society. 2007, 129, 15432-15433」에, 반도체 양자 도트 B: InCuS2/ZnS 코어 쉘형 양자 도트에 관해서는 기술문헌 「Journal of American Chemical Society. 2009, 131, 5691-5697」 및 기술문헌 「Chemistry of Materials. 2009, 21, 2422-2429」에, 반도체 양자 도트 C: Si 양자 도트에 관해서는 기술문헌 「Journal of American Chemical Society. 2010, 132, 248-253」에 기재되어 있는 방법을 참조하여 합성할 수 있다.For example, semiconductor quantum dot A: InP/ZnS core-shell quantum dot is described in technical literature "Journal of American Chemical Society. 2007, 129, 15432-15433", for semiconductor quantum dot B: InCuS 2 /ZnS core-shell quantum dot, the technical literature "Journal of American Chemical Society. 2009, 131, 5691-5697" and the technical literature "Chemistry of Materials. 2009, 21, 2422-2429", regarding the semiconductor quantum dot C:Si quantum dot, the technical literature "Journal of American Chemical Society. 2010, 132, 248-253”.

이상의 [B] 반도체 양자 도트와 함께, [A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 중량 평균 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물 ([A] 성분) 및 [C] 탄화수소계 용제 ([C] 성분)을 이용하고, 추가로, [D] 중합성 개시제 ([D] 성분), [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체 ([E] 성분)인 전술의 [E1] 성분, [E2] 성분을 이용하여, 실시예의 경화성 수지 조성물을 조제했다. 이어서, 그것을 이용하여 실시예의 경화막을 형성하고, 그 평가를 행했다.Along with the above [B] semiconductor quantum dots, [A] a compound having a weight average molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule (component [A]) and [C] a hydrocarbon-based solvent (component [C] ), and further, [D] a polymerizable initiator (component [D]), the aforementioned [E1] component which is a polymer having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less (component [E]) having a [E] carboxyl group, Using the component [E2], a curable resin composition of Examples was prepared. Then, using it, the cured film of an Example was formed, and the evaluation was performed.

＜[E1] 성분의 합성예＞<Synthesis example of component [E1]>

냉각관과 교반기를 구비한 플라스크에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 150질량부를 투입하여 질소 치환했다. 80℃로 가열하여, 동 온도에서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50질량부, 메타크릴산 20질량부, 벤질메타크릴레이트 5질량부, 스티렌 10질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 13질량부, 2-에틸헥실메타크릴레이트 40질량부, N-페닐말레이미드 12질량부 및 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 6질량부의 혼합 용액을 2시간에 걸쳐 적하하고, 이 온도를 보존유지하여 1시간 중합했다. 그 후, 반응 용액의 온도를 90℃로 승온시키고, 추가로 1시간 중합함으로써, 수지 용액(고형분 농도=33질량％)을 얻었다. 얻어진 수지는, Mw=11100, Mn=6000, Mw/Mn=1.85였다. 이것을 카복실기 함유 수지 용액 (E-1)로 한다.Into a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 150 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate was added, followed by nitrogen substitution. Heated to 80°C, at the same temperature, 50 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate, 20 parts by mass of methacrylic acid, 5 parts by mass of benzyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, 13 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate Parts, a mixed solution of 40 parts by mass of 2-ethylhexyl methacrylate, 12 parts by mass of N-phenylmaleimide and 6 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added dropwise over 2 hours Then, the temperature was maintained and polymerized for 1 hour. Thereafter, the temperature of the reaction solution was raised to 90° C., and polymerization was performed for an additional hour to obtain a resin solution (solid content concentration = 33 mass%). The obtained resin was Mw=11100, Mn=6000, and Mw/Mn=1.85. Let this be the carboxyl group-containing resin solution (E-1).

실시예 1Example 1

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅰ)의 조제][Preparation of curable resin composition (β-I)]

[E2] 성분으로서 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「UC-102」)을 함유하는 용액을, 중합체 30질량부(고형분)에 상당하는 양 및, [D] 성분으로서 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) OXE01) 10질량부, [A] 성분으로서 1,9-노난디올디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 주식회사 제조 NK에스테르(등록상표) A-NOD-N) 70질량부를 혼합하고, [C] 성분으로서 p-멘탄에 용해시키고, [B] 성분으로서 반도체 양자 도트 A를 10질량부 혼합하여, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅰ)을 조제했다.[E2] A solution containing a carboxyl group-containing polyisoprene (manufactured by Kuraray, brand name "UC-102") as a component was used in an amount equivalent to 30 parts by mass (solid content) of a polymer, and 1,2 as a component [D] -Octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01 manufactured by BASF) 10 parts by mass, [A] 1,9-no as a component 70 parts by mass of Nandiol diacrylate (NK ester (registered trademark) A-NOD-N manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd.) was mixed, dissolved in p-mentane as a component [C], and semiconductor quantum dot A as a component [B] Was mixed with 10 parts by mass to prepare a curable resin composition (β-I).

실시예 2Example 2

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅱ)의 조제][Preparation of curable resin composition (β-II)]

[E2] 성분으로서 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「UC-203」) 20질량부 및, [D] 성분으로서 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) OXE01) 10질량부, [A] 성분으로서 1,10-데칸디올디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 주식회사 제조 NK에스테르(등록상표) A-DOD-N) 80질량부를 혼합하고, [C] 성분으로서 피난에 용해시키고, [B] 성분으로서 반도체 양자 도트 A를 10질량부 혼합하여, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅱ)를 조제했다.[E2] 20 parts by mass of polyisoprene containing a carboxyl group as a component (manufactured by Kuraray, brand name "UC-203"), and 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)- as a component [D] 2-(O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01 manufactured by BASF) 10 parts by mass, 1,10-decanediol diacrylate as component [A] (NK ester manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd. Registered trademark) 80 parts by mass of A-DOD-N) was mixed, dissolved in the evacuation as a component [C], and 10 parts by mass of semiconductor quantum dots A were mixed as a component [B] to obtain a curable resin composition (β-II). Prepared.

실시예 3Example 3

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅲ)의 조제][Preparation of curable resin composition (β-III)]

[E2] 성분으로서 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「UC-102」) 30질량부 및, [D] 성분으로서 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) 379) 10질량부, [A] 성분으로서 1,9-노난디올디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 주식회사 제조 NK에스테르(등록상표) A-NOD-N) 50질량부, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 20질량부(토아고세 주식회사 제조 아로닉스(등록상표) M-321)를 혼합하고, [C] 성분으로서 데칸에 용해시키고, [B] 성분으로서 반도체 양자 도트 C를 10질량부 혼합하여, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅲ)을 조제했다.[E2] 30 parts by mass of a carboxyl group-containing polyisoprene (manufactured by Kuraray, brand name "UC-102") as a component, and 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-( 4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one (Irgacure (registered trademark) 379 manufactured by BASF) 10 parts by mass, [A] 1,9-nonanediol diacrylate (new Nakamura Chemical Industries Co., Ltd. NK ester (registered trademark) A-NOD-N) 50 parts by mass, propylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate 20 parts by mass (Toagose Corporation, Aronix (registered trademark) M-321) is mixed Then, it was dissolved in decane as a component [C], and 10 parts by mass of semiconductor quantum dots C were mixed as a component [B] to prepare a curable resin composition (β-III).

실시예 4Example 4

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅳ)의 조제][Preparation of curable resin composition (β-IV)]

[E2] 성분으로서 카복실기 함유 폴리이소프렌(주식회사 쿠라레 제조, 상품명 「UC-102」) 40질량부 및, [D] 성분으로서 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) OXE01) 10질량부, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)(BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) OXE02) 5질량부, [A] 성분으로서 1,9-노난디올디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 주식회사 제조 NK에스테르(등록상표) A-NOD-N) 60질량부를 혼합하고, [C] 성분으로서 피난에 용해시키고, [B] 성분으로서 반도체 양자 도트 B를 10질량부 혼합하여, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅳ)를 조제했다.[E2] 40 parts by mass of a carboxyl group-containing polyisoprene (manufactured by Kuraray, brand name "UC-102") as a component, and 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)- as a component [D] 2-(O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01 manufactured by BASF) 10 parts by mass, ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole- 3-yl]-1-(O-acetyloxime) (Irgacure (registered trademark) OXE02 manufactured by BASF) 5 parts by mass, 1,9-nonanediol diacrylate as component [A] (Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd. Production NK ester (registered trademark) A-NOD-N) 60 parts by mass are mixed, dissolved in the evacuation as component [C], and 10 parts by mass of semiconductor quantum dots B as component [B] are mixed, and the curable resin composition (β -IV) was prepared.

실시예 5Example 5

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅴ)의 조제][Preparation of curable resin composition (β-V)]

[E1] 성분으로서 카복실기 함유 수지 용액 (E-1) 90질량부에 [C] 성분으로서 p-멘탄 40질량부를 첨가하여 용해시킨 후, [B] 성분으로서 반도체 양자 도트 A를 10질량부 혼합하여 균일한 용액을 제작하고, [D] 성분으로서 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온(BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) 907) 5질량부, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](BASF사 제조 이르가큐어(등록상표) OXE01) 5질량부, [A] 성분으로서 트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트(신나카무라 화학공업 주식회사 제조 NK에스테르(등록상표) A-DCP) 20질량부, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트(토아고세 주식회사 제조 아로닉스(등록상표) M-408) 10질량부를 혼합하여, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅴ)를 조제했다.[E1] After dissolving by adding 40 parts by mass of p-mentane as a component [C] to 90 parts by mass of the carboxyl group-containing resin solution (E-1) as a component, 10 parts by mass of semiconductor quantum dots A as the component [B] To prepare a uniform solution, and as component [D], 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one (Irgacure (registered trademark) manufactured by BASF) 907) 5 parts by mass, 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)] (Irgacure (registered trademark) OXE01 manufactured by BASF) 5 parts by mass, [ A] As a component, tricyclodecane dimethanol diacrylate (NK ester (registered trademark) A-DCP manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd.) 20 parts by mass, ditrimethylolpropane tetraacrylate (Aronix (registered trademark) manufactured by Toagose Corporation) ) 10 parts by mass of M-408) was mixed to prepare a curable resin composition (β-V).

실시예 6Example 6

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅰ)을 이용한 경화막의 형성][Formation of cured film using curable resin composition (β-I)]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 1에서 조제한 경화성 수지 조성물 (β-Ⅰ)을 스피너에 의해 도포한 후, 80℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 도막을 형성했다.On an alkali-free glass substrate, the curable resin composition (β-I) prepared in Example 1 was applied with a spinner, and then prebaked on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a coating film.

다음으로, 소정의 패턴을 구비한 포토마스크를 개재하고, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 700J/㎡로 하여 방사선 조사를 행했다. 이어서, 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 23℃, 80초간 현상을 행했다.Next, through a photomask provided with a predetermined pattern, the resulting coating film was irradiated with radiation at an exposure dose of 700 J/m2 using a high-pressure mercury lamp. Subsequently, development was performed at 23° C. for 80 seconds with a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution.

다음으로, 얻어진 패턴에, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 10000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하여, 소정의 형상으로 패터닝된 경화막을 형성했다.Next, the obtained pattern was irradiated with radiation at an exposure dose of 10000 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp to form a cured film patterned in a predetermined shape.

다음으로, 패터닝된 경화막의 가장자리 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴의 직선 부분이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우에 패터닝성 양호라고 판단했다.Next, the edge portion of the patterned cured film was observed with an optical microscope, and when there was no developing residue and the straight portion of the pattern was formed in a linear shape, it was judged that the patterning property was good.

그 결과, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅰ)을 이용하고, 패터닝하여 형성된 경화막의 패터닝성은 양호했다.As a result, the patterning property of the cured film formed by patterning using the curable resin composition (β-I) was good.

실시예 7Example 7

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅱ)를 이용한 경화막의 형성][Formation of cured film using curable resin composition (β-II)]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 2에서 조제한 경화성 수지 조성물 (β-Ⅱ)를 스피너에 의해 도포한 후, 80℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 도막을 형성했다.On an alkali-free glass substrate, the curable resin composition (β-II) prepared in Example 2 was applied by a spinner, and then prebaked on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a coating film.

다음으로, 소정의 패턴을 구비한 포토마스크를 개재하고, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 1000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하고, 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 23℃, 80초간 현상을 행했다.Next, through a photomask having a predetermined pattern, the resulting coating film was irradiated with radiation using a high-pressure mercury lamp at an exposure dose of 1000 J/m 2, and developed at 23° C. for 80 seconds with a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution. Did.

다음으로, 얻어진 패턴에, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 10000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하여, 소정의 형상으로 패터닝된 경화막을 형성했다.Next, the obtained pattern was irradiated with radiation at an exposure dose of 10000 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp to form a cured film patterned in a predetermined shape.

다음으로, 패터닝된 경화막의 단 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴의 직선 부분이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우에 패터닝성 양호라고 판단했다.Next, the end portion of the patterned cured film was observed with an optical microscope, and when there was no developing residue and the straight portion of the pattern was formed in a linear shape, it was judged that the patterning property was good.

그 결과, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅱ)를 이용하고, 패터닝하여 형성된 경화막의 패터닝성은 양호했다.As a result, the patterning property of the cured film formed by patterning using the curable resin composition (β-II) was good.

실시예 8Example 8

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅲ)을 이용한 경화막의 형성][Formation of cured film using curable resin composition (β-III)]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 3에서 조제한 경화성 수지 조성물 (β-Ⅲ)을 스피너에 의해 도포한 후, 80℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 도막을 형성했다.On an alkali-free glass substrate, the curable resin composition (β-III) prepared in Example 3 was applied with a spinner, and then prebaked on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a coating film.

다음으로, 소정의 패턴을 구비한 포토마스크를 개재하고, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 800J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하고, 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 23℃, 80초간 현상을 행했다.Next, through a photomask having a predetermined pattern, the resulting coating film was irradiated with radiation at an exposure dose of 800 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp, and developed at 23° C. for 80 seconds with a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution. Did.

다음으로, 얻어진 패턴에, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 10000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하여, 소정의 형상으로 패터닝된 경화막을 형성했다.Next, the obtained pattern was irradiated with radiation at an exposure dose of 10000 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp to form a cured film patterned in a predetermined shape.

다음으로, 패터닝된 경화막의 단 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴의 직선 부분이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우에 패터닝성 양호라고 판단했다.Next, the end portion of the patterned cured film was observed with an optical microscope, and when there was no developing residue and the straight portion of the pattern was formed in a linear shape, it was judged that the patterning property was good.

그 결과, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅲ)을 이용하고, 패터닝하여 형성된 경화막의 패터닝성은 양호했다.As a result, the patterning property of the cured film formed by patterning using the curable resin composition (β-III) was good.

실시예 9Example 9

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅳ)를 이용한 경화막의 형성][Formation of cured film using curable resin composition (β-IV)]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 4에서 조제한 경화성 수지 조성물 (β-Ⅳ)를 스피너에 의해 도포한 후, 80℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 도막을 형성했다.On an alkali-free glass substrate, the curable resin composition (β-IV) prepared in Example 4 was applied by a spinner, and then prebaked on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a coating film.

다음으로, 소정의 패턴을 구비한 포토마스크를 개재하고, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 800J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하고, 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 23℃, 80초간 현상을 행했다.Next, through a photomask having a predetermined pattern, the resulting coating film was irradiated with radiation at an exposure dose of 800 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp, and developed at 23° C. for 80 seconds with a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution. Did.

다음으로, 얻어진 패턴에, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 10000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하여, 소정의 형상으로 패터닝된 경화막을 형성했다.Next, the obtained pattern was irradiated with radiation at an exposure dose of 10000 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp to form a cured film patterned in a predetermined shape.

다음으로, 패터닝된 경화막의 가장자리 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴의 직선 부분이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우에 패터닝성 양호라고 판단했다.Next, the edge portion of the patterned cured film was observed with an optical microscope, and when there was no developing residue and the straight portion of the pattern was formed in a linear shape, it was judged that the patterning property was good.

그 결과, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅳ)를 이용하고, 패터닝하여 형성된 경화막의 패터닝성은 양호했다.As a result, the patterning property of the cured film formed by patterning using the curable resin composition (β-IV) was good.

실시예 10Example 10

[경화성 수지 조성물 (β-Ⅴ)를 이용한 경화막의 형성][Formation of cured film using curable resin composition (β-Ⅴ)]

무알칼리 유리 기판 상에, 실시예 5에서 조제한 경화성 수지 조성물 (β-Ⅴ)를 스피너에 의해 도포한 후, 80℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 도막을 형성했다.On an alkali-free glass substrate, the curable resin composition (β-V) prepared in Example 5 was applied by a spinner, and then prebaked on a hot plate at 80° C. for 2 minutes to form a coating film.

다음으로, 소정의 패턴을 구비한 포토마스크를 개재하고, 얻어진 도막에 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 800J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하고, 0.04질량％의 수산화 칼륨 수용액으로 23℃, 80초간 현상을 행했다.Next, through a photomask having a predetermined pattern, the resulting coating film was irradiated with radiation at an exposure dose of 800 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp, and developed at 23° C. for 80 seconds with a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution. Did.

다음으로, 얻어진 패턴에, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량 10000J/㎡로 하여 방사선 조사를 행하여, 소정의 형상으로 패터닝된 경화막을 형성했다.Next, the obtained pattern was irradiated with radiation at an exposure dose of 10000 J/m 2 using a high-pressure mercury lamp to form a cured film patterned in a predetermined shape.

다음으로, 패터닝된 경화막의 단 부분을 광학 현미경으로 관찰하여, 현상 잔사가 없고, 패턴의 직선 부분이 직선 형상으로 형성되어 있는 경우에 패터닝성 양호라고 판단했다.Next, the end portion of the patterned cured film was observed with an optical microscope, and when there was no developing residue and the straight portion of the pattern was formed in a linear shape, it was judged that the patterning property was good.

그 결과, 경화성 수지 조성물 (β-Ⅴ)를 이용하고, 패터닝하여 형성된 경화막의 패터닝성은 양호했다.As a result, the patterning property of the cured film formed by patterning using the curable resin composition (β-V) was good.

실시예 11Example 11

[경화 수축성의 평가][Evaluation of curing shrinkage property]

실시예 6의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로 10000J/㎡의 노광 처리를 행하고, 이 노광 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하고, 이 잔막률을 경화 수축성으로 했다. 잔막률은 99％이며, 경화 수축성은 양호라고 판단했다.About the cured film by the formation method of Example 6, the exposure treatment of 10000 J/m<2> was further performed, and the film thickness before and after this exposure was measured with a stylus type film thickness meter (alpha step IQ, KLA Tenko company). Then, the residual film rate ((film thickness after treatment/film thickness before treatment) x 100) was calculated, and this residual film rate was taken as cure shrinkage. The film residual rate was 99%, and the curing shrinkage was judged to be good.

마찬가지로 실시예 7의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로 10000J/㎡의 노광 처리를 행하고, 이 노광 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하고, 이 잔막률을 경화 수축성으로 했다. 잔막률은 99％이며, 경화 수축성은 양호라고 판단했다.Similarly, the cured film by the formation method of Example 7 was further subjected to an exposure treatment of 10000 J/m 2, and the film thickness before and after this exposure was measured with a stylus-type film thickness meter (alpha step IQ, KLA Tenko Corporation). . Then, the residual film rate ((film thickness after treatment/film thickness before treatment) x 100) was calculated, and this residual film rate was taken as cure shrinkage. The film residual rate was 99%, and the curing shrinkage was judged to be good.

마찬가지로 실시예 8의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로 10000J/㎡의 노광 처리를 행하고, 이 노광 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하고, 이 잔막률을 경화 수축성으로 했다. 잔막률은 99％이며, 경화 수축성은 양호라고 판단했다.Similarly, the cured film by the formation method of Example 8 was further subjected to an exposure treatment of 10000 J/m 2, and the film thickness before and after this exposure was measured with a stylus-type film thickness meter (alpha step IQ, KLA Tenko Corporation). . Then, the residual film rate ((film thickness after treatment/film thickness before treatment) x 100) was calculated, and this residual film rate was taken as cure shrinkage. The film residual rate was 99%, and the curing shrinkage was judged to be good.

마찬가지로 실시예 9의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로 10000J/㎡의 노광 처리를 행하고, 이 노광 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하고, 이 잔막률을 경화 수축성으로 했다. 잔막률은 99％이며, 경화 수축성은 양호라고 판단했다.Similarly, the cured film by the formation method of Example 9 was further subjected to an exposure treatment of 10000 J/m 2, and the film thickness before and after this exposure was measured with a stylus-type film thickness meter (alpha step IQ, KLA Tenko Corporation). . Then, the residual film rate ((film thickness after treatment/film thickness before treatment) x 100) was calculated, and this residual film rate was taken as cure shrinkage. The film residual rate was 99%, and the curing shrinkage was judged to be good.

마찬가지로 실시예 10의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로 10000J/㎡의 노광 처리를 행하고, 이 노광 전후에서의 막두께를 촉침식 막두께 측정기(알파 스텝 IQ, KLA 텐코사)로 측정했다. 그리고, 잔막률((처리 후 막두께/처리 전 막두께)×100)을 산출하고, 이 잔막률을 경화 수축성으로 했다. 잔막률은 99％이며, 경화 수축성은 양호라고 판단했다.Similarly, the cured film according to the formation method of Example 10 was further subjected to an exposure treatment of 10000 J/m 2, and the film thickness before and after the exposure was measured with a stylus-type film thickness meter (alpha step IQ, KLA Tenko Corporation). . Then, the residual film rate ((film thickness after treatment/film thickness before treatment) x 100) was calculated, and this residual film rate was taken as cure shrinkage. The film residual rate was 99%, and the curing shrinkage was judged to be good.

실시예 12Example 12

[내광성의 평가][Evaluation of light resistance]

실시예 6의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516S1JS01, 우시오사)를 이용하여, 130mW의 조도로 800000J/㎡의 자외광을 조사하고, 조사 후의 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2％ 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.For the cured film according to the formation method of Example 6, further, using a UV irradiation device (UVX-02516S1JS01, Ushio Corporation) was irradiated with ultraviolet light of 800000 J/m 2 at an illuminance of 130 mW, and the film reduction amount after irradiation was Investigated. The film reduction amount was 2% or less, and it was judged that the light resistance was good.

마찬가지로, 실시예 7의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516S1JS01, 우시오사)를 이용하여, 130mW의 조도로 800000J/㎡의 자외광을 조사하고, 조사 후의 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2％ 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.Similarly, with respect to the cured film according to the formation method of Example 7, additionally, using a UV irradiation device (UVX-02516S1JS01, Ushio Corporation), an ultraviolet ray of 800000 J/m2 was irradiated with an illuminance of 130 mW, and the film after irradiation The amount of reduction was investigated. The film reduction amount was 2% or less, and it was judged that the light resistance was good.

마찬가지로, 실시예 8의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516S1JS01, 우시오사)를 이용하여, 130mW의 조도로 800000J/㎡의 자외광을 조사하고, 조사 후의 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2％ 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.Similarly, with respect to the cured film according to the formation method of Example 8, additionally, using a UV irradiation device (UVX-02516S1JS01, Ushio Corporation), ultraviolet light of 800000 J/m 2 was irradiated with an illuminance of 130 mW, and the film after irradiation The amount of reduction was investigated. The film reduction amount was 2% or less, and it was judged that the light resistance was good.

마찬가지로, 실시예 9의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516S1JS01, 우시오사)를 이용하여, 130mW의 조도로 800000J/㎡의 자외광을 조사하고, 조사 후의 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2％ 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.Similarly, with respect to the cured film according to the formation method of Example 9, additionally, using a UV irradiation device (UVX-02516S1JS01, Ushio Corporation), ultraviolet light of 800000 J/m2 was irradiated with an illuminance of 130 mW, and the film after irradiation The amount of reduction was investigated. The film reduction amount was 2% or less, and it was judged that the light resistance was good.

마찬가지로, 실시예 10의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, UV 조사 장치(UVX-02516S1JS01, 우시오사)를 이용하여, 130mW의 조도로 800000J/㎡의 자외광을 조사하고, 조사 후의 막 감소량을 조사했다. 막 감소량은 2％ 이하이며, 내광성은 양호라고 판단했다.Similarly, with respect to the cured film according to the formation method of Example 10, additionally, using a UV irradiation device (UVX-02516S1JS01, Ushio Corporation), an ultraviolet light of 800000 J/m2 was irradiated with an illuminance of 130 mW, and the film after irradiation The amount of reduction was investigated. The film reduction amount was 2% or less, and it was judged that the light resistance was good.

실시예 13Example 13

[형광 특성의 평가][Evaluation of fluorescence properties]

실시예 6의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(C11347-01, 하마마츠 포토닉스사)를 이용하여, 25℃에서의 형광 양자 수율을 조사했다. 형광 양자 수율은 37％이며, 형광 특성은 양호라고 판단했다.About the cured film by the formation method of Example 6, the fluorescence quantum yield at 25 degreeC was investigated further using the absolute PL quantum yield measuring apparatus (C11347-01, Hamamatsu Photonics). The fluorescence quantum yield was 37%, and it was judged that the fluorescence characteristic was good.

마찬가지로, 실시예 7의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(C11347-01, 하마마츠 포토닉스사)를 이용하여, 25℃에서의 형광 양자 수율을 조사했다. 형광 양자 수율은 39％이며, 형광 특성은 양호라고 판단했다.Similarly, for the cured film by the formation method of Example 7, the fluorescence quantum yield at 25°C was further investigated using an absolute PL quantum yield measuring device (C11347-01, Hamamatsu Photonics). The fluorescence quantum yield was 39%, and it was judged that the fluorescence characteristic was good.

마찬가지로, 실시예 8의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(C11347-01, 하마마츠 포토닉스사)를 이용하여, 25℃에서의 형광 양자 수율을 조사했다. 형광 양자 수율은 38％이며, 형광 특성은 양호라고 판단했다.Similarly, about the cured film by the formation method of Example 8, the fluorescence quantum yield at 25°C was further investigated using an absolute PL quantum yield measuring device (C11347-01, Hamamatsu Photonics). The fluorescence quantum yield was 38%, and it was judged that the fluorescence characteristic was good.

마찬가지로, 실시예 9의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(C11347-01, 하마마츠 포토닉스사)를 이용하여, 25℃에서의 형광 양자 수율을 조사했다. 형광 양자 수율은 35％이며, 형광 특성은 양호라고 판단했다.Similarly, about the cured film by the formation method of Example 9, the fluorescence quantum yield at 25°C was further examined using an absolute PL quantum yield measuring device (C11347-01, Hamamatsu Photonics). The fluorescence quantum yield was 35%, and it was judged that the fluorescence characteristic was good.

마찬가지로, 실시예 10의 형성 방법에 의한 경화막에 대해서, 추가로, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(C11347-01, 하마마츠 포토닉스사)를 이용하여, 25℃에서의 형광 양자 수율을 조사했다. 형광 양자 수율은 36％이며, 형광 특성은 양호라고 판단했다. Similarly, about the cured film by the formation method of Example 10, the fluorescence quantum yield at 25°C was further investigated using an absolute PL quantum yield measuring apparatus (C11347-01, Hamamatsu Photonics). The fluorescence quantum yield was 36%, and it was judged that the fluorescence properties were good.

본 발명의 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 경화막은, 내광성 등의 신뢰성이 우수하고, 또한, 패터닝도 용이하며, 파장 변환층 또는 파장 변환 필름으로서, 표시 소자나 그것을 이용한 전자 기기 외에, LED 및 태양 전지의 분야에서도 이용할 수 있다.The cured film formed by using the curable resin composition of the present invention has excellent reliability such as light resistance, and is easy to pattern, and as a wavelength conversion layer or a wavelength conversion film, in addition to a display element or an electronic device using the same, LEDs and solar cells It can also be used in the field of

1, 1a : 도막
2, 12, 16 : 기판
3 : 포토마스크
4, 4a : 방사선
5 : 경화막
11 : 파장 변환 기판
13, 13a, 13b, 13c : 발광층
14 : 블랙 매트릭스
15 : 접착제층
17, 17a, 17b, 17c : 광원
18 : 광원 기판
100 : 발광 표시 소자1, 1a: coating
2, 12, 16: substrate
3: photo mask
4, 4a: radiation
5: cured film
11: wavelength conversion substrate
13, 13a, 13b, 13c: light emitting layer
14: black matrix
15: adhesive layer
17, 17a, 17b, 17c: light source
18: light source substrate
100: light-emitting display element

Claims (13)

[A] 1분자 중에 2개 이상의 중합성기를 갖는 분자량이 150 이상 10000 이하인 화합물,
[B] 반도체 양자 도트,
[C] 탄화수소계 용제 및
산소 원자 함유 유기 용제
를 함유하고,
상기 [C] 탄화수소계 용제의 사용 비율을 100으로 했을 때, 상기 산소 원자 함유 유기 용제를 1질량％∼50질량％의 범위로 이용하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.[A] a compound having a molecular weight of 150 or more and 10000 or less having two or more polymerizable groups in one molecule,
[B] semiconductor quantum dots,
[C] a hydrocarbon-based solvent and
Organic solvent containing oxygen atom
Contains,
A curable resin composition characterized by using the oxygen atom-containing organic solvent in the range of 1% by mass to 50% by mass when the ratio of the hydrocarbon-based solvent used is 100. 삭제delete 제1항에 있어서,
추가로 [D] 중합성 개시제를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 1,
The curable resin composition further contains [D] a polymerizable initiator. 제3항에 있어서,
[D] 중합성 개시제가, 탄소수 1∼20의 탄화수소기를 함유하는 중합성 개시제인 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 3,
[D] The curable resin composition, wherein the polymerizable initiator is a polymerizable initiator containing a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. 제1항에 있어서,
추가로, [E] 카복실기를 갖는 중량 평균 분자량이 5000 이상 40000 이하인 중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 1,
Further, [E] a polymer having a carboxyl group having a weight average molecular weight of 5000 or more and 40000 or less is contained. 제1항에 있어서,
[B] 반도체 양자 도트가, 2족 원소, 11족 원소, 12족 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소 및 16족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2종의 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 1,
[B] A compound in which the semiconductor quantum dot contains at least two elements selected from the group consisting of a group 2 element, a group 11 element, a group 12 element, a group 13 element, a group 14 element, a group 15 element, and a group 16 element Curable resin composition, characterized in that consisting of. 제1항에 있어서,
[B] 반도체 양자 도트가, In을 구성 성분으로서 포함하는 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 1,
[B] A curable resin composition, wherein the semiconductor quantum dot is made of a compound containing In as a constituent component. 제1항에 있어서,
[B] 반도체 양자 도트가, InP/ZnS 화합물, CuInS2/ZnS 화합물, AgInS2 화합물, (ZnS/AgInS2) 고용체/ZnS 화합물, Zn 도핑된 AgInS2 화합물 및 Si 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물.The method of claim 1,
[B] The semiconductor quantum dot is at least selected from the group consisting of InP/ZnS compound, CuInS 2 /ZnS compound, AgInS 2 compound, (ZnS/AgInS 2 ) solid solution/ZnS compound, Zn-doped AgInS 2 compound and Si compound Curable resin composition, characterized in that one kind. 제1항에 있어서,
상기 [A] 화합물이, 하기식 (1)로 나타나는 화합물, 하기식 (2)로 나타나는 화합물 및 하기식 (3)으로 나타나는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 화합물인 것을 특징으로 하는 경화성 수지 조성물:
Figure 112014058405719-pat00003

(식 (1) 중, X는 식 (5)로 나타나는 2가의 기, 또는 탄소수 5∼20의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 식 (5) 중, n은 2∼20의 정수를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고;
식 (2) 중, R2는 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타내고;
식 (3) 중, R3은 수소 원자, 또는 탄소수 1∼12의 알킬기를 나타내고; Y는 식 (4)로 나타나는 기를 나타내고, R1은 수소 원자, 또는 메틸기를 나타내고; W는 에틸렌옥사이드기 또는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, m은 0∼4의 정수를 나타냄).The method of claim 1,
The curable resin, wherein the compound [A] is at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3) Composition:
Figure 112014058405719-pat00003

(In formula (1), X represents a divalent group represented by formula (5) or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms, and in formula (5), n represents an integer of 2 to 20; Y Represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group;
In formula (2), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, m represents an integer of 0 to 4;
In formula (3), R 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms; Y represents a group represented by formula (4), and R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; W represents an ethylene oxide group or a propylene oxide group, and m represents an integer of 0-4). 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed using the curable resin composition according to any one of claims 1 and 3 to 9. 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 발광층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.A light-emitting device comprising a light-emitting layer formed by using the curable resin composition according to any one of claims 1 and 3 to 9. 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 파장 변환 필름.A wavelength conversion film formed using the curable resin composition according to any one of claims 1 and 3 to 9. 발광 소자의 발광층의 형성 방법으로서,
(1) 제1항 및 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 수지 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,
(2) 공정 (1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 공정 (3)에서 현상된 도막을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광층의 형성 방법.As a method of forming a light emitting layer of a light emitting element,
(1) A step of forming a coating film of the curable resin composition according to any one of items 1 and 3 to 9 on a substrate,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1) with radiation,
(3) the step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and
(4) A method for forming a light-emitting layer, comprising a step of exposing the coating film developed in step (3).
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