KR102194915B1 - 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관 - Google Patents
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Abstract
스퍼터링 장치는 챔버, 챔버의 내부에 위치하고, 기판이 장착되는 스테이지, 스테이지와 대향하도록 배치된 적어도 하나의 타겟, 서로 평행하게 배치되고, 각각에 복수의 가스 공급 홀들이 형성되어 챔버 외부로부터 챔버 내부로 가스를 균일하게 공급하는 복수의 가스 공급관들, 및 챔버의 적어도 하나의 면에 배치되고, 챔버의 각 면의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치되어 균일한 압력으로 배기하는 복수의 배기 펌프들을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관에 관한 것이다.
유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등의 기판 표면에 박막을 형성하는 방법의 하나로서 스퍼터링 방법이 있다. 스퍼터링 방법은 진공 상태의 챔버에 스퍼터링 가스를 공급하고 스퍼터링 가스를 타겟에 충돌시켜 튀어나오는 타겟의 재료를 기판에 붙여서 박막을 형성하는 방법이다. 일반적으로 스퍼터링 가스로 비활성 기체인 아르곤(Ar) 등이 사용된다. 또한, 산화물이나 질화물 박막을 제조하기 위해 비활성 기체와 함께 산소나 질소 등의 반응성 가스가 첨가되어 사용되기도 한다.
스퍼터링 장치는 타겟 쪽을 음극으로 하고 기판 쪽을 양극으로 하여 전원을 인가한다. 전원이 인가되면 챔버에 주입된 스퍼터링 가스는 음극 쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite) 된다. 여기된 가스는 음극인 타겟 쪽으로 끌려서 타겟과 충돌한다. 여기된 가스의 에너지는 충돌 시 타겟 쪽으로 전이되며, 타겟을 이루고 있는 원소의 결합력과 전자의 일함수를 극복할 수 있을 때 타겟의 원소가 방출되고, 방출된 타겟의 원소는 자유행정거리(mean free path)만큼 부상하며, 자유행정거리 이내에 위치한 기판에 박막을 형성한다. 일반적으로, 스퍼터링 장치는 챔버의 일면에 연결된 1개의 가스 공급관으로 스퍼터링 가스를 주입하고, 챔버의 일면에 연결된 1개의 배기 펌프로 배기한다. 이러한 스퍼터링 장치는 산화물 박막을 형성 시 반응성 가스의 농도를 균등하게 유지할 수 없어 균일한 박막을 형성하는데 어려움이 있다.
본 발명의 일 목적은 균일한 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 가스를 균등하게 분출할 수 있는 스퍼터링용 가스 공급관을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 위치하고, 기판이 장착되는 스테이지, 상기 스테이지와 대향도록 배치된 적어도 하나의 타겟, 서로 평행하게 배치되고, 각각에 복수의 가스 공급 홀들이 형성되어 상기 챔버 외부로부터 상기 챔버 내부로 가스를 균일하게 공급하는 복수의 가스 공급관들, 및 상기 챔버의 적어도 하나의 면에 배치되고, 상기 챔버의 각 면의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치되어 균일한 압력으로 배기하는 복수의 배기 펌프들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 배기 펌프들은 상기 타겟을 기준으로 상기 스테이지가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하는 상기 챔버의 하나의 면에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟과 상기 스테이지 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟을 향하여 상기 가스를 분출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟과 동일 평면 상에 위치하고, 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟을 기준으로 상기 스테이지가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하고, 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들 각각은 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널들 및 상기 가스 터널들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀들을 포함하고, 상기 각 가스 터널들의 단면적은 상기 가스 터널들의 길이에 비례하는 제1 내부관, 상기 제1 홀들에 연결되고, 상기 제1 홀들로부터 상기 가스를 공급받아 버퍼(buffer)층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 내부관, 및 상기 가스 공급 홀들로서 상기 제3 홀에 연결되고, 상기 제3 홀로부터 상기 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀들을 포함하는 제4 내부관을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 상기 제1 내부관과 상기 제3 내부관 사이에 위치하고, 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하는 제2 홀들을 포함하는 제2 내부관을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내부관, 상기 제2 내부관, 상기 제3 내부관, 및 상기 제4 내부관은 산화 알루미늄(Al2O3), 스테인레스 강(SUS304), 경질 알루마이트(hard anodized Al), 티타늄(Ti), 및 세라믹(ceramics) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 내부관은 복수의 상기 제3 홀들을 포함하고, 상기 제3 홀들은 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 상기 제3 홀들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 접지 전원에 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 공급관들은 직류 또는 교류 전원에 연결되어 가열될 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링용 가스 공급관은 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널들 및 상기 가스 터널들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀들을 포함하고 각 가스 터널의 단면적은 상기 가스 터널들의 길이에 비례하는 제1 내부관, 상기 제1 홀들에 연결되고, 상기 제1 홀들로부터 가스를 공급받아 버퍼층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 내부관, 및 상기 제3 홀에 연결되고, 상기 제3 홀로부터 상기 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀들을 포함하는 제4 내부관을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내부관과 상기 제3 내부관 사이에 위치하고, 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하는 제2 홀들을 포함하는 제2 내부관을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 내부관, 상기 제2 내부관, 상기 제3 내부관, 및 상기 제4 내부관 각각은 산화 알루미늄, 스테인레스 강, 경질 알루마이트, 티타늄, 및 세라믹 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가스 터널들의 단면들은 원형이고, 상기 단면들의 직경들은 하기 [수식 1]을 만족할 수 있다.
[수식 1]
(여기서, d1은 제1 터널의 직경, l1은 제1 터널의 길이, d2는 제2 터널의 직경, l2는 제2 터널의 길이, 및 k는 임의의 상수를 나타냄)
일 실시예에 의하면, 상기 제3 내부관은 복수의 상기 제3 홀들을 포함하고, 상기 제3 홀들은 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 상기 제3 홀들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제4 내부관의 일단과 중첩하여 연결되는 연결관을 더 포함하고, 상기 제1 내부관은 상기 제1 내부관의 중심에 형성되고, 상기 가스를 상기 연결관에 전달하는 관통 터널을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 관통 터널의 단면적은 상기 가스가 주입되는 거리에 반비례할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치는 서로 평행하게 배치된 복수의 가스 공급관들을 통해 스퍼터링 가스 및 반응성 가스를 챔버 외부로부터 챔버 내부로 균일하게 공급하고, 서로 대칭적으로 배치된 복수의 배기 펌프들을 통해 균일한 압력으로 배기한다. 따라서, 스퍼터링 장치는 챔버 내부의 반응성 가스의 농도를 균등하게 유지함으로써 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링용 가스 공급관은 다층 구조의 내부관들을 포함하여 챔버 내부로 가스를 균등하게 분출할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치를 나타내는 정면도이다.
도 2는 도 1의 가스 공급관들의 배치의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 4는 도 2의 가스 공급관들을 나타내는 정면도들이다.
도 5 내지 도 6은 도 1의 가스 공급관들의 배치와 가스 분출 방향의 실시예들을 나타내는 정면도들이다.
도 7은 도 1의 스퍼터링 장치와 관련하여 가스 주입 방법에 따른 공정 가스의 농도의 차이를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링용 가스 공급관을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 가스 공급관에 포함된 제1 내부관의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 8의 가스 공급관에 포함된 제3 내부관의 예들을 나타내는 도면이다.
도 11은 도 8의 가스 공급관이 연결관에 의해 연장되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 가스 공급관들의 배치의 일 예를 나타내는 평면도이다.
도 3 내지 도 4는 도 2의 가스 공급관들을 나타내는 정면도들이다.
도 5 내지 도 6은 도 1의 가스 공급관들의 배치와 가스 분출 방향의 실시예들을 나타내는 정면도들이다.
도 7은 도 1의 스퍼터링 장치와 관련하여 가스 주입 방법에 따른 공정 가스의 농도의 차이를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링용 가스 공급관을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 가스 공급관에 포함된 제1 내부관의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 8의 가스 공급관에 포함된 제3 내부관의 예들을 나타내는 도면이다.
도 11은 도 8의 가스 공급관이 연결관에 의해 연장되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치를 나타내는 정면도이다.
도 1을 참조하면, 스퍼터링 장치(1000)는 챔버(100), 스테이지(200), 타겟(300), 자석 부재(400), 복수의 가스 공급관(500)들 및 복수의 배기 펌프(600)들을 포함할 수 있다.
챔버(100)는 플라즈마(20) 형성을 위한 밀폐 공간을 제공하며, 챔버(100) 내부는 진공 상태일 수 있다. 이러한 진공 상태의 챔버(100) 내부에서 스퍼터링 공정이 진행될 수 있다. 또한, 챔버(100)는 기판(10)을 반송하기 위한 공간을 포함할 수 있다.
스테이지(200)는 챔버(100)의 내부에 위치하고, 스퍼터링에 의해 박막이 증착되는 기판(10)이 장착될 수 있다. 스테이지(200) 기판(10)을 반송하기 위한 이동부(미도시), 기판(10)을 고정하기 위한 고정부(미도시) 등을 포함할 수 있다.
타겟(300)은 스테이지(200)와 대향하도록 배치될 수 있으며, 타겟(300)은 안정적으로 박막을 증착시키기 위해 스테이지(200)와 약 30cm의 간격을 두고 배치될 수 있다. 타겟(300)은 실질적으로 스테이지(200)의 전면을 커버하는 단일한 타겟이거나, 서로 이격되어 배치된 복수의 타겟(300)들을 포함할 수 있다. 타겟(300)이 단일한 타겟인 경우 더 균일한 박막이 증착될 수 있으며, 복수의 타겟(300)들을 포함한 경우 타겟(300)들 간의 거리를 좁힘으로써 균일한 박막이 증착될 수 있다. 타겟(300)은 금속 및 비금속이 될 수 있으나, 표시 장치를 제조하는 경우 금속 또는 금속 산화물이 주로 사용될 수 있다. 예를 들어, 타겟(300)은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있으며, ITO(Indium-Tin Oxide), IZO(Indium-Zinc Oxide), ITZO(Indium-Tin-Zinc Oxide), TZO(Tin-Zinc Oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다.
가스 공급관(500)들은 서로 평행하게 배치되고, 복수의 가스 공급 홀들이 형성되어 챔버(100) 외부로부터 챔버(100) 내부로 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 가스 공급관(500)들은 챔버(100) 내부의 공정 가스의 농도를 전체적으로 균등하게 유지될 수 있도록 배치될 수 있다. 특히, 반응성(reactive) 스퍼터링 시 반응성 가스의 농도가 챔버(100) 내부에서 불균등해지는 경우, 증착된 박막의 조성이 불균일할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치(1000)에서는 서로 평행하게 배치된 복수의 가스 공급관(500)에 의해 가스의 농도가 전체적으로 균등하게 유지될 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치할 수 있다. 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치하는 가스 공급관(500)들은 타겟(300)을 향하거나 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 이 때, 가스 공급관(500)들은 반응 가스가 반응하는 위치를 향하는 방향으로 가스를 분출할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급관(500)들은 반응의 율속 단계(rate determination process)에 해당하는 위치를 향하는 방향으로 가스를 분출할 수 있다. 또한, 복수의 타겟(300)들이 이격되어 배치된 경우, 타겟(300)들의 측방에서 스테이지(200)를 향하여 가스 공급관(500)들에 의해 가스가 공급될 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 동일 평면 상에 위치하고, 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)을 기준으로 스테이지(200)가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하고, 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 가스 공급관(500)들이 타겟(300)의 후방인 제2 방향에 배치되는 경우 가스 공급관(500)들의 배치를 위한 공간 확보가 쉬우므로, 스퍼터링 장치(1000)를 용이하게 구성할 수 있다.
가스 공급관(500)들 각각은 다층 구조의 내부관들을 포함하여 챔버(100) 내부로 가스를 균등하게 분출할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널들 및 가스 터널들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀들을 포함하고, 각 가스 터널의 단면적은 가스 터널들의 길이에 비례하는 제1 내부관, 제1 홀들에 연결되고, 제1 홀들로부터 가스를 공급받아 버퍼(buffer)층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 내부관, 및 제3 홀에 연결되고, 제3 홀로부터 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀들을 포함하는 제4 내부관을 포함할 수 있다. 또한, 가스 공급관(500)들은 제1 내부관과 제3 내부관 사이에 위치하고, 제1 홀들에 일대일로 대응하는 제2 홀들을 포함하는 제2 내부관을 더 포함할 수 있다. 제1 홀은 가스 공급관 옆면에 형성된 가스 터널의 일단을 의미한다. 일 실시예에서, 제1 홀들은 가스 터널들과 동일한 크기일 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 내부관의 제2 홀들 또는 제3 내부관의 제3 홀들에 연결되기 위해 제1 홀들은 다양한 크기를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 제3 내부관은 복수의 제3 홀들을 포함하고, 제3 홀들은 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 제3 홀들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내부관, 제2 내부관, 제3 내부관, 및 제4 내부관 각각은 산화 알루미늄(Al2O3), 스테인레스 강(SUS304), 경질 알루마이트(hard anodized Al), 티타늄(Ti), 및 세라믹(ceramics) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 유사한 물질을 포함할 수 있다. 가스 공급관(500)들의 재료는 스퍼터링 시 간섭을 배제하기 위해 타겟(300)의 종류에 따라 선택될 수 있다.
가스 공급관(500)들은 금속을 포함하여 접지 전극 및 보호 전극의 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 접지 전원에 연결될 수 있다. 특히, 대면적의 스퍼터링을 안정적으로 수행하기 위해서는 접지 전극이 필요하기 때문에, 가스 공급관(500)들은 접지 전극의 역할을 수행하기 위해 금속으로 이루어질 수 있고, 접지 전원에 연결될 수 있다. 가스 공급관(500)이 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치한 경우, 가스 공급관(500)에 접지 전극을 연결하면 기판(10)과 타겟(300) 사이에 접지 전극 역할을 하여 플라즈마(20)가 안정적으로 형성될 수 있다. 또한, 가스 공급관(500)들은 스파크에 의한 데미지를 방지하는 보호 전극으로서의 역할을 할 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 직류 또는 교류 전원에 연결되어 가열됨으로써, 자가 세척의 기능을 수행할 수 있다. 스퍼터링을 반복적으로 수행하면 가스 공급관(500)들에 증착에 의한 파티클이 형성될 수 있으며, 기판(10)에 증착된 박막의 불량을 유발할 수 있다. 가스 공급관(500)들에 직류 또는 교류 전원에 연결되어 가열하는 경우, 가스 공급관(500)들에 형성된 파티클을 제거하는 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 스퍼터링 단계를 일정 횟수(예를 들어, 300회)만큼 수행한 경우, 스위치에 의해 접지 전압에 연결된 가스 공급관(500)들을 전원에 연결함으로써 가스 공급관(500)들이 세척되는 효과를 얻을 수 있다.
그 밖에도, 가스 공급관(500)은 가스의 유량을 조절하는 매스 플로우 컨트롤러(Mass Flow Controller; MFC)와 연결되고, 공정 가스를 저장하는 가스탱크들은 매스 플로우 컨트롤러를 통해 가스관에 연결될 수 있다. 공정 가스를 저장하는 가스탱크들은 각각 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 등의 스퍼터링 가스, 및 산화물이나 질화물 박막을 제조하기 위해 선택되는 산소(O2), 질소(N2) 등의 반응성 가스를 포함할 수 있다.
배기 펌프(600)들은 챔버(100)의 적어도 하나의 면에 배치되고, 챔버(100)의 각 면에 배치된 배기 펌프(600)들은 상기 면의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치되어 균일한 압력으로 배기할 수 있다. 일 실시예에서, 배기 펌프(600)들은 타겟(300)을 기준으로 스테이지(200)가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하는 챔버(100)의 면에 배치될 수 있다. 배기 펌프(600)들이 타겟(300)의 후방인 제2 방향에 대칭적으로 배치되는 경우, 배기를 균일하게 수행할 수 있어 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 발생할 수 있는 공정 가스의 농도의 편차를 줄일 수 있다.
배기 펌프(600)는 압력 조절 밸브(620) 및 TMP(Turbo Molecular Pump)(640)를 포함할 수 있다. 압력 조절 밸브(620)는 챔버(100)와 TMP(640) 사이에서 압력을 제어할 수 있다. TMP(640)는 진공펌프의 일종으로서 진공영역에서 초고진공영역까지 넓은 영역을 커버할 수 있고, 빠른 속도로 펌핑이 가능한 장점이 있다. 이 밖에도, 배기 펌프(600)는 다양한 방법으로 구성될 수 있다.
스퍼터링 장치(1000)는 스퍼터링의 효율을 높이기 위해 자석 부재(400)를 더 포함할 수 있다. 자석 부재(400)는 영구자석이 사용될 수 있고, 타겟(300)의 후방에 부착될 수 있다. 자석 부재(400)를 포함하는 스퍼터링 장치(1000)는 이온화율을 더 높임으로써, 박막의 증착 속도를 높이고, 증착된 박막의 품질을 높일 수 있다. 이 밖에도, 스퍼터링 장치(1000)는 스테이지(200)와 타겟(300) 사이에서 플라즈마(20)를 생성하기 위한 제1 전극, 제2 전극, 및 전원 공급부를 포함할 수 있고, 기판(10)과 타겟(300) 사이를 차단하는 셔터(shutter) 및 기판(10) 및 스테이지(200)를 반송하기 위한 반송 부재 등을 더 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 가스 공급관들의 배치의 일 예를 나타내는 평면도이고, 도 3 내지 도 4는 도 2의 가스 공급관들을 나타내는 정면도들이다. 도 5 내지 도 6은 도 1의 가스 공급관들의 배치와 가스 분출 방향의 실시예들을 나타내는 정면도들이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 타겟(300)은 스테이지(200)와 대향하도록 배치될 수 있으며, 타겟(300)은 안정적으로 박막을 증착시키기 위해 스테이지(200)와 약 30cm의 간격을 두고 배치될 수 있다. 이 때, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 공정 가스의 농도가 일정하지 않은 경우, 기판(10)에 증착된 박막의 조성이 불균일할 수 있다. 특히, 반응성(reactive) 스퍼터링의 경우, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 반응성 가스의 농도에 민감할 수 있으므로 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 반응성 가스의 농도가 균등하게 유지될 수 있도록 가스 공급관(500)들이 배치될 수 있다. 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치할 수 있다. 이 때, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치하는 가스 공급관(500)들은 가스 공급관(500)들에 형성된 복수의 가스 공급 홀(502)들을 통해 다양한 방향으로 가스를 분출할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)을 향하여 가스를 분출할 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 가스 공급관(500)들은 반응 가스가 반응하는 위치를 향하는 방향으로 가스를 분출할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급관(500)들은 반응의 율속 단계(rate determination process)에 해당하는 위치를 향하는 방향으로 가스를 분출할 수 있다. 가스 공급관(500)들은 반응 가스가 반응하는 위치를 향하는 방향으로 가스를 균일하게 공급함으로써 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 공정 가스의 농도를 더 일정하게 유지시킬 수 있다. 이와 같이, 가스 공급관(500)들이 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에 위치한 경우, 타겟(300)은 하나로 이루어지거나, 복수의 타겟(300)들이 이격되어 배치될 수 있다. 타겟(300)이 하나로 이루어진 경우 더 균일한 박막이 증착될 수 있으며, 복수의 타겟(300)들을 포함한 경우 타겟(300)들 간의 거리를 좁힘으로써 균일한 박막이 증착될 수 있다.
도 5를 참조하면, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 동일 평면 상에 위치하고, 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들이 타겟(300)과 동일 평면 상에 위치한 경우, 서로 이격되어 배치된 복수의 타겟(300)들을 포함할 수 있고 타겟(300)들 사이에 가스 공급관(500)들이 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)과 동일 평면 상인 측방에 배치될 수 있다. 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 공정 가스 농도를 일정하게 유지하기 위해, 가스 공급관(500)들은 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다.
도 6을 참조하면, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)을 기준으로 스테이지(200)가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하고, 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 공급관(500)들이 타겟(300)의 후방인 제2 방향에 위치한 경우, 서로 이격되어 배치된 복수의 타겟(300)들을 포함할 수 있다. 이 때, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)의 후방인 제2 방향에서 타겟(300)들 사이로 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟(300)의 측방의 제2 방향에서 배치될 수 있고, 스테이지(200)를 향하여 가스를 분출할 수 있다. 이와 같이, 가스 공급관(500)들이 타겟(300)의 후방인 제2 방향에 배치되는 경우, 가스 공급관(500)들의 배치를 위한 공간 확보가 쉬우므로 스퍼터링 장치(1000)를 용이하게 구성할 수 있다.
도 7은 도 1의 스퍼터링 장치와 관련하여 가스 주입 방법에 따른 공정 가스의 농도의 차이를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 제1 스퍼터링 장치(1000b)는 타겟(300) 및 스테이지(200)와 이격된 일 부분에서 공정 가스를 공급하였다. 시뮬레이션을 수행한 결과 공정 가스로 아르곤(Ar) 99sccm 및 산소(O2) 1sccm를 공급하고, 스퍼터링 시 산소의 소비 확률이 1% 일 때, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 아르곤의 농도는 크게 차이가 없지만, 산소의 농도는 큰 차이가 나타났다. 구체적으로, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 외곽 부분(EA)에서 산소의 농도는 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 중심 부분(CA)의 산소 농도의 3배 정도를 나타내었다. 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 외곽 부분(EA)과 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 중심 부분(CA)의 균일도 차이는 49%로 나타났다. 이는 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 외곽 부분(EA)은 소비되는 산소만큼 산소가 공급되는 것에 비해, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 중심 부분(CA)은 소비된 산소와 공급되는 산소의 양의 차이가 발생하기 때문이다. 이와 같이, 반응성 스퍼터링을 수행할 때 제1 스퍼터링 장치(1000A)와 같이 챔버의 일 부분에서 공정 가스를 공급하는 경우, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이의 외곽 부분(EA)과 중심 부분(CA)에서 반응성 기체의 농도의 차이가 크므로, 스퍼터링을 수행하여 균일한 박막을 형성할 수 없다.
제2 스퍼터링 장치(1000B)는 제1 스퍼터링 장치(1000A)와 동일한 조건에서, 타겟(300)을 기준으로 스테이지(200)가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에서 공정 가스를 11부분으로 분할하여 타겟(300)과 스테이지(200) 사이로 균등하게 공급하였다. 시뮬레이션을 수행한 결과 공정 가스로 아르곤 99sccm 및 산소 1sccm를 공급하고, 스퍼터링 시 산소의 소비 확률이 1% 일 때, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 아르곤 및 산소의 농도가 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다. 이와 같이, 반응성 스퍼터링을 수행할 때 제2 스퍼터링 장치(1000B)와 같이 타겟(300)과 스테이지(200) 사이로 공정 가스를 복수로 나누어 공급하는 경우, 타겟(300)과 스테이지(200) 사이에서 반응성 가스의 농도가 일정하게 유지될 수 있으므로, 스퍼터링을 수행하여 균일한 박막을 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링용 가스 공급관을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 스퍼터링용 가스 공급관(500)은 제1 내부관(520), 제2 내부관(540), 제3 내부관(560), 및 제4 내부관(580)을 포함할 수 있다.
제1 내부관(520)은 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널(524)들 및 가스 터널(524)들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀(522)들을 포함하고, 각 가스 터널(524)의 단면적은 가스 터널(524)의 길이에 비례할 수 있다. 제1 내부관(520)은 외벽을 따라 복수의 가스 터널(524)들을 형성하고, 가스 터널(524)들을 일직선으로 형성된 제1 홀(522)들에 연결함으로써 공정 가스를 단방향으로 분출할 수 있다. 제1 홀(522)은 가스 공급관 옆면에 형성된 가스 터널(524)의 일단을 의미한다. 일 실시예에서, 제1 홀(522)들은 가스 터널(524)들과 동일한 크기일 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 내부관(540)의 제2 홀(542)들 또는 제3 내부관(560)의 제3 홀(562)들에 연결되기 위해 제1 홀(522)들은 다양한 크기를 가질 수 있다. 또한, 제1 내부관(520)은 공정 가스를 제1 홀(522)들 모두에서 일정한 분압으로 분출하기 위해, 터널의 단면적을 가스 터널(524)의 길이에 비례하도록 형성할 수 있다.
제2 내부관(540)은 제1 내부관(520)과 제3 내부관(560) 사이에 위치하고, 제1 홀(522)들에 일대일로 대응하는 제2 홀(542)들을 포함할 수 있다. 즉, 제2 내부관(540)은 제1 내부관(520)과 제3 내부관(560)을 연결시키는 연결고리 역할을 할 수 있다. 다만, 제2 내부관(540)은 가스 공급관(500)의 구조를 단순화시키기 위해 필요에 따라 생략될 수 있다.
제3 내부관(560)은 제1 내부관(520), 제1 홀(522)들에 연결되고, 제1 홀(522)들로부터 가스를 공급받아 버퍼층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀(562)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(500)은 제1 내부관(520)의 구조적 특징으로 인해 제1 홀(522)들이 균일한 가스를 공급하지만, 가스관에 형성된 복수의 가스 공급 홀들에서 더 균일한 분압으로 가스를 공급하기 위해 버퍼층인 제3 내부관(560)을 구비할 수 있다. 즉, 가스 공급관(500)은 좁은 홀, 넓은 홀, 그리고 다시 좁은 홀의 구조를 형성함으로써 좀 더 균일한 분압으로 가스를 공급할 수 있다.
제4 내부관(580)은 가스 공급 홀들로서 제3 홀(562)에 연결되고, 제3 홀(562)로부터 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀(502)들을 포함할 수 있다. 제4 내부관(580)은 일직선으로 형성된 제4 홀(502)들을 포함하여, 제1 내부관(520), 제2 내부관(540) 및 제3 내부관(560)을 통해 공급된 가스를 가스 공급관(500) 외부로 분출할 수 있다.
가스 공급관(500)의 제1 내부관(520), 제2 내부관(540), 제3 내부관(560), 및 제4 내부관(580) 각각은 산화 알루미늄, 스테인레스 강, 경질 알루마이트, 티타늄, 및 세라믹 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 공급관(500)들은 타겟과 유사한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 가스 공급관(500)들의 재료는 스퍼터링 시 간섭을 배제하기 위해 타겟의 종류에 따라 선택될 수 있다.
도 9는 도 8의 가스 공급관에 포함된 제1 내부관의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 9을 참조하면, 제1 내부관(520)은 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널(524a, 524b)들 및 가스 터널(524a, 524b)들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀(522a, 522b)들을 포함할 수 있다. 각 가스 터널(524a, 524b)의 단면적은 가스 터널의 길이에 비례할 수 있다. 제1 내부관(520)은 외벽을 따라 복수의 가스 터널(524a, 524b)들을 형성하고, 가스 터널(524a, 524b)들을 일직선으로 형성된 제1 홀(522a, 522b)들에 연결함으로써 공정 가스를 단방향으로 분출할 수 있다. 또한, 공정 가스를 제1 홀(522a, 522b)들 모두에서 일정한 분압으로 분출하기 위해, 각 가스 터널의 단면적을 각 가스 터널의 길이에 비례하도록 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 터널들의 단면들은 원형이고, 단면들의 직경들은 하기 [수식 1]을 만족할 수 있다.
[수식 1]
(여기서, d1은 제1 터널의 직경, l1은 제1 터널의 길이, d2는 제2 터널의 직경, l2는 제2 터널의 길이, 및 k는 임의의 상수를 나타냄.)
가스 터널(524a, 524b)들의 단면이 원형인 경우, 가스 터널(524a, 524b)이 생성하는 공간의 크기는 단면적의 직경의 세제곱에 비례할 수 있다. 따라서, 각 가스 터널(524a, 524b)의 직경의 세제곱은 각 가스 터널(524a, 524b)의 길이에 비례하도록 형성함으로써, 제1 내부관(520)은 가스를 제1 홀(522a, 522b)들 모두에서 일정한 분압으로 분출할 수 있다. 예를 들어. 제1 가스 터널(524a)의 직경의 세제곱을 제1 가스 터널의 길이(L11+L12)로 나눈 값은 제2 가스 터널(524b)의 직경의 세제곱을 제2 가스 터널의 길이(L21+L22)로 나눈 값과 동일하도록 제1 내부관(520)을 형성할 수 있다.
도 10은 도 8의 가스 공급관에 포함된 제3 내부관의 예들을 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 제3 내부관(560A, 560B)은 제1 내부관의 제1 홀들에 연결되고, 제1 홀들로부터 가스를 공급받아 버퍼층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀(562, 564)을 포함할 수 있다. 가스 공급관은 가스 공급관에 형성된 복수의 가스 공급 홀들에서 더 균일한 분압으로 가스를 공급하기 위해 버퍼층인 제3 내부관(560A, 560B)을 구비할 수 있다. 일 실시예에서, 제3 내부관(560A)은 복수의 제3 홀(562)들을 포함하고, 제3 홀(562)들은 제1 내부관의 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 제3 홀(562)들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 클 수 있다. 다른 실시예에서, 제3 내부관(560B)의 제3 홀(564)들은 제1 내부관의 제1 홀들에 일대다로 대응될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제3 내부관(560B)은 하나의 제3 홀(564)을 구비하고 제1 내부관의 모든 제1 홀들에 연결될 수 있다. 즉, 가스 공급관에 형성된 복수의 가스 공급 홀들에서 더 균일한 분압으로 가스를 공급하기 위해 좁은 홀, 넓은 홀, 그리고 다시 좁은 홀의 구조를 형성하는 다양한 구조를 가질 수 있고, 버퍼층 역할을 하는 다양한 구조의 제3 내부관(560)을 포함할 수 있다.
도 11은 도 8의 가스 공급관이 연결관에 의해 연장되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 가스 공급관(500)은 연결관(550)에 의해 연장될 수 있다. 가스 공급관(500)은 복수의 가스 공급 홀들에서 균일한 분압으로 가스를 공급하기 위해 제1 내부관(520), 제2 내부관(540), 제3 내부관(560), 및 제4 내부관(580) 등과 같은 복수개의 내부관을 포함할 수 있다. 특히, 제1 내부관(520)은 일렬로 형성된 제1 홀들에서 가스를 균일한 분압으로 분출시키기 위해, 가스 터널들이 형성하는 공간의 크기를 조절하여야 한다. 만일 가스 공급관(500)의 길이가 길어지는 경우, 이러한 가스 공급관(500)을 제조하는데 어려움이 있거나, 많은 비용이 소모될 수 있다. 길이가 긴 가스 공급관(500)이 필요한 경우 연결관(550)에 의해 길이를 연장시킴으로써, 가스 공급관(500)을 용이하게 제조할 수 있다. 일 실시예에서, 제4 내부관(580)의 일단과 중첩하여 연결되는 연결관(550)을 더 포함하고, 제1 내부관(520)은 제1 내부관(520)의 중심에 형성되고, 가스를 연결관(550)에 전달하는 관통 터널(529)을 더 포함할 수 있다. 즉, 연결관(550)에 의해 가스 공급관(500)의 길이를 연장시키는 경우, 기존의 제1 내부관(520)의 구조에 관통 터널(529)을 더 포함할 수 있다. 관통 터널(529)은 연결관(550)에 가스를 공급하여 다음 가스 공급관(500)에 가스를 공급하는 역할을 할 수 있다. 일 실시예에서, 관통 터널(529)의 단면적은 가스가 주입되는 거리에 반비례할 수 있다. 연결된 모든 가스 공급관(500)들에서 가스를 균일한 분압으로 공급하기 위해 관통 터널(529)은 가스 공급 위치로부터 멀어질수록 그 단면적은 점점 더 작아질 수 있다. 예를 들어, 관통 터널(529)의 단면적의 넓이는 가스 공급 위치에 반비례할 수 있다. 이와 같이, 가스 공급관(500)은 연결관(550) 및 관통 터널(529)을 포함하는 제1 내부관(520)을 구비하여, 넓은 공간에 균일하게 가스를 공급할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기에서는 타겟과 스테이지가 지면과 수평한 것으로 도시하였으나 타겟과 스테이지는 지면과 수직일 수 있다. 또한, 배기 펌프는 TMP를 포함하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되는 것이 아니다.
본 발명은 다양한 목적의 스퍼터링 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치의 산화물 반도체를 형성하기 위한 스퍼터링 장치, 표시 장치의 금속 전극을 형성하기 위한 스퍼터링 장치, 금속 배선을 형성하기 위한 스퍼터링 장치 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
10: 기판 20: 플라즈마
100: 챔버 200: 스테이지
300: 타겟 400: 자석 부재
500: 가스공급관 600: 배기 펌프
620: 압력 조절 밸브 640: TMP
1000: 스퍼터링 장치
100: 챔버 200: 스테이지
300: 타겟 400: 자석 부재
500: 가스공급관 600: 배기 펌프
620: 압력 조절 밸브 640: TMP
1000: 스퍼터링 장치
Claims (20)
- 챔버;
상기 챔버의 내부에 위치하고, 기판이 장착되는 스테이지;
상기 스테이지와 대향하도록 배치된 적어도 하나의 타겟;
서로 평행하게 배치되고, 각각에 복수의 가스 공급 홀들이 형성되어 상기 챔버 외부로부터 상기 챔버 내부로 가스를 균일하게 공급하는 복수의 가스 공급관들; 및
상기 챔버의 적어도 하나의 면에 배치되고, 상기 챔버의 각 면의 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 배치되어 균일한 압력으로 배기하는 복수의 배기 펌프들을 포함하고,
상기 가스 공급관들 각각은,
외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널들, 및 상기 가스 터널들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀들을 포함하고, 각 가스 터널의 단면적은 상기 가스 터널의 길이에 비례하는 제1 내부관;
상기 제1 홀들에 연결되고, 상기 제1 홀들로부터 상기 가스를 공급받아 버퍼(buffer)층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 내부관; 및
상기 제3 홀에 연결되고, 상기 가스 공급 홀들로서 상기 제3 홀로부터 상기 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀들을 포함하는 제4 내부관을 포함하는 스퍼터링 장치. - 제1 항에 있어서, 상기 배기 펌프들은 상기 타겟을 기준으로 상기 스테이지가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하는 상기 챔버의 면에 배치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟과 상기 스테이지 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제3 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟을 향하여 상기 가스를 분출하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제3 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟과 동일 평면 상에 위치하고, 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 타겟을 기준으로 상기 스테이지가 위치하는 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향에 위치하고, 상기 스테이지를 향하여 상기 가스를 분출하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 삭제
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 상기 제1 내부관과 상기 제3 내부관 사이에 위치하고, 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하는 제2 홀들을 포함하는 제2 내부관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제9 항에 있어서, 상기 제1 내부관, 상기 제2 내부관, 상기 제3 내부관, 및 상기 제4 내부관 각각은 산화 알루미늄(Al2O3), 스테인레스 강(SUS304), 경질 알루마이트(hard anodized Al), 티타늄(Ti), 및 세라믹(ceramics) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 제3 내부관은 복수의 상기 제3 홀들을 포함하고, 상기 제3 홀들은 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 상기 제3 홀들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 접지 전원에 연결되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 공급관들은 직류 또는 교류 전원에 연결되어 가열되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 외벽을 따라 형성된 복수의 가스 터널들, 및 상기 가스 터널들과 각각 연결되고 일직선 상에 형성된 복수의 제1 홀들을 포함하고, 각 가스 터널의 단면적은 상기 가스 터널의 길이에 비례하는 제1 내부관;
상기 제1 홀들에 연결되고, 상기 제1 홀들로부터 가스를 공급받아 버퍼층 역할을 하는 적어도 하나 이상의 제3 홀을 포함하는 제3 내부관; 및
상기 제3 홀에 연결되고, 상기 제3 홀로부터 상기 가스를 공급받아 외부로 균등하게 분출하는 복수의 제4 홀들을 포함하는 제4 내부관을 포함하는 스퍼터링용 가스 공급관. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 내부관과 상기 제3 내부관 사이에 위치하고, 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하는 제2 홀들을 포함하는 제2 내부관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관. - 제15 항에 있어서, 상기 제1 내부관, 상기 제2 내부관, 상기 제3 내부관, 및 상기 제4 내부관 각각은 산화 알루미늄, 스테인레스 강, 경질 알루마이트, 티타늄, 및 세라믹 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관.
- 제14 항에 있어서, 상기 가스 터널들의 단면들은 원형이고, 상기 단면들의 직경들은 하기 [수식 1]을 만족하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관.
[수식 1]
(여기서, d1은 제1 터널의 직경, l1은 제1 터널의 길이, d2는 제2 터널의 직경, l2는 제2 터널의 길이, 및 k는 임의의 상수를 나타냄) - 제14 항에 있어서, 상기 제3 내부관은 복수의 상기 제3 홀들을 포함하고, 상기 제3 홀들은 상기 제1 홀들에 일대일로 대응하여 연결되고, 상기 제3 홀들의 크기는 제1 홀들의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관.
- 제14 항에 있어서,
상기 제4 내부관의 일단과 중첩하여 연결되는 연결관을 더 포함하고,
상기 제1 내부관은 상기 제1 내부관의 중심에 형성되고, 상기 가스를 상기 연결관에 전달하는 관통 터널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관. - 제19 항에 있어서, 상기 관통 터널의 단면적은 상기 가스가 주입되는 거리에 반비례하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 가스 공급관.
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