KR102182018B1

KR102182018B1 - Light emittng device

Info

Publication number: KR102182018B1
Application number: KR1020130161183A
Authority: KR
Inventors: 이은형; 노승원; 강유환; 김원호; 문효정
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2013-12-23
Filing date: 2013-12-23
Publication date: 2020-11-23
Also published as: KR20150073469A

Abstract

실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물; 상기 각각의 돌출 구조물 중 적어도 일부의 상부에 형성된 언도프드 반도체층; 및 상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광소자를 제공한다.Examples include a substrate; A plurality of protruding structures disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer; An undoped semiconductor layer formed on at least a portion of each of the protruding structures; And an active layer and a second conductivity-type semiconductor layer disposed on side surfaces and upper surfaces of each of the protruding structures.

Description

Light emitting device {LIGHT EMITTNG DEVICE}

실시예는 발광소자에 관한 것으로 보다 상세하게는, 발광 구조물의 품질이 향상되고 활성층의 전면적에서 빛이 방출되는 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device in which the quality of a light emitting structure is improved and light is emitted from the entire area of the active layer.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.Group 3-5 compound semiconductors such as GaN and AlGaN are widely used in optoelectronics and electronic devices due to their many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as Ligit Emitting Diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or Group 2-6 compound are developed in thin film growth technology and device materials, such as red, green, blue and ultraviolet rays. Various colors can be implemented, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or by combining colors. Low power consumption, semi-permanent life, quick response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. It has the advantage of affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a light emitting diode backlight that replaces the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) that constitutes the transmission module of the optical communication means, the backlight of the LCD (Liquid Crystal Display) display, and white light that can replace fluorescent or incandescent bulbs. Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.

도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device.

종래의 발광소자(100)는 사파이어 등으로 이루어진 기판(110) 위에 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광구조물(120)이 형성되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 상에 각각 제1 전극(150)과 제2 전극(160)이 배치되되, 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 투광성 도전층(140)이 배치될 수 있다.A conventional light emitting device 100 includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second conductivity type semiconductor layer 126 on a substrate 110 made of sapphire or the like. And the first electrode 150 and the second electrode 160 are disposed on the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126, respectively, and the second conductivity type semiconductor layer 126 ), a translucent conductive layer 140 may be disposed.

발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(124)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층(124)에서 방출되는 빛은 활성층(124)을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.In the light emitting device 100, electrons injected through the first conductivity-type semiconductor layer 122 and holes injected through the second conductivity-type semiconductor layer 126 meet each other to form an energy band inherent to the material forming the active layer 124. Emits light with energy determined by The light emitted from the active layer 124 may vary depending on the composition of the material constituting the active layer 124, and may be blue light, ultraviolet (UV), deep UV, or other wavelength range.

활성층(124)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 124 is a double-hetero junction structure, a single quantum well structure, a multi-quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure, etc. It can be formed as

상술한 종래의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.The above-described conventional light emitting device has the following problems.

기판과 발광 구조물은 이종의 재료이므로 격자 상수 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있다.Since the substrate and the light emitting structure are heterogeneous materials, the lattice constant mismatch is very large and the difference in the coefficient of thermal expansion between them is also very large, so dislocation, melt-back, and cracks that deteriorate crystallinity. (crack), pit (pit), surface morphology (surface morphology) defects, etc. may occur.

상술한 문제점을 해결하고자 도 1에 도시된 바와 같이 버퍼층(115)을 형성할 수도 있으나, 전위가 여전히 형성되어 발광 구조물의 품질을 악화시킬 수도 있으며, 활성층에서 빛에너지가 아닌 발광 구조물에서 열에너지가 방출되어 발광소자 자체의 효율을 저하시킬 수 있다. 또한, 제1 전극(150)에서 방출되는 전자와 제2 전극(160)에서 방출되는 정공이 활성층(124)의 일부 영역에 집중되므로, 활성층(124)의 전영역에서 빛이 방출되지 않을 수 있다.In order to solve the above-described problem, the buffer layer 115 may be formed as shown in FIG. 1, but the potential is still formed and the quality of the light emitting structure may be deteriorated, and thermal energy is emitted from the light-emitting structure rather than light energy in the active layer. As a result, the efficiency of the light emitting device itself can be lowered. In addition, since electrons emitted from the first electrode 150 and holes emitted from the second electrode 160 are concentrated in a partial area of the active layer 124, light may not be emitted in the entire area of the active layer 124 .

실시예는 품질을 향상시키고, 광효율도 증가시키고자 한다.The embodiment aims to improve quality and increase light efficiency.

언도프드 반도체층의 두께는 적어도 100 옴스트롱 내지 100 나노미터일 수 있다.The thickness of the undoped semiconductor layer may be at least 100 angstroms to 100 nanometers.

발광소자는 제2 도전형 반도체층의 둘레에 배치된 도전층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a conductive layer disposed around the second conductive semiconductor layer.

다른 실시예는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 돌출 구조물; 상기 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부면에 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층; 및 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 배치된 절연층을 포함하는 발광소자를 제공한다.Another embodiment is a substrate; A plurality of protruding structures disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer; An active layer and a second conductivity type semiconductor layer disposed on side surfaces and upper surfaces of each of the protruding structures; And an insulating layer disposed on the second conductivity type semiconductor layer.

절연층의 두께는 100 옴스트롱 내지 100 나노미터일 수 있다.The thickness of the insulating layer may be 100 angstroms to 100 nanometers.

발광소자는 절연층의 상부와 상기 제2 도전형 반도체층의 둘레에 배치된 도전층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a conductive layer disposed on the insulating layer and around the second conductive semiconductor layer.

발광소자는 도전층의 둘레에 배치된 반사층을 더 포함할 수 있고, 반사층은 제2 도전형 반도체층과 상기 도전층의 사이에 배치될 수도 있다.The light emitting device may further include a reflective layer disposed around the conductive layer, and the reflective layer may be disposed between the second conductive semiconductor layer and the conductive layer.

발광소자는 각각의 제2 도전형 반도체층 사이의 갭을 채우는 갭 필링(gap filling)층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a gap filling layer filling a gap between each of the second conductivity type semiconductor layers.

발광소자는 기판 상에 배치되고, 상기 복수 개의 돌출 구조물을 나누는 마스크를 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a mask disposed on the substrate and dividing the plurality of protruding structures.

발광소자는 기판 상에 배치되고, 상기 마스크 상에 배치된 보호층을 더 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a protective layer disposed on the substrate and disposed on the mask.

본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물의 상부에 언도프드 반도체층 또는 절연층이 배치되어, 돌출 구조물의 상부에 배치된 활성층보다 측면에 배치된 활성층에서 전자와 정공의 결합이 활발하게 이루어져서 빛이 방출될 수 있어서, 종래에 돌출 구조물의 상부 영역에 발광이 집중된 문제점을 해결할 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, an undoped semiconductor layer or an insulating layer is disposed on an upper portion of a protruding structure having a fine size, so that electrons and holes are actively combined in the active layer disposed on the side surface than the active layer disposed on the protruding structure. As a result, light can be emitted, thereby solving a problem in which light emission is concentrated in the upper region of the protruding structure in the related art.

도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 2a는 발광소자의 제1 실시예를 나타낸 도면이고,
도 2b는 도 2a의 'A' 영역을 상세히 나타낸 도면이고,
도 3a는 발광소자의 제2 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3b는 도 3a의 'B' 영역을 상세히 나타낸 도면이고,
도 4a 내지 도 4d는 발광소자의 제3 실시예 내지 제6 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 발광소자의 제7 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 8은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device,
2A is a view showing a first embodiment of a light emitting device,
FIG. 2B is a view showing in detail area'A' of FIG. 2A,
3A is a view showing a second embodiment of a light emitting device,
FIG. 3B is a detailed diagram showing area'B' of FIG. 3A,
4A to 4D are views showing the third to sixth embodiments of the light emitting device,
5 is a view showing a seventh embodiment of a light emitting device,
6 is a view showing an embodiment of a light emitting device package in which the light emitting device is disposed,
7 is a diagram showing an embodiment of an image display device in which a light emitting device is disposed,
8 is a diagram showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention capable of realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed in "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in direct contact with each other or in which one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

도 2a는 발광소자의 제1 실시예를 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a의 'A' 영역을 상세히 나타낸 도면이다.FIG. 2A is a diagram illustrating a first embodiment of a light emitting device, and FIG. 2B is a diagram illustrating a region'A' of FIG. 2A in detail.

실시예에 따른 발광소자(200a)는, 기판(210), 기판(210) 상의 발광 구조물(220), 각각의 돌출 구조물(220b)의 상부에 배치되는 언도프드(undoped) 반도체층(230), 각각의 돌출 구조물(222b) 사이에 배치된 마스크(280)와 보호층(285), 보호층(285)의 상부와 각각의 돌출 구조물(220b)의 둘레의 제2 도전형 반도체층(226)의 둘레에 배치된 도전층(240)과, 도전층(240) 사이의 갭(gap)을 채우는 갭 필링층(filling layer, 260), 상기 갭 필링층(260) 상에 배치되는 투명 도전층(270)과, 제1 전극(290)과 제2 전극(295)를 포함할 수 있다.The light emitting device 200a according to the embodiment includes a substrate 210, a light emitting structure 220 on the substrate 210, an undoped semiconductor layer 230 disposed on each of the protruding structures 220b, The mask 280 and the protective layer 285 disposed between each of the protruding structures 222b, the upper portion of the protective layer 285, and the second conductive type semiconductor layer 226 around the respective protruding structures 220b. A conductive layer 240 disposed on the periphery, a gap filling layer 260 filling a gap between the conductive layers 240, and a transparent conductive layer 270 disposed on the gap filling layer 260 ), and a first electrode 290 and a second electrode 295.

기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al₂O₃), SiO₂, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga₂0₃ 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 210 may be formed of a material suitable for growth of semiconductor materials or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al ₂ O ₃ ), SiO ₂ , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga ₂ 0 ₃ may be used.

사파이어 등으로 기판(210)을 형성하고, 기판(210) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(220)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.When the substrate 210 is formed of sapphire, etc., and the light emitting structure 220 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 210, the lattice mismatch between GaN or AlGaN and sapphire is very large. Since the difference in the coefficient of thermal expansion between them is also very large, dislocation, melt-back, crack, pit, and surface morphology defects that deteriorate crystallinity occur. Therefore, a buffer layer (not shown) may be formed of AlN or the like.

도시되지는 않았으나, 버퍼층(미도시)과 발광구조물(220)의 사이에는 언도프드 GaN층이나 AlGaN층이 배치되어, 발광구조물(220) 내로 상술한 전위 등이 전달되는 것을 방지할 수 있다.Although not shown, an undoped GaN layer or an AlGaN layer is disposed between the buffer layer (not shown) and the light emitting structure 220 to prevent the above-described electric potential from being transferred into the light emitting structure 220.

발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어진다.The light emitting structure 220 includes a first conductivity type semiconductor layer 222, an active layer 224 and a second conductivity type semiconductor layer 226.

제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 포함하는데, 베이스층(222a)은 기판(210)의 전면 상에 얇은 박막으로 형성될 수 있고, 돌출 구조물(222b)은 베이스층(222a) 상에 복수 개의 돌출 구조물이 성장되어 이루어진다.The first conductivity type semiconductor layer 222 includes a base layer 222a and a protruding structure 222b, and the base layer 222a may be formed as a thin film on the entire surface of the substrate 210, and the protruding structure ( 222b) is formed by growing a plurality of protruding structures on the base layer 222a.

돌출 구조물(222b)은 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 둔각을 이루며 배치되고 있다. 또한, 후술하는 바와같이 돌출 구조물(222b)의 상부면은 플랫하여 상기 측면과 직각으로 구비될 수도 있다.As shown, the side surface of the protruding structure 222b is disposed in a vertical direction from the base layer 222a, and the upper surface is disposed at an obtuse angle with the side surface. In addition, as will be described later, the upper surface of the protruding structure 222b is flat and may be provided at a right angle to the side surface.

돌출 구조물(222b)은 수평 방향의 크기(R)이 나노 스케일이나, 경우에 따라서 10 마이크로 미터 내외의 스케일을 가질 수 있다. 돌출 구조물(222b)의 수평 방향의 크기(R)은 인접한 마스크(280) 사이의 거리(d)보다 클 수 있으며, 예를 들면 R은 d의 2배 이상일 수 있다. 상술한 거리(d)는 베이스층(222a)으로부터 돌출 구조물(222b)이 성장될 수 있는, 인접한 마스크(280) 사이의 개구부의 직경일 수 있다.The protruding structure 222b has a size R in the horizontal direction on a nano scale, but may have a scale of about 10 micrometers in some cases. The size R of the protruding structure 222b in the horizontal direction may be greater than the distance d between the adjacent masks 280, for example, R may be at least twice d. The above-described distance (d) may be a diameter of an opening between the adjacent masks 280 through which the protruding structure 222b can be grown from the base layer 222a.

제1 도전형 반도체층(222)에서 베이스층(222a)의 높이(h₁)는 100 나노미터 내지 10 마이크로 미터일 수 있는데, 100 나노미터보다 작으면 제1 도전형 반도체층(222)의 성장에 충분하지 않을 수 있고, 10 마이크로 미터보다 크면 발광 구조물(220)의 두께가 너무 증가할 수 있다.The height (h ₁ ) of the base layer 222a in the first conductivity type semiconductor layer 222 may be 100 nanometers to 10 micrometers. If it is less than 100 nanometers, the growth of the first conductivity type semiconductor layer 222 May not be sufficient, and if it is larger than 10 micrometers, the thickness of the light emitting structure 220 may increase too much.

돌출 구조물(222b)의 높이(h₂)와 돌출 구조물(222b) 사이의 피치(pitch. P)은, 발광 구조물(220)에서 방출되는 빛의 파장과 광량에 따라 다를 수 있다.The height h ₂ of the protruding structure 222b and the pitch P between the protruding structure 222b may vary depending on the wavelength and amount of light emitted from the light emitting structure 220.

돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.The protruding structure may have a hexagonal column, circular or polygonal cross section, and each protruding structure may be arranged irregularly in addition to a regular arrangement, and the size or shape of each protruding structure may be the same, but may be different.

도 2a에서, 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)을 점선으로 구획하고 있으나 동일한 재료로 이루어질 수 있고, 마스크(280)과 보호층(285)을 사용하기 이전과 이후에 각각 성장될 수 있다.In FIG. 2A, the base layer 222a and the protruding structure 222b are divided by a dotted line, but may be made of the same material, and may be grown before and after using the mask 280 and the protective layer 285, respectively. .

마스크(280)와 보호층(285)는 각각 절연물질로 이루어질 수 있으며, 서로 하나의 층(layer)으로 형성될 수 있다. 마스크(280)와 보호층(285)은 베이스층(222a)과 돌출 구조물(222b)를 나눌 수 있고, 또한 각각의 돌출 구조물(222b)을 나눌 수도 있다. 마스크(280)와 보호층(285)는 전류가 도전층(240)을 흐를 때 다른 곳으로 전류가 누출되는 것을 방지할 수 있다. 또한 마스크(280)와 보호층(285)은, 언도프드 반도체층(230)을 돌출 구조물(222b)에 증착한 후 측면에 형성된 재료를 제거할 때 또는 후술하는 다른 실시예에서 절연층(235)을 제2 도전형 반도체층(226)에 증착한 후 측면에 형성된 재료를 제거할 때, 제거되는 언도프드 반도체층(230) 또는 절연층(235) 재료로부터 아래의 구조물, 즉 베이스층(222a) 등을 보호할 수 있다.Each of the mask 280 and the protective layer 285 may be made of an insulating material, and may be formed as a single layer. The mask 280 and the protective layer 285 may divide the base layer 222a and the protruding structure 222b, and may also divide each protruding structure 222b. The mask 280 and the protective layer 285 may prevent leakage of current to other places when current flows through the conductive layer 240. In addition, the mask 280 and the protective layer 285 are, when removing the material formed on the side surface after depositing the undoped semiconductor layer 230 on the protruding structure 222b, or in another embodiment to be described later, the insulating layer 235 When removing the material formed on the side after depositing the second conductivity type semiconductor layer 226, the structure below from the material of the undoped semiconductor layer 230 or the insulating layer 235 to be removed, that is, the base layer 222a You can protect your back.

제1 도전형 반도체층(222)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 222 may be implemented as a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and may be doped with a first conductivity type dopant. The first conductivity type semiconductor layer 222 is a semiconductor material having a composition formula of Al _x In _y Ga _(1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaN , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of any one or more.

제1 도전형 반도체층(222)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 222 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductivity type semiconductor layer 222 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

발광 소자(200a)가 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 발광 소자일 경우, 제1 도전형 반도체층(222)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the light emitting device 200a is an ultraviolet (UV) or deep UV light emitting device, the first conductivity type semiconductor layer 222 may include at least one of InAlGaN and AlGaN.

돌출 구조물(222a)의 상부에는 언도프드 반도체층(230)이 배치될 수 있는데, 적어도 100 옴스트롱의 두께로 배치될 수 있다. 언도프드 반도체층(230)은 돌출 구조물(222a)의 상부에 전류가 흐르는 것을 차단하여, 돌출 구조물(222a)의 측면을 통하여 전류가 고루 공급될 수 있도록 할 수 있다. 언도프드 반도체층(230)의 두께(t₁)는 적어도 100 옴스트롱 이상이어야 상술한 전류 차단의 효과를 이룰 수 있으며, 돌출 구조물(222b)의 크기를 고려하면 두께가 100 나노미터를 넘지 않을 수 있다.The undoped semiconductor layer 230 may be disposed on the protruding structure 222a, and may be disposed to have a thickness of at least 100 angstroms. The undoped semiconductor layer 230 may block current from flowing over the protruding structure 222a so that current can be evenly supplied through the side surface of the protruding structure 222a. The thickness t ₁ of the undoped semiconductor layer 230 must be at least 100 angstroms to achieve the above-described current blocking effect, and the thickness may not exceed 100 nanometers considering the size of the protruding structure 222b. have.

활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)은 돌출 구조물(222b)의 둘레,즉 측면과 상부면과, 보호층(285) 상에 얇은 박막으로 각각 형성될 수 있다.The active layer 224 and the second conductivity-type semiconductor layer 226 may be formed as thin films on the periphery of the protruding structure 222b, that is, the side surface and the upper surface, and on the protective layer 285.

활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 224 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 222 and the second conductivity type semiconductor layer 226, and is a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, and a multiple quantum well. It may include any one of a (MQW: Multi Quantum Well) structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure.

활성층(224)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.The active layer 224 is a well layer and a barrier layer, such as AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs), using a compound semiconductor material of group III-V element /AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP may be formed in any one or more pair structure, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 활성층(224)이 심자외선(deep UV) 파장의 빛을 생성할 때, 활성층(224)은 다중양자우물 구조로 이루어질 수 있고, 상세하게는 Al_xGa_(1-x)N (0<x<1)을 포함하는 양자벽과 Al_yGa_(1-y)N (0<x<y<1)을 포함하는 양자우물층의페어 구조가 1주기 이상인 다중 양자 우물 구조일 수 있고, 양자 우물층은 후술하는 제2 도전형의도펀트를 포함할 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer. When the active layer 224 generates light of a deep UV wavelength, the active layer 224 may have a multiple quantum well structure, and in detail, Al _x Ga _(1-x) N (0<x< The pair structure of the quantum wall including 1) and the quantum well layer including Al _y Ga _(1-y) N (0<x<y<1) may be a multi-quantum well structure having 1 period or more, and a quantum well layer May include a second conductivity type dopant to be described later.

제2 도전형 반도체층(226)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 예컨대, In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(226)이 Al_xGa_(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be implemented as a compound semiconductor such as a III-V group or a II-VI group, and may be doped with a second conductivity type dopant. The second conductivity type semiconductor layer 226 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) , AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP may be formed of any one or more, for example, the second conductivity type semiconductor layer 226 may be made of Al _x Ga _(1-x) N have.

제2 도전형 반도체층(226)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 만일, 발광 소자(200a)가 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 발광 소자일 경우, 제2 도전형 반도체층(226)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.When the second conductivity-type semiconductor layer 226 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. If the light emitting device 200a is an ultraviolet (UV) or deep UV light emitting device, the second conductivity type semiconductor layer 226 may include at least one of InAlGaN and AlGaN.

도시되지는 않았으나, 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교번하여 배치될 수도 있다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226. The electron blocking layer may have a superlattice structure, for example, AlGaN doped with a second conductivity type dopant may be disposed, and GaN having a different composition ratio of aluminum is formed as a layer. A plurality may be arranged alternately with each other.

보호층(285)의 상부와 각각의 제2 도전형 반도체층(226)의 둘레에 도전층(240)이 배치될 수 있고, 도전층(240)은 투명 도전성 물질, 예를 들면 ITO(Indium-Tin-Oxide) 등으로 이루어질 수 있다.A conductive layer 240 may be disposed on the protective layer 285 and around each of the second conductive semiconductor layers 226, and the conductive layer 240 is a transparent conductive material, for example, ITO (Indium- Tin-Oxide) or the like.

각각의 돌출 구조물(222b) 주변에 배치된 도전층(240) 사이의 갭(gap)을 채우며 갭 필링층(filling layer, 260)이 배치되는데, 갭 필링층(260)은 절연성 물질 또는 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 갭 필링층(260)이 절연성 물질로 이루어질 경우 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO₂)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으며, 이때 제2 전극(295)으로부터 공급된 전류가 도전층(240)을 통하여 제2 도전형 반도체층(226)의 표면으로 집중될 수 있다.A gap filling layer 260 is disposed while filling a gap between the conductive layers 240 disposed around each of the protruding structures 222b, and the gap filling layer 260 is made of an insulating material or a conductive material. If the gap filling layer 260 is made of an insulating material, the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride, and more specifically, a silicon oxide (SiO ₂ ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer. In this case, the current supplied from the second electrode 295 may be concentrated to the surface of the second conductive type semiconductor layer 226 through the conductive layer 240.

갭 필링층(260) 상에는 투명 도전층(270)이 배치되는데, 투명 도전층(270)의 일부는 돌출 구조물(222b) 상에 배치된 도전층(240)과 접촉할 수 있다. 즉, 도전층(240)의 측면은 갭 필링층(260)과 접촉하되, 도전층(240)의 일부 특히 상부 영역은 투명 도전층(270)과 접촉할 수 있다.A transparent conductive layer 270 is disposed on the gap filling layer 260, and a part of the transparent conductive layer 270 may contact the conductive layer 240 disposed on the protruding structure 222b. That is, a side surface of the conductive layer 240 may contact the gap filling layer 260, but a part of the conductive layer 240, particularly an upper region, may contact the transparent conductive layer 270.

미세한 크기의 돌출 구조물(222b) 사이에 갭 필링층(260)이 형성되어 돌출 구조물를 안정적으로 지지하고, 돌출 구조물(222b)과 갭 필링층(260)의 상부에 투명 도전층(270)이 형성되어 제2 전극(295)을 안정적으로 지지할 수 있다.A gap-filling layer 260 is formed between the fine-sized protruding structures 222b to stably support the protruding structure, and a transparent conductive layer 270 is formed on the protruding structure 222b and the gap-filling layer 260 The second electrode 295 may be stably supported.

제1 전극(290)은 제1 도전형 반도체층(222) 중 베이스층(222a)의 일부가 노출된 영역에 형성될 수 있다. 제1 전극(290)과 제2 전극(295)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 각각 와이어(미도시)에 연결될 수 있다.The first electrode 290 may be formed in a region of the first conductivity type semiconductor layer 222 in which a part of the base layer 222a is exposed. The first electrode 290 and the second electrode 295 include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). Alternatively, it may be formed in a multi-layered structure, and each may be connected to a wire (not shown).

돌출 구조물에 전극을 형성할 때 돌출 구조물의 종횡비로 인하여, 특히 제2 전극으로부터 돌출 구조물의 상부에 전류가 집중되어 돌출 구조물의 전면적에 전류를 공급하기 어려웠다.When forming an electrode on the protruding structure, due to the aspect ratio of the protruding structure, it is difficult to supply current to the entire area of the protruding structure, especially because current is concentrated from the second electrode to the top of the protruding structure.

본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물의 상부에 언도프드 반도체층이 배치되어, 돌출 구조물의 상부에 배치된 활성층보다 측면에 배치된 활성층에서 전자와 정공의 결합이 활발하게 이루어져서 빛이 방출될 수 있다. 따라서, 종래에 돌출 구조물의 상부 영역에 발광이 집중된 문제점을 해결할 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, an undoped semiconductor layer is disposed on the top of the protruding structure of a fine size, so that the combination of electrons and holes is made active in the active layer disposed on the side rather than the active layer disposed on the protruding structure. Can be released. Accordingly, it is possible to solve a problem in which light emission is concentrated in the upper region of the protruding structure in the related art.

도 3a는 발광소자의 제2 실시예를 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 'B' 영역을 상세히 나타낸 도면이다.FIG. 3A is a view showing a second embodiment of a light emitting device, and FIG. 3B is a view showing a region'B' of FIG. 3A in detail.

본 실시예에 따른 발광소자(200b)는 도 2a 등에 도시된 발광소자(200a)와 유사하나, 언도프드 반도체층(230)이 생략되고 절연층(235)이 제2 도전형 반도체층(226)의 상부에 형성된 차이점이 있다. 돌출 구조물(222b)의 상부에 대응하는 영역에서 경사를 이루고 배치된 제2 도전형 반도체층(226) 상에 절연층(235)도 경사를 이루고 배치될 수 있다.The light emitting device 200b according to this embodiment is similar to the light emitting device 200a shown in FIG. 2A, but the undoped semiconductor layer 230 is omitted and the insulating layer 235 is the second conductive semiconductor layer 226. There is a difference formed on top of it. The insulating layer 235 may also be inclined and disposed on the second conductive semiconductor layer 226 disposed in an inclined area in a region corresponding to the upper portion of the protruding structure 222b.

절연층(235)은 비전도성의 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 실리콘 산화물(SiO₂)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다. 절연층(235)의 두께(t₂)는 적어도 100 옴스트롱 이상이어야 제2 도전형 반도체층(226) 상부에 전류가 흐르는 것을 차단할 수 있고, 돌출 구조물(222b)의 스케일(scale)을 고려하면 100 나노미터를 넘지 않을 수 있다.The insulating layer 235 may be made of a non-conductive oxide or nitride, and more specifically, a silicon oxide (SiO ₂ ) layer, an oxide nitride layer, and an aluminum oxide layer. The thickness (t ₂ ) of the insulating layer 235 must be at least 100 angstroms to prevent current from flowing over the second conductive type semiconductor layer 226, and considering the scale of the protruding structure 222b It may not exceed 100 nanometers.

본 실시예에 따른 발광소자는 돌출 구조물의 상부의 제2 도전형 반도체층 상에 절연층이 배치되어, 돌출 구조물의 상부에 배치된 활성층보다 측면에 배치된 활성층에서 전자와 정공의 결합이 활발하게 이루어져서 빛이 방출될 수 있다. 따라서, 종래에 돌출 구조물의 상부 영역에 발광이 집중된 문제점을 해결할 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, an insulating layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer on the upper part of the protruding structure, so that electrons and holes are actively combined in the active layer disposed on the side surface than the active layer disposed on the protruding structure. So that light can be emitted. Accordingly, it is possible to solve a problem in which light emission is concentrated in the upper region of the protruding structure in the related art.

도 4a 내지 도 4d는 발광소자의 제3 실시예 내지 제6 실시예를 나타낸 도면이다.4A to 4D are views showing the third to sixth embodiments of the light emitting device.

도 4a에 도시된 발광소자(200c)는 도 2a에 도시된 발광소자와 유사하나, 도전층(240)의 둘레에 반사층(250)이 배치된 차이점이 있다. 반사층(250)은 도전성 금속으로 이루어질 수 있고, 상세하게는 고반사율의 금속으로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 로듐(Rh) 중 어느 하나이거나 이들의 합금일 수 있다.The light-emitting device 200c shown in FIG. 4A is similar to the light-emitting device shown in FIG. 2A, but there is a difference in that the reflective layer 250 is disposed around the conductive layer 240. The reflective layer 250 may be made of a conductive metal, and in detail, may be made of a metal of high reflectivity, and more specifically, any one of silver (Ag), aluminum (Al), and rhodium (Rh), or an alloy thereof. I can.

본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물의 상부에 언도프드 반도체층이 배치되어, 돌출 구조물의 상부에 배치된 활성층보다 측면에 배치된 활성층에서 전자와 정공의 결합이 활발하게 이루어져서 빛이 방출될 수 있다. 또한, 도 4a에서 반사층의 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부에 배치되어, 활성층에서 방출된 빛이 반사층에서 반사되어 돌출 구조물의 하부로 진행하게 되어 플립 칩 타입의 발광소자에 사용될 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, an undoped semiconductor layer is disposed on the top of the protruding structure of a fine size, so that the combination of electrons and holes is made active in the active layer disposed on the side rather than the active layer disposed on the protruding structure. Can be released. In addition, in FIG. 4A, it is disposed on the sides and upper portions of each protruding structure of the reflective layer, so that light emitted from the active layer is reflected from the reflective layer and proceeds to the lower portion of the protruding structure, so that it can be used in a flip chip type light emitting device.

도 4b에 도시된 발광소자(200d)는 반사층(250)이 형성된 점에서 도 2a에 도시된 발광소자(200a)와 상이하고, 반사층(250)의 형성 위치가 도 4a에 도시된 발광소자(200c)와 상이하다.The light-emitting device 200d illustrated in FIG. 4B is different from the light-emitting device 200a illustrated in FIG. 2A in that the reflective layer 250 is formed, and the light-emitting device 200c illustrated in FIG. 4A is formed in a position where the reflective layer 250 is formed. ) And different.

본 실시예에서 반사층(250)은 제2 도전형 반도체층(226)과 도전층(240)의 사이에 형성되고 있고, 반사층(250)은 도전성 물질 예를 들면 금속으로 이루어져서 도전층(240)으로부터 공급되는 전류를 제2 도전형 반도체층(226)으로 공급할 수 있다. 본 실시예에 따른 발광소자(200d)도 도 4a에 도시된 발광소자(200c)와 동일하게 플립 칩 타입으로 배치될 수 있다.In this embodiment, the reflective layer 250 is formed between the second conductive semiconductor layer 226 and the conductive layer 240, and the reflective layer 250 is made of a conductive material, for example, metal, The supplied current may be supplied to the second conductivity type semiconductor layer 226. The light emitting device 200d according to the present exemplary embodiment may also be disposed in a flip chip type similar to the light emitting device 200c illustrated in FIG. 4A.

도 4c에 도시된 발광소자(200e)는 도 3a에 도시된 발광소자와 유사하나, 도전층(240)의 둘레에 반사층(250)이 배치된 차이점이 있다. 반사층(250)은 도전성 금속으로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 고반사율의 금속으로 이루어질 수 있다.The light-emitting device 200e shown in FIG. 4C is similar to the light-emitting device shown in FIG. 3A, but there is a difference in that the reflective layer 250 is disposed around the conductive layer 240. The reflective layer 250 may be made of a conductive metal, and more particularly, may be made of a high reflectivity metal.

본 실시예에 따른 발광소자는 미세한 크기의 돌출 구조물의 상부에 언도프드 반도체층이 배치되어, 돌출 구조물의 상부에 배치된 활성층보다 측면에 배치된 활성층에서 전자와 정공의 결합이 활발하게 이루어져서 빛이 방출될 수 있다. 또한, 도 4c에서 반사층의 각각의 돌출 구조물의 측면과 상부에 배치되어, 활성층에서 방출된 빛이 반사층에서 반사되어 돌출 구조물의 하부로 진행하게 되어 플립 칩 타입의 발광소자에 사용될 수 있다.In the light emitting device according to the present embodiment, an undoped semiconductor layer is disposed on the top of the protruding structure of a fine size, so that the combination of electrons and holes is made active in the active layer disposed on the side rather than the active layer disposed on the protruding structure. Can be released. In addition, in FIG. 4C, the reflective layer is disposed on the sides and upper portions of each of the protruding structures, so that light emitted from the active layer is reflected from the reflective layer and proceeds to the lower portion of the protruding structure, so that it can be used in a flip chip type light emitting device.

도 4d에 도시된 발광소자(200f)는 반사층(250)이 형성된 점에서 도 3a에 도시된 발광소자(200b)와 상이하고, 반사층(250)의 형성 위치가 도 4c에 도시된 발광소자(200e)와 상이하다.본 실시예에 따른 발광소자(200f)도 도 4c에 도시된 발광소자(200e)와 동일하게 플립 칩 타입으로 배치될 수 있다.The light-emitting device 200f illustrated in FIG. 4D is different from the light-emitting device 200b illustrated in FIG. 3A in that the reflective layer 250 is formed, and the light-emitting device 200e illustrated in FIG. 4C in which the reflective layer 250 is formed. ). The light emitting device 200f according to the present embodiment may also be disposed in a flip-chip type similar to the light emitting device 200e shown in FIG. 4C.

도 5는 발광소자의 제7 실시예를 나타낸 도면이다.5 is a diagram showing a light emitting device according to a seventh embodiment.

도 5에 도시된 발광소자(200g)는 도 2a에 도시된 발광소자(200a)와 유사하나, 돌출 구조물(222b)이 도시된 바와 같이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 수직하게 배치되고 있다. 그리고, 돌출 구조물(222b)의 상부 영역에서 언도프드 반도체층(230)과 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)과 도전층(240)도 일정한 두께를 가지고 플랫(flat)하게 배치되고 있다.The light-emitting device 200g shown in FIG. 5 is similar to the light-emitting device 200a shown in FIG. 2A, but the protruding structure 222b is disposed in a vertical direction from the base layer 222a as shown, The upper surface is disposed perpendicular to the side surface. In addition, the undoped semiconductor layer 230, the active layer 224, the second conductivity-type semiconductor layer 226, and the conductive layer 240 are also disposed in a flat shape in the upper region of the protruding structure 222b. Has become.

도시되지는 않았으나, 도 3a에 도시된 발광소자에서도 돌출 구조물(222b)이 베이스층(222a)으로부터 수직한 방향으로 측면이 배치되고, 상부면은 상기 측면과 수직하게 배치될 수도 있다. 이때, 돌출 구조물(222b)의 상부 영역에서 언도프드 반도체층(230)과 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)과 도전층(240)도 일정한 두께를 가지고 플랫(flat)하게 배치될 수 있다.Although not shown, even in the light emitting device shown in FIG. 3A, the side surface of the protruding structure 222b may be disposed in a direction perpendicular to the base layer 222a, and the upper surface may be disposed perpendicular to the side surface. At this time, the undoped semiconductor layer 230, the active layer 224, the second conductivity-type semiconductor layer 226, and the conductive layer 240 are also disposed in a flat shape in the upper region of the protruding structure 222b. Can be.

상술한 돌출 구조물(222b) 등의 형상은, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 발광소자에도 적용될 수 있다.The above-described shape of the protruding structure 222b may be applied to the light emitting device shown in FIGS. 4A to 4D.

상술한 실시예들에서 돌출 구조물은 단면이 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.In the above-described embodiments, the protruding structure may have a hexagonal column, circular or polygonal cross section, and each protruding structure may be arranged irregularly in addition to a regular arrangement, and the size or shape of each protruding structure may be the same. But it may be different.

도 6은 발광소자가 배치된 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 is a view showing an embodiment of a light emitting device package in which the light emitting device is disposed.

실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 캐비티를 포함하는 몸체(410)와, 상기 몸체(410)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 421) 및 제2 리드 프레임(422)과, 상기 몸체(410)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(200a)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(470)를 포함한다.The light emitting device package 400 according to the embodiment includes a body 410 including a cavity, a first lead frame 421 and a second lead frame 422 installed on the body 410, and the body The light emitting device 200a according to the above-described embodiments installed in the 410 and electrically connected to the first lead frame 421 and the second lead frame 422, and a molding part 470 formed in the cavity Includes.

몸체(410)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(410)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(410)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(421, 422) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 410 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 410 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the body 410 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 421 and 422. I can.

제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(200a)에 전류를 공급한다. 또한, 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(422)은 발광소자(200a)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(200a)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 421 and the second lead frame 422 are electrically separated from each other, and supply current to the light emitting device 200a. In addition, the first lead frame 421 and the second lead frame 422 may reflect light generated from the light emitting device 200a to increase light efficiency, and transfer heat generated from the light emitting device 200a to the outside. It can also be discharged.

발광소자(200a)는 도 2a에 도시된 실시예 외에 상술한 다른 실시예에 따른 발광소자일 수 있다.The light emitting device 200a may be a light emitting device according to other embodiments described above in addition to the embodiment shown in FIG. 2A.

발광소자(200a)는 제1 리드 프레임(421)에 도전성 페이스트(미도시) 등으로 고정될 수 있고, 전극(430)은 제2 리드 프레임에 와이어(450)로 본딩될 수 있다.The light emitting device 200a may be fixed to the first lead frame 421 with a conductive paste (not shown) or the like, and the electrode 430 may be bonded to the second lead frame with a wire 450.

상기 몰딩부(470)는 상기 발광소자(200a)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(470) 상에는 형광체(480)가 포함될 수 있다. 이러한 구조는 형광체(480)가 분포되어, 발광소자(200a)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(400)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.The molding part 470 may surround and protect the light emitting device 200a. In addition, a phosphor 480 may be included on the molding part 470. In this structure, since the phosphor 480 is distributed, the wavelength of light emitted from the light emitting device 200a can be converted in the entire area of the light emitting device package 400 to which light is emitted.

발광소자 패키지(400)는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted as one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but is not limited thereto.

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 영상표시장치와 조명장치를 설명한다.Hereinafter, as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed, an image display device and a lighting device will be described.

도 7은 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram showing an embodiment of an image display device in which a light emitting device is disposed.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the image display device 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflector 520 on the bottom cover 510, and light emitted from the light source module disposed in front of the reflector 520. The first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 and the second prism sheet 560 are disposed in front of the light guide plate 540 to guide the image display device in front of the light guide plate 540. It includes a panel 570 disposed in front and a color filter 580 disposed in the entirety of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)의 발광소자는 상술한 바와 같다.The light source module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device of the light emitting device package 535 is as described above.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may accommodate components in the image display device 500. The reflector 520 may be provided as a separate component as shown in this drawing, or may be provided in a form coated with a material having high reflectivity on the rear surface of the light guide plate 540 or the front surface of the bottom cover 510.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 may use a material that has high reflectivity and can be used in an ultra-thin type, and may use PolyEthylene Terephtalate (PET).

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the liquid crystal display. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance, and may be formed of polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PolyEthylene; PE). In addition, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide type display device may be implemented.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed of a light-transmitting and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be repeatedly provided in a stripe type with floors and valleys as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley on one side of the support film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley on one side of the support film in the first prism sheet 550. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 form an optical sheet, and the optical sheet is formed of a different combination, for example, a micro lens array, or a diffusion sheet and a micro lens array. It may be made of a combination or a combination of a single prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 570 may include a liquid crystal display. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices that require a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The panel 570 is in a state in which a liquid crystal is placed between the glass bodies and polarizing plates are placed on both glass bodies in order to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate characteristic between a liquid and a solid, and the liquid crystal, which is an organic molecule having fluidity like a liquid, has a state that is regularly arranged like a crystal, and the molecular arrangement is changed by an external electric field. Display an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and uses a transistor as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 to transmit light projected from the panel 570 and transmit only red, green, and blue light for each pixel, so that an image can be expressed.

도 8은 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a diagram showing an embodiment of a lighting device in which a light emitting device is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting apparatus according to the present embodiment may include a cover 1100, a light source module 1200, a radiator 1400, a power supply unit 1600, an inner case 1700, and a socket 1800. In addition, the lighting apparatus according to the embodiment may further include one or more of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include a light emitting device package according to the above-described embodiments. .

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 has a shape of a bulb or a hemisphere, is hollow, and may be provided in an open shape. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200. For example, the cover 1100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 1200. The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be coupled to the radiator 1400. The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the radiator 1400.

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.A milky white paint may be coated on the inner surface of the cover 1100. The milky white paint may include a diffuser that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 1100. This is to sufficiently scatter and diffuse light from the light source module 1200 to emit it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent so that the light source module 1200 is visible from the outside, or may be opaque. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the radiator 1400. Accordingly, heat from the light source module 1200 is conducted to the radiator 1400. The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210, a connection plate 1230, and a connector 1250.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on an upper surface of the radiator 1400 and has guide grooves 1310 into which a plurality of light emitting device packages 1210 and a connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the substrate and the connector 1250 of the light emitting device package 1210.

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returning toward the light source module 1200 toward the cover 1100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 1400 and the connection plate 1230. The member 1300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1400. The radiator 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 to radiate heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1719 of the insulating part 1710 of the inner case 1700. Accordingly, the power supply unit 1600 accommodated in the insulating unit 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510. The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 1200. The power supply unit 1600 is accommodated in the storage groove 1919 of the inner case 1700 and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650. The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500. A number of parts may be disposed on one surface of the base 1650. A number of components include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source to DC power, a driving chip that controls the driving of the light source module 1200, and an ESD for protecting the light source module 1200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650. The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 1670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700. Each end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the extension part 1670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" may be electrically connected to the socket 1800. .

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding unit together with the power supply unit 1600 therein. The molding part is a part in which the molding liquid is solidified, and allows the power supply part 1600 to be fixed inside the inner case 1700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The embodiments have been described above, but these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are not illustrated above within the scope not departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100, 200a~200g: 발광소자 110, 210: 기판
115: 버퍼층 120, 220: 발광 구조물
122, 222: 제1 도전형 반도체층 124, 224: 활성층
126, 226: 제2 도전형 반도체층 140: 투광성 도전층
150, 290: 제1 전극 160, 295: 제2 전극
222a: 베이스층 222b: 돌출 구조물
230: 언도프드 반도체층 235: 절연층
240: 도전층 250: 반사층
260: 갭 필링층 270: 투명 도전층
280: 마스크 285: 보호층
400: 발광소자 패키지 500: 영상표시장치100, 200a~200g: light emitting device 110, 210: substrate
115: buffer layer 120, 220: light emitting structure
122, 222: first conductivity type semiconductor layer 124, 224: active layer
126, 226: second conductivity type semiconductor layer 140: light-transmitting conductive layer
150, 290: first electrode 160, 295: second electrode
222a: base layer 222b: protruding structure
230: undoped semiconductor layer 235: insulating layer
240: conductive layer 250: reflective layer
260: gap filling layer 270: transparent conductive layer
280: mask 285: protective layer
400: light emitting device package 500: image display device

Claims

Board;
A plurality of protruding structures disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer;
An undoped semiconductor layer formed on at least a portion of each of the protruding structures;
An active layer and a second conductivity type semiconductor layer disposed on side surfaces and upper surfaces of each of the protruding structures;
A conductive layer disposed around the second conductive semiconductor layer;
A gap filling layer filling a gap between the conductive layers; And
And a light-transmitting conductive layer provided on the second conductive semiconductor layer and the conductive layer,
The top surface of the light-transmitting conductive layer is flat,
The undoped semiconductor layer is a light emitting device disposed at a height overlapping with an interface between the gap filling layer and the light-transmitting conductive layer.

The method of claim 1,
The light emitting device having a thickness of the undoped semiconductor layer is at least 100 angstroms to 100 nanometers.

delete

The method according to claim 1 or 2,
The light emitting device further comprises a reflective layer disposed around the conductive layer or between the second conductive semiconductor layer and the conductive layer.

delete

The method according to claim 1 or 2,
A mask disposed on the substrate and dividing the plurality of protruding structures; And
Further comprising a protective layer disposed on the mask,
A light emitting device having a diameter of the protruding structure is greater than a distance between adjacent masks.