KR102147645B1 - Shift resister - Google Patents
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Abstract
본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로서, 특히, 스캔펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 턴온시키기 위해 Q노드로 공급된 전하가 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있는, 쉬프트 레지스터를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 패널에 형성된 게이트 라인과 연결되어 있는 스테이지를, 복수 개 포함하고, 상기 스테이지들 각각은, 스캔펄스 또는 턴오프 신호를 발생하는 스캔신호부; 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를 발생시키는 스캔펄스 제어부; 상기 스캔펄스 제어부에서 발생된 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부와 연결되어 있는 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 Q노드 조절부; 및 상기 스캔신호부에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부로 전송하기 위한 턴오프 신호 제어부를 포함한다.The present invention relates to a shift register, and in particular, to turn on a pull-up transistor that outputs a scan pulse, it is an object of the present invention to provide a shift register capable of preventing leakage of charge supplied to the Q node to the outside. To this end, the shift register according to the present invention includes a plurality of stages connected to a gate line formed on a panel, each of the stages comprising: a scan signal unit generating a scan pulse or a turn-off signal; A scan pulse controller for generating a Q node control signal for generating the scan pulse; A Q node control unit configured to block leakage of the Q node control signal to the outside while the Q node control signal generated by the scan pulse control unit is supplied to a Q node connected to the scan signal unit; And a turn-off signal controller for transmitting a Qb node control signal for generating the turn-off signal to the scan signal part through a Qb node when the scan pulse is not generated in the scan signal part.
Description
본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로서, 특히, 안정된 동작을 수행할 수 있는 쉬프트 레지스터에 관한 것이다. The present invention relates to a shift register, and in particular, to a shift register capable of performing a stable operation.
쉬프트 레지스터는 다수의 스캔펄스들을 차례로 출력하여 액정표시장치와 같은 표시장치의 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다.The shift register sequentially outputs a plurality of scan pulses to sequentially drive gate lines of a display device such as a liquid crystal display.
이를 위해, 쉬프트 레지스터는 스캔펄스들을 차례로 출력하는 복수의 스테이지들로 구성된다.
To this end, the shift register includes a plurality of stages that sequentially output scan pulses.
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도이고, 도 2는 종래의 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지에서 입출력되는 신호들의 파형을 나타낸 타이밍도이고, 도 3은 종래의 산화물 반도체 트랜지스터의 온도에 따른 게이트 전압과 드레인 전류 간의 관계 특성을 나타낸 예시도이며, 도 4는 종래의 쉬프트 레지스터가 정상적으로 동작되는 경우와 비정상적으로 동작되는 경우의 파형을 나타낸 타이밍도이다. 1 is an exemplary diagram schematically showing the configuration of a stage applied to a conventional shift register, FIG. 2 is a timing diagram showing waveforms of signals input/output from a stage applied to a conventional shift register, and FIG. 3 is a conventional oxide It is an exemplary diagram showing a relationship characteristic between a gate voltage and a drain current according to a temperature of a semiconductor transistor, and FIG. 4 is a timing diagram showing waveforms when a conventional shift register operates normally and when it operates abnormally.
일반적으로, 쉬프트 레지스터는, 복수의 스테이지들로 구성되어 있으며, 각각의 스테이지에서 출력되는 신호(Vout)는, 패널에 형성되어 있는 게이트 라인으로 전송되는 스캔신호(Scan Signal : SS)이다.In general, the shift register is composed of a plurality of stages, and a signal Vout output from each stage is a scan signal (SS) transmitted to a gate line formed on a panel.
상기 스캔신호(SS)는, 게이트 라인에 연결되어 있는 각 픽셀의 스위칭소자를 턴온시킬 수 있는 턴온전압을 갖는 스캔펄스와, 1프레임의 나머지 기간 동안 상기 스위칭소자를 턴오프 상태로 유지시키기 위한 턴오프 신호로 구성된다.The scan signal SS includes a scan pulse having a turn-on voltage capable of turning on a switching device of each pixel connected to a gate line, and a turn for maintaining the switching device in a turned-off state for the remainder of one frame. It consists of an off signal.
일반적으로, 상기 각 스테이지는, 1프레임 중 상기 스캔펄스를 한번 출력하며, 상기 스캔펄스는 상기 각 스테이지에서 순차적으로 출력된다.In general, each stage outputs the scan pulse once in one frame, and the scan pulses are sequentially output from each stage.
상기 스캔펄스를 순차적으로 출력하는 상기 스테이지들 각각은, 도 1에 도시된 바와 같이, Q노드의 논리상태에 따라 턴온 또는 턴오프되며, 턴온 시 제1클럭(CLK1)을 공급받아 상기 스캔펄스를 출력하는 풀업 스위칭 소자(T6), 상기 풀업 스위칭 소자(T6)와 방전전원(VSS) 사이에 연결되어 있으며, 상기 풀업 스위칭 소자(T6)가 턴온될 때 턴오프되고, 상기 풀업 스위칭 소자(T6)가 턴오프될 때 턴온되어 상기 턴오프 신호를 출력하는 풀다운 스위칭 소자(T7) 및 상기 Q노드와 방전전원(VSS) 사이에 연결되며, 제어신호에 의해 조절되는 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)를 포함한다.Each of the stages sequentially outputting the scan pulse is turned on or off according to the logic state of the Q node, as shown in FIG. 1, and receives the first clock CLK1 when turned on to receive the scan pulse. Output pull-up switching element (T6), connected between the pull-up switching element (T6) and the discharge power (VSS), turned off when the pull-up switching element (T6) is turned on, the pull-up switching element (T6) A pull-down switching element (T7) that is turned on when is turned off to output the turn-off signal, and a Q-node control switching element (T2) connected between the Q node and the discharge power source (VSS) and controlled by a control signal Include.
상기 스테이지에는, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)의 기능을 수행하는 소자들이 적어도 하나 이상 포함될 수 있다. In the stage, at least one or more elements performing the function of the Q-node control switching element T2 may be included.
상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)의 게이트 단자로 입력되는 상기 제어신호는, 일반적으로, 상기 Q노드가 하이일 때, 로우 상태를 유지한다.The control signal input to the gate terminal of the Q node control switching element T2 is generally maintained in a low state when the Q node is high.
즉, 상기 Q노드에 하이레벨의 신호(A)가 입력되면, 상기 풀업 스위칭 소자(T6)가 턴온되어, 상기 스캔펄스가 출력된다. 이때, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)가 턴오프되어야, 상기 방전전원(VSS)의 방전전압이 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)로 공급되지 않는다.That is, when a high-level signal A is input to the Q node, the pull-up switching element T6 is turned on and the scan pulse is output. At this time, when the Q node control switching element T2 is turned off, the discharge voltage of the discharge power VSS is not supplied to the Q node control switching element T2.
상기 스캔펄스가 출력되면, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)의 상기 게이트 단자로 하이레벨의 상기 제어신호가 입력되어, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)가 턴온된다. 이 경우, 상기 방전전원이 상기 풀업 트랜지스터(T6)의 게이트 단자로 공급되어, 상기 풀업 트랜지스터(T6)를 턴오프시킴으로써, 상기 풀업 트랜지스터(T6)를 통해, 상기 스캔펄스가 출력되지 않는다.When the scan pulse is output, the high-level control signal is input to the gate terminal of the Q node control switching element T2, and the Q node control switching element T2 is turned on. In this case, the discharge power is supplied to the gate terminal of the pull-up transistor T6 to turn off the pull-up transistor T6, so that the scan pulse is not output through the pull-up transistor T6.
한편, 일반적으로 N타입(type) 트랜지스터 만으로 이루어진 쉬프트 레지스터의 경우, 일부 노드의 전압이 상기 방전전원(VSS)의 방전전압보다 낮아지지 않는다. 따라서, 상기 노드가 게이트 단자로 이용되는 트랜지스터가 논리적으로 오프 되더라도, 게이트 소스간 전압(Vgs)이 0보다 크기 때문에, 상기 트랜지스터를 통해 누설(Leakage) 전류가 흐르게 된다.Meanwhile, in the case of a shift resistor comprising only an N-type transistor, the voltage of some nodes is not lower than the discharge voltage of the discharge power supply VSS. Therefore, even if the transistor used as the gate terminal of the node is logically turned off, since the voltage Vgs between the gate sources is greater than 0, a leakage current flows through the transistor.
특히, 상기 트랜지스터의 문턱전압이 음인 경우 상기 누설 전류는 더 커지게 되어, 회로가 정상적으로 동작하지 않는 경우가 발생될 수 있다. In particular, when the threshold voltage of the transistor is negative, the leakage current becomes larger, and a case in which the circuit does not operate normally may occur.
상기한 바와 같은 원인에 의해, 도 1에 도시된 스테이지에 있어서도, 상기 풀업 트랜지스터(T6)를 턴온시키기 위해 상기 Q노드로 공급된 전하 중 일부분(B)이, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)를 통해 상기 방전전원(VSS)으로 누설될 수 있으며, 이 경우, 상기 스테이지가 정상적으로 동작하지 않을 수도 있다.For the above reasons, even in the stage shown in Fig. 1, a portion (B) of the charge supplied to the Q node to turn on the pull-up transistor T6 is the Q node control switching element T2 It may leak to the discharge power source VSS, and in this case, the stage may not operate normally.
상기한 바와 같은 원인을, 도 2 내지 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The causes as described above will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4 as follows.
N타입의 산화물 반도체 트랜지스터가 쉬프트 레지스터에 사용될 경우, 이의 문턱전압이 양의 값을 갖는 것이 바람직하다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이, 온도가 증가할수록 상기 산화물 반도체 트랜지스터의 문턱전압이 음의 방향으로 이동하게 된다. 또한, 온도 이외에도 다양한 원인에 의해 상기 산화물 반도체 트랜지스터의 문턱전압이 음의 방향으로 이동될 수 있다.When an N-type oxide semiconductor transistor is used for a shift resistor, it is preferable that its threshold voltage has a positive value. However, as shown in FIG. 3, as the temperature increases, the threshold voltage of the oxide semiconductor transistor moves in a negative direction. In addition, the threshold voltage of the oxide semiconductor transistor may be moved in a negative direction due to various causes other than temperature.
이로 인해, 상기 스테이지에서 상기 스캔펄스가 출력되는 기간에 턴오프되어야 할 N타입의 산화물 반도체 트랜지스터(T2)가 정상적으로 턴오프되지 않아 누설 전류를 발생시키게 된다. 상기 누설 전류로 인해 세트 노드의 전압이 낮아지게 되어 상기 스테이지의 출력이 정상적으로 발생되지 않는 문제점이 발생된다.Accordingly, the N-type oxide semiconductor transistor T2 to be turned off during the period in which the scan pulse is output in the stage is not normally turned off, thereby generating a leakage current. Due to the leakage current, the voltage of the set node is lowered, so that the output of the stage is not normally generated.
즉, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)에서 상기한 바와 같은 누설 전류가 발생되지 않는다면, 도 2 및 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 스타트 신호(Vst)가 상기 스테이지로 공급되어, 상기 스테이지에서 상기 스캔펄스(SS)(Vout)가 출력될 때, 상기 Q노드로 공급되는 Q노드 신호(QS)가 상기 스캔펄스(SS)에 의해 정상적으로 부트스트랩되어, 상기 스캔펄스(SS)가 정상적으로 출력될 수 있다.That is, if the leakage current as described above does not occur in the Q node control switching element T2, as shown in FIGS. 2 and 4A, the start signal Vst is supplied to the stage, When the scan pulse (SS) (Vout) is output from the stage, the Q node signal (QS) supplied to the Q node is normally bootstrapped by the scan pulse (SS), so that the scan pulse (SS) is It can be output normally.
그러나, 상기 Q노드 조절 스위칭 소자(T2)에서 상기한 바와 같은 누설 전류가 발생되면, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 스캔펄스(SS')가 출력될 때, 상기 Q노드로 공급되는 Q노드 신호(QS')가 상기 스캔펄스(SS)에 의해 정상적으로 부트스트랩되지 않는다. 따라서, 상기 스테이지로부터 출력되는 상기 스캔펄스의 파형이 변형되며, 이로 인해, 상기 스캔펄스에 의해 구동되는 회로가 정상적으로 동작되지 않을 수 있다. However, when the leakage current as described above is generated in the Q node control switching element T2, as shown in FIG. 4B, when the scan pulse SS' is output, the Q node is The supplied Q node signal QS' is not normally bootstrapped by the scan pulse SS. Accordingly, the waveform of the scan pulse output from the stage is deformed, and thus, the circuit driven by the scan pulse may not operate normally.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 스캔펄스를 출력하는 풀업 트랜지스터를 턴온시키기 위해 Q노드로 공급된 전하가 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있는, 쉬프트 레지스터를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. The present invention has been proposed to solve the above-described problem, and it is a technical problem to provide a shift register capable of preventing leakage of charge supplied to the Q node to the outside in order to turn on a pull-up transistor that outputs a scan pulse. To
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 패널에 형성된 게이트 라인과 연결되어 있는 스테이지를, 복수 개 포함하고, 상기 스테이지들 각각은, 스캔펄스 또는 턴오프 신호를 발생하는 스캔신호부; 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를 발생시키는 스캔펄스 제어부; 상기 스캔펄스 제어부에서 발생된 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부와 연결되어 있는 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 Q노드 조절부(620); 및 상기 스캔신호부에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부로 전송하기 위한 턴오프 신호 제어부를 포함한다.The shift register according to the present invention for achieving the above technical problem includes a plurality of stages connected to a gate line formed on a panel, and each of the stages is a scan signal generating a scan pulse or a turn-off signal. part; A scan pulse controller for generating a Q node control signal for generating the scan pulse; A Q
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 의하면, 각각의 스테이지에서 스캔펄스가 출력될 때, 상기 스캔펄스의 출력을 위해 Q노드로 공급된 전하가 외부로 누설되는 것을 방지될 수 있다. 이로 인해, 상기 스캔펄스가 안정적으로 출력될 수 있다.According to the shift register according to the present invention, when a scan pulse is output in each stage, electric charge supplied to the Q node for outputting the scan pulse can be prevented from leaking to the outside. Thus, the scan pulse can be stably output.
도 1은 종래의 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도.
도 2는 종래의 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지에서 입출력되는 신호들의 파형을 나타낸 타이밍.
도 3은 종래의 산화물 반도체 트랜지스터의 온도에 따른 게이트 전압과 드레인 전류 간의 관계 특성을 나타낸 예시도.
도 4는 종래의 쉬프트 레지스터가 정상적으로 동작되는 경우와 비정상적으로 동작되는 경우의 파형을 나타낸 타이밍도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도.
도 7은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도.
도 8은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 9는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 구체적으로 나타낸 예시도.
도 10은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 구체적으로 나타낸 또 다른 예시도.
도 11은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 또 다른 예시도.1 is an exemplary diagram schematically showing the configuration of a stage applied to a conventional shift register.
2 is a timing diagram showing waveforms of signals input/output from a stage applied to a conventional shift register.
3 is an exemplary view showing a relationship between a gate voltage and a drain current according to a temperature of a conventional oxide semiconductor transistor.
4 is a timing diagram showing waveforms when a conventional shift register operates normally and when it operates abnormally.
5 is a schematic view of an organic light emitting display device according to the present invention.
6 is an exemplary diagram schematically showing the configuration of a shift register according to the present invention.
7 is an exemplary diagram schematically showing the configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention.
8 is an exemplary diagram for explaining a method of operating a stage applied to a shift register according to the present invention.
9 is an exemplary diagram specifically showing the configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention.
10 is another exemplary diagram specifically showing the configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention.
11 is another exemplary diagram schematically showing the configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는, 액정표시장치, 유기발광표시장치 및 기타 다양한 종류의 표시장치에 적용될 수 있다. 그러나, 이하에서는, 유기발광표시장치를 일예로 하여 본 발명이 상세히 설명된다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The shift register according to the present invention can be applied to a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and other various types of display devices. However, hereinafter, the present invention will be described in detail using an organic light emitting display device as an example.
도 5는 본 발명에 따른 유기발광표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 5 is a schematic diagram of an organic light emitting display device according to the present invention.
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터가 적용되는 유기발광표시장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 게이트 라인들(GL1 ~ GLg)과 데이터 라인들(DL1 ~ DLd)의 교차영역마다 픽셀(P)이 형성되어 있는 패널(100), 상기 패널(100)에 형성되어 있는 상기 게이트 라인들(GL1 ~ GLg)에 순차적으로 스캔펄스를 공급하기 위한 쉬프트 레지스터(600)를 포함하는 게이트 드라이버(200), 상기 패널(100)에 형성되어 있는 상기 데이터라인들(DL1 ~ DLd)로 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 드라이버(300) 및 상기 게이트 드라이버(200)와 상기 데이터 드라이버(300)의 기능을 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러(400)를 포함한다.
In the organic light-emitting display device to which the shift register according to the present invention is applied, as shown in FIG. 3, a pixel P is formed at each intersection area between the gate lines GL1 to GLg and the data lines DL1 to DLd. A
우선, 상기 패널(100)은 복수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역마다 픽셀(P)(110)이 형성되어 있다. First, in the
각 픽셀(P)(110)은, 도 5의 확대된 원에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED) 및 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(Gn)에 접속되어 유기발광다이오드(OLED)를 제어하기 위한 두 개의 트랜지스터(TR1, TR2)들과, 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하여 구성될 수 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 픽셀(100)은 이상적인 구조의 픽셀로서, 두 개의 트랜지스터로 구성되어 있으나, 상기 픽셀(100)은 세 개 이상의 트랜지스터들로 구성될 수도 있다. Each pixel (P) 110 is connected to an organic light emitting diode (OLED), a data line (DL), and a gate line (Gn), as shown in the enlarged circle of FIG. 5 to form an organic light emitting diode (OLED). It may be configured to include two transistors TR1 and TR2 for controlling and a storage capacitor Cst. In this case, the
즉, 일반적으로 유기발광표시장치의 각 픽셀(P)에는, 휘도 불균일 즉, 무라(Mura) 등을 없애기 위해, 다양한 형태의 보상회로가 필요하다. 따라서, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터가 적용되는 유기발광표시장치의 하나의 픽셀(110)에는 3개 이상의 트랜지스터들이 구비될 수 있고, 5개의 트랜지스터들이 구비될 수 있으며, 그 이상의 트랜지스터가 구비될 수도 있다. That is, in general, in each pixel P of an organic light emitting display device, various types of compensation circuits are required in order to eliminate luminance unevenness, that is, mura. Accordingly, three or more transistors may be provided in one
또한, 상기 픽셀(110)을 구동하기 위해, 하나의 스캔신호(Scan Siganl : SS) 만이 요구될 수도 있으나, 두 개의 스캔신호들이 요구될 수도 있으며, 세 개 이상의 스캔신호들이 요구될 수도 있다. Further, in order to drive the
또한, 상기 픽셀(110)에는 상기 스캔신호 이외에도, 에미션 트랜지스터를 제어하기 위한 에미션신호(EM)와 같은 다양한 종류의 제어신호들이 공급될 수 있다.In addition, in addition to the scan signal, various types of control signals such as an emission signal EM for controlling an emission transistor may be supplied to the
여기서, 상기 스캔신호는, 상기 픽셀에 형성되어 있는 상기 트랜지스터를 턴온시키는 스캔펄스를 포함한다. 상기 스캔펄스는, 상기 게이트 라인들을 통해 순차적으로 상기 픽셀들에 공급된다.Here, the scan signal includes a scan pulse that turns on the transistor formed in the pixel. The scan pulse is sequentially supplied to the pixels through the gate lines.
상기 스캔펄스는, 상기 게이트 드라이버(200)를 구성하는 상기 쉬프트 레지스터(600)를 통해, 각 게이트 라인으로 순차적으로 공급된다.The scan pulses are sequentially supplied to each gate line through the
한편, 도 5에 도시된 상기 픽셀(110)을 구성하는 회로는, 본 발명의 설명을 위해, 일예로서 도시된 것으로서, 본 발명이 이러한 픽셀 구조에 한정되는 것은 아니다.
Meanwhile, the circuit constituting the
다음, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는 외부 시스템(미도시)으로부터 공급되는 수직/수평 동기신호(V, H)와 클럭신호(CLK)를 이용하여 상기 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 출력한다. Next, the
상기 게이트 제어신호(GCS)들에는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 쉬프트 클럭(GSC), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE), 스타트신호(VST) 및 게이트클럭(GCLK) 등이 포함된다. 또한, 상기 게이트 제어신호(GCS)들에는 상기 쉬프트 레지스터(600)를 제어하기 위한 다양한 종류의 제어신호들이 포함될 수 있다.The gate control signals GCS include a gate start pulse GSP, a gate shift clock GSC, a gate output enable signal GOE, a start signal VST, a gate clock GCLK, and the like. In addition, various types of control signals for controlling the
상기 타이밍 컨트롤러(400)에서 발생되는 상기 데이터 제어신호(DCS)들에는 소스 스타트 펄스(SSP), 소스 쉬프트 클럭신호(SSC), 소스 출력 이네이블 신호(SOE), 극성제어신호(POL) 등이 포함된다. The data control signals DCS generated by the
또한, 상기 타이밍 컨트롤러는 상기 외부 시스템으로부터 입력되는 입력영상데이터를 샘플링한 후에 이를 재정렬하여, 재정렬된 디지털 영상데이터를 상기 데이터 드라이버(300)에 공급한다.In addition, the timing controller samples the input image data input from the external system and rearranges it, and supplies the rearranged digital image data to the
즉, 상기 타이밍 컨트롤러(400)는, 상기 외부 시스템으로부터 공급된 입력영상데이터를 재정렬하여, 재정렬된 디지털 영상데이터를 상기 데이터 드라이버(300)로 전송하고, 상기 외부 시스템으로부터 공급된 클럭신호(CLK)와, 수평동기신호(Hsync)와, 수직동기신호(Vsync)(상기 신호들은 간단히 타이밍 신호라 함) 및 데이터 인에이블 신호(DE)를 이용해서, 상기 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 생성하여 상기 게이트 드라이버(200) 및 상기 데이터 드라이버(300)로 전송한다.
That is, the
다음, 상기 데이터 드라이버(300)는 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력된 상기 영상데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여, 상기 게이트 라인에 상기 게이트 펄스가 공급되는 1수평기간마다 1수평라인분의 데이터 전압을 상기 데이터 라인들에 공급한다.
Next, the
마지막으로, 상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 패널(100) 내에 실장되어 있는 게이트 인 패널(Gate In Panel : GIP) 방식으로 구성되어 있다. 이 경우, 상기 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 상기 게이트 제어신호들에는 스타트신호(VST) 및 게이트클럭(GCLK) 등이 포함될 수 있다. Lastly, the
상기 게이트 드라이버(200)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 입력되는 상기 게이트 제어신호에 응답하여, 상기 패널(100)의 상기 게이트 라인들(GL1∼GLg)에 스캔펄스를 순차적으로 공급한다. 이에 따라, 상기 스캔펄스가 입력되는 해당 수평라인의 각각의 픽셀에 형성되어 있는 박막트랜지스터(TFT)들이 턴온되어, 각 픽셀(P)로 영상이 출력될 수 있다.The
상기한 바와 같은 기능은 특히, 상기 게이트 드라이버(200)를 구성하는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터(600)에서 이루어진다.In particular, the above-described functions are performed in the
즉, 상기 쉬프트 레지스터(600)는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)로부터 전송되어온 스타트 신호(VST) 및 게이트클럭(GCLK) 등을 이용하여, 1프레임 동안, 상기 게이트 라인들에, 상기 스캔펄스를 순차적으로 공급한다. 여기서, 1프레임이란, 상기 패널(100)을 통해 하나의 이미지가 출력되는 기간을 말한다. That is, the
상기 스캔펄스는, 상기 픽셀에 형성되어 있는 스위칭소자(박막트랜지스터)를 턴온시킬 수 있는 턴온전압을 가지고 있다. The scan pulse has a turn-on voltage capable of turning on a switching element (thin film transistor) formed in the pixel.
상기 쉬프트 레지스터(600)는, 1프레임 중, 상기 스캔펄스가 공급되지 않는 나머지 기간 동안에는, 상기 게이트 라인에, 상기 스위칭소자를 턴오프시킬 수 있는 턴오프 신호를 공급한다.The
이하의 설명에서는, 상기 스캔펄스와 상기 턴오프 신호를 총칭하여 상기 스캔신호라 한다. 즉, 상기 스캔신호는, 상기 게이트 라인에 연결되어 있는 각 픽셀의 스위칭소자를 턴온시킬 수 있는 턴온전압을 갖는 스캔펄스와, 1프레임의 나머지 기간 동안 상기 스위칭소자를 턴오프 상태로 유지시키기 위한 턴오프 신호를 포함한다.
In the following description, the scan pulse and the turn-off signal are collectively referred to as the scan signal. That is, the scan signal includes a scan pulse having a turn-on voltage capable of turning on a switching device of each pixel connected to the gate line, and a turn for maintaining the switching device in a turned-off state for the remainder of one frame. Includes off signal.
도 6은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도이며, 도 7은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 예시도이다. 6 is an exemplary diagram schematically showing a configuration of a shift register according to the present invention, and FIG. 7 is an exemplary diagram schematically illustrating a configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention.
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터(600)는, 도 6에 도시된 바와 같이, g개의 스테이지(690)들(ST1 내지 STg)을 포함한다. The
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터(600)는, 하나의 수평라인에 형성되어 있는 하나의 게이트 라인을 통해, 하나의 스캔신호를, 상기 하나의 수평라인에 형성되어 있는 픽셀(110)들로 전송하며, 상기 스테이지들 각각에는 상기 게이트 라인이 하나씩 연결되어 있다. The
따라서, 도 5에 도시된 상기 패널(100)에, g개의 게이트 라인들(GL1 내지 (GLg)이 형성되어 있기 때문에, 상기 쉬프트 레지스터(600)에는 g개의 스테이지(690)들(ST1 내지 STg)이 형성되어 있다. Accordingly, since g gate lines GL1 to GLg are formed in the
상기 스테이지(690)들 각각은, 도 7에 도시된 바와 같이, 스캔펄스 또는 턴오프 신호를 발생하는 스캔신호부(640), 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를 발생시키는 스캔펄스 제어부(610), 상기 스캔펄스 제어부(610)에서 발생된 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부(640)와 연결되어 있는 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 Q노드 조절부(620) 및 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하기 위한 턴오프 신호 제어부(630)를 포함한다.
Each of the
우선, 상기 스캔신호부(640)는, 상기 Q노드 제어신호에 따라 턴온되어 제1클럭(CLK1)을 상기 스캔펄스로 출력하기 위한 풀업 트랜지스터(Tu) 및 상기 Qb노드 제어신호에 따라 턴온되어 턴오프전압 공급부(VSS1)에서 공급되는 턴오프전압을 상기 턴오프 신호로 출력하기 위한 풀다운 트랜지스터(Td)를 포함한다.First, the
이하에서는, 설명의 편의상, 상기 스테이지를 구성하는 트랜지스터들이 N타입 트랜지스터로 구성된 경우를 일예로 하여 본 발명이 설명된다.Hereinafter, for convenience of explanation, the present invention will be described with the case where the transistors constituting the stage are formed of N-type transistors as an example.
따라서, 상기 턴오프전압 공급부(VSS1)에서 공급되는 상기 턴오프전압은 저준위 전압이고, 상기 스캔펄스는 하이레벨의 전압을 가지며, 상기 턴오프 신호는 로우레벨의 전압을 갖는다.
Accordingly, the turn-off voltage supplied from the turn-off voltage supply unit VSS1 is a low-level voltage, the scan pulse has a high-level voltage, and the turn-off signal has a low-level voltage.
다음, 상기 스캔펄스 제어부(610)는, 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를, 상기 Q노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하는 기능을 수행한다. Next, the scan
이를 위해, 상기 스캔펄스 제어부(610)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 게이트 단자(이하, 간단히 'Q노드'라 함)와 전원공급부(VD) 사이에 연결되어 있으며, 게이트 단자로는 전단 스테이지로부터 출력된 캐리신호가 입력되는 스캔펄스부 트랜지스터(T1)를 포함한다.To this end, the
상기 스캔펄스부 트랜지스터(T1)는 상기 캐리신호에 의해 턴온되어, 상기 Q노드 제어신호를, 상기 Q노드를 통해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 게이트 단자로 전송한다. 여기서, 상기 Q노드 제어신호는, 상기 전원공급부(VD)에서 공급되는 전압이다. The scan pulse part transistor T1 is turned on by the carry signal to transmit the Q node control signal to the gate terminal of the pull-up transistor Tu through the Q node. Here, the Q node control signal is a voltage supplied from the power supply unit VD.
상기 캐리신호는, 전단 스테이지로부터 출력된 스캔펄스가 될 수 있다. 이 경우, 상기 전단 스테이지는, 도 7에 도시된 스테이지의 바로 전단에 형성되어 있는 스테이지가 될 수도 있으며, 또는, 도 7에 도시된 스테이지와의 사이에 하나 이상의 스테이지가 배치되어 있는 스테이지가 될 수도 있다. The carry signal may be a scan pulse output from a front stage. In this case, the front stage stage may be a stage formed immediately before the stage shown in FIG. 7, or may be a stage in which one or more stages are disposed between the stage shown in FIG. 7. have.
또한, 상기 캐리신호는, 상기 타이밍 컨트롤러(400)에서 전송되어온 스타트 신호(Vst)일 수도 있다. In addition, the carry signal may be a start signal Vst transmitted from the
또한, 상기 트랜지스터(T1)의 게이트 단자로 입력되는 신호는, 상기 캐리신호 이외에도, 상기 스테이지로 입력되는 다양한 종류의 제어신호일 수도 있다.
Further, the signal input to the gate terminal of the transistor T1 may be various types of control signals input to the stage in addition to the carry signal.
다음, 상기 턴오프 신호 제어부(630)는, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하는 기능을 수행한다.Next, when the scan pulse is not generated in the
상기한 바와 같이, 상기 게이트 라인에 연결되어 있는 각 픽셀들의 스위칭소자를 턴온시킬 수 있는 턴온전압에 의해, 상기 데이터 전압이 1수평기간마다 상기 데이터 라인들로 출력되며, 1프레임 중 상기 1수평기간을 제외한 나머지 기간 동안에는 상기 스위칭소자를 턴오프 상태로 유지시키기 위한 상기 턴오프 신호가 상기 게이트 라인으로 출력되어야 한다. As described above, the data voltage is output to the data lines every one horizontal period by a turn-on voltage capable of turning on the switching elements of each pixel connected to the gate line, and the one horizontal period in one frame For the rest of the period except for, the turn-off signal for maintaining the switching device in the turn-off state should be output to the gate line.
따라서, 상기 턴오프 신호 제어부(630)는, 1프레임 중 상기 1수평기간을 제외한 나머지 기간 동안, 상기 Qb노드 제어신호를, 상기 Qb노드를 통해, 상기 스캔신호부(640)의 상기 풀다운 트랜지스터(Td)로 전송한다.Accordingly, the turn-
상기 턴오프 신호 제어부(630)로부터 공급되는 상기 Qb노드 제어신호에 의해, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 턴온되어, 상기 게이트 라인으로 상기 턴오프 신호가 출력된다. The pull-down transistor Td is turned on by the Qb node control signal supplied from the turn-
상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 턴온될 때, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴오프되고, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 턴오프될 때, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 턴온되어야 하기 때문에, 상기 턴오프 신호 제어부(630)는, 상기 Q노드와 상기 Qb노드 사이에 연결되는 인버터(I)를 포함하여 구성될 수 있다.When the pull-down transistor Td is turned on, the pull-up transistor Tu is turned off, and when the pull-down transistor Td is turned off, the pull-up transistor Tu must be turned on, the turn-off signal The
즉, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)는 상기 Q노드 제어신호의 극성을 반전시켜, 반전된 상기 Qb노드 제어신호를, 상기 Qb노드를 통해 상기 풀다운 트랜지스터(Td)로 전송할 수 있다. 상기 Qb노드 제어신호의 전압은 인버터에 인가되는 고전위 레벨 전압 (VDD) 및 저전위 레벨 전압 (VSSb)에 의해 정해진다.That is, the pull-down transistor Td may invert the polarity of the Q node control signal and transmit the inverted Qb node control signal to the pull-down transistor Td through the Qb node. The voltage of the Qb node control signal is determined by a high potential level voltage (VDD) and a low potential level voltage (VSSb) applied to the inverter.
상기 턴오프 신호 제어부(630)를 구성하는 상기 인버터(I)는, 현재 이용되고 있는 다양한 종류의 인버터들 중 어느 하나가 적용될 수 있다.
As the inverter I constituting the turn-
마지막으로, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 스캔펄스를 출력시키기 위한 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부(640)로 전송될 때, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하는 기능을 수행한다. Finally, when the Q node control signal for outputting the scan pulse is transmitted to the
여기서, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 스캔신호부(640)를 리셋시킬 수 있는 리셋신호를 출력하는 리셋 전원부(Vc2)와, 상기 Q노드 사이에 연결될 수 있다.Here, the Q
즉, 상기 Q노드 조절부(620)는, 기본적으로, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 출력되지 않을 때, 상기 리셋신호를 이용하여 상기 스캔신호부(640)를 리셋시켜, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴오프시키는 기능을 수행한다.That is, the Q-
이 경우, 종래 기술에서 설명된 바와 같이, 상기 Q노드 제어신호가 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급될 때, 상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드 조절부(620)를 통해 상기 리셋 전원부(Vc2)로 누설될 수 있다.In this case, as described in the prior art, when the Q node control signal is supplied to the pull-up transistor Tu, the Q node control signal is transmitted through the Q
이를 방지하기 위해, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부로 전송될 때, 상기 Q노드와 상기 리셋 전원부(Vc2)를 차단시키는 기능을 수행한다. To prevent this, the Q
부연하여 설명하면, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위해, 제1제어신호 공급부(Vc1)로부터 공급되는 제1제어신호에 따라, 제2제어신호 공급부(Vc2)로부터 공급되는 제2제어신호를 상기 스캔신호부(640)로 전송한다. 여기서, 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)는 상기 리셋 전원부가 될 수 있다. To further explain, the Q
또한, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부(640)로 전송될 때, 제3제어신호 공급부(Vc3)로부터 공급되는 제3제어신호에 따라, 상기 Q노드와 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)를 차단시키는 기능을 수행한다. In addition, when the Q node control signal is transmitted to the
상기에서 설명된 상기 Q노드 조절부(620)의 구성을, 도 7을 참조하여, 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The configuration of the Q-
즉, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 Q노드와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 제1제어신호 공급부(Vc1)와 연결되어 있는 제1트랜지스터(Tc1), 제2제어신호 공급부(Vc2)와 상기 제1트랜지스터(Tc1) 사이에 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 제1제어신호 공급부(Vc1)와 연결되어 있는 제2트랜지스터(Tc2) 및 상기 제1트랜지스터(Tc1)와 상기 제2트랜지스터(Tc2)의 연결단자를 통해 제3제어신호 공급부(Vc3)와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 Q노드와 연결되어 있는 제3트랜지스터(Tc3)를 포함한다. That is, the Q
상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부(640)로 전송될 때, 상기 제1제어신호와 상기 제3제어신호를 이용하여, 상기 제1트랜지스터(Tc1)를 턴오프시키는 기능을 수행한다. 이에 대하여는, 도 8을 참조하여 상세히 설명된다. When the Q node control signal is transmitted to the
또한, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위해, 상기 제1제어신호와 상기 제3제어신호를 이용하여, 상기 제1트랜지스터(Tc1)와 제2트랜지스터(Tc2)를 턴온시켜, 상기 Q노드와 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)를 연결시키는 기능을 수행한다.In addition, the Q-
즉, 상기한 바와 같이, 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)가, 상기 스캔신호부(640)의 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴오프시킬 수 있는 리셋신호를 출력하는 상기 리셋 전원부(VSS)인 경우, 상기 제1제어신호와 상기 제3제어신호에 의해, 상기 제1트랜지스터( Tc1)와 상기 제2트랜지스터(Tc2)가 턴온되면, 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)에서 상기 리셋신호가 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급된다. That is, as described above, the second control signal supply unit Vc2 is the reset power supply unit VSS that outputs a reset signal capable of turning off the pull-up transistor Tu of the
한편, 상기한 바와 같이, 상기 스캔펄스 제어부(610)는 상기 Q노드 제어 신호를 발생시켜, 상기 Q노드로 전송하고 있으며, 상기 Q노드 조절부(620)는 상기 Q노드 제어신호가 하이(High)인 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단한다.Meanwhile, as described above, the scan
즉, 상기 스캔펄스 제어부(610)의 상기 스캔펄스부 트랜지스터(T1)가 턴오프되어, 상기 스캔펄스 제어부(610)로부터 상기 Q노드 제어신호가 더 이상 발생되지 않더라도, 상기 Q노드 제어신호에 의해 상기 Q노드가 하이(High)인 동안, 상기 Q노드 제어부(620)는, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되지 않도록 하는 기능을 지속적으로 수행한다.
That is, even if the scan pulse part transistor T1 of the scan
도 8은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 동작 방법을 설명하기 위한 예시도이다. 8 is an exemplary diagram for explaining a method of operating a stage applied to a shift register according to the present invention.
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 상기 스테이지(690)에 형성된 상기 Q노드 조절부(620)는 상기한 바와 같이, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 출력되는 동안에는, 상기 Q노드 제어신호가 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)로 누설되는 것을 차단한다. 또한, 상기 Q노드 조절부(620)는, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 턴오프 신호가 출력되도록, 상기 스캔신호부(640)를 리셋시킬 수 있는 상기 리셋신호, 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴오프시킬 수 있는 신호를 상기 Q노드를 통해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 게이트 단자로 공급한다.
As described above, the Q-
첫째, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 출력되는 동안, 상기 Q노드 조절부(620)에서, 상기 Q노드 제어신호의 전하가 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)로 누설되는 것을 차단하는 방법이 설명된다. First, while the scan pulse is output from the
상기 스캔펄스 제어부(610)에 형성되어 있는 상기 스캔펄스부 트랜지스터(T1)가, 전단 스테이지로부터 전송되어온 캐리신호 또는 기타 다양한 제어신호들에 의해 턴온되면, 상기 스캔펄스를 출력시킬 수 있는 상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드를 통해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)의 게이트 단자로 전송된다.When the scan pulse part transistor T1 formed in the
상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드로 전송될 때, 상기 Q노드 조절부(620)의 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 게이트 단자로는, 상기 제1제어신호 공급부(Vc1)로부터 상기 제1제어신호가 입력된다. 상기 제1제어신호는 상기 제1트랜지스터(Tc1)를 턴오프시키는 신호이다. 이 경우, 상기 제1트랜지스터(Tc1)가 턴오프되더라도, 종래 기술에서 언급된 바와 같이, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 특성 변화로 인해, 상기 제1트랜지스터(Tc1)로 누설 전류가 흐를 수 있다.When the Q node control signal is transmitted to the Q node, the gate terminal of the first transistor Tc1 of the Q
이를 방지하기 위해, 상기 제3트랜지스터(Tc3)로는 상기 제3제어신호가 입력되며, 상기 제3트랜지스터(Tc3)의 게이트 단자에는 상기 Q노드 제어신호가 공급된다. 여기서, 상기 스캔펄스 제어부(610)로 공급되는 상기 전원공급부(VD)의 전압이 20V라고 가정할 때, 상기 Q노드에는 대략적으로 20V의 상기 Q노드 제어신호가 공급된다. 이로 인해, 상기 제3트랜지스터(Tc3)의 상기 게이트 단자에는 20V가 인가된다. To prevent this, the third control signal is input to the third transistor Tc3, and the Q node control signal is supplied to the gate terminal of the third transistor Tc3. Here, assuming that the voltage of the power supply unit VD supplied to the
즉, 상기 제3트랜지스터(Tc3)는 상기 Q노드 제어신호에 의해 턴온되어, 상기 제3제어신호 공급부(Vc3)의 전압(예를 들어, 10V)이, 상기 제1트랜지스터(Tc1)와 상기 제2트랜지스터(Tc2)의 연결단자로 공급된다.That is, the third transistor Tc3 is turned on by the Q node control signal, so that the voltage (for example, 10V) of the third control signal supply unit Vc3 is equal to the first transistor Tc1 and the first 2 It is supplied to the connecting terminal of the transistor (Tc2).
이 경우, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 게이트 단자로는 상기 제1트랜지스터(Tc1)를 턴오프시킬 수 있는 상기 제1제어신호(예를 들어, 0V)가 입력되며, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 소스 단자와 드레인 단자에는, 10V 및 20V가 인가된다.In this case, the first control signal (eg, 0V) capable of turning off the first transistor Tc1 is input to the gate terminal of the first transistor Tc1, and the first transistor Tc1 ), 10V and 20V are applied to the source terminal and the drain terminal.
일반적으로, 소스 및 드레인 전압에 비해 게이트 전극의 전압이 낮으면 트랜지스터는 오프 상태가 된다. 따라서, 도 8에 도시된 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 소스 단자와 드레인 단자의 전압이 각각 10V 및 20V 이고, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 게이트 단자의 전압이 0V인 경우, 상기 제1트랜지스터(Tc1)는 확실히 오프 상태가 된다.In general, when the voltage of the gate electrode is low compared to the source and drain voltages, the transistor is turned off. Therefore, when the voltages of the source and drain terminals of the first transistor Tc1 shown in FIG. 8 are 10V and 20V, respectively, and the voltage of the gate terminal of the first transistor Tc1 is 0V, the first transistor (Tc1) is surely turned off.
이 경우, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 게이트 소스 전압(Vgs)이 -10V 이므로, 상기 제1트랜지스터(Tc1)의 문턱전압이 다소 음의 방향으로 이동하더라도, 상기 제1트랜지스터(Tc1)는 오프 상태가 될 수 있다.In this case, since the gate source voltage Vgs of the first transistor Tc1 is -10V, even if the threshold voltage of the first transistor Tc1 moves in a slightly negative direction, the first transistor Tc1 is turned off. Can be in a state.
즉, 상기 제1트랜지스터(Tc1)는, 상기 스캔펄스가 상기 스캔신호부(640)를 통해 출력되는 동안, 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호에 의해 확실하게 턴오프된다.That is, the first transistor Tc1 is reliably turned off by the first control signal and the second control signal while the scan pulse is output through the
따라서, 상기 스캔펄스가 상기 스캔신호부(640)를 통해 출력되는 동안, 상기 Q노드 제어신호는, 상기 제1트랜지스터(Tc1)를 통해 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)로 누설되지 않는다.Accordingly, while the scan pulse is output through the
여기서, 상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드 조절부(620)를 통해 누설되지 않도록 하기 위한, 상기 제1 내지 제3제어신호들은 다양하게 설정될 수 있다. Here, the first to third control signals for preventing the Q node control signal from leaking through the Q
제1예로서, 상기 제1제어신호는 다음 단 스테이지로부터 출력된 스캔펄스(캐리신호)가 될 수 있고, 상기 제2제어신호는 방전전압이 될 수 있으며, 상기 제3제어신호는 상기한 바와 같은 기능을 수행하기 위한 제어전압이 될 수 있다.As a first example, the first control signal may be a scan pulse (carry signal) output from the next stage, the second control signal may be a discharge voltage, and the third control signal is as described above. It can be a control voltage for performing the same function.
제2예로서, 상기 제1제어신호는 상기한 바와 같은 기능을 수행하기 위한 클럭펄스가 될 수 있고, 상기 제2제어신호는 이전 단 스테이지로부터 출력된 스캔펄스(캐리신호)가 될 수 있으며, 상기 제3제어신호로는 상기한 바와 같은 기능을 수행하기 위한 제어전압이 될 수 있다.As a second example, the first control signal may be a clock pulse for performing the function as described above, and the second control signal may be a scan pulse (carry signal) output from a previous stage, The third control signal may be a control voltage for performing the above-described function.
제3예로서, 상기 제1제어신호는 리셋노드로부터 전송되는 신호로서, 상기 스캔신호부(640)를 리셋시킬 수 있는 리셋신호가 될 수 있고, 상기 제2제어신호는 방전 전압이 될 수 있으며, 상기 제3제어신호는 상기한 바와 같은 기능을 수행하기 위한 제어전압이 될 수 있다.As a third example, the first control signal may be a signal transmitted from a reset node, and may be a reset signal capable of resetting the
상기 예들 이외에도, 상기 제1 내지 제3제어신호들은 다양한 조합에 의해 설정될 수 있다.
In addition to the examples, the first to third control signals may be set by various combinations.
둘째, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 턴오프 신호가 출력되는 동안, 상기 스캔신호부(640)의 상기 풀업 트랜지스터가 리셋되어, 상기 스캔펄스가 출력되지 않는 방법이 설명된다. Second, a method in which the pull-up transistor of the
상기 스캔펄스 제어부(610)에 형성되어 있는 상기 스캔펄스부 트랜지스터(T1)가, 전단 스테이지로부터 전송되어온 신호 또는 기타 다양한 제어신호들에 의해 턴오프되면, 상기 스캔펄스를 출력시킬 수 있는 상기 Q노드 제어신호가 공급되지 않는다. When the scan pulse part transistor T1 formed in the
이 경우, 상기 Q노드 조절부(620)의 상기 제1제어신호 공급부(Vc1)로부터 상기 제1트랜지스터(Tc1)를 턴온시킬 수 있는 상기 제1제어신호가 공급된다. In this case, the first control signal capable of turning on the first transistor Tc1 is supplied from the first control signal supply unit Vc1 of the Q
상기 제1트랜지스터(Tc1)가 턴온되면, 상기 제2제어신호 공급부(Vc2)(VSS)로부터, 리셋신호, 즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 턴오프시킬 수 있는 신호가, 상기 Q노드를 통해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급된다.When the first transistor Tc1 is turned on, a reset signal, that is, a signal capable of turning off the pull-up transistor Tu, is transmitted from the second control signal supply unit Vc2 (VSS) through the Q node. It is supplied to the pull-up transistor Tu through the pull-up transistor Tu.
상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 상기 리셋신호에 의해 턴오프됨에 따라, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)를 통해 상기 스캔펄스가 출력될 수 없다.As the pull-up transistor Tu is turned off by the reset signal, the scan pulse cannot be output through the pull-up transistor Tu.
즉, 상기 풀업 트랜지스터(Tu)가 상기 Q노드 제어부(620)로부터 전송되어온 상기 리셋신호에 의해 턴오프되기 때문에, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 턴오프 신호가 출력되는 동안 상기 스캔신호부(640)로부터 상기 스캔펄스는 출력되지 않는다.That is, since the pull-up transistor Tu is turned off by the reset signal transmitted from the Q
부연하여 설명하면, 상기 Q노드 조절부(620)는, 적어도 세 개 이상의 제어신호를 이용하여, 상기 스캔펄스가 출력될 때는 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누출되는 것을 차단하며, 상기 턴오프 신호가 출력되는 타이밍에는 상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위한 리셋신호를 상기 스캔신호부(640)로 전송하는 기능을 수행한다.
To further explain, the Q
도 9는 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 구체적으로 나타낸 예시도이며, 도 10은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 구체적으로 나타낸 또 다른 예시도이다. 이하의 설명 중, 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. 9 is an exemplary diagram specifically showing a configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention, and FIG. 10 is another exemplary diagram specifically showing a configuration of a stage applied to a shift register according to the present invention. In the following description, contents identical or similar to those described with reference to FIGS. 6 to 8 will be omitted or briefly described.
우선, 도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 상기 스테이지(690)는, 스캔펄스 또는 턴오프 신호를 발생하는 스캔신호부(640), 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를, Q노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하기 위한 스캔펄스 제어부(610), 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를 발생시키는 스캔펄스 제어부(610); 상기 스캔펄스 제어부(610)에서 발생된 상기 Q노드 제어신호가 상기 스캔신호부(640)와 연결되어 있는 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 Q노드 조절부(620) 및 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하기 위한 턴오프 신호 제어부(630)를 포함한다. First, referring to FIGS. 9 and 10, the
여기서, 상기 스캔펄스 제어부(610), 상기 Q노드 제어부(620) 및 상기 스캔신호부(640)의 구성 및 기능은 상기에서 설명된 내용과 동일하다.Here, the configuration and function of the scan
즉, 도 9 및 도 10에 도시된 상기 스테이지(690)에 도시된 상기 스테이지(690)는, 도 7에서 상기 인버터(I)로 설명된 상기 턴오프 신호 제어부(630)가 구체적인 회로도로 도시되어 있다는 점을 제외하고는, 도 7에서 설명된 상기 스테이지와 동일한 구성을 포함하고 있으며, 동일한 기능을 수행하고 있다.That is, the
상기한 바와 같이, 상기 턴오프 신호 제어부(630)는, 상기 스캔신호부(640)에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를, Qb노드를 통해 상기 스캔신호부(640)로 전송하는 기능을 수행한다.As described above, when the scan pulse is not generated in the
예를 들어, 도 9에 도시된 상기 턴오프 신호 제어부(630)에서는, 상기 스캔펄스를 출력시키기 위한 상기 Q노드 제어신호에 의해 제5트랜지스터(T5q)가 턴온되며, 상기 제5트랜지스터(T5q)를 통해 저전위 전압(VSS2)이 제3트랜지스터(T3C) 및 상기 풀다운 트랜지스터(Td)로 공급된다.For example, in the turn-
따라서, 상기 Q노드 제어신호가 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급되어 상기 스캔펄스가 출력되는 동안, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)는 턴오프되며, 이로 인해, 상기 턴오프 신호는 상기 게이트 라인으로 출력되지 않는다.Therefore, while the Q node control signal is supplied to the pull-up transistor Tu and the scan pulse is output, the pull-down transistor Td is turned off, and thus, the turn-off signal is not output to the gate line. Does not.
그러나, 상기 스캔펄스의 출력이 중단되면, 클럭(CLK)과 연결되어 있는 캐패시터(C_QB)에 의해, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 주기적으로 턴온되어, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)를 통해 저준위 전압(VSS1)을 갖는 상기 턴오프 신호가 상기 게이트 라인으로 출력된다.However, when the output of the scan pulse is stopped, the pull-down transistor Td is periodically turned on by the capacitor C_QB connected to the clock CLK, and the low-level voltage VSS1 is turned on through the pull-down transistor Td. The turn-off signal having) is output to the gate line.
또 다른 예로서, 도 10에 도시된 상기 턴오프 신호 제어부(630)에서는, 상기 스캔펄스를 출력시키기 위한 상기 Q노드 제어신호 및 상기 스캔펄스부 트랜지스터(T1)를 턴온시키는 제어신호에 의해, 제7트랜지스터(T7)가 턴온되며, 상기 제7트랜지스터(T7)를 통해 저전위 전압(VSS3)이 상기 풀다운 트랜지스터(Td)로 공급된다.As another example, in the turn-
따라서, 상기 Q노드 제어신호가 상기 풀업 트랜지스터(Tu)로 공급되어 상기 스캔펄스가 출력되는 동안, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)는 턴오프되며, 이로 인해, 상기 턴오프 신호는 상기 게이트 라인으로 출력되지 않는다. Therefore, while the Q node control signal is supplied to the pull-up transistor Tu and the scan pulse is output, the pull-down transistor Td is turned off, and thus, the turn-off signal is not output to the gate line. Does not.
그러나, 상기 스캔펄스의 출력이 중단되면, 제6트랜지스터(T6)을 통해 공급된 하이레벨의 신호에 의해 상기 풀다운 트랜지스터(Td)가 턴온되어, 상기 풀다운 트랜지스터(Td)를 통해 저준위 전압(VSS1)을 갖는 상기 턴오프 신호가 상기 게이트 라인으로 출력된다.
However, when the output of the scan pulse is stopped, the pull-down transistor Td is turned on by a high-level signal supplied through the sixth transistor T6, and the low-level voltage VSS1 is turned on through the pull-down transistor Td. The turn-off signal having a is output to the gate line.
도 11은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 적용되는 스테이지의 구성을 개략적으로 나타낸 또 다른 예시도로서, 이하의 설명 중, 도 7에서 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 또는 간단히 설명된다. FIG. 11 is another exemplary view schematically showing the configuration of a stage applied to the shift register according to the present invention. In the following description, the same or similar content as described in FIG. 7 is omitted or briefly described.
즉, 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명된 상기 스테이지(690)에서는, 상기 Q노드 제어신호의 전하가, 상기 리셋신호를 출력하는 리셋 전원부(Vc2)를 포함하는 상기 Q노드 제어부(620)를 통해 누설되는 경우가 본 발명의 일예로서 설명되었다.That is, in the
그러나, 상기 Q노드 제어신호는, 상기 스캔펄스 제어부(610)를 통해 누설될 수도 있다.However, the Q node control signal may leak through the
예를 들어, 상기 스캔펄스 제어부(610)가 이전 스테이지로부터 출력된 신호, 즉, 스캔펄스(또는 캐리신호)를 이용하여, 상기 Q노드 제어신호를 발생시키는 경우, 상기 Q노드 제어신호가 상기 이전 스테이지로 누설될 수도 있다. For example, when the scan
즉, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 스캔펄스 제어부(610)가 이전 스테이지로부터 출력된 신호들(Prev1, Prev2)을 이용하여, 상기 Q노드 제어신호를 생성하는 경우, 상기 스캔펄스가 출력되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 상기 이전 스테이지로 출력될 수도 있다. That is, as shown in FIG. 11, when the
이를 방지하기 위해, 상기 스캔펄스 제어부(610)는, 상기 Q노드 제어부(620)와 유사한 형태로 구성될 수 있다.To prevent this, the scan
이 경우, 상기 스캔펄스 제어부(610)는, 상기 Q노드와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 제1제어신호 공급부(Prev1)와 연결되어 있는 제11트랜지스터(T11), 제2제어신호 공급부(Prev2)와 상기 제11트랜지스터(T11) 사이에 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 제1캐리신호 공급부(Prev1)와 연결되어 있는 제22트랜지스터(T22) 및 상기 제11트랜지스터(T11)와 상기 제22트랜지스터(T22)의 연결단자를 통해 제3제어신호 공급부(V3)와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 Q노드와 연결되어 있는 제33트랜지스터(T33)를 포함할 수 있다. In this case, the scan
상기 제11트랜지스터 내지 상기 제33트랜지스터(T11 to T33)의 동작 방법 및 기능은, 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1트랜지스터 내지 상기 제3트랜지스터(Tc1 to Tc3)의 동작 방법 및 기능과 동일하다. 여기서, 스캔펄스 제어부(610)의 제3제어신호 공급부(V3)는 제33트랜지스터(T33)로 제어전압을 제공하고, Q노드 조절부(620)의 제3제어신호 공급부(Vc3)는 제3트랜지스터(Tc3)로 제3제어신호를 제공하는 구성으로서, 서로 구별되는 전원공급라인일 수 있다.The operation method and function of the eleventh to 33rd transistors T11 to T33 are the same as the operation method and function of the first to third transistors Tc1 to Tc3 described with reference to FIG. 7. . Here, the third control signal supply unit V3 of the scan
여기서, 상기 제1제어신호 공급부(Prev1) 및 상기 제2제어신호 공급부(Prev2)로 공급되는 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호는, 동일한 스테이지로부터 출력된 신호일 수도 있으며, 또는 서로 다른 스테이지로부터 출력된 신호일 수도 있다.
Here, the first control signal and the second control signal supplied to the first control signal supply unit Prev1 and the second control signal supply unit Prev2 may be signals output from the same stage, or different stages. It may be a signal output from.
한편, 본 발명의 일예로, 도 7 내지 도 11에 도시된 회로들에서, 로우(Low) 레벨의 로직을 구현하기 위해 사용되는 저전위 전압인 VSS, VSS1, VSS2, VSS3, VSSb 등의 방전용 전압은, 서로 같을 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 또한, 상기 방전용 전압들이 서로 같은 경우, 상기 방전용 전압들은 동일한 전원 라인을 통해 상기 회로들에 공급될 수 있다.
Meanwhile, as an example of the present invention, in the circuits shown in FIGS. 7 to 11, for discharging low-potential voltages VSS, VSS1, VSS2, VSS3, VSSb, etc., which are used to implement low-level logic The voltages may be the same or different from each other. In addition, when the voltages for discharge are the same, the voltages for discharge may be supplied to the circuits through the same power line.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. Those skilled in the art to which the present invention pertains will appreciate that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.
100 : 패널 200 : 게이트 드라이버
300 : 데이터 드라이버 400 : 타이밍 컨트롤러
600 : 쉬프트 레지스터 690 : 스테이지100: panel 200: gate driver
300: data driver 400: timing controller
600: shift register 690: stage
Claims (10)
상기 스테이지들 각각은,
게이트 전극이 Q 노드에 연결되는 풀업 트랜지스터와 게이트 전극이 Qb 노드에 연결되는 풀다운 트랜지스터를 포함하여 상기 풀업 트랜지스터와 풀다운 트랜지스터 사이에 있는 출력단을 통해 스캔펄스 또는 턴오프 신호를 발생하는 스캔신호부;
이전 스테이지의 출력단으로부터 출력된 신호를 이용하여 상기 스캔펄스를 발생시키기 위한 Q노드 제어신호를 발생시키고 상기 Q노드 제어신호가 상기 이전 스테이지의 출력단으로 누설되는 것을 차단하는 스캔펄스 제어부;
상기 스캔펄스 제어부에서 발생된 상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 Q노드 조절부; 및
상기 스캔신호부에서 상기 스캔펄스가 발생되지 않을 때, 상기 턴오프 신호를 발생시키기 위한 Qb노드 제어신호를 상기 Qb노드를 통해 상기 스캔신호부로 전송하기 위한 턴오프 신호 제어부를 포함하고,
상기 턴오프 신호 제어부는,
제1 전극이 클럭에 연결되고 제2 전극이 상기 Qb 노드에 연결되어 상기 Qb 노드 제어신호를 주기적으로 생성하는 커패시터;
제1 전극과 제2 전극이 상기 Qb 노드와 저전위 전압에 연결되고 게이트 전극이 상기 Q 노드에 연결되어 상기 Q 노드 제어신호에 의해 턴온되는 제5 트랜지스터;
제1 전극과 제2 전극이 상기 Q 노드와 상기 스캔신호부의 출력단에 연결되고 게이트 전극이 상기 Qb 노드에 연결되어 커패시터의 제2 전극에 연결되는 제4 트랜지스터를 포함하고,
상기 스캔펄스 제어부는,
상기 Q노드와 연결되고, 게이트 단자는 상기 이전 스테이지의 출력단에 연결되는 제11트랜지스터;
상기 이전 스테이지의 출력단과 상기 제11트랜지스터 사이에 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 이전 스테이지의 출력단에 연결되는 제22트랜지스터; 및
상기 제11트랜지스터와 상기 제22트랜지스터의 연결 단자 및 제3제어신호 공급부(V3)와 연결되며, 게이트 단자가 상기 Q노드와 연결되는 제33트랜지스터를 포함하는 쉬프트 레지스터.Including a plurality of stages connected to the gate line formed on the panel,
Each of the stages,
A scan signal unit for generating a scan pulse or a turn-off signal through an output terminal between the pull-up transistor and the pull-down transistor, including a pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node and a pull-down transistor having a gate electrode connected to the Qb node;
A scan pulse controller configured to generate a Q node control signal for generating the scan pulse using a signal output from the output terminal of the previous stage and block leakage of the Q node control signal to the output terminal of the previous stage;
A Q node control unit configured to block leakage of the Q node control signal to the outside while the Q node control signal generated by the scan pulse control unit is supplied to the Q node; And
A turn-off signal controller for transmitting a Qb node control signal for generating the turn-off signal to the scan signal part through the Qb node when the scan pulse is not generated in the scan signal part,
The turn-off signal control unit,
A capacitor having a first electrode connected to a clock and a second electrode connected to the Qb node to periodically generate the Qb node control signal;
A fifth transistor having a first electrode and a second electrode connected to the Qb node and a low potential voltage, a gate electrode connected to the Q node, and turned on by the Q node control signal;
A fourth transistor having a first electrode and a second electrode connected to the Q node and an output terminal of the scan signal unit, and a gate electrode connected to the Qb node and connected to a second electrode of the capacitor,
The scan pulse control unit,
An eleventh transistor connected to the Q node and a gate terminal connected to an output terminal of the previous stage;
A 22nd transistor connected between the output terminal of the previous stage and the eleventh transistor, and a gate terminal connected to the output terminal of the previous stage; And
A shift register comprising a 33rd transistor connected to a connection terminal of the eleventh transistor and the 22nd transistor and a third control signal supply unit (V3), and a gate terminal connected to the Q node.
상기 Q노드 조절부는,
상기 스캔신호부를 리셋시킬 수 있는 리셋신호를 출력하는 리셋 전원부와, 상기 Q노드 사이에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. The method of claim 1,
The Q node control unit,
And a reset power supply unit for outputting a reset signal capable of resetting the scan signal unit, and a shift register connected between the Q node.
상기 Q노드 조절부는,
상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드에 공급되는 동안, 상기 Q노드와 상기 리셋 전원부를 차단시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. The method of claim 2,
The Q node control unit,
And while the Q node control signal is supplied to the Q node, the Q node and the reset power supply are cut off.
상기 Q노드 조절부는,
상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위해, 제1제어신호 공급부로부터 공급되는 제1제어신호에 따라, 제2제어신호 공급부로부터 공급되는 제2제어신호를 상기 스캔신호부로 전송하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
The Q node control unit,
In order to block the output of the scan pulse, a shift register, characterized in that for transmitting a second control signal supplied from a second control signal supply unit to the scan signal unit according to a first control signal supplied from a first control signal supply unit .
상기 Q노드 조절부는,
상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드에 공급되는 동안, 제3제어신호 공급부(Vc3)로부터 공급되는 제3제어신호에 따라, 상기 Q노드와 상기 제2제어신호 공급부를 차단시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 4,
The Q node control unit,
A shift, characterized in that while the Q node control signal is supplied to the Q node, the Q node and the second control signal supply unit are blocked according to a third control signal supplied from a third control signal supply unit Vc3. register.
상기 Q노드 조절부는,
상기 Q노드와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 제1제어신호 공급부와 연결되어 있는 제1트랜지스터;
제2제어신호 공급부와 상기 제1트랜지스터 사이에 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 제1제어신호 공급부와 연결되어 있는 제2트랜지스터; 및
상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터의 연결단자 및 제3제어신호 공급부(Vc3)와 연결되어 있으며, 게이트 단자가 상기 Q노드와 연결되어 있는 제3트랜지스터를 포함하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
The Q node control unit,
A first transistor connected to the Q node and a gate terminal connected to a first control signal supply unit;
A second transistor connected between a second control signal supply unit and the first transistor, and a gate terminal connected to the first control signal supply unit; And
A shift register comprising a third transistor connected to a connection terminal of the first transistor and the second transistor and a third control signal supply unit Vc3, and a gate terminal connected to the Q node.
상기 Q노드 조절부는,
상기 Q노드 제어신호가 상기 Q노드에 공급되는 동안, 상기 제1제어신호와 상기 제3제어신호 공급부(Vc3)로부터 공급되는 상기 제3제어신호를 이용하여, 상기 제1트랜지스터를 턴오프시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. The method of claim 6,
The Q node control unit,
Turning off the first transistor using the first control signal and the third control signal supplied from the third control signal supply unit Vc3 while the Q node control signal is supplied to the Q node. Shift register characterized by.
상기 Q노드 조절부는,
상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위해, 상기 제1제어신호와 상기 제3제어신호 공급부(Vc3)로부터 공급되는 상기 제3제어신호를 이용하여, 상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터를 턴온시켜, 상기 Q노드와 상기 제2제어신호 공급부를 연결시키는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. The method of claim 6,
The Q node control unit,
In order to cut off the output of the scan pulse, the first and second transistors are turned on using the first control signal and the third control signal supplied from the third control signal supply unit Vc3, A shift register connecting the Q node and the second control signal supply unit.
상기 Q노드 조절부는,
적어도 세 개 이상의 제어신호를 이용하여, 상기 스캔펄스가 출력될 때는 상기 Q노드 제어신호가 외부로 누출되는 것을 차단하며, 상기 턴오프 신호가 출력되는 타이밍에는 상기 스캔펄스의 출력을 차단하기 위한 리셋신호를 상기 스캔신호부로 전송하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 1,
The Q node control unit,
At least three control signals are used to prevent leakage of the Q node control signal to the outside when the scan pulse is output, and reset to block the output of the scan pulse when the turn-off signal is output. A shift register for transmitting a signal to the scan signal unit.
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KR102613407B1 (en) | 2015-12-31 | 2023-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | display apparatus, gate driving circuit and driving method thereof |
KR102587875B1 (en) * | 2015-12-31 | 2023-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | emitting control driver for OLED |
KR102600691B1 (en) * | 2015-12-31 | 2023-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | shift register for generating EM signal for OLED and OLED display device using the same |
KR102430433B1 (en) | 2016-01-04 | 2022-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
KR102348667B1 (en) * | 2017-06-15 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Shift register and display apparatus comprising the same |
CN110021278B (en) * | 2019-03-05 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | GOA circuit and liquid crystal display panel |
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KR101920752B1 (en) * | 2011-07-05 | 2018-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driving circuit |
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