[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102135000B1 - Substrate treating device and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating device and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR102135000B1
KR102135000B1 KR1020190126776A KR20190126776A KR102135000B1 KR 102135000 B1 KR102135000 B1 KR 102135000B1 KR 1020190126776 A KR1020190126776 A KR 1020190126776A KR 20190126776 A KR20190126776 A KR 20190126776A KR 102135000 B1 KR102135000 B1 KR 102135000B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
concentration
substrate
aqueous solution
pure water
processing
Prior art date
Application number
KR1020190126776A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190120736A (en
Inventor
신지 스기오카
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20190120736A publication Critical patent/KR20190120736A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102135000B1 publication Critical patent/KR102135000B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(과제) 기판 처리 장치 또는 기판 처리 방법에 있어서, 처리조에 있어서의 처리액의 농도를 보다 확실하게, 그 처리조에 있어서 실시되는 처리에 적합한 농도로 유지하는 것이 가능한 기술을 제공한다.
(해결 수단) 혼산 수용액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 에칭 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 혼산 수용액이 저류된 처리조와, 처리조 중의 혼산 수용액의 라이프 타임에 맞추어 혼산 수용액을 전액 교환하는 처리액 교환부와, 혼산 수용액에 있어서의 순수 농도를 검출하는 검출부와, 검출부에 의해 검출된 순수 농도에 기초하여, 처리조 중의 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써, 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 농도 제어부와, 하측 기준값 (목표 농도) 을 변경하는 목표치 변경부를 구비한다.(Task) In the substrate processing apparatus or the substrate processing method, there is provided a technique capable of more reliably maintaining the concentration of the processing liquid in the processing tank at a concentration suitable for the processing performed in the processing tank.
(Solution) A substrate processing apparatus that performs etching treatment on a substrate by immersing the substrate in an aqueous mixed acid solution, wherein the mixed acid aqueous solution is fully exchanged in accordance with the life time of the mixed aqueous tank and the mixed aqueous solution in the processing tank. Controlling the pure water concentration to a predetermined target concentration by supplying pure water to the mixed acid aqueous solution in the treatment tank based on the liquid exchange unit, the detection unit for detecting the pure water concentration in the aqueous mixed acid solution, and the pure water concentration detected by the detection unit And a target control unit for changing the lower reference value (target concentration).

Figure R1020190126776
Figure R1020190126776

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING DEVICE AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing device and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING DEVICE AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 저류된 처리액에 침지시키고, 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 처리조에 있어서의 처리액의 농도 제어에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which a substrate such as a semiconductor wafer is immersed in a processing liquid stored in a processing tank and subjected to an etching process or a cleaning process. In particular, the concentration control of the processing liquid in the processing tank It is about.

반도체 장치의 제조 공정에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리조에 침지시킴으로써, 당해 기판에 에칭 처리나 세정 처리를 실시하는 공정이 포함된다. 이와 같은 공정은, 복수의 처리조를 포함하는 기판 처리 장치에 의해 실행된다. 이 기판 처리 장치의 각 처리조에 있어서의 처리액의 농도는, 시간의 경과와 함께, 처리액 구성 성분의 증발, 분해 등에 의해 변화되는 경우가 있으므로, 처리액의 농도를 상기의 에칭 처리나 세정 처리에 적절한 범위 내로 유지하기 위한 농도 제어가 실시되고 있다.The manufacturing process of a semiconductor device includes a step of performing an etching treatment or a cleaning treatment on the substrate by immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a treatment tank. Such a process is performed by the substrate processing apparatus including a plurality of processing tanks. Since the concentration of the processing liquid in each processing tank of the substrate processing apparatus may change over time with evaporation, decomposition, etc. of the processing liquid components, the concentration of the processing liquid may be the etching treatment or cleaning treatment described above. Concentration control is carried out to keep it within the appropriate range.

이와 같은 기술로는 이하와 같은 것이 공지이다. 즉, 이 기술에 있어서는, 처리액을 처리조에 공급하는 탱크를 갖고 있다. 그리고, 탱크 및 순환 라인 내에 존재하는 처리액의 농도가 소정 범위로부터 벗어났을 때에, 농도 보정부를 사용하여, 탱크의 출구보다 하류측이고 또한 액 처리 유닛이 접속되는 접속 영역보다 상류측에 설정된 주입 위치에 있어서, 순환 라인에 처리액 구성 성분을 주입하여 순환 라인을 흐르는 처리액에 혼합한다. 이에 따라, 순환 라인을 흐르는 처리액의 농도를 보정한다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).The following are well-known as such a technique. That is, in this technique, it has a tank that supplies the treatment liquid to the treatment tank. Then, when the concentration of the treatment liquid present in the tank and the circulation line is out of a predetermined range, the injection position set downstream from the outlet of the tank and upstream from the connecting region to which the liquid processing unit is connected, using a concentration correction unit. In, the processing liquid component is injected into the circulation line and mixed with the processing liquid flowing through the circulation line. Thereby, the concentration of the processing liquid flowing in the circulation line is corrected (for example, see Patent Document 1).

상기와 같은 종래 기술에 있어서는, 순환 라인에 농도계를 배치하고 순환 라인 내에 존재하는 처리액의 농도를 계측하고 있지만, 이 농도계로 얻어지는 측정치는, 순환 라인에 있어서의 처리액의 상태에 의해 영향을 받는 경우가 있어, 피드백 제어 등에 의해 처리액의 겉보기상의 농도를 목표값으로 제어하고 있었다고 해도, 실제 처리액의 농도가 시간의 경과와 함께, 겉보기상의 농도로부터 괴리해 버리는 경우가 있었다.In the prior art as described above, a concentration meter is disposed on the circulation line and the concentration of the processing liquid present in the circulation line is measured, but the measurement value obtained with this concentration meter is affected by the state of the processing liquid on the circulation line. In some cases, even if the apparent concentration of the processing liquid was controlled to a target value by feedback control or the like, the concentration of the actual processing liquid may deviate from the apparent concentration over time.

또, 처리액이 복수의 약제 및 순수로 구성되어 있는 경우, 처리액 구성 성분에는, 증발하기 쉬운 성분과 증발하기 어려운 성분이 존재하기 때문에, 각 성분의 휘발성의 상이를 고려하지 않고 농도의 제어를 실시하였다고 해도, 처리액의 농도를 목적으로 하는 처리에 대하여 적절한 범위 내로 유지하는 것이 곤란한 경우가 있었다.In addition, when the treatment liquid is composed of a plurality of chemicals and pure water, the components of the treatment liquid contain components that are easy to evaporate and components that are difficult to evaporate. Even if it was carried out, it was sometimes difficult to keep the concentration of the treatment liquid within an appropriate range for the target treatment.

일본 공개특허공보 2015-46443호Japanese Patent Application Publication No. 2015-46443

본 발명은, 상기와 같은 상황을 감안하여 발명된 것이며, 그 목적은, 기판 처리 장치 또는 기판 처리 방법에 있어서, 처리조에 있어서의 처리액의 농도를 보다 확실하게, 그 처리조에 있어서 실시되는 처리에 적합한 농도로 유지하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다.The present invention was invented in view of the above situation, and its object is to more reliably control the concentration of the processing liquid in the processing tank in the substrate processing apparatus or the substrate processing method. It is to provide a technique capable of maintaining a suitable concentration.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, The present invention for solving the above problems is a substrate processing apparatus that performs a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a treatment liquid containing at least one chemical liquid and pure water,

상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 상기 처리액이 저류된 처리조와, A processing tank in which the processing liquid for performing the predetermined processing on the substrate is stored,

상기 처리조 중의 상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환부와, A processing liquid exchange unit that exchanges the processing liquid according to the life time of the processing liquid in the processing tank,

상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 검출부와, A detection unit that detects the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;

상기 검출부에 의해 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 처리조 중의 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급함으로써, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 농도 제어부와,A concentration control unit that controls the concentration to a predetermined target concentration by supplying pure water or the other predetermined component to the processing liquid in the processing tank based on the concentration detected by the detection unit;

상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경부Target value changing unit for changing the target concentration

를 구비하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises.

이에 따르면, 상기 처리액의 상태에 의해 검출부의 검출값이 변화되어 버리는 경우 등, 겉보기상의 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도와 실제의 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도 사이의 괴리, 또는, 검출된 농도에 있어서 예상되는 처리 상황 (예를 들어, 에칭 레이트) 과 실제로 얻어진 처리 상황 사이의 괴리가 있는 경우에도, 목표 농도를 변경함으로써, 당해 괴리를 캔슬하고, 보다 확실하게, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 또한, 여기서 처리액의 라이프 타임이란, 처리액의 상태가 계속 변화하여 당해 처리액을 계속 사용하면 처리 자체가 충분히 실시되지 않게 된다고 판단되는 사용 시간이며, 미리 실험 등에 의해 정해진다. 또, 「라이프 타임에 맞춘다」 란, 라이프 타임의 경과시여도 되고, 라이프 타임 경과시에 대하여 약간 전후하는 시점이어도 된다.According to this, the difference between the apparent concentration of the pure water or other predetermined component and the concentration of the actual pure water or other predetermined component, such as when the detection value of the detection unit is changed by the state of the processing liquid, or detected Even if there is a discrepancy between the expected treatment condition (e.g., etching rate) in concentration and the actually obtained treatment condition, by changing the target concentration, the gap is canceled and, more reliably, of pure water or other predetermined components. It becomes possible to control the concentration to an appropriate value according to the treatment. In addition, the life time of a processing liquid here is the usage time which is judged that the processing itself will not fully be performed if the state of a processing liquid continues to change, and the processing liquid is continuously used, and it is determined in advance by an experiment or the like. In addition, the term "set to life time" may be a time when the life time has elapsed, or may be a time point slightly before and after the life time has elapsed.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 그렇게 하면, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 순수 또는 다른 소정 성분을 보다 많이 공급함으로써, 당해 괴리를 캔슬하고, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 이 경우, 상기 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 저하시키는 제어와 비교하여, 보다 용이하게, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration during the life time of the processing liquid. Then, by supplying more pure water or other predetermined components in the middle of the life time of the treatment liquid, it becomes possible to cancel the separation and control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment. In this case, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined component to an appropriate value according to the treatment more easily, compared to the control for lowering the concentration of the pure water or other predetermined component.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표 변경부는, 상기 목표 농도에 상한값을 형성하도록 해도 된다. 이에 따르면, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도가 과잉으로 상승해 버리는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, the target changing unit may form an upper limit on the target concentration. According to this, it is possible to prevent the target concentration from excessively increasing during the life time of the treatment liquid.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 (混酸) 수용액이며, 상기 농도 제어부는, 상기 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하도록 해도 된다. 이에 따르면, 순수의 공급량이나 공급 타이밍을 변경한다는 간단한 동작에 의해, 순수의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In the present invention, the treatment solution is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and pure water, and the concentration control unit supplies the pure water to the mixed acid aqueous solution, thereby The pure water concentration may be controlled to be a predetermined target concentration. According to this, it becomes possible to control the concentration of pure water to an appropriate value according to processing by a simple operation of changing the supply amount or timing of pure water.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 이에 따르면, 상기 목표 농도의 급격한 변화를 억제하면서, 보다 안정적으로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration every predetermined time during the life time of the processing liquid. According to this, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment more stably while suppressing the rapid change in the target concentration.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하도록 해도 된다. 이에 따르면, 보다 높은 자유도로 상기 처리액의 상태에 따라, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may change the change profile of the target concentration by changing the timing at which the target concentration is raised during the life time of the processing liquid. According to this, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined component to an appropriate value according to the treatment, depending on the state of the treatment liquid with a higher degree of freedom.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하도록 해도 된다. 이것에 의해서도, 보다 높은 자유도로 상기 처리액의 상태에 따라, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may change the change profile of the target concentration by changing the rising width at the time of raising the target value during the life time of the processing liquid. This also makes it possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the treatment depending on the state of the treatment liquid with a higher degree of freedom.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에는, 기판으로부터 금속 이온이 처리액 중에 용출하는 경향이 강하다. 따라서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시킴으로써, 보다 확실하게 또는 적시에, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In addition, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the processing of the substrate is performed in the middle of the life time of the processing liquid. Here, when the substrate is treated, there is a strong tendency for metal ions to elute from the substrate into the treatment liquid. Therefore, when the processing of the substrate is performed, by increasing the target concentration, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined component more appropriately or timely to an appropriate value according to the processing.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 순수의 공급이 실시되는 확률이 높고, 기판의 처리 타이밍과 순수의 공급 타이밍 사이에는 높은 상관이 확인되므로, 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것에 의해서도, 보다 확실하게 또는 적시에, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when supply of the pure water is performed in the middle of the life time of the processing liquid. Here, when the processing of the substrate is performed, since the probability of supply of pure water is high, and a high correlation between the processing timing of the substrate and the supply timing of pure water is confirmed, when the supply of pure water is performed, the target Even by increasing the concentration, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined component to an appropriate value according to the treatment more reliably or in a timely manner.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임의 도중에, 소정 매수 (枚數) 의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 처리되는 기판의 매수는 언제나 동일하다고는 할 수 없다. 한편, 기판으로부터 용출되는 금속 이온의 양이 직접 관련되어 있는 것은, 기판의 처리의 횟수보다, 오히려, 처리된 기판의 매수이다. 따라서, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시킴으로써, 보다 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.In addition, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the predetermined number of substrates is processed in the middle of the life time of the processing liquid. Here, when the substrate is processed, the number of substrates to be processed is not always the same. On the other hand, the amount of metal ions eluted from the substrate is directly related to the number of substrates treated, rather than the number of substrate treatments. Therefore, when the predetermined number of the substrates is processed, it is possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to a suitable value according to the processing with higher precision by raising the target concentration.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 기판의 종류에 따라, 1 매의 기판을 처리할 때의 처리의 정도는 상이하다. 이 처리의 정도란, 예를 들어, 1 매의 기판의 처리에 있어서 반응에 사용되는 처리액의 양 또는, 1 매의 기판의 처리에 의한 처리액의 열화 (劣化) 정도여도 된다. 따라서, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도의 변화는, 처리된 기판의 매수 외에, 1 매의 기판을 처리할 때의 처리의 정도에 의해 정해진다.In addition, in the present invention, the target value changing unit increases the target concentration when the processing amount based on the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processing of the substrate is a predetermined amount. You may do it. Here, in the case where the processing of the above substrate is performed, the degree of processing when processing one substrate differs depending on the type of the substrate. The degree of this treatment may be, for example, the amount of the treatment liquid used for the reaction in the treatment of one substrate, or the degree of deterioration of the treatment liquid by the treatment of one substrate. Therefore, the change in the concentration of pure water or other predetermined component in the processing liquid is determined by the degree of processing when processing one substrate in addition to the number of the processed substrates.

이로부터, 본 발명에 있어서는, 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시킴으로써, 더욱 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다. 또한, 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이란, 예를 들어, 중량 계수와 기판의 처리 매수를 곱함으로써 산출되는 것이어도 되고, 기판의 처리 매수를 (중량 계수) 곱하는 등, 다른 계산식에 의한 것이어도 된다.From this, in the present invention, when the amount of processing based on the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processing on the substrate is a predetermined amount, by increasing the target concentration, pure water or with higher accuracy It becomes possible to control the concentration of other predetermined components to an appropriate value according to the treatment. Note that the throughput based on the weight coefficient and the number of processed substrates may be calculated by multiplying the weight coefficient by the number of processed substrates, for example, by multiplying the number of processed substrates by (weight coefficient). It may be caused by.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하고, 상기 목표치 변경부는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 기판 처리 장치가, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하는 경우에는, 처리액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도의 변화는, 각각의 종류의 기판의 처리량의 합계량에 의해 정해진다.In the present invention, a plurality of types of substrates are processed during the life of the processing liquid, and the target value changing unit is configured to determine the weight coefficient and the number of processing of the substrates for each type of substrates among the plurality of types of substrates. When the total amount of the basis treatment amounts is a predetermined amount, the target concentration may be increased. Here, when the substrate processing apparatus processes a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, the change in the concentration of pure water or other predetermined components of the processing liquid is determined by the total amount of the processing amounts of the substrates of each type. .

이로부터, 본 발명에 있어서는, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리할 때에는, 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시키는 것으로 하였다. 이에 따라, 기판 처리 장치가, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판을 처리하는 경우에도, 보다 양호한 정밀도로, 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Accordingly, in the present invention, when processing a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, the total amount of the throughputs based on the weight factor and the number of substrates processed for each of the plurality of types of substrates is predetermined. When it became a quantity, it was supposed to raise the target concentration. Thereby, even when a substrate processing apparatus processes a plurality of types of substrates during the lifetime of the processing liquid, it becomes possible to control the concentration of pure water or other predetermined components to an appropriate value according to the processing with better precision.

또, 본 발명에 있어서는, 상기 목표치 변경부는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키도록 해도 된다. 여기서, 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 장시간에 걸쳐 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에는, 그것에 의해서도, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도가 증발이나 분해에 의해 변화되는 경우가 있다. 따라서, 본 발명에 있어서는, 목표치 변경부는, 상기 서술한 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 기판의 처리량 (또는, 복수 종류의 기판의 처리량의 합계량) 이 소정량이 된 경우에, 목표 농도를 상승시킴과 함께, 소정의 대기 시간 동안에 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에도, 목표 농도를 상승시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 기판의 처리의 중량 계수와 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량을 처리액의 농도 제어의 기준으로 함과 함게, 기판의 처리가 장시간에 걸쳐 처리되지 않는 것도 처리액의 농도 제어의 기준으로 할 수 있어, 더욱 양호한 정밀도로, 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 처리에 따른 적절한 값으로 제어하는 것이 가능해진다.Further, in the present invention, the target value changing unit may increase the target concentration when the processing of the substrate is not performed during a predetermined waiting time during the life time of the processing liquid. Here, in the case where the substrate is not treated for a long time during the lifetime of the treatment liquid, the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid may also be changed by evaporation or decomposition. Therefore, in the present invention, the target value changing section increases the target concentration when the throughput of the substrate (or the total amount of the throughput of the plurality of types of substrates) based on the weight coefficient and the number of substrates processed is the predetermined amount. It was decided that the target concentration would be increased even when the substrate was not treated for a predetermined waiting time in addition to the shikim. According to this, the throughput based on the weight coefficient of the processing of the substrate and the number of processing of the substrate is used as the reference for the concentration control of the processing liquid, and the processing of the substrate is not processed for a long time as the reference for the concentration control of the processing liquid. It is possible to control the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid to an appropriate value according to the treatment, with better precision.

또, 본 발명은, 1 종 이상의 약액 및 순수를 포함하여 처리조에 저류된 처리액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, Further, the present invention is a substrate processing method for performing a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a treatment liquid stored in a treatment tank containing at least one chemical liquid and pure water,

상기 처리액의 라이프 타임에 맞추어 그 처리액을 교환하는 처리액 교환 공정과,A treatment liquid exchange step of exchanging the treatment liquid according to the life time of the treatment liquid;

상기 처리액에 있어서의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 검출하는 농도 검출 공정과,A concentration detection step of detecting the concentration of pure water or other predetermined components in the treatment liquid;

상기 농도 검출 공정에 있어서 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 처리조 중의 상기 처리액에 순수 또는 상기 다른 소정 성분을 공급하는 농도 제어 공정과, A concentration control process for supplying pure water or the other predetermined component to the treatment liquid in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step;

상기 처리액의 라이프 타임의 도중에 상기 목표 농도를 변경하는 목표치 변경 공정A target value changing step of changing the target concentration in the middle of the life time of the treatment liquid

을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법이어도 된다.It may be a substrate processing method characterized by comprising a.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, the present invention may be the above-described substrate processing method characterized by increasing the target concentration in the target value changing step.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도에 상한값이 형성된 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In addition, the present invention may be the above-described substrate processing method characterized in that an upper limit value is formed in the target concentration in the target value changing step.

또, 본 발명은, 상기 처리액은, 인산, 질산, 아세트산 중 적어도 1 개 및 순수를 포함하는 혼산 수용액이며, 상기 농도 제어 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In addition, in the present invention, the treatment solution is a mixed acid aqueous solution containing at least one of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid and pure water, and in the concentration control step, the pure water concentration of the mixed acid aqueous solution is set to a predetermined target concentration. The substrate processing method described above may be characterized in that pure water is supplied to the aqueous mixed acid solution.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In addition, the present invention may be the above-described substrate processing method characterized in that the target concentration is increased at regular intervals in the target value changing step.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, in the said target value change process, this invention may be the said substrate processing method characterized by changing the change profile of the said target concentration by changing the timing which raises the said target concentration.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, in the said target value changing process, this invention may be the said substrate processing method characterized by changing the change profile of the said target concentration by changing the rising width when raising the said target value.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, in the said target value changing process, this invention may be the said substrate processing method characterized by raising the said target concentration when the said board|substrate is processed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, in the said target value changing process, this invention may be the said substrate processing method characterized by raising the said target concentration when the said pure water supply is performed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.Moreover, in the said target value changing process, this invention may be the said board|substrate processing method characterized by raising the said target concentration, when the predetermined number of board|substrate processing is performed.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In addition, in the target value changing step, the present invention increases the target concentration when a processing amount based on the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processing of the substrate is a predetermined amount. The substrate processing method described above may be used.

또, 본 발명은, 상기 처리액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고, In addition, the present invention processes a plurality of types of substrates during the lifetime of the treatment liquid,

상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In the target value changing step, the target concentration is increased when the total amount of the throughput based on the weight coefficient and the number of processing of the substrate is a predetermined amount for each of the plurality of kinds of substrates. The substrate processing method described above may be used.

또, 본 발명은, 상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 처리액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 상기의 기판 처리 방법이어도 된다.In addition, in the above-described target value changing step, the target concentration is raised when the processing of the substrate is not performed for a predetermined waiting time during the life time of the processing liquid in the target value changing step. A substrate processing method may also be used.

또한, 상기 서술한, 과제를 해결하기 위한 수단은 적절히 조합하여 사용하는 것이 가능하다.In addition, the means for solving the above-described problems can be used in appropriate combination.

본 발명에 의하면, 기판 처리 장치 또는 기판 처리 방법에 있어서, 처리조에 있어서의 처리액의 농도를 보다 확실하게, 그 처리조에 있어서 실시되는 처리에 적합한 농도로 유지할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the board|substrate processing apparatus or the board|substrate processing method, the density|concentration of the processing liquid in a processing tank can be maintained more reliably at the concentration suitable for the process performed in the processing tank.

도 1 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 기능 블록도이다.
도 3 은, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 처리부에 있어서의 각 처리조의 처리액의 제어에 관한 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 일반적인 처리조에 있어서의 혼산 수용액의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치의 처리조에 있어서의 혼산 수용액의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다.
도 6 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 7 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 8 은, 실시예 1 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 3 예이다.
도 9 는, 실시예 2 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 10 은, 실시예 2 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 11 은, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 12 는, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 2 예이다.
도 13 은, 실시예 3 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 제 3 예이다.
도 14 는, 실시예 4 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.
도 15 는, 실시예 5 에 관련된 혼산 수용액의 라이프 타임에 있어서의, 하측 기준값의 변화의 양태의 그래프의 예이다.1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
2 is a functional block diagram of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
3 is a view showing a configuration related to control of the processing liquid of each processing tank in the processing unit of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
4 is a graph showing an aspect of concentration control of an aqueous mixed acid solution in a general treatment tank.
5 is a graph showing an aspect of concentration control of an aqueous mixed acid solution in a processing tank of the substrate processing apparatus according to Example 1. FIG.
6 is an example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 1. FIG.
7 is a second example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 1. FIG.
8 is a third example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 1. FIG.
9 is an example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 2. FIG.
10 is a second example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 2. FIG.
11 is an example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 3. FIG.
12 is a second example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 3. FIG.
13 is a third example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 3. FIG.
14 is an example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the mixed acid aqueous solution according to Example 4. FIG.
15 is an example of a graph of an aspect of a change in the lower reference value in the life time of the aqueous mixed acid solution according to Example 5. FIG.

＜실시예 1＞<Example 1>

이하, 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본원 발명의 일 양태이며, 본원 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다. 도 1 은 실시예 1 에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 사시도이다. 이 기판 처리 장치 (1) 는, 주로 기판 (W) 에 대하여 에칭 처리나 세정 처리 (이하, 간단히“처리” 라고도 한다) 를 실시하는 것이다. 기판 처리 장치 (1) 에 있어서는, 도 1 에 있어서 우측 안측에, 기판 (W) 을 스톡하는 버퍼부 (2) 가 배치되고, 버퍼부 (2) 의 더욱 우측 안측에는, 기판 처리 장치 (1) 를 조작하기 위한 정면 패널 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 또, 버퍼부 (2) 에 있어서의 정면 패널과 반대측에는, 기판 반출입구 (3) 가 형성되어 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 의 긴쪽 방향에 있어서의, 버퍼부 (2) 의 반대측 (도 1 에 있어서 왼쪽 앞측) 으로부터, 기판 (W) 에 대하여 처리를 실시하는 처리부 (5, 7 및 9) 가 나란히 형성되어 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the example shown below is one aspect of this invention, and does not limit the technical scope of this invention. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment. The substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching process or a cleaning process (hereinafter, simply referred to as “processing”) for the substrate W. In the substrate processing apparatus 1, in FIG. 1, a buffer portion 2 that stocks the substrate W is disposed on the right inner side, and the substrate processing apparatus 1 is further located on the right side of the buffer portion 2. A front panel (not shown) for manipulating it is formed. Moreover, the board|substrate carry-out port 3 is formed in the buffer part 2 on the opposite side to the front panel. In addition, in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 1, processing units 5, 7 and 9 that perform processing on the substrate W from the opposite side of the buffer unit 2 (left front in FIG. 1) Are formed side by side.

각 처리부 (5, 7 및 9) 는, 각각 2 개의 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 를 갖고 있다. 또, 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 에 있어서의 각 처리조의 사이에서만 도 1 중의 짧은 화살표의 방향 및 범위에 대하여 이동시키기 위한 부반송 기구 (43) 가 구비되어 있다. 또, 이 부반송 기구 (43) 는, 복수 매의 기판 (W) 을 처리조 (5a 및 5b, 7a 및 7b, 9a 및 9b) 에 침지하고 또는, 이들 처리조로부터 끌어올리기 위해서 복수 매의 기판 (W) 을 상하로도 이동시킨다. 각각의 부반송 기구 (43) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 유지하는 리프터 (11, 13 및 15) 가 형성되어 있다. 또한 기판 처리 장치 (1) 에는, 복수 매의 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7 및 9) 의 각각으로 반송하기 위해서, 도 1 중의 긴 화살표의 방향 및 범위에서 이동 가능한 주반송 기구 (17) 가 구비되어 있다.Each processing section 5, 7 and 9 has two processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, respectively. Moreover, in the substrate processing apparatus 1, a part for moving a plurality of substrates W with respect to the direction and range of the short arrows in Fig. 1 only between each processing tank in each processing section 5, 7 and 9 A transport mechanism 43 is provided. Moreover, this sub-conveying mechanism 43 immerses a plurality of substrates W in processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, or a plurality of substrates in order to lift them from these processing tanks. (W) is also moved up and down. Lifters 11, 13 and 15 for holding a plurality of substrates W are formed in each sub-conveying mechanism 43. In addition, in order to transport the plurality of substrates W to each of the processing units 5, 7 and 9, the substrate processing apparatus 1 is provided with a main transport mechanism 17 that is movable in the direction and range of the long arrow in Fig. 1. ) Is provided.

주반송 기구 (17) 는, 2 개의 가동식 아암 (17a) 을 갖고 있다. 이들 아암 (17a) 에는, 기판 (W) 을 재치 (載置) 하기 위한 복수의 홈 (도시하지 않음) 이 형성되어 있고, 도 1 에 나타내는 상태에서, 각 기판 (W) 을 기립 자세 (기판 주면 (主面) 의 법선이 수평 방향을 따른 자세) 로 유지한다. 또, 주반송 기구 (17) 에 있어서의 2 개의 아암 (17a) 은, 도 1 중의 우측 비스듬한 하방향에서 봐, 「V」 자 형상으로부터 역 「V」 자 형상으로 요동함으로써, 각 기판 (W) 을 개방한다. 그리고, 이 동작에 의해, 기판 (W) 은, 주반송 기구 (17) 와 리프터 (11, 13 및 15) 의 사이에서 수수 (授受) 되는 것이 가능하게 되어 있다.The main transport mechanism 17 has two movable arms 17a. In these arms 17a, a plurality of grooves (not shown) for mounting the substrate W are formed, and in the state shown in Fig. 1, each substrate W is placed in a standing posture (main surface of the substrate) Maintain the normal of (main face) in the horizontal direction. In addition, the two arms 17a in the main transport mechanism 17 swing from the "V" shape to the reverse "V" shape, as viewed from the right oblique downward direction in FIG. To open. And by this operation, the board|substrate W can be transferred between the main transport mechanism 17 and the lifters 11, 13, and 15.

도 2 에는, 기판 처리 장치 (1) 의 기능 블록도를 나타낸다. 상기 서술한 주반송 기구 (17), 부반송 기구 (43), 처리부 (5, 7, 9) 는, 제어부 (55) 에 의해 통괄적으로 제어되고 있다. 제어부 (55) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 제어부 (55) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 어플리케이션이나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 본 실시예에 있어서는, 제어부 (55) 의 CPU 가 소정의 프로그램을 실행함으로써, 기판 (W) 을 각 처리부 (5, 7, 9) 에 반송하고, 프로그램에 따른 처리를 실시하도록 각 부를 제어한다. 상기의 프로그램은, 기억부 (57) 에 기억되어 있다.2 shows a functional block diagram of the substrate processing apparatus 1. The main conveying mechanism 17, the sub conveying mechanism 43, and the processing units 5, 7, and 9 described above are collectively controlled by the control unit 55. The configuration of the control unit 55 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 55 stores a CPU for performing various calculation processing, a ROM as a read-only memory for storing basic programs, a RAM as a freely readable and writable memory for storing various information, and a control application or data. Discs and the like are provided. In this embodiment, the CPU of the control unit 55 executes a predetermined program, thereby transferring the substrate W to each processing unit 5, 7, 9, and controlling each unit to perform processing according to the program. The above program is stored in the storage unit 57.

도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 의 처리액의 제어에 관한 구성을 나타내는 도면이다. 도 3 에 있어서는, 처리부 (5, 7, 9) 에 있어서의 각 처리조 (5a, 7a, 9a) 중, 처리조 (7a) 를 예로 들어 설명한다. 이하의 처리조 (7a) 의 처리액에 대한 제어와 동등 또는 유사한 제어가, 다른 처리조 (5a 및 9a) 에 대해서도 적용된다.FIG. 3 is a view showing a configuration related to control of the processing liquid of each processing tank 5a, 7a, 9a in the processing units 5, 7, 9 of the substrate processing apparatus 1. In FIG. 3, among the processing tanks 5a, 7a, and 9a in the processing units 5, 7, 9, the processing tank 7a will be described as an example. The same or similar control to the following processing tank 7a for the processing liquid is applied to the other processing tanks 5a and 9a.

여기서, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 있어서는, 예를 들어 실리콘 등의 단결정 잉곳을 그 봉축 (棒軸) 방향으로 슬라이스하고, 얻어진 것에 대하여 모따기, 래핑, 에칭 처리, 폴리싱 등의 처리가 순차 실시된다. 그 결과, 기판 표면 상에는 상이한 재료에 의한 복수의 층, 구조, 회로가 형성된다. 그리고, 처리조 (7a) 에 있어서 실시되는 기판 (W) 의 에칭 처리는, 예를 들어, 기판 (W) 에 남은 텅스텐 등의 메탈을 제거할 목적으로 실시되고, 기판 (W) 을 처리액으로서의 혼산 (인산, 질산, 아세트산, 순수) 수용액 등에 소정 시간 침지함으로써 실시된다. 또한, 상기의 에칭 처리는 본 발명에 있어서의 소정의 처리의 일례이다. 또, 혼산에 있어서의 인산, 질산, 아세트산은, 본 발명에 있어서의“다른 소정 성분” 의 일례이다.Here, in the manufacturing process of a semiconductor wafer, for example, a single crystal ingot such as silicon is sliced in the direction of its rod axis, and the obtained ones are sequentially subjected to treatments such as chamfering, lapping, etching treatment, and polishing. As a result, a plurality of layers, structures, and circuits of different materials are formed on the substrate surface. And the etching process of the board|substrate W performed in the processing tank 7a is performed, for example, for the purpose of removing the metal, such as tungsten remaining in the board|substrate W, and the board|substrate W is used as a processing liquid. It is carried out by immersion in a mixed acid (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, pure water) aqueous solution or the like for a predetermined time. In addition, the said etching process is an example of the predetermined process in this invention. Moreover, phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid in mixed acid are examples of "another predetermined component" in the present invention.

도 3 에 있어서, 처리조 (7a) 는, 혼산 수용액 중에 기판 (W) 을 침지시키는 내조 (內槽) (50a) 및 내조 (50a) 의 상부로부터 오버플로우한 혼산 수용액을 회수하는 외조 (外槽) (50b) 에 의해 구성되는 이중 조 구조를 갖고 있다. 내조 (50a) 는, 혼산 수용액에 대한 내식성이 우수한 석영 또는 불소 수지 재료로 형성된 평면에서 보았을 때 사각형의 박스형 형상 부재이다. 외조 (50b) 는, 내조 (50a) 와 동일한 재료로 형성되어 있고, 내조 (50a) 의 외주 상단부를 둘러싸도록 형성되어 있다.In Fig. 3, the treatment tank 7a is an outer tank for recovering the mixed acid aqueous solution overflowing from the upper portion of the inner tank 50a and the inner tank 50a for immersing the substrate W in the mixed acid aqueous solution. ) (50b). The inner tank 50a is a rectangular box-shaped member when viewed from a plane formed of a quartz or fluorine resin material having excellent corrosion resistance to a mixed acid aqueous solution. The outer tank 50b is formed of the same material as the inner tank 50a, and is formed so as to surround the outer circumferential upper end portion of the inner tank 50a.

또, 처리조 (7a) 에는, 전술한 바와 같이, 저류된 혼산 수용액에 기판 (W) 을 침지시키기 위한 리프터 (13) 가 형성되어 있다. 리프터 (13) 는, 기립 자세로 상호 평행하게 배열된 복수 (예를 들어, 50 매) 의 기판 (W) 을 3 개의 유지봉에 의해 일괄적으로 유지한다. 리프터 (13) 는, 부반송 기구 (43) 에 의해 상하 좌우의 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있고, 유지하는 복수 매의 기판 (W) 을 내조 (50a) 내의 혼산 수용액 중에 침지하는 처리 위치 (도 3 의 위치) 와 혼산 수용액으로부터 끌어올린 수수 위치 사이에서 승강시킴과 함께, 옆의 처리조 (7b) 로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.Moreover, the lifter 13 for immersing the substrate W in the stored mixed acid aqueous solution is formed in the processing tank 7a as described above. The lifter 13 holds a plurality of (for example, 50) substrates W arranged in parallel to each other in a standing position by three holding rods. The lifter 13 is formed to be movable vertically and horizontally by the sub-conveying mechanism 43, and the processing position for immersing the holding multiple substrates W in the aqueous mixed acid solution in the inner tank 50a (FIG. It is made possible to move to the next processing tank 7b while raising and lowering between the position of 3) and the position of the sorghum pulled from the mixed aqueous solution.

또, 기판 처리 장치 (1) 는, 혼산 수용액을 처리조 (7a) 에 순환시키는 순환 라인 (20) 을 구비한다. 순환 라인 (20) 은, 처리조 (7a) 로부터 배출된 혼산 수용액을 여과·가열하여 다시 처리조 (7a) 에 압송 (壓送) 환류시키는 배관 경로이며, 구체적으로는 처리조 (7a) 의 외조 (50b) 와 내조 (50a) 를 유로 접속하여 구성되어 있다. 또, 순환 라인 (20) 으로부터 분기되어 배액 라인 (30) 이 분기되어 있고, 혼산 수용액을 처리조 (7a) 로 되돌리지 않고 배액하는 경우에는, 배액 전환 밸브 (26) 및, 배액 밸브 (27) 를 개폐함으로써, 외조 (50b) 로부터 배출된 혼산 수용액을 그대로 배액 라인 (30) 을 통해서 폐기한다.Moreover, the substrate processing apparatus 1 is provided with the circulation line 20 which circulates the aqueous mixed acid solution to the processing tank 7a. The circulation line 20 is a piping path for filtering and heating the mixed aqueous solution discharged from the treatment tank 7a and refluxing it back to the treatment tank 7a, specifically, the outer tank of the treatment tank 7a It is constituted by connecting the 50b and the inner tank 50a with a flow path. In addition, when branching from the circulation line 20, the draining line 30 is branched, and when the mixed aqueous solution is drained without returning to the treatment tank 7a, the draining switch valve 26 and the draining valve 27 By opening and closing, the mixed aqueous solution discharged from the outer tank 50b is discarded through the drain line 30 as it is.

순환 라인 (20) 의 경로 도중에는, 밸브류 이외에는, 상류측으로부터 순환 펌프 (21), 온조기 (22), 필터 (23) 및, 검출부로서의 농도계 (24) 가 형성되어 있다. 순환 펌프 (21) 는, 순환 라인 (20) 을 통해서 혼산 수용액을 외조 (50b) 로부터 흡입함과 함께 내조 (50a) 를 향하여 압송한다. 온조기 (22) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 혼산 수용액을 소정의 처리 온도로까지 재가열한다. 또한, 처리조 (7a) 에도 도시 생략된 히터가 형성되어 있고, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 혼산 수용액도 소정의 처리 온도를 유지하도록 가열되고 있다. 필터 (23) 는, 순환 라인 (20) 을 흐르는 혼산 수용액 중의 이물질을 없애기 위한 여과 필터이다.In the middle of the path of the circulation line 20, a circulation pump 21, a temperature controller 22, a filter 23, and a concentration meter 24 as a detection unit are formed from the upstream side other than the valves. The circulation pump 21 sucks the mixed acid aqueous solution from the outer tank 50b through the circulation line 20 and pushes it toward the inner tank 50a. The temperature controller 22 reheats the mixed aqueous solution flowing through the circulation line 20 to a predetermined processing temperature. In addition, a heater (not shown) is also formed in the treatment tank 7a, and the aqueous mixed acid solution stored in the treatment tank 7a is also heated to maintain a predetermined treatment temperature. The filter 23 is a filtration filter for removing foreign substances in the mixed acid aqueous solution flowing through the circulation line 20.

또, 농도계 (24) 는, 순환 라인 (20) 에 의해 내조 (50a) 에 회수되는 혼산 수용액의 성분 중, 순수 농도를 측정한다. 이 농도계 (24) 에 의해 측정되는 순수 농도가 최적값이 되도록, 처리조 (7a) 내의 혼산 농도가 제어되고 있다. 여기서, 농도계 (24) 에 의해 순수 농도가 측정되는 처리는 본 발명에 있어서의 농도 검출 공정에 상당한다. 또, 처리조 (7a) 내의 혼산 농도가 제어되는 처리는 제어부 (55) 에 의해 실시되지만, 이 때의 제어부 (55) 는 농도 제어부에 상당하고, 처리 자체는 본 발명에 있어서의 농도 제어 공정에 상당한다. 보다 구체적으로는, 제어부 (55) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 처리조 내의 혼산 용액의 전액 교환 제어나, 혼산 수용액의 농도의 피드백 제어 등에 관련된 처리 외에, 후술하는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도의 목표치 (하측 기준값) 의 변경 제어에 관련된 처리를 실시한다.In addition, the concentration meter 24 measures the pure water concentration in the components of the mixed acid aqueous solution collected in the inner tank 50a by the circulation line 20. The mixed acid concentration in the processing tank 7a is controlled so that the pure water concentration measured by the concentration meter 24 becomes an optimum value. Here, the processing in which the pure water concentration is measured by the concentration meter 24 corresponds to the concentration detection step in the present invention. Further, although the processing in which the mixed acid concentration in the processing tank 7a is controlled is performed by the control unit 55, the control unit 55 at this time corresponds to the concentration control unit, and the processing itself is performed by the concentration control process in the present invention. It is considerable. More specifically, as shown in FIG. 3, the control unit 55, as described later, in addition to the processes related to the total liquid exchange control of the mixed acid solution in the treatment tank, feedback control of the concentration of the mixed acid aqueous solution, and the like, as described later. Process related to change control of the target value (lower reference value) is performed.

다음으로, 상기 구성을 갖는 기판 처리 장치 (1) 의 작용에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 먼저, 처리조 (7a) 에 저류되어 있는 혼산 수용액 중에 기판 (W) 이 침지되어 있는지 여부에 상관없이, 순환 펌프 (21) 는 항상 일정 유량으로 혼산 수용액을 압송하고 있다. 순환 라인 (20) 에 의해 처리조 (7a) 에 환류된 혼산 수용액은 내조 (50a) 의 저부로부터 공급된다. 이에 따라, 내조 (50a) 의 내부에는 저부로부터 상방으로 향하는 혼산 수용액의 업 플로우가 발생한다. 저부로부터 공급된 혼산 수용액은 곧 내조 (50a) 의 상단부로부터 흘러 넘쳐 외조 (50b) 에 유입된다. 외조 (50b) 에 흘러든 혼산 수용액은 외조 (50b) 로부터 순환 라인 (20) 을 통해서 순환 펌프 (21) 에 보내지고, 다시 처리조 (7a) 에 압송 환류된다는 순환 프로세스가 계속해서 실시된다.Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 having the above configuration will be described in more detail. First, irrespective of whether or not the substrate W is immersed in the mixed aqueous solution stored in the treatment tank 7a, the circulation pump 21 always pumps the mixed aqueous solution at a constant flow rate. The aqueous mixed acid solution refluxed to the treatment tank 7a by the circulation line 20 is supplied from the bottom of the inner tank 50a. Accordingly, an upflow of the mixed acid aqueous solution from the bottom to the top is generated inside the inner tank 50a. The aqueous mixed acid solution supplied from the bottom immediately flows from the upper end of the inner tank 50a and flows into the outer tank 50b. The circulating process in which the aqueous mixed acid solution flowing into the outer tank 50b is sent from the outer tank 50b to the circulation pump 21 through the circulation line 20 and is again pressure-refluxed to the processing tank 7a continues.

이와 같은 순환 라인 (20) 에 의한 혼산 수용액의 순환 프로세스를 실행하면서, 수수 위치에서 복수의 기판 (W) 을 수취한 리프터 (13) 가 처리 위치까지 강하되어 내조 (50a) 내에 저류된 혼산 수용액 중에 기판 (W) 을 침지시킨다. 이에 따라, 소정 시간의 처리가 실시되고, 처리가 종료한 후, 리프터 (13) 가 다시 수수 위치로까지 상승하여 기판 (W) 을 혼산 수용액으로부터 끌어올린다. 그 후, 리프터 (13) 는 수평 이동 및 강하하여 기판 (W) 을 옆의 처리조 (7b) 에 침지시키고, 수세 처리가 실시된다.While carrying out the circulating process of the mixed acid aqueous solution by the circulation line 20, the lifter 13 receiving the plurality of substrates W at the sorghum position is lowered to the processing position and in the mixed acid aqueous solution stored in the inner tank 50a. Substrate W is immersed. Thereby, the processing for a predetermined time is carried out, and after the processing is completed, the lifter 13 again rises to the delivery position to lift the substrate W from the mixed aqueous solution. Thereafter, the lifter 13 is horizontally moved and lowered to immerse the substrate W in the next treatment tank 7b, and water washing treatment is performed.

상기 외에, 기판 처리 장치 (1) 에는, 처리조 (7a) 의 혼산 수용액의 농도를 제어하기 위한 농도 제어 장치 (40) 가 구비되어 있다. 이 농도 제어 장치 (40) 는, 약액 공급원 (41) 과, 약액 공급원 (41) 과 처리조 (7a) 를 잇는 약액 라인 (42) 과, 순수 공급원 (46) 과, 순수 공급원 (46) 과 처리조 (7a) 를 잇는 순수 라인 (47) 을 갖는다.In addition to the above, the substrate processing apparatus 1 is equipped with a concentration control device 40 for controlling the concentration of the mixed acid aqueous solution in the processing tank 7a. The concentration control device 40 is treated with a chemical liquid supply source 41, a chemical liquid line 42 connecting the chemical liquid supply source 41 and the treatment tank 7a, a pure water supply source 46, and a pure water supply source 46 and the treatment. It has a pure line 47 connecting the jaws 7a.

여기서, 도시는 생략하지만, 약액 공급원 (41) 에는, 혼산을 구성하는 인산, 질산, 아세트산의 각각을 공급하는 공급원이 독립적으로 형성되어 있고, 약액 라인 (42) 에는, 인산, 질산, 아세트산의 각각을 처리조 (7a) 에 유도하는 라인이 독립적으로 형성되어 있다. 처리액을 최초로 생성할 때에는, 공급 속도가 필요해지므로 굵은 배관으로부터 내조 (50a) 를 향하여 처리액이 투입되지만, 처리액을 보충할 때에는 외조 (50b) 를 향하여 보충되는 경우가 있다. 약액 라인 (42) 의 각각의 라인에는, 통과하는 약액 (인산, 질산, 아세트산) 의 유량을 각각 측정 가능한 약액 유량계 (44) 와, 인산, 질산, 아세트산의 각각의 유량을 조정 가능한 약액 보충 밸브 (45) 가 구비되어 있다. 한편, 순수 라인 (47) 에는, 순수 라인 (47) 을 통과하는 순수의 유량을 측정하는 순수 유량계 (48) 와, 순수의 유량을 조정하는 순수 보충 밸브 (49) 가 구비되어 있다. 또, 전술한 제어부 (55) 가 농도계 (24) 의 측정 결과에 기초하여 약액 보충 밸브 (45) 및, 순수 보충 밸브 (49) 를 제어하고, 처리조 (7a) 내의 혼산 수용액의 농도를, 처리에 최적인 농도가 되도록 제어한다.Here, although not shown, a source for supplying each of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid constituting a mixed acid is independently formed in the chemical solution supply source 41, and each of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid is provided in the chemical solution line 42. The lines leading to the treatment tank 7a are independently formed. When the processing liquid is first generated, the supply speed is required, so that the processing liquid is supplied from the thick pipe toward the inner tank 50a, but when replenishing the processing liquid, it may be supplemented toward the outer tank 50b. In each line of the chemical liquid line 42, a chemical liquid flow meter 44 capable of measuring the flow rate of each passing chemical liquid (phosphoric acid, nitric acid, acetic acid), and a chemical liquid replenishing valve capable of adjusting the respective flow rates of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid ( 45) is provided. On the other hand, the pure water line 47 is equipped with a pure water flow meter 48 for measuring the flow rate of pure water passing through the pure water line 47, and a pure water replenishment valve 49 for adjusting the flow rate of pure water. Moreover, the control part 55 mentioned above controls the chemical liquid replenishment valve 45 and the pure water replenishment valve 49 based on the measurement result of the concentration meter 24, and processes the concentration of the mixed acid aqueous solution in the treatment tank 7a. It is controlled so that it is the optimal concentration.

도 4 는, 상기한 처리조 (7a) 에 있어서의 혼산 수용액의 종래의 농도 제어의 양태를 나타내는 그래프이다. 보다 구체적으로는, 내조 (50a) 에 있어서의 혼산 수용액의 농도 (순수 농도) 의 변화를 나타내고 있다. 여기서 가로축은 시간, 세로축은 혼산 중의 순수 농도 (W％) 를 나타내고 있다. 도 4 의 그래프에 있어서, 하부의 펄스 형상의 표시 (A) 는, 내조 (50a) 에 순수가 공급되는 타이밍을 나타내고 있다. 또, 상부에 있어서의 꺾은선 (B) 이 순수 농도의 변화를 나타내고 있다.4 is a graph showing an aspect of conventional concentration control of a mixed aqueous solution in the treatment tank 7a described above. More specifically, it shows the change in the concentration (pure water concentration) of the aqueous mixed acid solution in the inner tank 50a. Here, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents pure water concentration (W%) in mixed acid. In the graph of Fig. 4, the lower pulse-shaped display A indicates the timing at which pure water is supplied to the inner tank 50a. Moreover, the broken line (B) in the upper part shows the change of the pure water concentration.

도 4 에서는, 시점 t1 에 있어서, 혼산 수용액의 전액 교환이 실시되고 있다. 그리고, 시점 t2 에 있어서 재차 혼산 수용액의 전액 교환이 실시되고 있다. 시점 t1 과 시점 t2 의 간격은, 예를 들어 5 ∼ 10 시간 정도여도 된다. 이것은, 시점 t1 부터 시점 t2 사이에 기판 (W) 의 에칭 처리가 반복되고, 혼산 수용액 내에 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온의 농도가 상승하기 때문에, 에칭 처리의 품질에 영향이 미치기 전에 혼산 수용액을 전부 교환하는 것이다. 이 전액 교환 동안의 기간이, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 혼산 수용액의 라이프 타임으로 생각할 수 있다. 또, 전액 교환은 제어부 (55) 에 의해 실행되지만, 이 때의 제어부 (55) 는 처리액 교환부에 상당하고, 이 제어는 처리액 교환 공정에 상당한다.In FIG. 4, at the time point t1, the whole liquid exchange of the mixed acid aqueous solution is performed. Then, at the time point t2, the whole liquid exchange of the mixed acid aqueous solution is performed again. The interval between the time point t1 and the time point t2 may be, for example, about 5 to 10 hours. This is because the etching process of the substrate W is repeated between the time points t1 and t2 and the concentration of the metal ions eluted from the substrate W in the mixed acid aqueous solution increases, so that the mixed acid aqueous solution before affecting the quality of the etching process Is to exchange them all. The period during this total liquid exchange can be considered as the life time of the aqueous mixed acid solution in the substrate processing apparatus 1. Moreover, although the total liquid exchange is performed by the control unit 55, the control unit 55 at this time corresponds to the processing liquid exchange unit, and this control corresponds to the processing liquid exchange process.

여기서, 도 4 의 그래프 상부에 있어서의 수평한 파선은, 순수 농도의 하측 기준값을 나타내고 있다. 즉, 처리조 (7a) 에 있어서 수분이 시간의 경과와 함께 증발하고, 순수 농도가 저하되고, 하측 기준값에 도달한 경우에는 적당량 (예를 들어, 100 ㎖) 의 순수를 공급하여, 순수 농도를 상승시키고, 이와 같은 제어를 반복한다. 이 제어에 의해, 처리조 (7a) 에 있어서의 혼산 수용액의 농도가 하측 기준값 이상으로 유지된다. 또, 1 회에 공급하는 순수 양을 규정하고 있기 때문에, 순수 농도가 허용 범위 내보다 높아지는 경우도 없다.Here, the horizontal dashed line in the upper part of the graph in FIG. 4 represents the lower reference value of the pure water concentration. That is, in the treatment tank 7a, the water evaporates over time, the pure water concentration decreases, and when the lower reference value is reached, an appropriate amount (for example, 100 ml) of pure water is supplied to increase the pure water concentration. Ascend and repeat this control. By this control, the concentration of the aqueous mixed acid solution in the treatment tank 7a is maintained above the lower reference value. In addition, since the amount of pure water to be supplied at one time is prescribed, the pure water concentration is not higher than the allowable range.

또한, 도 4 에 있어서는, 혼산 수용액의 전액 교환의 타이밍으로, 혼산 수용액에 있어서의 순수 농도가 일단, 하측 기준값보다 크게 저하되어 있지만, 그 후, 펄스 표시 (A) 의 간격이 라이프 타임에 있어서의 다른 기간과 비교하여 짧은 것으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 순수의 공급이 짧은 간격으로 반복되고, 비교적 단기간에 순수 농도가 하측 기준값 이상으로 복귀하고 있다. 이것은, 전액 교환시에는, 혼산 수용액에 있어서의 순수 농도가 변동하기 쉽기 때문에, 일단, 순수 농도가 목표치보다 낮은 상태로 하고, 순수를 빈번하게 공급함으로써 순수 농도를 안정시키고자 하는 제어로, 혼산 수용액을 공급함으로써 농도 제어하는 것보다도 제어가 용이하다는 이유에서 채용되어 있다.In Fig. 4, at the timing of the complete liquid exchange of the aqueous mixed acid solution, the concentration of pure water in the mixed aqueous acid solution was once significantly lower than the lower reference value, but thereafter, the interval of the pulse display (A) in the life time. As can be seen from the shorter period compared to other periods, the supply of pure water is repeated at short intervals, and the concentration of pure water returns to the lower reference value or higher in a relatively short period. This is because the concentration of pure water in the mixed acid aqueous solution tends to fluctuate at the time of full liquid exchange, so that the pure water concentration is lower than the target value, and the control to stabilize the pure water concentration by frequently supplying pure water is a mixed acid aqueous solution. It is adopted for the reason that control is easier than concentration control by supplying.

여기서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도를 일정하게 유지한 경우에는, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에 있어서도, 시간의 경과와 함께, 서서히 기판 (W) 의 에칭 레이트가 저하된다는 현상이 보인다. 이것은, 기판 (W) 의 처리 중에 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온의 농도가 높아지고, 이것이 농도계 (24) 의 측정 정밀도를 악화시켜, 겉보기상의 순수 농도와 실제의 순수 농도 사이에 괴리가 발생함으로써 일어나는 것으로 생각된다.Here, as shown in FIG. 4, when the concentration of the aqueous mixed acid solution is kept constant, even during the lifetime of the aqueous mixed acid solution, a phenomenon that the etching rate of the substrate W gradually decreases over time is observed. This is because the concentration of metal ions eluted from the substrate W during the processing of the substrate W increases, which deteriorates the measurement accuracy of the densitometer 24, and separation occurs between the apparent pure water concentration and the actual pure water concentration. It is thought to happen.

또, 혼산은, 인산＋질산＋아세트산＋순수라는, 복수의 성분을 혼합함으로써 형성되어 있고, 인산과 같이 잘 증발하지 않는 산과, 질산, 아세트산과 같이 증발하기 쉬운 산을 포함하고 있으므로, 질산 및 아세트산의 증발분에 의한 순수 농도의 저하가 발생하고, 겉보기상 순수 농도가 적정값으로 유지되고 있어도, 실제의 순수 농도가 낮아지는 것의 영향도 있는 것으로 생각된다.In addition, the mixed acid is formed by mixing a plurality of components such as phosphoric acid + nitric acid + acetic acid + pure water, and contains acids that do not evaporate well, such as phosphoric acid, and acids that are easy to evaporate, such as nitric acid and acetic acid, so that nitric acid and acetic acid Although the decrease in the pure water concentration due to the evaporation of, and the apparently pure water concentration is maintained at an appropriate value, it is considered that there is also an effect that the actual pure water concentration is lowered.

이에 대해, 본 실시예에 있어서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서 시간의 경과와 함께, 혼산 수용액의 농도 제어에 있어서의 하측 기준값의 값을 변화시키기로 하였다. 이에 따라, 겉보기상의 순수 농도와 진정한 순수 농도의 괴리를 캔슬하고, 실질적으로 처리조 (7a) 내의 혼산 수용액의 농도를 적절한 값으로 유지 가능하게 하였다. 도 5 의 예에서는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임 동안에, 예를 들어, 15 (W％) 에서 16 (W％) 까지 증가시킨다. 여기서 순수 농도의 하측 기준값을 증가시키는 처리는 제어부 (55) 에 의해 실행되지만, 그 때의 제어부 (55) 는 목표치 변경부를 구성한다. 또, 순수 농도의 하측 기준값을 증가시키는 처리는 본 발명의 목표치 변경 공정에 상당한다. 또한, 하측 기준값은 본 발명에 있어서의 목표 농도에 상당한다.On the other hand, in this example, as shown in FIG. 5, it was decided to change the value of the lower reference value in the concentration control of the aqueous mixed acid solution over time in the life time of the aqueous mixed acid solution. Thus, the difference between the apparent pure water concentration and the true pure water concentration was canceled, and it was possible to substantially maintain the concentration of the aqueous mixed acid solution in the treatment tank 7a at an appropriate value. In the example of Fig. 5, the lower reference value of the pure water concentration is increased, for example, from 15 (W%) to 16 (W%) during the lifetime of the mixed aqueous solution. Here, the process of increasing the lower reference value of the pure water concentration is executed by the control unit 55, but the control unit 55 at that time constitutes a target value changing unit. Moreover, the process of increasing the lower reference value of the pure water concentration corresponds to the target value changing process of the present invention. In addition, the lower reference value corresponds to the target concentration in the present invention.

상기에 있어서 목표 변경부로서의 제어부 (55) 는, 데이터 테이블에 기초하여, 하측 기준값을 변경해도 된다. 보다 구체적으로는, 미리 정해진 변화 프로파일을 따른 변화가 이루어지는 데이터를 테이블로서 격납해 두어도 된다. 이 변화 프로파일은, 시간 (예를 들어, 라이프 타임의 초기 (t1) 로부터의 경과 시간) 과의 관계에 있어서 하측 기준값의 변화를 정의해도 된다. 상기의 데이터 테이블은, 기억부 (57) 에 보존되어 있어도 되고, 외부 메모리에 보존되어 있어도 된다. 또, 이 변화 프로파일에 대응하는 데이터 테이블은, 조작자에 의해 입력되어도 되고, 미리 복수의 변화 프로파일에 대응하는 데이터 테이블이 준비되어 있고, 조작자가 적절히 선택하도록 해도 된다. 조작자에 의한 입력이나 선택은, 기판 처리 장치 (1) 의 정면 패널로부터 이루어지도록 해도 되고, 외부 컴퓨터나 모바일 단말로부터 통신에 의해 입력되도록 해도 된다.In the above, the control unit 55 as the target changing unit may change the lower reference value based on the data table. More specifically, data that changes according to a predetermined change profile may be stored as a table. This change profile may define a change in the lower reference value in relation to time (for example, elapsed time from the initial (t1) of life time). The above data table may be stored in the storage unit 57 or may be stored in an external memory. Moreover, the data table corresponding to this change profile may be input by an operator, and data tables corresponding to a plurality of change profiles may be prepared in advance, and the operator may select them appropriately. The input or selection by the operator may be made from the front panel of the substrate processing apparatus 1, or may be input by communication from an external computer or mobile terminal.

또, 목표 변경부로서의 제어부 (55) 는, 미리 정해진 조건이 충족되는 타이밍으로, 하측 기준값을 변경해도 된다. 상기의 조건이란, 예를 들어, 기판 (W) 의 처리가 실시되는 타이밍일 것, 처리조 (7a) 에 순수가 공급된 타이밍일 것, 처리가 끝난 기판 (W) 의 수가, 소정 수에 도달한 타이밍일 것 등이어도 된다. 또, 상기의 조건이란, 조작자에 의해 하측 기준값의 변경이 허가된 타이밍인 것이어도 된다. 이 경우에는, 장치에 의한 하측 기준값을 변경하는 취지의 통지에 대하여, 조작자가 매뉴얼로 허가 지시를 내림으로써 하측 기준값이 변경되게 된다.In addition, the control unit 55 as the target changing unit may change the lower reference value at a timing at which a predetermined condition is satisfied. The above conditions are, for example, timing at which the processing of the substrate W is performed, timing at which pure water is supplied to the processing tank 7a, and the number of the processed substrates W reaches a predetermined number. It may be one timing. In addition, the above conditions may be timing at which the change of the lower reference value is permitted by the operator. In this case, the lower reference value is changed by an operator giving a permission instruction manually to the notification of the purpose of changing the lower reference value by the apparatus.

도 6 에는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임인 시점 t1 로부터 시점 t2 사이에, 일정 비율로 증가시켰을 (예를 들어, 15 ％ 에서 16 ％ 등) 경우의, 하측 기준값의 변화의 양태의 예를 나타낸다. 도 6 의 예에서는, 혼산 수용액의 라이프 타임을 n 단계로 등간격으로 구분하고, n 회에 걸쳐 일정한 인터벌로 하측 기준값의 값을 일정량씩 증가시키고 있다. 이렇게 함으로써, 혼산 수용액의 농도 제어의 목표치를 직선적으로 증가시킬 수 있고, 안정적으로 혼산 수용액의 농도를 최적화하는 것이 가능해진다. 또한, 도 6 에 있어서 하측 기준값의 변화를 나타내는 라인은, 본 발명에 있어서의 변경 프로파일에 상당한다. 이것은 이하에 나타내는 각 도면에 있어서의 하측 기준값의 변화의 라인에 대해서도 동일하다.In FIG. 6, the change of the lower reference value when the lower reference value of the pure water concentration was increased at a constant rate (for example, 15% to 16%, etc.) between the time t1 and the time t2 which is the life time of the mixed aqueous solution. An example of the aspect is shown. In the example of FIG. 6, the life time of the aqueous mixed acid solution is divided into n steps at equal intervals, and the value of the lower reference value is increased by a certain amount at a constant interval over n times. By doing so, the target value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution can be linearly increased, and it becomes possible to stably optimize the concentration of the aqueous mixed acid solution. In addition, the line showing the change of the lower reference value in FIG. 6 corresponds to the change profile in the present invention. This is the same also about the line of change of the lower reference value in each figure shown below.

또한, 본 실시예에 있어서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 하측 기준값에 상한값을 정해도 된다. 도 7(a) 및 도 7(b) 에서는, 하측 기준값이 기준값 변동 상한값 (W％) 에 도달한 후에는, 하측 기준값의 증가를 정지시키고 있다. 이에 따르면, 혼산 수용액의 라이프 타임과, 하측 기준값의 증가 인터벌을 어떻게 정한 경우에도, 순수 농도의 목표치가 과잉으로 높아져 버리는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 실시예에 있어서는, 도 7(b) 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 전액 교환한 후에, 소정의 개시 지연 시간을 형성해도 된다. 즉, 혼산 수용액의 전액 교환 후에, 즉시 하측 기준값을 증가시키기 시작할 필요는 없고, 기판 (W) 으로부터 용출한 금속 이온 농도가 높아지거나, 질산이나 아세트산의 증발량이 많아지거나 하고 나서, 하측 기준값의 증가를 개시해도 된다. 이에 따르면, 보다 높은 자유도로, 하측 기준값을 변화시키는 것이 가능하다.In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 7, an upper limit may be determined for the lower reference value. 7(a) and 7(b), the increase of the lower reference value is stopped after the lower reference value reaches the upper limit of the reference value fluctuation (W%). According to this, even if the life time of the mixed acid aqueous solution and the interval for increasing the lower reference value are determined, it is possible to prevent the target value of the pure water concentration from becoming excessively high. In addition, in this embodiment, as shown in Fig. 7(b), after exchanging the whole solution of the mixed aqueous solution, a predetermined start delay time may be formed. That is, it is not necessary to immediately start to increase the lower reference value after the complete liquid exchange of the aqueous mixed acid solution, and after increasing the concentration of metal ions eluted from the substrate W or increasing the amount of evaporation of nitric acid or acetic acid, increase the lower reference value. You may start. According to this, it is possible to change the lower reference value with a higher degree of freedom.

또, 본 실시예에 있어서는, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에, 반드시 등간격으로 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킬 필요는 없다. 도 8 에는, 순수 농도의 하측 기준값을, 혼산 수용액의 라이프 타임의 일례인 720 분 동안에 예를 들어 15 (W％) 에서 16 (W％) 까지 증가시켰을 경우의, 하측 기준값의 변화의 양태의 예를 나타낸다. 도 8 의 예에서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) ⇒ 60 분 (3600 초) ⇒ 30 분 (1800 초) 으로 변경하고, 그 후, 농도 제어의 하측 기준값의 변화를 일단 정지시키고 (인터벌 시간 30 분 (1800 초) ⇒ 0 분 (0 초)), 또한, 인터벌 시간을 0 분 (0 초) ⇒ 60 분 (3600 초) 으로 변화시키고 있다.Moreover, in this embodiment, it is not necessary to increase the lower reference value of the concentration control at equal intervals during the life time of the aqueous mixed acid solution. In FIG. 8, an example of a mode of change of the lower reference value when the lower reference value of the pure water concentration is increased from 15 (W%) to 16 (W%), for example, during 720 minutes, which is an example of the life time of the mixed aqueous solution, Indicates. In the example of Fig. 8, after the elapse of the first variation start delay time of 60 minutes (3600 seconds), the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds) ⇒ 60 minutes (3600 seconds) ⇒ 30 minutes (1800) Seconds), and then stop the change of the lower reference value of the density control (interval time 30 minutes (1800 seconds) ⇒ 0 minutes (0 seconds)), and also the interval time 0 minutes (0 seconds) ⇒ It is changing to 60 minutes (3600 seconds).

이와 같이, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서, 인터벌 시간을 자유롭게 변경하는 것이 가능하다. 또, 혼산 수용액의 라이프 타임 중에서, 혼산 수용액 중에 축적된 금속 이온 농도가 일정치 이상으로 높아져 농도계의 측정 정밀도에 대한 영향이 현저하게 나타나는 경우에는, 혼산 수용액의 라이프 타임의 일례인 720 분 중에서, 인터벌 시간을 서서히 짧게 하는 등의 변화를 시켜도 된다.In this way, it is possible to freely change the interval time in the life time of the aqueous mixed acid solution. Moreover, in the life time of the aqueous solution of the mixed acid, when the concentration of the metal ion accumulated in the aqueous solution of the mixed acid becomes higher than a certain value and the influence on the measurement accuracy of the densitometer is remarkable, the interval is measured in 720 minutes, which is an example of the life time of the aqueous mixed solution. You may make changes, such as shortening the time gradually.

＜실시예 2＞<Example 2>

다음으로, 본 발명의 실시예 2 에 대해 설명한다. 실시예 1 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 변화량은 일정하게 하고 변화 시간에 기초하여 제어한 것에 대하여, 본 발명의 실시예 2 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 그 변화폭을 변동시키면서 제어하는 점에서 상이하다.Next, Example 2 of the present invention will be described. In Example 1, the increase in the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution was controlled based on the change amount while the change amount was constant. In Example 2 of the present invention, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution. It is different in that it controls while changing the change width.

도 9 에 있어서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) 으로 하고, 최초 2 회의 인터벌에 관해서는 인터벌마다 D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고 3 번째와 4 번째의 인터벌 경과시에 있어서는 2*D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고, 그 후, 농도 제어의 하측 기준값의 변화를 일단 정지시키고 (증가폭 (오프셋) = 0), 또한, D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 변화시키고 있다.In Fig. 9, after the elapse of the first variation start delay time of 60 minutes (3600 seconds), the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds), and the interval is D for the first two intervals. The increase width (offset) of (W%) is set as the increase width (offset) of 2*D (W%) when the 3rd and 4th intervals have elapsed, and then the change of the lower reference value of the density control is stopped once. (Increasing width (offset) = 0), and changing to an increasing width (offset) of D (W%).

또, 본 실시예에 있어서는, 농도 제어의 하측 기준값의 증가폭의 변화량은 일정하게 해도 되고, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 인터벌 사이의 시간에, 과거의 증가폭의 합계치를 증가폭으로 하여, 농도 제어의 하측 기준값을 증가시켜도 상관없다. 도 10 에 있어서는, 첫회 변동 개시 지연 시간 60 분 (3600 초) 의 경과 후, 농도 제어의 하측 기준값을 변화시키는 인터벌 시간을 90 분 (5400 초) 으로 하고, 기본적으로는 인터벌마다 D (W％) 의 증가폭 (오프셋) 으로 하고, 소정의 인터벌 사이의 타이밍으로, 과거의 증가폭의 합계치를 증가폭으로 하여, 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고 있다. 이 타이밍은, 미리 프로그램에 의해 결정하도록 해도 되고, 사용자가 매뉴얼로 증가시키도록 해도 된다.Further, in the present embodiment, the amount of change in the increase width of the lower reference value of the concentration control may be constant, and as shown in FIG. 10, the total value of the past increase width as the time between intervals is the increase width, and the lower side of the concentration control. You may increase the reference value. In Fig. 10, after the elapse of the first variation start delay time of 60 minutes (3600 seconds), the interval time for changing the lower reference value of the concentration control is 90 minutes (5400 seconds), and basically D (W%) for each interval. The lower reference value of the concentration control is increased by setting the increment (offset) of and the sum of the past increments at the timing between predetermined intervals. The timing may be determined by a program in advance, or may be increased manually by a user.

＜실시예 3＞<Example 3>

다음으로, 본 발명의 실시예 3 에 대해 설명한다. 실시예 3 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 기판 (W) 의 처리량과 관련지어 제어하는 예에 대해 설명한다.Next, Example 3 of the present invention will be described. In Example 3, an example of controlling the increase in the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution in association with the throughput of the substrate W will be described.

본 실시예에 있어서는, 예를 들어, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 순수의 보충 타이밍마다 증가시키도록 해도 된다. 도 11 에 있어서, 세로축은 순수 농도 제어의 하측 기준값 (W％), 가로축은 시간을 나타낸다. 또, 그래프 하부의 펄스 형상의 표시는, 순수의 보충 타이밍이다. 여기서, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시된 직후에는 순수가 보충되는 경우가 많고, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시되는 타이밍과, 순수가 보충되는 타이밍 사이에는 높은 상관이 보인다.In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 11, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution may be increased for each supplementary timing of pure water. In Fig. 11, the vertical axis represents the lower reference value (W%) of pure water concentration control, and the horizontal axis represents time. In addition, the pulse-shaped display at the bottom of the graph is a timing for supplementing pure water. Here, the pure water is often replenished immediately after the processing of the substrate W in the processing tank 7a, and the timing at which the processing of the substrate W is performed in the processing tank 7a and the timing at which the pure water is replenished There is a high correlation between them.

따라서, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 순수의 보충 타이밍마다 증가시키도록 하면, 처리조 (7a) 에 있어서 기판 (W) 의 처리가 실시되는 것과, 높은 상관을 가져, 하측 기준값을 증가시킬 수 있다. 이에 따르면, 혼산 수용액의 순수 농도를 보다 용이하게, 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.Therefore, as shown in Fig. 11, if the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased at each supplementary timing of pure water, the treatment of the substrate W in the processing tank 7a is performed, and a high correlation is obtained. In addition, the lower reference value can be increased. According to this, it becomes possible to more easily and maintain the pure concentration of the aqueous mixed acid solution at an appropriate value.

또, 본 실시예에 있어서는, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 증가시키도록 해도 된다. 여기서, 처리조 (7a) 에서 기판 (W) 의 처리가 실시된 후에는 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 경향이 있다. 따라서, 도 12 에 나타낸 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다 증가시키도록 하면, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 타이밍에 맞추어, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고, 보다 순수의 공급이 이루어지기 쉬워지는 제어를 실시할 수 있다. 그 결과, 혼산 수용액의 순수 농도를 보다 확실하게, 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다.In addition, in this embodiment, as shown in Fig. 12, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous acid solution may be increased whenever the processing (batch processing) of the substrate W is performed. Here, after the processing of the substrate W in the treatment tank 7a, the amount of metal ions accumulated in the mixed aqueous solution tends to increase. Therefore, as shown in Fig. 12, when the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased each time the processing (batch processing) of the substrate W is performed, the timing of the amount of metal ions accumulated in the aqueous mixed acid solution increases. In accordance with this, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution can be increased, and control to more easily supply pure water can be performed. As a result, it becomes possible to more reliably and properly maintain the pure concentration of the mixed aqueous acid solution.

또한, 본 실시예에 있어서는, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 인터벌을 짧게 하거나, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 가 실시될 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킬 때의 증가폭을 크게 하는 등의 제어를 실시해도 상관없다.Further, in this embodiment, each time the processing (batch processing) of the substrate W is performed, the interval for increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution is shortened, or the processing of the substrate W (batch processing) Whenever is carried out, control such as increasing the increase width when increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution may be performed.

그 외, 본 실시예에 있어서는, 예를 들어, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조 (7a) 에 있어서 처리된 기판 (W) 의 매수에 따라 증가시켜도 상관없다. 도 13 에 있어서, 가로축은 시간이고, 세로축은 하측 기준값과 기판 (W) 의 처리 매수를 나타내고 있다. 도 중 파선으로 나타내는 라인은 기판 (W) 의 처리 매수를 나타내고 있고, 도 중 실선으로 나타내는 라인은 하측 기준값을 나타내고 있다. 그리고, 도 13 에 있어서는, 처리조 (7a) 에 있어서 처리된 기판 (W) 의 매수가 소정 매수 (예를 들어, 50 매) 증가할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키고 있다.In addition, in this embodiment, for example, as shown in FIG. 13, even if the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution is increased according to the number of substrates W processed in the treatment tank 7a, it may be correlated. none. In Fig. 13, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the lower reference value and the number of treatments of the substrate W. The line indicated by the broken line in FIG. 2 indicates the number of processing of the substrate W, and the line indicated by the solid line in FIG. 2 indicates the lower reference value. 13, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased whenever the number of sheets of the substrate W processed in the processing tank 7a increases by a predetermined number (for example, 50 sheets). .

이에 따르면, 처리된 기판 (W) 의 수가 예를 들어 50 매 증가함으로써, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량이 증가하는 것에, 보다 직접적으로 대응하는 것이 가능해진다. 즉, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온량은, 처리된 기판 (W) 의 수와의 상관이 매우 높은 것으로 생각되므로, 보다 확실하게, 혼산 수용액 중에 축적되는 금속 이온의 증가에 의한, 겉보기상의 순수 농도와 실제의 순수 농도의 괴리에 대응할 수 있다. 또, 기판 (W) 의 처리 (배치 처리) 마다 처리하는 반도체 웨이퍼의 매수가 상이하였다 하더라도, 보다 양호한 정밀도로, 각 시점에 있어서 처리에 최적인 순수 농도의 혼산 수용액을 얻는 것이 가능하다.According to this, by increasing the number of the processed substrates W, for example, 50 sheets, it becomes possible to more directly respond to the increase in the amount of metal ions accumulated in the aqueous mixed acid solution. That is, since the amount of metal ions accumulated in the aqueous mixed acid solution is considered to have a very high correlation with the number of the substrates W treated, more reliably, the apparent pure concentration by the increase of the metal ions accumulated in the mixed aqueous acid solution It can cope with the difference in actual pure concentration. Moreover, even if the number of semiconductor wafers to be processed differs for each treatment (batch processing) of the substrate W, it is possible to obtain a mixed aqueous solution of pure concentration with optimum precision at each point in time, with better precision.

＜실시예 4＞<Example 4>

다음으로, 본 발명의 실시예 4 에 대해 설명한다. 실시예 4 에 있어서는, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 증가를, 기판 (W) 의 처리량과 관련지어 제어하는 예로서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조에 있어서의 에칭량의 누적치에 따라, 증가시키는 예에 대해 설명한다.Next, Example 4 of the present invention will be described. In Example 4, as an example of controlling the increase in the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution in association with the throughput of the substrate W, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous aqueous solution is the cumulative value of the etching amount in the treatment tank. Accordingly, an example of increasing is described.

여기서, 기판 (W) 의 종류에 따라 1 회의 처리에 있어서의 에칭량이 상이하고, 동일한 매수를 처리한 경우이더라도, 기판 (W) 의 종류에 의해 혼산 수용액의 농도 변화가 상이한 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에 있어서는, 기판 (W) 의 종류에 따라 기판 (W) 을 1 매 처리할 때마다의 에칭량에 대하여 중량 계수에 의해 가중치를 부여해 둔다. 그리고, 각 기판 (W) 의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여 에칭량의 누적치를 산출하고, 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키기로 하였다.Here, it can be seen that, depending on the type of the substrate W, the amount of etching in one treatment is different, and even in the case where the same number of sheets is processed, the concentration change of the mixed acid aqueous solution varies depending on the type of the substrate W. Therefore, in this embodiment, according to the type of the substrate W, a weight is given to the etching amount each time the substrate W is processed by weight factor. Then, the cumulative value of the etching amount was calculated based on the weight coefficient of each substrate W and the number of treatments, and it was decided to increase the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution whenever the cumulative value of the etching amount reached a predetermined amount.

도 14 에는, 본 실시예에 있어서 3 종류의 기판 (W) 을 처리했을 경우의 에칭량의 누적치와, 그에 따른 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 변화의 예를 나타낸다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, A, B, C 의 3 종류의 기판 (W) 에 대해 배치 처리를 실시한다. 그리고, A, B, C 각각의 기판 (W) 에 있어서의 에칭량의 중량 계수는 10, 2, 30 으로 하고 있다. 또, 본 실시예에서는 각 기판 (W) 에 대하여 처리 매수 × 중량 계수를 계산하고, 그것을 모든 기판에 대해 합산함으로써 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 각 기판 (W) 의 1 회 처리에 있어서의 처리 매수를 n 으로 했을 경우에, 에칭량의 누적치가 12n 에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시키는 것으로 하였다.Fig. 14 shows an example of a change in the cumulative value of the etching amount when the three types of substrates W are treated in this embodiment, and the change in the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution. As shown in Fig. 14, in this embodiment, batch processing is performed on three types of substrates W of A, B, and C. In addition, the weight coefficient of the etching amount in each board|substrate W of A, B, and C is 10, 2, and 30. Further, in this embodiment, the number of treatments x weight coefficient is calculated for each substrate W, and the cumulative value of the etching amount is calculated by adding it to all the substrates. Then, when the number of treatments in one treatment of each substrate W was n, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution was increased by one step each time the cumulative value of the etching amount reached 12n.

도 14 에 나타낸 예에서는, 처리 개시 후, 먼저 n 매의 A 기판이 배치 처리된다. A 기판의 중량 계수는 10 이므로, 이 시점의 에칭량의 누적치는 10n 이다. 다음으로, n 매의 B 기판이 배치 처리된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 에칭량 2n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 12n 에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.In the example shown in Fig. 14, after the start of processing, first, n sheets of A substrates are batch processed. Since the weight coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etching amount at this point is 10n. Next, n B substrates are batch-processed. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by one step.

다음으로, 본 실시예에서는 n 매의 C 기판이 처리된다. C 기판의 중량 계수는 30 이므로, 에칭량 30n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 42n 에 도달하고, 임계치 12n 의 3 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 2 단계 증가시킨다.Next, in this embodiment, n C substrates are processed. Since the weight coefficient of the C substrate is 30, the etching amount 30n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 42n and exceeds 3 times the threshold 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by 2 steps.

그 후, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 3 회 반복된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 처리 때마다, 에칭량 2n 이 가산되고, 에칭량의 누적치가 44n, 46n, 48n 으로 증가한다. 그리고, 이 시점에서 임계치 12n 의 4 배에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 1 단계 증가시킨다.Then, in this embodiment, the processing of n sheets of B substrates is repeated three times. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added with each treatment, and the cumulative value of the etching amount increases to 44n, 46n, and 48n. Then, at this point, four times the threshold 12n is reached. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by one step.

그 후, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 50n 이 되고, 계속해서 n 매의 C 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 80n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 6 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 2 단계 증가시킨다.Thereafter, in this embodiment, the processing of n B substrates is performed, the accumulated value of the etching amount becomes 50 n, and then the processing of n C substrates is performed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 80n, and it exceeds 6 times the threshold 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is further increased by 2 steps.

또한, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 82n 이 되고, 계속해서 n 매의 A 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 92n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 7 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 1 단계 증가시킨다.In addition, in this embodiment, the processing of n B substrates is performed, the cumulative value of the etching amount is 82n, and then the processing of n A substrates is performed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 92n, and it exceeds 7 times the threshold 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by one step.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 처리되는 기판마다 중량 계수에 의해 에칭량의 가중치를 부여하고, 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여, 복수 종류의 기판의 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 이 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 보다 양호한 정밀도로, 혼산 수용액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 처리액의 라이프 타임 중에 복수 종류의 기판이 처리되는 경우에 대해 설명했지만, 처리액의 라이프 타임 중에 1 종류만의 기판이 처리되는 경우에도, 당해 기판 (W) 의 에칭량의 누적치를 산출하고, 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키도록 해도 상관없다.As described above, in this embodiment, the weight of the etching amount is weighted by the weight coefficient for each substrate to be processed, and the cumulative value of the etching amount of a plurality of types of substrates is based on the weight coefficient of each substrate and the number of treatments. Calculate. Then, whenever the cumulative value of the etching amount reached a predetermined amount, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution was set to increase by a predetermined amount. According to this, it becomes possible to maintain the concentration of pure water or other predetermined components of the mixed aqueous solution at an appropriate value with better precision. Further, in the present embodiment, the case where a plurality of types of substrates are processed during the life time of the processing liquid was described, but even when only one type of substrate is processed during the life time of the processing liquid, the substrate W The accumulated value of the etching amount may be calculated, and the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution may be increased by a predetermined amount each time the accumulated value of the etching amount reaches a predetermined amount.

＜실시예 5＞<Example 5>

다음으로, 본 발명의 실시예 5 에 대해 설명한다. 실시예 5 에 있어서는, 실시예 4 와 마찬가지로, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을, 처리조에 있어서의 에칭량의 누적치에 따라 증가시키는 예로서, 또한, 소정의 대기 시간이 경과해도 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 예에 대해 설명한다.Next, Example 5 of the present invention will be described. In Example 5, as in Example 4, as an example of increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution according to the cumulative value of the etching amount in the treatment tank, the substrate can be processed even if a predetermined waiting time has elapsed. Even when not implemented, an example of increasing the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous acid solution will be described.

여기서, 기판 (W) 의 처리가 전혀 실시되지 않는 경우이더라도, 어느 정도의 시간이 경과하면, 증발이나 분해에 의해, 혼산 수용액의 농도가 변화되어 버리는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시예에 있어서는, 처리되는 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하는 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키고, 또한, 소정의 대기 시간이 경과해도, 어느 기판 (W) 의 처리도 실시되지 않았던 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시키는 것으로 하였다.Here, it can be seen that even when the substrate W is not treated at all, the concentration of the mixed acid aqueous solution changes by evaporation or decomposition when a certain amount of time has elapsed. Therefore, in this embodiment, whenever the cumulative value of the etching amount based on the weight coefficient and the number of treatments of each substrate to be processed reaches a predetermined amount, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous acid solution is increased by a predetermined amount, Even when a predetermined waiting time elapsed, it was decided to increase the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution even when no substrate W was treated.

도 15 에는, 본 실시예에 있어서 3 종류의 기판 (W) 을 처리한 매수와, 그에 따른 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값의 변화의 예를 나타낸다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서도, A, B, C 의 3 종류의 기판 (W) 에 대해 배치 처리를 실시하고, A, B, C 각각의 기판 (W) 에 있어서의 에칭량의 중량 계수는 10, 2, 30 으로 한다.Fig. 15 shows an example of the change in the number of sheets treated with three types of substrates W in the present embodiment, and thus the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution. As shown in Fig. 15, also in this embodiment, batch processing is performed on three types of substrates W of A, B, and C, and the amount of etching on each of substrates A, B, and C is etched. The weight coefficient of is 10, 2, 30.

또, 본 실시예에 있어서도 각 기판 (W) 에 대하여 처리 매수 × 중량 계수를 계산하고, 그것을 모든 기판에 대해 합산함으로써 에칭량의 누적치를 산출한다. 그리고, 각 기판 (W) 의 1 회 처리에 있어서의 처리 매수를 n 으로 한 경우에, 에칭량의 누적치가 12n 에 도달할 때마다 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다. 또, 소정의 대기 시간 (T) 동안에, 어느 기판 (W) 의 처리도 실시되지 않은 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 증가시킨다.In addition, also in this embodiment, the number of treatments x weight coefficient is calculated for each substrate W, and the accumulated value of the etching amount is calculated by adding it to all the substrates. Then, when the number of treatments in one treatment of each substrate W is n, the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution is increased by one step each time the cumulative value of the etching amount reaches 12n. In addition, even if the treatment of any substrate W is not performed during the predetermined waiting time T, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous acid solution is increased.

도 15 에 나타낸 예에서는, 처리 개시 후, 먼저 n 매의 A 기판이 배치 처리된다. A 기판의 중량 계수는 10 이므로, 이 시점의 에칭량의 누적치는 10n 이다. 다음으로, n 매의 B 기판이 배치 처리된다. B 기판의 중량 계수는 2 이므로, 에칭량 2n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 12n 에 도달한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.In the example shown in Fig. 15, after the start of processing, first, n sheets of A substrates are batch-processed. Since the weight coefficient of the A substrate is 10, the cumulative value of the etching amount at this point is 10n. Next, n B substrates are batch-processed. Since the weight coefficient of the B substrate is 2, the etching amount 2n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by one step.

다음으로, 본 실시예에서는 n 매의 C 기판이 처리된다. C 기판의 중량 계수는 30 이므로, 에칭량 30n 이 가산되고, 이 시점에서 에칭량의 누적치가 42n 에 도달하고, 임계치 12n 의 3 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 2 단계 증가시킨다.Next, in this embodiment, n C substrates are processed. Since the weight coefficient of the C substrate is 30, the etching amount 30n is added, and at this point, the cumulative value of the etching amount reaches 42n and exceeds 3 times the threshold 12n. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is increased by 2 steps.

그 후, 본 실시예에서는 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는다. 따라서, 에칭량의 누적치가 42n 에 도달한 후, 대기 시간 (T) 이 경과한 시점에서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.Thereafter, in the present embodiment, during the waiting time T, no processing of any substrate is performed. Therefore, after the cumulative value of the etching amount reaches 42n, when the waiting time T elapses, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution is increased by one step.

또한, 본 실시예에서는 n 매의 B 기판의 처리가 실시되고, 에칭량의 누적치가 44n 이 되고, 계속해서 n 매의 C 기판의 처리가 실시된다. 그렇게 하면, 에칭량의 누적치가 74n 이 되고, 이 시점에서 임계치 12n 의 6 배를 초과한다. 따라서, 이 시점에서 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 더 3 단계 증가시킨다.In addition, in this embodiment, the processing of n B substrates is performed, the cumulative value of the etching amount is 44n, and then the processing of n C substrates is performed. Then, the cumulative value of the etching amount becomes 74n, and it exceeds 6 times the threshold 12n at this point. Therefore, at this point, the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution is further increased by 3 steps.

그 후, 본 실시예에서는 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는다. 따라서, 에칭량의 누적치가 74n 에 도달한 후, 대기 시간 (T) 이 경과한 시점에서, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 1 단계 증가시킨다.Thereafter, in the present embodiment, during the waiting time T, no processing of any substrate is performed. Therefore, after the cumulative value of the etching amount reaches 74n, when the waiting time T elapses, the lower reference value of the concentration control of the mixed aqueous solution is increased by one step.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 각 기판의 중량 계수와 처리 매수에 기초하여, 복수 종류의 기판의 에칭량의 누적치를 산출하고, 이 에칭량의 누적치가 소정량에 도달할 때마다, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시킨다. 그리고, 대기 시간 (T) 동안, 어느 기판의 처리도 실시되지 않는 경우에도, 혼산 수용액의 농도 제어의 하측 기준값을 소정량 증가시키는 것으로 하였다. 이에 따르면, 더욱 양호한 정밀도로, 혼산 수용액의 순수 또는 다른 소정 성분의 농도를 적절한 값으로 유지하는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시예에 나타낸 제어에 대해서도, 처리액의 라이프 타임 중에 1 종류만의 기판이 처리되는 경우에 적용하는 것이 가능하다.As described above, in this embodiment, based on the weight coefficient of each substrate and the number of treatments, the cumulative values of the etch amounts of a plurality of types of substrates are calculated, and each time the cumulative value of the etch amounts reaches a predetermined amount. , Increase the lower reference value of the concentration control of the mixed acid aqueous solution to a predetermined amount. Then, during the waiting time T, even when no substrate treatment was performed, it was assumed that the lower reference value of the concentration control of the aqueous mixed acid solution was increased by a predetermined amount. According to this, it becomes possible to maintain the concentration of pure water or other predetermined components of the mixed aqueous solution at an appropriate value with higher precision. The control shown in the present embodiment can also be applied when only one type of substrate is processed during the lifetime of the processing liquid.

상기 실시예에 있어서는, 혼산 수용액의 구성 성분 중, 순수를 공급함으로써 순수 농도를 제어하는 예에 대해 설명했지만, 혼산 수용액의 다른 소정 성분, 즉, 인산, 질산, 아세트산 중 어느 것의 성분을 공급함으로써 혼산의 농도 제어를 실시해도 상관없다. 또, 상기 실시예는 처리액이 혼산 수용액인 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 인산 등 다른 처리액에도 적용 가능하다.In the above embodiment, an example of controlling the concentration of pure water by supplying pure water among constituent components of the mixed acid aqueous solution was described, but mixed acid is supplied by supplying other predetermined components of the mixed acid aqueous solution, that is, phosphoric acid, nitric acid, or acetic acid. You may perform concentration control of the. Moreover, although the said Example demonstrated the case where a processing liquid is a mixed-acid aqueous solution, this invention is applicable also to other processing liquids, such as phosphoric acid.

또, 상기 실시예에 있어서는, 농도계 (24) 는 인 라인 방식의 것이었지만, 샘플링 방식의 것을 채용해도 된다. 또, 혼산 수용액의 농도 제어를 위해서, 순수 등의 성분 농도가 아니라, Ph 나 도전율 등, 농도와 상관이 높은 다른 파라미터를 검출함으로써, 농도로 환산해도 된다. 또, 상기 실시예에 있어서는 순수의 보충은 처리조 (7a) 의 내조 (50a) 에 실시하고 있었지만, 이것을 외조 (50b) 에 실시하도록 해도 된다. 또한, 상기 실시예에서는 순수 등의 보충량의 제어는 순수 보충 밸브 (49) 의 개폐에 의해 실시하고 있었지만, 이것을 펌프의 제어에 의해 적당량을 보충하도록 해도 상관없다.Further, in the above embodiment, the densitometer 24 is an in-line method, but a sampling method may be employed. In addition, in order to control the concentration of the aqueous mixed acid solution, the concentration may be converted by detecting other parameters having a high correlation with concentration, such as Ph and conductivity, rather than the concentration of components such as pure water. In addition, in the above embodiment, the replenishment of pure water was performed in the inner tank 50a of the treatment tank 7a, but this may be performed in the outer tank 50b. In addition, in the above embodiment, the control of the amount of replenishment such as pure water was performed by opening and closing the pure water replenishment valve 49, but it is also possible to make the appropriate amount replenished by controlling the pump.

게다가, 상기 실시예에 있어서는, 목표치 변경부는, 하측 기준값을 자동적으로 변화시켰지만, 조작자 (실제 사람이나 온라인상의 조작 단말을 조작하는 사람) 에 대하여 목표치를 변경하는 가부 (可否) 를 확인해도 된다. 구체적으로는, 목표치를 변경해야 하는 취지를 정면 패널에 표시하고, 조작자의 허가가 있던 경우에는 목표치를 변화시키고, 불허가인 경우에는 목표치를 유지하도록 해도 된다.Further, in the above embodiment, the target value changing unit automatically changes the lower reference value, but you may confirm whether or not to change the target value for the operator (the actual person or the person operating the online operating terminal). Specifically, the purpose of changing the target value may be displayed on the front panel, the target value may be changed when the operator has permission, and the target value may be maintained when the permission is not granted.

1 : 기판 처리 장치
2 : 버퍼부
3 : 기판 반출입구
5, 7, 9 : 처리부
5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b : 처리조
11, 13, 15 : 리프터
17 : 주반송 기구
20 : 순환 라인
24 : 농도계
40 : 농도 제어 장치
43 : 부반송 기구
50a : 내조
50b : 외조
55 : 제어부
57 : 기억부1: Substrate processing device
2: Buffer part
3: Substrate carrying in/out
5, 7, 9: processing unit
5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b: treatment tank
11, 13, 15: lifter
17: main transport mechanism
20: circulation line
24: concentration meter
40: concentration control device
43: sub-transport mechanism
50a: inner house
50b: external tone
55: control unit
57: memory

Claims (26)

적어도 인산을 포함하는 2 종 이상의 산성 약액 및 순수를 포함하는 혼산 (混酸) 수용액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
상기 기판에 상기 소정의 처리를 실시하기 위한 상기 혼산 수용액이 저류된 처리조와,
상기 처리조 중의 상기 혼산 수용액의 라이프 타임에 맞추어 그 혼산 수용액을 교환하는 처리액 교환부와,
상기 혼산 수용액에 있어서의 순수의 농도를 검출하는 검출부와,
상기 검출부에 의해 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 처리조 중의 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 농도 제어부와,
상기 혼산 수용액의 전액 교환이 종료된 후, 또한 상기 소정의 처리를 실시하는 기간으로서, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에 상기 목표 농도를 상승시키는 목표치 변경부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a mixed acid aqueous solution containing at least two acidic chemical liquids and pure water containing at least phosphoric acid,
A treatment tank in which the mixed aqueous solution for performing the predetermined treatment on the substrate is stored;
A treatment liquid exchange unit for exchanging the mixed aqueous solution according to the life time of the mixed aqueous solution in the treatment tank,
A detection unit for detecting the concentration of pure water in the mixed aqueous solution,
A concentration control unit that controls the concentration to be a predetermined target concentration by supplying pure water to the mixed aqueous solution in the treatment tank based on the concentration detected by the detection unit;
A target value changing unit that increases the target concentration in the middle of the life time of the mixed aqueous solution as a period for performing the predetermined treatment after the complete liquid exchange of the mixed aqueous solution is finished.
It characterized in that it comprises a substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 목표 농도에 상한값을 형성한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The target value changing unit is characterized in that an upper limit value is formed in the target concentration. 제 1 항에 있어서,
상기 혼산 수용액은, 상기 2 종 이상의 산성 약액 중 각각은 휘발성이 서로 상이한 혼산 수용액이고,
상기 농도 제어부는, 상기 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The mixed acid aqueous solution, each of the two or more acidic chemicals are mixed acid aqueous solutions having different volatility,
The concentration controller controls the pure water concentration of the aqueous mixed acid solution to be a predetermined target concentration by supplying pure water to the aqueous mixed acid solution. 제 1 항에 있어서,
상기 혼산 수용액은, 인산, 질산, 아세트산 및 순수를 포함하는 혼산 수용액이고,
상기 농도 제어부는, 상기 혼산 수용액에 순수를 공급함으로써 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The aqueous mixed acid solution is a mixed acid aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and pure water,
The concentration controller controls the pure water concentration of the aqueous mixed acid solution to be a predetermined target concentration by supplying pure water to the aqueous mixed acid solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit increases the target concentration at regular intervals during the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit changes the profile of changing the target concentration by changing the timing at which the target concentration is increased during the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit changes the profile of changing the target concentration by changing the rising width at the time of raising the target value in the middle of the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit increases the target concentration when the processing of the substrate is performed during the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit increases the target concentration when the pure water is supplied during the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit increases the target concentration when a predetermined number of the substrates are processed during the life time of the mixed aqueous solution. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The target value changing unit increases the target concentration when the throughput based on the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processing of the substrate is a predetermined amount. 제 11 항에 있어서,
상기 혼산 수용액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고,
상기 목표치 변경부는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
During the lifetime of the mixed aqueous solution, a plurality of types of substrates are processed,
The target value changing unit increases the target concentration when the total amount of the throughput based on the weight coefficient and the number of processing of the substrate is a predetermined amount for each of the plurality of kinds of substrates. Substrate processing device. 제 11 항에 있어서,
상기 목표치 변경부는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The target value changing unit increases the target concentration when the processing of the substrate is not performed for a predetermined waiting time during the life time of the mixed aqueous solution. 적어도 인산을 포함하는 2 종 이상의 산성 약액 및 순수를 포함하여 처리조에 저류된 혼산 수용액에 기판을 침지시킴으로써 그 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
상기 혼산 수용액의 라이프 타임에 맞추어 그 혼산 수용액을 교환하는 처리액 교환 공정과,
상기 혼산 수용액에 있어서의 순수의 농도를 검출하는 농도 검출 공정과,
상기 농도 검출 공정에 있어서 검출된 상기 농도에 기초하여, 상기 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 처리조 중의 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 농도 제어 공정과,
상기 혼산 수용액의 전액 교환이 종료된 후, 또한 상기 소정의 처리를 실시하는 기간으로서, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임의 도중에 상기 목표 농도를 상승시키는 목표치 변경 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for performing a predetermined treatment on a substrate by immersing the substrate in a mixed acid aqueous solution stored in a treatment tank containing at least two kinds of acidic chemicals containing phosphoric acid and pure water,
A treatment liquid exchange step of exchanging the mixed aqueous solution according to the life time of the mixed aqueous solution;
A concentration detection step of detecting the concentration of pure water in the mixed aqueous solution;
A concentration control step of supplying pure water to the mixed aqueous solution in the treatment tank so that the concentration becomes a predetermined target concentration based on the concentration detected in the concentration detection step;
A target value changing step of increasing the target concentration during the life time of the mixed aqueous solution as a period for performing the predetermined treatment after the complete liquid exchange of the mixed aqueous solution is finished.
It characterized in that it comprises a substrate processing method. 제 14 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도에 상한값이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
In the target value changing step, an upper limit value is formed in the target concentration. 제 14 항에 있어서,
상기 혼산 수용액은, 상기 2 종 이상의 산성 약액 중 각각은 휘발성이 서로 상이한 혼산 수용액이고,
상기 농도 제어 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The mixed acid aqueous solution, each of the two or more acidic chemicals are mixed acid aqueous solutions having different volatility,
In the concentration control step, the substrate processing method characterized in that pure water is supplied to the aqueous mixed acid solution so that the pure water concentration of the aqueous mixed acid solution becomes a predetermined target concentration. 제 14 항에 있어서,
상기 혼산 수용액은, 인산, 질산, 아세트산 및 순수를 포함하는 혼산 수용액이고,
상기 농도 제어 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 순수 농도가 소정의 목표 농도가 되도록 상기 혼산 수용액에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The aqueous mixed acid solution is a mixed acid aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and pure water,
In the concentration control step, the substrate processing method characterized in that pure water is supplied to the aqueous mixed acid solution so that the pure water concentration of the aqueous mixed acid solution becomes a predetermined target concentration. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 일정 시간마다 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the step of changing the target value, the substrate processing method is characterized in that the target concentration is increased every predetermined time. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표 농도를 상승시키는 타이밍을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the target value changing step, a substrate processing method characterized in that a change profile of the target concentration is changed by changing a timing at which the target concentration is raised. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 목표치를 상승시킬 때의 상승 폭을 변경함으로써, 상기 목표 농도의 변경 프로파일을 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the step of changing the target value, a substrate processing method characterized in that a change profile of the target concentration is changed by changing a rising width when the target value is raised. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the target value changing step, when the substrate is processed, the target concentration is raised. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 순수의 공급이 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the target value changing step, when the pure water is supplied, the target concentration is raised. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 소정 매수의 상기 기판의 처리가 실시된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the target value changing step, when the predetermined number of substrates are processed, the target concentration is increased. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 기판의 처리에 있어서의 처리의 정도를 나타내는 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 14 to 17,
In the target value changing step, the target concentration is increased when the throughput based on the weight coefficient indicating the degree of processing in the processing of the substrate and the number of processing of the substrate is a predetermined amount. Way. 제 24 항에 있어서,
상기 혼산 수용액의 라이프 타임 중에, 복수 종류의 기판을 처리하고,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 복수 종류의 기판 중 각 종류의 기판에 대한, 상기 중량 계수와 상기 기판의 처리 매수에 기초하는 처리량의 합계량이 소정량이 된 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 24,
During the lifetime of the mixed aqueous solution, a plurality of types of substrates are processed,
In the target value changing step, the target concentration is increased when the total amount of the throughput based on the weight coefficient and the number of processing of the substrate is a predetermined amount for each of the plurality of kinds of substrates. Substrate processing method. 제 24 항에 있어서,
상기 목표치 변경 공정에 있어서는, 상기 혼산 수용액의 라이프 타임 중에 있어서, 소정의 대기 시간 동안에 상기 기판의 처리가 실시되지 않는 경우에, 상기 목표 농도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 24,
In the target value changing step, in the life time of the mixed aqueous solution, the target concentration is raised when the processing of the substrate is not performed for a predetermined waiting time.
KR1020190126776A 2016-09-23 2019-10-14 Substrate treating device and substrate treating method KR102135000B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016185859 2016-09-23
JPJP-P-2016-185859 2016-09-23
JP2017157569A JP6947346B2 (en) 2016-09-23 2017-08-17 Substrate processing equipment and substrate processing method
JPJP-P-2017-157569 2017-08-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170118716A Division KR20180033072A (en) 2016-09-23 2017-09-15 Substrate treating device and substrate treating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190120736A KR20190120736A (en) 2019-10-24
KR102135000B1 true KR102135000B1 (en) 2020-07-16

Family

ID=61837105

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170118716A KR20180033072A (en) 2016-09-23 2017-09-15 Substrate treating device and substrate treating method
KR1020190126776A KR102135000B1 (en) 2016-09-23 2019-10-14 Substrate treating device and substrate treating method

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170118716A KR20180033072A (en) 2016-09-23 2017-09-15 Substrate treating device and substrate treating method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6947346B2 (en)
KR (2) KR20180033072A (en)
CN (1) CN107871690B (en)
TW (1) TWI719258B (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7004144B2 (en) * 2017-10-25 2022-01-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing equipment and board processing method
JP7198595B2 (en) * 2018-05-31 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM
JP7072453B2 (en) * 2018-06-29 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 Board processing equipment and board processing method
JP7546620B2 (en) * 2022-05-17 2024-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855792A (en) * 1997-05-14 1999-01-05 Integrated Process Equipment Corp. Rinse water recycling method for semiconductor wafer processing equipment
JPH1167707A (en) * 1997-08-14 1999-03-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device
US6399517B2 (en) * 1999-03-30 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
JP4393260B2 (en) * 2004-04-20 2010-01-06 株式会社東芝 Etching solution management method
JP4907400B2 (en) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5313647B2 (en) * 2008-03-25 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2012074552A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing method
JP6074338B2 (en) 2013-08-27 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus, concentration correction method, and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180033072A (en) 2018-04-02
TW201820454A (en) 2018-06-01
CN107871690B (en) 2021-12-24
KR20190120736A (en) 2019-10-24
TWI719258B (en) 2021-02-21
JP2018056555A (en) 2018-04-05
JP6947346B2 (en) 2021-10-13
CN107871690A (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102135000B1 (en) Substrate treating device and substrate treating method
US10832924B2 (en) Substrate treating device and substrate treating method
US10685855B2 (en) Substrate treating device and substrate treating method
KR102450184B1 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR102513202B1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program
US20160233106A1 (en) Etching method, etching apparatus, and storage medium
US10699910B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus, substrate liquid treatment method and storage medium
KR102323310B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2015088603A (en) Etching method, etching device and storage medium
KR102469675B1 (en) Substrate liquid processing apparatus
JP2010080852A (en) Heating unit, substrate processing apparatus, and method of heating fluid
US20040242004A1 (en) Substrate treating method and apparatus
CN111640661B (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
KR102337608B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR102625932B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3710676B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7253895B2 (en) Substrate processing equipment
TW202338968A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right