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KR102117599B1 - Heat treatment device, heat treatment method and computer storage medium - Google Patents

Heat treatment device, heat treatment method and computer storage medium Download PDF

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Publication number
KR102117599B1
KR102117599B1 KR1020130088885A KR20130088885A KR102117599B1 KR 102117599 B1 KR102117599 B1 KR 102117599B1 KR 1020130088885 A KR1020130088885 A KR 1020130088885A KR 20130088885 A KR20130088885 A KR 20130088885A KR 102117599 B1 KR102117599 B1 KR 102117599B1
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KR
South Korea
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heat treatment
cooling
cooling mechanism
substrate
wafer
Prior art date
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KR1020130088885A
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Inventor
쇼켄 모로
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Priority claimed from JP2012171923A external-priority patent/JP5726136B2/en
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Publication of KR20140018800A publication Critical patent/KR20140018800A/en
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Abstract

열처리 장치의 풋프린트를 저감한다. 열처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 재치하여 열처리하는 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)와, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 제 1 냉각 기구(240) 및 제 2 냉각 기구(241)와, 냉각 기구(240, 241)를, 가열부(210, 211)의 상방의 전달 위치와 웨이퍼를 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구(251)를 가지고 있다. 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)는, 냉각 기구(240) 및 제 2 냉각 기구(241)를 사이에 두고 배치되어 있다. 이동 기구(251)는 냉각 기구(240, 241)를 수평 방향으로 이동시킨다.Reduce the footprint of the heat treatment device. The heat treatment apparatus 40 includes a first heating unit 210 and a second heating unit 211 for placing and heat-treating the wafer W, and a first cooling mechanism 240 for placing and cooling the wafer W and cooling the wafer W. The second cooling mechanism 241 and the moving mechanism 251 for moving the cooling mechanisms 240 and 241 between the upper transfer position of the heating units 210 and 211 and the cooling position for cooling the wafer are provided. have. The 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211 are arrange | positioned with the cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 interposed therebetween. The moving mechanism 251 moves the cooling mechanisms 240 and 241 in the horizontal direction.

Figure R1020130088885
Figure R1020130088885

Description

열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{HEAT TREATMENT DEVICE, HEAT TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}Heat treatment device, heat treatment method, and computer storage medium {HEAT TREATMENT DEVICE, HEAT TREATMENT METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판의 열처리 장치, 기판의 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for a substrate, a heat treatment method for a substrate, and a computer storage medium.

예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 레지스트 도포 처리 후 또는 노광 처리 후, 현상 처리 후에 행해지는 열처리 등의 일련의 처리가, 예를 들면 도포 현상 처리 시스템에 의해 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, a resist coating process to apply a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a 'wafer') to form a resist film, exposing the resist film in a predetermined pattern A series of processes such as exposure treatment, developing treatment for developing the exposed resist film, heat treatment performed after the resist coating treatment or after the exposure treatment, and after the developing treatment are sequentially performed by, for example, a coating and developing treatment system, on the wafer. A predetermined resist pattern is formed.

상술한 열처리는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재된 열처리 장치에서 행해진다. 열처리 장치에는, 웨이퍼를 재치(載置)하여 가열하는 열판과, 웨이퍼를 재치하여 냉각(온도 조절)하는 냉각판이 인접하여 설치되어 있다. 열판에는, 예를 들면 히터가 내장되어 있다. 냉각판에는, 예를 들면 펠티에 소자가 내장되어 있다. 그리고, 예를 들면 열판으로 웨이퍼를 소정의 온도로 가열한 후, 냉각판으로 웨이퍼를 상온으로 고정밀도로 냉각한다. 이와 같이 열처리 장치에서는, 웨이퍼에 대한 가열 처리와 냉각 처리의 양방을 행할 수 있다.The heat treatment described above is performed, for example, in the heat treatment apparatus described in Patent Document 1. The heat treatment apparatus is provided with a hot plate for placing and heating the wafer and a cooling plate for placing and cooling the wafer (temperature control) adjacently. A heater is built in the hot plate, for example. A Peltier element is incorporated in the cooling plate, for example. Then, after heating the wafer to a predetermined temperature with a hot plate, for example, the wafer is cooled with room temperature to a high precision with a cooling plate. In this way, in the heat treatment apparatus, both the heat treatment and the cooling treatment for the wafer can be performed.

일본특허공개공보 2011-003601호Japanese Patent Publication No. 2011-003601

그런데 상술한 열처리 장치에서는, 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이, 복수의 냉각판(350)과 열판(351)을 설치할 경우, 처리 용기(360) 내에 냉각판(350)과 열판(351)을 일대일로 설치하고, 그 처리 용기(360)를 수평 방향으로 배열하는 것이 통상이다. 그리고, 각 처리 용기(360) 내로의 웨이퍼의 반입출은 반송 암(도시하지 않음)이, 처리 용기(360)에 형성된 반입출구(361)로부터 액세스함으로써 행해진다.However, in the above-described heat treatment apparatus, for example, as shown in FIG. 11, when a plurality of cooling plates 350 and a heating plate 351 are installed, the cooling plate 350 and the heating plate 351 are disposed in the processing container 360. It is usual to install the one-to-one and arrange the processing container 360 in the horizontal direction. Then, the carrying in and out of the wafer into each processing container 360 is performed by a transport arm (not shown) accessing from the carrying in / out port 361 formed in the processing container 360.

그런데 최근, 웨이퍼의 대경화가 진행되어, 종래의 300 mm 직경의 웨이퍼 대신에 450 mm 직경의 웨이퍼가 주류가 되어 있다. 웨이퍼의 대경화에 수반하여, 상술한 열판 또는 냉각판 그 자체도 커지기 때문에, 열처리 장치의 풋프린트가 증가한다. 이 때문에, 열처리 장치의 풋프린트를 작게 하는 것이 요구되고 있다.However, in recent years, large-sized wafers have progressed, and instead of conventional 300 mm diameter wafers, 450 mm diameter wafers have become mainstream. As the wafer is hardened, the above-described hot plate or cooling plate itself also increases, so that the footprint of the heat treatment device increases. For this reason, it is desired to reduce the footprint of the heat treatment apparatus.

한편, 웨이퍼 처리의 스루풋의 관점에서는, 시간을 요하는 공정인 열처리를 효율 좋게 행하기 위하여 열처리 장치의 설치 대수는 많은 편이 바람직하다. 그러나, 도 11에 도시한 바와 같은 종래의 열처리 장치에서는, 예를 들면 열판(351)과 냉각판(350)을 2 개씩 설치하고자 하면, 최소한 웨이퍼 4 매분의 스페이스가 필요했다. 이 때문에, 풋프린트의 저감과 열처리의 스루풋 향상을 양립시키는 것이 곤란했다.On the other hand, from the viewpoint of the throughput of wafer processing, in order to efficiently perform heat treatment, which is a time-consuming process, it is preferable that the number of heat treatment devices installed is large. However, in the conventional heat treatment apparatus shown in Fig. 11, for example, if two hot plates 351 and two cooling plates 350 are to be provided, at least four wafers of space are required. For this reason, it was difficult to achieve both reduction in footprint and improvement in throughput of heat treatment.

또한, 상술한 열처리 장치에서는, 냉각판을 열판의 상방 위치와 열처리 장치 외부의 반송 암으로 웨이퍼를 전달하는 위치와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 구동 기구를 설치하는 방식이 주류가 되어 있다. 이 구동 기구는, 냉각판과 열판의 사이에 연장되어 설치된다. 이 때문에, 냉각판과 열판의 사이에는 구동 기구를 구성하는 기기가 배치된다.Further, in the above-described heat treatment apparatus, a method of providing a driving mechanism for linearly moving the cooling plate between the upper position of the hot plate and the position where the wafer is transferred to the transfer arm outside the heat treatment apparatus has become mainstream. This drive mechanism is provided extending between the cooling plate and the hot plate. For this reason, the apparatus which comprises a drive mechanism is arrange | positioned between a cooling plate and a hot plate.

그 결과, 반송 암의 냉각판에의 액세스 위치는, 냉각판을 사이에 두고 열판에 대향하는 위치로 제한되고, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 제한되고 있었다.As a result, the access position of the conveying arm to the cooling plate was limited to a position facing the hot plate with the cooling plate interposed therebetween, and the degree of freedom of arrangement of the conveying arm with respect to the heat treatment device was limited.

또한, 열처리 장치 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 하는 것이 요구되고 있지만, 상술한 바와 같이, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 낮기 때문에, 기기 레이아웃의 최적화를 충분히 행할 수 없었다.In addition, although it is required to minimize the increase of the footprint by optimizing the layout of the equipment around the heat treatment apparatus, as described above, since the degree of freedom of arrangement of the conveying arm with respect to the heat treatment apparatus is low, the equipment layout can be optimized sufficiently. Could not.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 열처리 장치의 풋프린트를 저감하는 것을 목적으로 한다. 또한, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, and aims at reducing the footprint of a heat processing apparatus. Moreover, it aims at improving the degree of freedom of arrangement | positioning of a conveyance arm with respect to a heat processing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, the present invention is a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, a first heat-treating mechanism for placing and heat-treating the substrate, and the cooling mechanism in plan view. And a second heat treatment mechanism provided on the opposite side of the first heat treatment mechanism, and a moving mechanism for moving the cooling mechanism between a transfer position above each heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate. Doing.

본 발명에 따르면, 냉각 기구를 사이에 두고 제 1 열처리 기구와 제 2 열처리 기구를 배치하고 있다. 또한, 냉각 기구를 각 열처리 기구와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지고 있다. 이러한 경우, 2 개의 열처리 기구에 대하여 1 개의 냉각 기구로 겸용할 수 있으므로, 냉각 기구를 종래와 같이 하나 더 설치할 필요가 없다. 따라서, 열처리 장치의 풋프린트를 저감할 수 있다.According to the present invention, the first heat treatment mechanism and the second heat treatment mechanism are disposed with the cooling mechanism interposed therebetween. Moreover, it has a moving mechanism which moves the cooling mechanism between each heat treatment mechanism. In this case, since two heat treatment mechanisms can be used as one cooling mechanism, it is not necessary to install one more cooling mechanism as in the prior art. Therefore, the footprint of the heat treatment apparatus can be reduced.

상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 배치되어 있어도 된다.A plurality of the cooling mechanisms may be arranged in the vertical direction.

상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있어도 된다.A plurality of the heat treatment mechanisms may be provided in the vertical direction, and may be arranged with the cooling mechanism disposed in a plurality in the vertical direction.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms may be arranged alternately so as not to be positioned at the same height.

상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시켜도 된다.The moving mechanism may move the cooling mechanism in a horizontal direction.

상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지고 있어도 된다.The moving mechanism may further include a driving mechanism that moves the cooling mechanism in the vertical direction.

다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 하나의 상방의 전달 위치로 이동시키고, 상기 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 일방에 의해 기판을 열처리하고, 상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 위치로 이동시키고, 상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하고 있다.The present invention according to another aspect is provided on the opposite side of the first heat treatment mechanism with a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, a first heat treatment mechanism for placing and heat-treating the substrate, and the cooling mechanism in plan view therebetween. A heat treatment method for heat-treating a substrate by using a heat treatment apparatus having a second heat treatment mechanism and a moving mechanism for moving the cooling mechanism between a transfer position above each heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate, wherein: The substrate placed on the cooling mechanism is moved by the moving mechanism to a transfer position above either the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism, and either by the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism. Heat-treating the substrate, placing the substrate after the heat treatment on the cooling mechanism, moving the substrate placed on the cooling mechanism to the cooling position by the moving mechanism, and in the cooling position, to the cooling mechanism. It is characterized by cooling the substrate.

상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 배치되어 있어도 된다.A plurality of the cooling mechanisms may be arranged in the vertical direction.

상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되어 있어도 된다.A plurality of the heat treatment mechanisms may be provided in the vertical direction, and may be arranged with the cooling mechanism disposed in a plurality in the vertical direction.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms may be arranged alternately so as not to be positioned at the same height.

상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시켜도 된다.The moving mechanism may move the cooling mechanism in a horizontal direction.

상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지고 있어도 된다.The driving mechanism may further include a driving mechanism that moves the cooling mechanism in the vertical direction.

상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.Each of the heat treatment mechanisms may be provided with a lifting pin for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position, and a slit for inserting and passing the lifting pin through the cooling mechanism may be formed.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, in order to execute the heat treatment method by a heat treatment device, a readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the heat treatment device is provided.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 열처리하는 열처리 장치로서, 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.The present invention according to another aspect of the present invention is a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate, a heat-treating mechanism for placing and heat-treating the substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, and a transfer position above the heat-treating mechanism and the cooling mechanism. It is characterized by having a moving mechanism that rotates and moves between a cooling position for cooling the substrate.

본 발명에 따르면, 냉각 기구를 선회시켜 이동시킨다. 이 때문에, 냉각 기구를 선회시키기 위한 이동 기구는, 냉각 기구를 선회시킬 때의 회전축이 되는 위치에만 배치하면 된다. 이러한 경우, 열처리 장치 외부의 반송 암의 액세스는, 이동 기구가 배치되어 있는 위치만 제한된다. 이 때문에, 냉각 기구를 열처리 기구와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 종래의 이동 기구와 비교하여, 반송 암의 액세스 위치의 제한이 적다. 따라서 본 발명에 따르면, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.According to the present invention, the cooling mechanism is rotated and moved. For this reason, the moving mechanism for turning the cooling mechanism only needs to be disposed at a position that becomes a rotational axis when the cooling mechanism is turned. In this case, access to the transfer arm outside the heat treatment apparatus is limited only to the position where the moving mechanism is arranged. For this reason, compared with the conventional moving mechanism which moves the cooling mechanism linearly with the heat treatment mechanism, there is little restriction of the access position of the conveyance arm. Therefore, according to the present invention, the degree of freedom of arrangement of the conveying arm with respect to the heat treatment device is improved. As a result, it is possible to minimize the increase in footprint by optimizing the device layout around the heat treatment apparatus.

평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고, 상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시켜도 된다.When viewed in plan view, there is another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position interposed therebetween, and the moving mechanism is disposed between the delivery position of the heat treatment mechanism, the delivery position and the cooling location of the other heat treatment mechanism, the The cooling mechanism may be rotated to move.

상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the cooling mechanism may be in a position spaced apart from the substrate mounting surface of the cooling mechanism when viewed in plan.

상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는, 각각 다단으로 복수 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanism, the other heat treatment mechanism, and the cooling mechanism may be arranged in multiple stages, respectively.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms may be arranged alternately so as not to be positioned at the same height.

다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism arranged in multiple stages may be in a position different from the neighboring cooling mechanism in the vertical direction.

상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism may be provided with a lifting pin for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position, and a slit for inserting and passing the lifting pin through the cooling mechanism may be formed.

상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있어도 된다.The slit may be formed in an arc shape along a trajectory that the cooling mechanism rotates.

또 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치로 이동시키고, 상기 열처리 기구에 의해 기판을 열처리하고, 상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고, 상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 냉각 위치로 이동시키고, 상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect of the present invention, a heat treatment mechanism for placing and heat-treating a substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, and a cooling position for cooling the substrate and a transfer position above the heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate A heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment apparatus having a moving mechanism that rotates and moves between the substrates, wherein the substrate placed on the cooling mechanism is rotated by the moving mechanism to rotate the cooling mechanism to transfer the heat treatment mechanism upwards Moving to a position, heat-treating the substrate by the heat treatment mechanism, placing the substrate after the heat treatment on the cooling mechanism, and placing the substrate placed on the cooling mechanism by turning the cooling mechanism by the moving mechanism to It is characterized by moving to a cooling position and cooling the substrate by the cooling mechanism at the cooling position.

평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고, 상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시켜도 된다.When viewed in plan view, there is another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position interposed therebetween, and the moving mechanism is disposed between the delivery position of the heat treatment mechanism, the delivery position and the cooling location of the other heat treatment mechanism, the The cooling mechanism may be rotated to move.

상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the cooling mechanism may be in a position spaced apart from the substrate mounting surface of the cooling mechanism when viewed in plan.

상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanism, the other heat treatment mechanism, and the cooling mechanism may be arranged in multiple stages, respectively.

상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있어도 된다.The heat treatment mechanisms may be arranged alternately so as not to be positioned at the same height.

다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있어도 된다.The pivot axis of the said cooling mechanism arranged in multiple stages may be in a position different from the neighboring cooling mechanism in the vertical direction.

상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고, 상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있어도 된다.The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism may be provided with a lifting pin for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position, and a slit for inserting and passing the lifting pin through the cooling mechanism may be formed.

상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있어도 된다.The slit may be formed in an arc shape along a trajectory that the cooling mechanism rotates.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, in order to execute the heat treatment method by a heat treatment device, a readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the heat treatment device is provided.

본 발명에 따르면, 열처리 장치의 풋프린트를 저감할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 열처리 장치에 대한 반송 암의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the footprint of the heat treatment apparatus can be reduced. Further, according to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of arrangement of the conveying arm with respect to the heat treatment device.

도 1은 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 4는 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 5는 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 6은 냉각 기구를 전달 위치로 이동시킨 상태를 도시한 설명도이다.
도 7은 제 1 실시예의 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 8은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 9는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 10은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 11은 종래의 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 12는 제 2 실시예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 13은 제 2 실시예에 따른 냉각 기구를 전달 위치로 이동시킨 상태를 도시한 설명도이다.
도 14는 제 2 실시예의 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 15는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 16은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 17은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 18은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 19는 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 평면에서 봤을 때의 설명도이다.
도 20은 다른 변형예에 따른 열처리 장치의 구성의 개략을 도시한 측면에서 봤을 때의 설명도이다.1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing system having a heat treatment apparatus according to a first embodiment.
2 is a side view showing an outline of the internal configuration of the coating and developing processing system.
3 is a side view showing an outline of the internal configuration of the coating and developing processing system.
4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a heat treatment apparatus.
5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus.
It is explanatory drawing which showed the state which moved the cooling mechanism to a delivery position.
7 is an explanatory view when viewed from the side showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to a modification of the first embodiment.
8 is an explanatory view when viewed from a plane showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
9 is an explanatory view when viewed from the side showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
10 is an explanatory view when viewed from the side showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
Fig. 11 is an explanatory view showing the outline of the structure of a conventional heat treatment apparatus.
12 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus according to a second embodiment.
13 is an explanatory view showing a state in which the cooling mechanism according to the second embodiment is moved to the delivery position.
14 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus according to a modification of the second embodiment.
15 is an explanatory view when viewed from the side showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
16 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
17 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
18 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
19 is an explanatory view when viewed from a plane showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.
20 is an explanatory diagram when viewed from the side showing an outline of the configuration of a heat treatment apparatus according to another modification.

(제 1 실시예)(First Example)

이하에, 본 발명의 제 1 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은, 제 1 실시예에 따른 열처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 2 및 도 3은, 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described. 1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing processing system 1 having a heat treatment device according to a first embodiment. 2 and 3 are side views showing an outline of the internal configuration of the coating and developing processing system 1.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들면 외부와의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in Fig. 1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 into which a cassette C containing a plurality of wafers W is taken in and out from the outside, and a photo. The transfer of the wafer W between the processing station 3 provided with a plurality of various processing devices that perform a predetermined process in a single lithography process and the exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 is performed. It has the structure which integrally connected the interface station 5 to perform.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 재치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은, 수평 방향의 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 시, 카세트(C)를 재치할 수 있다.The cassette station 2 is provided with a cassette placing table 10. The cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11. The cassette mounting plate 11 is provided side by side in a horizontal direction in the X direction (up and down direction in Fig. 1). The cassette C can be mounted on the cassette mounting plate 11 when the cassette C is brought in and out from the outside of the coating and developing processing system 1.

카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는 상하 방향 및 수직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(11) 상의 카세트(C)와 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, the cassette station 2 is provided with a wafer conveying device 21 capable of moving on the conveying path 20 extending in the X direction. The wafer transfer device 21 is also movable in the vertical direction and the vertical axis in the center (θ direction), and the cassette C on each cassette mounting plate 11 and the third block G3 of the processing station 3 described later The wafer W can be transferred between the transfer devices.

처리 스테이션(3)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 제 2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 제 3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 설치되어 있다.The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, G4 equipped with various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (the negative direction in the X direction in FIG. 1), and the back side of the processing station 3 (the positive direction in the X direction in FIG. 1). In the second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (the Y-direction negative side in FIG. 1) of the processing station 3, and the interface station 5 side of the processing station 3 (FIG. 1) The fourth block G4 is provided on the positive side in the Y direction).

예를 들면 제 1 블록(G1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, ‘하부 반사 방지막’이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 도포막으로서의 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, ‘상부 반사 방지막’이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 차례로 4 단으로 적층되어 있다.For example, in the first block G1, as shown in Fig. 3, a plurality of liquid processing devices, for example, a developing device 30 for developing a wafer W, and a lower layer of a resist film on the wafer W A lower antireflection film forming apparatus 31 that forms an antireflection film (hereinafter referred to as a 'lower antireflection film'), a resist coating device 32 that applies a resist solution to the wafer W to form a resist film as a coating film, and a wafer An upper anti-reflection film forming apparatus 33 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as 'top anti-reflection film') on the upper layer of the resist film of (W) is sequentially stacked in four steps from below.

예를 들면 제 1 블록(G1)의 각 장치(30 ~ 33)는, 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.For example, each device 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F for accommodating wafers W in the horizontal direction during processing, and processes a plurality of wafers W in parallel. can do.

예를 들면 제 2 블록(G2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(40), 및 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 애드히젼(adhesion) 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 또한 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41) 및 주변 노광 장치(42)의 수 또는 배치는, 임의로 선택할 수 있다. 또한, 열처리 장치(40)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.For example, in the second block G2, as shown in Fig. 2, a heat treatment device 40 for heat-treating the wafer W, and an adhesion device 41 for hydrophobicizing the wafer W , A peripheral exposure device 42 for exposing the outer peripheral portion of the wafer W is provided side by side in the vertical direction and in the horizontal direction. In addition, the number or arrangement of the heat treatment apparatus 40, the adfusion apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected. In addition, the detailed structure of the heat processing apparatus 40 is mentioned later.

예를 들면 제 3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다. 또한 제 4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다.For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are sequentially provided from below. Further, in the fourth block G4, a plurality of delivery devices 60, 61, and 62 are sequentially provided from below.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, a wafer transfer area D is formed in an area surrounded by the first blocks G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer area D, a wafer transfer device 70 is disposed, for example.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(71)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위의 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer transport apparatus 70 has a transport arm 71 that is movable in, for example, the Y direction, the X direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transport apparatus 70 moves within the wafer transport area D, and predetermined predetermined in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. The wafer W can be conveyed to the device.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이 상하로 복수대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.A plurality of wafer transport devices 70 are arranged vertically as shown in FIG. 2, for example, and the wafer W is transferred to a predetermined device having the same height of each block G1 to G4, for example. It can be returned.

또한 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.Moreover, in the wafer transport area D, a shuttle transport device 80 for transporting the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle conveyance device 80 is movable linearly in the Y direction, for example. The shuttle conveying device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and between the delivery device 52 of the third block G3 and the delivery device 62 of the fourth block G4. In the wafer W can be transported.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 근방에는 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, a wafer transfer device 90 is provided in the vicinity of the third block G3 in the positive direction in the X direction. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm movable in the X direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transport device 90 may move up and down in a state where the wafer W is supported, and transport the wafer W to each transfer device in the third block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 예를 들면 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치와 전달 장치(101)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 5 is provided with a wafer transfer device 100 and a transfer device 101. The wafer transport apparatus 100 has a transport arm movable in, for example, the Y direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 can support the wafer W on a transfer arm, for example, and transfer the wafer W to each transfer apparatus and transfer apparatus 101 in the fourth block G4.

이어서, 상술한 열처리 장치(40)의 구성에 대하여 설명한다. 열처리 장치(40)는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(200)를 가지고 있다. 처리 용기(200)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출구(201)가 형성되고, 당해 반입출구(201)에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.Next, the configuration of the above-described heat treatment apparatus 40 will be described. The heat treatment apparatus 40 has a processing container 200 that can be closed inside as shown in FIGS. 4 and 5. A carrying-in / out port 201 of the wafer W is formed on a side surface of the processing container 200 on the wafer transport area D side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the carrying-out port 201.

처리 용기(200)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 기구로서의 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)와, 웨이퍼(W)를 냉각하여 온도 조절하는 냉각부(212)가 설치되어 있다. 제 1 가열부(210), 냉각부(212) 및 제 2 가열부(211)는 Y 방향을 따라 이 순으로 나란히 배치되어 있다. 즉, 냉각부(212)는, 평면에서 봤을 때 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에 개재된 위치에 배치되어 있다.Inside the processing container 200, the first heating unit 210 and the second heating unit 211 as a heat treatment mechanism for heat-processing the wafer W, and a cooling unit for cooling and controlling the temperature of the wafer W ( 212) is installed. The first heating part 210, the cooling part 212, and the second heating part 211 are arranged side by side in this order along the Y direction. That is, the cooling unit 212 is disposed at a position interposed between the first heating unit 210 and the second heating unit 211 when viewed in a plan view.

제 1 가열부(210)는 열처리 기구(220)를 가지고 있다. 열처리 기구(220)는 두께가 있는 대략 원반 형상을 가지고, 웨이퍼(W)를 재치하여 가열할 수 있다. 또한, 열처리 기구(220)에는 예를 들면 히터(221)가 내장되어 있다. 열처리 기구(220)의 가열 온도는 예를 들면 제어부(300)에 의해 제어되고, 열처리 기구(220) 상에 재치된 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다.The first heating unit 210 has a heat treatment mechanism 220. The heat treatment mechanism 220 has a substantially disc shape with a thickness, and can be heated by placing the wafer W. In addition, a heater 221 is built in the heat treatment mechanism 220, for example. The heating temperature of the heat treatment mechanism 220 is controlled by, for example, the control unit 300, and the wafer W placed on the heat treatment mechanism 220 is heated to a predetermined temperature.

열처리 기구(220)의 주위에는, 당해 열처리 기구(220)를 수용하여 열처리 기구(220)의 외주부를 보지(保持)하는 환상(環狀)의 보지 부재(222)와, 그 보지 부재(222)의 외주를 둘러싸는 대략 통 형상의 서포트 링(223)이 설치되어 있다.Around the heat treatment mechanism 220, an annular holding member 222 for receiving the heat treatment mechanism 220 and holding an outer circumference of the heat treatment mechanism 220, and the holding member 222 A substantially cylindrical support ring 223 surrounding the outer periphery of the is provided.

열처리 기구(220)의 상방에는 상하 이동 가능한 덮개체(230)가 설치되어 있다. 덮개체(230)는 하면이 개구되고, 열처리 기구(220), 보지 부재(222) 및 서포트 링(223)과 일체가 되어 열처리실(K)을 형성한다. 그리고, 열처리실(K)은 그 내부를 밀폐 가능하게 구성되어 있다.A cover body 230 that is movable up and down is provided above the heat treatment mechanism 220. The lower surface of the lid body 230 is opened, and is integral with the heat treatment mechanism 220, the holding member 222, and the support ring 223 to form a heat treatment chamber K. Further, the heat treatment chamber K is configured to be able to seal its interior.

열처리 기구(220)의 상방으로서 덮개체(230)의 천장면의 중앙부에는, 열처리실(K)의 내부를 배기하는 배기부(231)가 설치되어 있다. 열처리실(K) 내의 분위기는, 배기부(231)로부터 균일하게 배기된다.As an upper portion of the heat treatment mechanism 220, an exhaust portion 231 that exhausts the interior of the heat treatment chamber K is provided at a central portion of the ceiling surface of the lid body 230. The atmosphere in the heat treatment chamber K is uniformly exhausted from the exhaust portion 231.

열처리 기구(220)의 하방에는, 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하고 승강시키기 위한 승강 핀(232)이 예를 들면 3 개 설치되어 있다. 승강 핀(232)은 승강 구동부(233)에 의해 수직 방향으로 승강할 수 있다. 열처리 기구(220)의 중앙부 부근에는, 당해 열처리 기구(220)를 두께 방향으로 관통하는 관통홀(234)이 예를 들면 3 개소에 형성되어 있다. 그리고, 승강 핀(232)은 관통홀(234)을 삽입 관통하고, 열처리 기구(220)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다.Three lifting pins 232 for supporting and lifting the wafer W from below are provided below the heat treatment mechanism 220, for example. The lifting pin 232 may be elevated in the vertical direction by the lifting driving unit 233. In the vicinity of the central portion of the heat treatment mechanism 220, through-holes 234 penetrating the heat treatment mechanism 220 in the thickness direction are formed in three places, for example. Then, the lifting pin 232 is inserted through the through-hole 234, and can protrude from the upper surface of the heat treatment mechanism 220.

또한 제 2 가열부(211)의 구성은, 열처리 기구(220)의 높이가 제 1 가열부(210)보다 낮은 점을 제외하고 제 1 가열부(210)와 동일하므로, 설명을 생략한다.In addition, since the configuration of the second heating unit 211 is the same as that of the first heating unit 210 except that the height of the heat treatment mechanism 220 is lower than that of the first heating unit 210, description thereof is omitted.

냉각부(212)는 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 상하 방향으로 다단으로 배치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)는 웨이퍼(W)보다 직경이 작은 대략 원반 형상을 가지고, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각할 수 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 하면측에는, 가열된 웨이퍼(W)를 대략 냉각하기 위하여, 예를 들면 냉매를 통류시키기 위한 도시하지 않은 냉매 유로가 형성되어 있다.The cooling unit 212 has a first cooling mechanism 240 and a second cooling mechanism 241. The first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction. The first cooling mechanism 240 has a substantially disc shape having a diameter smaller than that of the wafer W, and can be cooled by placing the wafer W. On the lower surface side of the first cooling mechanism 240, for cooling the heated wafer W, for example, a refrigerant passage (not shown) for passing a refrigerant is formed.

제 1 냉각 기구(240)는, 도 5에 도시한 바와 같이 반입출구(201)와 반대측의 단부로서 제 2 가열부(211)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 지지 부재(250)에는 이동 기구(251)가 장착되어 있다. 이동 기구(251)는 Y 방향으로 연장되는 레일(252)에 장착되어 있다. 레일(252)은 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지 연장되어 있고, 제 1 냉각 기구(240)용과 제 2 냉각 기구(241)용의 2 개가 평행하게 설치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)는, 레일(252)을 따라 제 1 가열부(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치(전달 위치)와 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이의 위치(냉각 위치)와의 사이를 이동 가능하게 되어 있다.5, the position of the 2nd heating part 211 side is supported by the support member 250 as an edge part opposite to the carry-in / out port 201, as shown in FIG. The support member 250 is equipped with a movement mechanism 251. The moving mechanism 251 is mounted on the rail 252 extending in the Y direction. The rail 252 extends from the 1st heating part 210 to the 2nd heating part 211, and two for the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 are provided in parallel. The 1st cooling mechanism 240 is the position (transfer position) which transmits the wafer W between the 1st heating part 210 along the rail 252, and the 1st heating part 210 and the 2nd heating The position (cooling position) between the parts 211 can be moved.

제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있다. 슬릿(260)은, 도 5에 도시한 바와 같이 제 1 냉각 기구(240)의 제 1 가열부(210)측의 단면으로부터 제 1 냉각 기구(240)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(260)에 의해, 제 1 냉각 기구(240)가 전달 위치로 이동했을 시, 당해 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 승강 핀(232)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다.Two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240. As shown in FIG. 5, the slit 260 is formed from the end face of the first heating mechanism 210 of the first cooling mechanism 240 to the vicinity of the central portion of the first cooling mechanism 240. The slit 260 prevents the first cooling mechanism 240 from interfering with the lifting pins 232 of the first heating unit 210 when the first cooling mechanism 240 moves to the delivery position. can do.

또한 제 2 냉각 기구(241)는, 제 1 냉각 기구(240)와 좌우 대칭으로 구성되어 있는 점을 제외하고 제 1 냉각 기구(240)와 동일한 구성을 가지고 있으므로, 설명은 생략한다.In addition, since the second cooling mechanism 241 has the same configuration as the first cooling mechanism 240 except that the first cooling mechanism 240 is configured to be symmetrical to the left and right, description thereof is omitted.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(300)가 설치되어 있다. 제어부(300)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 이에 더하여, 프로그램 저장부에는, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리를 실행하는 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.The control unit 300 is provided in the above-described coating and developing processing system 1 as shown in FIG. 1. The control unit 300 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for performing heat treatment of the wafer W in the heat treatment device 40 is stored. In addition, a program for executing wafer processing in the coating and developing processing system 1 is also stored in the program storage unit. Also, the program may be stored in a computer-readable storage medium (H), such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical disk (MO), memory card, or the like. As recorded, it may be installed from the storage medium H to the control unit 300.

이어서, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다.Next, the processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

먼저, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 이 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 예를 들면 전달 장치(53)로 반송된다.First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 11 of the cassette station 2. Thereafter, each wafer W in the cassette C is sequentially taken out by the wafer conveying device 21 and conveyed to the delivery device 53 of the third block G3 of the processing station 3, for example. do.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 온도 조절된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어, 온도 조절되고, 이 후 제 3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 되돌려진다. 또한, 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리의 상세에 대해서는 후술한다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the heat treatment device 40 of the second block G2 by the wafer conveying device 70, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming apparatus 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment device 40 of the second block G2, heated, and temperature-controlled, and then returned to the transfer device 53 of the third block G3. In addition, the details of the heat treatment of the wafer W in the heat treatment apparatus 40 will be described later.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제 3 블록(G3)의 전달 장치(54)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 애드히젼 장치(41)로 반송되고, 애드히젼 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 온도 조절된다.Subsequently, the wafer W is transferred to the transfer device 54 of the same third block G3 by the wafer transfer device 90. Thereafter, the wafer W is conveyed to the ad-his device 41 of the second block G2 by the wafer conveying device 70, and is subjected to an ad-hission process. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature is adjusted.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 장치(32)로 반송되고, 회전 중의 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 도포하여, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the resist coating device 32 by the wafer conveying device 70, and a resist liquid is applied onto the wafer W in rotation to form a resist film on the wafer W. .

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 프리 베이크 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(55)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and is pre-baked. Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 55 of the third block G3 by the wafer transfer device 70.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 주변 노광 장치(42)로 반송되고, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 주연부에 대하여 주변 노광 처리가 행해진다.Subsequently, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming apparatus 33 by the wafer transfer device 70, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, heated, and temperature adjusted. Thereafter, the wafer W is conveyed to the peripheral exposure apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 70, and peripheral exposure processing is performed on the periphery of the resist film on the wafer W.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 56 of the third block G3 by the wafer transfer device 70. Thereafter, the wafer W is transported to the transfer device 52 by the wafer transport device 90, and transported to the transfer device 62 of the fourth block G4 by the shuttle transport device 80.

이 후 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로 반송되고, 노광 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.

이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로부터 제 4 블록(G4)의 전달 장치(60)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 노광 후 베이크 처리된다. 이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 장치(30)로 반송되고, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되고, 포스트 베이크 처리된다.Subsequently, the wafer W is transferred from the exposure apparatus 4 to the transfer apparatus 60 of the fourth block G4 by the wafer transfer apparatus 100. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and is baked after exposure. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing device 30 by the wafer conveying device 70 and developed. After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and post-baked.

이 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(50)로 반송되고, 이 후, 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 카세트 재치판(11)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 50 of the third block G3 by the wafer conveying device 70, and thereafter, prescribed by the wafer conveying device 21 of the cassette station 2 It is conveyed to the cassette C of the cassette mounting plate 11. In this way, a series of photolithography processes are finished.

이어서, 상술한 열처리 장치(40)에서의 웨이퍼(W)의 열처리에 대하여 설명한다. 열처리 장치(40)에서는 프리 베이크 처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트 베이크 처리, 하부 반사 방지막 또는 상부 반사 방지막을 형성 후의 열처리 등 다양한 열처리가 행해지지만, 이들 열처리 방법은 동일하다.Next, the heat treatment of the wafer W in the above-described heat treatment device 40 will be described. In the heat treatment apparatus 40, various heat treatments such as pre-baking treatment, post-exposure baking treatment, post-baking treatment, heat treatment after forming the lower antireflection film or upper antireflection film are performed, but these heat treatment methods are the same.

먼저, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 웨이퍼(W)가 열처리 장치(40)로 반송된다. 이 때, 각 냉각 기구(240, 241)는 냉각 위치에서 대기하고 있다. 열처리 장치(40) 내로 반입된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)의 반송 암(71)이 하강하여 제 1 냉각 기구(240)로 전달된다.First, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70. At this time, each of the cooling mechanisms 240 and 241 is waiting at the cooling position. The wafer W carried into the heat treatment apparatus 40 is lowered by the transfer arm 71 of the wafer transfer apparatus 70 and transferred to the first cooling mechanism 240.

이 후, 제 1 냉각 기구(240)는 이동 기구(251)에 의해 제 1 가열부(210) 방향으로 이동하고, 제 1 가열부(210)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 웨이퍼(W)는 미리 상승하여 대기하고 있던 승강 핀(232)으로 전달되고, 제 1 냉각 기구(240)는 냉각 위치로 이동한다. 이 때, 제 1 냉각 기구(240)에 형성된 슬릿(260)에 의해, 제 1 냉각 기구(240)는 승강 핀(232)과 간섭하지 않는다. 이어서 승강 핀(232)이 하강하여, 웨이퍼(W)가 열처리 기구(220) 상에 재치된다.Thereafter, the first cooling mechanism 240 moves in the direction of the first heating unit 210 by the moving mechanism 251 and moves to the upper transmission position of the first heating unit 210. Then, the wafer W is transferred to the lift pin 232 which has been raised and waited in advance, and the first cooling mechanism 240 moves to the cooling position. At this time, by the slit 260 formed in the first cooling mechanism 240, the first cooling mechanism 240 does not interfere with the lifting pin 232. Subsequently, the lifting pin 232 descends, and the wafer W is placed on the heat treatment mechanism 220.

이 후, 덮개체(230)를 닫아 내부가 밀폐된 열처리실(K)을 형성한다. 그리고, 열처리 기구(220)에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다.Thereafter, the cover body 230 is closed to form a heat treatment chamber K with the inside closed. Then, the wafer W is heated to a predetermined temperature by the heat treatment mechanism 220.

한편, 제 1 냉각 기구(240)가 전달 위치로 이동함으로써, 도 6에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 2 냉각 기구(241)에 액세스 가능하게 된다. 따라서, 제 1 냉각 기구(240)의 전달 위치로의 이동하고 있는 동안에, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 다른 웨이퍼(W)가 제 2 냉각 기구(241)로 전달된다. 이 후, 제 2 냉각 기구(241)는 이동 기구(251)에 의해 제 2 가열부(211) 방향으로 이동하고, 제 2 가열부(211)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 이 다른 웨이퍼(W)도 제 2 가열부(211)의 승강 핀(232)으로 전달되고, 제 1 냉각 기구(240)의 경우와 마찬가지로 하여, 웨이퍼(W)가 제 2 가열부(211)의 열처리 기구(220) 상에 재치되고, 가열 처리된다.On the other hand, as the first cooling mechanism 240 moves to the delivery position, as shown in FIG. 6, the wafer transfer device 70 becomes accessible to the second cooling mechanism 241. Accordingly, while moving to the delivery position of the first cooling mechanism 240, the other wafer W is transferred to the second cooling mechanism 241 by the wafer transfer device 70. Thereafter, the second cooling mechanism 241 moves in the direction of the second heating unit 211 by the moving mechanism 251 and moves to the upper transmission position of the second heating unit 211. And this other wafer W is also transferred to the lifting pin 232 of the 2nd heating part 211, and the wafer W is the 2nd heating part 211 similarly to the case of the 1st cooling mechanism 240 ) Is placed on the heat treatment mechanism 220, and heat-treated.

열처리 기구(220)에 의해 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료되면, 당해 웨이퍼(W)는 승강 핀(232)에 의해 상승하여 대기하고 있다. 이 후, 제 1 냉각 기구(240)가 열처리 기구(220)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 그리고, 승강 핀(232)이 하강하여, 웨이퍼(W)가 제 1 냉각 기구(240) 상에 재치된다.When the heat treatment mechanism 220 completes the heating process of the wafer W, the wafer W is raised by the lifting pin 232 and is waiting. Thereafter, the first cooling mechanism 240 moves to the upper transfer position of the heat treatment mechanism 220. Then, the lifting pin 232 descends, and the wafer W is placed on the first cooling mechanism 240.

이 후, 웨이퍼(W)를 재치한 제 1 냉각 기구(240)는 냉각 위치까지 이동한다. 이 이동 중, 웨이퍼(W)는 제 1 냉각 기구(240)에 의해 냉각된다. 또한, 웨이퍼(W)는 냉각 위치에서도 계속 냉각된다.Thereafter, the first cooling mechanism 240 on which the wafer W is placed moves to the cooling position. During this movement, the wafer W is cooled by the first cooling mechanism 240. Further, the wafer W is continuously cooled even at the cooling position.

소정의 온도로 냉각된 웨이퍼(W)는, 제 1 냉각 기구(240)로부터 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로부터 반출되고, 열처리가 종료된다. 이어서, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 냉각 기구(240)에 새로운 웨이퍼(W)가 재치되고, 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 상방의 전달 위치까지 이동한다. 이에 의해, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 2 냉각 기구(241)에 액세스 가능하게 되고, 제 2 냉각 기구(241) 상의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로부터 반출된다. 그리고, 다시 새로운 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 냉각 기구(241)로 전달되고, 열처리 장치(40)에서의 일련의 웨이퍼(W)의 열처리가 반복하여 행해진다.The wafer W cooled to a predetermined temperature is taken out from the heat treatment device 40 by the wafer transfer device 70 from the first cooling mechanism 240, and the heat treatment ends. Subsequently, a new wafer W is placed on the first cooling mechanism 240 by the wafer transfer device 70, and the first cooling mechanism 240 moves to a transfer position above the first heating unit 210. . Thereby, the wafer transport apparatus 70 becomes accessible to the second cooling mechanism 241, and the wafer W on the second cooling mechanism 241 is transferred from the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70. It is taken out. Then, the new wafer W is again transferred to the second cooling mechanism 241 by the wafer transfer device 70, and the heat treatment of the series of wafers W in the heat treatment device 40 is repeatedly performed.

이상의 제 1 실시예에 의하면, 냉각부(212)를 사이에 두고 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)를 배치하고 있다. 또한, 냉각 기구(240, 241)는 상하 방향으로 나란히 설치되고, 당해 냉각 기구(240, 241)를 각 가열부(210, 211)와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지고 있다. 따라서, 예를 들면 2 개의 가열부(210, 211)를 설치할 시, 종래와 같이 냉각 기구를 평면적으로 2 개 설치할 필요가 없다. 따라서, 열처리 장치(40)의 풋프린트를 저감할 수 있다.According to the above first embodiment, the first heating unit 210 and the second heating unit 211 are disposed with the cooling unit 212 interposed therebetween. Further, the cooling mechanisms 240 and 241 are provided side by side in the vertical direction, and have a moving mechanism that moves the cooling mechanisms 240 and 241 between the heating units 210 and 211. Therefore, for example, when two heating units 210 and 211 are installed, it is not necessary to install two cooling mechanisms in a plane as in the prior art. Therefore, the footprint of the heat treatment apparatus 40 can be reduced.

또한 예를 들면 도 5에서, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스는, 처리 용기(200)의 이동 기구(251)가 설치되어 있는 웨이퍼 반송 영역(D)의 반대측만 제한되고, 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 2 가열부(211)측의 측면으로부터의 액세스는 제한되지 않는다. 이 때문에, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치(40) 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.In addition, for example, in FIG. 5, access to the wafer transfer device 70 is limited only to the opposite side of the wafer transfer area D in which the movement mechanism 251 of the processing container 200 is installed, and the transfer area D Access from the side surface, the side surface of the first heating unit 210 side and the side surface of the second heating unit 211 side is not limited. For this reason, the degree of freedom of arrangement of the wafer transfer device 70 with respect to the heat treatment device 40 is improved. As a result, the device layout around the heat treatment device 40 can be optimized to minimize the increase in footprint.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)에 각각 레일(252)과 이동 기구(251)가 설치되어 있으므로, 각각의 이동 기구(251, 251)가 서로 간섭하지 않고 이동할 수 있다.In addition, since the rail 252 and the moving mechanism 251 are provided on the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241, respectively, the respective moving mechanisms 251 and 251 can move without interfering with each other. have.

또한 이상의 제 1 실시예에서는, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에, 냉각부(212)로서 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 설치하고 있었지만, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)에 공통하여, 제 1 냉각 기구(240)만을 설치하도록 해도 된다. 이러한 경우, 한 개의 레일(252)이 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지 연장되어 설치된다. 이 경우에도, 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)로부터 제 2 가열부(211)까지를 자유롭게 이동할 수 있으므로, 1 개의 냉각 기구에 의해, 2 개의 열처리 기구(220)에 대한 웨이퍼(W)의 반송 및 당해 웨이퍼(W)의 냉각을 처리할 수 있다.Further, in the first embodiment described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are provided as the cooling unit 212 between the first heating unit 210 and the second heating unit 211. Although it was done, it is common to the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211, and only the 1st cooling mechanism 240 may be provided. In this case, one rail 252 is installed extending from the first heating unit 210 to the second heating unit 211. Even in this case, since the first cooling mechanism 240 can move freely from the first heating unit 210 to the second heating unit 211, the cooling mechanism 240 can be used for the two heat treatment mechanisms 220. The transfer of the wafer W and the cooling of the wafer W can be processed.

이상의 제 1 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)만을 상하 방향으로 다단으로 배치했지만, 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)도 상하 방향으로 다단으로 배치해도 된다. 복수의 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치할 경우의 예로서는, 복수의 냉각 기구(240, 241)를 예를 들면 도 7에 도시한 바와 같이 동일한 수직선 형상으로 다단으로 배치하고, 이들 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 복수의 열처리 기구(220)를 다단으로 배치하는 것을 제안할 수 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치하는 열처리 기구(220)의 높이 방향의 위치를, 좌측과 우측에서 서로 동일하게 할 필요는 없고, 도 7에 도시한 바와 같이 지그재그 형상이 되도록 해도 된다. 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치함으로써, 열처리 기구(220) 또는 냉각 기구(240, 241)의 설치수를 증가시켜도 열처리 장치(40)의 풋프린트가 증가하지 않는다. 또한, 열처리 기구(220)를 지그재그 형상으로 배치함으로써, 각 냉각 기구(240, 241)의 상하 방향의 간격을 좁힐 수 있으므로, 열처리 장치(40)의 높이도 저감할 수 있다.In the first embodiment described above, only the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction, but the first heating unit 210 and the second heating unit 211 are also vertically vertical. You may arrange it in multiple stages. As an example in the case where the plurality of first heating units 210, the second heating units 211 and the cooling units 212 are arranged in multiple stages, the plurality of cooling mechanisms 240 and 241 are illustrated in, for example, FIG. 7. As described above, it is possible to arrange multiple stages in the same vertical line shape, and to arrange multiple heat treatment mechanisms 220 in multiple stages with these cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween. In this case, it is not necessary to make the positions in the height direction of the heat treatment mechanisms 220 arranged with the cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween to be the same on the left and right sides, and the zigzag shape is as shown in FIG. 7. It may be possible. By arranging the first heating unit 210, the second heating unit 211, and the cooling unit 212 in multiple stages, even if the number of installations of the heat treatment mechanism 220 or the cooling mechanisms 240 and 241 is increased, the heat treatment device 40 ) Does not increase the footprint. In addition, by arranging the heat treatment mechanisms 220 in a zigzag shape, the intervals in the vertical direction of each of the cooling mechanisms 240 and 241 can be narrowed, so that the height of the heat treatment apparatus 40 can also be reduced.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 반드시 상하 방향으로 배치할 필요는 없고, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 평면에서 봤을 때 서로 이웃하도록 배치해도 된다. 냉각 기구(240, 241)를 이웃하여 배치할 시, 각 열처리 기구(220)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 경우에는, 예를 들면 도 9에 도시한 바와 같이, 각 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치된 각 열처리 기구(220) 및 덮개체(230)의 높이가 동일하게 되도록 배치해도 된다. 또한 도 9에서는, 제 1 냉각 기구(240)를 상하 방향으로 복수 배치하고, 제 2 냉각 기구(241)를, 제 1 냉각 기구(240)와 이웃하는 위치에, 상하 방향으로 복수 배치한 경우의 예에 대하여 도시하고 있다.In addition, the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 are not necessarily arrange | positioned in the up-down direction, For example, as shown in FIG. 8, they may be arrange | positioned so that they may mutually mutually be adjacent. When the cooling mechanisms 240 and 241 are disposed adjacent to each other, when the heat treatment mechanisms 220 are arranged in multiple stages in the vertical direction, for example, as illustrated in FIG. 9, the cooling mechanisms 240 and 241 are respectively disposed. You may arrange | position so that the height of each heat processing mechanism 220 and the cover body 230 arrange | positioned in between may be the same. In FIG. 9, when a plurality of first cooling mechanisms 240 are arranged in the vertical direction, and a plurality of second cooling mechanisms 241 are disposed in a position adjacent to the first cooling mechanism 240 in the vertical direction. An example is shown.

또한, 평면에서 봤을 때 최상단에 배치되는 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를 도 8과 같이 배치한 경우라도, 예를 들면 도 10에 도시한 바와 같이, 하단에 설치하는 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를, 측면에서 봤을 때 교호로 엇갈리게 되도록 지그재그 형상으로 배치해도 된다. 가열부(210, 211)는 열처리 기구(220)와 덮개체(230)에 의해 구성되기 때문에, 배치에는 소정의 높이가 필요하게 되는 한편, 냉각 기구(240, 241)는 당해 냉각 기구(240, 241)의 두께와 이동 기구(251)의 높이가 가열부(210, 211)와 비교하여 낮기 때문에, 가열부(210, 211)보다 설치 높이가 낮다. 이 때문에, 도 9와 같이 열처리 기구(220)와 냉각 기구(240, 241)를 높이 방향으로 교호로 설치함으로서, 열처리 장치(40) 전체의 높이를 저감할 수 있다.In addition, even when the heat treatment mechanism 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 disposed at the uppermost end when viewed in plan view are arranged as shown in FIG. 8, for example, as shown in FIG. 10, the heat treatment mechanism provided at the lower end The 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 may be arranged in a zigzag shape so as to alternately alternate when viewed from the side. Since the heating units 210 and 211 are constituted by the heat treatment mechanism 220 and the lid body 230, a predetermined height is required for the arrangement, while the cooling mechanisms 240 and 241 include the cooling mechanism 240, Since the thickness of the 241) and the height of the moving mechanism 251 are lower than that of the heating units 210 and 211, the installation height is lower than that of the heating units 210 and 211. For this reason, as shown in FIG. 9, the height of the whole heat treatment apparatus 40 can be reduced by alternately installing the heat treatment mechanisms 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 in the height direction.

또한, 열처리 장치(40)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 웨이퍼 반송 장치(70)는, 당해 웨이퍼 반송 장치(70)를 승강 동작시키기 위한 기구를 수용하는 스페이스의 관계상, 도포 현상 처리 시스템(1)의 상단에서 하단까지 이동할 수 없다. 이 때문에, 열처리 장치(40)에서 열처리 기구(220) 및 냉각 기구(240, 241)를 상하 방향으로 다단으로 배치한 경우, 웨이퍼 반송 장치(70)는, 최하단에 배치한 냉각 기구(240, 241) 및 최상단에 배치한 냉각 기구(240, 241)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 열처리 장치(40)의 처리 용기(200) 내에서 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 설치해도 된다.In addition, the wafer conveyance device 70 that carries in and out the wafer W between the heat treatment devices 40 is applied in relation to a space for receiving a mechanism for moving the wafer conveyance device 70 up and down. It cannot move from the top to the bottom of the processing system 1. For this reason, when the heat treatment mechanism 220 and the cooling mechanisms 240 and 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction in the heat treatment apparatus 40, the wafer transfer apparatus 70 is provided with cooling mechanisms 240 and 241 disposed at the bottom. ) And the wafer W may not be transferred between the cooling mechanisms 240 and 241 disposed at the top. In this case, a drive mechanism that moves the cooling mechanisms 240 and 241 in the vertical direction within the processing container 200 of the heat treatment device 40 may be provided.

구체적으로, 예를 들면 레일(252)과 이동 기구(251)를 지지판의 상면에 배치하고, 당해 지지판을 승강 이동시키는 구동 기구를 처리 용기(200) 내에 별도 설치한다. 이렇게 함으로써, 냉각 기구(240, 241)를 상승 또는 하강시켜, 도포 현상 처리 시스템(1)의 하한 위치 또는 상한 위치에 있는 웨이퍼 반송 기구(70)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 그 결과, 도포 현상 처리 시스템(1)의 상하 방향의 스페이스를 유효하게 완전히 사용할 수 있으므로, 예를 들면 단위 면적당에 설치할 수 있는 열처리 기구(220)의 수를 최대화할 수 있다.Specifically, for example, the rail 252 and the moving mechanism 251 are disposed on the upper surface of the supporting plate, and a driving mechanism for moving the supporting plate up and down is separately provided in the processing container 200. By doing so, the cooling mechanisms 240 and 241 can be raised or lowered, so that the wafer W can be transferred between the wafer transfer mechanism 70 at the lower or upper limit position of the coating and developing processing system 1. As a result, since the space in the vertical direction of the coating and developing treatment system 1 can be effectively and completely used, for example, the number of heat treatment mechanisms 220 that can be installed per unit area can be maximized.

또한, 웨이퍼 반송 장치(70)와의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 냉각 기구(240, 241)만을 승강 이동시키므로, 구동 기구를 최소한의 것으로 할 수 있다.In addition, since only the cooling mechanisms 240 and 241 for transferring the wafer W to and from the wafer transfer device 70 are moved up and down, the driving mechanism can be minimized.

또한, 냉각 기구(240, 241)를 승강 가능하게 구성할 경우, 냉각 기구(240, 241)는 예를 들면 메인터넌스 시 등에 수동으로 승강 조작할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼 반송 장치(70)에서는 액세스할 수 없는 냉각 기구(240, 241)에, 메인터넌스 시에도 액세스할 수 있다.In addition, when the cooling mechanisms 240 and 241 are configured to be liftable, it is preferable that the cooling mechanisms 240 and 241 can be manually lifted and operated, for example, during maintenance. By doing this, the cooling mechanisms 240 and 241 that cannot be accessed by the wafer transfer device 70 can be accessed even during maintenance.

혹은 메인터넌스 시에는, 웨이퍼 반송 장치(70)에서는 액세스할 수 없는 위치에 있는 냉각 기구(240, 241)를, 자동적으로 웨이퍼 반송 장치(70)로 액세스 가능한 위치까지 승강 이동하도록 해도 된다.Alternatively, during maintenance, the cooling mechanisms 240 and 241 at positions not accessible by the wafer transport apparatus 70 may be automatically moved up and down to a position accessible by the wafer transport apparatus 70.

(제 2 실시예)(Second example)

이하에, 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 여기서, 제 1 실시예와 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에서는 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.The second embodiment of the present invention will be described below. Here, elements having substantially the same functional configuration as in the first embodiment are given the same reference numerals, and redundant description is omitted.

도 12에 도시한 바와 같이, 처리 용기(200)의 냉각부(212)는 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 상하 방향으로 다단으로 배치되어 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 상면은 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 재치면이며, 웨이퍼(W)보다 직경이 작은 대략 원반 형상을 가지고 있다. 제 1 냉각 기구(240)의 하면측에는, 가열된 웨이퍼(W)를 대략 냉각하기 위하여, 예를 들면 냉매를 통류시키기 위한 도시하지 않은 냉매 유로가 형성되어 있다.As illustrated in FIG. 12, the cooling unit 212 of the processing container 200 has a first cooling mechanism 240 and a second cooling mechanism 241. The first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction. The upper surface of the first cooling mechanism 240 is a mounting surface for mounting and cooling the wafer W, and has a substantially disc shape having a smaller diameter than the wafer W. On the lower surface side of the first cooling mechanism 240, for cooling the heated wafer W, for example, a refrigerant passage (not shown) for passing a refrigerant is formed.

제 1 냉각 기구(240)는, 도 12에 도시한 바와 같이, 반입출구(201)와 반대측의 단부로서, 또한 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에서의 제 1 가열부(210)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 지지 부재(250)의 선단부에는, 당해 지지 부재(250) 선단부의 수직 하방에 배치된 이동 기구(251)가 장착되어 있다. 이동 기구(251)는 수직 방향으로 연장되는 회전축(252)을 가지고 있다. 지지 부재(250)는 이동 기구(251)의 회전축(252)을 중심으로서 회전 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)는 평면에서 봤을 때 당해 제 1 냉각 기구(240)의 재치면으로부터 이간한 위치에 설치된 이동 기구(251)의 회전축(252)을 회전의 중심(선회축)으로서 선회 동작할 수 있다. 이에 의해, 제 1 냉각 기구(240)는 제 1 가열부(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치(전달 위치)와, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이의 위치(냉각 위치)와의 사이를 이동할 수 있다.As shown in FIG. 12, the 1st cooling mechanism 240 is an edge part opposite to the carrying in / out 201, and is the 1st between the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211. The position of the heating part 210 side is supported by the support member 250. A moving mechanism 251 disposed vertically below the distal end of the support member 250 is attached to the distal end of the support member 250. The moving mechanism 251 has a rotating shaft 252 extending in the vertical direction. The support member 250 is rotatable around the rotation shaft 252 of the moving mechanism 251. For this reason, the 1st cooling mechanism 240 is the center of rotation (spinning axis) of the rotation shaft 252 of the moving mechanism 251 provided in the position spaced from the mounting surface of the said 1st cooling mechanism 240 in plan view. As can be turned operation. Thereby, the 1st cooling mechanism 240 is the position (transfer position) which transfers the wafer W between the 1st heating part 210, and the 1st heating part 210 and the 2nd heating part 211 ) And the position (cooling position).

제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있다. 슬릿(260)은, 도 12에 도시한 바와 같이 제 1 냉각 기구(241)의 제 1 가열부(210)측의 단면으로부터 제 1 냉각 기구(240)의 중앙부 부근까지 형성되어 있다. 이 슬릿(260)은, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작할 시의 궤적을 따르도록 원호 형상으로 형성되어 있다. 이에 의해, 도 13에 도시한 바와 같이, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작에 의해 전달 위치로 이동했을 시, 당해 제 1 냉각 기구(240)가 제 1 가열부(210)의 승강 핀(232)과 간섭하는 것을 방지할 수 있다.Two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240. The slit 260 is formed from the end face of the first heating mechanism 210 side of the first cooling mechanism 241 to the vicinity of the central portion of the first cooling mechanism 240, as shown in FIG. 12. The slit 260 is formed in an arc shape so as to follow the trajectory when the first cooling mechanism 240 rotates. As a result, as shown in FIG. 13, when the first cooling mechanism 240 is moved to the transfer position by a turning operation, the first cooling mechanism 240 moves the lifting pin 210 of the first heating unit 210 ( 232) can be prevented.

또한, 제 2 냉각 기구(241)는, 제 1 냉각 기구(240)와 좌우 대칭으로 구성되어 있고, 당해 제 2 냉각 기구(241)는, 제 2 가열부(211)측의 위치가 지지 부재(250)에 의해 지지되어 있다. 이 때문에, 이동 기구(251)도 제 2 가열부(211)측의 위치에 배치되어 있고, 제 1 냉각 기구(240)가 선회 동작할 시의 회전 중심(선회축)과 제 2 냉각 기구(241)가 선회 동작할 시의 회전 중심(선회축)의 위치는 상이하다. 그 외의 점은, 제 1 냉각 기구(240)와 동일한 구성을 가지고 있으므로 설명은 생략한다.Moreover, the 2nd cooling mechanism 241 is comprised by the 1st cooling mechanism 240 in left-right symmetry, and the position of the 2nd heating part 211 side of the said 2nd cooling mechanism 241 is a support member ( 250). For this reason, the moving mechanism 251 is also disposed at the position of the second heating unit 211 side, and the rotation center (orbiting axis) and the second cooling mechanism 241 when the first cooling mechanism 240 rotates. The position of the rotation center (swivel axis) when) is swiveling is different. Other points have the same configuration as the first cooling mechanism 240, and thus descriptions are omitted.

이상의 제 2 실시예에 따르면, 제 1 냉각 기구(240)를 전달 위치와 냉각 위치의 사이에서 이동시킴에 있어서 이동 기구(251)에 의해 선회시킨다. 이 경우, 제 1 냉각 기구(240)를 선회시키기 위한 이동 기구(251)는, 제 1 냉각 기구(240)를 선회시킬 시의 회전축이 되는 위치에만 배치하면 된다. 이러한 경우, 열처리 장치(40) 외부의 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스 제한은, 이동 기구(251)가 배치되어 있는 방향만이 된다. 보다 구체적으로, 예를 들면 도 12에서, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스는, 처리 용기(200)의 이동 기구(251)가 설치되어 있는 웨이퍼 반송 영역(D)의 반대측만 제한되고, 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 2 가열부(211)측의 측면으로부터의 액세스는 제한되지 않는다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)를 열처리 기구(220)와의 사이에서 직선적으로 이동시키는 종래의 이동 기구와 비교하여, 웨이퍼 반송 장치(70)의 액세스 제한이 적다. 따라서, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도가 향상된다. 그 결과, 열처리 장치(40) 주변의 기기 레이아웃을 최적화하여 풋프린트의 증가를 최소한으로 할 수 있다.According to the second embodiment described above, the first cooling mechanism 240 is rotated by the moving mechanism 251 in moving between the transfer position and the cooling position. In this case, the moving mechanism 251 for turning the first cooling mechanism 240 may be arranged only at a position that becomes a rotation axis when the first cooling mechanism 240 is rotated. In this case, the access restriction of the wafer transfer device 70 outside the heat treatment device 40 is only the direction in which the movement mechanism 251 is disposed. More specifically, for example, in FIG. 12, access to the wafer transfer device 70 is limited only to the opposite side of the wafer transfer area D in which the movement mechanism 251 of the processing container 200 is installed, and the transfer area Access from the side on the (D) side, the side on the first heating unit 210 side, and the side on the second heating unit 211 side is not limited. For this reason, compared with the conventional moving mechanism which moves the 1st cooling mechanism 240 linearly with the heat processing mechanism 220, the access restriction of the wafer conveying apparatus 70 is small. Therefore, the degree of freedom in the arrangement of the wafer transfer device 70 with respect to the heat treatment device 40 is improved. As a result, the device layout around the heat treatment device 40 can be optimized to minimize the increase in footprint.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)가 좌우 대칭으로 구성되어 있으므로, 제 1 냉각 기구(240)의 이동 기구(251)를 제 1 가열부(210)측에, 제 2 냉각 기구(241)의 이동 기구(251)를 제 2 가열부(211)측에 배치함으로써, 각각의 이동 기구(251, 251)가 서로 간섭하지 않고 배치될 수 있다. 이 때문에, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 3 매분의 스페이스에 2 개의 가열부(210, 211)와 2 개의 냉각 기구(240, 241)를 설치할 수 있다. 한편, 종래와 같이 냉각 기구를 직선적으로 이동시킬 경우, 예를 들면 2 개의 가열부(210, 211)와 2 개의 냉각 기구(240, 241)를 배치하기 위해서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 4 매분의 스페이스가 최소한 필요했다. 따라서 본 발명에 따르면, 열처리 장치(40) 그 자체의 풋프린트도 큰 폭으로 저감할 수 있다.In addition, since the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are configured symmetrically, the moving mechanism 251 of the first cooling mechanism 240 is disposed on the first heating unit 210 side. 2 By disposing the moving mechanism 251 of the cooling mechanism 241 on the second heating unit 211 side, the moving mechanisms 251 and 251 can be disposed without interfering with each other. For this reason, the 1st cooling mechanism 240 and the 2nd cooling mechanism 241 can be arrange | positioned in multiple stages to an up-down direction. As a result, two heating units 210 and 211 and two cooling mechanisms 240 and 241 can be provided in the space for each of the three wafers W. On the other hand, when moving the cooling mechanism linearly as in the prior art, for example, in order to arrange the two heating units 210 and 211 and the two cooling mechanisms 240 and 241, as shown in Fig. 11, the wafer At least four minutes of space in (W) were required. Therefore, according to the present invention, the footprint of the heat treatment apparatus 40 itself can also be greatly reduced.

또한, 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 가열부(210)와 제 2 가열부(211)의 사이에, 냉각부(212)로서 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(240)를 설치하고 있었지만, 열처리 장치(40)에 대한 웨이퍼 반송 장치(70)의 배치의 자유도를 향상시킨다고 하는 관점에서 보면, 열처리 장치(40)의 처리 용기(200) 내에, 예를 들면 도 14에 도시한 바와 같이, 제 1 가열부(210)와 제 1 냉각 기구(240)만을 설치하도록 해도 된다. 이러한 경우에도, 처리 용기(200)의 웨이퍼 반송 영역(D)측의 측면, 제 1 가열부(210)측의 측면 및 제 1 냉각 기구(240)를 사이에 두고 제 1 가열부(210)의 반대측의 측면으로부터의 웨이퍼 장치(70)의 액세스는 제한되지 않는다.In the second embodiment described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 240 are used as the cooling portion 212 between the first heating portion 210 and the second heating portion 211. Although installed, from the viewpoint of improving the degree of freedom in the arrangement of the wafer transfer device 70 with respect to the heat treatment device 40, in the processing container 200 of the heat treatment device 40, for example, shown in FIG. As described above, only the first heating unit 210 and the first cooling mechanism 240 may be provided. Even in such a case, the side surface of the wafer transfer area D side of the processing container 200, the side surface of the first heating unit 210 side and the first cooling mechanism 240 are interposed between the first heating unit 210. Access to the wafer device 70 from the opposite side is not restricted.

이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)만을 상하 방향으로 다단으로 배치했지만, 제 1 가열부(210) 및 제 2 가열부(211)도 상하 방향으로 다단으로 배치해도 된다. 복수의 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치할 경우의 예로서는, 복수의 냉각 기구(240, 241)를 예를 들면 도 15에 도시한 바와 같이 동일한 수직선 형상으로 다단으로 배치하고, 이들 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 복수의 열처리 기구(220)를 다단으로 배치하는 것을 제안할 수 있다. 이러한 경우, 냉각 기구(240, 241)를 사이에 두고 배치하는 열처리 기구(220)의 높이 방향의 위치를, 좌측과 우측에서 서로 동일하게 할 필요는 없고, 도 15에 도시한 바와 같이 지그재그 형상이 되도록 해도 된다. 이 때, 도 12에 도시한 경우와 마찬가지로, 각 냉각 기구(240, 241)의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 각 냉각 기구(240, 241)와의 사이에서 서로 상이한 위치로 하는 것이 바람직하다. 제 1 가열부(210), 제 2 가열부(211) 및 냉각부(212)를 다단으로 배치함으로써, 열처리 기구(220) 또는 냉각 기구(240, 241)의 설치수를 증가시켜도 열처리 장치(40)의 풋프린트가 증가하지 않는다. 또한, 열처리 기구(220)를 지그재그 형상으로 배치함으로써, 각 냉각 기구(240, 241)의 상하 방향의 간격을 좁힐 수 있으므로, 열처리 장치(40)의 높이도 저감할 수 있다.In the second embodiment described above, only the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in multiple stages in the vertical direction, but the first heating unit 210 and the second heating unit 211 are also vertically vertical. You may arrange it in multiple stages. As an example in the case where the plurality of first heating units 210, the second heating units 211 and the cooling units 212 are arranged in multiple stages, the plurality of cooling mechanisms 240 and 241 are shown in, for example, FIG. 15. As described above, it is possible to arrange multiple stages in the same vertical line shape, and to arrange multiple heat treatment mechanisms 220 in multiple stages with these cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween. In this case, it is not necessary to make the positions in the height direction of the heat treatment mechanisms 220 arranged with the cooling mechanisms 240 and 241 interposed therebetween to be the same on the left and right sides, and the zigzag shape is as shown in FIG. 15. It may be possible. At this time, as in the case shown in Fig. 12, it is preferable that the pivots of the cooling mechanisms 240 and 241 are different from each other between the cooling mechanisms 240 and 241 adjacent in the vertical direction. By arranging the first heating unit 210, the second heating unit 211, and the cooling unit 212 in multiple stages, even if the number of installations of the heat treatment mechanism 220 or the cooling mechanisms 240 and 241 is increased, the heat treatment device 40 ) Does not increase the footprint. In addition, by arranging the heat treatment mechanisms 220 in a zigzag shape, the intervals in the vertical direction of each of the cooling mechanisms 240 and 241 can be narrowed, so that the height of the heat treatment apparatus 40 can also be reduced.

또한, 종래와 같이 냉각 기구를 직선적으로 이동시킬 경우, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 웨이퍼(W)에 액세스하기 위해서는, 상하 방향의 이동뿐 아니라, 수평 방향의 이동도 필요했다. 그러나, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 다단으로 배치함으로써, 웨이퍼 반송 장치(70)가 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 웨이퍼(W)에 액세스 할 시 수평 방향으로 이동할 필요가 없어진다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 반송을 효율적으로 행하여, 웨이퍼(W) 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Further, when the cooling mechanism is linearly moved as in the prior art, in order to access the wafer W of the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241, the wafer transport apparatus 70 moves up and down. In addition, horizontal movement was also necessary. However, by arranging the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 in multiple stages in the vertical direction, the wafer transfer device 70 wafers of the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 When accessing (W), there is no need to move in the horizontal direction. For this reason, the wafer W can be transported efficiently, and the throughput of the wafer W processing can be improved.

이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)에는 2 개의 슬릿(260)이 형성되어 있었지만, 슬릿(260)의 배치 및 수는 승강 핀(232)의 수 및 배치에 맞춰 임의로 설정이 가능하다. 구체적으로, 예를 들면 도 16에 도시한 바와 같이, 승강 핀(232)의 배치가 도 12와는 상이할 경우, 당해 승강 핀(232)의 배치에 맞춰 제 1 냉각 기구(240)에 3 개의 슬릿(260)을 형성하도록 해도 된다.In the second embodiment, two slits 260 are formed in the first cooling mechanism 240, but the arrangement and number of slits 260 can be arbitrarily set according to the number and arrangement of the lifting pins 232. Do. Specifically, for example, as shown in FIG. 16, when the arrangement of the lifting pins 232 is different from that of FIG. 12, three slits in the first cooling mechanism 240 according to the arrangement of the lifting pins 232 260 may be formed.

또한, 제 1 냉각 기구(240)와 승강 핀(232)의 간섭을 방지하기 위해서는, 제 1 냉각 기구(240)에 슬릿(260)을 형성하는 것이 아닌, 제 1 냉각 기구(240)의 형상 그 자체를 원반 형상 이외의 형상으로 해도 된다. 구체적으로, 예를 들면 도 17에 도시한 바와 같이, 승강 핀(301)을 열처리 기구(220)의 외주연부 근방에 배치하고, 또한 제 1 냉각 기구(300)가 선회하여 이동했을 시 승강 핀(301)과 간섭하지 않도록, 당해 제 1 냉각 기구(300)의 형상을 외주부의 일부를 노치한 것으로 해도 된다. 이러한 경우, 제 1 냉각 기구(300)에 슬릿(260)이 불필요해진다. 그 결과, 제 1 냉각 기구(300)의 강도가 제 1 냉각 기구(240)와 비교하여 향상된다. 또한, 냉각 처리의 균일성에 대해서도 향상된다.In addition, in order to prevent interference between the first cooling mechanism 240 and the lifting pin 232, the shape of the first cooling mechanism 240 is not formed by forming the slit 260 in the first cooling mechanism 240. You may make it itself a shape other than a disk shape. Specifically, for example, as shown in FIG. 17, when the lifting pin 301 is disposed near the outer periphery of the heat treatment mechanism 220 and the first cooling mechanism 300 is rotated and moved, the lifting pin ( 301), the shape of the first cooling mechanism 300 may be notched a part of the outer circumferential portion. In this case, the slit 260 is unnecessary in the first cooling mechanism 300. As a result, the strength of the first cooling mechanism 300 is improved compared to the first cooling mechanism 240. In addition, the uniformity of the cooling treatment is also improved.

또한 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)의 이동 기구(251)의 배치를 평면에서 봤을 때 중첩되지 않도록 배치했지만, 예를 들면 도 18에 도시한 바와 같이, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 동일 형상으로 하고, 이동 기구(251)도 평면에서 봤을 때 동일한 위치에 상하 방향으로 배치해도 된다.Further, in the above second embodiment, the arrangement of the first cooling mechanism 240 and the moving mechanism 251 of the second cooling mechanism 241 are arranged so as not to overlap when viewed in plan view, for example, as shown in FIG. 18. As described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 may have the same shape, and the moving mechanism 251 may be arranged in the same position in the vertical direction when viewed from the plane.

또한 이상의 제 2 실시예에서는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)를 상하 방향으로 배치했지만, 예를 들면 도 19에 도시한 바와 같이, 열처리 기구(220)를 평면적으로 3 개 이상 설치할 경우에는, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)는 각 열처리 기구(220)의 사이에 배치하도록 해도 된다.Further, in the second embodiment described above, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are arranged in the vertical direction, but as shown in FIG. 19, for example, the heat treatment mechanism 220 is flattened 3 In the case where more than one piece is provided, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 may be disposed between the respective heat treatment mechanisms 220.

또한, 각 열처리 기구(220)를 상하 방향으로 다단으로 배치할 경우에는, 예를 들면 도 20에 도시한 바와 같이, 각 열처리 기구(220) 및 덮개체(230)의 높이가 교호로 엇갈리도록 지그재그 형상으로 배치해도 된다. 이러한 경우, 제 1 냉각 기구(240)와 제 2 냉각 기구(241)도 상하 방향으로 나란히 배치된다.In addition, when each heat treatment mechanism 220 is arranged in multiple stages in the vertical direction, for example, as illustrated in FIG. 20, the heights of each heat treatment mechanism 220 and the lid body 230 are staggered alternately. You may arrange it in shape. In this case, the first cooling mechanism 240 and the second cooling mechanism 241 are also arranged side by side in the vertical direction.

이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정하지 않고 다양한 태양을 채택할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판일 경우에도 적용할 수 있다.The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be made within the scope of the spirit described in the claims, and it is understood that they fall within the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example, and various aspects can be adopted. The present invention can also be applied when the substrate is other substrates such as a FPD (Flat Panel Display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

1 : 도포 현상 처리 시스템
40 : 열처리 장치
70 : 웨이퍼 반송 장치
71 : 반송 암
210 : 제 1 가열부
211 : 제 2 가열부
212 : 냉각부
220 : 열처리 기구
221 : 히터
240 : 제 1 냉각 기구
241 : 제 2 냉각 기구
250 : 지지 부재
251 : 이동 기구
260 : 슬릿
300 : 제어부
W : 웨이퍼1: Coating development processing system
40: heat treatment device
70: wafer transfer device
71: return arm
210: first heating unit
211: 2nd heating part
212: cooling unit
220: heat treatment mechanism
221: heater
240: first cooling mechanism
241: 2nd cooling mechanism
250: support member
251: moving mechanism
260: slit
300: control unit
W: Wafer

Claims (32)

기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와,
기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와,
상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지고,
상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고,
상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되고,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A heat treatment device for heat-treating a substrate,
A cooling mechanism for mounting and cooling the substrate,
A first heat treatment mechanism for placing and heat-treating the substrate;
A second heat treatment mechanism installed on the opposite side of the first heat treatment mechanism with the cooling mechanism interposed therebetween,
A moving mechanism for moving the cooling mechanism between the transfer position above each heat treatment mechanism and the cooling position for cooling the substrate,
A plurality of the cooling mechanism is installed in the vertical direction,
Each of the heat treatment mechanisms is provided in a plurality in the vertical direction, and is disposed with the cooling mechanism disposed in a plurality in the vertical direction therebetween,
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism interposed therebetween is arranged alternately so as not to be positioned at the same height. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.According to claim 1,
The moving mechanism moves the cooling mechanism in a horizontal direction, characterized in that the heat treatment device. 제 5 항에 있어서,
상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 5,
And a driving mechanism for moving the cooling mechanism in the vertical direction together with the moving mechanism. 제 1 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.According to claim 1,
Lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position are provided in each of the heat treatment mechanisms,
The cooling mechanism is provided with a slit for inserting the lifting pin through the heat treatment apparatus. 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 기판을 재치하여 열처리하는 제 1 열처리 기구와, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구를 사이에 두고 상기 제 1 열처리 기구의 반대측에 설치된 제 2 열처리 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 각 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 하나의 상방의 전달 위치로 이동시키고,
상기 제 1 열처리 기구 또는 제 2 열처리 기구 중 어느 일방에 의해 기판을 열처리하고,
상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 위치로 이동시키고,
상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하고,
상기 냉각 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고,
상기 각 열처리 기구는 상하 방향으로 복수 설치되고, 또한 상하 방향으로 복수 배치된 상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치되고,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.A cooling mechanism for placing and cooling the substrate, a first heat treatment mechanism for placing and heat-treating the substrate, a second heat treatment mechanism provided on the opposite side of the first heat treatment mechanism with the cooling mechanism interposed therebetween, and the cooling A heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment apparatus having a moving mechanism for moving the mechanism between a transfer position above each heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate,
The substrate placed on the cooling mechanism is moved by the moving mechanism to a transfer position above either the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism,
The substrate is heat treated by either the first heat treatment mechanism or the second heat treatment mechanism,
The substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism,
The substrate placed on the cooling mechanism is moved to the cooling position by the moving mechanism,
In the cooling position, the substrate is cooled by the cooling mechanism,
A plurality of the cooling mechanism is installed in the vertical direction,
Each of the heat treatment mechanisms is provided in a plurality in the vertical direction, and is disposed with the cooling mechanism disposed in a plurality in the vertical direction therebetween,
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism interposed therebetween is arranged alternately so as not to be located at the same height. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 이동 기구는 상기 냉각 기구를 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 8,
The moving mechanism moves the cooling mechanism in a horizontal direction, characterized in that the heat treatment method. 제 12 항에 있어서,
상기 이동 기구와 함께 상기 냉각 기구를 수직 방향으로 이동시키는 구동 기구를 더 가지는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 12,
And a driving mechanism for moving the cooling mechanism in the vertical direction together with the moving mechanism. 제 8 항에 있어서,
상기 각 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 8,
Lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position are provided in each of the heat treatment mechanisms,
In the cooling mechanism, a heat treatment method characterized in that a slit for inserting and passing the lifting pin is formed. 제 8 항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.A readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit that controls the heat treatment apparatus in order to execute the heat treatment method according to claim 8 by a heat treatment apparatus. 기판을 열처리하는 열처리 장치로서,
기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와,
기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와,
상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지고,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고,
상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시키고,
상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되고,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A heat treatment device for heat-treating a substrate,
And a heat treatment mechanism for placing the substrate to heat treatment,
A cooling mechanism for mounting and cooling the substrate,
And a moving mechanism that rotates and moves the cooling mechanism between a transfer position above the heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate,
Having another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween when viewed in plan view,
The moving mechanism rotates and moves the cooling mechanism between a transfer position of the heat treatment mechanism, a transfer position and a cooling position of the other heat treatment mechanism,
The heat treatment mechanism, the other heat treatment mechanism and the cooling mechanism are each disposed in plural in multiple stages,
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism interposed therebetween is arranged alternately so as not to be positioned at the same height. 삭제delete 제 16 항에 있어서,
상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 16,
The rotational axis of the said cooling mechanism is a heat processing apparatus characterized by being located in the position separated from the board | substrate mounting surface of the said cooling mechanism when it sees in plan. 삭제delete 삭제delete 제 16 항 또는 제 18 항에 있어서,
다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 16 or 18,
A heat treatment apparatus characterized in that the pivot axis of the cooling mechanism arranged in multiple stages is at a different position from the adjacent cooling mechanism in the vertical direction. 제 16 항 또는 제 18 항에 있어서,
상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 16 or 18,
The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism are provided with lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position,
The cooling mechanism is provided with a slit for inserting the lifting pin through the heat treatment apparatus. 제 22 항에 있어서,
상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 22,
The slit is formed in a circular arc shape along a trajectory that the cooling mechanism rotates. 기판을 재치하여 열처리하는 열처리 기구와, 기판을 재치하여 냉각하는 냉각 기구와, 상기 냉각 기구를, 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치와 기판을 냉각하는 냉각 위치와의 사이에서 선회시켜 이동시키는 이동 기구를 가지는 열처리 장치를 이용하여 기판을 열처리하는 열처리 방법으로서,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 열처리 기구 상방의 전달 위치로 이동시키고,
상기 열처리 기구에 의해 기판을 열처리하고,
상기 열처리 후의 기판을 상기 냉각 기구 상에 재치하고,
상기 냉각 기구 상에 재치된 기판을, 상기 이동 기구에 의해 상기 냉각 기구를 선회시켜 상기 냉각 위치로 이동시키고,
상기 냉각 위치에 있어서, 상기 냉각 기구에 의해 기판을 냉각하고,
평면에서 봤을 때 상기 냉각 위치를 사이에 두고 상기 열처리 기구에 대향하여 배치된 다른 열처리 기구를 가지고,
상기 이동 기구는 상기 열처리 기구의 전달 위치, 상기 다른 열처리 기구의 전달 위치 및 냉각 위치 사이에서, 상기 냉각 기구를 선회시켜 이동시키고,
상기 열처리 기구, 상기 다른 열처리 기구 및 상기 냉각 기구는 각각 다단으로 복수 배치되고,
상기 냉각 기구를 사이에 두고 배치된 상기 각 열처리 기구는, 동일한 높이에 위치하지 않도록 교호로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.A heat transfer mechanism for placing and heat-treating the substrate, a cooling mechanism for placing and cooling the substrate, and a moving mechanism for rotating and moving the cooling mechanism between a transfer position above the heat treatment mechanism and a cooling position for cooling the substrate Eggplant as a heat treatment method for heat-treating a substrate using a heat treatment device,
The substrate placed on the cooling mechanism is rotated by the moving mechanism to move it to a transfer position above the heat treatment mechanism,
Heat-treating the substrate by the heat treatment mechanism,
The substrate after the heat treatment is placed on the cooling mechanism,
The substrate placed on the cooling mechanism is rotated by the moving mechanism to move to the cooling position,
In the cooling position, the substrate is cooled by the cooling mechanism,
Having another heat treatment mechanism disposed opposite the heat treatment mechanism with the cooling position therebetween when viewed in plan view,
The moving mechanism rotates and moves the cooling mechanism between a transfer position of the heat treatment mechanism, a transfer position and a cooling position of the other heat treatment mechanism,
The heat treatment mechanism, the other heat treatment mechanism and the cooling mechanism are each disposed in a plurality of stages,
Each of the heat treatment mechanisms arranged with the cooling mechanism interposed therebetween is arranged alternately so as not to be located at the same height. 삭제delete 제 24 항에 있어서,
상기 냉각 기구의 선회축은, 평면에서 봤을 때 상기 냉각 기구의 기판 재치면으로부터 이간한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 24,
The method of heat treatment, characterized in that the pivot axis of the cooling mechanism is in a position spaced apart from the substrate mounting surface of the cooling mechanism when viewed in plan. 삭제delete 삭제delete 제 24 항 또는 제 26 항에 있어서,
다단으로 복수 배치된 상기 냉각 기구의 선회축은, 상하 방향으로 이웃하는 냉각 기구와 상이한 위치에 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 24 or 26,
A heat treatment method, characterized in that the pivot axis of the cooling mechanism arranged in multiple stages is at a different position from the adjacent cooling mechanism in the vertical direction. 제 24 항 또는 제 26 항에 있어서,
상기 열처리 기구 및 상기 다른 열처리 기구에는, 상기 전달 위치에 있어서 상기 냉각 기구와 기판의 전달을 행하는 승강 핀이 설치되고,
상기 냉각 기구에는, 상기 승강 핀을 삽입 관통시키기 위한 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 24 or 26,
The heat treatment mechanism and the other heat treatment mechanism are provided with lifting pins for transferring the cooling mechanism and the substrate at the transfer position,
In the cooling mechanism, a heat treatment method characterized in that a slit for inserting and passing the lifting pin is formed. 제 30 항에 있어서,
상기 슬릿은, 상기 냉각 기구가 선회하는 궤적을 따라 원호 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.The method of claim 30,
The slit is a heat treatment method, characterized in that formed in an arc shape along the trajectory that the cooling mechanism is turning. 제 24 항 또는 제 26 항에 기재된 열처리 방법을 열처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 열처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.A readable computer storage medium storing a program running on a computer of a control unit controlling the heat treatment device in order to execute the heat treatment method according to claim 24 or 26 with a heat treatment device.
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