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KR102096057B1 - Substrate formed thin film transistor array and organic light emitting diode display - Google Patents

Substrate formed thin film transistor array and organic light emitting diode display Download PDF

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KR102096057B1
KR102096057B1 KR1020190045635A KR20190045635A KR102096057B1 KR 102096057 B1 KR102096057 B1 KR 102096057B1 KR 1020190045635 A KR1020190045635 A KR 1020190045635A KR 20190045635 A KR20190045635 A KR 20190045635A KR 102096057 B1 KR102096057 B1 KR 102096057B1
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thin film
film transistor
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layer
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Inventor
전무경
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치를 개시한다.
본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 반도체층을 덮는 제1절연층; 상기 제1절연층 상의 복수의 제1배선들을 덮는 제2절연층; 상기 제2절연층 상의 복수의 제2배선들을 덮는 제3절연층; 상기 제3절연층 상에 배치되고, 상기 반도체층과 접촉하는 커버 메탈; 상기 커버 메탈 상의 보호층; 상기 보호층 상에 배치되고, 상기 커버 메탈과 접촉하는 애노드 전극; 및 상기 제1배선들과 동일층에 배치된 제1전극 및 상기 제2배선들과 동일층에 배치된 제2전극을 포함하는 커패시터;를 포함할 수 있다. The present invention discloses a thin film transistor array substrate and a display device including the same.
The thin film transistor array substrate of the present invention comprises: a first insulating layer covering a semiconductor layer; A second insulating layer covering a plurality of first wirings on the first insulating layer; A third insulating layer covering a plurality of second wirings on the second insulating layer; A cover metal disposed on the third insulating layer and in contact with the semiconductor layer; A protective layer on the cover metal; An anode electrode disposed on the protective layer and contacting the cover metal; And a capacitor including a first electrode disposed on the same layer as the first wirings and a second electrode disposed on the same layer as the second wirings.

Description

박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치{SUBSTRATE FORMED THIN FILM TRANSISTOR ARRAY AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}A thin film transistor array substrate and a display device including the same {SUBSTRATE FORMED THIN FILM TRANSISTOR ARRAY AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}

본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor array substrate and a display device including the same.

표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목받고 있다.2. Description of the Related Art As a display device, an organic light emitting diode display has recently attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.The organic light emitting display device has a self-emission property and, unlike a liquid crystal display device, does not require a separate light source, so that thickness and weight can be reduced. In addition, the organic light emitting diode display exhibits high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

일반적으로 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 위치하며 일 방향으로 연장된 게이트 배선들, 게이트 배선들과 교차하는 방향으로 연장된 데이터 배선들, 게이트 배선들 및 데이터 배선들 각각에 연결된 화소 회로 및 화소 회로와 연결된 유기 발광 소자를 포함한다. 최근 고해상도의 디스플레이를 추구함에 따라 화소 회로를 배치할 공간이 협소해지고 있다. In general, an organic light emitting diode display is located on a substrate, and the pixel wirings and the pixel circuits connected to each of the gate wirings extending in one direction, the data wirings extending in the direction crossing the gate wirings, the gate wirings, and the data wirings It includes an organic light emitting device connected to. Recently, as a pursuit of a high-resolution display, a space for arranging pixel circuits has been narrowed.

본 발명은 저저항 신호 배선과 발광 소자와 연결되는 커버 메탈의 형성 단계를 분리하여 커버 메탈의 사이즈를 줄임으로써 고해상도에 최적인 표시 장치를 제공하고자 한다.The present invention is to provide a display device that is optimal for high resolution by reducing the size of the cover metal by separating the step of forming the cover metal connected to the low-resistance signal wiring and the light emitting element.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 어레이 기판은, 반도체층을 덮는 제1절연층; 상기 제1절연층 상에 형성된 복수의 제1 게이트 배선을 덮는 제2절연층; 상기 제2절연층 상에 형성된 복수의 제2 게이트 배선을 덮는 제3절연층; 상기 제3절연층 상에 형성되고, 상기 제1절연층 내지 제3절연층을 관통하는 컨택홀을 통해 상기 반도체층과 접촉하는 커버 메탈; 상기 커버 메탈을 덮는 제4절연층; 상기 제4절연층 상에 형성된 보호층; 및 상기 보호층 상에 형성되고, 상기 보호층, 상기 제4절연층 및 상기 컨택홀을 관통하는 비아홀을 통해 상기 커버 메탈과 접촉하는 애노드 전극;을 포함할 수 있다. A thin film transistor array substrate according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a first insulating layer covering a semiconductor layer; A second insulating layer covering a plurality of first gate wires formed on the first insulating layer; A third insulating layer covering a plurality of second gate wires formed on the second insulating layer; A cover metal formed on the third insulating layer and in contact with the semiconductor layer through a contact hole penetrating the first to third insulating layers; A fourth insulating layer covering the cover metal; A protective layer formed on the fourth insulating layer; And an anode electrode formed on the protective layer and contacting the cover metal through a via hole penetrating the protective layer, the fourth insulating layer, and the contact hole.

상기 커버 메탈은 적어도 몰리브덴을 포함하고, 상기 커버 메탈의 적어도 한 면은 상기 비아홀의 대응하는 면과 일치하거나 작을 수 있다. The cover metal may include at least molybdenum, and at least one surface of the cover metal may coincide or be smaller than a corresponding surface of the via hole.

상기 기판은, 상기 제1 게이트 배선의 형성 물질과 동일 물질로 동일층에 형성된 커패시터 제1전극과, 상기 제2 게이트 배선의 형성 물질과 동일 물질로 동일층에 형성된 커패시터 제2전극을 포함하는 커패시터; 및 상기 제4절연층 상부에 상기 커패시터의 제2전극과 중첩 배치되고, 상기 커패시터와 상기 제3절연층 및 상기 제4절연층에 의해 이격된 복수의 제2 신호 배선들;을 더 포함할 수 있다. The substrate is a capacitor including a capacitor first electrode formed on the same layer as a material forming the first gate wiring and a capacitor second electrode formed on the same layer as a material forming the second gate wiring. ; And a plurality of second signal wires disposed on the fourth insulating layer overlying the second electrode of the capacitor, and spaced by the capacitor, the third insulating layer, and the fourth insulating layer. have.

상기 복수의 제2 신호 배선들은 적어도 알루미늄을 포함할 수 있다. The plurality of second signal wires may include at least aluminum.

상기 복수의 제2 신호 배선들은 데이터선 및 구동 전압선을 포함하고, 상기 구동 전압선은 상기 제3절연층 및 상기 제4절연층을 관통하는 컨택홀을 통해 상기 커패시터 제2전극과 연결될 수 있다. The plurality of second signal wires include a data line and a driving voltage line, and the driving voltage line can be connected to the capacitor second electrode through a contact hole passing through the third insulating layer and the fourth insulating layer.

상기 제1 게이트 배선들은 제2 주사선 및 발광 제어선을 포함하고, 상기 제2 게이트 배선들은 제1 주사선 및 초기화 전압선을 포함할 수 있다. The first gate lines may include a second scan line and a light emission control line, and the second gate lines may include a first scan line and an initialization voltage line.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 반도체층 상에 차례로 적층된 제1절연층 내지 제4절연층; 상기 제1절연층과 제2절연층 사이에 형성된 복수의 제1 게이트 배선들과, 상기 제2절연층과 제3절연층 사이에 형성된 복수의 제2 게이트 배선들을 포함하는 복수의 제1 신호 배선들; 상기 제4절연층 상에 형성된 복수의 제2 신호 배선들; 상기 복수의 제1 및 제2 신호 배선들과 연결된 하나 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터; 상기 제3절연층과 상기 제4절연층 사이에, 상기 제1절연층 내지 제3절연층을 관통하는 컨택홀을 통해 상기 반도체층과 접촉하는 커버 메탈; 및 상기 제4절연층 상의 보호층 상에 형성되고, 상기 보호층, 상기 제4절연층을 관통하는 비아홀을 통해 상기 커버 메탈과 접촉하는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 대향하는 캐소드 전극과, 상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이의 발광층을 포함하는 발광 소자;를 포함할 수 있다. A display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes: a first insulating layer to a fourth insulating layer sequentially stacked on a semiconductor layer; A plurality of first signal wires including a plurality of first gate wires formed between the first insulating layer and the second insulating layer, and a plurality of second gate wires formed between the second insulating layer and the third insulating layer. field; A plurality of second signal wires formed on the fourth insulating layer; One or more thin film transistors and capacitors connected to the plurality of first and second signal wires; A cover metal contacting the semiconductor layer through a contact hole passing through the first insulating layer to the third insulating layer between the third insulating layer and the fourth insulating layer; And an anode electrode formed on the protective layer on the fourth insulating layer and contacting the cover metal through a via hole penetrating the protective layer and the fourth insulating layer, and a cathode electrode facing the anode electrode, and It may include; a light emitting device including a light emitting layer between the anode electrode and the cathode electrode.

본 발명은 저저항 신호 배선과 커버 메탈을 다른 물질로 다른 층에서 형성함으로써, 커버 메탈의 사이즈를 줄여 고해상도에 최적인 표시 장치를 제공할 수 있다.The present invention can provide a display device optimal for high resolution by reducing the size of the cover metal by forming the low-resistance signal wiring and the cover metal in different layers using different materials.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 화소를 나타낸 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 각 신호선을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 화소 회로 및 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 3의 A-A'선을 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 비아홀과 커버 메탈의 사이즈의 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8은 도 6의 비교예에 따른 표시 장치의 화소에서 대응 영역을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 도 3의 B-B'선을 자른 단면도이다.
도 10은 도 9의 비교예에 따른 표시 장치의 화소에서 대응 영역을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a schematic plan view illustrating a pixel of FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing each signal line shown in FIG. 3.
5 is a cross-sectional view illustrating the pixel circuit and the organic light emitting device shown in FIG. 3.
6 is a cross-sectional view of FIG. 3 taken along line A-A '.
7 is a view schematically showing an example of the size of a via hole and a cover metal according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram schematically showing a corresponding region in a pixel of the display device according to the comparative example of FIG. 6.
9 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 3.
10 is a diagram schematically showing a corresponding region in a pixel of the display device according to the comparative example of FIG. 9.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. The present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is illustrated.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, thicknesses are enlarged to clearly represent various layers and regions. In the drawings, thicknesses of some layers and regions are exaggerated for convenience of description. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "above" or "on" another portion, this includes not only the case "above" the other portion but also another portion in the middle.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에”라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, throughout the specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included instead of excluding other components unless specifically stated otherwise. In addition, in the whole specification, "~ top" means that it is located above or below the target part, and does not necessarily mean that it is located on the upper side based on the direction of gravity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(100)는 복수의 화소를 포함하는 표시부(10), 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 발광 제어 구동부(40), 제어부(50), 표시장치에 외부 전압을 공급하는 전원 공급부(60)를 포함한다.The display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display unit 10 including a plurality of pixels, a scan driving unit 20, a data driving unit 30, a light emission control driving unit 40, a control unit 50, and a display It includes a power supply 60 for supplying an external voltage to the device.

표시부(10)는 복수의 주사선(SL0 내지 SLn), 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm), 및 복수의 발광 제어선(EML1 내지 EMLn)의 교차부에 위치되어, 대략 행렬 형태로 배열된 복수의 화소를 포함한다. 복수의 화소는 전원 공급부(60)로부터 제1 전원전압(ELVDD), 제2 전원전압(ELVSS), 초기화 전압(VINT) 등 외부 전압을 공급받는다. 제1 전원전압(ELVDD)은 소정의 하이 레벨 전압일 수 있고, 제2 전원전압(ELVSS)은 상기 제1 전원전압(ELVDD)보다 낮은 전압이거나 접지 전압일 수 있다. The display unit 10 is located at the intersection of the plurality of scan lines SL0 to SLn, the plurality of data lines DL1 to DLm, and the plurality of emission control lines EML1 to EMLn, and is arranged in a substantially matrix form. It contains pixels. The plurality of pixels receives external voltages such as a first power voltage ELVDD, a second power voltage ELVSS, and an initialization voltage VINT from the power supply unit 60. The first power voltage ELVDD may be a predetermined high level voltage, and the second power voltage ELVSS may be a voltage lower than the first power voltage ELVDD or a ground voltage.

각 화소는 표시부(10)에 전달되는 복수의 주사선(SL0 내지 SLn) 중 두 개의 주사선에 연결되어 있다. 도 1에서 화소는 해당 화소 라인에 대응하는 주사선과 그 이전 라인의 주사선에 연결되어 있으나, 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.Each pixel is connected to two scan lines among the plurality of scan lines SL0 to SLn transmitted to the display unit 10. In FIG. 1, a pixel is connected to a scan line corresponding to a corresponding pixel line and a scan line of a previous line, but is not limited thereto.

또한 각 화소는 표시부(10)에 전달되는 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm) 중 하나의 데이터선, 표시부(10)에 전달되는 복수의 발광 제어선(EML1 내지 EMLn) 중 하나의 발광 제어선에 연결되어 있다.In addition, each pixel is connected to one data line of the plurality of data lines DL1 to DLm transmitted to the display unit 10 and one light emission control line of the plurality of emission control lines EML1 to EMLn transferred to the display unit 10. connected.

주사 구동부(20)는 복수의 주사선(SL0 내지 SLn)을 통해 각 화소에 두 개의 대응하는 주사 신호를 생성하여 전달한다. 즉, 주사 구동부(20)는 각 화소가 포함되는 화소 라인에 대응하는 주사선을 통해 제1 주사 신호를 전달하고, 해당 화소 라인의 이전 화소 라인에 대응하는 주사선을 통해 제2 주사 신호를 전달한다. 예를 들어, 주사 구동부(20)는 n번째 화소 라인의 m번째 열에 배치된 화소에 n번째 주사선(SLn)을 통해 제1 주사 신호(Sn)를 전달하고, n-1번째 주사선(SLn-1)을 통해 제2 주사 신호(Sn-1)를 전달한다. The scan driver 20 generates and transmits two corresponding scan signals to each pixel through a plurality of scan lines SL0 to SLn. That is, the scan driver 20 transmits a first scan signal through a scan line corresponding to a pixel line including each pixel, and transmits a second scan signal through a scan line corresponding to a previous pixel line of the corresponding pixel line. For example, the scan driver 20 transmits the first scan signal Sn through the n-th scan line SLn to the pixels arranged in the m-th column of the n-th pixel line, and the n-1th scan line SLn-1 ) To transmit the second scan signal Sn-1.

데이터 구동부(30)는 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm)을 통해 각 화소에 데이터 신호(D1 내지 Dm)를 전달한다.The data driver 30 transmits data signals D1 to Dm to each pixel through a plurality of data lines DL1 to DLm.

발광 제어 구동부(40)는 복수의 발광 제어선(EML1 내지 EMLn)을 통해 각 화소에 발광 제어 신호(EM1 내지 EMn)를 생성하여 전달한다.The light emission control driver 40 generates and transmits light emission control signals EM1 to EMn to each pixel through a plurality of light emission control lines EML1 to EMLn.

제어부(50)는 외부에서 전달되는 복수의 영상 신호(R,G,B)를 복수의 영상 데이터 신호(DR,DG,DB)로 변경하여 데이터 구동부(30)에 전달한다. 또한 제어부(50)는 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync), 및 클럭신호(MCLK)를 전달받아 상기 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 및 발광 제어 구동부(40)의 구동을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 각각에 전달한다. 즉, 제어부(50)는 주사 구동부(20)를 제어하는 주사 구동 제어 신호(SCS), 데이터 구동부(30)를 제어하는 데이터 구동 제어 신호(DCS), 및 발광 제어 구동부(40)를 제어하는 발광 구동 제어 신호(ECS)를 각각 생성하여 전달한다.The control unit 50 converts a plurality of image signals R, G, and B transmitted from the outside into a plurality of image data signals DR, DG, and DB and transmits them to the data driver 30. In addition, the control unit 50 receives the vertical synchronization signal (Vsync), the horizontal synchronization signal (Hsync), and the clock signal (MCLK) of the scan driver 20, the data driver 30, and the light emission control driver 40 Control signals for controlling driving are generated and transmitted to each. That is, the control unit 50 is a scan driving control signal (SCS) for controlling the scan driving unit 20, a data driving control signal (DCS) for controlling the data driving unit 30, and a light emission for controlling the light emission control driving unit 40 Drive control signals (ECS) are generated and transmitted respectively.

복수의 화소 각각은 복수의 데이터선(DL1 내지 DLm)을 통해 전달된 데이터 신호(D0 내지 Dm)에 따라 유기 발광 소자(OLED)로 공급되는 구동 전류(Ioled)에 의해 소정 휘도의 빛을 발광한다.Each of the plurality of pixels emits light of a predetermined luminance by a driving current (Ioled) supplied to the organic light emitting diode OLED according to the data signals D0 to Dm transmitted through the plurality of data lines DL1 to DLm. .

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다. 도 2에 도시된 화소(1)는 n번째 화소 라인에 포함된 복수의 화소 중 하나로서, n번째 화소 라인에 대응하는 주사선(SLn)과 n번째 화소 라인 이전의 n-1번째 화소 라인에 대응하는 주사선(SLn-1)에 각각 연결되어 있다.2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. The pixel 1 shown in FIG. 2 is one of a plurality of pixels included in the n-th pixel line, and corresponds to a scan line SLn corresponding to the n-th pixel line and an n-1th pixel line before the n-th pixel line Are respectively connected to the scanning line SLn-1.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소(1)는 복수의 박막 트랜지스터(T1 내지 T6) 및 스토리지 캐패시터(storage capacitor, Cst)를 포함하는 화소 회로(2)를 포함한다. 그리고 화소(1)는 화소 회로(2)를 통해 구동 전압을 전달받아 발광하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.One pixel 1 of the organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes a pixel circuit 2 including a plurality of thin film transistors T1 to T6 and a storage capacitor Cst. In addition, the pixel 1 includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light by receiving a driving voltage through the pixel circuit 2.

박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 포함한다.The thin film transistor includes a driving thin film transistor T1, a switching thin film transistor T2, a compensation thin film transistor T3, an initialization thin film transistor T4, a first light emission control thin film transistor T5, and a second light emission control thin film transistor T6. It includes.

화소(1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2) 및 보상 박막 트랜지스터(T3)에 제1 주사 신호(Sn)를 전달하는 제1 주사선(24), 초기화 박막 트랜지스터(T4)에 이전 주사 신호인 제2 주사 신호(Sn-1)를 전달하는 제2 주사선(14), 동작 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(EMn)를 전달하는 발광 제어선(34), 제1 주사선(24)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터선(16), 제1전원전압(ELVDD)을 전달하며 데이터선(16)과 거의 평행하게 형성되어 있는 구동 전압선(26), 구동 박막 트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압(VINT)을 전달하는 초기화 전압선(20)을 포함한다. The pixel 1 includes a first scan line 24 transmitting a first scan signal Sn to the switching thin film transistor T2 and a compensation thin film transistor T3, and a second scan which is a previous scan signal to the initialization thin film transistor T4. The second scanning line 14 for transmitting the signal Sn-1, the emission control line 34 for transmitting the emission control signal EMn to the operation control thin film transistor T5 and the emission control thin film transistor T6, the first A data line 16 that crosses the scan line 24 and transmits a data signal Dm, a driving voltage line 26 that transmits the first power voltage ELVDD and is formed substantially parallel to the data line 16, and drives And an initialization voltage line 20 that transmits an initialization voltage VINT that initializes the thin film transistor T1.

구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극(Cst1)과 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(26)과 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode) 전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Dm)를 전달받아 유기 발광 소자(OLED)에 구동 전류(Ioled)를 공급한다.The gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1 is connected to the first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst. The source electrode S1 of the driving thin film transistor T1 is connected to the driving voltage line 26 via the first emission control thin film transistor T5. The drain electrode D1 of the driving thin film transistor T1 is electrically connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED through the second light emitting control thin film transistor T6. The driving thin film transistor T1 receives the data signal Dm according to the switching operation of the switching thin film transistor T2 and supplies the driving current Ioled to the organic light emitting diode OLED.

스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 제1 주사선(24)과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터선(16)과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결되어 있으면서 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(26)과 연결되어 있다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 제1 주사선(24)을 통해 전달받은 제1 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 데이터선(16)으로 전달된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.The gate electrode G2 of the switching thin film transistor T2 is connected to the first scan line 24. The source electrode S2 of the switching thin film transistor T2 is connected to the data line 16. The drain electrode D2 of the switching thin film transistor T2 is connected to the source electrode S1 of the driving thin film transistor T1 and is connected to the driving voltage line 26 via the first emission control thin film transistor T5. . The switching thin film transistor T2 is turned on according to the first scan signal Sn received through the first scan line 24 to drive the data signal Dm transferred to the data line 16 to drive the thin film transistor T1. It performs a switching operation to transfer to the source electrode (S1).

보상 박막 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 제1 주사선(24)에 연결되어 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되어 있으면서 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode) 전극과 연결되어 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1), 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4) 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 함께 연결되어 있다. 보상 박막 트랜지스터(T3)는 제1 주사선(24)을 통해 전달받은 제1 주사 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다. The gate electrode G3 of the compensation thin film transistor T3 is connected to the first scan line 24. The source electrode S3 of the compensation thin film transistor T3 is connected to the drain electrode D1 of the driving thin film transistor T1 while passing through the second light emission control thin film transistor T6 and the anode of the organic light emitting diode OLED ( anode) electrode. The drain electrode D3 of the compensation thin film transistor T3 includes the first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst, the drain electrode D4 of the initialization thin film transistor T4, and the gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1. ). The compensation thin film transistor T3 is turned on according to the first scan signal Sn received through the first scan line 24 to connect the gate electrode G1 and the drain electrode D1 of the driving thin film transistor T1 to each other. The driving thin film transistor T1 is diode-connected.

초기화 박막 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 제2 주사선(14)과 연결되어 있다. 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 초기화 전압선(20)과 연결되어 있다. 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1), 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 함께 연결되어 있다. 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 제2 주사선(14)을 통해 전달받은 제2 주사 신호(Sn-1)에 따라 턴 온되어 초기화 전압(VINT)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행한다.The gate electrode G4 of the initialization thin film transistor T4 is connected to the second scan line 14. The source electrode S4 of the initialization thin film transistor T4 is connected to the initialization voltage line 20. The drain electrode D4 of the initialization thin film transistor T4 includes the first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst, the drain electrode D3 of the compensation thin film transistor T3, and the gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1. ). The initialization thin film transistor T4 is turned on according to the second scanning signal Sn-1 received through the second scanning line 14 to apply the initialization voltage VINT to the gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1. The transfer operation initializes the voltage of the gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1.

제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 제어선(34)과 연결되어 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 구동 전압선(26)과 연결되어 있다. 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)과 연결되어 있다.The gate electrode G5 of the first emission control thin film transistor T5 is connected to the emission control line 34. The source electrode S5 of the first emission control thin film transistor T5 is connected to the driving voltage line 26. The drain electrode D5 of the first emission control thin film transistor T5 is connected to the source electrode S1 of the driving thin film transistor T1 and the drain electrode D2 of the switching thin film transistor T2.

제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 제어선(34)과 연결되어 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결되어 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode) 전극과 전기적으로 연결되어 있다. 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(34)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(EMn)에 따라 동시에 턴 온되어 제1 전원전압(ELVDD)이 유기 발광 소자(OLED)에 전달되어 유기 발광 소자(OLED)에 구동 전류(Ioled)가 흐르게 된다.The gate electrode G6 of the second light emission control thin film transistor T6 is connected to the light emission control line 34. The source electrode S6 of the second light emission control thin film transistor T6 is connected to the drain electrode D1 of the driving thin film transistor T1 and the source electrode S3 of the compensation thin film transistor T3. The drain electrode D6 of the second light emission control thin film transistor T6 is electrically connected to an anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The second light emission control thin film transistor T5 and the second light emission control thin film transistor T6 are simultaneously turned on according to the light emission control signal EMn transmitted through the light emission control line 34 so that the first power voltage ELVDD is turned on. The driving current (Ioled) flows to the organic light emitting device (OLED) by being transferred to the organic light emitting device (OLED).

스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2)은 구동 전압선(26)과 연결되어 있다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1)은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1), 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3) 및, 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)에 함께 연결되어 있다. The second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst is connected to the driving voltage line 26. The first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst includes the gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1, the drain electrode D3 of the compensation thin film transistor T3, and the drain electrode of the initialization thin film transistor T4 ( D4).

유기 발광 소자(OLED)의 캐소드(cathode) 전극은 제2 전원전압(ELVSS)과 연결되어 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(Ioled)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시한다.The cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the second power voltage ELVSS. The organic light emitting diode OLED receives an driving current Ioled from the driving thin film transistor T1 and emits light to display an image.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 화소를 나타낸 개략적인 평면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 각 신호선을 나타낸 단면도이다. 3 is a schematic plan view illustrating a pixel of FIG. 2 according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view showing each signal line shown in FIG. 3.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소(1)는 제1 주사 신호(Sn), 제2 주사 신호(Sn-1), 발광 제어 신호(EMn) 및 초기화 전압(VINT)을 각각 인가하며 행 방향을 따라 형성되어 있는 제1 주사선(24), 제2 주사선(14), 발광 제어선(34) 및 초기화 전압선(20)을 포함하고, 제1 주사선(24), 제2 주사선(14), 발광 제어선(34) 및 초기화 전압선(20) 모두와 교차하고 있으며 화소에 데이터 신호(Dm) 및 제1 전원전압(ELVDD)을 각각 인가하는 데이터선(16) 및 구동 전압선(26)을 포함한다. 3 and 4, a pixel 1 of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first scan signal Sn, a second scan signal Sn-1, and a light emission control signal EMn. ) And the initializing voltage VINT, respectively, and including the first scanning line 24, the second scanning line 14, the emission control line 34 and the initializing voltage line 20 formed along the row direction. A data line intersecting all of the scan line 24, the second scan line 14, the emission control line 34, and the initialization voltage line 20, and applying a data signal Dm and a first power voltage ELVDD to pixels. (16) and a driving voltage line (26).

제2 주사선(14)과 발광 제어선(34)은 제1 게이트 배선(GL1)에 포함되고, 초기화 전압선(20)과 제1 주사선(24)은 제2 게이트 배선(GL2)에 포함된다. 제1 게이트 배선(GL1)과 제2 게이트 배선(GL2)은 제2 절연층(GI2)을 사이에 두고 서로 다른 층에 위치함으로써, 서로 다른 층에 위치하는 이웃하는 게이트 배선들 간의 거리를 좁게 형성할 수 있기 때문에, 동일한 면적에 보다 많은 화소를 형성할 수 있다. 즉, 고해상도의 표시 장치를 형성할 수 있다.The second scan line 14 and the emission control line 34 are included in the first gate line GL1, and the initialization voltage line 20 and the first scan line 24 are included in the second gate line GL2. The first gate wiring GL1 and the second gate wiring GL2 are positioned on different layers with the second insulating layer GI2 therebetween, thereby forming a narrow distance between neighboring gate wirings located on different layers. Since it is possible, more pixels can be formed in the same area. That is, a high-resolution display device can be formed.

데이터선(16) 및 구동 전압선(26)은 제3 절연층(ILD) 및 제4 절연층(ILD2)을 사이에 두고 제2 게이트 배선들(GL2) 상에 위치하는 제2 신호 배선들이다. 제2 신호 배선들은 제1 게이트 배선(GL1)과 제2 게이트 배선(GL2)을 포함하는 제1 신호 배선들과 서로 교차한다. 제2 신호 배선들은 저저항 배선으로 형성한다. The data line 16 and the driving voltage line 26 are second signal lines positioned on the second gate lines GL2 with the third insulating layer ILD and the fourth insulating layer ILD2 interposed therebetween. The second signal wires cross each other with the first signal wires including the first gate wire GL1 and the second gate wire GL2. The second signal wires are formed of low-resistance wires.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소(1)에는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기 발광 소자(OLED)가 형성되어 있다. In addition, as illustrated in FIG. 3, the driving thin film transistor T1, the switching thin film transistor T2, the compensation thin film transistor T3, and the initialization thin film transistor are included in the pixel 1 of the display device according to the exemplary embodiment of the present invention. (T4), a first light emission control thin film transistor T5, a second light emission control thin film transistor T6, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode (OLED) are formed.

구동 박막 트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(A1), 구동 게이트 전극(G1), 구동 소스 전극(S1) 및 구동 드레인 전극(D1)을 포함한다. 구동 소스 전극(S1)은 구동 반도체층(A1)에서 불순물이 도핑된 구동 소스 영역에 해당하고, 구동 드레인 전극(D1)은 구동 반도체층(A1)에서 불순물이 도핑된 구동 드레인 영역에 해당한다. 구동 게이트 전극(G1)은 컨택홀(42 내지 45)을 통해 연결 부재(40)에 의해 스토리지 커패시터의 제1전극(Cst), 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인 전극, 및 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인 전극과 연결된다. The driving thin film transistor T1 includes a driving semiconductor layer A1, a driving gate electrode G1, a driving source electrode S1, and a driving drain electrode D1. The driving source electrode S1 corresponds to a driving source region doped with impurities in the driving semiconductor layer A1, and the driving drain electrode D1 corresponds to a driving drain region doped with impurities in the driving semiconductor layer A1. The driving gate electrode G1 is the first electrode Cst of the storage capacitor, the drain electrode of the compensation thin film transistor T3, and the initialization thin film transistor T4 by the connecting member 40 through the contact holes 42 to 45. It is connected to the drain electrode.

스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 반도체층(A2), 스위칭 게이트 전극(G2), 스위칭 소스 전극(S2) 및 스위칭 드레인 전극(D2)을 포함한다. 스위칭 소스 전극(S2)은 스위칭 반도체층(A2)에서 불순물이 도핑된 스위칭 소스 영역에 해당하고, 스위칭 드레인 전극(D2)은 스위칭 반도체층(A2)에서 불순물이 도핑된 스위칭 드레인 영역(D2)에 해당한다. 스위칭 소스 전극(S2)은 컨택홀(49)을 통해 데이터선(16)과 연결된다. 스위칭 드레인 전극(D2)은 구동 박막 트랜지스터(T1) 및 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)와 연결되어 있다. 스위칭 게이트 전극(G2)은 제1 주사선(24)에 연결되어 있다. The switching thin film transistor T2 includes a switching semiconductor layer A2, a switching gate electrode G2, a switching source electrode S2, and a switching drain electrode D2. The switching source electrode S2 corresponds to a switching source region doped with impurities in the switching semiconductor layer A2, and the switching drain electrode D2 corresponds to a switching drain region D2 doped with impurities in the switching semiconductor layer A2. It corresponds. The switching source electrode S2 is connected to the data line 16 through the contact hole 49. The switching drain electrode D2 is connected to the driving thin film transistor T1 and the operation control thin film transistor T5. The switching gate electrode G2 is connected to the first scan line 24.

보상 박막 트랜지스터(T3)는 보상 반도체층(A3), 보상 게이트 전극(G3), 보상 소스 전극(S3) 및 보상 드레인 전극(D3)을 포함한다. 보상 소스 전극(S3)은 보상 반도체층(A3)에서 불순물이 도핑된 보상 소스 영역에 해당하고, 보상 드레인 전극(D3)은 보상 반도체층(A3)에서 불순물이 도핑된 보상 드레인 영역에 해당한다. 보상 드레인 전극(D3)은 듀얼 게이트 전극을 형성하여 누설 전류(leakage current)를 방지한다. The compensation thin film transistor T3 includes a compensation semiconductor layer A3, a compensation gate electrode G3, a compensation source electrode S3, and a compensation drain electrode D3. The compensation source electrode S3 corresponds to a compensation source region doped with impurities in the compensation semiconductor layer A3, and the compensation drain electrode D3 corresponds to a compensation drain region doped with impurities in the compensation semiconductor layer A3. The compensation drain electrode D3 forms a dual gate electrode to prevent leakage current.

초기화 박막 트랜지스터(T4)는 초기화 반도체층(A4), 초기화 게이트 전극(G4), 초기화 소스 전극(S4) 및 초기화 드레인 전극(D4)을 포함한다. 초기화 소스 전극(S4)은 초기화 반도체층(A4)에서 불순물이 도핑된 초기화 소스 영역에 해당하고, 초기화 드레인 전극(D4)은 초기화 반도체층(A4)에서 불순물이 도핑된 초기화 드레인 영역(D4)에 해당한다. 초기화 소스 전극(S4)은 컨택홀(41)을 통해 초기화 전압선(20)과 연결될 수 있다. The initialization thin film transistor T4 includes an initialization semiconductor layer A4, an initialization gate electrode G4, an initialization source electrode S4, and an initialization drain electrode D4. The initialization source electrode S4 corresponds to an initialization source region doped with impurities in the initialization semiconductor layer A4, and the initialization drain electrode D4 corresponds to an initialization drain region D4 doped with impurities in the initialization semiconductor layer A4. It corresponds. The initialization source electrode S4 may be connected to the initialization voltage line 20 through the contact hole 41.

제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)는 제1 발광 제어 반도체층(A5), 제1 발광 제어 게이트 전극(G5), 제1 발광 제어 소스 전극(S5) 및 제1 발광 제어 드레인 전극(D5)을 포함한다. 제1 발광 제어 소스 전극(S5)은 제1 발광 제어 반도체층(A5)에서 불순물이 도핑된 제1 발광 제어 소스 영역에 해당하고, 제1 발광 제어 드레인 전극(D5)은 제1 발광 제어 반도체층(A5)에서 불순물이 도핑된 제1 발광 제어 드레인 영역에 해당한다. 제1 발광 제어 소스 전극(S5)은 컨택홀(48)을 통해 구동 전압선(20)과 연결될 수 있다. The first emission control thin film transistor T5 includes a first emission control semiconductor layer A5, a first emission control gate electrode G5, a first emission control source electrode S5, and a first emission control drain electrode D5. Includes. The first emission control source electrode S5 corresponds to a first emission control source region doped with impurities in the first emission control semiconductor layer A5, and the first emission control drain electrode D5 is the first emission control semiconductor layer In (A5), it corresponds to the first emission control drain region doped with impurities. The first emission control source electrode S5 may be connected to the driving voltage line 20 through the contact hole 48.

제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 제2 발광 제어 반도체층(A6), 제2 발광 제어 게이트 전극(G6), 제2 발광 제어 소스 전극(S6) 및 제2 발광 제어 드레인 전극(D6)을 포함한다. 제2 발광 제어 소스 전극(S6)은 제2 발광 제어 반도체층(A6)에서 불순물이 도핑된 발광 제어 소스 영역에 해당하고, 제2 발광 제어 드레인 전극(D6)은 제2 발광 제어 반도체층(A6)에서 불순물이 도핑된 발광 제어 드레인 영역에 해당한다. 제2 발광 제어 드레인 전극(D6)은 컨택홀(45)과 연결된 커버 메탈(CM)과 커버 메탈(CM)과 연결된 비아홀(VIA)을 통해 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극(AE)과 연결된다. The second emission control thin film transistor T6 includes a second emission control semiconductor layer A6, a second emission control gate electrode G6, a second emission control source electrode S6, and a second emission control drain electrode D6. Includes. The second emission control source electrode S6 corresponds to the emission control source region doped with impurities in the second emission control semiconductor layer A6, and the second emission control drain electrode D6 is the second emission control semiconductor layer A6. ) Corresponds to the emission control drain region doped with impurities. The second emission control drain electrode D6 is connected to the anode electrode AE of the organic light emitting diode OLED through a cover metal CM connected to the contact hole 45 and a via hole VIA connected to the cover metal CM. do.

스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1)은 연결 부재(40)에 의해 보상 박막 트랜지스터(T3)의 보상 드레인 전극(D3), 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 초기화 드레인 전극(D4), 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트 전극(G1)과 함께 연결되어 있다. 연결 부재(40)는 데이터선(16)과 동일한 층에 형성되어 있다. The first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst is the compensation drain electrode D3 of the compensation thin film transistor T3, the initialization drain electrode D4 of the initialization thin film transistor T4, and the driving thin film by the connection member 40 It is connected to the driving gate electrode G1 of the transistor T1. The connecting member 40 is formed on the same layer as the data line 16.

스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2)은 컨택홀(47a, 47b)을 통해 구동 전압선(26)과 연결되어, 구동 전압선(26)으로부터 구동 전압(ELVDD)을 인가받는다. The second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst is connected to the driving voltage line 26 through the contact holes 47a and 47b to receive the driving voltage ELVDD from the driving voltage line 26.

도 5는 도 3에 도시된 화소 회로 및 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 3의 A-A'선을 자른 단면도이고, 도 9는 도 3의 B-B'선을 자른 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating the pixel circuit and the organic light emitting device shown in FIG. 3. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 3, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 3.

도 5를 참조하면, 기판(101) 상부에 버퍼층(111)이 형성된다. Referring to FIG. 5, a buffer layer 111 is formed on the substrate 101.

버퍼층(111) 상부에 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 반도체층(A1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 반도체층(A2), 보상 박막 트랜지스터(T3)의 보상 반도체층(A3), 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 초기화 반도체층(A4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 제1 발광 제어 반도체층(A5) 및 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 제2 발광 제어 반도체층(A6)이 패터닝에 의해 형성된다. 반도체층(A1 내지 A6)은 폴리 실리콘으로 이루어지며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다. On the buffer layer 111, a driving semiconductor layer A1 of the driving thin film transistor T1, a switching semiconductor layer A2 of the switching thin film transistor T2, a compensation semiconductor layer A3 of the compensation thin film transistor T3, and an initialization thin film Initialization semiconductor layer A4 of transistor T4, first emission control semiconductor layer A5 of first emission control thin film transistor T5 and second emission control semiconductor layer A6 of second emission control thin film transistor T6 ) Is formed by patterning. The semiconductor layers A1 to A6 are made of polysilicon, and include a channel region in which impurities are not doped, and a source region and a drain region formed by doping impurities on both sides of the channel region. Here, the impurities depend on the type of the thin film transistor, and N-type impurities or P-type impurities are possible.

반도체층(A1 내지 A6) 상부에 제1 절연층(GI1)이 기판(101) 전면에 적층된다. 제1 절연층(GI1)은 게이트 절연막으로 기능한다. 제1 절연층(GI1)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질, 또는 유기 절연 물질과 무기 절연 물질이 교번하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. The first insulating layer GI1 is stacked on the entire surface of the substrate 101 on the semiconductor layers A1 to A6. The first insulating layer GI1 functions as a gate insulating film. The first insulating layer GI1 may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, or a multilayer structure in which an organic insulating material and an inorganic insulating material alternate.

제1 절연층(GI1) 상부에 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 초기화 게이트 전극(G4), 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 제1 발광 제어 게이트 전극(G5), 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 제2 발광 제어 게이트 전극(G6)이 형성된다. 또한 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1)이 형성된다. 초기화 게이트 전극(G4), 제1 발광 제어 게이트 전극(G5), 제2 발광 제어 게이트 전극(G6), 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1)은 제1 게이트 배선(GL1) 물질로 형성된다. 제1 게이트 배선(GL1) 물질은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 저저항의 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. The initialization gate electrode G4 of the initialization thin film transistor T4 on the first insulating layer GI1, the first emission control gate electrode G5 of the first emission control thin film transistor T5, and the second emission control thin film transistor ( The second light emission control gate electrode G6 of T6) is formed. Also, a first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst is formed. The initialization gate electrode G4, the first emission control gate electrode G5, the second emission control gate electrode G6, and the first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst are formed of a first gate wiring GL1 material. do. It is preferable that the first gate wiring GL1 material includes a low-resistance metal material such as aluminum (Al), copper (Cu), or the like.

초기화 게이트 전극(G4), 제1 발광 제어 게이트 전극(G5), 제2 발광 제어 게이트 전극(G6), 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1) 상부에 제2 절연층(GI2)이 기판(101) 전면에 적층된다. 제2 절연층(GI2)은 게이트 절연막으로 기능한다. 제2 절연층(GI2)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질, 또는 유기 절연 물질과 무기 절연 물질이 교번하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. The second insulating layer GI2 is disposed on the initialization gate electrode G4, the first emission control gate electrode G5, the second emission control gate electrode G6, and the first electrode Cst1 of the storage capacitor Cst. (101) It is laminated on the front. The second insulating layer GI2 functions as a gate insulating film. The second insulating layer GI2 may be formed of an organic insulating material or an inorganic insulating material, or a multilayer structure in which an organic insulating material and an inorganic insulating material alternate.

제2 절연층(GI2) 상부에 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트 전극(G1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트 전극(G2), 보상 박막 트랜지스터(T3)의 보상 게이트 전극(G3)이 형성된다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2)이 형성된다. 구동 게이트 전극(G1), 스위칭 게이트 전극(G2), 보상 게이트 전극(G3), 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2)은 제2 게이트 배선(GL2) 물질로 형성된다. 제2 게이트 배선(GL2) 물질 또한 제1 게이트 배선(GL1) 물질과 유사하게 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 저저항의 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. The driving gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1, the switching gate electrode G2 of the switching thin film transistor T2, and the compensation gate electrode G3 of the compensation thin film transistor T3 on the second insulating layer GI2. It is formed. In addition, the second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst is formed. The driving gate electrode G1, the switching gate electrode G2, the compensation gate electrode G3, and the second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst are formed of a second gate wiring GL2 material. It is preferable that the second gate wiring GL2 material also includes a low-resistance metal material such as aluminum (Al), copper (Cu), and the like, similar to the first gate wiring GL1 material.

구동 게이트 전극(G1), 스위칭 게이트 전극(G2), 보상 게이트 전극(G3), 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2) 상부에 제3 절연층(ILD1)이 기판(101) 전면에 적층된다. 제3 절연층(ILD1)은 층간 절연막으로서 기능한다. A third insulating layer ILD1 is stacked on the front surface of the substrate 101 on the driving gate electrode G1, the switching gate electrode G2, the compensation gate electrode G3, and the second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst. do. The third insulating layer ILD1 functions as an interlayer insulating film.

제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6) 영역의 제3 절연층(ILD1) 상부에는, 제1 절연층(GI1), 제2 절연층(GI2), 제3 절연층(ILD1)을 관통하는 컨택홀(45)을 통해 커버 메탈(CM)이 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 제2 발광 제어 반도체층(A6)과 연결된다. A contact hole penetrating the first insulating layer GI1, the second insulating layer GI2, and the third insulating layer ILD1 on the third insulating layer ILD1 of the second emission control thin film transistor T6 region ( The cover metal CM is connected to the second emission control semiconductor layer A6 of the second emission control thin film transistor T6 through 45).

도 6을 참조하면, 커버 메탈(CM)은 제2 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 제2 발광 제어 반도체층(A6)의 드레인 영역, 즉 제2 발광 제어 드레인 전극(D6)의 일부(AL)와 컨택홀(45)을 통해 접촉한다. 커버 메탈(CM)은 적어도 몰리브덴(Mo)을 포함하는 물질로 형성한다. 커버 메탈(CM) 상부에는 제4 절연층(ILD2)이 기판(101) 전면에 적층된다. 제4 절연층(ILD2)은 층간 절연막으로서 기능한다. Referring to FIG. 6, the cover metal CM is a drain region of the second emission control semiconductor layer A6 of the second emission control thin film transistor T6, that is, a part of the second emission control drain electrode D6 (AL) And through the contact hole 45. The cover metal CM is formed of a material containing at least molybdenum (Mo). A fourth insulating layer ILD2 is stacked on the entire surface of the substrate 101 on the cover metal CM. The fourth insulating layer ILD2 functions as an interlayer insulating film.

도 8은 도 6의 비교예에 따른 표시 장치의 화소에서 대응 영역을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 8에 도시된 화소에서는, 제1 절연층(GI1), 제2 절연층(GI2), 제3 절연층(ILD1)이 커버 메탈(CM') 하부에 적층되고, 커버 메탈(CM')은 제3 절연층(ILD) 상부에 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)과 동시에 동일 물질로 형성된다. 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)은 저저항 신호 배선으로, 예를 들어, 알루미늄(Al)을 포함하는 Ti/Al/Ti의 3층 구조로 형성될 수 있다. 커버 메탈(CM') 상부에는 보호막(PL)이 형성되고, 커버 메탈(CM')은 보호막(PL)을 관통하는 비아홀(VIA)을 통해 애노드 전극(AE)과 접촉한다. 애노드 전극(AE)은 ITO와 같은 투명 도전 물질로 형성된다. 이런 경우, 커버 메탈(CM')과 애노드 전극(AE) 간의 접촉 저항 감소를 위해 커버 메탈(CM')을 저저항 금속으로 형성할 필요가 있다. 이에 따라 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)을 형성할 때 동일층에 동일 물질로 커버 메탈(CM')을 형성한다. 또한, 알루미늄(Al)의 사이드 노출에 의한 부식 방지를 위해 커버 메탈(CM')은 비아홀(VIA) 보다 충분히 넓게 형성되어야 한다. 그러나, 커버 메탈(CM')의 사이즈 증가는 고해상도 구현에 제약 사항이 된다. 8 is a diagram schematically showing a corresponding region in a pixel of the display device according to the comparative example of FIG. 6. In the pixel illustrated in FIG. 8, the first insulating layer GI1, the second insulating layer GI2, and the third insulating layer ILD1 are stacked under the cover metal CM ', and the cover metal CM' is The driving voltage line 26 and the data line 16 are formed on the third insulating layer ILD at the same time. The driving voltage line 26 and the data line 16 may be formed of a low-resistance signal line, for example, a three-layer structure of Ti / Al / Ti containing aluminum (Al). A protective layer PL is formed on the cover metal CM ', and the cover metal CM' contacts the anode electrode AE through the via hole VIA passing through the protective layer PL. The anode electrode AE is formed of a transparent conductive material such as ITO. In this case, in order to reduce the contact resistance between the cover metal CM 'and the anode electrode AE, it is necessary to form the cover metal CM' as a low resistance metal. Accordingly, when forming the driving voltage line 26 and the data line 16, a cover metal CM 'is formed of the same material on the same layer. In addition, in order to prevent corrosion by side exposure of aluminum (Al), the cover metal CM 'should be formed sufficiently wider than the via hole VIA. However, an increase in the size of the cover metal CM 'is a limitation in realizing high resolution.

반면, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예는 커버 메탈(CM)의 형성 단계를 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)의 형성 단계와 분리한다. 이에 따라 커버 메탈(CM)의 형성 물질과 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)의 형성 물질을 다르게 적용할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 커버 메탈(CM)은 제3 절연층(ILD1) 상부에 적어도 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속 물질로 형성하고, 커버 메탈(CM) 상부의 제4 절연층(ILD2) 상부에 Ti/Al/Ti과 같이 적어도 알루미늄(Al)을 포함하는 금속 물질로 구동 전압선(26) 및 데이터선(16)을 형성한다. 따라서, 커버 메탈(CM)을 비아홀(VIA) 보다 충분히 넓게 형성할 필요가 없다.On the other hand, as shown in Figure 6, the embodiment of the present invention separates the step of forming the cover metal (CM) from the step of forming the driving voltage line 26 and the data line 16. Accordingly, the forming material of the cover metal CM and the forming material of the driving voltage line 26 and the data line 16 may be applied differently. In an embodiment of the present invention, the cover metal CM is formed of a metal material containing at least molybdenum (Mo) on the third insulating layer ILD1, and the fourth insulating layer ILD2 on the cover metal CM A driving voltage line 26 and a data line 16 are formed of a metal material containing at least aluminum (Al), such as Ti / Al / Ti. Therefore, it is not necessary to form the cover metal CM sufficiently wider than the via hole VIA.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 비아홀과 커버 메탈의 사이즈의 예를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 7을 참조하면, 커버 메탈(CM)을 몰리브덴(Mo)을 포함하는 금속 물질로 형성함으로써, 비아홀(VIA)에 커버 메탈(CM)의 사이드 노출이 가능하다. 따라서, 커버 메탈(CM)의 사이즈는 비아홀(VIA)과 적어도 한 면이 일치하거나 작게 형성할 수 있다. 도 7의 예에서는 커버 메탈(CM)의 사이즈가 비아홀(VIA)과 거의 일치하는 예를 도시하고 있으며, 비아홀(VIA) 보다 작은 사이즈를 갖도록 형성할 수도 있다. 즉, 도 8에 도시된 비교예에 비해, 본 발명의 실시예에서는 커버 메탈(CM)의 사이즈를 줄일 수 있다. 또한 몰리브덴(Mo)과 ITO 간의 접촉 저항은 Ti/Al/Ti와 ITO 간의 접촉 저항보다 작아 접촉 면적을 줄일 수 있다. 이로 인해 본 발명의 실시예에서는 고해상도에 최적화된 화소를 구성할 수 있다. 7 is a view schematically showing an example of the size of a via hole and a cover metal according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, by forming the cover metal CM with a metal material containing molybdenum (Mo), side exposure of the cover metal CM to the via hole VIA is possible. Accordingly, the size of the cover metal CM may be formed such that at least one surface coincides with the via hole VIA or is small. In the example of FIG. 7, an example in which the size of the cover metal CM is almost the same as that of the via hole VIA is illustrated, and may be formed to have a size smaller than that of the via hole VIA. That is, compared to the comparative example shown in FIG. 8, in the embodiment of the present invention, the size of the cover metal CM can be reduced. In addition, the contact resistance between molybdenum (Mo) and ITO is smaller than the contact resistance between Ti / Al / Ti and ITO, thereby reducing the contact area. Therefore, in the embodiment of the present invention, it is possible to configure a pixel optimized for high resolution.

제4 절연층(ILD2) 상부에는 구동 전압선(26), 연결 배선(40), 및 데이터 선(16)이 서로 이격되어 형성되어 있다. 구동 전압선(26)은 제3 절연층(ILD1)과 제4 절연층(ILD2)을 관통하는 컨택홀(47a, 47b)을 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(Cst2)과 연결되고, 제1 절연층 내지 제4 절연층(GI1, GI2, ILD1, ILD2)을 관통하는 컨택홀(48)을 통해 제1 발광 제어 박막 트랜지스터(T5)의 제1 발광 제어 소스 전극(S5)과 연결되어, 각각에 제1 전원전압(ELVDD)을 공급한다. 연결 배선(40)의 일단은 제1 절연층 내지 제4 절연층(GI1, GI2, ILD1, ILD2)을 관통하는 컨택홀(42)을 통해 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 초기화 드레인 전극(D4)과 연결되고, 타단은 제3 절연층(ILD1)과 제4 절연층(ILD2)을 관통하는 컨택홀(45)을 통해 구동 박막 트랜지스터(T1)의 구동 게이트 전극(G1)과 연결된다. 그리고, 연결 배선(40)의 중앙부는 제2 절연층(GI2), 제3 절연층(ILD1), 제4 절연층(ILD2)을 관통하는 컨택홀(43)을 통해 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(Cst1), 제1 절연층 내지 제4 절연층(GI1, GI2, ILD1, ILD2)을 관통하는 컨택홀(44)을 통해 보상 박막 트랜지스터(T3)의 보상 드레인 전극(D3)과 연결된다. 데이터 선(16)은 제1 절연층 내지 제4 절연층(GI1, GI2, ILD1, ILD2)을 관통하는 컨택홀(49)을 통해 스위칭 트랜지스터(T2)의 스위칭 소스 전극(S2)과 연결되어, 데이터 신호(Dm)를 공급한다. 구동 전압선(26) 및 데이터 선(16)을 포함하는 제2 신호 배선의 형성 물질은 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 저저항의 금속 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 연결 배선(40)은 제2 신호 배선 형성시 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다. The driving voltage line 26, the connection wiring 40, and the data line 16 are formed on the fourth insulating layer ILD2 spaced apart from each other. The driving voltage line 26 is connected to the second electrode Cst2 of the storage capacitor Cst through the contact holes 47a and 47b passing through the third insulating layer ILD1 and the fourth insulating layer ILD2, and Is connected to the first light emission control source electrode (S5) of the first light emission control thin film transistor (T5) through the contact hole 48 through the first insulating layer to the fourth insulating layer (GI1, GI2, ILD1, ILD2), The first power voltage ELVDD is supplied to each. One end of the connection wiring 40 is connected to the initialization drain electrode D4 of the initialization thin film transistor T4 through the contact hole 42 passing through the first insulating layer to the fourth insulating layer GI1, GI2, ILD1, and ILD2. The other end is connected to the driving gate electrode G1 of the driving thin film transistor T1 through the contact hole 45 passing through the third insulating layer ILD1 and the fourth insulating layer ILD2. In addition, the central portion of the connection wiring 40 is formed of the storage capacitor Cst through the contact hole 43 penetrating through the second insulating layer GI2, the third insulating layer ILD1, and the fourth insulating layer ILD2. It is connected to the compensation drain electrode D3 of the compensation thin film transistor T3 through a contact hole 44 penetrating through the first electrode Cst1 and the first to fourth insulating layers GI1, GI2, ILD1, and ILD2. . The data line 16 is connected to the switching source electrode S2 of the switching transistor T2 through a contact hole 49 passing through the first to fourth insulating layers GI1, GI2, ILD1, and ILD2, The data signal Dm is supplied. The material for forming the second signal line including the driving voltage line 26 and the data line 16 preferably includes a low-resistance metal material such as aluminum (Al), copper (Cu), or the like. The connection wiring 40 may be formed of the same material on the same layer when forming the second signal wiring.

도 9를 참조하면, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 게이트 배선(GL1) 형성 물질로 제1 절연층(GI1) 상에 형성된 제1 전극(Cst1)과 제2 게이트 배선(GL2) 형성 물질로 제2 절연층(GI2) 상에 형성된 제2 전극(Cst2)을 포함한다. 제4 절연층(ILD2) 상부에는 평행하게 배열된 데이터 선(16) 및 구동 전압선(26)이 스토리지 커패시터(Cst)와 중첩하여 배치된다. 제2 전극(Cst2)은 제3 절연층(ILD1)과 제4 절연층(ILD2)을 관통하는 컨택홀(47a)을 통해 구동 전압선(26)과 연결된다. Referring to FIG. 9, the storage capacitor Cst is formed of a first gate line GL1 forming material and a first electrode Cst1 and a second gate line GL2 forming material formed on the first insulating layer GI1. 2 includes a second electrode Cst2 formed on the insulating layer GI2. The data line 16 and the driving voltage line 26 arranged in parallel overlap the storage capacitor Cst on the fourth insulating layer ILD2. The second electrode Cst2 is connected to the driving voltage line 26 through a contact hole 47a passing through the third insulating layer ILD1 and the fourth insulating layer ILD2.

도 10은 도 9의 비교예에 따른 표시 장치의 화소에서 대응 영역을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 10에 도시된 화소에서는, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 게이트 배선(GL1) 형성 물질로 제1 절연층(GI1) 상에 형성된 제1 전극(Cst1)과 제2 게이트 배선(GL2) 형성 물질로 제2 절연층(GI2) 상에 형성된 제2 전극(Cst2)을 포함한다. 제2 전극(Cst2) 상부의 제3 절연층(ILD1) 상부에는 평행하게 배열된 데이터 선(16) 및 구동 전압선(26)이 중첩하여 배치된다. 제2 전극(Cst2)은 제3 절연층(ILD1)을 관통하는 컨택홀(47a)을 통해 구동 전압선(26)과 연결된다. 10 is a diagram schematically showing a corresponding region in a pixel of the display device according to the comparative example of FIG. 9. In the pixel illustrated in FIG. 10, the storage capacitor Cst is the first gate wiring GL1 forming material, and the first electrode Cst1 and the second gate wiring GL2 forming material on the first insulating layer GI1 are formed. And a second electrode Cst2 formed on the second insulating layer GI2. The data line 16 and the driving voltage line 26 arranged in parallel are disposed on the third insulating layer ILD1 on the second electrode Cst2. The second electrode Cst2 is connected to the driving voltage line 26 through a contact hole 47a penetrating the third insulating layer ILD1.

도 10의 비교예에서는 스토리지 커패시터(Cst)와 데이터 선(16) 및 구동 전압선(26)과의 사이에 제3절연층(ILD1), 즉 한 층의 절연층이 배치된 반면, 본 발명의 실시예에서는 스토리지 커패시터(Cst)와 데이터 선(16) 및 구동 전압선(26)과의 사이에 제3 절연층(ILD1)과 제4 절연층(ILD2), 즉 두 층의 절연층이 배치된다. 따라서, 본원발명의 실시예에서는 절연층의 증가로 중첩된 배선들 간의 커패시턴스를 줄일 수 있다. In the comparative example of FIG. 10, the third insulating layer ILD1, that is, one insulating layer is disposed between the storage capacitor Cst and the data line 16 and the driving voltage line 26, while implementing the present invention. In the example, the third insulating layer ILD1 and the fourth insulating layer ILD2, that is, two insulating layers are disposed between the storage capacitor Cst and the data line 16 and the driving voltage line 26. Therefore, in the embodiment of the present invention, the capacitance between overlapping wirings can be reduced by increasing the insulating layer.

구동 전압선(26), 연결 배선(40), 및 데이터 선(16) 상부에는 보호막(PL)이 배치되고, 보호막(PL) 상부에는 보호막(PL), 제4절연층(ILD2) 및 컨택홀(46)을 관통하는 비아홀(VIA)을 통해 애노드 전극(AE)이 커버 메탈(CM)과 연결된다. 애노드 전극(AE)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO, 및 AZO를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 투명 도전층으로 형성할 수 있다.The passivation layer PL is disposed on the driving voltage line 26, the connection wiring 40, and the data line 16, and the passivation layer PL, the fourth insulating layer ILD2, and the contact hole are disposed on the passivation layer PL. The anode electrode AE is connected to the cover metal CM through a via hole VIA penetrating 46). The anode electrode AE may be formed of a transparent conductive layer including at least one selected from the group comprising ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3 , IGO, and AZO.

애노드 전극(AE) 상부에는 애노드 전극(AE)의 일부를 노출하는 개구를 갖는 화소정의막(PDL)이 형성되고, 개구 내에는 복수의 기능층을 포함하는 발광층(EL)이 형성되고, 발광층(EL) 상부에 캐소드 전극(CE)이 기판(101) 전면에 형성될 수 있다. 화소정의막(PDL)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 유기물 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다. A pixel defining layer PDL having an opening exposing a portion of the anode electrode AE is formed on the anode electrode AE, and an emission layer EL including a plurality of functional layers is formed in the opening, and the light emitting layer ( EL) A cathode electrode CE may be formed on the entire surface of the substrate 101. The pixel definition layer (PDL) may be made of organic materials such as polyacrylates resin and polyimides or silica-based inorganic materials.

전술한 실시예에서는, 하나의 화소에 6개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 1개의 커패시터(capacitor)를 구비하는 6Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 표시 장치는 하나의 화소에 복수개의 박막 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. In the above-described embodiment, an active matrix (AM) type organic light emitting display device having a 6Tr-1Cap structure including six thin film transistors (TFTs) and one capacitor in one pixel is provided. Although shown, the present invention is not limited to this. Accordingly, the display device may include a plurality of thin film transistors and one or more capacitors in one pixel, and may be formed to have various structures by further forming separate wiring or omitting existing wiring.

본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.In the present specification, the present invention has been mainly described with limited embodiments, but various embodiments are possible within the scope of the present invention. Also, although not described, it will be said that equivalent means are also incorporated into the present invention. Therefore, the true protection scope of the present invention should be defined by the claims below.

Claims (19)

반도체층;
제1방향으로 연장된 제1배선;
상기 제1방향으로 연장된 제2배선;
상기 제1방향과 다른 제2방향으로 연장된 제3배선;
상기 반도체층과 상기 제1배선 사이의 제1절연층;
상기 제1배선과 상기 제2배선 사이의 제2절연층;
상기 제2배선과 상기 제3배선 사이의 제3절연층;
상기 제3배선 상의 보호층;
상기 보호층 상에 배치된 애노드 전극; 및
상기 제1배선, 상기 제2배선 및 상기 제3배선과 연결된 복수의 박막트랜지스터들 및 커패시터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.Semiconductor layer;
A first wiring extending in a first direction;
A second wiring extending in the first direction;
A third wiring extending in a second direction different from the first direction;
A first insulating layer between the semiconductor layer and the first wiring;
A second insulating layer between the first wiring and the second wiring;
A third insulating layer between the second wiring and the third wiring;
A protective layer on the third wiring;
An anode electrode disposed on the protective layer; And
And a plurality of thin film transistors and capacitors connected to the first wiring, the second wiring, and the third wiring. 제1항에 있어서,
상기 제3절연층과 상기 제3배선 사이의 제4절연층;을 더 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
And a fourth insulating layer between the third insulating layer and the third wiring. 제1항에 있어서,
상기 제3배선이 상기 커패시터와 중첩하는, 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
A thin film transistor array substrate in which the third wiring overlaps the capacitor. 제1항에 있어서,
상기 제3배선은 구동 전압선인, 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
The third wiring is a driving voltage line, a thin film transistor array substrate. 제4항에 있어서,
상기 구동 전압선 및 발광소자 사이에 연결되고, 상기 반도체층의 일부인 제1반도체층과 상기 제2배선과 동일층의 게이트전극을 포함하는 제1박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 4,
And a first thin film transistor connected between the driving voltage line and the light emitting element and including a first semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer and a gate electrode of the same layer as the second wiring. 제5항에 있어서,
상기 커패시터는 상기 제1배선과 동일층에 배치된 제1전극 및 상기 제2배선과 동일층에 배치된 제2전극을 포함하고,
상기 커패시터의 제1전극은 상기 제1박막트랜지스터의 게이트전극에 연결되고,
상기 커패시터의 제2전극은 상기 구동 전압선에 연결된, 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
The capacitor includes a first electrode disposed on the same layer as the first wiring and a second electrode disposed on the same layer as the second wiring,
The first electrode of the capacitor is connected to the gate electrode of the first thin film transistor,
The second electrode of the capacitor is connected to the driving voltage line, a thin film transistor array substrate. 제5항에 있어서,
상기 반도체층의 일부인 제2반도체층과, 상기 제2배선과 동일층에 배치된 게이트전극을 포함하고, 상기 제2반도체층이 데이터선 및 상기 제1박막트랜지스터의 제1반도체층에 연결된 제2박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
A second semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the same layer as the second wiring, wherein the second semiconductor layer is connected to a data line and a first semiconductor layer of the first thin film transistor A thin film transistor array substrate comprising a thin film transistor. 제5항에 있어서,
상기 반도체층의 일부인 제3반도체층과, 상기 제2배선과 동일층에 배치된 게이트전극을 포함하고, 상기 제3반도체층이 상기 제1박막트랜지스터의 제1반도체층 및 상기 제1박막트랜지스터의 게이트전극에 연결된 제3박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
A third semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the same layer as the second wiring, wherein the third semiconductor layer is the first semiconductor layer and the first thin film transistor of the first thin film transistor. And a third thin film transistor connected to the gate electrode. 제5항에 있어서,
상기 제2배선은 초기화 전압선인, 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
The second wiring is an initialization voltage line, a thin film transistor array substrate. 제5항에 있어서,
상기 반도체층의 일부인 제5반도체층과, 상기 제1배선과 동일층에 배치된 게이트전극을 포함하고, 상기 제5반도체층이 상기 구동 전압선 및 상기 제1박막트랜지스터의 제1반도체층에 연결된 제5박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
A fifth semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the same layer as the first wiring, wherein the fifth semiconductor layer is connected to the driving voltage line and the first semiconductor layer of the first thin film transistor A thin film transistor array substrate comprising a; 5 thin film transistor. 제5항에 있어서,
상기 반도체층의 일부인 제6반도체층과, 상기 제1배선과 동일층에 배치된 게이트전극을 포함하고, 상기 제6반도체층이 상기 제1박막트랜지스터의 제1반도체층 및 상기 발광소자에 연결된 제6박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 5,
A sixth semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer, a gate electrode disposed on the same layer as the first wiring, and wherein the sixth semiconductor layer is connected to the first semiconductor layer and the light emitting element of the first thin film transistor 6 thin film transistor; comprising a thin film transistor array substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1배선은 주사선 또는 발광 제어선인, 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
The first wiring is a scanning line or a light emission control line, a thin film transistor array substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1배선에 연결된 게이트전극과, 상기 반도체층의 일부를 소스전극 및 드레인전극으로 갖는 박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
And a thin film transistor having a gate electrode connected to the first wiring and a portion of the semiconductor layer as a source electrode and a drain electrode. 제1항에 있어서,
상기 제2배선은 주사선 또는 초기화 전압선인, 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
The second wiring is a scanning line or an initialization voltage line, a thin film transistor array substrate. 제1항에 있어서,
상기 제2배선에 연결된 게이트전극과, 상기 반도체층의 일부를 소스전극 및 드레인전극으로 갖는 박막트랜지스터;를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
And a thin film transistor having a gate electrode connected to the second wiring and a portion of the semiconductor layer as a source electrode and a drain electrode. 제9항에 있어서,
상기 반도체층의 일부인 제4반도체층과, 상기 제1배선들과 동일층에 배치된 게이트전극을 포함하고, 상기 제4반도체층이 상기 초기화 전압선 및 상기 제1박막트랜지스터의 게이트전극에 연결된 제4박막트랜지스터;를 포함하는, 박막 트랜지스터 어레이 기판.The method of claim 9,
A fourth semiconductor layer which is a part of the semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the same layer as the first wirings, wherein the fourth semiconductor layer is connected to the initialization voltage line and the gate electrode of the first thin film transistor A thin film transistor; comprising, a thin film transistor array substrate. 제1항에 있어서,
상기 제2배선과 제3배선 사이의 층에 배치된 커버메탈;을 더 포함하고,
상기 커버메탈은 상기 복수의 박막트랜지스터들 중 하나와 상기 애노드 전극에 연결된, 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
Further comprising; a cover metal disposed on the layer between the second wiring and the third wiring,
The cover metal is connected to one of the plurality of thin film transistors and the anode electrode, a thin film transistor array substrate. 제2항에 있어서,
상기 제3절연층과 상기 보호층 사이에 배치된 커버메탈;을 더 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 2,
And a cover metal disposed between the third insulating layer and the protective layer. 제1항에 있어서,
상기 제3배선과 동일층에 배치된 데이터선;을 더 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.According to claim 1,
And a data line disposed on the same layer as the third wiring.
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