[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR102069634B1 - 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치 - Google Patents

선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102069634B1
KR102069634B1 KR1020180078186A KR20180078186A KR102069634B1 KR 102069634 B1 KR102069634 B1 KR 102069634B1 KR 1020180078186 A KR1020180078186 A KR 1020180078186A KR 20180078186 A KR20180078186 A KR 20180078186A KR 102069634 B1 KR102069634 B1 KR 102069634B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
bias
current
envelope
amplifying
Prior art date
Application number
KR1020180078186A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200005032A (ko
Inventor
최규진
조제희
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020180078186A priority Critical patent/KR102069634B1/ko
Priority to US16/284,599 priority patent/US10892719B2/en
Priority to CN201910432520.2A priority patent/CN110690861A/zh
Publication of KR20200005032A publication Critical patent/KR20200005032A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102069634B1 publication Critical patent/KR102069634B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0216—Continuous control
    • H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/303—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters using a switching device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/102—A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21127—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias current of a power amplifier being controlled, e.g. by an active current source or a current mirror
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21131—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias voltage of a power amplifier being controlled, e.g. by a potentiometer or an emitter follower
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치는, 제1 바이어스 전류를 공급받는 제1 증폭 회로; 제2 바이어스 전류를 공급받는 제2 증폭 회로; 입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압을 출력하는 엔벨로프 검출회로; 및 상기 직류 검출 전압에 기초해 하이 파워 구동 영역에서 상기 제2 바이어스 전류를 이용하여 상기 제1 바이어스 전류를 보상하는 바이어스 보상회로를 포함한다.

Description

선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치{MULTI STAGE POWER AMPLIFIER HAVING LINEARITY COMPENSATING FUNCTION}
본 발명은 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치에 관한 것이다.
통상, 다단 파워 증폭 장치(Multi stage power amplifier)는, 직렬로 접속되고, 각 증폭이득을 가지고 전체적으로 높은 증폭이득을 이용하여 입력되는 신호를 증폭할 수 있는 제1 증폭기와 제2 증폭기를 포함한다.
상기 제1 증폭기는 입력되는 신호를 증폭하여 상기 제2 증폭기에 출력할 수 있다. 상기 제2 증폭기는 상기 제1 증폭기로부터 입력되는 신호를 증폭하여 출력할 수 있다. 상기 제1 증폭기와 제2 증폭기는 전체 증폭이득을 분담하고, 상기 제1 증폭기는 증폭 및 버퍼 기능을 수행할 수 있다.
여기서, 상기 제1 증폭기는 드라이브 증폭기(DA)가 될 수 있고, 상기 제2 증폭기는 파워 증폭기가 될 수 있다.
기존의 다단 파워 증폭 장치는, 하이 파워 구동 영역에서, 제1 증폭기의 바이어스가 하강되고, 제2 증폭기의 바이어스가 상승되는 단점이 있으며, 이에 따라 선형성이 저하되는 문제점이 있다.
(선행기술문헌)
(특허문헌 1) KR 2003-0090518
본 발명의 일 실시 예는, 하이 파워 구동 영역에서 제1 바이어스 및 제2 바이어스를 보상하도록 함으로써 선형성을 개선할 수 있는 다단 파워 증폭 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 제1 바이어스 전류를 공급받는 제1 증폭 회로; 제2 바이어스 전류를 공급받는 제2 증폭 회로; 입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압을 출력하는 엔벨로프 검출회로; 및 상기 직류 검출 전압에 기초해 하이 파워 구동영역에서 상기 제2 바이어스 전류를 이용하여 상기 제1 바이어스 전류를 보상하는 바이어스 보상회로; 를 포함하는 다단 파워 증폭 장치가 제안된다.
상기 바이어스 보상회로는, 상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 제2 바이어스 전류에서 추출한 싱크 전류를 이용하여 보상 전류를 생성하고 상기 보상 전류를 상기 제1 증폭 회로의 바이어스 단자에 공급하도록 이루어질 수 있다.
상기 다단 파워 증폭 장치는, 상기 제1 바이어스 전류를 공급하는 제1 바이어스 회로; 및 제2 바이어스 전류를 공급하는 제2 바이어스 회로; 를 더 포함할 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 상기 고주파 신호에서 엔벨로프 신호를 검출하고, 상기 엔벨로프 신호에 기초한 상기 직류 검출 전압을 출력하도록 이루어질 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 상기 고주파 신호의 엔벨로프 신호를 추출하는 신호 추출 회로; 상기 엔벨로프 신호를 정류하여 상기 직류 검출 전압을 출력하여 정류 회로; 및 상기 직류 검출 전압에서 교류 성분을 제거하여 상기 직류 검출 전압을 안정화시키는 필터 회로; 를 포함할 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 외부로부터 제어 전압을 상기 정류 회로의 입력단에 입력받도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 보상회로는, 증폭 트랜지스터를 포함하고, 상기 직류 검출 전압을 상기 증폭 트랜지스터의 바이어스 전압으로 공급받고, 상기 직류 검출 전압이 턴온 전압 이상이면 상기 싱크 전류를 증폭하여 상기 보상 전류를 출력하는 증폭 회로; 를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시 예에 의해, 제1 바이어스 전류를 공급하는 제1 바이어스 회로; 제2 바이어스 전류를 공급하는 제2 바이어스 회로; 상기 제1 바이어스 전류를 공급받는 제1 증폭 회로; 상기 제2 바이어스 전류를 공급받는 제2 증폭 회로; 입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압을 출력하는 엔벨로프 검출회로; 및 상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 제2 바이어스 회로에서 분기된 싱크 전류에 기초하여 상기 제1 바이어스 전류를 보상하는 바이어스 보상회로; 를 포함하는 다단 파워 증폭 장치가 제안된다.
상기 제2 바이어스 회로는, 내부 전류를 증폭하여 상기 제2 바이어스 전류를 출력하는 바이어스 트랜지스터를 포함하고, 상기 바이어스 보상회로는, 상기 바이어스 트랜지스터의 베이스, 컬렉터, 에미터중 하나에서 상기 싱크 전류를 분기받도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 보상회로는, 상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 싱크 전류를 이용하여 보상 전류를 생성하고 상기 보상 전류를 상기 제1 증폭 회로의 바이어스 단자에 공급하도록 이루어질 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 상기 고주파 신호에서 엔벨로프 신호를 검출하고, 상기 엔벨로프 신호에 기초한 상기 직류 검출 전압을 출력하도록 이루어질 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 상기 고주파 신호의 엔벨로프 신호를 추출하는 신호 추출 회로; 상기 엔벨로프 신호를 정류하여 상기 직류 검출 전압을 출력하여 정류 회로; 및 상기 직류 검출 전압에서 교류 성분을 제거하여 상기 직류 검출 전압을 안정화시키는 필터 회로; 를 포함할 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로는, 외부로부터 제어 전압을 상기 정류 회로의 입력단에 입력받도록 이루어질 수 있다.
상기 바이어스 보상회로는, 증폭 트랜지스터를 포함하고, 상기 직류 검출 전압을 상기 증폭 트랜지스터의 바이어스 전압으로 공급받고, 상기 직류 검출 전압이 턴온 전압 이상이면 상기 싱크 전류를 증폭하여 상기 보상 전류를 출력하는 증폭 회로; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하이 파워 구동 영역에서 제1 바이어스 및 제2 바이어스를 보상하도록 함으로써 제1 바이어스 및 제2 바이어스의 선형성을 개선할 수 있고, 다단 파워 증폭 장치의 진폭 왜곡(예, AM-AM distortion)을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치의 회로 예시도이다.
도 3은 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 4는 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 5는 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 6은 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔벨로프 검출회로 및 바이어스 보상회로의 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔벨로프 검출회로 및 바이어스 보상회로의 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 바이어스 회로의 예시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 ACLR-출력파워 그래프이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치의 예시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치의 회로 예시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 본 발명의 일 실시 예에 따른 다단 파워 증폭 장치는, 제1 바이어스 회로(210), 제2 바이어스 회로(220), 제1 증폭 회로(Amp1)(110), 제2 증폭 회로(Amp2)(120), 엔벨로프 검출회로(300), 및 바이어스 보상회로(400)를 포함할 수 있다.
본 방명의 일 실시 예에 따른 제1 증폭 회로(110) 및 제2 증폭 회로(120) 각각에 보상없는 바이어스 회로를 사용하는 경우에는 소신호(small signal) 및 대신호(large signal)에서, 제1 증폭 회로(110) 및 제2 증폭 회로(120) 각각에 포함된 파워 트랜지스터의 바이어스 포인트(power transistor bias point)는 서로 다르게 될 수 있고, 이는 파워 트랜지스터(power transistor)에 입력되는 신호 스윙(signal swing)의 크기에 따라 바이어스 회로의 비선형 동작의 차이가 생기기 때문이다.
통상, 입력전력이 커질수록 바이어스 회로의 2차 비선형 특성에 의해 생성되는 추가적인 DC 성분의 크기가 커지면서 바이어스 포인트(bias point)가 상승하게 되고, 이와 반대로 입력전력이 낮은 경우에는 바이어스 회로의 비선형성에 의한 추가적인 DC 성분의 크기가 작기 때문에 파워 트랜지스터(power transistor)의 바이어스 포인트(bias point)는 하강(droop)하게 된다.
다단 증폭기(Multi stage amplifier)에서, 각 단(stage)의 입력 신호의 크기에 의해 변하는 바이어스 포인트(bias point)의 변화 양상에 따라 진폭 왜곡(예, AM-AM 왜곡)이 결정되며, 이는 선형성에 매우 직접적인 연관성을 가지고 있다. 따라서 본 발명은 비선형성에 의한 바이어스의 하강 및 상승을 보상한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 증폭 회로(110)는 제2 증폭 회로(120)보다 비교적 작은 입력 전력으로 구동되어, 전술한 바와같이 바이어스 보상회로(400)가 적용되지 않을 경우에는, 입력 신호의 크기가 커질수록 제1 증폭 회로의 바이어스 포인트(bias point)가 하강하게 되며, 제2 증폭 회로(120)의 바이어스 포인트(bias point)가 상승하게 될 수 있다.
본 발명의 바이어스 보상회로(400)가 적용되는 경우에는, 제2 증폭 회로(120)가 큰 입력으로 구동되어 제2 증폭 회로의 바이어스 포인트(bias point)가 상승할 때, 제2 증폭 회로(120)의 바이어스 전류의 일부 전류를 싱크(sink)하고, 싱크된 일부 전류를 제1 증폭 회로(110)의 제1 바이어스 전류에 추가 공급함으로써, 하이 파워(high power) 구동영역에서 상승하는 제2 증폭 회로(120)의 바이어스 포인트(bias point)와 하강하는 제1 증폭 회로(110)의 바이어스 포인트(bias point)를 동시에 완화시킬 수 있다. 이하 이에 대해 설명한다.
상기 제1 바이어스 회로(210)는, 제1 전압(V1)을 공급받아 생성된 내부 전류를 이용하여 제1 바이어스 전류(Ibias1)를 공급할 수 있다.
상기 제2 바이어스 회로(220)는 제2 전압(V2)을 공급받아 생성된 내부 전류를 이용하여 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 공급할 수 있다.
상기 제1 증폭 회로(110)는, 상기 제1 바이어스 전류(Ibias1)를 공급받아서, 입력되는 고주파 신호를 증폭하여 상기 제2 증폭 회로(120)에 출력할 수 있다.
상기 제2 증폭 회로(120)는 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 공급받아서 상기 제1 증폭 회로(110)에 의해 증폭된 고주파 신호를 증폭하여 출력단자(OUT)에 출력할 수 있다.
상기 엔벨로프 검출회로(300)는, 입력단자(IN) 및 커패시터를 통해 입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압(Vd)을 출력할 수 있다.
상기 바이어스 보상회로(400)는, 상기 직류 검출 전압(Vd)에 응답하여 상기 제2 바이어스 회로(220)에서 분기된 싱크 전류(Isink)에 기초하여 상기 제1 바이어스 전류(Ibias1)를 보상할 수 있다.
또한, 제2 바이어스 전류(Ibias2)에서 싱크전류(Isink)를 분기하여 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 보상할 수 있다.
일 예로, 상기 엔벨로프 검출회로(300)는, 상기 고주파 신호에서 엔벨로프 신호를 검출하고, 상기 엔벨로프 신호에 기초한 상기 직류 검출 전압(Vd)을 출력할 수 있다. 이에 대해서는 도 9를 참조하여 설명한다.
상기 바이어스 보상회로(400)는, 상기 직류 검출 전압(Vd)에 응답하여 상기 싱크 전류(Isink)를 이용하여 보상 전류(Icom)를 생성하고 상기 보상 전류(Icom)를 상기 제1 증폭 회로(110)의 제1 바이어스 단자(N1)에 공급할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 바이어스 단자(N1)에서, 상기 제1 바이어스 회로(210)에서 생성된 제1 바이어스 전류(Ibias1)에 상기 보상 전류(Icom)가 더해져서 상기 제1 바이어스 전류(Ibias1)의 하강이 보상된다.
본 발명의 각 도면에 대해, 동일한 부호 및 동일한 기능의 구성요소에 대해서는 가능한 불필요한 중복 설명은 생략될 수 있고, 각 도면에 대해 가능한 차이점에 대한 사항이 설명될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 증폭 회로(110)는 상기 제1 바이어스 전류(Ibias1)를 베이스로 공급받고, 제1 인덕터(L1)를 통해 제1 동작전압(Vcc1)을 컬렉터로 공급받아서, 입력단자(IN) 및 커패시터를 통해 입력되는 고주파 신호를 증폭하여 상기 증폭된 고주파 신호를 출력하는 제1 증폭 트랜지스터(Q1)를 포함할 수 있다.
상기 제2 증폭 회로(120)는, 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 베이스로 공급받고, 제2 인덕터(L2)를 통해 제2 동작전압(Vcc2)을 컬렉터로 공급받아서, 상기 제1 증폭 회로(110)로부터 입력되는 고주파 신호를 증폭하여 상기 증폭된 고주파 신호를 커패시터를 통해 출력단자(OUT)로 출력하는 제2 증폭 트랜지스터(Q2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 바이어스 회로(210)는, 제1 전압(V1)을 공급받아 생성된 내부 전류(I1)를 증폭하여 상기 제1 바이어스 전류(Ibias2)를 출력하는 제1 바이어스 트랜지스터(Q21)를 포함할 수 있다.
상기 제2 바이어스 회로(220)는, 제2 전압(V2)을 공급받아 생성된 내부 전류(I2)를 증폭하여 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 출력하는 제2 바이어스 트랜지스터(Q22)를 포함할 수 있다.
도 2에서, CB1, CB2, CB3은 직류 신호(전압 또는 전류)를 차단하고, 교류 신호를 통과시키는 직류 블록킹 커패시터이다.
도 3은 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 3을 참조하면, 상기 바이어스 보상회로(400)는, 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)에서 분기된 싱크전류(Isink)를 이용하여 상기 제1 바이어스 전류(Ibias1)를 보상할 수 있다.
일 예로, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 바이어스 보상회로(400)는, 상기 직류 검출 전압(Vd)에 응답하여 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)에서 추출한 싱크 전류(Isink)를 이용하여 보상 전류(Icom)를 생성하고 상기 보상 전류(Icom)를 상기 제1 증폭 회로(110)의 제1 바이어스 단자(N1)에 공급할 수 있다.
또한, 상기 바이어스 보상회로(400)는, 도 3과는 달리, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 베이스, 컬렉터, 에미터중 하나에서 상기 싱크 전류(Isink)를 분기받을 수 있으며, 이에 대해서는 도 4, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.
도 4는 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이고, 도 5는 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이고, 도 6은 도 2의 싱크전류에 대한 분기 예시도이다.
도 4를 참조하면, 일 예로, 상기 싱크 전류(Isink)는, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 베이스에서 상기 싱크 전류(Isink)를 분기받을 수 있다.
도 5를 참조하면, 일 예로, 상기 싱크 전류(Isink)는, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 에미터에서 상기 싱크 전류(Isink)를 분기받을 수 있다.
도 6을 참조하면, 일 예로, 상기 싱크 전류(Isink)는, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 컬렉터에서 상기 싱크 전류(Isink)를 분기받을 수 있다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)는 베이스를 통해서 입력되는 내부 전류(I2)를 증폭하여 에미터를 통해 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)를 출력할 수 있다. 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 클럭터에 접속되어, 상기 제2 바이어스 전류(Ibias2)의 크기를 조절할 수 있는 밸러스트 저항(R20)을 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔벨로프 검출회로 및 바이어스 보상회로의 예시도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 엔벨로프 검출회로 및 바이어스 보상회로의 예시도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 엔벨로프 검출회로(300)는, 신호 추출 회로(310), 정류 회로(320) 및 필터 회로(330)를 포함할 수 있다.
상기 신호 추출 회로(310)는, 상기 신호 입력단자(IN)와 상기 제1 증폭 회로(110)의 입력단 사이의 검출노드(Nd)에 접속되어, 상기 고주파 신호의 엔벨로프 신호를 추출할 수 있다. 일 예로, 상기 신호 추출 회로(310)는 커패시터(C1)를 포함할 수 있다.
상기 정류 회로(320)는, 상기 신호 추출 회로(310)를 통해 입력되는 상기 엔벨로프 신호를 정류하여 상기 직류 검출 전압(Vd)을 출력할 수 있다. 일 예로, 상기 정류 회로(320)는, 적어도 하나의 정류 소자(QD)를 포함할 수 있고, 상기 정류 소자(QD)는 정류 다이오드, 또는 다이오드 접속된 트랜지스터가 될 수 있다.
상기 필터 회로(330)는, 상기 직류 검출 전압(Vd)에서 교류 성분을 제거하여 상기 직류 검출 전압(Vd)을 안정화시킬 수 있다. 일 예로, 상기 필터 회로(330)는, 상기 정류 회로(320)의 출력단과 접지 사이에 접속된 커패시터(C2)와, 상기 커패시터(C2)에 병렬로 접속된 저항(R2)을 포함할 수 있다.
상기 바이어스 보상회로(400)는 증폭 회로(410)를 포함할 수 있다. 상기 증폭 회로(410)는, 증폭 트랜지스터(Q40)를 포함하고, 상기 직류 검출 전압(Vd)을 상기 증폭 트랜지스터(Q40)의 바이어스 전압으로 공급받고, 상기 직류 검출 전압(Vd)이 턴온 전압 이상이면 상기 싱크 전류(Isink)를 증폭하여 상기 보상 전류(Icom)를 출력할 수 있다.
부연하면, 상기 바이어스 보상회로(400)는 로우 파워(low power) 영역에서는 턴오프(turn off)되어 있고, 하이 파워(high power) 영역에서만 턴온(turn on)되고, 턴온 상태에서는 제2 바이어스 회로(210)에서 분기된 싱크전류(Isink)를 증폭하는 스위처블(switchable) 증폭 회로가 될 수 있다.
또한, 엔벨로프 검출회로(300)에 입력되는 고주파 신호의 전력 크기에 따라 출력되는 직류 검출 전압(Vd)이 달라질 수 있다. 일 예로, 작은 전력이 입력될 때 작은 직류 검출 전압(Vd)이 검출되어, 상기 바이어스 보상회로(400)의 증폭 트랜지스터(Q40)가 턴오프(turn off)되고, 고주파 신호의 전력 크기가 점차 커져서 특정 임계점 이상의 직류 검출 전압(Vd)을 생성할 경우 상기 바이어스 보상회로(400)의 증폭 트랜지스터(Q40)가 턴온(turn on)된다. 또한 기 바이어스 보상회로(400)의 증폭 트랜지스터(Q40)가 턴온되는 동작에서만 제2 증폭 회로의 제2 바이어스 회로에서 일부 전류를 싱크하여 이를 증폭한 뒤 제1 증폭 회로의 제1 바이어스 전류에 더해져서 제1 바이어스 전류가 보상된다.
도 8을 참조하면, 상기 엔벨로프 검출회로(300)는, 외부로부터 제어 전압(VC)을 상기 정류 회로(320)의 입력단에 입력받을 수 있다.
상기 제어 전압(VC)의 전압 크기를 조절하면, 상기 바이어스 보상회로(400)의 증폭 트랜지스터(Q40)의 턴온을 제어할 수 있다.
부연하면, 엔벨로프 검출회로(300)의 출력단에서 제공되는 직류 검출 전압(Vd)의 레인지(range)를 조절할 수 있도록 정류 소자(QD)의 애노드 단자에 제어 전압(VC)을 공급할 수 있다. 이러한 제어 전압(VC)의 크기에 따라 증폭 트랜지스터(Q40)를 턴온(turn on)시킬 수 있는 입력 전력의 크기가 제어될 수 있다.
일 예로, 제어 전압(VC)을 높게 인가하면 비교적 작은 입력 전력에서도 정류 소자(QD)와 증폭 트랜지스터(Q40)를 턴온(turn on)시킬 수 있다. 반대로 제어 전압(VC)을 낮게 인가하면 정류 소자(QD)는 온되어도 증폭 트랜지스터(Q40)의 베이스-에미터 접합(base-emitter junction)이 턴오프(turn off)될 수 있기 때문에 증폭 트랜지스터(Q40)가 구동 되지 않을 수 있다.
예를 들어, 증폭 트랜지스터(Q40)의 에미터가 1.2V 전압이면, 상기 증폭 트랜지스터(Q40)가 온상태로 되기 위해서는 에미터 전압인 1.2V보다 턴온전압(예, 1.2V)보다 높은 대략 2.4V 이상의 베이스 전압이 인가되어야 한다.
따라서, 증폭 트랜지스터(Q40)의 베이스 전압이 2.4V 이상이 되기 위해서는 정류 소자(DT4)의 턴온(turn on) 전압인 1.2V와, 추가적으로 커패시터(C1)를 통해 입력되는 신호의 스윙(swing)을 고려하면, 대략 제어 전압(VC)은 충분히 3.1V 내지 3.4V 정도가 되어야 한다.
이상의 베이스 전압이 인가되는 경우, 베이스-에미터 접합(base-emitter junction) 턴온(turn on) 전압이 1.2V 이상 되고, 증폭 트랜지스터(Q40)의 베이스 전압이 2.4V 이상 되기 위해서는 정류 소자(QD)의 턴온(turn on) 전압이 1.2V 및 추가적으로 신호 추출 회로(310)를 통해 입력되는 신호의 스위칭(swing)을 고려하면, 대략 제어 전압(VC)은 3.1V 내지 3.4V 정도가 되어야 한다.
일 예로, 증폭 트랜지스터(Q40)가 동작할 수 있는 제어 전압(VC)과 입력 전력의 조건이 만족되면, 증폭 트랜지스터(Q40)는 제2 바이어스 회로(220)의 제2 바이어스 트랜지스터(Q22)의 베이스로 입력되는 전류중의 일부 신호(도 4 참조)를 분기하여, 이 분기된 싱크전류(Isink)는 증폭되어 제1 바이어스 전류(Ibias1)의 제1 바이어스 단자(N1)에서 제1 바이어스 전류(Ibias1)와 합쳐져서 제1 바이어스 전류가 보상되어 제1 증폭 회로(100)에 공급된다.
상기 싱크전류(Isink)의 양을 조절하기 위해 싱크 경로에 저항(도 4의 R25)이 추가될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 바이어스 회로의 예시도이다.
도 9를 참조하면, 예를 들어, 상기 제2 바이어스 회로(220)는, 제1 저항(R1), 제1 및 제2 다이오드 접속 트랜지스터(DT1,DT2), 제2 저항(R2), 커패시터(C2), 상기 바이어스 트랜지스터(Q22), 밸러스트 저항(R20)을 포함할 수 있다.
기준전압(Vref1) 단자와 접지 사이에 직렬로 제1 저항(R1), 제1 및 제2 다이오드 접속 트랜지스터(DT1,DT2), 제2 저항(R2)이 접속된다. 제2 전압(V2) 단자와 상기 제2 증폭 회로(120)에 접속된 제2 바이어스 노드(N2) 사이에 직렬로 상기 바이어스 트랜지스터(Q22) 및 상기 밸러스트 저항(R20)이 접속된다. 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 베이스와 접지 사이에 커패시터(C2)가 접속된다.
도 9를 참조하면, 상기 바이어스 보상회로(400)는, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와같이, 상기 바이어스 트랜지스터(Q22)의 베이스 노드(N2B), 컬렉터 노드(N2C), 에미터 노드(N2E)중 하나에서 상기 싱크 전류(Isink)를 분기받을 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 10의 그래프는, 입력전력을 증가시키면서 제1 증폭 회로(110)의 베이스-에미터 전압(Vbe)과 출력파워에 대한 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 10의 G11은 바이어스 보상회로(400)가 적용되지 않은 경우에 대한 제1 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이고, G12는 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우에 대한 제1 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 10의 G11 및 G12를 참조하면, 본 발명에 따른 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우(G12 참조)가 적용되지 않은 경우(G11 참조)에 대비하여 제1 증폭 회로(110)의 베이스-에미터 전압(Vbe)의 저하(droop) 현상이 개선되며, 대략 30dBm의 출력전압부터는 베이스-에미터 전압(Vbe)이 다시 상승하여 전압 저하 현성이 더욱 개선됨을 알 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 11의 그래프는, 입력전력을 증가시키면서 제2 증폭 회로(120)의 베이스-에미터 전압(Vbe)과 출력파워에 대한 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 11의 G21은 바이어스 보상회로(400)가 적용되지 않은 경우에 대한 제2 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이고, G22는 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우에 대한 제2 증폭 회로의 Vbe-출력파워 그래프이다.
도 10의 G11 및 G12를 참조하면, 본 발명에 따른 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우(G12 참조)가 적용되지 않은 경우(G11 참조)에 대비하여
제2 증폭 회로(120)의 베이스-에미터 전압(Vbe)의 상승 현상이 대략 30dBm의 출력전압부터는 베이스-에미터 전압(Vbe)이 전압 상승 현성이 더욱 개선됨을 알 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 입력전력이 커지는 영역에서도 제1 증폭 회로(110) 및 제2 증폭 회로(120)의 베이스-에미터 전압(Vbe)의 감소 및 상승의 정도가 완화되면서 AM-AM 왜곡을 개선시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 ACLR-출력파워 그래프이다.
도 12의 그래프는, 입력전력을 증가시키면서 ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio)에 대한 시뮬레이션 결과 그래프이다.
도 12의 G31은 바이어스 보상회로(400)가 적용되지 않은 경우에 대한 ACLR 그래프이고, G32는 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우에 대한 ACLR 그래프이다.
도 12의 G31 및 G32를 참조하면, 제1 증폭 회로(110) 및 제2 증폭 회로(120)는 입력되는 신호의 스위칭(swing) 크기 차이에 의해서 AM-AM 왜곡 곡선(distortion curve) 각각이 하강 및 상승의 모양을 나타내게 되며, 바이어스 보상회로(400)가 적용된 경우에, 그래프에 보인 전체 영역에서 AM-AM 왜곡 곡선 변화가 완화되어 선형성 지표인 ACLR를 개선할 수 있음을 확인하였다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
110; 제1 증폭 회로
120: 제2 증폭 회로
210: 제1 바이어스 회로
220: 제2 바이어스 회로
300: 엔벨로프 검출회로
310: 정류 회로
320; 필터 회로
400: 바이어스 보상회로
410; 증폭 회로
C1; 제1 직류 블록킹 커패시터

Claims (14)

  1. 제1 바이어스 전류를 공급받는 제1 증폭 회로;
    제2 바이어스 전류를 공급받는 제2 증폭 회로;
    입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압을 출력하는 엔벨로프 검출회로; 및
    상기 직류 검출 전압에 기초해 하이 파워 구동영역에서 상기 제2 바이어스 전류를 이용하여 상기 제1 바이어스 전류를 보상하는 바이어스 보상회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는,
    상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 제2 바이어스 전류에서 추출한 싱크 전류를 이용하여 보상 전류를 생성하고 상기 보상 전류를 상기 제1 증폭 회로의 바이어스 단자에 공급하는
    다단 파워 증폭 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 바이어스 전류를 공급하는 제1 바이어스 회로; 및
    제2 바이어스 전류를 공급하는 제2 바이어스 회로;
    를 더 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    상기 고주파 신호에서 엔벨로프 신호를 검출하고, 상기 엔벨로프 신호에 기초한 상기 직류 검출 전압을 출력하는
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    상기 고주파 신호의 엔벨로프 신호를 추출하는 신호 추출 회로;
    상기 엔벨로프 신호를 정류하여 상기 직류 검출 전압을 출력하여 정류 회로; 및
    상기 직류 검출 전압에서 교류 성분을 제거하여 상기 직류 검출 전압을 안정화시키는 필터 회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    외부로부터 제어 전압을 상기 정류 회로의 입력단에 입력받는
    다단 파워 증폭 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는,
    증폭 트랜지스터를 포함하고, 상기 직류 검출 전압을 상기 증폭 트랜지스터의 바이어스 전압으로 공급받고, 상기 직류 검출 전압이 턴온 전압 이상이면 상기 싱크 전류를 증폭하여 상기 보상 전류를 출력하는 증폭 회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  8. 제1 바이어스 전류를 공급하는 제1 바이어스 회로;
    제2 바이어스 전류를 공급하는 제2 바이어스 회로;
    상기 제1 바이어스 전류를 공급받는 제1 증폭 회로;
    상기 제2 바이어스 전류를 공급받는 제2 증폭 회로;
    입력되는 고주파 신호의 엔벨로프에 기초한 직류 검출 전압을 출력하는 엔벨로프 검출회로; 및
    상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 제2 바이어스 회로에서 분기된 싱크 전류에 기초하여 상기 제1 바이어스 전류를 보상하는 바이어스 보상회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 바이어스 회로는,
    내부 전류를 증폭하여 상기 제2 바이어스 전류를 출력하는 바이어스 트랜지스터를 포함하고,
    상기 바이어스 보상회로는,
    상기 바이어스 트랜지스터의 베이스, 컬렉터, 에미터중 하나에서 상기 싱크 전류를 분기받는 다단 파워 증폭 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는,
    상기 직류 검출 전압에 응답하여 상기 싱크 전류를 이용하여 보상 전류를 생성하고 상기 보상 전류를 상기 제1 증폭 회로의 바이어스 단자에 공급하는
    다단 파워 증폭 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    상기 고주파 신호에서 엔벨로프 신호를 검출하고, 상기 엔벨로프 신호에 기초한 상기 직류 검출 전압을 출력하는
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    상기 고주파 신호의 엔벨로프 신호를 추출하는 신호 추출 회로;
    상기 엔벨로프 신호를 정류하여 상기 직류 검출 전압을 출력하여 정류 회로; 및
    상기 직류 검출 전압에서 교류 성분을 제거하여 상기 직류 검출 전압을 안정화시키는 필터 회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 엔벨로프 검출회로는,
    외부로부터 제어 전압을 상기 정류 회로의 입력단에 입력받는
    다단 파워 증폭 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 바이어스 보상회로는,
    증폭 트랜지스터를 포함하고, 상기 직류 검출 전압을 상기 증폭 트랜지스터의 바이어스 전압으로 공급받고, 상기 직류 검출 전압이 턴온 전압 이상이면 상기 싱크 전류를 증폭하여 상기 보상 전류를 출력하는 증폭 회로;
    를 포함하는 다단 파워 증폭 장치.
KR1020180078186A 2018-07-05 2018-07-05 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치 KR102069634B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078186A KR102069634B1 (ko) 2018-07-05 2018-07-05 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치
US16/284,599 US10892719B2 (en) 2018-07-05 2019-02-25 Multistage power amplifier with linearity compensating function
CN201910432520.2A CN110690861A (zh) 2018-07-05 2019-05-23 具有线性补偿功能的多级功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078186A KR102069634B1 (ko) 2018-07-05 2018-07-05 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200005032A KR20200005032A (ko) 2020-01-15
KR102069634B1 true KR102069634B1 (ko) 2020-01-23

Family

ID=69102676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180078186A KR102069634B1 (ko) 2018-07-05 2018-07-05 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10892719B2 (ko)
KR (1) KR102069634B1 (ko)
CN (1) CN110690861A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10855235B2 (en) * 2017-12-27 2020-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
US11239799B2 (en) * 2019-10-23 2022-02-01 Silicon Laboratories Inc. Apparatus for radio-frequency amplifier with improved performance and associated methods
CN114189292B (zh) * 2021-12-03 2023-06-13 深圳飞骧科技股份有限公司 功率检测电路、功率放大器模块及射频前端架构
CN115882795B (zh) * 2023-02-03 2023-04-28 成都明夷电子科技有限公司 一种具备线性化补偿结构的功率放大器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015185863A (ja) 2014-03-20 2015-10-22 三菱電機株式会社 ひずみ補正回路
JP2016015708A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 三菱電機株式会社 多段電力増幅器
KR101681048B1 (ko) 2015-10-07 2016-12-12 포항공과대학교 산학협력단 다양한 대역폭 신호에 대한 고효율 및 고속 포락선 추적형 전력증폭 장치
US20170047901A1 (en) 2015-08-12 2017-02-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Protection circuit for power amplifier

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5739723A (en) * 1995-12-04 1998-04-14 Motorola, Inc. Linear power amplifier using active bias for high efficiency and method thereof
WO2002003543A1 (fr) 2000-06-30 2002-01-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Amplificateur haute frequence
US6850119B2 (en) * 2001-08-31 2005-02-01 Rf Micro Devices, Inc. Power amplifier overload protection
US6614309B1 (en) * 2002-02-21 2003-09-02 Ericsson Inc. Dynamic bias controller for power amplifier circuits
JP2003338713A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Sony Corp 電力増幅装置およびこれを用いた無線通信装置
JP2004194063A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅器およびそれを用いた通信装置
CN100557947C (zh) * 2002-12-16 2009-11-04 Nxp股份有限公司 在线性功率放大器中用于使能对静态电流的动态控制的可自适应的偏置电路
US7512386B2 (en) * 2003-08-29 2009-03-31 Nokia Corporation Method and apparatus providing integrated load matching using adaptive power amplifier compensation
US7405617B2 (en) * 2004-04-09 2008-07-29 Skyworks Solutions, Inc. Dynamic biasing system for an amplifier
US20100219892A1 (en) * 2005-08-17 2010-09-02 Nxp B.V. Current limiter circuit
US7469133B2 (en) * 2006-04-19 2008-12-23 Silicon Storage Technology, Inc. Radio frequency power detector
CN201097250Y (zh) * 2007-09-20 2008-08-06 华中科技大学 高电源抑制的带隙基准源
EP2649724B1 (en) * 2010-12-09 2015-01-21 RF Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope follower power management system with high frequency ripple current compensation
KR101982956B1 (ko) * 2011-02-07 2019-05-27 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 엔빌로프 진폭 오정렬을 보상하기 위한 전력 증폭기 시스템의 캘리브레이팅 방법
CN103023440B (zh) * 2012-12-20 2015-10-07 中国科学院微电子研究所 一种提高功率放大器线性度的电路
US9455669B2 (en) * 2013-10-11 2016-09-27 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for phase compensation in power amplifiers
US9166530B2 (en) * 2014-03-16 2015-10-20 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Low noise amplifier and receiver
US9929694B2 (en) * 2014-09-30 2018-03-27 Skyworks Solutions, Inc. Schottky enhanced bias circuit
US9853603B2 (en) * 2014-11-14 2017-12-26 Microsoft Technology Licensing, Llc Power amplifier for amplifying radio frequency signal
US10110173B2 (en) * 2016-10-28 2018-10-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Envelope tracking current bias circuit and power amplifier apparatus
US10374557B2 (en) * 2016-10-28 2019-08-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Adaptive multiband power amplifier apparatus
CN107332520B (zh) * 2017-07-24 2024-03-19 尚睿微电子（上海）有限公司 一种偏置电路及功率放大电路
TWI639299B (zh) * 2017-08-02 2018-10-21 立積電子股份有限公司 電流補償電路
JP2019041277A (ja) * 2017-08-25 2019-03-14 株式会社村田製作所 電力増幅回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015185863A (ja) 2014-03-20 2015-10-22 三菱電機株式会社 ひずみ補正回路
JP2016015708A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 三菱電機株式会社 多段電力増幅器
US20170047901A1 (en) 2015-08-12 2017-02-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Protection circuit for power amplifier
KR101681048B1 (ko) 2015-10-07 2016-12-12 포항공과대학교 산학협력단 다양한 대역폭 신호에 대한 고효율 및 고속 포락선 추적형 전력증폭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10892719B2 (en) 2021-01-12
US20200014343A1 (en) 2020-01-09
CN110690861A (zh) 2020-01-14
KR20200005032A (ko) 2020-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102069634B1 (ko) 선형성 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치
KR102454811B1 (ko) 옵셋 제거 기능이 개선된 엔벨로프-추적 전류 바이어스 회로 및 파워 증폭 장치
US7276973B2 (en) Automatic bias control circuit for linear power amplifiers
KR101139087B1 (ko) 고주파 증폭기
US20100301945A1 (en) Power amplifier integrated circuit with compensation mechanism for temperature and output power
US9722546B2 (en) Bias circuit for low quiescent current amplifier
JP2020072468A (ja) 電力増幅モジュール
US10749482B2 (en) Power amplification circuit
KR20200018305A (ko) 전력 증폭 회로
KR20150100058A (ko) 적응적 바이어스 회로 및 전력 증폭기
CN111106805B (zh) 功率放大模块
EP3197048B1 (en) Power amplifier system and associated control circuit and control method
KR102093150B1 (ko) 바이어스 보상기능을 갖는 다단 파워 증폭 장치
KR102465879B1 (ko) 선형성 개선을 위한 바이어스 부스팅 구조를 갖는 파워 증폭 장치
JP4814133B2 (ja) 高周波増幅器
JP2006093896A (ja) Ｅ級増幅器、及びｅｅｒ変調増幅装置
CN110518883B (zh) 功率放大电路
CN1965472B (zh) 用于doherty放大器偏置的方法与装置
US11489493B2 (en) Current control circuit and power amplifier circuit
JP2010273284A (ja) 高周波増幅器
CN117897909A (zh) 功率放大器
CN118740058A (zh) 多赫蒂放大电路
KR20020038374A (ko) 이동통신 단말기용 전력증폭장치
KR20210035653A (ko) 전압 트래킹을 이용한 적응적 ctat 바이어싱 기능을 갖는 증폭 장치
JP2006287773A (ja) 高周波電力増幅器用バイアス回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right