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KR102053138B1 - Solar cell - Google Patents

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KR102053138B1
KR102053138B1 KR1020130115451A KR20130115451A KR102053138B1 KR 102053138 B1 KR102053138 B1 KR 102053138B1 KR 1020130115451 A KR1020130115451 A KR 1020130115451A KR 20130115451 A KR20130115451 A KR 20130115451A KR 102053138 B1 KR102053138 B1 KR 102053138B1
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KR
South Korea
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electrode
solar cell
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protruding
protruding portion
Prior art date
Application number
KR1020130115451A
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Korean (ko)
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KR20150035190A (en
Inventor
한원석
김진성
조해종
Original Assignee
엘지전자 주식회사
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Publication date
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Priority to EP14003307.7A priority patent/EP2854181B1/en
Priority to US14/498,689 priority patent/US11139406B2/en
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 및 상기 광전 변환부에 연결되는 제1 및 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은, 복수의 핑거 전극부를 포함하는 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되는 메인 부분 및 상기 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 적어도 하나 포함하는 버스바 전극을 포함한다. 상기 돌출 부분이 상기 복수의 핑거 전극부 중 적어도 두 개 이상에 걸쳐서 형성된다. Solar cell according to an embodiment of the present invention, the photoelectric conversion unit; And first and second electrodes connected to the photoelectric converter. The first electrode may include a bus electrode including at least one finger electrode including a plurality of finger electrode parts, a main part formed in a direction crossing the plurality of finger electrode parts, and a protruding part protruding from the main part. Include. The protruding portion is formed over at least two of the plurality of finger electrode portions.

Description

태양 전지{SOLAR CELL}Solar cell {SOLAR CELL}

본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는, 전극 구조를 개선한 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a solar cell having an improved electrode structure.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다. Recently, with the anticipation of depletion of existing energy sources such as oil and coal, there is increasing interest in alternative energy to replace them. Among them, solar cells are in the spotlight as next generation cells for converting solar energy into electrical energy.

태양 전지는 설계에 따라 기판에 형성된 다양한 층, 전극 등을 포함한다. 이웃한 태양 전지는 버스바 전극에 연결되는 리본에 의하여 서로 전기적으로 연결된다. 그런데, 얼라인 오차 또는 리본과 버스바 전극의 폭의 차이 등에 의하여 리본이 부착된 부분에 인접하여 버스바 전극에 연결된 핑거 전극의 부분에 단선이 발생할 수 있다. 또한, 얼라인 오차에 의하여 리본과 버스바 전극의 접촉 면적이 저하될 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 모듈의 출력 및 신뢰성이 저하될 수 있다. Solar cells include various layers, electrodes, etc., formed on a substrate, depending on the design. Adjacent solar cells are electrically connected to each other by ribbons connected to busbar electrodes. However, disconnection may occur in a portion of the finger electrode connected to the busbar electrode adjacent to the portion where the ribbon is attached due to an alignment error or a difference in width between the ribbon and the busbar electrode. In addition, the contact area between the ribbon and the busbar electrode may decrease due to the alignment error. As a result, the output and reliability of the solar cell module may be reduced.

본 발명은 높은 효율 및 신뢰성을 가지는 태양 전지를 제공하고자 한다. The present invention seeks to provide a solar cell having high efficiency and reliability.

본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 및 상기 광전 변환부에 연결되는 제1 및 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은, 복수의 핑거 전극부를 포함하는 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되는 메인 부분 및 상기 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 적어도 하나 포함하는 버스바 전극을 포함한다. 상기 돌출 부분이 상기 복수의 핑거 전극부 중 적어도 두 개 이상에 걸쳐서 형성된다. Solar cell according to an embodiment of the present invention, the photoelectric conversion unit; And first and second electrodes connected to the photoelectric converter. The first electrode may include a bus electrode including at least one finger electrode including a plurality of finger electrode parts, a main part formed in a direction crossing the plurality of finger electrode parts, and a protruding part protruding from the main part. Include. The protruding portion is formed over at least two of the plurality of finger electrode portions.

상기 메인 부분의 폭보다 상기 돌출 부분의 돌출 길이가 더 작을 수 있다. The protruding length of the protruding portion may be smaller than the width of the main portion.

상기 돌출 부분의 돌출 길이가 0.1mm 내지 0.7mm일 수 있다. Protruding length of the protruding portion may be 0.1mm to 0.7mm.

상기 돌출 부분의 폭이 2mm 내지 10mm일 수 있다. The protrusion may have a width of 2 mm to 10 mm.

상기 돌출 부분이 복수의 핑거 전극부 중 두 개 내지 열 개에 걸쳐서 형성될 수 있다. The protruding portion may be formed over two to ten of the plurality of finger electrode portions.

상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 2.1mm 내지 3.4mm일 수 있다. The bus bar electrode may have a width of 2.1 mm to 3.4 mm at the protruding portion.

상기 돌출 부분이 상기 메인 부분의 단부에 위치하는 단부 돌출부를 포함할 수 있다. The protruding portion may include an end protruding portion located at an end of the main portion.

상기 단부 돌출부는 상기 메인 부분을 기준으로 하여 양측에 대칭으로 위치할 수 있다. The end protrusion may be symmetrically positioned at both sides with respect to the main part.

상기 제1 전극에 연결되는 리본을 더 포함하고, 상기 리본은 일측 단부가 상기 버스바 전극 위에 위치하게 되고, 다른 측 부분은 이웃한 태양 전지로 연장될 수 있다. 상기 단부 돌출부는, 상기 일측 단부와 인접한 제1 단부 돌출부와, 상기 제1 단부 돌출부와 반대되는 위치에 위치하는 제2 단부 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제1 단부 돌출부의 폭이 상기 제2 단부 돌출부의 폭과 같거나 이보다 길 수 있다. The ribbon may further include a ribbon connected to the first electrode, and the ribbon may have one end positioned above the busbar electrode, and the other side may extend to a neighboring solar cell. The end protrusion may include a first end protrusion adjacent to the one end and a second end protrusion positioned at a position opposite to the first end protrusion. The width of the first end protrusion may be equal to or longer than the width of the second end protrusion.

상기 돌출 부분이 상기 메인 부분의 내부 영역에서 돌출되는 중앙 돌출부를 더 포함할 수 있다. The protruding portion may further include a central protrusion protruding from an inner region of the main portion.

상기 중앙 돌출부의 돌출 길이가 상기 단부 돌출부의 돌출 길이보다 작을 수 있다. The protruding length of the central protrusion may be smaller than the protruding length of the end protrusion.

상기 중앙 돌출부와 상기 단부 돌출부가 균일한 간격을 사이에 두고 규칙적으로 배치될 수 있다. The central protrusion and the end protrusion may be regularly arranged with a uniform gap therebetween.

기 제1 전극에 연결되는 리본을 더 포함하고, 상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 상기 리본의 폭보다 클 수 있다. The bus bar electrode may further include a ribbon connected to the first electrode, and a width of the bus bar electrode may be greater than a width of the ribbon at a portion where the protruding portion is disposed.

상기 리본의 폭 : 상기 메인 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭 비율이 1:0.80 내지 1:1.22일 수 있다. Width of the ribbon: the width ratio of the busbar electrode at a portion where the main portion is located may be 1: 0.80 to 1: 1.22.

상기 핑거 전극은, 상기 돌출 부분의 외곽에 대응하는 위치에서 상기 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되는 얼라인 마크부를 더 포함할 수 있다. The finger electrode may further include an alignment mark part formed in a direction intersecting the finger electrode part at a position corresponding to an outer portion of the protruding portion.

상기 광전 변환부는, 반도체 기판 및 에미터 영역을 포함할 수 있다. 상기 태양 전지는 상기 에미터 영역 위에 형성되는 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 핑거 전극은 상기 절연막을 관통하여 상기 에미터 영역에 접촉하여 형성되고, 상기 버스바 전극은 상기 절연막 위에 형성될 수 있다. The photoelectric conversion unit may include a semiconductor substrate and an emitter region. The solar cell may further include an insulating layer formed on the emitter region. The finger electrode may be formed through the insulating layer to contact the emitter region, and the bus bar electrode may be formed on the insulating layer.

상기 핑거 전극은 상기 광전 변환부 위에 위치하는 제1 층과, 상기 제1 층 위에 위치하는 제2 층을 포함하는 이층 구조를 가질 수 있다. 상기 버스바 전극은 상기 제2 층과 동일한 물질 및 두께를 가지는 단일층 구조를 가질 수 있다. The finger electrode may have a two-layer structure including a first layer positioned on the photoelectric converter and a second layer positioned on the first layer. The busbar electrode may have a single layer structure having the same material and thickness as the second layer.

상기 제1 층과 상기 제2 층이 서로 다른 물질을 가질 수 있다. The first layer and the second layer may have different materials.

상기 제2 전극에 연결되는 리본을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 전체적으로 상기 리본보다 큰 폭을 가질 수 있다. Further comprising a ribbon connected to the second electrode, the second electrode may have a larger width than the ribbon as a whole.

본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 및 상기 광전 변환부에 연결되는 제1 및 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은, 복수의 핑거 전극부를 포함하는 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 메인 부분 및 상기 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 적어도 하나 포함하는 버스바 전극을 포함한다. 상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 2.1mm 내지 3.4mm이다. Solar cell according to another embodiment of the present invention, the photoelectric conversion unit; And first and second electrodes connected to the photoelectric converter. The first electrode may include a finger electrode including a plurality of finger electrode portions, and a bus bar electrode including at least one main portion formed in a direction crossing the plurality of finger electrodes and a protruding portion protruding from the main portion. do. The busbar electrode has a width of 2.1 mm to 3.4 mm at the protruding portion.

본 실시예에서는 버스바 전극이 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 포함하여 리본의 미스 얼라인이 발생하더라도 버스바 전극과 리본의 접촉 면적 저하를 보상할 수 있고, 리본에 의한 에미터 영역, 반사 방지막, 핑거 전극 등의 손상을 방지할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 모듈의 출력 저하를 방지하고 신뢰성을 향상할 수 있다. In this embodiment, even if a misalignment of the ribbon occurs, including a protruding portion where the busbar electrode protrudes from the main portion, the drop in contact area between the busbar electrode and the ribbon can be compensated for, and the emitter region and the anti-reflection film caused by the ribbon can be compensated. And damage to the finger electrode and the like can be prevented. Thereby, the fall of the output of a solar cell module can be prevented and reliability can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지를 포함하는 태양 전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 태양 전지 모듈을 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 전면 평면도이다.
도 5는 도 4의 제1 전극을 구성하는 제1 층과 제2 층을 도시한 전면 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다.
1 is an exploded perspective view of a solar cell module including a solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the solar cell module taken along line II-II of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
4 is a front plan view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a front plan view illustrating a first layer and a second layer constituting the first electrode of FIG. 4.
6 is a rear plan view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
7 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
8 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.
9 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, the present invention is not limited to these embodiments and may be modified in various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, illustrations of parts not related to the description are omitted in order to clearly and briefly describe the present invention, and the same reference numerals are used for the same or extremely similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to clarify the description. The thickness, the width, and the like of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. And when any part of the specification "includes" other parts, unless otherwise stated, other parts are not excluded, and may further include other parts. In addition, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "just above" but also the other part located in the middle. When parts such as layers, films, regions, plates, etc. are "just above" another part, it means that no other part is located in the middle.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지를 포함하는 태양 전지 모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 잘라서 본 태양 전지 모듈을 개략적인 단면도이다. 1 is an exploded perspective view of a solar cell module including a solar cell according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the solar cell module cut along the line II-II of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 전면 기판(210) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 후면 시트(220)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(210) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(220) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다.1 and 2, a solar cell module 100 according to an embodiment of the present invention may include a solar cell 150, a front substrate 210 and a solar cell positioned on a front surface of the solar cell 150. 150 may include a back sheet 220 positioned on the back surface. In addition, the solar cell module 100 may include a first sealant 131 between the solar cell 150 and the front substrate 210 and a second sealant 132 between the solar cell 150 and the rear sheet 220. It may include.

먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 일례로, 실리콘 태양 전지(silicon solar cell), 화합물 반도체 태양 전지(compound semiconductor solar cell), 탠덤형 태양 전지(tandem solar cell), 염료 감응형 태양 전지 등 다양한 구조를 가질 수 있다.First, the solar cell 150 is a semiconductor device that converts solar energy into electrical energy, for example, a silicon solar cell, a compound semiconductor solar cell, a tandem solar cell cell), a dye-sensitized solar cell, and the like.

이러한 태양 전지(150)는 리본(142)을 포함한다. 리본(142)에 의하여 이웃한 태양 전지(150)가 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결될 수 있다. 구체적으로, 리본(142)은 태양 전지(150)의 전면 상에 형성된 제1 전극(도 3의 참조부호 24 참조)과, 인접한 다른 태양 전지(150)의 후면 상에 형성된 제2 전극(도 3의 참조부호 34 참조)을 연결할 수 있다. 즉, 하나의 태양 전지(150)의 전면으로부터 다른 태양 전지(150)의 후면까지 연장되는 리본(142)을 위치시킨 다음 열 압착하면, 리본(142)에 의하여 두 개의 태양 전지(150)를 연결할 수 있다. 이러한 방식으로 복수 개의 태양 전지(150)를 연결할 수 있다. This solar cell 150 includes a ribbon 142. Adjacent solar cells 150 may be electrically connected in series, in parallel or in parallel by the ribbon 142. Specifically, the ribbon 142 includes a first electrode (see reference numeral 24 of FIG. 3) formed on the front surface of the solar cell 150, and a second electrode (FIG. 3) formed on the rear surface of another adjacent solar cell 150. Refer to 34). That is, when the ribbon 142 is extended from the front of one solar cell 150 to the rear of the other solar cell 150 and then thermally compressed, the two solar cells 150 are connected by the ribbon 142. Can be. In this manner, the plurality of solar cells 150 may be connected.

리본(142)은 전기적 특성이 우수하며 물리적 특성이 우수한 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 리본(142)이 솔더링 물질을 포함할 수 있는데, Sn/Ag/Cu계, Sn/Ag/Pb계, Sn/Ag계, Sn/Pb계 물질 등을 포함할 수 있다. 또는, 우수한 전도성의 금속 물질(일례로, 알루미늄) 등을 포함할 수도 있다. 또는, 리본(142)이 솔더용 물질 상에 산화 방지막 등이 적층되어 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The ribbon 142 may be made of various materials having excellent electrical properties and excellent physical properties. For example, the ribbon 142 may include a soldering material, and may include Sn / Ag / Cu-based, Sn / Ag / Pb-based, Sn / Ag-based, and Sn / Pb-based materials. Or, it may include a metal material (for example, aluminum) of excellent conductivity. Alternatively, the ribbon 142 may be formed by stacking an anti-oxidation film on a solder material. However, the present invention is not limited thereto.

상세한 설명 등에서는 리본(142)이라는 용어를 사용하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 리본(142)이 솔더링 물질을 포함하는 것뿐만 아니라, 다양한 구조에 의하여 태양 전지(150)를 연결하는 구조체를 모두 포함할 수 있다. In the detailed description, the term ribbon 142 is used, but the present invention is not limited thereto. That is, the ribbon 142 may include not only a soldering material but also a structure connecting the solar cells 150 by various structures.

또한, 버스 리본(145)은 리본(42)에 의하여 연결된 하나의 열(列)의 양 끝단을 교대로 연결한다. 버스 리본(145)은 하나의 열을 이루는 태양 전지(150)의 단부에서 이와 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다. In addition, the bus ribbon 145 alternately connects both ends of one row connected by the ribbon 42. The bus ribbon 145 may be disposed in a direction crossing the ends of the solar cells 150 forming one row. The bus ribbon 145 is connected to a junction box (not shown) that collects electricity produced by the solar cell 150 and prevents electricity from flowing back.

제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 전면에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 후면에 위치할 수 있다. 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 접착하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다. The first sealing material 131 may be located at the front surface of the solar cell 150, and the second sealing material 132 may be located at the rear surface of the solar cell 150. The first sealing member 131 and the second sealing member 132 are bonded by lamination to block moisture or oxygen that may adversely affect the solar cell 150, and to allow each element of the solar cell to chemically bond. do.

이러한 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 그 외 다양한 물질을 이용하여 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다. The first sealing material 131 and the second sealing material 132 may be an ethylene vinyl acetate copolymer resin (EVA), polyvinyl butyral, silicon resin, ester resin, olefin resin and the like. However, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the first and second seal members 131 and 132 may be formed by other methods other than lamination using various other materials.

전면 기판(210)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다. The front substrate 210 is positioned on the first sealing member 131 so as to transmit sunlight, and is preferably tempered glass in order to protect the solar cell 150 from an external impact or the like. In addition, it is more preferable that it is a low iron tempered glass containing less iron in order to prevent reflection of sunlight and increase the transmittance of sunlight.

후면 시트(220)은 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(220)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 후면 시트(220)는 전면 기판(210) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(220)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질로 형성되어 양면 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다.The back sheet 220 is a layer that protects the solar cell 150 from the back side of the solar cell 150, and functions as a waterproof, insulation, and UV protection. The back sheet 220 may be a TPT (Tedlar / PET / Tedlar) type, but is not limited thereto. In addition, the rear sheet 220 may be made of a material having excellent reflectivity so that the solar sheet incident from the front substrate 210 side can be reflected and reused. However, the present invention is not limited thereto, and the rear sheet 220 may be formed of a transparent material through which sunlight may be incident to implement the double-sided solar cell module 100.

본 실시예에서 복수의 태양 전지(150) 중 하나의 태양 전지(150)의 구조의 일 예를 도 3 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명한다. An example of the structure of one solar cell 150 of the plurality of solar cells 150 in this embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 부분 단면도이다. 참고로, 도 3은 도 4의 III-III 선을 따라 잘라서 본 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of a solar cell according to an embodiment of the present invention. For reference, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 4.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)는, 반도체 기판(110)과, 반도체 기판(110)에 형성되는 불순물 영역(20, 30)과, 불순물 영역(20, 30) 또는 반도체 기판(110)에 전기적으로 연결되는 전극(24, 34)을 포함할 수 있다. 그리고 태양 전지(150)는 이웃한 태양 전지(150)와의 연결을 위하여 전극(24, 34)에 전기적으로 연결되는 리본(142)을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 기판(110)과 불순물 영역(20, 30)은 광전 변환에 기여하는 영역이므로, 광전 변환부로 정의될 수 있다. 불순물 영역(20, 30)은 에미터 영역(20)과 후면 전계 영역(30)을 포함할 수 있고, 전극(24, 34)은 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결되는 제1 전극(24)과 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결되는 제2 전극(34)을 포함할 수 있다. 그리고 반도체 기판(110)의 전면 및/또는 후면에는 반사 방지막(22), 패시베이션 막(32) 등의 절연막이 형성될 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. Referring to FIG. 3, the solar cell 150 according to the present embodiment includes a semiconductor substrate 110, impurity regions 20 and 30 formed on the semiconductor substrate 110, and impurity regions 20 and 30 or the like. The electrodes 24 and 34 may be electrically connected to the semiconductor substrate 110. The solar cell 150 may include a ribbon 142 electrically connected to the electrodes 24 and 34 to be connected to the neighboring solar cell 150. Here, the semiconductor substrate 110 and the impurity regions 20 and 30 are regions that contribute to photoelectric conversion, and thus may be defined as photoelectric conversion units. The impurity regions 20 and 30 may include an emitter region 20 and a back electric field region 30, and the electrodes 24 and 34 may be first electrodes 24 electrically connected to the emitter region 20. ) And a second electrode 34 electrically connected to the rear electric field region 30. An insulating film, such as an anti-reflection film 22 or a passivation film 32, may be formed on the front and / or rear surfaces of the semiconductor substrate 110. This is explained in more detail.

반도체 기판(110)은, 불순물 영역(20, 30)이 형성되는 영역과 불순물 영역(20, 30)이 형성되지 않는 부분인 베이스 영역(10)을 포함한다. 베이스 영역(10)은, 일례로 제1 도전형 불순물을 포함하는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제1 도전형 불순물은 p형 또는 n형일 수 있다. The semiconductor substrate 110 includes a region where the impurity regions 20 and 30 are formed and a base region 10 that is a portion where the impurity regions 20 and 30 are not formed. The base region 10 may include, for example, silicon containing a first conductivity type impurity. As the silicon, single crystal silicon or polycrystalline silicon may be used, and the first conductivity type impurity may be p type or n type.

베이스 영역(10)이 p형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 3족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)이 n형을 가지는 경우에는 베이스 영역(10)이 5족 원소인 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 베이스 영역(10)은 상술한 물질 외의 다양한 물질을 사용할 수 있다. When the base region 10 has a p-type, the base region 10 may be formed of single crystal or polycrystalline silicon doped with boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), or the like, which are group III elements. Can be done. When the base region 10 has an n-type, the base region 10 is formed of single crystal or polycrystalline silicon doped with phosphorus (P), arsenic (As), bismuth (Bi), antimony (Sb), and the like, which are Group 5 elements. Can be done. The base region 10 may use various materials other than the above-described materials.

도면에는 도시하지 않았지만, 반도체 기판(110)의 전면 및/또는 후면은 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(110)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(110)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 기판(110)의 전면 및 후면에 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되지 않는 것도 가능하다. Although not illustrated, the front and / or rear surfaces of the semiconductor substrate 110 may be textured to have irregularities in the form of pyramids and the like. If unevenness is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 by such texturing and the surface roughness is increased, the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 110 may be lowered. Therefore, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the emitter region 20 can be increased, thereby minimizing light loss. However, the present invention is not limited thereto, and it is also possible that unevenness due to texturing is not formed on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate 110.

반도체 기판(110)의 전면 쪽에는 베이스 영역(10)과 반대되는 제2 도전형을 가지는 에미터 영역(20)이 형성될 수 있다. 에미터 영역(20)이 n형일 때에는 인, 비소, 비스무스, 안티몬 등이 도피된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있고, p형일 때에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. An emitter region 20 having a second conductivity type opposite to the base region 10 may be formed on the front side of the semiconductor substrate 110. When the emitter region 20 is n-type, phosphorus, arsenic, bismuth, antimony, or the like may be made of single crystal or polycrystalline silicon, and in the p-type, aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), or the like may be doped. It can be made of monocrystalline or polycrystalline silicon.

도면에서는 에미터 영역(20)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 에미터 영역(20)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 에미터 영역(20) 중에서 제1 전극(24)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 에미터 영역(20)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In the figure, it is illustrated that the emitter region 20 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, emitter region 20 may have a selective structure. In an optional structure, the emitter region 20 may have a high doping concentration and a low resistance in the portion adjacent to the first electrode 24, and may have a low doping concentration and a high resistance in other portions. In addition to the structure of the emitter region 20, various structures may be applied.

그리고 본 실시예에서는 반도체 기판(110)의 전면 쪽에 제2 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역이 에미터 영역(20)을 구성한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 에미터 영역(20)이 반도체 기판(110)의 전면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다. In the present exemplary embodiment, the doped region formed by doping the second conductive impurity on the front surface of the semiconductor substrate 110 constitutes the emitter region 20. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, such that the emitter region 20 is formed as a separate layer on the front surface of the semiconductor substrate 110.

반도체 기판(110) 위에, 좀더 정확하게는 반도체 기판(110)에 형성된 에미터 영역(20) 위에 반사 방지막(22) 및 제1 전극(24)이 형성된다. The anti-reflection film 22 and the first electrode 24 are formed on the semiconductor substrate 110 and more precisely on the emitter region 20 formed on the semiconductor substrate 110.

반사 방지막(22)은 제1 전극(24)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(110)의 전면 전체에 형성될 수 있다. 반사 방지막(22)은 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시키고, 에미터 영역(20)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. The anti-reflection film 22 may be formed on the entire front surface of the semiconductor substrate 110 except for a portion corresponding to the first electrode 24. The anti-reflection film 22 reduces the reflectance of light incident on the front surface of the semiconductor substrate 110 and immobilizes defects existing in the surface or bulk of the emitter region 20.

반도체 기판(110)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율이 낮추는 것에 의하여 베이스 영역(10)과 에미터 영역(20)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 그리고 에미터 영역(20)에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 이와 같이 반사 방지막(22)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.By decreasing the reflectance of light incident through the front surface of the semiconductor substrate 110, the amount of light reaching the pn junction formed at the interface between the base region 10 and the emitter region 20 may be increased. Accordingly, the short circuit current Isc of the solar cell 150 may be increased. The defect in the emitter region 20 may be immobilized to remove the recombination site of the minority carriers, thereby increasing the open voltage Voc of the solar cell 150. As described above, the open circuit voltage and the short circuit current of the solar cell 150 may be increased by the anti-reflection film 22 to improve the efficiency of the solar cell 150.

반사 방지막(22)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(22)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 방지막(22)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 반도체 기판(110)과 반사 방지막(22) 사이에 패시베이션을 위한 별도의 전면 패시베이션 막(도시하지 않음)을 더 구비할 수도 있다. 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. The anti-reflection film 22 may be formed of various materials. In one example, the anti-reflection film 22 is any one single film selected from the group consisting of silicon nitride film, silicon nitride film including hydrogen, silicon oxide film, silicon oxide nitride film, aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 . It may have a multi-layered film structure in which more than one film is combined. However, the present invention is not limited thereto, and the anti-reflection film 22 may include various materials. In addition, a separate front passivation film (not shown) may be further provided between the semiconductor substrate 110 and the anti-reflection film 22 for passivation. This also belongs to the scope of the present invention.

제1 전극(24)은 반사 방지막(22)에 형성된 개구부를 통하여(즉, 반사 방지막(22)을 관통하여) 에미터 영역(20)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제1 전극(24)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 전극(24)의 형상에 대해서는 도 4 및 도 5를 참조하여 추후에 다시 설명한다. The first electrode 24 is electrically connected to the emitter region 20 through an opening formed in the anti-reflection film 22 (that is, through the anti-reflection film 22). The first electrode 24 may be formed to have various shapes by various materials. The shape of the first electrode 24 will be described later with reference to FIGS. 4 and 5.

반도체 기판(110)의 후면 쪽에는 베이스 영역(10)과 동일한 제1 도전형을 가지되, 베이스 영역(10)보다 높은 도핑 농도로 제1 도전형 불순물을 포함하는 후면 전계 영역(30)이 형성된다. The back surface of the semiconductor substrate 110 has the same first conductivity type as the base region 10, but has a back surface field region 30 including the first conductivity type impurities at a higher doping concentration than the base region 10. do.

도면에서는 후면 전계 영역(30)이 전체적으로 균일한 도핑 농도를 가지는 균일한 구조(homogeneous structure)를 가지는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 선택적 구조(selective structure)를 가질 수 있다. 선택적 구조에서는 후면 전계 영역(30) 중에서 제2 전극(34)과 인접한 부분에서 높은 도핑 농도 및 낮은 저항을 가지며, 그 외의 부분에서 낮은 도핑 농도 및 높은 저항을 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 후면 전계 영역(30)이 국부적 구조(local structure)를 가질 수 있다. 국부적 구조에서는 후면 전계 영역(30)이 제2 전극(34)과 인접한 부분에서만 국부적으로 형성될 수 있다. 후면 전계 영역(30)의 구조로는 이 외에도 다양한 구조가 적용될 수 있다. In the figure, it is illustrated that the back electric field region 30 has a homogeneous structure having a uniform doping concentration as a whole. However, the present invention is not limited thereto. Thus, in another embodiment, the backside field region 30 may have a selective structure. The selective structure may have a high doping concentration and a low resistance in the portion adjacent to the second electrode 34 in the rear field region 30, and may have a low doping concentration and a high resistance in other portions. In another embodiment, the backside field region 30 may have a local structure. In the local structure, the back surface field region 30 may be locally formed only at a portion adjacent to the second electrode 34. In addition to the structure of the rear electric field region 30, various structures may be applied.

그리고 본 실시예에서는 반도체 기판(110)의 후면 쪽에 제1 도전형 불순물을 도핑하여 형성된 도핑 영역이 후면 전계 영역(30)을 구성한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 후면 전계 영역(30)이 반도체 기판(110)의 후면 위에 별도의 층으로 구성되는 등 다양한 변형이 가능하다. In the present exemplary embodiment, the doped region formed by doping the first conductivity type impurities on the rear surface of the semiconductor substrate 110 constitutes the rear electric field region 30. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible, such as the rear electric field region 30 being formed as a separate layer on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

패시베이션막(32)은 제2 전극(34)에 대응하는 부분을 제외하고 실질적으로 반도체 기판(110)의 후면 전체에 형성될 수 있다. 패시베이션막(32)은 후면 전계 영역(30)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다. The passivation film 32 may be formed on the entire rear surface of the semiconductor substrate 110 except for a portion corresponding to the second electrode 34. The passivation film 32 immobilizes defects present in the surface or bulk of the back surface field region 30.

패시베이션막(32)은 후면 전계 영역(30)에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 이와 같이 패시베이션막(32)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압을 증가시켜 태양 전지(150)의 효율을 향상할 수 있다.The passivation layer 32 may increase the open voltage Voc of the solar cell 150 by immobilizing defects present in the back surface area 30 to remove recombination sites of minority carriers. As described above, the open circuit voltage of the solar cell 150 may be increased by the passivation layer 32 to improve the efficiency of the solar cell 150.

패시베이션막(32)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 패시베이션막(32)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, 알루미늄 산화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 패시베이션막(32)이 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. 그리고 반도체 기판(110)과 패시베이션막(32) 사이 또는 패시베이션막(32) 위에 별도의 막(도시하지 않음)을 더 구비할 수도 있다. 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. The passivation film 32 may be formed of various materials. In one example, the passivation film 32 is any one single film selected from the group consisting of silicon nitride film, silicon nitride film including hydrogen, silicon oxide film, silicon oxynitride film, aluminum oxide film, MgF 2 , ZnS, TiO 2 and CeO 2 . It may have a multi-layered film structure in which more than one film is combined. However, the present invention is not limited thereto, and the passivation film 32 may include various materials. In addition, a separate film (not shown) may be further provided between the semiconductor substrate 110 and the passivation film 32 or on the passivation film 32. This also belongs to the scope of the present invention.

제2 전극(34)은 패시베이션막(32)에 형성된 개구부를 통하여(즉, 패시베이션막(32)을 관통하여) 후면 전계 영역(30)에 전기적으로 연결된다. 이러한 제2 전극(34)은 다양한 물질에 의하여 다양한 형상을 가지도록 형성될 수 있다. 제2 전극(34)의 형상에 대해서는 도 6을 참조하여 추후에 다시 설명한다. The second electrode 34 is electrically connected to the rear field region 30 through an opening formed in the passivation film 32 (ie, through the passivation film 32). The second electrode 34 may be formed to have various shapes by various materials. The shape of the second electrode 34 will be described later with reference to FIG. 6.

제1 전극(24)의 위에는 리본(142)이 위치하여 이웃한 태양 전지(150)의 제2 전극(34)과 연결되고, 제2 전극(34)의 위에는 다른 리본(142)이 위치하여 다른 쪽으로 이웃한 태양 전지(150)의 제1 전극(24)과 연결된다. A ribbon 142 is positioned on the first electrode 24 to be connected to the second electrode 34 of the neighboring solar cell 150, and another ribbon 142 is positioned on the second electrode 34 so that the other It is connected to the first electrode 24 of the solar cell 150 neighboring toward.

이하에서 제1 전극(24), 제2 전극(34) 및 리본(142)의 구조에 대하여 좀더 상세하게 설명한다. Hereinafter, the structures of the first electrode 24, the second electrode 34, and the ribbon 142 will be described in more detail.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 전면 평면도이고, 도 5는 도 4의 제1 전극(24)을 구성하는 제1 층과 제2 층을 도시한 전면 평면도이다. 구체적으로 도 5의 (a)에는 제1 전극(24)의 제1 층(241)을 도시하였고, 도 5의 (b)에는 제1 전극(24)의 제1 층(241) 및 제2 층(242)을 함께 도시하였다. 4 is a front plan view of a solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a front plan view illustrating a first layer and a second layer constituting the first electrode 24 of FIG. 4. Specifically, FIG. 5A illustrates the first layer 241 of the first electrode 24, and FIG. 5B illustrates the first layer 241 and the second layer of the first electrode 24. 242 is shown together.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 제1 전극(24)은, 복수의 핑거 전극부(242)를 포함하는 핑거 전극(24a)과, 복수의 핑거 전극부(242)과 교차하는 방향으로 형성되는 적어도 하나의 버스바 전극(24b)을 포함한다. 본 실시예에서 버스바 전극(24b)은, 복수의 핑거 전극부(242)와 교차하는 방향으로 형성되는 메인 분(246)과, 메인 부분(240)으로부터 돌출되는 돌출 부분(248)을 적어도 하나 포함한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. Referring to FIG. 4, the first electrode 24 of the present exemplary embodiment is formed in a direction intersecting a finger electrode 24a including a plurality of finger electrode portions 242 and a plurality of finger electrode portions 242. At least one busbar electrode 24b is included. In the present embodiment, the busbar electrode 24b includes at least one main part 246 formed in a direction crossing the plurality of finger electrode parts 242 and a protruding part 248 protruding from the main part 240. Include. This is explained in more detail.

핑거 전극(24a)의 복수의 핑거 전극부(242)은 제1 피치(P1)를 가지면서 서로 평행하게 배치될 수 있다. 각 핑거 전극부(242)의 폭은 1㎛ 내지 300㎛일 수 있다. 핑거 전극부(242)의 폭이 1㎛ 미만이면 제조가 어렵고 저항이 높아질 수 있고, 폭이 300㎛를 초과하면 쉐이딩 손실이 증가할 수 있다. 저항 및 쉐이딩 손실을 좀더 고려하면 핑거 전극부(242)의 폭이 30㎛ 내지 120㎛일 수 있다. 그리고 제1 피치(P1)는 500㎛ 내지 3mm일 수 있다. 제1 피치(P1)가 500㎛ 미만이면 쉐이딩 손실이 증가할 수 있고, 3mm를 초과하면 캐리어를 효과적으로 수집하기 어려울 수 있다. 쉐이딩 손실 방지 및 캐리어의 효율적인 수집을 위하여 제1 피치(P1)는 1mm 내지 2.6mm일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 핑거 전극부(242)의 폭 및 제1 피치(P1) 등은 다양하게 변형될 수 있다. The plurality of finger electrode parts 242 of the finger electrode 24a may be disposed in parallel with each other while having the first pitch P1. The width of each finger electrode portion 242 may be 1 μm to 300 μm. If the width of the finger electrode portion 242 is less than 1 μm, it may be difficult to manufacture and the resistance may be high. If the width exceeds 300 μm, the shading loss may increase. In consideration of resistance and shading loss, the width of the finger electrode part 242 may be 30 μm to 120 μm. The first pitch P1 may be 500 μm to 3 mm. Shading loss may increase when the first pitch P1 is less than 500 μm, and it may be difficult to effectively collect the carrier when it exceeds 3 mm. The first pitch P1 may be 1 mm to 2.6 mm for shading loss prevention and efficient collection of carriers. However, the present invention is not limited thereto, and the width and the first pitch P1 of the finger electrode part 242 may be variously modified.

본 실시예에서 핑거 전극(24a)은 버스바 전극(24b)(좀더 정확하게는, 버스바 전극(24b)의 돌출 부분(248))의 외곽에 대응하는 위치에서 핑거 전극부(242)와 교차하는 방향으로 형성되는 얼라인 마크부(244)를 더 포함할 수 있다. 이러한 얼라인 마크부(244)는 버스바 전극(24b)을 형성할 때 돌출 부분(248)을 얼라인하는 데 사용될 수 있는데, 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다. 이와 같이 핑거 전극(24a)이 얼라인 마크부(244)를 포함하면 핑거 전극(24)을 형성하는 공정에서 얼라인 마크부(244)를 형성하는 것에 의하여 버스바 전극(24b)과의 얼라인을 정밀하게 수행할 수 있다. 이에 의하여 공정을 추가하지 않고도 버스바 전극(24b)의 얼라인 특성을 향상할 수 있다. In this embodiment, the finger electrode 24a intersects the finger electrode portion 242 at a position corresponding to the outside of the busbar electrode 24b (more precisely, the protruding portion 248 of the busbar electrode 24b). It may further include an alignment mark portion 244 formed in the direction. The alignment mark portion 244 may be used to align the protruding portion 248 when forming the busbar electrode 24b, which will be described in more detail later. When the finger electrode 24a includes the alignment mark portion 244 as described above, the alignment mark portion 244 is formed in the process of forming the finger electrode 24 to align with the busbar electrode 24b. Can be performed precisely. Thereby, the alignment characteristic of the busbar electrode 24b can be improved, without adding a process.

그리고 버스바 전극(24b)은 핑거 전극부(242)과 교차하는 방향으로 형성되어 핑거 전극(24a)을 연결할 수 있다. 이러한 버스바 전극(24b)은 하나만 구비될 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 피치(P1)보다 더 큰 제2 피치(P2)를 가지면서 복수 개로 구비될 수도 있다. 도면에서는 하나의 버스바 전극(24b)이 태양 전지(150)의 중심에 위치하고 두 개의 버스바 전극(24b)이 중심에 위치한 버스바 전극(24b)에 대칭을 이루도록 배치되는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다. The bus bar electrode 24b may be formed in a direction crossing the finger electrode part 242 to connect the finger electrode 24a. Only one bus bar electrode 24b may be provided, or as illustrated in FIG. 4, a plurality of bus bar electrodes 24b may be provided while having a second pitch P2 larger than the first pitch P1. In the drawing, one busbar electrode 24b is disposed at the center of the solar cell 150 and two busbar electrodes 24b are arranged to be symmetrical with the busbar electrode 24b positioned at the center. However, the present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

본 실시예에서, 버스바 전극(24b)은, 제1 폭(T1)을 가지면서 핑거 전극(24a)과 교차하는 방향(도면의 세로 방향)으로 길게 이어지는 메인 부분(246)과, 메인 부분(246)으로부터 메인 부분(246)과 교차하는 방향(일 예로, 핑거 전극부(242)와 평행한 방향(도면의 가로 방향))으로 돌출되는 돌출 부분(248)를 포함할 수 있다. 이에 따라 버스바 전극(24b)은 돌출 부분(248)이 형성된 부분에서 제1 폭(T1)보다 큰 제2 폭(T2)을 가지게 된다. In the present embodiment, the bus bar electrode 24b has a first width T1 and a main portion 246 extending in a direction crossing the finger electrode 24a (the longitudinal direction in the drawing) and the main portion ( It may include a protruding portion 248 protruding from the 246 in a direction intersecting with the main portion 246 (for example, a direction parallel to the finger electrode portion 242 (the horizontal direction in the drawing)). Accordingly, the busbar electrode 24b has a second width T2 greater than the first width T1 at the portion where the protruding portion 248 is formed.

여기서, 메인 부분(246)이라 함은 핑거 전극(24a)에 의하여 수집된 캐리어를 리본(142)을 통하여 외부로 전달할 수 있도록 리본(142)이 부착되도록 설계된 부분이다. Here, the main part 246 is a part designed to attach the ribbon 142 so that the carrier collected by the finger electrode 24a can be transferred to the outside through the ribbon 142.

이러한 메인 부분(246)은 핑거 전극(24a)에 의하여 수집된 캐리어를 리본(142)을 통하여 외부로 전달하는 역할을 하는 것으로서, 핑거 전극(24a)의 폭보다 큰 제1 폭(T1)을 가질 수 있다. 이에 의하여 낮은 저항에 의하여 쉽게 캐리어가 이동할 수 있도록 할 수 있다. 메인 부분(246)의 제1 폭(T1)은 핑거 전극(24a)의 폭과 같거나 이보다 작아지는 등 다양한 변형이 가능하다. 따라서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. The main part 246 serves to transfer the carrier collected by the finger electrode 24a to the outside through the ribbon 142 and has a first width T1 larger than the width of the finger electrode 24a. Can be. This makes it possible to easily move the carrier by a low resistance. The first width T1 of the main part 246 may be variously modified, such as being smaller than or smaller than the width of the finger electrode 24a. Therefore, the present invention is not limited thereto.

이와 같이 메인 부분(246)은 리본(142)이 부착되도록 설계된 부분이므로 메인 부분(246)의 제1 폭(T1)과 리본(142)의 제3 폭(T3)을 서로 동일하거나 유사하게 하는(일정 범위 내에서 작거나 큰) 것이 바람직하다. 일 예로, 리본(142)의 제3 폭(T3) : 메인 부분(246)의 제1 폭(T1)의 비율이 1:0.80 내지 1:1.22일 수 있다. 상기 비율이 1:0.8 미만이면, 메인 부분(246)의 폭이 리본(142)에 비하여 많이 작아서 메인 부분(246)을 벗어난 리본(142)에 의하여 반사 방지막(22) 또는 에미터 영역(20)에 손상을 줄 수 있다. 상기 비율이 1:1.22를 초과하면, 메인 부분(246)의 폭에 비하여 리본(142)의 폭이 작아져서 버스바 전극(24b)을 통하여 수집된 캐리어를 리본(142)을 통하여 외부로 전달하는 효율이 저하될 수 있다. 반사 방지막(22) 또는 에미터 영역(20)의 손상을 효과적으로 방지하면서 캐리어를 좀더 효과적으로 전달하기 위하여 상기 비율은 1:0.90 내지 1.11일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. As such, the main part 246 is a part designed to attach the ribbon 142, so that the first width T1 of the main part 246 and the third width T3 of the ribbon 142 are the same or similar to each other ( Small or large within a certain range). For example, the ratio of the third width T3 of the ribbon 142 to the first width T1 of the main part 246 may be 1: 0.80 to 1: 1.22. When the ratio is less than 1: 0.8, the width of the main portion 246 is much smaller than that of the ribbon 142 so that the anti-reflection film 22 or the emitter region 20 is caused by the ribbon 142 leaving the main portion 246. Can damage. When the ratio exceeds 1: 1.22, the width of the ribbon 142 becomes smaller than the width of the main portion 246 to transfer carriers collected through the busbar electrode 24b to the outside through the ribbon 142. Efficiency may be lowered. The ratio may be 1: 0.90 to 1.11 to more effectively transfer the carrier while effectively preventing damage to the anti-reflection film 22 or emitter region 20. However, the present invention is not limited thereto.

메인 부분(246)으로부터 돌출되는 돌출 부분(248)은 리본(142)의 얼라인 특성이 저하되는 경우(즉, 미스 얼라인(misalign)이 발생하는 경우)에 이를 보완하기 위한 부분이다. 또한, 얼라인 공정 중에 스크래치 또는 균열 등의 문제가 발생하여 반사 방지막(22) 또는 에미터 영역(20)을 손상하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 좀더 상세하게 설명한다. The protruding portion 248 protruding from the main portion 246 is a portion for compensating for the case in which the alignment characteristic of the ribbon 142 is degraded (that is, a misalignment occurs). In addition, a problem such as scratching or cracking occurs during the alignment process, thereby preventing damage to the anti-reflection film 22 or the emitter region 20. This is explained in more detail.

리본(142)의 미스 얼라인이 발생하게 되면, 리본(142)이 버스바 전극(24b)으로 벗어난 위치에 위치하게 된다. 미스 얼라인은 리본(142)을 기준으로 좌측 또는 우측으로 쉬프트되어 일어나는 경우도 있고, 리본(142)과 기울어지도록 일어나는 경우도 있고, 이들이 복합적으로 일어나는 경우도 있다. When the misalignment of the ribbon 142 occurs, the ribbon 142 is located at a position deviated from the busbar electrode 24b. The misalignment may be shifted left or right with respect to the ribbon 142, may occur to be inclined with the ribbon 142, or may occur in combination.

이와 같이 리본(142)의 미스 얼라인이 일어나게 되면 리본(142)과 버스바 전극(24b)의 접촉 면적이 작아져서 저항 성분이 증가하게 되고, 이에 의하여 태양 전지 모듈(도 1의 참조부호 100)의 출력이 저하된다. When the misalignment of the ribbon 142 occurs as described above, the contact area between the ribbon 142 and the busbar electrode 24b is reduced, thereby increasing the resistance component, thereby increasing the solar cell module (reference numeral 100 of FIG. 1). Output decreases.

또한, 미스 얼라인된 리본(142)이 태양 전지(150)를 손상시키는 문제를 발생시킬 수도 있다. 좀더 구체적으로 도 1을 함께 참조하여 설명하면, 도 1에 도시한 태양 전지 모듈(100)은 별개로 제작된 전면 기판(210), 제1 밀봉재(131), 리본(142)이 부착된 태양 전지(150), 제2 밀봉재(132) 및 후면 시트(220)를 적층한 후에 이들을 라미네이션하여 제조된다. 그런데, 리본(142)의 미스 얼라인이 발생하게 되면 리본(142)의 단부가 라미네이션 과정 중에 반사 방지막(22) 또는 에미터 영역(20)이 위치한 부분을 가압하게 되므로 이들에게 손상을 주어 스크래치 또는 균열이 발생시킨다. 또한, 리본(142)이 핑거 전극부(242)에 접촉하게 되면, 상대적으로 얇은 폭을 가지는 핑거 전극부(242)가 열 충격, 물리적 충격에 의하여 단선될 수 있다. 이러한 현상을 솔더링에 의한 그리드 인터럽션(grid interruption caused by soldering, GICS)이라 부른다. 이러한 GICS에 의하여 버스바 전극(24b)에 연결되어야 하는 핑거 전극(24a)의 일부가 단선되면서 캐리어가 버스바 전극(24b)에 전달되지 못하게 된다. 그러면 캐리어는 멀리 위치한 다른 버스바 전극(24b)까지 이동하거나, 또는 버스바 전극(24b)에 도달하지 못하게 된다. 그러면 태양 전지 모듈(100)의 출력이 감소하게 된다. In addition, the misaligned ribbon 142 may cause a problem of damaging the solar cell 150. More specifically, with reference to FIG. 1, the solar cell module 100 shown in FIG. 1 is a solar cell having a front substrate 210, a first sealing material 131, and a ribbon 142 formed separately. 150, the second sealing material 132 and the back sheet 220 are laminated and then laminated to manufacture them. However, if a misalignment of the ribbon 142 occurs, the end portion of the ribbon 142 presses a portion where the anti-reflection film 22 or the emitter region 20 is located during the lamination process, thus damaging them by scratching or Cracking occurs. In addition, when the ribbon 142 contacts the finger electrode part 242, the finger electrode part 242 having a relatively thin width may be disconnected by thermal shock or physical shock. This phenomenon is called grid interruption caused by soldering (GICS). The GICS prevents the carrier from being transferred to the busbar electrode 24b while the part of the finger electrode 24a to be connected to the busbar electrode 24b is disconnected. The carrier then moves to another busbar electrode 24b that is located far away, or fails to reach the busbar electrode 24b. Then the output of the solar cell module 100 is reduced.

이와 같이 리본(142)의 미스 얼라인은 태양 전지(150)의 성능, 효율 등에 큰 영향을 미칠 수 있으므로, 본 실시예에서는 버스바 전극(24b)에 돌출 부분(248)을 형성하여 리본(142)의 미스 얼라인이 발생할 경우에도 이에 대응할 수 있도록 한다. 즉, 리본(142)의 미스 얼라인이 발생하여도 버스바 전극(24)의 돌출 부분(248)과 리본(142)이 접촉될 수 있도록 한다. 이에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 출력 감소를 보상할 수 있다. As described above, the misalignment of the ribbon 142 may greatly affect the performance, efficiency, and the like of the solar cell 150. In this embodiment, the protrusion 248 is formed on the busbar electrode 24b to form the ribbon 142. Even if a misalignment occurs, it is possible to cope with it. That is, even if a misalignment occurs in the ribbon 142, the protruding portion 248 of the bus bar electrode 24 and the ribbon 142 may be in contact with each other. As a result, output reduction of the solar cell module 100 may be compensated.

이때, 돌출 부분(248)은 버스바 전극(24b)(또는 메인 부분(246))의 단부에 위치하는 단부 돌출부(248a, 248b)를 포함할 수 있다. 메인 부분(246)의 단부는 미스 얼라인에 의한 얼라인 오차가 가장 크게 발생할 수 있는 영역이다. 즉, 미스 얼라인이 버스바 전극(24b)에 대하여 기울어지는 형태로 이루어지게 되면 메인 부분(246)의 단부에서 가장 큰 폭의 얼라인 미스가 발생하게 된다. 이를 고려하여 돌출 부분(248)을 메인 부분(246)의 단부에 위치시켜 미스 얼라인에 의한 리본(142)과 버스바 전극(24b)의 접촉 면적 저하를 효과적으로 보상할 수 있다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이, 압착 공정 중에 리본(142)의 단부 부분에서 반사 방지막(22), 에미터 영역(20), 핑거 전극(24a)이 쉽게 손상될 수 있으므로, 이 부분에 돌출 부분(248)을 넓게 형성하여 미스 얼라인이 발생하더라도 리본(142)이 이들에 접촉하지 않도록 방지할 수 있다. In this case, the protruding portion 248 may include end protrusions 248a and 248b positioned at the end of the busbar electrode 24b (or the main portion 246). The end portion of the main portion 246 is an area where alignment errors due to misalignment may occur the most. That is, when the misalignment is inclined with respect to the busbar electrode 24b, the largest misalignment occurs at the end of the main part 246. In consideration of this, the protruding portion 248 may be positioned at an end portion of the main portion 246 to effectively compensate for a decrease in contact area between the ribbon 142 and the busbar electrode 24b due to misalignment. In addition, as described above, since the anti-reflection film 22, the emitter region 20, and the finger electrode 24a may be easily damaged at the end portion of the ribbon 142 during the pressing process, the protruding portion 248 at this portion may be damaged. ), The ribbon 142 may be prevented from contacting them even if a misalignment occurs.

좀더 구체적으로, 본 실시예에서는 단부 돌출부(248a, 248b)는, 리본(142)의 단부가 위치하는 부분에 위치하는 제1 단부 돌출부(248a)와, 제1 단부 돌출부(248a)의 반대 위치로서 리본(142)이 연장되어 이웃한 태양 전지(150)로 연장되는 부분에 위치하는 제2 단부 돌출부(248b)를 포함할 수 있다. 이에 의하여 버스바 전극(24b)의 양단부에서 발생할 수 있는 미스 얼라인에 효과적으로 대응할 수 있다. 그리고 제1 및 제2 단부 돌출부(248a, 248b)는 각기 메인 부분(246)을 기준으로 하여 양측에 대칭으로 위치하게 된다. 이에 의하여 미스 얼라인이 양측 중 어느 측으로 발생하여도 이를 효과적으로 보상할 수 있다. 이에 따라, 일 예로, 단부 돌출부(248a, 248b)와 메인 부분(246)에 의하여 버스바 전극(24b)이 I자 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다. More specifically, in the present embodiment, the end protrusions 248a and 248b are formed as opposite positions of the first end protrusion 248a and the first end protrusion 248a which are located at the portion where the end of the ribbon 142 is located. The ribbon 142 may include a second end protrusion 248b that extends and is positioned at a portion extending to the neighboring solar cell 150. As a result, it is possible to effectively cope with a misalignment that may occur at both ends of the busbar electrode 24b. The first and second end protrusions 248a and 248b are symmetrically positioned at both sides with respect to the main part 246, respectively. This effectively compensates for any misalignment occurring on either side. Accordingly, for example, the bus bar electrodes 24b may have an I shape by the end protrusions 248a and 248b and the main part 246. However, the present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

각 돌출 부분(248)은 복수의 핑거 전극부(240) 중 적어도 두 개 이상에 걸쳐서 형성될 수 있다. 이에 의하여 돌출 부분(248)이 충분한 폭(버스바 전극(24b)의 길이 방향으로 측정되는 폭)(W)을 가지면서 형성될 수 있어 리본(142)의 미스 얼라인에 효과적으로 대응할 수 있다. 일 예로, 돌출 부분(248)이 하나의 핑거 전극부(240)에만 대응하도록 형성되면, 폭(W)이 핑거 전극부(240)의 제1 피치(P1)보다 작아지게 되므로 리본(142)과의 접촉 면적 저하를 방지하는 효과를 발휘하기 어렵다. 따라서, 돌출 부분(248)이 충분한 폭(W)을 가질 수 있도록 두 개 이상의 핑거 전극부(240)에 걸쳐서 형성될 수 있다. 일 예로, 돌출 부분(248)은 두 개 내지 열 개의 핑거 전극부(240)에 걸쳐서 형성될 수 있다. 열 개를 초과하는 핑거 전극부(240)에 걸쳐서 형성될 경우에는 폭(W)이 지나치게 커져서 쉐이딩 손실이 증가할 수 있다. 쉐이딩 손실을 좀더 고려하면, 돌출 부분(248)은 두 개 내지 여섯 개의 핑거 전극부(240)에 걸쳐서 형성될 수 있다. 또는, 돌출 부분(248)의 폭(W)이 2mm 내지 10mm일 수 있다. 돌출 부분(248)의 폭(W)이 2mm 미만이면 리본(142)의 미스 얼라인에 효과적으로 대응하기 어려울 수 있고, 10mm를 초과하면 쉐이딩 손실이 증가할 수 있다. 쉐이딩 손실을 좀더 고려하면, 돌출 부분(248)의 폭(W)은 2mm 내지 6mm일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다. Each protruding portion 248 may be formed over at least two of the plurality of finger electrode portions 240. As a result, the protruding portion 248 can be formed while having a sufficient width (width measured in the longitudinal direction of the busbar electrode 24b) W so that it can effectively cope with the misalignment of the ribbon 142. For example, when the protruding portion 248 is formed to correspond to only one finger electrode portion 240, the width W is smaller than the first pitch P1 of the finger electrode portion 240, and thus the ribbon 142 and the ribbon 142. It is difficult to exert the effect of preventing the contact area drop. Thus, the protruding portion 248 may be formed over two or more finger electrode portions 240 so as to have a sufficient width (W). For example, the protruding portion 248 may be formed over two to ten finger electrode portions 240. When formed over more than ten finger electrode portions 240, the width W may become excessively large, thereby increasing the shading loss. Further considering shading loss, the protruding portion 248 may be formed over two to six finger electrode portions 240. Alternatively, the width W of the protruding portion 248 may be 2 mm to 10 mm. If the width W of the protruding portion 248 is less than 2 mm, it may be difficult to effectively cope with the misalignment of the ribbon 142, and if it exceeds 10 mm, the shading loss may increase. Further considering shading loss, the width W of the protruding portion 248 may be 2 mm to 6 mm. However, the present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

여기서, 앞서 설명한 바와 같이, 제1 단부 돌출부(248a)는 리본(142)이 시작되는 일측 단부에 위치하게 되는데, 리본(142)은 반도체 기판(110)의 단부로부터 일정 거리(예를 들어, 2mm 내지 3mm)만큼 이격되어 위치한다. 반면, 제2 단부 돌출부(248a)에 인접하며 다른 태양 전지(150)로 연장되는 리본(142)의 부분에서는 반도체 기판(110)과 이격되지 않는다. 이를 고려하면, 제1 단부 돌출부(248a)의 폭(W)을 제2 단부 돌출부(248a)의 폭(W)과 같거나 이보다 길게 하여 리본(142)이 시작되는 부분에서 리본(142)에 의한 에미터 영역(20) 등의 손상을 좀더 효과적으로 방지할 수 있다. Here, as described above, the first end protrusion 248a is positioned at one end where the ribbon 142 starts, and the ribbon 142 is a predetermined distance (for example, 2 mm from the end of the semiconductor substrate 110). To 3 mm). In contrast, the portion of the ribbon 142 adjacent to the second end protrusion 248a and extending to the other solar cell 150 is not spaced apart from the semiconductor substrate 110. In consideration of this, the width W of the first end protrusion 248a is equal to or longer than the width W of the second end protrusion 248a, and thus, the width W of the first end protrusion 248a is caused by the ribbon 142 at the portion where the ribbon 142 starts. Damage to the emitter region 20 can be prevented more effectively.

그리고 각 돌출 부분(248)(메인 부분(246)의 일측으로 돌출된 부분)의 돌출 길이(메인 부분(246)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 측정되는 길이)(L)은 메인 부분(246)의 제1 폭(T1)보다 작을 수 있다. 돌출 길이(L)는 얼라인 공정 시의 공차 등을 고려하여 결정될 수 있는데, 일반적으로 얼라인 공정 시의 공차는 메인 부분(246)의 제1 폭(T1)보다 작은 범위를 가지기 때문이다. 좀더 구체적으로, 돌출 부분(248)의 돌출 길이(L)가 0.1mm 내지 0.7mm일 수 있다. 돌출 길이(L)가 0.1mm 미만이면 리본(142)의 미스 얼라인에 효과적으로 대응하기 어렵고, 0.7mm를 초과하면 쉐이딩 손실이 증가하고 얼라인의 공차보다 큰 값을 가질 수 있기 때문이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다. And the protruding length (length measured in the direction crossing the longitudinal direction of the main portion 246) L of each protruding portion 248 (the portion protruding to one side of the main portion 246) is the main portion 246. It may be smaller than the first width T1 of. The protrusion length L may be determined in consideration of tolerances during the alignment process, and the like, since the tolerances during the alignment process generally have a range smaller than the first width T1 of the main part 246. More specifically, the protruding length L of the protruding portion 248 may be 0.1 mm to 0.7 mm. If the protruding length L is less than 0.1 mm, it is difficult to effectively cope with the misalignment of the ribbon 142, and if it exceeds 0.7 mm, the shading loss may increase and may have a value larger than the tolerance of the alignment. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible.

이와 같이 본 실시예에서는 일정한 폭(W) 및 돌출 길이(L)를 가지는 돌출 부분(248)을 메인 부분(246)으로부터 돌출되도록 형성한다. 이와 같은 돌출 부분(248)에 의하여 돌출 부분(248)이 형성된 부분에서 버스바 전극(24b)의 제2 폭(T2)는 2.1mm 내지 3.4mm의 값을 가질 수 있다. 이에 의하여 제2 폭(T2)이 리본(142)의 제3 폭(T3)보다 커질 수 있다. 이러한 제2 폭(T2)에 의하여 상술한 바와 같이 미스 얼라인이 발생하더라도 버스바 전극(24b)과 리본(142)의 접촉 면적 저하를 보상하고, 리본(142)에 의한 에미터 영역(20), 반사 방지막(22), 핑거 전극(24a) 등의 손상을 방지할 수 있다. 그리고 메인 부분(246)만이 위치한 부분에서는 돌출 부분(248)이 위치한 부분보다 작은 제1 폭(W1)을 가지도록 하여 쉐이딩 손실을 최소화할 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, the protruding portion 248 having the predetermined width W and the protruding length L is formed to protrude from the main portion 246. In the portion where the protruding portion 248 is formed by the protruding portion 248, the second width T2 of the bus bar electrode 24b may have a value of 2.1 mm to 3.4 mm. As a result, the second width T2 may be larger than the third width T3 of the ribbon 142. Even if a misalignment occurs as described above, the second width T2 compensates for a decrease in the contact area between the busbar electrode 24b and the ribbon 142 and the emitter region 20 by the ribbon 142. The damage to the anti-reflection film 22 and the finger electrode 24a can be prevented. In the portion where only the main portion 246 is located, the shading loss may be minimized by having the first width W1 smaller than the portion where the protruding portion 248 is disposed.

상술한 핑거 전극(24a)과 버스바 전극(24b)을 포함하는 제1 전극(24)은 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 전극(24)이 반도체 기판(110) 위에 차례로 적층되는 제1 층(240) 및 제2 층(241)을 포함하는 것을 예시하였다. 이와 같이 제1 층(240) 및 제2 층(241)을 포함하게 되면 제1 전극(24)의 두께를 충분하게 확보할 수 있고, 원하는 다양한 특성을 만족하도록 제1 층(240) 및 제2 층(241)의 물질, 형상 등을 최적화할 수 있다. The first electrode 24 including the finger electrode 24a and the busbar electrode 24b described above may be composed of a single layer or a plurality of layers. In the present exemplary embodiment, the first electrode 24 includes a first layer 240 and a second layer 241 that are sequentially stacked on the semiconductor substrate 110. As such, when the first layer 240 and the second layer 241 are included, the thickness of the first electrode 24 may be sufficiently secured, and the first layer 240 and the second layer may be satisfied to satisfy various desired characteristics. Material, shape, etc. of layer 241 can be optimized.

일 예로, 본 실시예에서는 핑거 전극(24a)이 제1 층(240) 및 제2 층(241)을 포함하는 이층 구조를 가지고, 버스바 전극(24b)이 제2 층(241)을 포함하는 단일층 구조를 가지는 것을 예시하였다. 즉, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 제1 층(240)은 핑거 전극(24a)을 구성하는 핑거 전극부(242)와 얼라인 마크부(244)를 포함하도록 형성하고, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 제2 층(241)은 핑거 전극(24a) 및 버스바 전극(24b)의 형상을 가지도록 형성할 수 있다. 이러한 제1 층(240) 및 제2 층(241)은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있는데, 일 예로, 인쇄, 증착, 도금 등에 의하여 형성될 수 있다. For example, in the present embodiment, the finger electrode 24a has a two-layer structure including a first layer 240 and a second layer 241, and the busbar electrode 24b includes a second layer 241. It is illustrated having a single layer structure. That is, as shown in FIG. 5A, the first layer 240 is formed to include the finger electrode portion 242 and the alignment mark portion 244 constituting the finger electrode 24a. As shown in (b) of FIG. 2, the second layer 241 may be formed to have the shape of the finger electrode 24a and the busbar electrode 24b. The first layer 240 and the second layer 241 may be formed by various methods. For example, the first layer 240 and the second layer 241 may be formed by printing, deposition, plating, or the like.

이에 따르면 상대적으로 작은 폭을 가져 두께가 상대적으로 작게 형성될 수 있는 핑거 전극(24a)을 버스바 전극(24b)보다 많은 층수로 형성하여 핑거 전극(24a)의 두께를 충분하게 확보할 수 있다. 일 예로, 핑거 전극(24a)의 두께가 버스바 전극(24b)의 두께보다 클 수 있다. 그리고 상대적으로 큰 폭을 가지는 버스바 전극(24b)은 단일층 구조로 형성하여 재료 비용 등을 절감할 수 있다. Accordingly, the finger electrode 24a, which has a relatively small width and can be formed with a relatively small thickness, may be formed with more layers than the busbar electrode 24b, thereby sufficiently securing the thickness of the finger electrode 24a. For example, the thickness of the finger electrode 24a may be greater than the thickness of the busbar electrode 24b. In addition, the busbar electrode 24b having a relatively large width may be formed in a single layer structure to reduce material costs and the like.

제1 층(201)과 제2 층(241)은 서로 동일한 물질을 가질 수도 있고, 서로 다른 물질을 가질 수도 있다. 일 예로, 제1 층(201)은 열처리 등에 의하여 파이어 스루(fire through)가 일어나는 물질로 구성될 수 있고, 제2 층(202)은 파이어 스루가 일어나지 않는 물질로 구성될 수 있다. 그러면, 제1 층(201)을 포함하는 핑거 전극(24a)은 절연막인 반사 방지막(22)을 관통하여 에미터 영역(20)에 접촉하여 형성되어 에미터 영역(20)의 캐리어를 수집할 수 있게 된다. 그리고 제2 층(202)으로만 구성된 버스바 전극(24b)은 반사 방지막(22)을 관통하지 못하고 반사 방지막(22)을 사이에 두고 에미터 영역(20) 위에 위치하게 된다. 그러면 버스바 전극(24b) 하부에 위치한 부분에서 반사 방지막(22) 또는 패시베이션막의 고정 전하(fixed charge) 특성을 유지하게 되어 캐리어 수집에 도움을 줄 수 있다. The first layer 201 and the second layer 241 may have the same material or different materials. For example, the first layer 201 may be formed of a material through which fire through occurs by heat treatment, and the second layer 202 may be formed of a material through which fire through does not occur. Then, the finger electrode 24a including the first layer 201 is formed through the anti-reflection film 22, which is an insulating layer, to contact the emitter region 20 to collect carriers of the emitter region 20. Will be. The busbar electrode 24b composed of only the second layer 202 does not penetrate the antireflection film 22 and is positioned on the emitter region 20 with the antireflection film 22 therebetween. Then, the fixed charge characteristic of the anti-reflection film 22 or the passivation film may be maintained at a portion under the busbar electrode 24b to help carrier collection.

그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(24)의 적층 구조 등은 다양하게 변형될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the stacked structure of the first electrode 24 may be variously modified.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다. 6 is a rear plan view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 후면 전극인 제2 전극(34)은 핑거 전극(34a)과 버스바 전극(34b)을 포함할 수 있다. 이때, 본 실시예에서 제2 전극(34)의 핑거 전극(34a)은 복수의 핑거 전극부(342)로만 이루어지고, 버스바 전극(34b)은 메인 부분(346)으로만 구성될 수 있다. 핑거 전극부(342) 및 메인 부분(346) 등에 대해서는 상술한 제1 전극(24)에서의 설명과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명을 생략한다. Referring to FIG. 6, in the present exemplary embodiment, the second electrode 34, which is a rear electrode formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, may include a finger electrode 34a and a busbar electrode 34b. At this time, in the present embodiment, the finger electrode 34a of the second electrode 34 may be composed of only the plurality of finger electrode portions 342, and the busbar electrode 34b may be composed of only the main portion 346. The finger electrode portion 342, the main portion 346, and the like are the same as or similar to those described above with respect to the first electrode 24, and thus detailed description thereof will be omitted.

이때, 메인 부분(346)의 폭(W4)이 전체적으로 리본(142)의 제3 폭(W3)보다 클 수 있다. 이에 따라 리본(142)의 미스 얼라인이 발생하더라도 이를 충분히 보상할 수 있다. 이는 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 제2 전극(34)의 경우에는 쉐이딩 손실에 대한 부담이 전면에 위치하는 제1 전극(24)보다 작으므로, 폭을 전체적으로 리본(142)보다 크게 할 수 있기 때문이다. 이에 의하여 리본(142)의 미스 얼라인에 효과적으로 대응할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제2 전극(34) 또한 상술한 제1 전극(24)과 동일한 구조를 가질 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. 그 외에도 제2 전극(34)은 알려진 다양한 구조를 가질 수도 있다. At this time, the width W4 of the main portion 346 may be larger than the third width W3 of the ribbon 142 as a whole. Accordingly, even if a misalignment of the ribbon 142 occurs, it can be sufficiently compensated. In the case of the second electrode 34 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the burden for shading loss is smaller than that of the first electrode 24 located on the front surface, so that the width thereof is larger than the ribbon 142 as a whole. Because it can. As a result, it is possible to effectively cope with the misalignment of the ribbon 142. However, the present invention is not limited thereto, and the second electrode 34 may also have the same structure as that of the first electrode 24 described above, which also belongs to the scope of the present invention. In addition, the second electrode 34 may have various known structures.

상술한 바와 같이 본 실시예에 따르면, 제1 전극(24) 및/또는 제2 전극(34)의 구조를 개선하여 리본(142)의 미스 얼라인 시에 발생할 수 있는 태양 전지 모듈(100)의 출력 저하 및 태양 전지(150)의 손상 등을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지 모듈(100)의 출력 및 신뢰성을 향상할 수 있다. As described above, according to the present exemplary embodiment, the structure of the first electrode 24 and / or the second electrode 34 may be improved to improve the structure of the solar cell module 100 that may occur during misalignment of the ribbon 142. It is possible to effectively prevent a decrease in output and damage to the solar cell 150. As a result, the output and reliability of the solar cell module 100 can be improved.

상술한 실시예에서는 전면 전극인 제1 전극(24)의 버스바 전극(24b)이 돌출 부분(248)을 포함하는 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 및 제2 전극(24, 34) 중 적어도 하나의 버스바 전극(24b, 34b)이 돌출 부분(248)을 포함할 수 있다. 그 외에도 다양한 변형이 가능하다.
In the above-described embodiment, the bus bar electrode 24b of the first electrode 24 as the front electrode is illustrated to include the protruding portion 248, but the present invention is not limited thereto. At least one busbar electrode 24b, 34b of the first and second electrodes 24, 34 may include a protruding portion 248. Many other variations are possible.

이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 따른 태양 전지를 상세하게 설명한다. 상술한 실시예에서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. Hereinafter, a solar cell according to other exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 9. Parts that are the same as or similar to those described in the above-described embodiments will not be described in detail, and only different parts will be described in detail.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다. 7 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)의 제1 전극(24)의 돌출 부분(248)은, 제1 단부 돌출부(248a)와 제2 단부 돌출부(248b) 사이에서 메인 부분(246)의 내부 영역에서 돌출되는 중앙 돌출부(248c)를 포함한다. 중앙 돌출부(248c)는 하나 또는 복수 개 구비될 수 있다. Referring to FIG. 7, the protruding portion 248 of the first electrode 24 of the solar cell 150 according to the present exemplary embodiment may have a main portion between the first end protrusion 248a and the second end protrusion 248b. A central protrusion 248c protruding in the interior region of 246. One or more central protrusions 248c may be provided.

본 실시예에서 제1 단부 돌출부(248a), 제2 단부 돌출부(248b) 및 중앙 돌출부(248c)는 균일한 간격을 사이에 두고 규칙적으로 배치되며 균일한 크기를 가질 수 있다. 여기서, 균일한 간격, 균일한 크기 등은 오차 등을 고려했을 때 통상적으로 동일한 간격, 크기로 여겨질 수 있는 간격, 크기 등을 의미하며, 일 예로, 10% 이내의 오차 범위를 가지는 간격, 크기 등을 의미할 수 있다. 이는 리본(142)을 버스바 전극(24b)에 부착하는 공정에서 리본(142) 부착을 위한 장치에 의하여 태양 전지(150)가 손상되는 것을 방지하기 위함이다. In the present exemplary embodiment, the first end protrusion 248a, the second end protrusion 248b, and the central protrusion 248c may be regularly arranged with a uniform interval therebetween, and may have a uniform size. Here, the uniform interval, uniform size, etc. generally mean an interval, size, etc., which may be regarded as the same interval, size, etc. in consideration of an error, and the like, for example, an interval, size having an error range within 10% And the like. This is to prevent the solar cell 150 from being damaged by the device for attaching the ribbon 142 in the process of attaching the ribbon 142 to the busbar electrode 24b.

좀더 구체적으로, 리본(142)을 태빙 등에 의하여 버스바 전극(24b) 위에 접합할 수 있다. 이때, 리본(142)을 버스바 전극(24b) 상에 위치시킨 상태로 고정하기 위하여 일정 간격을 두고 이격된 복수 개의 홀드 핀(hold pin)을 리본(142) 위에 위치시킨 다음, 홀드 핀 사이에 위치한 노즐 등에 의하여 핫 에어(hot air)를 가하는 것에 의하여 태빙을 할 수 있다. 이때, 복수 개의 홀드 핀에 의하여 태양 전지(150)의 절연막, 에미터 영역 등이 손상될 수 있다. 이를 고려하여 본 실시예에서는 홀드 핀의 간격에 대응하도록 돌출 부분(248)을 형성하여 홀드 핀이 리본(142)에 닿는 부분에서 태양 전지(150)를 손상하는 것을 방지하도록 할 수 있다. More specifically, the ribbon 142 may be bonded onto the busbar electrode 24b by tabbing or the like. At this time, in order to fix the ribbon 142 on the busbar electrode 24b, a plurality of hold pins spaced apart from each other are placed on the ribbon 142 at a predetermined interval, and then between the hold pins. Tabbing can be performed by applying hot air by means of a located nozzle or the like. In this case, an insulating layer, an emitter region, etc. of the solar cell 150 may be damaged by the plurality of hold pins. In consideration of this, in the present exemplary embodiment, the protrusion 248 may be formed to correspond to the gap between the hold pins so as to prevent the hold pins from damaging the solar cell 150 at the part contacting the ribbon 142.

이에 따르면 본 실시예에서는 리본(142)의 접합 공정 시 발생할 수 있는 문제를 방지할 수 있도록 하여 태양 전지(150)의 손상을 효과적으로 방지할 수 있다. Accordingly, in this embodiment, it is possible to prevent a problem that may occur during the bonding process of the ribbon 142 to effectively prevent damage to the solar cell 150.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다. 8 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)의 제1 전극(24)의 돌출 부분(248)은, 제1 단부 돌출부(248a)와 제2 단부 돌출부(248b) 사이에서 메인 부분(246)의 내부 영역에서 돌출되는 중앙 돌출부(248c)를 포함한다. 중앙 돌출부(248c)는 하나 또는 복수 개 구비될 수 있다. Referring to FIG. 8, the protruding portion 248 of the first electrode 24 of the solar cell 150 according to the present embodiment is a main portion between the first end protrusion 248a and the second end protrusion 248b. A central protrusion 248c protruding in the interior region of 246. One or more central protrusions 248c may be provided.

이때, 본 실시예에서는 중앙 돌출부(248c)의 돌출 길이가 단부 돌출부(248a 248b)의 돌출 길이보다 작을 수 있다. 중앙 돌출부(248c)가 복수 개 구비되는 경우에는 단부 돌출부(248a, 248b)와 가까운 위치에 위치할수록 돌출 길이가 길어질 수 있다. 즉, 단부 돌출부(248a, 248b)와 가까이 위치하는 중앙 돌출부(248c)보다 중앙 부분에 가깝게 위치한 중앙 돌출부(248c)의 돌출 길이가 짧아질 수 있다. 이는 리본(142)의 미스 얼라인이 버스바 전극(24b)에 대하여 기울어진 형태로 나타날 때, 중앙 쪽에서는 얼라인 오차가 작고 단부 쪽에서는 얼라인 오차가 커지는 것을 고려한 것이다. 즉, 얼라인 오차가 큰 단부 쪽에 위치하는 단부 돌출부(248a, 248b)의 돌출 길이를 크게 하여 미스 얼라인에 대응할 수 있도록 하고, 중앙 쪽에 위치하는 중앙 돌출부(284c)의 돌출 길이는 상대적으로 작게 하여 얼라인 오차에 대응하면서도 쉐이딩 손실을 최소화할 수 있다. At this time, in this embodiment, the protruding length of the central protrusion 248c may be smaller than the protruding length of the end protrusion 248a 248b. When a plurality of central protrusions 248c are provided, the protruding length may be longer as the position is closer to the end protrusions 248a and 248b. That is, the protruding length of the central protrusion 248c located closer to the center portion may be shorter than the central protrusion 248c positioned closer to the end protrusions 248a and 248b. This is considered that when the misalignment of the ribbon 142 is inclined with respect to the busbar electrode 24b, the alignment error is small at the center side and the alignment error is increased at the end side. That is, the protruding lengths of the end protrusions 248a and 248b located at the end side of which the align error is large can be increased to correspond to the misalignment, and the protruding length of the center protrusion 284c located at the center side is relatively small. Shading loss can be minimized while dealing with alignment errors.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 도시한 전면 평면도이다.  9 is a front plan view showing a solar cell according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양 전지(150)의 제1 전극(24)의 돌출 부분(248)은, 제1 단부 돌출부(248a)와 제2 단부 돌출부(248b) 사이에서 메인 부분(246)의 내부 영역에서 돌출되는 중앙 돌출부(248c)를 포함한다. 중앙 돌출부(248c)는 하나 또는 복수 개 구비될 수 있다. 9, the protruding portion 248 of the first electrode 24 of the solar cell 150 according to the present embodiment is a main portion between the first end protrusion 248a and the second end protrusion 248b. A central protrusion 248c protruding in the interior region of 246. One or more central protrusions 248c may be provided.

이때, 본 실시예에서는 중앙 돌출부(248c)가 제1 및 제2 단부 돌출부(248a, 248b)와 다른 폭을 가지면서 다양한 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 이와 같이 돌출 부분(248)의 배치는 다양하게 변형될 수 있다. At this time, in the present embodiment, the central protrusion 248c may be disposed at various intervals while having a different width from the first and second end protrusions 248a and 248b. As such, the arrangement of the protruding portions 248 may be variously modified.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, and the like as described above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

150: 태양 전지
24: 제1 전극
24a: 핑거 전극
242: 핑거 전극부
244: 얼라인 마크부
24b: 버스바 전극
246: 메인 부분
248: 돌출 부분
34: 제2 전극
150: solar cell
24: first electrode
24a: finger electrode
242: finger electrode portion
244: alignment mark
24b: busbar electrode
246: main part
248: protrusion
34: second electrode

Claims (20)

광전 변환부; 및
상기 광전 변환부에 연결되는 제1 및 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 전극은, 복수의 핑거 전극부를 포함하는 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되는 메인 부분 및 상기 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 적어도 하나 포함하는 버스바 전극을 포함하고,
상기 돌출 부분이 상기 복수의 핑거 전극부 중 적어도 두 개 이상에 걸쳐서 형성되고,
상기 핑거 전극은, 상기 돌출 부분의 외곽에 대응하는 위치에서 상기 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되어 상기 제1 전극에 연결되는 전도성 리본의 미스 얼라인을 방지하는 상기 돌출 부분을 얼라인하기 위한 얼라인 마크부를 더 포함하는 태양 전지.
Photoelectric conversion unit; And
First and second electrodes connected to the photoelectric converter
Including,
The first electrode may include a bus electrode including at least one finger electrode including a plurality of finger electrode parts, a main part formed in a direction crossing the plurality of finger electrode parts, and a protruding part protruding from the main part. Including,
The protruding portion is formed over at least two of the plurality of finger electrode portions,
The finger electrode is formed in a direction crossing the finger electrode part at a position corresponding to the outer edge of the protruding portion to align the protruding portion for preventing misalignment of the conductive ribbon connected to the first electrode. The solar cell further including an alignment mark part.
제1항에 있어서,
상기 메인 부분의 폭보다 상기 돌출 부분의 돌출 길이가 더 작은 태양 전지.
The method of claim 1,
And a protruding length of the protruding portion is smaller than the width of the main portion.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분의 돌출 길이가 0.1mm 내지 0.7mm인 태양 전지.
The method of claim 1,
The protruding length of the protruding portion is 0.1mm to 0.7mm.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분의 폭이 2mm 내지 10mm인 태양 전지.
The method of claim 1,
A solar cell having a width of the protruding portion of 2 mm to 10 mm.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분이 복수의 핑거 전극부 중 두 개 내지 열 개에 걸쳐서 형성되는 태양 전지.
The method of claim 1,
And the protruding portion is formed over two to ten of the plurality of finger electrode portions.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 2.1mm 내지 3.4mm인 태양 전지.
The method of claim 1,
The bus bar electrode has a width of 2.1mm to 3.4mm at the portion where the protruding portion is located.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분이 상기 메인 부분의 단부에 위치하는 단부 돌출부를 포함하는 태양 전지.
The method of claim 1,
And a protruding end portion wherein the protruding portion is positioned at an end of the main portion.
제7항에 있어서,
상기 단부 돌출부는 상기 메인 부분을 기준으로 하여 양측에 대칭으로 위치하는 태양 전지.
The method of claim 7, wherein
The end protrusion is positioned symmetrically on both sides with respect to the main portion.
제7항에 있어서,
상기 전도성 리본은, 일측 단부가 상기 버스바 전극 위에 위치하게 되고, 다른 측 부분은 이웃한 태양 전지로 연장되고,
상기 단부 돌출부는, 상기 일측 단부와 인접한 제1 단부 돌출부와, 상기 제1 단부 돌출부와 반대되는 위치에 위치하는 제2 단부 돌출부를 포함하고,
상기 제1 단부 돌출부의 폭이 상기 제2 단부 돌출부의 폭과 같거나 이보다 긴 태양 전지.
The method of claim 7, wherein
The conductive ribbon has one end positioned above the busbar electrode, the other side extending to a neighboring solar cell,
The end protrusion includes a first end protrusion adjacent to the one end and a second end protrusion positioned at a position opposite to the first end protrusion,
The solar cell of claim 1, wherein the width of the first end protrusion is equal to or greater than the width of the second end protrusion.
제7항에 있어서,
상기 돌출 부분이 상기 메인 부분의 내부 영역에서 돌출되는 중앙 돌출부를 더 포함하는 태양 전지.
The method of claim 7, wherein
And a central protrusion in which the protruding portion protrudes from an inner region of the main portion.
제10항에 있어서,
상기 중앙 돌출부의 돌출 길이가 상기 단부 돌출부의 돌출 길이보다 작은 태양 전지.
The method of claim 10,
And a protruding length of the central protrusion is smaller than a protruding length of the end protrusion.
제10항에 있어서,
상기 중앙 돌출부와 상기 단부 돌출부가 균일한 간격을 사이에 두고 규칙적으로 배치되는 태양 전지.
The method of claim 10,
And the center protrusion and the end protrusion are arranged regularly at equal intervals.
제1항에 있어서,
상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 상기 전도성 리본의 폭보다 큰 태양 전지.
The method of claim 1,
And a bus bar electrode having a width greater than a width of the conductive ribbon at a portion where the protruding portion is located.
제13항에 있어서,
상기 리본의 폭 : 상기 메인 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭 비율이 1:0.80 내지 1:1.22인 태양 전지.
The method of claim 13,
Width of the ribbon: the width ratio of the busbar electrode in the portion where the main portion is located 1: 0.80 to 1: 1.22 solar cell.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 광전 변환부는, 반도체 기판 및 에미터 영역을 포함하고,
상기 에미터 영역 위에 형성되는 절연막을 더 포함하고,
상기 핑거 전극은 상기 절연막을 관통하여 상기 에미터 영역에 접촉하여 형성되고,
상기 버스바 전극은 상기 절연막 위에 형성되는 태양 전지.
The method of claim 1,
The photoelectric conversion unit includes a semiconductor substrate and an emitter region,
Further comprising an insulating film formed on the emitter region,
The finger electrode is formed to penetrate the insulating film to contact the emitter region,
The bus bar electrode is formed on the insulating film.
제1항에 있어서,
상기 핑거 전극은 상기 광전 변환부 위에 위치하는 제1 층과, 상기 제1 층 위에 위치하는 제2 층을 포함하는 이층 구조를 가지고,
상기 버스바 전극은 상기 제2 층과 동일한 물질 및 두께를 가지는 단일층 구조를 가지는 태양 전지.
The method of claim 1,
The finger electrode has a two-layer structure including a first layer positioned on the photoelectric converter and a second layer positioned on the first layer,
The busbar electrode has a single layer structure having the same material and thickness as the second layer.
제17항에 있어서,
상기 제1 층과 상기 제2 층이 서로 다른 물질을 가지는 태양 전지.
The method of claim 17,
The solar cell of claim 1, wherein the first layer and the second layer have different materials.
제1항에 있어서,
상기 제2 전극에 연결되는 또 다른 전도성 리본을 더 포함하고,
상기 제2 전극은 전체적으로 상기 또 다른 전도성 리본보다 큰 폭을 가지는 태양 전지.
The method of claim 1,
Further comprising another conductive ribbon connected to the second electrode,
And the second electrode as a whole has a width greater than that of the another conductive ribbon.
광전 변환부; 및
상기 광전 변환부에 연결되는 제1 및 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 전극은, 복수의 핑거 전극부를 포함하는 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 메인 부분 및 상기 메인 부분으로부터 돌출되는 돌출 부분을 적어도 하나 포함하는 버스바 전극을 포함하고,
상기 돌출 부분이 위치한 부분에서 상기 버스바 전극의 폭이 2.1mm 내지 3.4mm이고,
상기 핑거 전극은, 상기 돌출 부분의 외곽에 대응하는 위치에서 상기 핑거 전극부와 교차하는 방향으로 형성되어 상기 제1 전극에 연결되는 전도성 리본의 미스 얼라인을 방지하는 상기 돌출 부분을 얼라인하기 위한 얼라인 마크부를 더 포함하는 태양 전지.
Photoelectric conversion unit; And
First and second electrodes connected to the photoelectric converter
Including,
The first electrode may include a finger electrode including a plurality of finger electrode portions, and a bus bar electrode including at least one main portion formed in a direction crossing the plurality of finger electrodes and a protruding portion protruding from the main portion. and,
The width of the bus bar electrode at the portion where the protruding portion is located is 2.1mm to 3.4mm,
The finger electrode is formed in a direction crossing the finger electrode part at a position corresponding to the outer edge of the protruding portion to align the protruding portion for preventing misalignment of the conductive ribbon connected to the first electrode. The solar cell further including an alignment mark part.
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