KR102048162B1 - 정전척 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면, 저비용으로 내구성, 내전압 특성, 정전력 등이 우수한 정전척이 제공된다.
Description
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 정전척용 플레이트 제조방법의 공정 흐름도이고,
도 3은 도 2의 정전척용 플레이트 제조방법의 각 공정을 개략적으로 도시한 것이고,
도 4는 도 2의 정전척용 플레이트 제조방법의 기판부 마련단계 공정을 개략적으로 도시한 것이고,
도 5는 도 2의 정전척용 플레이트 제조방법의 전극핀 설치단계 공정을 개략적으로 도시한 것이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 정전척용 플레이트의 일면을 도시한 것이고,
도 7은 도 6의 정전척용 플레이트를 이용한 정전척의 사시도이고,
도 8은 도 7의 정전척의 분해 사시도이고,
도 9는 도 7의 정전척의 일면을 도시한 것이고,
도 10은 도 7의 정전척의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
120 : 전극패턴 130 : 절연박막층
140 : 전극핀 200 : 커버부
300 : 가열부 400 : 커넥터
500 : 연결판 600 : 전압인가부
Claims (10)
- 인가되는 전압에 의하여 정전력을 발생시키는 플레이트;
상기 플레이트의 하면과 밀착하는 가열부;
상기 플레이트를 수용하도록 내부에 공간을 형성하는 커버부;
상기 플레이트에 전압을 인가하는 전압인가부;를 포함하고,
상기 플레이트는, 서로 나란히 배열되는 복수 개의 함몰패턴이 형성되는 기판부; 전기적 소재로 마련되어 상면이 상기 기판부의 표면과 일치하도록 상기 복수 개의 함몰패턴 내에 각각 배치되는 복수 개의 전극패턴; 상기 전극패턴과 상기 기판부가 이루는 표면상에 접합되는 절연 박막층;을 포함하며,
상기 기판부에는 상기 전극패턴의 하측으로부터 관통홀이 형성되며,
상기 관통홀에 억지끼움되어, 일단부는 상기 전극패턴과 접촉하고 타단부는 기판부의 하측으로 돌출되는 전극핀을 더 포함하고,
상기 전극핀은 복수 개로 마련되어 각각은 서로 다른 전극패턴에 전기적으로 연결되고, 각 전극핀은 상기 기판부로부터 돌출되는 쪽 단부의 내주면에 나사산이 형성되고,
상기 전극핀은 한 쌍씩 그룹을 이루며, 각 그룹 내 한 쌍의 전극핀은 어느 하나의 전극패턴을 중심으로 이웃하게 배열되는 양측의 전극핀과 연결되고,
전기적으로 전도성을 갖는 소재로 마련되며, 한 쌍의 전극핀 단부 각각을 수용하도록 양단부에 수용홀을 형성하는 커넥터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 전극패턴은 복수개로 마련되며,
상기 전극패턴 중 일부는 단부가 소정의 점으로부터 연장되어 상호 직각을 이루며 길이가 점점 증가하는 제1 패턴그룹을 이루고,
상기 전극패턴 중 나머지는 상기 제1 패턴그룹과 상기 기판의 중심점을 기준으로 대칭되도록 배치되는 제2 패턴그룹을 이루는 것을 특징으로 하는 정전척. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 가열부의 하면에 밀착하며 상기 커넥터를 수용하는 연결판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척. - 청구항 8에 있어서,
상기 연결판은,
상기 가열부의 하면에 밀착되며, 상기 전극핀이 관통하도록 관통공이 형성된 상부판; 상기 상부판과 밀착하며, 상기 상부판을 관통한 전극핀의 단부에 연결되는 커넥터가 수용되는 안착홈이 형성된 하부판;을 포함하며,
상기 플레이트로부터 연장되는 전극핀의 탭홀을 통하여 체결나사가 체결됨으로써, 상기 플레이트와 상기 체결나사 사이에 배치되는 가열부 및 상부판을 상기 플레이트 측으로 밀착시키는 것을 특징으로 하는 정전척. - 청구항 9에 있어서,
상기 커버부는,
상부커버; 상기 연결판을 수용하도록 삽입홈이 형성되며, 상기 상부커버와 하방에서 결합하여 상기 연결판을 가열부 측으로 밀착시키는 하부커버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112238363A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-01-19 | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 | 一种蒙皮的柔性固持工装 |
KR20220057304A (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-09 | (주)에스티아이 | 패널 고정 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007157661A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックスヒーターおよびセラミックスヒーターの製造方法 |
JP2008010513A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 静電チャックモジュール |
JP2011148688A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックス接合体及びその製造方法 |
KR20120043589A (ko) * | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 주성엔지니어링(주) | 정전 흡착 장치와 이를 포함하는 기판 처리 장치, 및 정전 흡착 장치의 제조 방법 |
KR20140050709A (ko) * | 2011-09-30 | 2014-04-29 | 토토 가부시키가이샤 | 교류구동 정전 척 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007157661A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | セラミックスヒーターおよびセラミックスヒーターの製造方法 |
JP2008010513A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 静電チャックモジュール |
JP2011148688A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックス接合体及びその製造方法 |
KR20120043589A (ko) * | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 주성엔지니어링(주) | 정전 흡착 장치와 이를 포함하는 기판 처리 장치, 및 정전 흡착 장치의 제조 방법 |
KR20140050709A (ko) * | 2011-09-30 | 2014-04-29 | 토토 가부시키가이샤 | 교류구동 정전 척 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220057304A (ko) * | 2020-10-29 | 2022-05-09 | (주)에스티아이 | 패널 고정 장치 |
KR102429634B1 (ko) * | 2020-10-29 | 2022-08-05 | (주)에스티아이 | 패널 고정 장치 |
CN112238363A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-01-19 | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 | 一种蒙皮的柔性固持工装 |
CN112238363B (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 | 一种蒙皮的柔性固持工装 |
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