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KR102029395B1 - Gate driver and liquid crystal display device inculding thereof - Google Patents

Gate driver and liquid crystal display device inculding thereof Download PDF

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KR102029395B1
KR102029395B1 KR1020130062904A KR20130062904A KR102029395B1 KR 102029395 B1 KR102029395 B1 KR 102029395B1 KR 1020130062904 A KR1020130062904 A KR 1020130062904A KR 20130062904 A KR20130062904 A KR 20130062904A KR 102029395 B1 KR102029395 B1 KR 102029395B1
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 게이트 구동부를 공개한다. 보다 상세하게는, 본 발명은 액정패널내에 박막트랜지스터로 실장되어 화소에 게이트 구동신호를 공급하는 GIP(Gate-In-Panel)방식 게이트 구동부 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 게이트 구동부의 더미 스테이지를 우수-기수 공유구조가 아닌 하나의 게이트 구동신호, 즉 리셋신호를 생성하는 구조로 대체함으로서 더미 스테이지의 박막트랜지스터의 개수를 최소화하여 게이트 구동부의 면적을 줄일 수 있는 효과가 있다.
The present invention discloses a gate driver. More specifically, the present invention relates to a gate-in-panel (GIP) gate driver mounted in a liquid crystal panel as a thin film transistor to supply a gate driving signal to a pixel, and a liquid crystal display including the same.
According to an exemplary embodiment of the present invention, the gate driving unit is minimized by replacing the dummy stage of the gate driver with a structure for generating a gate driving signal, that is, a reset signal, rather than an even-odd sharing structure. There is an effect to reduce the area.

Description

게이트 구동부 및 이를 포함하는 액정표시장치{GATE DRIVER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INCULDING THEREOF}GATE DRIVER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INCULDING THEREOF}

본 발명은 게이트 구동부에 관한 것으로, 특히 액정패널내에 박막트랜지스터로 실장되어 화소에 게이트 구동신호를 공급하는 GIP(Gate-In-Panel)방식 게이트 구동부 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gate driver, and more particularly, to a gate-in-panel (GIP) gate driver that is mounted as a thin film transistor in a liquid crystal panel to supply a gate driving signal to a pixel, and a liquid crystal display including the same.

휴대폰(Mobile Phone), 노트북컴퓨터와 같은 각종 포터플 장치(potable device) 및, HDTV 등의 고해상도, 고품질의 영상을 구현하는 정보전자장치가 발전함에 따라, 이에 이용되는 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 수요가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel; PDP), 전계발광 표시장치(Field Emission Display; FED) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Diodes; OLED) 등이 있다. 이중, 액정표시장치(LCD)는 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현, 대면적 화면의 실현이라는 이유로 인해 현재 가장 널리 연구되고 있다.Various portable devices such as mobile phones and laptop computers, and information electronic devices that realize high resolution and high quality images such as HDTVs, have been developed and used as flat panel display devices. The demand for) is increasing. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), field emission displays (FEDs), and organic light emitting diodes (Organic Light Emitting Diodes); OLED). Among them, liquid crystal displays (LCDs) are currently being most widely studied for reasons of mass production technology, ease of driving means, high definition, and large screen realization.

특히, 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)가 이용되는 액티브 매트릭스 방식의 액정표시장치는 동적인 영상을 표시하기에 적합하다. 이러한 스위칭 소자를 제어하기 위해, 액정표시장치에는 게이트 구동부가 구비되며, 최근에는 게이트 구동부를 액정패널과는 별도의 구동IC가 아닌, 액정패널상의 박막트랜지스터의 형태로 구비하는 추세이다.In particular, an active matrix liquid crystal display device using a thin film transistor (TFT) as a switching element is suitable for displaying a dynamic image. In order to control such switching elements, a liquid crystal display device includes a gate driver, and recently, a gate driver is provided in the form of a thin film transistor on a liquid crystal panel rather than a driving IC separate from the liquid crystal panel.

도 1은 종래 액정표시장치에 구비되는 게이트 구동부의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically illustrating a structure of a gate driver included in a conventional liquid crystal display.

도 1을 참조하면, 종래의 게이트 구동부는 소정의 클록신호(CLK1 ~ CLK8)에 동기하여 표시패널(미도시)에 형성된 게이트 배선에 게이트 구동전압(Vg1 ~ Vg n)을 출력하는 복수의 스테이지(ST1 ~ STn(n은 자연수))로 이루어진 쉬프트 레지스터(shift register)이다. 전술한 각 스테이지(ST1 ~ STn)들은 복수의 트랜지스터로 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional gate driver may include a plurality of stages that output gate driving voltages Vg1 to Vg n to gate wirings formed on a display panel in synchronization with predetermined clock signals CLK1 to CLK8. It is a shift register composed of ST1 to STn (n is a natural number). Each of the stages ST1 to STn described above is composed of a plurality of transistors.

여기서, 클록신호(CLK1 ~ CLK8)는 8개의 서로 다른 타이밍의 신호를 이용하는 8상 구조로서, 설계 의도에 따라 클록신호가 4개인 4상 또는 6개인 6상 구조도 널리 이용되고 있으며, 8상 클록신호(CLK1 ~ CLK8)를 이용하는 게이트 구동부의 경우, 다른 방식보다 전력소모가 작다는 장점이 있다.Here, the clock signals CLK1 to CLK8 are eight-phase structures using eight different timing signals. A four-phase or six-phase six-phase structure with four clock signals is also widely used according to design intention. The gate driver using the signals CLK1 to CLK8 has an advantage of lower power consumption than other methods.

또한, 통상의 게이트 구동부는 하나의 스테이지가 하나의 출력을 갖게 되나, 도면에서는 이웃한 두 스테이지내의 박막트랜지스터를 소정개 공유하고 Qb 노드(미도시)를 우수 및 기수번째로 나누어 교번하여 구동함으로서 통상의 구조보다 박막트랜지스터의 개수를 저감하여 게이트 구동부의 크기를 줄인 게이트 구동부를 예시하고 있다.In addition, although a conventional gate driver has one output having one output, in the drawing, a predetermined number of thin film transistors in two neighboring stages are shared, and Qb nodes (not shown) are alternately driven by being divided into even and odd numbers. The gate driver, which reduces the size of the gate driver by reducing the number of thin film transistors, is illustrated.

이러한 구조의 게이트 구동부는 제1 스테이지(ST1)가 개시신호(미도시) 및 제1,2 클록신호(CLK1, CLK2)를 입력받아 4 수평기간(4H)동안 서로 3 수평기간(3H)의 중첩구간을 갖는 하이레벨의 제1 및 제2 게이트 구동신호(Vg1, Vg2)출력하고, 이어서 제2 스테이지(ST2)가 하이레벨의 제3 게이트 구동신호(Vg3)를 출력하는 구조이다. 여기서, 제3 게이트 구동신호(Vg3)는 제2 게이트 구동신호(Vg2)와 3수평기간(3H) 중첩되는 신호이며, 또한 제2 스테이지(ST2)는 이어서 제4 게이트 구동신호(Vg4)를 순차적으로 출력하게 된다.The gate driver of this structure receives the start signal (not shown) and the first and second clock signals CLK1 and CLK2 from the first stage ST1 and overlaps the three horizontal periods 3H for four horizontal periods 4H. The high level first and second gate driving signals Vg1 and Vg2 having a section are output, and the second stage ST2 outputs the high level third gate driving signal Vg3. Here, the third gate driving signal Vg3 is a signal overlapping the second gate driving signal Vg2 with the three horizontal periods 3H, and the second stage ST2 subsequently orders the fourth gate driving signal Vg4. Will output

특히, 제2 스테이지(ST2)의 다음 스테이지(STn-1) 구동시에는 이의 게이트 구동신호가 리셋신호로서 다시 전전단 스테이지에 인가되어 제1 스테이지(ST1) 및 제2 게이트 구동신호(Vg1, Vg2)가 로우레벨로 출력되도록 한다. In particular, when driving the next stage STn-1 of the second stage ST2, the gate driving signal thereof is applied to the front stage again as a reset signal so that the first stage ST1 and the second gate driving signals Vg1 and Vg2 are reset. ) To low level output.

이러한 동작을 반복하여 제n 스테이지(n ST)까지 제m 게이트 구동신호(Vgm, m은 자연수)가 출력되면 하나의 프레임에 대한 동작이 완료된다. 이때, 제n 및 제n-1 스테이지(n ST)는 이후의 스테이지가 존재하지 않으므로 별도로 리셋신호를 생성하기 위한 더미 스테이지(DT1, DT2)가 구비되어야 한다.When the m-th gate driving signal (Vgm, m is a natural number) is outputted to the nth stage n ST repeatedly, the operation for one frame is completed. In this case, since the subsequent stages do not exist in the nth and nth-1th stages n ST, dummy stages DT1 and DT2 for separately generating a reset signal should be provided.

그러나, 상기의 더미 스테이지(DT1, DT2)는 직접 게이트 구동신호를 생성 및 출력하는 것이 아님에도 불구하고, 게이트 구동부에서 다른 스테이지(ST1 ~ STn)와 동일한 구조를 가지며, 동일한 면적을 차지하고 있어 액정패널에서 표시영역을 제외한 비표시영역의 너비를 최소화하는데 불리한 요인으로 작용하지만, 전술한 리셋신호 제공 역할 때문에 제거할 수는 없다는 문제점이 있다. However, the dummy stages DT1 and DT2 have the same structure as the other stages ST1 to STn in the gate driver and occupy the same area, even though they do not directly generate and output gate driving signals. In this case, it serves as a disadvantageous factor in minimizing the width of the non-display area excluding the display area, but cannot be removed because of the above-described reset signal providing role.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 게이트 구동부의 마지막 두 스테이지에 공급되는 리셋신호를 생성하기 위한 더미 스테이지의 구조를 단순화하여 박막트랜지스터의 개수를 최소화하고, 이에 따라 게이트 구동부의 면적을 줄여 네로우 베젤형 액정표시장치를 구현하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and the structure of the dummy stage for generating the reset signal supplied to the last two stages of the gate driver is simplified to minimize the number of thin film transistors, thereby reducing the area of the gate driver. It is an object of the present invention to realize a narrow bezel type liquid crystal display device.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부는 하나의 스테이지가 액정패널 상에 형성된 복수의 게이트배선 중 두 개와 연결되어 게이트 구동신호를 출력하는 복수의 스테이지; 및 상기 복수의 스테이지 중 적어도 하나에 리셋신호를 인가하는 하나의 출력을 갖는 더미 스테이지를 포함한다.In order to achieve the above object, a gate driver according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages in which one stage is connected to two of the plurality of gate wirings formed on the liquid crystal panel to output a gate driving signal; And a dummy stage having one output for applying a reset signal to at least one of the plurality of stages.

또한, 전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 복수의 게이트배선 및 데이터 배선이 매트릭스 형태로 교차형성되고, 교차지점에 화소가 정의되는 액정패널; 하나의 스테이지가 상기 복수의 게이트 게이트배선 중 두 개와 연결되어 게이트 구동신호를 상기 화소에 순차적으로 공급하는 복수의 스테이지로 이루어진 게이트 구동부; 상기 데이터 배선과 연결되어 상기 화소에 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부; 및 상기 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 게이트 구동부는, 상기 복수의 스테이지 중 적어도 하나에 리셋신호를 인가하는 하나의 출력을 갖는 더미 스테이지로부터 이루어진 더미부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, in order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the liquid crystal panel in which a plurality of gate wiring and data wiring is formed in a matrix form, the pixel is defined at the intersection; A gate driver including a plurality of stages in which one stage is connected to two of the plurality of gate gate lines to sequentially supply a gate driving signal to the pixel; A data driver connected to the data line to supply a data signal to the pixel; And a timing controller configured to control the gate driver and the data driver, wherein the gate driver includes a dummy part formed from a dummy stage having one output for applying a reset signal to at least one of the plurality of stages. do.

본 발명의 실시예에 따르면, 게이트 구동부의 더미 스테이지를 우수-기수 공유구조가 아닌 하나의 게이트 구동신호, 즉 리셋신호를 생성하는 구조로 대체함으로서 더미 스테이지의 박막트랜지스터의 개수를 최소화하여 게이트 구동부의 면적을 줄일 수 있는 효과가 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the gate driving unit is minimized by replacing the dummy stage of the gate driver with a structure for generating one gate driving signal, that is, a reset signal, rather than an even-odd sharing structure. There is an effect to reduce the area.

도 1은 종래 액정표시장치에 구비되는 게이트 구동부의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부를 포함하는 액정표시장치의 전체구조를 나타내는 도면이다.
도 3a는 본 발명의 게이트 구동부 및 더미부의 구조를 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 게이트 구동부에 입출력되는 클록신호 및 게이트 구동신호를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 게이트 구동부의 일 스테이지에 대한 등가 회로도의 일 예를 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 더미부의 일 스테이지에 대한 등가 회로도의 일 예를 나타낸 도면이다.
1 is a view schematically illustrating a structure of a gate driver included in a conventional liquid crystal display.
2 is a diagram illustrating an overall structure of a liquid crystal display device including a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.
3A is a diagram illustrating the structure of a gate driver and a dummy part of the present invention, and FIG. 3B is a diagram illustrating a clock signal and a gate driving signal input and output to and from the gate driver of FIG. 3A.
4 is a diagram illustrating an example of an equivalent circuit diagram of one stage of a gate driver of the present invention, and FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an equivalent circuit diagram of one stage of a dummy unit of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 게이트 구동부 및 이를 포함하는 액정표시장치를 설명한다.Hereinafter, a gate driver and a liquid crystal display including the same according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부를 포함하는 액정표시장치의 전체구조를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an overall structure of a liquid crystal display device including a gate driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 액정표시장치는 복수의 화소(P)가 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(A/A) 및 표시영역(A/A)의 외곽부인 비표시영역(N/A)이 정의되는 액정패널(100)과, 각 구동부를 제어하는 생성하는 타이밍 제어부(110)와, 액정패널(100)내에 실장되며 화소(P)에 게이트 구동신호(Vg)를 공급하되, 특정 스테이지에 리셋신호를 공급하는 더미 스테이지를 포함하는 게이트 구동부(120)와, 액정패널(100)과 연결되어 화소(P)에 데이터신호(Vdata)를 공급하는 데이터 구동부(130)를 포함한다. Referring to FIG. 2, in the liquid crystal display of the present invention, a plurality of pixels P are formed to display an image, and a non-display area N / that is an outer portion of the display area A / A. The liquid crystal panel 100 in which A) is defined, the timing control unit 110 which controls each driving unit, and the gate driving signal Vg mounted in the liquid crystal panel 100 and supplied to the pixel P, The gate driver 120 includes a dummy stage for supplying a reset signal to the stage, and a data driver 130 connected to the liquid crystal panel 100 to supply a data signal Vdata to the pixel P.

액정패널(100)은 투명기판 상에 다수의 게이트배선(GL), 그리고 게이트배선(GL)과 수직하는 방향으로 다수의 데이터배선(DL)이 매트릭스 형태로 교차 배치되고, 그 교차지점에 화소(P)가 정의된다. 화소(P)은 다수개가 하나의 표시영역(A/A)을 이루게 되며, 각 화소(P)에는 스위칭 소자의 역할을 하는 적어도 하나의 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있으며 박막트랜지스터(T)에 의해 제어되는 액정캐패시터(LC)를 통해 화면을 표시하게 된다. 표시영역(A/A)의 외측으로는 화상이 표시되지 않고, 게이트 구동부(120) 및 각종 배선이 연장되어 형성되는 비표시영역(N/A)이 정의된다.In the liquid crystal panel 100, a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL are arranged in a matrix in a direction perpendicular to the gate lines GL on the transparent substrate, and pixels (at the intersection points) P) is defined. A plurality of pixels P constitute one display area A / A, and at least one thin film transistor T serving as a switching element is formed in each pixel P, and the thin film transistor T The screen is displayed through the liquid crystal capacitor LC controlled by the LCD. An image is not displayed outside the display area A / A, and a non-display area N / A defined by extending the gate driver 120 and various wirings is defined.

전술한 박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(GL)으로부터 하이레벨의 게이트 구동신호(Vg)에 따라 턴-온되며, 이에 동기하여 데이터 배선(DL)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)를 액정캐패시터(LC)에 인가하게 된다. 여기서, 액정캐패시터(LC)은 액정물질을 사이에 두고 대면하는 공통전극과 박막트랜지스터(T)에 접속된 화소전극이 이루는 캐패시터 구조이다. 도시되어 있진 않지만, 액정캐패시터(LC)은 충전된 데이터신호(Vdata)가 다음 프레임까지 충전된 전압레벨을 안정적으로 유지하기 위해 저장캐패시터(미도시)와 더 연결될 수 있다.The thin film transistor T is turned on according to the high level gate driving signal Vg from the gate line GL, and in synchronization with the liquid crystal capacitor, the thin film transistor T receives the data signal Vdata supplied from the data line DL. LC). The liquid crystal capacitor LC is a capacitor structure formed of a common electrode facing the liquid crystal material and a pixel electrode connected to the thin film transistor T. Although not shown, the liquid crystal capacitor LC may be further connected to a storage capacitor (not shown) in order to stably maintain the voltage level at which the charged data signal Vdata is charged until the next frame.

각 화소(P)는 박막트랜지스터(T)를 통해 충전되는 데이터신호(Vdata)에 따라 액정물질의 배열 상태가 가변되어 액정캐패시터(LC)의 광 투과율이 조절됨으로써 계조를 구현하게 된다.Each pixel P has an arrangement state of the liquid crystal material varying according to the data signal Vdata charged through the thin film transistor T, thereby adjusting the light transmittance of the liquid crystal capacitor LC to realize gray scale.

타이밍 제어부(110)는 외부로부터 인가되는 화상신호와, 소정의 타이밍 신호를 인가받아, 정렬된 화상신호(RGB)와 게이트 제어신호(GCS) 및 데이터 제어신호(DCS)를 생성하여 각 구동부(120, 130)에 공급한다.The timing controller 110 receives an image signal applied from the outside and a predetermined timing signal to generate an aligned image signal RGB, a gate control signal GCS, and a data control signal DCS, thereby generating respective drivers 120. , 130).

또한, 타이밍 제어부(110)는 게이트 구동부(120)의 제어를 위한 게이트 제어신호(GCS)뿐만 아니라, 게이트 구동부(VG)의 구동을 위한 하나이상의 클록신호(CLK)를 생성 및 공급하며, 본 발명의 실시예에서는 클록신호(CLK)가 8개인 8상 구조가 적용될 수 있다. In addition, the timing controller 110 generates and supplies not only the gate control signal GCS for controlling the gate driver 120 but also one or more clock signals CLK for driving the gate driver VG. In an embodiment, an eight-phase structure of eight clock signals CLK may be applied.

한편, 도시되어 있지 않지만 타이밍 제어부(110)는 외부의 시스템과 소정의 인터페이스를 통해 연결되어 그로부터 출력되는 영상관련 신호와 타이밍신호를 잡음없이 고속으로 수신하도록 설계되어 있다. 이러한 인터페이스로는 LVDS(Low Voltage Differential Signal)방식 또는 TTL(Transistor-Transistor Logic) 인터페이스 방식 등이 있다.On the other hand, although not shown, the timing controller 110 is designed to be connected to an external system through a predetermined interface and to receive image-related signals and timing signals outputted therefrom at high speed without noise. These interfaces include LVDS (Low Voltage Differential Signal) or TTL (Transistor-Transistor Logic) interface.

또한, 액정패널(100)의 적어도 하나의 측단의 비표시영역(N/A)상에는 복수의 박막트랜지스터로 이루어지는 게이트 구동부(120)가 형성되며, 그 출력단은 표시영역(A/A)에 형성된 복수의 게이트배선(GL)과 전기적으로 연결되어 있다.In addition, a gate driver 120 including a plurality of thin film transistors is formed on the non-display area N / A of at least one side end of the liquid crystal panel 100, and the output terminals of the liquid crystal panel 100 are formed in the display area A / A. Is electrically connected to the gate wiring GL.

게이트 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)로부터 인가되는 게이트 제어신호(GCS)에 대응하여 액정패널(100)상에 배열된 게이트 배선(GL)에 게이트 구동신호(Vg)를 인가하여 박막트랜지스터(T)을 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하며, 이에 따라 데이터 구동부(140)로부터 공급되는 아날로그 파형의 데이터신호(Vdata)가 각 박막트랜지스터(T)에 접속된 액정캐패시터(CLC)에 인가되도록 한다. The gate driver 120 applies the gate driving signal Vg to the gate line GL arranged on the liquid crystal panel 100 in response to the gate control signal GCS applied from the timing controller 110, thereby applying a thin film transistor ( T) is turned on or off, and accordingly, an analog waveform data signal Vdata supplied from the data driver 140 is connected to each thin film transistor T. It is applied to the liquid crystal capacitor (CLC).

여기서, 전술한 게이트 제어신호(GCS)로는 게이트 개시신호(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock) 및 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable)등이 있다.The gate control signal GCS described above includes a gate start signal, a gate shift clock, a gate output enable, and the like.

또한, 게이트 구동신호(VG)는 하이레벨 및 로우레벨의 두 전압레벨을 가지며, 하나의 프레임(1 frame)동안 하이레벨로 1~4 수평기간(1~4H)마다 순차적으로 게이트 배선(GL)에 출력된다. 여기서, 인접한 게이트배선(GL)으로 출력되는 게이트 구동신호(VG)는 1~3 수평기간(1~3H)씩 중첩되게 되며, 데이터신호(Vdata)가 하나의 수평선상의 화소들에 대하여 1 수평기간(1H)씩 인가된다. In addition, the gate driving signal VG has two voltage levels of high level and low level, and the gate wiring GL is sequentially formed at every high level for 1 to 4 horizontal periods (1 to 4H) at a high level for one frame. Is output to Here, the gate driving signal VG outputted to the adjacent gate line GL overlaps one to three horizontal periods (1 to 3H), and the data signal Vdata is one horizontal period with respect to pixels on one horizontal line. (1H) each.

게이트 구동부(120)는 게이트 구동신호(VG)간에 중첩기간이 존재하지 않도록 설정될 수도 있으나, 액정패널(100)이 고해상도의 화상을 구현하고 대면적으로 형성됨에 따라 게이트 배선(GL)의 충전시간의 부족으로 인하여 오작동되는 것을 방지하기 위해, 각 게이트 구동신호(Vg)의 공급시간을 늘리고 서로 중첩시키는 형태로 설정되는 것이 바람직하다.The gate driver 120 may be set such that there is no overlap period between the gate driving signals VG, but as the liquid crystal panel 100 realizes a high resolution image and is formed in a large area, the charging time of the gate line GL is increased. In order to prevent malfunction due to the lack of, it is preferable that the supply time of each gate driving signal Vg is increased and overlapped with each other.

또한, 게이트 구동부(120)는 하나가 두 개의 게이트 구동신호(Vg)를 출력하는 Qb노드 공유의 더블출력구조(double output)스테이지로 구성되며, 마지막 두 스테이지에 리셋신호를 각각 공급하는 두 개의 더미 스테이지(125)를 더 포함한다. 여기서, 더미 스테이지(125)는 다른 스테이지와 다르게 Qb노드 공유구조가 아닌, 하나의 스테이지가 하나의 신호만을 출력하는 싱글출력구조(single output)로서 구비되는 박막트랜지스터의 개수가 적으며 따라서 액정패널(100)의 세로방향으로의 폭이 종래보다 작게 구현되게 된다.In addition, the gate driver 120 is composed of a double output stage of a shared Qb node, one of which outputs two gate driving signals Vg, and two dummy supplies respectively supplying reset signals to the last two stages. It further includes a stage 125. Here, unlike the other stages, the dummy stage 125 has a small number of thin film transistors provided as a single output structure in which one stage outputs only one signal, rather than a Qb node shared structure, and thus the liquid crystal panel ( The width in the longitudinal direction of the 100) is to be implemented smaller than the conventional.

한편, 데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS)에 따라 입력되는 정렬된 화상신호(RGB)를 기준전압을 이용하여 아날로그 형태의 데이터신호(Vdata)로 변환한다. 데이터신호(Vdata)는 1 수평기간(1H)씩 래치되고, 게이트 구동신호(Vg)에 대응하여 모든 데이터 배선(DL)을 통해 동시에 액정패널(100)으로 출력된다.Meanwhile, the data driver 130 converts the aligned image signal RGB inputted according to the data control signal DCS input from the timing controller 110 into an analog data signal Vdata using a reference voltage. . The data signal Vdata is latched by one horizontal period 1H, and is simultaneously output to the liquid crystal panel 100 through all of the data lines DL in response to the gate driving signal Vg.

상기의 데이터 제어신호(DCS)로는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 쉬프트 클럭(Source Shift Clock, SSC) 및 소스 출력 인에이블(Source Output Enable, SOE) 등이 있다.The data control signal DCS includes a source start pulse SSP, a source shift clock SSC, a source output enable SOE, and the like.

전술한 구조에 따라, 본 발명의 게이트 구동부를 포함하는 액정표시장치는 게이트 구동부(120)의 마지막 스테이지와 연결되는 두 더미 스테이지를 더블 출력구조가 아닌 싱글출력구조로 구현함으로서, 박막트랜지스터의 개수를 최소화하고 이에 따라 액정패널의 세로?향으로의 폭을 줄일 수 있는 효과가 있다.According to the above structure, the liquid crystal display device including the gate driver of the present invention implements two dummy stages connected to the last stage of the gate driver 120 in a single output structure instead of a double output structure, thereby reducing the number of thin film transistors. Minimizing and thus reducing the width of the liquid crystal panel in the vertical direction.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 게이트 구동부를 설명한다.Hereinafter, a gate driver of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3a는 본 발명의 게이트 구동부 및 더미부의 구조를 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 게이트 구동부에 입출력되는 클록신호 및 게이트 구동신호를 나타낸 도면이다.3A is a diagram illustrating the structure of a gate driver and a dummy part of the present invention, and FIG. 3B is a diagram illustrating a clock signal and a gate driving signal input and output to and from the gate driver of FIG. 3A.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 게이트 구동부(120)는 소정의 클록신호(CLK1 ~ CLK8)에 동기하여 표시패널(미도시)에 형성된 게이트 배선에 게이트 구동전압(Vg1 ~ Vg m)을 출력하는 복수의 스테이지(ST1 ~ STn)를 포함한다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the gate driver 120 of the present invention may include gate driving voltages Vg1 to Vg m on gate wirings formed on a display panel in synchronization with predetermined clock signals CLK1 to CLK8. It includes a plurality of stages (ST1 ~ STn) for outputting.

도면에서는 8개의 클록신호(CLK1 ~ CLK8)에 동기하여 구동하는 8상 구조 게이트 구동부의 일 예로서 본 발명의 구성을 설명하고 있으나, 클록신호가 8상이 아닌 2상, 4상 또는 6상 구조의 게이트 구동부에도 본 발명의 기술적 사상을 적용할 수 있다.In the drawing, the configuration of the present invention is described as an example of an eight-phase structure gate driver that drives in synchronization with eight clock signals CLK1 to CLK8. However, the clock signal has a two-phase, four-phase or six-phase structure instead of an eight-phase structure. The technical idea of the present invention can also be applied to a gate driver.

또한, 도시되어 있지는 않지만 각 스테이지들(ST1 ~ STn)에는 게이트 구동부(120)를 구동하기 위한 통상의 전원전압(VDD) 및 접지전압(VSS)이 공급된다. 그리고, 각 스테이지들(ST1 ~ STn)은 하나의 스테이지내의 박막트랜지스터를 소정개 공유하고 Qb 노드(미도시)를 우수 및 기수번째로 나누어 두 개의 출력단에 교번하여 하이레벨의 게이트 구동신호(Vg1 ~ Vgm)을 출력하는 더블 출력구조로 구성된다.In addition, although not shown, each of the stages ST1 to STn is supplied with a normal power supply voltage VDD and a ground voltage VSS for driving the gate driver 120. Each of the stages ST1 to STn shares a predetermined number of thin film transistors in one stage, divides the Qb node (not shown) into even and odd numbers, and alternates the two output terminals to a high level gate driving signal Vg1 to STn. It consists of a double output structure that outputs Vgm).

제1 스테이지(ST1)에는 제1 및 제2 개시신호(Vst1,2)가 시작신호로서 입력되며, 또한 제1 및 제2 클록신호(CLK1, CLK2)에 동기하여 제1 및 제2 게이트 구동신호(Vg1, Vg2)를 순차적으로 출력한다. 또한, 제1 스테이지(ST1)는 제n-1 스테이지(STn-1)의 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)를 리셋신호로 입력받게 된다. The first and second start signals Vst1 and 2 are input to the first stage ST1 as start signals, and the first and second gate driving signals are synchronized with the first and second clock signals CLK1 and CLK2. Outputs (Vg1, Vg2) sequentially. In addition, the first stage ST1 receives the m-th gate driving signal Vgm-2 of the n-th stage STn-1 as a reset signal.

즉, 각 스테이지는 후후단의 스테이지의 두번째 게이트 구동신호를 리셋신호로 입력받아 로우레벨의 게이트 구동신호를 출력하고, 게이트 구동신호를 후후단 스테이지의 시작신호로 공급하게 된다.That is, each stage receives the second gate driving signal of the rear stage stage as a reset signal, outputs a low level gate driving signal, and supplies the gate driving signal as a start signal of the rear stage stage.

그리고, 제n-1 스테이지(STn-1)는 제m-3 및 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-3, Vgm-2)를 출력하고, 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)를 제1 스테이지(ST1)의 리셋신호 및 제1 더미 스테이지(DT1)의 시작신호로 공급하게 된다. 또한, 제n 스테이지(STn)는 제m-1 및 제m 게이트 구동신호(Vgm-1, Vgm)를 출력하고, 제m 게이트 구동신호(Vgm)를 제2 스테이지(ST2)의 리셋신호 및 제2 더미 스테이지(DT2)의 시작신호로 공급하게 된다.The n-th stage STn-1 outputs the m-th and m-th gate driving signals Vgm-3 and Vgm-2 and the m-th gate driving signal Vgm-2. Is supplied to the reset signal of the first stage ST1 and the start signal of the first dummy stage DT1. In addition, the n-th stage STn outputs the m-th and m-th gate driving signals Vgm-1 and Vgm, and outputs the m-th gate driving signal Vgm to the reset signal and the th-th stage of the second stage ST2. The second dummy stage DT2 is supplied as a start signal.

제1 및 제2 더미스테이지(DT1, DT2)는 각각 제m-2 및 제m 게이트 구동신호(Vgm-2m, Vgm)를 시작신호로써 입력받아, 제n-1 스테이지 및 제n 스테이지(STn-1, STn)에 제1 및 제2 리셋신호(rst1, rst2)를 출력한다. 또한 제1 및 제2 더미스테이지(DT1, DT2)는 제1 및 제2 개시신호(Vst1, Vst2)를 리셋신호로서 입력받게 된다.The first and second dummy stages DT1 and DT2 receive the m-th and m-th gate driving signals Vgm-2m and Vgm as start signals, respectively, and the n-th stage and the n-th stage STn- The first and second reset signals rst1 and rst2 are output to 1, STn. In addition, the first and second dummy stages DT1 and DT2 receive the first and second start signals Vst1 and Vst2 as reset signals.

이러한 구조에 따라, 본 발명의 게이트 구동부(120)는 제1 스테이지(ST1)가 개시신호(Vst1, Vst2) 및 제1,2 클록신호(CLK1, CLK2)를 입력받아 4 수평기간(4H)동안 서로 3 수평기간(3H)의 중첩구간을 갖는 하이레벨의 제1 및 제2 게이트 구동신호(Vg1, Vg2)출력하고, 이어서 제2 스테이지(ST2)가 하이레벨의 제3 및 제4 게이트 구동신호(Vg3, Vg4)를 출력하는 구조이다. 여기서, 제1 및 제2게이트 구동신호(Vg1, Vg2)는 서로 3수평기간(3H) 중첩되는 신호일 수 있다.According to this structure, the gate driver 120 of the present invention receives the start signals Vst1 and Vst2 and the first and second clock signals CLK1 and CLK2 during the four horizontal periods 4H. The high level first and second gate driving signals Vg1 and Vg2 having three overlapping periods of 3 horizontal periods 3H are output to each other, and then the second stage ST2 outputs the high level third and fourth gate driving signals. This structure outputs (Vg3, Vg4). The first and second gate driving signals Vg1 and Vg2 may be signals overlapping each other by three horizontal periods 3H.

이러한 동작을 반복하여 제n 스테이지(n ST)까지 제m 게이트 구동신호(Vgm)가 출력되면 하나의 프레임에 대한 동작이 완료되며, 더미 스테이지의 제1 및 제2 리셋신호(rst1, rst2)가 출력되면, 다음 프레임이 시작된다. When the m-th gate driving signal Vgm is outputted to the n-th stage n ST repeatedly, the operation for one frame is completed, and the first and second reset signals rst1 and rst2 of the dummy stage are When output, the next frame begins.

특히, 본 발명의 더미부(125)는 하나의 스테이지가 하나의 출력신호를 갖는 싱글 출력구조이며, 따라서 종래보다 그 박막트랜지스터의 개수가 작으며 게이트 구동부(120)의 전체 면적을 작게 설계할 수 있게 된다. In particular, the dummy part 125 of the present invention has a single output structure in which one stage has one output signal. Therefore, the number of the thin film transistors is smaller than in the related art, and the overall area of the gate driver 120 can be designed smaller. Will be.

한편, 클록신호(CLK1 ~ CLK8)에 동기하여 게이트 구동신호(Vgm-3 ~ Vgm)가 출력되고, 각 게이트 구동신호(Vgm-3 ~ Vgm)에 해당하는 수평라인의 데이터신호(Vdata)가 1 수평기간(1H)씩 출력됨에 따라 화상이 표시된다. On the other hand, the gate driving signals Vgm-3 to Vgm are output in synchronization with the clock signals CLK1 to CLK8, and the data signal Vdata of the horizontal line corresponding to each gate driving signal Vgm-3 to Vgm is one. Images are displayed as they are output by the horizontal period 1H.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동부 및 더미부의 일 예를 상세히 설명한다. Hereinafter, an example of a gate driver and a dummy part according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 게이트 구동부의 일 스테이지에 대한 등가 회로도의 일 예를 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 더미부의 일 스테이지에 대한 등가 회로도의 일 예를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of an equivalent circuit diagram of one stage of a gate driver of the present invention, and FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an equivalent circuit diagram of one stage of a dummy unit of the present invention.

먼저 도 4를 참조하면, 본 발명의 게이트 구동부에 포함되는 일 스테이지(STn)는 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)를 출력하는 우수단(ODD) 및 제n 게이트 구동신호(Vgn)를 출력하는 기수단(EVEN)으로 이루어진다.First, referring to FIG. 4, one stage STn included in the gate driver of the present invention includes an even end (ODD) and an nth gate driving signal Vgn for outputting the m-1 gate driving signal Vgm-1. The means for outputting is made (EVEN).

특히, 예시된 스테이지(STn)는 Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e노드(Qb_e)가 서로 공유되어 박막트랜지스터의 개수가 저감된 더블 출력 구조로서, 우수단(ODD) 및 기수단(EVEN)에 구비되는 박막트랜지스터의 개수가 각각 13개씩 총 26개가 된다. 또한, 우수단(ODD) 및 기수단(EVEN)은 공유되는 Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e 노드(Qb_e)의 연결구조 이외에 서로 동일한 구조를 갖는다. In particular, the illustrated stage STn is a double output structure in which the Qb_o node Qb_o and the Qb_e node Qb_e are shared with each other and the number of thin film transistors is reduced, and the thin film is provided in the even end and the means EVEN. The total number of transistors is 26, with 13 each. In addition, the even end (ODD) and the base unit (EVEN) has the same structure in addition to the connection structure of the shared Qb_o node (Qb_o) and Qb_e node (Qb_e).

제1_1 박막트랜지스터(T1_1)는 제1 개시신호(Vst1)에 의해 턴-온되어 전원전압(VDD)으로 Q1노드(Q1)를 충전하고, 제1_2 박막트랜지스터(T1_2)는 제2 개시신호(Vst2)에 의해 턴-온되어 전원전압(VDD)으로 Q2노드(Q2)를 충전한다.The first_1 thin film transistor T1_1 is turned on by the first start signal Vst1 to charge the Q1 node Q1 with the power supply voltage VDD, and the first_2 thin film transistor T1_2 has the second start signal Vst2. Is turned on to charge the Q2 node Q2 to the power supply voltage VDD.

제2 박막트랜지스터(T2)는 후후단 게이트 구동신호(Vnext)를 인가받아 Q1노드(Q1)를 접지전압(VSS)으로 방전시킨다.The second thin film transistor T2 receives the rear gate driving signal Vnext to discharge the Q1 node Q1 to the ground voltage VSS.

제3o 박막트랜지스터(T3o)는 Qb_o노드(Qb_o)가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2 노드(Q1, Q2)를 방전시키고, 제3e 박막트랜지스터(T3e)는 Qb_e노드(Qb_e)가 충전됨에 따라 도통되어 Q1 및 Q2노드(Q1, Q2)를 방전시킨다.The third o thin film transistor T3o conducts as the Qb_o node Qb_o is charged to discharge the Q1 and Q2 nodes Q1 and Q2, and the third e thin film transistor T3e conducts as the Qb_e node Qb_e is charged. To discharge the Q1 and Q2 nodes Q1 and Q2.

제4A 박막트랜지스터(T4A)는 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)이 교번으로 하이레벨로 천이됨에 따라, 제4_1 및 제4_2 박막트랜지스터(T4_1, T4_2)를 턴-온시킨다. 또한, 제4_1 및 제4_2 박막트랜지스터(T4_1, T4_2)는 하이레벨의 우수 전원전압(VDD_O) 또는 기수 전원전압(VDD_E)을 통해 Qb_o노드(Qb_o) 또는 Qb_e노드(Qb_e)를 충전하게 된다. 또한, 제4Q 박막트랜지스터(T4Q)는 Q1노드(Q1)가 충전되면 Q2노드(Q2)를 방전시키거나, 또는 Q2노드(Q2)가 충전되면 Q1노드(Q1)를 방전시키는 역할을 한다.The 4A thin film transistor T4A turns on the 4_1 and 4_2 thin film transistors T4_1 and T4_2 as the even power supply voltage VDD_O and the odd power supply voltage VDD_E alternately transition to a high level. In addition, the 4_1 and 4_2 thin film transistors T4_1 and T4_2 charge the Qb_o node Qb_o or Qb_e node Qb_e through the high power supply voltage VDD_O or the odd power supply voltage VDD_E. In addition, the fourth Q thin film transistor T4Q discharges the Q2 node Q2 when the Q1 node Q1 is charged, or discharges the Q1 node Q1 when the Q2 node Q2 is charged.

제5 박막트랜지스터(T5)는 제1 개시신호(Vst1)가 인가됨에 따라, Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e노드(Qb_e)를 접지전압(VSS)으로 방전시키고, 제5Q 박막트랜지스터(T5Q)는 Q1노드(Q1) 또는 Q2노드(Q2)가 충전됨에 따라, Qb_o노드(Qb_o) 또는 Qb_e노드(Qb_e)를 방전시키며, 제5QI 박막트랜지스터(T5QI)는 Q1노드(Q1) 또는 Q2노드(Q2)가 충전됨에 따라, 제4 트랜지스터(T4)를 턴-오프하는 역할을 한다. As the first start signal Vst1 is applied, the fifth thin film transistor T5 discharges the Qb_o node Qb_o and Qb_e node Qb_e to the ground voltage VSS, and the fifth Q thin film transistor T5Q transmits Q1. As the node Q1 or the Q2 node Q2 is charged, the Qb_o node Qb_o or Qb_e node Qb_e is discharged, and the fifth QI thin film transistor T5QI is discharged by the Q1 node Q1 or Q2 node Q2. As the battery is charged, the fourth transistor T4 is turned off.

제6_1 박막트랜지스터(T6_1)는 풀-업 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, Q1노드(Q1)가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 제1 클록신호(CLK1)를 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)로서 출력한다. 또한, 제6_2 박막트랜지스터(T6_2)는 Q2노드(Q2)가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 제2 클록신호(CLK2)를 제m 게이트 구동신호(Vgm)로서 출력한다.The sixth_1 thin film transistor T6_1 functions as a pull-up buffer, and is turned on as the Q1 node Q1 is charged to turn on the first clock signal CLK1 having a high level. It outputs as one gate drive signal Vgm-1. In addition, the sixth_2th thin film transistor T6_2 is turned on as the Q2 node Q2 is charged to output the high level second clock signal CLK2 as the mth gate driving signal Vgm.

제7o 박막트랜지스터(T7o)는 풀-다운 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, Qb_o노드(Qb_o)가 충전됨에 따라, 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)을 로우레벨로 출력되도록 하고, 동시에 제m 게이트 구동신호(Vgm)가 로우레벨을 유지하도록 한다. 또한, 제7e 박막트랜지스터(T7e)는 Qb_e노드(Qb_e)가 충전됨에 따라, 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)을 로우레벨을 유지하도록 하고, 동시에 제m 게이트 구동신호(Vgm)가 로우레벨로 출력되도록 한다.The seventh thin film transistor T7o functions as a pull-up buffer and outputs the m-1 gate driving signal Vgm-1 to a low level as the Qb_o node Qb_o is charged. At the same time, the m-th gate driving signal Vgm is maintained at a low level. In addition, the seventh thin film transistor T7e maintains the m-1 gate driving signal Vgm-1 at a low level as the Qb_e node Qb_e is charged, and at the same time, the mth gate driving signal Vgm is Allow low level output.

전술한 구조에 따른 게이트 구동부의 스테이지의 구동을 설명하면 다음과 같다.The driving of the stage of the gate driver according to the above-described structure will be described below.

먼저, 하이레벨의 제1 개시신호(Vst1)가 입력됨에 따라, 우수단(ODD)의 제1_1 박막트랜지스터(T1_1)가 턴-온 되어 Q1노드(Q1)가 하이레벨로 충전되고, 제4Q 박막트랜지스터(T4Q) 및 제5Q 박막트랜지스터(T5Q)가 턴-온되어 Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e노드(Qb_e)가 방전된다. 이때, 우수 전원전압(VDD_O)은 하이레벨상태로서 제4A 박막트랜지스터(T4A)는 다이오드 상태이나, 제4Q 박막트랜지스터(T4Q)에 의해 전류가 흐르게 되어 제4_1 및 제4_2 박막트랜지스터(T4_1, T4_2)는 턴-오프 상태를 유지하게 된다.First, as the first start signal Vst1 of the high level is input, the first_1 thin film transistor T1_1 of the even end (ODD) is turned on to charge the Q1 node Q1 to the high level, and the fourth Q thin film. The transistor T4Q and the fifth Q thin film transistor T5Q are turned on to discharge the Qb_o node Qb_o and the Qb_e node Qb_e. At this time, the excellent power supply voltage (VDD_O) is a high level state, the 4A thin film transistor (T4A) is a diode state, but the current flows through the 4Q thin film transistor (T4Q) 4th and 4_2 thin film transistors (T4_1, T4_2) Will remain turned off.

다음으로, 하이레벨의 제1 클록신호(CLK1)가 인가되면 제6_1박막트랜지스터(T6_1)의 게이트-소스전압이 변동되어 하이레벨의 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)가 출력되게 된다. Next, when the high level first clock signal CLK1 is applied, the gate-source voltage of the sixth thin film transistor T6_1 is changed to output the m-1 gate driving signal Vgm-1 of the high level. .

이어서, 하이레벨의 제2 개시신호(Vst2)가 입력됨에 따라, 기수단(EVEN)의 제1_2 박막트랜지스터(T1_2)가 턴-온 되어 Q2노드(Q2)가 하이레벨로 충전되고, 제4Q 박막트랜지스터(T4Q) 및 제5Q 박막트랜지스터(T5Q)는 턴-온되어 Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e노드(Qb_e)는 방전상태가 유지된다. 다음으로 하이레벨의 제2 클록신호(CLK2)가 인가되면 제6_2 박막트랜지스터(T6_2)의 게이트-소스전압이 변동되어 하이레벨의 제m 게이트 구동신호(Vgm)가 출력되게 된다. 여기서, 제2 개시신호(Vst2) 및 제2 클록신호(CLK2)는 제1 개시신호(Vst1) 및 제1 클록신호(CLK1)신호와 1 수평기간(1H)기간이 지연되어 4 수평기간(4H)동안 하이레벨로 천이되는 신호로서, 결국 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)와 제m 게이트 구동신호(Vgm)는 3 수평기간(3H)이 중첩되도록 출력된다. Subsequently, as the high level second start signal Vst2 is input, the first_2 thin film transistor T1_2 of the base unit EVEN is turned on to charge the Q2 node Q2 to the high level, and the fourth Q thin film transistor T4Q and the fifth Q thin film transistor T5Q are turned on to maintain the discharge state of the Qb_o node Qb_o and Qb_e node Qb_e. Next, when the high level second clock signal CLK2 is applied, the gate-source voltage of the sixth second thin film transistor T6_2 is changed to output the m-th gate driving signal Vgm of the high level. Here, the second start signal Vst2 and the second clock signal CLK2 are delayed by the first start signal Vst1 and the first clock signal CLK1 signal and one horizontal period 1H, so that the four horizontal periods 4H are delayed. M-th gate driving signal Vgm-1 and m-th gate driving signal Vgm are output so that three horizontal periods 3H overlap each other.

3수평기간(3H)이 경과되면, 도시되어 있지는 않지만, 제n+2 스테이지(STn+2)로부터 제m+3 게이트 구동신호(Vgm+3)이 후후단 스테이지 신호(Vnext)로서 제2 박막트랜지스터(T2)에 인가되며, Q1노드(Q1) 및 Q2노드(Q2)는 방전된다. 이때, 우수 전원전압(VDD_O)은 하이레벨 상태이고, 제5QI 박막트랜지스터(T5QI)는 턴-오프 되므로, 제4_1 박막트랜지스터(T4_1)가 턴-온되어 Qb_o 노드(Qb_o)를 우수 전원전압(VDD_O)으로 충전하게 된다. When the three horizontal periods 3H have elapsed, although not shown, the second thin film as the post-stage stage signal Vnext is transmitted from the n + 2th stage STn + 2 to the m + 3th gate driving signal Vgm + 3. It is applied to the transistor T2, and the Q1 node Q1 and the Q2 node Q2 are discharged. At this time, since the excellent power supply voltage VDD_O is in a high level state and the fifth QI thin film transistor T5QI is turned off, the fourth_1 thin film transistor T4_1 is turned on to turn the Qb_o node Qb_o into the excellent power supply voltage VDD_O. ) Will be charged.

이에 따라, 제7o 박막트랜지스터(T7o)가 턴-온되어 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1) 및 제m 게이트 구동신호(Vgm)를 순차적으로 로우레벨로 천이시키게 된다. 상기의 제7o 박막트랜지스터(T7o) 및 제7e 박막트랜지스터(T7e)는 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)에 의해 그 턴-온 및 턴-오프 시점이 결정된다.Accordingly, the seventh thin film transistor T7o is turned on to sequentially transition the m-th gate driving signal Vgm-1 and the m-th gate driving signal Vgm to a low level in sequence. The seventh thin film transistor T7o and the sevene thin film transistor T7e have their power-on voltage VDD_O and the odd power supply voltage VDD_E determined their turn-on and turn-off times.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 더미 스테이지의 구조를 설명한다. 도면에서는 제1 더미 스테이지(DT1)만을 도시하였으나, 제2 더미 스테이지(미도시)도 동일한 회로구조를 갖는다.Hereinafter, a structure of a dummy stage according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Although only the first dummy stage DT1 is shown in the drawing, the second dummy stage (not shown) also has the same circuit structure.

도 5를 참조하면, 본 발명의 게이트 구동부에 포함되는 더미 스테이지(DT1)는 전전단 스테이지에 제1 리셋신호(rst1)를 공급한다. Referring to FIG. 5, the dummy stage DT1 included in the gate driver of the present invention supplies the first reset signal rst1 to the front stage.

특히, 본 발명의 더미 스테이지(DT1)는 하나의 스테이지가 하나의 리셋신호를 출력하는 싱글 출력 구조로서, 구비되는 박막트랜지스터의 개수가 17개가 된다. 따라서, 26 개의 박막트랜지스터를 구비하는 더블 출력 구조의 스테이지와 대비하여 볼 때, 9개의 박막트랜지스터를 생략할 수 있으며, 리셋신호는 적어도 2개가 필요하므로, 종래 대비 18개의 박막트랜지스터를 저감할 수 있음을 알 수 있다.In particular, the dummy stage DT1 of the present invention is a single output structure in which one stage outputs one reset signal, and the number of thin film transistors provided is 17. Therefore, compared with the stage of the double output structure having 26 thin film transistors, nine thin film transistors can be omitted, and at least two reset signals are required, thereby reducing 18 thin film transistors. It can be seen.

제1 박막트랜지스터(T1)는 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)에 의해 턴-온되어 전원전압(VDD)으로 Q노드(Q)를 충전한다.The first thin film transistor T1 is turned on by the m-2 gate driving signal Vgm-2 to charge the Q node Q with the power supply voltage VDD.

제2N 박막트랜지스터(T2N)는 개시신호(Vst)에 의해 턴-온되어 Q노드(Q)를 접지전압(VSS)으로 방전시킨다.The 2N thin film transistor T2N is turned on by the start signal Vst to discharge the Q node Q to the ground voltage VSS.

제3_O 박막트랜지스터(T3_O)는 Qb_O노드(Qb_O)가 충전됨에 따라 도통되어 Q 노드(Q)를 방전시키고, 제3_E 박막트랜지스터(T3_E)는 Qb_E노드(Qb_E)가 충전됨에 따라 도통되어 Q노드(Q)를 방전시킨다.The third_O thin film transistor T3_O conducts as the Qb_O node Qb_O is charged to discharge the Q node Q, and the third_E thin film transistor T3_E conducts as the Qb_E node Qb_E is charged to the Q node (Q3). Q) is discharged.

제4N_O 박막트랜지스터(T4N_O) 및 제4N_E 박막트랜지스터(T4N_E)는 각각 개시신호에 따라, 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)으로 Qb_O노드(Qb_O) 및 Qb_E노드(Qb_E)를 충전하는 역할을 한다. The 4N_O thin film transistor T4N_O and the 4N_E thin film transistor T4N_E respectively charge the Qb_O node Qb_O and Qb_E node Qb_E with the excellent power supply voltage VDD_O and the odd power supply voltage VDD_E according to the start signal. Play a role.

또한, 제4_O 박막트랜지스터(T4_O) 및 제4_E 박막트랜지스터(T4_E)는 각각 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)을 Qb_O노드(Qb_O) 및 Qb_E노드(Qb_E)에 충전하는 역할을 한다. In addition, the fourth_O thin film transistor T4_O and the fourth_E thin film transistor T4_E charge the Qb_O node Qb_O and Qb_E node Qb_E with the excellent power supply voltage VDD_O and the odd power supply voltage VDD_E, respectively. .

제5Vdd_O 박막트랜지스터(T5Vdd_O) 및 제5Vdd_E 박막트랜지스터(T5Vdd_E)는 각각 기수 전원전압(VDD_E) 및 우수 전원전압(VDD_O)에 따라, Qb_O노드(Qb_O) 및 Qb_E노드(Qb_E)를 접지전압(VSS)으로 방전하는 역할을 한다. 또한, 제5Q_O 박막트랜지스터(T5Q_O) 및 제5Q_E 박막트랜지스터(T5Q_E)는 각각 Q노드(Q)가 충전됨에 따라 Qb_O노드(Qb_O) 및 Qb_E노드(Qb_E)를 접지전압(VSS)으로 방전하는 역할을 한다. 그리고, 제5_O 박막트랜지스터(T5_O) 및 제5_E 박막트랜지스터(T5_E)는 하이레벨의 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)가 인가됨에 따라, Qb_O노드(Qb_O) 및 Qb_E노드(Qb_E)를 접지전압(VSS)으로 방전하는 역할을 한다. The fifth Vdd_O thin film transistor T5Vdd_O and the fifth Vdd_E thin film transistor T5Vdd_E are connected to the Qb_O node Qb_O and Qb_E node Qb_E according to the odd power supply voltage VDD_E and the even power supply voltage VDD_O, respectively. To discharge. In addition, the fifth Q_O thin film transistor T5Q_O and the fifth Q_E thin film transistor T5Q_E discharge the Qb_O node Qb_O and Qb_E node Qb_E to the ground voltage VSS as the Q node Q is charged, respectively. do. In addition, the fifth_O thin film transistor T5_O and the fifth_E thin film transistor T5_E receive the Qb_O node Qb_O and Qb_E node Qb_E as the high level m-2 gate driving signal Vgm-2 is applied. Discharges to ground voltage VSS.

제6 박막트랜지스터(T6)는 풀-업 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, Q1노드(Q1)가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 제2 클록신호(CLK2)를 제1 리셋신호(rst1)로서 출력한다. The sixth thin film transistor T6 functions as a pull-up buffer and is turned on as the Q1 node Q1 is charged to reset the second clock signal CLK2 of the high level to the first reset. Output as signal rst1.

제7_O 박막트랜지스터(T7_O)는 풀-다운 버퍼(pull-up buffer)의 기능을 하며, Qb_O노드(Qb_O)가 충전됨에 따라, 제1 리셋신호(rst1)를 로우레벨로 출력되도록 하고, 또한 제7_E 박막트랜지스터(T7_E)는 Qb_E노드(Qb_E)가 충전됨에 따라, 제1 리셋신호(rst1)를 로우레벨로 출력되도록 한다.The seventh_O thin film transistor T7_O functions as a pull-up buffer and, as the Qb_O node Qb_O is charged, outputs the first reset signal rst1 to a low level. The 7_E thin film transistor T7_E outputs the first reset signal rst1 to a low level as the Qb_E node Qb_E is charged.

전술한 구조에 따른 게이트 구동부의 더미 스테이지의 구동을 설명하면 다음과 같다.The driving of the dummy stage of the gate driver according to the above-described structure will be described below.

먼저, 하이레벨의 제m-2 개시신호(Vgm-2)가 입력됨에 따라, 제1 박막트랜지스터(T1)가 턴-온 되어 Q노드(Q)가 하이레벨로 충전되고, 제5Q_O 박막트랜지스터(T5Q_O) 및 제5Q_E 박막트랜지스터(T5Q_E)가 턴-온되어 Qb_o노드(Qb_o) 및 Qb_e노드(Qb_e)가 방전된다. 이때, 우수 전원전압(VDD_O)이 하이레벨상태일 경우 제4_O 박막트랜지스터(T4_O)는 다이오드 상태이나, 제5Q_O 박막트랜지스터(T5Q_O)에 의해 전류가 흐르게 되어 Qb_O노드(Qb_O)는 로우레벨, 즉 접지전압(VSS)에 준하는 방전상태를 유지하게 된다. 이는 기수 전원전압(VDD_E)이 하이레벨 상태일 경우, 제4_E 박막트랜지스터(T4_E)가 다이오드 상태가 되어도 이에 대응되는 이유로 Qb_E노드(Qb_E)가 로우레벨을 유지하는 것과 동일하다. First, as the high level m-2 start signal Vgm-2 is input, the first thin film transistor T1 is turned on to charge the Q node Q to a high level, and the fifth Q_O thin film transistor ( T5Q_O) and the fifth Q_E thin film transistor T5Q_E are turned on to discharge the Qb_o node Qb_o and Qb_e node Qb_e. At this time, when the excellent power supply voltage VDD_O is in the high level state, the fourth_O thin film transistor T4_O is in the diode state, but current flows through the fifth Q_O thin film transistor T5Q_O so that the Qb_O node Qb_O is at the low level, that is, the ground. The discharge state corresponding to the voltage VSS is maintained. This is the same as maintaining the low level of the Qb_E node Qb_E even if the fourth power supply voltage VDD_E is in the high level, even if the fourth_E thin film transistor T4_E is in the diode state.

다음으로, 하이레벨의 제2 클록신호(CLK2)가 인가되면 제6박막트랜지스터(T6)의 게이트-소스전압이 변동되어 하이레벨의 제1 리셋신호(rst1)가 출력되게 된다. Next, when the second clock signal CLK2 at the high level is applied, the gate-source voltage of the sixth thin film transistor T6 is changed to output the first reset signal rst1 at the high level.

이어서, 하이레벨의 개시신호(Vst)가 입력됨에 따라, 제2N 박막트랜지스터(T2N)가 턴-온 되어 Q노드(Q)가 접지전압(VSS)레벨로 방전되고, 이에 따라, 제6 박막트랜지스터(T6)가 턴-오프된다. 동시에, 우수 전원전압(VDD_O)이 Qb_O노드(Qb_O)에 충전되고, Qb_E노드(Qb_E)는 방전상태를 유지하게 된다.Subsequently, as the high level start signal Vst is input, the 2N thin film transistor T2N is turned on so that the Q node Q is discharged to the ground voltage VSS level, and thus, the sixth thin film transistor. T6 is turned off. At the same time, the excellent power supply voltage VDD_O is charged to the Qb_O node Qb_O, and the Qb_E node Qb_E maintains a discharge state.

이에 따라, 제7_O 박막트랜지스터(T7_O)가 턴-온되어 제1 리셋신호(rst1)를 로우레벨로 천이시키게 된다. 상기의 제7_O 박막트랜지스터(T7_O) 및 제7_E 박막트랜지스터(T7_E)는 우수 전원전압(VDD_O) 및 기수 전원전압(VDD_E)에 의해 그 턴-온 및 턴-오프 시점이 결정된다. Accordingly, the seventh_O thin film transistor T7_O is turned on to transition the first reset signal rst1 to a low level. The seventh_O thin film transistors T7_O and the seventh_E thin film transistors T7_E have their power-on voltage VDD_O and the odd power supply voltage VDD_E determined their turn-on and turn-off times.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and their equivalents.

A/A : 표시영역 N/A : 비표시영역
P : 화소 GL : 게이트배선
DL : 데이터배선 GCS : 게이트 제어신호
DCS : 데이터 제어신호 RGB : 화상신호
Vg : 게이트 구동신호 Vdata : 데이터신호
100 : 액정패널 110 : 타이밍 제어부
120 : 게이트 구동부 125 : 더미부
130 : 데이터 구동부
A / A: display area N / A: non-display area
P: Pixel GL: Gate Wiring
DL: Data Wiring GCS: Gate Control Signal
DCS: Data Control Signal RGB: Image Signal
Vg: Gate drive signal Vdata: Data signal
100: liquid crystal panel 110: timing control unit
120: gate driver 125: dummy part
130: data driver

Claims (10)

각각의 스테이지가 복수의 게이트배선 중 두 개와 연결되어 게이트 구동신호를 출력하는 n개의 스테이지(n은 2이상의 자연수); 및
하나의 리셋신호만 출력하는 싱글 출력 구조로 이루어진 복수의 더미 스테이지를 포함하고,
상기 복수의 더미 스테이지는
상기 n개의 스테이지 중 제n-1 스테이지에 하나의 제1 리셋신호를 공급하는 제1 더미 스테이지, 및
상기 n개의 스테이지 중 제n 스테이지에 하나의 제2 리셋신호를 공급하는 제2 더미 스테이지를 포함하고,
상기 제1 더미 스테이지는 상기 제n 스테이지와 상기 제2 더미 스테이지 사이에 위치하는 게이트 구동부.
N stages in which each stage is connected to two of the plurality of gate wirings and outputs a gate driving signal (n is a natural number of two or more); And
It includes a plurality of dummy stages having a single output structure for outputting only one reset signal,
The plurality of dummy stages
A first dummy stage configured to supply one first reset signal to an n-1th stage among the n stages, and
A second dummy stage configured to supply one second reset signal to an nth stage of the n stages,
The first dummy stage is a gate driver positioned between the nth stage and the second dummy stage.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 구동부는,
8상 클록신호 구조인 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The gate driver,
And an eight-phase clock signal structure.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 더미 스테이지는,
각각 상기 제n-1 스테이지 및 제n 스테이지의 기수번째 게이트 구동신호(Vgm-2, Vgm(m은 자연수))을 개시신호로서 공급받아 구동하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The first and second dummy stages,
And a base gate driving signal (Vgm-2, Vgm (m is a natural number)) of the n-th stage and the n-th stage, respectively, as a start signal to drive the gate driver.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 더미 스테이지는,
각각 제2 클록신호 및 제4 클록신호에 동기하여 구동하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The first and second dummy stages,
And driving in synchronization with the second clock signal and the fourth clock signal, respectively.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 더미 스테이지는,
상기 복수의 스테이지의 개시신호를 리셋신호로서 인가받아 구동하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The first and second dummy stages,
And driving the start signals of the plurality of stages as a reset signal.
제 1 항에 있어서,
상기 하나의 스테이지는,
Q1노드, Qb_o노드 및 Qb_e 노드가 형성된 기수단; 및
Q2노드가 형성되고, 상기 Qb_o노드 및 Qb_e 노드를 공유하는 우수단으로 구분되고,
제1 개시신호에 의해 턴-온되어 전원전압으로 상기 Q1노드를 충전하는 제1_1 박막트랜지스터(T1_1);
제2 개시신호에 의해 턴-온되어 전원전압으로 상기 Q2노드를 충전하는 제1_2 박막트랜지스터(T1_2);
후후단 스테이지로부터 게이트 구동신호를 인가받아 상기 Q1노드를 접지전압으로 방전시키는 제2 박막트랜지스터(T2);
상기 Qb_o노드가 충전됨에 따라 도통되어 상기 Q1 및 Q2 노드를 방전시키는 제3o 박막트랜지스터(T3o);
상기 Qb_e노드가 충전됨에 따라 도통되어 상기 Q1 및 Q2노드를 방전시키는 제3e 박막트랜지스터(T3e);
하이레벨의 우수 전원전압 또는 기수 전원전압에 대응하여 상기 Qb_o노드 또는 Qb_e노드를 각각 충전하는 제4_1 및 제4_2 박막트랜지스터(T4_1, T4_2);
상기 우수 전원전압 및 기수 전원전압에 따라, 상기 제4_1 및 제4_2 박막트랜지스터(T4_1, T4_2)를 턴-온시키는 제4A 박막트랜지스터(T4A);
상기 Q1노드가 충전되면 상기 Q2노드를 방전시키고, 상기 Q2노드가 충전되면 Q1노드(Q1)를 방전시키는제4Q 박막트랜지스터(T4Q);
상기 제1 개시신호가 인가됨에 따라, 상기 Qb_o노드 및 Qb_e노드를 접지전압으로 방전시키는 제5 박막트랜지스터(T5);
상기 Q1노드 또는 Q2노드가 충전됨에 따라, 상기 Qb_o노드 또는 Qb_e노드를 방전시키는 제5Q 박막트랜지스터(T5Q);
상기 Q1노드 또는 Q2노드가 충전됨에 따라, 상기 제4Q 박막트랜지스터(T4Q)를 턴-오프하는 제5QI 박막트랜지스터(T5QI);
상기 Q1노드가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 클록신호를 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)로서 출력하는 제6_1 박막트랜지스터(T6_1);
상기 Q2노드가 충전됨에 따라 턴-온되어 하이레벨의 클록신호를 제m 게이트 구동신호(Vgm)로서 출력하는 제6_2 박막트랜지스터(T6_2);
상기 Qb_o노드가 충전됨에 따라, 상기 제m-1 게이트 구동신호(Vgm-1)을 로우레벨로 출력되도록 하는 제7o 박막트랜지스터(T7o); 및
상기 Qb_e노드가 충전됨에 따라, 상기 제m 게이트 구동신호(Vgm)가 로우레벨로 출력되도록 하는 제7e 박막트랜지스터(T7e)
를 포함하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
The one stage,
Basic means on which a Q1 node, a Qb_o node and a Qb_e node are formed; And
A Q2 node is formed, and is divided into even ends that share the Qb_o node and the Qb_e node,
A first first thin film transistor T1_1 turned on by a first start signal to charge the Q1 node with a power supply voltage;
A first second thin film transistor T1_2 turned on by a second start signal to charge the Q2 node with a power supply voltage;
A second thin film transistor T2 receiving a gate driving signal from a rear stage stage and discharging the Q1 node to a ground voltage;
A third thin film transistor T3o that is turned on as the Qb_o node is charged to discharge the Q1 and Q2 nodes;
A third e thin film transistor (T3e) that conducts as the Qb_e node is charged to discharge the Q1 and Q2 nodes;
4th and 4_2 thin film transistors T4_1 and T4_2 that charge the Qb_o node or the Qb_e node, respectively, in response to a high power supply voltage or odd power supply voltage;
A fourth 4th thin film transistor T4A for turning on the fourth and fourth second thin film transistors T4_1 and T4_2 according to the even power supply voltage and the odd power supply voltage;
A fourth Q thin film transistor (T4Q) configured to discharge the Q2 node when the Q1 node is charged, and discharge the Q1 node (Q1) when the Q2 node is charged;
A fifth thin film transistor T5 configured to discharge the Qb_o node and the Qb_e node to a ground voltage when the first start signal is applied;
A fifth Q thin film transistor (T5Q) configured to discharge the Qb_o node or the Qb_e node as the Q1 or Q2 node is charged;
A fifth QI thin film transistor T5QI turning off the fourth Q thin film transistor T4Q as the Q1 node or the Q2 node is charged;
A sixth thin film transistor T6_1 turned on as the Q1 node is charged to output a high level clock signal as the m-1 gate driving signal Vgm-1;
A sixth second thin film transistor T6_2 that is turned on as the Q2 node is charged to output a high level clock signal as an mth gate driving signal Vgm;
A seventh thin film transistor T7o configured to output the m-1 th gate driving signal Vgm-1 to a low level as the Qb_o node is charged; And
As the Qb_e node is charged, the seventh e thin film transistor T7e outputs the m-th gate driving signal Vgm to a low level.
Gate driver comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 스테이지는, Q노드, Qb_O노드 및 Qb_E노드가 형성되고,
제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)에 의해 턴-온되어 전원전압으로 상기 Q노드를 충전하는 제1 박막트랜지스터(T1);
개시신호에 의해 턴-온되어 상기 Q노드를 접지전압으로 방전시키는 제2N 박막트랜지스터(T2N);
상기 Qb_O노드가 충전됨에 따라 도통되어 상기 Q노드를 방전시키는 제3_O 박막트랜지스터(T3_O);
상기 Qb_E노드가 충전됨에 따라 도통되어 상기 Q노드를 방전시키는 제3_E 박막트랜지스터(T3_E);
개시신호에 따라, 각각 우수 전원전압 및 기수 전원전압으로 상기 Qb_O노드 및 Qb_E노드를 충전하는 제4N_O 박막트랜지스터(T4N_O) 및 제4N_E 박막트랜지스터(T4N_E);
각각 우수 전원전압 및 기수 전원전압에 따라, 상기 Qb_O노드 및 Qb_E노드를 충전하는 제4_O 박막트랜지스터(T4_O) 및 제4_E 박막트랜지스터(T4_E);
각각 기수 전원전압 및 우수 전원전압에 따라, 상기 Qb_O노드 및 Qb_E노드를 접지전압으로 방전하는 제5Vdd_O 박막트랜지스터(T5Vdd_O) 및 제5Vdd_E 박막트랜지스터(T5Vdd_E);
각각 Q노드가 충전됨에 따라 상기 Qb_O노드 및 Qb_E노드(Qb_E)를 접지전압으로 방전하는 제5Q_O 박막트랜지스터(T5Q_O) 및 제5Q_E 박막트랜지스터(T5Q_E);
하이레벨의 제m-2 게이트 구동신호(Vgm-2)가 인가됨에 따라, 상기 Qb_O노드 및 Qb_E노드를 접지전압으로 방전하는 제5_O 박막트랜지스터(T5_O) 및 제5_E 박막트랜지스터(T5_E);
상기 Q노드가 충전됨에 따라 턴-온되어 클록신호를 제1 리셋신호로서 출력하는 제6 박막트랜지스터(T6);
상기 Qb_O노드가 충전됨에 따라, 상기 제1 리셋신호를 로우레벨로 출력되도록 하는 제7_O 박막트랜지스터(T7_O); 및
상기 Qb_E노드가 충전됨에 따라, 상기 제1 리셋신호를 로우레벨로 출력되도록 하는 제7_E 박막트랜지스터(T7_E)
를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동부.
The method of claim 1,
In the dummy stage, a Q node, a Qb_O node, and a Qb_E node are formed.
A first thin film transistor T1 that is turned on by an m-th gate driving signal Vgm-2 to charge the Q node with a power supply voltage;
A 2N thin film transistor (T2N) turned on by a start signal to discharge the Q node to a ground voltage;
A third _O thin film transistor (T3_O) which is turned on as the Qb_O node is charged to discharge the Q node;
A third_E thin film transistor (T3_E) which is turned on as the Qb_E node is charged to discharge the Q node;
A fourth N_O thin film transistor T4N_O and a fourth N_E thin film transistor T4N_E, which charge the Qb_O node and the Qb_E node with an excellent power supply voltage and an odd power supply voltage, respectively, according to a start signal;
A fourth_O thin film transistor T4_O and a fourth_E thin film transistor T4_E charging the Qb_O node and the Qb_E node, respectively, according to the excellent power supply voltage and the odd power supply voltage;
A fifth Vdd_O thin film transistor (T5Vdd_O) and a fifth Vdd_E thin film transistor (T5Vdd_E) for discharging the Qb_O and Qb_E nodes to a ground voltage, respectively, according to an odd power supply voltage and a good power supply voltage;
A fifth Q_O thin film transistor T5Q_O and a fifth Q_E thin film transistor T5Q_E which discharge the Qb_O node and the Qb_E node Qb_E to ground voltages as the Q node is charged;
A fifth_O thin film transistor T5_O and a fifth_E thin film transistor T5_E for discharging the Qb_O node and the Qb_E node to ground voltages as the high level m-2 gate driving signal Vgm-2 is applied;
A sixth thin film transistor T6 turned on as the Q node is charged to output a clock signal as a first reset signal;
A seventh_O thin film transistor (T7_O) configured to output the first reset signal to a low level as the Qb_O node is charged; And
As the Qb_E node is charged, the seventh_E thin film transistor T7_E outputs the first reset signal to a low level.
Gate driver comprising a.
복수의 게이트배선 및 데이터 배선이 매트릭스 형태로 교차형성되고, 교차지점에 화소가 정의되는 액정패널;
각각의 스테이지가 상기 복수의 게이트 게이트배선 중 두 개와 연결되어 게이트 구동신호를 상기 화소에 순차적으로 공급하는 n개의 스테이지로 이루어진 게이트 구동부(n은 2이상의 자연수);
상기 데이터 배선과 연결되어 상기 화소에 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함하고,
상기 게이트 구동부는,
하나의 리셋신호만 출력하는 싱글 출력 구조로 이루어진 복수의 더미 스테이지로 이루어진 더미부를 포함하며,
상기 복수의 더미 스테이지는
상기 n개의 스테이지 중 제n-1 스테이지에 하나의 제1 리셋신호를 공급하는 제1 더미 스테이지, 및
상기 n개의 스테이지 중 제n 스테이지에 하나의 제2 리셋신호를 공급하는 상기 제2 더미 스테이지를 포함하고,
상기 제1 더미 스테이지는 상기 제n 스테이지와 상기 제2 더미 스테이지 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
A liquid crystal panel in which a plurality of gate lines and data lines are cross-formed in a matrix form and pixels are defined at intersections thereof;
A gate driver comprising n stages in which each stage is connected to two of the plurality of gate gate wirings and sequentially supplies a gate driving signal to the pixel (n is a natural number of two or more);
A data driver connected to the data line to supply a data signal to the pixel; And
A timing controller for controlling the gate driver and the data driver;
The gate driver,
It includes a dummy portion consisting of a plurality of dummy stages having a single output structure for outputting only one reset signal,
The plurality of dummy stages
A first dummy stage configured to supply one first reset signal to an n-1th stage among the n stages, and
And a second dummy stage configured to supply one second reset signal to an nth stage of the n stages,
And the first dummy stage is positioned between the nth stage and the second dummy stage.
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