KR102019009B1

KR102019009B1 - Plasma source

Info

Publication number: KR102019009B1
Application number: KR1020190022691A
Authority: KR
Inventors: 권순영
Original assignee: 권순영
Priority date: 2019-02-26
Filing date: 2019-02-26
Publication date: 2019-09-05

Abstract

The present invention relates to a plasma source. According to the present invention, the plasma source includes: a substrate processing part forming a substrate processing space in a process chamber; a plasma generating part forming a plasma generation space connected to the substrate processing space; a neutralizer placed in the substrate processing space to neutralize ions; an RF power supply part connected to the neutralizer through an RF power supply line to apply RF power to the neutralizer; a feedthrough unit installed in the process chamber to enable the RF power supply line to go therethrough; and a DC power supply part placed outside the process chamber separately from the feedthrough unit, and connected to the neutralizer through a DC power supply line to apply DC power to the neutralizer. Therefore, the plasma source is capable of facilitating maintenance by enabling the DC power supply part to be easily replaced.

Description

Plasma Source {PLASMA SOURCE}

본 발명은 플라즈마 소스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 뉴트럴라이저용 RF전원라인과 피드스루의 연결부에서의 전기접속이 고온의 환경에서도 안정적으로 유지될 수 있도록 함으로써 뉴트럴라이저의 점화 성능을 향상시킬 수 있는 플라즈마 소스에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma source, and more particularly, it is possible to improve the ignition performance of the neutralizer by allowing the electrical connection at the connection portion of the neutralizer RF power line and the feedthrough to be stably maintained even in a high temperature environment. Relates to a plasma source.

이온은 플라즈마 챔버 내에서 기체를 전기방전(electrical discharge)시킴으로써 발생될 수 있다. 상기 이온을 전기장으로 가속시키면 이온 빔(ion beam)을 형성할 수 있다. 상기 이온 빔은 방향성(directionality)을 가질 수 있으며, 고 에너지 상태(high energy state)일 수 있다.Ions can be generated by electrical discharge of gases in the plasma chamber. Acceleration of the ions into an electric field can form an ion beam. The ion beam may have directionality and may be in a high energy state.

상기 이온 빔은 이온을 함유하는 플라즈마를 생성한 후, 그리드 전극들(grids)에 전압을 걸어 플라즈마 챔버의 플라즈마로부터 이온을 뽑아낸다. 이 경우, 뽑아낸 상기 이온을 집속(focusing) 여부에 따라, 집속 이온 빔(focused ion beam)과 이온 샤워(ion shower)의 형태로 구분할 수 있다.The ion beam generates a plasma containing ions and then applies voltage to grid electrodes to extract ions from the plasma of the plasma chamber. In this case, the extracted ions may be classified into a focused ion beam and an ion shower according to focusing.

가속된 이온은 에너지 범위에 따라 스퍼터링(sputtering), 임플란팅(implanting), 증착(deposition), 식각(reactive ion etching), 측정 장비 등에 이용될 수 있다.Accelerated ions can be used for sputtering, implanting, deposition, reactive ion etching, measuring equipment, and the like, depending on the energy range.

한편, 상기 이온은 가속 후 반드시 중성화되어야 하므로, 프로세스 챔버 내에 뉴트럴라이저(Neutralizer)를 구비하고 있으며, 상기 프로세스 챔버에는 상기 뉴트럴라이저에 전원을 공급하기 위한 RF전원라인과 DC전원라인이 관통할 수 있는 피드스루가 마련된다.On the other hand, since the ions must be neutralized after acceleration, a neutralizer is provided in the process chamber, and the process chamber may pass through an RF power line and a DC power line for supplying power to the neutralizer. Feedthroughs are provided.

특히, 상기 피드스루에서 상기 프로세스 챔버 내외의 RF전원라인을 연결하는 연결부는 핀과 핀홀 형태로 이루어지는 한 쌍의 접속단자를 통해 RF전원라인과 전기적으로 연결된다. In particular, the connecting portion connecting the RF power line in and out of the process chamber in the feedthrough is electrically connected to the RF power line through a pair of connection terminals having pin and pinhole shapes.

하지만, 이러한 종래의 결합구조에 따르면, 뉴트럴라이저의 점화 성능을 향상시키기 위해, RF전원라인에 100W 이상의 높은 RF전원을 인가하는 경우 RF전원라인의 발열, 특히 상기 연결부와 RF전원라인을 연결하는 접속단자의 발열로 인해 핀홀 단자의 내경이 확장하면서 핀 단자와의 접촉불량이 발생하게 되며, 이로 인해 RF파워의 반사파(RF Reflection)가 크게 증가하면서 뉴트럴라이저가 꺼져버리는 문제가 발생한다.However, according to the conventional coupling structure, in order to improve the ignition performance of the neutralizer, when a high RF power supply of 100W or more is applied to the RF power line, the heating of the RF power line, in particular, the connection connecting the RF power line with the connection part As the inner diameter of the pinhole terminal expands due to the heat generation of the terminal, contact failure with the pin terminal occurs. As a result, the neutralizer is turned off due to a large increase in the RF reflection of the RF power.

특허문헌 1. 미국 등록특허 제5,198,718호Patent Document 1. US Patent No. 5,198,718

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 뉴트럴라이저용 RF전원라인과 피드스루의 연결부에서의 전기접속이 고온의 환경에서도 안정적으로 유지될 수 있도록 함으로써 뉴트럴라이저의 점화 성능을 향상시킬 수 있는 플라즈마 소스를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, and the ignition performance of the neutralizer by allowing the electrical connection at the connection portion of the neutralizer RF power line and the feedthrough to be stably maintained even in a high temperature environment. To provide a plasma source that can improve the.

또한, DC전원부를 피드스루 유닛과 분리 구성함으로써, 뉴트럴라이저용 RF파워의 상승시 발생하는 RF전원라인과 DC전원의 전기적인 간섭을 최소화할 수 있는 플라즈마 소스를 제공함에 있다.In addition, by separately configuring the DC power supply unit with the feed-through unit, to provide a plasma source that can minimize the electrical interference of the RF power line and DC power generated when the RF power for the neutralizer rises.

또한, RF전원라인과 분리된 DC전원부를 통해 피드스루 유닛의 전기적인 부하를 방지하여 피드스루 유닛의 유지보수 빈도를 낮추는 동시에, DC전원부를 쉽게 교체할 수 있도록 함으로써 유지보수가 용이한 플라즈마 소스를 제공함에 있다.In addition, the DC power unit separated from the RF power line prevents the electrical load of the feedthrough unit, thereby reducing the frequency of maintenance of the feedthrough unit and making it easy to replace the DC power unit. In providing.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 프로세스 챔버 내에 기판 처리공간을 형성하는 기판처리부;와, 상기 기판 처리공간과 연통하는 플라즈마 생성공간을 형성하는 플라즈마 생성부;와, 상기 기판 처리공간에 배치되어 이온을 중화하는 뉴트럴라이저;와, 상기 뉴트럴라이저에 RF전원을 인가할 수 있도록 RF전원라인을 통해 상기 뉴트럴라이저와 연결되는 RF전원부;와, 상기 프로세스 챔버에 설치되어 상기 RF전원라인을 통과시키는 피드스루 유닛; 및 상기 프로세스 챔버의 외부에서 상기 피드스루 유닛과 별도로 배치되고, 상기 뉴트럴라이저에 DC전원을 인가할 수 있도록 DC전원라인을 통해 상기 뉴트럴라이저와 연결되는 DC전원부;를 포함하는 플라즈마 소스에 의해 달성된다.The object is, according to the present invention, a substrate processing unit for forming a substrate processing space in the process chamber; and a plasma generation unit for forming a plasma generating space in communication with the substrate processing space; and ions disposed in the substrate processing space Neutralizer to neutralize the; And, RF power supply unit connected to the neutralizer through the RF power line to apply the RF power to the neutralizer; Feed-through installed in the process chamber and passing through the RF power line unit; And a DC power supply unit disposed separately from the feedthrough unit outside the process chamber and connected to the neutralizer through a DC power line to apply DC power to the neutralizer. .

여기서, 상기 피드스루 유닛은, 상기 프로세스 챔버에 착탈 가능하게 고정되는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트를 관통하여 상기 프로세스 챔버 내,외의 RF전원라인을 전기적으로 연결하는 제1연결부를 포함하되, 상기 제1연결부와 RF전원라인은 각각의 단부에 마련되는 단자가 서로 중첩된 상태에서 상기 단자의 중첩부를 관통하는 체결부재에 의해 고정되는 것이 바람직하다.Here, the feed-through unit includes a base plate detachably fixed to the process chamber, and a first connection portion electrically connecting the RF power lines in and out of the process chamber through the base plate, wherein It is preferable that the one connecting portion and the RF power line are fixed by a fastening member penetrating the overlapping portion of the terminals in a state where terminals provided at each end overlap each other.

또한, 상기 피드스루 유닛은 상기 베이스플레이트를 관통하여 상기 프로세스 챔버 내,외의 DC전원라인을 전기적으로 연결하는 제2연결부를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the feed-through unit preferably includes a second connection portion for electrically connecting the DC power line in and out of the process chamber through the base plate.

또한, 상기 피드스루 유닛은, 상기 베이스플레이트를 관통하여 프로세스 챔버 내,외의 가스라인을 연결하는 제3연결부를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the feed-through unit, preferably through the base plate includes a third connecting portion for connecting the gas line in the outside of the process chamber.

본 발명에 따르면, 뉴트럴라이저용 RF전원라인과 피드스루의 연결부에서의 전기접속이 고온의 환경에서도 안정적으로 유지될 수 있도록 함으로써 뉴트럴라이저의 점화 성능을 향상시킬 수 있는 플라즈마 소스가 제공된다.According to the present invention, there is provided a plasma source capable of improving the ignition performance of the neutralizer by allowing the electrical connection at the connection portion of the neutralizer RF power line and the feedthrough to be stably maintained even in a high temperature environment.

또한, DC전원부를 피드스루 유닛과 분리 구성함으로써, 뉴트럴라이저용 RF파워의 상승시 발생하는 RF전원라인과 DC전원의 전기적인 간섭을 최소화할 수 있는 플라즈마 소스가 제공된다 In addition, by separately configuring the DC power supply unit with the feed-through unit, a plasma source can be provided to minimize the electrical interference between the RF power line and DC power generated when the RF power for the neutralizer rises.

또한, RF전원라인과 분리된 DC전원부를 통해 피드스루 유닛의 전기적인 부하를 방지하여 피드스루 유닛의 유지보수 빈도를 낮추는 동시에, DC전원부를 쉽게 교체할 수 있도록 함으로써 유지보수가 용이한 플라즈마 소스가 제공된다.In addition, the DC power unit separated from the RF power line prevents the electrical load of the feedthrough unit, thereby reducing the frequency of maintenance of the feedthrough unit and making it easy to replace the DC power unit. Is provided.

도 1은 본 발명 플라즈마 소스의 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 발생부의 평면도,
도 3은 도 2의 A-A'선 단면도,
도 4는 도 2의 B-B'선 단면도,
도 5는 도 3에 도시된 가스공급부의 발췌사시도,
도 6은 도 3에 도시된 그리드 전극의 분해사시도,
도 7은 도 3에 도시된 위치조절부의 발췌사시도이고,
도 8은 도 1에 도시된 뉴트럴라이저의 확대도이다.1 is a block diagram of a plasma source of the present invention,
2 is a plan view of the plasma generating unit shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG.
5 is an exploded perspective view of the gas supply unit shown in FIG.
6 is an exploded perspective view of the grid electrode shown in FIG.
Figure 7 is an excerpt perspective view of the position adjusting unit shown in Figure 3,
FIG. 8 is an enlarged view of the neutralizer shown in FIG. 1.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, in the various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in the first embodiment using the same reference numerals, and in other embodiments, different configurations from the first embodiment will be described. do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 소스에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a plasma source according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부도면 중, 도 1은 본 발명 플라즈마 소스의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 발생부의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A'선 단면도이고, 도 4는 도 2의 B-B'선 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 가스공급부의 발췌사시도이고, 도 6은 도 3에 도시된 그리드 전극의 분해사시도이고, 도 7은 도 3에 도시된 위치조절부의 발췌사시도이고, 도 8은 도 1에 도시된 뉴트럴라이저의 확대도이다.1 is a block diagram of a plasma source of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the plasma generating unit shown in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is of FIG. A cross-sectional view taken along line B-B ', FIG. 5 is an exploded perspective view of the gas supply unit shown in FIG. 3, FIG. 6 is an exploded perspective view of the grid electrode shown in FIG. 3, and FIG. 7 is an extract of the position adjusting unit shown in FIG. 3. 8 is a perspective view, and FIG. 8 is an enlarged view of the neutralizer shown in FIG. 1.

상기 도면에서 도시하는 바와 같은 본 발명 플라즈마 소스는 기판 처리공간(12)을 형성하는 기판처리부(10)와, 플라즈마를 생성하여 이를 상기 기판 처리공간(12)으로 주입하도록 상기 기판처리부(10)의 일측에 연결되는 플라즈마 생성부(100)를 포함한다.The plasma source of the present invention as shown in the drawing has a substrate processing unit 10 to form a substrate processing space 12, the plasma processing unit 10 of the substrate processing unit 10 to generate and inject the plasma into the substrate processing space 12 It includes a plasma generating unit 100 connected to one side.

상기 기판처리부(10)는 기판 처리공간(12)을 둘러싸는 프로세스 챔버(11)와, 상기 프로세스 챔버(11)의 내부에 배치되어 기판을 고정하는 기판홀더(13)와, 상기 프로세스 챔버(11) 내부를 공정진행에 적합한 소정의 진공상태로 유지시키는 동시에 공정의 진행과정에서 발생하는 반응 부산물 등을 외부로 배기하는 진공펌프(14)를 포함한다.The substrate processing unit 10 includes a process chamber 11 surrounding a substrate processing space 12, a substrate holder 13 disposed inside the process chamber 11 to fix a substrate, and the process chamber 11. The vacuum pump 14 maintains the inside in a predetermined vacuum state suitable for process progress and exhausts reaction by-products generated during the process progress to the outside.

상기 플라즈마 생성부(100)는 상기 프로세스 챔버(11)의 일측에 연결되어 프로세스 챔버(11)의 외벽 일부를 구성하는 컨테이너(110)와, 상기 컨테이너(110) 상에 지지되는 베이스(120)와, 상기 베이스(120)에 지지되며 상기 기판 처리공간(12)과 마주하는 면이 개구된 상태로 플라즈마 생성공간(131)을 둘러싸는 석영재질의 플라즈마 챔버(130)와, 상기 플라즈마 챔버(130) 내부의 플라즈마 생성공간(131)으로 반응가스를 공급하는 가스공급부(140)와, 상기 플라즈마 챔버(130) 내부에서 플라즈마를 생성하기 위해 플라즈마 챔버(130)의 외측면에 배치되는 RF 안테나(150)와, 상기 컨테이너(110)의 외부에 배치되고 상기 RF 안테나(150)에 RF 전원을 인가하는 RF 전원공급부(151)와, 판면에 다수의 관통홀(H)이 형성되어 상기 플라즈마 챔버(130)의 개구를 마감하는 그리드 전극(160)과, 상기 컨테이너(110)와 베이스(120)를 연결하고 상기 플라즈마 챔버(130)의 설치 각도를 조절하는 위치조절부(180)를 포함한다.The plasma generating unit 100 is connected to one side of the process chamber 11 to form a container 110 constituting a part of the outer wall of the process chamber 11, the base 120 supported on the container 110 and And a plasma chamber 130 of quartz material surrounding the plasma generation space 131 with the surface supported by the base 120 and facing the substrate processing space 12 opened, and the plasma chamber 130. Gas supply unit 140 for supplying the reaction gas to the plasma generating space 131 therein, and the RF antenna 150 disposed on the outer surface of the plasma chamber 130 to generate a plasma in the plasma chamber 130 And an RF power supply unit 151 disposed outside the container 110 to apply RF power to the RF antenna 150 and a plurality of through holes H formed on a plate surface of the plasma chamber 130. A grid electrode 160 closing the opening of the Connecting the container group 110 and the base 120 and includes a position adjustment unit 180 for adjusting the installation angle of the plasma chamber 130.

아울러, 상기 RF 전원공급부(151)와 RF 안테나(150) 사이에는 정합부(미도시)가 설치될 수 있다. In addition, a matching unit (not shown) may be installed between the RF power supply unit 151 and the RF antenna 150.

상기 가스공급부(140)는 반응가스를 플라즈마 챔버(130) 내부의 플라즈마 생성공간(131)으로 공급하기 위해 선단부가 플라즈마 챔버(130) 내에 배치되는 가스노즐(141)과, 상기 플라즈마 챔버(130) 챔버와 베이스(120)를 관통하여 상기 가스노즐(141)에 연결되는 가스라인(144)과, 상기 가스라인(144)이 컨테이너(110)를 관통하는 부위에 배치되는 제1피드스루(142)와, 상기 가스라인(144)이 베이스(120)를 관통하는 부위에 배치되는 제2피드스루(143)를 포함한다. 한편, 상기 가스공급부(140)의 절연성 및 내열성을 확보하기 위해, 상기 가스노즐(141)과 제1피드스루(142) 및 제2피드스루(143)는 세라믹 재질의 파이프 형태로 이루어지고, 상기 가스라인(144)은 테프론(Teflon)을 포함하는 절연 재질의 튜브 형태로 이루어지는 것이 바람직하다.The gas supply unit 140 includes a gas nozzle 141 having a distal end disposed in the plasma chamber 130 to supply a reaction gas to the plasma generation space 131 inside the plasma chamber 130, and the plasma chamber 130. A gas line 144 that penetrates the chamber and the base 120 and is connected to the gas nozzle 141, and a first feedthrough 142 disposed at a portion where the gas line 144 penetrates the container 110. And a second feedthrough 143 disposed at a portion of the gas line 144 passing through the base 120. On the other hand, in order to ensure the insulation and heat resistance of the gas supply unit 140, the gas nozzle 141, the first feed through 142 and the second feed through 143 is made of a pipe shape of a ceramic material, The gas line 144 may be formed in the form of a tube made of an insulating material including Teflon.

한편, 본 실시예에서는 상기 가스공급부(140)의 절연성 및 내열성을 확보하기 위해 세라믹과 테프론 재질을 이용하는 것으로 예를 들어 설명하였으나 이에 제한하는 것은 아니며, 이외에도 절연성 및 내열성을 확보할 수 있는 다양한 재료를 통해 가스공급부(140)를 구성하는 것도 가능할 것이다.Meanwhile, in the present embodiment, for example, the ceramic and Teflon materials are used to secure the insulation and heat resistance of the gas supply unit 140. However, the present invention is not limited thereto. In addition, various materials for securing insulation and heat resistance may be used. It will also be possible to configure the gas supply unit 140 through.

종래의 가스노즐(141)은 통상 스테인레스 재질로 이루어지는데, 이러한 스테인레스 재질의 가스노즐(141)은 플라즈마 생성부(100)에서 빔 전압(beam voltage)과 RF 파워를 높여 높은 빔 전류(beam current)를 달성할 때, 플라즈마 밀도(plasma density)가 높아짐에 따라 가스노즐(141)의 끝단부가 가열되어 붉게 발열하면서 열전자 등을 발생시킨다. 플라즈마 생성공간(131)에서 발생한 열전자는 플라즈마를 불안정하게 하고 아크 방전을 유발하여 플라즈마가 꺼지는 원인이 된다.The conventional gas nozzle 141 is usually made of a stainless material, the stainless gas nozzle 141 is a high beam current (beam current) by increasing the beam voltage and RF power in the plasma generating unit 100 When achieving the plasma density, as the plasma density increases, the end of the gas nozzle 141 is heated to generate red electrons while generating red heat. The hot electrons generated in the plasma generation space 131 may cause the plasma to become unstable and cause arc discharge, thereby causing the plasma to be turned off.

한편, 상기와 같이 가스노즐(141)을 내열성이 우수한 세라믹 재질로 구성하는 경우에는, 가스노즐(141)이 고밀도의 플라즈마 환경에서도 열전자를 방출하지 않으므로, 아크 방전을 방지할 수 있으며, 이로 인해 플라즈마의 안정적인 유지가 가능하게 된다.On the other hand, when the gas nozzle 141 is formed of a ceramic material having excellent heat resistance as described above, since the gas nozzle 141 does not emit hot electrons even in a high-density plasma environment, arc discharge can be prevented, thereby causing plasma It is possible to maintain stable.

또한, 빔 전압을 DC 1,000V 이상으로 인가하는 경우에는 석영 플라즈마 챔버(130) 내의 플라즈마의 전위레벨과 컨테이너(110)의 접지 전위레벨이 큰 차이를 가지게 된다. 이때 가스노즐(141)을 포함한 가스라인(144)을 접지전위로부터 적절히 절연하지 않을 경우에는, 빔 전압의 절연파괴(break down)로 이어지게 된다.In addition, when the beam voltage is applied to DC 1,000V or more, the potential level of the plasma in the quartz plasma chamber 130 and the ground potential level of the container 110 have a large difference. In this case, when the gas line 144 including the gas nozzle 141 is not properly insulated from the ground potential, breakdown of the beam voltage may occur.

하지만, 본 실시예에서는 가스노즐(141)이 세라믹 재질로 이루어지므로 빔 전압에 대하여 절연이 이루어지고, 가스라인(144)이 세라믹 재질의 제1피드스루(142)와 제2피드스루(143)를 통해 베이스(120) 및 컨테이너(110)를 통과함에 따라 베이스(120) 및 컨테이너(110)의 접지전위에 대하여 절연이 이루어지고, 가스라인(144)이 테프론 재질로 이루어지므로 추가적인 절연이 이루어지도록 할 수 있다. 이와 같이 가스공급부(140)의 구성요소를 각각 절연재질로 구성함에 따라 다중 절연이 이루어지도록 함으로써 빔 전압의 절연파괴를 방지할 수 있다.However, in the present embodiment, since the gas nozzle 141 is made of a ceramic material, insulation is made with respect to the beam voltage, and the gas line 144 has a first feedthrough 142 and a second feedthrough 143 of ceramic material. Insulation is made with respect to the ground potential of the base 120 and the container 110 through the base 120 and the container 110 through, and the gas line 144 is made of Teflon material so that additional insulation is achieved. can do. As described above, since the components of the gas supply unit 140 are each made of an insulating material, multiple insulation may be performed to prevent breakdown of the beam voltage.

한편, 상기 가스노즐(141)은 복수 마련되고 상기 플라즈마 챔버(130)의 중심축과 동심을 이루는 원주 상에 일정한 간격으로 배치될 수 있으며, 복수의 가스노즐(141)에는 각각 가스라인(144)이 연결될 수 있다. 이와 같이 복수의 가스노즐(141)을 구비하는 경우, 대면적의 기판에 이온빔이 균등하게 제공되도록 할 수 있다.Meanwhile, a plurality of gas nozzles 141 may be provided and disposed at regular intervals on a circumference which is concentric with the central axis of the plasma chamber 130, and each of the gas lines 144 may have gas lines 144. This can be connected. When the plurality of gas nozzles 141 are provided in this manner, the ion beams may be uniformly provided on the large-area substrate.

상기 그리드 전극(160)은 이온 통과를 위한 다수의 관통홀(H)이 종횡으로 배치된 복수의 전극을 포함한다. 그리드 전극(160)은 플라즈마 생성공간(131)으로부터 기판 처리공간(12)을 향해 차례로 배치되는 제1전극(161), 제2전극(162) 및 제3전극(163)을 포함하며, 제1전극(161)과 제2전극(162) 및 제3전극(163)은 각각 전기적으로 절연된다. The grid electrode 160 includes a plurality of electrodes in which a plurality of through holes H for passing ions are vertically and horizontally disposed. The grid electrode 160 includes a first electrode 161, a second electrode 162, and a third electrode 163 which are sequentially disposed from the plasma generation space 131 toward the substrate processing space 12. The electrode 161, the second electrode 162, and the third electrode 163 are electrically insulated from each other.

구체적으로, 상기 제1전극(161)은 플라즈마 생성공간(131)과 접하도록 배치되고, 상기 제3전극(163)은 기판 처리공간(12)과 접하도록 배치되며, 상기 제2전극(162)은 제1전극(161)과 제3전극(163) 사이에 배치된다. 상기 제1전극(161) 및 제2전극(162)에는 전압원이 각각 접속되어 있으며, 제1전극(161)에는 양의 전압이, 제2전극(162)에는 음의 전압이 인가된다. 이에 따라, 제1전극(161)과 제2전극(162) 사이에는 이온을 가속하기 위한 전위차가 발생한다. 제3전극(163)은 전기적으로 접지되어 있다. 제2전극(162)과 제3전극(163)의 전위차를 제어함으로써 정전 렌즈(electrostatic lens) 효과를 이용해 이온빔의 직경을 소정의 수치 범위 내로 제어할 수 있다. In detail, the first electrode 161 is disposed to contact the plasma generation space 131, the third electrode 163 is disposed to contact the substrate processing space 12, and the second electrode 162 is disposed. Is disposed between the first electrode 161 and the third electrode 163. Voltage sources are connected to the first electrode 161 and the second electrode 162, respectively, a positive voltage is applied to the first electrode 161, and a negative voltage is applied to the second electrode 162. Accordingly, a potential difference for accelerating ions occurs between the first electrode 161 and the second electrode 162. The third electrode 163 is electrically grounded. By controlling the potential difference between the second electrode 162 and the third electrode 163, the diameter of the ion beam can be controlled within a predetermined numerical range by using an electrostatic lens effect.

한편, 상기 그리드 전극(160)은 고밀도의 플라즈마로 인해 고온으로 가열됨에 따라 고온에서 구조적이고 전기적인 안정성이 요구되므로 통상 몰리브덴(Molybdenum) 재질로 구성된다. 그러나 내열성이 우수한 몰리브덴도 안정적인 사용의 한계가 있으며, 이는 플라즈마 생성부(100)의 운용 한계를 규정하는 원인이 된다. On the other hand, the grid electrode 160 is usually made of molybdenum (Molybdenum) material because the structural and electrical stability is required at high temperature as it is heated to a high temperature due to the high-density plasma. However, molybdenum having excellent heat resistance also has a limit of stable use, which causes the operation limit of the plasma generating unit 100.

이러한 문제를 개선하기 위해, 본 실시예에서는 냉각기능을 갖는 그리드 리테이너(170)를 이용해 상기 그리드 전극(160)을 지지함으로써, 그리드 전극(160)의 가열에 의한 문제를 해결할 수 있다. 구체적으로, 상기 그리드 리테이너(170)는 링형으로 이루어져 상기 그리드 전극(160)의 하부 테두리를 지지하며, 열전도율이 우수한 재질로 이루어지고, 내부에는 냉각유체가 통과하는 이동통로가 마련되고, 일측에는 상기 이동통로로 냉각유체를 공급 및 회수하기 위한 포트가 마련될 수 있다. 즉, 상기 포트를 통해 이동통로로 냉각유체를 순환시키면, 그리드 리테이너(170)에 지지되는 그리드 전극(160)을 효과적으로 냉각시킬 수 있다. In order to improve such a problem, in the present embodiment, by supporting the grid electrode 160 using the grid retainer 170 having a cooling function, the problem caused by the heating of the grid electrode 160 can be solved. Specifically, the grid retainer 170 is formed in a ring shape to support the lower edge of the grid electrode 160, made of a material having excellent thermal conductivity, and provided with a moving passage through which a cooling fluid passes. Ports may be provided for supplying and withdrawing the cooling fluid into the moving passages. That is, when the cooling fluid is circulated through the port through the moving passage, the grid electrode 160 supported by the grid retainer 170 can be effectively cooled.

상기 위치조절부(180)는 상기 베이스(120)의 양측에 각각 수직방향으로 배치되어 상기 컨테이너(110)에 대하여 상기 베이스(120)를 제1축(a1)을 중심으로 회동 가능한 상태로 지지하는 한 쌍의 제1지지부와, 상기 한 쌍의 지지부 사이에서 상기 베이스(120)의 수직방향 위치를 조절하여 상기 베이스(120)의 경사각을 조절하는 제2지지부(182)를 포함한다.The position adjusting unit 180 is disposed on both sides of the base 120 in a vertical direction to support the base 120 in a rotatable state about the first axis a1 with respect to the container 110. And a second support part 182 that adjusts an inclination angle of the base 120 by adjusting a vertical position of the base 120 between the pair of first support parts and the pair of support parts.

구체적으로, 상기 제1지지부는 상기 베이스(120) 측에 제1축을 중심으로 회동 가능하게 연결되는 제1고정블록(181a)과, 상기 제1고정블록(181a)에 나사결합되고 상기 컨테이너(110)에 축회전가능하게 지지되어 상기 컨테이너(110)에 대하여 제1고정블록(181a)의 수직방향 위치를 조절하는 제1조절나사(181b)를 포함한다. In detail, the first support part is screwed to the first fixing block 181a and the first fixing block 181a rotatably connected about the first axis on the base 120 side, and the container 110. And a first adjustment screw 181b that is axially rotatable and adjusts a vertical position of the first fixing block 181a with respect to the container 110.

또한, 상기 제2지지부(182)는 상기 베이스(120)에 고정되는 제2고정블록(182a)과, 상기 제2고정블록(182a)에 나사결합되고 상기 컨테이너(110)에 축회전가능하게 지지되어 상기 컨테이너(110)에 대하여 제2고정블록(182a)의 수직방향 위치를 조절하는 제2조절나사(182b)를 포함한다.In addition, the second support part 182 is screwed to the second fixing block 182a fixed to the base 120 and the second fixing block 182a and is rotatably supported by the container 110. And a second adjusting screw 182b for adjusting the vertical position of the second fixing block 182a with respect to the container 110.

한편, 상기 제1고정블록(181a)은 수직가이드(181c)에 의해 컨테이너(110)에 대한 수직방향 상대 이동이 안내되고, 상기 제2고정블록(182a)은 수평가이드(182c)에 의해 상기 베이스(120)에 대한 수평방향 상대 이동이 안내될 수 있다. On the other hand, the first fixed block (181a) is guided relative to the vertical direction relative to the container 110 by a vertical guide (181c), the second fixed block (182a) is the base by the horizontal guide 182c Horizontal relative movement relative to 120 may be guided.

이에 따라, 상기 제2조절나사(182b)를 회전시켜 상기 베이스(120)의 경사각을 조절할 수 있다. 특히, 상기 베이스(120)는 제1축을 중심으로 회동하므로, 상기 베이스(120)가 제1축을 중심으로 회동하는 과정에서 상기 제1축과 상기 제1고정블록(181a)과 제1조절나사(181b)가 체결된 부위의 사이 간격이 변경된다. 이때, 상기 제1고정블록(181a)은 수평가이드(182c)에 의해 상기 베이스(120)에 대한 수평방향 상대 이동 가능하므로, 베이스(120)가 제1축을 중심으로 원활하게 회동할 수 있게 된다.Accordingly, the inclination angle of the base 120 can be adjusted by rotating the second adjustment screw 182b. In particular, since the base 120 rotates about the first axis, the base 120 rotates about the first axis, and the first axis, the first fixing block 181a, and the first adjustment screw ( The spacing between the portions where 181b) is fastened is changed. At this time, the first fixing block 181a is horizontally movable relative to the base 120 by the horizontal guide 182c, so that the base 120 can be smoothly rotated about the first axis.

한편, 상기 한 쌍의 지지부 중 어느 하나의 조절부의 조절나사를 회전시키거나, 한 쌍의 지지부의 조절나사를 서로 반대방향으로 회전시키는 경우에는 상기 제1축과 교차하는 제2축을 중심으로 플라즈마 챔버(130)의 경사각을 조절하는 것도 가능할 것이다.On the other hand, in the case of rotating the adjusting screw of any one of the pair of the support portion, or rotating the adjusting screw of the pair of support in the opposite direction to each other the plasma chamber around the second axis intersecting the first axis It will also be possible to adjust the tilt angle of 130.

아울러, 상기 제1조절나사(181b)와 제2조절나사(182b)를 서로 동일하게 회전시키면 상기 플라즈마 챔버(130)를 지지하고 있는 베이스(120)의 위치를 상하로 조절할 수 있다.In addition, when the first adjusting screw 181b and the second adjusting screw 182b are rotated in the same manner, the position of the base 120 supporting the plasma chamber 130 may be adjusted up and down.

한편, 상기 기판 처리공간(12) 내에는 기판 전체가 플러스의 전하를 띄게 되는 차지 업(charge up)현상을 방지할 수 있도록 기판 처리공간(12) 내에 도입된 이온빔을 전기적으로 중화하는 뉴트럴라이저(200)와, 기판 처리공간(12) 내에서 기판의 코팅을 위한 증착재료를 제공하는 증발기(30)가 배치될 수 있다. On the other hand, in the substrate processing space 12, a neutralizer for electrically neutralizing the ion beam introduced into the substrate processing space 12 so as to prevent the charge up phenomenon that the entire substrate has a positive charge ( 200 and an evaporator 30 may be disposed in the substrate processing space 12 to provide deposition material for coating the substrate.

상기 뉴트럴라이저(200)는 방전 챔버, 중공 캐소드(hollow cathode), RF코일, 키퍼(keeper), 콜렉터(collector) 등을 포함할 수 있으며, 이러한 뉴트럴라이저(200)의 구조는 공지기술이므로 공지 구성에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The neutralizer 200 may include a discharge chamber, a hollow cathode, an RF coil, a keeper, a collector, and the like. Since the structure of the neutralizer 200 is a known technology, a known configuration is known. Detailed description thereof will be omitted.

또한, 상기 뉴트럴라이저(200)의 구동을 위해, 상기 프로세스 챔버(11) 외부에 배치되고 RF전원라인(L1)을 통해 상기 뉴트럴라이저(200)의 RF코일과 전기적으로 연결되어 RF전원을 제공하는 RF전원부(210)와, 상기 프로세스 챔버(11) 외부에 배치되고 DC전원라인(L2)을 통해 상기 뉴트럴라이저(200)의 키퍼 및 콜렉터와 전기적으로 연결되어 DC전원을 제공하는 DC전원부(220) 및 상기 RF전원라인(L1)과 DC전원라인(L2)이 프로세스 챔버(11)를 관통할 수 있도록 상기 컨테이너(110)에 착탈 가능하게 설치되는 피드스루 유닛(feed-through, 230)을 포함한다.In addition, in order to drive the neutralizer 200, disposed outside the process chamber 11 and electrically connected to the RF coil of the neutralizer 200 through the RF power line (L1) to provide RF power. The DC power supply unit 220 which is disposed outside the process chamber 11 and the RF power supply unit 210 and is electrically connected to the keeper and the collector of the neutralizer 200 through the DC power supply line L2 to provide DC power. And a feed-through unit 230 that is detachably installed in the container 110 so that the RF power line L1 and the DC power line L2 can pass through the process chamber 11. .

상기 피드스루 유닛(230)은 상기 컨테이너(110)의 외벽에 착탈 가능하게 조립되는 베이스플레이트(231)와, 상기 베이스플레이트(231)를 관통하여 컨테이너(110) 내부의 RF전원라인(L1)과 컨테이너(110) 외부의 RF전원라인(L1)을 전기적으로 연결하는 제1연결부(232)와, 상기 베이스플레이트(231)를 관통하여 컨테이너(110) 내부의 DC전원라인(L2)과 컨테이너(110) 외부의 DC전원라인(L2)을 전기적으로 연결하는 제2연결부(233) 및 상기 베이스플레이트(231)를 관통하여 컨테이너(110) 내부의 가스라인(L3)과 컨테이너(110) 외부의 가스라인(L3)을 연결하는 제3연결부(234)를 포함한다.The feed-through unit 230 is a base plate 231 detachably assembled to the outer wall of the container 110, and the RF power line (L1) inside the container 110 through the base plate 231 and The first connection part 232 electrically connecting the RF power line L1 outside the container 110 and the DC power line L2 inside the container 110 and the container 110 through the base plate 231. The gas line L3 inside the container 110 and the gas line outside the container 110 through the second connection part 233 electrically connecting the external DC power line L2 and the base plate 231. And a third connector 234 connecting the L3.

종래에는 상기 제1연결부(232)와 RF전원라인(L1)의 단부에 각각 마련되는 접속단자가 핀과 핀홀의 형태로 이루어지고, 상기 핀을 핀홀에 단순히 밀어넣는 방식으로 구조적 전기적으로 연결되도록 하였다. 하지만, 이러한 종래의 결합구조에 따르면, RF전원라인(L1)에 100W 이상의 높은 RF전원이 인가되는 경우 RF전원라인(L1)의 발열, 특히 상기 제1연결부(232)와 RF전원라인(L1)을 연결하는 접속단자의 발열로 인해 접속단자가 팽창하면서 전기적인 접촉불량이 발생하게 되며, 이로 인해 RF파워의 반사파(RF Reflection)가 크게 증가하여 뉴트럴라이저(200)가 꺼지게 되는 문제가 발생한다.Conventionally, connection terminals provided at ends of the first connection portion 232 and the RF power line L1 are formed in the form of pins and pinholes, and are structurally and electrically connected by simply pushing the pins into the pinholes. . However, according to the conventional coupling structure, when a high RF power of 100W or more is applied to the RF power line L1, heat generation of the RF power line L1, in particular, the first connection part 232 and the RF power line L1 is performed. Due to the heat generation of the connection terminal connecting the expansion of the connection terminal is caused an electrical contact failure, this causes a problem that the neutralizer 200 is turned off due to a significant increase in the reflection of the RF power (RF Reflection).

이에 따라, 본 실시예에서는 상기 제1연결부(232)와 RF전원라인(L1)이 각각 접속단자를 통해 전기적으로 연결되도록 하되, 상기 접속단자의 접속부위를 스크류와 같은 체결부재(232c)를 통해 구조적으로 견고하게 고정되도록 함으로써 전기적인 연결이 임의로 해제되는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, in this embodiment, the first connecting portion 232 and the RF power line (L1) are to be electrically connected to each other through the connection terminal, the connection portion of the connection terminal through the fastening member 232c such as a screw By making the structure firmly fixed, it is possible to prevent the electrical connection from being released arbitrarily.

구체적으로, 상기 제1연결부(232)의 단부에 마련되는 제1단자(232a)와 상기 RF전원라인(L1)의 단부에 마련되는 제2단자(232b)가 서로 중첩된 상태에서, 상기 제2단자(232b)를 관통하는 체결부재(232c)가 제1단자(232a)에 나사결합됨에 따라 제1단자(232a)와 제2단자(232b)가 견고하게 고정되는 동시에 전기적으로 연결된 상태가 유지되도록 할 수 있다. In detail, the second terminal 232a provided at the end of the first connector 232 and the second terminal 232b provided at the end of the RF power line L1 overlap each other. As the fastening member 232c penetrating the terminal 232b is screwed to the first terminal 232a, the first terminal 232a and the second terminal 232b are firmly fixed and maintained in an electrically connected state. can do.

상기 뉴트럴라이저(200)는 방전 챔버 내에 공급되는 반응가스의 공급압력과 RF파워가 일정 수준까지 높아질수록 쉽게 점화(Ignition)될 수 있다. 따라서, 점화 성능을 향상시키기 위해서는 상대적으로 높은 압력의 반응가스를 방전 챔버로 도입하고, 높은 RF파워를 RF코일에 공급하는 것이 바람직하나, 단순히 RF파워를 높이는 경우에는 피드스루 유닛(230)의 전기적인 부하가 상승하게 되어 잦은 유지보수의 원인이 된다.The neutralizer 200 may be easily ignited as the supply pressure and the RF power of the reaction gas supplied into the discharge chamber increase to a certain level. Therefore, in order to improve the ignition performance, it is preferable to introduce a relatively high pressure reaction gas into the discharge chamber and supply high RF power to the RF coil, but in the case of simply increasing the RF power, the electricity of the feedthrough unit 230 is increased. As the load increases, it causes frequent maintenance.

이에 따라, 상기 피드스루 유닛(230)은 내부에 상기 제1연결부(232), 제2연결부(233) 및 제3연결부(234)를 수용하는 내부공간이 마련되고 일측에 개폐 가능한 커버가 마련된 커버박스(235)를 더 포함할 수 있다.Accordingly, the feed-through unit 230 is provided with an inner space for accommodating the first connecting portion 232, the second connecting portion 233, and the third connecting portion 234, and a cover having an openable cover on one side. It may further include a box 235.

또한, DC전원부(220)를 피드스루 유닛(230)과 분리 구성함으로써, 뉴트럴라이저(200)용 RF파워의 상승시 발생하는 RF전원라인(L1)과 DC전원라인(L2)의 전기적인 간섭을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by separating the DC power supply unit 220 from the feed-through unit 230, electrical interference between the RF power line (L1) and DC power line (L2) generated when the RF power for the neutralizer 200 rises. It provides an effect that can be minimized.

또한, RF전원라인(1)과 분리된 DC전원부(220)를 통해 피드스루 유닛(230)의 전기적인 부하를 방지하여 피드스루 유닛(230)의 유지보수 빈도를 낮추는 동시에, DC전원부(220) 내부의 부품을 쉽게 교체할 수 있도록 함으로써 유지보수가 용이한 효과를 제공한다.In addition, by preventing the electrical load of the feedthrough unit 230 through the DC power supply unit 220 separated from the RF power line 1, the maintenance frequency of the feedthrough unit 230 is lowered, and at the same time, the DC power supply unit 220. The internal parts can be easily replaced for easy maintenance.

상기와 같이 구성된 본 발명 플라즈마 소스에 따른 이온빔의 조사 동작을 살펴보면, 먼저 가스공급부(140)에 의해 플라즈마 챔버(130) 내부의 플라즈마 생성공간(131)으로 반응가스를 공급하고 RF 안테나(150)에 RF전원을 공급하면, 플라즈마 챔버(130) 내부에 고주파가 인가됨에 따라 플라즈마 생성공간(131) 내의 반응가스를 이온화시키게 되어 이온을 함유하는 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 플라즈마에 함유된 이온은 그리드 전극(160)의 관통홀(H)을 통과하는 과정에서 제1전극(161)과 제2전극(162) 사이에 부여된 전위차에 의해 가속되어 프로세스 챔버(11)의 기판 처리공간(12)으로 이온빔으로서 제공되며, 뉴트럴라이저(200)에 의해 중화되고 기판에 조사된다. Looking at the irradiation operation of the ion beam according to the plasma source of the present invention configured as described above, first supply the reaction gas to the plasma generating space 131 inside the plasma chamber 130 by the gas supply unit 140 and to the RF antenna 150 When the RF power is supplied, the high frequency is applied inside the plasma chamber 130 to ionize the reaction gas in the plasma generation space 131 to generate a plasma containing ions. The ions contained in the plasma are accelerated by the potential difference applied between the first electrode 161 and the second electrode 162 in the process of passing through the through-hole H of the grid electrode 160, It is provided as an ion beam to the substrate processing space 12 and is neutralized by the neutralizer 200 and irradiated to the substrate.

이때, 증발기(30)의 도가니 내에 수용된 증착 재료는 전자총에 의해 증발 온도까지 승온하여 프로세스 챔버(11)의 기판 처리공간(12) 내에 비산되고, 이온빔에 의해 어시스트되어 기판의 표면에 퇴적됨에 따라 치밀한 박막을 형성하게 된다.At this time, the deposition material contained in the crucible of the evaporator 30 is heated up to the evaporation temperature by the electron gun, scattered in the substrate processing space 12 of the process chamber 11, assisted by the ion beam and deposited on the surface of the substrate. A thin film will be formed.

상기와 같은 본 실시예에 따르면, 높은 빔 전압과 RF 파워를 인가하여 높은 빔 전류를 형성하는 과정에서 아크 방전 및 절연파괴 현상을 방지할 수 있으므로, 공정 시간을 감소시키고 표면 처리 품질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 플라즈마를 안정적으로 유지할 수 있는 이점을 제공한다. According to the present embodiment as described above, it is possible to prevent the arc discharge and breakdown phenomenon in the process of forming a high beam current by applying a high beam voltage and RF power, it is possible to reduce the process time and improve the surface treatment quality In addition to providing a stable plasma.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

100:플라즈마 생성부, 110:컨테이너, 120:베이스,
130:플라즈마 챔버, 131:플라즈마 생성공간, 140:가스공급부,
141:가스노즐, 142:제1피드스루, 143:제2피드스루,
144:가스라인, 150:RF 안테나, 151:RF 전원공급부,
160:그리드 전극, 161:제1전극, 162:제2전극,
163:제3전극, H:관통홀, 170:그리드 리테이너,
180:위치조절부, 181:제1지지대, 181a:제1고정블록,
181b:제1조절나사, 181c:수직가이드, 182:제2지지부,
182a:제2고정블록, 182b:제2조절나사, 182c:수평가이드,
200:뉴트럴라이저, 210:RF전원부, 220:DC전원부,
230:피드스루 유닛, 231:베이스플레이트, 232:제1연결부,
232a:제1단자, 232b:제2단자, 232c:체결부재,
233:제2연결부, 234:제3연결부, 235:커버박스,
L1:RF전원라인, L2:DC전원라인, L3:가스라인,
10:기판처리부, 11:프로세스 챔버, 12:기판 처리공간,
13:기판홀더, 14:진공펌프, 30:증발기, 100: plasma generating unit, 110: container, 120: base,
130: plasma chamber, 131: plasma generating space, 140: gas supply unit,
141: gas nozzle, 142: first feed-through, 143: second feed-through,
144: gas line, 150: RF antenna, 151: RF power supply,
160: grid electrode, 161: first electrode, 162: second electrode,
163: third electrode, H: through hole, 170: grid retainer,
180: position adjustment unit, 181: first support, 181a: first fixing block,
181b: first adjustment screw, 181c: vertical guide, 182: second support,
182a: second fixing block, 182b: second adjusting screw, 182c: water evaluation guide,
200: neutralizer, 210: RF power supply unit, 220: DC power supply unit,
230: feed-through unit, 231: base plate, 232: first connection,
232a: first terminal, 232b: second terminal, 232c: fastening member,
233: second connection, 234: third connection, 235: cover box,
L1: RF power line, L2: DC power line, L3: gas line,
10: substrate processing unit, 11: process chamber, 12: substrate processing space,
13: substrate holder, 14: vacuum pump, 30: evaporator,

Claims

delete

A substrate processing unit forming a substrate processing space in the process chamber;
A plasma generation unit forming a plasma generation space in communication with the substrate processing space;
A neutralizer disposed in the substrate processing space to neutralize ions;
An RF power supply unit connected to the neutralizer through an RF power line to apply RF power to the neutralizer;
A feed-through unit installed in the process chamber and passing through the RF power line; And
A DC power supply unit disposed separately from the feedthrough unit outside the process chamber and connected to the neutralizer through a DC power line to apply DC power to the neutralizer;
The feed-through unit includes a base plate detachably fixed to the process chamber, and a first connection portion electrically connecting the RF power lines in and out of the process chamber through the base plate,
The first connection portion and the RF power line is a plasma source, characterized in that fixed by the fastening member penetrating the overlapping portion of the terminal in the state that the terminals provided at each end overlap each other.

The method of claim 2,
The feed-through unit includes a second connection portion for electrically connecting the DC power line in and out of the process chamber through the base plate.

The method of claim 2,
The feed-through unit includes a third connection part which penetrates the base plate and connects gas lines in and out of the process chamber.