KR102005262B1 - Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 141
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 134
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 29
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 19
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 22
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 2
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003174 cellulose-based polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011416 infrared curing Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/32—Filling or coating with impervious material
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L51/5234—
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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Abstract
본 발명은 플렉서블 투명전극을 제조하는 과정에 표면처리 공정을 도입하여 리소그래피 장비 없이 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 리소그래피 공정을 통해 패터닝을 하는 일반적인 플렉서블 투명전극 제조공정에 비하여 현저히 낮은 공정수와 공정단가로 패턴이 되어 있는 금속 나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있는 방법을 제시한다.The present invention relates to a method of forming a flexible transparent electrode in which a pattern is formed without introducing a lithographic apparatus by introducing a surface treatment process in the process of manufacturing a flexible transparent electrode, and is remarkably superior to a flexible transparent electrode manufacturing process in which patterning is performed through a lithography process We propose a method to fabricate flexible transparent electrodes with embedded metal nano wires patterned with low process water and process cost.
Description
본 발명은 플렉서블 투명전극을 제조하는 과정에 표면처리 공정을 도입하여 리소그래피 장비 없이 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 리소그래피 공정을 통해 패터닝을 하는 일반적인 플렉서블 투명전극 제조공정에 비하여 현저히 낮은 공정수와 공정단가로 패턴이 되어 있는 금속 나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있는 방법을 제시한다.The present invention relates to a method of forming a flexible transparent electrode in which a pattern is formed without introducing a lithographic apparatus by introducing a surface treatment process in the process of manufacturing a flexible transparent electrode, and is remarkably superior to a flexible transparent electrode manufacturing process in which patterning is performed through a lithography process We propose a method to fabricate flexible transparent electrodes with embedded metal nano wires patterned with low process water and process cost.
일반적으로 플렉서블(flexible) 투명전극은 플렉서블한 기판 위에 금속 나노와이어를 코팅하거나 희생층이 있는 기판 위에 금속 나노와이어를 코팅하고 고분자를 이용하여 이를 떼어냄으로써 제조할 수 있다. 희생층 위에 금속 나노와이어를 코팅하고 이를 떼어냄으로써 제작된 금속 나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극은 낮은 표면 거칠기로 인하여 전자소자 적용 시 단락 발생 가능성이 낮아 전자소자 응용 측면에서 많은 개발이 이루어지고 있다. Generally, a transparent transparent electrode can be prepared by coating a metal nanowire on a flexible substrate or by coating a metal nanowire on a substrate having a sacrificial layer and separating it with a polymer. The metal nano wire embedded flexible electrode, which is formed by coating the metal nanowire on the sacrificial layer and removing it, has a low possibility of occurrence of short circuit when the electronic device is applied due to low surface roughness,
금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 전자소자에 응용하기 위해서는 패터닝 공정은 필수적이며, 이는 주로 포토리소그래피법을 이용하여 이루어진다. 즉, 금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극 위에 포토레지스트를 코팅하고 노광기를 이용하여 빛을 조사한 후 현상 및 식각 과정을 통해 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 포토리소그래피 공정의 경우 포토레지스트 등 추가적인 재료들이 필요하고 공정장비가 고가여서 공정단가를 올리는 문제가 발생한다. In order to apply a flexible transparent electrode based on a metal nanowire to an electronic device, a patterning process is indispensable and is mainly performed by using a photolithography method. That is, a photoresist is coated on a flexible transparent electrode based on a metal nanowire, and light is irradiated using an exposure apparatus, and then a pattern can be formed through development and etching processes. However, in the case of the photolithography process, additional materials such as photoresist are required, and the process equipment is expensive, raising a problem of raising the process cost.
포토리소그래피의 공정단가 문제를 해결하기 위하여 포토리소그래피 이외의 방법으로 메탈나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 패터닝하고자 하는 몇몇 연구가 보고 되었다. 즉, 레이저 장비를 이용하여 금속나노와이어를 선택적으로 식각함으로써 패턴을 형성하는 방법이 제시되었으며, 플렉서블 기판 위에 마이크로컨택 프린팅을 이용하여 금속 나노와이어를 선택적으로 전사하는 방법, 금속나노와이어 seed를 기판 위에 선택적으로 형성하고 이를 이용하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 기반 플렉서블 투명전극을 제작하는 방법 등이 제시되었다. 또한, 잉크젯 프린팅, 그라비아 오프셋 프린팅 장비를 이용하여 기판 위에 금속 나노와이어를 패터닝하는 방법이 제시되었으며, 그 위에 경화성 고분자를 코팅하고 이를 경화시킬 경우 패턴이 형성된 금속나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다. In order to solve the problem of process unit cost of photolithography, several studies have been made to pattern metal nanowire-based flexible transparent electrodes by methods other than photolithography. In other words, a method of forming a pattern by selectively etching metal nanowires using laser equipment has been proposed. A method of selectively transferring metal nanowires on a flexible substrate using microcontact printing, a method of forming a metal nanowire seed on a substrate And a method of fabricating a flexible transparent electrode based on a metal nanowire in which a pattern is formed by selectively forming the metal nanowire. In addition, a method of patterning metal nanowires on a substrate using inkjet printing or gravure offset printing equipment has been proposed. When a curable polymer is coated thereon and cured, a flexible transparent electrode having embedded patterns of metal nanowires can be manufactured have.
그러나 위의 방법 모두 고가의 패터닝 장비와 복잡한 공정을 필요로 하므로 포토리소그래피의 문제점을 완전히 탈피할 수 없으며 가격경쟁력을 확보할 수 있는 새로운 패터닝 기술, 특히 전자소자 적용 시 강점을 갖는 메탈나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극에 적합한 새로운 패터닝 기술 개발이 필요하다. However, since all of the above methods require expensive patterning equipment and complicated processes, it is impossible to completely eliminate the problems of photolithography, and a new patterning technology capable of securing cost competitiveness, in particular, a metal nanowire embedded flexible It is necessary to develop a new patterning technique suitable for a transparent electrode.
즉, 금속나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극은 부드러운 표면으로 인하여 전자 소자 적용 시 플렉서블 기판 위에 메탈나노와이어가 코팅된 투명전극에 비하여 우수한 성능을 나타낸다. 그러나 메탈나노와이어 매립형 투명전극의 제조공정을 개선하여 패터닝하고자 하는 연구는 미미하며, 플렉서블 기판 위에 코팅된 메탈나노와이어 전극 패터닝 기술의 단순한 수정 단계에 머물러 있다. 다시 말해 아래 특허와 같이 고가의 장비를 사용하여 메탈나노와이어를 패터닝하고 그 위에 고분자를 코팅·경화하여 패턴된 메탈나노와이어 매립형 플렉서블 투명전극을 제작하는 수준에 그치고 있다.That is, since the flexible transparent electrode having the embedded metal nano wire has a smooth surface, it exhibits superior performance to the transparent electrode coated with the metal nanowire on the flexible substrate when the electronic device is applied. However, there is little research to improve the fabrication process of metal nanowire embedding type transparent electrode, and it is a simple modification step of metal nanowire electrode patterning technique coated on flexible substrate. In other words, as shown in the following patents, metal nanowires are patterned by using expensive equipment, and polymer is coated and cured thereon to form a patterned metal nanowire embedding type flexible transparent electrode.
이에 본 출원인은 한국등록번호 제10-1685069호 및 한국등록번호 제10-1705583호에서 별도의 리소그래피 공정 없이 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법을 제공한 바 있다. 상기 특허들은 금속 나노와이어와의 접착력이 낮은 기판에 표면처리를 통하여 기판의 접착력을 개선시켜 금속 나노와이어가 기판에서 떨어지지 않도록 패턴을 형성함으로써 비교적 간단한 방법으로 패터닝된 플렉서블 투명전극의 새로운 제조방법을 제공할 수 있었다.Accordingly, the present applicant has provided a method for manufacturing a flexible transparent electrode in which a pattern is formed without a separate lithography process in Korean Registered No. 10-1685069 and Korean Registered No. 10-1705583. The above patents provide a novel manufacturing method of a flexible transparent electrode patterned by a relatively simple method by forming a pattern so that the adhesion of the substrate is improved through surface treatment on the substrate having low adhesion to the metal nanowire so that the metal nanowire does not fall off the substrate Could.
본 발명은 패터닝된 플렉서블 투명전극의 새로운 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. 구체적으로 본 발명은 기판 상에 별도의 이형층을 형성할 필요 없이 기판 자체에 금속 나노와이어를 도포함으로써, 제조 단계가 더욱 간소화된 패터닝된 플렉서블 투명전극의 새로운 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. 또한 본 발명은 이형층 상에 별도의 친수화 처리가 필요 없는 플렉서블 투명전극의 새로운 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a novel method of manufacturing a patterned flexible transparent electrode. More specifically, the present invention aims to provide a new method for manufacturing a patterned flexible transparent electrode in which the manufacturing steps are further simplified by applying metal nanowires to the substrate itself without having to form a separate release layer on the substrate. Another object of the present invention is to provide a novel method for manufacturing a flexible transparent electrode that does not require a separate hydrophilic treatment on the release layer.
본 발명의 발명자들은 특정 표면에너지를 갖는 기판을 사용하는 경우, 별도의 이형층을 형성할 필요 없이도 기판과 금속 나노와이어 간의 접착력이 우수함을 확인하여 본 발명을 완성하였다.The inventors of the present invention have confirmed that when a substrate having a specific surface energy is used, the adhesion between the substrate and the metal nanowire is excellent even without forming a separate release layer, thereby completing the present invention.
즉, 본 발명은 종래 기판과 금속 나노와이어 간의 접착력이 낮아 기판 상에플라즈마 또는 자외선-오존 처리를 하여 금속 나노와이어와 기판 간의 접착력을 조절함으로써, 패턴을 형성하던 것과는 반대로, 기판 자체의 접착력이 높은 경우 별도의 처리 없이도 금속 나노와이어와의 접착력이 높으며, 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화 후 떼어내도 기판에 금속 나노와이어가 그대로 존재할 수 있음을 발견하였다. 따라서 본 발명은 금속 나노와이어를 표면처리 함으로써 경화성 고분자 수지와 금속 나노와이어 간의 접착력을 향상시켜 친수화 처리된 금속 나노와이어가 상기 경화성 고분자 수지에 함침된 상태로 기판으로부터 분리되도록 하는 새로운 제조방법을 제공하고자 한다.That is, according to the present invention, since adhesion between a conventional substrate and a metal nanowire is low, plasma or ultraviolet-ozone treatment is performed on the substrate to control the adhesion force between the metal nanowire and the substrate, The adhesion of the metal nanowires to the metal nanowires is high without any special treatment, and the metal nanowires can be present on the substrate even after the curable polymer resin is applied and cured. Accordingly, the present invention provides a novel manufacturing method for improving adhesion between a curable polymer resin and a metal nanowire by surface-treating the metal nanowire, thereby separating the metal nanowire impregnated in the curable polymer resin from the substrate I want to.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 a) 표면에너지가 35 내지 60 mJ/㎡인 기판 상에 금속 나노와이어 용액을 도포하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal nanowire including: a) forming a metal nanowire coating layer by coating a metal nanowire solution on a substrate having a surface energy of 35 to 60 mJ / m 2;
b) 상기 금속 나노와이어 코팅층의 일부를 친수화 처리하는 단계;b) hydrophilizing a part of the metal nanowire coating layer;
c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및c) applying and curing a curable polymer resin on the metal nanowire coating layer to produce a polymer film having the metal nanowire coating layer embedded therein; And
d) 상기 기판으로부터 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 수득하는 단계;d) separating the polymer film embedded with the metal nanowire coating layer from the substrate to obtain a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer;
를 포함하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a flexible transparent electrode in which a pattern is formed.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 a)단계의 기판과 나노와이어 코팅층 간의 접착력이 110 내지 160 mN/m인 것일 수 있다.In one embodiment of the method of the present invention, the adhesion between the substrate of step a) and the nanowire coating layer may be 110 to 160 mN / m.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 b)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것일 수 있다.In one embodiment of the production method of the present invention, in the step b), the hydrophilizing treatment may be plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2, Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것일 수 있다.In one embodiment of the production method of the present invention, the plasma or ion beam treatment may be one using one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 and Ar.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 b)단계에서 친수화 처리 시, a)단계의 기판(A)과 나노와이어 코팅층(B) 및 상기 c)단계의 친수화 처리된 나노와이어 코팅층(C)과 경화성 고분자 수지(D)의 접착력이 하기 식 1 및 식 2를 만족하는 것일 수 있다.In one embodiment of the production method of the present invention, in the hydrophilization treatment in the step b), the substrate A and the nanowire coating layer B in the step a) and the hydrophilicized nanowire coating layer C ) And the curable polymer resin (D) satisfy the following formulas (1) and (2).
A-B간 접착력 > B-D간 접착력 (식 1)Adhesion between A and B> Adhesion between B and D (Equation 1)
A-C간 접착력 < C-D간 접착력 (식 2)Adhesion between A and C <Adhesion between C and D (Equation 2)
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 b)단계에서 친수화 처리 시 마스크를 위치시키고 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 것일 수 있다.In one embodiment of the production method of the present invention, in the step b), the mask may be placed in the hydrophilization treatment and the hydrophilization treatment may be performed to hydrophilize the maskless portion.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것일 수 있다.In one embodiment of the manufacturing method of the present invention, the metal nanowire is formed of a metal such as Ag, Cu, Al, Au, Pt, Ni, Ti, May be selected from alloys thereof, have a diameter of 10 to 50 nm, a length of 10 to 50 nm, and an aspect ratio of 500 to 800.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어, 친수성 고분자 바인더 및 극성 양자성 용매를 포함하는 것일 수 있다.In an embodiment of the manufacturing method of the present invention, the metal nanowire solution may include a metal nanowire, a hydrophilic polymer binder, and a polar quantum solvent.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것일 수 있다.In one embodiment of the production process of the present invention, the application may be selected from spin coating, bar coating, roll to roll coating.
본 발명의 제조방법의 일 양태에서, 상기 a)단계에서 금속 나노와이어 코팅층은 표면에너지가 110 내지 200 mJ/㎡인 것일 수 있다.In one embodiment of the method of the present invention, the metal nanowire coating layer in the step a) may have a surface energy of 110 to 200 mJ / m 2.
본 발명은 별도의 이형층을 형성할 필요가 없어 공정이 단축되는 새로운 제조방법을 제공할 수 있다. The present invention can provide a new manufacturing method in which the process is shortened because it is not necessary to form a separate release layer.
또한, 본 발명은 종래 포토리소그래피를 사용하는 방법에 비하여 간단한 공정으로 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극을 제조할 수 있다.In addition, the present invention can produce a flexible transparent electrode having a pattern formed by a simple process as compared with a conventional method using photolithography.
또한, 본 발명은 그라비아 오프셋, 그라비아 프린팅 및 잉크젯 프링팅 등의 방법으로 패턴을 형성하는 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 공정이 간단하며, 패턴의 선폭 조절이 용이한 장점이 있다.In addition, the present invention is advantageous in that it does not require expensive equipment, is simple in process, and easily adjusts the line width of the pattern, compared with a method of forming patterns by gravure offset, gravure printing, inkjet prining and the like.
본 발명의 제조방법으로 제조된 플렉서블 투명전극은 금속 나노와이어가 고분자 수지 내에 매립되어 표면이 평활하므로 전자재료에 적용 시 단락이 발생할 가능이 적으며, OLED, 태양 전지 등 다양한 전자소자에 적용이 가능하다.The flexible transparent electrode manufactured by the manufacturing method of the present invention is less likely to cause a short circuit when applied to an electronic material because the metal nanowire is embedded in the polymer resin and the surface is smooth, and it can be applied to various electronic devices such as OLED and solar cell Do.
도 1은 본 발명의 제조방법을 나타낸 개략도이다.
도 2는 실시예 1에 따라 제조된 투명전극의 광학현미경 사진이다.
도 3은 실시예 1에 따라 제조된 기판의 광학현미경 사진이다.1 is a schematic view showing a manufacturing method of the present invention.
2 is an optical microscope photograph of a transparent electrode prepared according to Example 1. Fig.
3 is an optical microscope photograph of the substrate prepared according to Example 1. Fig.
이하 첨부된 도면들을 포함한 구체예 또는 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 구체예 또는 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, It should be understood, however, that the invention is not limited thereto and that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.
또한 달리 정의되지 않는 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본 발명에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 구체예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. Unless otherwise defined, all technical and scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. The terminology used in the description of the invention is merely intended to effectively describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention.
또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다. Also, the singular forms as used in the specification and the appended claims are intended to include the plural forms as well, unless the context clearly indicates otherwise.
본 발명의 일 양태는 One aspect of the present invention is
a) 표면에너지가 35 내지 60 mJ/㎡인 기판 상에 금속 나노와이어 용액을 도포하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;a) applying a metal nanowire solution on a substrate having a surface energy of 35 to 60 mJ / m < 2 > to form a metal nanowire coating layer;
b) 상기 금속 나노와이어 코팅층의 일부를 친수화 처리하는 단계;b) hydrophilizing a part of the metal nanowire coating layer;
c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및c) applying and curing a curable polymer resin on the metal nanowire coating layer to produce a polymer film having the metal nanowire coating layer embedded therein; And
d) 상기 기판으로부터 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 수득하는 단계;d) separating the polymer film embedded with the metal nanowire coating layer from the substrate to obtain a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer;
를 포함한다..
더욱 구체적으로 본 발명의 제조방법의 일 양태에 대하여 도 1을 참고하여 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이 표면에너지가 35 내지 60 mJ/㎡인 기판(10)을 준비하고(S1), 상기 기판에 금속 나노와이어 용액을 도포하여 금속 나노와이어 코팅층(20)을 형성한다(S2). 이후 상기 금속 나노와이어 코팅층(20) 상에 패턴이 형성된 마스크(30)를 올리고 친수화 처리를 하여(S3), 일부가 친수화 처리된(40) 금속 나노와이어 코팅층(20)을 형성한다(S4). 이후, 상기 금속 나노와이어 코팅층(20) 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름(50)을 제조(S5)하고, 상기 기판으로부터 친수화 처리된 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름(50)을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 수득한다(S6).1, a
구체적으로 각 단계에 대하여 설명하면, 상기 a) 단계는 금속 나노와이어 코팅층과의 접착력이 우수한 기판을 사용하는데 특징이 있다. Specifically, each step is characterized in that the step a) is characterized in using a substrate having excellent adhesion to the metal nanowire coating layer.
본 발명의 발명자들은 상기 기판의 표면에너지가 35 내지 60 mJ/㎡인 범위에서 별도의 이형층을 형성하지 않고도 금속 나노와이어와 코팅층과의 접착력이 우수함을 확인하였다. 상기 기판의 표면에너지가 35 mJ/㎡ 미만인 경우는 기판과 금속나노와이어 코팅층 간의 접착력이 약해 표면처리가 되지 않은 부분까지도 분리가 되어 패턴이 형성되지 않으며, 60 mJ/㎡을 초과하는 경우는 기판과 금속나노와이어 코팅층 간의 접착력이 너무 강하여 기판에서 금속나노와이어가 분리되지 않아 패턴이 형성되지 않음을 확인하였다.The inventors of the present invention have confirmed that the adhesion between the metal nanowire and the coating layer is excellent without forming a separate release layer in the range of surface energy of the substrate of 35 to 60 mJ / m 2. When the surface energy of the substrate is less than 35 mJ / m 2, the adhesion between the substrate and the metal nanowire coating layer is weak, so that a portion not subjected to the surface treatment is also separated and no pattern is formed. When the surface energy exceeds 60 mJ / The adhesion between the metal nanowire coating layers was so strong that the metal nanowires were not separated from the substrate and thus the pattern was not formed.
상기 기판의 종류는 제한되는 것은 아니나 고분자 소재로 이루어진 것일 수 있으며, 별도의 표면처리가 된 고분자 기판을 사용하는 것일 수 있다.The type of the substrate is not limited, but it may be made of a polymer material, or may be a polymer substrate having a separate surface treatment.
구체적으로 상기 기판은 아크릴계 수지, 폴리에스테르 수지 등으로 이루어진 고분자 기판인 것일 수 있으며, 더욱 구체적으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지로 이루어진 시트 또는 필름인 것일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 기판의 두께는 제한되는 것은 아니나, 10 내지 1000 ㎛인 것일 수 있으며, 더욱 좋게는 100 내지 800 ㎛인 것일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.Specifically, the substrate may be a polymer substrate made of an acrylic resin, a polyester resin, or the like, and more specifically, it may be a sheet or a film made of a polyethylene terephthalate resin, but is not limited thereto. The thickness of the substrate is not limited, but may be 10 to 1000 탆, more preferably 100 to 800 탆, but is not limited thereto.
상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어, 친수성 고분자 바인더 및 극성 양자성 용매를 포함하는 것일 수 있다.The metal nanowire solution may include a metal nanowire, a hydrophilic polymer binder, and a polar quantum solvent.
본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되는 것일 수 있으며, 하나 또는 둘 이상이 혼합된 것일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the metal nanowire is made of a metal such as silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium And may be one or a mixture of two or more, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 금속 나노와이어의 밀도가 감소하면 투과도가 증가하나 전기 전도도는 낮아지므로, 사용 목적에 따라 투과도와 면저항을 고려하여 금속 나노와이어의 밀도, 길이 및 직경을 선택하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로 상기 금속 나노와이어는 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.In one aspect of the present invention, as the density of the metal nanowires decreases, the transmittance increases, but the electrical conductivity decreases. Therefore, it is preferable to select the density, length and diameter of the metal nanowires considering the permeability and the sheet resistance depending on the purpose of use . More specifically, the metal nanowires may have a diameter of 10 to 50 nm, a length of 10 to 50 nm, and an aspect ratio of 500 to 800, but are not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액 중 금속 나노와이어의 함량은 0.1 ~ 1.0 중량%, 더욱 좋게는 0.2 ~ 0.5 중량%로 분산된 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, the content of the metal nanowires in the metal nanowire solution may be 0.1 to 1.0 wt%, more preferably 0.2 to 0.5 wt%, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 친수성 고분자 바인더는 히드록시기를 포함하는 고분자 바인더를 사용하는 것이 금속 나노와이어를 분산하기에 용이하고, 기판에 도포하여 박막을 형성하기 용이하며, 친수화 처리 후 경화성 고분자 수지와의 접착력이 우수하여 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 제조하기에 용이하므로 바람직하다. 상기 히드록시기를 포함하는 고분자 바인더의 비제한적인 예로는 고분자 폴리올 또는 다당체 고분자 등이 사용될 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 고분자 폴리올은 중량평균분자량이 1000 내지 500,000인 것일 수 있다. 상기 다당체 고분자는 셀룰로오스계 중합체 또는 키토산 기반의 고분자를 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the hydrophilic polymeric binder is easy to disperse metal nanowires using a polymeric binder containing a hydroxy group, and is easily applied to a substrate to form a thin film. After the hydrophilic polymeric binder is cured, So that it is easy to produce a polymer film in which the metal nanowire coating layer is embedded. As the non-limiting examples of the polymer binder including the hydroxy group, a polymer polyol or a polysaccharide polymer may be used. More specifically, the polymer polyol may have a weight average molecular weight of 1000 to 500,000. The polysaccharide polymer may include a cellulose-based polymer or a chitosan-based polymer.
상기 금속 나노와이어 용액 중 친수성 고분자 바인더의 함량은 0.05 ~ 5 중량%, 더욱 좋게는 0.1 ~ 4 중량%인 것일 수 있으며, 상기 범위에서 박막의 금속나노와이어 코팅층을 형성하기에 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다.The content of the hydrophilic polymer binder in the metal nanowire solution may be 0.05 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 4% by weight. The thickness of the metal nanowire coating layer is preferably in the range of no.
본 발명의 일 양태에서, 상기 극성 양자성 용매는 예를 들면, 물, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디아세톤알콜, 메톡시에탄올, 메톡시프로판올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the invention, the polar protic solvent is selected from, for example, water, ethanol, methanol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, diacetone alcohol, methoxyethanol, methoxypropanol, And may be any one or a mixture of two or more, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 용액의 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅, 닥터 블레이드, 슬롯 다이 코팅 기법 등의 방법을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the application of the metal nanowire solution may be performed by a method such as spin coating, bar coating, roll to roll coating, doctor blade, slot die coating, and the like, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 금속 나노와이어 코팅층의 두께는 제한되는 것은 아니나 25 ~ 90 nm, 더욱 좋게는 70 ~ 40 nm인 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the thickness of the metal nanowire coating layer is not limited, but may be 25 to 90 nm, more preferably 70 to 40 nm.
보다 구체적인 일 양태로는 금속 나노와이어 용액을 스핀코팅방법으로 500 ~ 3000 rpm으로 30초 ~ 10분 동안 스핀코팅을 하고, 80 ~ 110 ℃에서 30초 내지 5분간 열처리를 하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 것일 수 있다. 이때, 금속 나노와이어 용액을 천천히 도포하는 경우 얼룩이 남게 될 수 있으므로 도포 시간 및 스핀코팅 속도 등을 조절하여 균일하게 도포하는 것이 좋다. 또한, 스핀코팅 시 도포 속도에 따라 금속 나노와이어의 밀도가 달라질 수 있으므로 투명전극의 용도에 맞게 밀도가 조절되도록 스핀코팅 속도를 조절하는 것이 바람직하다. 또한 금속 나노와이어의 코팅방법은 스핀 코팅에 국한되지 않으며 바 코팅, 닥터 블레이드, 슬롯 다이 코팅 기법 등 다양한 기법이 적용될 수 있다.More specifically, the metal nanowire solution is spin-coated by spin coating at 500 to 3000 rpm for 30 seconds to 10 minutes, and heat-treated at 80 to 110 ° C for 30 seconds to 5 minutes to form a metal nanowire coating layer . At this time, when the metal nanowire solution is slowly applied, it may remain unevenness, so it is preferable to uniformly apply the coating solution by controlling the application time and the spin coating speed. In addition, since the density of the metal nanowires may vary depending on the application speed during spin coating, it is preferable to adjust the spin coating speed so that the density of the metal nanowires can be adjusted according to the application of the transparent electrode. The method of coating the metal nanowires is not limited to spin coating, and various techniques such as bar coating, doctor blade, and slot die coating techniques can be applied.
상기 금속 나노와이어 코팅층은 표면에너지가 110 내지 200 mJ/㎡인 것일 수 있으며, 상기 범위에서 기판과의 접착력이 우수하고, 친수화 처리에 의해 경화성 고분자 수지와의 접착력이 향상될 수 있다.The metal nanowire coating layer may have a surface energy of 110 to 200 mJ / m 2. The metal nanowire coating layer has an excellent adhesion with the substrate in the above range, and the adhesion to the curable polymer resin can be improved by hydrophilizing treatment.
상기 a)단계에서 기판과 나노와이어 코팅층 간의 접착력이 110 내지 160 mN/m인 것일 수 있다. 상기 범위에서 기판과 나노와이어 코팅층 간의 접착력이 우수하여 이후 코팅되는 경화성 고분자 수지에 함침되지 않고 유지될 수 있다.In the step a), the adhesion between the substrate and the nanowire coating layer may be 110 to 160 mN / m. The adhesion between the substrate and the nanowire coating layer in the above range is excellent and can be maintained without being impregnated in the curable polymer resin to be coated thereafter.
다음으로 상기 b)단계는 상기 금속 나노와이어층의 일부를 친수화 처리하는 단계로, 상기 금속 나노와이어층에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔, 또는 이온빔 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리한다. Next, in step b), hydrophilic treatment is performed on a portion of the metal nanowire layer, and a mask having a pattern is formed on the metal nanowire layer, and plasma, ultraviolet-ozone, electron beam, or ion beam treatment is performed, The hydrophilic portion is hydrophilized.
본 발명의 일 양태에서, 상기 마스크는 금속 나노와이어 패턴을 형성하기 위한 것으로, 투명 전극 상에 형성하고자 하는 패턴 형태로 제조된 것을 사용한다. 상기 마스크의 재질은 예를 들면, 실록산계 중합체, 실리콘고무 또는 금속 재질로 이루어진 것일 수 있으며, 이에 제한되지 않고 플라즈마 처리 또는 자외선-오존 처리를 위하여 사용되는 마스크라면 한정되지 않고 사용 가능하다. 보다 구체적으로, 상기 실록산계 중합체로는 이형층과의 강한 접촉을 통하여 마스크가 있는 부분은 플라즈마가 침투하지 않도록 하는 관점에서 폴리디메틸실록산(PDMS)인 것일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 미세한 패턴을 형성할 수 있는 관점에서 금속 재질인 것일 수 있으며, 금속의 종류는 제한되지 않는다. In one aspect of the present invention, the mask is used for forming a metal nanowire pattern, and the mask is formed in a pattern shape to be formed on the transparent electrode. The material of the mask may be, for example, a siloxane-based polymer, a silicone rubber, or a metal material, but not limited thereto, and any mask used for the plasma treatment or ultraviolet-ozone treatment may be used without limitation. More specifically, the siloxane-based polymer may be a polydimethylsiloxane (PDMS) from the viewpoint of preventing the plasma from penetrating through the strong contact with the release layer, but the present invention is not limited thereto. In addition, from the viewpoint of forming a fine pattern, it may be a metal, and the kind of the metal is not limited.
상기 마스크는 이형층 또는 소수성 고분자 기판에 밀착되는 것일 수 있으며, 또는 이형층 또는 소수성 고분자 기판으로부터 일정 거리 이격되는 것일 수 있다.The mask may be adhered to the release layer or the hydrophobic polymer substrate, or may be spaced apart from the release layer or the hydrophobic polymer substrate.
더욱 좋게는 마스크가 금속 나노와이어 코팅층에 더욱 잘 밀착되도록 하여 정확한 패턴이 형성되도록 하는 것이 바람직하며, 이를 위하여 금속 마스크를 사용하고, 이를 고정시키기 위한 얼라인먼트를 사용하는 것일 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 금속 마스크를 고정시키기 위하여 자석 또는 자석과 지그를 구비하여 원하는 위치에 원하는 크기의 미세한 패턴을 형성하여 신뢰성을 향상시키는 것일 수 있다. Preferably, the mask is more closely adhered to the metal nanowire coating layer so that an accurate pattern is formed. To this end, a metal mask may be used and an alignment may be used to fix the metal mask. More specifically, a magnet, a magnet, and a jig may be provided to fix the metal mask to form a fine pattern of a desired size at a desired position to improve reliability.
상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 마스크를 위치시키고 플라즈마 또는 자외선-오존, 전자빔, 이온빔 처리를 함으로써, 금속 나노와이어 코팅층의 표면에 히드록시기(-OH)와 같은 친수성 작용기가 형성되며, 이로 인해 경화성 고분자 수지의 작용기와 화학적으로 반응하여 기판에 남아있지 않고 경화성 고분자 수지에 접착력이 확보되어 기판으로부터 박리되는 것일 수 있다. Hydrophilic functional groups such as a hydroxyl group (-OH) are formed on the surface of the metal nanowire coating layer by placing a mask on the metal nanowire coating layer and performing plasma or ultraviolet-ozone, electron beam, or ion beam treatment, It may chemically react with the functional group to remain on the substrate and to secure the adhesive force to the curable polymer resin and peel off from the substrate.
이때 친수성 처리되지 않은 부분은 기판과의 충분한 접착력을 보유하고 있으며, 광경화성 고분자와의 접착력보다 기판과의 접착력이 높아 기판에서 박리되지 않고 유지될 수 있다. At this time, the portion not subjected to the hydrophilic treatment has a sufficient adhesive force with the substrate, and the adhesive force with the substrate is higher than the adhesive force with the photo-curable polymer, so that it can be maintained without being peeled off from the substrate.
본 발명의 일 양태에서, 상기 플라즈마 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것일 수 있으며, 금속 나노와이어층에 히드록시기를 형성할 수 있는 것이라면 제한되지 않는다. 이에 제한되는 것은 아니나 보다 구체적으로 예를 들면, 상기 플라즈마 처리는 5 ~ 20 sccm의 O2 기체를 이용하여, 2.0 x 10-1 ~ 8.0 x 10-1 Torr의 압력, 20 ~ 50 W의 RF 파워에서 5 ~ 30분간 처리하는 것일 수 있다. 더욱 구체적으로, 8 ~ 15 sccm의 기체를 이용하여, 3.9 x 10-1 ~ 4.2 x 10-1 Torr의 압력, 20 ~ 30 W의 RF 파워에서 5 ~ 30분간 처리하는 것일 수 있다. 상기 범위에서 금속 나노와이어와의 접착력이 향상됨으로써, 금속 나노와이어와 경화성 고분자 수지와의 접착력에 비하여 더욱 강한 접착력을 갖도록 할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the plasma treatment may be one using one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 and Ar, and may be a method of forming a hydroxy group in the metal nanowire layer Anything that can be done is not limited. More specifically, for example, the plasma treatment may be performed at a pressure of 2.0 x 10 -1 to 8.0 x 10 -1 Torr, an RF power of 20 to 50 W using an O 2 gas of 5 to 20 sccm For 5 to 30 minutes. More specifically, the treatment may be performed at a pressure of 3.9 x 10 -1 to 4.2 x 10 -1 Torr and an RF power of 20 to 30 W for 5 to 30 minutes using a gas of 8 to 15 sccm. By enhancing the adhesion strength with the metal nanowires in the above range, it is possible to have a stronger adhesion force than the adhesion strength between the metal nanowires and the curable polymer resin.
또한, 자외선-오존 처리는 자외선과 자외선 조사에 의해 발생한 오존에 의해 고분자의 주쇄를 절단시키고 표면산화층을 형성시키는 방법으로, 자외선 조사를 이용하여 금속 나노와이어 코팅층의 표면에너지를 변화시키거나 작용기를 형성하여 경화성 고분자 수지와의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다. 구체적으로 예를 들면, UV-C영역인 200 ~ 280nm의 주파장을 갖는 수은램프를 이용하여, 100 ~ 200 mW/cm2 출력의 자외선/오존 조사기를 사용하여 5분 이상, 보다 구체적으로는 5분 내지 60분 간 처리하는 것일 수 있다.In addition, ultraviolet-ozone treatment is a method of cutting the main chain of a polymer by ozone generated by ultraviolet ray and ultraviolet ray irradiation and forming a surface oxidation layer. It is possible to change the surface energy of a metal nanowire coating layer or form a functional group The adhesive strength to the curable polymer resin can be further improved. Specifically, for example, a mercury lamp having a main wavelength of 200 to 280 nm, which is a UV-C region, is irradiated with ultraviolet rays / ozone irradiator having an output of 100 to 200 mW / cm 2 for 5 minutes or more, more specifically 5 Min to 60 min.
또한, 이온빔 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것일 수 있다.The ion beam treatment may be one using one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 and Ar.
본 발명의 일 양태에서, 상기 b)단계에서 친수화 처리 시, a)단계의 기판(A)과 나노와이어 코팅층(B) 및 상기 c)단계의 친수화 처리된 나노와이어 코팅층(C)과 경화성 고분자 수지(D)의 접착력이 하기 식 1 및 식 2를 만족하는 범위로 실시하는 것일 수 있다.In one aspect of the present invention, in the hydrophilization treatment in step b), the substrate (A) and the nanowire coating layer (B) in step a) and the hydrophilized nanowire coating layer (c) The adhesive strength of the polymeric resin (D) may be in a range satisfying the following formulas (1) and (2).
A-B간 접착력 > B-D간 접착력 (식 1)Adhesion between A and B> Adhesion between B and D (Equation 1)
A-C간 접착력 < C-D간 접착력 (식 2)Adhesion between A and C <Adhesion between C and D (Equation 2)
다음으로, 상기 c) 단계는 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계이다. 상기 c)단계는 금속 나노와이어의 표면 거칠기를 낮추기 위하여 금속 나노와이어와의 상용성이 우수하여 금속 나노와이어를 함침시킬 수 있는 경화성 고분자 수지를 이용하여 고분자 필름을 제조함으로써, 상기 고분자 필름 내에 금속 나노와이어 코팅층이 함침되어 매끄러운 표면을 형성할 수 있도록 하는 공정이다. Next, in the step c), a curable polymer resin is coated on the metal nanowire coating layer and cured to produce a polymer film having the metal nanowires embedded therein. In the step c), a polymer film is prepared using a curable polymer resin having excellent compatibility with metal nanowires to impregnate the metal nanowires so as to lower the surface roughness of the metal nanowires. Thus, So that the wire coating layer is impregnated to form a smooth surface.
상기 b)단계에서 마스크가 위치한 부분의 금속 나노와이어 코팅층은 기판과의 접착력 및 상용성이 더욱 강하므로 상기 경화성 고분자 수지를 도포하는 과정에서 기판에 그대로 유지되고, 마스크가 위치하지 않고 친수화 처리된 부분은 경화성 고분자 수지에 대한 접착력이 향상되어 금속 나노와이어가 매립이 된다.Since the metal nanowire coating layer in the portion where the mask is located in step b) is more adhesive and compatible with the substrate, it remains on the substrate in the process of applying the curable polymer resin, and is not hydrophilized Part is improved in adhesion to the curable polymer resin, and the metal nanowires are embedded.
본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 유연성을 갖는 수지이면서 동시에, 기판과 비상용성인 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 경화 후 기판으로부터 이형이 용이한 수지를 이용하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin is preferably a resin having flexibility and a resin that is incompatible with the substrate. That is, a resin that is easy to release from the substrate after curing can be used.
또한, 투명한 전극을 형성하기 위한 관점에서 전광선투과율이 80 ~ 99%인 것이 더욱 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. From the viewpoint of forming a transparent electrode, it is more preferable that the total light transmittance is 80 to 99%, but it is not limited thereto.
또한, 전자 소자 제작 시 도입 될 수 있는 열처리 안정성 측면에서 유리전이 온도가 100 ~ 150℃ 인 것이 더욱 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. From the viewpoint of heat treatment stability that can be introduced in the production of an electronic device, the glass transition temperature is more preferably 100 to 150 ° C, but is not limited thereto.
또한, 유연 소자 응용 측면에서 경화성 고분자의 탄성계수가 1 ~ 2000 MPa 인 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, in view of the application of the flexible device, the elastic modulus of the curable polymer is preferably 1 to 2,000 MPa, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 자외선 경화형 고분자 수지, 열경화형 고분자 수지, 상온 습기 경화형 고분자수지, 적외선 경화형 고분자수지 등이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin may be an ultraviolet curable polymer resin, a thermosetting polymer resin, a room temperature moisture curing polymer resin, an infrared curing polymer resin, or the like, but is not limited thereto.
본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 금속 나노와이어 코팅층을 매립하여 표면층이 매끄럽게 형성되도록 하기 위해서는 액상인 것이 바람직하며, 상기 액상은 고분자 수지가 물이나 용매에 용해되거나, 고분자 수지 자체가 점성을 갖는 액상인 것을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin is preferably a liquid in order to smoothly form a surface layer by embedding the metal nanowire coating layer. In the liquid phase, the polymer resin is dissolved in water or a solvent, Lt; / RTI >
본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지는 금속 나노와이어의 물성을 저해하지 않도록 하며, 투과율이 우수한 고분자 필름을 형성하기 위한 관점에서 자외선 경화형 고분자를 사용하는 것일 수 있다. 상기 자외선 경화형 고분자는 280 ~ 350 nm의 자외선(Ultraviolet) 광에 노출되었을 때 완전한 고체로 경화되는 특성을 갖는 수지라면 제한되지 않고 사용 가능하며, 투명한 무색의 액상인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 관점에서 상업화된 예로는 Norland Products사의 Norland Optical Adhesive 시리즈를 사용할 수 있으며, 구체적으로 예를 들면, NOA60, NOA61, NOA63, NOA65, NOA68, NOA68T, NOA71, NOA72, NOA73, NOA74, NOA75, NOA76, NOA78, NOA81, NOA83H, NOA84, NOA85, NOA85V, NOA86, NOA86H, NOA87, NOA88, NOA89 등이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, the curable polymer resin may be one that uses an ultraviolet curable polymer in order to prevent the physical properties of the metal nanowire from deteriorating and form a polymer film having excellent transmittance. The ultraviolet curable polymer is not limited as long as it is a resin which is cured to complete solid when it is exposed to ultraviolet light of 280 to 350 nm, and it is more preferably a transparent colorless liquid. In this respect, Norland Optical Adhesive series from Norland Products can be used as an example of commercialization from this viewpoint. Specifically, for example, NOA60, NOA61, NOA63, NOA65, NOA68, NOA68T, NOA71, NOA72, NOA73, NOA74, NOA75, NOA76 and NOA78 , NOA81, NOA83H, NOA84, NOA85, NOA85V, NOA86, NOA86H, NOA87, NOA88, NOA89, and the like.
본 발명의 일 양태에서, 상기 경화성 고분자 수지를 도포하여 형성된 고분자 필름의 두께는 제한되는 것은 아니나 50 ~ 2000 ㎛, 더욱 좋게는 100 ~ 300 ㎛인 것일 수 있다. 상기 범위에서 표면에 금속 나노와이어가 매립되면서 표면이 평활한 고분자 필름을 형성할 수 있으므로 바람직하다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the polymer film formed by applying the curable polymer resin is not limited, but may be 50 to 2,000 m, more preferably 100 to 300 m. The metal nanowires are embedded in the surface in the above-mentioned range, and a polymer film having a smooth surface can be formed.
다음으로 상기 d)단계는 금속 나노와이어가 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 제조하는 단계다.Next, in step (d), a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer is prepared by separating the polymer film embedded with the metal nanowires.
이때, 앞서 설명한 바와 같이 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔, 또는 이온빔 처리에 의해 마스크가 위치하지 않는 부분에서는 금속 나노와이어 코팅층과 경화성 고분자와의 접착력이 크게 향상되며, 고분자 필름을 분리할 때 기판에 고정된 금속 나노와이어를 제외한 금속 나노와이어가 매립된 상태로 분리되므로 패턴이 형성된다. 즉, 본 발명은 마스크의 패턴에 따라 금속 나노와이어 코팅층의 패턴이 결정된다.At this time, as described above, adhesion strength between the metal nanowire coating layer and the curable polymer is significantly improved in the portion where the mask is not placed by plasma, ultraviolet-ozone, electron beam, or ion beam treatment, The metal nanowires except for the metal nanowires are separated in a buried state, thereby forming a pattern. That is, the pattern of the metal nanowire coating layer is determined according to the pattern of the mask.
또한, 상기 고분자 필름은 물리적인 힘을 가하여, 즉, 손가락이나 면봉 등을 이용하여 쉽게 밀어내어 분리를 할 수 있다.In addition, the polymer film can be easily separated by applying a physical force, that is, by using a finger or a cotton swab.
이하 실시예 및 비교예를 바탕으로 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are merely examples for explaining the present invention in more detail, and the present invention is not limited by the following examples and comparative examples.
이하 물성은 다음과 같이 측정하였다.The following physical properties were measured as follows.
1. 표면에너지1. Surface energy
표면에너지는 SEO社의 Phoenix 300을 이용하여 측정한 접촉각을 이용하여 계산하였다. 접촉각 측정에 사용한 용매는 물(Tension 72.8 / Polar 50.3, Dispersive 22.5)과 글리세롤(Tension 63.4 / Polar 26.4, Dispersive 37)을 이용하여 측정하였다. 측정할 기판을 준비하고 기판 위에 용액을 6㎕를 drop 후 측정되는 표면접촉각을 기록하였다. 표면에너지는 측정된 표면 접촉각과 Owens-Wendt Geometric Mean 식을 이용하여 계산하였으며 식은 아래와 같다.Surface energy was calculated using the contact angle measured with the Phoenix 300 from SEO. The solvent used for the contact angle measurement was measured using water (Tension 72.8 / Polar 50.3, Dispersive 22.5) and glycerol (Tension 63.4 / Polar 26.4, Dispersive 37). The substrate to be measured was prepared, and the surface contact angle measured after dropping 6 용액 of the solution on the substrate was recorded. Surface energy was calculated using the measured surface contact angle and the Owens-Wendt Geometric Mean equation.
θ : 액체의 접촉각θ: contact angle of liquid
γLV : 액체의 표면장력γ LV : surface tension of the liquid
γS D : 고체의 dispersive 성분의 표면에너지γ S D : surface energy of the dispersive component of the solid
γL D : 액체의 dispersive 성분의 표면에너지γ L D : surface energy of the dispersive component of the liquid
γS P : 고체의 polar 성분의 표면에너지γ S P : Surface energy of the polar component of a solid
γL P : 액체의 polar 성분의 표면에너지γ L P : surface energy of polar component of liquid
2. 접착력2. Adhesion
기판과 나노와이어 간 접착력은 구해진 표면에너지와 work of adhesion 식을 이용하여 계산하였으며 식은 아래와 같다.The adhesion between the substrate and the nanowire was calculated using the obtained surface energy and work of adhesion equation.
W1,2 : 물체 1,2간 접착력W 1,2 : Adhesion between objects 1 and 2
γ1 D : 물체 1의 dispersive 성분의 표면에너지γ 1 D : surface energy of the dispersive component of object 1
γ2 D : 물체 2의 dispersive 성분의 표면에너지γ 2 D : surface energy of the dispersive component of the object 2
γ1 P : 물체 1의 polar 성분의 표면에너지γ 1 P : Surface energy of the polar component of object 1
γ2 P : 물체 2의 polar 성분의 표면에너지γ 2 P : surface energy of the polar component of object 2
[실시예 1][Example 1]
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)을 25mm×25mm 사이즈로 준비하여 기판으로 사용하였다. 기판의 표면 접촉각을 측정한 결과 물의 접촉각은 64.99°, 글리세롤의 접촉각은 65.48°를 나타내었으며, 표면 에너지를 계산한 결과 37.37 mJ/㎡(polar 29.68, dispersive 7.69)인 것을 확인하였다.A polyethylene terephthalate film (PET film) was prepared in a size of 25 mm x 25 mm and used as a substrate. The surface contact angle of the substrate was 64.99 °, the contact angle of glycerol was 65.48 °, and the calculated surface energy was 37.37 mJ / ㎡ (polar 29.68, dispersive 7.69).
준비된 PET 기판 전면에 은 나노와이어 투명전극 코팅용액(0.3wt% AgNW coating solution, C3Nano Korea) 350㎕를 스핀코터를 이용하여 600rpm의 속도로 1분간 코팅을 하였다. 코팅된 은 나노와이어는 용매 증발을 위해 100℃에서 1분간 열처리를 수행하였으며, 은 나노와이어 코팅층의 물 접촉각은 34°이고, 글리세롤 접촉각은 73.77°이었으며, 표면 에너지가 136.70 mJ/㎡(polar 128.29, dispersive 8.05)인 은 나노와이어 코팅층이 형성되었다. 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 112.14 mN/m인 것을 확인하였다.The entire surface of the prepared PET substrate was coated with a silver nanowire transparent electrode coating solution (0.3 wt% AgNW coating solution, C3Nano Korea) at a speed of 600 rpm for 1 minute using a spin coater. The coated silver nanowires were heat treated at 100 ° C for 1 minute to evaporate the solvent. The silver nanowire coating layer had a water contact angle of 34 °, a glycerol contact angle of 73.77 °, a surface energy of 136.70 mJ / m 2 (polar 128.29, dispersive 8.05) silver nanowire coating layer was formed. The adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was calculated to be 112.14 mN / m.
상기 은 나노와이어가 코팅된 PET 기판 위에 패턴 형상을 가진 마스크(mask)를 배치시킨다. 마스크의 경우 표면처리(친수화 처리) 영역의 오차가 발생하지 않도록 기판과 잘 밀착시키도록 한 후, 254nm의 파장을 가지는 자외선 램프에서 30분간 오존처리를 진행하였다.A mask having a pattern shape is disposed on the silver nanowire-coated PET substrate. In the case of the mask, the substrate was brought into close contact with the substrate so as not to cause an error in the surface treatment (hydrophilization treatment) region, and then ozone treatment was performed for 30 minutes in an ultraviolet lamp having a wavelength of 254 nm.
상기 표면 친수화 처리를 마친 은 나노와이어 코팅층 위에 1g의 광경화성 고분자(NOA 63, Norland Products Inc, USA)를 도포하고 기포가 존재하지 않는 상태에서 500rpm의 속도로 1분간 스핀코팅을 하였다. 스핀코팅을 마친 샘플은 365nm의 파장을 가지는 고분자 경화기를 이용하여 30분 간 경화를 진행하였다.1 g of a photocurable polymer (NOA 63, Norland Products Inc, USA) was coated on the silver nanowire coating layer having been subjected to the surface hydrophilization treatment and spin-coated at 500 rpm for 1 minute in the absence of bubbles. The spin-coated sample was cured for 30 minutes using a polymer hardener having a wavelength of 365 nm.
상기 작업을 마친 샘플에서 완전히 경화된 고분자 필름을 기판으로부터 분리하였으며, 표면처리가 되지 않은 은 나노와이어 코팅층은 기판에서 박리되지 않고 잔존하였으며(도 3 참조) 표면처리가 이루어진 영역은 광경화성 고분자에 함침되어 박리됨(도 2 참조)을 확인할 수 있었다. The completely cured polymer film was separated from the substrate in the above-completed sample, and the unexposed silver nanowire coating layer remained on the substrate without being peeled off (see FIG. 3). The surface treated area was impregnated with the photocurable polymer (See Fig. 2).
[실시예 2][Example 2]
상기 실시예 1에서, PET 기판으로 물 접촉각이 57.65°, 글리세롤 접촉각이 56.1°이었으며, 이로부터 계산된 표면 에너지가 43.00 mJ/㎡ (polar 31.69, dispersive 11.31)인 것을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 은 나노와이어 코팅층의 물 접촉각은 33.68°, 글리세롤 접촉각은 73.22°로 표면 에너지는 135.40 mJ/㎡(polar 127.45, dispersive 7.95)이었으며, 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 120.19 mN/m인 것을 확인하였다.In Example 1, the PET substrate had a water contact angle of 57.65 deg., A glycerol contact angle of 56.1 deg., And a calculated surface energy of 43.00 mJ / m2 (polar 31.69, dispersive 11.31) . The nanowire coating layer had a water contact angle of 33.68 °, a glycerol contact angle of 73.22 °, and a surface energy of 135.40 mJ / m 2 (polar 127.45, dispersive 7.95). The adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was 120.19 mN / m .
그 결과, 표면처리가 되지 않은 은 나노와이어 코팅층은 기판에서 박리되지 않고 잔존하였으며 표면처리가 이루어진 영역은 광경화성 고분자에 함침되어 박리됨을 확인할 수 있었다. As a result, it was confirmed that the silver nanowire coating layer which had not been subjected to the surface treatment remained without being peeled off from the substrate, and that the surface treated region was impregnated with the photocurable polymer.
[실시예 3][Example 3]
상기 실시예 1에서, PET 기판으로 물 접촉각이 59.79°, 글리세롤 접촉각이 65.68°로 표면 에너지가 44.98 mJ/㎡(polar 41.24, dispersive 3.74)인 것을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 은 나노와이어 코팅층의 물 접촉각은 34.21°, 글리세롤 접촉각은 75.55°로 표면 에너지는 143.71 mJ/㎡ (polar 133.22, dispersive 10.48)이었으며, 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 136.99 mN/m인 것을 확인하였다.In Example 1, the same procedure as in Example 1 was carried out except that the PET substrate had a water contact angle of 59.79 °, a glycerol contact angle of 65.68 °, and a surface energy of 44.98 mJ / m 2 (polar 41.24, dispersive 3.74) . The silver nanowire coating layer had a water contact angle of 34.21 °, a glycerol contact angle of 75.55 ° and a surface energy of 143.71 mJ / m 2 (polar 133.22, dispersive 10.48). The adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was found to be 136.99 mN / m .
그 결과, 표면처리가 되지 않은 은 나노와이어 코팅층은 기판에서 박리되지 않고 잔존하였으며 표면처리가 이루어진 영역은 광경화성 고분자에 함침되어 박리됨을 확인할 수 있었다. As a result, it was confirmed that the silver nanowire coating layer which had not been subjected to the surface treatment remained without being peeled off from the substrate, and that the surface treated region was impregnated with the photocurable polymer.
[실시예 4][Example 4]
상기 실시예 1에서, PET 기판으로 물 접촉각이 64.06°, 글리세롤 접촉각이 66.93°로 표면 에너지가 39.23 mJ/㎡ (polar 33.71, dispersive 5.52)인 것을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 은 나노와이어 코팅층의 물 접촉각은 35.75°, 글리세롤 접촉각은 73.81°로 표면 에너지는 131.26 mJ/㎡ (polar 123.78, dispersive 8.76)이었으며, 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 118.67 mN/m인 것을 확인하였다.In Example 1, the same procedure as in Example 1 was carried out except that the PET substrate had a water contact angle of 64.06 °, a glycerol contact angle of 66.93 °, and a surface energy of 39.23 mJ / m 2 (polar 33.71, dispersive 5.52) . The silver nanowire coating layer had a water contact angle of 35.75 °, a glycerol contact angle of 73.81 ° and a surface energy of 131.26 mJ / m 2 (polar 123.78, dispersive 8.76). The adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was 118.67 mN / m .
그 결과, 표면처리가 되지 않은 은 나노와이어 코팅층은 기판에서 박리되지 않고 잔존하였으며 표면처리가 이루어진 영역은 광경화성 고분자에 함침되어 박리됨을 확인할 수 있었다. As a result, it was confirmed that the silver nanowire coating layer which had not been subjected to the surface treatment remained without being peeled off from the substrate, and that the surface treated region was impregnated with the photocurable polymer.
[비교예 1][Comparative Example 1]
상기 실시예 1에서, PET 기판으로 물 접촉각이 75.16°, 글리세롤 접촉각이 73.02°로 표면 에너지가 28.72 mJ/㎡ (polar 19.96, dispersive 8.76)인 것을 사용한 것을 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 은 나노와이어 코팅층의 물 접촉각은 34.27°, 글리세롤 접촉각은 75.34°로 표면 에너지는 142.58 mJ/㎡ (polar 132.41, dispersive 10.17)이었으며, 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 88.19 mN/m인 것을 확인하였다.In Example 1, the PET substrate had a water contact angle of 75.16 °, a glycerol contact angle of 73.02 °, and a surface energy of 28.72 mJ / m 2 (polar 19.96, dispersive 8.76). The contact angle of the nanowire coating layer was 34.27 °, the contact angle of glycerol was 75.34 °, the surface energy was 142.58 mJ / m 2 (polar 132.41, dispersive 10.17), and the adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was 88.19 mN / m .
그 결과 표면처리가 되지 않은 은 나노와이어 코팅층이 기판에서 분리되어 패턴이 형성되지 않음을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the silver nanowire coating layer which had not been subjected to the surface treatment was separated from the substrate and no pattern was formed.
[비교예 2] [Comparative Example 2]
상기 실시예 1에서, 유리 기판으로 water 접촉각이 17.97°, glycerol 접촉각이 28.5°로 표면 에너지가 72.84 mJ/㎡ (polar 63.46, dispersive 9.38)인 것을 사용한 것을 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 은 나노와이어 코팅층의 water 접촉각은 37.78°, glycerol 접촉각은 72.73°로 표면 에너지는 120.47 mJ/㎡ (polar 115.16, dispersive 5.317)이었으며, 상기 은 나노와이어 코팅층과 기판간의 접착력을 계산한 결과 177.23 mN/m인 것을 확인하였다.In Example 1, the glass substrate used had a water contact angle of 17.97 °, a glycerol contact angle of 28.5 °, and a surface energy of 72.84 mJ / m 2 (polar 63.46, dispersive 9.38). The nanowire coating layer had a water contact angle of 37.78 °, a glycerol contact angle of 72.73 °, and a surface energy of 120.47 mJ / m 2 (polar 115.16, dispersive 5.317). The adhesion between the silver nanowire coating layer and the substrate was 177.23 mN / m .
그 결과 표면처리가 된 은 나노와이어 코팅층이 기판에서 분리되지 않아 패턴이 형성되지 않음을 확인하였다.As a result, it was confirmed that the patterned silver nanowire coating layer was not separated from the substrate and thus no pattern was formed.
Claims (10)
b) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 마스크를 위치시키고 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 단계;
c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 친수화 처리된 부분의 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및
d) 상기 기판으로부터 상기 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 수득하는 단계;
를 포함하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.a) applying a metal nanowire solution on a substrate having a surface energy of 35 to 60 mJ / m < 2 > to form a metal nanowire coating layer;
b) placing a mask on the metal nanowire coating layer and performing hydrophilization treatment to hydrophilize the portion without the mask;
c) applying and curing a curable polymer resin on the metal nanowire coating layer to produce a polymer film having a hydrophilicized portion of the metal nanowire coating layer embedded therein; And
d) separating the polymer film embedded with the metal nanowire coating layer from the substrate to obtain a flexible transparent electrode having a patterned metal nanowire layer;
Wherein a pattern is formed on the flexible transparent electrode.
상기 a)단계에서 기판과 나노와이어 코팅층 간의 접착력이 110 내지 160 mN/m인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the adhesion between the substrate and the nanowire coating layer in the step a) is 110 to 160 mN / m.
상기 b)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the hydrophilization treatment is plasma, ultraviolet-ozone, electron beam or ion beam treatment in the step b).
상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method of claim 3,
Wherein the plasma or ion beam treatment uses one or more gases selected from the group consisting of O 2 , H 2 , N 2 and Ar.
상기 b)단계에서 친수화 처리 시, a)단계의 기판(A)과 나노와이어 코팅층(B) 및 상기 c)단계의 친수화 처리된 나노와이어 코팅층(C)과 경화성 고분자 수지(D)의 접착력이 하기 식 1 및 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.
A-B간 접착력 > B-D간 접착력 (식 1)
A-C간 접착력 < C-D간 접착력 (식 2)The method according to claim 1,
In the hydrophilization treatment in the step b), the adhesion between the substrate A and the nanowire coating layer B in step a) and the hydrophilicized nanowire coating layer C and the curable polymer resin D in step c) Wherein the pattern satisfies the following formulas (1) and (2): " (1) "
Adhesion between AB> Adhesion between BD (Equation 1)
AC Adhesion <CD adhesion (Equation 2)
상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal nanowire is selected from silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium A length of 10 to 50 nm, and an aspect ratio of 500 to 800. The method of manufacturing a flexible transparent electrode according to claim 1,
상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어, 친수성 고분자 바인더 및 극성 양자성 용매를 포함하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal nanowire solution comprises a metal nanowire, a hydrophilic polymer binder, and a polar quantum solvent.
상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the application is selected from spin coating, bar coating, and roll to roll coating.
상기 a)단계에서 금속 나노와이어 코팅층의 표면에너지가 110 내지 200 mJ/㎡인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the metal nanowire coating layer has a surface energy of 110 to 200 mJ / m < 2 > in the step a).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170105588A KR102005262B1 (en) | 2017-08-21 | 2017-08-21 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170105588A KR102005262B1 (en) | 2017-08-21 | 2017-08-21 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190020527A KR20190020527A (en) | 2019-03-04 |
KR102005262B1 true KR102005262B1 (en) | 2019-07-31 |
Family
ID=65760153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170105588A KR102005262B1 (en) | 2017-08-21 | 2017-08-21 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102005262B1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102199676B1 (en) * | 2019-05-31 | 2021-01-07 | 서울대학교 산학협력단 | Method for Patterning Carbon NanoTube with Inkjet-Printed Surface Treatment |
KR102340415B1 (en) * | 2019-10-29 | 2021-12-16 | 한국기계연구원 | Manufacturing method of electrode having metal nanowire |
KR102672223B1 (en) * | 2021-11-09 | 2024-06-07 | 국립부경대학교 산학협력단 | Stretchable electrode containing biopolymer and manufacturing method thereof |
CN114678173A (en) * | 2022-04-06 | 2022-06-28 | 重庆工程职业技术学院 | Method for patterning silver nanowires on rough substrate, flexible conductive material with silver nanowire pattern and application |
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KR101685069B1 (en) * | 2016-04-01 | 2016-12-09 | 금오공과대학교 산학협력단 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101705583B1 (en) | 2016-11-30 | 2017-02-13 | 금오공과대학교 산학협력단 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
-
2017
- 2017-08-21 KR KR1020170105588A patent/KR102005262B1/en active IP Right Grant
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KR101685069B1 (en) * | 2016-04-01 | 2016-12-09 | 금오공과대학교 산학협력단 | Manufacturing method of patterned flexible transparent electrode |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190020527A (en) | 2019-03-04 |
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