KR101984524B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101984524B1 KR101984524B1 KR1020120073591A KR20120073591A KR101984524B1 KR 101984524 B1 KR101984524 B1 KR 101984524B1 KR 1020120073591 A KR1020120073591 A KR 1020120073591A KR 20120073591 A KR20120073591 A KR 20120073591A KR 101984524 B1 KR101984524 B1 KR 101984524B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- gas injection
- power supply
- ground
- gas
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 143
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 234
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N ac1l3fa4 Chemical compound [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
본 발명은 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전원 전극은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 전원 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.
챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.
전원 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.
전원 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 전원 전극(20)에 공급한다.
또한, 전원 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.
정합 부재(22)는 전원 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 전원 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.
서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 전원 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.
승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.
가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 전원 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 전원 전극(20) 사이에는 전원 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사구(44)를 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.
이와 같은 종래의 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사하면서 전원 전극(20)에 RF 전력을 공급하여 플라즈마를 형성함으로써 기판(W) 상에 소정의 박막을 형성하게 된다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치는 상기 소스 가스가 분사되는 공간과 상기 플라즈마가 형성되는 공간이 동일하기 때문에, 플라즈마 방전에 의해서 기판(W)이 손상되는 문제가 있고 그에 따라 막질이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 플라즈마 방전에 의한 기판 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위해서, 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전원 전극은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 경사진 직선 형태로 이루어질 수 있다.
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 계단 형태로 이루어질 수 있다.
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어질 수 있다.
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은, 그 일 부분은 경사진 직선 형태로 이루어지고 그 나머지 부분은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어질 수 있다.
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은, 그 일 부분은 계단 형태로 이루어지고 그 나머지 부분은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 접지 전극 프레임은 상기 기판 지지부의 중심부에 형성된 제1 접지 측벽 및 상기 기판 지지부의 가장자리부에 형성된 제2 접지 측벽을 포함하고, 상기 제1 접지 측벽의 높이보다 상기 제2 접지 측벽의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 접지 전극 프레임은 상기 제1 접지 측벽 및 상기 제2 접지 측벽과 연결되는 제3 접지 측벽을 포함하여 이루어지고, 상기 제3 접지 측벽은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 클 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 기판 지지부의 중심부에서의 플라즈마 방전량 보다 상기 기판 지지부의 가장자리부에서의 플라즈마 방전량이 많은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 가스 분사 모듈은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 가스 분사 모듈은 상기 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스 분사 공간을 분리하는 접지 격벽 부재를 포함하여 이루어지고, 상기 접지 격벽 부재는 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 클 수 있다.
상기 제 1 가스 분사 공간 및 제2 가스 분사 공간 모두에 상기 전원 전극이 형성될 수 있다.
상기 제 2 가스 분사 공간에는 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재가 추가로 형성될 수 있다.
상기 전원 전극은 상기 기판 면과 수직 방향으로 연장될 수 있다.
상기 복수의 가스분사모듈 중 어느 하나의 가스 분사모듈에서 분사하는 가스와 다른 하나의 가스분사모듈에서 분사하는 가스는 서로 상이할 수 있다.
상기 복수의 가스분사모듈 중 적어도 하나의 가스 분사모듈은 하나의 가스 분사 공간을 구비할 수 있다.
상기 구성에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 방전이 종래와 같이 전원 전극과 기판 사이의 영역에서 이루어지는 것이 아니라, 가스 분사 모듈을 구성하는 접지 전극 프레임 내에서 이루어지므로 플라즈마 방전에 의한 기판 손상이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 전원 전극 또는 접지 전극 프레임이 기판 지지부의 중심부 보다 기판 지지부의 가장자리부에서의 높이가 크도록 형성함으로써, 회전하는 기판 지지부의 선속도차에 의한 박막의 두께 차를 상쇄하여 결과적으로 기판(W) 상에 균일한 박막이 형성될 수 있다.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전원 전극의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전원 전극의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.
공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통될 수 있다.
챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 기판 지지부(120)의 상부를 복수의 공간으로 분할하도록 형성된 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)는 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 90도 각도로 이격되면서 챔버 리드(115)에 방사 형태로 형성될 수 있다.
공정 챔버(110) 및 챔버 리드(115)는 도시된 것처럼 6각형과 같은 다각형 구조로 형성될 수도 있지만, 원형 또는 타원형 구조로 형성될 수도 있다.
도 2에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 그 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 홀수 개의 모듈 설치부가 구비될 수도 있다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.
전술한 상기 챔버 리드(115)에 의해 밀폐되는 공정 챔버(110)의 반응 공간은 챔버 리드(115)에 설치된 펌핑 관(117)을 통해 외부의 펌핑 수단(미도시)에 연결될 수 있다.
상기 펌핑 관(117)은 챔버 리드(115)의 중심부에 형성된 핌핑 홀(115e)을 통해 공정 챔버(110)의 반응 공간에 연통된다. 이에 따라, 공정 챔버(110)의 내부는 펌핑 관(117)을 통한 펌핑 수단의 펌핑 동작에 따라 진공 상태 또는 대기압 상태가 된다. 이 경우, 반응 공간의 배기 공정은 상기 펌핑 관(117) 및 펌핑 홀(115e)을 이용한 상부 중앙 배기 방식을 이용하게 된다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 펌핑 관(117) 및 펌핑 홀(115e)은 생략이 가능하다.
기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치되며, 전기적으로 플로팅(Floating)될 수도 있고 접지(groud)될 수도 있다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐될 수 있다.
상기 기판 지지부(120)는 소정의 승강기구와 연결되어 승강할 수 있다.
상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)는 원판 형태를 가지도록 형성되어, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼를 지지한다. 이 경우, 생산성 향상을 위해 기판 지지부(120)에는 복수의 기판(W)이 일정한 간격을 가지면서 원 형태로 배치될 수 있다.
가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 이격 배치된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 기판 지지부(120) 위의 가스 분사 영역에 제 1 가스 및 제 2 가스(G1, G2)를 분사한다. 이에 따라, 기판(W) 상에 박막층이 형성된다.
상기 제 1 가스(G1)는 플라즈마 방전에 의해 활성화되어 기판(W) 위로 분사될 수 있으며, 이와 같은 제 1 가스(G1)는 후술하는 소스 가스(SG)와 반응하여 박막층을 형성하는 반응 가스(Reactant Gas)(RG)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스(RG)는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.
상기 제 2 가스(G2)는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)(SG)로 이루어질 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 박막 물질을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)의 박막 물질을 함유하여 이루어진 소스 가스는 TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane), TSA(Trisilylamine), SiH2Cl2, SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10, 및 Si5H12 중에서 선택된 가스일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈의 개략적인 분해 사시도이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈은, 접지 전극 프레임(210), 절연 부재(240), 및 전원 전극(250)을 포함하여 구성된다.
상기 접지 전극 프레임(210)은 플라즈마 방전 공간을 형성하며, 따라서, 상기 접지 전극 프레임(210) 내에서 플라즈마 방전이 이루어진다. 또한, 접지 전극 프레임(210)은 접지 전극으로 기능하여 상기 전원 전극(250)과 함께 플라즈마 방전을 일으킨다.
상기 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a) 및 접지 측벽(210b)을 포함하여 이루어진다.
상기 상면 플레이트(210a)는 상기 접지 전극 프레임(210)의 상면을 구성하는 것으로서 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(도 2의 115)의 해당 모듈 설치부(도 2의 115a, 115b, 115c, 115d)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 절연 부재 지지 홀(212), 제 1 가스 공급 홀(214), 및 제 2 가스 공급 홀(216)이 형성된다. 상기 절연 부재 지지 홀(212)은 상기 절연 부재(240)가 접지 전극 프레임(210) 내부로 삽입될 수 있도록 한다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214) 및 제 2 가스 공급 홀(216)은 상기 접지 전극 프레임(210) 내부로 소스 가스 및 반응 가스가 유입될 수 있도록 한다.
상기 접지 측벽(210b)은 상기 접지 전극 프레임(210)의 측면을 구성하는 것으로서 직사각 형태의 상면 플레이트(210b)의 4변 모두에 형성되어 있다. 즉, 상기 접지 측벽(210b)은 기판 지지부(도 2의 120)의 중심부에 형성된 제1 접지 측벽(210b1), 기판 지지부(도 2의 120)의 가장자리부에 형성된 제2 접지 측벽(210b2), 및 상기 제1 전지 측벽(210b1)과 제2 접지 측벽(210b2)을 연결하는 제3 접지 측벽(210b3)을 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 제1 접지 측벽(210b1)의 높이(D1)보다 상기 제2 접지 측벽(210b2)의 높이(D2)가 크게 형성된다. 이는, 기판 지지부(도 2의 120)의 중심부에서 증착되는 박막과 기판 지지부(도 2의 120)의 가장자리부에서 증착되는 박막 사이의 두께 균일화를 위한 것이다.
즉, 도 2를 참조하면, 기판 지지부(120)가 회전을 하면 그 중심부에서의 선속도가 그 가장자리부에서의 선속도보다 느리게 된다. 따라서, 기판 지지부(120)의 중심부에서 증착되는 박막의 두께가 기판 지지부(120)의 가장자리부에서 증착되는 박막의 두께보다 두껍게 되는 문제가 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판 지지부(120)의 중심부에 형성된 제1 접지 측벽(210b1)의 높이(D1)보다 기판 지지부(120)의 가장자리부에 형성된 제2 접지 측벽(210b2)의 높이(D2)를 크게 형성함으로써, 기판 지지부(120)의 중심부보다 기판 지지부(120)의 가장자리부에서 보다 많은 박막 증착이 이루어질 수 있도록 하여 기판 지지부(120)의 선속도차에 의한 박막의 두께 차를 상쇄함으로써, 결과적으로 기판(W) 상에 균일한 박막이 형성될 수 있도록 한 것이다.
한편, 본 명세서에서 어떤 구성의 높이는 그 구성에 대한 상하방향에서의 길이를 의미한다.
상기 절연 부재(240)는 전원 전극과 접지 전극으로 기능하는 접지 전극 프레임(210) 사이를 절연시키는 기능을 한다. 이와 같은 절연 부재(240)는 상기 접지 전극 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(212)에 삽입된다. 또한, 상기 절연 부재(240)에는 전극 삽입홀(241)이 구비되어 있어서 상기 전극 삽입 홀(241)을 통해 전원 전극(250)이 접지 전극 프레임(210) 내부로 삽입된다.
상기 전원 전극(250)은 상기 절연 부재(240)의 전극 삽입 홀(241)을 통해서 접지 전극 프레임(210) 내로 삽입된다. 따라서, 전원 전극(250)과 접지 전극 프레임(210) 사이에서 플라즈마 방전이 일어난다.
상기 전원 전극(250)은 사각형 형태로 이루어질 수 있는데, 이때, 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이(L2)를 크게 형성할 수 있으며, 그 이유는 전술한 제1 접지 측벽(210b1)의 높이(D1)보다 제2 접지 측벽(210b2)의 높이(D2)를 크게 형성한 이유와 동일하다. 즉, 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이(L2)를 크게 형성함으로써, 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽에서 보다 많은 플라즈마 방전을 일으키고, 그에 따라 기판 지지부(120)의 가장자리 쪽에서 상대적으로 많은 이온 해리 효과를 얻을 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전원 전극(250)의 단면도이다.
도 5a에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 경사진 직선 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다.
도 5b에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 계단 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다.
도 5c에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 경사진 직선 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)도 경사진 직선 형태로 이루어진다. 다만, 상기 제3 변(250c)의 경사와 상기 제4 변(250d)의 경사는 서로 반대방향이다.
도 5d에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)은 경사진 직선 형태로 이루어진다.
도 5e에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 그 일 부분(예로서, 기판 지지부(120)의 가장자리부에 가까운 부분)은 경사진 직선 형태로 이루어지고 그 나머지 부분(예로서, 기판 지지부(120)의 중심부에 가까운 부분)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다.
도 5e에서 알 수 있듯이, 전원 전극(250)은 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성한다.
이때, 상기 제1 변(250a)의 하단과 제2 변(250b)의 하단을 연결하는 제3 변(250c)은 그 일 부분(예로서, 기판 지지부(120)의 가장자리부에 가까운 부분)은 계단 형태로 이루어지고 그 나머지 부분(예로서, 기판 지지부(120)의 중심부에 가까운 부분)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다. 또한, 상기 제1 변(250a)의 상단과 제2 변(250b)의 상단을 연결하는 제4 변(250d)은 기판 지지부(120)와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진다.
이상은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 전원 전극(250)의 모습을 도시한 것으로서, 본 발명에 따른 전원 전극(250)이 도 5a 내지 도 5d로 한정되는 것은 아니고, 본 발명에 따른 전원 전극(250)은 상기 제1 변(250a)의 높이(L1) 보다 상기 제2 변(250b)의 높이(L2)를 크게 형성하는 다양한 모습으로 변경될 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 전술한 도 4의 제3 접지 측벽(210b3)도 도 5a 내지 도 5d에 도시한 전원 전극(250)과 마찬가지로 다양한 형태로 변경될 수 있다.
즉, 제3 접지 측벽(210b3)은 전원 전극(250)과 평행하게 배열되는 것으로서, 상기 제3 접지 측벽(210b3)도 기판 지지부(120)의 중심부 쪽의 제1 변의 높이 보다 기판 지지부(120)의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이를 크게 형성하며, 이때, 상기 제1 변의 하단과 제2 변의 하단을 연결하는 제3 변 및 상기 제1 변의 상단과 제2 변의 상단을 연결하는 제4 변의 형태는 다양하게 변경될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈의 단면도로서, 이는 도 4의 A-A' 라인의 단면에 해당한다. 이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈에 대해서 보다 상세히 설명하기로 한다.
제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은, 도 6에서 알 수 있듯이, 접지 전극 프레임(210), 가스 홀 패턴 부재(230), 절연 부재(240), 및 전원 전극(250)을 포함하여 구성된다.
접지 전극 프레임(210)은 제 1 가스(G1)를 분사하는 제 1 가스 분사 공간(S1)과 제 2 가스(G2)를 분사하는 제 2 가스 분사 공간(S2)을 가지도록 형성된다. 이러한 접지 전극 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 각 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a), 접지 측벽(210b), 및 접지 격벽 부재(210c)로 이루어진다.
상면 플레이트(210a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 해당 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 절연 부재 지지 홀(212), 제 1 가스 공급 홀(214), 및 제 2 가스 공급 홀(216)이 형성된다.
절연 부재 지지 홀(212)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 절연 부재 지지 홀(212)은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성될 수 있다.
제 1 가스 공급 홀(214)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 1 가스 공급 홀(214)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 1 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 1 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스(G1), 즉 상기 반응 가스를 공급받는다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)은 상기 절연 부재 지지 홀(212)의 양측에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통될 수 있다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되어 제 1 가스 분사 공간(S1) 내에서 플라즈마 방전에 의해 활성화되고, 제 1 압력으로 기판 쪽으로 하향 분사된다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 공간(S1)의 하면은 상기 제 1 가스(G1)가 기판 쪽으로 하향 분사되도록 별도의 가스 분사 홀 패턴 없이 전체적으로 개구된 형태를 갖는 제 1 가스 분사구(231)의 역할을 한다.
제 2 가스 공급 홀(216)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 2 가스 공급 홀(216)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 2 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 2 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 2 가스(G2), 즉 상기 소스 가스를 공급받는다. 상기 제 2 가스 공급 홀(216)은 상면 플레이트(210a)에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통될 수 있다.
복수 개의 접지 측벽(210b) 각각은 상면 플레이트(210a)의 장변 및 단변 가장자리 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(210a)의 하부에 사각 형태의 하면 개구부를 마련한다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지되어 접지 전극의 역할을 한다.
접지 격벽 부재(210c)는 상면 플레이트(210a)의 중앙 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(210b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(210c)에 의해서 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)이 서로 분리된다. 이와 같은, 상기 접지 격벽 부재(210c)는 접지 전극 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 전극 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.
상기 접지 격벽 부재(210c)는 전술한 제3 접지 측벽(210b3)과 동일한 형태로 형성된다.
전술한 접지 전극 프레임(210)의 설명에서는 접지 전극 프레임(210)이 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)로 구성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)가 서로 일체화된 하나의 몸체가 형성될 수 있다.
한편, 상기 접지 전극 프레임(210)의 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 변경이 가능하다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전하는 기판(W)이 제 2 가스(G2)에 먼저 노출된 후 제 1 가스(G1)에 노출되도록 설정될 수도 있고, 제1 가스(G1)에 먼저 노출된 후 제2 가스(G2)에 노출되도록 설정될 수도 있다.
가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 설치되어 상기 접지 격벽 부재(210c)를 사이에 두고 인접한 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 즉, 상기 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투할 경우, 제 2 가스 분사 공간(S2) 내에서 상기 제 1 가스(G1)와 상기 제 2 가스(G2)가 반응할 수 있고, 이로 인해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되어 기판에 떨어지는 파티클이 생성될 수도 있다. 따라서, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 이와 같은 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되는 것을 방지하는 기능을 하는 것이다.
상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면을 덮도록 제 2 가스 분사 공간(S2)을 마련하는 접지 측벽들(210b)과 접지 격벽 부재(210c) 각각의 하면에 일체화되거나, 극성을 가지지 않는 절연 재질의 절연판(또는 샤워 헤드) 형태로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면에 결합될 수 있다. 이에 따라, 접지 전극 프레임(210)의 상면 플레이트(210a)와 가스 홀 패턴 부재(230) 사이의 제 2 가스 분사 공간(S2)에는 소정의 가스 확산 공간 또는 가스 버퍼링 공간이 마련된다.
상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 공급 홀(216)을 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급된 제 2 가스(G2)를 기판 쪽으로 하향 분사하는 복수의 제 2 가스 분사구(232)를 포함하여 구성된다.
상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)는 상기 제 2 가스(G2)가 확산되는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 홀 패턴 형태로 형성되어 상기 제 2 가스(G2)를 상기 제 1 가스(G1)의 분사 압력보다 높은 제 2 압력으로 기판 쪽으로 하향 분사한다. 이와 같이, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 기판 상에 분사되는 제 2 가스(G2)의 분사 압력을 높여줘 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다.
또한, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사구(232)를 통해 상기 제 2 가스(G2)를 하향 분사하고, 홀이 형성된 판형상으로 인해 상기 제 2 가스(G2)를 지연시키거나 정체시켜 제 2 가스(G2)의 사용량을 감소시킬 수 있다. 게다가, 가스 분사구(232)의 홀 패턴 형상을 조절 함으로서 가스의 유량을 조절할 수 있어서 상기 제 제 2 가스(G2)의 사용 효율성을 증대시킨다.
절연 부재(240)는 절연 물질로 이루어져 접지 전극 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(212)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 전극 프레임(210)의 상면에 결합된다. 이러한 절연 부재(240)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되는 전극 삽입 홀을 포함하여 구성된다.
전원 전극(250)은 도전성 재질로 이루어져 절연 부재(240)의 전극 삽입 홀에 관통 삽입되어 접지 전극 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 배치된다. 이때, 전원 전극(250)은 접지 전극으로 기능하는 접지 격벽 부재(210c) 및 접지 전극 프레임(210)의 측벽(210b)과 동일한 높이로 돌출될 수 있다.
상기 전원 전극(250)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마 방전을 일으킨다. 즉, 상기 플라즈마 방전은 접지 전극의 역할을 하는 접지 측벽(210b) 및 접지 격벽 부재(210c) 각각과 플라즈마 전원이 공급되는 전원 전극(250) 사이에 발생됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)를 활성화시킨다.
플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.
한편, 상기 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속된다. 상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.
전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 전원 전극(250)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마 방전을 발생시켜 제 1 가스 분사 공간(S1)의 제 1 가스(G1)를 활성화하여 하향 분사함과 동시에 가스 홀 패턴 부재(230)를 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 제 2 가스(G2)를 소정의 압력으로 하향 분사한다.
한편, 상기 제1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)에서 분사하는 가스(예로서, 제1 가스(G1) 및/또는 제2 가스(G2))가 각각의 가스 분사 모듈에서 모두 동일할 필요는 없고, 서로 상이할 수 있으며, 그에 따라 상이한 복수의 층(layer)이 적층될 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈은 제1 가스 분사 공간(S1) 및 제2 가스 분사 공간(S2)을 구비하지 않고 하나의 가스 분사 공간만을 구비할 수 있으며, 이 경우 하나의 가스 분사 모듈에서는 소스가스를 분사하고 다른 하나의 가스 분사 모듈에서는 반응가스를 분사하여 ALD(atomic layer deposition)에 의해 적층되는 것과 같은 특성을 갖는 층을 얻을 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈은 제1 가스 분사 공간(S1) 및 제2 가스 분사 공간(S2)이 서로 동일한 크기로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 서로 상이한 크기로 형성될 수도 있다.
이와 같은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법은 다음과 같다.
공정 챔버(110) 내에 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 설치하고 기판 지지부(120) 상에 적어도 하나의 기판(W)을 안착시킨다.
그 후, 상기 기판 지지부(120)를 회전시키고, 플라즈마 방전을 일으키면서 복수 개의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈을 통해 제 1 가스(G1) 및 제 2 가스(G2)를 기판(W) 상으로 하향 분사하는 박막 형성 공정을 수행한다. 이에 따라, 기판(W) 상에 박막층이 형성된다.
이상과 같이, 본 발명은 반응 가스 및 소스 가스가 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스 분사 공간(S1) 및 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 개별적으로 분사되므로 반응 가스 및 소스 가스에 대한 개별적인 제어가 가능하여, 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 방전 공간이, 종래와 같이 전원 전극과 기판 사이의 영역에 형성되는 것이 아니라, 서로 마주하는 전원 전극과 접지 전극 사이에서 형성되어 있어 플라즈마 방전에 의한 기판(W) 손상이 방지될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전원 전극(250)과 접지 전극이 기판(W) 면에 대해서 수직 방향으로 연장되어 있기 때문에, 플라즈마 방전에 의해서 생성되는 양이온 또는 전자가 기판(W) 면으로 이동하지 않고, 기판(W) 면에 평행한 방향인 전원 전극(250) 또는 접지 전극 방향으로 이동하고, 따라서 플라즈마 방전에 의한 기판(W) 영향을 최소화할 수 있다.
또한, 종래에는 기판 상의 전영역에 소스 가스가 분사되므로 소스 가스의 사용 효율성이 저하되는 반면, 본 발명에 따르면 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 사용함으로써 소스 가스의 사용 효율성이 향상될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 6에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에 전원 전극(250)을 추가로 형성한 것이다. 이하에서는, 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 전원 전극(250)이 추가로 형성된다. 이를 위해서, 제2 가스 분사 공간(S2)에 연통되면서 상면 플레이트(210a)를 관통하는 절연 부재 지지 홀(215)이 형성되고, 절연 부재(240)가 상기 절연 부재 지지 홀(215)에 삽입된다. 이때, 상기 절연 부재(240)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되는 전극 삽입 홀을 포함하여 구성되어 있어, 전원 전극(450)이 전극 삽입 홀을 관통하여 돌출되어 있다.
이와 같이, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 형성되는 전원 전극(250)의 구조는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 형성되는 전원 전극(250)의 구조와 동일할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 6에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 가스 홀 패턴 부재(230)를 생략한 것이다. 즉, 가스 홀 패턴 부재(230)에 의해서 전술한 바와 같은 이점을 얻을 수 있지만, 가스 홀 패턴 부재(230)가 반드시 필요한 것은 아니다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 7에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 가스 홀 패턴 부재(230)를 생략한 것이다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
120: 기판 지지부 130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈 130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈 130d: 제 4 가스 분사 모듈
140: 플라즈마 전원 공급부 210: 접지 전극 프레임
230: 가스 홀 패턴 부재 250: 전원 전극
120: 기판 지지부 130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈 130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈 130d: 제 4 가스 분사 모듈
140: 플라즈마 전원 공급부 210: 접지 전극 프레임
230: 가스 홀 패턴 부재 250: 전원 전극
Claims (16)
- 공정 챔버;
적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고,
이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 전원 전극은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 경사진 직선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 계단 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은, 그 일 부분은 경사진 직선 형태로 이루어지고 그 나머지 부분은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원 전극의 제1 변의 하단과 상기 전원 전극의 제2 변의 하단을 연결하는 상기 전원 전극의 제3 변은, 그 일 부분은 계단 형태로 이루어지고 그 나머지 부분은 상기 기판 지지부와 수평을 이루는 직선 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 공정 챔버;
적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고,
이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임 및 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 접지 전극 프레임은 상기 기판 지지부의 중심부에 형성된 제1 접지 측벽 및 상기 기판 지지부의 가장자리부에 형성된 제2 접지 측벽을 포함하고,
상기 제1 접지 측벽의 높이보다 상기 제2 접지 측벽의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 접지 전극 프레임은 상기 제1 접지 측벽 및 상기 제2 접지 측벽과 연결되는 제3 접지 측벽을 포함하여 이루어지고, 상기 제3 접지 측벽은 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 공정 챔버;
적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하도록 구성된 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고,
이때, 상기 가스 분사 모듈은 플라즈마 반응 공간을 형성하는 접지 전극 프레임, 상기 접지 전극 프레임 내에 형성되어 상기 접지 전극 프레임과 함께 플라즈마 방전을 일으키는 전원 전극, 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간, 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간, 및 상기 제 1 가스 분사 공간과 제 2 가스 분사 공간을 분리하는 접지 격벽 부재를 포함하여 이루어지며,
상기 접지 격벽 부재는 상기 기판 지지부의 중심부 쪽의 제1 변의 높이보다 상기 기판 지지부의 가장자리부 쪽의 제2 변의 높이가 크게 형성되고,
상기 기판 지지부의 가장자리부에서의 플라즈마 방전량은 상기 기판 지지부의 중심부에서의 플라즈마 방전량 보다 많은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120073591A KR101984524B1 (ko) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 기판 처리 장치 |
| PCT/KR2013/005986 WO2014007572A1 (ko) | 2012-07-06 | 2013-07-05 | 기판 처리 장치 |
| TW102124265A TWI594299B (zh) | 2012-07-06 | 2013-07-05 | 基板處理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120073591A KR101984524B1 (ko) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140006505A KR20140006505A (ko) | 2014-01-16 |
| KR101984524B1 true KR101984524B1 (ko) | 2019-05-31 |
Family
ID=49882263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120073591A KR101984524B1 (ko) | 2012-07-06 | 2012-07-06 | 기판 처리 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101984524B1 (ko) |
| TW (1) | TWI594299B (ko) |
| WO (1) | WO2014007572A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016200506B4 (de) * | 2016-01-17 | 2024-05-02 | Robert Bosch Gmbh | Ätzvorrichtung und Ätzverfahren |
| KR102483547B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2023-01-02 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치 |
| KR20210065054A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 주식회사 원익아이피에스 | 가스 공급 블록 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| CN116368603A (zh) * | 2020-10-22 | 2023-06-30 | 周星工程股份有限公司 | 基板处理设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3595853B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2004-12-02 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| KR100552378B1 (ko) * | 2002-10-07 | 2006-02-15 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조 |
| KR100646017B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2006-11-15 | 주식회사 아토 | 가스 분리형의 다수의 공동 전극을 이용한 샤워헤드 |
| KR20070088184A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비 |
| KR101339699B1 (ko) * | 2007-04-02 | 2013-12-10 | (주)소슬 | 플라즈마 식각 장치 |
| KR101515149B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2015-04-24 | 참엔지니어링(주) | 플라즈마 차폐 어셈블리 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 |
| KR101373746B1 (ko) * | 2010-08-17 | 2014-03-14 | 세메스 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 |
-
2012
- 2012-07-06 KR KR1020120073591A patent/KR101984524B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-07-05 TW TW102124265A patent/TWI594299B/zh active
- 2013-07-05 WO PCT/KR2013/005986 patent/WO2014007572A1/ko active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014007572A1 (ko) | 2014-01-09 |
| TW201413785A (zh) | 2014-04-01 |
| KR20140006505A (ko) | 2014-01-16 |
| TWI594299B (zh) | 2017-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102061749B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| TWI595111B (zh) | 基板處理設備以及方法 | |
| CN108277478B (zh) | 基板加工装置及基板加工方法 | |
| KR20170022459A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102014877B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101984524B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101690971B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101954758B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101929481B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101863652B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101834984B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
| KR101987138B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102046391B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102029952B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101977917B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102405776B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR101943073B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102143146B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20190070311A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102254808B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102361069B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20190051929A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20190015424A (ko) | 기판 지지 장치 | |
| KR102362305B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102076512B1 (ko) | 기판 처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |