KR101977049B1 - 실리콘 잉곳의 초크랄스키 성장을 위한 측면공급장치 - Google Patents

Abstract

성장챔버, 격리밸브, 공급원료를 함유하는 공급챔버, 및 공급장치를 포함하는 초크랄스키 성장장치가 개시되어 있다. 상기 격리밸브는 상기 성장챔버의 적어도 하나의 측벽에 배치되고, 상기 공급챔버는 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버에 진공 밀봉된다. 상기 공급장치는 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버 내로 삽입될 수 있고, 공급원료를 상기 성장챔버 내로 공급한다. 바람직하게는, 이 장치는 연속적인 초크랄스키법을 사용하여 실리콘 잉곳들을 제조하기 위해서 사용될 수 있다.

Description

실리콘 잉곳의 초크랄스키 성장을 위한 측면공급장치{SIDE FEED SYSTEM FOR CZOCHRALSKI GROWTH OF SILICON INGOTS}

관련출원의 상호참조

본 출원은 2011년 4월 20일에 출원된 미국 가출원번호 제 61/477,435 호의 우선권을 주장한다.

본 출원은 결정 잉곳들의 초크랄스키(Czochralski) 성장에 관한 것이며, 특히 결정 잉곳들의 연속적인 초크랄스키 성장을 위한 공급원료의 반복적인 공급을 위한 공급장치에 관한 것이다.

여러가지 타입의 광기전 태양전지가 개발되었는데 그중에서 가장 효율적이고 경제적인 전지들중 하나는 실리콘 집적회로에 널리 사용되고 있는 것과 유사한 것으로서 초크랄스키법에 의해서 성장한 실리콘 웨이퍼를 기초로한 것이다. 초크랄스키법에 있어서, 실리콘은 도가니에서 약 1,420℃의 온도에서 액체상태로 용융된다. 소정 결정배향의 작은 결정 실리콘 시드는 용융물과 접촉하여 점진적으로 움츠러들게된다. 온도의 적당한 조절을 통해서 액체 실리콘은 시드와 동일한 배향으로 결정 시드상에서 냉각된다. 그러면, 시드는 1미터 이상의 최종 길이와, 잉곳이 시드의 직경으로부터 원하는 잉곳 직경으로 확장됨에 따라서 초기 인발에 의해서 결정되는 수백밀리미터의 직경을 갖는 실리콘의 성장 결정잉곳을 형성하도록 용융물로부터 천천히 솟아 오른다. 통상적인 집적회로기판 응용에 있어서, 배치 CZ가 실행되는데, 이때 도가니는 소위 버진 폴리(virgin poly) 또는 단순히 폴리실리콘으로 불리우는 반도체급(EG) 실리콘의 초기전하로 채워진다. 그러면, 도가니는 가열되고, 도가니를 실질적으로 고갈시키도록 하나의 잉곳이 취출되고, 하나의 잉곳형성 후에 도가니는 폐기된다. 냉각된 잉곳은 대체로 밀리미터보다 작은 두께를 갖는 원형의 단결정 웨이퍼를 형성하도록 잘라내어진다(여기에서는 반도체급 실리콘 및 통상적인 초크랄스키 공정에 대한 토론을 위해서 참조로서 통합된 Wolf and Taber, Silicon Processing for the VLSI Era, vol. 1: Process Technology, Lattice Press, 1986, pp. 5-21 참조).

그러나, 태양전지 응용은 실리콘 집적회로보다 비용에 훨씬 민감하다. 한가지 해법은 CZ 도가니를 금속급(MG) 실리콘으로 채우는 것이다. 특히, 각각의 잉곳 제조후에 도가니를 교체하는데에는 맣은 비용이 들고 도가니에 남아있는 잔류 실리콘의 손실이 발생하게 된다. 또한, 도가니를 교체하고 재가열하기 위해서는 시간이 필요하고 따라서 도가니 챔버의 처리량이 크게 줄어들게 된다.

연속적인 초크랄스키(CCZ) 성장에 개입되는 태양전지 실리콘의 비용을 줄이기 위한 한가지 해법이 많은 세월동안 알려져 왔지만, 폭넓게 실행되지는 못하였다. 태양전지에 대한 용도로서 최근에 제안된 것으로는 Bender에게 허여된 미국특허 7,635,414와 Williams 등이 출원한 미국 특허출원 제 2011/0006240 호를 들 수 있다. CCZ는 다중 잉속들을 단일 도가니로부터 인발하는 것을 허용하지만, 대체적으로 가열되어 있는 작은 도가니 내로 새로운 실리콘을 보충할 필요가 있으며, 가장 바람직하게는 잉곳들중 하나를 도가니 용융물로부터 인발하는 것이다. 그러나, 높은 품질의 단결징 잉곳들의 인발을 위해서는, 치밀하게 조절되는 온도조건, 임계적인 용융물 수위조절, 아르곤과 같은 비활성 분위기가 필요하다. 초크랄스키 도가니로 실리콘 공급원료를 보충하는 것은 CCZ의 도전과제중 하나이다.

그러므로, 초크랄스키 성장장치, 특히 연속적인 초크랄스키 성장장치로 공급원료를 연속적으로 제공할 수 있는 공급장치의 개발 필요성이 존재한다.

본 발명은 성장챔버, 격리밸브, 공급원료를 함유하는 공급챔버, 및 공급장치를 포함하는 초크랄스키 성장장치에 관한 것이다. 상기 성장챔버는 도가니, 측벽, 상부벽, 상기 도가니를 지지하기 위한 받침대, 상기 도가니에 함유된 용융물과 접촉하기 위한 시드를 접이식으로 지지하는 끌어당김 기구를 포함한다. 상기 격리밸브는 상기 성장챔버의 적어도 하나의 측벽에 배치되고, 상기 공급챔버는 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버에 진공 밀봉된다. 상기 공급장치는 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버 내로 삽입될 수 있고, 공급원료를 상기 성장챔버 내로 공급한다. 또한, 상기 공급챔버는 상기 성장챔버로부터 상기 공급챔버내로 제거될 수 있고, 상기 격리밸브가 닫히면 상기 성장챔버에서 사용후 버릴 수 있다. 바람직하게는, 상기 초크랄스키 성장장치는 상기 성장챔버 내에 고정된 드롭박스를 더 포함한다. 상기 드롭박스는 상기 도가니 위로 위치한 분출구 뿐만아니라 상기 공급장치로부터 공급원료를 받기 위한 경사진 바닥을 갖는다.

상기한 일반적인 설명과 다음의 상세한 설명은 예시적인 것이고 단지 설명을 위한 것이며 청구한 바와 같은 본 발명의 설명을 제공하기 위해서 의도된 것임을 이해할 수 있을 것이다.

본 발명은 결정 잉곳들의 초크랄스키(Czochralski) 성장에 관한 것이며, 특히 결정 잉곳들의 연속적인 초크랄스키 성장을 위한 공급원료의 반복적인 공급을 위한 공급장치를 제공한다.

도 1은 본 발명의 초크랄스키 성장장치의 실시 예의 단면도이다.
도 2 및 도 6은 본 발명의 초크랄스키 성장장치를 위한 공급장치의 실시 예들의 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 초크랄스키 성장장치를 위한 드롭박스(drop box)의 실시 예의 정투영 조립도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 초크랄스키 성장장치를 위한 공급장치 팬의 실시 예를 나타낸 도면들이다.

본 발명은 초크랄스키 성장장치 및 상기 초크랄스키 성장장치로 공급원료를 제공하기 위한 공급장치에 관한 것이다.

본 발명의 초크랄스키 성장장치는 실리콘 잉곳과 같은 잉곳이 제조되는 성장챔버를 포함한다. 성장챔버는 실리콘과 같은 공급원료를 함유하는 도가니가 제공되는 가열공간을 형성하는 측벽들 및 상부벽을 포함한다. 공급원료는 하나 또는 그 이상의 받침대에 의해서 지지될 수 있는 성장챔버 내에 있는 도가니에서 용융되며, 실리콘 잉곳은 해당 기술분야에 알려진 기술을 사용하여 용융물로부터 성장될 수 있다. 그러므로, 예를 들면, 성장챔버는 성장챔버의 상부벽으로부터 접이식 케이블 과 같이 작은 결정실리콘이 지지되는 견인기구를 더 포함할 수 있다. 소정의 결정배향을 갖는 시드는 용융물과 접촉하여 점진적으로 움츠러들게 된다. 온도의 적절한 조절을 통해서, 액체 실리콘은 시드의 것과 동일한 배향을 갖는 결정 시드 상에서 얼게 된다. 그러면, 시드는 원하는 최종 길이와 직경을 갖는 실리콘의 성장하는 결정잉곳을 형성하기 위해서 용융물로부터 천천히 융기하게 된다. 견인기구를 지지하는 하나 또는 그 이상의 부하 전지들이 성장챔버 내로의 공급원료 공급을 활성화하기 위하여 부하 전지들에 반응하여 제어수단과 함께 사용될 수 있다.

성장챔버에 있는 도가니는 고체와 액체 실리콘 공급원료를 함유할 수 있고 실리콘 결정성장에서 사용하기 위한 것으로 알려져 있다. 예를 들면, 도가니는 석영도가니가 될 수 있거나, 또는 석영 내부라이너를 함유하는 흑연 도가니가 될 수 있다. 도가니는 성장장치의 기하학에 의존하는 단면형상을 가질 수 있는데, 통상적으로는 원형의 단면형상을 갖는다. 바람직하게는, 도가니는 내부성장영역과 외부공급영역을 포함하며, 이 영역들은 서로 유체 연결된다. 내부영역은 견인기구 아래에 위치하고, 그러므로 외부영역이 공급원료를 포함하는 동안에 성장이 개시되고 공급원료가 용융될때 잉곳이 성장함에 따라서 내부영역으로 추가적인 재료가 공급된다. 예를 들면, 도가니는 도가니를 내부영역과 외부영역으로 나누는 벽 또는 다른 분리수단을 포함할 수 있다. 분리기는 구멍이나 파이프와 같은 개구부를 구비하는데, 이것은 두 영역들 사이에서 제한된 유체 연결을 제공하며, 그에 따라서 재료가 결정화공정에 의해서 내부성장영역으로부터 제거되고 신선한 재료가 공급영역으로부터 도입될 수 있다.

본 발명의 초크랄스키 성장장치는 성장챔버에 부착된 격리밸브를 더 포함한다. 격리밸브는 성장챔버의 측벽이나 상부벽중 적어도 하나에 배치되는 것을 포함하여 성장챔버를 따라서 소정의 장소에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 아래에서 보다 상세하게 설명하는 바와 같이, 공급원료의 운반을 용이하게 하기 위하여, 격리밸브는 성장챔버의 측벽에 배치된다. 격리밸브는 해당 기술분야에 잘 알려진 것이 될 수 있지만, 여기에서는 참조로서 통합된 미국특허출원 공개번호 제 2011/0006235 호, 제 2011/0006236 호 및 제 2011/0006240 호에 게시된 바와 같이 팽창가능한 수냉식 게이트를 갖는 게이트 밸브로 이루어진다.

또한, 본 발명의 초크랄스키 성장장치는 격리밸브를 통해서 성장챔버에 바람직하게는 진공 밀봉된 공급챔버 및 상기 격리밸브를 통해서 성장챔버 내로 삽입될 수 있는 공급장치를 또한 포함한다. 공급챔버는 실리콘과 같은 공급원료를 함유하며, 공급장치는 공급원료를 성장영역내로 공급한다. 공급장치는 성장챔버로부터 공급챔버 내로 제거될 수 있으며, 격리밸브가 폐쇄된 성장챔버 내에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 초크랄스키 성장장치는 공급장치로부터 공급원료를 수용하기 위하여 성장챔버 내부에 고정된 드롭박스를 더 포함한다. 예를 들면, 드롭박스는 경사진 바닥 및 도가니 위로 위치한 분출구(spout)를 가질 수 있고, 그래서 공급장치로부터 제공된 공급원료는 드롭박스에 들어갈 수 있고 상당한 스플래시 현상없이 도가니로 추가된다. 드롭박스의 바닥의 경사는 예를 들어 도가니 위에서 드롭박스의 높이와 공급원료 추가의 원하는 비율에 따라서 변할 수 있다. 예를 들면, 경사진 바닥은 약 30°내지 약 60°범위의 각도로 경사질 수 있다. 내부와 외부 영역들을 갖는 도가니에 있어서, 바람직하게는 드롭박스의 분출구가 외부 공급영역 위로 위치한다. 드롭박스는 예를 들어 실리콘 카바이드와 같이 높은 탄성율의 비-오염 물질을 포함하여 높은 온도 결정성장 로에서의 온도와 조건들을 견딜 수 있는 해당 기술분야에 알려진 재료로 이루어질 수 있다.

공급챔버는 공급원료 물질이 배치된 콘테이너를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 콘테이너는 공급장치 위로 위치한 바닥 분출구와 깔대기 형상을 이루는 호퍼를 포함할 수 있다. 이러한 예에 있어서, 공급장치는 예를 들어 실리콘 카바이드와 같이 높은 탄성율의 비-오염 물질을 포함하여 높은 온도 결정성장 로에서의 온도와 조건들을 견딜 수 있는 해당 기술분야에 알려진 재료로 형성되는 공급장치 팬을 포함할 수 있다. 공급장치 팬은 격리밸브를 통해서 성장챔버 내로 삽입될 수 있는 수용영역에 연결된 인젝터 영역을 따라서 공급원료가 콘테이너로부터 수용되는 수용영역을 포함할 수 있다. 호퍼의 분출구는 수용영역의 측벽들 내에 위치할 수 있다. 바람직하게는, 인젝터 영역의 단면은 수용영역의 단면보다 작다. 또한, 인젝터 영역은 예를 들어 수직선에 대하여 서로 반대되는 벽들과 함께 브이(V) 형상을 이루는 것을 포함하여 오목한 단면형상을 갖는 바닥을 구비할 수 있다. 오목한 바닥의 경사는 예를 들어 성장챔버내로 공급되는 공급원료의 양에 따라서 변할 수 있다. 예를 들면, 인젝터 영역의 벽들은 약 30°내지 약 60°범위의 경사를 가질 수 있다. 또한, 공급장치의 수용영역은 공급원료의 운반을 지원하는 바이브레이터에 의해서 지지될 수 있다. 예를 들면, 바이브레이터는 콘테이너의 호퍼상에서 지지될 수 있고, 적어도 하나의 부하 전지에 의해서 공급챔버에서 지지될 수 있다.

본 발명의 초크랄스키 성장장치는 격리밸브와 공급챔버를 연결하는 하나 또는 그 이상의 벨로즈를 더 포함할 수 있다. 벨로즈는 예를 들어 수동으로 작동하는 퀵 릴리스 커플링을 포함하여 해당 기술분야에 알려진 장치를 사용하여 격리밸브에 연결될 수 있다. 이러한 방식에 있어서, 공급챔버는 성장영역으로부터 이동될 수 있다. 예를 들면, 추가적인 공급원료가 공급챔버로 추가될 필요가 있는 경우에, 공급장치는 공급챔버를 성장챔버로부터 연결을 해제함이 없이 벨로즈를 이동시킴으로써 성장챔버로부터 공급챔버 내로 철수될 수 있다. 공급장치, 격리밸브 및 벨로즈 사이에서 차폐장치가 개재되어 사용될 수 있다. 격리밸브가 개방되고 공급원료가 공급되는 경우에 차폐장치가 성장챔버 내로 삽입될 수 있고, 공급이 완료되고 공급장치는 철수되고 격리밸브는 폐쇄되는 경우에 공급챔버 내로 더 철수될 수 있다. 예를 들면, 차폐장치는 공급챔버에 고정된 후방차폐와, 성장챔버내로 돌출할 수 있고 상기 후방차폐 내로 활주할 수 있는 전방차폐를 포함할 수 있다.

본 발명의 초크랄스키 성장장치의 특정 실시예들과 부품들이 도 1 내지 도 6에 도시되어 있으며, 아래에서 설명된다. 그런데, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 이것은 단지 설명을 위한 것으로서 본 발명을 한정하거나 제한하지 않는다는 것을 명백하게 이해할 수 있을 것이다. 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 본 발명의 영역 내에서 다양한 변경이 가능하고 다른 실시예들로서 구현될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 특별한 구성은 예시적인 것이고 실제의 구성은 특별한 장치에 의존하게 될 것임을 알 수 있을 것이다. 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 단지 통상적인 실험을 사용하여 특별한 요소들에 대한 등가물들을 인식하고 구별할 수 있을 것이다.

연속적인 초크랄스키 성장장치(10)의 예가 도 1에 단면도로서 개략적으로 도시되어 있는데, 중앙축(13) 주위로 배열되고 이중 벽구조의 도가니(16)를 지지하는 받침대(14)를 에워싸는 도가니 챔버(12)를 포함한다. 모터(도시되지 않음)에 연결된 샤프트(18)는 받침대(14)와 도가니(16)를 중앙축(13) 주위로 회전시킨다. 도가니 챔버(12)는 아르곤과 같은 불활성 분위기가스를 공급하기 위한 포트와 주위가스를 배기하여 챔버압력을 줄이기 위한 진공포트를 포함한다.

도가니(16)는 내부성장영역(22)을 한정하는 내벽(20), 및 상기 내벽(20)과 함께 환형의 외부공급영역(26)을 한정하는 외벽(24)을 포함한다. 내벽(20)에 있는 틈새(28)는 외부공급영역(26)과 내부성장영역(22) 사이에 제한된 유체 연결을 제공한다. 추가적인 영역들을 형성하는 추가적인 벽들 및 다른 유동 제어들이 가능하다. 고체 실리콘이 도가니(16)로 공급되고, 측면 히이터(30)와 환형의 바닥 히이터(32)는 도가니(16)를 실리콘의 융점 바로 위의 약 1,420℃의 온도로 가열하며, 그래서 실리콘은 용융되어 내부성장영역(22)을 채우고 외부공급영역(24)은 용융된 실리콘으로 채워진다.

풀 챔버(pull chamber)(40)는 도가니 챔버(12)의 상부로부터 수직하게 상방햐으로 연장되고, 풀러(puller) 격리밸브(42)에 의해서 그곳으로부터 진공 격리된다. 끌어당김 기구(puller mechanism)(44)는 소정의 결정 배향의 결정실리콘 시드(50)를 선택적으로 고정시키기 위해서 자체의 하단부에 구비된 클램프(48)를 갖는 케이블(46)을 지지하고 수축 및 연장시키고 회전시킨다. 작동에 있어서, 끌어당김 기구(44)는 개방된 풀러 격리밸브(42)를 통해서 내부성장영역(22)의 용융표면(34)과 거의 접촉하도록 결정실리콘 시드(50)를 낮춘다. 적당한 온도조건하에서, 내부성장영역의 표면에서 실리콘은 시드의 것과 동일한 결정배향으로 결정실리콘 시드(50)상에서 얼게된다. 끌어당김 기구(44)는 그것이 회전됨에 따라서 결정실리콘 시드(50)를 용융물로부터 천천히 상승시켜서 추가적인 실리콘이 얼게되고 결정이 성장 잉곳(52)을 형성하도록 팽창하게 된다. 초기의 기간 동안에 있어서, 잉곳(52)의 직경은 크라운 영역에서 확장되고, 인발율이 증가하게 되고, 그래서 잉곳(52)의 중앙부분은 예를 들어 200 또는 300mm의 대체로 일정한 직경을 갖는다.

잉곳(52)의 길이가 증가함에 따라서, 풀 챔버(40) 내로 부분적으로 인발될 것이다. 예를 들어 1 내지 2미터와 같이 원하는 최종길이가 달성되는 경우에, 인발율은 감소하는 직경의 잉곳 테일(최종적으로는 용융물을 끊어 놓게 됨)을 형성하기 위해서 더 증가될 것이다. 그러면, 완전한 잉곳이 풀 챔버(40) 내로 완전히 인발되고, 풀러 격리밸브(42)는 풀 챔버(40)를 도가니 챔버(12)로부터 격리하도록 폐쇄된다. 완벽한 잉곳이 충분히 냉각되는 경우에, 풀 챔버(40)로부터 제거되고, 새로운 결정실리콘 시드가 풀러 케이블(46)에 고정되고 그래서 부수적인 잉곳이 동일한 고온 도가니(16)로부터 인발될 것이다.

그러나 CCZ에 있어서, 융융물 표면(34)의 높이는 각각의 잉곳의 인발과정 동안에 적어도 간헐적으로 도가니(16)로 실리콘을 추가공급함으로써 잉곳(52)의 인발과정동안에 대체로 일정하게 유지된다. 도 1의 실시 예에 있어서, 조각이나 펠렛의 형태인 고체 실리콘 입자들(60)이 공급장치(62)에 의해서 공급장치 격리밸브(64)를 통해서 도가니 챔버(12)의 측벽을 선택적으로 통과하여 공급된다. 자체의 격리챔버에 포함된 공급장치(62)는 공급장치(62)로 공급원료를 재공급하거나 그 서비스를 할 수 있도록 허용하기 위해서 폐쇄된 공급장치 격리밸브(64) 및 도가니 챔버(12)로부터 철수될 수 있다. 분출구(66)는 회전하는 외부공급영역(26) 바로 위에 위치하고 그래서 실리콘 입자들(60)은 매우 낮은 속도로 외부공급영역(26) 내로 떨어지고, 용융되며, 결국에는 용융물 표면(34)의 수위를 유지하기 위해서 내부성장영역(22) 내로 공급된다.

공급장치(62)를 도가니 챔버(12) 내로 측면삽입하는 것은 도가니 챔버(12)에 대한 큰 변경없이도 도가니(16)의 영역들의 변경 및 공급원료 드롭 반경의 조정을 가능하게 한다. 그러나, 예를 들어 챔버 내의 부품들의 위치에 따라서 도가니챔버를 따르는 다른 위치들에 공급장치를 위치시킬 수도 있음을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, 공급장치는 도가니(16) 위로부터 공급원료를 제공하도록 도가니 챔버(12)의 상부에 위치된 공급장치 격리밸브를 통해서 삽입된다.

본 발명의 초크랄스키 성장장치의 특정 실시 예의 공급장치(62)에 대하여 많은 요구조건들이 부여되고 있다. 실리콘 입자들은 잉곳 성장과정 동안에 조절된 양으로 운반될 필요가 있다. 실리콘 입자들은 스플래시 현상을 줄이기 위해서 낮은 속도로 용융물로 들어갈 필요가 있다. 공급장치(62)의 일부는 실리콘 용융물 주위로 매우 높은 온도를 경험하게 된다. 또한, 실리콘 입자들(60)과 접촉하는 공급장치(62)의 일부는 실리콘을 오염시키지 않아야 한다. 보충하는 동안에, 통상적으로 호퍼에서 이루어지는 실리콘의 공급은 도가니 챔버(12)의 조절된 주위환경하에 놓여질 필요가 있고, 도가니(16)가 여전히 뜨거운 동안에는 작동의 연장후에 호퍼가 보출될 필요가 있다. 만약 공급장치(62)에서 문제가 발생하면, 도가니(16)가 조절된 환경하에서 뜨겁게 유지되는 동안에도 가능한한 많은 복잡한 부품들에 대한 기술자들의 접근이 가능해야 한다. 실리콘 공급원료는 그것의 공급처에 상관없이 먼지투성이인 경향이 있다.

공급챔버(70)가 도 2에 단면도로서 어느정도 상세하게 도시되어 있으며, 부분적으로 도시된 성장챔버(10)와 경계를 이루고 도가니(16)의 외부공급영역(26)으로 실리콘 공급원료 및 연관된 도판트들을 공급한다. 성장챔버(12)는 도가니(16) 위로 부분적으로 연장되고 풀 챔버(40)를 지지하는 대체로 원통형상의 돔(74)을 갖는 측벽(72)을 포함한다. 드롭박스(76)는 성장챔버 측벽(72) 내부의 원주상 퍼지 링(78)에 고정 장착된다. 도 3의 정투영 조립도에 보다 상세하게 나타낸 바와 같이, 드롭박스(76)는 대체로 직사각형 단면을 가지며, 수평으로 연장되는 수용영역(78)을 포함하는데, 이 영역은 성장챔버 측벽(72)에 형성된 공급 포트(79)에 인접한 개방된 수용단부와 활송장치(80)를 구비하며, 이때 활송장치는 약 30°내지 60°, 예를 들어 45°의 각도로 하방향 경사지게 연장되는 바닥 플로어(81)를 가지는데, 이것은 도가니(16)의 외부공급영역(26) 위로 완벽하게 중첩되는 개방 분출구(82)까지 연장된다. 활송장치(80)의 바닥 플로어(81)는 스플래시 현상을 최소화하기 위해서 그것의 단부가 바람직하게는 겨우 20mm정도 용융물 표면으로부터 떨어지게 분출구(82)까지 연장되고 표면이 매끄러울 필요가 있다. 편리하게는, 드롭박스(76)는 트로프형상(trough-shaped)의 바닥(84)과 덮개(86)에 의해서 형성되는데, 이들 모두는 비록 충분한 순도와 강도를 갖는 다른 내화재료들이 사용될 수 있지만, 실리콘 카바이드와 같이 높은 탄성율의 비-오염 물질로 제조된다.

만약 도가니(16)의 크기나 그 영역들의 위치가 변하면, 드롭박스(76)는 다른 칫수들중 하나로 쉽게 바꾸어질 수 있으며, 아래에서 설명할 공급장치의 삽입정도가 쉽게 조정될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 공급챔버(700는 연속적인 초크랄스키 성장장치(10)의 중앙축(13)으로부터 수평 방사상으로 연장되는 2개의 트랙들(92) 상에서 베어링들(90)에 의해서 이동가능하게 장착된다. 공급챔버(70)는 CCZ 성장장치(10)가 공급챔버(70)에 의해서 작동되고 공급원료를 공급받는 경우에 그것의 분출구(82)가 활송장치(80)의 바닥 플러오(81)위로 중첩되게 공급포트(79)를 통해서 드롭박스(76)의 수용영역(78) 내로 수평으로 삽입될 수 있는 공급장치 팬(94)을 갖는 공급장치를 포함한다. 이에 의해서, 실리콘 공급원료가 공급장치 팬 분출구(96)로부터 분출되는 경우에, 활송장치(80)의 바닥 플로어(81)로 짧은 거리만큼 낙하하고, 분출구(82)로부터 외부공급영역(26)의 용융물 내로 짧은 거리만큼 떨어지기 전에 활송장치(80)의 경사로를 따라서 하방향으로 미끄러진다. 그 결과, 실리콘 공급원료는 비교적 낮은 속도로 용융물에 충돌하고 따라서 상당한 잔물결생성이나 스플래시 현상을 초래하지 않게 된다.

공급장치 팬(94) 및 공급원료를 공급장치 팬(94)으로 공급하는 공급 호퍼(100)는 자체적으로 아르곤 공급과 진공 포트들을 구비한 진공 격리챔버(102) 내에 포함된다. 격리챔버(102)는 도가니 챔버(12)의 중앙축(13)으로부터 반경을 따라서 연장되는 트랙(92)상에 이동가능하게 장착되고, 공급 격리밸브(64)와 벨로즈 어셈블리(106)를 경유하고 공급포트(79)를 통해서 CCZ 성장장치(10)로 진공 연결된다. 공급장치 격리밸브(64)는 바람직하게는 수냉식 팽창가능한 게이트 밸브이며, 이것은 풀러 격리밸브(42)용으로 사용될수도 있다. 공급장치 격리밸브(64)는 공급포트(79) 주위의 플랜지(107)에 볼트 고정되고, 이에 의해서 유지보수를 위해 공급챔버(70)를 CCZ 성장장치(10)로부터 쉽게 분리할 수 있게 된다.

공급 호퍼(100)가 제거가능한 진공-밀봉 해치 덮개(108)를 통해서 보충될 필요가 있는 경우, 또는 성장장치가 계속해서 고온상태인 경우에 도가니(16)가 교체되거나 공급챔버(70)가 서비스를 받아야 하는 경우에, 격리챔버(102)는 공급장치 팬(94)을 공급포트(79)로부터 제거하기 위해서 CCZ 성장챔버(10)로부터 멀어지게 이동하여 공급 격리밸브(64)를 통해서 밖으로 이동하여 벨로즈 어셈블리(106)를 가압하게 된다. 그러면, 공급 격리밸브(64)가 폐쇄되고, 이에 의해서 공급챔버(70)가 CCZ 성장장치(10)로부터 격리되고, 성장장치를 오염시키거나 방해함이 없이 공급장치(70)에 대한 외부적 접근을 가능하게 하며, 공급장치 팬(94)으로 하여금 도가니(16)를 냉각시킬 수 있게 한다.

공급 호퍼(100)는 중앙 축(109) 주위로 배열되고, 비록 라이너는 임의로 선택하는 것이지만 석영으로 안을 대며, 고체 공급원료의 걸림현상을 방지하기 위하여 깔때기 구간(112)과 깔때기 분출구(114) 위로 위치한 뒤집어진 원추형 디플렉터(110)를 갖는다. 도 3을 기준으로 반대쪽 측방향 배향을 갖는 도 4의 정투영 단면도에 도시된 바와 같이, 깔때기 분출구(114)는 대체로 수평방향으로 연장되는 플로어(118)를 갖는 공급장치 팬(94)의 수용 영역(116) 내로 끼워 맞추어진다. 깔때기 분출구(114)의 개방단부는 플로어(118)에 근접하여 위치하지만, 고체 공급원료가 깔때기 분출구(114)로부터 멀어지는 방향으로 이동할 수 있기에는 충분히 멀다. 깔때기 분출구(114)의 바닥 립은 공급원료 입자들의 이동을 용이하게 하기 위해서 하류 방향으로 어느정도 높다. 수용 영역(116)은 대체로 직사각형 단면을 가지며, 활송장치(120)에 연결되는데, 이때 활송장치는 단면이 감소하는 방식으로 인젝터 영역(122)을 향하여 하강하며, 이때 인젝터 영역은 인젝터 영역(122)이 공급 격리밸브(64)와 공급 포트(79)를 통해서 연장될 때 도가니(16)의 외부공급영역(26) 위로 겹치도록 위치하게 되는 공급장치 팬 분출구(96) 쪽으로 수평 연장된다. 인젝터 영역(122)의 바닥은 수평상태, 즉 기울어지지 않았다. 공급장치 팬(94)의 설명된 실시 예는 상부가 개방되어 있지만, 다른 실시 예들은 공급장치 팬의 부분들을 덮을 수도 있다. 이것은 실리콘 카바이드로 제조되거나 드롭박스(76)와 유사하게 다른 내화재료로 제조될 수 있다.

특정하게 알려진 크기분포를 갖는 불규칙한 형상 및 때로는 길다란 실리콘 조각들은 불완전 연소입자들을 함유하게 되는데, 이것들은 입자 유동에 대하여 횡방향으로 이동하는 경향을 가져서 공급장치 팬(94)의 좁은 부분뜰에 끼이게 된다.

따라서, 도 5의 단면도에 도시된 바와 같이, 적어도 인젝터 영역(122)은 불규칙한 형상의 공급원료의 긴 칫수들을 이동방향, 즉, 수평으로 연장되는 채널이나 덕트에 평행한 방향을 따라서 정렬하는 경향을 가져서 공급원료를 조준하는 바닥을 갖는다. 예를 들면, 수직선을 기준으로 약 30°내지 60°, 예를 들면 45°각도로 반대로 경사진 2개의 바닥벽(126)과 2개의 수직한 측벽들(124)에 의해서 형성된 브이(V)자 형상의 단면을 가질 것이다. 바닥벽들(126) 사이의 연결부위는 예리하게 형성되거나 만곡될 것이다. 보다 일반적으로는, 바닥은 예를 들어 반원처럼 오목할 것이다. 또한, 적어도 인젝터 영역(122)은 다이아몬드 형상이나 관형상을 갖도록 그것의 상부가 폐쇄될 것이다.

다시 도 2를 참조하면, 공급장치 팬(94)의 수용영역(116)은 전기로 구동되는 진동기(130)의 상부에 고정되고, 이때 진동기의 바닥은 탄력있는 패드(134)를 통해서 테이블(132)에 고정된다. 테이블(132)은 공급장치 팬(94)과 호퍼(100) 내에 있는 실리콘의 중량을 함께 측정할 수 있도록 하기 위하여 호퍼(100)에 현수된다. 작동에 있어서, 호퍼(100)로부터 나오는 공급원료는 깔때기 분출구(114)를 채우고 공급장치 팬(94)의 수용영역(116)의 플로어(118)와 깔때기 분출구(114) 사이에서 공급원료의 더미를 형성한다. 통상적으로 일련의 펄스에 의해서 진동기(130)가 활성화되는 경우에, 공급원료는 활송장치(120)를 향하여 깔때기 분출구(114)로부터 멀어지게 이동하고 인적터 영역(122)을 향하여 활송장치(120)를 따라서 하방향 이동하여 공급장치 팬 분출구(96) 밖으로 배출되어 도가니(16)의 외부공급영역(26) 내로 들어간다. 펄스들의 수와 그 진폭은 운반되는 공급원료의 양을 결정한다. 만약 공급원료들이 공급장치 팬(94)에 가득 끼이게 되면, 진동기 진폭은 끼임현상을 없애도록 증가하게될 것이다. 도 2에는 특정 형태의 공급장치가 도시되었지만, 공급원료를 도가니 내로 운반하기 위해서 진동운동을 사용하는 것이 바람직하며, 진동기(130)가 필요없는 다른 형식들의 공급장치나 컨베이어들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 공급원료를 도가니로 운반하기 위해서 내부 회전 스크루를 구비한 정적인 외부 튜브나 정적인 코어요소를 구비한 내부 나사식 회전 외부튜브를 포함하는 비-진동 공급장치가 사용될 수 있다. 사용될 수 있는 다른 공급장치 형식들은 해당 기술분야의 숙련된 당업자에게 알려져 있다.

공급장치 팬(94)은 개방된 상부를 가질 것이며, 실리콘 먼지와 입자들은 공급장치 팬(94)으로부터 배출될 것이며 그것을 수용하는 통로 내에 수집될 것이다. 또한, 공급장치 팬(94)이 성장챔버(10)로부터 철수하는 경우에, 실리콘 입자들은 공급장치 팬 분출구(96)로부터 쏟아져 나올 것이다. 만약 먼지와 입자들이 격리밸브(64)의 기구 내로 또는 벨로즈 어셈블리(106)의 접힘부 내로 수거되면, 장치는 구멍뚫린 벨로즈들로 인하여 작동될 수 없는데, 이러한 경우에는 세척작업이 필요하고 잉곳 생산을 중단해야 한다. 따라서, 도 6에 단면도로서 도시된 바와 같이, 공급장치 팬(94)의 인젝터 영역(122)은 대체로 관형상을 갖는 신축식 차폐물(telescoping shield)(140) 내에 배치되는데, 이것은 후방단부가 격리챔버(102)에 고정된 후방차폐(142) 및 상기 후방차폐(142) 내에 활주가능하게 수용되는 전방차폐(144)를 포함한다.

도시된 바와 같이, 벨로즈 어셈블리(106)는 전방 벨로즈(144) 및 후방 벨로즈(146)로 구성되는데, 이때 상기 후방 벨로즈는 캐리어판(148)에 밀봉된 내부 단부를 가지며, 상기 캐리어 판은 트랙(92) 상에서 자유로이 미끄러지며 한쌍의 스프링(150)에 의해서 격리챔버(102)로부터 멀어지도록 편향된다. 후방 벨로즈(146)의 후방단부는 격리챔버(102)에 대하여 밀봉된다. 전방 벨로즈(144)의 전방단부는 퀵-릴리스 커플링(154)에 대하여 밀봉되는데, 이때 퀵-릴리스 커플링은 격리밸브(64)에 대하여 밀봉된 플랜지(158)와 축방향으로 밀봉가능하게 결합할 수 있는 밀봉 링(150)을 포함한다. 2개의 핸들(162)을 갖는 링 클램프 링(160)은 링 클림프 링(160)에 있는 후크들(164)을 플랜지(158)상에 있는 핀들(168)에 결합시키고 그래서 밀봉 링(156)과 플랜지(158) 사이에 오(O)링 밀봉을 조이기 위해서 수동으로 회전가능하다.

퀵 릴리스 커플링(154)이 해제되고 공급장치 팬(94)이 성장챔버(72)로부터 멀어지도록 당겨진 도 6의 철수 및 분리 위치에 있어서, 스프링들(150)은 신축식 차폐물(140)의 내부 차폐(142)를 왼쪽으로 밀며, 그래서 신축식 차폐물(140)은 공급장치 팬(94)의 공급장치 팬 분출구(96)를 포함하여 전방과 후방 벨로즈(144,146) 그리고 공급장치 팬(94)의 인젝터 영역(122) 사이에 게재된다. 공급장치 팬(94)이 격리챔버(102)를 왼쪽으로 미는 것에 의해서 성장챔버(72) 내에서 부분적으로 작동위치로 복귀하는 경우에, 밀봉 링(156)은 플랜지(158)와 결합하고, 퀵 릴리스 커플링(154)을 작동시킴에 의해서 밀봉된다. 전방 벨로즈(144)를 압축하도록 이동하고 스프링(150)이 내부 차폐(142)를 전방으로 계속해서 밀면, 격리밸브(64)를 통과함에 따라서 분출구(164)를 덮는다. 스프링들(150)을 가압하도록 계속해서 이동하면, 내부 차폐(142)의 움직임은 느려지고, 공급장치 팬(94)의 인젝터 영역(122)은 내부 차폐(142)를 지나서 돌출하고, 공급장치 팬 분출구(96)는 그것의 작동위치를 드롭박스(76) 내부에서 경사진 플로어(81) 위로 상정하게 된다.

공급챔버(70)는 격리밸브(64)를 폐쇄함으로써 CCZ 성장장치(10)로부터 격리되고, 밀봉된 퀵 릴리스 커플링(154)을 통해서 기계적으로 부착된 상태를 유지하고, 그래서 격리챔버(102)는 자체의 가스공급 및 진공펌프 포트들에 의해서 진공하에서 유지될 것이다. 이와는 달리, 격리챔버(102)는 공급 호퍼(100)를 보충하기 위하여 개방될 것이다. 격리된 부착 상태에 있어서, 격리챔버(102)는 공급장치 팬(94)의 인젝터 영역(122)을 위치시키고 격리밸브(64)의 공급장치측에서 내부 차폐(142)를 에워싸기에 충분하게 수축된다.

도가니(16) 주위로 아르곤의 균등한 하방향 유동이 용융물의 비-균일성을 줄이는 것이 바람직하므로, CCZ 성장장치(10)로부터 공급챔버(70)로의 아르곤의 역류를 줄이는 것은 중요하다. 정적인 드롭박스(76)는 하방향 가스유동과 과도하게 인터페이스하지 않도록 설계되고, 내부 차폐 노우즈(156)는 공급챔버(70) 내로의 가스유동을 최소화하기 위하여 공급장치 팬(94)에 근접할 수 있다.

도가니(16)에서 용융물 표면(34)의 조절된 수위를 유지하기 위해서는, 충분한 실리콘 공급원료가 운반되어야 한다. 즉, 만약 용융물 수위가 낮아지면, 용융물 수위를 이전의 높이로 복귀시키기 위해서는 보다 많은 공급원료가 공급되어야 한다. 거의 일정한 용융물 수위는 최적의 운영 조건에 대한 바람직한 제어 조건이다. 그런데, 만일 용융물 수위를 변화시키는 것이 바람직하다면, 장치는 용융물 수위를 조절된 공지방식으로 변경할 수 있다. 용융물 표면(34)의 수위를 조절하기 위한 한가지 방법은 공급하중을 조절하는 것이다. 성장하는 잉곳(52)의 중량은 풀 기구(44)와 연관된 부하 전지들을 사용하여 측정할 수 있고, 운반되지 않은 공급원료의 중량은 격리챔버(102)로부터 호퍼(110)를 지지하는 도 2에 도시된 3개의 부하 전지들(170)에 의해서 측정될 수 있다. 진동기(130)를 위한 테이블(132)과 그것에 의해서 지지되는 공급장치 팬(94)은 호퍼(110)로부터 매달리고, 그래서 모든 운반되지 않은 공급원료들이 측정된다. 이러한 2개 세트의 부하 전지들은 도가니(16)로부터 떨어져서 장치에 있는 모든 고체 실리콘의 중량을 모니터링 한다. 만약, 2개 중량의 합이 감소하는 것으로 컨트롤러가 판단하면, 증가는 용융물 표면(34)의 수위가 낮아지는 것을 나타내고 이것은 도가니(16)로 더 많은 공급원료를 공급해야할 필요성이 있음을 나타내며, 따라서 컨트롤러는 도가니(16)를 보충하도록 충분한 공급원료를 운반하기 위해서 진동기(130)를 활성화시킨다. 부하 전지들은 풀 기구(44)와 호퍼(110) 그리고 호퍼(110)에 의해서 지지되는 공급 챔버(70)의 부분의 하중을 추가로 측정하며, 장치의 이 부품들은 잉곳 인발과정 동안에는 변하지 않으며 그래서 진동은 실리콘에 기인하는 것으로 간주한다.

용융물 표면(34)의 수위를 조절하기 위한 다른 기술로는 용융물 표면에서 반사되는 라스트 빔으로부터 레이저 삼각측량과 같은 광학적 또는 비-접촉 수단을 사용하여 모니터링 하는 것, 또는 리얼타임 광학 카메라로부터 얻어진 이미지 분석을 이용하는 것을 들 수 있다. 조절의 이러한 형태들중 어느 것에 있어서, 측정은 필요한 매스 평형을 얻기 위한 간접수단이고, 용융물 표면(34)의 수위를 유지하고 조절하기 위해서 추가적인 계산이 필요하다.

만약 잉곳들이 소정 타입과 농도의 도판트를 갖도록 성장하면, 도판트 디스펜서들(도시되지 않음)은 공급되는 실리콘 공급원료의 양과 비교하여 선택된 양의 도판트를 갖는 공급원료 스트림 내로 분배되도록 그것의 작동온도하에서 공급장치 팬(94) 위로 위치할 것이다.

비록 상기한 장치는 연속적인 초크랄스키 실리콘 성장에 특히 유용하지만, 본 발명의 다양한 양태들은 다른 고온 성장장치들에도 적용될 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시 예들의 전술한 상세한 설명은 설명을 목적으로 제공된 것이다. 이것은 본 발명을 설명한 것으로 한정하기 위해서 의도된 것이 아니다. 상기한 내용들을 기초하여 수정 및 변경이 가능하거나 또는 본 발명의 수행을 통해서도 수정 및 변경이 가능하다. 상기 실시 예들은 본 발명의 원리를 설명하기 위해서 선택되거나 설명되었으며, 그것의 실제적인 응용은 해당 기술분야의 숙련된 당업자가 다앙한 실시 예들에 있어서 본 발명을 이용할 수 있고 특별한 용도에 부합하도록 다양하게 변경할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 발명의 영역은 여기에 첨부된 특허청구범위에 의해서 그리고 그 등가물들로 한정되도록 의도된 것이다.

Claims (24)

1. 초크랄스키 성장장치로서,
   도가니, 측벽, 상부벽, 상기 도가니를 지지하기 위한 받침대, 상기 도가니에 함유된 용융물과 접촉하기 위한 시드를 접이식으로 지지하는 끌어당김 기구를 포함하는 성장챔버;
   상기 성장챔버의 적어도 하나의 측벽에 배치된 격리밸브;
   상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버에 진공밀봉되고 공급원료를 함유하는 공급챔버;
   상기 성장챔버내로 공급원료를 공급하도록 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버내로 삽입가능하고 상기 성장챔버로부터 상기 공급챔버내로 제거가능하며 상기 격리밸브가 폐쇄된 상태에서 상기 성장챔버에서 사용후 버릴 수 있는 공급장치를 포함하고,
   상기 공급장치가 상기 성장챔버 내로 삽입되는 경우에는 상기 공급장치와 상기 격리밸브 그리고 벨로즈 사이에 게재되고 상기 격리밸브가 폐쇄되는 경우에는 상기 공급챔버 내로 철수할 수 있는 차폐장치를 더 포함하는 초크랄스키 성장장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장챔버 내부에 고정되고 상기 공급장치로부터 공급원료를 수용하기 위한 경사진 바닥 및 상기 도가니 위로 위치한 분출구(spout)를 갖는 드롭박스를 더 포함하는 초크랄스키 성장장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 경사진 바닥은 30°내지 60° 범위의 각도로 기울어진 초크랄스키 성장장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 도가니는 상기 끌어당김 기구 아래에 위치한 내부영역 및 상기 내부영역과 유체 연결된 환형의 외부영역을 포함하는 초크랄스키 성장장치.
5. 제 2 항에 있어서, 상기 도가니는 상기 끌어당김 기구 아래에 위치한 내부영역 및 상기 내부영역과 유체 연결되고 상기 드롭박스의 상기 분출구 아래에 배치된 초크랄스키 성장장치.
6. 제 2 항에 있어서, 상기 드롭박스는 실리콘 카바이드를 포함하는 초크랄스키 성장장치.
7. 제 2 항에 있어서, 상기 공급챔버 내에 배치된 공급원료용 콘테이너를 더 포함하는 초크랄스키 성장장치.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 공급장치는 상기 콘테이너로부터 공급원료를 수용하기 위한 수용영역 및 상기 수용영역에 연결되고 상기 수용영역보다 작은 단면을 가지며 상기 격리밸브를 통해서 상기 성장챔버 내로 삽입 가능한 인젝터 영역을 구비한 공급장치 팬을 포함하는 초크랄스키 성장장치.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 인젝터 영역은 오목한 바닥을 갖는 초크랄스키 성장장치.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 오목한 바닥은 30°내지 60° 범위의 각도로 수직선으로부터 반대로 경사진 벽들과 브이(V) 형상을 이루는 초크랄스키 성장장치.
11. 제 7 항에 있어서, 상기 콘테이너는 수용영역의 측벽들 내에 위치한 바닥 분출구와 깔때기 형상을 이루는 호퍼를 포함하는 초크랄스키 성장장치.
12. 제 8 항에 있어서, 상기 수용영역을 지지하는 진동기를 더 포함하는 초크랄스키 성장장치.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 진동기는 상기 호퍼상에서 지지되고, 호퍼는 상기 공급챔버내에서 적어도 하나의 부하 전지에 의해서 지지되는 초크랄스키 성장장치.
14. 제 8 항에 있어서, 상기 공급장치 팬은 실리콘 카바이드로 이루어진 초크랄스키 성장장치.
15. 제 1 항에 있어서, 상기 벨로즈는 상기 격리밸브와 상기 공급챔버를 연결하여 상기 공급챔버가 상기 성장챔버로부터 멀어지게 이동할 수 있는 초크랄스키 성장장치.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 벨로즈는 수동으로 작동하는 퀵 릴리스 커플링에 의해서 상기 격리밸브에 연결되는 초크랄스키 성장장치.
17. 삭제
18. 삭제
19. 삭제
20. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐장치는 상기 공급챔버에 고정된 후방차폐 및 상기 후방차폐내로 미끄러질 수 있고 상기 성장챔버 내로 돌출할 수 있는 초크랄스키 성장장치.
21. 제 20 항에 있어서, 상기 성장챔버 내부에 고정되고 상기 공급장치로부터 공급원료를 수용하기 위한 경사진 바닥 및 상기 도가니 위로 위치한 분출구(spout)를 갖는 드롭박스를 더 포함하고, 상기 전방차폐는 상기 드롭박스의 수용영역 내로 삽입될 수 있는 단부를 갖는 초크랄스키 성장장치.
22. 제 21 항에 있어서, 상기 경사진 바닥은 30°내지 60° 범위의 각도로 기울어진 초크랄스키 성장장치.
23. 제 1 항에 있어서, 상기 격리밸브는 확장가능한 수냉식 게이트를 구비한 게이트 밸브인 초크랄스키 성장장치.
24. 제 1 항에 있어서, 상기 끌어당김 기구와 상기 공급장치를 지지하는 부하 전지, 및 공급원료를 상기 챔버 내로 공급하도록 상기 공급장치를 활성화하기 위하여 상기 부하 전지에 반응하는 제어수단을 더 포함하는 초크랄스키 성장장치.
    
    

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