KR101879796B1 - 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 기재의 유기전계발광 표시장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터; 상기 제2 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 구비되는 보호막; 상기 보호막 위에 구비되는 제1 평탄화막; 상기 제1 평탄화막 위에 구비되는 제2 평탄화막 패턴; 상기 보호막 및 상기 제1 평탄화막에 형성된 제1 비아콘택홀을 통해 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 화소 전극; 및 상기 보호막, 상기 제1 평탄화막, 및 상기 제2 평탄화막 패턴에 형성된 제2 비아콘택홀을 통해 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 제2 평탄화막 패턴은 상기 제2 화소 전극의 형상에 대응하고, 상기 제1 평탄화막과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치된다.

Description

유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Diode Display and method for fabricating of the same}

본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 유기 전계 발광 표시 소자는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시 소자이다. 이는 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 N×M 개의 화소(pixel)들을 구동하는 방식에 따라 수동 매트릭스(passive matrix)방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 상기 능동 매트릭스 방식의 유기 전계 발광 표시(AMOLED) 소자는 수동 매트릭스 방식에 비해 전력 소모가 적어 대면적 구현에 적합하며 고해상도를 갖는 장점이 있다.

상기 유기 전계 발광 표시 소자는 유기 화합물로부터 발광된 빛의 방출 방향에 따라 전면발광형 또는 배면발광형 유기 전계 발광 표시 소자와 상기 전면발광형 및 배면발광형이 동시에 구비되는 듀얼타입 유기전계발광 표시소자로 나뉘어진다. 상기 전면발광형 유기 전계 발광 표시 소자는 상기 배면발광형과는 달리 상기 단위화소들이 위치한 기판 반대 방향으로 빛을 방출시키는 장치로서 개구율이 큰 장점이 있다.

소자의 소형화 및 저전력화에 따라서 전면발광형인 주표시창과 배면발광형인 보조표시창이 동시에 구비되는 듀얼타입의 유기전계발광 표시소자의 수요가 증가하고 있다. 이러한 유기전계발광 표시소자는 주로 휴대전화에 사용되고 있으며, 외부에는 보조표시창이 구비되고, 내부에는 주표시창이 구비된다. 특히 상기 보조표시창은 주표시창에 비하여 전력이 적게 들어 휴대전화가 통화 대기 상태인 경우 계속해서 온(on) 상태를 유지하기 때문에 수신상태, 배터리 잔여량 및 시간 등을 수시로 관찰할 수 있다.

본 발명은 듀얼타입 유기전계발광 표시소자에서 배면발광형의 화소전극의 저항 증가를 억제하기 위한 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

본 발명의 일 실시예는 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1영역 및 제2영역에 각각 형성되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상부에 형성된 보호막; 상기 보호막 상부에 형성된 제1평탄화막; 및 상기 보호막 및 제1평탄화막에 형성된 제1비아콘택홀을 통해 상기 제1영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제1화소전극 및 상기 보호막 및 제1평탄화막에 형성된 제2비아콘택홀을 통해 상기 제2영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제2화소전극을 포함하고, 상기 제2화소전극의 하부에 상기 제2화소전극의 형상과 대응되는 제2평탄화막 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.

본 발명의 다른 실시예는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 제1 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터; 상기 제2 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 구비되는 보호막; 상기 보호막 위에 구비되는 제1 평탄화막; 상기 제1 평탄화막 위에 구비되는 제2 평탄화막 패턴; 상기 보호막 및 상기 제1 평탄화막에 형성된 제1 비아콘택홀을 통해 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 화소 전극; 및 상기 보호막, 상기 제1 평탄화막, 및 상기 제2 평탄화막 패턴에 형성된 제2 비아콘택홀을 통해 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 제2 평탄화막 패턴은 상기 제2 화소 전극의 형상에 대응하고, 상기 제1 평탄화막과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.

상기 보호막은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층구조를 포함할 수 있다.

상기 제1평탄화막 및 상기 제2평탄화막 패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 아크릴레이트(acrylate) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질을 포함할 수 있다.

상기 제2화소전극은 반사막 패턴 및 투명전극 패턴을 포함할 수 있다.

상기 투명전극 패턴의 두께는 10 내지 300Å일 수 있다.

상기 제1화소전극은 투명전극 패턴을 포함할 수 있다.

상기 제1영역은 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제2 영역은 전면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제2평탄화막 패턴 및 상기 제1화소전극은 상기 제1평탄화막 상에 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예는 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1영역 및 제2영역에 각각 형성되는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터 상부에 형성된 보호막; 및 상기 보호막에 형성된 제1비아콘택홀을 통해 상기 제1영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제1화소전극 및 상기 보호막에 형성된 제2비아콘택홀을 통해 상기 제2영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제2화소전극을 포함하고, 상기 제1화소전극의 하부에 상기 제1화소전극의 형상과 대응되는 평탄화막 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.

본 발명의 다른 실시예는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 상기 제1 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터; 상기 기판의 상기 제2 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 구비되는 보호막; 상기 보호막 위에 구비되는 평탄화막 패턴; 상기 보호막에 형성된 제1 비어콘택홀을 통해 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 화소 전극; 및 상기 보호막과 상기 평탄화막 패턴에 형성된 제2 비어콘택홀을 통해 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제2 화소 전극을 포함하고, 상기 평탄화막 패턴은 상기 제2 화소 전극의 형상에 대응하고 상기 보호막과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.

상기 보호막은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층구조를 포함할 수 있다.

상기 평탄화막 패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 아크릴레이트(acrylate) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질일 수 있다.

상기 제1영역은 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제2 영역은 전면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함할 수 있다.

상기 제2화소전극은 반사막 패턴 및 투명전극 패턴을 포함할 수 있다.

상기 투명전극 패턴의 두께는 10 내지 300Å일 수 있다.

상기 제1화소전극은 투명전극 패턴을 포함할 수 있다.

또한, 상기 평탄화막 패턴 및 상기 제1화소전극은 상기 보호막 상에 형성될 수 있다.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예는 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판 상부에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 각각의 박막트랜지스터 상부에 보호막 및 제1평탄화막을 형성하는 단계; 상기 보호막 및 제1평탄화막을 식각하여, 상기 제1영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1비아콘택홀을 포함하는 기판 전면에 제1투명전극용 물질층을 형성하고, 이를 식각하여 상기 제1영역 상에 제1화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극을 포함하는 기판 전면에 제2평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제2영역의 보호막, 제1평탄화막 및 제2평탄화막을 식각하여, 상기 제2영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 제2비아콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2비아콘택홀을 포함하는 기판 전면에 제2투명전극용 물질층을 형성하고, 이를 식각하여 상기 제2영역 상에 제2화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 다른 실시예는, 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터를 기판의 제1 영역에 형성하는 단계; 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터를 상기 기판의 제2 영역에 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 보호막과 제1 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 보호막의 일부 및 상기 제1 평탄화막의 일부를 식각하여 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 비어콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 비어콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 제1 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계; 상기 제1 화소 전극용 물질층을 식각하여 상기 제1 영역에 제1 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 화소 전극을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 제2 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제2 영역에서 상기 보호막의 일부, 상기 제1 평탄화막의 일부 및 상기 제2 평탄화막의 일부를 식각하여 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극을 노출하는 제2 비어콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제2 비어콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 제2 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 화소 전극용 물질층을 식각하여 상기 제2 영역에 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.

상기 제2 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계는, 상기 제2비아콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 형성하는 단계; 상기 반사막 물질층 및 상기 투명전극용 물질층을 포함하는 상기 기판의 일부 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 반사막 물질층 및 상기 투명전극용 물질층을 식각하여, 상기 제2영역에 상기 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제2 화소 전극용 물질층을 식각하여 상기 제2 화소 전극을 형성하는 단계 이후, 제2 화소 전극을 마스크로 하여, 상기 제2 평탄화막을 식각하여 상기 제2 화소 전극의 형상과 대응되도록 제2평탄화막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 제2 평탄화막을 식각하는 공정에 의하여, 상기 제1영역에서 상기 제1화소 전극의 상면이 노출될 수 있다.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예는, 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판 상부에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 각각의 박막트랜지스터 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 식각하여, 상기 제1영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1비아콘택홀을 포함하는 기판 전면에 제1투명전극용 물질층을 형성하고, 이를 식각하여 상기 제1영역 상에 제1화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극을 포함하는 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제2영역의 보호막 및 평탄화막을 식각하여, 상기 제2영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 노출시키는 제2비아콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2비아콘택홀을 포함하는 기판 전면에 제2투명전극용 물질층을 형성하고, 이를 식각하여 상기 제2영역 상에 제2화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 다른 실시예는, 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터를 기판의 제1 영역에 형성하는 단계; 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터를 상기 기판의 제2 영역에 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막의 일부를 식각하여 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 비어콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 비어콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 제1 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계; 상기 제1 화소 전극용 물질층을 식각하여 상기 제1 영역에 제1 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 화소 전극을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 제2 영역에서 상기 보호막의 일부 및 상기 평탄화막의 일부를 식각하여 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극을 노출하는 제2 비어콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제2 비어콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 제2 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 화소 전극용 물질층을 식각하여 상기 제2 영역에 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.

상기 제2 화소 전극용 물질층을 형성하는 단계는, 상기 제2 비아콘택홀을 포함하는 상기 기판의 적어도 일부 표면에 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 형성하는 단계; 상기 반사막 물질층 및 상기 투명전극용 물질층을 포함하는 상기 기판의 일부 표면에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 식각하여, 상기 제2 영역에 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 제2 화소 전극을 형성하는 단계 이후, 상기 제2 화소 전극을 마스크로 하여, 상기 평탄화막을 식각하여 상기 제2 화소 전극의 형상과 대응되도록 평탄화막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 평탄화막을 식각하는 공정에 의하여, 상기 제1영역의 제1 화소 전극의 상면이 노출될 수 있다.

따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치는 기존에 비하여 화소전극을 형성하기 위한 마스크 공정이 증가함이 없이 각각의 화소전극을 다른 공정에 의해 형성할 수 있으므로, 따라서, 제조공정이 증가함이 없이 배면발광형 또는 양면발광형의 화소전극의 두께를 임의로 조절할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 기존 공정에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시 소자를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 2f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 기존 공정에 의해 형성된 유기전계발광 표시소자를 도시한 단면도이다.

먼저, 투명절연기판(100) 상부에 소정 두께의 완충막(110)을 형성하고, 다결정실리콘패턴(122), 게이트전극(132) 및 소오스/드레인전극(150, 152)을 구비하는 박막트랜지스터를 형성한다. 이때, 상기 다결정실리콘패턴(122)의 양측에 불순물이 이온주입된 소오스/드레인영역(120)이 구비되고, 상기 다결정실리콘패턴(122)을 포함한 전체표면 상부에는 게이트절연막(130)이 구비된다.

그 다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 보호막(160)을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 보호막(160)을 식각하여 상기 소오스/드레인전극(150, 152) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(152)을 노출시키는 제1비아콘택홀(도시 안됨)을 형성한다. 상기 보호막(160)은 무기절연막으로서 실리콘질화물, 실리콘산화물 또는 그 적층구조가 사용된다.

다음, 전체표면 상부에 제1절연막(170)을 형성한다. 상기 제1절연막(170)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있으며, 화소영역의 평탄화를 위해 형성된 것이다.

이어서, 사진식각공정으로 상기 제1절연막(170)을 식각하여 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀(도시 안됨)을 형성한다.

다음, 전체표면 상부에 반사막(도시 안됨)과 화소전극용 박막(도시안됨)의 적층구조를 형성한다. 이때, 상기 반사막은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 또는 이들 금속의 합금 등과 같이 반사율이 높은 금속들 중 하나를 사용하여 형성된다. 상기와 같이 반사막을 형성하는 경우 전면발광형 유기 전계 발광 소자가 형성되며, 상기 반사막을 후속 공정에서 형성하는 경우에는 배면발광형 유기전계발광 표시소자가 형성된다.

그리고, 상기 화소전극용 박막은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같이 투명한 금속물질을 사용하여 10 내지 300Å 두께로 형성된다.

이어서, 사진식각공정으로 상기 적층구조를 식각하여 화소전극(182) 및 반사막패턴(180a)을 형성한다.

그 후, 전체표면 상부에 발광영역을 정의하는 제2절연막패턴(190)을 형성한다. 상기 제2절연막패턴(190)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다.

이어서, 상기 제2절연막패턴(190)에 의해 정의된 화소영역에 저분자 증착법 또는 레이저 열전사법으로 발광층(192)을 형성한다. 그 후 대향전극(도시 안됨) 등을 형성하여 유기 전계 발광 표시 소자를 형성한다. 이때, 전면발광형 유기 전계 발광 소자인 경우 상기 대향전극은 투명전극 또는 투명금속전극으로 형성되고, 배면발광형 유기전계발광 표시소자인 경우 반사막이 구비되는 금속전극 또는 반사전극으로 형성된다.

상기한 바와 같이 전면발광형 유기전계발광 표시소자는 광의 공진 효과를 이용하므로 화소전극의 두께를 가능한 최대로 얇게 형성하여 색좌표 조절을 용이하게 하는 것이 중요하다. 하지만, 상기와 같은 전면발광형 유기전계발광 표시소자를 포함하는 듀얼타입 유기전계발광 표시소자를 형성하는 경우에 있어서, 전면발광형에 사용되는 화소전극을 배면발광형에 사용하게 되면 저항 증가에 따른 광 특성이 저하되는 문제점이 있다.

도 2a 내지 2f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.

먼저, 도 2a를 참조하면, 유리, 석영, 사파이어 등의 투명절연기판(100)에 제1영역(A) 및 제2영역(B)을 정의한다. 후술할 바와 같이, 상기 제1영역(A)은 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치영역이고, 상기 제2영역(B)은 전면발광형 유기전계발광 표시장치영역에 해당한다.

다음, 상기 투명절연기판(100)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 완충막(210)을 형성한다. 이때, 상기 완충막(210)은 후속 공정으로 형성되는 비정질실리콘층의 결정화 공정 시 상기 투명절연기판(100) 내의 불순물이 확산되는 것을 늦추거나 이를 방지한다.

다음, 상기 완충막(210) 상부에 소정 두께의 비정질실리콘층을 증착하고, 상기 비정질실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 사진식각공정으로 패터닝하여 단위 화소 내의 박막 트랜지스터 영역에 다결정실리콘패턴(222)을 형성한다. 상기 다결정실리콘패턴(222)의 영역은 후속공정으로 형성되는 소오스/드레인영역(220)까지 포함한다.

그 다음, 다결정실리콘패턴(222)을 포함한 완충막(210)의 전체표면 상부에 소정 두께의 게이트절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트절연막(230)은 실리콘산화물, 실리콘질화물 또는 그 적층구조로 형성될 수 있다.

상기 게이트절연막(230) 상부에 게이트전극물질로 사용되는 금속막을 형성한다. 이때, 상기 금속막은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄이나 알루미늄 합금이 적층된 다중층으로 형성될 수 있다. 이어서, 사진식각공정으로 상기 금속막을 식각하여 게이트전극(232)을 형성한다. 그 후, 상기 게이트전극(232) 양측 하부의 다결정실리콘패턴(222)에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(220)을 형성한다. 여기서, 게이트 전극(232)은 다결정실리콘패턴(222)의 채널 영역의 직상부에 있다.

다음, 게이트절연막(230)의 전체표면 상부에 소정 두께의 층간절연막(240)을 형성한다. 일반적으로 상기 층간절연막(240)은 실리콘질화막 또는 실리콘산화막이 사용된다.

그 다음, 사진식각공정으로 상기 층간절연막(240) 및 게이트절연막(230)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)을 노출시키는 콘택홀(도시안됨)을 형성한다. 상기 콘택홀을 포함한 전체표면 상부에 전극물질을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)에 각각 접속되는 소오스/드레인전극(250, 252)을 형성한다. 어떤 실시예에서는, 상기 전극물질로는 몰리텅스텐(MoW) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)이 사용될 수 있고, 다른 실시예에서는 그 적층구조가 사용될 수도 있다.

그런 다음, 전체표면 상부에 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층구조를 소정 두께 증착하여 보호막(260)을 형성하고, 상기 보호막(260) 상부에 제1평탄화막(270)을 형성한다. 상기 제1평탄화막(270)은 박막트랜지스터영역이 평탄화될 수 있을 정도의 충분한 두께로 형성되며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 또는 아크릴레이트(acrylate) 중 하나 또는 둘 이상의 물질로 형성될 수 있다.

이어서, 사진식각공정으로 상기 제1영역(A)의 상기 보호막(260) 및 상기 제1평탄화막(270)을 식각하여, 상기 제1영역(A)의 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)을 노출시키는 제1비아콘택홀(270a)을 형성한다.

그 다음, 전체표면 상부에 투명전극용 물질층을 형성한다. 상기 투명전극용 물질층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO, In₂O₃ 또는 Sn₂O₃ 와 같이 투명한 금속전극 (또는 투명한 도전성 물질)을 사용하여 형성할 수 있다.

상기 투명전극용 물질층을 건식식각 또는 습식식각하여, 상기 제1영역(A) 상에 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)과 전기적으로 연결되는 제1화소전극(282a)을 형성한다.

다음으로, 도 2b를 참조하면, 상기 제1영역(A) 상에 형성된 제1화소전극(282a)을 포함하는 기판 전면에 제2평탄화막(290)을 형성한다. 상기 제2평탄화막(290)은 제1화소전극(282a)을 포함하는 기판 전면이 평탄화될 수 있을 정도의 충분한 두께로 형성되며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 또는 아크릴레이트(acrylate) 중 하나 또는 둘 이상의 물질로 형성될 수 있다.

다음으로, 도 2c를 참조하면, 사진식각공정으로 상기 제2영역(B)의 상기 보호막(260), 제1평탄화막(270) 및 제2평탄화막(290)을 식각하여, 상기 제2영역(B)의 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)을 노출시키는 제2비아콘택홀(290a)을 형성한다.

그 다음, 제2평탄화막(290)의 전체표면 상부에 반사막 물질층(301) 및 투명전극용 물질층(302)을 형성한다. 상기 반사막 물질층(301)은 반사도가 80%이고, 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 플라티늄(Pt) 등으로 형성할 수 있다. 어떤 실시예에서는 반사막 물질층(301)을 은(Ag)으로 형성한다. 상기 반사막은 500 내지 3000Å 두께로 형성된다. 또한, 상기 투명전극용 물질층(302)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO, In₂O₃ 또는 Sn₂O₃ 와 같이 투명한 금속전극(또는 투명한 도전성 물질)을 사용하여 형성할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 투명전극용 물질층(302)은 10 내지 300Å 두께로 형성되며, 다른 실시예에서는 20 내지 100Å 두께로 형성하여 색좌표 조절을 용이하게 한다.

그 다음, 반사막 물질층(301) 및 투명전극용 물질층(302)을 포함하는 기판 전면에 포토레지스트막을 형성하고, 이를 패터닝하여 포토레지스트 패턴(303)을 형성한다. 어떤 실시예에서는, 상기 포토레지스트 패턴(303)은 제2영역(B)에 형성하고자 하는 제2화소전극의 형상과 대응되도록 형성된다.

그 다음, 도2d를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(303)을 마스크로 하여, 상기 반사막 물질층(301) 및 투명전극용 물질층(302)을 건식식각 또는 습식식각하여, 상기 제2영역(B) 상에 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)과 전기적으로 연결되는 제2화소전극(304)을 형성한다.

어떤 실시예에서는, 상기 제2화소전극(304)는 반사막 패턴(301a)과 투명전극 패턴(302a)을 포함하여 이루어져 있으며, 상기 반사막 패턴(301a)은 제2영역(B)에서 광 반사 역할을 하여 휘도와 광 효율을 증가시키기 위한 것으로, 상기 반사막 패턴(301a)에 의해 상기 제2영역(B)에서는 전면발광형 유기전계발광 표시장치가 구현된다.

다음으로, 도 2e를 참조하면, 상기 제2화소전극(304), 즉, 반사막패턴(301a)과 투명전극 패턴(302a)을 마스크로 하여 제2평탄화막(290)을 식각하여 상기 제2화소전극(304)의 형상과 대응되도록 제2평탄화막 패턴(290b)을 형성한다.

어떤 실시예에서는, 상기 제2평탄화막(290)을 식각하는 것은 상기 제1영역(A)의 제1화소전극(282a)의 상면이 노출될 때까지 진행할 수 있다.

다음으로, 도 2f를 참조하면, 상기 제2화소전극(304) 상에 형성된 포토레지스트 패턴(303)을 제거하고, 기판 전면에 화소정의막 물질을 형성한다.

그 후, 사진식각공정으로 상기 화소정의막 물질을 식각하여 제1영역(A) 및 제2영역(B)에 발광영역을 정의하는 개구부들을 포함하는 화소정의막(305)을 형성한다.

이때, 상기 개구부는 제1영역(A)의 제1화소전극(282a)의 일부를 노출시키는 제1개구부(305a) 및 제2영역(B)의 제2화소전극(304)의 일부를 노출시키는 제2개구부(305b)를 포함한다.

이어서, 상기 개구부들을 포함하는 화소정의막 상에 유기막층(306)을 형성한다. 상기 유기막층(306)은 저분자 증착법 또는 레이저 열전사법에 의해 형성된다. 상기 유기막층(306)은 전자주입층, 전자수송층, 홀 주입층, 홀 수송층, 홀 장벽층, 또는 유기발광층과 같은 적어도 하나 이상의 박막으로 형성될 수 있다.

상기 홀 수송층을 형성하는 홀 수송성 물질로는 N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine:α-NPB, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD) 등을 사용할 수 있다. 그리고 홀수송층의 막두께는 10 내지 50nm 범위로 형성할 수 있다. 상기 홀수송층의 두께 범위를 벗어나는 경우에는 홀 주입 특성이 저하되므로 바람직하지 못하다.

어떤 실시예에서는, 이러한 홀 수송층에는 홀수송성 물질 이외에 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 부가할 수 있으며, 이러한 도펀트로는 4-(디시아노메틸렌)-2-터트-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜-9-에닐)-4H-피란(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran: DCJTB), 쿠마린6(Coumarin 6), 루브레네(Rubrene), DCM, DCJTB, 페닐렌(Perylene), 퀴나크리돈(Quinacridone) 등을 이용하며, 그 함량은 홀수송층 형성용 물질 총중량에 대하여 0.1 내지 5중량%를 사용한다. 이와 같이 홀수송층 형성시 도펀트를 부가하면, 발광색을 도펀트 종류 및 함량에 따라 조절가능하며, 홀수송층의 열적 안정성을 개선하여 소자의 수명을 향상시키는 잇점이 있다.

또한, 상기 홀 주입층은 스타버스트(starbust) 아민계 화합물을 이용하여 형성할 수 있으며, 홀 주입층의 두께는 30 내지 100nm로 형성할 수 있다. 상기 홀주입층의 두께 범위인 30 내지 100nm를 벗어나는 경우에는 홀 주입층의 홀 주입 특성이 불량하여 홀 주입층의 성능을 저하시킬 수 있다. 상기 홀 주입층을 통하여 대향전극과 홀수송층간의 접촉저항을 감소시키고, 애노드전극의 홀 수송능력이 향상시켜 소자의 특성이 전반적으로 개선되는 효과를 얻을 수 있다.

본 발명의 발광층의 형성재료는 특별히 제한되지는 않으며, 구체적인 예로서 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-biphenyl)을 들 수 있다.

어떤 실시예에서는, 본 발명의 발광층은 상술한 홀수송층과 마찬가지로 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 더 함유할 수 있으며, 다른 실시예에서, 도펀트 종류 및 함량은 홀수송층의 경우와 거의 동일한 수준이며, 상기 발광층의 막두께는 10 내지 40 nm 범위일 수 있다.

상기 전자수송층을 형성하는 전자수송성 물질로는 트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinolinolate)-aluminium: Alq 3 ), Almq 3 을 이용하며, 상술한 홀수송층과 마찬가지로 전자-홀 결합에 대하여 발광할 수 있는 도펀트를 더 함유하기도 한다. 이때, 도펀트 종류 및 함량은 홀수송층의 경우와 거의 동일한 수준이며, 상기 전자수송층의 막두께는 30 내지 100nm 범위로 할 수 있다. 상기 전자수송층의 두께 범위인 30 내지 100nm를 벗어나는 경우에는 효율 저하 및 구동전압이 상승할 수 있다.

상기 발광층과 전자수송층 사이에는 홀 장벽층(HBL)이 더 형성될 수 있다. 여기에서 홀 장벽층은 인광발광물질에서 형성되는 엑시톤이 전자수송층으로 이동되는것을 막아주거나 홀이 전자수송층으로 이동되는 것을 막아주는 역할을 하는 것으로, 상기 홀 장벽층 형성 재료로서 BAlq를 사용할 수 있다.

상기 전자주입층은 LiF로 이루어진 물질로 형성할 수 있으며, 이의 두께는 0.1 내지 10nm 범위로 형성할 수 있다. 상기 전자주입층층의 두께범위인 0.1 내지 10nm를 벗어나는 경우에는 구동전압이 상승하여 성능이 저하될 수 있다.

이어서, 상기 유기막층(306)을 포함하는 기판 전면에 대향전극(307)을 형성하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치를 제조할 수 있다. 이때, 상기 대향전극은 제1영역(A)에서 반사막이 적층된 투명전극 또는 반사전극으로 형성되고, 제2영역(B)에서는 투명전극 또는 투명금속전극으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1영역(A)의 대향전극을 상기 제2영역(B)의 대향전극과 같이 투명전극 또는 투명금속전극으로 형성할 수도 있다.

이상과 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치는 제2영역(B)에서는 전면발광형 유기전계발광 표시장치가 구현되고, 제1영역(A)에서는 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치가 구현된다.

이때, 본 발명의 제1 실시예에서, 상기 전면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제2화소전극)과 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제1화소전극)이 각각 다른 공정에 의해 형성됨을 알 수 있다.

전면발광형에 사용되는 화소전극을 배면발광형에 사용하는 종래의 듀얼타입 유기전계발광 표시소자는 배면발광형의 화소전극의 경우, 저항 증가에 따라 광 특성이 저하되는 문제점이 있었다.

즉, 전면발광형 유기전계발광 표시장치는 광의 공진 효과를 이용하므로, 반사막 상에 형성된 투명전극의 두께를 최대한 얇게 형성하는 것이 중요하나, 듀얼패널타입에서는 전면발광형과 배면발광형의 유기전계발광 표시장치가 동시에 형성되는 것이 일반적이므로, 따라서, 전면발광형 유기전계발광 표시장치를 위해 화소전극의 두께를 최대한 얇게 하는 경우, 배면발광형 유기전계발광 표시장치의 경우, 화소전극의 막 두께가 얇은 이유로 저항이 증가하게 되고, 결국 광 특성이 저하되는 문제점이 발생하였다.

하지만, 본 발명의 실시예에서는 전면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제2화소전극)과 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제1화소전극)이 각각 다른 공정에 의해 형성되므로, 상기 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제1화소전극)을 상기 전면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극(즉, 제2화소전극)의 두께와 무관하게 형성할 수 있으므로, 저항 증가가 문제되지 않을 만큼 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소 전극을 충분한 두께로 형성할 수 있다.

한편, 종래의 듀얼타입의 유기전계발광 표시장치의 경우, 제1마스크를 통하여, 전면발광형의 반사막을 패턴하고, 제2마스크를 통하여, 전면발광형과 배면발광형 또는 양면발광형의 투명전극을 패턴하여 각각 화소전극을 형성하므로, 화소전극을 형성함에 있어서 2개의 마스크 공정이 필요하다.

또한, 본 발명의 제1 실시예에서는 제1마스크를 통하여 배면발광형 또는 양면발광형의 제1화소전극(282a)을 형성하고, 제2마스크를 통하여 전면발광형의 제2화소전극(304)를 형성하므로, 화소전극을 형성함에 있어서 2개의 마스크 공정이 필요하다.

결국, 본 발명의 제1 실시예에서는 종래에 비하여 화소전극을 형성하기 위한 마스크 공정이 증가함이 없이 각각의 화소전극을 다른 공정에 의해 형성할 수 있으므로, 따라서, 제조공정이 증가함이 없이 배면발광형 또는 양면발광형의 화소전극의 두께를 임의로 조절할 수 있다.

도 3a 및 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치의 제조방법을 나타내는 단면도이다.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치는 후술하는 것을 제외하고는 상기 제 1 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치와 동일할 수 있다.

먼저, 도 3a를 참조하면, 제 1 실시예와 유사하게, 사진식각공정으로 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)에 접속되는 소오스/드레인전극(250, 252)을 형성하고, 그 상부에 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층구조를 소정 두께 증착하여 보호막(260)을 형성한다.

이후, 사진식각공정으로 상기 보호막(260)을 식각하여, 상기 제1영역(A)의 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)을 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성한다.

그 다음, 전체표면 상부에 투명전극용 물질층(도시 안됨)을 형성하고, 상기 투명전극용 물질층을 건식식각 또는 습식식각하여, 상기 제1영역(A) 상에 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)과 전기적으로 연결되는 제1화소전극(482a)을 형성한다.

이후, 상기 제1영역(A) 상에 형성된 제1화소전극(482a)을 포함하는 기판 전면에 평탄화막(490)을 형성한다. 상기 평탄화막(490)은 제1화소전극(482a)을 포함하는 기판 전면이 평탄화될 수 있을 정도의 충분한 두께로 형성되며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 아크릴레이트(acrylate) 및 그 조합 중에서 하나 또는 둘 이상의 물질로 형성될 수 있다.

즉, 본 발명의 제 1 실시예에서는 상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하고, 상기 평탄화막 상에 제1화소전극을 형성하였으나, 본 발명의 제 2 실시예에서는 평탄화막을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 박막트랜지스터영역을 평탄화하기 위하여, 보호막의 상부에 제1평탄화막을 형성하였다.

상기 박막트랜지스터영역을 평탄화하면 전면발광형 유기전계발광 표시장치의 성능이 향상된다. 즉, 전면발광형 유기전계발광 표시장치는 광반사를 위하여 반사막 패턴을 포함하고, 이때 광의 휘도와 광 효율을 증가시키기 위하여, 상기 반사막 패턴이 형성되는 하부막이 단차 없이 평탄화된 것이 중요하다.

하지만, 본 발명의 제2 실시예에서 상기 전면발광형 유기전계발광 표시장치의 광반사를 위한 반사막 패턴은 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극의 상부에 형성된 평탄화막 상에 형성되기 때문에, 보호막 상에 평탄화막을 형성하는 공정을 생략하더라도 반사막 패턴의 하부가 평탄화될 수 있는 것이다.

또한, 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 관점에서 보더라도, 배면발광하기 위해서는 기판 측으로 광이 취출되어야 하므로, 화소전극의 하부에 가급적 막이 없는 것이 바람직하며, 특히 평탄화막의 재질인 유기막은 광투과도가 낮기 때문에, 본 발명의 어떤 실시예에서는 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계발광 표시장치의 화소전극이 보호막 상에 직접 형성된다.

다음으로, 도 3b를 참조하면, 사진식각공정으로 상기 제2영역(B)의 상기 보호막(260), 평탄화막(490)을 식각하여, 상기 제2영역(B)의 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)을 노출시키는 제2비아콘택홀(미도시)을 형성한다.

그 다음, 전체표면 상부에 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 형성하고, 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 포함하는 기판 전면에 포토레지스트막을 형성하고, 이를 패터닝하여 포토레지스트 패턴(503)을 형성한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴(503)은 제2영역(B)에 형성하고자 하는 제2화소전극의 형상과 대응되도록 형성된다.

그 다음, 상기 포토레지스트 패턴(503)을 마스크로 하여, 상기 반사막 물질층 및 투명전극용 물질층을 건식식각 또는 습식식각하여, 상기 제2영역(B) 상에 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)과 전기적으로 연결되는 제2화소전극(504)을 형성한다.

본 실시예에서, 상기 제2화소전극(504)는 반사막 패턴(501a)과 투명전극 패턴(502a)을 포함하며, 상기 반사막 패턴(501a)은 제2영역(B)에서 광 반사 역할을 하여 휘도와 광 효율을 증가시키기 위한 것으로, 상기 반사막 패턴(501a)에 의해 상기 제B영역(B)에서는 전면발광형 유기전계발광 표시장치가 구현된다.

한편, 상술한 바와 같이, 본 실시예에서 상기 반사막 패턴(501a)은 제1화소전극(482a)을 포함하는 기판 전면을 평탄화하는 평탄화막(490) 상에 형성되기 때문에, 보호막(260)상에 별도의 평탄화막을 형성하지 않더라도, 반사막 패턴의 하부가 평탄화될 수 있다.

이하의 공정은 상술한 제 1 실시예와 유사하므로 생략하기로 하며, 이상 설명한 공정을 이용하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼타입 유기전계발광 표시장치를 제조할 수 있다.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

Claims (28)

1. 제1영역 및 제2영역을 포함하는 기판;
   상기 기판의 제1영역 및 제2영역에 각각 형성되는 박막트랜지스터;
   상기 박막트랜지스터 상부에 형성된 보호막;
   상기 보호막 상부에 형성된 제1평탄화막; 및
   상기 보호막 및 제1평탄화막에 형성된 제1비아콘택홀을 통해 상기 제1영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제1화소전극 및 상기 보호막 및 제1평탄화막에 형성된 제2비아콘택홀을 통해 상기 제2영역의 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되는 제2화소전극을 포함하고,
   상기 제2화소전극의 하부에 상기 제2화소전극의 형상과 대응되는 제2평탄화막 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치.
2. 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판;
   상기 제1 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제1 박막트랜지스터;
   상기 제2 영역에 구비되되 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하는 제2 박막트랜지스터;
   상기 제1 및 제2 박막트랜지스터 위에 구비되는 보호막;
   상기 보호막 위에 구비되는 제1 평탄화막;
   상기 제1 평탄화막 위에 구비되는 제2 평탄화막 패턴;
   상기 보호막 및 상기 제1 평탄화막에 형성된 제1 비아콘택홀을 통해 상기 제1 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제1 화소 전극; 및
   상기 보호막, 상기 제1 평탄화막, 및 상기 제2 평탄화막 패턴에 형성된 제2비아콘택홀을 통해 상기 제2 박막트랜지스터의 상기 소오스 전극 또는 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는 제2 화소 전극을 포함하고,
   상기 제2 평탄화막 패턴은 상기 제2 화소 전극의 형상에 대응하고, 상기 제1 평탄화막과 상기 제2 화소 전극 사이에 배치되는 유기전계발광 표시장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 보호막은 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층구조를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1평탄화막 및 상기 제2평탄화막 패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass), 아크릴레이트(acrylate) 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질을 포함하는 유기전계발광 표시장치.
5. 제 2 항에 있어서,
   상기 제2화소전극은 반사막 패턴 및 투명전극 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 투명전극 패턴의 두께는 10 내지 300Å 인 유기전계발광 표시장치.
7. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1화소전극은 투명전극 패턴을 포함하는 유기전계발광 표시장치.
8. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1영역은 배면발광형 또는 양면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제2 영역은 전면발광형 유기전계 발광 다이오드를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
9. 제 2 항에 있어서,
   상기 제2평탄화막 패턴 및 상기 제1화소전극은 상기 제1평탄화막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
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