KR101820310B1 - 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물로써, 글리콜 에테르류, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 다가알코올류를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물은 포토레지스트 도포 장비 내에 잔류해 있는 포토레지스트 성분 및 염류등의 극성 오염물을 제거하고, 배관막힘현상을 방지할 수 있다.

Description

포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물{THINNER COMPOSITION FOR CLEANING PHOTORESIST COATER}

본 발명은 평판디스플레이(FPD) 제조 공정 중에서 사용되는 포토레지스트를 제거하기 위한 씬너 조성물에 관한 것이다. 구체적으로는, 포토레지스트를 도포한 후에는 포토레지스트 장비 또는 노즐에 잔류하는 포토레지스트, 변성 혹은 경화된 포토레지스트 및 염과 같이 주변환경에 의해 생성되는 오염물 등이 노즐 안에는 잔류하게 되는데, 이러한 포토레지스트 도포 장비 및 도포 노즐에 잔류하는 오염원을 세정하기 위한 조성물에 관한 것이다.

반도체 디바이스 제조 공정과 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정은 기판 상에 형성된 절연막 또는 금속막에 포토레지스트를 균일하게 코팅 또는 도포하는 도포공정, 자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로 패턴을 반복적이고 순차적으로 축소 투영하면서 마스크의 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하는 노광공정, 광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상공정, 현상된 웨이퍼의 패턴에 따라 소정 부위를 에칭하는 식각공정, 및 상기 공정 후 불필요하게 된 포토레지스트를 제거하는 박리공정으로 이루어진다.

현재 액정 디스플레이 장치(TFT-LCD)의 박막 트랜지스터 미세가공에 사용되는 대표적인 포토레지스트의 주성분은 이성분계 감광재료인 디아조나프토퀴논 (DiazoNaphthoQuinone, 이하 DNQ)과 페놀 수지의 일종인 노볼락 수지(Novolac resin)이다.

이러한 DNQ-노볼락 수지는 수은등의 G-선 노광 기술에 적용되어 1㎛ 이하 해상도의 Mb DRAM급 반도체 생산에 쓰이고 있으며, 예전부터 현재까지 고화질 인쇄 제판에 주로 사용되고 있는 포지티브형 포토레지스트이다.

상기 DNQ는 반도체 제조공정에서 사용되는 표준적 알칼리 현상액인 2.38% TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 용액에 노볼락 수지와 같이 용해되어 포지티브 미세 패턴이 얻어진다.

I-선에 적합하게 조절된 DNQ-노볼락 수지 포토레지스트는 I-선 노광으로 0.5㎛ 이하 200㎚급 고해상도를 달성하고 있다. 현재에도 DNQ/노볼락 수지의 포토레지스트는 미세가공 공정에 다방면으로 중요하게 사용되므로 노볼락 수지의 화학구조와 분자량 크기/분포의 조절, DNQ의 화학구조와 G-선과 I-선 파장에서의 광반응성 상관관계 조절 등 포토레지스트의 실제적 성능 향상에 대한 연구는 지속적으로 추구되고 있다.

또한, 상기 포토리소그래피 공정 중에서 포토레지스트를 도포하는 과정은 일반적으로 슬릿 노즐(Slit Nozzle) 을 이용하여 기판의 전체에 균일한 두께로 도포하게 되는데, 도포가 끝난 후 도포장비 및 노즐 내부에는 용매, 레지스트 성분, 일부 변성 혹은 경화된 포토레지스트 및 극성 오염물 등이 잔류하게 된다. 그러므로, 포토레지스트 도포장비를 세정하기 위한 조성물로 가장 중요한 요소는 용해도에 대한 평가이며, 특히 상기 포토레지스트 성분들과 같은 용해대상을 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있는가를 결정하는 용해력, 즉 용해속도와 염류와 같은 극성오염물에 대한 용해도이다.

전술한 바와 같이 포지티브형 포토레지스트로써 DNQ-노볼락 수지가 주로 사용되는데, 노볼락 수지는 크레졸(Cresol)의 단분자로부터 중합하여 얻어지며, 하기 화학식1과 같이 오쏘-, 메타-, 파라-형태의 크레졸 수지 형태가 있다. 이러한 크레졸 및 노볼락 수지는 모두 친수성을 띈다.

<화학식 1>

또한, 하기 반응식1에서와 같이, 광촉매인 DNQ는 UV 노광공정을 거치기 전에는 용해 억제제(dissolution inhibitor)로서 알칼리 불용 소수성으로 작용하지만, UV에 노광된 후에서 광반응으로 친수기인 카르복실산기를 포함한 1H-인덴-3-카르복실산(1H-Indene-3-Carboxylic Acid, 이하 ICA)으로 변하게 된다.

<반응식 1> DNQ의 광반응 과정

즉, 하기의 노광 전, 후의 포토레지스트의 용해도를 나타낸 그래프를 보면, DNQ가 DNQ-노볼락 수지로 구성된 포토레지스트가 노광공정을 거치기 전에는 친수성 용매에 용해되는 것을 저해하지만, 노광공정 이후에는 DNQ가 ICA로 변하게 되어 포토레지스트가 친수성 용매에 용해되는 것을 촉진하는 용해 촉진제로 작용하게 되는 것을 알 수 있다.

<노광 전, 후의 포토레지스트의 용해도 >

이처럼 DNQ-노볼락 수지를 주성분으로 하는 포토레지스트는 용해성질이 서로 다른 물질들로 이루어진 혼합물이기 때문에 용해성능을 충분히 만족시킬 수 있는 씬너 용제를 개발하기 어렵다.

그러나, 종래에 주로 사용되는 씬너 용제로는 에테르류, 케톤류, 에스테르류 등에 속하는 용제 혹은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Propylene glycol monomethyl ether), 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(Ethylene glycol monomethyl ether), 및 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르(Ethylene glycol monoethyl ether)와 같은 글리콜 에테르류, 또는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate)와 같은 글리콜 에테르 아세테이트류와 같은 용제 중에서 단일 성분을 사용하는 것이 일반적이었으나, 작업자의 인체에 치명적인 독성을 유발 및 화기 등에 대한 안전성과 휘발성 등이 강조되면서, 최근 들어서는 씬너의 사용목적에 적합하고 인체에 무해한 혼합용제 씬너를 개발하고 이를 사용하는 경우가 늘어나고 있다.

한국등록특허 10-1379649호에는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (Propylene glycol monomethyl ether acetate, 이하 PMA 또는 PGMEA)의 단일성분 씬너가 가지는 문제점을 해결하고, 백화현상이 일어나지 않는 세정력이 향상된 포토레지스트 제거용 복합조성 씬너 조성물이 개시되어 있다.

또한, 한국공개특허 10-2014-0051546호에는 패턴 구현을 위해 사용되는 포토레지스트 또는 SOH(Spin on Hardmask)의 양을 절감할 수 있고, 기판의 가장자리부 또는 후면부에 도포된 불필요한 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 씬너 조성물이 개시되어 있다.

또한, 한국등록특허 10-1384811호에는 포토레지스트 공정에서 사용된 씬너를 공비증류를 이용하여 재활용함으로써 경제성과 편의성을 극대화할 수 있는 포토레지스트 린스용 씬너 조성물이 개시되어있다.

반면, 상기 포토리소그래피 공정 중에서 포토레지스트를 도포하는 과정이 끝나면 일반적으로 슬릿 노즐(Slit Nozzle) 내부에 잔류하게 되는 포토레지스트를 세정하는 공정이 반드시 필요하다.

과거에 수행된 포토레지스트 도포 장비 및 노즐 세정공정은 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate, 이하 PMA)와 같은 단일 용매를 주로 사용하거나, 아논 또는 디메틸포름아미드(N,N-dimethyl formamide, 이하 DMF)를 혼용하여 사용해 왔다. 그러나 PMA와 같은 단일 용매로는 포토레지스트 도포장비 및 노즐 안에 잔류해있는 서로 다른 용해성질로 이루어진 포토레지스트 주성분들을 충분히 용해시키지 못한다. 뿐만 아니라, 휘발 및 기타 요인 등으로 인해 발생된 난용성 성분 및 소량 변성/경화 혹은 젤화된 포토레지스트 등은 일반적인 세정작업으로는 충분히 제거되지 않아 포토레지스트 불량 도포의 한 원인이 되기도 한다.

또한, 아논이나 DMF 등의 포토레지스트 용해에 탁월한 성능을 보이는 용매는 작업자에게 심각한 문제를 유발시켜, 최근에는 다른 무해한 용매로 대체하는 추세이다.

그리고, 용매의 품질과 작업환경으로 인해 염류과 같은 극성의 오염물이 발생될 수 있는데, 이 또한 일반적인 세정액 조성으로는 용해도가 충분치 않아 배관 막힘 등의 심각한 문제를 야기시킬 수 있다.

이러한 문제점들은 FPD 부품의 제조 공정 중에서 만족할 정도의 공정 효율을 높이는 것에 한계를 줄 뿐 아니라 그로 인한 엄청난 경제적 손실을 유발시키고 있다.

상기 기술한 바와 같이 포토레지스트 도포공정에서 사용된 도포장비의 세정을 위한 조성물에 대한 개발이 절실히 요구되고 있음에도 아직까지 이 부분을 해결하기 위한 연구가 활발히 이루어지지 않고 있다.

본 발명은 포토레지스트 도포 노즐의 배관 막힘 현상을 방지하기 위한 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 포토레지스트 도포 노즐 내에 잔류하고 있는 포토레지스트 및 염류 등의 각종 오염물에 대한 용해도를 높일 수 있는 포토레지스트 도포장비 세정 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측명에 따르면, 포토레지스트를 도포하는 과정에서 사용된 포토레지스트 도포장비 세정용 조성물로써, 상기 조성물은 글리콜 에테르류(Glycol ether), 메틸 3-메톡시 프로피오네이트(Methyl 3-methoxy propionate, MMP), 에틸 3-에톡시 프로피로피오네이트(Ethyl 3-ethoxy propionate, EEP), 및 다가알코올류를 포함하는 포토레지스트 세정용 조성물을 제공한다.

바람직하게는, 상기 글리콜 에테르류는 전체 조성물 100 중량부에 대해 55 내지 70 중량부, 에틸 3-에톡시프로피로네이트는 25 내지 40 중량부, 메틸 3-메톡시프로피로네이트(Methyl 3-methoxy propionate, MMP)는 2 내지 10 중량부, 및 다가알코올류는 0.1 내지 5 중량부를 포함할 수 있다.

보다 바람직하게는, 상기 글리콜 에테르류는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(Propylene glycol monomethyl ether), 프로필 셀로솔브(Propylcellosolve)중에서 1종 또는 두 혼합물을 포함할 수 있다.

또한, 바람직하게는, 상기 다가알코올류는 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 글리세린(glycerin), 1,3-부탄디올(1,3-butnandiol) 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 포토레지스트 도포장비 세정액을 사용하면 포토레지스트 도포장비 및 노즐의 배관 막힘 현상을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 포토레지스트 도포장비 세정액은 포토레지스트 도포장비 및 노즐 내에 잔류하고 있는 포토레지스트와 염류 등의 각종 오염물에 대한 용해도를 높일 수 있다.

본 발명에서 사용된 용어 "포토레지스트 도포 장비"는 도포장비 본체 및 본체에 부착된 노즐 등 포토레지스트를 도포하는 과정에서 포토레지스트가 통과하는 모든 라인을 포함한다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명은 포토레지스트를 도포하는 과정에서 사용된 포토레지스트 도포장비 세정용 조성물에 관한 것이다.

이하, 본 발명에 따른 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물의 제조에 사용되는 단위는 다른 기재가 없는 한 중량부를 의미한다. 또한, 다른 언급이 없는 한 포토레지스트 도포장비 세정용 조성물 전체 조성비를 100중량부를 기준으로 기재한 것이다.

본 발명의 포토레지스트 도포장비 세정용 조성물은 글리콜 에테르(Glycol ether), 메틸 3-메톡시 프로피로네이트(Methyl 3-methoxy propionate, 이하 MMP), 에틸 3-에톡시 프로피로네이트(Ethyl 3-ethoxy propionate, 이하 EEP), 및 다가알코올류를 포함한다.

고분자성 물질에 대한 용해도는 1967년 Charles M Hansen 박사가 물질의 용해성을 예측하는 방법으로 개발한 한센 용해도 파라미터에 따라 예측하는데, 분산효과(δd), 극성효과(δp) 및 수소결합효과(δh)의 상호 작용을 반영한 전체 용해도 파라미터(δTot)를 주로 따른다.

하기의 표 1를 참조하면, 포토레지스트 주성분 1인 노볼락 수지와 유사한 용해도 파라미터(δTot)를 보이는 용제는 글리콜 에테르 아세테이트류, 알킬 아세테이트류 및 케톤류 등이며, 포토레지스트 주성분 2인 DNQ는 n-BA와 같은 알킬 아세테이트류와 유사한 용해도 파라미터를 보인다.

[표 1] 한센 용해도 파라미터

그러나, 노볼락 수지의 경우 알코올을 포함하는 페놀수지의 일종으로, 이러한 고분자 물질의 용해력을 향상시키기 위해서는 전체 용해도 파라미터(δTot)뿐만 아니라 분산력(δd)과 수소결합효과(δh) 및 기타 요인도 함께 고려해야만 한다.

예를 들면, 아세톤(δTot : 20)과 n-부탄올(δTot : 22.2)의 경우에는 전체 용해도 파라미터보다는 쌍극자력(δp)과 수소결합력(δh)의 영향이 커서 두 물질 간의 고분자의 용해성질은 완전히 달라지게 된다. 즉, 용질과 용매간의 유사한 화학적물리적 특성인 용해도를 판단하는데 가장 좋은 방법이 한센 용해도 파라미터를 비교하는 것일지라도, 분자와 분자간의 영향, 용제와 용제간의 영향, 그리고 분자와 용제간의 영향을 모두 평가하기에는 충분하지 못하다.

또한, 배관 막힘 현상 등과 같은 기타 요인도 고려해야 하는데, 포토레지스트 도포 장비 및 노즐 세정시 세정이 충분하지 않으면 배관 막힘 현상 등이 발생할 수 있다. 배관 막힘 현상은 제품 불량을 초래할 뿐만 아니라 막대한 경제적 손실을 유발한다. 이러한 배관 막힘 현상은 여러 가지 요인에 의해 발생하지만 주로 황산나트륨(Na₂SO₄)과 같은 염류의 백화현상에 의해 발생한다.

즉, 이러한 백화현상을 일으키는 염류들은 포토레지스트 도포 장비 및 노즐 등의 배관막힘 현상을 야기시키는 주원인이 된다. 따라서, 포토레지스트 도포 장비 세정 조성물에 있어 이같은 염류 및 극성 물질의 용해도를 향상시키는 것도 매우 중요하다.

따라서, 본 발명자들은 이러한 문제점들을 인식하고, 다양한 시도를 통하여 포토레지스트 및 염류와 같은 극성 오염물을 용해시킬 수 있는 조성물로써 최적화된 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물의 발명을 완성하였다.

우선, 포토레지스트의 주성분인 노볼락수지 및 배관 막힘의 현상의 원인이 되는 염과 같은 오염물을 세정하기 위한 제1 조성물로는 글리콜에테르류가 적합하다. 보다 바람직하게는, 상기 글리콜 에테르류는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Propylene glycol monomethyl ether, PGME) 및 프로필셀로솔브 (Propylcellosolve, 이하 PC)이나, 이에 한정하는 것은 아니다.

글리콜 에테르류가 전체 조성물 100 중량부에 대해 55 중량부 미만이면, 노볼락 수지 및 극성 염류등이 충분히 제거되지 못하고, 70 중량부를 초과하면 용해시간이 증가되어 효과적이지 않다.

따라서, 포토레지스트 도포장비 및 노즐 세정용 씬너 조성물에 포함되는 PGME는 전체 조성물 100 중량부에 대해 55 내지 70 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 60 내지 70 중량부로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.

다음으로, 제 2조성물인 상기 에틸 3-에톡시프로피오네이트(Ethyl 3-ethoxy propionate, EEP)는 포토레지스트 도포 후 도포 장비에 잔류해있는 난용성 성분을 제거하여 세정력을 향상하기 위한 조성물로 적합하다.

EEP가 전체 조성물 100 중량부에 대해 25 중량부 미만으로 사용되면 도포 장비에 잔류해 있는 난용성 성분이 충분히 제거되지 못하여 세정효과가 낮고, 40 중량부를 초과하게 되면 용해시간이 증가하여 효율성이 떨어진다. 따라서, 포토레지스트 도포장비 및 노즐 세정용 씬너 조성물에 포함되는 EEP는 전체 조성물 100 중량부에 대해 25 내지 40 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 25 내지 35 중량부로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.

한편, 상기 메틸 3-메톡시 프로피오네이트(Methyl 3-methoxy propionate, MMP)는 제3조성물로서, 포토레지스트 도포 후 도포 장비에 잔류물들의 용해 속도를 증가시키기 위한 조성물로 적합하다.

따라서, 상기 MMP는 전체 조성물 100 중량부에 대해 2 중량부 미만으로 사용되면 포토레지스트의 용해속도를 충분히 향상시키지 못하며, 10 중량부를 초과하게 되면 용해 속도를 현저히 저하시키고, 포토레지스 및 염류들을 충분히 용해시키지 못한다. 따라서, MMP는 2 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 3 내지 7 중량부로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.

한편, 본 발명의 포토레지스트 도포 장비 세정 조성물을 위해서는 도포장비 및 노즐 등의 배관 막힘의 주 원인이 되는 염류와 같은 극성 오염물의 제거가 필요하다.

그러나 이미 상술된 바와 같이 PGME는 염에 대한 용해도가 좋은 용매이지만 난용성 성분을 제거하여 세정력을 향상시키고, 용해속도를 향상시키기 위해서는 EEP 및 MMP의 사용이 요구된다. 다시 말해, 도포 장비 세정 조성물로서 상기 상술된 조성물만을 사용하게 되면, 염류 등 극성 오염물 등의 제거효율은 떨어지게 된다.

그러므로, 포토레지스트 도포 후 도포장비에 잔류해 있는 잔류물 중 염류와 같은 극성 오염물에 대한 용해력을 보다 향상시키기 위해서는 강한 수소결합력을 갖는 물질이 추가적으로 요구되는데, 이를 위한 제4 조성물로는 다가알코올류가 적합하다. 바람직하게는, 상기 다가알코올류는 에틸렌 글리콜, 글리세린, 1,3-부탄디올 등이며, 글리세린이 보다 바람직하나, 이에 한정하는 것은 아니다.

상기 다가알코올류는 전제 조성물 100중량부에 대해 5중량부를 초과하여 포함하면, 염에 대한 용해도는 향상되지만 용해속도를 저해하고, 낮은 휘발도로 인해서 노즐 내에 잔류하여 포토레지스트 도포시에 불량을 초래할 가능성이 있다.

따라서, 포토레지스트 도포장비 및 노즐 세정용 조성물에 포함되는 글리세린은 전체 조성물 100중량부에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함되는 것이 바람직하며, 2 내지 4 중량부로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 도포장비 세정 조성물에 대한 실시예 및 비교예를 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시에 불과한 것일 뿐이며, 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예로 한정되는 것은 아니다.

< 실시예 1 >

(1) 포토레지스트의 용해력 및 세정력 평가

대상 시편은 8인치 실리콘 웨이퍼 위에 포토레지스트를 스핀코터(Spin Coater)로 10초 동안 500RPM의 속도하에서 코팅한 후, 140℃에서 3분간 베이킹(Baking)하여 가로*세로의 길이가 2cm*2cm가 되도록 준비하였다. 준비된 시편은 하기 표 2의 실시예 1에 따른 세정액 조성물이 든 비커에 넣고, 상온에서 300rpm의 조건으로 세정한 후 포토레지스트의 용해력 및 세정력을 평가하였다. 포토레지스트의 용해력 평가는 시편에 도포된 포토레지스트가 육안으로 완전히 제거된 시간을 기록한 것이며, 세정력의 평가는 OM(Optical microscope)과 SEM(Scanning electron microscope)으로 관측하였다.

(2) 염류 및 극성 오염물의 용해력 평가

하기 표 2의 실시예 1에 따른 세정액 조성물 100g에 0.1g의 이온결합성 염 (Sodium sulfate, Na₂SO₄)을 넣은 후, 상온에서 300rpm으로 1시간 동안 교반하였고, ICP-MS로 양이온의 농도를 측정하였다.

< 실시예 2 내지 7 및 비교예 1 내지 9>

하기 표 2에 따라 제조된 세정액 조성물을 이용하여 실시예 1의 방법에 따라 평가하였다.

[표 2]

상기 표 2를 참조해 보면, 본 발명의 포토레지스트 도포장비 세정액 조성물인 실시예 1 내지 7이 비교예 1 내지 9보다 포토레지스트에 대한 용해력 및 세정력, 염류에 대한 용해력이 월등히 우수함을 확인할 수 있다.

비교예 1 과 2를 비교하면, PMA가 PGME보다 세정력은 우수하지만 염류에 대한 용해도가 현저히 낮다. 그러나, PGME에 EEP를 혼합하게 되면 세정력은 PGME 단일용매인 경우보다 향상되며, 염류에 대한 용해도는 PMA 단일 용매보다 현저히 증가하게 되는 것을 비교예 3과 4를 통해 알 수 있다.

이 상기 PGME와 EEP의 혼합용제에 MMP를 추가하면 염류의 용해도는 소량 감소하더라도 용해시간이 월등히 단축되는 것을 비교예 4와 5를 통해 확인할 수 있다. 그러나, MMP를 너무 많이 추가하게 되면 오히려 용해시간은 늘어나는 것을 비교예 6에서 보여준다.

또한, 비교예 7에서는, 염류의 용해도를 높이고자 다가알코올인 글리세린을 일정량 이상 사용하면 포토레지스트의 세정력이 저하되는 것은 물론이고 용해시간 또한 현저히 증가하여 용해력이 떨어지게 된다는 것을 나타낸다.

다시 말해서, 포토레지스트 도포장비 세정용 씬너 조성물에서는 글리콜 에테르류(PGME, PC), EEP, MMP 및 다가알코올류(글리세린, 1,3-부탄디올)의 조성비가 매우 중요함을 알 수 있다.

뿐만 아니라, 염류의 용해도가 20ppm 이하일 때 백화현상과 같은 배관막힘 현상을 유발할 수 있는 주 원인이 될 수 있기 때문에, 염류 및 극성 오염물에 대한 충분한 용해도를 확보하는 것은 무엇보다 중요한 요인이다.

따라서, 본 발명의 실시예 1 내지 7은 포토레지스트에 대한 용해력과 세정력 뿐만 아니라 염류에 대한 용해력까지 향상시키는 세정 조성물로써, 도포장비나 노즐에 잔류되어 있는 노볼락 수지 및 난용성 물질의 세정에 탁월하며, 배관막힘 현상의 유발 인자인 염류 및 극성 오염물을 제거하기에도 우수하다.

또한, 실시예 7에서와 같이 PGME와 프로필셀로솔브(Propylcellosolve, PC)의 혼합용액의 경우에도 우수한 세정력과 용해력, 그리고 염류에 대한 용해도를 보였다.

이처럼 본 발명의 실시예 및 비교예를 통해 포토레지스트의 용해력 및 세정력, 염류 및 극성 오염물의 용해력까지 향상된 세정액 조성물을 개발하였으며, 이는 포토레지스트 도포 장비의 세정에도 효과가 탁월함은 자명할 것이다.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않은 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등하거나 균등한 범위 내에 있는 모든 기술사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

1. 포토레지스트를 도포하는 과정에서 사용된 포토레지스트 도포장비 세정용 조성물로서, 전체 조성물 100 중량부에 대해,
   글리콜 에테르류 55-70 중량부;
   에틸 3-에톡시프로피오네이트(Ethyl 3-ethoxy propionate) 25-35 중량부;
   메틸 3-메톡시프로피오네이트(Methyl 3-methoxy propionate) 3-7 중량부; 및
   글리세린 1-5 중량부;로 이루어지며,
   상기 글리콜 에테르류는 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 1종 단독화합물로 구성되거나 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르와 프로필셀로솔브로 이루어진 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물.
2. 제 1항에 있어서,
   상기 글리콜 에테르류는 상기 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 1종 단독화합물로 구성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물.
3. 제 1항에 있어서,
   상기 글리콜 에테르류는 상기 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르와 프로필셀로솔브로 이루어진 혼합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물.
4. 제 3항에 있어서,
   상기 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르는 40 중량부이고, 상기 프로필셀로솔브는 20 중량부인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 도포 장비 세정용 조성물.
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