KR101807850B1 - Multi-Chip System Clock Signal Distribution Synchronization Technology with In-Phase Clock Lines - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 멀티칩 시스템의 동기화 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 동위상 클럭라인을 이용하여 멀티칩 시스템의 클럭 신호를 분배하고 동기화 하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a synchronization method of a multi-chip system. More particularly, to a method for distributing and synchronizing clock signals in a multi-chip system using an in-phase clock line.
데이터 및 상기 데이터를 인식하는데 사용되는 클럭은 시스템을 초기화할 때 일정한 트레이닝(training) 과정을 통해 최적의 상태로 설정하는 것이 일반적이다. 그러나 시스템이 동작하는 동안 발생하는 열, 데이터 패턴의 변형 등 초기화를 진행시켰던 환경과 다른 환경이 시스템의 동작에 영향을 주게 되므로, 시스템이 동작하고 있는 동안에도 클럭의 위상을 최적으로 조절할 수 있는 방법 및 이를 구현하는 회로가 요구된다.The data and the clock used to recognize the data are generally set to an optimal state through a certain training process when the system is initialized. However, since the environment in which the initialization has progressed, such as the heat generated during the operation of the system and the data pattern variation, affects the operation of the system, it is possible to optimally adjust the phase of the clock even while the system is operating And a circuit for implementing it are required.
오실레이터(oscillator) 회로는 안정적인 발진 주파수를 발생하는데 일부 문제점을 가지고 있다. 종래의 오실레이터 회로는 그 사이즈가 커짐에 따라 주파수가 순간적으로 흔들리는 지터(jitter) 현상, 위상이 지연되는 클럭 스큐(clock skew) 현상 등이 발생하였다.An oscillator circuit has some problems in generating a stable oscillation frequency. As the size of a conventional oscillator circuit increases, a jitter phenomenon occurs in which the frequency instantaneously shakes, and a clock skew phenomenon occurs in which the phase is delayed.
링 타입의 오실레이터는 효율이 좋고 넓은 주파수 범위를 가지며 작은 면적을 차지하는 장점이 있어 클럭 생성 회로로서 널리 사용되고 있다. 링 오실레이터의 발진 주파수는 보통 하기의 수학식 1에 따라 계산이 가능하다.A ring-type oscillator is widely used as a clock generation circuit due to its efficiency, wide frequency range, and small area. The oscillation frequency of the ring oscillator is usually calculated according to the following equation (1).
여기서 N은 지연 셀의 개수를 나타내며, td는 하나의 지연 셀이 가지는 지연 시간을 의미한다. 링 오실레이터의 발진 주파수는 N에 반비례하기 때문에 많은 지연 스테이지를 쓰는 경우, 동작 신뢰도와 면적 등에 있어서 한계가 존재한다.Where N represents the number of delay cells, and td represents the delay time of one delay cell. Since the oscillation frequency of the ring oscillator is inversely proportional to N, there are limitations in operation reliability and area when many delay stages are used.
*또한 종래의 GHz 급의 고속 클럭 주파수를 발생하고 분배하는 회로에서 안정성은 성능에 상당히 주요한 요인이 되지만, 인버터만을 이용한 오실레이터는 없고, 또한 프랙탈 구조로 설계되어 고속의 클럭 주파수를 발생시키는 오실레이터의 개발이 요구되고 있다.In addition, stability in the circuit generating and distributing the high-speed clock frequency of the conventional GHz class is a major factor in performance. However, since there is no oscillator using only the inverter, the oscillator is designed in a fractal structure to generate a high clock frequency .
오늘날 SoC(System on Chip) 설계 기술의 발달로 시스템을 구성하는 집적회로의 클럭 신호는 대다수 GHz급이며, 동작속도는 계속 증가되고 있다. 이러한 초고속 클럭 신호의 생성과 분배(Ultra High-Speed Clock Generation and Distribution)는 집적회로 설계에 있어 매우 중요한 기술사항이다. 만약 클럭 스큐가 발생되면 클럭 신호를 필요로 하는 시스템의 동작에 오류가 발생할 수 있다. 현재에는 발생된 클럭 신호의 위상차를 검출하고 회로의 동기화 문제를 해결하기 위한 방안으로 PLL(Phase Locked Loop) 회로 사용을 선호하고 있다. 하지만 PLL회로는 구조가 복잡하여 배선면적에 의한 칩 사이즈가 커지는 부담을 가지고 있다.With the development of System on Chip (SoC) design technology today, the clock signals of integrated circuits constituting the system are mostly GHz, and the operating speed is continuously increasing. Ultra high-speed clock generation and distribution is a very important technology in integrated circuit design. If clock skew occurs, the operation of a system that requires a clock signal may fail. Currently, it is preferred to use PLL (Phase Locked Loop) circuit to detect the phase difference of the generated clock signal and to solve the synchronization problem of the circuit. However, the PLL circuit is complicated in structure and has a burden of increasing the chip size due to the wiring area.
본 개시에서는 동위상 클럭 라인을 이용한 멀티칩 시스템 클럭 신호분배 및 동기화 기법을 제안한다. 제안된 기법은 링 오실레이터 회로를 이용하여 동위상을 클럭 라인으로 단순 연결을 해줌으로써, 시스템 안에 다수개의 칩에서 발생되는 클럭 신호들이 칩간 전원전압의 차이에 따라 갖게 되는 클럭 스큐와 비동기 동작에 의한 오류를 최대한 줄이게 된다. CMOS 링오실레이터는 발진시 모든 노드가 동일한 주파수로 동작된다. 이 구조는 부분적인 전압과 온도 차이에도 네트워크 전체의 클럭 신호 동기화를 실현시키고, 별도로 설계된 회로의 추가없이 인버터 개수를 증가시킴으로써, 주파수 변조(Frequency-shift keying)에도 매우 효과적이다. 또한, 같은 구조로 설계된 서로 다른 다수개의 링 오실레이터의 동위상을 연결한다면 전체 칩 내의 링 오실레이터도 동일한 주파수를 필연적으로 갖게 된다.In this disclosure, a multi-chip system clock signal distribution and synchronization scheme using an in-phase clock line is proposed. The proposed scheme uses a ring oscillator circuit to simplify the connection of the same phase to the clock line, so that the clock skew generated by a plurality of chips in the system depends on the difference of the power supply voltage between the chips and the error caused by the asynchronous operation As much as possible. In a CMOS ring oscillator, all nodes operate at the same frequency when oscillating. This structure is very effective for frequency-shift keying by realizing network-wide clock signal synchronization even with partial voltage and temperature differences, and by increasing the number of inverters without the addition of a separately designed circuit. In addition, if multiple identical ring oscillators are designed to have the same phase, the ring oscillator in the entire chip will inevitably have the same frequency.
본 발명의 목적은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 안정적인 프랙탈 구조의 링 오실레이터를 설계하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a ring oscillator having a stable fractal structure.
또한, 본 발명에 따를 경우, 순간적으로 불안정한 주파수가 발생하는 지터 현상 및 위상 지연이 발생하는 클럭 스큐 현상을 줄일 수 있다.In addition, according to the present invention, a jitter phenomenon in which an unstable frequency instantly occurs and a clock skew phenomenon in which a phase delay occurs can be reduced.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제(목적)들은 이상에서 언급한 기술적 과제(목적)들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제(목적)들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that the technical objectives of the present invention are not limited to the above-mentioned technical objects and other technical objects which are not mentioned in the following description are to be understood from the following description, It will be understood clearly by those with knowledge.
본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 신호 동기화 방법에 있어서, 제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계; 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계; 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 서로 동일한 주파수 및 동일한 위상을 가지는 클럭 신호로 출력되는 단계를 포함하고, 상기 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인인 것을 특징으로 한다.The method of synchronizing a clock signal according to an exemplary embodiment of the present invention includes: receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal; Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip; And outputting the first clock signal and the second clock signal as a clock signal having the same frequency and the same phase, wherein the clock line includes a first chip having the same fractal structure, And is a clock line that connects the three ends to each other.
바람직하게는, 상기 프랙탈 구조는, 홀수 개의 인버터가 직렬로 연결된 인버터 체인(inverter chain)이 하나의 프랙탈 삼각형을 구성하는 프랙탈 구조이다.Preferably, the fractal structure is a fractal structure in which an inverter chain in which odd number of inverters are connected in series constitutes one fractal triangle.
바람직하게는, 상기 제1 칩에 인가되는 제1 전압 및 상기 제2 칩에 인가되는 제2 전압은 서로 다른 전압이다.Preferably, the first voltage applied to the first chip and the second voltage applied to the second chip are different voltages.
바람직하게는, 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩은, 각각 30개의 인버터들로 구성된 링 오실레이터이다.Preferably, the first chip and the second chip are ring oscillators each consisting of thirty inverters.
바람직하게는, 상기 제1 칩 및 제2 칩은 GHz급 주파수에서 동작된다.Advantageously, said first chip and said second chip are operated at a GHz frequency range.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 클럭 스큐 보상 방법에 있어서, 제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계; 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계; 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 조정하는 단계를 포함하고, 상기 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a clock skew compensation method comprising: receiving a voltage source in a first chip for generating a first clock signal and a second chip for generating a second clock signal; Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip; And adjusting the frequency and phase of the first clock signal and the second clock signal, wherein the clock line connects the three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other The clock is the clock line.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 멀티 칩 위상 보정 방법에 있어서, 제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계; 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계; 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 제3 클럭 신호로 조정하는 단계를 포함하고, 상기 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인이다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a multichip phase correction method comprising: receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal; Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip; And adjusting a frequency and a phase of the first clock signal and the second clock signal to a third clock signal, wherein the clock line includes a first chip having the same fractal structure and three ends It is a clock line that connects the stages to each other.
바람직하게는, 상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호 중 어느 하나와 동일한 신호이다.Preferably, the third clock signal is the same signal as any one of the first clock signal and the second clock signal.
본 발명의 일 실시예에 의한 클럭 신호 동기화 방법은 다수 개의 칩에서 추가되는 회로 없이 매우 간단한 방법으로 전체적인 동기화를 이룰 수 있다.The clock signal synchronization method according to an embodiment of the present invention can achieve overall synchronization in a very simple manner without a circuit added in a plurality of chips.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 클럭 신호 동기화 방법은 초고속으로 작동되는 복수 개의 칩에서 클럭 신호 비동기화 문제를 개선하면서 회로의 복잡도 또한 증가되지 않는 유리한 효과가 있다.Also, the clock signal synchronization method according to an embodiment of the present invention has an advantageous effect that the complexity of the circuit is not increased, while the problem of clock signal asynchronization is improved in a plurality of chips operating at super high speed.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의한 클럭 신호 동기화 방법에 의하여 클럭 스큐와 비동기 동작에 의한 오류를 최대한 줄일 수 있다.Also, according to the clock signal synchronization method according to an embodiment of the present invention, errors due to clock skew and asynchronous operation can be minimized.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터의 모형도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 회로의 블록도이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 구조의 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 두 칩 간의 TTL 링 오실레이터 네트워크를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 신호의 동기화 과정을 나타낸 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 측정값을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 측정값을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 스큐 현상 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 스큐 현상 측정값을 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 전압 변동에 따라 측정된 클럭 스큐 값을 나타낸 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션을 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 측정값을 나타낸 그래프이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따라 전압 변동에 따라 측정된 클럭 스큐 값을 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터의 레이아웃을 나타낸 도면이다.1 is a conceptual diagram of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram of a circuit according to one embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a TTL ring oscillator network between two chips according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a synchronization process of a clock signal according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing an output waveform simulation of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing measured values of an output waveform of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph showing an output waveform simulation of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph showing measured values of an output waveform of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
11 is a graph showing a skew phenomenon simulation according to an embodiment of the present invention.
12 is a graph showing skew phenomenon measured values according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a graph illustrating a clock skew value measured according to a voltage variation according to an embodiment of the present invention.
14 is a graph showing an output waveform simulation of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
15 is a graph showing measured values of an output waveform of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
16 is a graph showing the measured clock skew value according to voltage variation according to an embodiment of the present invention.
17 is a diagram illustrating a layout of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다거나 "직접 접속되어"있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the same reference numerals will be used for the same constituent elements in the drawings, and redundant explanations for the same constituent elements will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 링 오실레이터의 구조는 홀수 개의 인버터(inverter)가 직렬로 연결된 형태이다. 가장 단순하게 3개의 인버터로 구성되는 링 오실레이터는 120° 의 위상 차를 가지지만 3개의 인버터를 통과하게 되면 어떠한 지점이든 동일한 주파수 및 위상을 가질 수 있다. 이 구조에서 하나의 셀(Cell)은 3개의 인버터로 구성되며, n(n은 자연수)개의 피드백 루프를 가질 수 있다. 따라서 2차원이나 3차원으로 확장이 가능한 프랙탈(fractal) 구조이다. As shown in FIG. 1, the structure of the ring oscillator is an odd number of inverters connected in series. In the simplest case, a ring oscillator consisting of three inverters has a phase difference of 120 °, but it can have the same frequency and phase at any point when passing through three inverters. In this structure, one cell is composed of three inverters and n (n is a natural number) feedback loops. Therefore, it is a fractal structure that can be extended to two or three dimensions.
예를 들어, 프랙탈 구조에서 홀수 개의 인버터가 직렬로 연결된 인버터 체인(inverter chain)이 하나의 프랙탈 삼각형을 구성할 수 있다. 도 1을 예로 들면, 노드 1 및 노드 6 사이에는 1개의 인버터가 존재할 수 있으며, 경우에 따라서는 3개, 5개, 그 이상의 홀수 인버터들이 존재할 수 있다. 인버터가 홀수 개 존재함으로 인해서 인버터의 입 출력 끝 단에는 서로 다른 값을 가질 수 있다.For example, an inverter chain in which an odd number of inverters are connected in series in a fractal structure can constitute one fractal triangle. For example, in FIG. 1, there may be one inverter between
도 1에 도시된 바와 같이, 큰 삼각형(1-2-3) 내에는 이보다 작은 크기의 삼각형(4-5-6), 더 작은 크기의 삼각형(7-8-9)와 같이 동일 구조로 계속하여 확장이 가능한 프랙탈(fractal) 구조를 확인할 수 있다.As shown in Fig. 1, in the large triangle 1-2-3, a triangle 4-5-6 having a smaller size and a triangle 7-8-9 having a smaller size continue to have the same structure And a fractal structure that can be extended can be confirmed.
상대적으로 작은 삼각형(10-11-12)을 인버터(inverter)로 구성하여 기본 셀(cell) 단위로 할 수 있으며, 이를 계속 확장한 형태로서 CMOS를 이용한 오실레이터를 구성할 수 있다.The relatively small triangle (10-11-12) can be configured as an inverter for each basic cell, and the oscillator can be configured using CMOS as an extension of the basic triangle (10-11-12).
예를 들어, 삼각형(1-6-5)로 구성된 구조에서 노드(node) 1 및 노드 6 사이의 인버터(inverter)에 대해서 노드 1은 입력 신호일 수 있으며, 노드 6은 출력 신호일 수 있다.For example, for an inverter between
본 발명에서의 프랙탈 구조의 링 오실레이터는 GHz 급의 높은 클럭 주파수(clock frequency)를 발생시킬 수 있으며, 이를 분배시킬 수 있다. 프랙탈 링 오실레이터는 고속의 GHz 급의 클럭 주파수를 요구하는 회로에 안정적으로 일정 주파수를 발생시킬 수 있는 회로이다. 제안하는 회로에 의해서 기존의 복잡한 PLL(Phase Locked Loop) 회로의 클럭 스큐 및 지터 현상에 의해서 발생할 수 있는 오류 동작들을 감소시키는 유리한 효과가 있다.The ring oscillator of the fractal structure in the present invention can generate a high clock frequency of GHz level and can distribute the clock frequency. Fractal ring oscillator is a circuit that can stably generate a certain frequency in a circuit requiring high clock frequency of GHz. The proposed circuit has an advantageous effect of reducing the error operations that can be caused by the clock skew and jitter phenomenon of the existing complex PLL (Phase Locked Loop) circuit.
프랙탈 구조로 인해서 프랙탈 구조의 링 오실레이터의 크기를 확장할 수 있다. 적게는 15개부터 45개 이상의 노드를 가지는 프랙탈 구조의 링 오실레이터를 구성할 수 있다. 이러한 경우, 하나의 인버터가 ⅓ π의 위상(phase) 차이를 가지고, 3개의 인버터가 하나의 셀을 구성하므로, 하나의 셀은 ⅔ π의 위상 차를 가지게 된다. 따라서, 3개의 서로 다른 인버터에 의해서 하나의 2π 사이클(cycle)의 위상을 가질 수 있다.The fractal structure allows the size of the ring oscillator of the fractal structure to be extended. Fractional ring oscillators can be constructed with fewer than 15 to 45 nodes. In this case, one inverter has a phase difference of ⅓π, and three inverters constitute one cell, so that one cell has a phase difference of ⅔π. Thus, it can have one 2π cycle phase by three different inverters.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터의 모형도이다.2 is a schematic diagram of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 2개의 칩에 사용될 발진기 2개의 오실레이터 모형도에서, 각 링 오실레이터는 30개의 인버터로 구성되며 서로 다른 두 개의 칩(210, 220)에 발진기로 사용될 수 있다. 3개의 클럭 라인(Clock Line; CL, CL-1, CL-2 및 CL-3)에 의하여 2 개의 오실레이터 동위상 노드가 연결되어 있다. 예를 들어, 제1 칩(210)의 1번 노드와 제2 칩(220)의 1번 노드가 CL-1를 통해서 연결되어 있고, 제1 칩(210)의 5번 노드가 CL-2를 통해서 연결되어 있다.As shown in FIG. 2, in an oscillator model diagram of two oscillators to be used for two chips, each ring oscillator is composed of thirty inverters and can be used as an oscillator in two
만일 2개의 칩(210, 220)에 공급되는 전압의 차이가 근소하게 발생한다 하더라도 3개의 클럭 라인의 연결에 의해서 전체 오실레이터 네트워크(200)는 동일한 주파수 및 동일한 위상으로 발진할 수 있다.Even if the difference in voltage supplied to the two
바람직하게는, 다수 개의 칩은 동일한 구조를 가지는 칩일 수 있다. 예를 들어, 제1 칩(210)은 30개의 인버터들로 구성된 링 오실레이터일 수 있으며, 제2 칩(220) 또한 30개의 인버터들로 구성된 링 오실레이터일 수 있다.Preferably, the plurality of chips may be chips having the same structure. For example, the
바람직하게는, 제1 칩(210) 및 제2 칩(220)는 서로 동일한 구조를 가지면 충분하고, 인버터의 개수는 회로 내부의 물리적인 공간이 보장되는 범위 내에서 증가 또는 감소가 가능하다.It is preferable that the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 회로의 블록도이다.3 is a block diagram of a circuit according to one embodiment of the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 개시에서는 서로 다른 2 개의 칩(310, 320)에서 발생된 클럭 신호 동기화를 위해서 PLL을 사용하지 않고, 제안되는 방법으로 위상 동기화 회로를 구현하는 방법을 설명하기로 한다. 링 오실레이터 네트워크는 간단한 형태로 회로가 구성되기 때문에 레이아웃 설계시 PLL 회로보다 배선 면적이 감소되는 유리한 효과가 있다.As shown in FIG. 3, a method of implementing a phase synchronization circuit by a proposed method without using a PLL for synchronizing a clock signal generated in two
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 구조의 개념도이다.4 is a conceptual diagram of a multi-layer structure according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 최신의 다층 CMOS 처리 기술에 의해서 입체적인 구조를 설계할 수 있다. 제1 칩(410) 및 제2 칩(420) 간에는 클럭 버스 라인(Clock Bus Line)이 위치하여 두 칩 간을 연결하고 있으며, 이러한 단순화된 구조를 통해서 배선 과부하(wiring overload) 현상을 줄일 수 있다.As shown in Fig. 4, a three-dimensional structure can be designed by the latest multi-layer CMOS processing technology. A clock bus line is located between the
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 두 칩 간의 TTL 링 오실레이터 네트워크를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a TTL ring oscillator network between two chips according to an embodiment of the present invention.
시뮬레이션뿐만 아니라, 저속 TTL 칩을 이용한 하드웨어 실험을 통해서도 클럭 신호 동기화 방법을 설명할 수 있다. 실험 조건에서 각각의 칩(510, 520)은 5개의 TTL 칩(7404)로 구성되었으며, 3개의 클럭 버스 라인은 서로 다른 3개의 동위상을 연결하는 역할을 수행한다.In addition to simulation, hardware experiments using low-speed TTL chips can also explain clock signal synchronization methods. Under the experimental conditions, each of the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 클럭 신호의 동기화 과정을 나타낸 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a synchronization process of a clock signal according to an embodiment of the present invention.
단계 S610에서, 제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는다. In step S610, a voltage source is input to the first chip for generating the first clock signal and the second chip for generating the second clock signal.
단계 S620에서, 제1 칩 및 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 제1 클럭 신호 및 제2 클럭 신호가 발진한다.In step S620, the first clock signal and the second clock signal oscillate in the clock line located between the first chip and the second chip.
단계 S630에서, 제1 클럭 신호 및 제2 클럭 신호가 서로 동일한 주파수 및 동일한 위상을 가지는 클럭 신호로 출력된다.In step S630, the first clock signal and the second clock signal are output as a clock signal having the same frequency and the same phase as each other.
상기의 과정에서의 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 제1 칩 및 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인인 것을 특징으로 한다.The clock line in the above process is a clock line connecting the three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other.
동일한 맥락에서, 하기와 같은 과정으로 클럭 스큐를 보상할 수 있다.In the same vein, you can compensate for the clock skew by:
제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계;Receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal;
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계;Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip;
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 조정하는 단계를 포함하고,And adjusting the frequency and phase of the first clock signal and the second clock signal,
상기 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인이다.The clock line is a clock line connecting three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other.
또한, 동일한 맥락에서, 하기와 같은 과정으로 멀티 칩 위상을 보정할 수 있다.Also, in the same context, the multi-chip phase can be corrected by the following process.
제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계;Receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal;
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계;Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip;
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 제3 클럭 신호로 조정하는 단계를 포함하고,And adjusting the frequency and phase of the first clock signal and the second clock signal to a third clock signal,
상기 클럭 라인은, 동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인이다.The clock line is a clock line connecting three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other.
이하에서는, 상기의 클럭 신호 동기화 방법을 적용시킨 시뮬레이션 및 측정 결과에 기초하여, 본 개시에서의 효과를 중점적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the effects of the present disclosure will be described on the basis of simulation and measurement results obtained by applying the above clock signal synchronization method.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라, 동일한 전압을 전제로 하여 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션을 나타낸 그래프이고, 도 8는 출력 파형 측정값을 나타낸 그래프이다.FIG. 7 is a graph showing simulation of an output waveform of a ring oscillator on the assumption of the same voltage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a graph showing an output waveform measurement value.
도 7에 도시된 바와 같이, 2개의 칩에 동일한 전압원이 제공된다면 동일 위상 동일 주파수가 발생되며, 2개의 칩이 클럭 라인으로 연결되어 있지 않더라도 중앙 노드 2개(도 2에서 노드 13)는 정확하게 동위상 상태가 될 수 있다.As shown in FIG. 7, if the same voltage source is provided on two chips, the same phase and the same frequency are generated. Even if two chips are not connected to the clock line, two central nodes (node 13 in FIG. 2) Phase state.
도 8에 도시된 바와 같이, 동일한 전압원에 따른 측정값은 동일 위상 동일 주파수의 형태를 나타내고 있다.As shown in FIG. 8, the measured values according to the same voltage source represent the same phase and the same frequency.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라, 서로 다른 전압원을 전제로 하여 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션을 나타낸 그래프이고, 도 10은 출력 파형 측정값을 나타낸 그래프이다.FIG. 9 is a graph illustrating simulation of output waveforms of a ring oscillator on the assumption of different voltage sources according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a graph showing measured values of output waveforms.
이 실험에서는 제1 칩의 인가 전압을 3V로 고정한 상태에서 제2 칩에 1% 증가한 전압(3.03V)을 인가하였을 경우를 설명할 수 있다. 서로 다른 2 개의 칩에서 전압 변동 범위가 클수록 클럭 스큐의 범위 또한 증가함을 알 수 있다. 8ns 에서 10ns 구간에서 두 클럭 신호 간에 위상 차가 발생한 것을 확인할 수 있다.In this experiment, a case where a voltage (3.03 V) increased by 1% is applied to the second chip while the applied voltage of the first chip is fixed at 3 V can be explained. It can be seen that the range of clock skew also increases as the voltage variation range is larger in two different chips. It can be seen that a phase difference occurs between the two clock signals in the interval of 8 ns to 10 ns.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 스큐 현상 시뮬레이션을 나타낸 그래프이고, 도 12는 스큐 현상 측정값을 나타낸 그래프이다.FIG. 11 is a graph showing a skew phenomenon simulation according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a graph showing a skew phenomenon measurement value.
도 11에 도시된 바와 같이, 서로 다른 전압원을 전제로 할 경우에 발생되는 클럭 스큐가 시뮬레이션 되었으며, 도 12에 도시된 바와 같이, 약 4.8ns의 클럭 스큐가 측정되었다.As shown in FIG. 11, a clock skew generated when different voltage sources are assumed is simulated, and a clock skew of about 4.8 ns is measured, as shown in FIG.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 전압 변동에 따라 측정된 클럭 스큐 값을 나타낸 그래프이다.FIG. 13 is a graph illustrating a clock skew value measured according to a voltage variation according to an embodiment of the present invention.
이 실험에서는 제1 칩의 인가 전압을 3V로 고정한 상태에서 1% 변동 단위(0.03V)로 제2 칩에 2% 증가한 전압(3.06V)까지 인가한 경우를 설명할 수 있다. 마찬가지로 2% 감소한 전압(2.94V)를 최소 범위로 실험하였다. 도 13의 시뮬레이션 결과에서는 143ps까지 클럭 스큐 값이 출력되었음을 확인할 수 있다. 2 개의 칩에 최대 2%의 전압 차이가 있을 경우 143ps의 대칭적 위상 차가 발생함을 확인할 수 있다. 주기 대비해서는 22.04%에 해당되는 위상 차이다.In this experiment, a case where the voltage applied to the first chip is fixed to 3 V and the voltage is increased to 2% (3.06 V) to the second chip with a 1% variation unit (0.03 V) can be explained. Likewise, the voltage was reduced by 2% (2.94 V) to the minimum range. In the simulation result of FIG. 13, it is confirmed that the clock skew value is output up to 143 ps. It can be seen that a symmetrical phase difference of 143 ps occurs when there is a maximum 2% voltage difference between two chips. The phase difference is equivalent to 22.04% of the cycle.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 링 오실레이터의 출력 파형 시뮬레이션 값을 나타낸 그래프이고, 도 15는 측정값을 나타낸 그래프이다.FIG. 14 is a graph showing simulation values of output waveforms of a ring oscillator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a graph showing measured values.
도 14 및 도 15는 1% 전압 변동에 따른 실험 그래프이며, 도2 및 도 5에서 설명한 바와 같이, 3개의 클럭 버스 라인(CBL)을 통해서 2개의 칩이 연결된 상태에서의 결과 그래프이다. FIG. 14 and FIG. 15 are graphs of the experiment with two chips connected through three clock bus lines (CBL) as described in FIG. 2 and FIG.
도 16에 도시된 바와 같이, 앞서 도 13의 스큐 현상보다 시뮬레이션 값 3%와 측정값 1.63%에서 현저하게 감소한 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 16, it can be seen that the simulation value is significantly reduced from the simulation value of 3% and the measured value of 1.63% than the skew phenomenon of FIG.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 CMOS 링 오실레이터의 레이아웃을 나타낸 도면이다.17 is a diagram illustrating a layout of a CMOS ring oscillator according to an embodiment of the present invention.
도 17에 도시된 바와 같이, 앞서 설명한 링 오실레이터를 이용하여 PLL, DLL 회로 없이도 회로를 설계할 수 있으며, 도 17에서는 108개의 인버터들을 이용하여 회로를 구성하였다. 회로의 단순화가 가능해짐에 따라서 칩 사이즈가 전체적으로 줄어드는 효과가 있으며, 2% 범위의 비대칭 전압 조건을 가했음에도 불구하고 19,51ps 이내의 스큐가 측정된 것을 볼 때, 클럭 신호 동기화 기술에 새로운 방향을 제시할 것으로 기대하고 있다.As shown in FIG. 17, a circuit can be designed without a PLL or a DLL circuit by using the ring oscillator described above. In FIG. 17, a circuit is configured by using 108 inverters. As the simplification of the circuit becomes possible, the chip size is reduced overall. Considering that the skew is measured within 19,51 ps despite the 2% range of asymmetric voltage conditions, a new direction in clock signal synchronization technology I expect to present it.
본 기술한 설명은 본 발명의 최상의 모드를 제시하고 있으며, 본 발명을 설명하기 위하여, 그리고 당업자가 본 발명을 제작 및 이용할 수 있도록 하기 위한 예를 제공하고 있다. 이렇게 작성된 명세서는 그 제시된 구체적인 용어에 본 발명을 제한하는 것이 아니다. The description sets forth the best mode of the invention, and is provided to illustrate the invention and to enable those skilled in the art to make and use the invention. The written description is not intended to limit the invention to the specific terminology presented.
따라서, 상술한 예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였지만, 당업자라면 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서도 본 예들에 대한 개조, 변경 및 변형을 가할 수 있다. 요컨대 본 발명이 의도하는 효과를 달성하기 위해 도면에 도시된 모든 기능 블록을 별도로 포함하거나 도면에 도시된 모든 순서를 도시된 순서 그대로 따라야만 하는 것은 아니며, 그렇지 않더라도 얼마든지 청구항에 기재된 본 발명의 기술적 범위에 속할 수 있음에 주의한다.Thus, while the present invention has been described in detail with reference to the above examples, those skilled in the art will be able to make adaptations, modifications, and variations on these examples without departing from the scope of the present invention. In other words, in order to achieve the intended effect of the present invention, all the functional blocks shown in the drawings are separately included or all the steps shown in the drawings are not necessarily followed in the order shown, It can be in the range.
100: 링 오실레이터
200: 전체 오실레이터 네트워크
210: 제1 칩
220: 제2 칩100: Ring oscillator
200: Full Oscillator Network
210: First chip
220: second chip
Claims (12)
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계;
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 서로 동일한 주파수 및 동일한 위상을 가지는 클럭 신호로 출력되는 단계를 포함하고,
상기 클럭 라인은,
동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인인 것을 특징으로 하는, 클럭 신호 동기화 방법.
Receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal;
Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip;
Wherein the first clock signal and the second clock signal are output as a clock signal having the same frequency and the same phase,
The clock line
Wherein the clock signal is a clock line that connects the three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other.
상기 프랙탈 구조는,
홀수 개의 인버터가 직렬로 연결된 인버터 체인(inverter chain)이 하나의 프랙탈 삼각형을 구성하는 프랙탈 구조인 것을 특징으로 하는 클럭 신호 동기화 방법.
The method according to claim 1,
The fractal structure,
Wherein the inverter chain in which an odd number of inverters are connected in series is a fractal structure constituting one fractal triangle.
상기 제1 칩에 인가되는 제1 전압 및 상기 제2 칩에 인가되는 제2 전압은 서로 다른 전압인 것을 특징으로 하는 클럭 신호 동기화 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first voltage applied to the first chip and the second voltage applied to the second chip are different voltages.
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩은,
각각 30개의 인버터들로 구성된 링 오실레이터인 것을 특징으로 하는, 클럭 신호 동기화 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first chip and the second chip include:
Characterized in that the clock signal is a ring oscillator consisting of thirty inverters each.
상기 제1 칩 및 제2 칩은 GHz급 주파수에서 동작되는 것을 특징으로 하는, 클럭 신호 동기화 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first chip and the second chip are operated at a GHz frequency.
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계;
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 조정하는 단계를 포함하고,
상기 클럭 라인은,
동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인인 것을 특징으로 하는, 클럭 스큐 보상 방법.
Receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal;
Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip;
And adjusting the frequency and phase of the first clock signal and the second clock signal,
The clock line
Wherein the clock skew is a clock line connecting the three ends of the first chip and the second chip having the same fractal structure to each other.
상기 프랙탈 구조는,
홀수 개의 인버터가 직렬로 연결된 인버터 체인(inverter chain)이 하나의 프랙탈 삼각형을 구성하는 프랙탈 구조인 것을 특징으로 하는 클럭 스큐 보상 방법.
The method according to claim 6,
The fractal structure,
Wherein the inverter chain in which the odd number of inverters are connected in series is a fractal structure constituting one fractal triangle.
상기 제1 칩에 인가되는 제1 전압 및 상기 제2 칩에 인가되는 제2 전압은 서로 다른 전압인 것을 특징으로 하는 클럭 스큐 보상 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the first voltage applied to the first chip and the second voltage applied to the second chip are different voltages.
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩은,
각각 30개의 인버터들로 구성된 링 오실레이터인 것을 특징으로 하는, 클럭 스큐 보상 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the first chip and the second chip include:
Wherein the ring oscillator is a ring oscillator composed of 30 inverters each.
상기 제1 칩 및 제2 칩은 GHz급 주파수에서 동작되는 것을 특징으로 하는, 클럭 스큐 보상 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the first chip and the second chip are operated at a GHz frequency.
제1 클럭 신호를 발생시키는 제1 칩 및 제2 클럭 신호를 발생시키는 제2칩에서 전압원을 입력받는 단계;
상기 제1 칩 및 상기 제2 칩 사이에 위치하는 클럭 라인에서 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호가 발진하는 단계;
상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호의 주파수 및 위상을 제3 클럭 신호로 조정하는 단계를 포함하고,
상기 클럭 라인은,
동일한 프랙탈 구조를 가지는 상기 제1 칩 및 상기 제2 칩의 세 끝 단을 서로 연결시켜주는 클럭 라인인 것을 특징으로 하는, 멀티 칩 위상 보정 방법.
In the multichip phase correction method,
Receiving a voltage source from a first chip generating a first clock signal and a second chip generating a second clock signal;
Oscillating the first clock signal and the second clock signal in a clock line located between the first chip and the second chip;
And adjusting the frequency and phase of the first clock signal and the second clock signal to a third clock signal,
The clock line
Wherein the first chip and the second chip have the same fractal structure and are connected to each other at three ends of the first chip and the second chip.
상기 제3 클럭 신호는 상기 제1 클럭 신호 및 상기 제2 클럭 신호 중 어느 하나와 동일한 신호인 것을 특징으로 하는, 멀티 칩 위상 보정 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the third clock signal is the same signal as any one of the first clock signal and the second clock signal.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111679714A (en) * | 2019-12-31 | 2020-09-18 | 泰斗微电子科技有限公司 | Cross-chip signal synchronization method and device and chip |
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