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KR101792878B1 - 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 - Google Patents

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 Download PDF

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KR101792878B1
KR101792878B1 KR1020100121613A KR20100121613A KR101792878B1 KR 101792878 B1 KR101792878 B1 KR 101792878B1 KR 1020100121613 A KR1020100121613 A KR 1020100121613A KR 20100121613 A KR20100121613 A KR 20100121613A KR 101792878 B1 KR101792878 B1 KR 101792878B1
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이승철
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 관한 것으로, 개시된 발명은 기판의 비화소영역에 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 게이트배선 및 공통배선을 형성하고, 상기 기판의 화소영역에 상기 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 화소전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 형성된 상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막과 함께 상기 화소전극의제1 도전 금속층패턴을 식각하여, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차 지점에 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 이 소스전극과 이격된 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 함께 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 이 소스전극과 이격된 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극과 화소전극을 노출시키는 화소전극 콘택홀과 함께 상기 공통배선을 노출시키는 공통배선 콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 상기 공통배선 콘택홀을 통해 상기 공통배선과 전기적으로 연결되고 상기 화소전극과 오버랩되는 다수의 공통전극과 함께 상기 화소전극 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결하는 화소전극 연결패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함한다.

Description

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법{METHOD FOR FABRICATING ARRAY SUBSTRATE FOR IN-PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정표시장치(AM-LCD: Active Matrix LCD, 이하 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(즉, 상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이기판(즉, 하부기판)과, 상부기판 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상,하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정 구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점이 있다. 따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새롭게 제안된 기술이 횡전계에 의한 액정 구동방법인데, 이 횡전계에 의한 액정 구동방법은 시야각 특성이 우수한 장점을 가지고 있다.
이러한 횡 전계 방식 액정표시장치는 컬러필터기판과 어레이기판이 서로 대향하여 구성되며, 컬러필터기판 및 어레이기판 사이에는 액정층이 개재되어 있다.
상기 어레이기판에는 투명한 절연기판에 정의된 다수의 화소마다 박막트랜지스터와 공통전극 및 화소전극으로 구성된다.
또한, 상기 공통전극과 화소전극은 동일 기판 상에 서로 평행하게 이격하여 구성된다.
그리고, 상기 컬러필터기판은 투명한 절연기판 상에 게이트배선과 데이터배선과 박막트랜지스터에 대응하는 부분에 블랙매트릭스가 구성되고, 상기 화소에 대응하여 컬러필터가 구성된다.
상기 액정층은 상기 공통전극과 화소전극의 수평 전계에 의해 구동된다.
상기 구성으로 이루어지는 횡전계 방식 액정표시장치에서, 휘도를 확보하기 위해 상기 공통전극과 화소전극을 투명전극으로 형성하나, 설계상 상기 공통전극과 화소전극 사이의 이격 거리에 의해, 상기 공통전극과 화소전극의 양단 일부만이 휘도 개선에 기여할 뿐, 대부분의 영역은 빛을 차단하는 결과가 된다.
따라서, 이러한 휘도 개선 효과를 극대화시키기 위해 제안된 기술이 FFS (Fringe Field Switching) 기술이다. 상기 FFS 기술은 액정을 정밀하게 제어함으로써 색상 변이(Color shift)가 없고 높은 명암비(Contrast Ratio)를 얻을 수 있는 것이 특징이어서, 일반적인 횡전계 기술과 비교하여 높은 화면품질을 구현할 수 있는 장점이 있다.
그런데, 종래의 FFS 방식의 액정표시장치는 좌,우 시야각에 있어서 광시야각을 구현할 수는 있지만, 대면적으로 갈수록 측면 시야각 및 상,하 시야각에 있어서는 좀더 개선되어야 한다.
따라서, 이러한 측면 및 상,하 시야각과 함께 투과율을 개선하기 위해 제안된 기술이 AH-IPS(advanced horizontal in-plane switching) 방식 액정표시장치이다.
이러한 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 평면도이다.
종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(101) 상에 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 다수의 게이트배선 (13c) 및 공통배선(13b)과; 상기 게이트배선(13c)과 교차하고, 이 교차하여 이루는 지역에 화소영역을 정의하는 다수의 데이터배선(21a)과; 상기 게이트배선(13c)과 데이터배선(21a)의 교차지점에 마련되고, 게이트전극(13a)과 액티브층 (미도시)과 드레인전극(21b) 및 소스전극(21c)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 포함하여 구성된다.
상기 구성으로 이루어지는 종래기술에 따른 횡 전계 방식 액정표시장치 제조방법에 적용되는 제1 내지 제5 마스크 공정에 대해 도 2를 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 종래기술에 따른 횡 전계 방식액정표시장치의 제조공정흐름도 로서, 제1 내지 5 마스크 공정에 의해 제조되는 액정표시장치 제조방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 횡 전계 방식액정표시장치 제조방법은, 게이트배선을 형성하기 위해 적용하는 제1 마스크 공정(S12)과; 활성층, 데이터라인, 소스전극 및 드레인전극을 형성하기 위한 제 2마스크 공정(S14)과; 화소전극을 형성하기 위해 적용하는 제3 마스크 공정 (S16)과; 공통배선 콘택홀을 형성하기 위해 적용하는 제4 마스크 공정(S18)과; 공통전극을 형성하기 위해 적용하는 제5 마스크 공정(S20)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 내지 5 마스크공정을 통해 제조되는 종래 기술에 따른 횡 전계 방식 액정표시장치 제조방법에 대해 및 도 3a 내지 도 3n을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3n은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선 및 Ⅲj-Ⅲj에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 횡 전계 방식액정표시장치의 제조공정 단면도들이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(11) 상에 스위칭 영역을 포함하는 다수의 화소영역이 정의하고, 상기 투명한 기판(11) 상에 제1 도전성 금속층(13)을 증착하고 그 위에 제1 감광막(15)을 도포한다.
그 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 마스크 공정(S12)으로서, 제1 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 제1 감광막(15)을 노광 및 현상한 후 이를 패터닝하여 제1 감광막패턴(15a)을 형성한다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(15a)을 마스크로 상기 도전성 금속층(13)을 선택적으로 패터닝하여 게이트배선(13a)과 이 게이트배선(13a)으로부터 연장된 게이트전극(13b) 및 이 게이트배선(13a)과 평행하게 공통배선(13c)을 동시에 형성한다.
그 다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 감광막패턴(15a)을 제거한 후 기판 전면에 게이트절연막(17), 비정질실리콘층(19), 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시) 및 제2 도전성 금속층(21)을 차례로 증착한다.
이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 도전성 금속층(21) 상에 제2 감광막(23)을 도포한다.
그 다음, 제2 마스크, 즉 회절마스크를 이용한 제2 마스크 공정(S14)으로서, 광차단부(25a)와 반투과부(25b) 및 투과부(25c)로 이루어진 회절마스크(25)를 이용하여 상기 제2 감광막(23)에 노광 공정을 실시한다. 이때, 상기 회절마스크(25)의 광차단부(25a)는 데이터배선 형성 지역과 소스전극 및 드레인전극 형성 지역과 대응하는 상기 제2 감광막(25) 상측에 위치하며, 상기 회절마스크(25)의 반투과부 (25b)는 박막트랜지스터(T)의 채널지역, 즉 게이트전극(13b)과 대응하는 상기 제2 감광막(23) 상측에 위치한다.
이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 노광 공정 이후에 현상공정을 실시한 다음 상기 제2 감광막(23)을 선택적으로 패터닝하여 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역에 제1 패턴(23a)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터 (T)의 채널지역에 제2 패턴(23b)을 형성한다.
그 다음, 도 3g에 도시된 바와 같이, 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(23a)과 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(23b)을 마스크로, 상기 제2 도전성 금속층(21)과 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시), 비정질 실리콘층(19) 및 게이트절연막(17)을 선택적으로 패터닝하여 데이터배선(21a)을 형성함과 동시에, 소스전극 형성지역과 드레인전극 형성 지역을 각각 정의한다.
이어서, 에싱(ashing) 공정을 통해 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(23a)의 두께 일부와 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(23b)을 완전히 제거하여 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(23b) 아래의 제2 도전성 금속층(21) 부분을 노출시킨다.
이어서, 도 3h에 도시된 바와 같이, 상기 에싱 공정에 의해 두께 일부가 식각된 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴 (23a)을 마스크로 상기 노출된 제2 도전성 금속층(21)과 그 하부의 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시)을 식각함으로써 드레인전극(21b)과 이 드레인전극 (21b)과 이격된 소스전극(21c)을 형성한다.
그 다음, 남아 있는 제2 감광막의 제1 패턴(23a)을 제거하고, 기판 전면에 투명 도전물질인 ITO층(27)을 스퍼터링방법으로 증착한 후 그 위에 다시 제3 감광막(29)을 도포한다.
이어서, 도 3i에 도시된 바와 같이, 제3 마스크 공정(S16)으로서, 제3 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 감광막(29)을 노광 및 현상한 후 이를 패터닝하여 제3 감광막패턴(29a)을 형성한다.
그 다음, 도 3j에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(29a)을 마스크로 상기 ITO층(27)을 식각하여 상기 드레인전극(21b)과 직접 접촉하는 화소전극 (27a)을 형성한다. 이때, 상기 ITO(27) 식각시에 ITO 물질만 식각시킬 수 있는 식각용액, 예를들어 옥살산(oxalic acid)을 이용함으로써, 드레인전극(21b)과 소스전극(21c)은 식각되지 않고 ITO(27)만 식각된다.
이어서, 상기 제3 감광막패턴(29a)을 제거하고, 상기 화소전극(27a)을 포함한 기판 전면에 보호막(31)을 증착한 후, 그 위에 제4 감광막(33)을 도포한다.
그 다음, 도 3k에 도시된 바와 같이, 제4 마스크 공정(S118)으로서, 제4 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 제4 감광막(33)을 노광 및 현상한 후 이를 패터닝하여 제4 감광막패턴(33a)을 형성한다.
이어서, 도 3l에 도시된 바와 같이, 상기 제4 감광막패턴(33a)을 마스크로 상기 보호막(31)을 선택적으로 패터닝하여 상기 공통배선(13b)을 노출시키는 공통배선 콘택홀(35)을 형성한다.
그 다음, 상기 제4 감광막패턴(33a)을 제거하고, 상기 공통배선 콘택홀(33)을 포함한 기판 전면에 ITO층(37)을 증착한 후, 다시 그 위에 제5 감광막(미도시) 을 도포한다.
이어서, 도 3m에 도시된 바와 같이, 제5 마스크 공정(S120)으로서, 제5 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 제5 감광막(미도시)을 패터닝하여 제5 감광막패턴(39)을 형성한다.
그 다음, 도 3n에 도시된 바와 같이, 상기 제5 감광막패턴(39)을 마스크로 상기 ITO층(37)을 패터닝하여 다수의 공통전극(37a, 37b) 및 이들 공통전극(37a, 37b)의 양측 단을 연결시켜 주는 공통전극 연결배선(37c)을 형성한다.
이어서, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제5 감광막패턴(39a)을 제거함으로써 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정을 완료한다.
그러나, 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 따르면, 게이트배선과 화소전극 형성시에 각각 별도의 마스크가 요구되며, 그로 인해 마스크 공정에 요구되는 감광막 도포공정, 감광막 노광 공정과 현상 공정, 및 게이트배선 및 화소전극을 형성하기 위한 식각 공정 등이 추가로 요구되기 때문에, 그만큼 액정표시장치용 어레이 기판 제조시에 공정 수가 증가하게 된다.
따라서, 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 게이트배선과 화소전극 형성시에 각각 별도의 마스크가 요구되고, 그로 인해 마스크 공정에 필요로 하는 층들이 증가함에 따라 패턴 간의 오버레이(overlay) 관리가 어렵게 된다.
그러므로, 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 적어도 5 마스크 공정을 통해 이루어지기 때문에 그만큼 공정 수가 증가하여 생산성이 감소한다.
이에 본 발명은 상기 문제점들을 개선하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 횡전계 방식의 액정표시장치를 4 마스크로 구현하여 공정을 단순화함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법은, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법에 관한 것으로, 개시된 발명은 기판의 비화소영역에 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 게이트배선 및 공통배선을 형성하고, 상기 기판의 화소영역에 상기 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 화소전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 형성된 상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막과 함께 상기 화소전극의 제1 도전 금속층패턴을 식각하여, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차 지점에 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 상기 소스전극과 이격된 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 함께 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 이 소스전극과 이격된 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극과 화소전극을 노출시키는 화소전극 콘택홀과 함께 상기 공통배선을 노출시키는 공통배선 콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 상기 공통배선 콘택홀을 통해 상기 공통배선과 전기적으로 연결되고 상기 화소전극과 오버랩되는 다수의 공통전극과 함께 상기 화소전극 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결하는 화소전극 연결패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 특징으로 한다.
본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법에 따르면, 게이트배선과 화소전극 또는 공통전극층을 동시에 형성 가능함으로써 제조 공정 수를 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법에 따르면, 마스크 저감을 위해 하프톤 마스크(Half Tone mask)를 사용하지 않아도 됨으로써 마스크 저감에 따른 추가 비용 발생이 없다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법은 기존의 5 마스크 공정에 의한 액정표시장치 제조방법과 대비하여 2 내지 5 공정이 단축됨으로써 생산성이 향상된다.
도 1은 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도이다.
도 2는 종래기술에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정 흐름도로서, 제1 내지 5 마스크 공정에 의해 제조되는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 3a 내지 3n은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선 및 Ⅲj-Ⅲj에 따른 단면도로서, 종래기술에 따른 횡 전계 방식액정표시장치의 제조공정 단면도들이다.
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도이다.
도 5는 도4의 Ⅴ-Ⅴ선 및 Ⅶi-Ⅶi에 따른 단면도로서, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정흐름도로서, 제1 내지 4 마스크 공정에 의해 제조되는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 7a 내지 7n은 도4의 Ⅴ-Ⅴ선 및 Ⅶi-Ⅶi에 따른 공정 단면도로서, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정 단면도들이다.
이하, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 평면도이다.
도 5는 도4의 Ⅴ-Ⅴ선 및 Ⅶi-Ⅶi에 따른 단면도로서, 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 단면도이다.
본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치는, 도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 기판(101) 상에 일 방향으로 연장되고 서로 평행하게 이격된 다수의 게이트배선(106c) 및 공통배선(106d)과; 상기 게이트배선(106c)과 교차하고, 이 교차하여 이루는 지역에 화소영역을 정의하는 다수의 데이터배선(113a)과; 상기 게이트배선 (106c)과 데이터배선(113a)의 교차지점에 마련되고, 게이트전극(106a)과 활성층 (미도시)과 소스전극(113c) 및 드레인전극(113b)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 게이트배선(106c)은 게이트 드라이버(미도시)로부터의 스캔 신호를, 상기 데이터배선(113a)은 데이터 드라이버(미도시)로부터의 비디오 신호를 공급한다. 이러한 게이트배선(106c) 및 데이터배선(113a)은 게이트절연막(미도시)을 사이에 두고 교차하여 각 화소 영역을 정의한다.
상기 게이트배선(106c)은 기판(101) 위에 투명 도전층을 포함한 적어도 이중 이상의 복층 구조 또는 단층 구조로 형성된다. 예를 들면, 투명도전층을 이용한 제1 도전층과, 불투명한 금속을 이용한 제2 도전층이 적층된 복층 구조 또는 불투명한 금속을 이용한 단층 구조로 형성된다.
이때, 상기 제1 도전층으로는 ITO, IZO, 또는 ITZO이 사용되며, 제2 도전층으로는 Cu, Mo, Al, Cu합금, Mo합금, Al합금 등이 사용된다.
또한, 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 게이트배선(106c)에 공급되는 스캔 신호에 데이터배선(113a)에 공급되는 화소 신호가 화소전극(103b)에 충전되어 유지되게 한다. 이를 위해, 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트배선(106c)에 포함된 게이트전극(106a), 데이터배선(113a)에 접속된 소스전극(113c), 상기 소스전극 (113c)과 마주하며 화소전극(103b)과 접속된 드레인전극(113b), 게이트절연막(109)을 사이에 두고 게이트전극(106a)과 중첩되어 소스전극(113c)과 드레인전극(113b) 사이에 채널을 형성하는 활성층(111a)과, 소스전극(113c) 및 드레인전극(113b)과의 오믹 접촉을 위하여 채널을 제외한 활성층(111a) 위에 형성된 오믹접촉층(미도시)을 구비한다.
그리고, 상기 활성층(111a)과 오믹 접촉층(미도시)은 데이터배선(113a)을 따라 중첩된다.
그리고, 상기 데이터배선(113a)은 데이터패드(미도시)를 통해 데이터 드라이버(미도시)로부터의 화소 신호를 공급받는다.
또한, 상기 화소영역의 전면에는 상기 게이트배선(106c)과 데이터배선(113a) 과 이격된 공간을 두고 투명한 화소전극(103b)이 배치되어 있으며, 상기 화소전극 (103b) 및 데이터배선(113a) 상부에는 보호막(미도시, 도 5의 부호 119 참조)을 사이에 두고 다수의 막대 형상의 투명한 제1 공통전극(125a)들과 제2 공통전극 (125b)이 배치되어 있다.
이때, 상기 막대 형상의 다수의 투명한 제1 공통전극(125a)들은 상기 데이터배선(113a)과 평행한 방향으로 배치되어 있으며, 이들 제1 공통전극(125a)은 서로 일정간격만큼 이격되어 있다. 또한, 상기 제1 공통전극(125a) 및 제2 공통전극 (125b)을 연결시켜 주는 공통전극 연결배선(125c)은 공통배선 콘택홀(123b)을 통해 상기 공통배선(106d)와 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 상기 다수의 막대 형상의 제1 공통전극(125a) 및 제2 공통전극 (125b)의 각 양측 단은 상기 게이트 배선(106c)과 일부가 평행하게 배치된 공통전극 연결배선(125c)과 일체로 연결되어 있다.
또한, 상기 공통배선(106d)과 공통전극(125a, 125b)들은 액정 구동을 위한 기준 전압, 즉 공통전압을 각 화소에 공급한다. 이때, 상기 공통배선(106d)은 상기 게이트배선(106c)과 같이 제1 및 2 도전층이 적층된 구조로 형성되는데, 상기 불투명한 제2 도전층으로 만 형성되기도 한다.
상기 화소전극(103b)은 각 화소영역에서 보호막(119)을 사이에 두고 상기 다수의 공통전극(125a)들과 중첩되어 프린지 필드(fringe field)를 형성한다.
이렇게 하여, 박막트랜지스터(T)를 통해 화소전극(103b)에 비디오 신호가 공급되면, 공통전압이 공급된 공통전극들(125a)이 프린지 필드를 형성하여 박막 트랜지스터 기판과 칼라필터기판(미도시) 사이에서 수평 방향으로 배열된 액정분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정분자들이 회전 정도에 따라 화소영역을 투과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조를 구현하게 된다.
상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법에 적용되는 제1 내지 제4 마스크 공정에 대해 도 6을 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정흐름도로서, 제1 내지 4 마스크 공정에 의해 제조되는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 횡 전계 방식액정표시장치 제조방법은, 게이트배선(미도시, 도 4의 106c 참조), 공통배선(미도시, 도 4의 106d 참조) 및 화소전극(미도시, 도 4의 103b 참조)을 형성하기 위해 적용하는 제1 마스크 공정(S112)과; 활성층(미도시, 도 5의 111a 참조), 데이터배선(미도시, 도 4의 113a 참조) 및 소스전극(미도시, 도 4의 113c 참조)과 드레인전극(도 4의 113b 참조)을 형성하기 위해 적용하는 제2 마스크 공정(S114)과; 상기 화소전극과 드레인전극을 전기적으로 연결하기 위한 화소전극 콘택홀(미도시; 도 7k의 123a 참조)과, 상기 공통배선과 다수의 공통전극(미도시, 도 7n의 125a, 125b 참조)들을 전기적으로 연결하기 위한 공통배선 콘택홀(미도시, 도 7n의 123b 참조)을 형성하기 위해 적용하는 제3 마스크 공정(S116)과; 상기 화소전극과의 사이에 전계를 발생시키는 다수의 공통전극들을 형성하기 위해 적용하는 제4 마스크 공정(S118)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 내지 4 마스크공정을 통해 제조되는 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법에 대해 및 도 7a 내지 7n을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 7a 내지 7n은 도4의 Ⅴ-Ⅴ선 및 Ⅶi-Ⅶi에 따른 공정 단면도로서, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시장치용 어레이 기판의 제조공정 단면도들이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(101) 상에 스위칭 영역을 포함하는 다수의 화소영역과 함께 비화소영역을 정의하고, 상기 투명한 기판(101) 상에 제1 투명 도전물질층(103)과 제1 도전 금속층(105)을 스퍼터링 방법에 의해 차례로 증착한다. 이때, 상기 제1 투명 도전물질층(103)으로는 ITO(Indium Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 를 포함한 투명한 도전 물질 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용한다.
또한, 상기 제1 도전 금속층(105)으로는, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴 합금, 구리합금, 알루미늄 합금 등과 같이 금속물질이 단일층으로 이용하거나, Al/Cr, Al/Mo, AlNd/Al, AlNd/Cr, Mo/AlNd/Mo, Cu/Mo, Ti/AlNd/Ti, Mo/Al, Mo합금/Al합금, Mo/Al합금, Cu/Mo합금, Cu/MoTi 등과 같이 이중 층 이상이 적층된 구조를 이용한다.
그 다음, 상기 제1 도전 금속층(105) 상부에 투과율이 높은 포토레지스트 (photo-resist)를 도포하여 제1 감광막(107)을 형성한다.
이어서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1 마스크 공정으로서, 제1 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정 기술을 통해 상기 제1 감광막(107)을 노광 및 현상한 후 이를 선택적으로 제거하여 제1 감광막패턴(107a)을 형성한다.
그 다음, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(107a)을 차단막으로 상기 제1 도전 금속층(105)과 제1 투명 도전물질층(103)을 순차적으로 패터닝하여 게이트배선(미도시, 도 4의 106c 참조)과 이 게이트배선으로부터 연장된 게이트전극(106a)과 함께 이 게이트배선과 평행하게 이격된 공통배선(106d)을 형성하고, 이와 동시에 화소영역에 화소전극(103b)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극 (106a), 게이트배선(106c) 및 공통배선(106d)의 각 하부에는 제1 투명 도전물질층패턴(103a)이 형성되며, 상기 화소전극(103b) 상부에는 제 1 도전 금속층패턴 (105b)이 형성된다.
그 다음, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광막패턴(107a)을 제거한 후 기판 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트절연막(109)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트절연막(109)이 형성된 기판 (101)의 전면에 비정질실리콘 층(a-Si:H)(111)과 불순물이 포함된 비정질실리콘층 (n+ 또는 p+)(미도시) 및 제2 도전 금속층(113)을 차례로 적층한다. 이때, 상기 비정질실리콘층(a-Si:H) (111)과 불순물이 포함된 비정질실리콘층(n+ 또는 p+) (미도시)은 화학기상 증착법 (CVD; Chemical Vapor Deposition method)으로 증착하고, 상기 제2 도전 금속층 (113)은 스퍼터링 방법으로 증착한다. 여기서는, 상기 증착 방법으로 화학기상 증착법, 스퍼터링 방법에 대해서만 기재하고 있지만, 필요에 따라서는 기타 다른 증착 방법을 사용할 수도 있다. 이때, 상기 제2 도전 금속층(113)으로는, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴 합금, 구리합금, 알루미늄 합금 등과 같이 금속물질이 단일층으로 이용하거나, Al/Cr, Al/Mo, AlNd/Al, AlNd/Cr, Mo/AlNd/Mo, Cu/Mo, Ti/AlNd/Ti, Mo/Al, Mo합금/Al합금, Mo/Al합금, Cu/Mo합금, Cu/MoTi 등과 같이 이중 층 이상이 적층된 구조를 이용한다.
그 다음, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 제2 도전 금속층(113) 상에 투과성이 우수한 제2 감광막(115)을 도포한다.
이어서, 제2 마스크, 즉 회절마스크를 이용한 제2 마스크 공정(S114)으로서, 광차단부(117a)와 반투과부(117b) 및 투과부(117c)로 이루어진 회절마스크(117)를 이용하여 상기 제2 감광막(115)에 노광 공정을 실시한다. 이때, 상기 회절마스크 (117)의 광차단부(117a)는 데이터배선 형성 지역과 소스전극 및 드레인전극 형성 지역과 대응하는 상기 제2 감광막(115) 상측에 위치하며, 상기 회절마스크(117)의 반투과부(117b)는 박막트랜지스터(T)의 채널지역, 즉 게이트전극(106a)과 대응하는 상기 제2 감광막(115) 상측에 위치한다. 또한, 상기 회절마스크(117) 이외에 광의 회절 효과를 이용하는 마스크, 예를 들어 하프톤 마스크(Half-ton mask) 또는 기타 다른 마스크를 사용할 수도 있다.
그 다음, 도 7f에 도시된 바와 같이, 상기 노광 공정 이후에 현상공정을 실시한 다음 상기 제2 감광막(115)을 선택적으로 패터닝하여 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역에 제1 패턴(115a)을 형성하고, 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역에 제2 패턴(115b)을 형성한다. 이때, 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(115a)은 광이 투과되지 않은 상태이기 때문에 제2 감광막 두께를 그대로 유지하고 있지만, 상기 박막트랜지스터 (T)의 채널지역의 제2 패턴(115b)은 제2 감광막에 광의 일부가 투과되어 일정 두께만큼 제거된다. 즉, 상기 박막 트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(115b)은 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(115a)보다 얇은 두께를 갖게 된다.
이어서, 도 7g에 도시된 바와 같이, 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(115a)과 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(115b)을 마스크로, 상기 제2 도전 금속층(113)과 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시), 비정질 실리콘층(111) 및 게이트절연막(109)을 선택적으로 패터닝하여 데이터배선(113a)을 형성함과 동시에, 소스전극 형성지역과 드레인전극 형성 지역을 각각 정의한다. 이때, 상기 제2 도전성 금속층(113)과 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시), 비정질 실리콘층(111) 및 게이트절연막(109)을 선택적으로 패터닝시에, 먼저 상기 제2 도전 금속층(113)을 제1 습식 식각(wet etch) 공정을 통해 선택적으로 식각하고, 이어 다시 제1 건식 식각(dry etch) 공정을 통해 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시)과 비정질실리콘층(111)과 함께 게이트절연막(109)을 식각한다. 이때, 상기 화소전극(103b) 상부에 있는 게이트절연막(109)이 식각됨으로 인해, 그 하부의 제1 도전 금속층패턴(105b)이 외부로 노출된다.
그 다음, 에싱(ashing) 공정을 통해 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴(115a)의 두께 일부와 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(115b)을 완전히 제거하여 상기 박막트랜지스터(T)의 채널지역의 제2 패턴(115b) 아래의 제2 도전 금속층(113) 부분을 노출시킨다.
이어서, 도 7h에 도시된 바와 같이, 상기 에싱 공정에 의해 두께 일부가 식각된 상기 데이터배선 형성지역과 소스전극 및 드레인전극 형성지역의 제1 패턴 (115a)을 마스크로 상기 노출된 제2 도전 금속층(113)과 제1 도전 금속층(105b)을 제2 습식 식각 공정을 통해 식각함으로써 드레인전극(113b)과 상기 드레인전극(113b)과 이격된 소스전극(113c)을 형성하고, 상기 화소전극(103a)을 노출시킨다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 채널 지역의 불순물이 함유된 비정질실리콘층(미도시) 부분도 건식 식각 공정을 통해 제거함으로써 활성층(111a)의 채널영역을 노출시키는 오믹콘택층(미도시)을 형성한다.
이어서, 도 7i에 도시된 바와 같이, 기판 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2)으로 이루어진 보호막(119)을 형성한다.
그 다음, 상기 보호막(119) 상에 투과율이 높은 포토레지스트(photo-resist)를 도포하여 제2 감광막(121)을 형성한다.
이어서, 도 7j에 도시된 바와 같이, 제3 마스크 공정(S116)으로서, 제3 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 제3 감광막(121)을 노광 및 현상한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 제3 감광막패턴(121a)을 형성한다.
그 다음, 도 7k에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(121a)을 마스크로 상기 보호막(119)을 선택적으로 제거하여 상기 드레인전극(113b) 일부와 함께 상기 화소전극(103b)을 노출시키는 화소전극 콘택홀(123a)과, 상기 공통배선(106d) 일부를 노출시키는 공통배선 콘택홀(123b)을 동시에 형성한다.
이어서, 도 7l에 도시된 바와 같이, 상기 제3 감광막패턴(121a)을 제거하고, 상기 드레인 콘택홀(123a)과 공통배선 콘택홀(123b)을 포함한 보호막(119) 상에 제2 투명 도전물질층(125)을 증착한 후 상기 제2 투명 도전물질층(125) 상에 제4 감광막(127)을 도포한다.
그 다음, 도 7m에 도시된 바와 같이, 제4 마스크 공정(S118)으로서, 제4 마스크(미도시)를 이용한 포토리소그라피 공정기술을 통해 상기 제4 감광막(127)을 노광 및 현상한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 제4 감광막패턴(127a)을 형성한다.
이어서, 도 7n에 도시된 바와 같이, 상기 제4 감광막패턴(127a)을 마스크로 상기 제2 투명 도전물질층(125)을 선택적으로 패터닝하여 다수의 제1 공통전극 (125a)들과 함께 제2 공통전극(125b) 및 이들 제1 공통전극(125a)과 제2 공통 전극 (125b)의 양측 단을 연결하는 공통전극 연결배선(125c)과 함께 상기 화소전극 (103b)과 드레인전극(113b)을 전기적으로 연결시켜 주는 화소전극 연결패턴(125d)을 동시에 형성한다. 이때, 상기 공통전극 연결배선(125c)은 상기 공통배선 콘택홀 (123b)을 통해 상기 공통배선(106d)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 다수개의 제1 공통전극(125a)은 서로 이격되어져 상기 화소전극(103b)과 오버랩되어 있으며, 상기 제 2 공통전극(125b)은 상기 보호막(119)을 사이에 두고 상기 데이터배선 (113a)과 오버랩되어 있다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제4 감광막패턴(127a)을 제거함으로써 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정을 완료한다.
이후에, 도면에는 도시하지 않았지만, 컬러필터 기판 제조 공정과 함께 어레이기판과 컬러필터 기판 사이에 액정층을 충진하는 공정을 수행함으로써 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치를 제조하게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법에 따르면, 게이트배선과 화소전극 또는 공통전극층을 동시에 형성 가능함으로써 제조 공정 수를 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법에 따르면, 마스크 저감을 위해 추가적인 하프톤 마스크(Half Tone mask)를 사용하지 않아도 되므로 마스크 저감에 따른 추가 비용 발생이 없다.
그리고, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법은 기존의 5 마스크 공정에 의한 액정표시장치 제조방법과 대비하여 적어도 2 내지 5 공정이 단축됨으로써 생산성이 향상된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
101: 기판 103: 제1 투명 도전물질층
103b: 화소전극 105: 제1 도전 금속층
106a: 게이트전극 106c: 게이트배선
106d: 공통 배선 107: 제1 감광막
107a: 제1 감광막패턴 109: 게이트절연막
111: 비정질실리콘층 111a: 활성층
113: 제2 도전 금속층 113a: 데이터배선
113b: 드레인전극 113c: 소스전극
115: 제2 감광막 115a: 제1패턴
115b: 제2 패턴 117: 회절마스크
117a: 광차단부 1117b: 반투과부
117c: 투과부 119: 보호막
121: 제3 감광막 121a: 제3 감광막패턴
123a: 화소전극 콘택홀 123b: 공통배선 콘택홀
125: 제2 투명 도전물질층 125a: 제1 공통전극
125b: 제2 공통전극 125c: 공통전극 연결배선
125d: 화소전극 연결패턴 127: 제4 감광막
127a: 제4 감광막패턴

Claims (8)

  1. 기판 상에 비화소영역과 화소영역을 정의하는 단계;
    상기 기판의 비화소영역에 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 게이트배선 및 공통배선을 형성하고, 상기 기판의 화소영역에 상기 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 구성된 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트배선과 공통배선 및 화소전극을 포함한 기판 전면에 게이트절연막과 반도체층 및 제2 도전 금속층을 차례로 적층하는 단계;
    상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막과 함께 상기 화소전극의제1 도전 금속층패턴을 식각하여, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 게이트배선과 데이터배선의 교차 지점에 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 상기 소스전극과 이격된 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소전극과 함께 상기 데이터배선으로부터 돌출된 소스전극 및 상기 소스전극과 이격된 드레인전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막을 선택적으로 패터닝하여 상기 드레인전극과 화소전극을 노출시키는 화소전극 콘택홀과 함께 상기 공통배선을 노출시키는 공통배선 콘택홀을 동시에 형성하는 단계; 및
    상기 보호막 상에 상기 공통배선 콘택홀을 통해 상기 공통배선과 전기적으로 연결되고 상기 화소전극과 오버랩되는 다수의 공통전극과 함께 상기 화소전극 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 화소전극을 전기적으로 연결하는 화소전극 연결패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 게이트배선 및 공통배선과 함께 화소전극을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 제1 투명 도전물질층과 제1 도전 금속층을 차례로 증착하는 공정과;
    상기 제1 투명 도전물질층과 제1 도전 금속층을 패터닝하여 상기 기판의 비화소영역에 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 이루어진 게이트배선과 공통배선을 형성하고, 상기 기판의 화소영역에 제1 투명 도전물질층패턴과 제1 도전 금속층패턴의 적층 구조로 이루어진 화소전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 데이터배선과 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계는,
    상기 제2 도전 금속층 상에 감광막을 도포하는 공정과,
    회절마스크를 이용한 마스크 공정을 통해 상기 감광막을 패터닝하여 제1 두께를 갖는 제1 영역과 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 영역으로 구성된 감광막패턴을 형성하는 공정과,
    상기 감광막패턴을 마스크로 상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막을 차례로 식각하여 데이터배선을 형성하고, 상기 화소전극의 상기 제1 도전 금속층패턴을 노출시키는 공정과,
    에싱 공정을 실시하여 상기 감광막패턴의 제1 영역의 두께 일부와 제2 영역 전부를 제거하여 채널지역과 대응하는 상기 제2 도전 금속층을 노출시키는 공정과,
    상기 노출된 제2 도전 금속층과 상기 화소전극의 제1 도전 금속층패턴을 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 제1 투명 도전물질층패턴으로 구성된 화소전극을 형성하는 단계는,
    상기 감광막패턴을 마스크로 상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막을 차례로 식각하여 데이터배선을 형성함과 동시에, 상기 화소전극의 상기 제1 도전 금속층패턴이 노출되고,
    에싱 공정을 통해 상기 감광막패턴의 제1 영역의 두께 일부와 제2 영역 전부를 제거하여 채널지역과 대응하는 상기 제2 도전 금속층이 노출된 이후에,
    상기 노출된 제2 도전 금속층 제거시에 상기 화소전극의 상기 제1 도전 금속층패턴이 함께 제거됨으로써 화소전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  5. 제3 항에 있어서, 상기 감광막패턴을 마스크로 상기 제2 도전 금속층과 반도체층 및 게이트절연막을 차례로 식각하는 공정은,
    상기 제2 도전 금속층을 습식 식각공정에 의해 식각한 다음 상기 반도체층과 게이트절연막을 건식 식각공정에 의해 식각하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 노출된 제2 도전 금속층과 상기 화소전극의 제1 도전 금속층패턴을 제거하는 공정은 습식 식각공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 제1 도전 금속층패턴과 제2 도전 금속층은 알루미늄 (Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴 합금, 구리합금, 알루미늄 합금으로 이루어진 금속물질 중에서 어느 하나의 단일층으로 형성하거나, Al/Cr, Al/Mo, AlNd/Al, AlNd/Cr, Mo/AlNd/Mo, Cu/Mo, Ti/AlNd/Ti, Mo/Al, Mo합금/Al합금, Mo/Al합금, Cu/Mo합금, Cu/MoTi로 이루어진 그룹 중에서 어느 하나의 적층된 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조공정은,
    게이트배선, 공통배선 및 화소전극을 형성하기 위해 적용하는 제1 마스크 공정과;
    활성층, 데이터배선 및 소스전극과 드레인전극을 형성하기 위해 적용하는 제2 마스크 공정과;
    상기 화소전극과 드레인전극을 전기적으로 연결하기 위한 화소전극 콘택홀 과, 상기 공통배선과 다수의 공통전극들을 전기적으로 연결하기 위한 공통배선 콘택홀을 형성하기 위해 적용하는 제3 마스크 공정과;
    상기 화소전극과의 사이에 전계를 발생시키는 다수의 공통전극들을 형성하기 위해 적용하는 제4 마스크 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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