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KR101726739B1 - 터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널 - Google Patents

터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널 Download PDF

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KR101726739B1
KR101726739B1 KR1020100131336A KR20100131336A KR101726739B1 KR 101726739 B1 KR101726739 B1 KR 101726739B1 KR 1020100131336 A KR1020100131336 A KR 1020100131336A KR 20100131336 A KR20100131336 A KR 20100131336A KR 101726739 B1 KR101726739 B1 KR 101726739B1
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KR
South Korea
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sensor
pixel electrode
electrode
data line
gate
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전상진
권호균
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

터치 표시 기판은 제1 데이터 배선, 제1 게이트 배선, 제1 화소 전극, 제2 게이트 배선, 제2 화소 전극, 센서 데이터 배선 및 제1 센서 전극을 포함한다. 상기 제1 데이터 배선은 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된다. 상기 제1 게이트 배선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 상기 제1 화소 전극은 제1 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된다. 상기 제2 게이트 배선은 상기 제1 게이트 배선과 평행하다. 상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제2 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된다. 상기 센서 데이터 배선은 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 상기 제1 데이터 배선과 평행하다. 상기 제1 센서 전극은 상기 센서 데이터 배선과 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 센서 데이터 배선은 이웃한 화소 전극들 사이에 데이터 배선이 존재하지 않은 영역에 형성하고, 센서 게이트 배선을 화소 전극에 형성된 슬릿 패턴들의 경계 영역에 형성함으로써 터치 표시 패널의 개구율을 향상시킬 수 있다.

Description

터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널{TOUCH DISPLAY SUBSTRATE AND TOUCH DISPLAY PANEL HAVING THE SAME}
본 발명은 터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질을 개선하기 위한 터치 표시 기판 및 이를 포함하는 터치 표시 패널에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 두께가 얇고 무게가 가벼우며 전력소모가 낮은 장점이 있어, 모니터, 노트북, 휴대폰 등에 주로 사용된다. 이러한 액정 표시장치는 액정의 광투과율을 이용하여 영상을 표시하는 액정 표시 패널 및 상기 액정 표시 패널의 하부에 배치되어 상기 액정 표시 패널로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다.
상기 액정 표시 패널은 신호선, 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 갖는 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하며 공통 전극을 갖는 대향 기판, 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
최근, 상기 액정 표시 패널에, 터치 위치를 센싱하는 필름 형태의 터치 센서 패널(Touch Sensor Panel : TSP)을 부착하여 상기 액정 표시 장치를 표시 기능과 터치 센서 기능을 동시에 수행하는 기술이 개발되고 있다. 그러나, 상기 필름 형태의 상기 터치 센서 패널이 부착된 액정 표시 장치는 터치 센서 패널과 액정 표시 패널의 사이에서 발생된 빛 간섭으로 인해 광효율이 저하되는 문제점을 갖는다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 상기 액정 표시 패널에 터치 센서를 내장하는 터치 센서 내장형 액정 표시 패널이 개발되고 있다.
상기 터치 센서 내장형 액정 표시 패널은 표시를 위한 신호 배선과 화소 전극 이외에 터치 위치를 센싱하기 위한 센서 배선 및 센서 전극을 더 포함한다. 구체적으로, 상기 센서 배선은 상기 어레이 기판 상에 상기 신호 배선과 이격되어 형성되고, 상기 센서 전극은 화소 내에 형성되어 상기 센서 배선과 전기적으로 연결된다. 즉, 표시 기능만을 수행하는 액정 표시 패널과 비교할 때 터치 내장형 액정 표시 패널은 터치 기능을 수행하기 위한 상기 센서 배선 및 상기 센서 전극에 의해 개구율이 저하되는 문제점을 갖는다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 개구율을 향상시키기 위한 터치 표시 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 터치 표시 기판을 구비한 터치 표시 패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 터치 표시 기판은 제1 데이터 배선, 제1 게이트 배선, 제1 화소 전극, 제2 게이트 배선, 제2 화소 전극, 센서 데이터 배선 및 제1 센서 전극을 포함한다. 상기 제1 데이터 배선은 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된다. 상기 제1 게이트 배선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 상기 제1 화소 전극은 제1 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된다. 상기 제2 게이트 배선은 상기 제1 게이트 배선과 평행하다. 상기 제2 화소 전극은 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제2 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된다. 상기 센서 데이터 배선은 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 상기 제1 데이터 배선과 평행하다. 상기 제1 센서 전극은 상기 센서 데이터 배선과 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서, 상기 터치 표시 기판은 상기 제1 및 제2 게이트 배선들 사이에 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 및 제2 화소 전극들을 가로질러 배치된 센서 게이트 배선 및 상기 센서 게이트 배선과 전기적으로 연결된 제2 센서 전극을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 터치 표시 기판은 상기 제1 화소 전극과 중첩된 제3 화소 전극과, 상기 제2 화소 전극과 중첩된 제4 화소 전극 및 상기 제3 및 제4 화소 전극들과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 방향으로 연장된 공통 배선을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제3 화소 전극은 제1 영역에 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴이 형성되며, 상기 제4 화소 전극은 제1 영역에 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴이 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제3 및 제4 화소 전극들은 상기 센서 게이트 배선에 의해 상기 제1 및 제2 영역으로 분리되고, 상기 제1 및 제2 슬릿 패턴은 상기 센서 게이트 배선에 대해 대칭 구조로 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 터치 표시 기판은 상기 베이스 기판 위에 상기 제1 방향으로 연장된 제2 데이터 배선과, 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제3 스위칭 소자를 통해 상기 제2 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된 제5 화소 전극과, 상기 제5 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제4 스위칭 소자를 통해 상기 제2 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된 제6 화소 전극과, 상기 공통 배선과 연결되고, 상기 제5 화소 전극과 중첩된 제7 화소 전극 및 상기 공통 배선과 연결되고, 상기 제6 화소 전극과 중첩된 제8 화소 전극을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제7 화소 전극은 제1 영역에 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴이 형성되며, 상기 제8 화소 전극은 제1 영역에 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴이 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 센싱 데이터 배선은 상기 제2 화소 전극과 상기 제5 화소 전극 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 센서 데이터 배선들 사이에는 2 개의 데이터 배선들이 배치될 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 터치 표시 패널은 터치 표시 기판 및 대향 기판을 포함한다. 상기 터치 표시 기판은 제1 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된 데이터 배선과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 게이트 배선과, 제1 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된 제1 화소 전극과, 상기 제1 게이트 배선과 평행한 제2 게이트 배선과, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고 제2 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된 제2 화소 전극과, 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고 상기 제1 데이터 배선과 평행하는 센서 데이터 배선 및 상기 센서 데이터 배선과 전기적으로 연결된 제1 센서 전극을 포함한다. 상기 대향 기판은 상기 터치 표시 기판과 대향하고, 상기 제1 센서 전극이 형성된 영역에 대응하는 제2 베이스 기판 위에 형성된 제3 센서 전극을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 대향 기판은 상기 제2 베이스 기판 위에 형성되고, 상기 제3 센서 전극이 형성되는 영역에 대응하여 돌기부가 형성된 오버 코팅층을 더 포함하고, 상기 제3 센서 전극은 상기 돌기부 위에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 터치 표시 기판의 불투과 영역에 터치 센싱을 위한 센싱 배선 및 센서 전극을 형성함으로써 터치 표시 패널의 개구율을 향상시킬 수있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 터치 표시 패널의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 터치 표시 기판의 제1 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2의 터치 표시 기판의 제2 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 2의 터치 표시 기판의 제3 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 2의 터치 표시 기판의 제4 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 표시 패널의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 터치 표시 패널은 영상을 표시하는 복수의 화소들(P1, P2, P3, P4)과 터치 위치를 센싱하는 센서 전극들을 포함한다.
상기 화소들은 복수의 화소 열들(PC1, PC2, PC3, PC4)과 복수의 화소 행들(PL)로 배열될 수 있다. 상기 센서 전극들은 터치 위치의 X 좌표를 센싱하는 제1 센서 전극(SSE1)과 Y 좌표를 센싱하는 제2 센서 전극(SSE2) 및 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)과 중첩되어 터치 발생시 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)과 접촉하는 제3 센서 전극(미도시)을 포함한다.
구체적으로, 상기 터치 표시 패널은 복수의 데이터 배선들(DLm-1, DLm), 센서 데이터 배선(SDLi), 복수의 게이트 배선들(GLn-1, GLn), 센서 게이트 배선(SGLj), 공통 배선(CLk), 복수의 화소 전극들(PE1, PE2, PE3, PE4, PE5, PE6, PE7, PE8)) 및 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)을 포함한다. 여기서, m, n, i, j 및 k 는 자연수이다.
상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 배열된다. 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm) 각각은 인접한 제1 및 제2 화소 열들(PC1, PC2)에 포함된 화소들과 전기적으로 연결된다. 예를 들면, 제m-1 데이터 배선(DLm-1)은 제1 화소(P1)의 제1 스위칭 소자(TR1)와 연결되고, 제2 화소(P2)의 제2 스위칭 소자(TR2)와 연결된다. 제m 데이터 배선(DLm)은 제3 화소(P3)의 제3 스위칭 소자(TR3)와 연결되고, 제4 화소(P4)의 제4 스위칭 소자(TR4)와 연결된다. 이에 따라서, 상기 제2 화소 열(PC2)과 상기 제3 화소 열(PC3) 사이에는 데이터 배선이 형성되지 않는다.
상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 화소 열들 중 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm)이 배치되지 않은 화소 열들 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 상기 제2 화소 열(PC2)과 상기 제3 화소 열(PC3) 사이에 배치될 수 있다. 상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 상기 제1 센서 전극(SSE1)과 전기적으로 연결된다.
예를 들어, 상기 터치 표시 패널이 적색, 녹색 및 청색 화소를 단위 화소로 가질 경우, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 3 개의 화소들이 형성된 영역에 적어도 하나씩 배치될 수 있다. 즉, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)과 상기 센서 데이터 배선(SDLi)과 이웃한 센서 데이터 배선과 사이에 적어도 2 개의 데이터 배선들이 배열될 수 있다.
상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고 상기 제1 방향(D1)으로 배열된다. 한 쌍의 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn)은 하나의 화소 행(PL)에 포함된 화소들(P1, P2, P3, P4)과 연결된다. 예를 들면, 제n-1 게이트 배선(GLn-1)은 상기 화소 행(PL)의 상부에 배치되어, 상기 제2 및 제3 화소들(P2, P3)의 상기 제2 및 제3 스위칭 소자들(TR2, TR3)과 연결된다. 제n 게이트 배선(GLn)은 상기 화소 행(PL)의 하부에 배치되어, 상기 제1 및 제4 화소들(P1, P2)의 상기 제1 및 제4 스위칭 소자들(TR1, TR4)과 연결된다.
상기 센서 게이트 배선(SGLj)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장되고, 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn) 사이에 배치될 수 있다. 상기 센서 게이트 배선(SGLj)은 상기 제2 센서 전극(SSE2)과 전기적으로 연결된다. 상기 센서 게이트 배선(SGLj)은 상기 화소들(P1, P2, P3, P4)을 가로질러 배치될 수 있다.
상기 공통 배선(CLk)은 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn) 중 하나와 인접하고, 상기 제2 방향으로 연장된다.
제1 화소 전극(PE1)은 상기 제1 스위칭 소자(TR1)와 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제1 화소(P1)의 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
제3 화소 전극(PE3)은 상기 제1 화소 전극(PE1)과 중첩되고, 상기 공통 배선(CLk)과 전기적으로 연결된다. 상기 제3 화소 전극(PE3)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 의해 분리된 제1 영역(A1)에는 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴(SP1)이 형성되고, 제2 영역(A2)에는 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴(SP2)이 형성된다. 상기 제1 슬릿 패턴(SP1) 및 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 상기 제2 스위칭 소자(TR2)와 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 화소(P2)의 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
제4 화소 전극(PE4)은 상기 제2 화소 전극(PE2)과 중첩되고, 상기 공통 배선(CLk)과 전기적으로 연결된다. 상기 제4 화소 전극(PE4)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 의해 분리된 상기 제1 영역(A1)에는 상기 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)이 형성되고, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴(SP1)이 형성된다. 상기 제1 슬릿 패턴(SP1) 및 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다.
제5 화소 전극(PE5)은 상기 제3 스위칭 소자(TR3)와 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제3 화소(P3)의 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
제7 화소 전극(PE7)은 상기 제5 화소 전극(PE5)과 중첩되고, 상기 공통 배선(CLk)과 전기적으로 연결된다. 상기 제7 화소 전극(PE7)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 의해 분리된 상기 제1 영역(A1)에는 상기 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴(SP1)이 형성되고, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)이 형성된다. 상기 제1 슬릿 패턴(SP1) 및 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다.
제6 화소 전극(PE6)은 상기 제4 스위칭 소자(TR4)와 콘택홀을 통해 전기적으로 연결되고, 상기 제4 화소(P4)의 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
제8 화소 전극(PE8)은 상기 제6 화소 전극(PE6)과 중첩되고, 상기 공통 배선(CLk)과 전기적으로 연결된다. 상기 제8 화소 전극(PE8)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 의해 분리된 상기 제1 영역(A1)에는 상기 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)이 형성되고, 상기 제2 영역(A2)에는 상기 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴(SP1)이 형성된다. 상기 제1 슬릿 패턴(SP1) 및 상기 제2 슬릿 패턴(SP2)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다.
상기 화소 행(PL)에 포함된 화소들(P1, P2 P3, P4)의 화소 영역은 경사각이 다른 슬릿 패턴들의 경계 영역에 상기 센서 게이트 배선(SGLj)이 배치된다. 상기 경계 영역에서는 액정 배열이 깨져 광이 투과되지 않는 블루징(brusing) 현상이 발생될 수 있다. 결과적으로 광의 불투과 영역에 상기 센서 게이트 배선(SGLj)을 형성함으로써 터치 표시 패널의 개구율을 향상시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 터치 표시 패널의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 터치 표시 패널은 터치 표시 기판(100), 대향 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 터치 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(101)을 포함한다. 상기 터치 표시 기판(100)은 상기 제1 베이스 기판(101) 상에 형성된 제1 도전 패턴, 제2 도전 패턴, 제3 도전 패턴 및 제4 도전 패턴을 포함한다. 상기 터치 표시 기판(100)은 상기 제1, 제2 및 제3 도전 패턴들 사이를 절연시키기 위한 제1 절연층(120), 제2 절연층(140) 및 제3 절연층(160)을 더 포함한다.
상기 제1 도전 패턴은 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn), 상기 센서 게이트 배선(SGLj), 상기 공통 배선(CLk) 및 상기 스위칭 소자들(TR1, TR2, TR3, TR4)의 게이트 전극들을 포함한다. 상기 제1 도전 패턴을 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 스위칭 소자(TR1)의 제1 게이트 전극 및 제4 스위칭 소자(TR4)의 제4 게이트 전극 각각은 제n 게이트 배선(GLn)과 연결된다. 제2 스위칭 소자(TR2)의 제2 게이트 전극 및 제3 스위칭 소자(TR3)의 제3 게이트 전극은 제n-1 게이트 배선(GLn-1)과 연결된다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 제1 도전 패턴을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 배치된다.
상기 제2 도전 패턴은 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm), 상기 센서 데이터 배선(SDLi), 상기 스위칭 소자들(TR1, TR2, TR3, TR4)의 소스 전극들 및 드레인 전극들을 포함한다. 상기 제2 도전 패턴은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 스위칭 소자(TR1)의 제1 소스 전극 및 상기 제2 스위칭 소자(TR2)의 제2 소스 전극은 제m-1 데이터 배선(DLm-1)과 연결되고, 상기 제3 스위칭 소자(TR3)의 제3 소스 전극 및 상기 제4 스위칭 소자(TR4)의 제4 소스 전극은 제m 데이터 배선(DLm)과 연결된다. 제1 내지 제4 드레인 전극들 각각은 상기 제1 내지 제4 소스 전극들과 각각 이격되고, 이격 영역에는 액티브 패턴들이 형성된다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 상기 제2 스위칭 소자(TR2)의 액티브 패턴(AP2)은 상기 제2 게이트 전극(GE2) 위에 배치되고, 상기 제2 소스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)의 이격 영역에 배치되어 상기 제2 소스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)과 부분적으로 중첩될 수 있다.
상기 제2 절연층(140)은 상기 제2 도전 패턴을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 배치된다.
제3 도전 패턴은 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6)을 포함한다. 상기 제3 도전 패턴은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6)은 상기 제2 절연층(140)에 형성된 콘택홀들을 통해 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위칭 소자들(TR1, TR2, TR3, TR4)의 드레인 전극들과 연결된다. 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6) 각각은 각 화소 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
제3 절연층(160)은 상기 제3 도전 패턴을 덮도록 상기 제1 베이스 기판(101) 위해 배치된다.
제4 도전 패턴은 상기 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8), 제1 센서 전극(SSE1) 및 제2 센서 전극(SSE2)을 포함한다. 상기 제4 도전 패턴은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 상기 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8)은 상기 제2 및 제3 절연층들(140, 160)에 형성된 콘택홀들을 통해 상기 공통 배선(CLk)과 연결된다. 상기 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8)은 서로 다른 경사각을 갖는 복수의 슬릿 패턴들을 포함할 수 있다.
상기 제1 센서 전극(SSE1)은 상기 제2 및 제3 절연층들(140, 160)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 센서 데이터 배선(SDLi)과 연결된다.
상기 제2 센서 전극(SSE2)은 상기 제1, 제2 및 제3 절연층들(120, 140, 160)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 센서 게이트 배선(SGLj)과 연결된다.
상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(201)을 포함한다. 상기 대향 기판(200)은 상기 제2 베이스 기판(201) 상에 형성된 차광 패턴(210), 컬러 필터(230), 오버 코팅층(250) 및 제3 센서 전극(SSE3)을 포함한다.
상기 차광 패턴(210)은 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm) 및 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn)과 중첩되도록 상기 제2 베이스 기판(201)의 영역에 배치된다.
상기 컬러 필터(230)는 상기 화소 전극들(PE1, PE2,...., PE8)과 중첩된 상기 제2 베이스 기판(201)의 영역에 배치된다. 상기 컬러 필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 필터를 포함할 수 있다.
상기 오버 코팅층(250)은 상기 차광 패턴(210) 및 상기 컬러 필터(230)를 덮도록 상기 제2 베이스 기판(201) 위에 배치된다. 상기 오버 코팅층(250)은 돌기부(PP)를 포함한다. 상기 돌기부(PP)는 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)과 중첩되는 상기 제2 베이스 기판(201)의 영역에 배치된다.
상기 제3 센서 전극(SSE3)은 상기 오버 코팅층(250)의 돌기부(PP) 위에 배치될 수 있다. 상기 제3 센서 전극(SSE3)은 상기 터치 표시 패널의 상부에 발생된 터치에 의해 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)과 접촉되어 센싱 신호를 발생한다.
이하에서는 도면을 참조하여 상기 터치 표시 패널의 터치 표시 기판(100)의 제조 방법을 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 터치 표시 기판의 제1 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 베이스 기판(101) 위에 제1 금속층(110)을 형성한다. 상기 제1 금속층(110)은 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착될 수 있다. 또한, 상기 제1 금속층(110)은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 금속층(110)을 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 이용하여 상기 제1 도전 패턴으로 패터닝한다. 상기 제1 도전 패턴은 상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn), 상기 센서 게이트 배선(SGLj), 상기 공통 배선(CLk) 및 상기 스위칭 소자들의 게이트 전극들(GL1, GE2 GE3, GE4)을 포함한다.
상기 게이트 배선들(GLn-1, GLn)은 제2 방향(D2)으로 연장되고 제1 방향(D1)으로 배열되어 상기 제1 베이스 기판(201) 위에 형성된다.
상기 공통 배선(CLk)은 상기 제n-1 게이트 배선(GLn-1)과 평행하고 인접하게 형성된다.
상기 센서 게이트 배선(SGLj)은 상기 제n-1 게이트 배선(GLn-1)과 상기 제n 게이트 배선(GLn) 사이의 영역에 상기 제2 방향(D2)으로 연장된다. 상기 센서 게이트 배선(SGLj)은 화소 행(PL)이 정의되는 영역을 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 분리할 수 있다.
제1 및 제4 게이트 전극들(GL1, GE4)은 상기 제n 게이트 배선(GLn)으로부터 상기 제2 영역(A2) 측으로 돌출되어 형성되고, 제2 및 제3 게이트 전극들(GE2, GE3)은 상기 제n-1 게이트 배선(GLn-1)으로부터 상기 제1 영역(A1) 측으로 돌출되어 형성될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 2의 터치 표시 기판의 제2 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 3a, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상기 제1 도전 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제1 절연층(120)을 형성한다. 상기 제1 절연층(120)은 질화 실리콘(SiNx) 및 산화 실리콘(SiOx)으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(120)은 재질 및 형성 공정이 서로 다른 이중층 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 액티브층(128)을 형성하고, 상기 액티브층(128)을 패터닝하여 상기 게이트 전극들(GE1, GE2, GE3, GE4) 위에 제1, 제2, 제3 및 제4 액티브 패턴들(AP1, AP2, AP3, AP4)을 형성한다. 상기 액티브층(128)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층(124) 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층(126)을 포함한다. 상기 반도체층(124) 및 상기 저항성 접촉층(126)은 상기 플라즈마 화학 기상 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 액티브층(128)은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다.
상기 제1, 제2, 제3 및 제4 액티브 패턴들(AP1, AP2, AP3, AP4)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제2 금속층(130)을 형성한다. 상기 제2 금속층(130)은 크롬, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐, 구리, 은 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 스퍼터링 공정에 의해 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 금속층(130)은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 제2 금속층(130)을 제2 포토레지스터 패턴(PR2)을 이용하여 제2 도전 패턴으로 패터닝한다. 상기 제2 도전 패턴은 상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm), 상기 센서 데이터 배선(SDLi), 소스 전극들(SE1, SE2, SE3, SE4) 및 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3, DE4)을 포함한다.
상기 데이터 배선들(DLm-1, DLm)은 제1 방향(D1)으로 연장되고 제2 방향(D2)으로 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 형성된다.
상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 상기 제m-1 데이터 배선(DLm-1)과 상기 제m 데이터 배선(DLm) 사이에 상기 제1 방향(D1)으로 연장되어 형성된다. 즉, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)은 상기 센서 게이트 배선(SGLj)과 교차하도록 형성될 수 있다.
제1 소스 전극(SE1) 및 제2 소스 전극(SE2)은 상기 제m-1 데이터 배선(DLm-1)으로부터 돌출되어 상기 제1 액티브 패턴(AP1) 및 상기 제2 액티브 패턴(AP2)과 중첩되어 형성된다. 제3 소스 전극(SE3) 및 제4 소스 전극(SE4)은 상기 제m 데이터 배선(DLm)으로부터 돌출되어 상기 제3 액티브 패턴(AP3) 및 상기 제4 액티브 패턴(AP4)과 중첩되어 형성된다.
제1 드레인 전극(DE1) 및 제2 드레인 전극(DE2)은 상기 제1 소스 전극(SE1) 및 상기 제2 소스 전극(SE2)과 이격되고, 상기 제1 액티브 패턴(AP1) 및 상기 제2 액티브 패턴(AP2)과 부분적으로 중첩된다. 제3 드레인 전극(DE3) 및 제4 드레인 전극(DE4)은 상기 제3 소스 전극(SE3) 및 상기 제4 소스 전극(SE4)과 이격되고, 상기 제3 액티브 패턴(AP3) 및 상기 제4 액티브 패턴(AP4)과 부분적으로 중첩된다.
본 실시예에서는 상기 액티브 패턴들(AP1, AP2, AP3, AP4)과 상기 제2 도전 패턴(DLm-1, DLm, SDLi, SE1, SE2, SE3, SE4, DE1, DE2, DE3, DE4)을 서로 다른 마스크를 이용하여 패터닝하는 것을 예로 하였으나, 상기 액티브 패턴(AP1, AP2, AP3, AP4)들과 상기 제2 도전 패턴(DLm-1, DLm, SDLi, SE1, SE2, SE3, SE4, DE1, DE2, DE3, DE4)을 하나의 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하는 경우, 상기 데이터 배선들DLm-1, DLm) 및 상기 센서 데이터 배선들(SDLi) 아래에는 액티브 패턴이 잔류할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 2의 터치 표시 기판의 제3 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 4a, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 제2 도전 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제2 절연층(140)을 형성한다. 상기 제2 절연층(140)은 질화 실리콘(SiNx) 및 산화 실리콘(SiOx)으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(140)은 재질 및 형성 공정이 서로 다른 이중층 구조로 형성할 수 있다.
마스크를 이용하여 상기 제2 절연층들(140)을 제거하여 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 스위칭 소자들(TR1, TR2, TR3, TR4)의 제1, 제2, 제3 및 제4 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3, DE4)을 노출하는 복수의 제1 콘택홀들(C11, C12, C13, C14)을 형성한다.
상기 제1 콘택홀들(C11, C12, C13, C14)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제1 투명 도전층(150)을 형성한다. 상기 제1 투명 도전층(150)은 산화인듐(ITO), 산화아연(IZO) 등으로 이루어지며, 스퍼터링 방식으로 증착될 수 있다.
상기 제1 투명 도전층(150)을 제3 포토레지스터 패턴(PR3)을 이용하여 제3 도전 패턴으로 패터닝한다. 상기 제3 도전 패턴은 상기 제1 콘택홀들(C11, C12, C13, C14)을 통해 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3, DE4)과 연결된 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6)을 포함한다. 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6) 각각은 화소 영역에 통판으로 형성될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 2의 터치 표시 기판의 제4 도전 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 5a, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 제3 도전 패턴이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제3 절연층(160)을 형성한다. 상기 제3 절연층(160)은 질화 실리콘(SiNx) 및 산화 실리콘(SiOx)으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 제3 절연층(160)은 고개구율을 위해 유기 물질로 두껍게 형성될 수 있다.
마스크를 이용하여 상기 제1, 제2 및 제3 절연층들(120, 140, 160)을 제거하여 상기 공통 배선(CLk)을 노출하는 제2 콘택홀들(C21, C22, C23, C24)과, 상기 센서 데이터 배선(SDLi)을 노출하는 제3 콘택홀(C3)과, 상기 센서 게이트 배선(SGLj)을 노출하는 제4 콘택홀(C4)을 형성한다.
상기 콘택홀들이 형성된 상기 제1 베이스 기판(101) 위에 제2 투명 도전층(170)을 형성한다. 상기 제2 투명 도전층(170)은 산화인듐(ITO), 산화아연(IZO) 등으로 이루어지며, 스퍼터링 방식으로 증착될 수 있다.
상기 제2 투명 도전층(170)은 제4 포토레지스트 패턴(PR4)을 이용하여 제4 도전 패턴으로 패터닝한다. 상기 제4 도전 패턴은 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8), 제1 센서 전극(SSE1) 및 제2 센서 전극(SSE2)을 포함한다.
상기 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8)은 상기 제2 콘택홀들(C21, C22, C23, C24)을 통해 상기 공통 배선(CLk)과 접촉되어 전기적으로 연결된다. 상기 제3, 제4, 제7 및 제8 화소 전극들(PE3, PE4, PE7, PE8)은 상기 제1, 제2, 제5 및 제6 화소 전극들(PE1, PE2, PE5, PE6)과 중첩되게 형성되고, 서로 다른 경사각을 갖는 제1 및 제2 슬릿 패턴들(SP1, SP2)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 제3 화소 전극(PE3)은 상기 제1 화소 전극(PE1)과 중첩되고, 상기 제1 영역(A1)에서 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴(SP1)과 상기 제2 영역(A2)에서 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴(SP2)을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제4 화소 전극(PE4)은 상기 제2 화소 전극(PE2)과 중첩되고, 상기 제1 영역(A1)에서 상기 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴(SP2)과 상기 제2 영역(A2)에서 상기 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴(SP1)을 포함할 수 있다. 즉, 서로 인접한 상기 제3 및 제4 화소 전극들(PE3, PE4)은 제1 영역(A1) 또는 제2 영역(A2)에서 서로 다른 경사각을 갖는 슬릿 패턴들(SP1, SP2)을 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 슬릿 패턴들(SP1, SP2)의 경계 영역에는 상기 센서 게이트 배선(SGLj)이 배치될 수 있다.
상기 제1 센서 전극(SSE1)은 상기 제3 콘택홀(C3)을 통해 상기 센서 데이터 배선(SDLi)과 접촉되어 전기적으로 연결된다.
상기 제2 센서 전극(SSE2)은 상기 제4 콘택홀(C4)을 통해 상기 센서 게이트 배선(SGLj)과 접촉되어 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2 센서 전극들(SSE1, SSE2)은 상기 센서 데이터 배선(SDLi)과 상기 센서 게이트 배선(SGLj)이 교차하는 영역에 인접하게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 센서 데이터 배선은 이웃한 화소 전극들 사이에 데이터 배선이 존재하지 않은 영역에 형성하고, 센서 게이트 배선을 화소 전극에 형성된 슬릿 패턴들의 경계 영역에 형성함으로써 터치 표시 패널의 개구율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 터치 표시 기판 200 : 대향 기판
300 : 액정층 SDLi : 센서 데이터 배선
SGLj : 센서 게이트 배선 SSE1 : 제1 센서 전극
SSE2 : 제2 센서 전극 CLk : 공통 배선
SSE3 : 제3 센서 전극 210 : 차광 패턴
230 : 컬러 필터 250 : 오버 코팅층
PP : 돌기부
PE1 내지 PE8 : 제1 내지 제8 화소 전극

Claims (23)

  1. 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된 제1 데이터 배선;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 게이트 배선;
    제1 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된 제1 화소 전극;
    상기 제1 게이트 배선과 평행한 제2 게이트 배선;
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제2 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된 제2 화소 전극;
    상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 상기 제1 데이터 배선과 평행하는 센서 데이터 배선; 및
    상기 센서 데이터 배선과 전기적으로 연결된 제1 센서 전극을 포함하는 터치 표시 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 배선들 사이에 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 및 제2 화소 전극들을 가로질러 배치된 센서 게이트 배선; 및
    상기 센서 게이트 배선과 전기적으로 연결된 제2 센서 전극을 더 포함하는 터치 표시 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 화소 전극과 중첩된 제3 화소 전극;
    상기 제2 화소 전극과 중첩된 제4 화소 전극; 및
    상기 제3 및 제4 화소 전극들과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 방향으로 연장된 공통 배선을 더 포함하는 터치 표시 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3 화소 전극은 제1 영역에 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴이 형성되며,
    상기 제4 화소 전극은 제1 영역에 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3 및 제4 화소 전극들은 상기 센서 게이트 배선에 의해 상기 제1 및 제2 영역으로 분리되고, 상기 제1 및 제2 슬릿 패턴은 상기 센서 게이트 배선에 대해 대칭 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  6. 제4항에 있어서, 상기 베이스 기판 위에 상기 제1 방향으로 연장된 제2 데이터 배선;
    상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제3 스위칭 소자를 통해 상기 제2 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된 제5 화소 전극;
    상기 제5 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고, 제4 스위칭 소자를 통해 상기 제2 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된 제6 화소 전극;
    상기 공통 배선과 연결되고, 상기 제5 화소 전극과 중첩된 제7 화소 전극; 및
    상기 공통 배선과 연결되고, 상기 제6 화소 전극과 중첩된 제8 화소 전극을 더 포함하는 터치 표시 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제7 화소 전극은 제1 영역에 제1 경사각을 갖는 제1 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제2 경사각을 갖는 제2 슬릿 패턴이 형성되며,
    상기 제8 화소 전극은 제1 영역에 제2 경사각을 갖는 상기 제2 슬릿 패턴이 형성되고, 제2 영역에 제1 경사각을 갖는 상기 제1 슬릿 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제7 및 제8 화소 전극들은 상기 센서 게이트 배선에 의해 상기 제1 및 제2 영역으로 분리되고, 상기 제1 및 제2 슬릿 패턴은 상기 센서 게이트 배선에 대해 대칭 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  9. 제7항에 있어서, 상기 센서 데이터 배선은 상기 제2 화소 전극과 상기 제5 화소 전극 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  10. 제7항에 있어서, 인접한 2 개의 센서 데이터 배선들 사이에는 2 개의 데이터 배선들이 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  11. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 센서 전극들은 상기 센서 데이터 배선과 상기 센서 게이트 배선이 교차하는 영역과 인접하게 형성된 것을 특징으로 하는 터치 표시 기판.
  12. 제1 베이스 기판 위에 제1 방향으로 연장된 제1 데이터 배선과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제1 게이트 배선과, 제1 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제1 게이트 배선과 연결된 제1 화소 전극과, 상기 제1 게이트 배선과 평행한 제2 게이트 배선과, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고 제2 스위칭 소자를 통해 상기 제1 데이터 배선 및 상기 제2 게이트 배선과 연결된 제2 화소 전극과, 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 방향으로 인접하고 상기 제1 데이터 배선과 평행하는 센서 데이터 배선 및 상기 센서 데이터 배선과 전기적으로 연결된 제1 센서 전극을 포함하는 터치 표시 기판; 및
    상기 터치 표시 기판과 대향하고, 상기 제1 센서 전극이 형성된 영역에 대응하는 제2 베이스 기판 위에 형성된 제3 센서 전극을 포함하는 대향 기판을 포함하는 터치 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서, 상기 대향 기판은
    상기 데이터 배선들 및 상기 게이트 배선들에 대응하여 상기 제2 베이스 기판 위에 형성된 차광 패턴을 더 포함하는 터치 표시 패널.
  14. 제12항에 있어서, 상기 대향 기판은
    상기 화소 전극들에 대응하여 상기 제2 베이스 기판 위에 형성된 컬러 필터를 더 포함하는 터치 표시 패널.
  15. 제12항에 있어서, 상기 대향 기판은
    상기 제2 베이스 기판 위에 형성되고, 상기 제3 센서 전극이 형성되는 영역에 대응하여 돌기부가 형성된 오버 코팅층을 더 포함하고,
    상기 제3 센서 전극은 상기 돌기부 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 패널.
  16. 제12항에 있어서, 상기 터치 표시 기판은
    상기 제1 화소 전극과 중첩된 제3 화소 전극;
    상기 제2 화소 전극과 중첩된 제4 화소 전극; 및
    상기 제3 및 제4 화소 전극들과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 방향으로 연장된 공통 배선을 더 포함하는 터치 표시 패널.
  17. 제16항에 있어서, 상기 터치 표시 기판은
    상기 제1 및 제2 게이트 배선들 사이에 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 제1 및 제2 화소 전극들을 가로질러 배치된 센서 게이트 배선; 및
    상기 센서 게이트 배선과 전기적으로 연결된 제2 센서 전극을 더 포함하는 터치 표시 패널.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제17항에 있어서, 인접한 2 개의 센서 데이터 배선들 사이에는 2 개의 데이터 배선들이 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 패널.
  22. 제17항에 있어서, 상기 제3 센서 전극은 상기 제1 및 제2 센서 전극들과 중첩되도록 상기 제2 베이스 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 터치 표시 패널.
  23. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2 센서 전극들은 상기 센서 데이터 배선과 상기 센서 게이트 배선이 교차하는 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 터치 표시 패널.
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