KR101701113B1 - 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체, LCD등을 제조하는 과정에 발생되는 배출가스를 미세하고, 정밀하게 외부로 배출하는 오토 슬라이드식 댐퍼를 제어하는 장치 및 발생가스 희석장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 반도체 제조시 발생하는 배출가스 제어장치에 있어서, 반도체 제조용 챔버의 배출덕트의 배출압력이 측정되고; 모터에 의하여 회전하는 메인기어에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어를 형성시키고; 상기 구동기어에 장착되어 회전구동되는 볼스크류을 장착시키고; 상기 볼스크류의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부를 결합시키고, 상기 직선구동부에 부착되어, 상기 볼스크류와 이격되어 평행하게 직선왕복운동되는 오토 댐퍼부를 형성시키고; 상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어의 회전을 제어하여, 상기 오토댐퍼부의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 발생가스 희석장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
이는 반도체 제조 공정시에 발생되는 배출가스를 설정된 압력으로 일정하게 외부로 배출시켜서, 공정챔버내의 압력을 일정하게 유지하여, 반도체, LCD등의 제조품의 품질을 증가시키고, 유지관리하도록 하는데 있다.
또한, 설정된 배출압력이 되도록, 슬라이드식 댐퍼를 이용하여, 구조적으로 안정적인 기계장치를 제공하여, 제어가 원활하게 작동되도록 하는데 있다.
또한, 완전개방센서, 완전폐쇄센서, 정위치센서를 부착하여, 슬라이드 댐퍼의 개폐상태를 판단하고, 이를 제어부의 판단신호로 제공하여, 정밀한 계폐량이 되도록 하는데 있다.
또한, 챔버내의 유해가스를 희석하거나, 밸브의 배출구를 세척하여, 사용기간을 늘리도록 하는데 있다.
이는 반도체 제조 공정시에 발생되는 배출가스를 설정된 압력으로 일정하게 외부로 배출시켜서, 공정챔버내의 압력을 일정하게 유지하여, 반도체, LCD등의 제조품의 품질을 증가시키고, 유지관리하도록 하는데 있다.
또한, 설정된 배출압력이 되도록, 슬라이드식 댐퍼를 이용하여, 구조적으로 안정적인 기계장치를 제공하여, 제어가 원활하게 작동되도록 하는데 있다.
또한, 완전개방센서, 완전폐쇄센서, 정위치센서를 부착하여, 슬라이드 댐퍼의 개폐상태를 판단하고, 이를 제어부의 판단신호로 제공하여, 정밀한 계폐량이 되도록 하는데 있다.
또한, 챔버내의 유해가스를 희석하거나, 밸브의 배출구를 세척하여, 사용기간을 늘리도록 하는데 있다.
Description
본 발명은 반도체, LCD등을 제조하는 과정에 발생되는 배출가스를 미세하고, 정밀하게 외부로 배출하는 오토 슬라이드식 댐퍼를 제어하는 장치 및 발생가스 희석장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 생산하기 위해서는 식각, 에칭, 포토 공정 등과 같은 여러 가지 공정들을 거쳐야 하며, 각 공정들에서는 공정들의 목적에 맞는 다양한 가스들이 사용된다. 이러한 가스들은 대부분 유독성, 부식성, 반응성 등의 성질을 가지고 있으며, 가스 용기에 저장되어 있다가 각종 밸브, 레귤레이터, 압력센서, 필터 등의 부품들이 배열된 가스공급장치의 배관을 통해 공정 챔버로 공급된다.
가스공급장치들은 공정에 사용되는 가스를 일정한 압력으로 안정되게 공급하는 것이다. 가스공급장치를 설명하면, 가스 공급이 중단되지 않도록 가스공급장치에는 다수개의 가스 용기가 사용되며, 가스 용기에 저장된 가스는 필터와 밸브, 레귤레이터, 플로 스위치 등이 순차적으로 배열된 가스 공급 라인을 통해 반도체 나 LCD의 공정챔버로 공급된다.
공급압력 센서는 가스 용기로부터 필터와 밸브로 공급되는 가스의 압력을 측정한다. 레귤레이터는 가스 용기로부터 공급되는 가스를 공정챔버에서 필요한 압력과 양으로 조절하며, 이 레귤레이터에 의해 조절된 가스의 압력은 압력 센서에 의해 측정되는 것이다.
하나의 가스 용기에 저장된 가스가 모두 소비되면 밸브는 닫히고, 다른 밸브가 개방되어 다른 가스용기에 저장된 가스가 공정 챔버로 공급된다. 빈 가스 용기는 교체되며, 이때 배관 상에 잔류하는 가스를 제거하도록 배기 공정과 퍼지 공정이 수행된다.
우선, 진공 발생기에 의해 배관 내부가 진공 상태가 되며, 밸브가 순차적으로 개방되는 것에 의해 배관 내의 잔류 가스는 외부로 배출된다. 외부로 배출된 가스는 정화 장치에서 정화된다. 그리고 나서, 밸브들을 순차적으로 개방하여 퍼지 가스를 배관으로 공급하며, 공급 압력은 압력 스위치에 의해 측정된다. 퍼지 가스의 공급이 완료되면 밸브들을 순차적으로 폐쇄하고, 밸브들를 순차적으로
개방하여 배기 라인과 진공 발생기를 통해 배출시키며, 압력 스위치를 통해 진공 상태를 확인한다. 잔류 가스가 완전히 제거되도록 퍼지공정과 배기 공정을 수 회 반복한다.
이러한 공정챔버내에서, 반도체, LCD등을 제조하며, 발생되는 배출가스를 설정된 압력에 의하여, 일정하게 외부로 배출하도록 하여 공정챔버내의 내부압력을 일정하에 유지하는 것이 제조 대상물의 품질을 향상시키는데, 필요한 조건이다.
그러나, 상기 배출가스를 외부로 배출시키는 배출밸브의 개폐량을 미세하고, 정밀하게 제어하지 못하는 문제점이 있는 것이다..
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 제조공정 챔버의 배출덕트에 배출가스압력을 측정하여, 이를 제어부에 발신하여, 설정된 배출가스압력과 비교 판단하여, 이를 오토 슬라이드식 댐퍼에 를 구동하는 모터에 제어신호를 발신하여, 슬라이드 댐퍼를 미세하고, 정밀하게 제어하여, 설정된 배출압력이 되도록 제어하는 장치를 제공하는데 있다.
또한, 완전개방센서, 완전폐쇄센서를 부착하여, 슬라이드 댐퍼의 개폐상태를 판단하여, 이를 제어부의 판단신호로 제공하는데 있다.
또한, 정위치 센서를 부가하여, 제어장치가 구동되는 원점 위치를 제공하여 장치가 오프되어 재구동시키거나, 또는 필요시에 재구동시에 있어서, 어떤 상태에서도 슬라이드 댐퍼가 다시 시작되는 원점으로 설정되도록 제공하고자 하는 것이다.
또한, 챔버내의 유해가스를 희석하거나, 밸브의 배출구를 세척하여, 사용기간을 늘리도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, 반도체 제조시 발생하는 배출가스 제어장치에 있어서, 반도체 제조용 챔버의 배출덕트의 배출압력이 측정되고; 모터에 의하여 회전하는 메인기어에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어를 형성시키고; 상기 구동기어에 장착되어 회전구동되는 볼스크류을 장착시키고; 상기 볼스크류의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부를 결합시키고, 상기 직선구동부에 부착되어, 상기 볼스크류와 이격되어 평행하게 직선왕복운동되는 오토 댐퍼부를 형성시키고; 상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어의 회전을 제어하여, 상기 오토댐퍼부의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
또한, 배출구의 일부분에 희석용 가스를 유입하는 유입구와 유출되는 유출구를 형성하여, 상기 댐퍼가 개방시에 챔버내의 유해가스와 상호 혼합하도록 하거나, 배출구의 표면에 붙어 있는 이물질등을 세척하도록; 이루어진 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 희석장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 반도체 제조 공정시에 발생되는 배출가스를 설정된 압력으로 일정하게 외부로 배출시켜서, 공정챔버내의 압력을 일정하게 유지하여, 반도체, LCD등의 제조품의 품질을 증가시키고, 유지관리하도록 하는데 있다.
또한, 설정된 배출압력이 되도록, 슬라이드식 댐퍼를 이용하여, 구조적으로 안정적인 기계장치를 제공하여, 제어가 원활하게 작동되도록 하는데 있다.
또한, 완전개방센서, 완전폐쇄센서, 정위치센서를 부착하여, 슬라이드 댐퍼의 개폐상태를 판단하고, 이를 제어부의 판단신호로 제공하여, 정밀한 계폐량이 되도록 하는데 있다.
또한, 챔버내의 유해가스를 희석하거나, 밸브의 배출구를 세척하여, 사용기간을 늘리도록 하는데 있다.
도 1은 본 발명의 전체 제어장치를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3a은 본 발명의 센서부가 장착된 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3b는 본 발명의 센서부의 감지상태를 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼를 나타낸 개략도.
도 5는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부가 배출구에서 슬라이드 개폐되는 상태를 나타낸 개략도.
도 6은 본 발명의 유해가스 희석장치를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3a은 본 발명의 센서부가 장착된 오토 슬라이드 댐퍼부를 나타낸 개략도.
도 3b는 본 발명의 센서부의 감지상태를 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼를 나타낸 개략도.
도 5는 본 발명의 오토 슬라이드 댐퍼부가 배출구에서 슬라이드 개폐되는 상태를 나타낸 개략도.
도 6은 본 발명의 유해가스 희석장치를 나타낸 개략도.
본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 아래의 특징을 갖는다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 일실시예를 살펴보면,
반도체 제조시 발생하는 배출가스 제어장치에 있어서,
반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키고,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 형성시키고;
상기 구동기어(51)에 장착되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고,
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를
결합시키고,
상기 직선구동부(53)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 장착됨으로써, 직선구동부(53)가 직선왕복운동시 슬라이드 직선 왕복운동되는 댐퍼(73)를 형성시키고,
상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)의 회전을 제어하여, 상기 오토댐퍼부(70)의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키도록;
이루어진 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치에 관한 것이다.
또한, 오토댐퍼(100)의 일측면에는 완전개방용 센서(60), 정위치용 센서(61), 완전폐쇄용 센서(62)가 부착되어 있으며; 이에 대응되도록 상기 오토 댐퍼(100)에서 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)에 연결된 일측면에 센서감지바(71)가 형성되어 직선 슬라이드 구동시에 상기 센서( 60,61,62)에 감지되도록 하여, 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)가 배출구(77)에 위치되어 있는 상태를 탐지하여, 상기 제어부(80)에 수신되도록; 이루어진 것이다.
또한, 상기 정위치용 센서(61)는 슬라이드 구동시에, 모터를 정지 후 재구동하거나 또는 필요시에, 상기 슬라이드 댐퍼(73)의 구동 원점을 설정하도록; 이루어진 것이다.
또한, 상기 배출구(77)의 일부분에 희석용 가스를 유입하는 유입구(90)와 유출되는 유출구(91)를 형성하여, 상기 댐퍼(73)가 개방시에 챔버(10)내의 유해가스와 상호 혼합하도록 하거나, 배출구(91)의 표면에 붙어 있는 이물질등을 세척하도록; 이루어진 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 희석장치에 관한 것이다.
이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치 및 희석장치를 상세히 설명하도록 한다.
일반적으로 반도체를 생산하기 위해서는 식각, 에칭, 포토 공정 등과 같은 여러 가지 공정들을 거쳐야 하며, 각 공정들에서는 공정들의 목적에 맞는 다양한 가스들이 사용된다. 이러한 가스들은 대부분 유독성, 부식성, 반응성 등의 성질을 가지고 있으며, 가스 용기에 저장되어 있다가 각종 밸브, 레귤레이터, 압력센서, 필터 등의 부품들이 배열된 가스공급장치의 배관을 통해 공정 챔버로 공급되며, 공정중에 발생되는 배출가스를 일정한 압력을 유지하며, 외부로 배출시켜야 한다.
이를 위하여, 도 1에 나타난 바와 같이,
본 발명은 챔버(10)에 배출덕트를 형성시키고, 배출덕트에 오토 슬라이드 댐퍼(100)를 부착하고, 외부에 배출팬(30)을 장착시켜서, 챔버(10)내에 발생되는 배출가스를 외부로 일정하게 설정된 배출압력으로 배출시키도록 제어하는 장치를 제공하는데 있다.
먼저, 반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키는 것이다.
도 2에 나타난 바와 같이,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)를 형성시키고, 이와 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 부가시키는 것이다.
상기 구동기어(51)와 연계되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고, 상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를 결합시키는 것이다. 상기 직선구동부(53)는 볼스크류(52)의 정회전 및 역회전에 의하여 직선으로 왕복이동되는 것이다.
상기 직선구동부(53)에 부착되어, 상기 볼스크류(52)와 이격되어 평행하게 직선왕복운동되는 오토 댐퍼부(70)를 형성시키는 것이다. 오토 댐퍼부(70)는 상기 볼스크류(52)와 평행하게 거리가 이격되도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 댐퍼(73)를 장착시키도록 형성하는 것이다.
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선구동부(53)가 왕복이동하게 되며, 상기 직선구동부(53)에 부착된 댐퍼(73)가 슬라이드 왕복하면서, 개폐량이 조절되어, 배출압력이 조절되도록 하는 것이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 본 발명은 제어부(80)를 형성하여, 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하고, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)에 정회전 또는 역회전 또는 회전량등을 제어하여, 상기 오토댐퍼부(70)의 댐퍼(73)개폐량을 정밀하게 조절하도록 이루어 진 것을 특징으로 한다.
또한, 도 3a, 도 3b 및 도 4에 나타난 바와 같이,
상기 오토댐퍼(100)의 일측면에는 완전개방용 센서(60), 정위치용 센서(61), 완전폐쇄용 센서(62)가 각각 부착되어 형성시키는 것이다.
도 3b에 나타난 바와 같이, 이에 대응되도록 상기 오토 댐퍼(100)의 댐퍼(73)에 연결된 구성인 L 자형 바(72)의 일측면에 센서 감지바(71)가 형성되어 댐퍼(73)가 직선 슬라이드 구동시에 상기 센서(60,61,62)의 감지부를 통과하면서, 센서가 감지되도록 하는 것이다.
상기 센서(60,61,62)의 센서 감지작동에 의하여, 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 운동하는 슬라이드 댐퍼(73)가 배출구(77)에 위치되어 있는 상태를 탐지하여, 상기 제어부(80)에 수신되도록; 이루어진 것이다.
또한, 상기 정위치용 센서(61)는 슬라이드 구동시에, 모터를 정지 후 재구동하거나 또는 필요시에, 상기 슬라이드 댐퍼(73)의 구동 원점을 설정하도록; 이루어진 것이다.
도 5에 나타난 바와 같이, 댐퍼(73)가 배출구(77)내에서 완전히 개방된 상태, 50% 개방된 상태, 완전히 폐쇄된 상태를 나타내고 있으며, 이는 상기 센서(60,62)에 의하여 감지되어, 제어부(80)에서 이를 수신받고, 이를 기준으로 모터의 정회전, 역회전, 회전량등을 제어구동하는 것이다.
제어부(80)에서는 상기 센서(60,62)에 의하여 개폐상태를 감지하고, 이를 기준으로 모터의 회전각도를 미세하게 구동시켜서, 댐퍼(73)의 개폐량을 미세하게 조절하는 것이다.
회전각도에 따른 댐퍼의 이동거리는 사전에 제어부(80)에 입력되어 있으므로, 상기 센서(60,62)에 의하여 감지된 댐퍼(73)상태를 정확하게 판단할 수 있는 것이다.
또한, 더 나아가, 정위치용 센서(61)를 부가하여, 댐퍼의 초기의 댐퍼상태의 파단기준이 되도록 하여, 어떠한 상태에서, 댐퍼를 다시 작동하는 경우에, 먼저 댐퍼(73)가 초기 상태를 제공하는 정위치용 센서(61)에 감지되는 위치에 복귀하도록 제어부(80)에 입력신호로 제공되는 것이다.
도 1 및 도 6에 나타난 바와 같이,
상기 배출구(77)의 일부분에 질소등의 희석용 가스를 유입하는 유입구(90)를 부가하고, 유출되는 유출구(91)를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이는 상기 댐퍼(73)가 개방시에 챔버(10)내의 유해가스와 상호 혼합하도록 하여, 유해가스를 희석시키고, 외부로 배출시키는 것이다.
유출구(91)를 통하여, 유출되는 가스는 유해가스와 희석용 가스가 상호 혼합된 희석 혼합가스를 의미하는 것이다.
또한, 상기 희석용 가스는 배출구(91)의 표면에 붙어 있는 이물질등을 세척하여, 사용기간이 경과하여도 댐퍼(73)가 배출구(91)내에서 끼지 않고 원활하게 슬라이드하도록 하는 것을 특징으로 한다.
이루어진 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 희석장치에 관한 것이다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.
10: 챔버 20: 압력센서
50: 메인기어 51:구동기어
52: 볼스크류 53: 직선구동부
60: 완전개방용 센서 61: 정위치용 센서
62: 완전폐쇄용 센서 71: 센서감지바
73: 댐퍼 77: 배출구
90: 유입구 91: 유출구
80: 제어부
100: 오토댐퍼
50: 메인기어 51:구동기어
52: 볼스크류 53: 직선구동부
60: 완전개방용 센서 61: 정위치용 센서
62: 완전폐쇄용 센서 71: 센서감지바
73: 댐퍼 77: 배출구
90: 유입구 91: 유출구
80: 제어부
100: 오토댐퍼
Claims (5)
- 반도체 제조시 발생하는 배출가스 제어장치에 있어서,
반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키고,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 형성시키고;
상기 구동기어(51)에 장착되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고,
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를
결합시키고,
상기 직선구동부(53)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 장착됨으로써, 직선구동부(53)가 직선왕복운동시 슬라이드 직선 왕복운동되는 댐퍼(73)를 형성시키고,
상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)의 회전을 제어하여, 상기 댐퍼(73)의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키도록;
이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제1항에 있어서,
오토댐퍼(100)의 일측면에는 완전개방용 센서(60), 정위치용 센서(61), 완전폐쇄용 센서(62)가 부착되어 있으며;
이에 대응되도록 상기 오토 댐퍼(100)에서 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)에 연결된 일측면에 센서감지바(71)가 형성되어 직선 슬라이드 구동시에 상기 센서( 60,61,62)에 감지되도록 하여, 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 운동하는 댐퍼(73)가 배출구(77)에 위치되어 있는 상태를 탐지하여, 상기 제어부(80)에 수신되도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제2항에 있어서,
상기 정위치용 센서(61)는 슬라이드 구동시에, 모터를 정지 후 재구동시에, 상기 슬라이드 댐퍼(73)의 구동 원점을 설정하도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 제2항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부(80)는 상기 센서(60,61,62)에 의하여 개폐상태를 감지하고, 이를 기준으로 모터의 회전각도를 구동시켜서, 댐퍼(73)의 개폐량을 조절하되, 회전각도에 따른 댐퍼(73)의 이동거리가 사전에 제어부(80)에 입력되어, 상기 센서(60,61,62)에 의하여 감지된 댐퍼(73)상태를 판단할 수 있도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 제어장치. - 반도체 제조시 발생하는 배출가스 희석장치에 있어서,
반도체 제조용 챔버(10)의 배출덕트의 배출압력이 측정되도록 압력센서(20)를 부착시키고,
모터에 의하여 회전하는 메인기어(50)에 기어결합되어 회전구동되는 구동기어(51)를 형성시키고;
상기 구동기어(51)에 장착되어 회전구동되는 볼스크류(52)을 장착시키고,
상기 볼스크류(52)의 회전에 의하여 직선왕복운동하는 직선구동부(53)를
결합시키고,
상기 직선구동부(53)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하도록 L 자형의 바(72)를 부착시키고, 상기 바(72)에 볼스크류(52)와 이격되어 평행하게 배출구(77)에 장착되어 슬라이드 왕복 운동하는 댐퍼(73)를 형성시키고,
상기 측정된 배출압력과 사전에 설정된 설정압력을 비교하여, 설정압력이 되도록 상기 메인기어(50)의 회전을 제어하여, 상기 댐퍼(73)의 개폐량을 정밀하게 조절하는 제어부(80)를 형성시키며,
상기 배출구(77)의 일부분에 희석용 가스를 유입하는 유입구(90)와 유출되는 유출구(91)를 형성하여, 상기 댐퍼(73)가 개방시에 챔버(10)내의 유해가스와 상호 혼합하도록 하거나, 배출구(91)의 표면에 붙어 있는 이물질등을 세척하도록;
이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조시 발생가스의 배출가스 정밀압력제어용 슬라이드 오토 댐퍼의 희석장치.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101810358B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-01-25 | 황의상 | 신축이음기능을 갖는 누출방지 댐퍼 시스템 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990033894U (ko) * | 1998-01-06 | 1999-08-16 | 구본준 | 반도체의 압력조절밸브 |
KR200293094Y1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 반도체 제조용 가스공급장치 |
KR20020085482A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 삼성전자 주식회사 | 로드락 챔버의 도어개폐장치 |
KR101523228B1 (ko) | 2013-09-26 | 2015-05-29 | 우범제 | 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법 |
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2015
- 2015-08-07 KR KR1020150111370A patent/KR101701113B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990033894U (ko) * | 1998-01-06 | 1999-08-16 | 구본준 | 반도체의 압력조절밸브 |
KR20020085482A (ko) * | 2001-05-08 | 2002-11-16 | 삼성전자 주식회사 | 로드락 챔버의 도어개폐장치 |
KR200293094Y1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 반도체 제조용 가스공급장치 |
KR101523228B1 (ko) | 2013-09-26 | 2015-05-29 | 우범제 | 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101810358B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-01-25 | 황의상 | 신축이음기능을 갖는 누출방지 댐퍼 시스템 |
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