KR101706239B1 - Organic light emitting diode display device and method for driving the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고속 구동시에도 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 정확하게 센싱할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로, 스캔 신호에 응답하여 데이터 전압을 제 1 노드에 공급하는 제 1 스위칭 소자; 센싱 신호에 응답하여 상기 제 1 노드에 기준전압을 공급하는 제 2 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 제 2 노드를 서로 연결하는 제 3 스위칭 소자; 발광 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 유기발광다이오드의 애노드 전극과 접속된 제 3 노드를 서로 연결하는 제 4 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에 기저전압을 공급하는 제 5 스위칭 소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된 제 1 커패시터; 및 제 1 전원전압 공급라인과 상기 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 커패시터를 포함하고; 그리고 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에는 제 2 전원전압 공급라인이 접속되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device capable of precisely sensing a threshold voltage of a driving thin film transistor even at a high speed driving and a driving method thereof, ; A second switching element for supplying a reference voltage to the first node in response to a sensing signal; A third switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other in response to the sensing signal; A fourth switching element for connecting a drain electrode of the driving switching element and a third node connected to an anode electrode of the organic light emitting diode in response to an emission signal; A fifth switching element for supplying a ground voltage to the third node in response to the sensing signal; A first capacitor coupled between the first node and the second node; And a second capacitor coupled between the first power supply voltage supply line and the first node; And a second power supply voltage supply line is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
Description
본 발명은 고속 구동시에도 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 정확하게 센싱할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a driving method thereof that can precisely sense a threshold voltage of a driving thin film transistor even at high speed driving.
최근, 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED) 표시장치가 각광받고 있다.2. Description of the Related Art [0002] Organic light emitting diodes (OLED) display devices for displaying images by controlling the amount of light emitted from an organic light emitting layer have been spotlighted by a flat panel display capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of a cathode ray tube (CRT) .
OLED 표시장치는 다수의 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 화소는 OLED와, OLED에 흐르는 전류량을 조절해 각 화소의 밝기를 조절하는 구동 박막 트랜지스터를 포함한다. 여기서, 각 화소의 휘도는 데이터 전압과, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 차전압(Vgs)과, 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압에 영향을 받는다.In an OLED display device, a plurality of pixels are arranged in a matrix form to display an image. Each pixel includes an OLED and a driving thin film transistor for controlling the brightness of each pixel by adjusting the amount of current flowing through the OLED. Here, the luminance of each pixel is influenced by the data voltage, the difference voltage (Vgs) between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor, and the threshold voltage of the driving thin film transistor.
그런데, 휘도에 영향을 미치는 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압이 각 화소별로 달라 동일한 데이터 전압이 인가되어도 휘도가 달라지는 문제가 있었다. 이에 따라, 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압(Vth)을 센싱하여 이를 보상하는 기술이 소개되었다.However, there is a problem that the threshold voltage of the driving thin film transistor, which affects the luminance, differs for each pixel and luminance is varied even if the same data voltage is applied. Accordingly, a technology for sensing and compensating for the threshold voltage (Vth) of the driving thin film transistor has been introduced.
한편, 표시장치의 크기가 대형화되고, 고해상도로 변하는 추세에 따라 각 화소를 구동하는 시간이 점점 짧아지고 있으며, 보다 짧은 시간에 각 화소를 구동하는 기술을 고속 구동 기술이라 한다. 하지만, 고속 구동시 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 시간이 짧아져, 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 정확하게 센싱하지 못하는 문제점이 있다.On the other hand, the time required to drive each pixel is becoming shorter as the size of the display device is increased and the pixel is changed to a higher resolution, and a technology for driving each pixel in a shorter time is referred to as a high-speed driving technique. However, there is a problem in that the time for sensing the threshold voltage of the driving thin film transistor is shortened during high-speed driving, and the threshold voltage of the driving thin film transistor can not be accurately sensed.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고속 구동시에도 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 정확하게 센싱할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device and a driving method thereof that can precisely sense a threshold voltage of a driving thin film transistor even in a high speed driving.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 스캔 신호에 응답하여 데이터 전압을 제 1 노드에 공급하는 제 1 스위칭 소자; 센싱 신호에 응답하여 상기 제 1 노드에 기준전압을 공급하는 제 2 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 제 2 노드를 서로 연결하는 제 3 스위칭 소자; 발광 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 유기발광다이오드의 애노드 전극과 접속된 제 3 노드를 서로 연결하는 제 4 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에 기저전압을 공급하는 제 5 스위칭 소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된 제 1 커패시터; 및 제 1 전원전압 공급라인과 상기 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 커패시터를 포함하고; 그리고 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에는 제 2 전원전압 공급라인이 접속되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device including a first switching device for supplying a data voltage to a first node in response to a scan signal; A second switching element for supplying a reference voltage to the first node in response to a sensing signal; A third switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other in response to the sensing signal; A fourth switching element for connecting a drain electrode of the driving switching element and a third node connected to an anode electrode of the organic light emitting diode in response to an emission signal; A fifth switching element for supplying a ground voltage to the third node in response to the sensing signal; A first capacitor coupled between the first node and the second node; And a second capacitor coupled between the first power supply voltage supply line and the first node; And a second power supply voltage supply line is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
상기 제 1 전원전압은 상기 제 2 전원전압보다 상대적으로 높은 전위를 갖고, 상기 기준전압은 상기 제 1 전원전압과 상기 제 2 전원전압 사이의 전위를 갖는 것을 특징으로 한다.The first power supply voltage has a potential higher than the second power supply voltage and the reference voltage has a potential between the first power supply voltage and the second power supply voltage.
상기 제 1 내지 제 5 스위칭 소자 및 상기 구동 스위칭 소자는 N 타입 또는 P 타입으로 구성된 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The first to fifth switching elements and the driving switching element are thin-film transistors configured as N-type or P-type.
상기 제 3 스위칭 소자는 듀얼 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.The third switching device has a dual gate structure.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법은 화소 구동부가 제 1 노드의 전위를 기준전압으로 초기화하고, 구동 스위칭 소자의 게이트 전극과 연결된 제 2 노드 및 유기발광다이오드의 애노드 전극과 접속된 제 3 노드의 전위를 기저전압으로 초기화하는 초기화 기간; 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 2 노드를 서로 연결하여 상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압을 센싱하는 문턱전압 센싱 기간; 상기 제 1 노드의 전위를 상기 기준전압에서 데이터 전압으로 변화시켜, 상기 제 2 노드의 전위를 상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압이 보상된 전압으로 바꾸는 프로그래밍 기간; 및 상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압이 보상된 제 2 노드의 전위에 따라 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 발광 기간으로 나뉘어 구동되는 것을 특징으로 한다.하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode (OLED) display device, including: driving a pixel driver to initialize a potential of a first node to a reference voltage; An initialization period for initializing the potential of the second node and the third node connected to the anode electrode of the organic light emitting diode to a ground voltage; A threshold voltage sensing period for sensing a threshold voltage of the driving switching element by connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other; A programming period for changing the potential of the first node from the reference voltage to the data voltage and changing the potential of the second node to a voltage compensated for the threshold voltage of the driving switching element; And a light emitting period for supplying a driving current to the organic light emitting diode according to a potential of a second node to which a threshold voltage of the driving switching element is compensated.
상기 화소 구동부는 스캔 신호에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 1 스위칭 소자; 센싱 신호에 응답하여 상기 제 1 노드에 상기 기준전압을 공급하는 제 2 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 2 노드를 서로 연결하는 제 3 스위칭 소자; 발광 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 3 노드를 서로 연결하는 제 4 스위칭 소자; 상기 센싱 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에 상기 기저전압을 공급하는 제 5 스위칭 소자; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된 제 1 커패시터; 및 제 1 전원전압 공급라인과 상기 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 커패시터를 포함하고; 그리고 상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에는 제 2 전원전압 공급라인이 접속되는 것을 특징으로 한다.Wherein the pixel driver comprises: a first switching element for supplying the data voltage to the first node in response to a scan signal; A second switching element for supplying the reference voltage to the first node in response to a sensing signal; A third switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other in response to the sensing signal; A fourth switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the third node to each other in response to the light emitting signal; A fifth switching element for supplying the ground voltage to the third node in response to the sensing signal; A first capacitor coupled between the first node and the second node; And a second capacitor coupled between the first power supply voltage supply line and the first node; And a second power supply voltage supply line is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
상기 초기화 기간은 상기 화소 구동부에 상기 스캔 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 발광 신호 및 상기 센싱 신호가 로우 논리 상태로 공급되어, 상기 제 2 내지 제 5 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 한다.The scan signal is supplied to the pixel driver in a high logic state, the light emission signal and the sensing signal are supplied in a low logic state, and the second to fifth switching elements are turned on, 1 switching element is turned off.
상기 문턱전압 센싱 기간은 상기 화소 구동부에 상기 센싱 신호가 로우 논리 상태로 공급되고, 상기 스캔 신호 및 상기 발광 신호가 하이 논리 상태로 공급되어, 상기 제 2, 제 3, 제 5 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1, 제 4 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 한다.Wherein the sensing signal is supplied to the pixel driver in a low logic state and the scan signal and the emission signal are supplied in a high logic state so that the second, third, and fifth switching elements turn- And a period during which the first and fourth switching elements are turned off.
상기 문턱전압 센싱 기간의 길이는 1 수평기간의 배수로 설정되는 것을 특징으로 한다.And the length of the threshold voltage sensing period is set to a multiple of one horizontal period.
상기 프로그래밍 기간은 상기 화소 구동부에 상기 발광 신호 및 상기 센싱 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 스캔 신호가 로우 논리 상태로 공급되어, 상기 제 1 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 2 내지 제 5 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 한다.Wherein the programming period is a period during which the emission signal and the sensing signal are supplied to the pixel driver in a logic high state and the scan signal is supplied in a low logic state to turn on the first switching device, 5 switching elements are turned off.
상기 프로그래밍 기간의 길이는 1 수평기간의 배수로 설정되는 것을 특징으로 한다.And the length of the programming period is set to a multiple of one horizontal period.
상기 발광 기간은 상기 화소 구동부에 상기 스캔 신호 및 상기 센싱 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 발광 신호가 로우 논리 상태로 공급되어, 상기 제 4 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1, 제 2, 제3, 제 5 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 한다.The scan signal and the sensing signal are supplied to the pixel driver in a high logic state and the light emission signal is supplied in a low logic state to turn on the fourth switching element, 2, and the third and fifth switching elements are turned off.
본 발명은 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 문턱전압 센싱 기간(②)과, 데이터 전압(Vdata)을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간(③)을 서로 독립적으로 나뉘어 구동한다. 이에 따라, 문턱전압 센싱 기간(②)을 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 정확히 센싱할 수 있는 기간만큼 설정할 수 있다. 그리고 스캔 신호(SCAN)에 대한 오버랩 구동이 가능하여 고속 구동시 데이터 전압(Vdata)의 프로그래밍이 빠르고 정확해진다.The present invention drives the threshold voltage sensing period (2) for sensing the threshold voltage (Vth) of the driver TFT (DT) and the programming period (3) for programming the data voltage (Vdata) separately. Accordingly, the threshold voltage sensing period (2) can be set for a period in which the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) can be accurately sensed. In addition, since the overlap driving for the scan signal (SCAN) is possible, the programming of the data voltage (Vdata) is fast and accurate at high-speed driving.
또한, 본 발명은 스캔 신호(SCAN) 배선과 접속된 TFT가 단 1개이므로 스캔 신호(SCAN) 배선의 로드를 줄일 수 있고, 고속 구동에 유리하다.In addition, since only one TFT is connected to the scan signal (SCAN) wiring, the load of the scan signal (SCAN) wiring can be reduced, which is advantageous for high-speed driving.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 화소 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소 회로의 구동 파형도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1에 도시된 화소 구동부(10)의 구동방법을 단계적으로 설명한 회로도이다.
도 4는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 1V 쉬프트 시켰을 때, 시간에 따른 센싱율을 퍼센트(%)로 나타낸 시뮬레이션이다.
도 5는 비교 예에 따른 화소의 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 화소의 구동 파형도이다.1 is a circuit diagram of a pixel of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
2 is a driving waveform diagram of the pixel circuit shown in Fig.
3A to 3D are circuit diagrams illustrating a method of driving the
4 is a simulation showing the sensing rate with respect to time as a percentage (%) when the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) is shifted by 1V.
5 is a circuit diagram of a pixel according to a comparative example.
6 is a driving waveform diagram of the pixel shown in Fig.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED) 표시장치 및 그 구동방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic light emitting diode (OLED) display device and a driving method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 화소 회로도이다.1 is a circuit diagram of a pixel of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 화소는 OLED와 OLED를 독립적으로 구동하는 화소 구동부(10)를 포함한다.The pixel shown in Fig. 1 includes a
구체적으로, 화소 구동부(10)는 제 1 내지 제 5 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT)(T1~T5)와, 구동 TFT(DT), 및 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2)를 포함한다. 그리고 OLED는 화소 구동부(10)와 제 2 전원전압(VSS) 공급라인 사이에 접속되어 등가적으로는 다이오드로 표현된다.Specifically, the
화소 구동부(10)에는 데이터 전압(Vdata)과, 기준전압(Vref)과, 제 1 전원전압(VDD)과, 제 1 내지 제 5 TFT(T1~T5)를 제어하는 다수의 제어신호(SCAN, EM, SEN)가 공급된다.The
여기서, 제 1 전원전압(VDD)은 제 2 전원전압(VSS)보다 상대적으로 높은 전위를 갖는다. 그리고 제 2 전원전압(VSS) 통상적으로 기저전압(GND)으로 설정된다. 또한, 기준전압(Vref)은 제 1 전원전압(VDD)과 제 2 전원전압(VSS) 사이의 전위를 갖는다. 그리고 다수의 제어신호(SCAN, EM, SEN)는 스캔 신호(SCAN), 발광 신호(EM), 및 센싱 신호(SEN)를 포함하며, 이들에 대한 설명은 후술하기로 한다.Here, the first power supply voltage VDD has a relatively higher potential than the second power supply voltage VSS. And the second power supply voltage VSS is normally set to the ground voltage GND. The reference voltage Vref has a potential between the first power supply voltage VDD and the second power supply voltage VSS. The plurality of control signals SCAN, EM, and SEN include a scan signal SCAN, a light emission signal EM, and a sensing signal SEN, which will be described later.
한편, 제 1 내지 제 5 TFT(T1~T5)와, 구동 TFT(DT)는 N 타입 또는 P 타입으로 구성될 수 있는데, 이하에서는 P 타입으로 구성된 예를 설명하기로 한다.On the other hand, the first to fifth TFTs T1 to T5 and the driving TFT DT may be formed of N type or P type. Hereinafter, an example of the P type will be described.
제 1 TFT(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되며, 턴-온시 데이터 전압(Vdata)을 제 1 노드(N1)에 공급한다. 여기서, 제 1 노드(N1)는 제 1, 제 2 TFT(T1, T2)의 출력단이 공통으로 접속되는 노드이다.The first TFT T1 is turned on or off according to the scan signal SCAN and supplies the turn-on data voltage Vdata to the first node N1. Here, the first node N1 is a node to which the output terminals of the first and second TFTs T1 and T2 are commonly connected.
제 2 TFT(T2)는 센싱 신호(SEN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되며, 턴-온시 제 1 노드(N1)에 기준전압(Vref)을 공급한다.The second TFT T2 is turned on or off according to the sensing signal SEN and supplies the reference voltage Vref to the first node N1 when the second TFT T2 is turned on.
제 3 TFT(T3)는 센싱 신호(SEN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되며, 턴-온시 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(d)과 제 2 노드(N2)를 서로 연결한다. 그리고 제 3 TFT(T3)는 고온 누설전류를 억제하기 위해 듀얼 게이트(Dual gate) 구조를 갖는다. 여기서, 제 2 노드(N2)는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(g)과 접속된 노드이다.The third TFT T3 is turned on or off according to the sensing signal SEN and connects the drain electrode d of the turn-on driving TFT DT and the second node N2 to each other. The third TFT T3 has a dual gate structure to suppress a high temperature leakage current. Here, the second node N2 is a node connected to the gate electrode g of the driving TFT DT.
제 4 TFT(T4)는 발광 신호(EM)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되며, 턴-온시 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(d)과 제 3 노드(N3)를 서로 연결한다. 여기서, 제 3 노드(N3)는 OLED의 애노드 전극과 접속된 노드이다.The fourth TFT T4 turns on or off according to the emission signal EM and connects the drain electrode d of the turn-on driving TFT DT and the third node N3 to each other. Here, the third node N3 is a node connected to the anode electrode of the OLED.
제 5 TFT(T5)는 센싱 신호(SEN)에 따라 턴-온 또는 턴-오프 되며, 턴-온시 제 3 노드(N3)에 기저전압(GND)을 공급한다.The fifth TFT T5 is turned on or off according to the sensing signal SEN and supplies a ground voltage GND to the third node N3 when the fifth TFT T5 is turned on.
구동 TFT(DT)는 소스 전극(s)에 제 1 전원전압(VDD)이 공급되며, 제 2 노드(N2)의 전위에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어함으로써 OLED의 발광량을 조절한다.The driving TFT DT is supplied with the first power supply voltage VDD to the source electrode s and controls the amount of light emitted from the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the potential of the second node N2.
제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 연결된다. 그리고 제 2 커패시터(C2)는 제 1 전원전압(VDD) 공급라인과 제 1 노드(N1) 사이에 연결된다.The first capacitor C1 is connected between the first node N1 and the second node N2. The second capacitor C2 is connected between the first supply voltage VDD supply line and the first node N1.
OLED는 화소 구동부(10)에 접속된 애노드 전극과, 제 2 전원전압(VSS)이 공급되는 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기층으로 구성된다.The OLED is composed of an anode electrode connected to the
이하, 상기와 같은 화소 구동부(10)의 구동방법에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, a method of driving the
도 2는 도 1에 도시된 화소 회로의 구동 파형도이고, 도 3a 내지 도 3d는 도 1에 도시된 화소 구동부(10)의 구동방법을 단계적으로 설명한 회로도이다.Fig. 2 is a driving waveform diagram of the pixel circuit shown in Fig. 1, and Figs. 3a to 3d are circuit diagrams for explaining a driving method of the
도 2에서 ①은 초기화 기간을, ②는 문턱전압 센싱 기간을, ③은 프로그래밍 기간을, ④는 발광 기간을 각각 나타낸다.In Fig. 2,? Represents an initialization period,? Represents a threshold voltage sensing period,? Represents a programming period, and? Represents a light emission period.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 초기화 기간(①)에는 화소 구동부(10)에 공급되는 스캔 신호(SCAN)가 하이 논리 상태로 공급되고, 발광 신호(EM) 및 센싱 신호(SEN)가 로우 논리 상태로 공급된다. 이에 따라, 초기화 기간(①)에는 제 2 내지 제 5 TFT(T2~T5)가 턴-온 되고, 제 1 TFT(T1)가 턴-오프 된다.2 and 3A, during the initialization period (1), the scan signal SCAN supplied to the
이러한, 초기화 기간(①)에는 기저전압(GND)이 제 5 TFT(T5)를 통해 제 3 노드(N3)에 공급되며, 이는 다시 제 4 TFT(T4), 제 3 TFT(T3)를 경유해서 제 2 노드(N2)에 공급된다. 또한, 기준전압(Vref)이 제 2 TFT(T2)를 통해 제 1 노드(N1)에 공급된다.In the initialization period (1), the ground voltage GND is supplied to the third node N3 through the fifth TFT T5, which is again supplied to the third node N3 via the fourth TFT T4 and the third TFT T3 And is supplied to the second node N2. Also, the reference voltage Vref is supplied to the first node N1 through the second TFT T2.
따라서, 제 1 노드(N1)는 기준전압(Vref)으로 초기화되고, 제 2, 제 3 노드(N2, N3)는 기저전압(GND)으로 초기화된다. 이와 같이, 제 2 노드(N2)의 전위가 기저전압(GND)으로 초기화되면 이어지는 문턱전압 센싱 기간(②)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 동작이 보다 빠르고 정확해진다.Thus, the first node N1 is initialized to the reference voltage Vref, and the second and third nodes N2 and N3 are initialized to the ground voltage GND. As described above, when the potential of the second node N2 is initialized to the ground voltage GND, the operation of sensing the threshold voltage Vth of the driving TFT DT in the subsequent threshold voltage sensing period (②) becomes faster and more accurate.
한편, 제 2 노드(N2)의 전위가 기저전압(GND)으로 초기화되면서 구동 TFT(DT)가 턴-온 되지만, OLED의 애노드 전극과 접속된 제 3 노드(N3)가 기저전압(GND)을 유지하므로 OLED는 발광하지 않는다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 초기화 기간(①)에 구동 TFT(DT)의 턴-온에 따른 OLED의 불필요한 발광을 방지하여, 보다 높은 명암비로 선명한 화질을 구현할 수 있다.On the other hand, the driving TFT DT is turned on while the potential of the second node N2 is initialized to the ground voltage GND, but the third node N3 connected to the anode electrode of the OLED is grounded to the ground voltage GND The OLED does not emit light. Therefore, the embodiment of the present invention can prevent unnecessary light emission of the OLED according to the turn-on of the driving TFT DT in the initialization period (1), and can achieve a clear picture quality with a higher contrast ratio.
도 2 및 도 3b를 참조하면, 문턱전압 센싱 기간(②)에는 화소 구동부(10)에 공급되는 센싱 신호(SEN)가 로우 논리 상태로 공급되고, 스캔 신호(SCAN) 및 발광 신호(EM)가 하이 논리 상태로 공급된다. 이에 따라, 문턱전압 센싱 기간(②)에는 제 2, 제 3, 제 5 TFT(T2, T3, T5)가 턴-온 되고, 제 1, 제 4 TFT(T1, T4)가 턴-오프 된다.2 and 3B, the sensing signal SEN supplied to the
이러한, 문턱전압 센싱 기간(②)에는 제 4 TFT(T4)가 턴-오프 되어, 구동 TFT(DT)에 흐르는 전류가 제 2 노드(N2)로 유입된다. 이에 따라, 제 2 노드(N2)의 전위가 상승하는데, 제 2 노드(N2)의 전위는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(g)과 소스 전극(s)의 전위차가 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 상승한다.In the threshold voltage sensing period (2), the fourth TFT T4 is turned off, and the current flowing in the driving TFT DT flows into the second node N2. The potential of the second node N2 is set such that the potential difference between the gate electrode g and the source electrode s of the driving TFT DT is lower than the potential of the driving TFT DT And rises until it reaches the threshold voltage (Vth).
즉, 문턱전압 센싱 기간(②)에 제 2 노드(N2)의 전위는 기저전압(GND)에서 "VDD+Vth"으로 수렴하며, 제 2 노드(N2)의 전위가 "VDD+Vth"가 되면 구동 TFT(DT)는 턴-오프 된다.That is, the potential of the second node N2 converges to VDD + Vth at the ground voltage (GND) in the threshold voltage sensing period (2), and when the potential of the second node N2 becomes VDD + Vth The driving TFT DT is turned off.
이와 같이, 문턱전압 센싱 기간(②)은 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 기간으로서, 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 정확하게 센싱하려면 충분한 시간이 확보될 필요가 있다. 구체적으로, 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)의 센싱은 도 4에 도시된 바와 같이, 문턱전압 센싱 기간(②)의 길이에 비례하여 정확해진다. 도 4는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 1V 쉬프트 시켰을 때, 시간에 따른 센싱율을 퍼센트(%)로 나타낸 시뮬레이션이다.As described above, the threshold voltage sensing period (2) is a period for sensing the threshold voltage Vth of the driving TFT DT, and it is necessary to secure a sufficient time to accurately sense the threshold voltage Vth of the driving TFT DT have. Specifically, the sensing of the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) is accurate in proportion to the length of the threshold voltage sensing period (2), as shown in Fig. 4 is a simulation showing the sensing rate with respect to time as a percentage (%) when the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) is shifted by 1V.
본 발명의 실시 예는 문턱전압 센싱 기간(②)을 임의로 조절하여 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 보다 정확하게 센싱 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 고속 구동으로 인해 각 화소를 구동하는 시간이 짧아지더라도 문턱전압 센싱 기간(②)의 길이를 조절할 수 있어 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 정확하게 센싱 할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) can be more accurately sensed by arbitrarily adjusting the threshold voltage sensing period (2). Therefore, even when the time for driving each pixel is shortened due to high-speed driving, the length of the threshold voltage sensing period (2) can be adjusted to accurately sense the threshold voltage Vth of the driving TFT DT .
한편, 문턱전압 센싱 기간(②)에 제 1 노드(N1)는 제 2 TFT(T2)가 턴-온 상태를 유지하므로, 기준전압(Vref)의 전위를 유지한다.On the other hand, in the threshold voltage sensing period (2), the first node N1 maintains the potential of the reference voltage Vref because the second TFT T2 remains in the turn-on state.
도 2 및 도 3c를 참조하면, 프로그래밍 기간(③)에는 발광 신호(EM) 및 센싱 신호(SEN)가 하이 논리 상태로 공급되고, 스캔 신호(SCAN)가 로우 논리 상태로 공급된다. 이에 따라, 프로그래밍 기간(③)에는 제 1 TFT(T1)가 턴-온 되고, 제 2 내지 제 5 TFT(T2~T5)가 턴-오프 된다.Referring to FIGS. 2 and 3C, in the programming period (3), the light emission signal EM and the sensing signal SEN are supplied in a logic high state, and the scan signal SCAN is supplied in a low logic state. Thus, during the programming period (3), the first TFT (T1) is turned on and the second to fifth TFTs (T2 to T5) are turned off.
이러한, 프로그래밍 기간(③)에는 데이터 전압(Vdata)이 제 1 TFT(T1)을 통해 제 1 노드(N1)에 공급된다. 이때, 제 1 노드 (N1)의 전위가 기준전압(Vref)에서 데이터 전압(Vdata)으로 변화되면, 제 1 커패시터(C1)의 커플링 현상에 의해 제 2 노드(N2)의 전위는 "VDD+Vth"에서 "VDD+Vth+{C1÷(C1+CTFT)}×(Vref-Vdata)"가 된다. 여기서, "C1"은 제 1 커패시터(C1)의 정전용량을 나타내고, "CTFT"는 구동 TFT(DT)의 기생용량을 나타낸다.In the programming period (3), the data voltage (Vdata) is supplied to the first node (N1) through the first TFT (T1). At this time, when the potential of the first node N1 changes from the reference voltage Vref to the data voltage Vdata, the potential of the second node N2 becomes "VDD + Vth + {C1 / (C1 + C TFT )} (Vref-Vdata) " Here, "C1" represents the capacitance of the first capacitor C1, and "C TFT " represents the parasitic capacitance of the driving TFT DT.
도 2 및 도 3d를 참조하면, 발광 기간(④)에는 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SEN)가 하이 논리 상태로 공급되고, 발광 신호(EM)가 로우 논리 상태로 공급된다. 이에 따라, 발광 기간(④)에는 제 4 TFT(T4)가 턴-온 되고, 제 1, 제 2, 제3, 제 5 TFT(T1, T2, T3, T5)가 턴-오프 된다.Referring to FIG. 2 and FIG. 3D, the scan signal SCAN and the sensing signal SEN are supplied in a high logic state and the light emission signal EM is supplied in a low logic state during a light emission period (4). Accordingly, the fourth TFT T4 is turned on and the first, second, third, and fifth TFTs T1, T2, T3, and T5 are turned off in the light emission period (4).
이러한, 발광 기간(④)에는 제 4 TFT(T4)가 턴-온 되므로, OLED에 구동전류가 공급되어 OLED가 발광한다.In the light emission period (4), the fourth TFT (T4) is turned on, so that a driving current is supplied to the OLED, so that the OLED emits light.
구체적으로, OLED에 공급되는 구동전류는 수학식 1과 같이 되는데, 수학식 1에서 "Vgs"는 구동 TFT(DT)의 게이트 전극(g)과 소스 전극(s)의 전위차를 나타내고, "Vth"는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 나타내고, "β"는 구동 TFT(DT)의 이동도 및 기생용량에 의해 결정되는 상수값을 나타낸다.Specifically, " Vgs "represents a potential difference between the gate electrode g and the source electrode s of the driving TFT DT, and" Vth " Represents a threshold voltage of the driving TFT DT, and "? &Quot; represents a constant value determined by the mobility of the driving TFT DT and the parasitic capacitance.
따라서, 발광 기간(④)에 OLED 구동전류를 정리하면 수학식 2와 같이 된다.Therefore, the OLED driving current is summarized in the light emission period (4), as shown in Equation (2).
수학식 2를 참조하면, OLED 구동전류는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)과, 제 1 전원전압(VDD)의 영향을 받지 않는 것을 알 수 있다.Referring to Equation 2, it can be seen that the OLED driving current is not affected by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT and the first power supply voltage VDD.
따라서, 본 발명의 실시 예는 발광 기간(④)에 제조공정 또는 영상을 표시하면서 발생될 수 있는 열화로 인한 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)의 변화와, 제 1 전원전압(VDD)의 변화를 보상하여 균일한 휘도를 제공하고 표시품질을 향상시킬 수 있다.Therefore, the embodiment of the present invention can reduce the variation of the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) due to deterioration that may occur while displaying the manufacturing process or the image in the light emission period (4) So that it is possible to provide a uniform luminance and improve display quality.
이하, 본 발명 실시 예와 비교 예 따른 화소를 비교하여, 본 발명의 효과를 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, the effects of the present invention will be described in detail by comparing pixels according to embodiments of the present invention and a comparative example.
도 5는 비교 예에 따른 화소의 회로도이고, 도 6은 도 5에 도시된 화소의 구동 파형도이다.FIG. 5 is a circuit diagram of a pixel according to a comparative example, and FIG. 6 is a driving waveform diagram of the pixel shown in FIG.
도 5 및 도 6을 참조하면, 비교 예 따른 화소는 제 3 노드(N3)를 초기화하는 제 1 기간(①), 제 2 노드(N2)를 초기화하는 제 2 기간(②), 구동 TFT(DT2)의 문턱전압을 센싱하고 데이터 전압(Vdata2)이 프로그래밍 되는 제 3 기간(③), OLED가 발광하는 제 4 기간(④)으로 나뉘어 구동된다.5 and 6, the pixel according to the comparative example includes a first period (?) For initializing the third node (N3), a second period (?) For initializing the second node (N2) , A third period (3) in which the data voltage (Vdata2) is programmed, and a fourth period (4) in which the OLED emits light.
이와 같은, 비교 예는 데이터 전압(Vdata2)의 프로그래밍과 구동 TFT(DT2)의 문턱전압의 센싱을 제 3 기간(③)에 동시에 진행한다. 그런데, 비교 예에 따른 화소를 고속 구동할 경우, 데이터 전압(Vdata2)을 프로그래밍하는 제 3 기간(③)이 단축되고, 단축된 제 3 기간(③)으로 인해 구동 TFT(DT2)의 문턱전압을 정확히 센싱하지 못하는 문제점이 있다.In this comparative example, the programming of the data voltage Vdata2 and the sensing of the threshold voltage of the driving TFT DT2 proceed simultaneously in the third period (3). When the pixel according to the comparative example is driven at a high speed, the third period (3) for programming the data voltage (Vdata2) is shortened and the threshold voltage of the driving TFT (DT2) There is a problem that it can not accurately sense.
하지만, 본 발명의 실시 예는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 문턱전압 센싱 기간(②)과, 데이터 전압(Vdata)을 프로그래밍하는 프로그래밍 기간(③)을 서로 독립적으로 나뉘어 구동한다. 따라서, 고속 구동으로 인해 프로그래밍 기간(③)이 단축되더라도, 문턱전압 센싱 기간(②)을 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 정확히 센싱할 수 있는 기간만큼 설정할 수 있다. 여기서, 문턱전압 센싱 기간(②)은 고속 구동으로 인해 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)의 센싱 시간이 부족할 경우 1 수평기간의 배수로 설정될 수 있다.However, in the embodiment of the present invention, the threshold voltage sensing period (2) for sensing the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) and the programming period (3) for programming the data voltage (Vdata) do. Therefore, even if the programming period (3) is shortened due to the high-speed driving, the threshold voltage sensing period (2) can be set for a period in which the threshold voltage (Vth) of the driving TFT DT can be accurately sensed. Here, the threshold voltage sensing period (2) may be set to a multiple of one horizontal period when the sensing time of the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) is insufficient due to high-speed driving.
한편, 표시장치는 패널의 크기가 대형화되고 구속 구동화 될수록 신호배선들은 저항 및 커패시턴스 성분으로 인한 로드가 증가한다. 따라서, 스캔 신호(SCAN)의 딜레이가 발생되고 데이터 전압(Vdata)의 프로그래밍이 어려워진다. 이에 따라, 스캔 신호(SCAN)를 오버랩 구동하여 데이터 전압(Vdata)의 프로그래밍 시간을 단축하는 기술이 소개되었다.On the other hand, as the size of the panel is increased and the restraining driving is performed, the signal wiring increases the load due to the resistance and the capacitance component. Therefore, a delay of the scan signal SCAN is generated and programming of the data voltage Vdata becomes difficult. Thus, a technique has been introduced in which the programming time of the data voltage (Vdata) is shortened by overlap-driving the scan signal (SCAN).
하지만, 비교 예는 데이터 전압(Vdata2)의 프로그래밍과 구동 TFT(DT2)의 문턱전압 센싱을 동시에 진행하기 때문에 스캔 신호의 오버랩 구동이 어렵다.However, since the programming of the data voltage Vdata2 and the threshold voltage sensing of the driving TFT DT2 are performed at the same time in the comparative example, it is difficult to drive the overlapping of the scan signals.
반면, 본 발명의 실시 예는 문턱전압 센싱 기간(②)과 프로그래밍 기간(③)이 서로 독립적이기 때문에 스캔 신호(SCAN)의 오버랩 구동이 가능하다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 프로그래밍 기간(③)을 1 수평기간의 배수로 설정하여 스캔 신호(SCAN)에 대한 오버랩 구동을 할 수 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, since the threshold voltage sensing period (2) and the programming period (3) are independent of each other, overlapping driving of the scan signal (SCAN) is possible. Therefore, the embodiment of the present invention can perform the overlap driving for the scan signal SCAN by setting the programming period (3) to a multiple of one horizontal period.
한편, 비교 예는 도 5에 도시된 바와 같이, 데이터 전압(Vdata2)을 프로그래밍 시키는 스캔 신호(SCAN) 배선이 다수의 TFT(T1, T3)와 접속된다. TFT는 턴-온시 커패시턴스를 크게 갖기 때문에, 스캔 신호(SCAN) 배선과 접속된 TFT의 수가 많으면 스캔 신호(SCAN) 배선의 로드가 증가하는 문제점이 있다. 따라서, 스캔 신호(SCAN) 배선과 접속된 TFT의 수를 줄일 필요가 있는데, 본 발명의 실시 예는 도 1에 도시된 바와 같이, 스캔 신호(SCAN) 배선과 접속된 TFT가 제 1 TFT(T1)으로서, 1 개이다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 스캔 신호(SCAN) 배선과 접속된 TFT가 단 1개이므로 스캔 신호(SCAN) 배선의 로드를 줄일 수 있고, 고속 구동에 유리한 장점이 있다.On the other hand, in the comparative example, as shown in FIG. 5, a scan signal (SCAN) wiring for programming the data voltage (Vdata2) is connected to the plurality of TFTs (T1, T3). Since the TFT has a large turn-on capacitance, if the number of the TFTs connected to the scan signal (SCAN) wiring increases, the load of the scan signal (SCAN) wiring increases. Therefore, it is necessary to reduce the number of TFTs connected to the scan signal (SCAN) wiring. In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the TFT connected to the scan signal (SCAN) ). Therefore, in the embodiment of the present invention, since there is only one TFT connected to the scan signal (SCAN) wiring, the load of the scan signal (SCAN) wiring can be reduced, which is advantageous for high-speed driving.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.
SCAN: 스캔 신호 EM: 발광 신호
SEN: 센싱 신호 DT: 구동 TFTSCAN: Scan signal EM: Emission signal
SEN: sensing signal DT: driving TFT
Claims (12)
센싱 신호에 응답하여 상기 제 1 노드에 기준전압을 공급하는 제 2 스위칭 소자;
상기 센싱 신호에 응답하여 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 제 2 노드를 서로 연결하는 제 3 스위칭 소자;
발광 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 유기발광다이오드의 애노드 전극과 접속된 제 3 노드를 서로 연결하는 제 4 스위칭 소자;
상기 센싱 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에 기저전압을 공급하고, 상기 제 3 및 제 4 스위칭 소자를 경유하여 상기 제 2 노드에 상기 기저전압을 공급하는 제 5 스위칭 소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된 제 1 커패시터; 및
제 1 전원전압 공급라인과 상기 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 커패시터를 포함하고; 그리고
상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에는 제 2 전원전압 공급라인이 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.A first switching element for supplying a data voltage to a first node in response to a scan signal;
A second switching element for supplying a reference voltage to the first node in response to a sensing signal;
A third switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other in response to the sensing signal;
A fourth switching element for connecting a drain electrode of the driving switching element and a third node connected to an anode electrode of the organic light emitting diode in response to an emission signal;
A fifth switching element supplying a ground voltage to the third node in response to the sensing signal and supplying the ground voltage to the second node via the third and fourth switching elements;
A first capacitor coupled between the first node and the second node; And
And a second capacitor connected between the first power supply voltage supply line and the first node; And
And a second power supply voltage supply line is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
상기 제 1 전원전압은 상기 제 2 전원전압보다 상대적으로 높은 전위를 갖고, 상기 기준전압은 상기 제 1 전원전압과 상기 제 2 전원전압 사이의 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the first power source voltage has a relatively higher potential than the second power source voltage, and the reference voltage has a potential between the first power source voltage and the second power source voltage.
상기 제 1 내지 제 5 스위칭 소자 및 상기 구동 스위칭 소자는 N 타입 또는 P 타입으로 구성된 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the first to fifth switching elements and the driving switching elements are thin film transistors configured as N type or P type.
상기 제 3 스위칭 소자는 듀얼 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
And the third switching device has a dual gate structure.
상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 2 노드를 서로 연결하여 상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압을 센싱하는 문턱전압 센싱 기간;
상기 제 1 노드의 전위를 상기 기준전압에서 데이터 전압으로 변화시켜, 상기 제 2 노드의 전위를 상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압이 보상된 전압으로 바꾸는 프로그래밍 기간; 및
상기 구동 스위칭 소자의 문턱전압이 보상된 제 2 노드의 전위에 따라 상기 유기발광다이오드에 구동 전류를 공급하는 발광 기간으로 나뉘어 구동되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.The pixel driver supplies a scan signal of a high logic state to the pixel driver and supplies a light emission signal and a sensing signal of a low logic state so that the pixel driver initializes the potential of the first node to a reference voltage and is connected to the gate electrode of the drive switching element An initialization period for initializing a potential of a third node connected to the second node and the anode electrode of the organic light emitting diode to a ground voltage;
A threshold voltage sensing period for sensing a threshold voltage of the driving switching element by connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other;
A programming period for changing the potential of the first node from the reference voltage to the data voltage and changing the potential of the second node to a voltage compensated for the threshold voltage of the driving switching element; And
And a light emitting period for supplying a driving current to the organic light emitting diode according to a potential of a second node whose threshold voltage of the driving switching element is compensated.
상기 화소 구동부는
스캔 신호에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 1 스위칭 소자;
센싱 신호에 응답하여 상기 제 1 노드에 상기 기준전압을 공급하는 제 2 스위칭 소자;
상기 센싱 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 2 노드를 서로 연결하는 제 3 스위칭 소자;
발광 신호에 응답하여 상기 구동 스위칭 소자의 드레인 전극과 상기 제 3 노드를 서로 연결하는 제 4 스위칭 소자;
상기 센싱 신호에 응답하여 상기 제 3 노드에 상기 기저전압을 공급하는 제 5 스위칭 소자;
상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결된 제 1 커패시터; 및
제 1 전원전압 공급라인과 상기 제 1 노드 사이에 연결된 제 2 커패시터를 포함하고; 그리고
상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에는 제 2 전원전압 공급라인이 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.6. The method of claim 5,
The pixel driver
A first switching element for supplying the data voltage to the first node in response to a scan signal;
A second switching element for supplying the reference voltage to the first node in response to a sensing signal;
A third switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the second node to each other in response to the sensing signal;
A fourth switching element for connecting the drain electrode of the driving switching element and the third node to each other in response to the light emitting signal;
A fifth switching element for supplying the ground voltage to the third node in response to the sensing signal;
A first capacitor coupled between the first node and the second node; And
And a second capacitor connected between the first power supply voltage supply line and the first node; And
And a second power supply voltage supply line is connected to the cathode electrode of the organic light emitting diode.
상기 초기화 기간은
상기 화소 구동부에 상기 스캔 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 발광 신호 및 상기 센싱 신호가 로우 논리 상태로 공급되어,
상기 제 2 내지 제 5 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.The method according to claim 6,
The initialization period
The scan signal is supplied to the pixel driver in a high logic state, the emission signal and the sensing signal are supplied in a low logic state,
Wherein the second to fifth switching elements are turned on and the first switching element is turned off.
상기 문턱전압 센싱 기간은
상기 화소 구동부에 상기 센싱 신호가 로우 논리 상태로 공급되고, 상기 스캔 신호 및 상기 발광 신호가 하이 논리 상태로 공급되어,
상기 제 2, 제 3, 제 5 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1, 제 4 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.The method according to claim 6,
The threshold voltage sensing period
The sensing signal is supplied to the pixel driver in a low logic state, the scan signal and the emission signal are supplied in a high logic state,
Wherein the second, third, and fifth switching elements are turned on and the first and fourth switching elements are turned off.
상기 문턱전압 센싱 기간의 길이는 1 수평기간의 배수로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.9. The method of claim 8,
Wherein the length of the threshold voltage sensing period is set to a multiple of one horizontal period.
상기 프로그래밍 기간은
상기 화소 구동부에 상기 발광 신호 및 상기 센싱 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 스캔 신호가 로우 논리 상태로 공급되어,
상기 제 1 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 2 내지 제 5 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.The method according to claim 6,
The programming period
The light emission signal and the sensing signal are supplied to the pixel driver in a logic high state, the scan signal is supplied in a low logic state,
Wherein the first switching element is turned on and the second to fifth switching elements are turned off.
상기 프로그래밍 기간의 길이는 1 수평기간의 배수로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.11. The method of claim 10,
Wherein a length of the programming period is set to a multiple of one horizontal period.
상기 발광 기간은
상기 화소 구동부에 상기 스캔 신호 및 상기 센싱 신호가 하이 논리 상태로 공급되고, 상기 발광 신호가 로우 논리 상태로 공급되어,
상기 제 4 스위칭 소자가 턴-온 되고, 상기 제 1, 제 2, 제3, 제 5 스위칭 소자가 턴-오프 되는 기간인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.The method according to claim 6,
The light-
The scan signal and the sensing signal are supplied to the pixel driver in a logic high state, the light emission signal is supplied in a low logic state,
Wherein the fourth switching element is turned on and the first, second, third, and fifth switching elements are turned off.
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