KR101694374B1

KR101694374B1 - Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and light source module having the same

Info

Publication number: KR101694374B1
Application number: KR1020150025809A
Authority: KR
Inventors: 전수근; 백승호; 이혜지
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2015-02-24
Filing date: 2015-02-24
Publication date: 2017-01-24
Also published as: KR20160103583A

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하는 벽; 그리고 벽으로부터 노출된 반도체 발광칩을 덮으며, 빛이 투과하는 봉지재;로서, 적어도 하나의 전극의 반대 측, 및 제2 부분 측으로 노출된 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자, 이의 제조방법, 및 이를 가지는 광원모듈에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device, including: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; a semiconductor light emitting chip having at least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; A wall positioned around the semiconductor light emitting portion, the wall comprising a first portion having a first height and a second portion having a second height less than the first height; And an encapsulant that covers the semiconductor light emitting chip exposed from the wall and transmits light, wherein the encapsulant is exposed to the opposite side of the at least one electrode and the second portion side, A manufacturing method thereof, and a light source module having the same.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing the same, and a light source module having the same. [0002]

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자, 이의 제조방법, 및 이를 가지는 광원모듈에 관한 것으로, 특히 칩 스케일(chip scale)의 반도체 발광소자, 이의 제조방법, 및 이를 가지는 광원모듈에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, a manufacturing method thereof, and a light source module having the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a chip scale, a manufacturing method thereof, and a light source module having the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

반도체 발광소자(semiconductor light emitting device)는 에피(EPI) 공정, 칩 형성(Fabrication) 공정 및 패키지(Package) 공정 등을 거쳐 제조된다.BACKGROUND ART Semiconductor light emitting devices are manufactured through an EPI process, a chip forming process, and a package process.

도 1은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 LED의 일 예를 나타내는 도면으로서, LED는 성장 기판(100)에 복수의 반도체층(300,400,500)이 순차로 증착되어 있다. 제2 반도체층(500) 위에 금속 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 전극(800)이 형성되어 있다. 봉지재(1000)는 형광체를 함유하며, 성장 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 형성된다. LED는 전기적 콘택(820,960)이 구비된 기판(1200)에 도전성 접착제(830,970)에 의해 접합된다.FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an LED shown in U.S. Patent No. 6,650,044. In an LED, a plurality of semiconductor layers 300, 400, and 500 are sequentially deposited on a growth substrate 100. A metal reflection film 950 is formed on the second semiconductor layer 500 and an electrode 800 is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The encapsulant 1000 contains a phosphor and is formed so as to surround the growth substrate 100 and the semiconductor layers 300, 400 and 500. The LEDs are bonded to the substrate 1200 having the electrical contacts 820 and 960 by conductive adhesives 830 and 970.

도 2는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 기판(1200) 위에 복수의 LED(2A-2F)를 배치한다. 기판(1200)은 실리콘으로 이루어지며, 각 LED의 성장 기판(100; 도 1 참조)은 사파이어 또는 실리콘 카바이드로 이루어진다. 기판(1200)에는 전기적 콘택(820,960; 도 1 참조)이 형성되어 있고, 각 LED는 전기적 콘택(820,960)에 접합된다. 이후, 각 LED에 대응하는 개구(8A-8F)가 형성된 스텐실(6)을 기판(1200)에 구비한 후, 전기적 콘택(820,960)의 일부가 노출되도록 봉지재(1000; 도 1 참조)를 형성한다. 이후, 스텐실(6)을 제거하고, 큐어링 공정을 수행한 후에, 기판(1200)을 쏘잉(sawing) 또는, 스크라이빙(scribing)해서 개별 반도체 발광소자로 분리한다. FIG. 2 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a plurality of LEDs 2A-2F are arranged on a substrate 1200. The substrate 1200 is made of silicon, and the growth substrate 100 (see FIG. 1) of each LED is made of sapphire or silicon carbide. Electrical contacts 820 and 960 (see FIG. 1) are formed on the substrate 1200, and each LED is bonded to the electrical contacts 820 and 960. After the stencil 6 having openings 8A-8F corresponding to the respective LEDs is formed on the substrate 1200, a sealing material 1000 (see FIG. 1) is formed to expose a part of the electrical contacts 820 and 960 do. After the stencil 6 is removed and the curing process is performed, the substrate 1200 is sawed or scribed and separated into individual semiconductor light emitting devices.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하는 벽; 그리고 반도체 발광칩을 덮으며, 빛이 투과하는 봉지재;로서, 적어도 하나의 전극의 반대 측, 및 제2 부분 측으로 노출된 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; and at least one semiconductor light emitting portion that is electrically connected to the semiconductor light emitting portion A semiconductor light emitting chip having an electrode of a first conductivity type; A wall positioned around the semiconductor light emitting portion, the wall comprising a first portion having a first height and a second portion having a second height less than the first height; And an encapsulant that covers the semiconductor light emitting chip and transmits light, the encapsulant being exposed to the opposite side of the at least one electrode and the second portion side.

본 개시에 따른 다른 하나의 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 베이스 위에 개구가 형성된 댐과 개구로 노출된 베이스 위에 반도체 발광칩을 구비하는 단계;로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩을 개구에 구비하는 단계; 댐의 측면과 반도체 발광부의 측면 사이에 벽을 형성하는 단계;로서, 반도체 발광부의 측면 방향에서 볼때, 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하는 벽;을 형성하는 단계; 그리고 반도체 발광칩을 덮는 봉지재를 형성하는 단계;로서, 적어도 하나의 전극의 반대 측, 및 제2 부분 측으로 노출되는 봉지재;를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: providing a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening formed with an opening on a base; Providing a semiconductor light emitting chip in the opening, the semiconductor light emitting chip having a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes, and at least one electrode that is electrically connected to the semiconductor light emitting portion; Forming a wall between the side surface of the dam and the side surface of the semiconductor light emitting portion, the first portion having a first height and the second portion having a second height lower than the first height, as viewed in a lateral direction of the semiconductor light emitting portion, Comprising: forming a wall; And forming an encapsulant covering the semiconductor light emitting chip, wherein the encapsulant is exposed to the opposite side of the at least one electrode and to the second side of the semiconductor light emitting device. Method is provided.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 태양에 의하면(According to still another aspect of the present disclosure), 도광판의 측면에 구비되는 광원모듈에 있어서, 도광판의 측면 측에 구비되는 기판; 그리고 기판에 구비되어 도광판의 측면에 광을 방사하는 반도체 발광소자;를 포함하며, 반도체 발광소자는: 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결되며, 반도체 발광부를 기준으로 도광판의 반대 측에 구비되는 적어도 하나의 전극을 가지며, 기판에 실장된 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 적어도 하나의 전극 측을 기준으로 도광판의 측면을 향하여 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하며, 제1 부분은 도광판의 두께 방향에 구비되고, 제2 부분은 도광판의 측면의 길이 방향에 구비되는 벽; 그리고 반도체 발광칩을 덮으며, 도광팡의 측면과 마주보는 봉지재;로서, 제2 부분 측으로 노출된 봉지재; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원모듈이 제공된다.According to still another aspect of the present disclosure, there is provided a light source module provided on a side surface of a light guide plate, comprising: a substrate provided on a side of a light guide plate; And a semiconductor light emitting device provided on the substrate and emitting light to a side surface of the light guide plate, wherein the semiconductor light emitting device includes: a semiconductor light emitting unit that generates light by recombination of electrons and holes; A semiconductor light emitting chip having at least one electrode provided on a side opposite to the light guide plate with respect to the semiconductor light emitting portion, the semiconductor light emitting chip mounted on the substrate; A first portion having a first height toward a side surface of the light guide plate with respect to at least one electrode side and a second portion having a second height lower than the first height, Wherein the first portion is provided in the thickness direction of the light guide plate and the second portion is provided in the longitudinal direction of the side surface of the light guide plate; An encapsulant covering the semiconductor light emitting chip and facing a side surface of the light guide panel, the encapsulant being exposed to the second portion side; The light source module includes:

도 1은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 4는 도 3에서 절단선 A-A, 및 B-B를 따라 절단한 단면의 예들을 설명하기 위한 도면,
도 5, 및 도 6은 댐의 일 예, 및 댐의 개구에 반도체 발광소자를 구비하는 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들
도 7 및 도 8은 벽을 형성하는 방법의 일 예를 설명하는 도면들
도 9 및 도 10은 봉지재를 형성하는 방법의 일 예를 설명하는 도면들
도 11은 개별 반도체 발광소자로 분리하는 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 14 및 도 15는 본 개시에 따른 광원모듈의 일 예를 설명하기 위한 도면들.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
2 is a view showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
Fig. 4 is a view for explaining examples of cross sections cut along the cutting lines AA, BB in Fig. 3,
5 and 6 are views for explaining an example of a dam and a method of providing a semiconductor light emitting element in an opening of a dam
Figures 7 and 8 are diagrams illustrating an example of a method of forming a wall
9 and 10 are views for explaining an example of a method of forming an encapsulating material
11 is a view for explaining an example of a method of separating into individual semiconductor light emitting elements,
12 is a view for explaining other examples of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 and 15 are views for explaining an example of a light source module according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광칩(101; semiconductor light emitting chip), 벽(170; wall), 및 봉지재(180)를 포함한다. 반도체 발광칩(101)은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부(105; 도 4 참조)와, 반도체 발광부(105)에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극(80,70)을 가진다. 벽(170)은 반도체 발광부(105)의 주변에 위치하며, 제1 높이를 가지는 제1 부분(171)과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분(175)을 포함한다. 봉지재(180)는 적어도 하나의 전극(80,70)이 노출되도록 벽(170)으로부터 노출된 반도체 발광칩(101)을 덮으며, 적어도 하나의 전극(80,70)의 반대 측, 및 제2 부분(175) 측으로 노출된다. 반도체 발광칩(101)은 청색 LED 칩(예: 450 nm), NUV LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩 등의 칩일 수 있다. 봉지재(180)에는 형광체가 함유될 수 있으며, 형광체의 종류는 반도체 발광칩(101)으로부터의 요구되는 빛에 따라 반도체 발광칩(101)에 대응하게 선택될 수 있다.3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device 100 includes a semiconductor light emitting chip 101, a wall 170, and an encapsulant 180). The semiconductor light emitting chip 101 includes a semiconductor light emitting portion 105 (see FIG. 4) that generates light by recombination of electrons and holes, and at least one electrode 80 and 70 electrically connected to the semiconductor light emitting portion 105 I have. The wall 170 is located around the semiconductor light emitting portion 105 and includes a first portion 171 having a first height and a second portion 175 having a second height lower than the first height. The encapsulant 180 covers the semiconductor light emitting chip 101 exposed from the wall 170 to expose at least one of the electrodes 80 and 70 and the opposite side of the at least one electrode 80 and 70, 2 portion 175 side. The semiconductor light emitting chip 101 may be a blue LED chip (for example, 450 nm), a NUV LED chip, a green LED chip, or a red LED chip. The encapsulant 180 may contain a phosphor and the type of the phosphor may be selected corresponding to the semiconductor light emitting chip 101 according to the required light from the semiconductor light emitting chip 101.

도 4a는 도 3에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 4b는 도 3에서 B-B 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 본 예에서, 반도체 발광칩(101)으로는 플립 칩 소자로서, 성장 기판(10), 복수의 반도체층(30,40,50), 광반사층(R), 및 2개의 전극(80,70)을 포함한다. 본 개시에서 반도체 발광칩(101)은 플립칩에 한정되지 않으며, 레터럴칩(lateral chip)이나 수직형칩(vertical chip)도 적용가능하다. FIG. 4A is a view for explaining an example of a section cut along the line A-A in FIG. 3, and FIG. 4B is a view for explaining an example of a section taken along the line B-B in FIG. In this example, the semiconductor light emitting chip 101 includes a growth substrate 10, a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, a light reflection layer R, and two electrodes 80 and 70 as a flip chip element. . In the present disclosure, the semiconductor light emitting chip 101 is not limited to a flip chip, and a lateral chip or a vertical chip can be applied.

3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들면, 성장 기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장 기판(10)은 최종적으로 제거될 수도 있다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 성장 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(도시되지 않음), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층은 생략될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.As an example of the III-nitride semiconductor light emitting device, sapphire, SiC, Si, GaN or the like is mainly used as the growth substrate 10, and the growth substrate 10 may be finally removed. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer (not shown) formed on the growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having another second conductivity, and a second semiconductor layer 50 interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes. An active layer 40 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer may be omitted. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

제1 전극(80)은 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통되어 전자를 공급한다. 제2 전극(70)은 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통되어 정공을 공급한다. 도 4a에 제시된 바와 같이, 제2 반도체층(50)과 전극(70,80) 사이에는 광반사층(R)이 개재되며, 제2 반도체층(50)과 광반사층(R) 사이에는 투광성 도전막(60)이 개재될 수 있다. 광반사층(R)은 SiO₂와 같은 절연층, DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 또는, 제2 반도체층(50) 위에 금속 반사막이 구비되고, 전극(70)이 금속 반사막 위에 구비되며, 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(50)과 다른 전극(80)이 연통될 수 있다. The first electrode (80) is in electrical communication with the first semiconductor layer (30) to supply electrons. The second electrode 70 is in electrical communication with the second semiconductor layer 50 to supply holes. 4A, a light reflection layer R is interposed between the second semiconductor layer 50 and the electrodes 70 and 80, and a transparent conductive film R is formed between the second semiconductor layer 50 and the light reflection layer R. [ (60) may be interposed. The light reflection layer R may have a multilayer structure including an insulating layer such as SiO ₂ , a DBR (Distributed Bragg Reflector), or an ODR (Omni-Directional Reflector). Alternatively, a metal reflection film may be provided on the second semiconductor layer 50, an electrode 70 may be provided on the metal reflection film, and the first semiconductor layer 50 exposed by the mesa etching may be in communication with the other electrode 80 .

벽(170)은 반도체 발광칩(101)의 측면을 두르도록 형성되며(도 3b 참조), 서로 대향하는 2개의 제1 부분(171)들과, 2개의 제1 부분(171)들과 다른 방향으로 서로 대향하는 2개의 제2 부분(175)들을 포함한다. 도 4a에 제시된 바와 같이, 벽(170)의 제1 부분(171)은 전극(80,70) 측을 기준으로 반도체 발광부(105)보다 높이가 높고, 도 4b에 제시된 바와 같이, 벽(170)의 제2 부분(175)은 반도체 발광부(105)의 높이 이하이다. 봉지재(180)와 접촉하는 제1 부분(171)의 상단, 및 제2 부분(175)의 상단은 표면장력에 의해 상승된(elevated)된 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 벽(170)의 제1 부분(171)은 반도체 발광부(105)로부터 먼 부분이 반도체 발광부(105)에 가까운 부분보다 높이가 높고, 벽(170)의 제2 부분(175)은 반도체 발광부(105)로부터 먼 부분이 반도체 발광부(105)에 가까운 부분보다 높이가 낮다.The wall 170 is formed so as to surround the side surface of the semiconductor light emitting chip 101 (see FIG. 3B), and has two first portions 171 opposed to each other and two first portions 171 opposite to each other And two second portions 175 facing each other. 4A, the first portion 171 of the wall 170 is higher in height than the semiconductor light emitting portion 105 with respect to the electrodes 80 and 70 side, and the wall 170 Is equal to or smaller than the height of the semiconductor light emitting portion 105. The top of the first portion 171 and the top of the second portion 175 that contact the encapsulant 180 may have a shape that is elevated by surface tension. The first portion 171 of the wall 170 is higher in height than the portion near the semiconductor light emitting portion 105 and the second portion 175 Is lower in height than a portion closer to the semiconductor light emitting portion 105 from the semiconductor light emitting portion 105.

봉지재(180)는 반도체 발광칩(101)을 덮도록 형성되며, 반도체 발광부(105)로부터의 빛은 봉지재(180)에 함유된 형광체에 의해 파장이 변환된다. 봉지재(180)는 도 4a에 제시된 바와 같이 전극(80,70)의 반대 측으로 노출되며, 도 4b에 제시된 바와 같이, 봉지재(180)는 제2 부분(175)보다는 높게 형성되어 제2 부분(175) 방향으로 노출된다. 따라서, 빛은 전극(80,70)의 반대 측뿐만 아니라 벽(170)의 제2 부분(175) 측으로도 방사된다. 본 예에서, 봉지재(180)는 제1 부분(171) 측으로는 노출되지 않는다. 본 예에서 전극(80,70)은 2개의 제2 부분(175)들이 서로 대향하는 방향으로 배열되어 있지만, 2개의 제1 부분(171)들이 서로 대향하는 방향으로 배열되는 예도 고려할 수 있다.The encapsulant 180 is formed so as to cover the semiconductor light emitting chip 101 and the wavelength of light from the semiconductor light emitting portion 105 is changed by the fluorescent substance contained in the encapsulant 180. The encapsulant 180 is exposed to the opposite side of the electrodes 80,70 as shown in Figure 4A and the encapsulant 180 is formed higher than the second portion 175, (175). Thus, light is emitted not only on the opposite side of the electrodes 80, 70, but also on the second portion 175 side of the wall 170. In this example, the sealing material 180 is not exposed to the first portion 171 side. In this example, although the electrodes 80 and 70 are arranged in the direction in which the two second portions 175 are opposed to each other, it is also possible to consider that the two first portions 171 are arranged in directions opposite to each other.

이하, 도 5 내지 도 11를 참조하여 반도체 발광소자(100)의 제조방법의 일 예를 설명한다.Hereinafter, an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device 100 will be described with reference to FIGS. 5 to 11. FIG.

도 5, 및 도 6은 댐의 일 예, 및 댐의 개구에 반도체 발광소자를 구비하는 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들로서, 반도체 발광소자(100)의 제조 방법에 있어서, 먼저, 도 5a에 제시된 바와 같이, 베이스(201) 위에 개구(305)가 형성된 댐(301; 마스크)을 구비한다. 베이스(201)는 플렉시블한 테이프이거나 필름이거나 딱딱한 플레이트일 수 있다. 댐(301)으로는 Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 부재 또는 표면에 막이 형성된 부재도 물론 사용 가능하다. 댐(301)은 비금속일 수도 있으며, 예를 들어, 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다. 댐(301)에 형성되는 개구(305)는 다양하게 변경이 가능하다. 본 예에서, 개구(305)는 도 5a에 제시된 바와 같이, 일 측으로 길게 뻗도록 형성되어 있고, 이러한 개구(305)가 복수 개가 형성되어 있다. 댐(301)에는 반도체 발광칩(101)을 베이스(201)에 놓을 때, 위치를 가이드하기 위해 홀(309)이 형성되어 있다.5 and 6 are views for explaining an example of a dam and a method of providing a semiconductor light emitting device in an opening of a dam. In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 100, A mask 301 having an opening 305 formed on a base 201, as shown in Fig. The base 201 may be a flexible tape, a film, or a rigid plate. The dam 301 may be made of Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy or SUS (stainless steel) It is possible. The dam 301 may be a non-metal, for example, plastic may be used, and various colors or light reflectance may be selected. The openings 305 formed in the dam 301 can be variously changed. In this example, the openings 305 are formed so as to extend to one side as shown in Fig. 5A, and a plurality of such openings 305 are formed. When the semiconductor light emitting chip 101 is placed on the base 201, a hole 309 is formed in the dam 301 to guide the position.

베이스(201) 자체로 접착성 또는 점착성을 가지는 테이프로서 댐(301)에 접착될 수 있다. 또는, 도 6a 및 도 6b에 제시된 바와 같이, 클램프(503)를 사용하여 외력에 의해 베이스(201)와 댐(301)을 간편하게 접촉 및 분리시킬 수 있다. The base 201 itself can be adhered to the dam 301 as a tape having adhesiveness or adhesiveness. Alternatively, as shown in Figs. 6A and 6B, the base 201 and the dam 301 can be easily brought into contact with and separated from each other by an external force by using the clamp 503.

이후, 개구(305)로 노출된 베이스(201) 위에 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 베이스(201)를 향하도록 복수의 반도체 발광칩(101)을 구비한다. 예를 들어, 도 5b, 도 6c 및 도 6d에 제시된 바와 같이, 소자 이송장치(501)는 고정부(13; 예: 테이프) 위의 각 반도체 발광칩(101)을 전기적 흡착 또는 진공 흡착 방식으로 픽업(pick-up)하여 댐(301)의 개구(305)로 노출된 베이스(201) 위에 놓는다. 소자 이송장치(501)는 빈 곳(14)을 인식하고 다음 위치의 반도체 발광칩(101)을 픽업할 수 있다. 소자 이송장치(501)의 일 예로, 다이본더와 유사하게, 패턴 또는 형상을 인식하며, 이송할 위치나 대상물의 각도를 보정할 수 있는 장치라면 그 명칭에 무관하게 사용 가능할 것이다.A plurality of semiconductor light emitting chips 101 are provided so that the first electrode 80 and the second electrode 70 face the base 201 on the base 201 exposed to the opening 305. 5B, 6C, and 6D, the element transferring apparatus 501 can be formed by electrically connecting each semiconductor light emitting chip 101 on the fixing portion 13 (for example, a tape) by an electro-absorption method or a vacuum adsorption method Picks up and places it on the base 201 exposed to the opening 305 of the dam 301. The element transferring apparatus 501 can recognize the vacant space 14 and pick up the semiconductor light emitting chip 101 at the next position. As an example of the device transferring apparatus 501, a device capable of recognizing a pattern or a shape and correcting the position to be transferred or the angle of the object, similar to the die bonder, may be used irrespective of the name.

예를 들어, 베이스(201)와 댐(301)은 광반사율에 차이가 있도록 재질이나 색상이 선택되거나, 표면이 처리될 수도 있으며, 소자 이송장치(501)는 카메라나 광학센서 등을 이용하여, 댐(301)과 베이스(201)의 명암의 차이, 광반사율 차이 또는, 반사광의 차이를 감지하거나, 전극(80,70)의 패턴(예: 전극 분리선), 개구(305) 및/또는 홀(309)의 형상 및 위치를 인식할 수 있다. 이에 의해 소자 이송장치(501)는 개구(305)로 노출된 베이스(201) 위에 위치나 각도를 보정할 수 있고, 개구(305)로 인한 댐(301) 면, 에지, 및 점 중 적어도 하나로부터 지시된 거리 또는 좌표에 해당하는 베이스(201) 상의 위치에 반도체 발광칩(101)을 놓을 수 있다.For example, the base 201 and the dam 301 may be made of a material or a color or may be processed so as to have a difference in light reflectance, and the element transferring apparatus 501 may be constructed using a camera or an optical sensor, It is possible to detect the difference in light and darkness between the dam 301 and the base 201 and the difference in light reflectance or the difference in reflected light or to detect the pattern (e.g., electrode separation line), the opening 305 and / 309 can be recognized. Thereby, the element transferring apparatus 501 can correct the position or angle on the base 201 exposed to the opening 305, and it is possible to correct the position or the angle from at least one of the dam surface 301, the edge and the point due to the opening 305 The semiconductor light emitting chip 101 may be placed at a position on the base 201 corresponding to the indicated distance or coordinates.

도 7 및 도 8은 벽(170)을 형성하는 방법의 일 예를 설명하는 도면들로서, 도 8a는 도 7에서 C-C 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 8b는 도 7에서 D-D 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 7에 제시된 바와 같이, 반도체 발광부(105)의 측면에 구비되는 벽(170)을 형성한다. 예를 들어, 도 8a에 제시된 바와 같이, 개구(305)로 인한 측면(307)은 베이스(201)에 대해 기울어진 경사면이다. 바람직하게는 광 투과도가 낮은 물질, 또는 비투광성 물질(예: 광반사 물질)을 디스펜서로 개구(305)에 공급하면, 비투광성 물질은 댐(301)의 측면(307)과 반도체 발광부(105)의 측면을 따라 자연스럽게 개구(305)에 퍼지면서 벽(170)이 형성된다. FIGS. 7 and 8 are views for explaining an example of a method of forming the wall 170. FIG. 8A is a view showing an example of a cross section cut along the CC line in FIG. 7, and FIG. DD line in Fig. 1; Fig. A wall 170 provided on a side surface of the semiconductor light emitting portion 105 is formed as shown in FIG. For example, as shown in FIG. 8A, the side surface 307 due to the opening 305 is an inclined surface that is inclined with respect to the base 201. The non-transmissive material is absorbed by the side surface 307 of the dam 301 and the semiconductor light emitting portion 105 (not shown) by supplying the opening 305 with a dispenser, preferably a material having low light transmittance or a non- The wall 170 is formed while naturally spreading along the side surface of the opening 305.

벽(170)은 수지(실리콘계, 에폭시계 등) 등 다양한 물질이 사용될 수 있으며, 그 물질의 반사율이 50% 이상인 경우에는 리플렉터(reflector)로 사용이 가능하다. 한편, 벽(170)은 전자기 간섭을 방지하기 위해 EMC(electro magnetic compatibility) 물질로 이루어질 수 있다. 벽(170)의 재질이 투광성인 경우를 배제하는 것은 아니다.The wall 170 may be made of various materials such as resin (silicone, epoxy, etc.), and may be used as a reflector when the reflectance of the material is 50% or more. Meanwhile, the wall 170 may be made of an electro-magnetic compatibility (EMC) material to prevent electromagnetic interference. It is not excluded that the material of the wall 170 is translucent.

도 8a에 제시된 바와 같이, 댐(301)의 측면(307)과 반도체 발광부(105)의 측면 사이에 공급된 비투광성 물질이 표면장력에 의해 댐(301)의 측면(307)을 따라 상승하여 반도체 발광칩(101)보다 높이가 높게 벽(170)의 제1 부분(171)이 형성된다. 한편, 반도체 발광칩(101) 사이에서는 비투광성 물질이 표면장력에 의해 도 8b에 제시된 바와 같이 형성되며, 반도체 발광칩(101)의 높이 이하의 제2 부분(175)이 형성된다. 표면장력에 의해 상승하도록, 비투광성 물질은 점성이 낮은 것이 바람직하다. 비투광성 물질의 점성을 적절히 선택하면, 벽(170)의 제1 부분(171), 및 제2 부분(175)의 상단의 형상을 조절할 수 있다. 댐은 도 8c에 제시된 바와 같이 경사면이 아니라 수직으로 된 면을 가지는 것도 가능하다.The non-permeable material supplied between the side surface 307 of the dam 301 and the side surface of the semiconductor light emitting portion 105 rises along the side surface 307 of the dam 301 by surface tension The first portion 171 of the wall 170 is formed to be higher than the semiconductor light emitting chip 101. On the other hand, a non-transmissive material is formed between the semiconductor light emitting chips 101 by surface tension as shown in FIG. 8B, and a second portion 175 below the height of the semiconductor light emitting chip 101 is formed. It is preferable that the non-light-transmitting substance has a low viscosity so as to be increased by the surface tension. The shape of the first portion 171 of the wall 170 and the top portion of the second portion 175 can be adjusted by properly selecting the viscosity of the non-light-transmitting material. It is also possible for the dam to have a surface that is vertical rather than sloped as shown in Figure 8c.

도 9 및 도 10은 봉지재를 형성하는 방법의 일 예를 설명하는 도면들로서, 도 10a는 도 9에서 E-E 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 10b는 도 9에서 F-F 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면이다. 다음으로, 벽(170)으로 사용된 수지를 소프트 큐어링(curing) 또는, 큐어링한 후, 벽(170)으로부터 노출된 반도체 발광부(105)를 덮도록, 예를 들어, 형광체를 함유한 수지 또는 실리콘을 개구(305)에 도팅하거나 프린팅하는 방법으로 봉지재(180)를 형성한다. 봉지재(180)는 도 10a에 제시된 바와 같이, 전극(80,70)의 반대 측으로 노출되며, 도 10b에 제시된 바와 같이 제1 부분(171)보다 높이가 낮은 벽(170)의 제2 부분(175) 측으로 노출된다. 따라서, 반도체 발광부(105)로부터의 빛은 봉지재(180)를 통해 전극(80,70)의 반대측, 및 벽(170)의 제2 부분(175) 측으로 방사될 수 있다. Figs. 9 and 10 are views for explaining an example of a method of forming an encapsulating material. Fig. 10A is a cross-sectional view taken along the line EE in Fig. 9, and Fig. 10B is a cross- Sectional view taken along line II-II of FIG. Next, the resin used as the wall 170 is soft cured or cured, and then the semiconductor light emitting portion 105 exposed from the wall 170 is covered with, for example, The sealing material 180 is formed by a method of printing or printing resin or silicon on the opening 305. The encapsulant 180 is exposed to the opposite side of the electrodes 80 and 70 as shown in Figure 10A and is exposed to the second portion of the wall 170 that is lower in height than the first portion 171, 175). Light from the semiconductor light emitting portion 105 can be radiated through the encapsulant 180 to the opposite side of the electrodes 80 and 70 and toward the second portion 175 side of the wall 170. [

도 11은 개별 반도체 발광소자로 분리하는 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 봉지재(180) 형성 이후, 반도체 발광칩(101), 벽(170), 및 봉지재(180)를 포함하는 반도체 발광소자(100)를 베이스(201) 및 댐(301)과 분리할 수 있다. 바(bar)로 전극(80,70) 측으로부터 반도체 발광소자(100)를 밀어내거나, 도 11a에 제시된 바와 같이, 양각 패턴이 형성된 판(1005)으로 반도체 발광소자(100)를 밀어내는 방법으로 댐(301)으로부터의 반도체 발광소자(100)를 분리할 수 있다. 분리를 용이하게 하기 위해 댐(301)의 측면(307)에 이형코팅층(release coating layer)을 형성할 수 있다. 이후, 도 11b에 제시된 바와 같이, 절단하여 도 11c에 제시된 바와 같이, 개별 반도체 발광소자(100)로 분리한다. 따라서, 벽(170)의 제2 부분(175)의 외측면, 및 제2 부분(175) 측으로 노출된 봉지재(180)의 면은 절단면으로서, 서로 이어져 있다.11 is a view for explaining an example of a method of separating into individual semiconductor light emitting elements. After forming the sealing material 180, the semiconductor light emitting chip 101, the wall 170, and the semiconductor The light emitting device 100 can be separated from the base 201 and the dam 301. A method of pushing the semiconductor light emitting device 100 from the electrodes 80 and 70 side with a bar or pushing the semiconductor light emitting device 100 with a plate 1005 having a positive pattern as shown in FIG. The semiconductor light emitting device 100 from the dam 301 can be separated. A release coating layer may be formed on the side surface 307 of the dam 301 to facilitate separation. Thereafter, as shown in Fig. 11B, the semiconductor light emitting device 100 is cut into individual semiconductor light emitting devices 100 as shown in Fig. 11C. The outer surface of the second portion 175 of the wall 170 and the surface of the encapsulant 180 exposed to the second portion 175 side are connected to each other as cut surfaces.

이와 같은 반도체 발광소자(100), 및 이의 제조방법에 의하면, 반도체 발광소자(100)는 그 사이즈를 작게 하는 데에 매우 유리한 구조를 가지며, 댐(301)을 사용하여 반도체 발광칩(101) 둘레에 벽(170)을 콤팩트하게 형성할 수 있어서, 반도체 발광칩(101)에 비해 현저히 크지 않고, 거의 칩스케일의 패키지(CSP; chip scale package)가 된다. 또한, 형광체는 벽(170)으로부터 노출된 반도체 발광부(105)를 덮도록 필요한 양만큼만 형성되므로 비용이 절약된다. 또한, 이러한 반도체 발광소자(100)는 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 벽(170)의 하단으로 노출되어 있어서, PCB 등의 회로기판에 직접 실장(예: COB)되는 SMD(surface mount device)로서도 매우 효율적인 구조를 가진다. 또한, 벽(170)의 제1 부분(171)과 제2 부분(175)의 높이를 다르게 하여 측방으로의 빛이 방사되는 방향 및 그 양을 조절할 수 있다.According to the semiconductor light emitting device 100 and the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 100, the semiconductor light emitting device 100 has a very advantageous structure for reducing the size thereof, The wall 170 can be formed compactly so that it is not significantly larger than the semiconductor light emitting chip 101 and becomes a substantially chip scale package (CSP). Further, since the phosphor is formed only by the amount necessary to cover the semiconductor light emitting portion 105 exposed from the wall 170, the cost is saved. In this semiconductor light emitting device 100, the first electrode 80 and the second electrode 70 are exposed at the lower end of the wall 170, and the SMD (direct current) is directly mounted (for example, COB) and has a very efficient structure as a surface mount device. In addition, the height of the first portion 171 and the second portion 175 of the wall 170 may be different from each other, so that the direction and amount of light emitted in the lateral direction can be adjusted.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광칩(101), 벽(170), 및 봉지재(180)를 형성하는 공정 이후, 도 12a에 제시된 바와 같이, 베이스(201)를 제거한 후에 전기적 접촉 면적 증가, 접합의 면적 증가, 및 방열 면적 증가 등을 위해 증착, 도금 등의 방법으로 제1 도전부(141) 및 제2 도전부(142)를 형성하는 공정이 추가될 수 있다. 도 12b는 도 12a에서 G-G 선을 따라 절단한 단면의 일 예로서, 댐으로부터 분리된 반도체 발광소자를 나타낸다. 도 12c는 도 12a에서 H-H 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내며, 벽(170)의 제1 부분(171)에 절단된 댐(301)이 붙어 있는 개별 소자의 예를 나타낸다. 제1 도전부(141) 및 제2 도전부(142)는 도 12b에 제시된 바와 같이 벽(170)의 하면까지 연장되거나, 12c에 제시된 바와 같이, 댐(301)의 하면까지 연장되도록 형성되는 것도 가능하다. 도 12d에 제시된 바와 같이, 벽(170)의 제1 부분(171)의 높이를 전술된 예들보다는 낮추어 제1 부분(171) 측으로도 봉지재(180)가 노출되게 하고, 제1 부분(171) 측으로도 빛이 방사되는 예를 고려할 수 있다. 한편, 도 12e에 제시된 바와 같이, 측면(307)에 돌기(315)가 형성된 댐(301)을 사용하면 도 12f에 제시된 바와 같이, 벽(170)의 제1 부분(171)의 외측면에 돌기(315)에 대응하는 홈(177)이 형성된 반도체 발광소자(100)가 제조될 수 있다. 홈(177)으로 인해 반도체 발광소자의 외관을 보고 제1 전극(80)과 제2 전극(70)의 방향을 구분할 수 있다.12 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. After the process of forming the semiconductor light emitting chip 101, the wall 170, and the sealing material 180, as shown in FIG. 12A The first conductive portion 141 and the second conductive portion 142 are formed by evaporation, plating, or the like for increasing the electrical contact area, increasing the bonding area, and increasing the heat radiation area after removing the base 201 Process can be added. 12B is a cross-sectional view taken along the line G-G in Fig. 12A, and shows a semiconductor light emitting device separated from a dam. 12C shows an example of a section cut along the line H-H in FIG. 12A, and shows an example of an individual element attached with the dam 301 cut in the first portion 171 of the wall 170. FIG. The first conductive portion 141 and the second conductive portion 142 may extend to the lower surface of the wall 170 as shown in Figure 12b or may extend to the lower surface of the dam 301 as shown in Figure 12c It is possible. 12D, the height of the first portion 171 of the wall 170 is lower than the above-described examples so that the sealing material 180 is also exposed to the first portion 171 side, It is also possible to consider an example in which light is radiated to the side. 12E, when the dam 301 having the protrusion 315 formed on the side surface 307 is used, the protrusion 315 is formed on the outer surface of the first portion 171 of the wall 170, as shown in FIG. 12F, The semiconductor light emitting device 100 having the groove 177 corresponding to the light emitting device 315 can be manufactured. The first electrode 80 and the second electrode 70 can be distinguished from each other due to the groove 177.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 댐으로부터 도 13a와 같이 분리한 이후, 개별 소자별로 절단하지 않고, 그대로 복수의 반도체 발광칩(101)이 벽(170)과 봉지재(180)에 결합된 상태로 사용할 수 있다. 또한, 도 13b에 제시된 바와 같이, 댐(301)과 반도체 발광칩(101) 사이에 플립칩 타입의 기능성 소자(401)를 배치하되, 바람직하게는, 전극(480,470)이 노출되며 벽(170)의 제1 부분(171)에 내에 기능성 소자(401)가 묻히도록 하고, 도전부(141,142)에 의해 반도체 발광칩(101)과 기능성 소자(401)를 전기적으로 연결하는 예도 고려할 수 있다. 기능성 소자(401)는 예를 들어, ESD(ElectroStatic Discharge) 및/또는 EOS(Electrical Over-Stress)로부터 반도체 발광부(105)를 보호하는 보호 소자(protecting element: 예: zener diode)이다. 또한, 도 13c에 제시된 바와 같이, 도전부(141,142)에 의해 복수의 반도체 발광칩(101)이 직렬연결되도록 할 수 있다. 또 다른 예로, 도 13d에 제시된 바와 같이, 반도체 발광칩(101) 사이의 벽의 제2 부분(175)를 절단하여 경사면을 가지도록 형성할 수도 있다.FIG. 13 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. After separated from the dam as shown in FIG. 13A, a plurality of semiconductor light emitting chips 101 are formed on the wall 170 and the encapsulating material 180. In this case, 13B, a flip chip type functional device 401 is disposed between the dam 301 and the semiconductor light emitting chip 101. Preferably, the electrodes 480 and 470 are exposed, The functional element 401 may be embedded in the first portion 171 of the semiconductor chip 101 and the semiconductor light emitting chip 101 and the functional element 401 may be electrically connected by the conductive portions 141 and 142. [ The functional element 401 is a protecting element (e.g., a zener diode) for protecting the semiconductor light emitting portion 105 from, for example, ESD (Electro Static Discharge) and / or EOS (Electrical Over-Stress) 13C, a plurality of semiconductor light emitting chips 101 may be connected in series by the conductive portions 141 and 142. [ As another example, the second portion 175 of the wall between the semiconductor light emitting chips 101 may be cut so as to have an inclined surface, as shown in Fig. 13D.

도 14 및 도 15는 본 개시에 따른 광원모듈의 일 예를 설명하기 위한 도면들로서, 광원모듈(800)은 표시장치 등의 백라이트 어셈블리에 사용될 수 있으며, 표시패널(1)의 배면에 구빈된 도광판(3)의 측면(3a)에 구비되어, 도광판(3)의 측면(3a)에 광을 방사하는 광원으로 사용될 수 있다. 광원모듈(800)은 회로기판(810), 및 복수의 반도체 발광소자(100)를 포함한다. 회로기판(800)은 PCB일 수 있고, 반도체 발광소자(100)는 도 3 내지 도 13에서 설명된 반도체 발광소자(100)로서, 회로기판(810)에 COB 타입으로 실장될 수 있다.14 and 15 are diagrams for explaining an example of the light source module according to the present disclosure. The light source module 800 may be used in a backlight assembly such as a display device, (3a) of the light guide plate (3) and can be used as a light source for emitting light to the side surface (3a) of the light guide plate (3). The light source module 800 includes a circuit board 810, and a plurality of semiconductor light emitting devices 100. The circuit board 800 may be a PCB, and the semiconductor light emitting device 100 may be the COB type semiconductor light emitting device 100 described with reference to FIGS. 3 to 13 on the circuit board 810.

도 15a는 도 14에서 I-I 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지재(180)는 도광판(3)의 측면(3a)과 마주하도록 배치되며, 벽(170)의 제1 부분(171)은 도광판(3)의 상면(3b) 측에, 및 도광판(3)의 하면(3c) 측에 위치한다. 따라서, 봉지재(180)로부터 나온 빛이 상하 방향으로 퍼지는 것이 제1 부분(171)에 의해 억제된다. 도 15b는 도 14에서 J-J 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체 발광소자(100)는 도광판(3)의 측면(3a)을 따라 배열되어 있고, 각 반도체 발광소자(100)의 제2 부분(175), 및 제2 부분(175) 측으로 노출된 봉지재(180)는 서로 마주보도록 구비된다. 따라서, 제2 부분(175)으로도 광이 방사된다. 따라서, 도광판(3)에서 반도체 발광소자(100)와 대응하는 영역(3d)과 반도체 발광소자(100)들의 사이 영역(3e)에서 입사하는 광량의 차이가 감소하여 핫스팟이나 무늬가 발생하는 것이 억제된다.Fig. 15A is a view showing an example of a cross section cut along the line II in Fig. 14, in which the sealing material 180 is arranged to face the side surface 3a of the light guide plate 3, The light guide plate 171 is located on the upper surface 3b side of the light guide plate 3 and on the lower surface 3c side of the light guide plate 3. [ Therefore, the light emitted from the sealing material 180 spreads in the vertical direction is suppressed by the first portion 171. [ Fig. 15B is a diagram showing an example of a cross section cut along the line JJ in Fig. 14, in which a plurality of semiconductor light emitting elements 100 are arranged along the side surface 3a of the light guide plate 3, 100 and the encapsulant 180 exposed toward the second portion 175 are provided to face each other. Therefore, light is also emitted to the second portion 175. Therefore, the difference in the amount of light incident on the region 3d between the region 3d corresponding to the semiconductor light emitting device 100 and the region 3e between the semiconductor light emitting devices 100 in the light guide plate 3 is reduced, do.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하는 벽; 그리고 벽으로부터 노출된 반도체 발광칩을 덮으며, 빛이 투과하는 봉지재;로서, 적어도 하나의 전극의 반대 측, 및 제2 부분 측으로 노출된 봉지재; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; and a semiconductor light emitting chip having at least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; A wall positioned around the semiconductor light emitting portion, the wall comprising a first portion having a first height and a second portion having a second height less than the first height; And an encapsulant that covers the semiconductor light emitting chip exposed from the wall and transmits light, wherein the encapsulant is exposed to the opposite side of the at least one electrode and the second portion side; The semiconductor light emitting device comprising:

(2) 제1 부분은 반도체 발광부보다 높이가 높고, 제2 부분은 반도체 발광부의 높이 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the first portion is higher than the semiconductor light emitting portion and the second portion is lower than or equal to the height of the semiconductor light emitting portion.

(3) 벽은 반도체 발광칩의 측면을 두르도록 형성되며, 서로 대향하는 2개의 제1 부분들; 그리고 2개의 제1 부분들과 다른 방향으로 서로 대향하는 2개의 제2 부분들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The wall is formed so as to surround the side surface of the semiconductor light emitting chip, and has two first portions facing each other; And two second portions facing each other in a direction different from the two first portions.

(4) 벽의 제2 부분의 외측면, 및 제2 부분 측으로 노출된 봉지재의 면은 절단된 면이며, 서로 이어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) the outer surface of the second portion of the wall, and the surface of the encapsulant exposed to the second portion side are cut surfaces and are mutually connected.

(5) 제1 부분의 상단, 및 제2 부분의 상단은 표면장력에 의해 상승된(elevated) 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the upper end of the first portion and the upper end of the second portion are elevated by surface tension.

(6) 벽의 제1 부분은 반도체 발광부로부터 먼 부분이 반도체 발광부에 가까운 부분보다 높이가 높고, 벽의 제2 부분은 발광부로부터 먼 부분이 반도체 발광부에 가까운 부분보다 높이가 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The first portion of the wall is higher in height than the portion near the semiconductor light emitting portion, and the second portion of the wall is lower in height than the portion nearer to the semiconductor light emitting portion Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(7) 반도체 발광부는: 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;을 포함하며, 적어도 하나의 전극은: 복수의 반도체층을 기준으로 봉지재의 반대 측에 위치하며, 제1 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 그리고 복수의 반도체층을 기준으로 봉지재의 반대 측에 위치하며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting portion includes: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And a plurality of semiconductor layers having an active layer that generates light by recombination of at least one of the first and second semiconductor layers, A first electrode for supplying one; And a second electrode located on the opposite side of the sealing material with respect to the plurality of semiconductor layers and supplying the remaining one of electrons and holes to the second semiconductor layer.

(8) 봉지재의 서로 대향하는 측면들은 2개의 제1 부분들에 의해 노출되지 않도록 막혀 있고, 제1 전극 및 제2 전극의 반대 측과, 2개의 제2 부분들 측으로 각각 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The mutually opposed side surfaces of the sealing material are sealed so as not to be exposed by the two first portions, and exposed to the opposite side of the first electrode and the second electrode and to the two second portions side, respectively Semiconductor light emitting device.

(9) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 베이스 위에 개구가 형성된 댐과 개구로 노출된 베이스 위에 반도체 발광칩을 구비하는 단계;로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 전극을 가지는 반도체 발광칩을 개구에 구비하는 단계; 댐의 측면과 반도체 발광부의 측면 사이에 벽을 형성하는 단계;로서, 반도체 발광부의 측면 방향에서 볼때, 반도체 발광부의 일 측을 기준으로 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하는 벽;을 형성하는 단계; 벽으로부터 노출된 반도체 발광칩을 덮는 봉지재를 형성하는 단계;로서, 적어도 하나의 전극이 노출되도록 반도체 발광칩을 덮고, 적어도 하나의 전극의 반대 측, 및 제2 부분 측으로 노출되는 봉지재;를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(9) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: providing a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening, the semiconductor light emitting portion generating light by recombination of electrons and holes; Providing a semiconductor light emitting chip in the opening, the semiconductor light emitting chip having at least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion; Forming a wall between the side surface of the dam and the side surface of the semiconductor light emitting portion, the method comprising the steps of: forming a first portion having a first height with respect to one side of the semiconductor light emitting portion, A second portion having a second height; Forming an encapsulant covering the semiconductor light emitting chip exposed from the wall, the encapsulant covering the semiconductor light emitting chip so that at least one electrode is exposed, and the encapsulant exposed to the opposite side of the at least one electrode and the second part side; And forming a semiconductor layer on the semiconductor layer.

(10) 반도체 발광칩을 개구에 구비하는 단계에서, 복수의 반도체 발광칩이 이웃하게 구비되며, 벽을 형성하는 단계에서, 댐의 측면과 반도체 발광부의 측면 사이에서, 벽의 상단은 벽을 따라 표면장력에 의해 상승되어(elevated)되어 제1 부분이 형성되고, 복수의 반도체 발광칩 사이에서, 벽의 상단은 반도체 발광칩의 측면을 따라 표면장력에 의해 상승되어 제2 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(10) In the step of providing the semiconductor light emitting chip in the opening, a plurality of semiconductor light emitting chips are provided adjacently, and in the step of forming the wall, between the side face of the dam and the side face of the semiconductor light emitting portion, The upper portion of the wall is raised by the surface tension along the side surface of the semiconductor light emitting chip so that the second portion is formed between the plurality of semiconductor light emitting chips by being elevated by the surface tension Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other.

(11) 벽을 형성하는 단계에서, 제1 부분은 반도체 발광부보다 높이가 높도록 형성되고, 제2 부분은 반도체 발광부의 높이 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.Wherein the first portion is formed to be higher in height than the semiconductor light emitting portion and the second portion is formed to be less than or equal to the height of the semiconductor light emitting portion in the step of forming the wall of the semiconductor light emitting portion.

(12) 개구로 인한 댐의 측면은 베이스에 대해 경사를 이루는 경사면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(12) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the side surface of the dam due to the opening is an inclined surface inclined with respect to the base.

(13) 복수의 반도체 발광부, 및 봉지재를 댐으로부터 분리하는 단계; 그리고 복수의 반도체 발광부 사이에서 봉지재, 및 벽의 제2 부분을 절단하여 개별 반도체 발광소자로 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(13) separating the plurality of semiconductor light emitting portions and the sealing material from the dam; And cutting the sealing material and the second portion of the wall between the plurality of semiconductor light emitting portions and separating them into individual semiconductor light emitting devices.

(14) 도광판의 측면에 구비되는 광원모듈에 있어서, 도광판의 측면 측에 구비되는 기판; 그리고 기판에 구비되어 도광판의 측면에 광을 방사하는 반도체 발광소자;를 포함하며, 반도체 발광소자는: 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 반도체 발광부와, 반도체 발광부에 전기적으로 연결되며, 반도체 발광부를 기준으로 도광판의 반대 측에 구비되는 적어도 하나의 전극을 가지며, 기판에 실장된 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광부의 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 적어도 하나의 전극 측을 기준으로 도광판의 측면을 향하여 제1 높이를 가지는 제1 부분과, 제1 높이보다 낮은 제2 높이를 가지는 제2 부분을 포함하며, 제1 부분은 도광판의 두께 방향에 구비되고, 제2 부분은 도광판의 측면의 길이 방향에 구비되는 벽; 그리고 반도체 발광칩을 덮으며, 도광팡의 측면과 마주보는 봉지재;로서, 제2 부분 측으로 노출된 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원모듈.(14) A light source module provided on a side surface of a light guide plate, comprising: a substrate provided on a side of a light guide plate; And a semiconductor light emitting device provided on the substrate and emitting light to a side surface of the light guide plate, wherein the semiconductor light emitting device includes: a semiconductor light emitting unit that generates light by recombination of electrons and holes; A semiconductor light emitting chip having at least one electrode provided on a side opposite to the light guide plate with respect to the semiconductor light emitting portion, the semiconductor light emitting chip mounted on the substrate; A first portion having a first height toward a side surface of the light guide plate with respect to at least one electrode side and a second portion having a second height lower than the first height, Wherein the first portion is provided in the thickness direction of the light guide plate and the second portion is provided in the longitudinal direction of the side surface of the light guide plate; And an encapsulant covering the semiconductor light emitting chip, the encapsulant facing the side surface of the light guiding flange, and the encapsulant being exposed to the second portion side.

(15) 복수의 반도체 발광소자가 도광판의 측면을 따라 기판에 구비되며, 각 반도체 발광소자의 제2 부분, 및 제2 부분 측으로 노출된 봉지재가 서로 마주보도록 구비된 것을 특징으로 하는 광원모듈.(15) A light source module comprising a plurality of semiconductor light emitting elements provided on a substrate along a side surface of a light guide plate, and sealing members exposed to a second portion and a second portion of each semiconductor light emitting element are opposed to each other.

본 개시에 따른 반도체 발광소자, 이의 제조방법, 및 이를 가지는 광원모듈에 의하면, 사이즈를 반도체 발광칩에 비해 현저히 크지 않고, 거의 칩스케일 패키지(CSP; chip scale package)를 가지는 반도체 발광소자가 제공된다.According to the semiconductor light emitting device, the method of manufacturing the same, and the light source module having the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having a size substantially smaller than that of the semiconductor light emitting chip and having a chip scale package (CSP) is provided .

또한, 형광체는 벽으로부터 노출된 반도체 발광부를 덮도록 필요한 양만큼만 형성되므로 비용이 절약된다.Further, since the phosphor is formed only by an amount necessary to cover the semiconductor light emitting portion exposed from the wall, the cost is saved.

또한, 제1 전극 및 제2 전극이 벽의 하단으로 노출되어 있어서, PCB 등의 회로기판에 직접 실장되는 SMD(surface mount device)로서도 매우 효율적인 구조를 가진다.Also, since the first electrode and the second electrode are exposed at the lower end of the wall, they have a very efficient structure as an SMD (surface mount device) mounted directly on a PCB such as a PCB.

또한, 벽의 제1 부분과 제2 부분의 높이를 다르게 하여 측방으로의 빛이 방사되는 방향 및 그 양을 조절할 수 있다.Further, the height of the first portion and the height of the second portion of the wall may be different from each other, so that the direction and amount of light emitted in the lateral direction can be adjusted.

100: 반도체 발광소자 101: 반도체 발광칩 105: 반도체 발광부
80,70: 전극 170: 벽 180: 봉지재100: Semiconductor light emitting device 101: Semiconductor light emitting chip 105: Semiconductor light emitting device
80, 70: electrode 170: wall 180: sealing material

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A semiconductor light emitting chip having a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes, and at least one electrode that is electrically connected to the semiconductor light emitting portion;
A first portion having a first height with respect to one side of the semiconductor light emitting portion and a second portion having a second height lower than the first height as viewed from the side of the semiconductor light emitting portion, A wall comprising a second portion; And
An encapsulant which covers a part of a semiconductor light emitting chip and is light permeable, the encapsulant being exposed to the opposite side of at least one electrode and the second part side of the wall lower than the first part,
Wherein the first portion is higher in height than the semiconductor light emitting portion with respect to the electrode side, and the second portion is lower than or equal to the height of the semiconductor light emitting portion.

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The method according to claim 1,
The wall is formed so as to surround the side surface of the semiconductor light emitting chip,
Two first portions facing each other; And
And two second portions facing each other in a direction different from the two first portions.

The method according to claim 1,
The outer surface of the second portion of the wall, and the surface of the encapsulant exposed to the second portion side are cut surfaces and are mutually connected.

The method according to claim 1,
The upper portion of the first portion, and the upper portion of the second portion are elevated by surface tension.

The method of claim 5,
The first portion of the wall is higher in height than the portion near the semiconductor light emitting portion,
And the second portion of the wall is lower in height than a portion closer to the semiconductor light emitting portion, the portion being farther from the light emitting portion.

The method of claim 3,
The semiconductor light-
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, wherein light is generated by recombination of electrons and holes And a plurality of semiconductor layers having active layers,
The at least one electrode comprises:
A first electrode located on the opposite side of the sealing material with respect to the plurality of semiconductor layers and supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; And
And a second electrode which is disposed on the opposite side of the sealing material with respect to the plurality of semiconductor layers and supplies the remaining one of electrons and holes to the second semiconductor layer.

The method of claim 7,
The side surfaces of the sealing material facing each other are blocked so as not to be exposed by the two first portions and exposed to the opposite side of the first electrode and the second electrode and to the side of the two second portions. .

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Providing a semiconductor light emitting chip on a base exposed through a dam and an opening formed on a base, the semiconductor light emitting chip comprising: a semiconductor light emitting portion that generates light by recombination of electrons and holes; and at least one electrode electrically connected to the semiconductor light emitting portion Providing a semiconductor light emitting chip having an opening in the opening;
Forming a wall between the side surface of the dam and the side surface of the semiconductor light emitting portion so as to be in contact with the semiconductor light emitting portion, the method comprising the steps of: forming a first portion having a first height, And a second portion having a first portion and a second portion; And
Forming an encapsulant covering the semiconductor light emitting chip, the encapsulant being exposed to the opposite side of the at least one electrode and the second portion side;
In the step of forming the wall, between the side face of the dam and the side face of the semiconductor light emitting portion, the upper end of the wall is elevated by the surface tension along the wall to form the first portion,
Wherein between the plurality of semiconductor light emitting chips, the upper end of the wall is raised by the surface tension along the side surface of the semiconductor light emitting chip to form the second portion.

The method of claim 9,
Wherein a plurality of semiconductor light emitting chips are provided adjacent to each other in the step of providing the semiconductor light emitting chip in the opening.

The method of claim 9,
In the step of forming the wall,
The first portion is formed to be higher in height than the semiconductor light emitting portion,
And the second portion is formed to be equal to or less than the height of the semiconductor light emitting portion.

The method of claim 10,
Wherein the side surface of the dam due to the opening is an inclined surface inclined with respect to the base.

The method of claim 10,
Separating the plurality of semiconductor light emitting portions and the sealing material from the dam; And
And cutting the sealing material and the second portion of the wall between the plurality of semiconductor light emitting portions and separating them into individual semiconductor light emitting devices.

A light source module provided on a side surface of a light guide plate,
A substrate provided on a lateral side of the light guide plate; And
And a semiconductor light emitting element provided on the substrate and emitting light to a side surface of the light guide plate,
The semiconductor light emitting element includes:
A semiconductor light emitting portion which is electrically connected to the semiconductor light emitting portion and has at least one electrode provided on the opposite side of the light emitting portion with respect to the semiconductor light emitting portion, A semiconductor light emitting chip;
A first portion having a first height toward a side of the light guide plate with respect to at least one electrode side and a second portion having a second height lower than the first height, Wherein the first portion is provided in the thickness direction of the light guide plate and the second portion is provided in the longitudinal direction of the side surface of the light guide plate; And
An encapsulant covering a semiconductor light emitting chip and facing a side surface of a light guide plate, the encapsulant being exposed to a second portion side lower than the first portion,
Wherein the first portion is higher in height than the semiconductor light emitting portion with respect to the electrode side, and the second portion is lower than or equal to the height of the semiconductor light emitting portion.

15. The method of claim 14,
A plurality of semiconductor light emitting devices are provided on the substrate along side surfaces of the light guide plate,
And the sealing member exposed to the second portion and the second portion of each semiconductor light emitting element are provided so as to face each other.