KR101683780B1 - method and apparatus for changing physical properties of patterns - Google Patents
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Abstract
컴퓨터 시뮬레이션 기술에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 패턴의 물성을 자유롭게 변화시키는 시뮬레이션 기술에 관한 것이다.
본 발명은 2개의 패턴을 덧대는 경우, 2개의 패턴을 재봉하지 않고 각 패턴의 물성으로부터 덧댄 영역의 물성을 산출하여 적용함을 목적으로 한다.
일 양상에 따른 컴퓨팅 요소와 패턴 및 드레이핑(draping)된 디지털 의상 객체를 저장하는 저장 요소를 포함하는 컴퓨팅 장치에 의해 실행 가능한 패턴 물성 변경 방법에 있어서, 패턴 물성 변경 방법은 제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정하는 물성 변경 영역 설정 단계 및 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 제 2 패턴이 합성되도록 하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경하는 물성 변경 단계를 포함한다.Relates to a computer simulation technique, and more particularly, to a simulation technique that freely changes physical properties of a pattern.
An object of the present invention is to calculate and apply physical properties of a padded region from the physical properties of each pattern without sewing two patterns when two patterns are padded.
A method for modifying a pattern property that is executable by a computing device that includes a computing element according to an aspect and a storage element that stores a pattern and a draped digital garment object, A property change area setting step of setting a property change area by receiving an area of the property change area set in the property change area and a property change area set in the property change area, And a physical property changing step of changing physical properties of the property changing area.
Description
컴퓨터 시뮬레이션 기술에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 패턴의 물성을 자유롭게 변화시키는 시뮬레이션 기술에 관한 것이다. Relates to a computer simulation technique, and more particularly, to a simulation technique that freely changes physical properties of a pattern.
현재 의상 시뮬레이션 기술은, 패션 산업뿐만 아니라 게임, 애니메이션, 영화 특수 효과에 이르기까지 다양한 분야에서 사용되고 있다. 또한 가상 세계에서의 의상 아이템 판매의 시장 규모도 수 조원에 달한다. 이 기술은 옷감을 질량을 가진 메쉬(mesh)로 모델링하여 옷을 입은 아바타의 움직임이나 바람, 조명 등의 외부 움직임에 따라 옷감의 움직임을 시뮬레이션할 수 있는 기술이다. Currently, costume simulation technology is used not only in the fashion industry, but also in games, animation, film special effects, and so on. In addition, the market of the costume item sales in the virtual world reaches to several trillion won. This technique is a technique for modeling cloth as a mesh with a mass and simulating movement of the cloth according to the movement of the avatar in clothes or the external movement of wind or light.
패턴으로부터 디지털 의상 객체를 생성하기 위한 재봉 시뮬레이션에서 어느 하나의 패턴 위에 다른 하나의 패턴을 합성하여 덧대기 위해서는 서로 다른 2개의 패턴을 재봉하는 과정을 거쳐야 했다. 즉, 어느 하나의 패턴 상에 재봉할 영역을 설정하고, 다른 하나의 패턴 상에도 재봉할 영역을 선택하고, 재봉선의 유형을 설정하고 드레이핑 과정을 거쳐야만 했다. 이런 경우 2개의 패턴을 구성하는 삼각형간 충돌을 검사하고 반응을 처리하는 시간이 많이 소요된다.In the sewing simulation for creating a digital costume object from a pattern, in order to synthesize another pattern on one pattern, it was necessary to sew two different patterns. That is, it was necessary to set the area to be sewn on one of the patterns, to select the area to be sewn on the other pattern, to set the type of the sewing line, and to perform the draping process. In this case, it takes a long time to check the collision between the triangles constituting the two patterns and to process the reaction.
2개의 패턴을 덧대는 경우 2개의 패턴이 맞닿는 영역에 있는 삼각형에 각 패턴의 물성으로부터 산출된 맞닿는 영역의 물성을 바로 적용하여, 빠른 시뮬레이션이 이루어지도록 할 필요가 있다.When two patterns are padded, it is necessary to apply the property of the contact area calculated from the physical properties of each pattern to the triangle in the area where the two patterns abut each other, and to perform quick simulation.
본 발명은 2개 이상의 패턴을 덧대는 경우, 2개의 패턴을 재봉하지 않고 각 패턴의 물성으로부터 덧댄 영역의 물성을 산출하여 적용함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to calculate and apply physical properties of a padded region from the physical properties of each pattern without sewing two patterns when two or more patterns are padded.
본 발명은 어느 하나의 패턴의 두께를 조절하여, 조절된 두께에 따라 패턴의 물성을 조절하는 것을 목적으로 한다. It is an object of the present invention to adjust the thickness of one of the patterns to control the physical properties of the pattern according to the adjusted thickness.
일 양상에 따른 컴퓨팅 요소와 패턴 및 드레이핑(draping)된 디지털 의상 객체를 저장하는 저장 요소를 포함하는 컴퓨팅 장치에 의해 실행 가능한 패턴 물성 변경 방법에 있어서, 패턴 물성 변경 방법은 제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정하는 물성 변경 영역 설정 단계 및 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 하나 이상의 패턴을 합성하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경하는 물성 변경 단계를 포함한다.A method for modifying a pattern property that is executable by a computing device that includes a computing element according to an aspect and a storage element that stores a pattern and a draped digital garment object, A property change area setting step of setting a property change area by inputting an area of the property changing area and a property changing area set on the first pattern or by adjusting the thickness of the property changing area set on the first pattern, And a physical property changing step of changing physical properties of the change area.
다른 양상에 있어서, 소정의 영역은 선 또는 면이다.In another aspect, the predetermined area is a line or a face.
또 다른 양상에 있어서, 물성 변경 단계는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 합성될 하나 이상의 패턴의 물성을 설정하는 덧대기 단계를 포함한다.In another aspect, the property changing step includes a overwriting step of setting physical properties of one or more patterns to be synthesized in the property change area set on the first pattern.
물성 변경 단계는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께의 백분율을 조절하는 깎기 단계를 포함한다.The physical property changing step includes a cutting step of adjusting a percentage of the thickness of the property changing area set on the first pattern.
본 발명은 2개의 패턴을 덧대는 경우, 각 패턴의 물성에 의한 덧댄 영역의 물성값을 빠르게 산출하여 시뮬레이션 할 수 있다.In the present invention, when two patterns are applied, the physical property value of the punched area due to the physical properties of each pattern can be quickly calculated and simulated.
본 발명은 패턴의 두께를 조절하여, 두께 변화에 따른 패턴의 물성을 쉽게 조절할 수 있다.The present invention can control the physical properties of the pattern according to the thickness variation by adjusting the thickness of the pattern.
도 1은 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 흐름을 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 세부적인 흐름을 도시한다.
도 3는 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 세부적인 흐름을 도시한다.
도 4는 덧대기 단계를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.
도 5는 위사, 경사, 바이어스 강도를 설명하기 위한 일 예를 도시한다
도 6은 굽힘강도를 설명하기 위한 일 예를 도시한다
도 7은 좌굴점 및 좌굴 강도를 설명하기 일 예를 도시한다.
도 8은 깎기 단계를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.
도 9는 일 실시예에 따른 패턴 물 성 변경 장치의 구성을 도시한다.1 shows a flow of a pattern property changing method according to an embodiment.
FIG. 2 shows a detailed flow of a pattern property changing method according to an embodiment.
FIG. 3 shows a detailed flow of a pattern physical property changing method according to an embodiment.
Figure 4 shows an example for illustrating the overwriting phase.
Fig. 5 shows an example for describing weft, warp, and bias strength
Fig. 6 shows an example for explaining the bending strength
Fig. 7 shows an example of explaining the buckling point and the buckling strength.
Fig. 8 shows an example for illustrating the cutting step.
Fig. 9 shows a configuration of a pattern property changing apparatus according to an embodiment.
전술한, 그리고 추가적인 양상들은 첨부된 도면을 참조하여 설명하는 실시예들을 통해 구체화된다. 각 실시예들의 구성 요소들은 다른 언급이나 상호간에 모순이 없는 한 실시예 내에서 다양한 조합이 가능한 것으로 이해된다. 나아가 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. The foregoing and further aspects are embodied through the embodiments described with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the components of each embodiment are capable of various combinations within an embodiment as long as no other mention or mutual contradiction exists. Furthermore, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 그리고, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification. And, when a section is referred to as "including " an element, it does not exclude other elements unless specifically stated to the contrary.
명세서에서 기술한 부란, "하드웨어 또는 소프트웨어의 시스템을 변경이나 플러그인 가능하도록 구성한 블록"을 의미하는 것으로서, 즉 하드웨어나 소프트웨어에 있어 기능을 수행하는 하나의 단위 또는 블록을 의미한다.As used herein, the term " block " refers to a block of hardware or software configured to be changed or pluggable, i.e., a unit or block that performs a function in hardware or software.
제안된 패턴 물성 변경 방법 및 장치와 그 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체는 3D 시뮬레이션 기술 분야에 적용될 수 있다. The proposed pattern property changing method and apparatus and the recording medium recording the computer program for executing the method can be applied to the field of 3D simulation technology.
디지털 의상은 실제 의상 제작 과정을 모티브로 하여 그 과정을 반영한 컴퓨터 시뮬레이션 저작 프로그램을 통하여 생성 된다. 예를 들어 제작자가 의상의 2D 패턴을 그린 후, 옷을 입게 될 아바타 모델에 2D 패턴을 드레이핑 시뮬레이션 한다. 드레이핑 결과를 렌더링 하여 표시함으로써 3D의상이 화면으로 출력된다. 아바타 모델과 2D 의상 패턴은 사용자가 직접 컴퓨터 프로그램을 통하여 그리거나, 저장된 것을 사용할 수 있다. 사용자가 직접 그리는 경우 다양한 그래픽 소프트웨어나 CAD 프로그램을 사용하여 입력할 수 있으며, 제공되는 2D 패턴 제작 툴을 사용할 수도 있다. Digital costumes are created through a computer simulation authoring program that reflects the process of the actual costume making process as a motif. For example, the author paints a 2D pattern of a costume, then drapes and simulates a 2D pattern on an avatar model to be dressed. The 3D image is displayed on the screen by rendering and displaying the draping result. The avatar model and the 2D costume pattern can be drawn directly by the user through a computer program or can be stored. If you draw yourself, you can enter it using a variety of graphics software or CAD programs, or use the provided 2D patterning tools.
일 실시예에 따른 디지털 의상 착장 시뮬레이션 방법에서 드레이핑 시뮬레이션 방법은, 패턴의 메쉬화 단계, 아바타 주변에 패턴의 배치, 패턴과 아바타의 충돌 여부를 판단하는 단계와, 충돌 제거 힘(force)을 생성하는 단계 및 드레이핑 시뮬레이션 과정을 수행하는 단계를 포함한다. 패턴의 메쉬화 단계는 딜러니 삼각화(Delaunay Triangulation) 기법을 적용하여 이루어 질 수 있으며, 드레이핑 시뮬레이션 과정은 일 실시 예로 [Pascal Volino, Nadia MagnenatThalmann: Resolving surface collisions through intersection contour minimization.ACM Trans. Graph. 25(3): 1154??1159 (2006)]에 게시된 방법을 사용할 수 있다.The draping simulation method includes a step of meshing a pattern, a step of arranging a pattern around the avatar, a step of determining whether a pattern and an avatar collide with each other, and a step of generating a collision removing force And performing a draping simulation process. The patterning step may be performed by applying a Delaunay triangulation technique, and the draping simulation process may be performed as an example (Pascal Volino, Nadia MagnenatThalmann: Resolving surface collisions through intersection contour minimization.ACM Trans. Graph. 25 (3): 1154-1159 (2006).
도 1은 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 흐름을 도시한다.1 shows a flow of a pattern property changing method according to an embodiment.
일 양상에 있어서, 컴퓨팅 요소와 패턴 및 드레이핑(draping)된 디지털 의상 객체를 저장하는 저장 요소를 포함하는 컴퓨팅 장치에 의해 실행 가능한 패턴 물성 변경 방법은 물성 변경 영역 설정 단계(S10), 물성 변경 단계(S20)를 포함할 수 있다.In one aspect, a method for modifying pattern properties that can be executed by a computing device that includes a computing element and a storage element that stores a pattern and a draped digital garment object includes a physical property altering region setting step (S10), a property changing step S20).
컴퓨팅 장치는 하나 이상의 프로세서 및 저장 요소를 포함한다. 저장 요소는 예를 들어 메모리로 하나 이상의 프로그램을 포함한다. 물성 변경 영역 설정 단계(S10), 물성 변경 단계(S20)와 같은 각 단계는 전술한 프로그램이 포함하는 컴퓨팅 명령어에 의해 구현된다.The computing device includes one or more processors and storage elements. The storage element includes one or more programs, for example, as memories. Each step such as a property changing area setting step (S10) and a property changing step (S20) are implemented by a computing instruction included in the above-mentioned program.
일 실시예에 있어서, 물성 변경 영역 설정 단계(S10)는 제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정한다. 제 1 패턴은 임의의 패턴으로 물성 변경 대상이 되는 패턴이다. 제 1 패턴 상의 소정의 영역은 패턴 전체가 될 수 있고 패턴의 일부가 될 수 있다. 제 1 패턴 상의 물성 변경 영역은 하나의 영역일 수 있지만, 이에 한정되지 않고 복수의 영역일 수 있다.In one embodiment, the property changing region setting step S10 sets one or more predetermined regions on the first pattern to set the property changing region. The first pattern is a pattern to which the physical property is to be changed in an arbitrary pattern. The predetermined area on the first pattern can be the entire pattern and can be a part of the pattern. The physical property changing region on the first pattern may be one region, but is not limited thereto and may be a plurality of regions.
일 실시예에 있어서, 물성 변경 단계(S20)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 하나 이상의 패턴을 합성하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경한다. 물성 변경 단계(S20)에서 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 물성 변경 방법은 크게 2가지로, 한가지는 두 개의 패턴을 합성하는 것이고, 다른 하나는 하나의 패턴의 두께를 조절하는 것이다.In one embodiment, the physical property modifying step S20 may be performed by combining at least one pattern in the physical property changing area set on the first pattern, or adjusting the thickness of the physical property changing area set on the first pattern, . In the physical property changing step S20, there are two methods of changing physical properties of the physical property changing region set on the first pattern, one of which is to synthesize two patterns, and the other is to control the thickness of one pattern.
일 실시예에 있어서, 소정의 영역은 선 또는 면이다. 소정의 영역은 전술한 것처럼 패턴 상에서 물성이 변경되는 영역이다. 소정의 영역은 패턴 상의 선일 수 있다. 선은 하나 이상 선택될 수 있다. 물성 변경 영역 설정 단계(S10)에서 입력된 소정의 영역은 제 1 패턴 상에 존재 한다면 제한이 없다. 예를 들어, 물성 변경 영역 설정 단계(S10)는 제 1 패턴의 가장 자리에 있는 선을 소정의 영역으로 입력 받아 물성 변경 영역으로 설정한다.In one embodiment, the predetermined area is a line or a face. The predetermined region is an area where physical properties are changed on the pattern as described above. The predetermined area may be a line on the pattern. More than one line can be selected. There is no limitation as long as the predetermined region inputted in the physical property changing region setting step S10 exists on the first pattern. For example, in the physical property changing area setting step (S10), a line at the edge of the first pattern is input as a predetermined area, and is set as the physical property changing area.
소정의 영역은 패턴 상에 존재하는 면일 수 있다. 면은 하나 이상 선택될 수 있다. 선택된 면이 패턴 상에 존재 한다면, 크기와 모양에 제한은 없다.The predetermined area may be a surface existing on the pattern. One or more faces can be selected. If the selected face is present on the pattern, there is no restriction on the size and shape.
도 2는 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 세부적인 흐름을 도시한다. FIG. 2 shows a detailed flow of a pattern property changing method according to an embodiment.
도 1에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략한다.A description overlapping with the description of FIG. 1 will be omitted.
일 실시예에 있어서, 물성 변경 단계(S20)는 덧대기 단계(S21)를 포함한다. 덧대기 단계(S21)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 합성될 하나 이상의 패턴의 물성을 설정한다. 제 1 패턴과 하나 이상의 패턴이 합성된다는 것은 제 1 패턴과 하나 이상의 패턴들이 합쳐 져서 하나를 이루는 것을 의미할 수 있다. 제 1 패턴과 하나 이상의 패턴이 합성된다는 것은 이에 한정되는 것은 아니고, 제 1 패턴과 하나 이상의 패턴들이 겹겹이 포개지는 것을 의미할 수 있다.In one embodiment, the property changing step S20 includes a waiting step S21. The overwriting step S21 sets physical properties of one or more patterns to be synthesized in the property change area set on the first pattern. The fact that the first pattern and one or more patterns are combined means that the first pattern and one or more patterns are combined to form one. The combination of the first pattern and the one or more patterns is not limited to this, and may mean that the first pattern and one or more patterns are superimposed.
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에서 제 1 패턴과 하나 이상의 패턴이 합성되는 경우, 물성 변경 영역의 새로운 물성은 제 1 패턴의 물성 및 하나 이상의 패턴들의 물성을 기초로 산출된다. 제 1 패턴의 물성 및 하나 이상의 패턴들의 물성을 기초로 물성 변경 영역의 새로운 물성이 어떻게 산출되는지는 후술한다.When the first pattern and one or more patterns are synthesized in the property change area set on the first pattern, new properties of the property change area are calculated on the basis of the physical properties of the first pattern and the properties of the one or more patterns. How the new properties of the property changing region are calculated based on the physical properties of the first pattern and the physical properties of one or more patterns will be described later.
제 1 패턴과 합성될 하나의 패턴을 제 2 패턴이라고 가정한다. 이때 합성되는 제 2 패턴의 물성 뿐만 아니라 제 1 패턴의 물성도 설정할 수 있다. 제 2 패턴의 물성은 제 1 패턴 상에 물성 변경 영역이 설정된 후에 설정될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 물성 변경 영역에 합성될 제 2 패턴의 물성이 설정되면, 제 1 패턴의 물성 및 제 2 패턴의 물성을 고려하여 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된다. It is assumed that one pattern to be combined with the first pattern is a second pattern. At this time, not only the physical properties of the second pattern to be synthesized but also the physical properties of the first pattern can be set. The physical properties of the second pattern can be set after the property change area is set on the first pattern, but are not limited thereto. When the physical properties of the second pattern to be synthesized are set in the property changing area, new physical properties of the property changing area are calculated in consideration of the physical properties of the first pattern and the physical properties of the second pattern.
새로운 물성이 산출된 이후에도 제 1 패턴 및 제 2 패턴 중 적어도 하나의 물성을 변경할 수 있다. 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된 이후에 제 1 패턴 및 제 2 패턴 중 적어도 하나의 물성이 변경되는 경우, 물성 변경 영역의 물성은 재산출된다.The physical properties of at least one of the first pattern and the second pattern can be changed even after new properties are calculated. When the physical properties of at least one of the first pattern and the second pattern are changed after the new physical properties of the property changing area are calculated, the physical properties of the property changing area are re-calculated.
덧대기 단계(S21)에서 두개의 패턴이 합성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상의 패턴이 합성 될 수 있다. 3개 이상의 패턴이 합성지는 경우, 각 패턴의 물성을 고려하여 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된다.In the overwriting step S21, two patterns may be synthesized, but not limited thereto, three or more patterns may be synthesized. When three or more patterns are synthesized, new physical properties of the property changing region are calculated in consideration of the physical properties of each pattern.
물성은 위사 강도(Stretch Weft), 경사 강도(Stretch Warp), 바이어스 신축성(Shear), 굽힘 강도(Bending), 굽힘 강도(Bending), 좌굴점(Buckling ratio), 좌굴점(Buckling ratio) 강도, 내부 댐핑, 밀도(Density), 마찰 계수(Friction Coefficient) 등을 포함한다. 각 물성에 대한 개별적인 설명은 후술한다.The physical properties are as follows: Stretch Weft, Stretch Warp, Bias Shear, Bending, Bending, Buckling Ratio, Buckling Ratio Strength, Damping, density, friction coefficient, and the like. A description of each property will be given later.
도 3는 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 방법의 세부적인 흐름을 도시한다.FIG. 3 shows a detailed flow of a pattern physical property changing method according to an embodiment.
도 1 및 도 2에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 1 and 2 will not be described.
일 실시예에 있어서, 물성 변경 단계(S20)는 깎기 단계(S21)를 포함한다. 깎기 단계(S21)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께의 백분율을 조절한다. 위사 강도(Stretch Weft), 경사 강도(Stretch Warp), 굽힘 강도(Bending), 좌굴점(Buckling ratio), 좌굴점(Buckling ratio) 강도, 내부 댐핑, 밀도(Density), 마찰 계수(Friction Coefficient) 등을 포함하는 물성 값은 조절된 백분율에 따라 선형적으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 패턴의 두께를 50퍼센트로 조절하면 전술한 물성 값은 기존의 물성값의 0.5배가 된다. In one embodiment, the property changing step S20 includes a cutting step S21. The cutting step S21 adjusts the percentage of the thickness of the property changing area set on the first pattern. Stretch Weft, Stretch Warp, Bending, Buckling Ratio, Buckling Ratio Strength, Internal Damping, Density, Friction Coefficient, etc. May be changed linearly according to the adjusted percentage. For example, if the thickness of the pattern is adjusted to 50 percent, the above-mentioned property value becomes 0.5 times the existing property value.
바이어스 신축성(Shear)의 경우에는 변화된 백분율의 세제곱에 비례하여 변경될 수 있다. 예를 들어, 패턴의 두께를 50퍼센트로 조절하면 바이어스 신축성(Shear)은 기존 값의 0.5^3배가 된다.In case of Bias Stretch (Shear), it can be changed in proportion to the cube of the changed percentage. For example, if you adjust the pattern thickness to 50 percent, the bias shear will be 0.5 ^ 3 times the original value.
도 4는 덧대기 단계(S21)를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.Fig. 4 shows an example for explaining overwriting step S21.
물성 변경 영역 설정 단계(S10)에서 물성 변경 영역이 설정되고 물성 변경 단계(S20)에서 물성 변경 영역의 물성은 변경된다. 이때 물성은 위사 강도(Stretch Weft), 경사 강도(Stretch Warp), 바이어스 신축성(Shear), 굽힘 강도(Bending), 굽힘 강도(Bending), 좌굴점(Buckling ratio), 좌굴점(Buckling ratio) 강도, 내부 댐핑, 밀도(Density), 마찰 계수(Friction Coefficient) 등을 포함한다. 도 4에 도시된 실시예에서 각 물성은 스크롤바의 좌우 움직임으로 조절된다. 이에 한정되는 것은 아니고, 물성의 수치를 직접 입력받는 것도 가능하다. 각 물성들은 상호간에 서로 영향을 미칠 수 있으며, 모든 물성의 수치가 혼합되어 패턴에 표현된다.The property changing area is set in the property changing area setting step S10 and the property of the property changing area is changed in the property changing step S20. In this case, the physical properties are the weft strength, Stretch warp, bias shear, bending strength, bending strength, buckling strength, buckling strength, Internal damping, density, friction coefficient, and the like. In the embodiment shown in Fig. 4, each property is adjusted to the left and right movement of the scroll bar. The present invention is not limited to this, and it is also possible to directly input numerical values of physical properties. Each property can interact with each other, and all physical properties are mixed and expressed in a pattern.
내부 댐핑은 의상이 찰랑 거릴 때 늘어나거나 줄어드는 속도에 대한 반발력의 정도를 나타낸다. 내부 댐핑 값이 높으면 패턴은 물속에 있는 것처럼 느리게 움직인다. 내부 댐핑 값이 낮으면 패턴은 빠르게 움직인다.The internal damping represents the degree of repulsive force on the speed at which the garment stretches or shrinks. If the internal damping value is high, the pattern moves slowly as if it were in water. If the internal damping value is low, the pattern moves quickly.
밀도(Density)는 단위 면적당 패턴의 무게를 나타낸다. 밀도(Density)가 클수록 패턴은 무거워진다.Density represents the weight of the pattern per unit area. The larger the density, the heavier the pattern becomes.
마찰 계수(Friction Coefficient)는 패턴의 마찰력을 조절하기 위해 사용된다. 마찰력은 패턴과 패턴사이의 마찰 뿐만 아니라, 아바타의 패턴 사이의 마찰 모두에 영향을 준다.Friction Coefficient is used to control the frictional force of the pattern. The frictional force affects both the friction between the pattern of the avatar as well as the friction between the pattern and the pattern.
도 5는 위사, 경사, 바이어스 강도를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.Fig. 5 shows an example for describing weft, warp, and bias strength.
패턴은 씨실과 날실로 직조되고, 세로 방향을 식서, 가로 방향을 푸서, 대각선 방향을 바이어스 방향이라 한다. The pattern is woven with weft yarns and warp yarns, the longitudinal direction is closed, the lateral direction is pulled, and the diagonal direction is called the bias direction.
위사 강도(Stretch Weft)는 패턴의 푸서, 즉 가로 방향으로 늘어나는 정도를 의미한다. 달리 표현하면, 위사 강도(Stretch Weft)는 가로 방향의 신축에 대한 반발력의 세기를 의미한다. 위사 강도(Stretch Weft)의 설정치가 작을수록 가로 방향으로 잘 늘어난다.Stretch Weft means the degree of stretching of the pattern in the direction of the spreader. Stretch Weft, in other words, means the strength of the repulsive force against stretching in the transverse direction. The smaller the set value of the weft strength (Stretch Weft), the better the stretch in the horizontal direction.
경사 강도(Stretch Warp)는 패턴의 식서, 즉 세로 방향으로 늘어나는 정도를 의미한다. 달리 표현하면, 경사 강도(Stretch Warp)는 세로 방향의 신축에 대한 반발력의 세기를 의미한다. 경사 강도(Stretch Warp)의 설정치가 작을수록 세로 방향으로 잘 늘어난다.Stretch warp means the degree of elongation in the longitudinal direction of the pattern. In other words, Stretch Warp means the strength of the repulsive force against stretching in the longitudinal direction. The smaller the set value of the warp strength (Stretch Warp), the more it stretches in the vertical direction.
바이어스 신축성(Shear)은 패턴의 바이어스 즉 대각선 방향으로 늘어나는 정도를 의미한다. 달리 표현하면, 바이어스 신축성(Shear)은 대각선 방향의 신축에 대한 반발력의 세기를 의미한다. 바이어스 강도의 설정치가 작을수록 대각선 방향으로 잘 늘어난다.Bias Elasticity (Shear) means the bias of the pattern, i.e., the diagonal extent of the pattern. In other words, the bias elasticity (shear) means the strength of the repulsive force against the expansion and contraction in the diagonal direction. The smaller the set value of the bias strength is, the more it extends in the diagonal direction.
바이어스 신축성(Shear)을 위사 강도(Stretch Weft) 및 경사 강도(Stretch Warp)와 같은 비율로 하면, 면이나 데님과 같이 구김이 잘 가는 소재를 표현할 수 있다. 바이어스 강도를 위사 강도(Stretch Weft) 및 경사 강도(Stretch Warp)에 비해 낮게 설정하면 저지, 실크와 같이 신축성이 좋은 소재를 표현할 수 있다.When the bias elasticity (Shear) is set at a ratio such as the Stretch Weft and the Stretch Warp, it is possible to express a wrinkle-like material such as cotton or denim. If the bias strength is set lower than the weft strength (Stretch Weft) and the warp strength (Stretch Warp), it is possible to express a stretchable material such as a jersey or silk.
제 1 패턴 및 제 2 패턴이 합성되는 경우, 합성되는 영역의 경사 강도(Stretch Warp)는 제 1 패턴의 경사 강도(Stretch Warp) 및 제 2 패턴의 경사 강도(Stretch Warp)의 합으로 합성될 영역의 경사 강도(Stretch Warp)가 산출된다. 3개 이상의 패턴이 합성되는 경우에는 각 패턴의 경사 강도(Stretch Warp)의 합으로 합성된 영역의 경사 강도(Stretch Warp)가 산출된다.When the first pattern and the second pattern are synthesized, the slope strength (Stretch Warp) of the synthesized region is the sum of the slope strength (Stretch Warp) of the first pattern and the slope strength (Stretch Warp) (Stretch Warp) is calculated. When three or more patterns are synthesized, the slope strength (Stretch Warp) of the area synthesized by the sum of the slope strengths (Stretch Warp) of each pattern is calculated.
제 1 패턴 및 제 2 패턴이 합성되는 경우, 합성되는 영역의 위사 강도(Stretch Weft)는 제 1 패턴의 위사 강도(Stretch Weft) 및 제 2 패턴의 위사 강도(Stretch Weft)의 합으로 합성될 영역의 위사 강도(Stretch Weft)가 산출된다. 3개 이상의 패턴이 합성되는 경우에는 각 패턴의 위사 강도(Stretch Weft)의 합으로 합성된 영역의 위사 강도(Stretch Weft)가 산출된다.When the first pattern and the second pattern are synthesized, the weft intensity of the synthesized region is calculated as the sum of the weft intensity of the first pattern and the weft intensity of the second pattern, (Stretch Weft) is calculated. When three or more patterns are synthesized, the weft strength of the synthesized region is calculated by summing the weft intensities of the respective patterns.
동일한 물성을 가지는 n개의 패턴이 합성되는 경우, 합성되는 영역의 바이어스 신축성(Shear)은 n3* 패턴의 바이어스 신축성(Shear)으로 산출된다. When n patterns having the same physical properties are synthesized, the bias elongation (Shear) of the synthesized region is calculated as a bias elasticity (shear) of the n 3 * pattern.
도 6은 굽힘 강도(Bending)를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.Fig. 6 shows an example for explaining the bending strength (Bending).
굽힘 강도(Bending)는 패턴의 뻣뻣한 정도, 즉 굳고 꿋꿋한 정도를 의미한다. 굽힘 강도(Bending)가 높을수록 패턴은 잘 굽어지지 않는다. 굽힘 강도(Bending)는 가로 방향 굽힘 강도(Bending Weft) 및 세로 방향 굽힘 강도(Bending Warp)를 포함한다. 가로 방향 굽힘 강도(Bending Weft)는 가로 방향으로 굳고 꿋꿋한 정도를 의미한다. 세로 방향 굽힘 강도(Bending Warp)는 세로 방향으로 굳고 꿋꿋한 정도를 의미한다.Bending refers to the stiffness of the pattern, that is, the degree of firmness and stiffness. The higher the bending strength, the less the pattern will bend. The bending strength (Bending) includes a transverse bending strength (Bending Weft) and a longitudinal bending strength (Bending Warp). The transverse bending strength (Bending Weft) means the degree of firmness and firmness in the transverse direction. The longitudinal bending strength (Bending Warp) means firmness and firmness in the longitudinal direction.
굽힘 강도(Bending)의 값이 높으면 데님이나 가죽과 같이 뻣뻣한 소재를 표현할 수 있다. 굽힘 강도(Bending)의 값이 낮을수록 실크와 같이 드레이프성이 좋은 소재를 표현할 수 있다. 도 6을 참조하면, 굽힘강도가 70인 패턴은 굽힘 강도(Bending)가 10인 패턴보다 덜 굽어짐을 확일 할 수 있다.A higher value of bending can represent stiff material such as denim or leather. The lower the value of bending strength, the better the material can be expressed as silk-like drape. Referring to FIG. 6, it can be seen that a pattern having a bending strength of 70 is less bent than a pattern having a bending strength (Bending) of 10.
n개의 패턴이 합성되는 경우 합성될 영역의 굽힘 강도(Bending)는 n*각 패턴의 굽힘 강도(Bending)로 산출될 수 있다.When n patterns are synthesized, the bending strength (Bending) of the region to be synthesized can be calculated as the bending strength (Bending) of n * each pattern.
도 7은 좌굴점 및 좌굴 강도(Buckling stiffness)를 설명하기 일 예를 도시한다.FIG. 7 shows an example of explaining the buckling point and the buckling stiffness.
좌굴점(Buckling ratio)은 일정 이상의 힘이 가해지지 않는 경우 원단이 휘지 않고 본래의 상태를 유지하다가 일정 이상의 힘이 가해지면 그 순간부터 원단이 쉽게 휘어지는 정도이다. 좌굴점(Buckling ratio)이 클수록 실크 저지와 같이 적은 힘에도 잘 휘어지는 소재가 된다. 좌굴점(Buckling ratio)이 작아질수록 데님, 울과 같이 어느 정도의 힘을 가해야만 휘어지는 소재가 된다. 좌굴점(Buckling ratio)은 가로 방향의 좌굴점(Buckling ratio Weft) 및 세로 방향의 좌굴점(Buckling ratio Warp)을 포함한다.The buckling ratio is such that if the force does not exceed a certain level, the fabric will not bend and maintain its original state, and if the force exceeds a certain level, the fabric will easily bend from that moment. The larger the buckling ratio, the better the material will bend even with less force, such as silk jersey. As the buckling ratio becomes smaller, it becomes a bending material when a certain amount of force is applied, such as denim or wool. The buckling ratio includes a buckling ratio Weft in the horizontal direction and a buckling ratio warp in the vertical direction.
n개의 패턴이 합성되는 경우 합성될 영역의 좌굴점(Buckling ratio)은 각 패턴의 좌굴점의 합으로 산출될 수 있다.When n patterns are synthesized, the buckling ratio of the area to be synthesized can be calculated as the sum of buckling points of each pattern.
좌굴 강도 (Buckling stiffness)는 외부 힘의 몇 퍼센트를 힘에 의해 실제 굽어진 부분에 사용할지의 정도이다. 예를 들어, 굽힘 강도(Bending) 60에 좌굴 강도 (Buckling stiffness) 80이 입력되면, 패턴의 실제 굽어진 부분의 실제 강도는 굽힘 강도(Bending) 60의 80퍼센트인 48이다. 좌굴 강도 (Buckling stiffness)가 클수록 외부 힘에 의해 패턴의 굽어진 부분의 굽어진 정도가 작아진다. 좌굴 강도 (Buckling stiffness)가 작을수록 외부 힘에 의해 패턴의 굽어진 부분의 굽어진 정도가 커진다.Buckling stiffness is the degree to which a percentage of the external force is applied to the actual bend by force. For example, when a buckling stiffness of 80 is entered at a bending strength of 60, the actual strength of the actual bent portion of the pattern is 48, which is 80 percent of the bending strength (Bending). The greater the buckling stiffness, the smaller the degree of bending of the bent portion of the pattern due to the external force. The smaller the buckling strength (buckling stiffness), the greater the degree of bending of the curved portion of the pattern due to the external force.
n개의 패턴이 합성되는 경우 합성된 영역의 좌굴 강도 (Buckling stiffness)는 각 패턴의 좌굴 강도 (Buckling stiffness)의 합으로 산출될 수 있다. 좌굴 강도 (Buckling stiffness)는 가로 방향의 좌굴 강도 (Buckling stiffness Weft) 및 세로 방향의 좌굴 강도 (Buckling stiffness Warp)를 포함한다.When n patterns are synthesized, the buckling stiffness of the synthesized region can be calculated as the sum of buckling stiffness of each pattern. Buckling stiffness includes Buckling stiffness Weft and Buckling stiffness Warp in the longitudinal direction.
도 7을 참조하면, 좌굴 강도가 큰 오른쪽 패턴의 굽어진 정도가 왼쪽 패턴의 굽어진 정도보다 작음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 7, it can be seen that the degree of bending of the right pattern having a large buckling strength is smaller than the degree of bending of the left pattern.
도 8은 깎기 단계(S21)를 설명하기 위한 일 예를 도시한다.Fig. 8 shows an example for illustrating the cutting step S21.
도 8에 도시된 것처럼, 깎기 단계(S21)에서는 패턴 두께의 백분율을 스크롤바로 조절할 수 있다. 현재 패턴의 두께를 100으로 하여 100이하의 수치로 조절될 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니고 현재 패턴의 두께가 100인 경우 100 이상의 수치로 조절될 수 있다. 두께가 조절되는 경우 각 물성 값은 조절된 두께의 비율에 비례하여 조절된다. 예를 들어, 두께가 0.5배 즉 절반이 된다면 모든 물성값은 절반이 된다.As shown in Fig. 8, in the cutting step S21, the percentage of the pattern thickness can be adjusted by a scroll bar. The thickness of the current pattern can be adjusted to a value of 100 or less with a thickness of 100. The present invention is not limited to this and can be adjusted to a value of 100 or more when the thickness of the current pattern is 100. When the thickness is adjusted, each property value is adjusted in proportion to the ratio of the adjusted thickness. For example, if the thickness is 0.5 times, or half, all property values are half.
도 9는 일 실시예에 따른 패턴 물성 변경 장치의 구성을 도시한다.Fig. 9 shows a configuration of a pattern property changing apparatus according to an embodiment.
컴퓨팅 요소와 패턴 및 드레이핑된 디지털 의상 객체를 저장하는 저장 요소를 포함하는 패턴 물성 변경 장치에 있어서, 패턴 물성 변경 장치는 물성 변경 영역 설정부(110), 물성 변경부(120)를 포함한다. A pattern property changing apparatus comprising a computing element and a storage element for storing a pattern and a draped digital garment object, wherein the pattern property changing apparatus includes a property changing area setting unit (110) and a property changing unit (120).
컴퓨팅 요소와 패턴 및 드레이핑된 디지털 의상 객체를 저장하는 저장 요소는 도 9에 도시된 저장부(140)이다.The storage element that stores the computing elements and the pattern and the draped digital garment object is the
일 실시예에 있어서, 물성 변경 영역 설정부(110)는 제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정한다. 도 9에 도시되지 않았지만, 사용자 인터페이스부는 물성 변경 영역 설정부(110)를 포함할 수 있다. 사용자는 사용자 인터페이스부를 통해 물성을 변경하려는 제 1 패턴 상의 소정의 영역을 설정할 수 있다. 사용자 인터페이스부(100)는 하드웨어 측면에서 키보드, 마우스, 터치 펜 등의 입력 장치를 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스부(100)는 소프트웨어 측면에서 디지털 의상 객체 생성 방법이 구현된 컴퓨터 프로그램일 수 있다.In one embodiment, the property changing
제 1 패턴은 임의의 패턴으로 물성 변경 대상이 되는 패턴이다. 제 1 패턴 상의 소정의 영역은 패턴 전체가 될 수 있고 패턴의 일부가 될 수 있다. 제 1 패턴 상의 물성 변경 영역은 하나의 영역일 수 있지만, 이에 한정되지 않고 복수의 영역일 수 있다.The first pattern is a pattern to which the physical property is to be changed in an arbitrary pattern. The predetermined area on the first pattern can be the entire pattern and can be a part of the pattern. The physical property changing region on the first pattern may be one region, but is not limited thereto and may be a plurality of regions.
일 실시예에 있어서, 물성 변경부(120)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 제 2 패턴이 합성되도록 하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경한다. 물성 변경부(120)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 물성을 2가지 방법으로 변경한다. 한가지는 두 개의 패턴을 합성하는 것이고, 다른 하나는 물성 변경 영역의 두께를 조절하는 것이다.In one embodiment, the physical
일 실시예에 있어서, 소정의 영역은 선 또는 면이다. 소정의 영역은 전술한 것처럼 패턴 상에서 물성이 변경되는 영역이다. 소정의 영역은 패턴 상의 선일 수 있다. 선은 하나 이상 선택될 수 있다. 물성 변경 영역 설정 단계(S10)에서 입력된 소정의 영역은 제 1 패턴 상에 존재 한다면 제한이 없다. 예를 들어, 물성 변경 영역 설정 단계(S10)는 제 1 패턴의 가장 자리에 있는 선을 소정의 영역으로 입력 받아 물성 변경 영역으로 설정한다.In one embodiment, the predetermined area is a line or a face. The predetermined region is an area where physical properties are changed on the pattern as described above. The predetermined area may be a line on the pattern. More than one line can be selected. There is no limitation as long as the predetermined region inputted in the physical property changing region setting step S10 exists on the first pattern. For example, in the physical property changing area setting step (S10), a line at the edge of the first pattern is input as a predetermined area, and is set as the physical property changing area.
소정의 영역은 패턴 상에 존재하는 면일 수 있다. 면은 하나 이상 선택될 수 있다. 선택된 면이 패턴 상에 존재 한다면, 크기와 모양에 제한은 없다.The predetermined area may be a surface existing on the pattern. One or more faces can be selected. If the selected face is present on the pattern, there is no restriction on the size and shape.
일 실시예에 있어서, 물성 변경부(120)는 덧대기부(121)를 포함한다. 덧대기부(121)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 합성될 제 2 패턴의 물성을 설정한다. 제 2 패턴의 물성 뿐만 아니라 제 1 패턴의 물성도 설정할 수 있다. 제 2 패턴의 물성은 제 1 패턴 상에 물성 변경 영역을 설정된 후에 설정될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 물성 변경 영역에 합성될 제 2 패턴의 물성이 설정되면, 제 1 패턴의 물성 및 제 2 패턴의 물성을 고려하여 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된다.In one embodiment, the
새로운 물성이 산출된 이후에도 제 1 패턴 및 제 2 패턴 중 적어도 하나의 물성을 변경할 수 있다. 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된 이후에 제 1 패턴 및 제 2 패턴 중 적어도 하나의 물성이 변경되는 경우, 물성 변경 영역의 물성은 재산출된다.The physical properties of at least one of the first pattern and the second pattern can be changed even after new properties are calculated. When the physical properties of at least one of the first pattern and the second pattern are changed after the new physical properties of the property changing area are calculated, the physical properties of the property changing area are re-calculated.
덧대기부(121)는 두개의 패턴을 합성하여 물성을 산출할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상의 패턴을 합성해서 물성을 산출할 수 있다. 3개 이상의 패턴이 합성되는 경우, 각 패턴의 물성을 고려하여 물성 변경 영역의 새로운 물성이 산출된다.The
물성은 위사 강도(Stretch Weft), 경사 강도(Stretch Warp), 바이어스 신축성(Shear), 굽힘 강도(Bending), 굽힘 강도(Bending), 좌굴점(Buckling ratio), 좌굴점(Buckling ratio) 강도, 내부 댐핑, 밀도(Density), 마찰 계수(Friction Coefficient) 등을 포함한다. 각 물성에 대한 개별적인 설명은 전술하였다. 패턴이 합성되을 때 합성되 영역의 물성 값을 산출하는 방법은 전술하였다.The physical properties are as follows: Stretch Weft, Stretch Warp, Bias Shear, Bending, Bending, Buckling Ratio, Buckling Ratio Strength, Damping, density, friction coefficient, and the like. Individual descriptions of each property have been described above. The method of calculating the property value of the synthesized region when the pattern is synthesized has been described above.
일 실시예에 있어서, 물성 변경부(120)는 깎기부(122)를 포함한다. 깎기부(122)는 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께의 백분율을 조절한다. 위사 강도(Stretch Weft), 경사 강도(Stretch Warp), 굽힘 강도(Bending), 굽힘 강도(Bending), 좌굴점(Buckling ratio), 좌굴점(Buckling ratio) 강도, 내부 댐핑, 밀도(Density), 마찰 계수(Friction Coefficient) 등을 포함하는 물성 값은 조절된 백분율에 따라 선형적으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 패턴의 두께를 50퍼센트로 조절하면 전술한 물성 값은 기존의 물성값의 0.5배가 된다. In one embodiment, the
바이어스 신축성(Shear)의 경우에는 변화된 백분율의 세제곱에 비례하여 변경될 수 있다. 예를 들어, 패턴의 두께를 50퍼센트로 조절하면 바이어스 신축성(Shear)은 기존 값의 0.5배가 된다.In case of Bias Stretch (Shear), it can be changed in proportion to the cube of the changed percentage. For example, if you adjust the pattern thickness to 50 percent, the bias shear will be 0.5 times the original value.
이상에서 본 발명을 첨부된 도면을 참조하는 실시예들을 통해 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니며, 이들로부터 당업자라면 자명하게 도출할 수 있는 다양한 변형예들을 포괄하도록 해석되어야 한다. 특허청구범위는 이러한 변형예들을 포괄하도록 의도되었다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and similarities that may occur to those skilled in the art. The claims are intended to cover such modifications.
110: 물성 변경 영역 설정부
120: 물성 변경부
121: 덧대기부
122: 깎기부
140: 저장부110: Property changing area setting unit
120: Property changing section
121: Pad donation
122:
140:
Claims (8)
제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정하는 물성 변경 영역 설정 단계; 및
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 하나 이상의 패턴을 합성하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경하는 물성 변경 단계; 를 포함하되,
상기 물성 변경 단계는
상기 제 1 패턴 및 합성되는 하나 이상의 패턴의 물성을 고려하여 설정된 물성 변경 영역의 새로운 물성을 산출하는 물성 산출 단계;
포함하는 패턴 물성 변경 방법.
CLAIMS What is claimed is: 1. A method for changing pattern properties that is executable by a computing device comprising a computing element and a storage element storing a pattern and a draped digital garment object,
A property change area setting step of setting a property change area by receiving at least one predetermined area on the first pattern; And
The physical property modifying step of synthesizing one or more patterns, or to change the physical properties of the first property set by adjusting the thickness of the changing property are set on the pattern region to change the area on the physical properties change area set on the first pattern; , ≪ / RTI &
The physical property changing step
A physical property calculating step of calculating a new physical property of the property changing area set in consideration of physical properties of the first pattern and the one or more patterns to be synthesized ;
How to change the pattern properties to include.
선 또는 면인
패턴 물성 변경 방법.
The method of claim 1, wherein the predetermined region is
Line or face
How to change pattern properties.
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 합성될 하나 이상의 패턴의 물성을 설정하는 덧대기 단계; 를
포함하는 패턴 물성 변경 방법.
The method of claim 1, wherein the physical property modifying step
An overwriting step of setting a physical property of at least one pattern to be synthesized in a property change area set on the first pattern; To
How to change the pattern properties to include.
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께의 백분율을 조절하는 깎기 단계; 를
포함하는 패턴 물성 변경 방법.
The method of claim 1, wherein the physical property modifying step
A shaving step of adjusting a percentage of the thickness of the property changing area set on the first pattern; To
How to change the pattern properties to include.
제 1 패턴 상의 하나 이상의 소정의 영역을 입력 받아 물성 변경 영역을 설정하는 물성 변경 영역 설정부; 및
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 하나 이상의 패턴을 합성 하거나, 제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께를 조절하여 설정된 물성 변경 영역의 물성을 변경하는 물성 변경부; 를 포함하되,
상기 물성 변경부는
상기 제 1 패턴 및 합성되는 하나 이상의 패턴의 물성을 고려하여 설정된 물성 변경 영역의 새로운 물성을 산출하는 물성 산출부를 포함하는 패턴 물성 변경 장치.
1. A pattern property altering device comprising a computing element and a storage element for storing a pattern and a draped digital costume object,
A property changing area setting unit configured to set a property changing area by receiving at least one predetermined area on the first pattern; And
Part 1 Physical Properties of synthesizing one or more patterns in the physical properties change area set on the pattern, or change the physical properties of the change area set properties by controlling the thickness of the physical property change area set on the first pattern change; , ≪ / RTI &
The physical property changing unit
And a physical property calculating unit for calculating a new physical property of the property changing region set in consideration of the physical properties of the first pattern and the one or more patterns to be synthesized.
선 또는 면인 패턴 물성 변경 장치.
6. The method of claim 5,
Line or plane pattern property changing device.
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역에 합성될 하나 이상의 패턴의 물성을 설정하는 덧대기부; 를
포함하는 패턴 물성 변경 장치.
The method according to claim 5, wherein the property changing unit
A padding unit for setting physical properties of one or more patterns to be synthesized in a property change area set on a first pattern; To
Comprising pattern property changing devices.
제 1 패턴 상에 설정된 물성 변경 영역의 두께의 백분율을 조절하는 깎기부; 를
포함하는 패턴 물성 변경 장치.
The method according to claim 5, wherein the property changing unit
A cutter for adjusting a percentage of the thickness of the property changing area set on the first pattern ; To
Comprising pattern property changing devices.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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KR20060108271A (en) * | 2006-09-27 | 2006-10-17 | 곽노윤 | Photorealistic Virtual Draping Simulation Method for Digital Fashion Design |
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-
2015
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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