KR101682520B1 - Inspection apparatus and method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 검사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 피처리물의 결함을 검사함에 있어 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양하게 검사할 수 있는 검사장치 및 이에 적용되는 피처리물 검사방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection apparatus, and more particularly, to an inspection apparatus capable of variously inspecting defects of an object to be treated in a single apparatus in inspecting defects of the object to be processed, .
액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등의 평판표시장치는 서로 대향되는 하부 기판과 상부 기판을 구비하고, 이들 사이에는 액정층이나 유기물층 등이 충진된다. 하부 기판에는 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인이 매트릭스 구조로 형성되며, 이들 사이에는 복수개의 화소가 형성된다. 화소를 개별 구동하기 위하여 각 화소마다 박막 트랜지스터 등의 동작 소자 예컨대 스위칭 소자가 형성된다.BACKGROUND ART A flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting display (OLED) has a lower substrate and an upper substrate facing each other. A liquid crystal layer, an organic layer, Lt; / RTI > In the lower substrate, a plurality of gate lines and data lines are formed in a matrix structure, and a plurality of pixels are formed therebetween. In order to individually drive the pixels, an operation element such as a thin film transistor, for example, a switching element is formed for each pixel.
한편, 평판표시장치를 제조하는 과정 중에, 하부 기판의 화소, 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등에 이물이 부착되거나 단락 또는 단선되는 등의 각종 결함이 생성되면, 해당 화소가 정상 동작하지 않는다. 따라서, 평판표시장치의 하부 기판에 복수개의 화소, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터 등이 형성되면, 하부 기판의 결함을 검사하여, 확인되는 결함을 리페어하는 일련의 과정을 실시한다.On the other hand, if various defects such as a foreign matter adhering to a pixel, a gate line, a data line, a thin film transistor, or the like are generated during the process of manufacturing the flat panel display, the corresponding pixel does not operate normally. Accordingly, when a plurality of pixels, a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like are formed on a lower substrate of a flat panel display, a defect of the lower substrate is inspected and a series of processes of repairing the confirmed defect is performed.
종래에는 기판의 결함을 검사하는 다양한 과정이 하나의 장치가 아니라 서로 다른 각각의 장치에서 실시하였고, 이에 공정의 효율이 저하되어 전체 공정의 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.Conventionally, various processes for inspecting defects of a substrate have been performed in different apparatuses instead of one apparatus, and the efficiency of the process has been lowered, thereby lowering the productivity of the entire process.
본 발명은 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양한 방식으로 검사할 수 있는 검사장치 및 피처리물 검사방법을 제공한다.The present invention provides an inspection apparatus and a method for inspecting an object to be inspected, which can inspect defects of an object to be processed in various apparatuses in one apparatus.
본 발명은 피처리물의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있는 검사장치 및 피처리물 검사방법을 제공한다.The present invention provides an inspection apparatus and a method for inspecting an object to be inspected, which can generate and classify and store various defect information of an object to be processed simultaneously or sequentially.
본 발명의 실시 형태에 따른 검사장치는 피처리물을 지지 가능하도록 형성되는 지지부; 상기 지지부의 상측에 배치되고, 레이저 빔을 이용하여 상기 피처리물의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능한 제거부; 상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 피처리물의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성되는 검사부; 상기 지지부의 상측에서 상기 검사부를 향하여 배치되어 상기 검사부를 관찰 가능한 광학부; 및 상기 광학부에서 관찰되는 이미지를 이용하여 상기 검사부의 이동을 제어 가능하도록 형성되는 제어부;를 포함한다.An inspection apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support portion configured to support an object to be processed; A remover disposed above the support and capable of selectively removing a portion of the film formed on the object using the laser beam; An inspection unit disposed above the support unit and configured to be able to transmit and receive a signal in contact with the element of the object to be processed; An optical unit disposed above the supporting unit toward the inspection unit and observing the inspection unit; And a control unit configured to control the movement of the inspection unit using an image observed by the optical unit.
상기 지지부의 상측에 배치되며, 전자빔을 이용하여 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능한 제1관찰부; 및 상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 제1관찰부보다 낮은 배율로 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성 가능한 제2관찰부;를 포함할 수 있다.A first observation unit disposed above the support unit and capable of generating at least one of image information and component information of the object using an electron beam; And a second observation unit disposed above the support unit and capable of generating three-dimensional image information of the object to be processed at a lower magnification than the first observation unit.
상부에 상기 지지부가 위치하는 테이블; 및 상기 테이블에 설치되며, 상기 제거부, 검사부, 광학부, 제1관찰부 및 제2관찰부가 장착되어 지지되는 장착부;를 포함할 수 있다.A table on which the support portion is located; And a mounting part installed on the table, wherein the removing part, the inspection part, the optical part, the first observation part and the second observation part are mounted and supported.
상기 검사부는 상기 지지부를 향하여 하향 경사지게 배치되는 복수개의 프로브를 구비할 수 있다.The inspection unit may include a plurality of probes arranged to be inclined downward toward the support unit.
상기 제어부는, 상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하고, 상기 프로브의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브와 상기 피처리물의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 동작 제어부;를 포함할 수 있다.The controller generates end coordinates of the probe from the image of the probe observed by the optical unit, determines whether or not the probe and the object to be processed are in contact with each other by comparing the end coordinates of the probe with the reference coordinates, And an operation controller for controlling the movement of the probe using the probe.
상기 제어부는 상기 제1관찰부 및 제2관찰부에서 생성되는 정보들과, 상기 검사부의 검사 결과 정보를 입력받아 분류하는 수집부; 및 상기 수집부에서 분류되는 정보들을 입력받아 저장하는 저장부;를 포함할 수 있다.Wherein the control unit comprises: a collecting unit for receiving information generated by the first observation unit and the second observation unit; And a storage unit for receiving and storing information classified by the collecting unit.
상기 제1관찰부는, 내부에 진공이 형성되는 컬럼; 상기 피처리물에 전자빔을 방출 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 전자빔 방출기; 및 상기 피처리물로부터 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 신호 검출기;를 포함할 수 있다.Wherein the first observation portion includes: a column in which a vacuum is formed; An electron beam emitter formed inside the column to emit an electron beam to the object to be processed; And a signal detector formed inside the column to obtain at least one of an electron and an X-ray emitted from the object to be processed.
본 발명의 실시 형태에 따른 피처리물 검사방법은 검사 영역이 확인된 피처리물을 마련하는 과정; 상기 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 상기 검사 영역의 동작 소자 또는 상기 검사 영역에 연결된 동작 소자의 적어도 일부를 노출시키는 과정; 상기 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정; 및 상기 프로브를 통하여 상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정;을 포함한다.A method for inspecting an object to be processed according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing an object to be inspected having an inspection region; Irradiating the object with a laser beam to expose at least a part of the operation element of the inspection area or the operation element connected to the inspection area; Contacting the probe to the exposed position; And checking the operation of the operating element through the probe.
상기 프로브를 접촉시키는 과정은, 상기 노출 위치로 프로브를 이동시키는 과정; 상기 프로브의 움직임을 광학부로 관찰하는 과정; 상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하는 과정; 상기 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브의 접촉 여부를 판단하는 과정; 및 상기 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 과정;을 포함할 수 있다.The step of contacting the probe includes: moving the probe to the exposure position; Observing the motion of the probe with an optical unit; Generating an end coordinate of the probe from the image of the probe observed in the optical unit; Determining whether the probe is in contact with the end coordinates and the reference coordinates; And controlling movement of the probe using the result of the contact determination.
상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정은, 상기 프로브로 상기 동작 소자와 신호를 직접 송수신하며 상기 동작 소자의 동작 여부를 검사하는 과정;을 포함할 수 있다.The step of checking the operation of the operating element may include a step of directly transmitting and receiving a signal to and from the operating element with the probe and checking whether the operating element is operating.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이전에, 상기 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정;을 포함할 수 있다.And checking the defective inspection area by observing the object to be treated prior to the process of preparing the object.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 상기 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정; 상기 전자빔에 의해 상기 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정; 및 상기 신호를 이용하여 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 포함하는 결함 정보를 생성하는 과정;을 포함할 수 있다.Emitting the electron beam to the inspection region after the process of preparing the object to be processed; Collecting a signal emitted from the inspection region by the electron beam; And generating defect information including at least one of image information and component information of the object to be processed in the inspection region using the signal.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 결함 정보로 생성하는 과정;을 포함할 수 있다.And generating three-dimensional image information of the object to be inspected in the inspection region as defect information after the process of preparing the object to be processed.
상기 검사 영역에서의 결함 정보 및 상기 동작 소자의 검사 결과 중 적어도 하나를 입력받아 분류하고 저장하는 과정;을 포함할 수 있다.And receiving and classifying at least one of the defect information in the inspection area and the inspection result of the operating device.
저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 포함할 수 있다.A process of repairing a defect using stored defect information, and a process of tracking and improving a defect generation process using stored defect information.
본 발명의 실시 형태에 따르면 하나의 장치에서 피처리물의 결함을 다양한 방식으로 검사할 수 있고, 피처리물의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있어, 전체 공정의 효율 및 생산성이 향상될 수 있다. 또한, 저장된 결함 정보는 결함을 리페어하는 과정에 활용될 수 있고, 결함의 원인 공정을 추적하여 개선하는 과정에 활용될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to inspect defects of the object to be treated in various ways in one apparatus, and various defect information of the object to be processed can be simultaneously generated or generated in order and classified and stored. Can be improved. In addition, the stored defect information can be utilized in a process of repairing a defect, and can be utilized in a process of tracking and improving the cause of a defect.
예컨대 각종 표시장치를 제조하는 공정에 적용되는 경우, 기판의 결함 영역의 이미지 정보, 성분 정보, 3차원 이미지 정보 및 결함 영역의 소자나 결함 영역에 연결된 소자의 동작 여부를 하나의 장치에서 동시에 또는 연속적으로 검사할 수 있다. 이때, 소자의 동작 여부는 소자와 신호를 직접 송수신하며 보다 정확하게 검사 가능하다.For example, when the present invention is applied to a process for manufacturing various display devices, image information, component information, three-dimensional image information of a defective area of a substrate, and whether an element connected to a defective area or a defective area are operated simultaneously or continuously . At this time, whether or not the device operates can directly transmit and receive the device and the signal, and can be more accurately inspected.
기존 검사 장치들의 경우에는, 인 라인 공정 중 검사를 원하는 소자 하나 하나의 전기적 트랜지스터 특성(Id-Vg graph)을 검사할 수 있는 장치가 없었고, 셀 외곽의 트랜지스터 특성 검사 패턴을 검사하여 셀의 특성을 간접적으로 확인하거나 소자의 오픈(Open) 또는 쇼트(Short) 등의 여부 정도만을 확인할 수 있었다. 반면, 본 발명의 실시 형태에 따른 검사장치를 활용하면, 각 소자의 트랜지스터 특성을 정확히 확인할 수 있기 때문에, 오픈(Open)이나 쇼트(Short) 등의 여부뿐만 아니라 Vth Shift나 Ioff Shift 등의 적기적 소자 특성의 미세한 변화까지 검사가 가능하다.In the case of existing test devices, there was no device capable of inspecting the electrical transistor characteristics (I d -V g graph) of each of the devices that are to be inspected during the in-line process, It was possible to confirm the characteristics indirectly or only whether the device was open or shorted. On the other hand, when the inspection apparatus according to the embodiment of the present invention is used, since the transistor characteristics of each element can be accurately checked, it is possible to determine whether the V th shift or I off shift It is possible to inspect even minute changes in the characteristics of the device.
따라서, 검사의 효율이 향상될 수 있으며, 생성되는 결함 정보를 분류하고 저장하여 데이터베이스화시킬 수 있다. 또한, 결함 정보를 활용하여 결함의 리페어를 효율적으로 실시할 수 있고, 결함의 원인 공정을 추적하여 개선할 수 있다. 이로부터 전체 공정의 효율과 생산성이 종래보다 현저하게 향상될 수 있다.Therefore, the efficiency of inspection can be improved, and the generated defect information can be classified, stored, and converted into a database. In addition, it is possible to efficiently repair the defects by utilizing the defect information, and to track and improve the cause of the defect. From this, the efficiency and the productivity of the entire process can be remarkably improved.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 설명하기 위한 도면.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 설명하기 위한 도면.1 and 2 are views for explaining a testing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 are diagrams for explaining a method of inspecting an object to be processed according to an embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장되거나 확대될 수 있으며, 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in various forms. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The drawings may be exaggerated or enlarged to illustrate embodiments of the invention, wherein like reference numerals refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 도시한 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치의 검사부를 도시한 부분 확대도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시 예가 적용되는 피처리물을 도시한 개략도이며, 도 4는 본 발명의 실시 예가 적용되는 피처리물의 동작을 검사하는 과정을 도시한 모식도이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 도시한 순서도이다.FIG. 1 is a schematic view showing an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially enlarged view showing an inspection unit of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a schematic diagram showing a process of inspecting an operation of an object to be processed to which an embodiment of the present invention is applied, FIG. 3 is a flowchart showing a method of inspecting a material to be inspected according to an embodiment of the present invention. FIG.
먼저, 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 제1축, 제2축 및 제3축을 다음과 같이 정의한다. 제1축은 시료가 지지되는 소정의 면과 평행한 기준 평면 상에서 일 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 x축으로 정의한다. 제2축은 상기의 기준 평면 상에서 일 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 y축으로 정의한다. 제3축은 상기의 기준 평면에 교차하는 방향으로 연장되는 축일 수 있으며, 이를 z축으로 정의한다. 물론, 상기한 축의 정의는 본 발명의 설명을 위한 것이며 제한을 위한 것이 아니다. 따라서, 제1축 내지 제3축은 다양하게 변경될 수 있다.First, to describe the embodiment of the present invention, the first axis, the second axis and the third axis are defined as follows. The first axis may be an axis extending in one direction on a reference plane parallel to a predetermined plane on which the sample is supported, and is defined as an x-axis. The second axis may be an axis extending in a direction intersecting with one direction on the reference plane, and is defined as a y-axis. The third axis may be an axis extending in a direction crossing the reference plane, which is defined as a z-axis. Of course, the definitions of the above axes are for the purpose of illustration of the present invention and are not intended to be limiting. Accordingly, the first axis to the third axis can be variously changed.
다음으로, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 검사장치를 설명한다. 검사장치는 피처리물(10)의 결함을 검사하는 장치로서, 지지부(200), 제거부(400), 검사부(500), 광학부(600) 및 제어부(900)를 포함하고, 테이블(100), 장착부(300), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)를 더 포함할 수 있다. 검사장치는 하나의 장치에서 다양한 방식으로 피처리물(10)의 결함을 검사할 수 있으며, 피처리물(10)의 다양한 결함 정보를 동시에 또는 순서대로 생성하여 분류 및 저장할 수 있다. 저장된 결함 정보는 후속하여 결함을 리페어하는 공정에서 활용될 수 있고, 결함이 발생된 공정의 추적 및 개선에 활용될 수 있다.Next, a testing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig. The inspection apparatus is an apparatus for inspecting defects of an object to be processed 10 and includes a
피처리물(10)은 액정표시장치의 하부 기판일 수 있고, 피처리물(10)의 상부에는 복수개의 게이트 라인(a), 데이터 라인(b)이 매트릭스 구조로 형성될 수 있으며, 이들 사이에는 화소(c)가 형성될 수 있다. 각 화소(c)를 개별 구동하기 위하여 각 화소(c)에는 동작 소자(A)로서 예컨대 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다. 물론, 피처리물(10)은 상기한 바에 한정하지 않으며, LCD, OLED 및 LED 등을 포함하는 각종 표시장치나 태양전지 또는 반도체 칩 등이 제조되는 공정에서, 각종 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 종료된 웨이퍼 또는 유리 패널일 수 있다.The object to be processed 10 may be a lower substrate of a liquid crystal display device and a plurality of gate lines a and data lines b may be formed in a matrix structure on an upper side of the
테이블(100)은 평판 형상으로 형성되는 상부면을 구비하는 예컨대 소정 두께 및 면적의 블록일 수 있다. 테이블(100)은 검사장치의 구조를 안정적으로 지지하는 역할을 한다. 테이블(100)의 상부면에는 지지부(200)가 위치할 수 있다.The table 100 may be a block having a predetermined thickness and area, for example, having a top surface formed in a flat plate shape. The table 100 serves to stably support the structure of the inspection apparatus. The
지지부(200)는 피처리물(10)를 지지 가능하도록 형성될 수 있고, 예를 들어, 피처리물(10)이 지지될 수 있는 소정 형상 및 크기의 지지면을 구비하는 판 타입의 스테이지일 수 있다. 지지부(200)에는 리프트 핀(미도시)이나 진공 척(미도시) 등이 구비되어 피처리물(10)를 안정적으로 지지할 수 있으며, 클램핑 수단(미도시)이 구비되어 피처리물(10)를 제1축 방향 및 제2축 방향으로 정해진 위치에 정확하게 정렬시킬 수 있다. 지지부(200)는 테이블(100)의 상부면에 설치되어 위치가 고정되거나, 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다.The supporting
장착부(300)는 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다. 장착부(300)에는 제거부(400), 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)가 장착되어 지지될 수 있다. 장착부(300)는 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어 테이블(100)의 상부면에 설치되거나, 제1축 방향 및 제2축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있고, 또는, 테이블(100)의 상부면에 설치되어 위치가 고정될 수 있다. 한편, 장착부(300)가 제1축 방향 및 제2축 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 경우 제3축 방향으로의 이동은 지지부(200)에서 제어하도록 구성될 수 있다.The mounting portion 300 may be installed on the upper surface of the table 100. The
예를 들어, 지지부(200)가 테이블(100)의 상부면에 설치되어 그 위치가 고정되면, 장착부(300)는 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 형성되어, 테이블(100)의 상부면에 설치될 수 있다.For example, when the
반면에, 지지부(200)가 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로 이동 가능하도록 테이블(100)의 상부면에 설치되면, 장착부(300)는 테이블(100)의 상부면에 설치되어 그 위치가 고정될 수 있다. 물론, 상기한 방식은 지지부(200) 및 장착부(300)를 서로에 대하여 상대 이동시키기 위한 예시일 뿐이다. 상기한 방식 외에도 지지부(200) 및 장착부(300)를 서로에 대하여 상대 이동시키기 위한 어떠한 방식이 적용되어도 무방하다.On the other hand, when the
장착부(300)는 제1축 부재(310), 제2축 부재(320), 이동블록(330) 및 제3축 부재(340)를 포함할 수 있다. 제1축 부재(310)는 제1축 방향으로 연장 형성되며, 제2축 방향으로 서로 이격되어 제2축 방향으로의 테이블(100)의 양측 가장자리에 설치될 수 있다. 제1축 부재(310)는 제2축 부재(320)를 제1축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 제2축부재(320)는 제2축 방향으로 연장 형성되고, 제1축부재(310)의 상부에서 양측 단부가 제1축부재(310)에 각각 장착될 수 있다. 제2축부재(320)는 이동블록(330)을 제2축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 이동블록(330)은 복수개 구비되며, 제2축 방향으로 이동 가능하도록 제2축부재(320)에 장착될 수 있다.The mounting portion 300 may include a
제3축부재(340)는 제3축 방향으로 연장되어 형성되며, 복수개 구비되어 이동블록(330)에 각각 장착될 수 있다. 제3축부재(340)에는 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700), 제2관찰부(800)가 각각 장착된다. 제3축부재(340)의 형상은 다양하게 변경될 수 있고, 복수개의 제3축부재(340) 중 어느 하나는 판 타입으로 형성되어 검사부(500) 및 광학부(600)가 용이하게 장착될 수 있다. 제3축부재(340)는 검사부(500), 광학부(600), 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)를 제3축 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 한편, 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 이동을 위한 제1축부재(310), 제2축부재(320), 이동블록(330) 및 제3축부재(340) 각각의 세부 구조 및 방식에는 예컨대 리니어 모터의 구조 및 방식이 적용될 수 있다.The
제거부(400)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 예컨대 제2축부재(320)에 제2축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제거부(400)는 레이저 빔을 이용하여 피처리물(10)의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능하도록 형성될 수 있다. 예컨대 제거부(400)는 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 발진기(미도시)와, 파장에 맞는 레이저 빔을 통과시키거나 차단해주는 파장 셔터(미도시)와, 레이저 빔의 파워를 조절해 줄 수 있는 감쇠기(미도시)와, 레이저 빔을 편광 시켜 줄 수 있는 편광기(미도시)와, 레이저 빔의 초점을 형성하는 빔 스플리터(미도시)를 구비할 수 있다. 제거부(400)는 피처리물(10)의 선택 가공될 막(레이어)의 두께와 성분 정보 등을 고려하여 레이저 빔의 파워, 파장, 가공 방식 등의 공정 파라미터를 수립하고 레시피와 시켜 자동 작업이 되도록 하는 방식으로, 피처리물(10)의 상부에 형성된 복수의 막 중 원하는 막을 선택적으로 제거할 수 있다. 제거부(400)의 상기의 구성은 제거부(400)를 설명하기 위한 하나의 예시이며, 제거부(400)의 구성은 레이저 빔의 종류와 파장 영역 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The removing
검사부(500)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 예컨대 판 타입의 제3축부재에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 검사부(500)는 피처리물(10)의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성될 수 있다.The
검사부(500)는 검사부몸체(510), 프로브블록(520) 및 프로브(530)를 포함할 수 있다. 검사부몸체(510)는 복수개 구비되며, 제2축 방향으로 서로 이격되어 제3축부재에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 검사부몸체(510)의 상부는 블록 형상으로 형성되며, 하부는 프로브블록(520)이 장착 가능하도록 판의 형상으로 형성될 수 있다. 복수개의 검사부몸체 중 어느 하나(510a)에는 예컨대 두 개의 프로브블록(520)이 장착될 수 있고, 복수개의 검사부몸체 중 나머지(510b)에는 하나의 프로브블록(520)이 장착될 수 있다. 프로브블록(520)은 복수개 구비되어 방사상으로 배치되며, 제1축 방향 및 제2축 방향 중 적어도 어느 하나의 방향으로 이동 가능하도록 검사부몸체(510)의 하부에 장착될 수 있다. 프로브(530)는 지지부(200)를 향하여 하향 경사지게 배치되도록 프로브블록(520)에 장착될 수 있다. 프로브(530)는 복수개 구비되며 예컨대 본 발명의 실시 예에서는 세 개 구비되어 서로 이격 배치될 수 있다. 물론 프로브(530)의 개수는 프로브(530)가 접촉되는 동작 소자(A)의 전극 개수에 대응하여 다양하게 변경될 수 있다.The
광학부(600)는 지지부(200)의 상측에서 검사부(500)를 향하여 배치될 수 있고, 예컨대 프로브(530)의 단부가 모여있는 위치의 상측으로 정렬되도록 배치될 수 있다. 광학부(600)는 검사부(500)의 이동을 관찰하는 역할을 하며, 예컨대 광학 현미경 또는 이미지 센서일 수 있다. 광학부(600)가 검사부(500)의 이동을 관찰하는 방식은 다음과 같다. 예를 들어, 검사하고자 하는 피처리물(10)의 동작 소자(A)에 광학부(600)의 초점을 형성한다. 프로브(530)가 동작 소자(A)에 접촉하기 위하여 제3축 방향으로 이동하며 동작 소자(A)에 수㎛ 거리 예컨대 3㎛ 내지 5㎛의 거리로 접근하면, 광학부(600)의 초점이 프로브(530)로 전환된다. 프로브(530)로 초점이 전환되면, 관찰되는 이미지를 제어부(900)로 전달하여 프로브(530)의 단부 좌표 생성에 활용한다.The
제1관찰부(700)는 지지부(200)의 상측에 배치되되, 제3축부재(340)에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제1관찰부(700)는 전자빔을 이용하여 피처리물(10)의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능하도록 형성될 수 있고, 컬럼(710), 전자빔 방출기(720), 신호 검출기(730), 홀더(740) 및 투과창(750)을 포함할 수 있다.The
컬럼(710)은 제3축 방향으로 연장되고 내부에 소정의 진공이 형성되며, 일측에 전자빔 투과부가 형성될 수 있다. 컬럼(710)의 내부는 전자빔의 발생과 가속이 가능하도록 소정의 진공으로 제어될 수 있다. 전자빔 방출기(720)는 피처리물(10)에 전자빔을 방출 가능하도록 컬럼(710) 내부에 형성될 수 있다. 전자빔 방출기(720)는 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측으로 전자를 방출하는 전자 방출수단(721), 전자 방출수단(721)에서 방출되는 전자를 빔의 형상으로 집속하며 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측으로 가속시키는 렌즈 모듈(722)을 포함할 수 있다.The
신호 검출기(730)는 피처리물(10)에서 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득하도록 컬럼(710)의 내부에 형성될 수 있고, 예컨대 피처리물(10)에서 방출되어 컬럼(710)의 내부로 수집되는 전자 예컨대 반사전자를 검출하는 제1검출기(731) 및 피처리물(10)에서 방출되어 컬럼(710)의 내부로 수집되는 X선을 검출하는 제2검출기(732)를 포함할 수 있다. 제1검출기(731)는 예컨대 반도체 디텍터일 수 있으며, 컬럼(710)의 전자빔 투과부에 정렬되도록 컬럼(710)의 내부에 배치될 수 있다. 제1검출기(731)의 중앙 영역은 제3축 방향으로 관통되어 전자빔이 통과될 수 있다. 컬럼(710) 내부로 수집되는 반사전자는 제1검출기(731)에서 획득되고, 반사전자로부터 야기되는 전류는 피처리물(10)의 이미지 정보의 생성에 활용한다. 제2검출기(732)는 에너지 분산형 분광 검출기(Energy dispersive X ray spectroscopy Detector, EDS Detector)를 포함할 수 있고, 컬럼(710)의 전자빔 투과부 측을 향하도록 컬럼(710)의 내부에 배치될 수 있다. 제2검출기(732)에서 검출되는 X선의 에너지 세기 및 검출 빈도수를 정량 분석 및 정성 분석하여 피처리물(10)의 성분 정보의 생성에 활용한다.The
홀더(740)는 컬럼(710)의 전자빔 투과부에 탈착 가능하도록 장착되어 컬럼(710)의 내부 진공을 유지하는 역할을 한다. 홀더(740)의 중앙 영역에는 관통구가 형성되고 이를 기밀하게 밀봉하여 투과창(750)이 장착될 수 있다. 투과창(750)은 전자빔, 전자 및 X선 등을 통과시키는 역할을 하며, 예컨대 실리콘 웨이퍼나 실리콘 카바이드 웨이퍼 등의 전도성 웨이퍼일 수 있다. 투과창(750)의 중앙 영역에는 수㎛ 내지 수백㎛ 너비의 비아홀이 형성되며, 이를 밀봉하도록 소정의 멤브레인 예컨대 수㎚ 내지 수백㎚ 두께의 실리콘 나이트라이드 막이 구비될 수 있다. 멤브레인을 통과하여 전자빔이 피처리물(10)로 방출되고 반사전자 및 X선 등이 컬럼(710)의 내부로 수집될 수 있다.The
제2관찰부(800)는 지지부(200)의 상측에 배치되며, 제3축부재(340)에 제3축 방향으로 이동 가능하도록 장착될 수 있다. 제2관찰부(800)는 제1관찰부(700)보다 낮은 배율로 피처리물(10)의 3차원 이미지 정보를 생성하도록 형성될 수 있고, 예컨대 3D 광학 현미경 또는 3D 이미지 센서일 수 있다.The
제어부(900)는 검사장치의 각 구성부에 연결되어 이들의 전체 작동을 제어하도록 제공되는 구성부이며, 특히, 광학부(600)에서 관찰되는 이미지를 이용하여 검사부(500)의 이동을 제어 가능하도록 형성될 수 있고, 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)에서 생성되는 정보들과 검사부(500)의 검사 결과를 분류하고 저장할 수 있도록 형성될 수 있다.The
제어부(900)는 동작 제어부(910), 수집부(920) 및 저장부(930)를 포함할 수 있다. 동작 제어부(910)는 광학부(600)에서 관찰되는 프로브(530)의 이미지로부터 프로브(530)의 단부 좌표를 생성하고, 프로브(530)의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 프로브(530)와 피처리물(10)의 동작 소자(A)의 각 전극들과의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 프로브(530)의 이동을 제어할 수 있다. 여기서, 기준 좌표는 프로브(530)가 접촉하고자 하는 동작 소자(A)의 각 전극들의 제1축 방향 및 제2축 방향으로의 좌표일 수 있다.The
동작 제어부(910)가 프로브(530)의 접촉 여부를 판단하는 원리는 다음과 같다. 예컨대 프로브(530)가 동작 소자(A)의 상측에 정렬된 상태에서 제3축 방향으로 이동하며 동작 소자(A) 측으로 접근하는 동안에는 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 일치된다. 반면, 동작 소자(A)의 각 전극에 프로브(530)가 접촉되면 접촉에 의하여 프로브(530)의 단부가 제1축 방향 및 제2축 방향 중 적어도 하나의 방향으로 수 ㎛ 또는 수 ㎚ 이동하게 된다. 따라서, 프로브(530)가 피처리물(10)의 동작 소자(A)에 접촉하는 경우, 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 달라지게 된다. 이의 경우에 동작 제어부(910)는 프로브(530)가 동작 소자(A)에 접촉하였음을 판단하여 프로브(530)의 이동을 정지시킨다.The principle that the
상기와 같은 방식에 의하여, 광학부(600)가 프로브(530)의 상측에 배치됨에 따라 그 측정 깊이가 고배율을 가질 수 없음에도 프로브(530)의 접촉 여부를 정확하게 판단할 수 있다.According to the above-described method, since the
수집부(920)는 제1관찰부(700) 및 제2관찰부(800)에서 생성되는 정보들과, 검사부(500)의 검사 결과 정보를 입력받아 이를 분류하는 역할을 한다. 예컨대 제1관찰부(700)에서 생성되는 이미지 정보로부터 결함의 형태적인 정보를 생성하여 각 형태별로 분류할 수 있다. 또한, 제1관찰부(700)에서 생성되는 성분 정보로부터 결함의 정성적인 정보를 생성하여 이를 종류별로 분류할 수 있다. 또한, 제2관찰부(800)에서 생성되는 3차원 이미지 정보를 이용하여 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 결함의 정확한 위치를 생성하여 이를 위치별로 분류할 수 있고, 특히, 제3축 방향으로의 결함의 정확한 위치를 알 수 있어, 피처리물(10)의 상부에 적측 형성된 복수의 막들 중에서 어느 막에 결함이 위치하는 지를 정확하게 알 수 있다. 또한, 검사부(500)에서 생성되는 검사 결과 정보를 이용하여 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작 여부를 결함 정보로서 생성하여 이를 종류별로 분류할 수 있다. 상기의 각 결함 정보들은 수집부(920)에서 취합되고, 이어서 저장부(930)로 입력되어 하나의 테이블로 정리되어 저장될 수 있다.The collecting
다음으로, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법을 설명한다. 이때, 검사장치에 대한 상술한 설명과 중복되는 내용은 생략하거나 간단하게 설명한다.Next, a method for inspecting an object to be inspected according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 5. Fig. At this time, contents overlapping with the above description of the inspection apparatus will be omitted or briefly explained.
본 발명의 실시 예에 따른 피처리물 검사방법은 검사 영역이 확인된 피처리물을 마련하는 과정과, 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 검사 영역의 동작 소자 또는 검사 영역에 연결된 동작 소자의 적어도 일부를 노출시키는 과정과, 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정과, 프로브를 통하여 동작 소자의 동작을 검사하는 과정을 포함한다. 이때, 피처리물을 마련하는 과정 이전에 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정을 더 포함할 수 있다.A method for inspecting an object to be inspected according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing an object to be inspected having an inspection area; irradiating a laser beam to the object to be inspected, A step of exposing a part of the probe, a step of contacting the probe to the exposed position, and a step of checking the operation of the operating element through the probe. In this case, the process may further include observing the object to be treated prior to the process of preparing the object to be inspected, thereby confirming the defective inspection region.
또한, 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정과, 전자빔에 의해 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정과, 수집되는 신호를 이용하여 검사 영역에서의 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 또한, 피처리물을 마련하는 과정 이후에, 검사 영역에서의 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성하는 과정을 더 포함할 수 있다.In addition, a process of discharging an electron beam to an inspection region, a process of collecting a signal emitted from an inspection region by an electron beam, and a process of collecting a signal to be processed in an inspection region And generating at least one of image information and component information. The method may further include the step of generating three-dimensional image information of the object to be inspected in the inspection area after the process of preparing the object to be processed.
피처리물(10)의 결함을 검사하여 검사 영역을 확인(S100)한다. 이의 과정에는 자동 광학 검사(Automated Optical Inspection, AOI) 방식이 적용될 수 있다. 검사 영역이 확인되면 피처리물(10)을 지지부(200) 상에 마련(S200)한다.The defects of the
피처리물(10)의 검사 영역에 전자빔을 이용하여 신호를 수집하고, 수집되는 신호를 이용하여 검사 영역의 제1결함 정보를 생성(S300)한다. 예컨대 검사 영역의 상측으로 제1관찰부(700)를 위치시키고, 검사 영역으로 전자빔을 방출한다. 전자빔에 의하여 검사 영역에서 방출되는 전자 및 X선 등의 신호를 수집하고, 이를 이용하여 검사 영역에서의 이미지 정보 및 성분 정보를 생성한다. 검사 영역의 이미지 정보 및 성분 정보로부터 제1결함 정보를 생성한다. 따라서, 제1결함 정보는 검사 영역에 생성된 결함의 형태적인 정보와 정성적인 정보를 모두 포함할 수 있다.Signals are collected using an electron beam in the inspection area of the object to be processed 10, and the first defect information of the inspection area is generated using the collected signals (S300). For example, the
피처리물(10)의 검사 영역의 3차원 이미지 정보를 생성하고, 생성되는 3차원 이미지 정보를 이용하여 검사 영역의 제2결함 정보를 생성(S400)한다. 예컨대 검사 영역의 상측으로 제2관찰부(800)를 위치시키고, 제2관찰부(800)를 이용하여 검사 영역의 3차원 이미지를 생성한다. 검사 영역의 3차원 이미지로부터 제2결함 정보를 생성한다. 따라서, 제2결함 정보는 검사 영역에 생성된 결함의 제1축 방향, 제2축 방향 및 제3축 방향으로의 위치 정보를 포함할 수 있다.Dimensional image information of the inspection region of the object to be processed 10, and generates second defect information of the inspection region using the generated three-dimensional image information (S400). For example, the
도 4(a)는 피처리물(10)의 상부에 형성되는 동작 소자(A) 예컨대 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 개략도이다. 도 3 및 도 4(a)를 참조하여, 동작 소자(A)의 단면 구조 및 동작 방식을 설명하면 다음과 같다. 피처리물(10)의 상부에는 게이트 전극(11)이 형성되고, 게이트 전극(11)의 상부에는 게이트 절연막(12)이 형성되며, 게이트 절연막(12)의 상부에는 채널(13)이 형성된다, 채널(13)의 상부 일측에는 소스(14)가 형성되고, 채널(13)의 상부 타측에는 드레인(15)이 형성된다. 채널(13), 소스(14) 및 드레인(15)의 상부에는 패시베이션(16)이 형성된다. 게이트 전극(11)은 게이트 라인(A)에 연결되고 소스(14)는 데이터 라인(b)에 연결되며 드레인(15)은 화소(c)에 연결된다. 게이트 전극(11)에 신호가 인가되면, 채널(13)이 소스(14)와 드레인(15)을 전기적으로 연결시키고, 이에 화소(c)가 데이터 라인(b)에서 신호를 받아 동작될 수 있다.Fig. 4 (a) is a schematic view showing a cross section of an operation element A, for example, a thin film transistor formed on an
검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)에 레이저 빔을 조사하여 동작 소자(A)의 적어도 일부를 노출(S500)시킨다. 동작 소자(A)의 상측에서 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)을 향하는 방향으로 레이저 빔을 조사하여 복수개의 홀(h)을 형성하고, 예컨대 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)을 동작 소자(A)의 상측으로 노출시킨다.(S500) at least a part of the operation element (A) by irradiating a laser beam to the operation element (A) of the inspection area or the operation element (A) connected to the inspection area. A plurality of holes h are formed by irradiating a laser beam in the direction from the upper side of the operation element A toward the
동작 소자(A)의 노출 위치에 프로브(530)를 접촉(S600)시킨다. 예컨대 검사부(500)를 동작 소자(A)의 노출 위치의 상측으로 이동시키고, 노출 위치의 상측에 프로브(530)를 각각 정렬시킨다. 프로브(530)를 제3축 방향으로 이동시키며 노출 위치로 프로브(530)를 이동시키고, 이와 함께 프로브(530)의 움직임을 광학부(600)로 관찰한다. 광학부(600)에서 프로브(530)의 초점이 형성되면, 관찰되는 프로브(530)의 이미지로부터 프로브(530)의 단부 좌표를 생성하고, 이를 기준 좌표와 대비하여 프로브(530)의 접촉 여부를 판단한다. 이때, 프로브(530)의 단부 좌표가 기준 좌표와 달라지는 경우에 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 것으로 판단한다. 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 프로브(530)의 이동을 제어한다. 즉, 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 것으로 판단되면, 프로브(530)의 이동을 정지시킨다. 프로브(530)가 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)의 노출 위치에 직접 접촉한 상태를 도 4(c)에 도시하였다.The
프로브(530)를 통하여 동작 소자(A)의 동작을 검사하고, 이로부터 제3결함 정보를 생성(S700)한다. 예컨대 프로브(530)로 동작 소자(A)와 직접 신호를 송수신하며 동작 소자(A)의 동작 여부를 검사한다. 상기의 방식은 동작 소자(A)의 게이트 전극(11), 소스(14) 및 드레인(15)에 검사 전압(V)을 인가하고, 이들의 전류(I)를 측정하여, 측정되는 전류값이 적정 전류값의 범위에 포함되면 동작 소자(A)가 정상 동작하는 것으로 판단하고, 측정되는 전류값이 정정 전류값의 범위를 벗어나면 동작 소자(A)가 정상 동작하지 않는 것으로 판단하는 방식일 수 있다. 동작 소자(A)가 동작 검사 결과로부터 제3결함 정보를 생성한다. 따라서, 제3결함 정보는 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작 상태를 결함 정보로서 포함할 수 있다.The operation of the operation element A is checked through the
한편, 본 발명의 실시 예에서는 전자빔을 이용하여 검사 영역을 검사하는 과정과, 검사 영역의 3차원 이미지를 생성하여 이로부터 검사 영역을 검사하는 과정과, 검사 영역의 동작 소자(A) 또는 검사 영역과 연결된 동작 소자(A)의 동작을 직접 검사하는 과정의 순서를 특별히 한정하지 않는다. 예컨대 상술한 과정들의 순서는 도 5에 도시된 순서 외에도 다양하게 변경될 수 있으며, 또한, 상술한 과정들이 동시에 진행될 수도 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of inspecting an inspection region using an electron beam, comprising the steps of: generating a three-dimensional image of an inspection region and inspecting the inspection region; The operation of directly inspecting the operation of the operation element A connected to the operation element A is not particularly limited. For example, the order of the above-described processes may be variously changed in addition to the order shown in FIG. 5, and the above-described processes may be performed at the same time.
각 과정들에서 생성되는 검사 영역의 결함 정보들을 입력받아 분류하고 이를 저장(S800)한다. 이의 과정은 제어부(900)에서 실시될 수 있다. 후속하여, 저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 실시할 수 있다.The defect information of the inspection area generated in each of the processes is input, classified, and stored (S800). This process can be performed in the
저장된 결함 정보들은 후속하여 결함을 리페어하는 과정에서 활용될 수 있다. 즉, 결함을 리페어하는 과정에서는 검사 영역의 결함 정보를 이용하여 결함의 리페어 여부나 방식을 결정하고, 이에 대응하여 효율적인 리페어를 실시할 수 있다. 예를 들어 제1결함 정보 및 제2결함 정보에서 검사 위치의 결함을 확인하였으나, 제3결함 정보에서 동작 소자(A)의 동작이 확인되면, 결함을 리페어하지 않고, 다음 공정으로 넘어갈 수 있고, 제3결함 정보에서 동작 소자(A)가 동작되지 않는 것이 확인되면 결함을 리페어하는 과정을 실시할 수 있고, 이때, 제1결함 정보 및 제2결함 정보에 대응하도록 리페어 설비 및 방식이 결정될 수 있다.The stored defect information can be utilized in the subsequent defect repairing process. That is, in the process of repairing defects, it is possible to determine whether or not the defects are repaired using defect information in the inspection area, and perform efficient repair in response to the determination. For example, if the defect of the inspection position is confirmed in the first defect information and the second defect information but the operation of the operation element A is confirmed in the third defect information, the defect can not be repaired, If it is confirmed that the operation element A is not operated in the third defect information, a process of repairing the defect may be performed. At this time, the repair facility and the method may be determined to correspond to the first defect information and the second defect information .
또한, 저장된 결함 정보들은 결함을 생성하는 공정을 추적하여 이를 개선하는 과정에 활용될 수 있다. 예를 들어 검사 영역의 제1결함 정보를 분석하여 검사 영역의 소정 위치에 철 성분이 확인되는 경우, 철 성분과 관련된 공정을 결함의 원인 공정으로 판단하여 해당 공정을 추적하고, 해당 공정의 문제점을 파악하여 개선할 수 있다. 또는, 검사 영역의 제1결함 정보 및 제2결함 정보를 분석하여 동작 소자(A)의 드레인(15)에 이물이 부착되어 있는 것이 확인되면 동작 소자(A)를 형성하는 공정을 결함의 원인 공정으로 판단하여 해당 공정의 문제점을 추적하고 이를 개선할 수 있다.In addition, the stored defect information can be utilized in the process of tracking and improving the defect generating process. For example, if the first defect information in the inspection area is analyzed and the iron component is identified at a predetermined position in the inspection area, the process related to the iron component is determined as the defect process, and the corresponding process is tracked. Can be identified and improved. Alternatively, when the first defect information and the second defect information in the inspection area are analyzed and it is ascertained that the foreign substance adheres to the
본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이며, 본 발명의 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 본 발명은 특허청구범위 및 이와 균등한 기술 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.It should be noted that the above-described embodiments of the present invention are for the purpose of illustrating the present invention and not for the purpose of limitation of the present invention. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims and their equivalents. You will understand.
100: 테이블 200: 지지부
300: 장착부 400: 제거부
500: 검사부 600: 광학부
700: 제2검사부 800: 제2관찰부
900: 제어부100: Table 200: Support
300: mounting part 400: removing part
500: inspection part 600: optical part
700: second inspection part 800: second observation part
900:
Claims (15)
상기 지지부의 상측에 배치되고, 레이저 빔을 이용하여 상기 피처리물의 상부에 형성된 막의 일부를 선택적으로 제거 가능한 제거부;
상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 피처리물의 소자에 접촉하여 신호를 송수신 가능하도록 형성되는 검사부;
상기 지지부의 상측에서 상기 검사부를 향하여 배치되어 상기 검사부를 관찰 가능한 광학부; 및
상기 광학부에서 관찰되는 이미지를 이용하여 상기 검사부의 이동을 제어 가능하도록 형성되는 제어부;를 포함하고,
상기 제어부는 상기 제거부의 작동을 제어하여 상기 피처리물의 소자에 홀을 형성하고, 상기 소자의 게이트 전극, 소스 및 드레인을 상측으로 노출시키는 검사장치.A support formed to be able to support the object to be processed;
A remover disposed above the support and capable of selectively removing a portion of the film formed on the object using the laser beam;
An inspection unit disposed above the support unit and configured to be able to transmit and receive a signal in contact with the element of the object to be processed;
An optical unit disposed above the supporting unit toward the inspection unit and observing the inspection unit; And
And a control unit configured to control the movement of the inspection unit using an image observed by the optical unit,
Wherein the control unit controls the operation of the removal unit to form a hole in the element of the object to be processed and expose the gate electrode, the source and the drain of the element upward.
상기 지지부의 상측에 배치되며, 전자빔을 이용하여 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 생성 가능한 제1관찰부; 및
상기 지지부의 상측에 배치되며, 상기 제1관찰부보다 낮은 배율로 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 생성 가능한 제2관찰부;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 1,
A first observation unit disposed above the support unit and capable of generating at least one of image information and component information of the object using an electron beam; And
And a second observation unit disposed above the support unit and capable of generating three-dimensional image information of the object to be processed at a lower magnification than the first observation unit.
상부에 상기 지지부가 위치하는 테이블; 및
상기 테이블에 설치되며, 상기 제거부, 검사부, 광학부, 제1관찰부 및 제2관찰부가 장착되어 지지되는 장착부;를 포함하는 검사장치.The method of claim 2,
A table on which the support portion is located; And
And a mounting unit installed on the table and mounted with the removal unit, the inspection unit, the optical unit, the first observation unit, and the second observation unit mounted thereon.
상기 검사부는 상기 지지부를 향하여 하향 경사지게 배치되는 복수개의 프로브를 구비하는 검사장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the inspection unit includes a plurality of probes arranged to be inclined downward toward the support unit.
상기 제어부는,
상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하고, 상기 프로브의 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브와 상기 피처리물의 접촉 여부를 판단하며, 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 동작 제어부;를 포함하는 검사장치.The method of claim 4,
Wherein,
The end portion of the probe is generated from an image of the probe observed by the optical portion, and whether or not the probe and the object to be processed are in contact with each other is determined by comparing the end coordinates of the probe with the reference coordinates, And an operation control unit for controlling the movement of the probe.
상기 제어부는 상기 제1관찰부 및 제2관찰부에서 생성되는 정보들과, 상기 검사부의 검사 결과 정보를 입력받아 분류하는 수집부; 및
상기 수집부에서 분류되는 정보들을 입력받아 저장하는 저장부;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the control unit comprises: a collecting unit for receiving information generated by the first observation unit and the second observation unit; And
And a storage unit for receiving and storing information classified by the collecting unit.
상기 제1관찰부는,
내부에 진공이 형성되는 컬럼;
상기 피처리물에 전자빔을 방출 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 전자빔 방출기; 및
상기 피처리물로부터 방출되는 전자 및 X선 중 적어도 하나의 신호를 획득 가능하도록 상기 컬럼의 내부에 형성되는 신호 검출기;를 포함하는 검사장치.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the first observation portion
A column in which a vacuum is formed;
An electron beam emitter formed inside the column to emit an electron beam to the object to be processed; And
And a signal detector formed inside the column so as to obtain at least one of an electron and an X-ray emitted from the object to be processed.
상기 피처리물에 레이저 빔을 조사하여 상기 검사 영역의 동작 소자 또는 상기 검사 영역에 연결된 동작 소자에 홀을 형성하고, 상기 동작 소자의 게이트 전극, 소스 및 드레인을 상측으로 노출시키는 과정;
상기 동작 소자의 노출 위치에 프로브를 접촉시키는 과정; 및
상기 프로브를 통하여 상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.A process of preparing an object to be inspected whose inspection area is identified;
A step of irradiating a laser beam onto the object to be processed to form a hole in the operation element connected to the inspection area or the operation element connected to the inspection area and exposing the gate electrode, the source and the drain of the operation element upward;
Contacting the probe to an exposed position of the operating element; And
And inspecting an operation of the operating element through the probe.
상기 프로브를 접촉시키는 과정은,
상기 노출 위치로 프로브를 이동시키는 과정;
상기 프로브의 움직임을 광학부로 관찰하는 과정;
상기 광학부에서 관찰되는 상기 프로브의 이미지로부터 상기 프로브의 단부 좌표를 생성하는 과정;
상기 단부 좌표와 기준 좌표를 대비하여 상기 프로브의 접촉 여부를 판단하는 과정; 및
상기 접촉 여부의 판단 결과를 이용하여 상기 프로브의 이동을 제어하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
The process of contacting the probe includes:
Moving the probe to the exposure position;
Observing the motion of the probe with an optical unit;
Generating an end coordinate of the probe from the image of the probe observed in the optical unit;
Determining whether the probe is in contact with the end coordinates and the reference coordinates; And
And controlling the movement of the probe using the result of the contact determination.
상기 동작 소자의 동작을 검사하는 과정은,
상기 프로브로 상기 동작 소자와 신호를 직접 송수신하며 상기 동작 소자의 동작 여부를 검사하는 과정을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
Wherein the step of inspecting the operation of the operating element comprises:
And transmitting a signal directly to and from the operating element with the probe to check whether the operating element is operating.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이전에,
상기 피처리물을 관찰하여 결함이 있는 검사 영역을 확인하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
Before the process of preparing the object to be processed,
And inspecting the object to be inspected to identify a defective inspection area.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에,
상기 검사 영역으로 전자빔을 방출하는 과정;
상기 전자빔에 의해 상기 검사 영역에서 방출되는 신호를 수집하는 과정; 및
상기 신호를 이용하여 상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 이미지 정보 및 성분 정보 중 적어도 하나를 포함하는 결함 정보를 생성하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
After the process of preparing the object to be processed,
Emitting the electron beam to the inspection area;
Collecting a signal emitted from the inspection region by the electron beam; And
And generating defect information including at least one of image information and component information of the object to be processed in the inspection region using the signal.
상기 피처리물을 마련하는 과정 이후에,
상기 검사 영역에서의 상기 피처리물의 3차원 이미지 정보를 결함 정보로 생성하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method of claim 8,
After the process of preparing the object to be processed,
And generating three-dimensional image information of the object in the inspection area as defect information.
상기 검사 영역에서의 결함 정보 및 상기 동작 소자의 검사 결과 중 적어도 하나를 입력받아 분류하고 저장하는 과정;을 포함하는 피처리물 검사방법.The method according to claim 12 or 13,
And a step of receiving, classifying and storing at least one of defect information in the inspection area and inspection result of the operating element.
저장된 결함 정보를 이용하여 결함을 리페어하는 과정 및 저장된 결함 정보를 이용하여 결함 생성 공정을 추적하고 개선하는 과정 중 적어도 하나의 과정을 포함하는 피처리물 검사방법.15. The method of claim 14,
A defect repairing step of repairing defects using stored defect information, and a defect inspecting step of defect defect inspecting step using stored defect information.
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